Спектроскопия бинарных оксидов, халькогенидов и некоторых моноатомных неметаллов в широкой области энергии собственного поглощения

Актуальность темы

.

Физика твердого тела стала одним из главных направлений развития прикладной и теоретической физики.

Современное состояние и перспективы технического и научного прогресса определяются практическим использованием микроскопических и квантовых свойств конденсированных систем и глубоких разработок фундаментальных проблем. Решение возникающих при этом задач по определению возможностей получения твердых тел с наперед заданными параметрами зависит от развития фундаментальных исследований теоретического характера, необходимых для объяснения и предсказания процессов, происходящих в твердых телах.

Среди наиболее важных и основных параметров вещества выделяются энергетические уровни. Знание их особенностей, энергий и интенсивностей переходов между ними в широкой области энергии фундаментального поглощения позволяет с самых общих позиций понять известные физико-химические свойства и предсказать другие вероятные характеристики веществ и приборов на их основе. Известно, какую революцию в естествознании и технике вызвало открытие энергетических уровней атомов и молекул. Исследования по детальной расшифровке энергетических уровней и параметров переходов между ними, установлению закономерностей в их структуре, соотношений с природой компонент и химических сил межатомных связей, структурой ближнего порядка твердых тел призваны существенно продолжить эту революцию.

Среди многих известных методов изучения энергетических уровней самыми точными, прямыми и эффективными в большинстве случаев признаны спектроскопические методы, особенно метод спектров отражения с синхротронным источником света в широкой области энергии.

Взаимодействие света с веществом весьма сложно. Наиболее полно оно описывается комплексом из 12 фундаментальных оптических функций (Я, ц, сь 82, и др.). Однако экспериментально измеряется, как правило, только Я (Е). Определение этого комплекса составляет первую проблему спектроскопии. Полосы оптических переходов твердых тел, как правило, сильно перекрываются. Поэтому некоторые из них структурно не наблюдаются в интегральной кривой переходов. Определение полного набора наиболее интенсивных переходов и их параметров (энергий Емаксимума и полуширины Нь площади Би силы осцилляторов составляет вторую, еще более сложную проблему спектроскопии.

К настоящему времени известно много экспериментальных исследований сотен материалов. Как правило, они ограничиваются спектрами отражения (1−30 эВ), редко — Si, 82 (1−5 эВ) илиIme'1 (1 — 50 эВ). Иногда они сопровождаются не вполне корректными расчетными спектрами нескольких оптических функций и попытками воспроизведения интегральных кривых R или 82 произвольным набором осцилляторов. Поэтому, как правило, эти данные представляют первичный, весьма «сырой» материал, который нуждается в глубокой и детальной всесторонней компьютерной обработке.

Согласно общей теории оптических свойств максимумы спектров оптических функций обусловлены прямыми междузонными переходами или метастабильными экситонами. Энергетические зоны и спектры ег (Е) успешно рассчитаны для многих кристаллов. При этом близость кривых теоретических 82 с расчетными на основе опытных R (E) принимается за корректность теории. Однако для других функций (R, ¡-л, Е28г) данные теории и опыта сильно расходятся. Только частично это объясняется неучетом экситонов. Давно общепризнана большая роль экситонов при формировании оптических спектров в широкой области энергии. Но до сих пор нет ни теории метастабильных экситонов, ни метода учета их вклада в общую кривую оптической функции.

В результате первая задача по определению комплекса оптических функций выполнена лишь частично, и для немногих из известных сотен соединений. При этом расчеты сделаны различными методами, а полученные данные обсуждаются весьма упрощенно без должного теоретического анализа. Вторая задача спектроскопии по установлению отдельных полос компонент переходов и их параметров изучена очень слабо, и для весьма небольшого количества соединений. Это существенно затрудняет оценку корректности теоретических расчетов зон и спектров оптических функций. Теоретические расчеты зон в 1960 — 1980 годы ориентировались на экспериментальные спектры отражения (за неимением спектров 82, ц). Но эта методика давно устарела, слишком груба, упрощенна. Все это привело к определенному застою в экспериментальных и теоретических исследованиях оптических свойств и электронной структуры твердых тел.

Цель и задачи работы.

Цель работы заключалась в исследовании всесторонних оптических свойств, основных параметров переходов и электронной структуры многих бинарных оксидов, халькогенидов и некоторых моноатомных неметаллов в широкой области энергии фундаментального поглощения.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

• усовершенствовать пакеты компьютерных программ для расчетов спектров комплексов оптических функций по отдельным функциям (Я, -Ьпе" 1, или 8ь ?2);

• существенно модернизировать компьютерные программы разложения спектров 82 иЬпе*1 на компоненты;

• разработать методики сопоставления комплексов экспериментальных и экспериментально-расчетных оптических спектров с комплексами теоретических спектров, теоретическими расчетами зон и плотностей состояний, данными фотоэмиссии;

• на основе известных экспериментальных или теоретических спектров отдельных функций рассчитать полные комплексы оптических функций и установить их основные особенности;

• рассчитанные или экспериментально известные спектры е2 иЬпе" 1 разложить на элементарные компоненты, определить основные параметры полос компонент переходов и выполнить их теоретический анализ;

• установить закономерности зависимостей параметров электронной структуры от природы аниона, катиона;

• изучить влияние ближнего и дальнего порядка на оптические спектры и электронную структуру одного и того же соединения и в рядах родственных групп соединений;

• теоретически методом РР-ЬМТО рассчитать зоны, плотности состояний, спектр 82, энергии наиболее интенсивных междузонных переходов и их локализацию в ЗБ.

Научная новизна.

1. Усовершенствованы пакеты компьютерных программ для расчетов спектров комплексов оптических функций по отдельным функциям (Я, -Гте" 1, или 81, 82).

2. Существенно модернизированы компьютерные программы разложения спектров ?2 иГте" 1 на компоненты.

3. Разработаны методики сопоставления комплексов экспериментальных и экспериментально-расчетных оптических спектров с комплексами теоретических спектров, теоретическими расчетами зон и плотностей состояний, данными фотоэмиссии.

4. Впервые систематически по единым программам определены спектры полных комплексов оптических функций в широкой области энергии фундаментального поглощения около сотни различных бинарных оксидов, халькогенидов и моноатомных неметаллов основных десяти групп кристаллов и стекол. Расчеты выполнены по известным экспериментальным и теоретическим спектрам отдельных оптических функций. Установлены основные особенности спектров комплексов оптических функций обоих типов, а также их соотношения между собой и с известными экспериментальными и теоретическими данными, в том числе природа максимумов полос спектров диэлектрической проницаемости е2 и характеристических объемных потерь электронов -1те~'.

5. Впервые беспараметрическим методом, без подгоночных параметров интегральные спектры и -¡-те" 1 разложены на элементарные составляющие, определены основные параметры (энергии Е, и полуширины Н-, площади Би силы осцилляторов? полос переходов) поперечных и продольных компонент полос переходов и их основные особенности. Установлены существенные преимущества примененного метода разложения объединенных диаграмм Арганда перед известными методами воспроизведения интегральных кривых ЩЕ), 82(Е) с использованием большого количества подгоночных параметров. Количество выявленных компонент часто в 1.5 — 2 раза больше количества максимумов спектров интегральных кривых. Это позволило впервые наиболее полно и детально выполнить теоретический анализ полученных компонент переходов. В целом установлена существенно более полная и глубокая информация об оптических свойствах и электронной структуре рассмотренной сотни соединений.

6. Впервые по параметрам компонент полос переходов установлены основные особенности зависимостей параметров электронной структуры от природы аниона и катиона в группах родственных материалов и между ними, в том числе энергии спин-орбитального и кристаллического расщепления верхней валентной полосы.

7. По спектрам оптических функций двух фаз (кристалл, стекло) десятка соединений (ВеО, лед, А120з, БЮг, веОг, ОеЗе2, АБгХз) получена новая существенно более полная информация о влиянии ближнего и дальнего порядка на их оптические свойства и электронную структуру.

8. Теоретически методом РР-ЬМТО рассчитаны зоны, Ы (Е), Ег (Е) кристаллов М§-0, СаБг, Сс10 и СаБе. Впервые установлено, что многие междузонные переходы локализованы в объеме ЗБ вне главных направлений.

Практическая значимость результатов работы.

Результаты исследований могут быть использованы для обсуждения оптических свойств, электронной структуры и фундаментальных параметров многих бинарных неметаллов и приборов на их основе.

Конкретные практически важные результаты:

1. Показана большая эффективность и преимущества применений разработанных пакетов компьютерных программ для определения спектров полных комплексов оптических функций в широкой области энергии фундаментального поглощения, т. е. решения первой задачи спектроскопии.

2. Установлено, что использованный метод объединенных диаграмм Арганда для определения спектра элементарных полос поперечных и продольных компонент переходов и их основных параметров наиболее эффективно без произвольных подгоночных параметров помогает решать вторую фундаментальную задачу спектроскопии. В отличие от этого метода известные методы воспроизведения интегральных спектров используют громадное количество подгоночных параметров и не дают однозначного решения.

3. Полученные результаты представляют наиболее полную информацию об оптических особенностях и электронной структуре как отдельных соединений, так и их зависимость от природы катиона или аниона в группах родственных материалов. Это позволяет наиболее компетентно оценивать известные параметры, предсказывать возможные значения неизученных параметров и особенностей материалов и приборов на их основе, в том числе квантовой эффективности фотоэффекта и излучения.

4. Установленные параметры полос элементарных переходов позволяют детально проверять результаты теоретических расчетов зон и спектров оптических переходов по их энергии и вероятности. Экспериментальные методы определения вероятности переходов в области энергии Е > Ег неизвестны. Экспериментальные кривые Я или гг содержат лишь прямую (ег) или косвенную (Я) информацию об энергиях части, но не всех переходов.

5. Результаты исследований двух фаз соединений (кристалл, стекло) представляют наиболее прямую и полную информацию о фундаментальной роли ближнего порядка при формировании электронной структуры соединения.

6. Как известно, интенсивное облучение кристаллических соединений группы Ав1 (А — Ga, InВ — S, Se, Те) и стекол слабо влияет на многие их свойства и параметры. Поэтому впервые полученные результаты для них представляют большое прикладное значение при использовании этих материалов и приборов на их основе в радиационной и космической технике.

Публикации и апробация работы. В ходе выполнения исследований по теме диссертации опубликована 151 научная работа, из которых 68 статей в центральных отечественных и зарубежных журналах, 83 статьи в Трудах Международных конференций.

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на: XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Кишинев, 1988) — XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990) — III Всесоюзной конференции «Материаловедение халькогенидных полупроводников» (Черновцы, 1991) — IX Всесоюзной конференции ВУФ-91 (Томск, 1991) — 5-th International Conference on Electronic Spectroscopy (Kiev, 1993) — XVIII-th Congress of the Romanian American Academy of Sciences and Art (Kishinau, 1993) — 1 Международной конференции «Материаловедение алмазоподобных и халькогенидных полупроводников» (Черновцы, 1994) — VIII-ой конференции «Химия, физика и технология халькогенидов» (Ужгород, 1994) — Российском семинаре «Структурная наследственность в процессах сверхбыстрой закалки расплавов» (Ижевск, 1995) — III International Seminar on new materials (Novosibirsk, 1996) — Российской университетско-академической научно-практической конференции (Ижевск, 1997; 1999; 2001) — Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 1998; 2000) — Международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1999) — IV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999) — Совещании «Нанофотоника» (Н. Новгород, 2000) — Н-ой Международной конференции «Аморфные микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2000) — Международном семинаре «Карбид кремния» (В. Новгород, 2000) — Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы» (Екатеринбург, 2000) — XII съезде по спектроскопии (Звенигород, 2001);

Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2001; 2002; 2003) — III Международной конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» (Саранск, 2001) — Международной конференции «Аморфные сплавы и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2002; 2004) — Международной конференции «Опто-, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2004) — VII Международном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» (Сочи, 2004) — IX Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 2004) — совещании по программе НАТО «Zinc oxide as material for microand optoelectronic applications» (Санкт-Петербург, 2004).

Результаты работы использованы при выполнении грантов Конкурсного Центра Фундаментальных Исследований при СПб госуниверситете 1998;2002 годов.

Личный вклад. Автору принадлежит постановка задач исследований, обоснование способов их решений, непосредственное участие в значительной части расчетов, непосредственное выполнение экспериментальных измерений спектров отражения кристаллов GaSe, TISe, С112О, AS2S3 и a-GaAs, систематизации и анализа результатов. Оптические эксперименты были выполнены в лаборатории оптики ИПФ АН Молдавии (г. Кишинев). Ряд результатов, вошедших в диссертацию, получены в соавторстве с коллегами: сотрудниками отдела спектроскопии Института экспериментального естествознания УдГУ (А.П. Тимонов, Е. В. Пестерев, E.JI. Бусыгина, С. В. Смирнов, А. И. Калугин, В. И. Кормилец, В.В. Соболев), и лаборатории оптики ИПФ АН Республики Молдова (А.И. Козлов, С. Г. Козлова, В.Е. Грачев), которым автор благодарен за плодотворное сотрудничество.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. В широкой области энергии электронная структура любого материала весьма сложна. Наиболее наглядно это проявляется в необходимости исследования обширного комплекса оптических фундаментальных функций, из которых экспериментально измеряются часто лишь одна ® или редко еще одна (-Ims" 1) и иногда 82 и si, но в очень узком интервале энергии (1−5 эВ). Применение пакета компьютерных программ с использованием интегральных соотношений Крамерса-Кронига позволяет полностью решить первую задачу спектроскопии: определить спектры всего комплекса оптических функций.

2. Полосы переходов между энергетическими уровнями или экситонов, как правило, настолько широки, что из-за перекрытия многие из них в интегральных кривых структурно не наблюдаются. Экспериментально по спектрам Я (Е) энергии переходов оцениваются лишь весьма приближенно. Методы определения их интенсивностей неизвестны. Применение метода объединенных диаграмм Арганда позволяет без подгоночных произвольных параметров решить вторую задачу спектроскопии: определить полный набор наиболее интенсивных возможных переходов, энергии максимумов полос переходов и их полуширины, площади полос и силы осцилляторов (их интенсивности, площади полос переходов).

3. Общепринятые в течение многих лет полуэмпирические методы теоретических расчетов зон и оптических спектров? г (Е) основаны на использовании энергий максимумов единственно известного экспериментального спектра отражения для определения подгоночных параметров. Это заранее приводит к заметным погрешностям расчетов зон и спектра е2(Е). Характерная особенность спектра Бг (Е) состоит в резком падении его значений в широкой области энергии после длинноволновых самых интенсивных максимумов и весьма слабом проявлении структур. Поэтому формально теоретическая и экспериментальная кривые Е2(Е) обычно хорошо согласуются. Кривые других оптических функций (Я, ц, Е 82, к) с ростом энергии падают слабо и сохраняют многие структуры в широкой области энергии. Анализ спектров полного комплекса оптических функций позволяет существенно более полно и детально выявлять структуру переходов. Только сопоставление всех экспериментально-расчетных спектров оптических функций с их теоретическими кривыми позволяет наиболее убедительно и полно получить интерпретацию структур спектров и их параметров, проверить границы корректности теоретических расчетов. Особую роль при этом играют расчетные значения площадей полос переходов и сил осцилляторов, поскольку экспериментально их не определяют, а их теоретические расчеты связаны с определенными упрощениями и, как правило, заметно не точны.

4. Теоретические расчеты зон обычно ограничиваются точками нескольких главных направлений ЗБ. Поэтому структуру и природу междузонных переходов теоретически рассматривают только в них. Развитие методики расчетов по всему объему ЗБ позволило на примере кристаллов М§-0 и СаБг показать, что обычно применяемые методики слишком упрощены, а иногда просто неверны: многие интенсивные переходы могут быть локализованы в объеме ЗБ далеко от точек основных направлений.

Согласно общей теории максимумы спектров оптических функций могут быть обусловлены свободными экситонами в области Е «Её, прямыми междузонными переходами и метастабильными экситонами в области больших энергий. Анализ спектров комплекса оптических функций, а особенно результатов разложений Е2(Е) на компоненты, позволяет выполнить существенно более глубокий и детальный анализ структур спектров. Экситонные полосы могут быть сравнительно узкими даже в области Е «Её. Такие данные предоставляют основу для развития теории метастабильных экситонов.

Обычно публикуются данные об энергиях продольно-поперечных расщеплений ДЕц свободных экситонов. Полученные обширные результаты для параметров переходов обоих типов (поперечных и продольных) во всей области собственного поглощения сотен разнообразных соединений дают фундаментальную основу для развития теории этих переходов. Установление двух типов плазмонов в случае сильно анизотропных кристаллов свидетельствуют о формировании отдельной группы верхних валентных полос, а определение их основных параметров позволяет существенно развить теорию возбуждения плазмонов обоих типов.

Обычно оптические спектры и электронная структура рассматриваются для отдельных соединений. Существенно более глубокая и полная информация установлена при рассмотрении особенностей в группах родственных материалов в зависимости от природы катиона и аниона.

Обычно в случае чисто ковалентных (группа А4) или сильно ковалентных (группа А3В5) материалов при переходе кристалл — стекло вся структура спектров настолько сильно размывается, что спектральная кривая стекла представляет одну очень широкую полосу. Для большой группы материалов (БЮг, ЭЮ^, ОеОг, лед и др.) нами установлено, что при переходе кристаллстекло многие особенности электронной структуры сохраняются. Это позволяет обсуждать эти особенности на основе модели экситонов с учетом ближнего порядка и ограниченных орнаментов структуры этих материалов (например, типа БЮ4 для БЮг).

В диссертации развито новое направление физики конденсированного состояния, посвященное решению двух главных проблем спектроскопии неметаллов в широкой области энергии: 1) определению спектров комплексов оптических функций, 2) установлению количества наиболее интенсивных переходов и их основных параметров.

1. Structural chemistry of layer-type phases. Ed. Levy F. Dodrecht: D. Reidel Publ. Company (Holland), 1976. 392 P.

2. Бокий Г. Б., Воронина И. П., Дворянкина Г. Г., Шевченко В. Я., Угай Я. А. Кристаллохимические и физические свойства полупроводников. М.: Изд-во стандартов, 1973. 208 С.

3. Абрикосов Н. Х., Шелимова JT.E. Полупроводниковые материалы на основе А4В6. М.: Наука, 1975.195 С.

4. Абрикосов Н. Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В. Полупроводниковые халькогениды. М.: Наука, 1975.220 С.

5. Физико-химические свойства окислов. Справочник под ред. Самсонова Г. В. М.: Металлургия, 1978. 471 С.

6. Криокристаллы. Под ред. Веркина Б. И., Прихотько А. Ф. Киев: Наук, думка, 1983. 526 с.

7. Fletcher N.H. The chemical physics of ice. Cambridge: Univ. Press, 1970. 350 P.

8. Соболев В. В. Собственные энергетические уровни твердых тел группы А4. Кишинев: Штиинца, 1987.207 С.

9. Weaver J.H., Poirier D.M. Solid State Properties of Fullerenes // Sol. St. Phys. 1994. V.48. P. l-108.

10. Pickett W.E. Electrons and phonons in Сбо based materials // Sol. St. Phys. 1994. V.48. P .226−347.

11. Елецкий A.B., Смирнов Б. М. Фуллерены и структуры углерода // УФН. 1995. Т.165. № 9. С.977−1009.

12. Соболев В. В. Зоны и экситоны криокристаллов. Кишинев: Штиинца, 1986.206 С.

13. Лазарев В. Б., Соболев В. В., Шаплыгин И. С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов. М.: Наука, 1983.295 С.

14. Соболев В. В. Собственные энергетические уровни соединений А4В6. Кишинев: Штиинца, 1981.284 С. О (л.

15. Соболев В. В. Зоны и экситоны соединений группы, А В. Кишинев: Штиинца, 1980. 255 С.

16. Соболев В. В. Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и таллия. Кишинев: Штиинца, 1982.272 С.

17. Black J., Conwell Е.М., Seigle L., Spencer C.W. Electrical and optical properties of AB II J. Phys. Chem. Sol. 1957. V.2. № 2. P.240−251.

18. Немошкаленко В. В., Алешин В. Г. Электронная спектроскопия кристаллов. Киев: Наук, думка, 1976. 335 С.

19. Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. М.: Мир, 1965. 382 С.

20. Raether H. Excitation of Plasmons and Interband Transitions by Electrons. Berlin: Springer Verlag, 1980. 196 P.

21. Proc. 5 Intern. Conf. on Inorganic Scintillators (1999, MSU, Moscow). Ed. V. Mikhailin. Moscow: Faculty of Physics MSU, 2000. 772 P.

22. II VI Semiconducting Compounds. 1967 International Conference. Ed. Thomas D.G. N.J.: W.A. Benjamin, Inc., 1967. 1489 P.

23. Физика и химия соединений А2В6. Перевод под ред. Медведева С. А. М.: Мир, 1970. 624 с.

24. Соболев В. В. Оптические фундаментальные соединения группы А3В5. Кишинев: Штиинца, 1979.287 С.

25. Ансельм А. И.

Введение

в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978.616 С.

26. Бассани Ф., Парравичини Дж.П. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.:Наука, 1982. 392 С.

27. Оптические свойства полупроводников. Под ред. Уиллардсона Р. и Бира А., М.: Мир. 1970.488 С.

28. Ю. Питер, Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002. 560 С.

29. Эварестов P.A., Котомин Е. А., Ермошкин А. Н. Молекулярные модели точечных дефектов в широкощелевых твердых телах. Рига: Зинатне, 1983. 287 С.

30. Соболев В. В., Немошкаленко В. В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура дихалькогенидов редких металлов. Киев: Наук, думка, 1990. 293 С.

31. Соболев В. В. Зоны и экситоны галогенидов металлов. Кишинев: Штиинца, 1987. 284 С.

32. Соболев В. В., Немошкаленко В. В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников. Киев: Наук, думка, 1988. 423 С.

33. Соболев В. В., Немошкаленко В. В. Электронная структура твердых тел в области фундаментального поглощения (введение в теорию). Т.1. Киев: Наук, думка, 1992. 566 С.

34. Соболев В. В., Соболев В.Вал. Диэлектрическая проницаемость в широкой области энергии собственного поглощения // Неорган, материалы. 1994. Т.ЗО. № 8. С.1098−1100.

35. Forouhi A.R., Bloomer I. Optical properties of cristalline semiconductors and dielectrics // Phys Rev. B. 1988. V.38. № 3. P.1865−1874.

36. Chen Y.F., Kwei C.M., Tung C.J. Optical constants model for semiconductors and insulators // Phys. Rev. B. 1993. V.48. № 7. P.4373−4379.

37. Филлипс Дж. Оптические спектры твердых тел в области собственного поглощения. М.: Мир, 1968. 176 С.

38. Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала. М.: Мир, 1973. 557 С.

39. Абаренков И. В., Антонова И. М., Барьяхтар В. Г., Булатов B. JL, Зароченцев Е. В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура идеальных и дефектных кристаллов. Киев: Наук, думка, 1991. 455 С.

40. Кацнельсон А. А., Степанюк B.C., Фарберович О. Ф., Сас А. Электронная теория конденсированных сред. М.: МГУ, 1990. 238 С.

41. Вычислительные методы в теории твердого тела. Сб. статей. Пер. под ред. Овчинникова А. А. М.: Мир, 1975.400 С.

42. Arnaud В., Alouani М. All electron projector augmented — wave GW // Phys. Rev. B. 2000. V.62. № 7. P.4464−4476.

43. Kootstra F., de Bocij P.L., Snijders J.G. Application of TPDFT to the dielectric function of various non-metallic crystals // Phys. Rev. B. 2000. V.62. № 11. P.7071−7083.

44. Armand В., Alouani M. Local-field and excitonic effects in the optical properties of semiconductors // Phys. Rev. B. 2001. V.63. № 8. P.85 205−1-13.

45. Del Sole R., Girlanda R. Optical properties of solids within the independent quasi-particle approximation//Phys. Rev. 1996. V.54. № 6. P.14 376−14 385.

46. Соболев B.B. О некоторых проблемах формирования экситонного поглощения // Журн. прикл. спектроск. 1994. Т.61. № 3−4. С.302−311.

47. Соболев В. В. Проблемы электронной структуры неметаллов в широкой области энергии фундаментального поглощения // Журн. прикл. спектроск. 1999. Т.66. № 3. С.299−315.л /.

48. Физика соединений, А В. Под ред. Георгобиани А. Н. и Шейнкмана М. К. М.: Наука, 1986. 320 С.

49. Губанов А. И. Квантово-электронная теория аморфных проводников. М.: АН СССР, 1963.250 С.

50. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 662 С.

51. Электроннные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Отв. ред. Цэндин К. Д. С.-Пб.: Наука, 1981. 486 С.

52. Бонч-Бруевич B. JL, Звягин И. П., Миронов А. Г. и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981. 383 С.

53. Соболев В. В. Проблема взаимосвязи электронной структуры некристаллических веществ и кристаллов // Физика и химия стекла. 1995. Т.21. № 1. С.3−16.

54. Соболев В. В. Диэлектрическая проницаемость и ее разделение на элементарные компоненты IIII Ж. прикл. спектроск. 1996. Т.63. № 1. С.143 154.

55. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. Москва: ИЛ, 1961. 304 С.

56. Sobolev V.V., Kalugin A.I., Sobolev V.Val., Kormilets V.I. Electronic Structure and Optical Properties of Fluorite // J. Wide Bandgap Materials, 2001. V.8. № 2. P.87−114.

57. Hobbs J. Ice physics. Oxford: Univ. Press., 1974. 267 P.

58. Haensel R., Koch E.E., Kosuch N., Nielsen U., Skibowski M. VUV Reflectivity of solid N2 and 02 // Chem. Phys. Lett. 1971. V.9. № 6. P.548−552.

59. Daniels J. Optical constants of the solid N2, 02, C02 // Optics Commun. 1970. V.2. № 7. P.352−356.

60. Tarrio C., Schnatterly S.E. Local-field effects in solid N2 // Phys. Rev. Lett. 1991. V.66. № 5. P.644−647.

61. Hampsel F. J., Schwenther N., Koch E.E. UV PES of solid N2 and 02 // Phys. Stat. Sol. (b). 1975. V.71. № 2. P.615−624.

62. Fock J.-H., Lan H.-J., Koch E.E. Electronic band structure of solid C02 // DFSY S R-83−10.35 P.

63. Scharber S.R., Weber S.E. Optical constants of CO // J. Chem. Phys. 1971. V.55. № 8. P.3977−3984.

64. Lucas A. A., Vigneron J.P., Donnelly S.E., Rife J.C. VUV reflectance of liquid helium // Phys. Rev. B. 1983. V.28. № 5. P.2485−2496.

65. Seki M., Kobayashi K., Nakahara J. Optical spectra of hexagonal ice // J. Phys. Sol. Japan. 1981. V.50. № 8. P.2643−2648.

66. Otto A., Lynch M.J. Characteristic EEL of solid benzine and ice // Aust. J. Phys. 1970. V.23. № 4. P.609−612.

67. Watanabe M., Kitamurs H., Nakai Y. VUV absorption specrta of ice // Proc. 4 Int. Conf. VUV Rad. Phys. 1974. Oxford. Pergamon Press. P.70−72.

68. Parravichini G.P., Resca L. Elecrtonic states and optical properties in cubic ice // Phys. Rev. B. 1973. V.8. № 6. P.3009−3022.

69. Вавилов B.C., Гиппиус A.A., Конорова E.A. Электронные и оптические процессы в алмазе. М.: Наука, 1985. 120 С.

70. Herman F., Kortum R.L., Kuglin C.D. Energy band structure and optical spectra of II-VI compounds // Intern. J. Quant. Chem. 1967. V.15. P.533 550.

71. Hemstreet L.A., Fong J.C.Y., Cohen M.L. Calculation band structure and optical constants of diamond using nonlocal-pseudopotential method // Phys. Rev. B. 1970. V.2.№ 6. P.2054;2063.

72. Lubinsky A.R., Ellis D.E., Painter G.S. First-principles calculation of the optical absorption in diamond // Phys. Rev. B. 1972. V.6. № 10. P.3950−3956.

73. Hanke W., Mattausch H.J., Striniti G. Theory of exchange-correlation effects of covalent crystals. From: Electron correlations in solids. Ed. I.T. Devreese and F. Brosens. N.Y.: Plenum Publ. Co, 1983. P.289−360.

74. Adolph В., Gavrilenko V.I., Tenelsen K., Bechstedt F., Sole R.D. Nonlocality and many-body effects in the optical properties of semiconductors // Phys. Rev. B. 1996. V.53. № 15. P.9797−9808.

75. Bechstedt F., Tenelsen K., Adolph B. Compensation of dynamical quasiparticle and vertex corrections in opical spectra// Phys. Rev. Lett. 1997. V. 78. № 8. P.1528−1534.

76. Benedict L.X., Shirley E.L., Bohn R.B. Theory of optical absorption in diamond, Si, Ge, and GaAs // Phys. Rev. B. 1998. V.57. № 16. P. R9385-R9387.

77. Clark C.D., Dean P.J., Harris P.V. Intrinsic edge absorption in diamond // Proc. Roy. Soc. A. 1964. V.277. P.312−329.

78. Phillipp H.R. Taft E.A. Kramers-Kronig Analysis of Reflectance Data for Diamond // Phys. Rev. A. 1964. V.136. № 5. P.1445−1448.

79. Roberts R.A. Walker W.C. Optical Study of the Electronic Structure of Diamond // Phys. Rev. 1967. V.161. № 3. P.730−735.

80. Roberts R.A., Roessler D.M., Walker W.C. Fine structure in the direct absorption edge of diamond // Phys. Rev. Lett. 1966. V.17. № 6. P.302−304.

81. Logothetidis S., Petalas J., Polatoglou H.M., Fuchs D. Origin and temperature dependence of the first direct gap of diamond // Phys. Rev. B. 1992. V.46. № 8. P.4483−4494.

82. Armon H., Sellschop J.P.F. Angular dependence of electron-energy-loss spectroscopy: application to diamond // Phys. Rev. B. 1982.V.26. № 6. P.3289−3296.

83. Соболев В. В., Грачев В. Е., Козлова С. Г., Соболев В.Вал. Сила осциллятора экситонов селенида галлия // Опт. и спектр. 1990. Т. 68. № 2. С.476 477.

84. Papadopolous A.D., Anastassakis Е. Optical properties of diamond // Phys. Rev. 1991. V. 43. № 6. P.5090−5097.

85. Nithianandam J., Rife J.C. Synchrotron x-ray optical properties of natural diamond // Phys. Rev. 1993. V.47. № 7. P.3517−3521.

86. Brand N.B., Chudinov S.M., Ponomarev Ya.G. Semimetals. Graphite // V.20. Modern problems in Condensed Matter Sciences. North-Holland. Amsterdam. 1988.490 P.

87. Carter J.G., Huebner R.H., Hamm R.N., Birkhoff R.D. Optical properties of graphite in the region 1100 to 3000 A // Phys. Rev. A. 1965. V.137. № 2. P.639−641.

88. Taft E.A., Philipp H.R. Optical properties of graphite // Phys. Rev. A. 1965. V. 138. № 1. P. 197−202.

89. Klucker R., Skibjwski M., Steinmann W. Anisotropy in the optical transitions of graphite // Phys. Stat. Sol.(b). 1974. V.74. № 2. P.703−710.

90. Zeppenfeld К. EEL Spectra of graphite // Z. Phys. 1968. V.211. № 2. P.391−397.

91. Greenaway D.L., Harbeke G., Bassani F., Tosatti E. Anisotropy of the optical constants and the band structure of graphite // Phys. Rev. 1969. V.178. № 3. P. 1340−1348.

92. Venghaus H. JR Reflectance of graphite for E||c // Phys. Stat. Sol.(b). 1977. V.81. № 1. P.221−225.

93. Zanini M., Grubisic D., Fisher J.E. Optical anisotropy of pyrolytic graphite // Phys. Stat. Sol.(b). 1978. V.90. № 1. P.151−156.

94. Zunder A. The electronic properties of graphite // Phys. Rev. B. 1978. V.17. № 2. P.626−641.

95. Willis R.F., Fitton В., Painter G.S. PE Spectra of graphite // Phys. Rev. B. 1974. V.9. № 4. P. 1926;1937.

96. Tatar R.C., Rabii S. Electronic properties of graphite // Phys. Rev. B. 1982. V.25. № 6. P.4126−4141.

97. Chen N.H., Rabii S., Holzwarth N.A. Optical spectra of graphite // Synthetic Metals. 1983. V.8. № 3. P.297−203.

98. Ahuja R., Auluck S., Wills J.M. Optical properties of graphite // Phys. Rev. B. 1997. V.55. № 8. P.4999−5005.

99. Painter G.S., Ellis D.E. Band structure and optical properties of graphite // Phys. Rev. B. 1970. V.112. P.4747−4752.

100. Franenheim Th., Jungkickel G., Kohler Th., Stephan U. Structure and electronic properties of a-carbone // J. Noncrystal. Solids. 1995. V.182. № 1. P.186−197.

101. Williams M.W., Arakawa E.T. Optical properties of glassy carbone from 0 to 82 eV // J. Appl. Phys. 1972. V.43. № 8. P.3460−3463.

102. Arakawa E.T., Dolfini S.M., Ashley J.C., Williams M.W. Arc-evaporated carbon films // Phys. Rev. B. 1985. V.31. № 12. P.8097−8101.

103. Козырев C.B., Роткин B.B. Фуллерен // ФТТ. 1993. Т.27. № 9. С.1409−1434.

104. Тимошкин А. Н., Соболев В.Вал., Соболев В. В. Спектры характеристических потерь электронов дихалькогенидов молибдена // ФТТ. 2000. Т.42. № 1. С. 37 — 39.

105. Iwasa Y., Yasada Т., Naito Y., Koda Т. Optical Reflection Spectra of Fullerite SingleCrystals // Activity Report of Synchrotron Rad. Lab. Tokyo. 1992. P.32- 33.

106. Sohmen E., Fink J., Kratchmar W. Electron energy-loss spectroscopy studies on Сбо and C70 fullerite // Z. Phys. В.: Condens. Matter. 1992. V.86. № 1. P.87−92.

107. Golden M. S., Knupfer M., Fink J., et al. A. Electronic structure of fullerenes from high energy spectroscopies // Proc. Int. Workshop Fullerenes and Atomic Clusters. St. Petersburg. Russia. 1993. P.78−90.

108. Kataura H., Endo Y., Achiba K., Hanyu Т., Yamaguchi Sh. Dielectric Constants of Сбо and C70 Thin Films // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V.34. № 10B. P. L1467 L1484.

109. Hora J., Panek P., Navratil K., Handlirova В., Humlicek J. Optical respons of Сбо thin films and solutions // Phys. Rev. B. 1996. V.54. № 7. P.5106 5113.

110. Kelly M.K., Etchegoin P., Fuchs D., Kratschmer W., Fostiropoulos K. Optical transitions of Сбо films in the visible and ultraviolet from spectroscopic ellipsometry // Phys. Rev. B. 1992. V.46. № 8. P.4963 -4968.

111. Ren S.L., Wang K.A., Zhon P., Rao A.M. Dielectric Function of solid C7o films // Appl. Phys. Lett. 1992. V.2. №. P.124 126.

112. Ching W.Y., Huang M.-Z., Xu Y.-N., Harter W.G., Chan F.T. First-Principles Calculation of Optical Properties of Сбо in the fee Lattice // Phys. Rev. Lett. 1991. V.67. № 15. P.2045 2048.

113. Harigaya K., Abe S. Optical-absorption spectra in fullerenes Сбо and C70: effects of coulomb interactions, lattice fluctuations, and anisotropy // Phys. Rev. B. 1994. V.49. № 23. P. 16 746−16 752.

114. Jiang X., Gan Z. Theory of the excitonic effect in solid C6o U Phys. Rev. B. 1995. V.52. № 19. P.14 254 -14 262.

115. Tsubo Т., Nasu K. Theory For Exciton Effects on Light Absorption Spectra of f.c.c. Type C60 Crystal // Sol. State Comm. 1994. V.91. № 11. P.907 911.

116. Alasia F., Broglia R.A., Golo G., Roman H.E. Electromagnetic response of quasispheriodal fullerenes // Chem. Phys. Lett. 1995. V.247. P.502−506.

117. Harigaya K., Abe S. Optical absorption spectra and geometric effects in higher fullerenes //J. Phys.: Condens. Matter. 1996. V.8. P.8057−8066.

118. Ohno K., Yu I., Maruyama Y. Electronic structures of C70 crystalline phases // Chem. Phys. Lett. 1996. V.255. №. p.367−372.

119. Ходорковский M.A., Шахмин A. JL, Леонов Н. Б. Исследование Сбо методом РФЭС // ФТТ. 1994. Т.36. № 3. С.626−630.

120. Рубцов В. И., Шульга Ю. М. Функции потерь твердых фуллеренов Сбо> С70 // ЖЭТФ. 1993. Т.103. № 6. С.2065;2071.

121. Gordeev Yn.S., Mikoushkin V.M., Shitov V.V. EEL Spectra of C60 // Mol. Mat. 1998. V.ll. № 1. P.81−86.

122. Lucas A., Gensterblum G., Pireaux J.J. Elementary Excitations of Сбо by EELS // Phys. Rev. B. 1992. V.45. № 23. P.13 694−13 702.

123. Астрова E.B., Воронков В. Б. Ременюк А.Д. Изменение параметров и состава тонких пленок пористого кремния в результате окисления. Эллипсометрические исследования // ФТП. 1999. Т.ЗЗ. № 10. С.1264−1270.

124. Lockwood D.J. Optical properties of porous silicon // Solid State Commun. 1994. V.92. № 1−2. P.101−112.

125. Wilcoxon J.P., Samara G.A., Provencio P.N. Optical and electronic properties of Si nanoclusters synthesized in inverse micelles // Phys. Rev. B. 1999. V.60. № 4. P.2704−2714.

126. Woogen U. Optical properties of semiconductors quantum dots. // Tracts in Modern Physics. 1997. V.136. Berlin. Springer. 251 p.

127. Kovalev D., Heckler H., Polisski G., Koch F. Optical properties of Si nanocrystals. // Phys. Stat. Sol. (b). 1999. V.215. № 2. P.871−930.

128. Koshida N., Koyama H., Suda J. Optical spectra of Porous Silicon by Reflectance spectra. // Appl. Phys. Lett. 1993. V.63. № 20. P.2774−2776.

129. Buda F., Kohanoff J., Parrinello M. Optical properties of porous silicon // Phys. Rev. Lett. 1992. V.69. № 8. P.1272−1275.

130. Leung M., Whaleg K.B. Electron-hole interactions in silicon nanocrystals // Phys. Rev. B. 1997. V.56. № 12. P.7455−7468.

131. Yu M., Ulloa S.E., Drabold D.A. Local-basis quasiparticle calculations and the dielectric response function of Si clusters // Phys. Rev. B. 2000. V.61. № 4. P.2626−2631.

132. Philipp H.R. Optical and Bonding Model for a-SiOx. // J. Non-Cryst. Solid. 1972. V.8−10. P.627−632.

133. Pierce D.T., Spicer W.E., Electronic structure of a-Si. // Phys. Rev. B. 1972. V.5. № 6. P.3017−3029.

134. Sotiropoulos J., Fuhs W. Optical properties of a-Si-Ge. // Phys. St. Sol. (b). 1994. V.186. № 2. P.427−436.

135. Ferrien F., Kalimaoki A., Bensahel D. Optical properties of Porons Silicon in the 1.5−5 eV range. // Solid State Commun. 1992. V.84. № 2. P.293−296.

136. Roessler D.M., Walker W.C., Loh E. Electronic spectrum of cristall BeO // J. Phys. Chem. Sol. 1969. V.30. № 1. P.157−167.

137. Freeouf J.L. FUV Reflectance of II-VI Compounds // Phys. Rev. B. 1973. V.7. .№ 8. P.3810−3830.

138. Александров Ю. М., Колобанов B.H., Махов B.H., Мнхайлнн B.B. Возбуждение люминесценции BeO // Письма в ЖТФ. 1981. Т.7. в.6. С.343−346.

139. Китык И. В., Колобанов В. Н., Михайлин В. В. Электронная структура ВеО // Вестн. МГУ. с.З. 1987. Т.28. № 4. С.67−72.

140. Пустоваров В. А., Иванов В. Ю., Кирм М., Кружалов A.B., Цитгерер Г. Регистрация электронных возбуждений в ВеО // ФТТ. 2001. Т.43. .№ 7. С.1189−1195.

141. Feldbach Е., Laasch W., Varding d., Zimmerer G. Excitons in BeO // Phys. Stat. Sol.(b). 1992. V.170. № 2. P.623−630.

142. Grundler R., Breuer K., Tews W. Optical properties of amorphous and polycrystalline BeO // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. V.86.№ 1. P.329−338.

143. Xu Y.-N., Ching W.Y. Electric properties of some wurzite crystals // Phys. Rev. B. 1993. V.48. .№ 7. P.4335−4351.

144. Loh E. Optical phonons in BeO // Phys. Rev. 1968.V.166.№ 3. P.673−678.

145. Васильев A.H., Топорник К. Б., Эварестов P.A. Локальные центры в ВеО // Опт. спектр. 1980. Т.48. № 2. С.277−282.

146. Chang K.Y., Froyen S., Cohen M.L. The electronic band structures for zand w-BeO // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1983. V.16. № 14. P.3475−3480.

147. Кулябин Б. Е., Лобач В. А., Кружалов A.B. Зонная структура ВеО // ФТТ. 1990. Т.32. № 12. Р.3685−3687.

148. Phillips J.C. Spectroscopic and morphological structure of tetrahedrally oxide glasses // Solid State Physics. 1982. V.37. P.93−171.

149. Wilmers К., Wethkamp Т., Esser N., Cobet C. Ellipsometric studies of BexZni. xSe between 3 and 25 eV // Phys. Rev. В. 1999. V.59. № 15. P. l0071−10 075.

150. Wilmers К., Wethkamp Т., Esser N. Cobet C. VUV Ellipsometry on BeX // Phys. Stat. Sol. (b). 1999. V.215. № 1. P.15−19.

151. Stukel D.J. Energy-band structure of BeS, BeSe, BeTe // Phys. Rev. В. 1970. V.2. № 6. P.1852−1858.

152. Sarkar R.L., Chatteijce S. Electronic energy-bands of BeS, BeSe, BeTe // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1977. V.10. № 1. P.57−62.

153. Fleszar A., Hanke W. Electronic excitations in BeX // Phys. Rev. В. 2000. V.62. № 4. P.2466−2474.

154. Grein C.H., Radtke R.J., Ehrenreich H. Electronic structure of Zni. xBexSe // Sol. St. Commun. 2002. V.123. № 2. P.209−212.

155. Nagelstraser M., Droge H., Steinruck H.-P., Fischer F.E. Band structure of BeTe // Phys. Rev. В. 1998. V.58. № 16. P.10 394−10 400.

156. Roessler D.M., Walker W.C. Electronic spectrum and UV optical properties of MgO // Phys. Rev. 1967. V.159. № 3. P.733−738.

157. Whited R.C., Walker W.C. Exciton spectra of CaO, MgO // Phys. Rev. Lett. 1969. V.22. № 26. P.1428−1430.

158. Williams M.W., Azakawa E.T. Optical properties of MgO // J. Appl. Phys.1967. V.18. № 14. P.5272−5276.

159. Mikhailin V., Koch E., Skibowski M. The optical properties of II-VI Compouns //Proc. IV Intern. Conf. VUV Radiation Physies (Hamburg, 1974). Hamburg: Pergamon Vieweg, 1974. P.401−404.

160. Кожевников A.B., Колобанов В. Н., Михайлин B.B., Тимченко H.A., Шевцов A.A. Исследование фотоэмиссии MgO // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. № 11. С.677−680.

161. Mikhailin V.V. Excitation of secondary processes in the VUV range // Nuclear Inst. Methods in Phys. Res. 1987. V.261A. № 1. P107−114.

162. Zimmerer G., Bohmer W., Kuusman I. Optical properties of MgO // J. Luminescence. 1981. V.30.№ 2. P.249−253.

163. Venghaus H. Energieverlustmessungen und Bestimmung Optischer Konstanten von MgO // Opt. Comm. 1971. V.2. № 9. P.447−451.

164. Bortz M.L., French R.H., Jones DJ., Kasowski R.V. Temperature dependence of the electronic structure of oxides // Phys. Scripta. 1990. V.41. № 3. P.537−541.

165. Pandey R., Zuo J., Kunz A.B. Excitonic states in MgO // Phys. Rev. B. 1989. V.39. № 17. P.12 565−12 568.

166. Sousa С., Illas F., Ricart J.M., Bagus P. S. The existence of excitons in MgO // Chem. Phys. Lett. 1995. V.239. № 2. P.236−266.

167. Лобач В. А. Спин-орбитальное расщепление экситонного дублета в MgO // ФТТ. 1991. Т.ЗЗ. № 9. С.2632−2639.

168. Cohen M.L., Lin P.J., Roessler D.M., Walker W.C. UV optical properties of MgO // Phys. Rev. 1967. V.155. № 3. P.992−996.

169. Fong C.Y., Saslow W., Cohen M.L. Pseudopotential calculation of the optical constants of MgO // Phys. Rev. 1968. V.168. № 3. P.993−999.

170. Daude N., Jouanin C., Gout C. Electronic band structure of MgO, CaO // Phys. Rev. B. 1977. V.15. № 4. P .2399−2405.

171. Walch P.F., Ellis D.E. One electron interpretation of optical asorption in MgO // Phys. Rev. B. 1973. V.8. № 12. P.5920−5933.

172. Pantelides S.T., Mikish D.J., Kunz A.B. Electronic structure and properties of MgO // Phys. Rev. B. 1974. V.10. № 12. P.5203−5212.

173. Pandey R., Jaffe J.E., Kunz A.B. Band structure for alkaline earth oxides and sulfides // Phys. Rev. B. 1991. V.43. № 11. P.9228−9237.

174. Taurian O.E., Springborg M., Christensen N.E. Seit consistent electronic structures of MgO, SrO // Solid State Commun. 1985. V.55. № 4. P.351−355.

175. Lobatch V.A., Kulyabin B.E., Zhukov V.P., Medvedeva N.I. The electronic structure of the alkaline earth oxides // Phys. Stat. Sol. (b). 1990. V.158. № 1. P.239−248.

176. Mehl M.J., Cohen R.E., Krakauer H. Linearized augmented plane wave electronic structure calculations for MgO, CaO // J. Geophysical Research. 1988. V.93. № 137. P.8009−8022.

177. Stepanyuk V.S., Szasz A., Grigorenko B.L., Farberovich O.V., Katsnelson A.A. Electronic structure and optical properties of MgO // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.155. № 1. P.179−184.

178. Stepanyuk V.S., Szasz A., Grigorenko A.A., Katsnelson A.A., Farberovich O.V., Mikhailin V.V., Hendy A. Electronic structure and optical characterictics of alkalineearth oxides // Phys. Stat. Sol. (b). 1992. V.173. № 2. P.633−645.

179. Xu Y.N., Ching W.Y. Band structures and optical absorption spectra in MgO, AI2O3, MgAl204 // Phys. Rev. B. 1991. V.43. № 5. P.4461−4472.

180. French R.H., Kasowski R.V., Ohuchi F.S., Jones D.J., Song H., Coble R.L. Band structure of MgO// J. Amer. Ceramic Soc. 1990. V.73.№ 11. P.3195−3199.

181. Cappellini G., Bouatte Russo S., Amadon B. Structural properties and quasi particle energies of cubic SrO, MgO // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V.12. № 18. P.3671−3688.

182. Журавлев Ю. Н., Басалаев Ю. М., Поплавной A.C. Электронная плотность кристаллов с решеткой NaCl // Ж. Структурной химии. 2001. Т.42. № 2. С.210−216.

183. Kowalczyk S.P., McFeely F.R., Ley L., Gritsyna V.T., Shirley D.A. The electronic structure of SrTi03, MgO, SrO // Sol. St. Commun. 1977. V.23. № 3. P.161−169.

184. Kaneko Y., Koda T. New Developments in Ila-VIb // J. Crystal Growth. 1988. V.86.1. P.72−78.

185. Kaneko Y., Morimoto K., Koda T. Optical Properties of Ila-VIb // J. Phys. Sol. Japan. 1983. V.52. №.12. P.4385 4396.

186. Lushchik Ch., Feldbach E., Frouip A., Kirm M. Multiplications of Electronic excitations in CaO // J. Phys.: Condens. Matter. 1994. V.6. №.40. P. l 1177 11 187.

187. Kearney R.J., Cottini M., Grilli E., Baldini G. Exciton structures in SrO, BaO // Phys. Stat. Sol. (b). 1974. V.64. №.1. P.49 56.

188. Neely V.J., Kemp J.C. Optical spectra of CaO // J. Phys. Chem. Sol. 1963. V.24. №.11. P.1301 -1304.

189. Summers G.P. Optical Absorption of SrO // Phys. Rev. B. 1979. V.20. №.12. P.5275 -5279.

190. Zollweg R.J. Optical Absorption of MX (M Sr, BaX — O, S, Se, Те) // Phys. Rev. 1958. V.lll. №.1. P. l 13 — 119.

191. Saum G.A., Hensleg E.B. Fundamental Optical Absorptions in Ila-VIb Compounds // Phys. Rev. 1959. V.113. №.4. P.1019- 1022.

192. Левшин В. А., Михайлин B.B., Саулевич Л. К. Фундаментальное поглощение На-Vlb // Изв. АН СССР. С. Физ. 1969. V.69. Т.ЗЗ. №.6. С.974 976.

193. Protheroe A.R., Steinbrann A., Gallon Т.Е. The EEL Spectra of CaO, SrO, BaO // Surf. Sci. 1983. V.126. №.3. P.534−542.

194. Fiermans L., Hoogewijs R., Mejer G., Vennik J. On X Ray PES of Alkaline — Earth Oxides // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. V.59. №.2. P.569 — 574.

195. Springbord M., Taurian O.E. Electronic Structures of CaO, BaO // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1986. V.19. №.26. P.6347−6355.

196. Степанова E.B., Степанюк B.C., Рогалева M.H., Фарберович O.B., ГригоренкоA.A., Михайлин B.B. Электронная структура СаО // ФТТ. 1988. Т.30. №.8. С. 2303 -2306.

197. Степанюк B.C., Григоренко A.A., Фарберович О. В., Кацнельсон A.A. Электронная структура SrO // ФТТ. 1989. Т.31. №.11. С.299 301.

198. Lobatch V.A., Rubin J.R., Sobolev A.B. The Electronic Structure of CaO, SrO // Phys. Stat Sol. (b). 1990. V.161. №.I. P.271 -280.

199. Posternak M., Baldereschi A., Krakauer H., Resta R. The Dinamical Effective charge in CaO, SrO, BaO. // Phys. Rev. В. 1997. V.55. №.24. P. R15983 15 986.

200. Konigstein M., Sokol A.A., Catlow C.R. Electronic Structure of BaO, SrO, CaO // Phys. Rev. В. 1999. V.60. №.7. P.4594−4604.

201. Hasegawa A., Yanase A. Electronic Structure of SrO, SrS, SrSe, SrTe // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1980. V.13. №.10. P. 1995 1999.

202. Veithen M., Gonze X., Ghosez Ph. Electron Localization in BaO // Phys. Rev. В. 2002. V.66. №.23. P.235 113−7 235 113−10.

203. Stepanyuk V.S., Szasz A., Farberovich O.V., Mikhailin V.V. Electronic Band Structure of CaS, SrS, BaS H Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.155. №.1. P.215 -220.

204. Pandey R., Lepak Ph., Jaffe J.E. Electronic Structure of CaSe, SrSe, MgSe // Phys. Rev.B. 1992. V.46. №.8. P.4971 -4977.

205. Абрамов B.H., Ермошкин А. Н., Кузнецов А. И. Оптические свойства Y2O3 и SC2O3 //ФТТ. 1983. Т.25. № 6. С.1703−1711.

206. Frandon J., Broussean В., Pradal F. Electronic excitations in Se, Y, Zr, Hf and SC2O3, Y2O3 and Hf02, Zr02 5−20 eV e 1 // Phys. Stat. Sol. (b). 1980. V98. № 2. P.379−385.

207. Tomiki T., Shikenbaru T., Gahana Y. Optical spectra of Y2O3 II // J. Phys. Sol. Japan. 1992. V.61. № 8. P.2951−2963.

208. Лущик Ч., Лущик А., Кэрнер Т., Кирм M., Долгов С. Релаксация и распад электронных возбуждений в MgO, AI2O3, Y203, SC2O3 // Изв. вуз. физика. 2000. № 3. С.7−16.

209. Ching W.Y., Xu Y.-N. Electronic and optical properties of Yttria // Phys. Rev. Lett. 1990. V.65. № 7. P.895−898.

210. Xu Y.-N., Gu Z., Ching W.Y. Electronic and optical properties of Y203 // Phys. Rev. B. 1997. V.56. № 23. P. 14 993−15 000.

211. Cardona M., Harbeke G. Optical properties of wurtzite-type crystals and rutile // Phys. Rev. 1965. V.137. № 5A. P.1467−1476.

212. Ohsaka T., Ishi K., Kanai T., Tsutaya T. Optical properties of rutile // ISSP Activity Report. 1992. P.16−17.

213. Ueda K., Waseda R., Mizuguchi M., Mizoguchi H., Kawazoe H. Reflection spectra of Ti02 // Report UVSOR. 1996. P.214−215.

214. Hosaka N., Sekiya T., Fujisawa M., Satoko Ch., Kurita S. UV reflection sprectra of anatase ТЮ2 // J. Electron Spect. Rel. Phenomena. 1996. V.78. № 1. P.75−78.

215. Hosaka N., Sekiya T., Satoko Ch., Kurita S. Optical properties of anatase Ti02 // J. Phys. Sol. Japan. 1997. V.66. № 3. P.877−880.

216. Daude N., Gout С., Jouanin С. Band structure of Ti02 // Phys. Rev. В. 1977. V.15. № 6. P.3229−3235.

217. Khan M.A., Kotani A., Parlebas J.C. Electronic structure of Ti02 // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. V.3. № 12. P.1763−1772.

218. Poumellec В., Durham P.J., Guo G.Y. Electronic structure of Ti02 // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. V.3. № 42. P.8195−8204.

219. Glassford K.M., Chelikowsky J.R. Electronic properties of ТЮ2 // Phys. Rev. В. 1992. V.46. № 3. P.1284−1298.

220. Hardman P.J., Raikar G.N., Muryn C.A. Valence band structure of Ti02 // Phys. Rev. В. 1994. V.49.№ 11.P.7170−7177.

221. Hamann D.R. Electronic structure of 3d-bands in Ti02 // Phys. Rev. В. 1997. V.56. № 23. P. 14 979−14 984.

222. Umebayashi T., Yamaki T., Itoh H., Asai К. Electronic structure of Ti02 // J. Phys. Chem. Sol. 2002. V.63. № 10. P.1909;1920.

223. Asahi R., Taga Y., Mannstadt W., Freeman A.J. Electronic and optical properties of Ti02 // Phys. Rev. B. 2000. V.61. № 11. P.7459−7465.

224. French R.H., Glass S.J., Dhuchi F.S., Xu Y.-N., Ching W.Y. Electronic structure and optical properties of three phases of Zr02 // Phys. Rev. B. 1994. V.49. № 8. P.5133−5142.

225. Zandiehnadem F., Murray R.A. Electronic structures of three phases of Zr02 // Physica B. 1988.V.150.№ 1. P.19−24.

226. Orlando R., Pisani C., Roetti C., Stefanovich E. H-F stady of tetragonal and cubic Zr02 // Phys. Rev. B. 1992. V.45. № 2. P.592−601.

227. Наумов И. И., Великохатный О. И., Ольховик Г. А., Апаров H.H. Теория потерь электронов Zr02 // ФТТ. 1992. Т.34. № 4. С. 1015−1021.

228. Блувштейн И. М., Нижникова Г. П., Фарберович О. В. Электронная структура Zr02 // ФТТ. 1990. Т.32. № 3. С.929−931.

229. Кулькова С. Е., Мурыжникова О. Н. Электронная структура и оптические свойства Zr02 // Неорган. Материалы. 2000. Т.36. № 1. С.45−50.

230. Вайданич В. И., Довга Н. Д., Мороз Е. Г. Диаграммы Арганда и разложение фундаментального спектра фианита на элементарные части // ДАН УССР. С.А. 1983. № 8. С.45−48.

231. Weber W.H., Remillard J.T., McBride J.R. Optical Dielectric Response of PdO. // Phys. Rev. B. 1992. V.46. № 23. P. 15 085−15 091.

232. Nilsson P.O., Shivaraman M.S. Optical Properties of PdO. // J. Phys. C.:Solid State Phys. 1979. V.12. № 6. P.1423−1427.

233. Ahuja R., Auluck S., Johansson В., Khan M.A. Optical properties of PdO, PtO. // Phys. Rev. B. 1994. V.50. № 4. P.2128−2132.

234. Hass K.C., Carlsson A.E. Band Structure of PdO, PtO. // Phys. Rev.B. 1992. V.46. № 7. P.4246−4249.

235. Park K.-T., Novikov D.L., Gubanov V.A., Freeman A.J. Electronic Structure of PdO, PtO, AgO. // Phys. Rev.B. 1994. V.49. № 7. P.4425−4431.

236. Asahi R., Wang A., Babcock J.R., Marks T.J. Calculations of Optical Transperency in JnO-CdO. //Thin Solid Films. 2002. V.411. № 1. P.101−105.

237. Pillo Th., Zimmermann R., Steiner P., Hufner S. The Electronic Structure of PdO. // J.Phys.:Condens. Matter. 1997. V.9. № 19. P.3987−3999.

238. Holl Y., Krill G., Amamou A., Legare P. Electronic Structure of PdO. // Solid State Commun. 1979. V.32.№ 12.P.l 189−1192.

239. Мелешкин Б. Н., Михайлин B.B., Орановский B.E., Ореханов П. А. Использование синхротронного излучения для исследования люминесценции кристаллов // Труды ФИАН СССР. 1975. Т.80. С.140−173.

240. Абрамов В. Н., Корин М. Г., Кузнецов А. И., Сидорин К. К. Спектры отражения корунда//ФТТ. 1979. Т.21.№ 1. С.80−86.

241. Tomiki Т., Ganaha Y., Shikenbaru Т., Futemma Т. Anisotropie Optical Spectra of А120з Л.//J. Phys. Soc. Japan. 1993. V.62.№ 2. P.573−584.

242. Tomiki Т., Ganaha Y., Shikenbaru Т., Futemma T. Anisotropic Optical Spectra of AI2O3 .11.//J. Phys. Soc. Japan. 1993. V.62.№ 4. P.1372−1387.

243. French R.H., Yones D.J., Loughin S. Electronic Structure of Alumina // J. Amer. Ceram. Soc. 1994. V.77.№>2. P.412−422.

244. Арутюнян B.B., Бабаян A.K., Говоркян B.K. Спектры отражения AI2O3 // ФТТ. 1995. Т.37.№ 2. С.443−447.

245. Batra J. Electronic Structure of A1203. J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1982. V.15.№ 26. P.5399−5410.

246. Salasco L., Dovesi R., Orlando R., Causa M., Saunders V.R. Structure of AI2O3 // Molecular Physics. 1991. V.72.№>2. P. 267−277.

247. Mo Sh., Ching W.Y. Electronic and Optical Properties of A1203// Phys. Rev. B. 1998. V.57.№ 24. P.15 219−15 228.

248. Holm В., Ahuja R., Yourdshahyan Y., Yohansson В., Lundgrist B.J. Optical Properties of AI2O3// Phys. Rev. B. 1999. V.59.№ 20. P. 12 777−12 787.

249. Harman A.K., Ninomiaya S., Adachi S. Optical Constants of А1г03 // J. Appl. Phys. 1994. V.76.№ 12. P.1721−1726.

250. Mullejans H., Bruley J., French R.H., Morris P.A. Electronic Structure of AI2O3 using EEL Spectra// Mat. Res. Soc. Sync. Proc. 1994. V.332. P.169−176.

251. Ditchfild R.W. Plasmon Energy in Alumina // Sol. St. Commun. 1976. V.19.№ 5. P.443−444.

252. Tews W., Grundler R. EEL Spectroscopy of A1203 .1. // Phys.Stat. Sol. (b). 1982. V.109.№ 1. P.255−264.

253. Agasiev A.A., Bagiev V.E., Mamedov A.M., Guseinov Ya. Yu. VUV Reflection Spectra of Bi203//Phys. Stat. Sol. (b). 1988. V.149. N.9. P. K191-K195.

254. Жуков В. П., Жуковский B.M., Зайнумина B.M., Медведева Н. И. Электронная структура оксида висмута//Ж. Структ. химии. 1999. Т.40.№ 6. С. 1029−1036.

255. Wood С., Pelt В., Dwight A. The Optical Properties of Amorphous and Cristalline Sb203// Phys. Stat. Sol. (b). 1972. V.54.№ 2. P701−706.

256. Brahms S., Dahl J.P., Nikitine S. Sur la structure de bande et le spectre d’absorption de Cu20 // J. de Physique (Paris). 1967. V.28. № 5−6. P. C-3−32-C-3−35.

257. Ito Т., Kawashima Т., Yamaguchi H., Masumi Т., Adachi S. Optical properties of Cu20 //J. Phys. Soc. Japan. 1998. V.67. № 6. P.2125−2131.

258. Ching W.Y., Xu Y.-N., Wong K.W. Optical properties of Cu20 and CuO crystals // Phys. Rev. B40. V.40. № 11. P. 7684−7695.

259. Бакулин E.A., Бредов M.M., Остроумова Е. Г., Щербинина В. В. Спектры потерь энергии электронов в меди и некоторых ее соединениях // ФТТ. 1977. Т.19. № 5. С.1307−1312.

260. Номерованная Л. В., Махнев А. А., Кириллова М. М., Самохвалов А. А., Чеботарев Н. М. Оптическое поглощение в монокристалле CuO // Сверхпроводимость. 1990. Т.З. № 2. С.169−172.

261. Itoh М., Hayakawa К., Oishi S. Optical properties of M0O3 // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. V.13. № 35. P.6853−6864.

262. Philipp H.R. Optical transitions in cand a-Si02 // Sol St. Commun. 1966. V.4. № 1. P.73−75.

263. Rossinelli M., Bosch M.A. Reflectance of cand a-Si02 at low temperature // Phys. Rev. B. 1982. V.25. № 10. P.6482−6484.

264. Bosio C., Czaja W., Mertins H.C. VUV Reflectivity of cand a-Si02 // Europhys. Lett. 1992. V.18. № 4. P.319−324.

265. Buechner U. The dielectric function of mica and quartz // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1975. V.8. № 12. P.2781−2787.

266. Garvie L.A., Rez P., Alvarez J.R., Buseck P.R. Interband transitions of cand a-Si02 // Sol. St. Commun. 1998. V.106. № 5. P.303−307.

267. Ashley J.C., Anderson V.E. Interaction of LEE with Si02 // J. Electron Spectros. Rel. Phen. 1981. V.24. № 2. P. 127−148.

268. Ефимов A.M., Макарова Е. Г. Дисперсионный анализ R (E) a-Si02 в ВУФ // Опт. спектроск. 1989. Т.67. № 3. С.659−665.

269. Pantelides S.T., Harrison W.A. Electronic structure spectra of cand a-Si02 and Ge02 // Phys. Rev. B. 1976. V.13. № 6. P.2667−2691.

270. Chelikowsky J.R., Schluter M. Electron states in quartz // Phys. Rev. B. 1977. V.15. № 8. P.4020−4029.

271. Calabrese E., Fowler W.B. Energy-band structure of quartz // Phys. Rev. B. 1978. V.18. № 6. P.2888−2896.

272. Laughlin R.B., Joannopoulos J.D., Chadi D.J. Bulk electronic structure of Si02 // Phys. Rev. B. 1979. V.20. № 12. P.5228−5237.

273. Gupta R.P. Electronic structure of cand a-Si02 // Phys. Rev B. 1975. V.32. № 12. P.8278−8292.

274. Xu Y., Ching W.Y. Electronic and optical properties of Si02 // Phys. Rev. B. 1991. V.44. № 20. P. l 1048−11 059.

275. Di Pomponio A., Continenza A., Lozzi L. Electronic properties of cand a-Si02 // Sol. St. Commun. 1995. V.95. № 5. P.313−317.

276. Pantelides S.T. The optical absorption spectrum of Si02 // The physics of Si02. Proc. Int. Topical Conf. Yorktown. Heights. N.J. 1978. Pergamon Press. P.80−84.

277. Laughlin R.B. Optical absorption on edge of Si02 // Phys. Rev. B. 1980. V.22. № 6. P.3021−3029.

278. Chang E.K., Rohlfing M., Lonie S.G. Excitons and optical properties of c-quartz // Phys. Rev. Lett. 2000. V.85. № 12. P.2613−2616.

279. Klein G., Chun H.-U. Optical interband transitions in c-Si02 // Phys. Stat. Sol.(b). 1972. V.49. № 1. P. 167−172.

280. Bosio C., Czaja W. Urbach tails in the absorption spectra of aand c-Si02 // Philos. Magazine B. 1991. V.63. № 1. P.7−14.

281. Trukhin A.N. Excitons in Si02 // J. Non-Cryst. Sol. 1992. V.149. № 1. P.32−45.

282. Мансуров Г. М., Мамедов P.K., Сударушкин A.C., Сидорин В. К. Исследование кварцевого стекла методами спектроскопии // Опт. спектроск. 1982. Т.52. № 5. С.852−857.

283. Meixner А.Е., Platzman P.M., Schluter M. Inelastic electron scattering in Si02 // The physics of Si02. Proc. Int. Topical Conf. N.J. Pergamon Press. 1978. P.85−88.

284. Olivier J., Faulconnier P., Poirier R. Electronic structure of Si02 from EELS // The physics of Si02. Proc. Int. Topical Conf. N.J. Pergamon Press. 1978. P.89−93.

285. Weinberg Z.A., Rubloff G.W., Bassous E. Experimental band gap of a-Si02 films // Phys. Rev. B. 1979. V.19. № 6. P.3107−3117.

286. Ravindra N.M., Narayan J. Optical properies of a-Si, a-Si02 // J. Appl. Phys. 1986. V.60.№ 3. P. l 139−1146.

287. Philipp H.R. Optical properties of a-Si, SiO, SiOx, Si02 // J. Phys. Chem. Sol. 1971. V.32. № 6. P. 1935;1945.

288. Bell F.G., Ley L. PE Study of SiOx // Phys. Rev. B. 1988. V.37. № 14. P.8383−8393.

289. Bennett A. J., Roth L.M. Optical properties of a-SiOx I I Phys. Rev. B. V.4. № 8. P.2686−2696.

290. Zuther G. Dielectric and optical properties of SiOx // Phys. Stat. Sol.(a). 1980. V.59. № 2. P. K109-K113.

291. Ching W.Y. Theory of a-Si02 and a-SiOx // Phys. Rev. B. 1982. V.26. № 12. P.6633−6642.

292. Pajasova L. Optical properties of Ge02 // Czech. J. Phys. B. 1969. V.19. № 7. P.1265−1270.

293. Pajasova L., Chvostova D., Jastrabik L., Polach J. Optical properties of Ge02 films // J. Non-cryst. Sol. 1995. V.182. № 2. P.286−292.

294. Trukhin A.N. Spectroscopy of excitons in glass-forming crystals // Proc. 3 Intern. Conf. Excitonic processes in condenced matter. Proc. Electrochem. Soc. 1998. V.98−25. P.365−374.

295. Arlinghaus F.J., Albers W.A. Energy bands and optical transitions in t-Ge02 // J. Phys. Chem. Sol. 1971.V.32. № 9. P.1455−1462.

296. Jacquemin J.L., Bordure G. Band structure of Ge02, Sn02 // J. Phys. Chem. Sol. 1975. V.36. № 6. P.1081−1087.

297. Robertson J. Electronic structure of Ge02, Sn02, Pb02 // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1979. V.12. № 22. P.4767−4776.

298. Svane A., Antoncik E. Electronic structure of rutile Ge02, Sn02, Te02 // J. Phys. Chem. Sol. 1987. V.48. № 2. P.171−180.

299. Stapelbrock M., Evans B.D. Exciton structure of t-Ge02 // Sol. St. Commun. 1978. V.25. № 11. P.959−962.

300. Philips J.C. Spectoscopic and morphological structure of tetrahedral oxide glasses // Sol. St. Phys. 1982. V.37. P.93−271.

301. Weber H.-J. Optical properties of tetragonal Ge02 // Mat. Res. Bull. 1982. V.17. № 10. P.1313−1318.

302. Pantelides S.T., Fischer B., Pollak R.A., Di Stefano T.H. The electronic structure of Si02-Ge02 // Sol. St. Commun. 1977. V.21. № 11. P. 1003−1006.

303. Fischer B., Pollak R.A., Di Stefano T.H., Grobman W.D. Electronic structure of Si02-Ge02 from PE spectroscopy // Phys. Rev. B. 1977. V.15. № 6. P.3193−3199.

304. Yubero F., Jimenez V.M., Gonzalez-Elipe A.R. Optical Properties of Sn02 by EELS. // Surf. Sei. 1998. V.1998. № 1. P. l 16−126.

305. Jacquemin J.L., Raisin C., Robin-Kandare S. Spectre du pouvoir reflecteur du Sn02. // J. Phys. C:Solid State Phys. 1976. V.9. № 4. P.593−598.

306. Kim K.H., Park K.C., Ma D.J. Optical Properties of Sn02.11 J. Appl. Phys. 1997. V.81. № 12. P.7764−7777.

307. Arlinghaus F.J. Energy bands in Sn02. // J.Phys. Chem. Sol. 1974. V.35. № 4. P.931−935.

308. Robertson J. Electronic Structure of Sn02, Ge02. // J.Phys. C: Solid State Phys. 1979. V12. №. P.4767−4776.

309. Godin T.J., Latemina J.P. Electronic Structure of Sn02. // Phys. Rev. В 1993. V.47. № 11. P.6518−6523.

310. Mi J., Odaka H., Jwata Sh. Electronic Structure of ZnO, Sn02. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V.38. № 6A. P.3453−3458.

311. Maki-Jaskari M.A., Rantala T.T. Band Structure of Sn02. // Phys. Rev. B. 2001.V.64. № 7. P.75 407−1-7.

312. Physics and Chemistry of II-VI Compounds, eds. M. Aven and J.S. Prener (North-Holland, Amsterdam, 1967) 805 P.

313. Кузьмина И. П., Никитенко В. А. Оксид цинка. М.: Наука, 1984. 166 С.

314. Hopfield J.J. Fine structure in the optical absorption edge of anisotropic crystals // J. Phys. Chem. Solids. 1960. V.15. № 1. P.97−107.

315. Thomas D.G. The exciton spectrum of ZnO // J. Phys. Chem. Solids. 1960. V.15. № 1. P.86−96.

316. Park Y.S., Litton C.W., Collins T.C., Reynolds D.S. Exciton spectrum of ZnO // Phys. Rev. 1966. V.143. № 2. P.512−519.

317. Lagois J., Hummer K. Experimental and theoretical effects of surface layers and spatial dispersion on the free exciton reflectance of ZnO // Phys. Stat. Sol. B.1975. V.72. № 2. P.393−402.

318. Liang W.Y., Yoffe A.D. Transmission spectra of ZnO // Phys. Rev. Lett. 1968. V.20. № 2. P.59−62.

319. Reynolds D.C., Look D.C., Jogai В., Litton C.W., Gantwell G., Harsch W. Valence-band ordering in ZnO // Phys. Rev. B. 1999. V.60. № 4. P.2340−2344.

320. Wrzesinski J., Frohlich D. Two-photon and three-photon spectroscopy of ZnO under uniaxial stress // Phys. Rev. B. 1997. V.56. № 20. P.13 087−13 093.

321. Соболев B.B., Донецких В. И., Загайнов Е. Ф. Прямая и прецизионная регистрация экситонов А2В6 и А3В5 // ФТТ. 1978. Т.12. № 6. С.1089−1098.

322. Klucker R., Nelkowski Н., Park Y.S., Skibowski М., Wagner T.S. Optical anisitropy of ZnO in The UV region // Phys. Stat. Sol. B. 1971. V.45. № 1. P.265−272.

323. Butkhuzi T.V., Chelidze T.G., Georgobiani A.N. and Tsekvava B.E. Exciton photoluminescence of hexagonal ZnO // Phys. Rev. B. 1998. V.58. № 16. P.10 692−10 695.

324. Yoshikawa H., Adachi S. Optical constants of ZnO // Japan J. Appl. Phys. 1997. V.36. № 10. P.6237−6243.

325. Jellison G.E., Boatner L.A. Optical functions of uniaxial ZnO determined ellipsometry // Phys. Rev. B. 1998. V.58. № 7. P.3586−3589.

326. Postava K., Sueki H., Aoyama M., Yamaguchi T. Spectroscopic ellipsometry of ZnO // J. Appl. Phys. 2000. V.87. № 11. P.7820−7824.

327. Gil B. Oscillator strengths of A, B, and С excitons in ZnO films // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P.201 310−1-201 310−3.

328. Vogel D., Kruger P., Pollmann J. Self-interactions and relaxation corrected pseudopotentials for II-VI semiconductors // Phys. Rev. B. 1996. V.54. № 8. P.5495−5510.

329. Schroer P., Kruger P., Pollmann J. First principles calculation of the electronic structure of the wurzite semiconductors ZnO and ZnS // Phys. Rev. B. 1993. V.47. № 12. P.6971−6980.

330. Леонтьев C.A., Кощеев C.B., Девятов В. Г. Зоны ZnO по РФЭС и УФЭС СИ // Журн. структ. химии. 1997. Т.38. № 5. С.868−886.

331. Shindo К., Morita A., Kamamura Н. Spin-orbit coupling in ionic crystals // J. Phys. Soc. Japan. 1965. V.20. № 11. P.2054;2059.

332. Lambrecht W.R.L., Rodina A.V., Limpijumnon S., Segall В., Mayer B.K. Valence-band ordering in ZnO // Phys. Rev. B. 2002. V.65. № 7. P.75 207−1-12.

333. Hengehold R.L., Almassy R.J., Pedrotti F.L. EEL and VUV Reflectivity Spectra of ZnO // Phys. Rev. B. 1970. V.l. № 12. P.4784−479I.

334. Froitzheim H., Ibach H. Interband transitions in ZnO by EELS // Z. Physik. 1974. V.269. № 1. P. 17−22.

335. Dorn R., Luth H., Buchel M. Electronic transitions in ZnO // Phys. Rev. B. 1997. V.16. № 10. P.4675−4683.

336. Roessler U. Energy bands of II-VI // Phys. Rev. 1969. V.179. № 3. P.733−738.

337. Bloom S., Orenburger J. Pseudopotential band structure of ZnO // Phys. Stat. Sol. (b). 1973. V.58. № 2. P.561−566.

338. Chelikowsky J.R., Electronic structure of ZnO // Sol. St. Commun. 1977. V.22. № 6. P.351−354.

339. Jaffe, Pandey R., Kunz A.B. H-F electronic structure of ZnO, ZnS //J. Phys. Chem. Sol. 1991. V.52. № 6. P.775−760.

340. Kobayashi A., Sankey O.F., Volz S.M., Dow J.D. TB band structures of w-ZnO, ZnS, CdS, CdSe // Phys. Rev. В. 1983. V.28. № 2. P.935−945.

341. Huang M.-Z., Ching W.Y. LCAO band structures // J. Phys. Chem. Sol. 1985. V.46. № 8. P.977−995.

342. Yang C.-K., Dy K.S. Band structure of ZnO // Sol. St. Commun. 1993. V.88. № 6. P.491−494.

343. Xu Y.-N., Ching W.Y. LCAO band structures // Phys. Rev. B. 1993. V.48. № 7. P.4335−4351.

344. Mi Y., Odaka H., Iwata Sh. Optical properties of ZnO // Jpn. J. Apll. Phys. 1999. V.38. № 6. P.3453−3458.

345. Ozhikiri M., Aryasetiavan F. Quasiparticle energy calculations of ZnO, ZnS, ZnSe // J. Phys. Soc. Japan. 2000. V.69. .№ 7. P.2113−2120.

346. Ni H.-Q., Lu Y.-F., Ren Z.-M. Pseudopotential band structure ZnO // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. V.40. № 6. P.4103−4108.

347. Usuda M., Kamada N., Kotani T., Schilfgaarde M. GM LAPW bands of w-ZnO // Phys. Rev. B. 2002. V.66. № 12. P.125 101−1-8.

348. Oshikiri M., Aryasebiavan F., Imanaca Y., Kido G. Quasiparticle theory of ZnO // Phys. Rev. B. 2002. V.66. № 12. P. 125 204−1-4.

349. Vesely C.J., Hendehold R.L., Langer D.W. UV РЕ spectra of II-VI // Phys. Rev. B. 1972. V.5. № 6. P.2296−2301.

350. Powell R.A., Spicer W.E., McMenamin J.C. PE studies of w-ZnO // Phys. Rev. B. 1972. V.6. № 8. ?3056−3065.

351. Ley L., Pollak R.A., McFeely F.R., Kowalczyk S.P., Shirley D.A. X-ray PES of II-VI, III-V // Phys. Rev. B. 1974. V.9. № 2. P.600−621.

352. Гросс Е. Ф., Суслина Jl.Г., Комаровских К. Ф. Спектры поглощения ZnS // Опт. спектроск. 1960. Т.8. № 4. С.516−520.

353. Miklosz J.C., Wheeler R.G. Excitons in ZnS // Phys. Rev. 1967. V.153. № 3. P.913−921.

354. Briman J.L., Samelson H., Lempicki A. Reflection of ZnS and CdS // GT and E Research and Development J. 1961. V.l. № 1. P.2−15.

355. Ryskin A.I., Suslina L.G., Khilko G.I., Shadrin E.B. Excitons in ZnS // Phys. Stat. Sol. (b). 1972. V.49. № 2. P.875−884.

356. Морозова H.K., Кузнецов B.A. Сульфид цинка. M.: Наука., 1987. 200 С.

357. Matatugui E., Thompson A.G., Cardona M. ER and TR spectra of semiconductors // Phys. Rev. 1968. V.176. № 3. P.950−962.

358. Георгобиани A.H., Озеров Ю. В., Фридрих X. Форма экситонных полос А2В6 // ФТТ. 1973. Т.15. № 10. С.2986−2991.

359. Cardona М., Harbene G. Optical properties of w-ZnS, CdS, CdSe, Ti02 // Phys. Rev. 1965. V.137 A. № 5. P.1467−1476.

360. Bergstresser Т.К., Cohen M.L. Electronic structure and optical properties of w-CdSe, CdS, ZnS. // Phys. Rev. 1967. V.164. № 3. P.1069−1080.

361. Hengehold R.L., Pedrotti F.L. Electron Energy-Loss Spectra of ZnS, ZnSe, ZnTe. // Phys. Rev. B. 1972. V.6. № 8. P.3026−3031.

362. Schroer P., Kruger P., Pollman J. Electronic Structure of w-ZnO, ZnS // Phys.Rev. B. 1996. V.54. № 10. P.5495−5510.

363. Zakharov O., Rubio A., Blase X., Cohen M.L., Louie S.G. Quasi particle band structures of six II-VI compounds: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe. // Phys.Rev. B. 1994. V.50. № 15. P.10 780−10 787.

364. Мелешкин Б. Н., Михайлин B.B., Орановский B.E. и др. Использование синхротронного излучения для исследования люминесценции кристаллов // Труды ФИАН СССР. 1975. Т.80. С.140−173.

365. Flach Е., Gumlich Н.-Е., Jung Ch., Krause М. Reflectance Spectroscopy on ZnS-MnS // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.155. № 1. P.317−327.

366. Wang C.S., Klein B.M. Electronic structure of Si, Ge, GaP, GaAs, ZnS, ZnSe // Phys.Rev. B. 1981. V.24. № 6. P.3417−3429.

367. Huang M.-Zhu., Ching W.Y. Calcalation of optical excitations in cubic semiconductors. I. // Phys. Rev. B. 1993. V.47. № 15. P.9449−9463.

368. Ozaki Sh., Adachi S. Optical constants of ZnS-ZnSe ternary alloys.// J. Appl.Phys. Rev. 1994. V.75. № 11. P.7470−7475.

369. Eckelt P. Energy band structures of cubic ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe. // Phys. Stat. Sol. 1967. V.23. № 1. P.307−312.

370. Stukel D.J., Enwema R.N., Collins T.C. SCOPW and EOPW energy bands for cubic ZnS, ZnSe, CdS, CdSe. // Phys. Rev. 1969. V.179. № 3. P.740−751.

371. Курганский С. И., Фарберович O.B., Домашевская Э. П. Зоны А2В6. II. // ФТП.1980. Т.14. № 7. С.1412−1415.

372. Svane A., Antoncik Е. Theoretical investigation of cubic ZnX. // Phys. Rev. B.1986.V.33. № 11. P.7462−7473.

373. Bernard J.E., Zunger A. Electronic structure of ZnS, ZnSe, ZnTe. // Phys. Rev. B.1987. V.36. № 6. P.3199−3228.

374. Hite G.E., Marple D.T.F., Aven M., Segall B. Excitons in ZnSe // Phys. Rev. 1967. V.156. № 3. P.850−859.

375. Алиев Г. Н., Гавалешко Н. П., Кощуг O.C. Структура края поглощения c-ZnSe, ZnTe, CdTe //ФТТ. 1992. T.32. № 8. C.2400−2406.

376. Adachi S., Taguchi T. Optical properties of ZnSe // Phys. Rev. В. 1991. V.43. № 12. P.9569−9577.

377. Dahmani R., Salamanca-Riba L., Nguyen N.V. Optical constants of ZnSe // J. Appl. Phys. 1994. V.76. № 1. P.514−517.

378. Koo M.S., Kim T.J., Lee M.S. Dielectric function of ZnSe // Appl. Phys. Lett. 2000. V.77. № 21. P.3364−3366.

379. Walter J.P., Cohen M.L., Petroff Y., Balkanski M. The Reflectivity of ZnSe and ZnTe // Phys. Rev. B. 1970. V.l. № 6. P.2661−2667.

380. Markowski R., Piacentini M., Debowska D. et al. Electronic structure of ZnSe // J. Phys.: Condens. Matter. 1994. V.6. № 26. P.3207−3219.

381. Kiesel A., Zimnal-Starnawska M., Antonangeli F. d-Core trangitions in ZnTe, CdTe // IL Nuovo Cimento D. 1986. V.8. № 4. P.436−446.

382. Casting O., Granger R., Benhlal J.T., Triboulet R. The dielectric function of CdTe-ZnTe //J. Phys.: Condens. Matter. 1996. V.8. № 29. P.5757−5768.

383. Sato K., Adachi S. Optical properties of ZnTe // J. Appl. Phys. 1993. V.73. № 2. P.926−931.

384. Ghahramani E., Moss D.J., Sipe J.E. Full-band-structure of ZnSe, ZnTe, CdTe // Phys. Rev. B. 1991. V.43. № 12. P.9700−9710.

385. Zhao Z., Morel D.L., Ferekides C.S. Optical properties of CdO: Sn // Thin Solid Films. 2002. V.413. № 2. P.203−211.

386. Altwein M., Finkenrath H., Konak C. The Electronic structure of CdO. II. // Phys. Stat. Sol. 1968. V.29. № 1. P .203−209.

387. Schafer G. Die optischen konstanten von SnTe und CdO // Zs. fur Angevandte Physik. 1971. V.30.№ 5. P.345−349.

388. Maschke K" Rossler U. The Electronic structure of CdO I. // Phys. Stat. Sol. 1968. V.28. № 2. P.577−581.

389. Tewari S. Band structure of CdO // Sol. St. Commun. 1973. V.12. № 6. P.437−441.

390. Breeze A., Perkins P.G. An LCAO Band structure of CdO // Sol. St. Commun. 1973. V.13. № 7. P.1031−1033.

391. Boettger J.C., Kunz A.B. Energy bands of CdO // Phys. Rev. B. 1983. V.27. № 2. P.1359−1362.

392. Jaffe J.E., Pandey R., Kunz A.B. Band structure of CdO // Phys. Rev. B. 1991. V.43. № 6. P. 14 030−14 036.

393. Don Y., Egdell R.G., Law D.S., Karrison N.M., Searle B.G. Electronic structure of CdO //J. Phys.: Condens. Matter. 1998. V.10. № 40. P. 8447−8458.

394. Asahi R., Wang A., Babcock J.R. FLAPW Bands of CdO // Thin Solid Films. 2002. V.411. № 1. P.101−105.

395. Cardona M., Weinstein M., Wolff G.A. UV Reflection of c-CdS // Phys. Rev. A. 1965. V.140. № 2. P.633−637.

396. Hofmann Ph., Horn K., Bradshaw A.M. Dielectric function of cand h-CdS in VUV region // Phys. Rev. B. 1993. V.47. № 3. P. 1639−1642.

397. Zunger A., Freeman A.J. Band structure of c-CdS // Phys. Rev. B. 1978. V.17. № 12. P.4850−4863.

398. Chang K.J., Froyen S., Cohen M.L. Band structures of cand w-CdS // Phys. Rev. B. 1983. V.28. № 8. P.4736−4743.

399. Ninomiya S., Adachi S. Optical properties of w-CdS // J. Appl. Phys. 1995. V.78. № 2. P.1183- 1190.

400. Janowitz C., Gunther O., Jungk G. Dielectric function of cand w-CdSe // Phys. Rev. B. 1994. V.50. № 4. P.2181−2187.

401. Ninomiya S., Adachi S. Optical properties of cand w-CdS // J. Appl. Phys. 1995. V.78. № 7. P.4681−4689.

402. Logothetidis S., Cardona M., Lautenschlager P., Garrige M. Temperature dependence of the dielectric function of CdSe // Phys. Rev. B. 1986. V.34. № 4. P.2458−2469.

403. Tomoda T., Mannami M. EEL Spectra of 2−6 compounds // J. Phys. Soc. Japan. 1969. V.27. № 5. P. 1204−1207.

404. Hengehold R.L., Pedrotti F.L. EEL Spectra of CdS, CdSe, CdTe // Phys. Rev. B. 1972. V.6. № 6. P.2262−2268.

405. Lambrecht W.R.L., Prikhodko M. Anisotropy of UV-reflectivity of w-CdSe and w-GaN // Sol. St. Commun. 2002. V.121. № 4. P.549−554.

406. Chadi D.J., Walter J. P, Cohen M.L. Reflectivity of CdTe, HgTe // Phys. Rev. B. 1972. V.5. № 8. P.3058−3064.

407. Vina L., Umbach C., Cardona M., Vodopyanov L. Interband transitions in CdTe-HgTe // Phys. Rev. B. 1984. V.29. № 12. P.6752−6760.

408. Kim C.C., Daraselia M., Garland J.W. Optical properties of CdTe // Phys. Rev. B. 1997. V.56. № 8. P.4786−4797.

409. Aspnes D.E., Arwin H. Nondestructive analysis of CdTe-HgTe. I. // J. Vac. Sei. Technol. A. 1984. V.2. № 3. P.1316−1323.

410. Benhlal J.T., Strauch K., Grander R., Triboulet R. Temperature dependence of the dielectric function of CdTe // Optical Materials. 1999. V.12. № 1. P.143−156.

411. Adachi S., Kimura T., Suzuki N. Optical properties of CdTe // J. Appl. Phys. 1993. V.74. № 5. P.3435−3441.

412. Kim Ch.C., Sivanantham S. Modeling the optical function of CdTe // J. Appl. Phys. 1995. V.78. № 6. P.4003−4010.

413. Saravia I.R., Casamayou I. The optical and PE properties of CdTe // J. Phys. Chem. Sol. 1972. V.33. № 1. P.145−155.

414. Cade N.A., Lee P.M. Band structures for HgTe, CdTe // Sol. St. Commun. 1985. V.56. № 7. P.637−641.

415. Bassani F., Greenway D.L., Fischer G. Band sructure of GaS, GaSe // Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. Paris. Dunod. 1964. P.51−56.

416. Piacentini M., Olson C.G., Balzarotti A. Electronic properties of GaS, GaSe, InSe. III. The reflectivity from 4 to 32 eV // IL Nuovo Cimento B. 1979. V.54. № 1. P.248−268.

417. Balzarotti A., Piacentini M. Optical properties in the high energy region // Electronic structure and electronic transitions in layered materials. Ed. Grasso V. Dodrecht-Boston-Tokyo: D. Reidel Pub. C. 1986. P.289−397.

418. Soukiassian P. These «Anisotropie des plasmons de GaSe, GaS, InSe «. Univ. de Reims. 1974. Ill P.

419. Doni E., Girlanda R., Grasso V., Balzarotti A. Electronic properties of GaS, GaSe, InSe. I. Band structure //IL Nuovo Eimento B. 1979. V.51. № 1. P. 154−180.

420. Schluter M., Camassel J., Kohn S. Optical properties of GaSe-GaS // Phys. Rev. B. 1976. V.13. № 8. P.3534−3547.

421. Nagel S., Baldereschi A., Maschke K. Tight-binding study of the electronic states in GaSe // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1979. V.12. № 7. P1625−1639.

422. Camara M.O.D., Mauger A., Devos I. Electronic structure of GaSe, InSe // Phys. Rev. B 2002. V.65. № 12. P.125 206−125 206.

423. Le Toullec R., Piccioli N., Nejatty M., Balkanski M. Optical constants of s-GaSe // IL Nuovo Cimento B. 1977. V.38. № 2. P. 159−167.

424. Wasscher J.D., Dieleman Y. Anisotropy of optical constants of GaSe near the band edge //Phys. Lett. A. 1972. V.39. № 4.P.279−280.

425. Салиев Э. Ю., Соловьев Л. Е., Халилов В. Х. Аномальная дисперсия экситонов GaSe // Опт. спектроск. 1972. Т.32. № 1. С.346−350.

426. Meyer F., de Kluzenaar E.E., den Engelsen D. Ellipsometric determination of the optical anisotropy of GaSe // J. Opt Soc. Am. 1973. V.63. № 5. P.529−532.

427. Liang W.Y. Optical anisotropy in GaSe // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1975. V.8. № 8. P.1763−1768.

428. Соболев В. В., Донецких В. И., Загайнов Е. Ф., Ковалюк З. Д., Кроитору С. Г. Спектры отражения GaX // Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Труды 5 конф. по химсвязи в полупроводниках. Минск: изд-во НФТТ АН БССР. 1976. С.246−261.

429. Gomes da Costa P., Dandrea R.G., Wallis R.F., Balkanski M. Electronic structure of InSe // Phys. Rev. B. 1993. V.48. № 19. P.14 135−14 141.

430. Соболев B.B., Крамарь B.M., Ковалюк З. Д. Спектры отражения GaTe и GeSe2 // Журн. прик. спектроск. 1983. Т.39. № 1. С.52−55.

431. Robertson J. Electronic structures of GaSe, GaS, InSe, GaTe // J. Phys. C.: Sol. St. Phys. 1979. V.12. № 20. P.4777−4789.

432. Sanchez-Royo J. F., Pellicer-Porres J., Segura A. Electronic structure of GaTe // Phys. Rev. B. 2002. V.65. № 11. P. l 1520−1-115 201−8.

433. Takarabe K., Kawamura H., Wakamura K. Electronic band structure and optical anisotropy in InS. I. Experimental study // Phys. Stat. Sol.(b). 1987. V.142. № 2. P.605−615.

434. Takarabe K. Kawamura H., Wakamura K. Electronic band structure and optical anisotropy in InS.II. Theoretical study // Phys. Stat. Sol.(b). 1987. V.143. № 2. P.519−538.

435. Валюконис Г. Р., Низаметдинова M.A., Шилейка А. Ю. Особенности края поглощения TISe // ФТТ. 1983. Т. 17. № 5. С.946−948.

436. Абуталыбов Г. И., Алиев A.A., Низаметдинова М. А., Оруджев Г. С., Нани Р. Х. Оптическое отражение TISe // ФТТ. 1981. Т.15. № 5. С.851−854.

437. Януленис J1.JI., Бабонас Г. А., Низаметдинова М. А., Оруджев Г. С., Шилейка А. Ю. Спектры отражения и термоотражения TISe // Литов. Физ. Сб. 1982. Т.22. № 3. С.63−70.

438. Мамедов Н. Т., Мустафаев Ф. А., Алгазин Ю. Б., Федоринин В. Н. Эллипсометрические исследования диэлектрической проницаемости TISe // Опт. спектроск. 1990. Т.68. № 5. С.1200−1202.

439. Yanazaki M., Toyota H., Matsumoto Т., Kerimora E. Dielectric function spectra of TISe // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V.39−1. P.305−306.

440. Мушинский В. П., Караман М. И. Оптические свойства халькогенидов галлия и индия. Кишинев: Штиинца. 1973.113 С.

441. Соболев В. В., Кроитору С. Г. Структура дефектных полупроводников типа ABl. Труды конференции «Физические свойства полупроводников 3−5.3−6 «. Баку: АН Азер.ССР. 1967. С.76−80.

442. Sobolev V.V. Reflectivity spectra of ABl group crystals // Phys. Stat. Sol.(b). 1971. V.43. № 2. P. K71-K73.

443. Соболев B.B. Спектры отражения дефектных бинарных и тройных соединений. Неорган, материалы. 1972. Т.8. № 1. С.26−29.

444. Sen S., Bose D.N., Hegde M.S. Plasmon energies of In2Te3 and Ga2Te3 // Phys. Stat. Sol.(b). 1985. V.129. № 2. P. K65-K67.

445. Guizzetti G., Meloni F. Electronic properties of MX IIIL Nuovo Cimento D. 1982. V.l. № 4. P.503−518.

446. Narita N., Nagai S., Saito Sh., Nakao K. Band structure of a-In2Se3 // J. Phys. Soc. Japan. 1995. V.64. № 5. P.1622−1628.

447. Ishikawa M., Nakayama T. Electronic structure of In2Se3 // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V.36. № 12. P. L1576-L1579.

448. Nakayama Т., Ishikawa M. Bonding and optical anisotropy of Ga2Se3 // J. Phys. Soc. Japan. 1997. V.66. № 12. P.3887−3892.

449. Берча Д. М., Митин О. Б., Хархалис Л. Ю., Берча А. И. Зоны In4Se3 // ФТТ. 1995. Т.37. № 11. С.3233−3239.

450. Logothetidis S., Vina L., Cardona М. Ellipsometric study of interband transitions in GeS // Phys. Rev. B. 1985. V.31. № 4. P2180−2189.

451. Logothetidis S., Lautenschlager P., Cardona M. Temperature dependence of the dielectric function in GeS // Phys. Rev. B. 1986. V.33. № 2. P. l 110−1117.

452. Wiley J.D., Bucckel W.J., Braun W., Fehrenbach G.W., Himpsel F.-J., Koch E.E. Reflectivity of GeS from 0.1−30 eV // Phys. Rev. B. 1978. V.18. № 6. P.2963−2965.

453. Eymard R., Otto A. Optical and EELS of GeS, GeSe, SnS and SnSe crystals // Phys. Rev. B. 1977. V. l6. № 4. P. 1616−1623.

454. Trousil Z., Pajasova L., Zavetova M. Some properties of a-GeS // Czechoslovak J. Phys. B. 1971. V.21. № 1. P.220−222.

455. Pajasova L., Pajas P., Makarov O.A., Zakharov V.M. Optical properties of a-GeS // Phys. Stat. Sol. (b). 1984. V.121. № 1. P.293−300.

456. Venghaus H., Buchner U. The dielectric function of GeS // Phys. Stat. Sol. (b). 1975. V.72. № 2. P.603−607.

457. Wiley J.D., Thomas D., Schonherr E., Breitschwerdt A. The absorption edges of GeS // J. Phys. Chem. Sol. 1980. V.41. № 4. P.801−807.

458. Valiukonis G., Gashimzade F.M., Guseinova D.A. Reflectance spectra of GeSe // Phys. Stat. Sol. (b). 1983. V. l 17. № 1. P.81−92.

459. Gashimzade F. M, Guliev D.G., Guseinova D.A., Shteinshrayber V.Y. Band structure of A4B6 crystals //J. Phys.: Cond. Matter. 1992. V.4 № 5. P.1081−1091.

460. Logothetidis S., Polatoglou H.M. Dielectric function of SnSe // Phys. Rev. B. 1987. V.36. № 14. P.7491−7499.

461. Валюконис Г. Р., Гашимзаде Ф. М., Гусейнова Д. А. Спектры R и зоны SnSe // Лит. Физ. Сб. 1985. Т.25. № 1. С.39−49.

462. Car R., Ciucci G., Quartapelle L. Band structure of SnSe // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. V.86. № 2. P.471−478.

463. Inoue K., Katayama T., Kawamoto К., Murase К. Electronic structures of GeSe2 // Phys. Rev. В. 1987. V.35. № 14. P.7496−7504.

464. Boiko S.A., Bletskan D.I., Terekhova S.F. Exciton absorption of GeSe2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. V.90. № 1. P. K49-K52.

465. Orton B.R., Saffarini G., Sogrol J., Riviere J.C. Plasmon energies of Ge-Se // Phil. Magazine В. 1990. V.62. № 1. P.71−78.

466. Bergignat E., Hollinger G., Chermitte H., Lannoo M. Electronic structure of a-Ge-Se // Phys. Rev. В. 1988. V.37. № 9. P.4506−4513.

467. Aspnes D.E., Phillips J.C., Tai K.L., Bridenbaugh P.M. Optical spectra of GeS2- GeS2 // Phys. Rev. B. 1981. V.23. № 2. P.816−822.

468. Ojima T., Adachi S. Optical dispersion relations in aGeS2, a-InSb // J. Appl. Phys. 1997. V.82. № 6. P.3105−3110.

469. Camassel J., Schluter M., Kohn S., Cohen M.L. Wavelength modulation spectra of SnS2, SnSe2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1976. V.75. № 1. P.303−314.

470. Bertrand Y., Divrechy A., Raisin C. Reflectivity of SnSe2 // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1977. V.10. № 21. P.4155−4161.

471. Bertrand Y., Leveque G., Raisin С., Levy F. Optical properties of SnSe2, SnS2 // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1979. V.12. № 15. P.2907−2916.

472. Bordas J., Robertson J., Jakobsson A. UV properties and band structure of SnS2, SnSe2, Cal2 // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1978. V.ll. № 13. P.2607−2621.

473. Ohno Y. EEL spectra of SnS2 // J. Phys. Soc. Japan. 1990. V.59. № 10. P.3740−3749.

474. Cohen H., Folman M., Maniv T. EEL spectra of SnS2 // Phys. Rev. B. 1992. V.46. № 8. P.4446−4455.

475. Fong C.Y., Cohen M.L. Energy-band structure of SnS2, SnSe2 // Phys. Rev. B. 1972. V.5. № 8. P.3095−3101.

476. Schluter I.Ch., Schluter M. Electronic structure of SnS2, SnSe2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1973. V.57. № 1. P.145−155.

477. Mula G., Aymerich F. Electronic structure of SnS2 // Phys. Stat. Sol. (b). 1972. V.51. № 1. P. k35-k37.

478. Aymerich F., Meloni F., Mula G. Band structure of SnS2, SnSe2 // Sol. St. Commun. 1973. V.12. № 1. P.139−141.

479. Robertson Y. Electronic structure of SnS2, SnSe2 // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1979. V.12. № 23. P.4753−4766.

480. Соболев B.B. Структура зон АВ6Ъ II Неорган, мат. 1966. Т.2. № 1. С.55−60.

481. Sobolev V.V., Shutov S.D., Popov Y.V., Shestatski S.N. Reflectivity spectra of Bi2Te3> Bi2Se3, Sb2Te3 //Phys. Stat. Sol. 1968. V.30. № 2. P.349−355.

482. Greenaway D.L., Harbeke G. Band structure of Bi2Te3, Bi2Se3 // Phys. Chem. Sol. 1965. V.26. № 10. P.1585−1604.

483. Соболев B.B., Крамарь B.M. Зоны и оптическая структура теллурида висмута // ФТТ. 1989. Т.31. № 1. С.264−266.

484. Balzarotti А., Burratini Е., Picozzi Р. ER Spectra of Bi2Te3 // Phys. Rev. B. 1971. V.3. P. l 159−1168.

485. Taniguchi K., Moritani A., Hamaguchi C. ER and TR Spectra of Bi2Te3, Bi2Se3 // Nakai J. Surface Science. 1973. V.37. P.562−572.

486. Grasso V., Mondio G., Saitta G. Modulation spectra of Bi2Te3 // IL Nuovo Cimento B. 1975. V.26. №l.P.233−242.

487. Borghese F., Donato E. The electronic band structure of Bi2Te3 // IL Nuovo Cimento B. 1968. V.53.№ 2. P.283−309.

488. Katsuki Sh. The band structure of Bi2Te3 // J. Phys. Soc. Japan. 1969. V.26. № 1. P.58−64.

489. Олешко E.B., Королышин B.H. Электронные свойства // Укр. физ. ж. 1986. Т.31. № 6. С.919−924.

490. Олешко Е. В., Королышин В. Н. Оптические спектры Bi2Te3, Bi2Se3 // Укр. физ. ж. 1987. Т.32. № 10. С.1499−1503.

491. Mishra S.K., Satrapthy S., Jepsen О. Electronic structure of Bi2Te3, Bi2Se3 // J. Phys.: Condens. Matter. 1997. V.9. № 2. P.461−470.

492. Larson P., Greanya V.A., Tonjes W.C., Olson C.G. Electronic Structure of Bi2X3 // Phys. Rev. B. 2002. V.65. № 8. P.85 108−85 111.

493. Thomas G.A., Rapkine D.H., Dover R.B. Doped Bi2Te3// Phys. Rev. 1992. V.46. № 3. P.1553−1556.

494. Ueda Y., Furuta A., Okuda H. Photoemission studies of Bi2X3 (X-S, Se, Те) // J. Elect. Spectrosc. Rel. Phen. 1999. V.101−103. P.677−680.

495. Sobolev V.V., Syrbu N.N., Nikitina V.K., Lobanova Y.K. Reflectivity spectra of Bi2S3 // Phys. Stat. Sol. 1970. V.42. № 2. P. K85-K87.

496. Шутов С. Д., Соболев B.B., Попов Ю. В, Шестацкий С. Н. Спектры отражения халькогенидов сурьмы и висмута// Изв. АН МССР, 1967. № 6. С. 14−27.

497. Shutov S.D., Sobolev V.V., Popov Y.V., Shestatski S.N. Polarization effects in the R (E) of Sb2S3, Sb2Se3 // Phys. Stat. Sol. 1969. V.31. № 1. P. K23-K27.

498. Аудзионис А. И., Карпус A.C. Спектры отражения Sb2S3 // Лит. физ. сб. 1970. Т. 10. № 6. С.917−927.

499. Alien А.О., Djafarov S.Sh., Mamedov A.M., Tagirov V.J. The reflection spectra of Sb2S3-Sb2Se3 // Ferroelectrics. 1988. V.83. № 1. P.153−155.

500. Аудзионис А. И., Карпус A.C. Оптические свойства Sb2S3 // Лит. физ. сб. 1978. Т. 18. № 1. С.127−134.

501. Аудзионис А. И., Карпус А. С. Плазмоны Sb2S3 // Лит. физ. сб. 1973. Т.13. № 1. С.89−99.

502. Fujita Т., Kurita К., Takinyama К., Oda Т. Electronic structure of Sb2S3 // J. Phys. Soc. Japan. 1987. V.56. № 10. P.3747−3739.

503. Хасабов А. Г., Никифоров И. Я. Зоны Sb2S3 // Кристаллография. 1971. Т. 16. С.41−45.

504. Ghosh С., Varma В.Р. Optical Properties of aand cSb2S3 // Sol. St. Commun. 1979. V.31. № 9. P.683−686.

505. Czarnecka-Such E., Rodzik A., Kisiel A. Reflectivity spectra of gSb-S // Sol. St. Commun. 1989. V.69. № 5. P.569−573.

506. Shaffer J.C., Pelt В., Wood C. Electronic structure of cand aSb2Se3 // Phys. Stat. Sol.(b). 1972. V.54. № 2. P.511−518.

507. Huruch Z., Davis D., Buczek D. PE Studies of cand aSb2Se3 // Phys. Rev. B. 1974. V.9. № 10. P.4392−4404.

508. Evans B.L., Young P.A. Optical properties of As2S3 // Proc. Roy. Soc. A. 1967. V.297. № 2. P.230−243.

509. Лисица М. П., Еремко A.M., Тарасов P.T. Анизотропия экситонов AS2S3 // ФТТ. Т. 14. № 10. С.3219−3224.

510. Althaus H.L., Weiser G., Nagel S. Optical Spectra of As2Se3 // Phys. Stat. Sol. B. 1978. V.87.№l.P.l 17−128.

511. Tarnow E., Antonelli A., Joannopoulos J.D. Crystalline As2Se3: Electronic Structure // Phys. Rev. B. 1986. V.34. № 6. P.4059−4073.

512. Sobolev V.V., Donetskich V.J., Chvorostenko A.S. The Energy Spectra of AsX3 // Phys. Stat. Sol. A. 1971. V.6. № 2. P. kl 17-kl20.

513. Соболев B.B., Донецких В. И., Хворостенко A.C. Энергетический спектр халькогенидов мышьяка// Неорган, матер. 1972. Т.8 № 7. С.1201−1205.

514. Андриеш A.M., Соболев В. В. Оптические свойства As2S3, As2Se3, As2Te3 // Тез.докл. 3 совещ. по проблемам хим. связи в полупроводниках (Минск, 1965).Минск: ЦСУ БССР, 1965. С. 48.

515. Zallen R., Drews R.E., Emerald R.L., Slade M.L. Electronic Structure of cand aAs2S3, As2Se3 // Phys. Rev. Lett. 1971. V.26. № 25. P.1564−1567.

516. Perrin J., Cazaux J., Soukiassian P. Optical Constants of cand aAs2S3 // Phys. Stat. Sol. B. 1974. V.62. № 2. P.343−350.

517. Tarnow E., Antonelli A., Joannopoulos J.D. Crystalline As2Se3: Optical properties // Phys. Rev. B. 1986. V.34. № 12. P.8718−8727.

518. Андриеш A.M., Соболев В. В. Оптические спектры отражения халькогенидов мышьяка // Химическая связь в полупроводниках и термодинамика. Минск: Наука и техника. 1966. С.212−216.

519. Андриеш A.M., Соболев В. В., Попов Ю. В. Спектры отражения халькогенидов мыщьяка в области 2−12 эВ // IV Всес. симп. по стеклообразным халькогенидным полупроводникам. Тез. докл. Л.: Наука. 1967. С.5−6.

520. Соболев В. В. Спектроскопические исследования энергетической структуры зон и экситонов твердых тел. Докт. дис. Кишинев: ИПФ АН МССР. 1967. 564 С.

521. Белле М. Л., Коломиец Б. Т., Павлов Б. В. Сравнительное исследование оптических свойств халькогенидов мышьяка при переходе из кристаллического в стеклообразное состояние // ФТП. 1968. Т.2. № 10. С.1448−1453.

522. Velicky В., Zavetova M., Pajasova L. Interband optical transitions in glassy arsenic telluride // Структура и свойства некристаллических полупроводников. Тр. VI Междунар. конф. JL: Наука. 1978. С.273−277.

523. Perrin J., Cazaux J., Soukiassian P. Optical constants and electronic structure of crystalline and amorphous AS2S3 in the 3 to 35 eV Range // Phys. Stat. Sol. B. 1974. V.62. № 2. P.343−350.

524. Rechtin M.D., Averbach B.L. Fast-electron energy losses in thin films of vitreous Se-As alloys // Phys. Rev. B. 1974. V.9. № 6. P.3464−3472.

525. Bishop S.G., Shevchik N.J. Densities of valense states of amrphous and crystalline As2S3, As2Se3 and As2Te3 // Phys. Rev. B. 1975. V.12. № 4. P.1567−1578.

526. Salanesck W.R., Zallen R. Surface charging effects on valence band spectra in X-ray PE of cand a-As2S3 // Sol. St. Commun. 1976. V.20. № 8. P.793−797.

527. Lavrentyev A.A., Gusatinskii A.N., Nikiforov I. Ya., Sofontseva N.Yu. X-ray spectra of some crystal and glass semiconductors // Physica B. 1995. V.208−209. P.344−346.

528. Hayashi Y., Sato H., Taniguchi M. Photoemission and inverse-photoemission studies of glassy AsxSei. x//J. Electron Spectros. Relat. Phenom. 1999. V.101−103. P.681−684.

529. Соболев В. В. Исследование оптических свойств кристалла селенида кадмия // Канд. дисс. Ленинград, ЛФТИ. 1961. 250 С.

530. Evans B.L., Young P.A. Optical Absorption in MoS2 // Proc. Roy.Soc. A. 1965. V.284. №.2. P.402 422.

531. Соболев B.B., Донецких В. И., Опаловский A.A., Фёдоров В. У. Спектры отражения МХ2 // ФТП. 1971. Т.5. №.6. С. 1025 1031.

532. Meinhold Н., Weiser G. Modulation Spectroscops on M0S2, MoSe2 // Phys. Stat. Sol. B. 1976. V.73. №.1. P.105 115.

533. Beal A.R., Hughes H.P. К К analysis of the reflectivity spectra of 2H — MoX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1979. V.12. №.3. P.881 — 890.

534. Hughes H.P., Liang W.Y. VUV Reflectivity spectra of MoX2, WX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1974. V.7. №.5. P.1023 1032.

535. Leveque G., Robin Kandare S., Martin L. Band Structure of M0S2, NbSe2 // Phys. Stat. Sol. B. 1974. V.63. №.2. P.679 — 690.

536. Zeppenfeld K. Spectra of-Ime'1 MoS2 // Optics Commun. 1970. V.l. №.3. P.377- 381.

537. Beal A.R., Knights J.C., Liang W.Y. Transmission Spectra of MX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1972. V.5. №.10. P.3540−3551.

538. Coehoorn R., Haas C., Dijkstra J. Electronic Structure of MoS2, MoSe2, WSe2.1 // Phys. Rev. B. 1987. V.35. №.12. P.6195 6202.

539. Coehoorn R., Haas C., Grout R.A. Electronic Structure of MoS2, MoSe2, WSe2. II // Phys. Rev. B. 1987. V.35. №.12. P.6203 6206.

540. Mattheiss L.F. Bands of MX2 // Phys. Rev. B. 1973. V.8. №.8. P.3719 3740.

541. Hind S.P., Lee P.M. KKP energy bands in MoS2, MoTe2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1980. V.13. №.1. P.349 356.

542. Bromley R.A., Murray R.B., Yoffe A.D. Band structures of MoX2, WX2// J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1972. V.5. №.3. P.759 778.

543. Kasowski R.V. Band Structure of MoS2// Phys. Rev. Lett. 1973. Y.30. №.23. P.1175 -1178.

544. Evans B.L., Hazelwood R.A. Optical Properties of MoSe2// Phys. Stat. Sol. A. 1971. V.4. №.1. P.181 192.

545. Liang W.Y. Optical Anisotropy in layer compounds // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1973. V.6. №.2. P.551 -565.

546. Davey B., Evans B.L. Optical Properties of MoTe2, WSe2// Phys. Stat. Sol. A. 1972. V.13. №.2. P.483 -491.

547. Dawson W.G., Bullet D.W. Electronic Structure of MoTe2, WTe2 //. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1987. V.36. №.29. P.6159−6174.

548. Boker Th., Severin R., Muller A., Pollmann J. Band Structure of MoX2// Phys. Rev. B. 2001. V.64. №.23. P.235 305 (1 11).

549. Bell M.G., Liang W.Y. EEL Studies in Solids // Adv. Phys. 1976. V.25. №.1. P.53 86.

550. Cazaux J. Dielectic constant and EELS in solids // Opt. Commun. 1971. V.3. №.4. P.221−224.

551. McFeely F.R., Kowalczyk S.P., Ley L. X-ray PES of diamond, graphite, and glassy carbon//Phys. Rev. B. 1974. V.9. №.12. P.5268.

552. Beal A.R., Liang W.Y., Hughes H.P. K K analysis of the reflectivity spectra of WS2, WSe2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1976. V.6. №.9. P.2449 — 2457.

553. Sharma S., Ambrosch Draxl C., Khan M.A., Blaha P. Optical Properties and bands of WSe2 // Phys. Rev. B. 1999. V.60. №.12. P.8610 — 8615.

554. Finteis Th., Hengsberger M., Blaha P. Occupied and unoccupied band structure of WSe2 // Phys. Rev. B. 1997. V.55.№.16. P.10 400- 10 411.

555. Vos D., Kruger P., Mazur A., Pollman J. Electronic structure of WSe2 // Phys. Rev. B. 1999. V.60. №.20. P.14 311 14 317.

556. Haghes H.P., Liang W.Y. VUV eflectivity of MX2// J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1977. V.10. №.4. P. 1079- 1087.

557. Bayliss S.C., Liang W.Y. Reflectivity of MX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1985. V.18. №.15. P.3327−3335.

558. Bayliss S.C., Liang W.Y. Optical transitions of MX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. I" 1982. V.15. №.5. P. 1283 — 1296.

559. Mamy R., Thieblemont В., Martin L., Pradal F. Reflectivity of MX2 // IL Nuovo Cimento B. 1977. V.38. №.2. P. 196 205.

560. Beal A.R., Knights J.C., Liang W.Y. Transmission spectra of MX2 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1972. V.5. №.8. P.3531 -3539.

561. Murrey R.B., Bromley R.A., Yoffe A.D. The band structures of MX2. II. // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1972. V.5. №.3. P.746−758.

562. Boehm J., Isomaki H.M. Optical response of uniaxial semiconductors. I. // Phys. Rev.B. 1982. V.26. №.10. P.5798 5806.

563. Traving M., Seydel T., Kipp L. Photoemission of HfS2 // Phys. Rev. В. 2001. V.63. №.3. P.35 107 (8).

564. Khumalo F.S., Olson C.G., Lynch D.W. Optical dichroism in ZrSe3 layer type materials//Phys. Rev. B. 1981. V.105. №.1. P. 163 — 168.

565. Khumalo F.S., Haghes H.P. Reflection Spectrografy of ZrSe3 type layer compounds // Phys. Rev. B. 1980. V.22. №.4. P.2078 — 2088.

566. Kurita S., Tanaka M., Ley F. Optical Spectra of ZrS3, ZrSe3 // Phys. Rev. B. 1993. V.48. №.3. P.1356- 1360.

567. Bayliss S.C., Liang W.Y. Polarization dependent reflectivity of ZrSe3, ZrTe3 // J. Phys.C.: Sol. Stat. Phys. 1981. V.14. №.20. P.2803 -2807.

568. Ballett D.W. Electronic properties of ZrSe3 // J. Phys. C.: Sol. Stat. Phys. 1979. V.12. №.2. P.277−281.

569. Myron H.W., Harmon B.N., Khumalo F.S. The Electronic Structure of ZrSe3 // J. Phys. Chem. Sol. 1981. V.42. №.2. P.263 -267.

570. Stowe K., Wagner F.R. Band Structure of ZrTe3 // J. Sol. Stat. Chem. 1998. V.138. №.1. P.160 168.

571. Komatsu T., Kaifu Y. Optical Properties of Bismuth Tri-Iodide Single Crystals. I. Interband Transitions // J. Phys. Soc. Japan. 1976. V.40. № 4. P. l062−1068.

572. Берна Д. М., Сливка В. Ю., Соболев B.B., Сырбу H.H., Туряница И. Д., Чепур Д. В. Зонная структура кристаллов типа SbSI. // В сб. «Полупроводниковая электроника». Ужгород. Изд. УжГУ. 1971. С.42−52.

573. Mamedov A.M., Aliev А.О., Kasunov B.M., Efendiev Sh.M. The optical properties of SbSI // Ferroelectrics. 1988. V 83. № 2. P.157−159.

574. Жичкус К., Аудзионис А., Аудзионене Л., Батарунас И., Стасюкинас А., Шилейка А. Оптические свойства кристаллов SbSel // Лит. физ. сборник. 1983. Т. XXIII. вып. 1. С.87−92.

575. Жичкус К., Аудзионис А., Батарунас И., Стасюкинас А., Шилейка А. Оптические свойства и зонная структура монокристаллов BiSel // Лит. физ. сборник. 1984. Т. XXIV. вып. 1. С.44−49.

576. Берча Д. М., Заячковский М. П., Колосюк В. Н. Отражение, магнитоотражение кристаллов n-BiSel // ФТП. 1974. Т.8. вып.5. С.1106−1109.

577. Борец А. Н., Сливка В. Ю., Ковач Д. Ш., Пуга Г. Д. Спектры отражения и особенности зонной структуры слоистого полупроводника BiTel // ФТП. 1975. Т.9. вып.7. С. 1351−1357.

578. Fujita М., Nakagawa Н., Kashino A., Fukui К., Miyanaga Т., Watanabe М. Reflection Spectra of Pb Halides and Bil3 in the 5d Core Exciton Region // UVSOR-20. P.46−47.

579. Jellison G.E., Ramey J.O., Boatner L.A. Optical Functions of B1I3 as Measured by Generalized Ellipsometry // Phys. Rev. B. 1999. V.59. № 15. P.9718−9721.

580. Хасабов А. Г., Никифоров И. Я. Зонная структура сегнетоэлектрика-полупроводника SbSI // Изв. АН СССР. 1970. Т. XXXIV. вып. 12. С.2480−2484.

581. Никифоров И. Я., Хасабов А. Г. Плотность электронных состояний и оптические свойства SbSI // ФТТ. 1971. Т.13. вып.12. С.3589−3591.

582. Fong C.Y., Petroff Y., Kohn S., Shen Y.R. Wavelength Modulation Spectra of SbSI and its Electronic Band Structure // Sol. Stat. Commun. 1974. V.14. № 8. P.681−685.

583. Alward J.F., Fong C.Y., El-Batanouny M., Wooten F. Electronic and Optical Properties of SbSBr, SbSI and SbSel // Sol. Stat. Commun. 1978. V.25. № 2. P.307−310.

584. Nako K., Balkanski M. Electronic Band Structures of SbSI in the Paraand Ferroelectric Phases // Phys. Rev. B. 1973. V.8. № 12. P.5759−5780.

585. Schluter M., Cohen M.L., Kohn S.E., Fong C.Y. Electronic Structure of Bil3. Phys. Stat. Sol. (b). 1976. V.78. P.737−747.447.