Анализ морфологии поверхности поли-п-ксилиленовых покрытий, синтезированных из газовой фазы

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Содержание

Глава 1. Синтез, структура и свойства поли-п-ксилилена
- 1. 1. Методы синтеза поли-п-ксилилена
- 1. 2. Синтез [2.2]парациклофана и его свойства
- 1. 3. Структура п-ксилилепа
- 1. 4. Кинетика полимеризации п-ксилилена
- 1. 5. Кристаллическая структура поли-п-ксилилепа
- 1. 6. Свойства поли-п-ксилилена
- 1. 7. Области применения поли-п-ксилиленов
Глава 2. Модели роста поли-п-ксилиленовых покрытий
- 2. 1. Введение
- 2. 2. Модели, основанные на кинетике полимеризации
- 2. 3. Модель, основанная на кинетике адсорбционных процессов
- 2. 4. Модели начальных стадий роста поли-п-ксилиленовых пленок
Глава 3. Экспериментальная часть
- 3. 1. Синтез пленок поли-п-ксилилена методом газофазной полимеризации на поверхности
- 3. 2. Измерение толщины пленок поли-п-ксилилена. Эллипсометрия
- 3. 3. Атомно-силовая микроскопия
Глава 4. Морфология поверхности сплошных пленок поли-п-ксилилена
- 4. 1. Параметризация случайно-шероховатых поверхностей
- 4. 2. Самоаффинные поверхности
- 4. 3. Экспериментальные методы определения скейлинговых коэффициентов. Результаты исследования морфологии поверхности сплошных пленок поли-п-ксилилена
- 4. 4. Континуальные и атомистические скейлинговые модели роста тонких пленок в неравновесных условиях
- 4. 5. Обсуждение результатов
Глава 5. Начальные стадии роста поли-п-ксилиленовых покрытий
- 5. 1. Модели начальных стадий роста островковых пленок
- 5. 2. Степень чистоты подложки в процессе газофазной полимеризации на поверхности
- 5. 3. Островковая стадия роста па кремниевой подложке
- 5. 4. Островковая стадия роста на сколе слюды
- 5. 5. Стадия свободного роста островков
- 5. 6. Регулирование морфологии тонких пленок поли-п-ксилилена
Выводы

Анализ морфологии поверхности поли-п-ксилиленовых покрытий, синтезированных из газовой фазы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Тонкие пленки с комплексом специальных физико-химических свойств находят широкое применение в различных областях науки и техники. В частности, интерес представляют полимерные покрытия, полученные осаждением на субстратах (подложках) из газовой фазы. К таким материалам относится и поли-п-ксилилен, который получают газофазной полимеризацией на поверхности (ГПП)1 [2.2]парациклофана (ПЦФ). При высоких температурах (600—650 °С) в вакууме происходит распад напряженного парациклофаново-го цикла и образуется высокореакционноспособный интермедиат — п-ксили-лен (ПК). Адсорбция п-ксилилена на подложках различной природы сопровождается полимеризацией в широком диапазоне температур и образованием поли-п-ксилиленового (ППК) покрытия. Этот метод позволяет, во-первых, получить полимерные покрытия со строго контролируемой толщиной, высокой сплошностью и равномерностью нанесения на подложки со сложным рельефом поверхности и, во-вторых, является технологически совместимым с традиционными методами нанесения тонкопленочных покрытий, такими как молекулярно-пучковая эпитаксия, физическое и химическое осаждение из газовой фазы. Кроме того, сам поли-п-ксилилен обладает комплексом ценных физико-химических свойств.

Основной областью традиционного практического применения поли-п-ксилиленовых покрытий является защита различных изделий радиотехники и микроэлектроники (печатные платы, интегральные микросхемы, СВЧ-устрой-ства и др.). В последнее время растет интерес к использованию ППК в качестве диэлектрика с низкой диэлектрической проницаемостью, а также к нанокомпозитам на основе ППК, полученным совместным осаждением из газовой фазы паров мономера и атомов металла или полупроводника.

1 В англоязычной литературе используется термин Vapor Deposition Polymerization (VDP).

Для новых областей практического применения тонкопленочных поли-п-ксилиленовых покрытий в ряде случаев принципиально важной является структура поверхности пленок и возможность ее регулирования в процессе синтеза, что связано, прежде всего, со специальными требованиями к шероховатости поверхности функциональных покрытий. Различные характеристики шероховатости поверхности могут оказывать значительное влияние на электрические, оптические, адгезионные, гидрофобные и трибологические свойства тонких пленок. Структура поверхности тонкопленочпых функциональных материалов также имеет большое значение при их использовании в качестве сенсоров или катализаторов. В связи с этим возникает задача регулирования морфологии поверхности пленок, решение которой возможно лишь при глубоком понимании механизмов, определяющих структуру поверхности покрытий в процессе их формирования и роста.

Целью данной работы являлось: во-первых, изучение влияния условий синтеза на структуру поверхности сплошных пленок поли-п-ксилилена (толщиной от 15 нм до 1 мкм), сформированных методом газофазной полимеризации на поверхностиво-вторых исследование начальных стадий роста поли-п-ксилилеповых покрытий (до образования сплошной пленки), определяющих структуру формирующихся сплошных полимерных пленок.

Выводы.

1. Установлено, что поверхность сплошных пленок поли-п-ксилилена, синтезированных методом газофазной полимеризации на поверхности, в определенном диапазоне размеров обладает свойствами самоаффинности, что позволяет применить скейлинговый подход для количественного анализа структуры поверхности и ее изменения в процессе синтеза.

2. Установлено влияние условий газофазной полимеризации на поверхности на коэффициент изрезанности а. При температуре полимеризации в диапазоне от —35 °С до ~ +10 °С коэффициент изрезанности остается постоянным и равным, а ~ 0.86, дальнейший рост температуры подложки приводит к уменьшению коэффициента изрезанности до, а ~ 0.7, то есть к формированию более локально-изрезанной поверхности.

3. Установлено влияние скорости сублимации мономера на скейлинговые характеристики поверхности. Увеличение температуры сублимации ведет к росту коэффициента изрезанности а, то есть к синтезу пленок с более локально-гладкой поверхностью.

4. Обнаружено влияние температуры подложки па динамический скейлинговый коэффициент ?3, который характеризует увеличение шероховатости поверхности пленки с ростом ее толщины. При температуре подложки +35 °С (3 = 0.3 ± 0.1, при температуре подложки 0 °C ?3 — 1 ± 0.1.

5. Показано, что для начальных стадий роста поли-п-ксилиленовых покрытий характерен островковый механизм роста. Обнаружено влияние температуры подложки, температуры сублимации, природы подложки, времени процесса на структурные характеристики островковых пленок (концентрация полимерных островков, их размер, спектр распределения по размерам, форма островков). Концентрация полимерных островков на начальном этапе быстро увеличивается со временем нанесения, а затем выходит на постоянное значение (ЛГ ~ 200 -т- 600 мкм-2 в зависимости от условий синтеза). Уменьшение температуры подложки или увеличение температуры сублимации ПЦФ приводят к росту предельной концентрации островков. Форма островков описывается в рамках модели пирамидального роста островков, отношение радиуса островка к его высоте определяется как температурой подложки, так и давлением мономера в газовой фазе.

6. В рамках модели пирамидального роста островков сделана оценка длины свободного диффузионного пробега мономера п-ксилилена при температуре подложки +20 °С: на кремниевой подложке Ха = 15 ± 3 нм, на сколе слюды Ха = 9 + 2 нм.

Показать весь текст

Список литературы

A.C. Farthing. Linear Poly-p-xylylene. Part 1. Intermediates and Polymers of Low Molecular Weight //J. Chem. Soc. — 1953. — Pp. 3261−3264.
A.A. Ваншейдт, Е. П. Мельникова, М. Г. Краковяк, JI.В. Кухарева. О применении реакции Вюрца к синтезу полимеров типа поликсилилена // Высокомолек. соед. — 1960. — Т. 2, № 9. — С. 1383−1390.
A.A. Ваншейдт, Е. П. Мельникова, М. Г. Краковяк, JI.B. Кухарева. О применении реакции Вюрца к синтезу полимеров типа поликсилилена // Высокомолек. соед. — 1960. Т. 2, № 12. — С. 1818−1823.
J.H. Golden. Poly-p-xylylene and Related Polymers //J. Chem. Soc.— 1961.-Pp. 1604−1610.
И. E. Кардаш, А. В. Пебалк, A. H. Праведников. Химия и технология высокомолекулярных соединений. — М.:ВИНИТИ, 1984, — Т. 19, — С. 66−150.
К. У. Бюллер. Тепло- и термостойкие полимеры. — М.:Химия, 1984.— 1056 с.
М. Szwarc. Some remarks on the p-xylylene molecule // Disc. Faraday Soc. 1947. — Vol. 2. — Pp. 46−49.
M. Szwarc. The C-H Bond Energy in Toluene and Xylenes //J. Chem. Phys. 1948. — Vol. 16. — Pp. 128−136.
L.A. Auspos, C.W. Burnham, L.A.R. Hall et al. Aromatic Polyhydrocar-bons. Part II. Chemical and Physical Properties of Polymers // J. Polymer Sei. 1955. — Vol. 15, no. 79. — Pp. 19−29.
J.R. Schaefgen. The thermal degradation on poly-p-xylylene // J. Polymer Sci. — 1959. — Vol. 41, no. 138.-Pp. 133−141.
J.R. Schaefgen. The pyrolysis of p-xylene //J. Polymer Sci.— 1955.— Vol. 15, no. 79.- Pp. 203−219.
W.F. Gorham. A new general synthetic method for the preparation of linear poly-p-xylylenes //J. Polymer Sci. A-l.— 1966, — Vol. 4, no. 12.— Pp. 3027−3039.
W.F. Beach, C. Lee, D.R. Bassett et al. Xylylene polymers // Encyclopedia of Polymer Science and Engineering. Second Edition. — 1989. — Vol. 17. — Pp. 990−1025.
C.J. Brown. Linear Poly-p-Xylylene. Part II. The Crystal Structure of Di-p-xylylene // J. Chem. Soc. — 1953. Pp. 3265−3270.
R.H. Boyd. The heat of combustion and strain energy of 2,2-paracyclo-phane // Tetrahedron. — 1966, —Vol. 22, no. 1, — Pp. 119−122.
J.M. Pearson, H.A. Six, D.J. Williams, M. Levy. Spectroscopic studies of quinodimethanes //J. Am. Chem. Soc.— 1971.— Vol. 93, no. 20.— Pp. 5034−5036.
D.J. Williams, J.M. Pearson, M. Levy. Nuclear magnetic resonance spectra of quinodimethanes //J. Am. Chem. Soc. — 1970, — Vol. 92, no. 5, — Pp. 1436−1438.
T. Koenig, R. Wielesek, W. Snell, T. Balle. Helim (I) Photoelectron Spectrum of p-Quinodimethane // J. Am. Chem. Soc. — 1975. — Vol. 97, no. 11.— Pp. 3225−3226.
L.A. Errede, M. Szwarc. Chemistry of p-xylylene, its analogues, and polymers // Q. Rev. Chem. Soc.— 1958. —Vol. 12. — Pp. 301−320.
P.G. Mahaffy, J.D. Wieser, L.K. Montgomery. An electron diffraction study of p-xylylene // J. Am. Chem. Soc. — 1977. — Vol. 99, no. 13. — Pp. 4514−4515.
M.J.S. Dewar. Ionization energies of p-quinodimethan and 2,5-dimethyl-p-quinodimethan // J. Am. Chem. Soc. — 1982. — Vol. 104, no. 5. Pp. 1447−1449.
M. Souders, C. Matthews, C. Hurd. Entropy and Heat of Formation of Hydrocarbon Vapors // Ind. Eng. Chem.— 1949.— Vol. 41, no. 5.— Pp. 1048−1056.
D. Kirkpatrick, L. Judovits, B. Wunderlich. The heat capacity of solid poly (p-xylylene) and polysterene //J. Pol Sci. Part. A. — 1986. —Vol. 24, no. l.-Pp. 45−47.
L.A. Errede, B.F. Landrum. The Chemistry of p-Xylylene. Part I. The Preparation of Solutions of Pseudodiradicals. //J. Am. Chem. Soc. — 1957. — Vol. 79, no. 18. Pp. 4952−4955.
L.A. Errede, R.S. Gregorian, J.M. Hoyt. The Chemistry of Xylylenes. VI. The Polymerization of p-Xylylene // J. Am. Chem. Soc. — I960. — Vol. 82, no. 19, — Pp. 5218−5223.
S. Kubo, B. Wunderlich. Crystallization During Polymerization of Poly-p-Xylylene //J. Polym. Sci. A-2: Polym. Phys.— 1972, — Vol. 10.— Pp. 1949−1966.
J.F. Gaynor, S.B. Desu, J.J. Senkevich. A Model for Chemical Vapor Copolymerization of p-Xylylenes with Vinylic Comonomers: Order of Initiation and Reactivity Ratios // Macromolecules. — 1995. — Vol. 28. — Pp. 7343−7348.
С. А. Озерин. Синтез, структура и свойства гибридных нанокомпози-тов на основе серебра, сульфида свинца и поли-п-ксилилена: Кандидатская диссертация / Институт синтетических полимерных материалов им. Н. С. Ениколопова РАН. — Москва, 2005.
W.F. Beach. A Model for the Vapor Deposition Polymerization of p-Xyly-lene // Macromolecules. — 1978, —Vol. 11, no. 1, — Pp. 72−76.
S. Rogojevic, J.A. Moore, W.N. Gill. Modeling vapor deposition of low-K polymers: Parylene and polynaphthalene // J. Vac. Sci. Tech. A. — 1999. — Vol. 17, no. 1, — Pp. 266−274.
S. Kubo, B. Wunderlich. The unit cell of poly-p-xylyelene and the structure of solution-grown crystals // Makromol. Chern. — 1972. — Vol. 162. — Pp. 1−7.
К. А. Маилян, С. H. Чвалун, А. В. Пебалк, И. E. Кардаш. Рентгенографическое исследование кристаллической структуры пленок поли-п-кси-лилеиа // Высокомолек. соед. А. — 1992. — Т. 34, № 9, — С. 53−61.
S. Isoda, М. Tsuji, М. Ohara et al. Structural analysis of /3-form poly (p-xylylene) starting from a high-resolution image // Polymer. — 1983,-Vol. 24, no. 9.- Pp. 1155−1161.
К. А. Маилян, E. И. Мишина, А. В. Пебалк, И. E. Кардаш. Физико-механические свойства и морфология поверхности пленок поли-п-ксилилена // Высокомолек. соед. А. — 1991. — Т. 33, № 7. — С. 1530−1535.185
S. Chvalun, A. Pebalk, I. Kardash et al. Thermal stability of poly (o-, Q-)a/-a/-tetrafluoro-p-xylylene) // European Polymer Congress. Short Abstracts / M.V. Lomonosov Moscow State University. — Moscow, Russia: 2005. June 27 — July 1. — P. 176.
D.E. Kirkpatrick, B. Wunderlich. Thermal analysis of the phase transitions of poly (p-xylylene) // Macromol. Chem. — 1985. — Vol. 186. — Pp. 2295−2607.
W.F. Beach. Progress in Vapor-Borne Poly (p-xylylene)s, Preparation, Properties, Applications // ACS Spring 2008 meeting in New Orleans. — LA: 2008.-April 6−12, — P. 24.
В. А. Ширшова. Поли-пара-ксилилены. История разработки, современное состояние и перспективы развития технологии // Лакокрасочные материалы и их применение. — 2008. — № 3. — С. 26−29.
W.N. Gill, S. Rogojevic, Т. Lu. Vapor Deposition of Low-k Polymeric Dielectrics // Low Dielectric Constant Materials for 1С Applications. — Springer, 2002. Pp. 95−120.
D. Shamiryan, T. Abell, F. Iacopi, K. Maex. Low-k dielectric materials // Materials Today. — 2004. Vol. 7, no. 1. — Pp. 34−39.
J. A. Moore, C.-I. Lang, T.-M. Lu, G.-R. Yang. Polymer Advanced Imaging and Packaging // Microelectronics Technology. — American Chemical Society, Washington, DC, 1995, — P. 449.
J. J. Senkevich, S. B. Desu. Poly (tetrafluoro-p-xylylene), a low dielectric constant chemical vapor polymerized polymer) // Appl. Phys. Lett. — 1998. — Vol. 72, no. 2. Pp. 258−260.
K. Tsukagoshi, I. Yagi, K. Yanagisawa et al. Pentacene transistor encapsulated by poly-para-xylylene behaving as gate insulator and passibation film 11 Appl. Phys. Lett. — 2005. — Vol. 87, no. 18. — P. 183 502.
J. J. Senkevich, P. I. Wang. Molecular Layer Chemistry via Parylenes // Chemical Vapor Deposition. — 2009. — Vol. 15, no. 4−6. — Pp. 91−94.
J. J. Senkevich- P. I. Wang, C. J. Wiegand, T.-M. Lu. Bias-temperature stability of ultrathin parylene-capped dielectrics: influence of surface oxygen on copper ion diffusion // Appl. Phys. Lett. — 2004. — Vol. 84, no. 14. — Pp. 2617−2619.
A. Mallikajunan, C. Wiegand, J. J. Senkevich et al. Hindered Copper Ion Penetration in Parylene-N Films // Electrochem. Solid-State Lett.— 2003,-Vol. 6, no. 8, — Pp. 28−29.
J. S. Juneja, G. A. Ten Eyck, H. Bakhu, T.-M. Lu. Pressure dependent Parylene-N pore sealant penetration in porous low-k dielectrics //-J. Vac. Sci. Technol. B. — 2005. Vol. 23, no. 5. — Pp. 2232−2235.
J. J. Senkevich, T.-M. Lu. Molecular Caulk: A Pore Sealant For Ultra-low K Dielectrics. — United States: Patent Application Publication. Pub. No.:US 2007/42 609 Al, 2007.-Feb.
D. C. Rodger, J. D. Wieland, M. S. Humayun, Y.-C. Tai. Scalable high lead-count parylene package for retinal prostheses // Sensors and Actuators B. 2006. — Vol. 117, no. l.-Pp. 107−114.
F. Jiang, Z. Han, X.-Q. Wang, Y.-C. Tai. IC-compatible parylene MEMS technology and its application in integrated sensors. — United States: Patent. Patent No.: US 6,511,859 Bl, 2003,-Jan.
A. A. Barlian. Microfabricated piezoresistive shear stress sensors for underwater applications: Ph.D. thesis / Stanford University. — 2009.
Y.-C. Tai, X.-Q. Wang. Parylene Micro Check Valve and Fabica-tion Method Thereof.— United States: Patent Application Publication. Pub. No.: US 2001/19 034 Al, 2001.-Feb.
N.-T. Nguyen, T.-Q. Truong. A fully polymeric micropump with piezoelectric actuator // Sensors and Actuators В. — 2004.— Vol. 97, no. 1.— Pp. 137−143.
H. Noh. Parylene Microcolumn for Miniature gas chromatograph: Ph.D. thesis / Georgia Institute of Technology. — 2004.
H. Noh, P.J. Hesketh, G.C. Frye-mason. Parylene gas chromatographic column for rapid thermal cycling // Journal of MEMS.— 2002, — Vol. 11, no. 6.-Pp. 718−725.
E. И. Григорьев, С. А. Завьялов, С. H. Чвалун. ГПП синтез поли-п-кси-лилен — металл (полупроводник) нанокомпозиционных материалов для химических сенсоров // Российские наиотехнологии. — 2006.— Т. 1, № 1−2. С. 58−70.с
С. А. Завьялов, И. Схоунман, Р. В. Гайнутдинов и др. Структура тонкопленочных фотоэлектродных нанокомпозитов на основе матрицы из поли-п-ксилилена // Российские нанотехнологии. — 2007. — Т. 2, № 3−4. С. 101−108.
S. A. Zavyalov, Е. I. Grigoriev, A. S. Zavyalov et al. Structure and properties of titaium-polymer thin film nanocomposites // Int. Journ. of Nanoscience. 2005. — Vol. 4, no. 1,—Pp. 149−161.
J.B. Fortin, T.M. Lu. A Model for the Chemical Vapor Deposition of Poly (para-xylylene) (Parylene) Thin Films // Chem. Mater. — 2002, — Vol. 14, no. 5.- Pp. 1945−1949.
C.R. Kleijn, R. Dorsman, K.J. Kuijlaars et al. Multi-scale modeling of chemical vapor deposition processes for thin film technology //J. Crystal Growth. — 2007. Vol. 303. — Pp. 362−380.
А.А. Князева, С. А. Озерин, Е. И. Григорьев и др. Получение тонкопленочных покрытий на основе поли-п-ксилилена в потоке инертного газа // Высокомолекулярные соединения, Серия А. — 2005. — Т. 47, № 7. — С. 1−6.
J.F. Gaynor. A heterogeneous model for the chemical vapor polymerization of poly-p-xylylenes // Electrochem. Soc. Proc.— 1997.— Vol. 97, no. 8.— Pp. 176−185.
W. Bowie, Y.-P. Zhao. Monte Carlo simulation of vapor depostion polymerization // Surface Science Letters.— 2004, — Vol. 563, no. 1−3.— Pp. 245−250.
Y.-P. Zhao, A.R. Hopper, G.-C. Wang, T.-M. Lu. Monte Carlo Simulationof submonolayer vapor-depostion polymerization // Phys. Rev. E. — 1999. — Vol. 60, no. 4, — Pp. 4310−4318.
F. Cariou, D. Valley, W. Loeb. Poly-Para-Xylylene in Thin Film Applications // IEEE Transactions on Parts, Materials and Packaging. — 1965. — Vol. 1, no. l.-Pp. 54−62.
S. Ganguli, Hemant Agrawal, B. Wand et al. Improved growth and thermal stability of Parylene films // J. Vac. Sci. Tech. A. — 1997. — Vol. 15, no. 6. — Pp. 3138−3142.
P. Meakin. Fractals, scaling and growth far from equilibrium. — Cambridge University Press, 1998. — 674 pp.
В.И. Трофимов, В. А. Осадченко. Рост и морфология тонких пленок, — М.: Энергоатомиздат, 1993.
J.A. Venables, G.D.T. Spiller, М. Hanbucken. Nucleation and growth of thin films // Rep. Prog. Phys. 1984. — Vol. 47. — Pp. 399−459.
M. C. Bartelt, J. W. Evans. Scaling analysis of diffusion-mediated island growth in surface adsorption processes 11 Phys. Rev. B.— 1992. — Vol. 46, no. 19. Pp. 12 675−12 687.
J. G. Amar, F. Family. Critical Cluster Size: Island Morphology and Size Distribution in Submonolayer Epitaxial Growth // Phys. Rev. Lett. — 1995. — Vol. 74, no. 11.— Pp. 2066−2069.
J.G. Amar, M.N. Popescu, F. Family. Rate-Equation Approach to Island Capture Zones and Size Distributions in Epitaxial Growth // Phys. Rev. Lett. 2001. — Vol. 86, no. 14. — Pp. 3092−3095.
J.A. Stroscio, D.T. Pierce. Scaling of diffusion-mediated island growth in iron-on-iron homoepitaxy // Phys. Rev. В.— 1994.— Vol. 49, no. 12.— Pp. 8522−8525.
R. Ruiz, B. Nickel, N. Koch et al. Dynamic Scaling, Island Size Distribution, and Morphology in the Aggregation Regime of Submonolayer Pentacene Films // Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 91, no. 13,—P. 136 102.
I. J. Lee, M. Yuri, S.-M. Lee, J.-Y. Kim. Growth mechanisms of vapor-born polymer films // Phys. Rev. В. — 2008.- Vol. 78, no. 11. — P. 115 427.
P. Аззам, H. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет.— М.: Мир, 1981. 584 с.
В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии, — М.: Техносфера, 2004. — 144 с.
S.N. Magonov, М.-Н. Whangbo. Surface Analysis with STM and AFM. Experimental and Theoretical Aspects of Image Analysis. — VCH, 1996. — 323 pp.
Applied Scanning Probe Methods. Scanning Probe Microscopy Techniques, Ed. by B. Bhushan, H. Fuchs. Nanoscience and Technology. — Springer, 2006.
B.B. Дерягин, H.B. Чураев, B.M. Муллер. Поверхностные силы, — M.: Наука, 1985. 398 с.
S. Sheiko. Imaging of Polymers using Scanning Force Microscopy. From Superstructures to Individual Molecules // Adv. in Polym. Sci. — 2000. — Vol. 151. — Pp. 61−174.
Л.Д. Ландау, E.M. Лившиц. Теория упругости, — M.: Физматлит, 2003. — T. VII из Теоретическая физика.
J.N. Israelachvili. Intermolecular and Surface Forces. — Elsevier Science and Technology Books, 1992. 450 pp.
F. Giessibl. Advances in atomic force microscopy. // Rev. of Mod. Phys. — 2003. Vol. 75, no. 3. — Pp. 949−983.
J. Tamayo, R. Garcia. Deformation, contact time, and phase contrast in tapping mode scanning force microscopy // Langmuir. — 1996. — Vol. 12. — Pp. 4430−4435.
S.N. Magonov, V. Elings, M.H. Whangbo. Phase imaging and stiffness in tapping mode atomic force microscopy // Surf. Sci. — 1997.— Vol. 375.— Pp. 385−391.
M.H. Whangbo, G. Bar, R. Brandsch. Description of phase imaging in tapping mode atomic force microscopy by harmonic approximation // Surf Sci. 1998. — Vol. 411. — Pp. 794−801.
L. Delineau, R. Brandsch, G. Bar, M.H. Whangbo. Harmonic responses of a cantilever interacting with elastomers in tapping mode atomic force microscopy // Surf. Sci. 2000. — Vol. 448. — Pp. 179−187.
N.A. Burnham, O.P. Behrend, F. Oulevey et al. How does a tip tap? // Nanotechnology. — 1997. Vol. 8. — Pp. 67−75.
G. Bar, R. Brandsch, M. Bruch et al. Examination of the relationship between phase shift and energy dissipation in tapping mode atomic force mi-criscopy by frequency-sweep and force-probe measurements / / Surf. S ci. — 2000.-Vol. 444.-Pp. 11−16.
G. Bar, R. Brandsch, M.H. Whangbo. Effect of tip sharpness on the relative contributions of attractive and repulsive forces in the phase imaging of tapping mode atomic force microscopy // Surf Sci— 1999.— Vol. 422.— Pp. 192−199.
L. Wang. The role of damping in phase imaging in tapping mode atomic force microscopy // Surf Sci. — 1999. Vol. 429. — Pp. 178−185.
F. Dubourg, J.P. Aime. Role of the adhesion between a nanotip and a soft material in tapping mode AFM // Surf. Sci. — 2000. — Vol. 466. — Pp. 137−143.
A. Gil, J. Colchero, M. Luna et al. Adsorption of Water on Solid Surfaces Studied by Scanning Force Microscopy // Langmuir. — 2000.— Vol. 16, no. 11.— Pp. 5086−5092.
M. Stark, C. M oiler, D.J. Muller, R. Guckenberger. From Images to Interactions: High-Resolution Phase Imaging in Tapping-Mode Atomic Force Microscopy // Biophys. Journal. — 2001. — Vol. 80, no. 6. — Pp. 3009−3018.
S.M. Rossnagel, T.S. Kuan. Alteration of Cu conductivity in the size effect regime // J. Vac. Sci. Technol. B. — 2004. — Vol. 22, no. 1. — Pp. 240−247.
S. Bodoroglu, M. Cetinkaya, W. J. Dressick et al. Controlling the Wettability and Adhesion of Nanostructured Poly-(p-xylylene) Films // Langmuir. — 2007,-Vol. 23, no. 23, — Pp. 11 391−11 393.
N. Malvadkar, S. Park, M. Urquidi-MacDonald et al. Catalytic activity of cobalt deposited on nanostructured poly (p-xylylene) films // Journal of Power Sources. — 2008. — Vol. 182, no. 1. Pp. 323−328.
Y. Zhao, G.-C. Wang, T.-M. Lu. Characterization of amorphous and crystalline rough surface: principles and applications. — Academic Press, 2001. — 417 pp.
M. Pelliccione, T.-M. Lu. Evolution of thin film morphology. Modelling and Simulations. — Springer, 2008. — Vol. 108 of Springer Series in Materials Science. — P. 344.
B.B. Mandelbrot. Self-affine fractals and fractal dimension // Physica Scrip-ta. 1985. — Vol. 32. — Pp. 257−260.
F. Family, T. Vicsek. Scaling of the Active Zone in the Eden Process on Percolation Network and the Ballistic Deposition Model //J- Phys. A.— 1985.-Vol. 18. —Pp. 75−81.
F. Family, T. Vicsek. Dynamics of Fractal Surfaces. — World Scientific Pub Co Inc, 1991.-492 pp.
D. Blomker, S. Maier-Paape, T. Wanner. Roughness in surface growth equations // Interfaces and Free Boundaries. — 2001. — Vol. 3. — Pp. 462−484.
J. Krim, G. Palasantzas. Experimental observation of self-affine scaling and kinetic roughening at sub-micron lengthscales // Int. J. of Mod. Phys. B. — 1995. Vol. 9, no. 6. — Pp. 599−632.
D.L. Sedin, K.L. Rowlen. Influence of tip size on AFM roughness measurements 11 Appl. Surf. Sci. — 2001. — Vol. 182, no. 1−2, — Pp. 40−48.
A. Mannelquist, N. Almqvist, S. Fradriksson. Influence of tip geometry on fractal analysis of atomic force microscopy images // Appl. Phys. A. — 1998. Vol. 66. — Pp. 891−895.
P. Klapetek, I. Ohlidal, J. Bilek. Influence of the atomic force microscope tip on the multifractal analysis of rough surfaces // Ultramicroscopy. — 2004. — Vol. 102. Pp. 51−59.
B.A. Sperling, J.R. Abelson. Kinetic roughening of amorphous silicon during hot-wire chemical vapor deposition at low temperature //J. Appl. Phys. — 2007.-Vol. 101.-P. 24 915.
P. Pfeifer, Y.J. Wu, M.W. Cole, J. Krim. Multilayer Adsorption on a Fractally Rough Surface // Phys. Rev. Lett. — 1989.— Vol. 62, no. 17.— Pp. 1997−2000.
J. Aue, J. Th. M. De. Hosson. Influence of atomic force microscope tip-sample interaction on the study of scaling behavior // Appl. Phys. Lett. — 1997, — Vol. 71, no. 10. — Pp. 1347−1349.
H.-N. Yang, Y.-P. Zhao, A. Chan et al. Surface-induced hidden cycles in correlated random rough surface // Phys. Rev. B. — 1997. — Vol. 56, no. 7. — Pp. 4224−4232.
S.F. Edwards, D.R. Wilkinson. The Surface Statistics of a Granular Aggregate 11 Proc. R. Soc. Lond. A. — 1982, — Vol. 381, no. 1780, — Pp. 17−31.
M. Kardar, G. Parisi, Y.C. Zhang. Dynamic scaling of growing interfaces // Phys. Rev. Lett. — 1986. — Vol. 56, no. 9. Pp. 889−892.
D.E. Wolf, J. Villian. Growth with Surface Diffusion // Europhys. Lett.— 1990,-Vol. 13, no. 5, — Pp. 389−394.
Z.-W. Lai, S. Das Sarma. Kinetic Growth with Surface Relaxation, Continuum versus Atomistic Models // Phys. Rev. Lett. — 1991. — Vol. 66, no. 18. — Pp. 2348−2351.
Y.-P. Zhao, J.B. Fortin, G. Bonvallet et al. Kinetic Roughening in Polymer Films Growth by Vapor Deposition // Phys. Rev. Lett — 2000, — Vol. 85, no. 15.- Pp. 3229−3232.
G. Vree, S. G. Mayr. Kinetic roughening during vapor deposition of polymer films: A Monte Carlo study 11 J. Appl. Phys. — 2006.— Vol. 100, no. 1, — P. 13 511.
S.-W. Son, M. Ha, H. Jeong. Anomalous Scaling Behavior in Polymer Thin Film Growth by Vapor Deposition // J. Stat. Meek — 2009, — Vol. 2, — P. 2 031.
J. Hachenberg, С. Streng, E. Suske et al. Kinetic Roughening of Laser Deposited Polymer Films: Crossover from" Single Particle Character to Conti-nouous Growth // Phys. Rev. Lett. — 2004. — Vol. 92, no. 24. — P. 246 102.
G. W. Collins, S. A. Letts, E. M. Fearon et al. Surface Roughness Scaling of Plasma Polymer Films // Phys. Rev. Lett. — 1994, — Vol. 73, no. 5, — Pp. 708−711.
А. И. Бузип, Д. С. Бартоломе, К. А. Маилян и др. Анализ поверхности тонких пленок поли-п-ксилилена и его производных // Высокомол. соед. А. 2004. — Т. 46, № 12. — С. 2053−2058.
А. И. Бузин, Д. С. Бартоломе, К. А. Маилян и др. Морфология поверхности тонких пленок пол (циан-п-ксилилена) / / Высокомол. соед. А. — 2006. Т. 48, № 9. — С. 1640−1646.
К. М. Vaeth, К. F. Jensen. Transition Metals for Selective Chemical Vapor Deposition of Parylene-Based Polymers // Chem. Mater. — 2000. — Vol. 12, no. 5, — Pp. 1305−1313.
J. J. Senkevich, C. J. Wiegand, G.-R. Yang, T.-M. Lu. Selective Deposition of Ultrathin Poly (p-xylene) Films on Dielectrics Versus Copper Surfaces // Chem. Vapor Deposition. — 2004. — Vol. 10, no. 5. — Pp. 247−239.
K.A. Маилян. Структура и свойства поли-п-ксилилена и их зависимость от параметров пиролитической полимеризации 2,2.-парацикло-фапа: Кандидатская диссертация / Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова.— Москва, 1995.
JI. Майссел, Технология тонких пленок.— М.:Советское радио, 1977.— Т. 2. 768 с.
В. Lewis, J.S. Anderson. Nucleation and growth of thin films.— N.Y.: Acad. Press, 1978.- 314 pp.
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов. Процессы конденсации тонких пленок // Успехи физических наук. — 1998. — Т. 168, № 10. — С. 1083−1116.
А. V. Osipov. A continuum model for thin-film condensation // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. — Vol. 28. — Pp. 1670−1679.
H. J. Kreuzer. Theory of surface porcesses // Surf. Sci.— 1990.— Vol. 231, no. 1−2. — Pp. 213−226.
M. A. Mittsev, N. D. Potekhina, A. Y. Potekhin. Model quasi-chemical approximation in the lattice-gas theory allowing for the internal partition functions of adatom groups in an adsorbed layer // Surf. Sci. — 1994. — Vol. 318, no. 1−2. — Pp. 217−228.
В. П. Скрипов, А. В. Скрипов. Спинодальный распад (фазовый переход с участием неустойчивых состояний) // Успехи физических наук. — 1979.- Т. 128, № 2. — С. 193−231.
G. Zinsmeister. Theory of thin film condensation. Part b: Solution of the simplified condensation equation // Thin Solid Films. — 1968. — Vol. 2, no. 5−6. Pp. 497−507.
D. R. Frankl, J. A. Venables. Nucleation on substrates from the vapour phase // Adv. Phys. 1970. — Vol. 19, no. 80.- Pp. 409−456.
J. A. Nieminen, K. Kaski. Rate-equation study of nucleation of thin films. II. Multilayer growth // Phys. Rev. A. — 1989.— Vol. 40, no. 4. —" Pp. 2096−2104.
J. A. Venables. Capabilities and limits of nucleation theories // Thin Solid Films.- 1976, — Vol. 32, no. 1, — Pp. 135−141.
R. A. Sigsbee. Adatom Capture and Growth Rates of Nuclei // J. Appl. Phys. 1971. — Vol. 42, no. 10. — Pp. 3904−3915.
В. И. Трофимов, JI. А. Селиверстов // Кристаллография.— 1976.— Т. 21, № 5.-С. 1063−1065.
К. J. Routledge, М. J. Stowell. Nucleation kinetics in thin film growth. Part 1. Computer simulation of nucleation and growth behaviour // Thin Solid Films. 1970. — Vol. 6, no. 6. — Pp. 407−421.
M. J. Stowell. Capture numbers in thin film nucleation theories // Phil/ Mag. 1972. — Vol. 26, no. 2. — Pp. 349−360.
J. A. Venables. Rate equation approaches to thin film nucleation kinetics // Phil. Mag. 1973. — Vol. 27, no. 3. — Pp. 697−738.
B. Lewis. Migration and capture processes in heterogeneous nucleation and growth: I. Theory // Surface Sei. — 1970. Vol. 21, no. 2, — Pp. 273−288.
C. G. Granqvist, R. A. Buhrman. Statistical model for coalescence of islands in discontinuous films // Appl. Phys. Lett. — 1975. — Vol. 27, no. 12. — Pp. 693−694.

Заполнить форму текущей работой