Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Физико-химические свойства систем Bi2O3-MenOm в твердом и жидком состояниях и разработка способов улучшения качества материалов на основе оксида висмута

Диссертация: Физико-химические свойства систем Bi2O3-MenOm в твердом и жидком состояниях и разработка способов улучшения качества материалов на основе оксида висмута
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Изучено контактное взаимодействие в системах на основе Bi203 с твердыми и жидкими оксидами. Найдено, что растекание Bi203 по твердой поверхности Si02 протекает с большой скоростью, и значение конечного краевого угла смачивания уже при температуре плавления Bi203 стремится к нулю. Практически за это же время Bi12SiO20 при своей температуре плавления растекается по Si02 и Bi4Si3Oi2. Показано, что… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ВВЕДЕНИЕ
  • 2. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА
    • 2. 1. Получение, применение и некоторые физико-химические свойства материалов на основе оксида висмута
    • 2. 2. Диаграммы состояния в системах на основе оксида висмута
    • 2. 3. Межфазное взаимодействие расплавов с твердыми телами
    • 2. 4. Вязкость и электропроводность расплавленных оксидов
  • 3. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
    • 3. 1. Изучение межфазных взаимодействий в системах на основе оксида висмута
    • 3. 2. Методика определения вязкости расплавов
    • 3. 3. Методика измерения электропроводности
    • 3. 4. Исследование фазовых равновесий в системах на основе оксида висмута
    • 3. 5. Получение монокристаллов соединений на основе Bi203 и исследование их свойств
  • 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
    • 4. 1. Фазовые равновесия в системах на основе оксида висмута
  • Выводы к разделу
    • 4. 2. Вязкость и электропроводность расплавов на основе B
      • 4. 2. 1. Система Bi203-Cu
      • 4. 2. 2. Системы Bi2OrMeO (Me = Mg, Са, Ва, Zn, Cd)
      • 4. 2. 3. Системы Bi203-Me203 (Me = Ga, La, Fe)
      • 4. 2. 4. Системы Bi203-Me02 (Me = Si, Ge, Sn, Ti)
      • 4. 2. 5. Система Bi203-V
      • 4. 2. 6. Некоторые закономерности вязкости и электропроводности жидких оксидов
  • Выводы к разделу
    • 4. 3. Межфазное взаимодействие расплавов на основе Bi2C>3 с металлами и оксидами
      • 4. 3. 1. Контактное взаимодействие расплавов на основе Bi с твердыми металлами
      • 4. 3. 2. Контактное взаимодействие в системах на основе В120з с твердыми и жидкими металлами
      • 4. 3. 3. Некоторые закономерности капиллярных явлений в системах на основе B
  • Выводы к разделу
    • 4. 4. Получение соединений на основе В12<�Эз и исследование их свойств
      • 4. 4. 1. Получение монокристаллов Bi^SiC^o и исследование их свойств
      • 4. 4. 2. Получение монокристаллов Bi4Ge3Oi2 и Bi^GeCbo и исследование их свойств
      • 4. 4. 3. Получение висмутсодержащих ВТСП-пленок
  • Выводы к разделу

Физико-химические свойства систем Bi2O3-MenOm в твердом и жидком состояниях и разработка способов улучшения качества материалов на основе оксида висмута (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Прогресс в различных областях науки и техники в первую очередь связан с использованием материалов, обладающих специфическими свойствами. Предъявляемые к ним требования ставят перед физико-химиками, технологами и материаловедами целый ряд задач, начинающийся с поиска нужного технике материала и завершающийся созданием и промышленным производством функционального элемента, входящего в то или иное устройство.

Существенный успех в этом направлении достигнут в связи с развитием методов получения монокристаллов различных оксидов, область применения которых достаточно обширна: лазерная связьустройства скоростной фотозаписи информации в реальном масштабе временигеофизика (у — каротаж скважин) — ядерная медицина (позитронная и рентгеновская компьютерная томография) — оптические запоминающие устройства, в том числе и голографи-ческие, для нового поколения ЭВМ с оптическими носителями информации и т. д. При анализе и совершенствовании процессов получения монокристаллов необходимы сведения о межфазном взаимодействии твердых и жидких фаз. Однако, до настоящего времени исследованиям таких взаимодействий в системах на основе оксида висмута не уделялось достаточного внимания.

Особую роль при получении материалов с наперед заданными свойствами играет жидкое состояние, поскольку от него во многом зависят служебные характеристики готовых изделий.

Вязкость и электропроводность, являющиеся структурно-чувствительными характеристиками жидкости, наряду с другими физико-химическими свойствами позволяют получить данные о строении и характере связей в расплаве. Несмотря на успехи в становлении теории жидкого состояния, многие вопросы остаются открытыми. Хотя для некоторых расплавов (особенно для чистых металлов) установлен ряд полуэмпирических соотношений и правил, многие из них являются дискуссионными. К ним можно отнести зависимость вязкости и электропроводности от температуры и состава расплавов. Если такие свойства для жидких металлов, солей и индивидуальных оксидов изучены достаточно хорошо, то для бинарных оксидов на основе Bi203 такие сведения получены только для некоторых систем.

Большой интерес к материалам на основе оксида висмута связан с применением их в оптоэлектронике. Тем не менее, многие вопросы в технологии получения монокристаллов соединений на основе BiaCb требуют своего разрешения. Так, например, строгая стехиометрия выращенных монокристаллов и отсутствие примесей других оксидных фаз, значительно влияющих на выходные сцинтилляционные параметры, до настоящего времени являются проблематичными.

Из-за высокой концентрации собственных дефектов в кристаллах Bi4Ge3Oi2 и Bii2Ge02o для заметного изменения их свойств необходимо вводить в больших количествах легирующие добавки. В свою очередь, значительное увеличение концентрации легирующей примеси затрудняет получение однородных кристаллов, В ряде случаев для придания кристаллам определенных параметров проводят отжиг либо в кислороде, либо в вакууме. Тем не менее, и в этом случае не всегда удается получить материал с улучшенными характеристиками. Поэтому актуальной задачей является изучение влияния среды термообработки кристаллов на основе Bi203 на их свойства.

Межфазные взаимодействия, играющие огромную роль в гетерогенных процессах, изучены в основном с участием металлических расплавов, контактирующих с твердыми металлами и оксидами. Что касается сведений о процессах, протекающих на границах раздела расплав Bi203-Men0m — твердый металл (оксид), то таких данных в литературе, за исключением отдельных работ, нет. Поскольку эта информация необходима при выращивании монокристаллов, то для систем, характеризующихся сильным межчастичным взаимодействием, актуальной задачей является комплексное изучение различных явлений взаимодействия твердое — жидкое, когда одна из фаз является оксидным материалом.

Цель работы состояла в изучении физико-химических свойств систем В12Оз-МепОт в твердом и жидком состояниях и разработке способов улучшения качества материалов на основе оксида висмута. Для достижения поставленной цели необходимо было решить ряд задач:

— уточнить фазовые равновесия в системах Bi2C>3-CuO, Bi203-Ca0, ВьОз-ZnO, Bi203-Cd0 и Bi203-Sn02;

— выявить новые и уточнить известные закономерности вязкости и электропроводности расплавов Bi203-Men0m (Me — Си, Mg, Са, Ва, Ga, La, Sn, V, Fe, Zn, Cd, Si, Ge, Ti) в зависимости от температуры и состава расплавов;

— установить физико-химические закономерности смачивания и контактного взаимодействия в системах Bi203-Men0m (Me — Си, Са, Ва, Zn, Cd, Ga, La, Si, Ge, Ti, Fe) с металлами и оксидами;

— исследовать пути повышения качества монокристаллов Bi4Ge3Oi2, Bij2Ge02o и Bij2Si02o и разработать новый технологический процесс термического отжига германатов висмута в контролируемой атмосфере (Bi203, Sb203, Sb2Os, V205, CdO);

— исследовать возможность использования CuO в качестве буферного слоя при получении пленок ВТСП на основе системы Bi-Ca-Sr-Cu-O.

Работа выполнена в соответствии с научными направлениями Красноярской Государственной академии цветных металлов и золота и Института металлургии УрО РАН и отражена в Координационных планах АН РФ по направлению 2.26 — «Физико-химические основы металлургических процессов» .

Научная новизна работы состоит в том, что впервые изучены закономерности вязкости и электропроводности расплавов Bi203-Me"0m (Me — Си, Mg, Са, Ва, Ga, La, Sn, V, Fe) в зависимости от температуры и состава расплавов. Для систем Bi203-Men0m (Me — Zn, Cd, Si, Ge, Ti) такие данные уточнены, расширены и дополнены. Показано, что в расплавах Bi203-Cd0 значительная доля тока переносится теми же частицами, которые определяют вязкость, тогда как для других исследованных систем характерно существенное различие транспорта частиц, определяющих вязкость и электропроводность.

Уточнены фазовые равновесия в системах Bi2C>3-CuO, Bi203-Mg0, Bi203-CaO, Bi203-Zn0, Bi203-Cd0 и Bi203-Sn02.

Измерена плотность кристаллов Bi4Ge30i2, Bii2Ge02o и Bi12SiO20. При этом установлено, что данная величина зависит от условий роста.

Впервые исследовано контактное взаимодействие расплавов Bi203-Men0m (Me — Са, Ga, La, Fe, Si, Ge, Ti) с Pt и Bi203-Ge02 с Pd в зависимости от температуры.

Впервые изучено смачивание Pt расплавами Bi203-Men0m (Me — Си, Ва, Cd, Zn, Ga, La, Fe, Si, Ge, Ti) в зависимости от состава расплавов. Установлено, что высокая степень смачиваемости Pt и Pd расплавами на основе Bi203 реализуется за счет химического взаимодействия расплав-подложка.

Впервые определено поверхностное натяжение расплавов Bi203-Ga203. Определена работа адгезии Wa в системе Pt — (Bi203-Ga203).

Впервые изучено контактное взаимодействие в системах на основе Bi203 с твердыми и жидкими оксидами. Найдено, что растекание Bi203 по твердой поверхности Si02 происходит с большой скоростью, и значение конечного краевого угла смачивания уже при температуре плавления Bi203 стремится к нулю. Установлено, что В203 по Bi4Si30i2 и B112S1O20 в зависимости от температуры растекается в течение 60−180 мин. Данное явление было связано с большой вязкостью В203.

Впервые определено влияние среды термического отжига (Bi203, Sb203, Sb205, V2O5, CdO) на свойства кристаллов Bi4Ge30i2 и Bii2Ge02oДаны практические рекомендации по отжигу этих кристаллов.

Показана возможность использования СиО в качестве буферного слоя при получении высокотемпературных сверхпроводящих пленок на основе системы Bi-Ca-Sr-Cu-O.

Экспериментальные данные по исследованию физико-химических особенностей выращивания монокристаллов соединений на основе оксида висмута внедрены на ГП «Германий» (ожидаемый экономический эффект составил 12,3 млн руб.).

Выводы к разделу 4.4.

1. Определена плотность кристаллов германатов (со структурой силленита и эвлитина) и силиката висмута, выращенных методом Чохральского с весовым методом контроля диаметра растущего слитка, по поперечным и продольным разрезам. Установлено, что для Bi]2Si02o плотность по длине слитка законоЛ мерно понижается от начала слитка к концу и меняется от 9,220 до 9,162 г/см. Данное явление было связано с частичной диссоциацией соединения в расплаве и последующим испарением оксида висмута, что обусловило, в конечном итоге, нарушение стехиометрии выращенных кристаллов.

2. Найдено, что выращенные кристаллы Bii2Si02o в поперечном сечении имеют включения второй фазы, идентифицированные как оксид висмута, расположенные симметрично на периферии слитка. С учетом установленной закономерности рекомендовано производить резку таким образом, чтобы исключить эти области в готовой продукции.

3. Отмечено, что для кристаллов Bi4Ge30]2 и Bi]2Ge02o характерно уменьшение плотности к концу слитка. В поперечном сечении Bi4Ge3Oi2 плотность в центре кристалла выше. С учетом того, что давление паров Bi203 при температурах плавления Bi4Ge30i2 и Bi12Ge02o выше давления паров Ge02, сделано заключение, что полученные зависимости d = f[l) и d = f (D) можно объяснить тем, что расплавы, из которых осуществляют выращивание монокристаллов, обедняются оксидом висмута.

4. Оценены концентрации структурных точечных дефектов в выращенных слитках силиката и германатов висмута. На основании проделанных расчетов предположено, что точечные дефекты структуры в Bi4Ge3Oi2, Bii2Ge02o и Bii2Si02o представляют собой вакансии Bi203.

5. Впервые определено влияние среды термического отжига (Bi203, Sb203, Sb205, CdO и V205) на свойства кристаллов Bi4Ge3Oi2 и Bii2GeO20. На основании проделанных экспериментов даны следующие рекомендации:

— отжиг Bi4Ge30i2 в присутствии Bi203 проводить при Т > 973 К ;

— отжиг Bi12GeO20 в атмосфере паров Bi203 проводить в интервале температур 873−1073 К;

— ввиду термической нестойкости Sb2Os и близости влияния Sb203 и Sb2Os на свойства германатов висмута — использовать при отжиге Sb203 ;

— отжиг Bi4Ge30i2 в присутствии Sb203 или CdO проводить при Т > 873 К ;

— отжиг германосилленита в атмосфере паров Sb203 или CdO проводить при температурах до 973 К ;

— поскольку отжиг в данных атмосферах приводит к изменению только в поверхностных слоях, то нецелесообразно осуществлять отжиг объемных кристаллов Bi4Ge30i2 и Bi12Ge02o. Термообработка в контролируемой атмосфере будет сильнее сказываться на свойствах германатов висмута при использовании тонких пластин.

Следует также отметить нецелесообразность отжига указанных кристаллов в присутствии V205 при температурах 773−1073 К.

6. Экспериментальные данные по исследованию физико-химических особенностей выращивания монокристаллов соединений на основе оксида висмута внедрены на ГП «Германий» (ожидаемый экономический эффект составил 12,3 млн руб.).

7. Показана возможность использования CuO в качестве буферного слоя при получении высокотемпературных сверхпроводящих пленок на основе системы Bi-Ca-Sr-Cu-O.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Методом дифференциально-термического анализа уточнены фазовые диаграммы систем Bi203 — CuO, Bi203 — MgO, Bi203 — CaO и Bi203 -Sn02. Установлено, что в системе Bi203 -CuO единственное соединение Bi2Cu04 плавится при температуре 1148±5 К, а при 1103 К происходит его полиморфное превращение. Отмечено, что в системе Bi203 — MgO до 20 мол.% второго компонента преобладают тепловые эффекты, свойственные чистому оксиду висмута. Положение эвтектики соответствует <1,2 мол.% MgO.

2. Вибрационным методом измерена вязкость, а мостом переменного тока — электропроводность расплавов Bi203-Men0m (Me — Си, Mg, Са, Ва, Zn, Cd, Ga, La, Fe, Si, Ge, Sn, Ti, V) в зависимости от температуры и состава расплавов. Установлено, что температурная зависимость вязкости большинства изученных систем не описывается экспоненциальным уравнением r| = rj0 exp (Е^/ RT) во всем исследованном интервале температур и составов расплавов. В этом случае можно выделить низкои высокотемпературные участки, для которых это уравнение справедливо. Исключение составляют расплавы Bi203- СаО, Bi203 + 10 мол.% ВаО и Bi4Ge30i2, для которых экспоненциальное уравнение описывает экспериментальные значения вязкости во всем исследованном интервале температур.

Показано, что только добавки MgO и CdO в Bi203 снижают вязкость расплавов, в то время как для других изученных систем отмечено либо увеличение вязкости при увеличении содержания второго компонента (Bi203-La203, Bi203-Ge02, Bi203-Si02> Bi203-Ti02), либо появление экстремумов. Отмечено, что для систем Bi203-Fe203 и Bi203-V205 экстремумы на изотермах вязкости соответствуют составам химических соединений Bi40Fe2O63, BiV04 и 7Bi203-V205 соответственно.

3. Найдено, что в изученных интервалах температур для расплавов Bi203-MgO (кроме расплава, содержащего 25 мол.% MgO), Bi203-Cd0 (14,3 и 20 мол.% CdO), Bi203-La203 (15 и 20 мол.% La203), Bi203-Fe203 (5 и 10 мол.%.

Fe203), Bi203-V205 (12,5 и 50 мол.% V205) температурная зависимость электропроводности описывается экспоненциальным уравнением эе =ae0exp (-E^/RT). Для остальных систем, как и в случае вязкости, на зависимостях In se = f (l/T) отмечены низкои высокотемпературные участки.

Констатировано, что разные оксиды по-разному влияют на проводимость исследованных расплавов: Ge02, Sn02, Ti02 и Fe203 понижают электропроводность, MgO — повышает, а в ряде случаев наблюдаются экстремумы. Показано, что, как и в случае вязкости, для систем Bi203-Fe203 и Bi203-V205 минимумы на изотермах электропроводности соответствуют соединениям Bi4oFe2063 и BiV04, а для системы Bi203-Ga203 минимум ае отвечает эвтектическому составу.

Установлено, что в расплавах Bi203-Cd0 значительная доля тока переносится теми же частицами, которые определяют вязкость, в то время как для других исследованных систем характерно существенное различие транспорта частиц, определяющих вязкость и электропроводность.

4. Методом лежащей капли исследовано контактное взаимодействие расплавов Bi203-Men0m (Me — Са, Ga, La, Fe, Si, Ge, Ti) с Pt и Bi203-Ge02 с Pd в зависимости от температуры. Показано, что значения краевых углов смачивания в этих системах закономерно уменьшаются с ростом температуры по линейному закону.

Изучено смачивание Pt расплавами Bi203-Men0m (Me — Си, Ва, Zn, Cd, Ga, La, Fe, Si, Ge, Ti) в зависимости от состава расплавов.

Установлено, что высокая степень смачиваемости Pt и Pd расплавами на основе Bi203 реализуется за счет химического взаимодействия расплав-подложка. Низкие значения краевых углов смачивания Pt и Pd исследованными расплавами обусловлены окислением платины и палладия растворенным в расплаве кислородом 02, а также ионами кислорода, с образованием при этом соответствующих оксидов Pt и Pd.

На основании установленной закономерности смачивания Pt расплавами Bi203-Ge02 для уменьшения растворения платинового тигля предложено перед загрузкой шихты либо проводить твердофазный синтез, либо вместо порошкообразной смеси вести загрузку плавленного материала.

5. Изучено контактное взаимодействие в системах на основе Bi203 с твердыми и жидкими оксидами. Найдено, что растекание Bi203 по твердой поверхности Si02 протекает с большой скоростью, и значение конечного краевого угла смачивания уже при температуре плавления Bi203 стремится к нулю. Практически за это же время Bi12SiO20 при своей температуре плавления растекается по Si02 и Bi4Si3Oi2. Показано, что расплав Na2B407 при своей температуре плавления хорошо смачивает поверхности монокристаллических подложек Bi4Ge30i2, Bii2GeO20 и Bii2SiO20. Установлено, что растекание В203 по Bi4Si30]2 и Bii2SiO20 в зависимости от температуры происходит в течение 60−180 мин. Такое медленное растекание было связано с большой вязкостью оксида бора.

6. Определена плотность кристаллов германатов (со структурой силленита и эвлитина) и силиката висмута, выращенных методом Чохральского с весовым методом контроля диаметра растущего слитка, по поперечным и продольным разрезам. Установлено, что плотность кристаллов Bi4Ge30J2, Bii2GeO20 и BiJ2Si02o закономерно понижается от начала к концу слитка. Данное явление было связано с частичной диссоциацией соединений в жидком состоянии и последующим испарением оксида висмута, что обусловило, в конечном итоге, нарушение стехиометрии выращенных кристаллов. Найдено, что в поперечном сечении кристаллы Bit2Si02o имеют включения второй фазы, идентифицированные как оксид висмута, расположенные симметрично на периферии слитка. С учетом установленной закономерности рекомендовано производить резку таким образом, чтобы исключить эти области в готовой продукции.

7. Оценены концентрации структурных точечных дефектов в выращенных слитках силиката и германатов висмута. На основании проделанных расчетов предположено, что точечные дефекты структуры в Bi4Ge30]2, Bi)2GeO20 и Bii2Si02o представляют собой вакансии Bi203.

8. Определено влияние среды термического отжига (Bi203, Sb203j Sb205, CdO и V2O5) на свойства кристаллов Bi4Ge30i2 и Bii2Ge02oНа основании проделанных экспериментов даны практические рекомендации по отжигу этих кристаллов.

9. Экспериментальные данные по исследованию физико-химических особенностей выращивания монокристаллов соединений на основе оксида висмута внедрены на ГП «Германий» (ожидаемый экономический эффект составил 12,3 млн руб.).

10. Показана возможность использования СиО в качестве буферного слоя при получении высокотемпературных сверхпроводящих пленок на основе системы Bi-Ca-Sr-Cu-O.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Maeda H. f Tanaka Y., Fukutomi M. et al. A new high-T0 oxide superconductor without a rare earth element // Jap. J. Appl. Phys.- 1988.- V. 27, N 2, — P. L209-L210.
  2. Ю.Д. Химия и технология ВТСП основные направления развития // ЖВХО.- 1989.- Т. 34, N 4.- С. 436−445.
  3. Huang T.W., Wu N.C., Hung М.Р. et al. Reproducibility of Tc in a Bi2Sr2CaCu208 superconductor // J. Mat. Science.- 1989.- V.24, N 7.- P. 2319−2323.
  4. А.И., Адрианова Т. Н., Задонская H.B. и др. Получение высокотемпературных сверхпроводящих материалов с применением экстракции//Докл. АН СССР.- 1990.- Т.312, N3.- С. 663−667.
  5. Kholkin A.I., Adrianova T.N., Zadonskaya N.V. Preparation high temperature superconducting compounds by extraction // MASHTBC90: Mater. Sci. High Technol.: Int. Symp., Dresden, Apr. 24−27, 1990: Collect. Abstr. V.I.Dresden, s.a.- P.75−76.
  6. Huang Y.T., Liu R.S., Wu P.T. Growth of Bi- Ca- Sr- Си- О epitaxial layer by liquid phase epitaxial process // Physica C.- 1988.- V.156, N 1, — P. 197−199.
  7. Ю.С., Кузнецова Г. А., Парфенов Ю. В. и др. Синтез и свойства монокристаллов В^г2СаСи208 // СФХТ.- 1990.- Т. 3, N 11.- С. 2529−2537.
  8. Bode J., Preisler Б. Preparation of single phase 2212 bismuth strontium calcium cuprate by melt processing // Solid State Communs.- 1989.- V.7, N 5.-P.453−458.
  9. Pinol S., Fortcuberta J., Miravitlles C. High temperature superconductor composites by a modified Bridgman method // J. Cryst. Growth.- 1990, — V.100, N1−2.-P. 286−292.
  10. Gazit D., Feigelson R.S. Laser-heated pedestal growth of high T0 Bi- Sr-Ca- Си- О superconducting fibers // J. Cryst. Growth.-1988.- V.91.- P.318−330.
  11. А.Г., Селявко А. И., Бабкина Л. С. Последовательность образования гфисталлических фаз в системе Bi2Sr2CaCu208 при твердофазном синтезе из стеклообразного состояния и при кристаллизации из рас-плава//СФХТ.-1991.- T.4.N3.- С. 594−597.
  12. Буш А.А., Дубенко И. С., Мросг С. Э. и др. Рентгеновские исследования, химический состав и магнитные свойства системы Bi203- SrO- СаО-Си01+х//СФХТ.-1990.- T.3,N3.- С. 432−441.
  13. Ю.Д., Оськина Т. Е., Путшгев В. И. Проблемы синтеза и термообработки висмут- стронций- кальциевых сверхпроводящих купра-тов // ЖНХ.- 1990.-Т. 35, N7.-С. 1635−1644.
  14. А.В., Фотиев А. А. Особенности синтеза (Bi.PtyjSrjCajCusO в больших объемах //СФХТ.- 1993.- Т.6, N 7.- С. 1522−1528.
  15. Т.Е., Казин П. Е., Третьяков Ю. Д. и др. Синтез висмутовых сверхпроводящих купратов методом предварительного отжига прекурсоров //СФХТ.- 1992.- Т.5, N 7.- С. 1298−1305.
  16. Т.Д., Братухин П. В., Шавкин С. В. и др. Особенности формирования кристаллографической текстуры в образцах Bi(2212) — керамики, полученных методом зонной плавки // СФХТ.- 1993.- Т.6, N 9.- С. 1909−1916.
  17. Е.В., Лыкова Л. Н., Ковба Л. М. Кристаллохимия сверхпроводящих оксидов // ЖВХО.- 1989.- Т.34, N 4.- С.458−466.
  18. Е.Г. Механохимический синтез висмутсодержащих оксидных соединений // Висмутовые соединения и материалы: Матер, научн,-практич. конф.: Коктебель Челябинск.- 1992.- С. 15−17.
  19. В.Г., Савченко Л. М., Авакян П. Б. и др. Висмутсодержащие сегнетоэлектрики перспективные материалы для электронной техники / Висмутовые соединения и материалы: Матер, научи.- пракгич. конф.: Коктебель — Челябинск.- 1992.- С. 113−117.
  20. В.Г. Висмутсодержащие сегнетоэлектрические соединения со слоистой перовскитоподобной структурой / Структура и свойства сегне-тоэлектриков, — Рига: ЛГУ им. П.Стучки.-1983.- С. 3−30.
  21. В.А. Некоторые проблемы кристаллохимии сегнетоэлек-триков со слоистой перовскитоподобной структурой / Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики.- Калинин.-1980.- С. 12−18.
  22. Kikuchi Т., Watanabe A., Uchida К. A family of mixed layer type bismuth compounds // Mater. Res. Bull.-1977.- V. 12, N 3.- P. 299−304.
  23. В.Э., Зейналлы А. Х., Скориков В. М. и др. Исследование локальных уровней в ВшТЮго // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1981.-Т. 17, N1.-С. 741−743.
  24. Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник диэлектрик.- М.: Энергия, 1976.- 183 с.
  25. М.И., Степанов С. И., Хоменко А. В. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации.- Л.: Наука, 1983.- 226 с.
  26. В. К. Гудаев О.А., Гусев В. А. и др. Фотоиндуциро-ванные явления в силленитах.- Новосибирск: Наука, 1990.- 160 с.
  27. Aldrich R.E., Hou SXM Harvill M.L. Electrical and optical properties of BiuSiO" //J. Appl. Phys. 1971, — V. 42, N I. — P. 493−494.
  28. Abrachams S.C., Jamieson P.B., Bernstein I.L. Crystal structure of piezoelectric bismuth germanium oxide ВЬгСеОго // J. Chem. Phys. 1967.- V. 47, N 10.- P.4034−4041.
  29. Г. М., Батог B.H., Красилов Ю. И. и др. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силленит типа // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. — 1970.- Т. 6, N 2.- С. 284−288.
  30. Е.И., Аршакуни А. А. Система окись висмута двуокись германия //ЖНХ.-1964.- Т. 9, Вып. 2.- С. 414−421.
  31. Ю.С., Лившиц М. Г., Сальников В. Д. Выращивание и физико-химические свойства соединений BiuGeOw и Bi^GeCU)* // Кристаллография.- 1969, — Т. 14, Вып. 2.- С. 363−365.
  32. Е.И., Скориков В. М. К вопросу о силленит фазе // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.-1967.- Т. З, N 2.- С. 345−350.
  33. Levin Е.М., Roth R.S. Polimorphizm of bismuth sesquioxide. 1. Pure BuO*// J. Res. Nat. Bur. Stand.- 1964.-V. 68A, N2.-P. 189−195.
  34. Huignard J .P. Phase conjugate wavefront generation via real-time holography in BiuSiCto crystals if Opt. Lett.- 1979.- V.4, N I.- P.21−23.
  35. K.C., Анистратов A.T., Грехов Ю. Н. и др. Оптические свойства монокристаллов BiizGeO", легированных алюминием и бором // Автометрия.- 1980.- N 1.- С. 99−101.
  36. Lenzo P.L. Light- and electronic- field- dependent oscillation of spacecharge- limited current in BitzGeO" // J. Appl. Phys.- 1973, — V. 43, N 3.-P. 1107−1112.
  37. И.С., Акинфиев П. П., Петухов П. А. и др. Определение некоторых электрофизических параметров кристаллов германата висмута // Изв. вузов. Физика.- 1978.- N 3.- С. 121−124.
  38. Hou SX., Lauer R.B., Aldrich R.E. Transport process of photoinduced carries in BiiiSiO" //J. Appl. Phys.-1973.- V. 44, N 6.- P. 2652−2658.
  39. А .А., Сенулене Д. Б., Беляев B.A. и др. Оптические свойства монокристаллов Bii2SiOa> // Письма в ЖТФ.- 1979.- Т. 5, Вып. 5.- С. 465−469.
  40. Peltier М., Micheron F. Volume hologram recording and charge transfer process in ВЬгвеОго H J. Appl. Phys.-1977.- V.48, N 9.- P. 3683−3690.
  41. Е.И., Скориков B.M., Сафронов Г. М. и др. Система BisO* SiOi // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1968, — Т.4, N 8.- С. 1374−1375.
  42. .П., Нуриев Э. И., Четвергов Н. А. и др. Физические свойства германоэвлитина Bu(Ge04)? / Новые материалы для радио-, оп-то- и акустоэлектроники: Межвуз. сб. Красноярск: изд. КГУ, 1982.- С. 123−127.
  43. В. М. Голубович Г. К., Кудрявцева А. П. и др. Твердофазный синтез шихты для выращивания сцинтилляционных монокристаллов германата висмута / Висмутовые соединения и материалы: Матер, научно-практич. конф.: Коктебель-Челябинск, — 1992.- С.117−118.
  44. Takagi К., Fukazawa Т. Effect of the shape of BUGejOu single crystals and on melt flow patterns //J. Cryst. Growth.- 1986.- V. 76.- P. 328−338.
  45. B.A. Скориков B.M., Егорьппева A3. Новый подход в методе выращивания монокристаллов BuGejOi2 и новое их качество / Висмутовые соединения и материалы: Матер, научно-практич. конф.: Коктебель-Челябинск.- 1992.- С, 108−110.
  46. Van Hoof L.A.H., Bart els. The perfection of bridgman-grown Bi^GesOu crystals // Mater. Res. Bull.- 1985.-V.20,N 1.-P. 79−83.
  47. А.А., Саркисов С. Э., Майер А. А. и др. Выращивание и спектрально-люминесцентные свойства гексагональных кристаллов BhGejO" Nd5+ // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1983.- Т. 19, N 7.-С. 1148−1157.
  48. В.В., Шиманский А. Ф. Корягина Т.Н. и др. Выращивание и оптические свойства монокристаллов твердых растворов со структурой силленита / Новые материалы для радио-, опто- и акустоэлектроники: Межвуз. сб. Красноярск: изд. КГУ, 1982.- С. 88−95.
  49. .Н., Шалдин Ю. В., Питовранова И. Е. Синтез и электрооптические свойства монокристаллов Si- силленита // Кристаллография.-1968.- Т. 13, Вып. 5.- С. 1106−1108.
  50. Sveshtarov Р.К., Gospodinov М.М., Karagyozov L.K. et al. Growth of Bii2Ge02o crystalline ribbons by the EFG method // Докл. Болт. АН, — 1985, — Т. 38, N11.-С. 1473−1475.
  51. Н.А., Барзаковский В. П., Лапин В. В. и др. Диаграммы состояния силикатных систем. Справочник. Вып. 1 М.-Л.: Наука, 1965.-546 с.
  52. В.А., Косов А. В., Скориков В. М. и др. Система окись висмута окись кадмия И Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1975.- Т. 11, N12.-С. 2190−2194.
  53. Jager A., Kolar D. Phase relations in the system BizO* CdO // J. Solid State Chem.- 1984.- V. 53, N 1.- P.35−43.
  54. A.B., Кутвицкий B.A., Скориков В. М. и др. Фазовая диаграмма системы BizOa ZnO // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1976.-Т. 12, N3.-С. 466−470.
  55. Г. М., Батог В. Н., Степанюк Т. В. и др. Диаграмма состояния системы окись висмута окись цинка // ЖНХ.- 1971.- Т. 16, N. 3.-С. 863−865.
  56. .Д., Горюнов Ю. В. Физико-химические основы смачивания и растекания.- М.: Химия, 1976.- 232 с.
  57. Ю.В. Контактные явления в металлических расплавах.-Киев: Наукова думка, 1972.-196 с.
  58. ЮЗ., Перевертайло В. М., Григоренко Н. Ф. Капиллярные явления в процессах роста и плавления кристаллов.- Киев: Наукова думка, 1983.-100 с.
  59. .С., Гриц Е. Ф. Смачивание тугоплавких металлов жидкими окислами / Адгезия расплавов.- Киев: Наукова думка, 1974.- С. 80−83.
  60. M.A., Митин Б. С. Жидкие тугоплавкие окислы.- М.: Металлургия, 1979.- 288 с.
  61. В.М., Белецкий В. В., Дубовиков Г. С. Смачивание монокристаллов BiizGeO" и ВиОезОю расплавами на основе ВгОз // Адгезия расплавов и пайка материалов.-1988.- Вып. 20.- С. 14−15.
  62. Ю.В., Перевертайло В. М., Лебович Э. М. Связь термодинамической и адгезионной активности компонентов при смачивании твердых тел расплавами // Адгезия расплавов и пайка материалов.- 1976.-Вып.1.- С. 28−31.
  63. В.М., Бахвалов С. Г. Изучение физико-химических особенностей выращивания монокристаллов соединений на основе оксида висмута / Висмутовые соединения и материалы (Материалы научно-практич. конф.).- Коктебель-Челябинск, 1992.- С. 70−71.
  64. В.А. Устойчивый рост кристаллов.- М.: Наука, 1988.-240 с.
  65. П.К., Веревочкин Г. Е., Горяинов Л. А. и др. Тепло- и мас-сообмен при получении монокристаллов.- М.: Металлургия, 1971.- 238 с.
  66. И.В., Фалькевич Э. С. Управление формой роста кристаллов.- Киев: Наукова думка, 1989.- 160 с.
  67. В.А., Скориков В. М., Воскресенская Е. Н. и др. Кинетика растворения платины в расплавах В1гОз и 6 В1гОз GeOz // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1979.- Т.15, N 10.- С. 1844−1847.
  68. И. В. Скориков В.М., Кутвицкий В. А. и др. Растворимость Pt в расплавах систем В12О3 Э*Оу, где Э — Si, Ti, Ge, Zn, Cd // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1981.- Т. 17, N 4.- С. 663−668.
  69. В .П., Бузовкина Н. В., Денисов В. М. и др. Контактное взаимодействие расплавов GeCh BizO* с платиной // Расплавы.- 1990, N 4.-С. 107−109.
  70. Jandova J., Jakes D. Wetting of solid oxide electrolytes and InzOs by liquid indium // J. Less-Common Metals.-1989.- V. 147, N 1.- P. 51−58.
  71. Ushio M., Sumiyoshi Y. The wetting of an alumina substrate by liquid silver//Bull. Chem. Soc. Jap.- 1987.- V. 60, N 6, — P. 2041−2045.
  72. Eustathopoulos N., Coudurier L. Mouillabilite et adhesion thermody-naique dans le systeme A1 AlzOj: influence cTun recouvrement par ТШг on UN //Ann. Chira. Fr.- 1985.- V. 10, N 1.- P. 1−6.
  73. Taguchi O., Tanno K. Wettabilities of liquid Ag on ceramics // Мияги коге кото сэммоп гакко кэнюо кие = Res. Repts Miyagi Techn. Coll.- 1988.-N25.-P. 51−56.
  74. Taimatsu H., Abe M., Nakatani F. et al. Effect of soluble oxygen on the wettability of solid oxides by liquid silver // J. Jap. Inst. Metals.- 1985.- V. 49, N 7.-P. 523−528.
  75. Ю.В., Перевертайло B.M., Полуянская B.B. и др. Смачиваемость оксидными расплавами меда и серебра при изменении агрегатного состояния смачиваемой поверхности // Порошковая металлургия.-1987, N8.-С. 70−72.
  76. В.М., Островская Л. Ю., Григоренко Н. Ф. и др. Исследование смачиваемости монокристаллов InSb собственным расплавом в процессе их роста и плавления // Адгезия расплавов и пайка материалов.- 1984.- Вып. 12.- С. 32−33.1. JB9
  77. Ю.В., Григоренко Н. Ф., Перевертайпо В. М. Краевые углы смачивания собственным расплавом основных кристаллографических граней монокристалла германия // ЖФХ.- 1979.- Т. 53, N 4.- С. 865−868.
  78. Ю.В., ПеревертаЙло В.М., Лебович Э. М. и др. Межфазные и капиллярные явления в однокомпонентной системе кристалл расплав / Адгезия расплавов.- Киев: Наукова думка, 1974.- С. 3−7.
  79. К., Ульманн Д., Ханг Дж. О механизме роста кристаллов из расплава / Проблемы роста кристаллов.- М.: Мир, 1968.- С. 27−86.
  80. И.В., Шпирт М. Я. Химия германия.- М.: Химия, 1967.-451 с.
  81. Mareck U., Gottshalch V., Butter Е. Wetting of InP by indium- and indium tin melts // Crys. Res. and Technol. — 1989.- V. 24, N 9, — P. 887−891.
  82. B.M., Пастухов ЭЛ., Белецкий В. В. и др. Контактное взаимодействие фаз в системах с наличием эвтектик // Расплавы.- 1993, N4.-С. 91−93.
  83. Luzar A., Svetina S., Zeks В. Orientation of water molecules at the solid/ liquid interface / Symp. Struct. Liquids and Solut. Commemorat. Tibor Erdey-Gryz. Veszprem. 27−30 Aug., 1984. Collect Abstr.- Budapest, 1984.- P. 92−93.
  84. E.H., Каргин Ю. Ф., Скориков В. М. и др. Дефекты в монокристаллах соединений со структурой типа силленита // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1982.- Т. 18, N 2.- С. 102−106.
  85. П.П., Яковлев В. В., Крашенинников М. Г. и др. Физико-химические методы исследования металлургических процессов М.: Металлургия, 1988, — 511с.
  86. О.А., Гельд П. В. Физическая химия пирометаллургических процессов.- М.: Металлургия, 1966.- Ч.2.- 703 с.
  87. .М., Манаков А. И. Физическая химия оксидных и ок-сифторидных расплавов.- М.: Наука, 1977.- 190 с.
  88. Ю.К. Электрохимия ионных расплавов.- М.: Металлургия, 1978.- 248 с.
  89. Iida Takamichi, Kawamoto Masayuki, Okuda Hirofumi et al. Вязкость двойных боратных жидких оксидов и особенности изменения вязкости жидких солей // Тэцу то хаганэ J. Iron and Steel Inst. Jap.- 1987.- V. 73, N 3.- P. 469−475.
  90. B.H., Бобылев И. Б., Анфилогова Г. И. и др. Строение и свойства силикатно-галогенидных расплавов.- М.: Наука, 1990.- 109 с.
  91. .М., Белоусов А. А., Бахвалов С. Г. и др. Транспортные свойства металлических и шлаковых расплавов : Справ, изд. под ред. акад. Н. А. Ватолина М.: Металлургия, 1995.- 649 с.
  92. Т.С., Регель А. Р. Электропроводность и термоэде В12О3 в твердом и жидком состояниях // ФТТ.-1963.- Т. 5, N 9.- С. 2420−2427.
  93. Ю.Ф., Скориков В. М., Кутвицкий В. А. и др. Системы Bi20a- MoOj и Bi20* WOj в жидком состоянии // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.-1977.-Т. 13, N 1.-С. 132−134.
  94. Ю.Ф., Жереб В. П., Скориков В. М. и др. Свойства расплавов в системах В12О3 SiCh и BiiOj — GeOi // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1977.-Т. 13, N 1.-С. 135−138.
  95. И.В., Скориков В. М., Каргин Ю. Ф. и др. Исследование образования метастабильных фаз в системах BizOa S1O2 (GeC>2) // Изв. АН СССР. Неорган, материалы, — 1978.- Т. 14, N 11.- С. 2024−2028.
  96. А.К. Математическая обработка результатов химического анализа.- Л.: ЛГУ, 1977.-120 с.
  97. А.Е. Микрокалькуляторы в физике.- М.: Наука, 1988.-272 с.
  98. В.П. Справочник по расчетам на микрокалькуляторах.- М.: Наука, 1985, — 224 с.
  99. С.В., Прусов В. А., Бочегов В. А. Усовершенствование методики измерения вязкости расплавов вибрационным вискозиметром // Зав. лаборатория.- 1985.- N 9.- С. 56−57.
  100. С.В. Градуировочные жидкости // Зав. лаборатория.- 1973.-N.2.-C. 239. т
  101. АЛ., Каплун А. Б. Вибрационный метод измерения вязкости жидкостей.- Новосибирск: Наука, 1970.- 127 с.
  102. ЭЭ., Фомин В А., Сковородько С. Н. и др. Исследование вязкости жидких металлов.- М.: Наука, 1983.- 243 с.
  103. Ю.М. Метод измерения электропроводности расплавленных ишаков / Экспериментальная техника и методы исследования при высоких температурах, — М.: Изд-во АН СССР, 1959.- С. 306−312.
  104. О.Г., Чистяков ЮД. Исследование степени совершенства кристаллической структуры методом гидростатического взвешивания // Зав. лаборатория.- 1967.- N5.- С. 569−574.
  105. Соловьев В А., Яхонтова В. Е. Основы измерительной техники.-JI.: ЛГУ, 1980.-216 с.
  106. Истомин С А., Белоусов, а Н.В. Физико-химические свойства системы В12О3 Si02 в твердом и жидком состояниях // Расплавы.-1996.-N2.-С. 69−74.
  107. П.И., Клочков В Л., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника.- Киев: Наукова думка, 1975.- 704 с.
  108. Г. В., Борисова AJI., Жидкова ТХ. и др. Физико-химические свойства окислов. Справочник.- М.: Металлургия, 1978.-472 с.
  109. Ю.Ф., Скориков В. М. Система Bi203 СиО // ЖНХ.-1989- Т. 34, N10.- С. 2713−2715.
  110. Boivin J.-C., Thomas D., Tridot G. Determination des phases solides du systeme oxyde de bismuth oxyde de cuivre: Domaines destabilite et etude radiocristallographique // С JR. Acad. Sc.- 1973- T. 276, serieC.-P. 1105−1107.
  111. .Г., Лазарев В. Б., Шаплыгин И. С. Исследование субсо-лндусной части фазовых диаграмм двойных систем В12О3 МО (М — Ni, Си, Pd) // ЖНХ.-1979.-Т. 24, N6.-С. 1663−1668.
  112. К.П. Электропроводность СиО при диссоциации II Неорган. материалы.-1968.- Т.4, N8.- С. 1268−1273.
  113. К.П. Собственная проводимость CuO II Неорган, материалы.- 1968.- Т.4, N8.- С. 1274−1278.
  114. А.В. Пьезоэлектрики со структурой перовскита и сил-ленита в бинарных системах В1гОз МеО (где Me = Mg, Ва) / 2 Всесо-юзн. конф. по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектри-ческих и родственных материалов.- М.: Наука, 1983.- 294 с.
  115. Conflant P., Boivin J.-C., Thomas D. Le Diagramme des phases solides du systeme ЪгОз CaO II J. Solid State Chem.- 1976.- V.18.- P.133−140.
  116. B.M., Чижевская С .H., Глаголева H.H. Жидкие полупроводники.- М.: Наука, 1967.- 244 с.
  117. А.Р. Расплавленное состояние вещества.- М.: Металлургия, 1982.- 376 с.
  118. Н.В., Пастухов ЭА., Качин С .В. Вязкость расплавов на основе оксида висмута / Теплофизическая конференция СНГ.- Махачкала: Ин-т проблем геотермии ДНЦ РАН, 1992.- С. 280.
  119. Jacobs P.W.M., Mac D6naill DA. Computational simulations of S- B12O3.1. Disorder II Solid State Ionics.- 1987.- V.23.- P. 279−293.
  120. Laarif A., Theobald F. The lone pair concept and the conductivity of bismuth oxides Bi203 //Solid State Ionics.- 1986.-V.21.- P. 183−193.
  121. Jacobs P.W.M., Mac D6naill DA. Computational simulations of 5- B12O3. II. Charge migration II Solid State Ionics.- 1987.- V.23.- P. 295−305.
  122. Э.А., Мусихин В. И., Ватолин Н. А. Электрические свойства нестехиометрических оксидных расплавов.- Свердловск: УНЦ АН СССР, 1984.- 112 с.
  123. В.А., Косов А.В, Скориков В. М. и др. Изучение свойств расплавов в системах Bi203 ZnO и Bi203 — CdO // ЖНХ.- 1976.-Т.21, N3.-С.529−532.
  124. Г. Б. Кристаллохимия.- М.: Наука, 1971.- 400 с.
  125. И.Д., Воскресенская Н. К. Поверхностное натяжение окиси висмута // Изв. АН СССР. Неорган.материалы.- 1970.- Т.6, N7.- С. 1358.
  126. А.В., Морозова Л. В., Новиков А. И. Электрофизические свойства оксида кадмия // Неорган, материалы.- 1993.- Т.29, N1.- С.66−69.
  127. Т.Н., Цурган Л. С., Черных Е. М. и др. Фазовые равновесия в системе Bi203 CdO / Проблемы повышения эффективности производства и использования цветных металлов в народном хозяйстве.- Красноярск: КИЦМ, 1989.-С.69−70.
  128. В.Н., Пахомов В.И.,. Сафронов Г. М. и др. О природе фаз со структурой y-Bi203 (силленит-фаза) // Неорган, материалы.-1973.- Т.9, N9.-С.1576−1580.
  129. Л.Л., Сидоров Т. А., Шейнина Т. Г. и др. Исследование стек-лообразования в системах Sr0-Ga203-Bi203 и Ca0-Ga203-Bi203 // Неорган.материалы.- 1975.- Т.11, N 3.-С.578−580.
  130. Г. М., Сперанская Е. И., Батог В. Н. и др. Фазовая диаграмма системы окись висмута окись галлия // ЖНХ.- 1971.- Т. 16, N2.-C.526−529.
  131. В.Б., Соболев В. В., Шаплыгин И. С. Химические и физические свойства простых оксидов металлов.- М.: Наука, 1983.- 239 с.
  132. В.П., Денисов В. М., Корчемкина Н. В. и др. Плотность и поверхностное натяжение расплавов системы Bi203-Ge02 // Расплавы.- 1990.-N6.- С.107−108.
  133. B.M., Пастухов Э. А., Ченцов В. П. и др. Расплавы металлургии полупроводников: строение и физико-химические свойства.- М.: Наука, 1981.-320 с.
  134. С.И. Теория металлургических процессов. Итоги науки и техники.- М.: ВИНИТИ, 1971.- 132 с.
  135. П.А., Ковба JI.M., Багдасаров Х.С, и др. Соединения редкоземельных элементов. Системы с оксидами элементов I-II групп.- М.: Наука, 1983.-280 с.
  136. Е.И., Скориков В. М., Роде Е. Я. и др. Фазовая диаграмма системы окись висмута окись железа // Изв. АН СССР. Сер. химическая.-1965.- N5.- С.905−906.
  137. Д.Н., Мурашов В. А., Буш А.А. и др. Выращивание и пироэлектрические свойства монокристаллов BiFe03 // Кристаллография.- 1988, — Т. ЗЗ, Вып.2.- С.445−449.
  138. К.А., Петраковский Г. А., Агартанова Е. Н. и др. Магнитное стекло Bi203-Fe203 // Письма в ЖЭТФ.- 1976.- Т.24, Вып.6.- С. 357.
  139. В.Е., Саблина К. А., Холопова Г. Д. Исследование стекла состава Bi2Fe409 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, — 1983.- Т. 19, N7.- С. 1227−1229.
  140. П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов.- М.: Мир, 1975.- 396 с.
  141. Э.А., Ватолин Н. А. Строение и электрические свойства расплавов, содержащих окислы переходных металлов / Строение ионных расплавов и твердых электролитов.- Киев: Наукова думка, 1977.- С.36−48.
  142. Г. Г., Кожеуров B.JL О механизме электрической проводимости в вюстите И ЖФХ.- 1965.- Т.39.- С.775−776.
  143. Г. А., Есин О. А. О координации ионов железа и марганца в расплавленных окислах и шлаках / Тезисы докладов Первой Всесоюзной конференции по термодинамике окисных и сульфидных растворов.- Свердловск: УФАН СССР, 1968.- С.74−75.
  144. Г. А. Исследование кинетики взаимодействия металлов и угля с оксидными расплавами электрохимическими методами : Автореф. дис.. докт. техн. наук, — Свердловск: УПИ, 1969.
  145. Н.А., Пастухов Э. А. Дифракционные исследования строения высокотемпературных расплавов.- М.: Наука,. 1980.- 189 с.
  146. Т.В., Кудзин А. Ю., Костюк В. Х. Влияние легирования на свойства монокристаллов Bi12SiO20 // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.-* 1983.- Т. 19, N7.- С. 1144−1147.
  147. А.Б., Шишкин А. В., Мешалкин А. Б. Вязкость в системе оксид висмута оксид германия / Строение и свойства металлических и шлаковых расплавов: Тез. 8 Всероссийской конф.- Челябинск: ЧГТУ, 1994.- Т.2, 4.1−2.- С. 85.
  148. Г. Неорганические стеклообразующие системы.- М.: Мир, 1970.-312 с.
  149. Я.В., Френчко B.C., Резник И. Д. и др. Особенности структуры ближнего порядка и характера взаимодействия в жидком Bii2GeO20 // Иза. АН СССР. Неорган, материалы, — 1986.- T.22,N4.- С.654−658.
  150. Е.И., Рез И.С., Козлова Л. В. и др. Система окись висмута двуокись титана // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1965.- Т.1, N2.-С.232−235.
  151. В.Л., Есин О. А. Вязкость и плотность системы V205-Ca0 и V205-Mg0 // Изв. СО АН СССР.- 1958.- N9.- С.3−9.
  152. .И. Кислотно-основные свойства расплавов кальциевых и натриевых силикатов // Изв. АН СССР. Металлургия и горное дело.- 1963.-N3.- С.67−69.
  153. Allersma Т., Hakin R., Kennedy T.N. et al. Structure and physical properties of solid and liquid vanadium pentoxide // J.Chem.Phys.- 1967.- V.46.- P.154−160.'
  154. P.M., Бондаренко B.M. Флуктуации тока и проводимость в расплаве V205 // Расплавы.- 1989.- N4.- С.90−96.
  155. Смолянинов H. IL, Беляев И. Н. Фазовые равновесия в системе Bi203-V205-Pb0 // ЖНХ.- 1963.- Т. 8, N5.- С.1219−1223.
  156. В.Б., Лобанов А. А. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов.- М.: Металлургия, 1981.- 216 с.
  157. В .Я., Озерова М. И., Фиалков Ю. Я. Основы физико-химического анализа.- М.: Наука, 1976.- 504 с.
  158. С., Лейдлер К., Эйринг Г. Теория абсолютных скоростей ре-акций.- М.: Изд-во ИЛ, 1948.- 583 с.
  159. А.Р., Глазов В. М. Закономерности формирования структуры электронных расплавов.- М.: Наука, 1982.- 320 с.
  160. P.M., Бондаренко В. М. Механизм разупорядочения расплава V2Os вблизи температуры плавления // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1986.- Т.22, N 8.- С.1326−1327.
  161. Э.А., Есин О. А., Ватолин Н. А. Полупроводниковые свойства и отклонение от стехиометрии расплавленной V2O5 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы.- 1968.- Т.4, N 11гС.1960−1965.
  162. В.М., Ченцов В. П., Шалаумов С. И. и др. Исследование контактного взаимодействия расплавов на основе оксида висмута с твердыми металлами и оксидами // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1991.- Т.27, N4.-С.763−765.
  163. Van Enckevort W.J.P., Smet F. In situ microscopy of the growth of bismuth germanate crystals from high temperature melts // J. Cryst Growth.- 1987.-V.82, N 4.- P.678−688.
  164. В.В., Боксер Э. Л., Пастухов Б. А. Равновесие на периметре при смачивании твердой поверхности расплавами // Адгезия расплавов и пайка материалов.- 1976.- Т.1.- С.39−42.
  165. Л.М., Журавлев Г. И. Химия и технология ферритов.- Л.: Химия, 1983.- 256 с.
  166. В.Н., Лесник Н. Д., Иванова Т. О. Кинетика растекания и контактное взаимодействие в системах алюминий металл семейства железа // Адгезия расплавов и пайка метариалов.- 1976.- Т.1С.47−50.
  167. С.И. Кинетика растекания расплавов по твердым поверхностям и кинетика смачивания // Адгезия расплавов и пайка метариалов.- 1976.-Т.1.- С.3−28.
  168. Lorenz Е. Applications on BGO // Vuoto Sci. e teCnol.- 1985.- V.15, N 1.-P.47.
  169. С.Ф., Кухтина H.H., Рыжиков В. Д. Влияние среды термообработки на сцинтилляционные параметры кристаллов германоэвлитина / Висмутовые соединения и материалы.- Коктебель-Челябинск: УДЭНТП, 1992.-С.76−78.
  170. А.А., Бондаренко B.C., Переломова Н. В. и др. Акустические кристаллы.- М.: Наука, 1982.- 632 с.
  171. Е.К., Чижиков Д. М. Давление и состав пара над окислами химических элементов.- М: Наука, 1976.- 342 с.
  172. Х.С. Физико-химические основы высокотемпературной кристаллизации и методы выращивания кристаллов.- М: ВИНИТИ, 1987.-Т.21.-140 с.
  173. В.В., Кравченко В. Б., Соболев А. Т. Получение легированных монокристаллов силикосилленита (Bi^SiCbo) / Тез. докл. 2 Всес. конф. по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов.-М.: Наука, 1983.-С.237.
  174. М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике.- М.: Наука, 1986.-144 с.
  175. Т.И., Перминова Л. И., Ильиных В. Е. и др. Степень отклонения состава кристаллов германата висмута от стехиометрии // Физико-химические основы технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов.- Звенигород: ИОНХ, 1980.- С. 112.
  176. Р., Паркер Р. Рост кристаллов.- М.: Мир, 1974.- 540 с.
  177. В.Н., Вольпян А. Е., Курдюмов Г. М. Направленная кристаллизация и физико-химический анализ.- М.: Химия, 1976.- 199 с.
  178. М.А., Дегтярев Ю. Л., Петрашень П. В. и др. Рентгенотопо-графическое исследование монокристаллов соединений со структурой силле-нита // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1986.- Т.22, N5.- С. 798−800.
  179. А.Т., Копылов Ю. Л., Кравченко В. Б. и др. Зависимость оптической однородности монокристаллов германосилленита от условий роста // Кристаллография.- 1978.- Т.23.- С. 174−179.
  180. В.А., Шиманский А. Ф., Кутвицкий В. А. и др. О структурных напряжениях в монокристаллах германо- и силикосилленита / Физико-химические основы технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов.- Звенигород: ИОНХ, 1980.- С. 283.
  181. В.А., Детиненко В. А., Седельников А. П. Термическая устойчивость силленитов германия к отжигу в вакууме // Автометрия.- 1988.- N4.-С.46−49.
  182. В.А., Деменко С. И., Детиненко В. А. и др. Влияние отжига в кислороде на фотоэлектрические свойства монокристаллов Bij2GeO20 // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1986.- Т.22, N12.- С.2070−2072.
  183. Ю.Ф. Фазовый состав поверхности кристаллов Bii2MO20 и Bi4M3Oi2 (М Si, Ge, Ti) при отжиге в вакууме // Неорган, материалы.- 1995.-Т.31, N1.-C.88−90.
  184. К.Н., Алиханян А. С. Масс-спектральный метод исследования областей гомогенности оксидов И ДАН.-. 993.- Т.329, N4.- С.452−454.
  185. Е.Е., Леонов Е. И., Подольский В. В. и др. Оптическое поглощение в кристаллах и пленках Bii2Ge02o Н Изв. АН СССР. Неорган, материалы.- 1983.- Т. 19, N4.- С.683−684.
  186. А.А. Аналитическая химия сурьмы.- М.: Наука, 1978.-222с.
  187. Ю.В., Задонская Н. В., Лузина Т. А. и др. Устройство для спектрального анализа // Заявка N 93 038 531/25/38 265.- Решение о выдаче патента от 30.05.95.
  188. Н.В., Любочко В. А. Анализ порошковых материалов на благородные и тяжелые металлы прямым спектральным методом / V конференция «Аналитика Сибири и Дальнего Востока».- Новосибирск, 1996.- С. 168.
  189. Nasu Н., Myoren Н., Ibara Y. et al. Formation of high-Tc superconducting BiSrCaCu2Ox films on Zr02/ Si (100) // Jpn. J. Appl. Phys.- 1988.- V.27, N4.- P. L634-L635.
  190. Cheung C.T., Ruckestein E. Superconductor substrate interactions of the Y-Ba-Cu oxide//J. Mater. Res.- 1989.-V.4,N1.-P. 1−15.т1. РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯм «ш '
  191. Государственное предприятие &bdquo-ГЕРМАНИЙ»
  192. Почтовым: 660 027, Красноярск Транспортной проезд, I Телетайп: Красноярск AT 288 168 «МИР»
  193. Факс: (3912) 33−66−96 Телефон: 33−66−96- 33−95−88
  194. Банковские: 660 025, Красноярск 1>/с 242 604 в Правобережном филиале коммерческого банка «Енисей» МФО 144 784
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?