Принцип функциональной интеграции

Принцип функциональной интеграции заключается в следующем: если области одного типа разных компонентов имеют одинаковый потенциал (функцию), то их можно объединить в одну область.

Применив этот принцип к полученной схеме, можно объединить:

• • внутреннее сопротивление источника тока p_R с эмиттерной областью инжектирующего транзистора р_1э;
• • базу инжектирующего транзистора п_2б — с эмиттером логического транзистора п_2э;
• • коллектор инжектирующего транзистора р_3к — с базой логического транзистора р_3б.

В результате трехкратного применения принципа функциональной интеграции мы получаем модель интегрального ИИ, содержащего меньшее количество полупроводниковых областей (всего четыре); по сути, мы получаем новый элемент инжекционной схемотехники.

Древовидная модель (N = 3) для реализации биполярного транзистора, схемы И и ИЛИ на два входа Таблица 6.5.

Продолжение

Применяя принцип функциональной интеграции к элементам транзисторной схемотехники, получаем интересный результат: в переходной схемотехнике биполярный транзистор, схемы И и ИЛИ на два входа реализуются на структурах, имеющих одинаковую модель (табл. 6.5). Иначе говоря, на одинаковых структурах с различным функциональным управлением и назначением можно реализовать многие простейшие устройства.