Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах
Примером нелинейной активной среды является полупроводник, обладающий отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП) в некотором диапазоне частот (например, у п — ОаА 5 ОДП существует вплоть до коротковолновой части мм диапазона, а у п — 1пР — даже до субмм диапазона) вследствие междолинных электронных переходов в сильных электрических полях. Электромагнитные волны и квазистатические волны… Читать ещё >
Содержание
- В.1. Общая характеристика и краткий обзор современного состояния проблемы и актуальность темы
- В.2. Цель и основные задачи диссертационного исследования
- В.З. Научная новизна работы
- В.4. Научная и практическая значимость работы
- В.5. Основные положения и результаты, выносимые на защиту
- В.6. Апробация работы и публикации
- В.7. Личный вклад автора
- В.8. Структура диссертации
- Глава 1.
- РАСПРОСТРАНЕНИЕ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ
- 1. 1. Введение
- 1. 2. Решение дисперсионного уравнения для волн пространственного заряда в полупроводниках с ОДП с учетом частотной дисперсии дифференциальной подвижности электронов
1.3. Влияние частотной дисперсии отрицательной дифференциальной подвижности электронов и их равновесной концентрации на усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах п — СаА ^
1.4. Перспективы использования фосфида индия в устройствах на волнах пространственного заряда в полупроводниках с ОДП
1.5. Эффективность возбуждения волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре одиночным полосковым барьером Шоттки.
1.6. Выводы.
Глава 2.
ПАРАМЕТРИЧЕСКОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ.
2.1. Усиление волн пространственного заряда комбинационных частот при взаимодействии слабой волны с волной накачки в полупроводнике с ОДП.
2.2. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в полупроводниках с ОДП.
2.3. Влияние рассинхронизма волн пространственного заряда на эффективность их связи при параметрическом взаимодействии в полупроводнике с ОДП
2.4. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с ОДП симметричного типа.
2.5. Экспериментальное исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе п — ОаАя
2.6. Интегральный преобразователь частоты миллиметрового диапазона на волнах пространственного заряда в полупроводниках с ОДП.
2.7. Выводы.
Глава 3.
ОБЩАЯ ТЕОРИЯ ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ.
3.1. Введение
3.2. Уравнения Максвелла и параметрически возбуждающий ток.
3.3. Уравнения для амплитуд параметрически связанных мод волн пространственного заряда.
3.4. Расчет нормировочных коэффициентов для тонкопленочной полупроводниковой структуры с сильной асимметрией.
3.5. Анализ упрощенного варианта параметрического взаимодействия волн пространственного заряда для тонкопленочной полупроводниковой структуры с сильной асимметрией
3.6. Выводы.
Глава 4.
ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ДИОДАХ ГАННА В МИЛЛИМЕТРОВОМ ДИАПАЗОНЕ.
4.1. Введение
4.2. Параметрическое усиление СВЧ колебаний в стабилизированном сверхкритическом диоде Ганна. Теоретическая модель
4.3. Параметрическое взаимодействие СВЧ колебаний в диоде Ганна. Эксперимент.
4.4. Обобщенная однотемпературная модель эффекта Ганна в п-ваАз
4.5. Влияние особенностей профиля легирования активной области на спектральный состав тока диода Ганна.
4.6. Параметрические колебания в диодах Ганна в третьей зоне неустойчивости параметрической системы
4.7. Стимулированная генерация диодом Ганна при воздействии на него слабого СВЧ сигнала от внешнего источника.
4.8. Конструирование диодов Ганна и генераторов на их основе на частоты выше пролетной.
4.9. Выводы.
Глава 5.
ПАРАМЕТРИЧЕСКОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СВЧ КОЛЕБАНИЙ НА РЕАКТИВНОЙ КОМПОНЕНТЕ ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА, ОБУСЛОВЛЕННОЙ ИНЕРЦИОННОСТЬЮ ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА.
5.1. Введение
5.2. Зависимость высокочастотной проводимости и эффективной температуры носителей заряда в п- InSb, п- GaAs, р- и n-Ge от частоты и амплитуды греющего СВЧ поля
5.3. Модуляция диэлектрической проницаемости полупроводника сильным СВЧ полем.
5.4. Расчет коэффициента модуляции параметрического элемента
5.5. Выводы.
Глава 6.
ВЛИЯНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВАРАКТОРОВ НА ИХ ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАМЕТРИЧЕСКИХ УСИЛИТЕЛЕЙ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА.
Список литературы
- Бломберген Н. Нелинейная оптика: Пер. с англ. / Под ред. С. А. Ахманова и Р. В. Хохлова. М.: Мир, 1966. — 424 с.
- Шен И. Р. Принципы нелинейной оптики: Пер. с англ. / Под ред. С. А. Ахманова. М.: Наука, 1989. — 560 с.
- Руденко О.В., Солуян С. И. Теоретические основы нелинейной акустики. -М.: Наука, 1975.-287 с.
- Хаяси Т. Нелинейные колебания в физических системах: Пер. с англ. / Под ред. В. Е. Боголюбова. М.: Мир, 1968. — 432 с.
- Сухоруков А.П. Нелинейные волновые взаимодействия в оптике и радиофизике. М.: Наука, 1988. — 232 с.
- Нелинейные акустоэлектронные устройства и их применение /B.C. Бон-даренко, Б. Г. Бочков, B.JI. Громашевский, В.В. Соболев- Под ред. B.C. Бондаренко. М.: Радио и связь, 1985. — 160 с.
- Уизем Дж. Линейные и нелинейные волны: Пер. с англ. / Под ред. А. Б. Шабата. М.: Мир, 1977. — 624 с.
- Скотт Э. Волны в активных и нелинейных средах в приложении к электронике: Пер. с англ. / Под ред. Л. А. Островского, М. И. Рабиновича. -М.: Сов. радио, 1977. 368 с.
- Нелинейные волны / Под ред. С. Лейбовича и А. Сибасса- Пер. с англ. под ред. A.B. Гапонова и Л. А. Островского. М.: Мир, 1977. -Гл. 7. Фил-липс О. М. Взаимодействие волн. — С. 197−220.
- Пейн Г. Физика колебаний и волн: Пер. с англ. / Под ред. Г. В. Скроцко-го. М.: Мир, 1979.-392 с.
- Рабинович М.И., Трубецков Д. И. Введение в теорию колебаний и волн: Учебное пособие. М.: Наука, 1984. — 432 с.
- Нелинейные волны. Динамика и эволюция: Сб. научн. тр. / Под ред. A.B.
- Гапонова-Грехова и М. И. Рабиновича. М.: Наука, 1989. — 400 с.
- Анищенко B.C. Сложные колебания в простых системах: Механизмы возникновения, структура и свойства динамического хаоса в радиофизических системах. М.: Наука, 1990. — 312 с.
- Конторович М.И. Нелинейные колебания в радиотехнике (автоколебательные системы). М.: Сов. радио, 1973. — 320 с.
- Нелинейные волны: Спец. вып. Горький: Изд-во Горьк. ун-та, 1976. -631−943 с. — (Изв. ВУЗов. Радиофизика. — 1976. — Т. 19, № 5/6).
- Габов С.А. Введение в теорию нелинейных волн. М.: Изд-во МГУ, 1988.- 176 с.
- Ланда П.С. Нелинейные колебания и волны. М.: Физматлит, 1997. — 495 с.
- Кац Л.И., Сафонов A.A. Взаимодействие электромагнитных колебаний сверхвысоких частот с плазмой носителей заряда в полупроводнике: В 2-х частях. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. — Ч. 1. — 140 е.- Ч. 2. — 134 с.
- Нелинейные электромагнитные волны: Пер. с англ. / Под ред. П. Услен-ги. М.: Мир, 1983.-312 с.
- Усанов Д.А., Скрипаль A.B. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. — 376 с.
- Заславский Г. М., Сагдеев Р. З. Введение в нелинейную физику: От маятника до турбулентности и хаоса. М.: Наука, 1988. — 368 с.
- Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях: Пер. с англ. / Под ред. И. Б. Левинсона и Ю. К. Пожелы. М.: Мир, 1970.-384 с.
- Денис В., Пожела Ю. Горячие электроны. Вильнюс: Минтис, 1971. -289 с.
- Кэррол Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах / Пер. с англ. М. Е. Левинштейна, М.С. Шура- Под ред. Б. Л. Гельмонта. М.: Мир, 1972.382 с.
- Левинштейн М.Е., Пожела Ю. К., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. радио, 1975.-288 с.
- Климов Б.Н. Взаимодействие горячих носителей заряда с коротковолновым СВЧ излучением. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1976. — 222 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984. Кн 1. — 456 с. Кн.2. — 456 с.
- Хотунцев Ю.Л. Нелинейные задачи полупроводниковой электроники СВЧ // Нелинейные проблемы полупроводниковой электроники СВЧ: Межвуз. сб. научн. трудов. М.: МГПИ им. В. И. Ленина, 1986. — С. 3−16.
- Люиселл У. Связанные и параметрические колебания в электронике: Пер. с англ. / Под ред. А. Н. Выставкина. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1963.-352 с.
- Блекуэлл Л.А., Коцебу К. Л. Параметрические усилители на полупроводниковых диодах: Пер. с англ. / Под ред. А. Н. Выставкина. М.: Мир, 1964. -242 с.
- Эткин B.C., Гершензон Е. М. Параметрические системы на полупроводниковых диодах. М.: Сов. радио, 1964. — 351 с.
- Регенеративные полупроводниковые параметрические усилители: Некоторые вопросы теории и расчета / Васильев В. Н., Слободенюк Г. И., Трифонов В. И., Хотунцев Ю.Л.- Под ред. В. В. Мигулина. М.: Сов. радио, 1965.-447 с.
- Лопухин В.М., Рошаль A.C. Электроннолучевые параметрические усилители. М.: Сов. радио, 1968. — 240 с.
- Бобров И.Н. Параметрические усилители и преобразователи СВЧ. Киев: Техника, 1969. — 240 с.
- Филатов К.В. Введение в инженерную теорию параметрического усиления. М.: Сов. радио, 1971. — 175 с.
- Железовский Б.Е. Электроннолучевые параметрические СВЧ-усилители. -М.: Наука, 1971. -384 с.
- Грабовски К. Параметрические усилители и преобразователи с емкостным диодом: Пер. с польск. / Под ред. М. Е. Герценштейна. М.: Сов. радио, 1974. — 304 с.
- Полупроводниковые параметрические усилители и преобразователиi
- СВЧ / B.C. Эткин, А. С. Берлин, П. П. Бобров и др.- Под ред. B.C. Эткина.- М.: Радио и связь, 1983. 304 с.
- Van-der-Ziel A. On the mixing properties of non-linear condensers // J. Appl. Phys. 1948. -Vol. 19, № 11. — P. 999−1006.
- Вул Б.М. О емкости переходных слоев в полупроводниках // ДАН СССР.- 1954. Т. 96, № 2. — С. 257−259.
- Вул Б.М. О диэлектрических свойствах переходных слоев в полупроводниках // ЖТФ. 1955. — Т. 25, вып. 1. — С. 3−10.
- Uhlir A.Jr. The potential of semiconductor diodes in high-frequency communications // Proc. IRE. 1958. — Vol. 46, № 6. — P. 1099−1115.
- Herrmann G.F., Uenohara M., Uhlir A.Jr. Noise figure measurements on two types of variable reactance amplifiers using semiconductor diodes // Proc. IRE. 1958. — Vol. 46, № 6. — P. 1301−1303.
- Выставкин A.H. Регенеративные полупроводниковые параметрические усилители СВЧ // Зарубежная радиоэлектроника. Успехи современной радиоэлектроники. 1998. — № 8. — С. 34−39.
- Михайлов А.И. Твердотельные параметрические приборы сверхвысоких частот: Учебн. пособие / Под ред. проф. Климова Б. Н. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1989. — 155 с.
- Кальвиелло Дж.А., Лиджей П. Р., Смиловиц Б. Параметрические диоды миллиметрового диапазона с малыми паразитными параметрами // ТИИЭР. 1971. — Т. 59, № 3. — С. 90−91.
- Stover H.L., Leedy H.M., Morehead H.G. Solid-state devices and components for a 60 GHz communication system // NTC 73, Nat. Telecommun. Conf., Atlanta, Ga, 1973. New York, 1973. — Vol. 2. — P. 23A/1−23A/7.
- Calviello J.A., Wallace J.L., Bie P.R. High performance GaAs quasi-planar varactor for millimeter waves // IEEE Trans. 1974. — Vol. ED-21, № 10. — P. 624−630.
- СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение / Под ред. Г. Уотсо-на- Пер. с англ. под ред. B.C. Эткина. М.: Мир, 1972. — 662 с.
- Широкополосный параметрический усилитель 8-мм диапазона волн / А. С. Берлин, Ю. А. Милицкий, И. А. Струков и др. // Радиотехника и электроника. 1973. — Т. 18, вып. 2. — С. 423−425.
- Широкополосные параметрические усилители 8-миллиметрового диапазона волн / В. В. Корогод, Ю. А. Милицкий, И. А. Струков, B.C. Эткин // Изв. ВУЗов. Радиофизика. 1973. — Т. 16, № 5. — С. 688−690.
- Григорян Ф.А., Берлин А. С. Параметрический усилитель диапазона 70 ГГц для радиоастрономической аппаратуры // Радиотехника и электроника. 1973. — Т. 18, вып. 2. — С. 426−428.
- Okean Н.С., Asmus J.R., Steffek L.J. Low noise, 94 GHz parametric amplifier development // IEEE G-MTT Int. Microwave Symp., Boulder, Colo, 1973. -New York, 1973.-P. 78−79.
- Исиченко В.И., Касьяненко А. П. Вырожденный параметрический усилитель восьмимиллиметрового диапазона на бескорпусных ДБШ // Физика и техника миллиметровых и субмиллиметровых волн: Сб. научн. тр. -Киев: Наук, думка, 1983. С. 261−266.
- Руденко В.М., Халяпин Д. Б., Магнушевский В. Р. Малошумящие входные цепи СВЧ приемных устройств. М.: Связь, 1971. — 279 с.
- Шутенко М.С. Малошумящие усилители СВЧ. М.: Воениздат, 1966. -151 с.
- Розанов Б.А., Розанов С. Б. Приемники миллиметровых волн. М.: Радио и связь, 1989. — 168 с.
- Гуляев Ю.В., Кравченко В. Ф., Струков И. А. Использование миллиметровых волн для диагностики поверхности и атмосферы Земли и в фундаментальных исследованиях // Радиотехника. 1995. — № 3−4. — С. 83−87.
- Наноэлектронные СВЧ-транзисторы на основе гетероструктур соединений А3В5 с двумерным электронным газом / В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, A.B. Гук и др. // Зарубежная радиоэлектроника. Успехи современной радиоэлектроники. 1998. — № 8. — С. 40−61.
- Омические контакты и барьеры Шоттки на фосфиде индия, полученные вакуумным испарением различных металлов / Т. М. Зубкова, A.M. Зубков, Е. И. Фураева и др. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1977. — Вып. 5. — С. 25−35.
- Кадзияма К., Саката С., Мицусима Е. Приборы с низкими барьерами Шоттки // ТИИЭР. 1974. — Т. 62, № 9. — С. 123−124.
- Кадзияма К., Мидзусима Е. Оптимизация высоты барьера на базе согласования сопротивлений // ТИИЭР. 1978. — Т. 66, № 5. — С. 82−83.
- Заболотская Е.А., Солуян С. И., Хохлов Р. В. Параметрический усилитель ультразвука// Акуст. журн. 1966. — Т. 12, вып. 2. — С. 188−191.
- Parametric amplification of ulyrasonic waves in CdS / Zemon S., Zucker J., Wasko J.H. et al. // Appl. Phys. Lett. 1968. — Vol. 12, № 11. — P. 378−380.
- Gulayev Yu.V., Zilberman P.E. On the theory of parametric amplification of ultrasonic waves in semiconductor // Phys. Lett. 1969. — Vol. 30A, № 7. — P. 378−379.
- Заболотская Е.А., Солуян С. И., Хохлов Р. В. Ультразвуковой комбинированный усилитель на сульфиде кадмия // Акуст. журн. 1966. — Т. 12, вып. 4. — С. 435−442.
- Левин В.М., Пустовойт В. И. О нелинейном взаимодействии квазиколли-неарных акустических волн в пьезополупроводниках // ФТТ. 1976. — Т. 18, вып. 10. — С. 3023−3027.
- Кейс В.Н. Параметрическое усиление электромагнитных волн в среде с кубичной нелинейностью // Изв. ЛЭТИ. 1975. — Вып. 161.-С. 12−15.
- Параметрическое и нелинейное взаимодействие электромагнитных волн в параэлектриках / Л. Г. Гассанов, С. В. Кошевая, Т. Н. Нарытник, М. Ю. Омельяненко // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1978. — Т. 21, № 10. — С. 56−63.
- Островский Л.А., Яхно В. Г. О взаимодействии волн в полупроводниках с непараболичной зоной проводимости // ФТТ. 1973. — Т. 15, вып. 2. — С. 427−433.
- Кац Л.И., Сафонов A.A. Эффект усиления электромагнитных колебаний субмиллиметрового диапазона при параметрическом взаимодействии волн в плазме полупроводника с горячими носителями // Радиотехника и электроника. 1979. — Т. 24, вып. 4. — С. 820−822.
- Назаров A.B., Гуревич А. Г. Параметрическое возбуждение спиновых волн в одноосных ферритах // ЖТФ. 1998. — Т. 68, вып. 5. — С. 65−71.
- Попков А.Ф., Фетисов Ю. К., Островский Н. В. Параметрическое взаимодействие объемных магнитостатических волн в пленке феррита с пространственно-временной модуляцией магнитного поля // ЖТФ. 1998. -Т. 68, вып. 5.-С. 105−112.
- Комиссарова М. В, Сухоруков А. П., Терешков В. А. О параметрическом усилении бегущих волн с кратными частотами // Изв. РАН. Сер. физ. -1997. Т. 61, № 12. — С. 2298−2302.
- Сухоруков A.A. К теории параметрически связанных солитонов с учетом дисперсии высших порядков // Изв. РАН. Сер. физ. 1997. — Т. 61, № 12. -С. 2348−2352.
- Поляков С.В., Сухоруков А. П. Медленные и неподвижные параметрические солитоны в периодически неоднородных средах // Изв. РАН. Сер. физ. 1997. — Т. 61, № 12. — С. 2353−2358.
- Барыбин A.A. Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами. М.: Наука, 1986. — 288 с.
- Перспективы интегральной электроники СВЧ / A.A. Барыбин, И.Б. Вен-дик, О. Г. Вендик и др. // Микроэлектроника. 1979. — Т. 8, вып. 1. — С. 319.
- Красильник З.Ф., Рабинович М. И. Генерация параметрически связанных волн в ганновских полупроводниках // ФТП. 1975. — Т. 9, вып. 1. — С. 113−115.
- Шур М. С. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. М.: Мир, 1991. — 632 с.
- Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ / Под ред. М. Хауэса, Д. Моргана- Пер. с англ. под ред. В. С. Эткина. М.: Мир, 1979. — 444 с.
- Царапкин Д.П. Генераторы СВЧ на диодах Ганна. М.: Радио и связь, 1982.- 112 с.
- Состояние и основные проблемы разработки генераторов миллиметрового диапазона на диодах Ганна (обзор) / H.A. Васильев, B.C. Лукаш, В. В. Муравьев, В. И. Шалатонин // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1985. — Т. 28, № 10. — С. 42−50.
- Давыдова Н.С., Данюшевский Ю. З. Диодные генераторы и усилители СВЧ. М.: Радио и связь, 1986. — 184 с.
- Косов A.C., Еленский В. Г. Генераторы гармоник миллиметрового диапазона на основе диодов Ганна // Зарубежная радиоэлектроника. 1987.2. С. 54−65.
- Косов A.C., Струков И. А. Эквивалентные параметры диода Ганна в двухчастотном режиме // Радиотехника и электроника. 1978. — Т. 23, вып. 10.-С. 2208−2211.
- Стил М., Вюраль Б. Взаимодействие волн в плазме твердого тела / Пер. с англ. И. С. Веселовского. М.: Атомиздат, 1973. — 248 с.
- Платцман Ф., Вольф П. Волны и взаимодействия в плазме твердого тела / Пер. с англ. Е.З. Мейлихова- Под ред. В. Г. Скобова. М.: Мир, 1975. -436 с.
- Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. -М.: Наука, 1977. 368 с.
- Владимиров В.В., Волков А. Ф., Мейлихов Е. З. Плазма полупроводников. М.: Атомиздат, 1979. — 256 с.
- Балодис Ю.Н., Лутовинов С. И. Устройства функциональной электроники. Ч. 1. Акустоэлектронные устройства. Л.: ЛИЭС, 1988. — 63 с.
- Хорунжий В.А., Долбня Е. В., Богатов П. Н. Акустоэлектроника. Киев: Техника, 1984. — 152 с.
- Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты: элементы и устройства на поверхностных акустических волнах. М.: Сов. радио, 1980. -264 с.
- Семенов Э.А., Посадский В. Н. Развитие СВЧ-техники объемных и поверхностных акустических волн // Радиотехника. 1999. — № 4. — С. 8185.
- Прохоров Э.Д., Белецкий H.H. Полупроводниковые материалы для приборов с междолинным переносом электронов. Харьков: Вища школа, 1982.- 144 с.
- Travelling-wave amplifier using epitaxial GaAs layer / R.H. Dean, A.B. Dreeben, J.F. Kaminski, A. Triano // Electron. Lett. 1970. — Vol. 6, № 24.1. P. 775−776.
- Дин P., Матарезе P. Новый тип СВЧ-транзистора усилитель бегущей волны на n-GaAs // ТИИЭР. — 1972. — Т. 60, № 12. — С. 23−43.
- Барыбин A.A., Пригоровский В. М. Волны в тонких слоях полупроводников с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Физика. 1981. — Т. 24, вып. 8. — С. 28−41.
- Rees H.D. Hot electron effects at microwave frequencies in GaAs 11 Solid State Com. 1969. — Vol. 7, № 2. — P. 267−269.
- Белоусов Н.П., Мартыненко Е. И., Чайка B.E. О верхнем частотном пределе эффекта Ганна в n-GaAs в режиме малого сигнала // Радиотехника и электроника. 1982. — Т. 27, вып. 1. — С. 186−187.
- Белоусов Н. П., Чайка В. Е. Частотная зависимость отрицательной проводимости InP в режиме малого сигнала // Укр. физ. журн. 1984. — Т. 29, вып. 4. — С. 627−628.
- Стариков Е., Шикторов П. Исследование спектра дифференциальной подвижности методом Монте-Карло // Лит. физ. сб. 1992 — Т. 32, № 4. -С. 471−519.
- Кайно В., Робсон П. Ганновские приборы уменьшенных поперечных размеров // ТИИЭР. 1968. — Т. 56, № 11. — С. 231−232.
- Кумабе К., Кояма Д. Двумерный анализ волн пространственного заряда в усилителе бегущей волны на кристалле арсенида галлия // Дэнси цусин гаккай ромбунси. 1974. — Т. 57, № 6. — С. 179−186.
- Fawcett W., Rees H.D. Calculation of the hot electron diffusion rate for GaAs // Phys. Lett. 1969. — Vol. 29A, № 10. — P. 578−579.
- Dean R.H., Robinson B.B. Space-charge waves in partially depleted negative-mobility media // IEEE Trans. 1974. — Vol. ED-21, № 1. — P. 61−69.
- Kumabe K., Kanbe H. GaAs travelling-wave amplifier // Int. J. Electronics. -1985. Vol. 58, № 4. — P. 587−611.
- Михайлов А.И., Сергеев С. А. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1998. — Вып. 4. — С. 75−76.
- Михайлов А.И. Влияние частотной дисперсии отрицательной дифференциальной подвижности электронов на усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах арсенида галлия и фосфида индия // Письма в ЖТФ. 1995. — Т. 21, вып. 21. — С. 89−95.
- Михайлов А.И., Сергеев С. А. Влияние концентрации электронов в пленке арсенида галлия на граничную частоту усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // Письма в ЖТФ. 1999. — Т. 25, вып. 4. — С. 85−90.
- Барыбин А.А. Влияние многослойной диэлектрической среды на дисперсионные свойства тонких полупроводниковых пленок // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1977. — Т. 20, № 9. — С. 118−120.
- Диффузия горячих электронов / В. Барейкис, А. Матуленис, Ю. Пожела и др.- Под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Мокслас, 1982. — 212 с.
- Brennan К., Hess К. High field transport in GaAs, InP and InAs II Sol. St. El.- 1984. Vol. 27, № 4. — P. 347−357.
- Masselink W.T., Kuech T.F. Velocity-Field Characteristics of Electrons in Doped GaAs II J. Electronic Materials. 1989. — Vol. 18, № 5. — P. 579−584.
- Kliefoth K., Petzel B. Velocity-Field Characteristics of GaAs Gunn Diodes with Different Impurity Concentration // Phys. stat. sol. (a). 1977. — Vol. 42, № 2. — P. K133-K135.
- Gunn J.B. Microwave oscillations of current in III V semiconductors // Solid St. Commun. — 1963. — Vol. 1, № 4. — P. 88−91.
- Gunn J.B. Instabilities of current in III V semiconductors // IBM Journ. Res. Dev. — 1964 — Vol. 8, № 2. — P. 141−159.
- Wandinger L. Mm-wave InP Gunn devices: status and trends // Microwave J.- 1981. Vol. 24, № 3. — P. 71, 75−78.
- Бородовский П.А., Осадчий B.M. Междолинный перенос электронов в3 5полупроводниках, А В . Новосибирск, 1987. — 171 с.
- Eddison I.G., Davies I. Indium phosphide transferred electron oscillators for millimetre-wave frequencies // Radio and Electron. Eng. 1982 — Vol. 52, № 11−12.-P. 529−533.
- Михайлов А.И., Сергеев С. А. Эффективность возбуждения волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре одиночным полосковым барьером Шоттки // ЖТФ. 1999. — Т. 69, вып. 1. -С. 128−130.
- Михайлов А.И. Динамические параметры варакторных диодов Шоттки с малым значением высоты потенциального барьера // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. — Вып. 6 (330). — С. 28−30.
- Иванченко В.А., Климов Б. Н., Михайлов А. И. Усиление высокочастотных волн в полупроводниках с ОДП // ФТП. 1978. — Т. 12, вып. 3. — С. 601−603
- Федорченко A.M. Об одном эффективном методе генерации разностной частоты при помощи нелинейной среды // Радиотехника и электроника. -1966. Т. 11, вып. 4. — С. 693−698.
- Иванченко В.А., Климов Б. Н., Михайлов А. И. Параметрическое взаимодействие высокочастотных волн в n-GaAs II ФТП. 1979. — Т. 13, вып. 6. -С. 1172−1174.
- Тьен П.К. Параметрическое усиление и преобразование частот в системах с бегущими волнами // Радиотехника и электроника за рубежом. -1959.-№ 3.-С. 62−80.
- Игнатьев Ю.М., Михайлов А. И. Параметрическое усиление волн пространственного заряда в полупроводнике с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1990. — Т. 33, № 10. — С. 76−78.
- Михайлов А.И., Сергеев С. А. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1995. — Т. 38, № 10. — С. 43−51.
- Михайлов А.И. Экспериментальное исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия // Письма в ЖТФ. 2000. — Т. 26, вып. 5. — С. 80−85.
- Любченко В.Е., Макеева Г. С., Нефедов Е. И. Активные устройства СВЧ-диапазона с распределенными параметрами (обзор) // Радиотехника и электроника. 1982. — Т. 27, вып. 9. — С. 1665−1682.
- Ганстон М.А. Р. Справочник по волновым сопротивлениям фидерных линий СВЧ. М.: Связь, 1976. — 150 с.
- Малорацкий Л.Г. Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ. -М.: Сов. радио, 1976. 216 с.
- Гвоздев В.И., Нефедов Е. И. Объемные интегральные схемы СВЧ. М.: Наука, 1986. — 256 с.
- Микроэлектронные устройства СВЧ: Учеб. пособие для радиотехнических специальностей вузов / Г. И. Веселов, E.H. Егоров, Ю. Н. Алехин и др.- Под ред. Г. И. Веселова. М.: Высшая школа, 1988. — 280 с.
- Патент 2 081 482 РФ, МКИ Н 01 Р 5/107. Волноводно-копланарный переход / А. И. Михайлов, С. А. Сергеев (РФ). № 94 022 119/09- Заявлено 16.06.94.- Опубл. 10.06.97., Бюл. № 16.
- Михайлов Н.И., Левицкий A.A., Михайлов A.B. Влияние обратной связи на амплитудно-частотные характеристики полупроводникового усилителя бегущей волны // Изв. ЛЭТИ. 1986. — Вып. 375. — С. 64−69.
- Свидетельство на полезную модель 9351 РФ, МКИ 6 Н 03D 7/00. Преобразователь частоты СВЧ диапазона / А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Ю. М. Игнатьев (РФ). № 98 117 279- Заявлено 31.08.98.- Опубл. 16.02.99., Бюл. № 2.
- Фильтрация сигналов в устройствах на волнах пространственного заряда в полупроводниках / А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, A.A. Горячев, И. В. Митин // Электродинам, и техн. СВЧ и КВЧ. 1999. — Т. 7, № 3. — С. 101 102.
- Патент 2 138 116 РФ, МКИ Н 03 D 7/00, 7/12, Н 01 L 27/095. Преобразователь частоты СВЧ диапазона / А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Ю. М. Игнатьев (РФ). № 98 116 381/09- Заявлено 31.08.98.- Опубл. 20.09.99., Бюл. № 26.
- Шапиро Д.Н., Паин А. А. Основы теории синтеза частот. М.: Радио и связь, 1981.-264 с.
- Barybin A. A. Quasistatic solution of normal mode problem in semiconductor films without magnetic field // J. Appl. Phys. 1975. — Vol. 46, № 4. — P. 1697−1706.
- Гуревич Г. Jl., Коган А. Л. Нелинейные эффекты в усилительных диодах Ганна//ФТП. 1978. -Т. 12, вып. 8. — С. 1518−1523.
- Гуревич Г. Л., Коган А. Л., Коробков Г. М. Характеристики распределенного смесителя СВЧ-диапазона, использующего волны пространственного заряда в тонких полупроводниковых пленках // Радиотехника и электроника. 1984. — Т. 29, вып. 2. — С. 333−340.
- Барыбин А.А., Михайлов А. И. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // ЖТФ. 2000. — Т. 70, вып. 2. — С. 48−52.
- Барыбин А.А., Михайлов А. И., Клецов А. А. Коэффициенты связи волн пространственного заряда при их параметрическом взаимодействии в тонкопленочных структурах арсенида галлия // Электродинам, и техн. СВЧ и КВЧ. 1999. — Т. 7, № 2. — С. 88.
- Barybin A. A. On the generalized theory of normal mode excitation in electromagnetic and polarized medium waveguides by external sources // J. Appl. Phys. 1975. — Vol. 46, № 4. — P. 1707−1720.
- Вайнштейн JI. А. Электромагнитные волны. М.: Радио и связь, 1988. -440 с.
- Barybin A. A. Modal expansions and orthogonal complements in the theory of complex media waveguide exitation by exernal sources for isotropic, anisotropic and bianisotropic media // Progress in Electromagnetics Research
- Ed. J. A. Kong. Cambridge, 1998. — P. 241−300.
- Барыбин A.A., Степанова М. Г. Перенос мощности и энергетическая нормировка волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // Изв. ЛЭТИ. 1991. — Вып. 437. — С. 61−64.
- Барыбин A.A. Энергетические характеристики волн носителей в невырожденной полупроводниковой плазме // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1978.-Т. 21, № 10.-С. 45−55.
- Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям / Пер. с нем. C.B. Фомина. 5-е изд., стереотип. — М.: Наука, 1976. — 576 с.
- Кальфа A.A., Пореш С. Б., Тагер A.C. Эффект Ганна на высоких частотах // Обзоры по электронной технике. Сер.1. Электроника СВЧ. Вып.4. -М.: ЦНИИ «Электроника», 1984. — 34 с.
- Хокни Р., Иствуд Дж. Численное моделирование методом частиц: Пер. с англ. М.: Мир, 1987. — 640 с.
- Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972. — 415 с.
- Пореш С.Б., Тагер A.C., Кальфа A.A. Математическое моделирование и анализ на ЭВМ высокочастотных характеристик диодов Ганна // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1976. — Вып. 10. — С. 19−31.
- Чайка В.Е. О сравнении двухтемпературной и однотемпературной моделей диода Ганна // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. -1979. Вып. 1.-С. 99−100.
- Голант Е.И., Кальфа A.A., Пореш С. Б., Тагер A.C. Моделирование на
- ЭВМ диодов Ганна миллиметрового диапазона длин волн // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. -1981. Вып.7. — С. 23−28.
- Параметрическое усиление СВЧ-колебаний в стабилизированном сверхкритическом диоде Ганна / А. А. Бушков, В. А. Иванченко, Б. Н. Климов, А. И. Михайлов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. -Вып. 7(331).-С. 49−50.
- Коуплэнд Дж. А. Генератор с большим КПД, работающий в режиме ОНОЗ // ТИИЭР. 1969. — Т. 57, № 10. — С. 91−93.
- Кальфа А.А., Пореш С. Б., Тагер А. С. Об эквивалентной схеме стабилизированных диодов на междолинном электронном переносе // Радиотехника и электроника. 1977. — Т. 22, вып. 12. — С. 2599−2603.
- А. с. 1 154 730 СССР, МКИ Н 03 F 3/10. Способ усиления мощности СВЧ-колебаний / В. А. Иванченко, Б. Н. Климов, А. И. Михайлов (СССР). № 3 491 447- Заявлено 14.09.82.- Опубл. 07.05.85., Бюл. № 17.
- Иванченко В.А., Климов Б. Н., Михайлов А. И. Параметрическое взаимодействие СВЧ-колебаний в диоде Ганна // ФТП. 1980. — Т. 14, вып. 6. -С. 1238−1240.
- Калинин В.И., Герштейн Г. М. Введение в радиофизику / Под ред. В. И. Калинина. М.: Гос. изд-во техн.-теоретич. лит., 1957. — 660 с.
- Михайлов А.И. Усовершенствованный вариант однотемпературной модели эффекта Ганна в арсениде галлия // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1999.-Т. 42, № 10.-С. 46−50.
- Curtice W.R., Purcell J.J. Analysis of the LSA Mode Including Effects of Space Charge and Intervalley Transfer Time // IEEE Trans. 1970. — Vol. ED17, № 12.-P. 1048−1060.
- Чайка B.E. О работе диодов Ганна в пролетном режиме при различных типах контактов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. -1976.-Вып.6.-С. 51−60.
- Kroemer Н. Hot-electron relaxation effects in devices // Solid-St. Electronics. 1978.-Vol. 21, № 1.-P. 61−67.
- Левинштейн M.E. Новые результаты в исследовании междолинного перехода горячих электронов (Обзор) // ФТП. 1979. — Т. 13, вып.7. — С. 1249−1268.
- Исследование взаимодействия излучения миллиметрового диапазона с полупроводниковой Gcb4s-cTpyKTypofi / С. В. Плаксин, Л. М. Погорелая, В. Н. Привалов, И. И. Соколовский // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1988. — Вып. 8. — С. 31−32.
- Pozela J., Reklaitis A. Diffusion coefficient of hot electrons in GaAs 11 Solid St. Comm. 1978. — Vol. 27, № 11. — P. 1073−1077.
- Heinle W. Displaced Maxwellian calculation of transport in n-type GaAs II Phys. Rev. 1969. — Vol. 178, № 3. — P. 1319−1325.
- Glover H.H. Study of electron energy relaxation times in GaAs and InP 11 J. Appl. Phys. 1973. — Vol. 44, № 3. — P. 1295−1301.
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М: Наука, 1977. — 672 с.
- Гружинскис В., Миколайтис Г., Реклайтис А. Эффект Ганна в субмикронных GaAs диодах // Лит. физ. сб. 1988. — Т. 28, № 4. — С. 478−481.
- Rydberg A. Theoretical and experimental investigation of millimeter-wave TED’s in cross-waveguide oscillators // Int. J. of Infrared and Millimeter Wawes. 1985. — Vol. 6, № 7. — P. 635−647.
- Наливайко Б.А., Божков В. Г., Неудахин В. И. Диоды Ганна для твердотельных перестраиваемых генераторов // Электронная промышленность.- 1991.-№ 7.-С. 58−67.
- Theoretical contribution to the design of millimeter-wave TEO’s / M.-R. Friscourt, P.-A. Rolland, A. Cappy et. al. // IEEE Trans. 1983. — Vol. ED-30, № 3. — P. 223−229.
- Приконтактный разогрев электронов и динамика доменов в коротких диодах Ганна / А. А. Кальфа, С. Н. Коноплянников, С. Б. Пореш, А.С. Та-гер // ФТП. 1981. — Т. 15, вып. 7. — С. 1359−1362.
- Аркуша Ю.В., Попов A.M., Прохоров Э. Д. Оптимальные профили легирования диодов Ганна мм-диапазона при 300 и 500 К // Радиотехника и электроника. 1990. — Т. 35, вып. 7. — С. 1552−1553.
- Ondria J., Ross R.L. Profile tailoring of MMW devices for improved fundamental and second harmonic oscillators // SBMO Int. Symp. Proc., Rio de Janeiro, July 27−30, 1987- Gathering World Though Microwaves. -Vol. 1. -Sao Paulo, 1987.-P. 173−178.
- Зубович H.A., Цвирко Ю. А. Характеристики диода Ганна в режиме генерации второй гармоники // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1990. -Вып. 1.- С. 31−35.
- W-band GaAs Gunn diodes with high output power / J.M. Szubert, J. Barstow, R.B. Beall, J.J. Harris // Sol.-State Electronics. 1990. — Vol. 33, № 8. P. 1035−1037.
- Михайлов А.И., Панфилов В. Б. Спектр тока диода Ганна с линейно изменяющейся концентрацией примеси в активном слое // Взаимодействие электромагнитных волн с твердым телом: Труды 3 Всесоюз. школы-семинара. Саратов: Изд-во Сарат ун-та, 1991. — С. 132.
- Михайлов А.И., Панфилов В. Б. Влияние профиля легирования активной области диода Ганна на форму тока и амплитуды его гармонических составляющих // Изв.ВУЗов. Радиоэлектроника. 1992. — Т. 35, № 1. — С. 7680.
- Михайлов А.И., Лернер Д. М. Теоретическое и экспериментальное исследование влияния напряжения питания на основную частоту колебаний генераторов Ганна в пролетном режиме // Электродинам, и техн. СВЧ и КВЧ. 1999. — Т. 7, № 2. — С. 143.
- Михайлов А.И., Лернер Д. М. Связь динамики домена с формой прика-тодной «зарубки» диода Ганна // Письма в ЖТФ. 1998. — Т. 24, вып. 21. -С. 16−22.
- Михайлов А.И., Лернер Д. М. Сравнительный анализ динамики зарядов в структурах диодов Ганна на n-GaAs и n-InP // Электродинам, и техн. СВЧ и КВЧ. 1999. — Т. 7, № 2. — С. 99.
- Carroll J.E. Resonant-circuit operation of Gunn diodes: a self-pumped parametric oscillator // Electron. Lett. 1966. — Vol. 2, № 6. — P. 215−216.
- Copeland J.A. CW operation of LSA oscillator diodes 44 to 88 GHz // The Bell System Technical J. — 1967. — Vol. 46, № 1. — P. 284−287.
- Frey W., Pollmann H., Engelmann R.W.H., Bosch B.G. Influence of second-harmonic frequency termination on Gunn-oscillator performance // Electron. Lett. 1969. — Vol. 5, № 26. — P. 691−693.
- Рейнольде Дж. Ф., Берсон Б. Е., Энстром Р. Е. Генераторы с высоким КПД, основанные на переносе электронов // ТИИЭР. 1969. — Т. 57, № 10.-С. 119−120.
- Трофтон П. Исследование резонансной системы для диодов Ганна с независимой настройкой по основной частоте и второй гармонике //
- ТИИЭР. 1970. — Т. 58, № 8. — С. 148−149.
- Йеппссон Б., Иеппесен П. ОНОЗ-генератор релаксационных колебаний большой мощности // ТИИЭР. 1969. — Т. 57, № 7. — С. 111−113.
- Ruttan T.G. High-frequency Gunn oscillators // IEEE Trans. 1974. — Vol. MTT-22, № 2. — P. 142−144.
- Ruttan T.G. Gunn-diode oscillator at 95 GHz // Electron. Lett. 1975. — Vol. 11, № 14. -P. 293−294.
- Косов A.C., Струков И. А. Экспериментальное исследование возможности выделения мощности 2-й гармоники в генераторах Ганна // 2 Всесо-юз. симп. по миллиметровым и субмиллиметровым волнам: Тез. докл. -Харьков, 1978. Т. 2. — С. 8−9.
- Генерация СВЧ-колебаний на второй гармонике резонатора / Э. Д. Прохоров, Н. Е. Полянский, Н. И. Белецкий, А. А. Дрогаченко // Радиотехника и электроника. -1979. Т. 24, вып. 6. — С. 1232−1234.
- Косов А.С., Попов В. И., Струков И. А. Исследование возможности расширения частотного диапазона генераторов Ганна при помощи бигармо-нического режима // Радиотехника и электроника. 1980. — Т. 25, вып. 10. -С. 2127−2135.
- Андреев B.C. Теория нелинейных электрических цепей. М.: Связь, 1972. — 328 с.
- Carroll J.E. Mechanisms in Gunn effect microwave oscillators // The Radio and Electronic Eng. 1967. — Vol. 34, № i. p. 17.30.
- Eddison I.G., Brookbanks D.M. Operating modes of millimetre wave transferred electron oscillators // Electron. Lett. 1981. — Vol. 17, № 3. — P. 112−113.
- Essen H. Investigations on the operatig modes of millimetre wave Gunn-oscillators // Microwave J. 1982. — Vol. 25, № 9. p. 150−152.
- Исследование диодов Ганна из арсенида галлия в коротковолновой части миллиметрового диапазона / В. В. Аверин, Б. Ф. Горбик, С. Б. Пореш, А. С. Тагер // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1983. — Вып. 6.- С. 24−28.
- А. с. 1 319 232 СССР, МКИ Н 03 В 7/14. Генератор второй гармоники / В. А. Двинских, А. И. Михайлов, В. А. Иванченко, С. Г. Калинин (СССР). -№ 3 881 843- Заявлено 08.04.85.- Опубл. 23.06.87., Бюл. № 23.
- Патент 2 019 902 РФ, МКИ Н 03 В 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В. А. Двинских, А. И. Михайлов, Б. Н. Климов, С. Г. Калинин (РФ). № 4 948 294- Заявлено 26.06.91.- Опубл. 15.09.94., Бюл. № 17.
- Свидетельство на полезную модель 5304 РФ, МКИ Н 03 В 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В. А. Двинских, А. И. Михайлов, Б. Н. Климов (РФ). № 96 117 340- Заявлено 26.08.96.- Опубл. 16.10.97., Бюл. № 10.
- Свидетельство на полезную модель 11 942 РФ, МКИ Н 03 В 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В. А. Двинских, А. И. Михайлов, К. А. Разумихин (РФ).-№ 99 112 087/20- Заявлено 08.06.99.- Опубл. 16.11.99., Бюл. № И.
- Свидетельство на полезную молель 3846 РФ, МКИ Н 03 В 7/14. Генераторный сверхвысокочастотный диод / В. А. Двинских, А. И. Михайлов, Б. Н. Климов, С. Г. Калинин (РФ). № 95 110 895- Заявлено 04.07.95.- Опубл. 16.03.97., Бюл. № 3.
- Двинских В.А., Климов Б. Н., Михайлов А. И. Генератор второй гармоники / Сарат. межотраслевой территориальный ЦНТИ. Саратов, 1995. — 2 с. (Информ. листок № 113−95).
- Hay dl W.H. Harmonie operation of GaAs millimetrewave transferred electron oscillators // Electron. Lett. 1981. — Vol. 17, № 22. — P. 825−826.
- Haydl W.H. Fundamental and harmonic operation of millimeter-wave Gunn diodes // IEEE Trans. 1983. — Vol. MTT-31, № 11. — P. 879−889.
- Arora R.S., Sarma N.V.G. Experimental investigation of millimeter wave Gunn oscillator circuits in circular waveguides // Int. J. of Infrared and Millimeter Waves. 1985. — Vol. 6, № 10. — P. 951−971.
- Двинских В.А., Климов Б. Н., Михайлов А. И. Сверхвысокочастотный диод / Сарат. межотраслевой территориальный ЦНТИ. Саратов, 1995. — 2 с. (Информ. листок № 112−95).
- Михайлов А.И., Двинских В. А., Лернер Д. М. Связь коаксиальных резонаторов через кольцевую полупроводниковую структуру // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. 1999. — Т. 7, № 2. — С. 176.
- Licea I. Electron temperature in polar semiconductors // Phys. Stat. Sol.1968. Vol. 25, № 1. — P. 461−471.
- Gibson A.F., Granville J.W., Paige E.G.S. A study of energy-loss processes in germanium at high electric fields using microwave techniques // J. Phys. Chem. Sol. 1961. — Vol. 19, № ¾. — P. 198−217.
- Климов Б.Н., Иванченко B.A., Михайлов А. И. Частотная зависимость эффективной температуры в п — InSb, п — GaA s и p-Ge IIФТП. -1978. T. 12, вып. 1. — С. 204−206.
- Kane Е.О. Band structure of indium antimonide // J. Phys. Chem. Sol. 1957. -Vol. 1, № 4. — P. 249−261.
- Подвижность электронов в чистом п — InSb в диапазоне температур 20 -77 К / Е. М. Гершензон, И. Н. Куриленко, Л.Б. Литвак-Горская, Р. И. Рабинович // ФТП. 1973. — Т. 7, вып. 8. — С. 1501−1506.
- Смит Р. Полупроводники: Пер. с англ. / Под ред. и с предисл. В. П. Жузе. М.: Изд-во иностр. лит., 1962. — 467 с.
- Lawaetz P. Low-field mobility and galvanomagnetic properties of holes in germanium with phonon scattering // Phys. Rev. 1968. — Vol. 174, № 3. — P. 867−880.
- Пикус Г. Е. Рассеяние дырок в германии и кремнии // ЖТФ. 1957. — Т. 25, вып. 7. -С. 1606−1609.
- Модуляция диэлектрической проницаемости полупроводника сильным СВЧ-полем / А. А. Бушков, В. А. Иванченко, Б. Н. Климов, А. И. Михайлов // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1982. — Т. 25, № 10. — С. 95−97.
- Мак-Кракен Д., Дорн У. Численные методы и программирование на ФОРТРАНе / Пер. с англ. Б.Н. Казака- Под ред. и с доп. Б. М. Наймарка. -2-е изд., стереотип. М.: Мир, 1977. — 584 с.
- Основы теории колебаний / В. В. Мигулин, В. И. Медведев, Е. Р. Мустель, В.Н. Парыгин- Под ред. В. В. Мигулина. 2-е изд., перераб. — М.: Наука, 1988.-392 с.
- Пенин Н.А. Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах // ФТП. 1996. — Т. 30, вып. 4. — С. 626−634.
- Лихарев К.К., Ульрих Б. Т. Системы с джозефсоновскими контактами. Основы теории. М.: Изд-во МГУ, 1978. — 447 с.
- Лихарев К.К. Введение в динамику джозефсоновских переходов. М.: Наука, 1985. — 320 с.
- Лихарев К.К., Мигулин В. В. Приемники миллиметрового диапазона на основе эффекта Джозефсона (обзор) // Радиотехника и электроника. -1980. Т. 25, вып. 6. — С. 1121−1142.
- Свойства одночастотного усилителя с самонакачкой на джозефсонов-ском контакте / Л. С. Кузьмин, К. К. Лихарев, В. Н. Радзиховский и др. // Радиотехника и электроника. 1977. — Т. 22, вып. 6. — С. 1306−1309.
- Одночастотное параметрическое усиление в 3-см диапазоне с самонакачкой на джозефсоновском контакте / А. Н. Выставкин, В. Н. Губанков, Л. С. Кузьмин и др. // Радиотехника и электроника. 1977. — Т. 22, вып. 7. -С. 1530−1533.
- Клич С.М. О сравнительной стабильности усиления двухконтурного и одноконтурного параметрических усилителей // Радиотехника и электроника. 1967. — Т. 12, вып. 12. — С. 2240−2242.
- Клич С.М., Прокофьев В. Д. Параметрический усилитель 8-мм диапазона в двухконтурном и одноконтурном режимах работы // Радиотехника и электроника. 1967. — Т. 12, вып. 12. — С. 2243−2245.
- A nondegenerate millimeter wave parametric amplifier with a solid-statepump source / J. Whelehan, E. Kraemer, H. Paczkowski et al. // IEEE G-MTT Int. Microwave Symp., Boulder, Colo, 1973. New York, 1973. — P. 75−77.
- Whelehan J., Kraemer E., Paczkowski H. Millimeter-wave paramp with a solid-state pump source // Microwave J. 1973. — Vol. 16, № 11.- P. 35−38.
- Whelehan J. Present and future capability of millimeter wave pamped paramps // 6th Eur. Microwave Conf., Microwave 76, Rome, 1976. -Sevenoaks, 1976. P. 540−544.
- Клич C.M. Проектирование СВЧ устройств радиолокационных приемников. М.: Сов. радио, 1973. — 319 с.
- Parametric amplifiers pumped at mm-wave frequencies / F.A. Bourne, E.H. Kraemer, H.C. Paczkowski et al. // Proc. Eur. Microwave Conf., Brussels, 1973. Louvain, s.a. Vol. 1. — P. NA.5.3.
- Олендский B.A., Устименко B.M. Полупроводниковые параметрические усилители СВЧ и их расчет: Учеб. пособие по проектированию. JL, 1974. 70 с. (Ленингр. электротехн. ин-т связи).
- Александров Г. А. Расчет и проектирование регенеративных параметрических усилителей. М., 1977. — 29 с. (Моск. электротехн. ин-т связи)
- Буряк B.C. Настройка волноводно-штыревых переключающих устройств349на СВЧ диодах // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1974. -Вып. 9.-С. 31−39.
- Мошинский А.В. Электродинамический анализ стержневого держателя для активных СВЧ-элементов в прямоугольном волноводе // Радиотехника и электроника. 1980. — Т. 25, вып. 3. — С. 487−498.
- Сушкевич В.И. Нерегулярные линейные волноводные системы: Введение в анализ линейных цепей сверхвысоких частот. М.: Сов. радио, 1967. -295 с.
- Kinoshita Y., Maeda М. An 18 GHz single-tuned parametric amplifier with large gain bandwidth product // IEEE Trans. 1970. — Vol. MTT-18, № 7. — P. 409−410.
- Kinoshita Y., Maeda M. An 18-GHz double-tuned parametric amplifier // IEEE Trans. 1970.-Vol. MTT-18, № 12.-P. 1114−1119.
- Каневский Б.З., Корогод B.B., Струков И. А. Параметрические усилители для радиоастрономических исследований // Изв. ВУЗов. Радиофизика. -1976. Т. 19, № 10. — С. 1464−1467.
- Мейнке X., Гундлах Ф. В. Радиотехнический справочник: Пер. с нем. -М.- Л.: Госэнергоиздат, 1960. Т. 1. 416 с.
- Фельдштейн А.Л., Явич Л. Р., Смирнов В. П. Справочник по элементам волноводной техники. М.- Л.: Госэнергоиздат, 1963. — 359 с.