Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Исследование влияния характера связи на структуру и ионно-электронный перенос в низкоразмерных соединениях CuCr1-x V x S2 (ОK|

Диссертация: Исследование влияния характера связи на структуру и ионно-электронный перенос в низкоразмерных соединениях CuCr1-x V x S2 (ОK|
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Сложные соединения Ах№)38е4 (А — Н, Си) получены путем интерка-ляции атомов водорода и меди в селенид ниобия №>38е4. Селенид ниобия ]ЧЬ38е4 имеет квазиодномерную структуру, состоящую из цепочек ЫЬ — № и 8е — 8е, параллельных гексагональной оси «с». Атомы в цепочках связаны друг с другом сильнее, чем соседние цепочки между собой. Поэтому межатомные расстояния внутри цепочек меньше, чем расстояние… Читать ещё >

Содержание

  • I. Обзор литературных данных по структуре и физико -химическим свойствам соединений МСгХ2 и 1ЧЬ3Х4 (М — Си, Ag- X — 8, ве, Те)
    • 1. 1. Структура слоистых дихалькогенидов переходных и тяжелых металлов
    • 1. 2. Кристаллическая структура соединений МСгХ
    • 1. 3. Теоретические модели описания ионного переноса в суперионных проводниках
    • 1. 4. Ионный и электронный перенос в соединениях МСгХ
    • 1. 5. Кристаллическая структура соединений №>3X4 (Х-8,8е.Те)
    • 1. 6. Электрофизические свойства соединений № 3X
  • II. Синтез соединений СиСг^У^ (0<х<0.3) и Ах1ЧЬз8е4 (А-Н, Си). Методика экспериментальных исследований
    • 2. 1. Синтез соединений СиСг1хУх82 и рентгеновский фазовый анализ
    • 2. 2. Синтез соединений Ах№>38е4 (А-Н, Си)
    • 2. 3. Методика рентгеноструктурных исследований
      • 2. 3. 1. Методика расчета относительных интегральных интенсивностей
    • 2. 4. Методика исследования магнитной восприимчивости слабомагнитных веществ
    • 2. 5. Методика измерения ионной и электронной проводимости
      • 2. 5. 1. Экспериментальная установка для исследований ионного переноса
  • III. Исследование кристаллической структуры и ионно-электрон-ного переноса в системе СиСг1хУх
    • 3. 1. Исследование кристаллической структуры соединений СиСгьхУА
    • 3. 2. Исследование природы химической связи в соединениях СиСг^УА методом изучения магнитной восприимчивости
    • 3. 3. Исследование ионной проводимости в системе СиСг1хУх
    • 3. 4. Исследование электрохимической ячейки С|Си|СиВг|СиСг1.хУх
    • 3. 5. ледование ионной термо-э.д встеме СиСг1хУх
    • 3. 6. ледование электронной проводими и термо-э.д системы СиСг1. хУх
  • IV. Исследование кристаллической структуры и электрофизических свойств соединений Ах]ЧЬ38е4 (А-Н, Си)
    • 4. 1. Исследование структурных особенностей №>з8е
    • 4. 2. Исследование фазовых соотношений в системе СихМЬ38е
    • 4. 3. Исследование структуры и электронной проводимости соединения М)38е
    • 4. 4. Исследование структуры и электронной проводимости соединений НхЫЬз8е

Исследование влияния характера связи на структуру и ионно-электронный перенос в низкоразмерных соединениях CuCr1-x V x S2 (ОK| (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Явление быстрого ионного переноса в твердых телах представляет собой одну из фундаментальных проблем физики конденсированного состояния. Научный интерес к этому явлению обусловлен его уникальностью и необычностью. Данная проблема тесно переплетается также и с проблемой биологии, связанной с изучением механизмов переноса различных ионов через мембраны. С практической точки зрения проблема быстрого ионного переноса в твердых телах является актуальной задачей энергетики и материаловедения в связи с созданием топливных элементов, энергоемких источников тока, датчиков состава и т. д. Современное состояние исследований в этой области характеризуется систематизацией экспериментальных данных и разработкой различных модельных представлений. Анализ состояния проблемы показывает, что явление быстрого ионного переноса в реальных твердых телах носит сложный характер. При определении параметров переноса важную роль играют как размеры и заряд подвижного иона, так и характер связи атомов и особенности кристаллического строения. Сложность изучаемого явления требует проведения экспериментальных и модельных исследований в соединениях с относительно простой структурой (квазиодномерные и квазидвумерные соединения).

В связи с вышеизложенным в данной работе в качестве объектов исследований выбраны квазидвумерные соединения СиСг, хУх82 (0<х<0.3) и квазиодномерные соединения Ах1чГЬ38е4 (А — Н, Си).

Соединения СиСг1хУх82 получены путем изоморфного замещения атомов Сг атомами V из медного дихалькогенида хрома СиСгёгСоединение СиСг82 имеет слоистую структуру, состоящую из чередующихся слоев -8-Сг-8-Си-8~Сг-8-, перпендикулярных гексагональной оси «с» [1]. Считается, что атомы переходного металла М внутри тройных слоев МХ2 в подобных системах УМХ2 связаны с атомами халькогена X сильными ионно.

— ковалентными связями. А тройные слои МХ2 связаны друг с другом слабыми Ван — дер — Ваальсовскими силами. Поэтому в промежутки между тройными слоями могут быть легко внедрены другие атомы. Внедренные атомы одновалентного металла, А слабо связаны с кристаллической решеткой и проявляют в подобных структурах высокую подвижность в Ван — дер

— Ваальсовских щелях [2]. Несмотря на имеющиеся в литературе данные систематические исследования влияния характера связи на подвижность атомов проведены недостаточно. Так как Сг и V находятся рядом в периодической таблице элементов Д. И. Менделеева и имеют приблизительно одинаковые атомные размеры, замещение хрома ванадием в СиСг82 не должно приводить к сильным изменениям размеров элементарной ячейки. С другой стороны Сг и V имеют разные заряды ядра и разные степени электроотрицательности. Это, по нашему предположению, должно привести к изменению характера связи атомов внутри тройных слоев и параметров ионного переноса при замещении хрома ванадием. Таким образом, производя изоморфное замещение хрома в СиСг82 атомами ванадия мы можем менять характер связи атомов и изучить влияние этого на параметры ионного и электронного переноса.

Сложные соединения Ах№)38е4 (А — Н, Си) получены путем интерка-ляции атомов водорода и меди в селенид ниобия №>38е4. Селенид ниобия ]ЧЬ38е4 имеет квазиодномерную структуру, состоящую из цепочек ЫЬ — № и 8е — 8е, параллельных гексагональной оси «с» [3]. Атомы в цепочках связаны друг с другом сильнее, чем соседние цепочки между собой. Поэтому межатомные расстояния внутри цепочек меньше, чем расстояние между цепочками. Эти особенности приводят к сильной анизотропии физических свойств и позволяют внедрить чужеродные атомы в пространство между цепочками. Благодаря слабой связи внедренных атомов с матричным кристаллом они обладают высокой подвижностью. Несмотря на то, что одномерные соединения являются более удобными объектами для экспериментального и теоретического изучения ионного переноса, они остаются изученными в меньшей степени даже по сравнению с двумерными системами.

С практической точки зрения соединения, выбранные в качестве объектов исследований, являются электродными материалами для источников тока с высокой удельной емкостью, для датчиков концентраций, для топливных элементов, элементов памяти и т. д.

Таким образом, исследование быстрого ионного переноса в низкоразмерных соединениях является актуальной задачей как с научной точки зрения, так и в связи с перспективами технического применения данных материалов.

Цель работы. Целью данной работы является изучение взаимосвязи ионного и электронного переноса с особенностями кристаллического строения и характером связи атомов в соединениях с низкоразмерной структурой и разработка модельных представлений.

Задачи исследований.

1. Синтез и отработка технологии синтеза новых соединений СиСг1. хУх82, Сих№>38е4 и Нх№>38е4.

2. Изучение фазовых соотношений в исследуемых системах.

3.Исследование особенностей кристаллической структуры и кинетики распределения подвижных атомов по различным кристаллографическим позициям.

4. Изучение характера связи атомов в исследуемых системах.

5. Исследование ионного и электронного переноса и его связи с особенностями кристаллической структуры и характером связи атомов.

Научная новизна. Впервые синтезированы соединения СиСг1хУх82 с различным содержанием ванадия (х=0- 0.05- 0.10- 0.15- 0.20- 0.25- 0.3) и проведены структурные исследования.

Показано, что СиСг1хУх82 являются изоструктурными с СиСг82. В интервале содержания ванадия 0 < х < 0.15 получены однофазные образцы, а при 0.2 < х < 0.3 обнаружено появление слабых линий, принадлежащих фазе Си3У84. Установлено, что интенсивности линий фазы Си3У84 не меняются с изменением содержания ванадия и температуры.

Установлено, что атомы Си занимают три типа кристаллографических позиций — а, (3 и у. При комнатной температуре, а — позиции заселены на 50%, у — 45%, остальные атомы меди находятся в (3 — позициях. При температуре ~ 400 °C наблюдается скачкообразное увеличение заселенности |3 — позиций, заселенность, а — позиций падает, у — позиций — практически не меняется.

Показано, что соединения СиСг1хУх82 в области исследуемых температур 20-г400°С являются парамагнетикамипоказано, что в области низких температур имеет место антиферромагнитное или ферромагнитное взаимодействие в зависимости от состава соединений.

Показано, что связь между атомами в соединениях СиСг1. хУх82 преимущественно ионная. Атомы хрома связаны с атомами серы преимущественно двойной, атомы V — тройной, атомы Си — одинарной связью. Замещение хрома ванадием приводит к снижению энергии дефектообразо-вания в медной подрешетке и к росту степени окисления серы с 81″ до 82″ .

Установлено, что соединения СиСг! хУх82 являются проводниками по катионам меди, причем увеличение содержания V приводит к росту ионной проводимости. Предложена модель, объясняющая увеличение ка-тионной проводимости.

Установлено, что соединения СиСг1. хУх82 являются п — типа электронными проводниками. Предложена схема зонной структуры, объясняющая рост электронной проводимости при замещении хрома ванадием.

По результатам исследований структуры, магнитных и транспортных свойств установлена связь параметров ионного переноса с характером связи атомов в двумерных соединениях СиСг^У^г.

Впервые электрохимическим способом получены тройные соединения Ах№>з8е4 (А=Си, Н), описаны фазовые соотношения в системе Сих№>38е4 и проведены исследования электронной проводимости.

Практическая ценность. Благодаря высокой ионной и электронной проводимости исследуемые соединения могут быть использованы в качестве электродных материалов различных электрохимических устройств. Полупроводниковый характер проводимости и возможность вариации электрофизических свойств в широких пределах путем контролируемого изменения состава позволяет использовать данные соединения в электронной технике.

Достоверность результатов исследований определяется тем, что они получены с использованием стандартных экспериментальных методов измерений и расчетов.

На защиту выносятся следующие основные положения :

1. Синтезированы новые соединения СиСг^У^, изоструктурные с СиСгёгИсследованы фазовые соотношения в системе СиСг1. хУх82.

2. На основе сравнения расчетных значений интегральных интенсивностей с экспериментальными показано, что в исследуемых соединениях с изменением температуры происходит перераспределение подвижных атомов Си.

3. Экспериментально показано, что исследуемые соединения СиСг1хУх82 являются Си — катионпроводящими, замещение хрома ванадием приводит к росту Си+ - катионной проводимости.

4. На основе исследований магнитной восприимчивости сделано заключение о том, что в СиСг,.хУх82 сера находится в разных состояниях окисления 81″ и 82″, а ванадий проявляет более высокую степень окисления (У3+), чем (Сг2+). Предложена модель, объясняющая рост ионной проводимости при замещении хрома ванадием.

5.Синтезированы новые соединения Сих№>з8е4 электрохимическим способом. Установлены области существования фаз.

6. Синтезированы новые соединения НхМЬ38е4 электрохимическим способом. Установлены области существования фаз. Изучены электрофизические свойства.

Положения обоснованы экспериментальными данными и результатами расчетов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на 1-ой научной конференции молодых ученых-физиков республики Башкортостан (21−23 ноября 1994 г., г. Уфа) — на X международной конференции по ионике твердого тела (3−8 декабря 1995 г., Сингапур) — на научных конференциях по научно — техническим программам Госкомвуза России (1996 -1997 гг.), на Всероссийской научной конференции студентов — физиков (21 — 26 апреля 1996 г., г. Екатеринбург), на республиканской научной конференции студентов и аспирантов по физике и математике (25 — 26 апреля 1997 г., г. Уфа), на Всероссийской научной конференции «Физика конденсированного состояния» (22−25 сентября 1997 г., г. Стерлитамак), а также на семинарах кафедры общей физики физического факультета БашГУ (1994;1997 гг.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 27 работ [78−104].

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Она изложена на 127 страницах машинописного текста, включая 31 рисунок, 12 таблиц и список цитируемой литературы из 104 наименований.

114 Заключение.

В диссертационной работе представлены результаты систематических исследований структуры, природы химической связи, фазовых соотношений и особенностей ионного и электронного транспорта в соединениях СиСг1. хУх82 (0<х<0.3) и Ах№)38е4 (А — Н, Си). Основные результаты, полученные в работе, сформулированы в конце каждого параграфа, посвященного исследованию вышеуказанных соединений, поэтому здесь будут сформулированы лишь общие итоги. Основные результаты работы сводятся к следующему.

1. Впервые синтезированы соединения СиСг1хУх82 (х=0−0.05−0.1−0.15−0.2- 0.25−0.3), изоструктурные с СиСг82. В интервале содержания V 0<х<0.15 получены однофазные образцы. В области 0.2<х<0.3 установлено появление следов фазы Си3У84, содержание которой не меняется с изменением состава и температуры. Полученные соединения стабильны в исследуемом интервале температур 293−873 К.

2. Установлено, что зависимость параметров элементарной ячейки «а» и «с» от содержания ванадия слабая и носит линейный характер. Исходя из этого и из анализа интегральных интенсивностей сделано заключение об изоморфном замещении хрома ванадием.

3. Показано, что атомы Си занимают три типа кристаллографических позиций — а, (3 и у. При температуре ~ 670 К наблюдается скачкообразное перераспределение атомов меди по этим позициямвероятность заселения, а — позиций при этом падает с ~ 0.5 до ~ 0.3, |3 — позиций растет с ~ 0.07 до ~ 0.3, у — позиций — практически не меняется.

4. Установлено, что температурные зависимости параметров элементарной ячейки носят линейный характер. В районе ~ 670 К наблюдается скачок коэффициента термического расширения. Коэффициент термического расширения скачкообразно увеличивается вдоль оси «а» и уменьшается вдоль оси «с». Скачок к.т.р. обусловлен перераспределением атомов Си по кристаллографическим позициям. Сделано заключение, что размеры элементарной ячейки определяются обычным термическим расширением и процессом перераспределения подвижных атомов Си.

5. По результатам исследований магнитной восприимчивости установлено, что атомы серы, находящиеся выше и ниже Ван — дер — Ваальсовской ще.

1 2 ли, проявляют разные степени окисления — 8 «и Б Ванадий проявляет более высокую степень окисления (V), чем хром (Сг). На основе анализа структурных данных сделано заключение о преимущественно ионном характере связей в СиСг^УА. Установлено, что замещение хрома ванадием приводит к повышению степени окисления серы с — 81' до 82». На основе модельных расчетов показано, что это приводит к снижению энергии де-фектообразования в Си — подрешетке и к росту Си — катионной проводимости.

6. Установлено, что соединения СиСг^У^ являются Си+ - катионпрово-дящими. В районе = 663 К энергия активации ионной проводимости скачкообразно падает, что связано с перераспределением атомов Си по а, р и у — позициям. Установлено, что энергия активации высокотемпературной фазы не зависит от состава, а энергия низкотемпературной фазы уменьшается с увеличением содержания V. Это подтверждает выводы, сделанные при исследовании магнитных свойств, о взаимосвязи параметров ионного переноса с характером химической связи.

Показано, что энергия активации низкотемпературной фазы включает энергию активации миграции и энергию дефектообразования в Сиподрешетке, в то время как энергия активации высокотемпературной фазы состоит, в основном, из энергии активации миграции.

7. Установлено, что соединения СиСг]. хУх82 являются п — типа электронными проводниками. Значение электронной проводимости растет с увеличением содержания V. Предложена схема зон, позволяющая объяснить эту зависимость.

8. Синтезированы новые тройные соединения Сих№>з8е4. Установлено, что в интервале 0<х<0.2 существуют фазы СихМэ38е4, изоструктурные с №>38е4. При 0.2<х<0.45 обнаружена новая неописанная фаза. Установлено, что она относится к гексагональной системе. Определены параметры элементарной ячейки.

9. Синтезированы новые соединения Нх№)38е4, исследованы структурные особенности. Показано, что внедрение водорода сильно влияет на электронную проводимость, а ионы ЬГ вносят вклад в общую проводимость.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Nagard N.Le., Collin G., Gorochov О. Etude structurale et proprietes physiques de CuCrS2 H Mat.Res.Bull.-1979.-Vol. 14.- № 11 .-P. 1411 -1417.
  2. Bruesch P., Himba T. Dynamics of ions of the two dimensional superionic conductor AgCrS2 //Phys.Rev.B.-1983.-Vol.27-№ 8.-P.5052−5061.
  3. B.E. Халькогениды переходных тугоплавких металлов. Квазиодномерные соединения. -Новосибирск: Наука, 1988. -223 с.
  4. Liard W.Y. Electronic properties of transition metal dichalcogenides and their intercalation complexes //Intercalat.Layer.Mater. London, New York. -1986. -P.31−73.
  5. Brec R., Rouxell J. Reactivity and phase transition in transition metal Dichalcogenides intercalation Chemistry //Intercalai. Layer. Mater. London, New York.-1986.-P.75−91.
  6. Friend R.H., Yoffe A.D. Electronic properties of intercalation complexes of the transition metal dichalcogenides //Adv.Phys. -1987. -Vol.36.-№l. P. 1−94.
  7. Wilson J.A., Yoffe A.D. The transition metal dichalcogenides //Adv.Phys. -1969. Vol.18. — № 1. — P.193−337.
  8. Hahn H., De. Lorent Ch. Uber ternare Chacogenide der Chroms mit einwertigen Kupfer und Silber //Z.Anorg.Allg.Chem. 1957. -B.290, № 1.2. — S. 68−81.
  9. Bongers P.F., van Bruggen C.F., Koopstra J., Omloo W.P.F.A.M., Wiegers G.A., Jellinek F. Structures and magnetic properties of some metal (I) chromium (III) sulphides and selenides //J.Phys.Chem.Solids. -1968. -v.29, № 6. -P.977−984.
  10. Engelsman F.M.R., Wiegers G.A., Jellinek F., van Laar В. Crystal structures and magnetic structures of some metal (I) chromium (III) sulphides and selenides //J.Solid State Chem. -1973. -Vol.6. -№ 6. -P.574−582.
  11. Gerards A.G., Boucamp В. A., Wiegers G.A. Neutron difraction study of the order disorder transition in AgCrS2 //Solid State Ionics. -1983. -Vol.9−10.-P471−474.
  12. Himba T. Structural aspects of monovalent cation intercalates of layered dichalcogenides //Intercalation Chemistry, edited by M.S.Vohihling and A.J.Jacobson. -Academic, New York. -1982. P.285−345.
  13. B.M., Плещев В. Г., Конев В. Н., Кискнн С. М. Рентгенографические исследования фазовых переходов в AgCrS2, AgCrSe2, CuCrS2 //ФТТ.-1983. -Т.26, вып.9. С.2767−2769.
  14. Р.А., Заболоцкий В. Н., Альмухаметов Р. Ф., Галиуллин P.P. Структурные особенности и ионно-электронный перенос в суперионном проводнике CuCrSe2 //ФТТ. -1987. -Т.29, вып.4. -С.1220−1222.
  15. Yakshibayev R.A., Zabolotski V.N., Almukhametov R.F. Structural features and ionic transport in two-dimensional MxVSe2 (M=Cu, Ag- V=Cr, Nb) mixed conductors //Solid State Ionics. -1988. -Vol.31. -P. 1−4.
  16. P.А., Надеждина А. Ф., Заболоцкий B.H. Характер термического разупорядочения ионов меди в CuCrSe2 //Изв.АН СССР. Неорган, матер. 1989. -Т.25, вып.8. — С.1390−1392.
  17. Rouxell J., Brec R. Low dimensional chalcogenides as secondary catodic materials: some geometric and Electronic aspects //Ann.Rev.Mater.Sci.-1986. -Vol.16. -P. 137−162.
  18. Himba T. The mixed conductor properties of AgCrS2 //Solid State Comm. -1980. Vol.33. -P.445−448.
  19. Bronsema B.K., Wiegers G.A. Structure of a non-stoichiometric chromium silver sulphide //Acta Cryst. -1982. -Vol.28. -P.2229−2232.
  20. E.A., Букун Н. Г. Твердые электролиты. -Москва: Наука, 1977. -176 с.
  21. Физика суперионных проводников /Под ред. М. Б. Соломона. Рига: Зинатне, 1982. -315 с.
  22. Воусе J.B., Hiberman В.A. Superionic conductors: transition, structures, dynamics //Phys. Reports. -1979. -Vol.51. -№.4. -P. 189−265.
  23. Dieterich W., Fulde P., Peschel I. Theoretical models for superionic conductors //Adv.Phys. -1980. -Vol.29. -№ 3. -P.527−605.
  24. Rice M.J., Roth W.L. Ionic transport in superionic conductors: a theoretical model //J.Solid State Chem. -1972. -Vol.4. -№ 2. -P.294−310.
  25. Shahi K. Transport studies on superionic conductors //Phys. Stat. Sol. -1977. -Vol.41 .-№ 1. P. 11 -44.
  26. Lukas W.D., Peschel I. On the thermopower of superionic conductors //Z.Phys.B. -1982. -Vol.45. -№ 4. -P.283−287.
  27. Kimball J.C., Adams L.W. Hopping conduction and superionic conductors //Phys.Rev.B. -1978. -Vol.18. -№ 10. -P.5851−5858.
  28. Girvin S. Thermoelectric power of superionic conductors //J.Solid State Chem. -1978. -Vol.25. -№ 1. -P.65−76.
  29. Ihle D. On the thermoelectric power of superionic conductors //Phys. Stat. Sol. B. -1979. -Vol.91. -№ 1. -P. K49.
  30. S., Mahan G.D. //Thermoelectric power in half filled bands //Phys.Rev.B. -1979. -Vol.19. -№ 2. -P.1302−1303.
  31. Dictterich W. Theory of high ionic conductivity in solids //Solid State Ionics. -1981. -Vol.5. -P.21−26.
  32. Де Гроот C.P. Термодинамика необратимых процессов. -Москва: Гос-техиздат, 1956. -280 с.
  33. Rickert Н., Wagner С. Stationare zustande und Stationare transportvorgange in silbersulfid in einem temperaturgefalle //Ber. Bunsenges. Phys. Chem. -1963. -B.67. -№ 7. -S.621−629.
  34. Wagner С. The thermoelectric power of cell with ionic compounds involving ionic and electronic conduction //Prog. Solid State Chem.-1972.-Vol.7. -№l.-P.l-37.
  35. Иванов Шиц A.K. Обнаружение фазовых переходов в суперионных проводниках группы Agl методом термо — э.д.с. //ФТТ. -1980. -Т.22. -№ 1. -С.40−43.
  36. Ю.А., Иванов Шиц А.К. Термоэлектрические эффекты в электрохимических ячейках с суперионными проводниками //ФТТ. -1982. -Т.24. -№ 3. -С.795−797.
  37. Schiraldi A., Perrati Е., Baldini P. Thermoelectric power of the solid electrolyte Cu16Rb4l7Cl13 //Z.Phys.Chem.N.F. -1983. -B.135. -№ 2. -S.217−226.
  38. B.H., Фоменков С. А., Чеботин B.H. Термо диффузия атомов меди в нестехиометрических сульфиде и селениде меди //Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -1985. -Т.21. -№ 2. -С.202−204.
  39. Honders A., Hintzen A.J.H., Kinderen J.M., Wit J.H.W., Broers G.H.J. The termoelectric power in solid solution electrodes: a disregarded phenomenons? //Solid State Ionics. -1983. -Vol.9−10. -P.1205−1212.
  40. Kawamyra J., Shimoji M., Hoshino H. The ionic conductivity and thermoelectric power of the superionic conductor Ag3SBr //J.Phys.Soc.Japan. -1981. -Vol.50. -№ 1. -P. 194−200.
  41. Hibma Т., Bruesch P., Strassler S. Phase diagram of the partly silled 2d -hexagonal sublattice of conduction ions in compounds based on AgCrS2 //Solid State Ionics. 1981. -Vol.5. — P.481 — 484.
  42. Boucamp B.A., Wiegers G.A. Ionic and electronic processe in AgCrS2 //Solid State Ionics. 1983. -Vol.9−10. -Pt.2. — 1193−1196.
  43. Murphy D.W., Chen H.S., Tell B. Superionic conduction in AgCrS2 and AgCrSe2 //J. Electrochem.Soc. -1977.-Vol.124. -№ 8. P.1268−1271.
  44. Hurd C.M. Temperature dependence of the ionic conductivity of a Agl and AgCrS2 //Phys. Rev. B. — 1985. — Vol.32. -№ 6. — P.4217−4219.
  45. B.M., Конев B.H., Плещев В. Г., Рогаль Н. П. Ионная проводимость AgCrSe2 в области фазового перехода //ФТТ.-1985.- Т.26, вып.8. -С.2545−2547.
  46. В.М. Ионный и электронный перенос в суперионном проводнике AgCrSe2: Дис.. канд.физ.-мат.наук. Свердловск, 1985.-146с.
  47. Tanaka Т., Sharma N.L., Munera С.Н., Barry J.C. Theory of the dc conductivity for a two dimensional superionic conductor on the honeycomb lattice //Appl.Sulf.Sci. -1982. -Vol.11−12. -P.605−610.
  48. Sharma N.F., Tanaka T. Superionics conduction in the solid solution electrode AgCrS2 //Phys.Rev.B.: Condens Matter. -1983. -Vol.28. -№ 4. -P.2146−2151.
  49. Tanaka T. Theory of the dc conductivity for the two dimensional superionic conductor AgCrS2 //Phys.Rev.B. -1986. -Vol.34. -№ 6. -P.3773−3785.
  50. Mahan G.D., Pardee M.J. Disorder and ionic polarons in solid electrolytes //J.Solid.Stat.Chem. -1975. -Vol.15. -№ 4. -P.310−324.
  51. Mahan G.D. Lattice gas theory of ionic conductivity //Phys.Rev.B. 1976. -Vol.14. -№ 2. -P.780−793.
  52. B.M., Плещев В. Г., Колотовкина T.A. Электронная и ионная термо эдс в суперионном проводнике AgCrSe2 //Четвертое Всес. совещ. по химии тв. тела: Тез. докл. Свердловск, 1985, ч.З. — С.4.
  53. Physics and chemistry of materials with layered structures //Ed.F.Levy. -Dodrecht Holland: Reidel Publ. Сотр. — 1976. -Vol.4. -280 p.
  54. В.А. Ионный перенос в монокристаллах нестехиометриче-ских соединений Cu28X (X = S, Se): Автореф.. канд.физ.-мат.наук. -Свердловск, 1986. -16 с.
  55. Huan G., Greenblatt M. New quasi one dimensional phases AxNb6X8 isostructural with Nb3Te4 //Mater.Res.Bull. -1987. -Vol.22. -№ 7. -P.943−949.
  56. У. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов. 4.2. -Москва: Мир, 1977. -470 с.
  57. Materials for Solid State Batteries: Proc. Reg. Workshop, Singapore, 2−6 June 1986. / Ed. Chowdary B.V.R., Radhakrishna S. -Singapore: Word Sci.: Comm. Sci. and Technol. Dev. Countries, 1986. -502p.
  58. Sekine Т., Kiuchi Y., Matsuura E., Uchinokura K., Yashizaki R. Change-density-wave phase transition in the quasy-one-dimensional conductor Nb3Te4 //Phys.Rev.B: Condens.Mater. -1987. -Vol.36. -№ 6. -P.3153−3160.
  59. ASTM. Difraction data cards and Alpha betical and grouped numerical index of X-ray difraction data. -Philadelphia, 1977. -P.922.
  60. Руководство по рентгеновскому исследованию минералов. /Под ред. Франк Каменецкого В. А. -Ленинград: Недра, 1975. — 400с.
  61. Порай Кошиц М. А. Основы структурного анализа химических соединений. -Москва: Высшая школа, 1989. -192 с.
  62. Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. -Москва: Физматгиз, 1961. -864 с.
  63. С.В. Современное учение о магнетизме. Москва: Гостех-издат, 1953. -440с.
  64. Я.Г. Диамагнетизм и химическая связь. -Москва: Физматгиз, 1961. -231с.
  65. С.В. Магнетизм. -Москва: Наука, 1971. -1032 с.
  66. Wagner С. Investigations on silver sulfide //J.Chem.Phys. -1953. -Vol.21. -№ 10. -P. 1819−1827.
  67. Jokota J. On the theory of mixed conduction with special reverence to the conduction in silver sulphide group semiconductors //J.Phys.Soc.Japan. -1961. -Vol.16. -№ 11.-P.2213−2223.
  68. П. Диффузия в твердых телах. -Москва: Металлургия, 1966.195 с.
  69. Weis К. Untersucbungen am kubischen kupter sulfid (digenit) //Ber.Bunsenges.Phys.Chem. -1969. -B.73. -№ 4. -S.338.
  70. Yakshibayev R.A., Akmanova G.R., Almukhametov R.F., Konev V.N. Ionic conductivity and diffusion in CuCrS2 AgCrS2 mixed conductors and their alloys //Phys.Stat.Sol.(a). -1991. -Vol.124. -P.417−426.
  71. ASTM. Difraction data cards and Alpha betical and grouped numerical index of X-ray difraction data. -Philadelphia, 1977. -P.952.
  72. И.Т., Назаренко Ю. П., Некряч Е. Ф. Краткий справочник по химии. -Киев: Наукова Думка, 1987. -830 с.
  73. Physics and chemistry of materials with layered structures //Ed.F.Levy. -Dodrecht Holland: Reidel Publ. Сотр. — 1979. -Vol.3. -474 P.
  74. B.H., Перфильев M.B. Электрохимия твердых электролитов. -Москва: Химия, 1978. -312 с.
  75. Jokota J. On the electrical conductivity of cuprous sulfide: a diffusion theory//J.Phys.Soc.Japan. -1953. -Vol.8. -№ 5. -P.595−602.
  76. Physics and chemistry of materials with layered structures //Ed.F.Levy. -Dodrecht Holland: Reidel Publ. Сотр. — 1976. -Vol.5. -370 P.
  77. John G. Smeggil. Void channels in the Nb3Se4, Ta2S and Nb2Se structure types- The structure ofNb3Se4 //J. Solid State Chem. -1971. -Vol.3. -P.248−251.
  78. Э.В. Фазовые соотношения и ионный транспорт в двумерных суперионных проводниках CuCivxVxS2 //Вестник Башкирского университета.-1996. -№ 2(1). -С. 16−19.
  79. Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э. В. Исследование фазовых соотношений в системе CuxNb3Se4 //Вестник Башкирского университета. -1996. -№ 3(1). -С.45−46.
  80. Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э. В., Акманова Г. Р. Фазовые соотношения и ионный транспорт в двумерных суперионных проводниках CuCr,.xVxS2. Деп. в ВИНИТИ 07.05.96., № 1496-В96, 6 с.
  81. Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э. В. Влияние водорода на проводимость соединения Nb3Se4/M>MM. -1997. -№ 4. -С.103−106.
  82. Р.Ф., Якшибаев P.A., Габитов Э. В. Исследование термического разупорядочения в суперионном проводнике CuCrS2 рентгенографическим методом //Вестник Башкирского университета. -1997. -№ 1(1). -С.49−50.
  83. Э.В. Структурные особенности и ионный перенос в смешанных проводниках CuCri"xVxS2 //Вестник Башкирского университета. -1997. -№ 2(1,П). -С.34−35.
  84. Almukhametov R.F., Yakshibayev R.A., Gabitov E.V. X-ray study of the superionic phase transition in CuCrS2 //Ionics. -1997. -№ 2. P. 171−173.
  85. Almukhametov R.F., Yakshibayev R.A., Gabitov E.V., Ableev I.B. Structural studies and ionic conductivity of CuCrixVxS2 (0
  86. Р.Ф., Якшибаев P.А., Габитов Э. В. Синтез и рентгенографическое изучение фаз CuxNb3Se4 (0<х<0.45) //Неорганические материалы. -1998. -Т.34. -№ 4. -С. 1−3.
  87. Р.Ф., Якшибаев Р. А., Габитов Э. В. Изучение процессов разупорядочения в суперионных проводниках CuCri.xVxS2 //Вестник Башкирского университета. -1998. -№ 2(1). -С.23−26.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?