Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P) — Si
Диссертация
Рассчитаны полевые зависимости тока, протекающего в МОП-структурах с глубокими ловушками и радиационным зарядом в окисном слое под воздействием низкоинтенсивного рентгеновского излучения. Рассчитанные зависимости количественно согласуются с экспериментальными зависимостями, измерявшимися ранее на структурах /ю/у-81−8Ю2(Р)-8ь Наклон расчетных вольт-амперных характеристик зависит от подвижности… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. Влияние радиационного воздействия на структуры ЗьЗЮг литературный обзор)
- 1. 1. Природа дефектов в системе кремний — двуокись кремния
- 1. 2. Воздействие ионизирующих излучений на кремниевые структуры металл-диэлектрик-полупроводник
- 1. 3. Радиационная технология
- ГЛАВА 2. Модель накопления и релаксации радиационноиндуцированного заряда
- 2. 1. Физичекое описние модели
- 2. 2. Математичекое описание модели
- 2. 3. Анализ процессов накопления радиационно-индуцированного заряда в диэлектрике МДП-структуры
- 2. 4. Термическая и туннельная разрядка
- ГЛАВА 3. Радиационный токоперенос
- 3. 1. Токоперенос под воздействием рентгеновского излучения
- 3. 2. Токопренос под воздействием УФ-излучения
- ГЛАВА 4. Моделирование радиационной технологии
- 4. 1. Моделирование базового процесса рентгеновской корректировки порогового напряжения
- 4. 2. Комбинирование радиационного и термического воздействий
- 4. 3. Моделирование технологических процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений
Список литературы
- Таруи Я. Основы технологии сверхбольших схем./ Я. Таруи // М.: Радио и связь, 1985.-480 с.
- С.Зи Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1/ Под ред. С.Зи. // М: Мир, 1986.-404 с.
- С.Зи Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.2/ Под ред. С.Зи. // М: Мир, 1986.-456 с.
- Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии./ К. Рейви // М.: Мир, 1984. 475 с.
- Вавилов B.C. Дефекты в кремнии и на его поверхности. / B.C. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев // М.: Наука, 1990. 216 с.
- Емцев В.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. / В. В. Емцев, Т. В. Машовец // М.: Радио и связь, 1981. 248 с.
- Вавилов В. С Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. / B.C. Вавилов, А. Е .Кив, О. Р. Ниязова // М.: Наука, 1981. -368 с.
- Алехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов./ В. П. Алехин // М.: Наука, 1983.- 280 с.
- Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов./ В. И. Фистуль // М.: Металлургия, 1977. 240 с.
- Милне А. Примеси с глубокими примесями в полупроводниках. / А. Милне //М.: Мир, 1981.-480 с.
- Helms C.R. Physics of Si02 and the Si-Si02 Interface./ C.R. Helms, B.E. Deal // The New York: Pergamon Press, 1968.- 356 p.
- The physics of Si02 and its Interface / ed. Pantelides.- NewYork: Pergamon Press, 1978.-412 p.
- Nicollian E.H. MOS (metal-oxide-semiconductor) physics and technology / E.H. Nicollian, J. R Brews / /New York: Wiley, 1984, 760 p.
- Fahzner W.R. Si-Si02 Intrinsic States and Interface Charges./ W.R. Fahzner, E. Klausmann // Berlin: Hahn-Meither-Inst. Kern forsch, 1984. -150 p.
- Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. / У. Харрисон // Т.1.-М.: Мир, 1983, — 372 с.
- Силинь А.Р. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном SiC>2. / А. Р. Силинь, А. Н. Трухин // Рига: Зинатне, 1985.- 244 с.
- Revesz A.G. Chemical and structural aspects of the irradiation behavior of SiC>2 films on silicon./ A.G. Revesz // IEEE Trans. Nuclear Science, 1977, N6, p.2102−2107.
- Revesz A.G. The defect structure of vitreous SiC>2 films on silicon. I. Structure of vitreous Si02 and the nature of Si-0 band / A.G. Revesz.// Phys. Stat. Sol.(a), 1980, v.57, p.235−243.
- Revesz A.G. The defect structure of vitreous SiC>2 films on silicon. Il. Channel and network defect in vitreous SiC>2. / A.G. Revesz // Phys. Stat. Sol.(a), 1980, v.57, p.657−667.
- Pantelides S.T. Electron structure spectra and properties of 4:2- coordinated materials. Crystalline and amorphous SiC>2 and GeC>2. / S.T. Pantelides, W.A. Harrison//Phys.Rev. B, 1976, v. 13, p.2667−2691.
- Першенков B.C. Поверхностные радиацион-ные эффекты в ИМС. / B.C. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов // М.: Энергоатомиздат, 1988.- 256 с.
- Барабан А.П. Электроника слоев Si02 на кремнии / А. П. Барабан, В. В. Булавинов, П. П. Коноров.// Ленинград: Изд. ЛГУ, 1988.- 360 с.
- Ma Т.Р. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits / T.P. Ma, P.V. Dressendorfer //New York: J. Wiley, 1989.- 670 p.
- Grunthaner F.J. XPS studies of structure induced radiation effects at the Si-Si02 interface. / F.J. Grunthaner, B.F. Lelis, N. Zamini, J. Maserian // IEEE Trans. Nuclear Science, 1980, v.27, N6, p. 1640−1646.
- Grunthaner F.J. Radiation-induced defects in SiC>2 as determined with XPS / F.J. Grunthaner, P.J. Grunthaner, J. Maserian // IEEE Trans. Nuclear Physics, 1982, v.29, N6, p. 1462−1466.
- Griscom D.L. Diffusion of radiolitic molecular hudrogen as a mechanism for the post-irradiation buildup of interface states in Si02-on-Si structures / D.L. Griscom // J.Appl.Phys., 1988, v.58, N7, p.2524−2533.
- Edwards A.H. Theory of defects in the MOS system./ A.H. Edwards // In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York: Plenum Press, /ed. G.E.Walrafen, A.G.Revesz, 1986, p.271−283.
- Lenahan P.M. Radiation-induced trivalent silicon defect buildup at the Si-Si02 interface in MOS structures / P.M. Lenahan, K.L. Brower, P.V. Dressendorfer, W.C. Johnson. // IEEE Trans. Nuclear Science, 1981, v.28, N6, p. 4105−4111.
- Lenahan P.M. Radiation-induced paramagnetic defects in MOS structures / P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer // IEEE Trans. Nuclear Science, 1982, v.29, N6, p.1459−1461.
- Lenahan P.M. An electron spin resonance study of radiation-induced electrically active paramagnetic centers at the Si-Si02 interface / P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer // J.Appl. Phys., 1983, v.54, N3, p.1457−1460.
- Lenahan P.M. Hole traps and trivalent silicon centers in metal-oxide-silicon devices / P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer // J.Appl.Phys., 1984, v.55, N10, p.3495−3499.
- Witham H.S. The nature of the deep hole trap in MOS oxides / H.S. Witham, P.M. Lenahan.// IEEE Trans. Nuclear Science, 1987, v.34, N6, p. 1147−1151.
- Biegelsen D.K. Native defects at the Si-Si02 interface-amorphous silicon revisited / D.K. Biegelsen, N. M .Johnson, M. Stutzmann, E.H. Poindexter, P.J. Caplan.// Applications of Surface Science, 1985, v.22/23, p.879−890.
- Edwards A.H. Theory of the Pb center at the Si-Si02 interface / A.H. Edwards // Phys.Rev. B, 1987, v.36, p.9638−9643.
- Jupina M.A. Spin dependent recombination: a 29Si hyperfine study of radiation-induced Pb centers at the Si-Si02 interface / M.A. Jupina, P.M. Lenahan.// IEEE Trans. Nuclear Science, 1990, v.37, N6, p. 1650−1657.
- Aitken J.M. Electron trapping in electron-beam irradiated Si02/ J.M. Aitken, D.R. Young // J.Appl.Phys., 1978, v.49, N6, p.3386−3391.
- Young D.R. Electron trapping in Si02 at 295 and 77 K. / D.R. Young, E.A. Irene, D.J. DiMaria, R.F. DeKeersmaecker//J. Appl.Phys., 1979, v.50, N10, p.6366−6372.
- Hartstein A. Identification of electron traps in thermal silicon dioxide films / A. Hartstein, D.R. Young // Appl. Phys. Letts., 1981, v.38, N8, p.631−633.
- Feigl F.J. The effects of water on oxide and interface trapped charge generation in thermal Si02 films / F.J. Feigl, D.R. Young, D. J .DiMaria, S. Lai // J.Appl.Phys. 1981, v.52,N9, p.5665−5682.
- Schmitz W. Radiation induced electron traps in silicon dioxide. / W. Schmitz, D.R. Young // J.Appl.Phys., 1983, v.54, N11, p.6443−6447.
- Aslam M. Nature of electron and hole traps in MOS Systems with Poly-Si electrode / M. Aslam, R. Singh, P. Balk // Phys. Stat. Sol.(a), 1984, v.84, p.659−668.
- Young D.R. Charge trapping in Si02. / D.R. Young // In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids.- New York: Plenum Press, /ed. G.E.Walrafen, A.G.Revesz, 1986, p.487−496.
- Devine R.A. Ion implantation and ionizing radiation effects in thermal oxides / R.A. Devine // In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids.- New York: Plenum Press, /ed. G.E.Walrafen, A.G.Revesz, 1986, p.519−527.
- DeKeersmaecker R.F. Hole trapping in the bulk of Si02 layers at room temperature / R.F. DeKeersmaecker, D.J. DiMaria // J.Appl.Phys., 1980, v.51, p.532−539.
- Gdula R.A. The effects of processing on radiation damage in Si02 / R.A. Gdula // IEEE Trans. Electron Devices, 1979, v.26, N4, p.644−647.
- Marczewski M. Electron trapping and detrapping characteristics of arsenic-implanted Si02 layers / M. Marczewski, D.J. DiMaria // J.Appl.Phys., 1980, v.51, p.1085−1091.
- Marczewski M. Photoinjection stydies of ion-implantion-induced electron traps in MOS structures / M. Marczewski, I. Strzalkowski // Appl.Phys.A, 1982, v.39, p.233−236.
- Strzalkowski I. Thermal Depopulation studies of electron traps in ion implanted silica layers / I. Strzalkowski, M. Marczewski, M. Kowalsky // Appl. Phys. A, v.40, p.123−127.
- Alexandrovia S. Microscopic location of electron traps induced by arsenic implantation in silicon dioxide / S. Alexandrovia, D.R.Young // J.Appl.Phys., 1983, v.54, p.174−179.
- McWhorter P.J. Radiation response of SNOS nonvolatile transistors / P.J. McWhorter, S. L .Miller, T.A. Dellin // IEEE Trans. Nucl. Sci., 1986, v.33, N6, p.1414−1419.
- Kooi E. Influence of X-ray irradiation on the charge distributions in metal- oxidesilicon structures / E. Kooi // Philips Res. Repts., 1965, v.20, p.306−314.
- Hughes H.L. Surface effects of space radiation on silicon devices / H.L. Hughes // IEEE Trans. Nuclear Science, 1965, v. 12, p.53−63.
- Grove A.S. A model for radiation damage in metal-oxide-semiconductor structures / A.S. Grove, E.H. Snow // Proc. IEEE, 1966, v.54, p.894−895.
- Stanley A.G. A model for shifts in the gate turn-on voltage of insulated-gate field-effect devices induced by ionizing radiation / A.G. Stanley // IEEE Trans. Electron Devices, 1967, v.14, p.134−138.
- Mitchell J.P. Radiation-induced space-charge buildup in MOS structures / J.P. Mitchell // IEEE Trans. Electron Devices, 1967, v.14, N11, p.764−774.
- Churchill J.N. Electron irradiation effects in MOS systems / J.N. Churchill, T.W. Collins, F.E. Holmstrom // IEEE Trans. Electron Devices, v.21, N12, p.768−777.
- Collins T.W. Charge distributions in MOS capacitors for large irradiation doses / T.W. Collins, F. E Holmstrom., J.N. Churchill // IEEE Trans. Nuclear Science, 1979, v.26, N6, p.5176−5179.
- Churchill J.N. Dynamic model for e-beam irradiation of MOS capacitors / J.N. Churchill, F.E. Holmstrom, W. Collins // J.Appl.Phys.- 1979, v.50, N6, p.3994−4002.
- Churchill J.N. Modeling of irradiation-induced changes in the electrical properties of metal-oxide-semiconductor structures / J.N. Churchill, F.E. Holmstrom, W. Collins // Advances in Electronics and Physics, Academic Press Inc., 1982, v.58, p.1−79.
- Sokel R. Numerical analysis of transient photoconductivity in insulators / R. Sokel, R.C. Hughes // J.AppLPhys., 1982, p.7414−7424.
- Hughes R.C. Theory of responce of radiation sensing field effect transistors / R.C. Hughes // J.AppLPhys., 1985, v.58, N3, p.1375−1378.
- Герасимов Ю.М. Модель накопления заряда в диэлектрике МДП-структуры / Ю. М. Герасимов, А. Н. Кармазинский // Радиотехника и электроника, 1986, t.31,N7, c. l382−1389.
- Гуртов В.А. Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП-структур при облучении / В. А. Гуртов, А. Н. Назаров, Н. В. Травков // ФТП, 1990, т.24, N6, с.969−977.
- Vinetskii V.L. Charge and potential distribution in dielectric layers of MOS structures under ionixation / V.L. Vinetskii, G.E. Chaika, E.S. Shevchenko // Phys. Stat. Sol.(a), 1974, v.26, p.743−752.
- Гуров К.П. Кинетика образования положительного объемного заряда в диэлектрике МДП-приборов при облучении. / К. П. Гуров, JI.K. Израилева, Л. И. Коломийцев // Микроэлектроника, 1977, т.6, N2, с.163−171.
- Герасимов А.Б. Кинетика накопления индуцированного радиацией заряда в диэлектриках МДП-структур / А. Б. Герасимов, М. М. Джандиери, А. А. Церцвадзе, А. Г. Шило // Микроэлектроника, 1980, т.9, N5, с.450−455.
- Chin M.R. Photocurrent generation in thermal Si02 under X-ray irradiation: significance of constant injection / M.R. Chin, T.P. Ma // J.Appl. Phys., 1982, v.53, N5, p.3673−3679,
- Баранов Ю.В. Влияние мощности дозы гамма-облучения на сдвиг порогового напряжения МДП-транзисторов./ Ю. В. Баранов, Ф. Г. Гайсин, Р. Г. Усейнов, Н.Г. Чайковский//ФТП, 1985, t.19,N10, с.1883−1885.
- Гуртов В.А. Токи затвора и объемный заряд в двуокиси кремния при экспозиции под электронным пучком. / В. А. Гуртов, А. И. Назаров, О. Ф. Огурцов //Микроэлектроника, 1986, т.15, п4, с.314−323.
- Krantz RJ. Applied field and total-dose dependence of trapped charge build up in MOS devices / R.J. Krantz, L.W. Ankerman, T.C. Zeitlow // IEEE Trans. Nuclear Science, 1987, v.34,N6, p. l 196−1201.
- Dressendorfer P.V. Electron and hole transport and tunneling in SiC>2. / P.V. Dressendorfer. // In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York: Plenum Press /ed. G.E.Walrafen, A.G.Revesz, 1986, p.485−507.
- Schwank J.R. Irradiated silicon gate MOS device bias annealing / J.R. Schwank, W.R. Dawes // IEEE Trans. Nuclear Physics, 1983, v.30, N6, p.4100−4104.
- Schwank J.R. Physical mechanisms contributing to device «rebound». / J.R. Schwank, P. S. Winokur, P J. McWroter, Dressendorfer et al.// IEEE Trans. Nuclear Physics, 1984, v.31, N6, p.1434−1438.
- Oldham T.R. Spatial dependence of trapped holes determined from tunneling analysis and measured annealing / T.R. Oldham, A.J. Lelis, F.B. McLean // IEEE Trans. Nuclear Physics, 1986, v.33, N6, p. 1203−1209.
- Lelis A.J. The nature of the trapped hole annealing process / A.J. Lelis, T. R .Oldham, H.E. Boesch, F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sei., 1989, v.36, N6, p.1808−1815.
- McWhorter P.J. Modeling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment / P.J. McWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nuclear Physics, 1990, v.37, N6, p. 1682−1689.
- Lelis A.J. Reversibility of trapped hole annealing / A.J. Lelis, H.E. Boesh, T.R. Oldham, F.B. McLean // IEEE Trans. Nuclear Physics, 1988, v.35, N6, p. 11 861 191.
- Winokur P. S. Limitations in the use of linear system theory for the prediction of hardened MOS device response in space satellite environments / P. S. Winokur // IEEE Trans. Nuclear Physics, 1982, v.29, N6, p.2102−2106.
- Pfeffer R.L. Molecular diffusion in a-Si02: its role in annealing radiation-induced defect centers.- In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York: Plenum Press, /ed. Walrafen G.E., Revesz A.G. 1986, p.169−176.
- Shanfield Z. Characteristics of hole traps in dry and pyrogenic gate oxides / Z. Shanfield, M.M. Moriwaki // IEEE Trans. Nucl. Sei., 1984, v.31, N6, p.1242−1247.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи // Москва: Мир, 1984, т. 1,456
- Современное состояние и перспективы развития радиационной технологии в микроэлектронике/ С. Г. Кадменский, М. Н. Левин, В. М. Мещеряков,
- А.М.Черников В кн.: Всесоюзный научно-технический семинар «Радиационная технология в производстве интегральных схем».-Воронеж: Элект-роника, 1988, с.21−26, (ДСП).
- Сопоставление воздействий различных ионизирующих излучений на параметры серийных МДП БИС/ В. Н. Ачкасов, В. Р. Гитлин, С. А. Еремин,
- A.Г.Кадменский, С. Г. Кадменский, М. Н. Левин, В. И. Литманович, С. С. Остроухов, А. В. Татаринцев В кн.: Всесоюзный научно-технический семинар «Радиационная технология в производстве интегральных схем», Воронеж: Электроника, 1988, с. 61−62, (ДСП).
- Авторское свидетельство СССР № 289 949 от 1.03.1989. Способ изготовления МДП БИС/ В. Н. Ачкасов, В. Р. Гитлин, С. Г. Кадменский, М. Н. Левин, С. С. Остроухов, А. Н. Стоянов, (ДСП).
- Вахтель В.М. Радиационная технология корректировки электрофизических параметров МДП БИС с использованием рентгеновского излучения /
- Вахтель В.М. Общие закономерности изменения параметров МДП интегральных схем под воздействием различных видов радиации /
- B.М.Вахтель, В. Р. Гитлин, С. Г. Кадменский, В. Ф. Колесников, М. НЛевин,
- C.С.Остроухов // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра (Тезисы XXXIX Совещания, Ташкент), Ленинград: Наука, 1989, с. 531.
- Левин М.Н. Анализ термостабильности электрофизических параметров облученных МДП БИС / М. Н. Левин, М. А. Трубицына, В. Р. Гитлин.// Межвузовская конференция молодых ученых «Наука и ее роль в ускорении научно-технического прогресса».- Воронеж, 1987, с. 62.
- Гитлин В.Р. Термостабильность радиационно-индуцированного заряда в МДП-структурах./ В. Р. Гитлин, С. Г. Кадменский, С. С. Остроухов // В сб.: V Всесоюзная конференция «Физические проблемы МДП-интегральной электроники».- Дрогобыч, 1987, с. 94.
- Авторское свидетельство СССР № 1 431 619 от 15.06.1988. Способ изготовления К (МОП) БИС/ В. Н. Ачкасов, В. Р. Гитлин, С. Г. Кадменский, М. Н. Левин, С. С. Остроухов, (ДСП).
- Патент РФ № 1 519 452 от 1.08.1993. Способ изготовления МДП транзисто-ров/
- B.Н.Ачкасов, В. М. Вахтель, В. Р. Гитлин, А. Н. Ивакин, С.Г.Кадменс-кий, М. Н. Левин, С. С. Остроухов.
- Авторское свидетельство СССР № 312 459 от 3.05.1990. Способ изготовления МДП БИС/ В. Н. Ачкасов, В. Р. Гитлин, С. Г. Кадменский, М. Н. Левин, 1. C.С.Остроухов, (ДСП).
- Патент РФ № 1 752 128 от 12.08.1993. Способ изготовления МДП БИС/
- B.П.Бугров, В. Р. Гитлин, А. Н. Ивакин, С. Г. Кадменский, М. НЛевин1. C.С.Остроухов.
- Патент РФ № 1 419 418 от 10.08.1993. Способ изготовления МДП транзисторов/ В. М. Вахтель, В. Р. Гитлин, И. И. Евсеев, С. А. Еремин, А. Г. Кадменский, С. Г. Кадменский, М. Н. Левин, В. М. Мещеряков, С. С. Остроухов, А. Н. Стоянов, А. М. Черников.
- Патент РФ № 1 452 398 от 15.09.1988. Способ изготовления МДП транзисторов/ В. Р. Гитлин, А. Н. Ивакин, А. Г. Кадменский, С. Г. Кадменский, М. Н. Левин, С. С. Остроухов.
- Патент РФ № 1 762 688 от 12.08.1993. Способ изготовления МДП БИС/
- B.Р.Гитлин, С. А. Еремин, А. Г. Кадменский, С. Г. Кадменский, М. Н. Левин,
- C.С.Остроухов, А. Н. Стоянов, В. М. Мещеряков, А. М. Черников.
- Ю6.Авторское свидетельство СССР № 278 505 от 1.07.1988. Способ изготовления
- МДП БИС/ В. Р. Гитлин, С. Г. Кадменский, В. Ф. Колесников, М. НЛевин, С. С. Остроухов, И. Е. Лобов, (ДСП).
- Патент РФ № 1 436 768 от 10.08.1993. Способ изготовления МДП БИС / В. М. Вахтель, В. Р. Гитлин, А. Н. Ивакин, С. Г. Кадменский, В. Ф. Колесников, М. Н. Левин, И. ЕЛобов, С. С. Остроухов.
- Литовченко В.Г. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник./ В. Г. Литовченко, А. П. Горбань // Киев: Наукова думка, 1978. 316 с.
- Grunthaner F.J. Radiation-indused defects in Si02 as determined with XPS / F.J. Grunthaner, PJ. Grunthaner, J. Maserjian // IEEE Trans. Nuclear Science. 1982. NS-29. № 6. P. 1462−1466.
- Ma T.P. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits / T.P. Ma, P.V. Dressendorfer // New York: Wiley Interscience, 1989. 650 p.
- Lenahan P.M. Hole traps and trivalent silicon centers in metal-oxide-silicon devices / P.M. Lenahan, P.V. Dressendorfer // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. № 10. P. 3495−3499.
- Jupina M.A. Spin dependent recombination: a 29Si hyperfine study of radiation-induced Pb centers at the Si-SiC>2 interface / M.A. Jupina, P.M. Lenahan // IEEE Trans. Nuclear Science. 1990. V. 37. № 6. P. 1650−1657
- Tsujikawa S. Positive charge generation due to species of hydrogen during NBTI phenomenon in pMOSFETs with ultra-thin SiON gate dielectrics / S. Tsujikawa, J. Yugami // Microelectronics Reliability. 2005. V. 45. P. 65−69.
- Warren W.L. Electron and hole trapping in doped oxides / W.L. Warren, M.R. Shaneyfelt, D.M. Fleetwood, P. S. Winokur, S. Montague // IEEE Trans Nuclear Science. 1995. V. 42. № 6. P. 1731−1739.
- Shimizu H. Phosphorus-induced positive charge in native oxide of silicon wafers / H. Shimizu, C. Munakata//Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 3598−3605.
- Warren W.L. Nature of Defect Centers in Doped Thin Film Si02 / W.L. Warren, M.R. Shneyfelt, D.M. Fleetwood, P. S. Winokur // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 995−1002.
- Grove A.S. A model for radiation damage in metal-oxide-semiconductor structures /A.S. Grove, E.H. Snow//Proc. IEEE. 1966. V. 54. P. 894−895.
- Stanley A.G. A model for shifts in the gate turn-on voltage of insulated-gate field-effect devices induced by ionizing radiation / A.G. Stanley // IEEE Trans. Electron Devices. 1967. V. 14. P. 134−138.
- Schwank J.R. Irradiated silicon gate MOS device bias annealing / J.R. Schwank, W.R. Dawes // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1983. V. 30. № 6. P. 1100−1104.
- Levin M.N. Relaxation processes induced in Si-SiC>2 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Solid State Communications. 1994. V. 90. № 12. P. 813−816.
- McWhorter P.J. Modeling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment / PJ. McWhorter, S.L. Miller, W.M. Miller // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1990. V. 37. № 6. P. 1682−1689.
- Boesch H.E. Saturation of threshold voltage shift in MOSFET’s at high total dose / H.E. Boesch, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. McGarrity // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1986. V. 33. № 6. P. 1191−1197.
- Benedetto J.M. The relationship between Co60 and 10-keV X-ray damage in MOS devices / J.M. Benedetto, H.E. Boesch // IEEE Trans. Nuclear Science. 1986. V. 33. № 6. P.1318−1323.
- Measurement of low-energy X-ray dose enhancement in MOS devices with silicide gates / J.M. Benedetto, H.E. Boesch, T.R. Oldham, G.A. Brown // IEEE Trans. Nuclear Science. 1987. V. 34. № 6. P. 1540−1543.
- Powell R.J. Photoinjection studies of charge distributions in oxides of MOS structures / R.J. Powell, C.N. Berglund // J.Appl.Phys. 1971. V. 42. № 11. P. 43 904 397.
- Левин М.Н. Анализ распределения заряда в диэлектрике МДП-структуры по спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока // М. Н. Левин, Е. Н. Бормонтов, О. В. Волков, С. С. Остроухов, А. В. Татаринцев // ЖТФ. 2001. Т. 71. № 3. С. 46−51.
- Левин М.Н. Моделирование воздействия ионизирующих излучений на структуру металл-диэлектрик-полупроводник / М. Н. Левин, А. В .Татаринцев, Ю. В. Иванков // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. Т. 4. № 3. С. 194−202.
- Dressendorfer P.V. Electron and hole transport and tunneling in SiC>2. -In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York: Plenum Press /ed. G.E.Walrafen, A.G.Revesz, 1986, p.485−507.
- Schwank J.R. Irradiated silicon gate MOS device bias annealing. / J.R. Schwank, W.R. Dawes // IEEE Trans. Nuclear Physics, 1983, v.30, N6, p.4100−4104.
- Lelis A.J. The nature of the trapped hole annealing process. / A.J. Lelis, T.R. Oldham, H.E. Boesch, F.B. McLean // IEEE Trans. Nucl. Sei., 1989, v.36, N6, p. l 808−1815.
- Lelis A.J. Reversibility of trapped hole annealing. / A.J. Lelis, H.E. Boesh, T.R. Oldham, F.B. McLean // IEEE Trans. Nuclear Physics, 1988, v.35, N6, p. l 1 861 191.
- Ma T.P. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits. / T.P. Ma, P.V. Dressendorfer // New York: J. Wiley, 1989.- 670 p.
- Pfeffer R.L. Molecular diffusion in a-Si02: its role in annealing radiation-induced defect centers.- In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York: Plenum Press, /ed. Walrafen G.E., Revesz A.G. 1986, p.169−176.
- Shanfield Z. Characteristics of hole traps in dry and pyrogenic gate oxides. / Z. Shanfield, M.M. Moriwaki. // IEEE Trans. Nucl. Sei., 1984, v.31, N6, p.1242−1247.
- Powell R.J. Photoinjection studies of charge distributions in oxides of MOS structures. / R.J. Powell, C.N. Berglund // J.Appl.Phys., 1971, v.42, N11, p.4390−4397.
- Левин M.H. Определение параметров заряженного слоя в диэлектрике МДП-структуры / Левин М. Н., Сахаров Б. Н., Гольдфарб В. А., Сыноров В. Ф. // Известия высших учебных заведений. Физика. 1984, вып. 3, с. 112−113
- Митчел Дж. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией. / Митчел Дж., Уилсон Д. // М.: Атомиздат, 1970. 90 с.
- Soelkner G. Reliability of power electronic devices against cosmic radiation-induced failure/ Soelkner G., Kaindl W., Shulze H.-J., Wachutka G. // Microelectronics Reliability. 2004. V. 44. P. 1399−1406.
- Левин M.H. Моделирование процессов релаксации радиационного заряда в МОП-структурах / М. Н. Левин, В. Р. Гитлин, A.B. Татаринцев, В.А.
- Макаренко. Т.Г. Меньшикова // Вестник Воронежского государственного университета. Серия физика, математика. 2003. -№ 1. — С. 71−77.
- Макаренко В.А. Моделирование воздействий ионизирующих излучений на структуры металл-диэлектрик-полупроводник / В. А. Макаренко,
- A.B. Татаринцев, В. Р. Гитлин, М. Н. Левин // Материалы Международной научно-технической школы-конференции «Молодые ученые науке, технологиям и профессиональному образованию», Москва, 1−4 июня 2003 г. -Москва, 2003, — С. 91−93.
- Макаренко В.А. Моделирование воздействий ионизирующих излучений на структуры металл-диэлектрик-полупроводник / В. А. Макаренко,
- A.B. Татаринцев, В. Р. Гитлин, М. Н. Левин. Материалы Международной научно-практической школы-конференции «Молодые ученые 2003», Москва, 1−4 октября 2003 г. — Москва, 2003. — С. 91−93.
- Левин М.Н. Радиационная корректировка пороговых напряжений МДП интегральных схем: технология и моделирование / М. Н. Левин, В. Р. Гитлин,
- A.B. Татаринцев, В. А. Макаренко // Материалы Международной научно-технической конференции «Кибернетика и технологии XXI века», Воронеж, 12−13 мая 2004 г. Воронеж, 2004. — С. 431−444
- Гитлин В.Р. Радиационные эффекты в МОП-транзисторах с различными подзатворными диэлектриками / В. Р. Гитлин, A.B. Татаринцев,
- B.А. Макаренко, М. Н. Левин // LIV Международное совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра «Ядро-2004», Белгород, 22 25 июня 2004 г.: Тез. докл. — Белгород, 2004. — С. 310.
- Гитлин В.Р. Радиационные методы снятия упругих деформаций в системе Si-Si02 и повышения электрической прочности окисного слоя / В. Р. Гитлин,
- B.А. Макаренко // Материалы Международной научной конференции «Пленки-2004», Москва, 7−10 сентября 2004 г. Москва, 2004. — С. 56−60.