Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Квазистатическое и импульсное перемагничивание тонких магнитных пленок с угловой дисперсией поля магнитной анизотропии

Диссертация: Квазистатическое и импульсное перемагничивание тонких магнитных пленок с угловой дисперсией поля магнитной анизотропии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Другой причиной повышенного интереса к ТМП являются их разнообразные технические применения! в быстродействующих устройствах хранения и обработки информации современных ЭВМ, в различных радиотехнических устройствах, в том числе в интегральных схемах СВЧ диапазона, в качестве чувствительных элементов магнитных головок и измерительных устройств. В плане технических приложений исследователей… Читать ещё >

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ
  • Глава 1. СТАТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТМП
    • 1. 1. Магнитная анизотропия поликристаллических ТМП
    • 1. 2. Квазистатическое перемагничивание одноосных пленок
    • 1. 3. Импульсное перемагничивание
    • 1. 4. Ферромагнитный резонанс в ТМП
  • Глава 2. 90-ГРАДУСН0Е ИМПУЛЬСНОЕ ПЕР0ШШЧИВАНИЕ ОДНООСНЫХ ВЕЗДИСПЕРСНЫХ ТМП
    • 2. 1. Динамика магнитного момента в процессе импульсного перемагничивания
    • 2. 2. Ориентационная релаксация магнитного момента при выключении поля
    • 2. 3- 90-градусное перемагничивание в режиме (ШР
      • 2. 4. Приближенные решения уравнений движения магнитного момента
  • Глава 3. ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЕ ТМП С УГЛОВОЙ ДИСПЕРСИЕЙ ПОЛЯ МАГНИТНОЙ АНИЗОТРОПИИ
    • 3. 1. Импульсное перемагничивание одноосных пленок с произвольно ориентированной ОЛН
    • 3. 2. 90-градусное импульсное перемагничивание дисперсных ТМП
    • 3. 3. Ориентационная релаксация магнитного момента в дисперсных пленках при наличии СВЧ поля
    • 3. 4. Квазистатическое перемагничивание и петли гистерезиса дисперсных ТУП

Квазистатическое и импульсное перемагничивание тонких магнитных пленок с угловой дисперсией поля магнитной анизотропии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Изучение физики тонких магнитных пленок (ТУП) началось сравнительно недавно: первое сообщение об исследовании магнитных свойств тонких пленок пермаллоя, полученных осаждением в вакууме, было опубликовано в 1955 г. [1]. С тех пор и по настоящее время исследование магнитных свойств вещества в пленочном состоянии является, пожалуй, наиболее бурно и динамично развивающимся направлением чистого и прикладного магнетизма. Причиной повышенного интереса к ТУП являются, прежде всего, их специфические магнитные свойства, исследование которых позволяет значительно расширить и углубить представления о природе магнетизма. Благодаря сильной зависимости магнитных свойств пленок от их состава и толщины ТМП обнаруживают гораздо большее разнообразие анизотропных свойств и типов доменных структур по сравнению с массивными магнитными материалами. Кроме того, пленки являются удобным объектом исследования, поскольку для них разработаны ряд специальных методов исследования их физических свойств.

Другой причиной повышенного интереса к ТМП являются их разнообразные технические применения! в быстродействующих устройствах хранения и обработки информации современных ЭВМ, в различных радиотехнических устройствах, в том числе в интегральных схемах СВЧ диапазона, в качестве чувствительных элементов магнитных головок и измерительных устройств [2−12]. В плане технических приложений исследователей привлекают такие свойства ТМП, как отсутствие вихревых токов на частотах вплоть до СВЧ, широкий диапазон рабочих температур, повышенная устойчивость к внешним воздействиям, а также возможность использования интегральных технологий при изготовлении устройств на ТМП, что обеспечивает их компактность, надежность и технологичность изготовления.

— 4.

Благодаря двухмерной геометрии перемагничйвание пленок при определенных условиях может осуществляться однородным вращением электронных спинов. Этот процесс позволяет получить очень малые времена переключения пленок из одного магнитного состояния в другое (~ 10″ 9 с) при относительно малых мощностях управляющих полейТаким образом, использование ТМП обеспечивает значительное повышение быстродействия магнитных элементов и устройств.

Значительный интерес для физики и техники представляет возможность получения ТМП с различными свойствами в зависимости от их состава и структуры, а таете способов и режимов их изготовления. В 60-е года основное внимание уделялось исследованию поликристаллических пленок железо-никелевых (пермаллойных) сплавов, что определялось их широким использованием в запоминающих устройствах (ЗУ) ЭВМ. Основные результаты данного втапа исследований содержатся в ряде обзоров и монографий [3,4,13−17].

В 70-е года сфера применения ТМП значительно расширилась благодаря развитию технологии изготовления монокристаллических пленок ферритовых материалов, частично прозрачных в инфракрасной и видимой областях спектраТонкие пленки ферритов интенсивно исследовались в качестве основных элементов ЗУ на цилиндрических магнитных доменах, магнитооптических устройств обработки информации, а также устройств на магнитостатических волнах [18−20].

В последнее десятилетие в разработках устройств магнитной памяти для ЭВМ наметилась устойчивая тенденция перехода к тонкопленочным накопителям информации, включающим в себя тонкопленочный носитель и тонкопленочный преобразователь (головку с индукционным или магниторезистивным способом записи и считывания) [11]. Для таких устройств исследуется широкий спектр тонкопленочных материалов: аморфные ТМП [21−28], материалы для перпендикулярной.

— 5 магнитной записи [8,11И2,25,29−32], разнообразные многослойные пленочные структуры, в том числе сверхрешетки с гигантским магни-тосопротивлением [11,33−351- В то же время, как и несколько десятилетий назад, значительный интерес для исследователей представляют пермаллоевые пленки. На них основаны ряд новых разработок ЗУ с ферромагнитным носителем, изготавливаемых по интегральным технологиям [9,36−38]. Тонкие пленки пермаллоя широко используются для изготовления магниторезистивных элементов, высокопроницаемые пермаллоевые слои включаются в состав различных многослойных пленочных структур, используемых в современных устройствах магнитной записи [11,12,35,39−413.

В основе принципа действия большинства устройств на ТМП лежат процессы квазистатического и импульсного перемагничивания, которые по втой причине всегда находились в центре внимания исследователей свойств ТМП. Ввиду сложности уравнений, описывающих процессы перемагничивания, для их анализа широко используются методы численного моделирования [36,42−64], в большинстве своем требующие компьютерных расчетов. Особый интерес для практических приложений представляет анализ динамики изменения направления намагниченности пленки под действием импульсных магнитных полей, который может быть проведен на основе уравнения Ландау — Лифшица в приближении однородного вращения [13,14,42−44,65,66].

Цель настоящей работы заключается в исследовании ряда особенностей процессов импульсного и квазистатического перемагничивания поликристаллических ТМП пермаллойного класса на основе численного решения уравнений движения намагниченности в рамках модели однородного вращения. Специфика решаемых здесь задач заключается в следующем:

— исследуются осцилляционные режимы импульсного перемагничи.

— 6 вания пленок с малым параметром затухания, когда магнитный момент пленки в течение времени релаксации успевает совершить большое число колебаний;

— численный анализ импульсного перемагничивания ведется с учетом конечности времени нарастания и спада импульса перемагни-чиващего поля, исследуется влияние указанных параметров импульса на динамику намагниченности;

— исследуется режим 90-градусного импульсного перемагничивания при наличии переменного магнитного поля на частотах, близких к частоте ферромагнитного резонанса (<ШР);

— исследуются особенности перемагничивания пленок, обладающих дисперсией ориентации локальных осей легкого намагничивания (ОЛН).

На защиту выносятся следующие положения!

1. Зависимость времени 90-градусного импульсного перемагничивания ТМП от времени нарастания импульса г внешнего перемагни-чиващего поля при осцилляционном характере затухания колебаний магнитного момента имеет четко выраженный минимум, который с ростом амплитуда импульса смещается в сторону больших гпри этом величина минимального времени перемагничивания практически не изменяется.

2. При 90-градусном импульсном перемагничивании в режиме ШР характер изменения амплитуды колебаний вектора намагниченности в процессе установления вынужденных колебаний может быть различным в зависимости от характеристик внешних полей, в частности, от начальной фазы СВЧ поля Вследствие этого при % < Т ^ ~ период собственных колебаний магнитного момента) значения времени перемагничивания пленки в зависимости от значения могут отличаться друг от друга в 2−3 раза. При г > Т, а также при удале 1 ~ нии частоты СВЧ поля от резонансной, амплитуда колебаний магнитного момента до выхода на стационарный режим изменяется нерегулярным образом.

3- Динамические характеристики процесса 90-градусного импульсного перемагничивания пленок с параметром затухания X < < 1.5−10® с-1 существенно зависят от величины угловой дисперсии поля магнитной анизотропии. Б частности, с ростом угловой дисперсии увеличивается частота затухающих колебаний вектора намагниченности пленки и уменьшается время ее перемагничивания, при втом минимум зависимости времени перемагничивания от времени нарастания импульса % смещается в сторону больших х.

4. Наличие в режиме 90-градусного импульсного перемагничивания СВЧ поля, параллельного ОЛН, способствует ориентационной релаксации и препятствует развалу магнитного момента дисперсной пленки после выключения импульса перемагничиващего поля. В результате пленка переходит в одно из двух возможных состояний насыщения вдоль ОЛН. В частности, в широком интервале длительностей импульса ¿-о возможно ее переключение в состояние, противоположное исходному (триггерный эффект) — ширина соответствующего интервала I определяется периодом колебаний СВЧ поля.

5. При квазистатическом перемагничивании дисперсной пленки в легком направлении с увеличением угловой дисперсии анизотропии уменьшается прямоугольность и увеличивается наклон продольных петель гистерезисапри перемагничивании под углом к легкой оси, а также при наличии поперечного подмагничиващего поля Нп р деформация петель гистерезиса, связанная с угловой дисперсией, становится менее заметной. При Н > 0.5Я (В — поле анизотропии) г К К наличие угловой дисперсии существенно влияет на величину остаточной намагниченности.

— 8.

Диссертация изложена в трех главах.

Первая глава представляет собой обзор литературы по исследованию динамических и статических свойств ТИП и их практическим применениям. Рассмотрены основные физические модели, используемые в настоящей работе®модель однородного вращения намагниченности для случаев квазистатического (модель Стонера — Вольфарта) и импульсного перемагничивания, а также статистическая модель невзаимодействующих блоков для пленок с дисперсией поля магнитной анизотропии.

Во второй главе в рамках модели однородного вращения исследуются особенности динамического поведения вектора намагниченности однодоменной ТИП с одноосной плоскостной анизотропией при включении и выключении импульса перемагничивающего поля, ортогонального оси легкого намагничивания (ОЛН) пленки. Рассмотрен также случай 90-градусного импульсного перемагничивания при наличии переменного СВЧ поля, приложенного вдоль ОМ (режим ШР). Анализируются зависимости времени перемагничивания от параметра затухания пленки и характеристик приложенных к пленке внешних полей. Получено и проанализировано приближенное решение уравнений движения намагниченности в рассматриваемых режимах перемагничивания.

Третья глава посвящена исследованию процессов импульсного и квазистатического перемагничивания пленок с угловой дисперсией поля магнитной анизотропии. В начале главы рассмотрен более общий случай импульсного перемагничивания одноосной ТЗШ — перемагничи-вание под произвольным углом к ОЛН. Анализируется влияние угловой дисперсии поля магнитной анизотропии на величину времени 90-градусного импульсного перемагничивания, а также на форму и параметры петель гистерезиса при квазистатическом перемагничивании. Исследуется явление ориентационной релаксации магнитного момента при выключении импульсного ПОЛЯ ется возможность его реализации ного средней ОЛН пленки.

9 в дисперсных пленках, анализиру-при наличии СВЧ поля, параллель.

— 10.

Основные результаты данной главы заключаются в следующем.

1. Наличие угловой дисперсии поля анизотропии оказывает влияние на динамические характеристики процесса 90-градусного импульсного перемагничивания только для пленок с малым параметром затухания (X з. 1.5−10е с" 1). Для таких пленок о увеличением дисперсии увеличивается частота и уменьшается амплитуда колебаний среднего вектора намагниченности около направления перемагничива-ющего пленку поля, при этом последнее приводит к уменьшению времени перемагничивания. Зависимость времени перемагничивания от времени нарастания импульса г имеет минимум, который сдвигается в сторону больших х при увеличении угловой дисперсии. Характер зависимости времени перемагничивания от амплитуды импульса практически не зависит от угловой дисперсии.

2. Триггерный эффект при отключении импульса поля реализуется лишь для пленок с малыми угловой дисперсией (aQ ~ 0.5°) и затуханием (X i 10е с" 1) при малой длительности импульса (не болинии).

— 113 лее 1 — 2 не). Для улучшения условий реализации триггерного аффекта необходимо уменьшать время спада импульса поля при его отключении (г < 0.5 не). с.

аАКЛЮЧЕШЕ.

В результате проведенных в настоящей работе исследований получены следующие результаты.

1. Путем численного решения динамических уравнений получены и проанализированы временные зависимости ориентации вектора намагниченности ТМП в процессе импульсного перемагничивания. Рассмотрены два случая: идеальной одноосной пленки и пленки с угловой дисперсией поля магнитной анизотропии. Из полученных временных зависимостей ориентации намагниченности найдены зависимости времени перемагничивания от параметра затухания пленки, от амплитуды и времени нарастания импульса внешнего поля, от ориентации ОЛН пленки относительно направления перемагничивающего поля, а также от угловой дисперсии анизотропии. Установлено, что минимальное значение времени перемагничивания не соответствует мгновенному включению импульса поля, при втом минимум времени перемагничивания о ростом амплитуды импульса и угловой дисперсии анизотропии смещается в сторону бйльших значений времени нарастания импульса.

2. Исследована динамика магнитного момента ТМП в процессе 90-градусного импульсного перемагничивания при наличии СВЧ поля, приложенного вдоль ОЛН (режим <ШР). Показано, что время перемагничивания в режиме ШР при определенных условиях существенно зависит от начальной фазы СВЧ поля. Для данного режима получено приближенное решение уравнения движения намагниченности, результаты его решения сопоставляются с решением точной системы динамических уравнений.

3. Исследовано явление ориентационной релаксации магнитного момента при отключении импульса внешнего поля в процессе 90-градусного перемагничивания (триггерный вффект), проанализированы.

— 115 условия его реализации в пленках с дисперсией магнитной анизотропии. Установлено, что приложение СВЧ поля достаточно большой амплитуды вдоль средней ОЛН дисперсной пленки позволяет реализовать данный эффект в широком интервале длительностей импульса поля.

4. Построены петли гистерезиса при квазистатическом перемаг-ничивании пленок с различными значениями угловой дисперсии анизотропии, исследовано влияние угловой дисперсии на величины остаточной намагниченности и коэрцитивной силы.

В настоящей работе приведены результаты расчетов лишь для одного значения поля анизотропии пленки #=58. Данная величина К для пермаллоевых пленок в зависимости от условий их получения может варьироваться в широких пределах от 2 до 20 Э [81]. Как показал соответствующий анализ, все обнаруженные в настоящей работе закономерности имеют место при любых значениях #к из указанного интервала [138−1423. Полученные здесь результаты могут быть применены и к пленкам других типов, обладающих аналогичными магнитными свойствами (например, аморфным ТМП).

Полученные в настоящей работе результаты должны учитываться при создании быстродействующих тонкопленочных устройств магнитной памяти и импульсной техники диапазона СВЧ.

Основные положения настоящей диссертационной работы опубликованы в центральной печати и содержатся в работах [139−142, 1 511 543.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Blois M.S. Preparation of thin magnetic films and their properties // Journ. Appl. Phys. — 1955. — V.26, К 8. — P.975−980.
  2. В.А. Тонкие магнитные пленки в радиотехнических цепях. М.: Сов. радио, 1974- - 160 с.
  3. В.В. Магнитные и магнитооптические оперативные запоминающие устройства. М.: Энергия, 1975- - 432 е.
  4. Н.М., Ерухимов М. Ш. Физические свойства и применение магнитных пленок. Новосибирск: Наука, 1975- - 222 о.
  5. В.Д. Магнитная микровлектроника. М.: Сов. радио, 1977- - 366 е.
  6. Р.Д. Магнитные металлические пленки в микроэлектронике . М. Сов. радио, 1980. — 191 с.
  7. С.Х. Тонкопленочные магнитные преобразователи. M. i Радио и связь. — 1985- - 208 с.
  8. С.Х. Развитие средств перпендикулярной магнитной записи // Зарубежная радиовлектроника. 1987. — N 6. — С. 80 101.
  9. Н.П., Касаткин С. И., Муравьев A.M. Гистерезис-ные внергонезависимые тонкопленочные запоминающие устройства с произвольной выборкой // Заруб, электрон, техника. 1990. — К 10. — С.43−45.
  10. М.М., Глаголев С. Ф., Архангельский В. В. Методы и средства измерений магнитных характеристик пленок. Л. г Энергоатомиздат, 1990. — 208 с.
  11. С.Х. Тонкопленочные средства магнитных накопителей // Зарубежная радиовлектроника. 1993. — N 6. — С.3−72.
  12. С.Х. Тонкопленочные накопители информации.- 117
  13. М.: Радио и связь, 1993- 503 с.
  14. М. Тонкие ферромагнитные пленки. Л.: Судостроение, 1967- - 266 с.
  15. Р. Магнитные тонкие пленки. М.'. Мир, 1967- -422 о.
  16. O.G., Погозкев В. А., Телеснин Р. В. Методы и аппаратура для исследования импульсных свойств ТМП. М.: йзд-во МГУ, 1970. — 192 е.
  17. O.G., Погозкев В. А., Телеснин Р. В. Импульсное перемагаичивание тонких магнитных пленок // УФН. 1974. — Т.113, вып. 4. — С.569−595.
  18. М.С. Ферромагнитные свойства пленок // Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Л. Л. Майссела, Р.Глвнга. -Т.2. M. i Сов. радио, 1977- - С.477−577
  19. A.M., Червоненкис А. Н. Магнитные материалы для микроэлектроники. М. Энергия, 1979- - 216 с.
  20. А.К., Котов В. А. Магнитооптика тонких пленок. -М.: Наука, 1988. 189 е.
  21. В.В., Червоненкис А. Я. Прикладная магнитооптика. М.- Энергоатомиздат, 1990. — 320 с.
  22. A.A., Кашинцев A.C., Колотов O.G., Погожев В. А., Тапиров Р. И. Импульсные свойства аморфных ^Oo^Si^B^ пленок // Физ. мет. металловед. 1987. — Т.64, вып. 6. — С.201−202.
  23. A.A., Ишков A.B., Кашинцев A.C., Колотов О. С., Погожев В. А., Тагиров Р. И. Импульсное 180° перемагничивание аморфных i>egCo?0SiigB10 пленок // Физ. мет. металловед. 1991- -N 3. — С.122−126.
  24. A.A., Кашинцев A.C., Колотов О. С., Погожев В. А., Тагиров Р. И. Особенности поведения iies0o7OsllsBiO пленок в им- 118 пульеных магнитных полях, прикладываемых вдоль оси трудного намагничивания i i fes. мет. металловед. 1991. — Ne. — С.203−206.
  25. Глазер 1.1., Кашинцев A.C., Колотов O.G., Погокев В. А., Тагиров Р. И. О форме кривой импульсного перемагничиванияаморфных fe 0о&bdquo- Si B. A пленок // fes. мет. металловед. 1992. 1. Б 70 1Б 101. Т.73, N 2. С.154−157.
  26. A.A., Мягков A.B., Скорое В. А. Динамика перемагничивания аморфных пленок ФЪ-fe с перпендикулярной анизотропией // ФТТ. 1991. — Т.33, вып.5. — С.1350−1354.
  27. Т., О*Grady К., Perlov О.М., Chantrell R.W., Activation volumes of reversal in TbleGo thin films // IEEE Trans. Magn. 1992. — Y.28. — P.2518−1520.
  28. С.С., Ильяшенко С. Е., Голубева Н. Ю., Гречишкин P.M. Процессы перемагничивания аморфных пленок ТЪРеОо в квазистатических и импульсных полях // Ученые записки ТвГУ. Т.1. -Тверь, 1996. — С.153−154.
  29. Wang 3D., Doyle W.B. High coeroivity feSrnN thin films for magnetic recording media // IEEE Trans. Magn. 1994. — V.30, N 6. — P.4032−4034.
  30. В.M., Шелег M.У., Ильюшенко Л. Ф., Болтушкин A.B., Шадров В. Г. Перемагничивание высококоврцитивных пленок с перпендикулярной магнитной анизотропией // Зарубежная радиоэлектроника. 1987. — N 11. — С.49−57.
  31. Bertram H.N., Shtrikman S. On the magnetization reversal process in OoOr recording media // Journ. Magn. Magn. Mater. -1984. Y.45. — P.88−90.
  32. Pedosyuk V.M., Ilyushenko L.l., Sheleg M.U., Boltushkin АЛ. Magnetisation reversal model for vertical recording films //- 119
  33. Thill Solid films. 1988. — V.158. — P.7−12.
  34. Bordin G., Bottoni G., Candolfo D., Cecohetti A., Masoli F., Piano M. Magnetization processes in double-layer films for perpendicular reoording // Joum. Magn. Magn. Mater. 1989. -V.78. — P.105−109.
  35. B.M., Макутин Г. В., Касютич О. И. Мультислойные магнитные структуры // Зарубежная радиовлектроника. 1992. — N 4/5. — С.42−55.
  36. Pujiwara Н. Magnetization switching processes in multilayers having both bilinear and biquadratic exchange coupling between the adjacent magnetic layers // IEEE Trans. Magn. V.31, N 6. — P.4112−4114.
  37. C.X. Магнитомягкие тонкопленочные структуры с высокой магнитной проницаемостью // Заруб, влектрон. техника. -1998. N 1. — С.69−91.
  38. Yoo H.Y., Pohm АЛ., Hur J.H., Kenkare S.W., Oomstock O.S. Dynamic switching process of sandwich-structured MR elements // IEEE Trans. Magn. 1989. — V.25, N 5- - P.4269−4271.
  39. Pohm A.V.f Comstook C.S., Laughton J.M. Analysis of MR elements for 108 bit/cm2 arrays // IEEE Trans. Magn. 1989. -V.25, N 5. — P.4266−4268.
  40. В.П., Худяков А. Е., Морозова Т. П. и др. Свндвичи пермаллой медь — пермаллой со взаимно перпендикулярными осями анизотропии в магнитных слоях // ЖТФ. — 1997. — Т.67, вып. 11. -С.45−48.
  41. Stankiewicz A., Hiebert W.K., Ballentine G.E., Marsh K.W., freeman M.R. Dynamics of magnetization reversal in a 20×4 fim permalloy microfracture // IUI Trans. Magn. 1998. — Y.34, N 4, Pt.1. — P.1003−1005.
  42. KikiioM R. On the minimum of magnetization reversal time // Journ. Appl. Phys. 1956. — V.27, N 11. — P.1352−1357.
  43. Gillette P.P., Oshima K. Thin film magnetization reversal by coherent rotation // Journ. Appl. Phys. 1958. — V.29, N 10. — P.1465−1470.
  44. К.Д., Пом A.B. Перемагничивание тонких пленок составом 82 $ N1 и 18 $ le // Тонкие магнитные пленки. Сборник статей. / Под ред. В. М. Глушкова, Л. В. Киренского. Киев: Гостехиздат УССР, 1963. — С.280−297
  45. В.М., Ильюшенко Л. Ф., Шелег М. У., Смирнова Т. В. Численный анализ процесса перемагничивания двухслойных пленок с учетом зависимости их магнитных параметров от толщины // Вести АН БССР. Сер. физ.-мат. наук. 1983. — N 5- - С.47−49
  46. Delia Torre Е. Magnetization calculation of fine particles // IEEE Trans. Magn. 1986. — ?.22, N 5. — P.484−489.
  47. McDaniel T.W., Mansuripur M. Numerical simulation of therrnomagnetic writing in RE-TM films // IEEE Trans. Magn- -1987. V.23, N 5- - P.2943−2945.121
  48. Mayergoyz I.D., Iriedшп G. Generalized Preisach model oi hysteresis // IEEE Trans. Magn. 1988. — V.24, N 1. — P.212−217.
  49. B.B., Пирогов A.M., Хмарук 0? H., Шамаев Ю. М. Моделирование динамических процессов перемагничивания // Изв. вузов. Приборостроение. 1988. — Т.31, К 7- - С.46−49.
  50. Delia Torre I. Modeling oi magnetizing processes // Proo. of the IEEE. 1990. — ?.78, N 6. — P.1017−1026.
  51. A.K., Лебедева U.M., Логгинов A.C., Непокойчиц-кий Г.А., Розанова T.B. Математическое моделирование быстропроте-кащих процессов импульсного перемагничивания впитаксиальных феррит-гранатовых пленок // ФТТ. 1990. — Т.32, вып. 6. — 0.18 121 819.
  52. М.У., Федсюш В. М. Численный анализ процесса перемагничивания и магнитных неоднородностей магнитожестких пленок сплавов Oo-li-W // Физ. мет. металловед. 1991. — 1 10. — С.100−104.
  53. H.A., Почернин М. А. Численное моделирование процессов перемагничивания микрокристаллических сплавов высокоанизотропных магнетиков // Зиз. мет. металловед. 1991. — N 6. — С. 199−201.
  54. B.C., Морозов А. Н., Юрасов Н. И. Моделирование перемагничивания магнитного материала о доменной структурой на- 122 основе уравнения Ландау Лмфшзща // Вестник МГТУ. Сер. Приборостроение- - 1991- - К 1. — С.121−125.
  55. Slonczewski J.С. Dynamics oi domains and walls in soft magnetic films // IEEE Trans. Magn. 1991. — ?.27, H 4. — P. 3532−3538.
  56. Ф.Х. О перемагничивании мозаичных магнитных пленок // Тез. докл. XIII Всесоюзной школы-семинара «Новые магнитные материалы микроэлектроники (магнитные пленки)». Астрахань, 21−26 сентября 1992 г. 4.1. — Астрахань, 1992.- С.139−140.
  57. А.Р., Ралин А. Ю., Харитонский П. В. Гистерезис системы магнитных диполей, рассеянных в тонкой пленке // Тез. докл. 14-й школы-семинара «Новые магнитные материалы микроэлектроники». Москва, 26 29 сентября 1994. — Ч.1. — Москва, 1994. -С.35−36.
  58. Не Ъ., Doyle W.D. A theoretical description of magnetic switching experiments in picosecond field pulses // Journ. Appl. Phys- 1996. — V.79, N 8. — P.6489−6491.
  59. С.И. Релаксация намагниченности системы взаимодействующих суперпарамагнитных частиц // Тез. докл. XVI межд. школы-семинара «Новые магнитные материалы микроэлектроники». Москва, 23−26 июня 1998 г. 4.1. — М., 1998.- С. 26.
  60. В.Г., Мельников О. Н., Сухов В. Г. Модель распределенного перемагничивания зернистой пленки // Тез. докл. XVI межд. школы-семинара «Новые магнитные материалы микроэлектроники». Москва, 23−26 июня 1998 г. 4.2. — М., 1998.- С. 562−563.
  61. Piilmek P.L., Hanser H. Magnetization reversal and statistical domain behaviour // Journ. Magn. and Magn. Mater. -1998. V.183- - P.75−77.
  62. Koch R.H., Beak J.G., Abraham D.W. et al. Magnetization reversal in micron-sized magnetic thin films // Phys. Rev. Lett.- 1998. V.81, N 20. — P.4512−4515.
  63. Smith D.O. Static and dynamic behaviour of thin permalloy films // Joura. Appl. Phys. 1958. — ?.29, N 3. — P.264−273.
  64. Г. Импульсное перемагничивание // Тонкие ферромагнитные пленки / Под ред. Р. В. Телеенина. M. i Мир, 1964. -С.235−253.
  65. Narishige S., Miteuoka И., Sugita Y. Crystal structure and magnetic properties of permalloy films sputtered by mixed ArN gases // // IEEE Trans. Magn. 1992. — ?.28, N 2. — P.990ji993.
  66. Малек 3., Шюппель В. Магнитокристаллическая и наведенная анизотропия // Тонкие ферромагнитные пленки / Под ред. Р. В. Телеенина. М. Мир, 1964- - С.61−104
  67. Leaver К.С. Magnetisation ripple in ferromagnetic thin films // Thin solid films. 1968. — ?.2, Ж ½. — P.149−172.
  68. В.А. Магнитная структура тонких магнитных пленок и ферромагнитный резонанс // Ж8ТФ. 1968. — Т.54, вып.1.- С.303−311.
  69. Crowther T.S. Angular and magnitude dispersion of the anisotropy in magnetic films // Journ. Appl. Phys. 1963. — ?. 34, N 3. — P.580−587.
  70. Ihresman ?.1., Olson C.B. ?ariations in anisotropy magnitude and magnetization direction in planar films under equilib- 124 rium conditions // Joum. Appl. Phys. 1966. — ?.37, N 3. -P.1287−1289.
  71. Salansky 1I.M., Khrustalev B.P., Melnik A.S. et al. ferromagnetic resonance linewidth in tfrln magnetic films /7 Thin Solid Films. 1969. — V.4, N 2. — P.105−113.
  72. Л. В., Саланская Л.A., Саланекий H.M. Об определении нвффективно$*' локальной анизотропии в поликристаллических пермаллоевых пленках /У fes. мет. металловед. 1969- - Т.28, вып. 6. — С.1115−1118.
  73. Н.М., Игнатченко В. А., Хрусталев Б. П. Влияние «ряби» намагниченности и блочной структуры тонких пленок на параметры ШР // Физхша магнитных пленок / Ред. М. Г. Рубашевская. -Иркутск, 1968. С.242−245
  74. А.Г. Статистическая трактовка магнитных свойств пленок, зависящих от дисперсии анизотропии // шиз. мет. металловед. 1969. — Т.27, вып. 6. — С.1000−1010.
  75. А.Г. Статистическая трактовка влияния неоднород-ностей анизотропии на ферромагнитный резонанс в пленках // Физ. мет. металловед. 1969. — Т.28, вып. 1. — С.84−91.
  76. А.Г. Наведенная магнитная анизотропия. Киев: Наукова думка, 1976. — 163 с.
  77. Г. Г., Семенцов Д. И., Сидоренков В. В. Эффективная магнитная анизотропия дисперсных тонких магнитных пленок // Физ. мет. металловед. 1986. — Т.61, вып.5. — С.1036−1038.
  78. Ю.В., Семенцов Д. И., Сидоренков В. В. Эффективная магнитная анизотропия дисперсных пленок // ДАН СССР. 1986. -Т.290, К 4- - С.853−855
  79. ПЛ., Иванов А. А., Черных А. Г. Статистическое описание аффективной магнитной анизотропии пленок // Физ. мет. металловед, 1989″ - Т.67, вш1.1. — С.44−51.
  80. Vu Difih Ку. Theory of the resistivity anisotropy in ferromagnetic films // Physios. 1975- - V.82B. — P.339−347.
  81. Семени, ова T.M.t Семенцов Д. И., Сидоренков В. В. Эффективная анизотропия влектрооопротивления металлических магнитных пленок // Письма в ЖТФ. 1990. — Т.16, вып. 5- - С.10−13.
  82. Г. Г., Корнев Ю. В., Семенцов Д. И., Сидоренков В. В. Особенности ферромагнитного резонанса в тонких пленках о- 126 угловой дисперсией магнитной анизотропии /У Физ. мет. металловед. 1986. — Т.61, вып.4. — С.750−755.
  83. Г. Г., Семенцов Д. И., Сидоренков В. В. Влияние амплитудной дисперсии магнитной анизотропии на резонансные свойства магнитных пленок /У Физ. мет. металловед. 1987- - Т.63, вып.1. — С.63−66.
  84. Ю.В., Семенцов Д. И., Сидоренков В. В. Влияние дисперсии магнитной анизотропии на частоту SP в тонких пленках // ДАН СССР. 1987. — Т.294, N 5. — С.1114−1117.
  85. Sementsov D.I., Sidorenkov V.V. Ferromagnetic resonance in films with angular dispersion of magnetic anisotropy // Fhys. Stat. Sol. (a) 1987- - V.101, I 2. — P.555−562.
  86. Д.И., Сидоренков B.B. Низкочастотный ферромагнитный резонанс в пленках с угловой дисперсией магнитной анизотропии /У физ. мет. металловед. 1988. — Т.65, вып.2. — С.219−223.
  87. StoMeoki Т., Spatek J., Jankowski Н. Influence of angular dispersion of imgnetlsation on magnetoresiatanoe In ferromagnetic thin films // Acta Phys. Polonica. 1972. — V. A41. -P. 657−659.
  88. Ю.В., Бородина Т. Е. Зависимость магниторезистив-ного вффекта от дисперсных свойств пермаллоевых пленок с учетом угловой пространственной дисперсии анизотропии // Физ. мет. металловед. 1983. — Т.55, вып. 3. — С. 472 — 478.- 12?
  89. Семенцова Т. М, Семенцов Д. И. Гальваномагнитные эффекты в пленках со структурной анизотропией электросопротивления // Физ. мет. металловед. 1991. — N 7- - С.4−1-47.
  90. Т.М., Дятлов Д. В., Тамаров М, П., Семенцов Д. И. Магниторезистивный эффект в пленках с угловой дисперсией магнитной анизотропии // Фиэ. мет. металловед. 1992. — N 12. -С.17−22.
  91. В. Квазнстатичеокое перемагшчивавие /7 Тонкие фарршзгштнш пленки /' Под ред. Р. В. Телеевина. М. Мир, 1964- • С. 159−215.
  92. De Ridder P.M., Eluitman J.E. A hysteresis model for an orthogonal thin-film magnetometer // IMS Trans. Magn. 1990. -V.26, N 4- - P.1237−1245.
  93. Bradley 1-М., Prut ton М. Magnetisation reversal by rotation and 'wall motion in thin films of nickel-iron alloys // Jouni.- Electronics and Control 1959- - ?.6, 1 1. P.81−96.
  94. B.B. Петли гистерезиса одноосных ферромагнитных пленок // Магнитные элементы устройств вычислительной техники. -Минскt Изд-во АН БССР, 1961. С.120−127
  95. К.А. Некоторые статические свойства тонких пермаллоевых пленок // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1965. — Т.29, К 4. — С.599−603.
  96. Ильичева Е. Н-. Канавина Н. Г-, Шишков А. Г. Критические- 128 кривые тонких пермаллоевых пленок // Изв. АН СССР. Сер. физич. -1966. Т.30, Ы 1. — С.99−102.
  97. В.Н., Лесник А. Г., Критические кривые перемаг-ничивания пермаллоевых пленок // Физика металлических пленок. -Киев- Наукова думка, 1968. С.5−14.
  98. Н.В., Марышева Г. И., Цагарели Д. В. Характеристики реальных магнитных пленок // Тонкие ферромагнитные пленки (некоторые вопросы намагничивания). М." ВЦ АН СССР, 1970. -С. 3-Ю.
  99. Ghacko А.Р., Nickles D.E. Correlations between the interactions in magnetic dispersions and interparticle interaction fields in pigmented films // IEEE Trans. Magn. 1996- -V.32, К 5. — P.4043−4045.
  100. I. В., Gyorgy E.M. flux reversal in soft ferromagnetics // Journ. Appl. Phys. 1959. — V.30, N 6. — P.935−939.
  101. Г. M., Ляховский H.П. Исследование вращения магVнитного момента в пермаллоевых пленках // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1966. — Т.30, N 6. — С.1062−1064.
  102. В.М., Остапенко Ю. В. Переключательные свойства тонких магнитных пленок // Физика металлических пленок. Киев: Наукова думка, 1969. — С.72−76.
  103. В.И., Спивак Г. В., Павлюченко О. П. Электронная микроскопия магнитной структуры тонких пленок // УФН. 1972. -Т.106, вып. 2. — С.229−278.
  104. О.С., Мусаев Т. Ш., Погожев В. А., Телеснин Р. В. Универсальная установка для изучения импульсного перемагничивания магнитных пленок в наносекундном диапазоне // ПТЭ. 1976. — N 5. — С.243−245.
  105. A.B., Кашинцев A.C., Ким Ей Хен, Колотов О.С., — 129
  106. A.M. Об условиях сохранения однородности намагниченности ферромагнетика в процессах вращения // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1966. — Т.30, N 1. — С.83−87.
  107. В.И., Руденко Г. И., Поливанов K.M., Фрумкин А.Л Некоторые результаты исследования наносекундного перемагничивания магнитных пленок // Физика магнитных пленок / Ред. М.Г.Рубашевс-кая. Иркутск, 1968. — С.345−350.
  108. А.Л. Дополнительное торможение и превращение энергии при наносекундном перемагничивании магнитных пленок // Физика магнитных пленок / Ред. М. Г. Рубашевская. Иркутск, 1968.- С.351−355.
  109. О.С., Куделькин H.H., Погожев В. А., Телеснин Р. В. Импульсное перемагничивание феррит-гранатовых пленок // ЖТФ.- 1985. Т.55, вып. 4. — С.761−764.
  110. М.В., Рандошкин В. В. Интегральные характеристики и динамика импульсного перемагничивания пленок феррит-гранатов // ЖТФ. 1985. — Т.55, вып.10. — С.1987−1991.
  111. М.В., Рандошкин В. В., Сигачев В. Б. Динамические доменные структуры при импульсном перемагничивании монокристаллических пленок феррит-гранатов // ФТТ. 1987. — Т.29, вып.8. -С.2247−2254.
  112. О.С., Погожев В. А. Шпульсное перемагничивание пленок ферритов-гранатов // Вестник МГУ. Сер. 3- Физика. Астрономия. 1991- - Т.32, Ы 5. — С.3−18.- 130
  113. E.H., Шишков А. Г., Балбашов A.M., Федюнин Ю. U., Клушина A.B. Особенности перемагничивания феррит-гранатовых пленок типа (210) // ЖТФ. 1993- - Т.63, вып. 11. — С.143−153
  114. A.C., Колотов O.G., Погожев В. А. Об импульсном перемагничивании тонких магнитных пленок в больших полях // Физ. мет. металловед. 1987. — Т.64, вып. 5. — С.891−895.
  115. Ю.А., Колотов O.G., Летова Т. Н. О размерах динамических доменов, возникающих при импульсном перемагничивании тонких поликристаллических магнитных пленок // Физ. мет. металловед. 1991- - N 10. — С.198−200.
  116. O.G., Погожев В. А. О критических точках кривой импульсного перемагничивания fe-Hi пленок // Тез. докл. XVI межд. школы-семинара «Новые магнитные материалы микроэлектроники». Москва, 23−26 июня 1998 г. 4.1. — М., 1998.- С. 302−303.
  117. В.А., Польский А. И., Саланекий Н. М. Субгармонические колебания магнитного момента ТМП в полях высокой частоты с линейной и круговой поляризацией // Физика магнитных пленок / Ред. М. Г. Рубашевская. Иркутск, 1968. — С.246−249
  118. Шапиро В.1., Хлебопрос Р. Г., Горенко Л. М. К нелинейной теории однородного движения намагниченности пленки в низкочастотных полях // Физика магнитных пленок / Ред. М. Г. Рубашевская. -Иркутск, 1968. С.263−267.
  119. Н.М., Лещев S.B. Нелинейные явления в параметрическом контуре с магнитной пленкой // Изв. АН СССР. Сер.- 131 физич. 1972. — T.36, N 7. — С.1567−1570.
  120. А.И., Хлебопрос Е. А. Годограф магнитного момента тонкой пленки в высокочастотном магнитном поле /У Изв. АН СССР. Сер. физич. 1972. — Т.36, N 7. — С.1571−1574.
  121. Ю.В., Сысоев В. Я. Микрополосковый электрически управляемый аттенюатор на проводящей тонкой магнитной пленке // Электронная техника, сер. 1: Электроника СВЧ. 1976. — Вып.6. -С.39−42.
  122. Ю.В. Шлейфовая модель модулятора СВЧ на тонкой магнитной пленке // Тез. докл. XIV-й школы-семинара «Новые магнитные материалы микроэлектроники». Москва, 26 29 сентября 1994. — 4.1. — Москва, 1994. — С. 105−106.
  123. А.Н., Беляев Б. А., Тюрнев В. В. Магнитометр с микрополосковым датчиком на тонкой магнитной пленке // Тез. докл. XVI мезкд. школы-семинара «Новые магнитные материалы микроэлектроники». Москва, 23−26 июня 1998 г. 4.2. — М., 1998.- С. 443−444.
  124. Фрайт 3. Ферромагнитный резонанс // Тонкие ферромагнитные пленки / Под ред. Р. В. Телеснина. М.: Мир, 1964. — С.254−312.
  125. Ю.В., Сысоев В. Я., Бородин И. Н. Импульсное пере-магничивание тонких магнитных пленок в области амплитуд импульсных полей, соответствующих области ферромагнитного резонанса // Физ. мет. металловед. 1979- - Т.48, вып.З. — С.490−497.
  126. Ю.В., Колотов О. С., Сысоев В. Я. О времени установления резонансного поглощения СВЧ мощности в пермаллоевых пленках // ДАН СССР. 1981. Т.261, К 2. — С.355−356.
  127. Ю.В., Сысоев В. Я., Бородин И. Н. Время релаксации в пермаллоевых пленках при нелинейном ферромагнитном резонансе // Физ. мет. металловед. 1981. — Т.52, вып.6. — С.1169−1175.- 132
  128. E.H., Семенцов Д. И. Особенности наносекунд-ного 90-градусного перемагничивания тонких магнитных пленок // fes. мет. металловед. 1993- - Т.76, вып.5. — С.97−102.
  129. E.H., Семенцов Д. И. 90-градусное перемагничивание магнитных пленок в режиме ферромагнитного резонанса // Физ. мет. металловед. 1994. — Т.77, вып.5. — С.59−63.
  130. E.H., Семенцов Д. И. Ориентационная 90-градусная релаксация магнитного момента при выключении поля // Физ. мет. металловед. 1994- - Т.78, вып.З. — С.163−164
  131. Г. М. Приближенная оценка факторов, влияющих на осуществление триггерного эффекта в магнитных пленках // Изв. вузов СССР. Физика. 1972. — N 7- - С.152−154
  132. Г. М., Ляховский Н. П., Ким П.Д., Преснецов В. Н. Триггерный эффект в тонких магнитных пленках // Изв. вузов СССР. Физика. 1969- - M 7. — С.140−142.
  133. Г. М., Арнольд О. П. Осуществление триггерного эффекта в магнитных пленках при наличии постоянных магнитных полей // Изв. вузов СССР. Физика. 1972. — N 3. — С.105−107.
  134. Г. М., Маторин I.E. Особенности осуществления триггерного вффекта в двухслойных магнитных пленках // Тез. докл. XVIII Всесоюзной конф. по физике магнитных явлений. Калинин, 3−6 октября 1988 г. Калинин, 1988. — С.995−996.
  135. H.H., Митропольский Ю. А. Асимптотические методы в теории нелинейных колебаний. M. i Наука, 1974. — 503 с.
  136. Р.В., Никитина Т. Н. К вопросу о влиянии дисперсии анизотропии на динамические свойства тонких пермаллоевых пленок // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1965. — Т.29, N 4. — С.548−551.
  137. Р.В., Ильичева E.H., Колотов И. С. Исследование процессов импульсного перемагничивания тонких пленок магнитооптическим методом // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1966. — Т.30, N 1. — С.103−107.
  138. Абрамова А-П., Афанасьева E.H., Семенцов Д. И. Импульсное 90-градусное перемагничивание тонких пленок о дисперсией намагниченности // fes. мет. металловед. 1998- - Т.86, вып.5- -С.423−426.
  139. А.П., Афанасьева E.H., Семенцов Д. И. Импульсное перемагничивание одноосных пленок о произвольно ориентированной осью легкого намагничивания // Изв. вузов. Физика. 1998. -Т.41, N 12. — С.72−77.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?