Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование сверхпроводящих джозефсоновских контактов с туннельным и ферромагнитным слоями

Диссертация: Исследование сверхпроводящих джозефсоновских контактов с туннельным и ферромагнитным слоями
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработкой цифровой сверхпроводниковой логики занимался еще в 70-х и 80-х годах XX века целый ряд лабораторий и коммерческих~фирм. В то время в качестве одного из сверхпроводящих слоев в джозефсоновских контактах использовался свинец, металл, быстро деградирующий под воздействием окружающей среды, что делало прототипы логических устройств недолговечными. Но эта проблема была решена с внедрением… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Сверхпроводимость и квантовые когерентные явления в сверхпроводниках
    • 1. 3. Эффекты Джозефсона и джозефсоновские контакты
      • 1. 3. 1. Туннельный джозефсоновский контакт
      • 1. 3. 2. Гезистивно-шунтированная модель джозефсоновского контакта (RCSJ)
      • 1. 3. 3. Температурная зависимость критического тока в SIS и SNS джо-зефсоновских контактах
    • 1. 4. Джозефсоновский контакт в магшггном поле
    • 1. 5. Эффект близости на SN и SF-границах раздела
      • 1. 5. 1. Джозефсоновский SFS 7г-контакт
      • 1. 5. 2. Джозефсоновский SIFS контакт
    • 1. 6. Экспериментальное наблюдение 0−7г-перехода
    • 1. 7. Преимущества SIFS джозефсоновских контактов
    • 1. 8. RSFQ-логика, комплементарная ячейка, SFQ-тригер
  • ГЛАВА 2. Технологические и экспериментальные методы
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Установки магнетронного напыления многослойных тонкопленочных структур, используемые при изготовлении джозефсоновских контактов
    • 2. 3. Технологии изготовления многослойных тонкопленочных структур для Ni-SIFS джозефсоновских контактов и для PdFe-SFS и SIFS джозефсоновских контактов
    • 2. 4. Формирование туннельного слоя AI2O
    • 2. 5. Установка фотолитографии MJB-4 и фоторезист AZ5214E
    • 2. 6. Установка реактивного плазмохимического травления тонких пленок (RIE)
    • 2. 7. Установка анодирования
    • 2. 8. Технология изготовления туннельных джозефсоновских контактов методом мультиплицирования
    • 2. 9. Технология изготовления Ni-SIFS джозефсоновских контактов с клином по толщине F-слоя методом мультиплицирования
    • 2. 10. Установка термического напыления тонких пленок (TES)
    • 2. 11. Технология изготовления PdFe-SFS джозефсоновских контактов
    • 2. 12. SQUID-измерения PdFe-SFS JJs
    • 2. 13. Технология изготовления джозефсоновских контактов PdFe-SIFS
    • 2. 14. Методика транспортных dc-измерений PdFe-SIFS джозефсоновских контактов
    • 2. 15. de-измерения А^г-SIFS джозефсоновских контактов и H3 система
  • ГЛАВА 3. SIFS джозефсоновские контакты с сильным ферромагнетиком
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Особенности изготовления джозефсоновских контактов Nb/AUh/Cu/Nt/Nb
    • 3. 3. Транспортные измерения на IWSIFS джозефсоновских контактах
    • 3. 4. Обсуждение экспериментальных результатов

Исследование сверхпроводящих джозефсоновских контактов с туннельным и ферромагнитным слоями (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

4.2. Характеризация слабого ферромагнитного сплава PdFe.137.

4.3. Особенности изготовления и измерения SFS JJs.140.

4.4. Экспериментальные результаты и влияние магнитной анизотропии на характеристики PdFe-SFS контактов .141.

4.5. Влияние уменьшения размера PdFe-SFS контактов на транспортные характеристики. Джозефсоновская магнитометрия.145.

4.6. Магнитные переключатели на основе SFS контактов .148.

4.7.

Заключение

по результатам четвертой главы.149.

ГЛАВА 5. Джозефсоновские SIFS-контакты с высокими критическими напряжениями и переключатели на их основе 152.

5.1.

Введение

.152.

5.2. Особенности изготовления образцов PdFe-SlFS контактов.154.

5.3. Транспортные измерения и характеристики PdFe-SIFS контактов. 156.

5.4. Переключатели SIFS на основе PdFe-MJJs.160.

5.5. Аппроксимация экспериментальных данных.167.

5.6. Устойчивость во времени логических состояний PdFe-SlFS контактов .169.

5.7.

Заключение

по результатам пятой главы.171.

Заключение

172 Литература.174.

Приложение-CD диск 182.

Актуальность и проблематика диссертационной работы.

Современная полупроводниковая микроэлектроника, в основе которой лежит К-МОП-логика1 (CMOS), двигается по пути усложнения интегральных схем и повышения плотности активных и пассивных элементов на чипе. Это неизбежно ведет к увеличению тепловыделения в рабочих режимах в связи с увеличением диссипации в высокоомных полупроводниковых структурах, что накладывает сильные ограничения на дальнейший рост производительности таких систем. Более того, дальнейшая интеграция и использование старых «классических» принципов CMOS электроники затруднены уже потому, что реальное число «работающих» электронов в полупроводниковой наноструктуре резко уменьшается, начинают проявляться квантовые эффекты, мешающие традиционным классическим. Возрастает и стоимость изготовления элементов. Известный «второй закон Мура» введённый в 1998 г. Юджином Мейераном, гласит, что стоимость фабрик по производству микросхем экспоненциально возрастает с усложнением производимых микросхем. Так, стоимость фабрики, на которой корпорация Intel производила микросхемы динамической памяти ёмкостью 1 Кбит, составляла 4 млн. долларов, а оборудование по производству микропроцессора Pentium по 0,6-микрометровой технологии с 5,5 млн. транзисторов обошлось в 2 млрд. долларов. Стоимость же Fab32, завода по производству процессоров на базе 45-нм техпроцесса, составила 3 млрд. долларов. Еще один недостаток полупроводниковых логических наноструктур — невозможность дальнейшего существенного увеличения их быстродействия. Самый современный на сегодняшний день полупроводниковый процессор имеет тактовую частоту 8.373 ГГц (Процессор AMD FX-8120.

1К-МОПкомплементарная логика на транзисторах мсталл-оксид-полупроводннк. англ. CMOS., Coinplcincntary-syminctry/inctal-oxidc semiconductor. Схемы КМОП в 1963 изобрел Фрэнк Вонлас (Fiauk Wanlass) из компании Fairclnld Semiconductor, первые микросхемы по технологии КМОП были созданы в 1968.

Bulldozer)). 10 ГГц — фактически, предел для тактовой частоты полупроводниковой CMOS-электроиики. Анализ перспектив развития современной микроэлектроники выявил острую необходимость поиска принципиально новых путей развития электроники будущего.

С точки зрения увеличения быстродействия и уменьшения тепловыделения наиболее привлекательной является сверхпроводниковая интегральная криоэлектроника [1] (или сверхпроводниковая микроэлектроника) ~ основанная на свойствах сверхпроводящих слабых связей (джозефсоновских контактов) и новых необычных характеристиках других низкоразмерных структур, свойства которых при низких температурах существенно изменяются. В низкоразмерных структурах начинают преобладать квантовые свойства, причем сверхпроводящие материалы, обладая длинномасштабной квантовой когерентностью, способны проявлять эти свойства в макроскопическом масштабе. Как следствие, объединение сверхпроводящих и несверхпроводящих материалов в гибридные структуры позволяет реализовать необычные квантовые эффекты, которые могут быть использованы в новой элементной базе, необходимой для формирования интегральных вычислительных криомикро-схем нового поколения.

Наряду с тем, что такого рода электроника обладает рядом весомых преимуществ, в числе которых рекордное быстродействие, крайне низкое тепловыделение, сравнительно дешевое изготовление в рамках существующих микрои нанотехнологий, существуют и некоторые недостатки. Одним из главных препятствий на пути развития сверхпроводниковой электроники, по-видимому, является «криофобия», т. е. страх перед проблемами, связанными с охлаждением структур до температур ниже точки сверхпроводящего перехода. Существует, однако, целый ряд аргументов в пользу развития криоэлектроники, кроме указанных выше. Во-первых, проблемы тепловыделения в полупроводниковой электронике уже сейчас заставляют существенно охлаждать наиболее прецизионные ее образцы. Кроме того, активно разрабатываемые «сухие» рефрижераторы замкнутого цикла уже примирили людей, боящихся жидкого гелия и азота, со сверхпроводящими детекторами, магнитометрами, эталонами Вольта и другими прецизионными устройствами на основе последних достижений физики сверхпроводимости и эффекта Джо-зефсона [2]. В последнее время также идет разработка «on-chip» -кулеров, предназначенных для охлаждения непосредственно отдельных чипов.

Разработкой цифровой сверхпроводниковой логики занимался еще в 70-х и 80-х годах XX века целый ряд лабораторий и коммерческих~фирм. В то время в качестве одного из сверхпроводящих слоев в джозефсоновских контактах использовался свинец, металл, быстро деградирующий под воздействием окружающей среды, что делало прототипы логических устройств недолговечными. Но эта проблема была решена с внедрением полностью нио-биевых технологий (см. например [3]). После этого произошел резкий прорыв в разработке цифровых процессоров на сверхпроводящей элементной базе, особенно когда в 90-х годах прошлого века была предложена цифровая сверхпроводящая одноквантовая логика (RSFQ — Rapid Single Flux Quantum logic), которая основана на перемещении и хранении отдельных квантов магнитного потока Фо ~ 2 • Ю-15 Вб. Логическое цифровое состояние в стандартной RSFQ-логике [4] определяется отсутствием (0) или наличием (1) в сверхпроводящем кольце с джозефсоновским контактом кванта магнитного потока. Основным базисным элементом сверхпроводящих RSFQ микросхем является SQUID (Superconducting Quantum Interference Device или сверхпроводящий квантовый интерферометр), который представляет собой сверхпроводящее кольцо (микронных размеров), способное квантовать магнитный поток, с двумя областями слабых связей — туннельными (SIS) джозефсоновскими контактами, необходимыми для входа и выхода кванта магнитного потока ФоВ настоящее время производители сверхпроводящей электроники (например, HYPRES Inc. (www.hypres.com)) изготавливают такую коммерческую продукцию как: первичные эталоны вольта, джозефсоновские приемники для радиоастрономии, ЭС^иГО-усилители, аналого-цифровые преобразователи и цифровые синтезаторы в Ь-полосе частот. Реализуемые ими устройства используют рефрижераторы замкнутого цикла и способны «оцифровывать» принимаемые сигналы СВЧдиапазона (20−40 ГГц) непосредственно на приемной антене. Они имеют широкий динамический диапазон в полосе 2 МГц — 2 ГГц. Разработка «Ь-Ьапс1» -полосных аналого-цифровых преобразователей и цифровых синтезаторов критически важна для реализации «все-цифровых» СВЧ-приемо-передатчиков, необходимых не только в телекоммуникациях, но и для многих других оборонных и коммерческих применений. Ряд российских научных групп принимает активное участие в «расшивании узких мест» на пути развития ЫБРС^-электроники, которые связаны с уменьшением размеров базисных КБРС^-ячеек и созданием быстрой «джозефсоновской» памяти.

Наряду с разработкой новых типов цифровой логики в настоящее время развивается принципиально новый метод организации вычислений на основе когерентной квантовой электроники. Когерентные квантовые устройства (сверхпроводящие кубиты) — основные элементы пока гипотетического квантового компьютера, т. е. компьютера, производящего вычисления на основе квантово-когерентных алгоритмов, которые позволяют решать проблемы, не решаемые классическими способами. Колоссальное увеличение объема информации, обрабатываемой таким компьютером, связано с использованием распараллеливания вычислений, естественного для квантово-механических алгоритмов. В настоящее время основная проблема связана с реализацией соответствующей наноструктурной физической системы для построения ку-бита. Субмикронная джозефсоновская электроника является наиболее естественной физической средой для создания квантового компьютера, поскольку длинномасштабная квантовая когерентность, демонстрируемая сверхпроводниками, позволяет рассчитывать на сохранение квантовой когерентности в течении много большего времени, нежели необходимо для совершения элементарной операции.

В связи с важной ролью джозефсоновских контактов в сверхпроводящей микроэлектронике множество лабораторий занимается исследованиями их электронно-транспортных' характеристик и возможностей использования уникальных свойств в элементах сверхпроводящей цифровой и квантовой логики. Новый тип джозефсоновского контакта с ферромагнитной слабой связью (контакт сверхпроводник-ферромагнетик-сверхпроводник, БРЭ-контакт) был изготовлен в лаборатории сверхпроводимости ИФТТ РАН в 1999 году [5]. Вскоре после этого, в 2001 году, здесь же на основе ЭРБ-контакта был реализован сверхпроводящий инвертор фазы или 7г-контакт [6], который-является одним из перспективных элементов сверхпроводящей электроники. В основе джозефсоновского инвертора фазы лежит эффект близости на границе сверхпроводник/ферромагнетик (БР-границе). При хорошем металлическом контакте наведенная сверхпроводящая волновая функция в ферромагнетике прежде, чем затухнуть под воздействием температуры и обменного поля, осциллируя, успевает поменять фазу. Это свойство позволяет изготавливать БРЭ-контакты с такой толщиной ферромагнетика, которая обеспечивает спонтанный сдвиг фазы 7 г на Р-слое [7]. Возможность использования джозефсоновского инвертора фазы в качестве элемента сверхпроводящей цифровой и квантовой логики представлена в работах [5−12]. Эти работы заложили фундамент для дальнейшего успешного развития данной тематики не только в нашей лаборатории ИФТТ РАН, но и других научных центрах (см. обзор [7]).

Джозефсоновские ЭРБ-структуры могут быть использованы в криоэлек-тронике в качестве элементов логических устройств и элементов памяти. Простейшее их применение, как будет показано в этой диссертационной работе, основано на возможности переключения джозефсоновских магнитных контактов между состояниями с различным критическим током импульсами слабых магнитных полей. БРЭ 7г-контакты имеют перспективу использования в сверхпроводящей цифровой и квантовой логике в качестве внутренних источников смещения, поскольку разность фаз, задаваемая 7г-контактом, играет ту же роль в сверхпроводящих схемах, какую разность электрических потенциалов играет в обычных электрических схемах. SFS-контакты могут помочь разрешить две основные проблемы, стоящие на пути активного развития RSFQ-электроники: ограничение на возможность уменьшения базисных ячеек, связанное с необходимостью обеспечения достаточной индуктивности для удержания кванта магнитного потока, и отсутствие компактной магнитной памяти, совместимой с RSFQ-схемами. Первая проблема решается включением в базисную ячейку 7г-контакта, задающего смещение, которое заменяет необходимую в стандартных схемах геометрическую индуктивность [9, 13, 14]. Компактная джозефсоновская магнитная память может быть реализована на джозефсоновских магнитных переключателях, исследованных в настоящей диссертационной работе. Два логических состояния этих переключателей, как отмечено выше, соответствуют двум значениям критического тока SFS-контакта (в нулевом магнитном поле), возникающим при перемаг-ничивании ферромагнитного барьера.

Таким образом, диссертация посвящена экспериментальному исследованию джозефсоновских контактов с магнитным барьером, т. е. слоистых джозефсоновских структур типа сверхпроводник — ферромагнетик — сверхпроводник (SFS-контактов) и сверхпроводник — изолятор — ферромагнетиксверхпроводник (SIFS-контактов), представляющих большой интерес как с научной, так и с практической точек зрения. Присутствие дополнительного туннельного (I) слоя в джозефсоновских структурах с магнитным барьером способствует улучшению критических характеристик, необходимых для их практического применения в джозефсоновской цифровой и квантовой логике в качестве инверторов фазы и магнитных джозефсоновских переключателей.

Цели данной диссертационной работы состояли в реализации гибридных джозефсоновких структур с туннельным и магнитным барьером (SIFS-контактов), наблюдении перехода SIFS-контакта в 7г-состояние с инверсией сверхпроводящей фазы, демонстрации работы джозефсоновских магнитных переключателей на основе SFS и SIFS-контактов, а также в изучении возможности применения SIFS-структур в качестве элементов криогенной памяти.

Для реализации поставленных целей были решены следующие задачи:

• Разработаны и оптимизированы комбинированные технологии приготовления джозефсоновских магнитных SFS и SIFS-контактов. Для этого созданы лабораторные технологические установки: автоматизированная установка плазмохимического ионного травления в среде CF4. O2 (RIE) — автоматизированная высоковакуумная (10~7 мБар) установка термического осаждения тонких пленок с опцией теневого напыления (TES) — система автоматизированного электрохимического анодирования. В среде Lab View разработана универсальная программа измерения транспортных характеристик джозефсоновских структур с 3D визуализацией экспериментальных данных в реальном времени.

• Отработана хорошо воспроизводимая технология получения туннельного слоя (I) в SIS и SIFS-контактах, обеспечивающая заданную плотность критического тока.

• Исследована зависимость критического тока джозефсоновских SFS и SIFS-контактов от толщины ферромагнетика в широком интервале толщин, сопоставимом с полным периодом осцилляций сверхпроводящего параметра порядка. Обнаружен 0−7Г переход в джозефсоновском магнитном контакте с туннельным барьером. Определены интервалы толщин, в которых SIFS-переход является 0- или 7г-контактом.

• Проведено сравнение экспериментальных результатов по SIFS контактам с данными численного моделирования на основе микроскопической теории, учитывающей влияние рассеяния электронов с переворотом спина в ферромагнитном слое (для чистого и грязного пределов).

• Продемонстрирована возможность создания элементов памяти, обладающих необходимыми характеристиками, на основе джозефсоновских магнитных переключателей ТУЪ — Р0.99-^е0.01 — и Л/Ъ — АЮХ — Р0.99-^е0.01 — с магнитомягкой ферромагнитной прослойкой Р<1Ре. Эффект переключения основан на гистерезисной зависимости критического тока ЭРБ и 31Р8-контактов от внешнего магнитного поля, которая позволяет переключать такие контакты между двумя состояниями с разными значениями критического тока, воздействуя на образец импульсами слабого магнитного поля.

• Показано, что введение туннельного слоя в магнитный джозефсонов-ский переход позволяет существенно увеличить характеристическое джозефсоновское напряжение и уменьшить джозефсоновское время переключения контактов с магнитным слоем.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

• Изготовлены и изучены джозефсоновские ЗГРЭ-контакты ИЬ — АЮХ — N1 — ИЪ с сильным ферромагнитным (N1) и туннельным (АЮХ) слоями. Наличие туннельного слоя привело к существенному увеличению характеристического джозефсоновского напряжения по сравнению с БРЭ-контактами (без туннельного слоя), что позволило проводить измерения джозефсоновских характеристик стандартными методами (без применения пиковольтметра).

• Проведены исследования зависимости критического тока ЭШв-контактов от толщины никелевого Р-слоя в широком интервале толщин. Обнаружены пространственные осцилляции наведенного сверхпроводящего параметра порядка в поликристаллическом никеле, определен их период.

• Обнаружен переход джозефсоновского Э^Б-контакта в 7г-состояние с инверсным джозефсоновским ток-фазовым соотношением как при изменении толщины ферромагнитного слоя, так и при изменении температуры (для БШЗ-контакта с толщиной Е-слоя близкой к критической толщине 0−7г-перехода).

В результате сравнения полученных экспериментальных результатов с существующими теоретическими моделями для случаев чистого и грязного ферромагнетика с учетом рассеяния электронов с переворотом спина получено удовлетворительное соответствие при использовании характеристик ферромагнитного никеля в качестве подгоночных параметров. Показано, что сдвиги зависимостей критического тока контактов от магнитного поля, обнаруженные для больших исследованных толщин, связаны с изменениями магнитной анизотропии никелевого слоя. Проведена характеризация пленок слабоферромагнитного магнитомяг-кого сплава Рё, о.99-^ео.оь использованных в качестве джозефсоновских барьеров в магнитных переключателях. Получена экспериментальная зависимость температуры Кюри ферромагнитных пленок от толщины, которая для наименьших исследованных толщин (менее 30 нм) опускается ниже 10 К.

Изготовлены и исследованы джозефсоновские БЕв-контакты ИЪ — Рс/Ре — ЫЪ с магнитомягкой ферромагнитной прослойкой. Показано, что прослойка Ро? Ре проявляет однородную намагниченность вдоль слоя при план арных размерах менее 10 мкм, в то время как при больших размерах наблюдаются заметные искажения стандартной зависимости критического тока от внешнего магнитного поля.

Продемонстрировано, что гистерезисная зависимость намагниченности прослойки Рб? Ре (Е-слоя) от внешнего магнитного поля Н приводит к неоднозначной зависимости 1С{Н) критического тока БЕЯ-контактов от магнитного поля. Разработан метод «джозефсоновской магнитометрии», т. е. восстановления петли перемагничиваиия тонкого ферромагнитного слоя из экспериментальных зависимости 1С{Н) в случае магнито-однородных Е-слоев.

• Изготовлены и изучены джозефсоновские 81Р8-контакты ЫЬ — А10х — [ИЪ)—Рс1Ее—НЪ с магнитомягким ферромагнитным (Р (1Ре) и туннельным (А10х) слоями.

Введение

туннельного слоя существенно увеличило характеристическое напряжение и позволило уменьшить джозефсонов-ское время переключения контактов почти на 5 порядков.

• Продемонстрирована возможность практического использования ЭРБ и 81Р8 джозефсоновских контактов в качестве магнитных джозефсонов-ских переключателей.

Практическая ценность работы.

Полученные экспериментальные результаты демонстрируют возможность ргспользования ЭТРЭ структур в криоэлектронике в качестве элементов логических устройств и элементов памяти. Простейшее их применение-основано на возможности переключения джозефсоновских магнитных контактов между состояниями с различным критическим током импульсами слабых магнитных полей. Более сложные структуры — 7г-контакты с магнитным и дополнительным туннельным слоем, могут использоваться как самостоятельные активные элементы в цифровой и квантовой сверхпроводящей электронике.

Научная новизна.

Впервые подробно исследованы Б^Б джозефсоновские контакты с сильным ферромагнетиком (Агг) в широком диапазоне толщин ферромагнитного слоя, позволяющем обнаружить полный период осцилляций параметра порядка и провести анализ результатов на основе современных микроскопических теорий. Впервые обнаружен температурный 0−7г-переход на джозефсоновских структурах с магнитным и туннельным барьером. Показано, что характеристеристическое джозефсоновское напряжение магнитных контактов в присутствии туннельного барьера значительно увеличивается, что дает возможность их интегрирования в существующую сверхпроводящую электронику в качестве активных джозефсоновских элементов. Впервые изготовлены и изучены джозефсоновские структуры со слоем слабого магнитомягкого ферромагнетика (P?Zo.99^eo.oi), в том числе с дополнительным туннельным слоем. Впервые продемонстрирована возможность использования SFS и SIFS структур со слоем PdFe в качестве устойчивых во времени переключающих элементов (джозефсоновских магнитных переключателей). Показано, что туннельный слой на несколько порядков уменьшает время считывания состояния переключателя за счет увеличения характеристического джозефсоновского напряжения переключателей от едениц нВ до сотен мкВ. Разработанная технология изготовления джозефсоновских магнитных переключателей полностью интегрируется в ниобиевую технологию изготовления цифровых сверхпроводящих (RSFQ) устройств, в которых джозефсоновские магнитные переключатели могут выполнять функции оперативной памяти, работающей на частотах до десятков ГГц.

По материалам данной диссертационной работы опубликованы следующие статьи:

AI]. A.A. Bannykh, J. Pfeiffer, V.S. Stolyarov, I.E. Batov. V.V. Ryazanov, M. Weides, «Josephson tunnel junctions with a strong ferromagnetic interlayer», Phys. Rev. B. 79, 54 501 (2009). [А2]. B.B. Больгинов, B.C. Столяров, Д. С. Собанин, A.JI. Карпович, B.B. Рязанов, «Магнитные переключатели на основе джозефсоновских переходов Nb-PdFe-Nb с магнитомягкой ферромагнитной прослойкой», Письма в ЖЭТФ, 95, 7, 408 (2012). [A3]. Т. I. Larkin, V.V. Bol’ginov, V.S. Stolyarov, V.V. Ryazanov, I.V. Vernik, S.K. Tolpygo and O. A. Mukhanov, «Ferromagnetic Josephson switching device with high characteristic voltage», Appl. Phys. Lett. 100, 222 601 (2012).

А также сделаны доклады на конференциях:

1. V.V. Ryazanov, V.A. Oboznov, V.V. Bolginov, V.S.Stolyarov, A.K. Feofanov, A.V. Ustinov, «The superconducting phase invertors and their application in the digital and quantum logic», Nanophysics and Nanoelectronics Symposium 2009, Nizhniy Novgorod, Russia, http: / / nanosymp.ru.

2. V.S.Stolyarov, S.V. Egorov, «Technological complex for nanocircuit fabrication (including SIS, SNS, SFS, SIFS Josephson junctions)», RUSNANOTECH 2009, Moscow, Russia, http://www.rusnanoforum.ru.

3. V.V. Ryazanov, V.S. Stolyarov, T. Cren, D. Roditchev Т.Е. Golikova V.A.Oboznov, S.V. Egorov. «Research of coherent and nonequilibrium effects in hybrid structures superconductor — ferromagnetic », Nanophysics and' Nanoelectronics Symposium 2010, Nizhniy Novgorod, Russia, http: / / nanosymp.ru.

4. V.S. Stolyarov, A.Yu.Rusanov, V.A.Oboznov, V.V.Ryazanov, T. Cren, D. Roditchev, «Research spatial distribution density of states from superconductor on SF and SN borders by means of STM at low temperature and high vacuum», ESONN 2010 Poster session. Grenoble, France, http: / / www. esonn. fr.

5. V.S. Stolyarov, D.A. Fokin, S.V. Egorov, S.A. Nikonov, A.Y. Rusanov. Title: «Ultrahighvacuum closed system of modeling and manufacturing of multilayered heterostrutures for superconducting electronics», RUSNANOTECH 2010, Москва, http://www.rusnanoforum.ru «.

6. В. В. Больгинов, B.C. Столяров, В. В. Рязанов, «Реализация магнитной джозефсоновской памяти на основе переходов с магнито-мягкой ферромагнитной прослойкой», XXXVI совещание по физике низких температур (НТ-36), 2012, Санкт-Петербург.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитированной литературы. Во введении обоснован выбор темы диссертации, сформулированы цель и задачи работы, основные положения, представленные к защите, научная новизна.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Проведены исследования зависимости критического тока контактов А/" 6 — АЮХ — N1 — ЫЬ с сильным ферромагнитным и туннельным слоями от толщины никелевого Е-слоя в широком интервале толщин. Обнаружен переход в 7гсостояние с инверсным джозефсоновским ток-фазовым соотношением как при изменении толщины ферромагнитного слоя, так и при изменении температуры.

2. Реализованы и исследованы джозефсоновские ЭРБ-контакты — Р4.99^е0.01 — АГЬ с магнитомягкой ферромагнитной прослойкой, проявляющие неоднозначную гистерезисную зависимость критического тока от магнитного поля. Разработан метод «джозефсоновской магнитометрии» основанный на извлечении данных о перемагничивании тонкого ферромагнитного слоя из джозефсоновских характеристик.

3. Реализованы джозефсоновские 31Р8-контакты МЬ — АЮХ — (А^б) — Р (1Ее — МЪ с магнитомягким ферромагнитным (Р^Ре) и туннельным (АЮХ) слоями.

Введение

туннельного слоя существенно увеличило характеристическое напряжение и позволило уменьшить джозефсоновское время переключения контактов почти на 5 порядков.

4. Продемонстрированы переключения БРБ и ЗШЭ контактов импульсами магнитного поля между двумя состояниями с разными значениями критического тока. Показана возможность практического рюпользования магнитных джозефсоновских переключателей в качестве быстродействующих элементов памяти в сверхпроводниковой цифровой электронике.

Выражаю искреннюю благодарность всему коллективу Лаборатории сверхпроводимости и Сектора нанолитографии ИФТТ РАН, где выполнена эта диссертационная работа. Я глубоко благодарен руководителю лаборатории профессору Валерию Владимировичу Рязанову. Особо хотелось бы отметить помощь сотрудников и студентов лаборатории, вместе с которыми проводились обсуждения, эксперименты, изготовление и отладка нового оборудования: Николай Степаков, Сергей Егоров, Николай Белов, Виталий Больгинов, Максим Парамонов, Тимофей Ларкин, Анастасия Карпович, Игорь Батов, Леонид Яковлевич Винников, Наталья Алексеевна Тулина, Иван Вещунов, Владимир Обознов, Александр Русанов, Ольга Скрябина.

Хотелось бы поблагодарить рецензентов Сергея Ивановича Божко и Геннадия Александровича Овсянникова, а также ведущую организацию КФТИ КазНЦ РАН за добрый прием.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.Н. Алфеев, П. А. Бахтин, А. А. Васенков, И. Д. Войтович, В. И. Махов, «Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках», Под ред. В. Н. Алфеева. М.: Радио и связь, 232стр. (1985)
  2. Josephson B.D., Possible new effects in superconductive tunnelling // Phys. Lett. 1 (7), 1962 — P. 251−253.
  3. HYPRES Design Rules, http://www.hypres.com/foundry/niobium-process/
  4. K.K. Likharev and V.K. Semenov, IEEE Trans. Appl. Superconcl. v. l, p.3 (1991)
  5. В. В. Рязанов, УФН 169, 920 (1999)
  6. V. V. Ryazanov, V. A. Oboznov, A. Y. Rusanov, A. V. Veretennikov, A. A. Golubov, and J. Aarts, Phys. Rev. Lett. 86, 2427 (2001).
  7. A. I. Buzdin, Rev. Mod. Phys. 77, 935 (2005).
  8. E. Terzioglu and M. R. Beasley, IEEE Trans. Appl. Supercond. 8, 48 (1998).
  9. A. V. Ustinov and V. K. Kaplunenko, J. Appl. Phys. 94, 5405 (2003).
  10. L. B. Ioffe, V. B. Geshkenbein, M. V. Peigel’man, A. L. Fauch’ere and G. Blatter, Nature (London) 398, 679 (1999).
  11. G. Blatter, V. B. Geshkenbein and L. B. Ioffe, Phys. Rev. В 63, 174 511 (2001)
  12. Т. Yamashita, S. Takahashi and S. Maekawa, Appl. Phys. Lett 88, 132 501 (2006)
  13. A.K.Feofanov, V.A.Oboznov, V.V.Bolginov et al. Nature Physics 6, 593 (2010)
  14. M. I. Khabipov, D.V. Balashov, F. Maibaum et al., Supercond. Sci. Technol. 23, 45 032 (2010).
  15. A.I.Larkin and Yu.N.Ovchmnikov, Zh.Eksp.Teor.Fiz. 47, 1136 (1964) — Sov.Phys.JETP 20,762 (1965)
  16. P.Fulcle and R.A. Ferrell, Phys. Rev. 135, A550 (1964)
  17. A.I.Buzdin, L.N. Bulaevskii and S.V. Panyukov, JETP Lett. 35, 178 (1982)
  18. A.H. Буздин, В. Вуйчич, М. Ю. Куприянов, ЖЭТФ 101, 231 (1992).
  19. S. М. Frolov, D. J. Van Harlingen, V. A. Oboznov, V. V. Bolginov, and V. V. Ryazanov, Phys. Rev В 70, 144 505 (2004).
  20. А. V. Veretennikov, V. V. Ryazanov, V. A. Oboznov, A Yu. Rusanov, V. A. Larkin and J. Aarts, Physica В 284, 495 (2000).
  21. R. Held, J. Xu, A. Schmehl, C.W. Schneider, J. Mannhart, and M.R. Beasley, Appl. Phys. Lett. 89, 163 509 (2006).
  22. H. Kamerlingh-Onnes, Comm. Phys. Lab. Univ. Leiden 122, 124 (1911).
  23. W. Meissner R. Oschenfelder, Die Naturwissenshaften 21, 787 (1933).
  24. V.L. Ginzburg and L.D. Landau, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 20, 1064 (1950).
  25. J. Bardeen, L. N. Cooper and J. R. Schrieffer, Phys. Rev. 108, 1175 (1957).
  26. F. London and H. London, in Proc. Roy. Soc. pp.71−88 (1935).
  27. R. Doll and M. Nabauer, Phys. Rev. Lett. 7, 51 (1961).
  28. B. S. Deaver and W. M. Fairbank, Phys. Rev. Lett. 7, 43 (1961).
  29. P.W.Anderson and J.M. Rowell, Phys. Rev. Lett 10, 230 (1963)
  30. В.В.Шмидт «Введение в физику сверхпроводников», МЦНМО Москва, (2000)
  31. Т.Ван Дузер, Ч. У. Тернер «Физические основы сверхпроводниковых устройств и цепей», Радио и связь, Москва, (1984)
  32. Konstantin К. Likharev, «Dinamics of josephson junctions and circuits», MSU, Moscow, (1986)
  33. K.K. Likharev, Gordon and Breach New York (1986)
  34. H. Hilgenkamp and J. Mannhart, Rev.Mod.Phys, 74, 485 (2002)
  35. W. C. Stewart, Appl. Phys. Lett. 12, 277 (1968).
  36. D. E. McCumber, J. Appl. Phys. 39, 3113 (1968).
  37. E. Goldobin, StkJ. J-computer code
  38. V. Ambegaokar and A. Вага, toff, Phys. Rev. Lett. 10, 486 (1963).
  39. V. Ambegaokar and A. Baratoff, Phys. Rev. Lett. 11, 104 (1963).
  40. P. G. de Gennes, Superconductivity of Metals and Alloys, Acldison-Wesley, New York (1999).
  41. H. A. Kramers, Physica (Utrecht) 7, 284 (1940).
  42. M. Buttiker, E. P. Harris and R. Landauer, Phys. Rev. В 28, 1268 (1983).
  43. M. H. Devoret, J. M. Martinis and J. Clarke, Phys. Rev. Lett. 55, 1908 (1985).
  44. M. Weihnacht, Phys. Status Solidi 32, K169 (1969).
  45. V. A. Oboznov, V. V. Bol’ginov, A. K. Feofanov, V. V. Ryazanov and A. I. Buzdin, Phys. Rev. Lett. 96, 197 003 (2006).
  46. И.С.Вещунов, В. А. Обознов, А. Н. Россоленко и др., Письма в ЖЭТФ 88, 873 (2008).
  47. P.G. de Gennes, Rev.Mod.Phys. 36, 225 (1964)
  48. N.R. Werthamer, Phys. Rev. 132, 2440 (1963)
  49. G. Eilenberger, Z. Physik. 214, 195 (1968)
  50. K.D.Usadel, Phys. Rev. Lett. 25, 507 (1970)
  51. M.Yu.Kupriyanov and V.F.Lukichev, Zh.Eksp.Teor.Fiz. 94, 139 (1988) Sov.Phys.JETP 67,1163 (1988).
  52. A.F.Andreev, Zh.Eksp.Teor.Fiz. 46, 1823(1964) — 49,655 (1965) — Sov.Phys.JETP 19,1228 (1964) — 22,455(1966)
  53. A.Rusanov «Effects of proximity coupling and magnetization swiching in superconductor/ferromagnet hybrids»
  54. J.C. Slater, J. Appl. Phys. 8, 385 (1937)
  55. L. Pauling, Phys. Rev. 54, 899 (1938)
  56. J.A. Mydosh and G.J. Nieuwenhuys in 'Ferromagnetic Materials Г Ed. E.P. Wolhlfarth, Nord-Holland Publishing (1980)
  57. A.M. Буздин, JI. H. Булаевский, М. Л. Кулич, C.B. Пашоков, УФН 144 597 (1984).
  58. M.Faure and A.I.Buzdin, Phys. Rev. Lett 94, 187 202 (2005)
  59. L.Bulaevskii, V. Kuzii and A. Sobyanin, JEYP Lett. 25, 7 (1977)
  60. Y.Blum, A. Tsukernik, M. Karpovski and A. Palevski, Phys. Rev. Lett. 89, 187 004 (2002).
  61. H. Sellier, C. Baraduc, F. Lefloch and R. Calemczuk, Phys. Rev. B 68, 54 531 (2003).
  62. C. Bell, R. Loloee, G. Burnell and M. G. Blanure, Phys. Rev. B 71, 180 501 (2005).
  63. V. Shelukhin, A. Tsukernik, M. Karpovski, Y. Blum, K. B. Efetov, A. F. Volkov, T. Champel, M. Eschrig, T. Lofwander, G. Schon ancl A. Palevski, Phys. Rev. B 73, 174 506 (2006).
  64. A.I.Buzdin and M. Yu. Kupriyanov, JETP Lett. 53, 321 (1991)
  65. Z. Raclovic, M. Leclvij, Dobrslavjevic-Grujich, A.I.Buzdin and J.R. Clem, Phys.Rev.B 44, 759 (1991)
  66. F.A. Bergeret, A. F Volkov and K.B. Efetov, Phys.Rev.B 65, 134 505 (2002)
  67. L.P. Gor’kov, Zh.Eksp.Teor.Fiz 34, 735 (1958) Sov.Phys.JETP 7, 505
  68. N. N. Bogolyubov, Zh.Eksp.Teor.Fiz 34, 58 (1958) — 34, 73(1958) Sov.Phys.JETP 7,41 (1958) — 7,51 (1958)
  69. G.B. Demier, G.B.Arnold and M.R.Beasly, Phys. Rev. B 55, 15, 174 (1997)
  70. A. Cottet and W. Beizig, Phys. Rev. B 72, 180 503 (2005).
  71. T. Kontos, M. Aprili, J. Lesueur and X. Grison, Phys. Rev. Lett. 89, 137 007 (2002).
  72. F. Born, M. Siegel, E. K. Hollmann, H. Braak, A. A. Golubov, D. Yu. Gusakova and M. Yu. Kupriyanov, Phys. Rev. B 74, 140 501 (2006).
  73. R. Latempa, L. Parlato, G. Peluso, G. P. Pepe, A. Ruotolo, A. Barone and A. A. Golubov, IEEE Trans. Appl. Supercond. 15, 133 (2005).
  74. J.W.A. Robinson, S. Piano, G. Burnell, C. Bell and M. G. Blamire, Phys. Rev. Lett. 97, 177 003 (2006).
  75. M. Weicles, M. Kemmler, E. Goldobin, D. Koelle, R. Kleiner, H. Kohlstedt, and A. Buzdin, Appl. Phys. Lett. 89, 122 511 (2006).
  76. A. S. Vasenko, A. A. Golubov, M. Y. Kupriyanov, and M. Weicles, Phys. Rev. B 77, 134 507 (2008).
  77. J. M. Martinis, M. H. Devoret and J. Clarke, Phys. Rev. B 35, 4682 (1987).
  78. A.Wallraff, T. Duty, A. Lukashenko and A.V. Ustinov, Phys. Rev. Lett. 90, 37 003 (2003).
  79. A. Bauer, J. Bentner, M. Aprili, M. L. Delia Rocca, M. Reinwald, W. Wegscheiderand C. Strunk, Phys. Rev. Lett. 92, 217 001 (2004).
  80. W. Guichard, M. Aprili, O. Bourgeois, T. Kontos, J. Lesueur and P. Ganclit, Phys.Rev. Lett. 90, 167 001 (2003).
  81. V. Zdravkov, A. Sidorenko, G. Obermeier, S. Gsell, M. Schreck, C. Muller, S. Horn, R. Tidecks and L.R. Tagirov, Phys. Rev. Lett. 97, 57 004 (2006).
  82. Ya. V. Fominov, N. M. Chtchelkachev and A. A. Golubov, Phys. Rev. B 66, 14 507 (2002).
  83. L. Cretmon, A. K. Gupta, H. Sellier, F. Lefloch, M. Faure, A. Buzdin and H. Courtois, Phys. Rev. B 72, 24 511 (2005).
  84. A. Buzdin and I. Baladie, Phys. Rev. B 67, 184 519 (2003).
  85. Y. Blum, A. Tsukernik, M. Karpovski and A. Palevski, Phys. Rev. B 70, 214 501 (2004).
  86. J. E. Mooij, T. P. Orlando, L. Levitov, L. Tian, Caspar H. van der Wal and S. Lloyd, Science 285, 1036 (1999).
  87. A. V. Samokhvalov, S. N. Vdovichev, B.A. Gribkov, S.A. Gusev, A.Yu. Klimov, Yu.N. Nozdrin, V.V. Rogov, A.A. Fraerman, S.V. Egorov. V.V. Bol’ginov, A.B. Shkorin and V.S. Stolyarov, JETP Lett., 95, 2, 104 (2012).
  88. R. Berisch, Sputtering by Particle Bombardment I, Springer, Heidelberg (1981)
  89. N. Cabrera, Phil. Mag. 40, 175 (1949).
  90. N. Cabrera and N. F. Mott, Rep. Progr. Phys. 12, 163 (1949).
  91. L.Young, Anodic Oxide Films, Academic, New York (1961).
  92. H.Kroger, L.N.Smith and D.W.Jillie, Appl. Phys. Lett. 39, 280 (1981).
  93. R.P. Giffard, R.A. Webb, and J.C. Wheatley J. Low Temp. Phys. 6 533 (1972).
  94. Дж. Кларк Сверхпроводящие квантовые интерференционные приборы для низкочастотных измерений, стр. 7−65. В сб.: Слабая сверхпроводимость. Под. ред. Боголюбова Н. Н. М.: Мир, 1980.
  95. А. Бароне, Дж. Патерно Эффект Джозефсона. М.: Мир, 1984.
  96. В. В. Рязанов, В. А. Обознов, А. С. Прокофьев, С. В. Дубонос, Письма в ЖЭТФ, 77, 43 (2003)
  97. M. Weicles, M. Kemmler, E. Goldobin, H. Kohlstedt, R. Waser, D. Ivoelle, and R. Kleiner, Phys. Rev. Lett.97, 247 001 (2006).
  98. M. Weides, C. Schindler, and H. Kohlstedt, J. Appl.Phys. 101, 63 902 (2007).
  99. J. Pfeiffer, M. Kemmler, D. Koelle, R. Kleiner, E. Goldobin, M. Weides, A. K. Feofanov, J. Lisenfeld, and A. V. Ustinov, Phys. Rev. В 77, 214 506 (2008).
  100. Z. Radovic, N. Lazarides, and N. Flytzanis, Phys. Rev. В 68, 14 501 (2003).
  101. M. Weicles, K. Tillmann, and H. Kohlstedt, Physica С 437−438, 349 (2006).
  102. H. Kohlstedt, F. Konig, P. Henne, N. Thyssen, and P. Caputo, J. Appl. Phys. 80, 5512 (1996).
  103. M. Weides, Appl. Phys. Lett. 93, 52 502 (2008).
  104. A. B. Pippard, Rep. Prog. Phys. 23, 176 (1960).
  105. C. Fierz, S.-F. Leet, J. Bass, W. P. Jr, and P. Schroeder, J. Phys. Condens. Matter 2, 9701 (1990).
  106. C. E. Moreau, I. C. Moraru, N. O. Birge, and W. P. Pratt, Appl. Phys. Lett. 90, 12 101 (2007).
  107. D. Y. Petrovykh, K. N. Altmann, H. Hochst, M. Laubscher, S. Maat, G. J. Mankey, and F. J. Himpsel, Appl. Phys. Lett. 73, 3459 (1998).
  108. T. Y. Karminskaya and M. Y. Kupriyanov, JETP Letters 85, 286 (2007).
  109. T.S.Khaire, W.P.Pratt, Jr., and Norman O. Birge, Phys.Rev. B 79, 94 523 (2009).
  110. K.Senapati, M.G.Blamire and Z.H.Barber, Nature Materials 10, 894 (2011).
  111. E.G. Stoner, Proc. Roy. Soc., A165, 372 (1938).
  112. C. Buscher, T. Auerswalcl, E. Scheer, A. Schroder, H. v. Lohneysen. and H. Claus, Phys. Rev. B 46, 983 (1992).
  113. R.Karplus and J.M. Luttinger, Phys.Rev. 95, 1154 (1954).
  114. O.A. Mukhanov, DKirichenko, I.V.Vernik, T.V.Filipov, A. Kirichenko, R. Webber, V. Dotsenko, A. Talalaevskii, J.C. Tang, A. Sahu, P. Shevchenko, R. Miller, S.B. Kaolan, S. Sarwana, and D. Gupta, IEICE Trans. Electron. E91-C (3), 306 (2008).
  115. I.V. Vermk, D.E.Kirichenko, V.V. Dotsenko, R. Miller, R.J.Webber, P. Shevchenko, A. Talalaevskii, D. Gupta and O.A. Mukhanov, Supercond. Sei. Technol. 20, S323 (2007)
  116. O. A. Mukhanov, A. F. Kirichenko, T. V. Filippov, and S. Sarwana, IEEE Trans. Appl. Supercond. 21, 797 (2011).
  117. O.A. Mukhanov, IEEE Trans. Appl. Supercond., 21, 760 (2011)
  118. S. Nagasava, H. Numata Y. Hashimoto and S. Tahara, IEEE Trans. Appl. Supercond., 9, 3708 (1999)
  119. S. Tahara, I. Ishida, Y. Ajisawa and Y. Wacla, J.Appl.Phys. 65, 851 (1989)
  120. A. F. Kirichenko, 0. A. Mukhanov, and D. K. Brock, in Extended Abstracts 7th Int. Supercond. Electron. Conf. (ISEC'99) (Berkeley, CA, 1999), pp. 124−127.
  121. Q. Herr and L. Eaton, Supercond. Sei. Technol. 12, 929 (1999).
  122. S. Nagasawa, K. Hinode, T. Satoh, Y. Kitagawa, and M. Hidaka, Supercond. Sei. Technol. 19, S325 (2006).
  123. Q. Liu, K. Fujiwara, X. Meng, S. Whiteley, T. van Duzer, N. Yoshikawa, Y. Thakahashi, T. Hikida, and N. Kawai, IEEE Trans. Appl. Supercond. 17, 526 (2007).
  124. S. Oh, D. Youm, and M. Beasley, Appl. Phys. Lett. 71, 2376 (1997).
  125. D. Brock, A. Kadin, A. Kirichenko, O. Mukhanov, S. Sarwana, J. Vivalda, W. Chen, and J. Lukens, IEEE Trans. Appl. Supercond. 11(1) 369 (2001).
  126. D. Yohannes, S. Sarwana, S. K. Tolpygo, A. Sahu, and V. Semenov, IEEE Trans. Appl. Supercond. 15, 90 (2005) —
  127. S. K. Tolpygo, D. Yohannes, R. T. Hunt, J. A. Vivalda, D. Donnelly, D. Amparo, and A. F. Kirichenko, IEEE Trans. Appl. Supercond. 17, 946 (2007).
  128. T. Yeh and D. N. Langenberg, Phys. Rev. B 17, 4303 (1978).
  129. I. P. Nevirkovets and E. M. Ruclenko, Sov. Phys. JETP 61(5), 1011 (1985).
  130. V. F. Elesin and Yu. V. Kopaev, Usp. Fiz. Nauk 133, 259 (1981).
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?