Эквивалентная схема БТ

На рис. 1.15 представлен один из вариантов эквивалентной схемы БТ с ОЭ.

Напряжение U_B — приращения напряжения на эмиттерном р-п- переходе. Это напряжение определяет выходной коллекторный ток через крутизну S ВАХ р—«-перехода.

Резистор — объемное сопротивление базы, обусловленное модуляцией эффективной толщины базы. Сопротивление базы определяется типом транзистора (20—400 Ом) и слабо зависит от режима; С_э — диффузионная емкость открытого эмиттерногор-п- перехода; С_к — барьерная емкость запертого перехода.

Рис. 1.15.

Коэффициент передачи тока определяет также связь между эмиттерным и коллекторным токами. Эмиттерный ток является суммой базового и коллекторного токов, как для постоянных составляющих, так и для переменного сигнала.

Следовательно,.

Для транзисторов с (3 > 50

Напряжение U_B возникает при протекании эмиттерного тока /_э

через дифференциальное сопротивление р—«-перехода и принимает значение U_B = r_dI_r Дифференциальное сопротивление r_d определяется постоянным током эмиттера 1_Э в рабочей точке. Выражение (1.18) позволяет записать:

Это равенство определяет сопротивление г =r_d( 1 + |3) в схеме рис. 1.15. Поскольку для данной схемы в низкочастотной области (конденсаторы С_э и С_к из рассмотрения исключаются) входной базовый ток задает напряжение U_B (с учетом того, что сопротивление запертого перехода г_к -*? °°).

При этом входное сопротивление.

Параметр связан с конечным значением сопротивления.

^гк^:

Малые значения Л_12оэ «1 определяют:

Выходная проводимостьзадается наклоном выходных ВАХ БТ.

Крутизна характеристики прямой передачи связана с /г-параметрами:

и с крутизной р—"-перехода S:

поскольку ток I₂ = SU_й, а напряжение