Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Делокализованные и локализованные состояния позитронов и позитрония в щелочногалоидных кристаллах и полупроводниках

Диссертация: Делокализованные и локализованные состояния позитронов и позитрония в щелочногалоидных кристаллах и полупроводниках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Очевидно, что представляет интерес дальнейшее изучение возможных состояний позитронов в Щ1К и полупроводниках с максимально возможной совершенной кристаллической решеткой. В частности, остается открытым вопрос о природе центра локализации позитрониевого состояния в ЩГК. Было бы заманчиво предположить что локализованные позитрониевые состояния существуют только в области дефектов, а в идеальной… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Обзор экспериментальных и теоретических работ по исследованию аннигиляции позитронов в щелочногалот-идных кристаллах и полупроводниках
    • 1. 1. Аннигиляция позитронов и позитрония в веществе и её характеристики
    • 1. 2. Аннигиляционные характеристики позитронов в щелочно-галоидных кристаллах и полупроводниках с низкой концентрацией дефектов
      • 1. 2. 1. Щелочногалоидные кристаллы с низкой концентрацией дефектов
      • 1. 2. 2. Полупроводниковые кристаллы с низкой концентрацией дефектов
    • 1. 3. Модели позитронных состояний в идеальных щелочнога-лоидных и полупроводниковых кристаллах
    • 1. 3. Л. Позитронные состояния в щелочногалоидных кристаллах
      • 1. 3. 2. Позитронные состояния в полупроводниках
    • 1. 4. Аннигиляция позитронов в кристаллах с высокой концентрацией дефектов. Аннигиляционные центры
  • Глава 2. Описание экспериментальной аппаратуры, методики эксперимента и обработки экспериментальных данных
    • 2. 1. Установка для измерения углового распределения аннигиляционных фотонов
    • 2. 1. *1. Механическая часть установки
      • 2. 1. 2. Электромагнит
      • 2. 1. 3. Вакуумная аннигиляционная камера
      • 2. 1. 4. Коллиматоры
      • 2. 1. 5. Система отработки угла поворота подвижного плеча
      • 2. 1. 6. Детекторы
      • 2. 1. 7. Электронно-регистрирующее устройство «Кедр»
      • 2. 1. 8. Блоки питания
      • 2. 1. 9. Погрешность измерений
    • 2. 2. Измерение спектров времени жизни позитронов
    • 2. 3. Измерение вероятности 3)(- аннигиляции позитронов
    • 2. 4. Математическая обработка.результатов.экспериментов
      • 2. 4. 1. Обработка кривых УРАФ
      • 2. 4. 2. Обработка спектров времени жизни
    • 2. 5. Приготовление образцов и источников позитронов.. III
  • Глава 3. Делокализованные и локализованные позитрониевые состояния в ЩГК
    • 3. 1. Обнаружение и исследование «высокотемпературных» делокализованных позитрониевых состояний в кристаллах Natt повышенной чистоты
      • 3. 1. 1. Обнаружение «высокотемпературного» делокализованного Ps в /JaCE повышенной чистоты
      • 3. 1. 2. Исследование позитрониевых состояний в кристаллах
  • А/аСе (пвч)
    • 3. 2. Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристал. лах легированных примесями
      • 3. 2. 1. Исследование влияния электроно-акцепторных примесей на образование позитрониевых состояний в щелочногалоидных кристаллах
      • 3. 2. 2. Аннигиляция позитронов в кристаллах КЬъ, активированных ионами лития
  • Глава 4. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниках
    • 4. 1. Поиск и исследование позитрониевых состояний в полупроводниках
      • 4. 1. 1. Поиск позитрониевых состояний в кристаллах
  • Se. GaJs * ColTa
    • 4. 1. 2. Исследование аннигиляции позитронов в облученных полупроводниковых кристаллах Si П — и jb — типа
    • 4. 1. 3. Обнаружение позитрониевых.состояний.в кластерных кристаллах Se
    • 4. 2. Наблюдение изменений электронной структуры в кристаллах кремния при возбуждении в них акустических колебаний большой амплитуды
    • 4. 3. Исследование влияния малых доз позитронного облучения на дефектность эпитаксиальных структур QqJ/s, подвергнутых двойному легированию (Si, Sn)

Делокализованные и локализованные состояния позитронов и позитрония в щелочногалоидных кристаллах и полупроводниках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Наиболее широко пюзитронный метод используется в исследованиях металлов и сплавов. В этой области метод, позволяет получать информацию о форме поверхности Ферми, а также об электронной структуре дефектов и их энергетических характеристиках* фазовых переходах, которые, в совокупности, определяют многие используемые в практике свойства металлов и сплавов.

Успехи, достигнутые в решении упомянутых задач позитронным методом, связаны с тем, что в указанных материалах реализуется относительно небольшой набор позитронных состояний. Это облегчает выбор модели аннигиляции позитронов, её теоретическую проверку и уточнение, что обеспечивает однозначность и корректность получаемой информации.

Принципиальная возможность применения метода аннигиляции позитронов для исследования неметаллических материалов, в частности щелочногалоидных кристаллов и полупроводников, в настоящее время сомнений не вызывает. Метод может применяться для исследования дефектов структуры, — с которыми, так или иначе связаны-исполь зуемые в практике. свойства и по лупро. водников,.Однако.реализация этих. возможностей .в настоящее время. сдерживается .тем, что число .и природа, возможныхсостояний.позитронов.даже в «бездефектг-ных» указанных кристаллах окончательно не установлены. Это существенно затрудняет корректную «расшифровку» данных, получаемых с помощью позитроного метода, ограничивает ценность получаемой информации и не позволяет правильно оценить круг задач, которые могут решаться с помощью данного метода.

Таким образом, актуальность темы исследования определяется тем, что для научно обоснованного использования позшгроного метода для исследований ионных кристаллических диэлектриков и полупроводников необходимо знание структуры позитронных состояний в них в зависимости от внешних условий и состояния образца, а также особенностей аннигиляции позитронов из этих состояний в твердых телах*.

Особое место в позитронике твердого тела занимает изучение позитрониевых состояний. Уже первые работы, выполненные в этомнаправлении, показали, что очень часто свойства этих состояний значительно отличаются от свойств свободного позитрония*.

Цель работы. Целью настоящей работы является поиск и комплексное экспериментальное исследование позитрониевых состояний и механизмов их образования в щелочношлоидных кристаллах и полупроводниках, а также определение областей практического использования позитронного метода в физике твердого тела.

Научная новизна. Научная новизна работы заключается в том, что в ходе исследований были обнаружены новые явления и закономерности аннигиляции позитронов в ЩГК и полупроводниках, которые состоят в следующем:

1) впервые экспериментально обнаружены стабильные при высокой температуре (^ 500 К) делокализованные позитрониевые состояния в ЩГК (на примере NaCt* высокой чистоты,(содержание основной примеси Сй.^2. 10″ «^ моль. долей), исследованы их основные харак—теристики и показано, что определяющим: условием для их существования является совершенство кристаллической решетки.

2) получены прямые экспериментальные свидетельства того, что в совершенных ЩГК (концентрация вакансионных дефектов Т5 3 см), кроме делокализованных, существуют локализованные позитрониевые состояния.

3) в результате проведенных исследований легированных акцепторными примесями ЩГК получены доказательства возможности шпурового механизма образования позитрониевых состояний в них.

4) впервые экспериментально установлено существование локализованных позитрониевых состояний в кластерных кристаллах полупроводников (на примере селена, диспергированного в цеолит.

NaA.

Практическая ценность. Практическая ценность работы состоит в том, что результаты проведенных в данной работе комплексных исследований ЩГК и полупроводников являются основой для новых приложений метода аннигиляции позитронов для неразрушающего контроля качества названных материалов. Чувствительность метода.

15 3 при этом находится на уровне: см нарушений кристаллической решетки (по исследованию условий существования делокализованных позитрониевых (Ps) состояний в ЩГК),* 10*® см" «^ акцепторных дефектов (по исследованию условий существования локализованных р6 состояний в ЩГК) — - Ю^-Ю18 примесно-вакансионных дефектов (по исследованию захвата позитронов вакан-сионными дефектами, в состав которых входит примесь). Метод аннигиляции позитронов позволяет контролировать образование оборванных химических связей, возникающих при деформировании полупроводниковых кристаллов с преимущественно ковалентным её характером путем возбуждения в них ультразвуковых колебаний большой амплитуды. Кроме того, метод позволяет проводить оценки межмолекулярных расстояний в кластерных полупроводниковых кристаллах (по характеристикам локализованного Р$), а радиоизотопные источники позитронов могут использоваться для уменьшения дефектности полупроводниковых структур.

Результаты работы позволяют сформулировать следующие положения, выносимые на защиту:

1. В ЩП£ существуют позитрониевые состояния двух видов: де-локализованные и локализованные в матрице кристалла. При этом делокализованные Р$ состояния оказываются чувствительными к степени совершенства кристаллической решетки и проявляются только в кристаллах с концентрацией вакансионных дефектов < Ю15 см" 3.

2. Возможныммеханизмом образования позитрониевых состояний в матрице Щ1ТС является шпуровый механизм.

3. В кластерных кристаллах полупроводников существуют состояния позитронов, имеющие позитрониевую природу.

Апробация работы и публикации. Основные результаты работы опубликованы в 12 печатных работах и докладывались на следующих научно-технических конференциях и совещаниях: «Радиационная физика и технология», Тула, 1979 г.- XXXI, XXXII, XXXIII Всесоюзные совещания по прикладной ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра, на Всесоюзных совещаниях «Широкозонные материалы для полупроводниковых детекторов ядерного излучения» (21−23 мая 1980 г., г. Новосибирск) и «Исследование арсенида галлия» (21−23 сентября 1982 г., г. Томск). Материалы диссертации докладывались на семинаре лаборатории медленных позитронов Института электроники АН Узб. ССР. Законченная и оформленная диссертация доложена и обсуждена на семинаре лаборатории 13 и 21 НИИ ЯФ при ТЛИ, ПНИЛ ЭДиП ТПИ (г. Томск) кафедры ФТТ-МГПИ им. Ленина (гМосква), ИХ§АН СССР (г. Москва), на семинаре отделов ядерной физики, теоретической физики и рентгеновской спектроскопииНИИ физики при. РГУ (г. Ростов-на-Дону).

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, включающего 190 наименований. Содержание диссертации изложено на 149 страницах машинописного текста, содержит 60 рисунков и 24 таблицы. Общий объем диссертации 220 страниц.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. На основании проведенных исследований и анализа литературных данных в работе установлено, что кроме квазисвободных и локализованных на дефектах состояний позитронов в ЩШ могут реализоваться два вида позитрониевых состоянийделокализован-ные и локализованные в матрице кристалла,.

2. Экспериментально исследованы характеристики делокализованного Ps и установлено, что основным фактором, определяющим возможность экспериментального наблюдения делокализованных позитрониевых состояний в Щ1К, является высокая степень совер

Т5 —3 шенства кристаллической решетки- ~IG, А см дефектов. Это расширило представления о возможностях метода позитронной аннигиляции, поскольку традиционно считалось, что чувствительность.

Tfi 3 указанного метода к дефектности кристаллов составляет см .

3. Полученные экспериментальные данные о характеристиках локализованных позитрониевых состояний подтверждают представления о структуре связанной системы «позитрон-электрон», локализованной на кулоновском центре.

В результате проведенных исследований влияния электроно-акцепторных примесей на образование позитрониевых состояний в Щ1К получены данные, указывающие на возможность шпурового механизма образования данных состояний. Эти результаты указывают на существование взаимосвязи между делокализованными и локализованными позитрониевыми состояниями в ЩГК.

5. Результаты проведенных в работе на ряде конкретных примеров комплексных исследований Щ1К и полупроводников являются основой для новых приложений метода аннигиляции позитронов для неразрушающего контроля дефектности названных материалов. Чувствительность метода при этом находится на уровне: см" *3 дефектов кристаллической решетки (по исследованию условий существования делокализованных позитрониевых состояний в ЩГК) — ~ см" 3акцепторных дефектов (по исследованию влияния электроно-акцепторных дефектов на образование локализован.

Т7 TR ных позитрониевых состояний в штрице ЩГК) — -10 примес-но-вакансионных дефектов (по исследованию захвата позитронов дефектами, в состав которых входит примесь). б. В работе впервые показано существование локализованных позитрониевых состояний в матрице кластерных кристаллов полупроводников (на примере селена, диспергированного в цеолит Na Я), аннигиляционные характеристики которых позволяют проводить оценки межмолекулярных расстояний наполнителя в полостях цеолита.

Метод аннигиляции позитронов позволяет контролировать образование оборванных химических связей, возникающих при деформировании путем возбуждения ультразвуковых колебаний большой амплитуды, в^полупроводниках с преимущественно ковалентным характером связи, а позитронные радиоизотопные источники могут использоваться для уменьшения дефектности полупроводниковых эпшгак-сиальных структур (эффект малых доз).

Очевидно, что представляет интерес дальнейшее изучение возможных состояний позитронов в Щ1К и полупроводниках с максимально возможной совершенной кристаллической решеткой. В частности, остается открытым вопрос о природе центра локализации позитрониевого состояния в ЩГК. Было бы заманчиво предположить что локализованные позитрониевые состояния существуют только в области дефектов, а в идеальной кристаллической решетке реализуются только делокализованные позитрониевые состояния и квазисвободные позитроны.

В заключении считаю необходимым выразить искреннюю благодарность моему научному руководителю С. А. Воробьеву, а также К.ГТ.Арефьеву за постоянное внимание и помощь в работе. Я также благодарен всему коллективу. лаборатории № 13 НИИ Я§-, в котором выполнена настоящая работа, и коллективу лаборатории ЭДиП ТЛИ за полезные советы, способствовавшие выполнению работы, и плодотворное участие в обсуждении результатов.

Выражаю искреннюю признательность С. В. Свириде и Й. Юлин Кауппила за оказанную помощь в проведении измерений временных распределений аннигиляции позитронов.

С П РА В К, А об использовании. материалов диссертационной работы Кузнецова П.В." Делокалкзованные и локализованные состояния позитронов и позитрония в щелочногалоидных кристаллах и полупроводниках" в НИР НИИ полупроводниковых приборов (г.Томск).

Интенсивное развитие электронной техники выдвигает высокие требования к качеству материалов, применяемых при изготовлении полупроводниковых приборов. Многие используемые и мешающие использованию в практике свойства полупроводниковых кристаллов итюлупроводниковых структур определяются наличием в них дефектов, в том числе и не поддающихся контролю широко известными используемыми методами. Поэтому развитие новых методов контроля дефектности, а также методов изучения структуры дефектов и их поведения в кристаллах расширяет возможности целенаправленного управления процессами получения материалов с заданными свойствами. Это позволяет успешнее решать вопросы надежности еолупроводниковых приборов при эксплуатации.

Одним из таких сравнительно новых и перспективных методов неразрушающего контроля дефектности и изучения электронной структуры дефектов в полупроводниках является метод аннигиляции позитронов.

Часть диссертационной работы Кузнецова П. В. посвящена исследованию аннигиляции позитронов в полупроводниках. Полученные в работе результаты использованы в НИР НИИ ПП для контроля дефектности эпитаксиальных полупроводниковых структур на основе 001 и для снижения дефектности указанных структур путем малоинтенсивного радиационного облучения.

Результаты диссертационной работы Кузнецова П. В. несомненно важны для развития метода позитронной диагностики структуры твердых тел, а также для практического применения этого метода в полупроводниковом материаловедении.

Гл. инженер НИИ.

Начальник лабор к.ф.-м.наук полупроводников.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.И. Физическая химия позитрона и позитрония.-М.: Наука, 1968, — 174 с.
  2. У.А., Арифов П. У. Физика медленных позитронов.-Ташкент: Фан, 1971, 244 с.
  3. В.Л. Аннигиляция позитронов в металлах. УФН, 1968, т.94, Ю, с.417−438.
  4. Г. М., Цыганов А. Д., Прокопьев Е. П., Варисов А. З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах.-УФН, 1971, тЛ03, Ш, с.339−354.
  5. West R.W. Positron Studies of Condensed Matter.- Adv. in Phys. 1973, v.22, n.3, p.264−383″
  6. Воробьев С. А. Прохождение бета-частиц через кристаллы.-М.: Атомиздат, 1975.-I4T с.
  7. Берестецкий В.Б., Лифшиц Е. М., Питаевский Л. П. Квантовая электродинамика. М.:Наука, 1980, с.4II-4I8.
  8. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. / Сб. статей под редакцией У. А. Арифова. Ташкент: Фан, 1978.189 с.
  9. Halpern 0. Magnetic Quenching of Positronium Decay.- Phys.
  10. Rev., 1954, v.94, n.4, p.904−907.
  11. Green I., bee J. Positronium Chemistry.- New-York-Londont
  12. Akademic Press, 1964, 105 p.
  13. К.П., Воробьев С. А., Прокопьев Е. П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников.- М.: Энергоатомиздат, 1983, — 88 с.
  14. Е.А. (Theory of Positron Annihilation in Solid. -Eev.Mod.Phys., 1956, v.28, n.3, p.308−337.
  15. X3, Dekhtyar I.Та. The Use of Positrons for the Study of Solids.-Phys.Reports, 1974, v.90, n.2, p.243−253.
  16. Dupasquier A. Positrons in Ionic Solids.- Im Positronsin Solids /Ed: P. Hauto jarvi.-Heidelberg s Springer, 1979.-197p.
  17. Атомные системы и аннигиляция позитронов./Под редакцией Арифова У. А., Арифова П.У.- 1&-шкент: Фан, 1972, — 268 с.
  18. Хб. Bisi A., Fiorentini A., Zappa L. Long Lifetime of Positrons in Ionic Crystals.-Phys.Eev., 1963, v-l31,n.3,p.1023−1024.9 * *
  19. Bussolatti C., Dupasquier A., Zappa L. Positrons Bound States in Alkali Halides.-Nuovo Cimento, 1967, v.52B, n.2,p.529−538.
  20. Cova S., Dupasquier A., Manfredi II. Positron Annihilation in
  21. Copper, Silver, Gold and Thallium Halides.- Nuovo Cimento,". '1967, v.47, n.2, p, 263−269.* ' * *
  22. Bertolaccini M., Bisi A., Gamharini G., Zappa L. Positron States in Ionic Media.-J.Phys., C,1971""v.4,p.734−735#* s * * «• • • *
  23. Hsu F.H., Mallard W.C., Fu J.K. Annihilation. in Gamma-Irradiated Pure and Mg doped LiF.-Appl.Phys., 1974, v.4fp.75−82.* *
  24. Himinen R., Hautojarvi P#, Jaucho P. The Effect of Plastic
  25. Deformation on Positron Lifetime Spectra in Alkali Halides! t „' * * * '
  26. Appl.Phys., 1974, v.5, n.1, p.41−43*
  27. Kirkegaard P., Eldrup M. POSITBOHFIT: a Versatile Program for Analysing Positron Lifetime Spectra.-Eoskilde, 1971. t 423 p. (Biso Beportt M-1400).
  28. Bisi A., Fiorentini A., Zappa L. Positron Annihilation in
  29. Alkali Halides.-Phys.Rev., 1964, v. 134, n.2,p.A328-A331./ *
  30. Bisi A., Dupasquier A., Zappa L. Evidence for Positronium-likeж ,
  31. States in Alkali Halides.-J"Phys.C, 1971, v.4,n.15,p.L311-L31?i ^ ' •
  32. Bisi A., Dupasquier A., Zappa L. Properties of the Magnetically Quenchable Positron States in Alkali Halides.-J.Phys.4 „o, 1973, v.6, П. 7, p.1125−1133.4 „
  33. Lang G., DeBenedetti S. Angular Correlation of Annihilation in Varians Substances.-Phys.Kev., 1957, v. 108, p.914−931.
  34. Stewart А.Ш., Pope N.K. Moment ium Distribution of Photons from Positrons Annihilating in Alkali Halides.-Phys.Bev., 1960, v.120, n.6, p.2033−2041.
  35. К.П., Воробьев С. А., Ъшошников Ю. А. Аннигиляция позитронов в ориентированном монокристалле К&Ъ .- ФТТ, 1971, т.13, в. З, с.922−923.
  36. К.П., Воробьев С. А. Анизотропия распределения электронной плотности и эффективного заряда в монокристалле.
  37. В сб.:Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах. -Минск: Наука и техника, 1972, с. 68.
  38. Herlach D. Ein Positroniumartiger Zustand in KOl.-Helv. Phys. Acta, 1972, v.45, n.6,p.894−896.33e Smedskajer L., Dannefaer S. Positron Annihilation in Colored KCl.-J.Phys.C, 1974, v.7, p.2603−2613.
  39. К.П., Воробьев С. А., Килеев В. П. Магнитное тушение позитрониевых состояний в дефектных щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1970, т.18, № 3, с.669−672.
  40. Huodo Т., Takakusa Y. Evidence for Positronium-like States In NaP and NaCl.-J.Phys.Soc.Japan, 1977, v.12,n.3,p. 1065−1066.
  41. Takakusa Y., Huodo T. On the Existence of Delocalized Posit-ronium in HaP at Boom Temperature.- J.Phys.Soc.Japan, 1978, v. 45, n.1, p. 353−354.
  42. Huodo Т., Takakusa У. Direct Observation of Delocalized Po-sitronium in KCl.-J.Phys.Soc.Japan, 1978, v.45,n.45,p.795−796.
  43. Bisi A., Bussolatti., Cova S., Zappa L. Three-quantum Annihilation of Positron in Ionic Crystals.- Phys.Rev., 1960, v.141, n.1, p.348−351.
  44. Fieschi R., Garnotti A., Chezzi C., Manfredi M. Positron Annihilation in Semiconductors.- Phys.Rev., 1968, v.175,n.2,p.383−388.
  45. Weisberg H., Berko S., Positron Lifetimes in Metals.- Phys. Rev., 1967, v.154, n.2, p.249−257.
  46. Sen P., Sen C. Effect of Doping on Positron Lifetime in Crystals.- J.Phys.CiSolid State Phys., 1974, v.7, n.16, p. 2776−2780.
  47. Pabri G., Poletti G., Randone G. Decay Features of Positrons in Semiconductors.- Phys.Rev., 1966, v.151,n.1, p.356−358.
  48. Cheng Z., Yeng C. Positron Lifetimes in Proton-irradiated Silicon.- Solid State Commun., 1973> v.12, n.6, p.539−541.
  49. Dorikens M., Dauwe C., Dorikens-Vaupaet L. Positron Lifetime Measurements in n- and p-type Silicon.- Appl.Phys., 1974, v.4, n.3, p.271−272.
  50. Kelli J. J., Lambrecht R.M. Positron Annihilation in n- and p-type, B- and P-doped Silicon Crystals of (111) and (100) Orientation.- Phys.Lett., 1977, v.60A, n.5, p.475−477.
  51. Warren J., Joues G. The Lifetime of Positrons in Metals.-Can.J.Phys., 1961, v.39, n.11, p.1517−1522.
  52. Arefiev K.P., Yli-Kauppila J. A Positron Study of Heutron-irradiated p-type Silicon.- Otaniemi, 1980.-7 ps-Report TKK-A41.
  53. Dannefaer S., Dean J.W., Kerr D.P., Hogg B.J. Influence of Defects and Temperature on the Annihilation of Positrons in Iteutron-irradiated Silicon.-Phys.Rev.B, 1976, v.14,p.2709−2714.
  54. Erskine J., McGervey J. Electron Momentum by Distributions in Silicon and Germanium by Positron Annihilation.-Phys. Rev., 1966, v.151, N2, p.615−620.
  55. Fujiwara K. Many-body Theory for Hearly Free Electrons and Positrons in a Periodic Field.-J.Phys.Soc.Japan. 1970, v.29, 15, p.1479−1485.
  56. Fijiwara K., Uuodo T., 0hyma J. Enhancement of Annihilation Rate of Electron-Positron Pairs in Periodic Fields.
  57. J.Phys.Soc. Japan. 1972, v.33, M, p. 1047−1059.
  58. Fujiwara K., Huodo T. An Experimental of the Angular Correlation of Annihilation Radiation in Silicon Sihgle Crystal.-J.Phys.Soc. Japan, 1973, v.35, N4, p.1133−1135.
  59. Shulman M., Beardsley G., Berko S. Positron Annihilation in Germanium.-Appl.Phys., 1975, v.5“ N4, p.367−374.
  60. Colombino P., Fiscella B., Trossi L. Angular Distribution of Annihilation Quanta Emerging from Si, Ge and A1 Crystals.
  61. Huovo Cimento, 1964, v.31, p.950−955.
  62. П.У., Арутюнов Н. Ю., Ильясов А. З., Прокопьев Е. П., Кузнецов Ю. Н., Иванютин JI.A. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниковых соединениях fictJs viGctP . -ФИ1, 1978, т.12, в.5, с.891−894.
  63. Mogensen О.Е., Eldrup М. Positronium Bloch Function and Trapping of Positronium in Vacancies in ICe.-Roskilde, 1977.-72p., (Ris8 Report: 366).
  64. А.Г., Малоян А. Г., Прокопьев Е. П. Аннигиляция позитронов в области fl -И перехода в Si . Изв. АН Арм. ССР. Физика, 1979, т.14, с.414−418.
  65. Антуфьев.Ю.П., Мищенко В. М., Иванютин А. А., Попов А. И., Прокопьев Е. П., Сторижко В. Е. Исследование трехквантовой аннигиляции позитронов в полупроводниках Gdfc и OqP. УФЖ, 1980, т.25, № 8, с. 1396−1398.
  66. В.И., Иванова А. В., Прокопьев Е. П. Об аннигиляции позитронов в гидридах щелочных металлов. ЖЭТФ, 1964, т.47, JS8, с.659−665.
  67. В.И., Прокопьев Е. П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных средах. ФТТ, 1966, т.8, № 2, с.515−524.
  68. Е.П. Применение метода аннигиляции позитронов для характеристики поляронных состояний в ионных кристаллах. -ФТТ, 1966, т.8, .№ 2, с.-464−466.
  69. В.И., Прокопьев Е. П. Позитронные состояния в идеальных ионных кристаллах. ФТТ, 1971, т.13, № 10, с.2955−2964.
  70. S3. Гольданский В. И., Прокопьев Е. П. Об аннигиляции позитронов в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1964, т.6, № 11, с.3301−3306.
  71. К.П., Боев О. В. Расчет квазисвободных состояний позитронов в примесном кристалле Томск, 1977,22 с--Рукопись представлена редколлегией журнала „Изв.ВУЗов. Физика“. Депонирована ВИНИТИ 17 марта 1977, $ 1013−77 Деп.
  72. Meatman S.M., Verrall ЙД. Positronium in LiH Crystal.-Phys. Rev., 1964, v.134, N5A,. p. 1254−1260. .
  73. Бартенев Г. M., Плетнев М, Н., Прокопьев Е. П., Цыганов А. Д. Образование и динамическая стабильность атома позитрония в ионных кристаллах. ФТТ, 1970, т.12, № 9, с.2733−2735.
  74. Бартенев Г. М., Варисов.А.3., Иванова А. В., Плетнев М. Н., Про-копьев Е.П., Цыганов А. Д. Атом позитрония в ионных кристаллах с решеткой типа Nad. Ш, 1972, т.14, Ю с.715−719.
  75. В.И., Прокопьев Е. П. Об аномалиях аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. Письма 13ТФ, 1966, т.4 Ш с.422−425.
  76. Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония в ионных кристаллах и полупроводниках. ФТТ, 1977, т.19, $ 2, с. 472−475.
  77. Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щеяочногалоидных кристаллах. Химия высоких энергий., 1978, т.12, $ 2, с.172−174.
  78. Е.П. Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах. Оптика и спектроскопия., 1974, т.36, № 2,с.361−367.
  79. Herlach D., Heinric1i P. Positron Annihilation in P-centres in KOI. Phys.Lett., 1970, V.31A, n.1, p.47−48.
  80. Боев 0.В., Арефьев KJU 0 существовании позитрониеподобных состояний в ионных кристаллах. ФЕТ, 1980, т.22, с.953−955.
  81. Bo-ev- 6.Y., Arefiev K.P. The investigation of the Electron Excitation in Positron Atoms.-Abstracts of Papers 6th Int. Conf. on Atomic Physics. Riga, 1978, August, 17−22,p.499−500.
  82. Bbev O.V., Arefiev K.P. Localized Positronium-like States in Ionic Crystals.-Phys Stat.Sol. (Тэ), 1981, v. 106, N2, p.481−487.
  83. Straud D.S., Eherenreich H. Assumption-Independent Single Particles Wave Functions for Positrons in Solids: Application to Angular Distributions in A1 and Si.-Phys Rev., 1968, v. 171, IT2, p.399−4Ю.
  84. Callway J. Correlation Energy in a Model Semiconductor. -Phys.Rev., 1959, v.116, p.1368−1371.
  85. Perm D. Y/ave-Humber-DependenJ Dielectric Inunction of Semi. conductor.-Phys.Rev., 1963, v.128, N5, p.2093−2097.
  86. Brandt W., Reinheimer J. Theory of Semiconductor Response to Charged Particles.-Phys.Rev., 1970, v. 2, 178, p. 3104−3112.
  87. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. M.: Энергия, 1973. — 655 о.
  88. Е.П., Кузнецов Ю. М., Хашимов Р. Основы позитро-ники полупроводников. М., 1976. ~ 344 с. Депонировано ВДИИ „Электроника“. ДЭ — 2073.
  89. Е.П. Атом позитрония в полупроводниках. Изв. ВУЗов. Физика, 1974, в.4, с.38−40.
  90. Варисов А.3., Кузнецов Ю. Н., Прокопьев Е. П. Почему в полупроводниках наблюдается одно короткое время жизни. ДАН СССР, 1978, т.239, № 5, с.1082−1085.
  91. АД., Воробьев С. А., Завадовокая Е. К. Центры окраски в кристаллах, как модели атомов позитрония и молекул.химических соединений позитрония и позитрона. Изв.БУЗов.Фи• зика, 1967, № 7, с.156*157.
  92. Stewart A.T., Roelig L.О.-Positron AnnihilationrProceed. ofthe ConfDetroit, 1965.-New-York-London: Academic Press, 1967.-438p.
  93. Brandt V/., Waung H.F., Lewy P.W. Positron Annihilation Centres in HaCl.-Phys.Rev.Lett., 1971, v.26,n.'9,p.496−499.
  94. Sonder E., Sibley W.A. Point Defect in Solids/ed.J.H.Crawford and Slifkin Ь.м.-New York-London:Plenum Press, 1972, v.1, chap.4.•
  95. A.A. Центры окраски в ЩГК. Томск: Изд. Т1У, 1968.-390 с.
  96. Dupo3quier A. Lifetime of Positrons Trapped by F-Centres in KOI.-Lett.Huovo Cimento, 1970. v.4, И1, p.13−15.
  97. Bosi L., Duposquier A., Zappa L. Positron Trapping by F-and. F-Centres in KCl.-J.de Phys., 1973, v. C9, p.295−302.
  98. Bisi A., Bosi L., Duposquier A., Zappa L. Positronium-like A-Centre in Potassium Halides.-Phys.Stat.Sol.(b), 1975, v.69, N2, p.515−517.
  99. Dannefaer S., Trumpy G., Gotterill R.M.I. Colour Centre Studies by Positron Annihilation in KC1 Irradiated by
  100. Light.-J.Phys.С, 1974, v.7, p.1261−1270.
  101. Herlach D., Heinrich F. Einfang von Positronen in F und
  102. F-aggregatzentren in KCl.-IIelv, Phys. Acta, 1970, v.43,N5,p.489-.490.
  103. Herlach D., Heinrich F. Magnetische Verstarkung des Posi-troniumeeffektes in F-zentren in KCl.-Helv.Phys Acta, 1972, v.45,N1, p.10−12.
  104. Brummer 0., Brauer G., Andrejtscheff V. Positronenannihila-tion in Ionenkristalien. 1. Zur Annihilation in F-zentren. -Phys.Stat.Sol.(b), 1975, v.70, N2, p.683−687.
  105. Bosi L., Duposquier A., Zappa L. Positron Motion and Trapping in Ionic Crystals.-Phys.Rev.В, 1975, v.11,F7,p.2485−2489.
  106. А.А. К теории аннигиляции позитронов на F центрах.- ФТТ, 1970, т. 12, № 11, с.3315−3317./
  107. Е.П. О свойствах -центров в дефектных кристаллах с ионным типом связи. ФТТ, 1972, т.14, № 10, с.2924−2926.
  108. Bisi A., Duposquier A., Zappa L. Magnetic Quenching of the Long-Living State of the Positron in KC1 Containing F-Cen-tres.-J.Phys.C. 1971, v.4, N2, p.133−136.
  109. Berezin A. A, Evarestov R.A. Electron-Positron Colour Center in Alkali Halides.-Phys.Stat.Sol.(b), 1971, v.48, N1, p.133−140.
  110. Beresin A.A.Theory of Positron Trapping by P-and P-Colour Centres in Alkali Halides.-Phys.Stat.Sol.(b), 1972, v.50, N1, p.71−75.
  111. Sungh 1С., Singru R.M., Monar M.S., Rao C.N.R. Positron Annihilation in Defect KCL Crystals.-Phys.Lett., 1970, v.32A, N1, p.10−11.p.
  112. Brandt W., Waung H.P. Positron Annihilation in Ca -Doped KCl.-Phys.Rev.B, 1971, v.3, N10, p.3432−3433.1. P ,
  113. Brandt W., Duposquier A., Durr G. Annihilation in Ca -Doped KCl-Temperature and Magnetic Field Effects.-Phys.Rev.B, 1972, v6, 18, p.3156−3158.
  114. К.П., Арефьев В. П., Воробьев G.A., Килеев В. П. По-зитрониевые состояния в области дефектов катионной подре-шетки кристаллов KCt- . ФТТ, 1979, т.21, № 4, с.1133−1139.
  115. Ramasamy S., Niagarajan Т., Jayalakshmi IT. Annihilation of Positrons in A-Centres of Alkali Halides.-Physica, 1980, V.100B, n.2, p.207−214.
  116. Popov D.N., Hancheva M. M, Minev M.R., Terzjsky K.I. Positron Annihilation in Z-Centres in Additively Coloured KCl (Ca).-Phys.Stat.Sol.(b), 1981, v.108, N1, p. K7-K9.
  117. Chinnusamy И., Nagarajan T. Positron Annihilation in Mn -Doped KC1 Single Crystals.-Phys.Stat.Sol.(b), 1982, v.112, FI, p. 297−301.
  118. A.A. Ионные и электронные свойства щелочногало-идных кристаллов. Томск: Изд. ТГУ, 1968. — 306 с.
  119. Vorobiev A. A, Yu.M.Annenkov, Arefiev К.P., Vorobiev S.A. On Positron Annihilation Anomalies in Ionic’Crystals.-Phys. Stat.Sol.(b), 1973, v.57, N1, p. K27-K30.
  120. К.П., Воробьев C.A. Наблюдение энергетических характеристик экситонных состояний в ионных кристаллах. -$ТТ, 1973, т.15, в.9, с.2824−2826.
  121. Р. Теория экситонов. М.: Мир, 1966. ~ 219 с.
  122. Brandt W., Poulin R. Dynamics of Positive-Ion Vacancies in X-Irradiated NaCl by Positron Annihilation.-Phys Rev. B, 1973, v.8, N9, p.4125−4133.
  123. Augullo-Lopez, Lopez P.J.-Role of Cation Impurities as Electron and Hole Traps in Alkali Halides,-Kryst.Latt.Defects,• 1981, v.9, p.131−134.
  124. Malard W.C., Hsu P.H. Role of Positive Ion Vacancies and F-Centres in Positron Annihilation in KC1.-Phys.Lett., 1972, v.38A, N3, p.164−166.
  125. TI8. Воробьев A.A., Арефьев К. П., Воробьев C.A. Аннигиляция позитронов в дефектных щелочногалоидных кристаллах. -1ЭТ$, 1975, т.68, в.4, с.1486−1490.
  126. В.П., Нурмагамбетов С. Б. Поляризационный эффектпри наблюдении аннигиляции позитронов в ионных кристаллах.§ ТТ, 1980, т.22, в.4, с.1072−1078.
  127. Brandt W., Coussot G., Poulin R. X-Ray Induced Positron Annihilation Centers in Alkali Halides Crystals.- Phys, Lett., 1971, v.35A, n.3, p, 175−176,
  128. Hsu F. H, Mallard W.C., Hadley J.H. Effect of Vk-Centers on Positron Annihilation in KC1 and Ag-Doped КС1, — Appl, Phys, 1974, v.4, p.83−86,
  129. К.П., Воробьев C.A., Килеев В. П., Стародубов В. Г. Аннигиляционная установка для магнитного тушения позитрония в твердых телах. Томск, 1976.- 15 с, — рукопись представлена Томским политехи, ин-том/, Деп. в ВИНИТИ 9 апреля 1976, № 1106−76 Деп.
  130. К.П., Арефьев В. П., Кузнецов П.В, Степанов В. Ф. Электронное устройство „Кедр“ установки по измерению двухбайтовой аннигиляции, Томск, 1979, — 14 с. — Скопись представлена Томским политехи. ин-том, Деп, в ВИНИТИ 3 апреля 1979, № 1117−79 Деп.
  131. Kirkegaard P., Mogensen О. PAACFIT: A Program for Analysing Positron Annihilation Angular Correlation Spectra.-Roskilde, 1973, — 28 p.(Rise Report: M 1615).
  132. В.И., Кузнецов А. В., Подгорецкий M.К. Статистика отсчетов при регистрации ядерных частиц. М*: § из-матгиз, 1959. — 412 с.
  133. Ore A, Powell I.L. Three-Photon Annihilation of ал Electron-Positron Pairs,-Phys.Rev., 1949, v.75,n.11,p.1969−1999.
  134. P.И., Маароос A.A., Плоом Л. П., Яансон H.A. Разработка методики получения кристаллов HCi И НЬг с содержанием примеси Х(Г®, В сб.: Труды Ин-та физики АН ЭССР.- Тарту, 1979, вып.49, с.45−89,
  135. Voszka R., Raksarg± K., Foldvari P. Preparation and Study of Extremely Pure NaF Single Crystals.- Krist. Technyk, 1973, v.8,n.12, p.1347−1356.
  136. К.П., Кузнецов П. В., Боев O.B. Наблюдение делокализованных позитрониевых состояний в сверхчистых кристаллах Nad. ФТТ, X98I, т.23, в. б, с.1877−1879.
  137. Arefiev K.P., Boev O.V., Vorobiev S.A., Kuznetsov P.V. The
  138. Determination of the Effective Delocalized Positronium
  139. Mass in Crystals.- Solid State Comimm., 1982, v.44, n.7, p.1067−1069.
  140. Brandt W., Coussot G., Paulin R. Positron Annihilation and Electronic Lattice Structure in Insulator Crystals.- Phys. Rev.Lett., 1969, v.23, p.522−525.
  141. Greenberger A., Mills A.P., Thompson A., Berfco S. Evidence for Positronium-like Bloch States in Quartz Single Crystals.- Phys.Lett., 1970, v.32A, n.2, p.72−73.
  142. Ikari H., Fu-jivrara K. Positronium in CL -Quartz 1. Observed Temperature Dependence of the Positronium Effective Mass and the Probability of Annihilation from Singlet Positronium State.- J.Phys.Soc.Japan, 1979, v.46, n.1, p.92−96.
  143. X35. Coussot G., Paulin R. Positron as a Probe of Imperfeotion in Quartz Crystals.- Appl. Phys, 1972, v.43, n.4 p.1325−1330.
  144. Page L., Heinberg M, Harrow Components in the Angular Correlation of Annihilation Quanta from Condensed Materials.-Phys.Rev., 1956, v.102, n.6, p.1545−1553.
  145. Mogensen 0, Kvajic G., Eldrup M., Milosevic-Kvajic. Angular Correlation of Annihilation Photons. in ICe Single Crystals.-Phys.Rev.B, 1971, v.4, n.1, p.71−73.
  146. Takakusa Y., Huodo T. Study of Positronium Peak in the Angular Correlation Curve of HaF Crystal.-J.Phys.Soc.Japan, 1980, v.79, n.6, p.2243−2247.
  147. Fujiwara K. Motion of Positronium in. Some Insulating Crysthtals.-Invated Report on 6 Int.Conf.Positron Annihila-. tion, Texas, April 4−8, 1982.-Arlington:"S.n“. 1982.-6 p.
  148. Dupasquier A. Positrons in Solids.-Tn: Proc. 83-rd. Int. School of Physics „Enrico Fermi“, Yarenna, 1981/ed.W.Brandt, A.Dupasquier.-Hew YorkiAcademic, 1982.-118 p.
  149. Ikari H. Positronium in CL -Quartz 2. Possible Effect of Damping of Positronium Quasi-particle on the Momentium Distribution.-J.Phys.Soc. Japan, 1979, v.46, n, 1, p.97−101.
  150. Hadler C., Rosse J. Measurement and Interpretation of the Ionic Conduction in Alkali Halides.- Phys.Stat.Sol.(a), 1973, v.18, n.2, p.711−722.
  151. Hodges,-:C.H., Mckee B.T.A., Triftshauser W., Stewart A.T. Umklapp Annihilation of Positronium in Crystals.-Can. J. Phys., 1972, v.60, p.103−109.
  152. Palciglia F, Laei C., LoSavio M., Turrasi C. Magnetic Quenching of Orthopositronium in ICe.-Lett.Huovo Cimento, 1972, v.5, n.3, p.302−304.
  153. Влияние радиационных нарушений в решетке монокристалловкремния на характеристические состояния внедренного атома мюония/С.Г.Барсов, А. П. Геталов, В. А. Гордеев и др. -Письма в ЖЭТФ, Х983, т.37, в Л, с.40−43.
  154. В.П. Позитрон и позитроний в химической физике. Дис.. докт. физ.-мат. наук.- М., 1979.-276 с.
  155. Точечные дефекты в твердых телах. В сб.:Новости физики твердого тела/Под ред. Б. И. Болтакса, Т. В. Машовец, А. И. Орлова. — М.: Мир, 1979, в.9, 379 с.
  156. К.П., Кузнецов П. В., Галанов Ю. И. Влияние электро-но-акцепторных примесей на образование позитрониевых состояний в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1983, в печати.
  157. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск: Восточно — Сибирское книжное. издательство, 1977. — 208 с.
  158. Etzel Н., Schulman J. Silver-Activated Alkali Halides.-J.Chem.Phys., 1954, v.22, n.9, p.1549−1554.
  159. P.И., Лущик Ч. Б. Влияние радиации на химию дефектов в фосфоре ки г* Jq . В сб.: Труды Йн-та физики АН ЭССР.- Тарту, 1961, вып.15, с.81−101.
  160. М.Д., Чижикова З. А. К вопросу о соотношении между интегралом Кравца и длительностью возбужденного состояния молекул. Изв. АН СССР, сер. физ., 1958, т.22, $ 9,с.1043−1046.
  161. А.К. Исследование кинетики внутрицентровой люме-нисценции в кристалле ни Ti — В сб“: Радиационная физика I. Ионные кристаллы.- Рига: Зинате, 1964, с.135−147.
  162. Н.Г., Тюрин А. В., Мандель В. Е., Шевелева А. С. Распределение гидроксильных ионов в кристаллаххсг, легированных кальцием, Укр, физ.журнал, 1976, т.21, № 7, с. II79−1182.
  163. Rolfe J., Lipsett F.R., King W.J. Optical Absorption and. Fluorescence of Oxygen in Alkali Halide Cristals.-Phys. Rev., 1961, v.123, n.2, p.447−454.
  164. Fischer F., Grundi? H., Hilsch F. Definierter Einbau und optische Absorption von und О -Zentren in KC1-Kristallen.~Zeitschrift fur Physik, 1966, B.189, h.1, s.79−112.
  165. К.П., Анненков Ю. М., Кузнецов П. В., §-рангульян Т.С, Аннигиляция позитронов в кристаллах Hblактивированных ионами лития. ФТТ, 1982, т.24, в.5, с.1460−1462.
  166. Van Vinsum J.А., Lee Т., Den Hortob H.W., Dekker J. The Shape of the Potential Energy Well of Impurities in KOI: Li+ and KF: M+(M± Li, Na, K).- J. Phys and Chem. Solids, 1978, v.39, n.11, p.1217−1223.
  167. К.П., Кузнецов П. В., Холодкевич С. В. Обнаружение позитрониевых состояний в цеолитах с диспергированными в них неметаллами. В кн.: Тезиоы докладов XXXIII Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра.1. Л.: Наука, 1983, с. 526.
  168. Положительное решение по заявке на изобретение от 23 декабря 1982 г. № 3 411 492/25. Способ контроля дефектностиполупроводниковых, и ионных кристаллов/ СД. Воробьев, П. В. Кузнецов, А. Д. Погребняк.V.Заявлено 23 марта 1982.
  169. Е.П. Атом позитрония в твердых телах. ФТТ, 1967, т.9, в.4, с.1266−1268.
  170. Fuhs W., Hoff D., Halzhaner U. Positronium Formation in Trigonal Selenium Crystals.- Phys.Stat.Sol.(b), 1980, v.98, n.1j p. K55-K58#
  171. О механизме аномального прохождения позитронов через кристаллы /И.Я.Дехтяр, В. ТЛдонкин, Э.Т.МадатоЕа и др. -Письма в 1ЭТФ, 1977, т.26, в.4, с.305−309. .
  172. Dekhtjar J.Ya., Adonkin V, T., Likhtorovich S.P., Rustamov. Sh.A. Positronium-like States in GaAs at Low Temperature.-Phys.Stat.Sol.(b), 1978, v.88, n.1, p. K55-K58.
  173. Brandt W., Oremland M. Positron Measurements Selenium Rec-rystallization Rates.-Phys.Lett., 1976, v.57A, n.4,p. 387−389.
  174. Alekseeva O.K., Mkhailov V.I., Chantarovich V.P. Positron Annihilation in Point Defects of the Classy As-Se System.-Phys.Stat.Sol.(a), 1978, v.48, n.2, p. K169-K173.
  175. Berko S., Pendleton H.N. Positronium,-Annual Review of Nuclear and Particle Science, 1980, v.^O, p.543−581.
  176. В.И., Левин Б. М., Шантарович В. П. Влияние физико-химических свойств поверхности на механизмы взаимодействия и аннигиляции позитронов. Поверхность. Физика. Химия. Механика, 1982, № 5, с.1−16.
  177. Ii Эффективное образование позитрония в системе диэлектрик-металл/В.И.Гольданский, Б. М. Левин, В. П. Шантарович и др. -Письма в 1ЭТФ, 1974, т.19, в.7, с.448−451.
  178. В.Й., Луценко ЭЛ., Петрановский В. П., Холодке вич С.В. Спектры поглощения трехмерно упорядоченной системы 12 I частиц. Письма в ЖЭТФ, 1976, т.23, в.9, с.528−530.
  179. Д. Цеолитовые молекулярные сита. М.: Мир, 1976.781 с.
  180. Эволюция структуры и оптические свойства системы ультрадисперсный металл-цеолит (А/а Л Хп) в процеосе упорядочения кластерной подрешетки металла /Ю.А.Алексеев, В. Н. Богомолов, Т. Б. Жукова и др.- Ш, 1982, т.24, в.8, с.2438−2 444.
  181. К.П., Кузнецов П. В., Погребняк А. Д. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования полупроводниковых соединений. В сб.: Радиационная физика и технология. — Тула: Изд. З^льского политехи.' ин-та, 1979, с. 66−74.
  182. К.П., Воробьев С. А., Прокопьев Е. П., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в кремнии, облученном электронами.-ФТТ, 1977, т.19, в.8, с.1339−1343.
  183. De Zafra R.L., Joiner W.T. Temperature Effect on Positron Annihilation in Condensed Matter.- Phys.Rev., 1958, v.112, n.1, p.19−29.
  184. Brandt W. Positron Dynamics in Solids.- Appl.Phys., 1974, v.5, p.1−23.
  185. Физика», Деп. в ВИНИТИ 4 мая 1981, № 2730−81 Деп.
  186. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников C.F. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. — 672 с.
  187. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных, ^"^/К.ПДрефьев, В. Г. Стародубов, А. А. Цой и др. ФТП, 1980, т. 14, в. П, с.2163−2166.
  188. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных материалах тройных систем ТС-е -Те и 7?- 5с -Те /К.П.Арефьев, Е. ПЛрокопьев, В. Г. Стародубов и др. ФШ, 1980, т. 14, в. Ю, с. 1904−1907.
  189. Ю.А., Иванов В. Н., Кардашев Б. К. Автоматическая установка с пьезоэлектрическим возбуждением колебаний для непрерывной регистрации внутреннего трения и модуля упругости твердых тел- ПТЭ, 1979, № 5, с.210−212.
  190. А.А., Воробьев А. А., Ульянов В. Л. Радиационная физика ионных кристаллов. М.: Атомиздат, 1980. «208 с.
  191. Н.А., Благовещенский В. В., Зиненкова Г. Н., Ивашкин В. А. Особенности пластической деформации под действием ультразвука. Изв. ВУЗов. Физика, 1982, № 6, с.118−128.
  192. А.с. 646 706 (СССР). Способ обработки полупроводниковых детекторов/К.П.Арефьев, В. П. Арефьев, С. А. Воробьев, А. П. Мамонтов, В. В. Сохорева, И. П. Чернов.- Опубл. в бюллетене ОИПОТЗ, 1980, * 16, c.308g
  193. Bldrup М., Mogensen 0., Trumpy G. Positron Lifetimes in Pure and Doped ICe and in Water.- J.Phys.Chem., 1972, v.57, n.1, p.495−504.. .
  194. П.А., Чернов И. П., Шмонтов А. П. Цепной процесс аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах. -ФТП, 1982, т.16, в. З, с.480*484.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?