Фотохимические процессы в легированных кристаллах сульфоселенида кадмия и селенида цинка
Диссертация
Для достижения поставленной цели решены следующие задачи: методами фотои термоактивационной спектроскопии определены энергетический спектр и кинетические параметры электронных и дырочных состояний, сформированных глубокими центрамиустановлены структура, характеристические параметры и физико-химическая природа примесно-дефектных центров в образцах различного химического состававыявлены условия… Читать ещё >
Содержание
- Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
- 1. Центры с глубокимиуровнями в соединениях АПВУ
- 1. 1. Классификация центров с глубокими уровнями в полупроводниках
- 1. 2. Методы исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах
- 1. 3. Фотоактивационные процессы с участием электронных и дырочных центров
- 1. 4. Термоактивационные процессы с участием электронных ЦП
- 1. 5. Фотохимические реакции
- 1. 6. Структурные и примесные дефекты и их ассоциаты в кристаллах
- 1. Центры с глубокимиуровнями в соединениях АПВУ
- 2. 1. Экспериментальная становка
- 2. 2. Методика обработки данных эксперимента
- 2. 3. Характеристика исследованных бразцов
- 3. 1. Экспериментальные результаты исследования ФХР в кристаллах С (18<�К>
- 3. 2. Спектры ИПФ и ТСТ в кристаллах 2п8е<
- 3. 3. Обсуждение экспериментальных результатов
- 3. 3. 1. Особенности фотохимических реакций в кристаллах Сс15<�К>и
- 3. 3. 2. Флуктуации примесного фототока в кристаллахСё8×8е]. х активированных калием
Список литературы
- AvenM. PrenerJ.S. PhysicsandChemestryofll-
- VICompounds.Amsterdam.-1967. (Перевод под ред. С.А. Медведева2 6
- Физика и химия соединений, А В .М.: «Мир».- 1970.)
- Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: «Физматгиз», — 1962. 494 С.
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: «Мир», — 1966.-138 С.
- Лашкарев В.Е., Любченко A.B., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках// Киев: изд-во «Наукова Думка».-1981.-264 С.
- Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках// М.: «Мир».- 1977. 562 С.
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках// М.: «Мир»,-1973. 456 С.
- Шейнкман М.К. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках А2В6// Изв. АН СССР. Сер. физ, — 1973.- т.37, — № 2.- С. 400−404.
- Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции// Изв. АН СССР. Сер. физ, — 1946.- т.Ю.- № 5−6, — С. 477−487.
- Garlic G.F.Т., Gibson A.F.The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors// Proc. Phys. Soc.- 1948.- v. A60.- N342.-P. 574−590.
- Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.// M.: «Высшая школа».- 1971. 336 С.
- Кюри Д. Люминесценция кристаллов// М.: «ИЛ».-1961.-194 С.
- Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул, и кристаллов// М.: Физматгиз.- 1959.
- Вертопрахов В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорга-нических веществах// Новосибирск: «Наука», — 1979.- 333 С.
- Вертхейм Г., Хаусман А., Зандер В. Электронная структура точечных дефектов// М.: «Атомиздат», — 1977. 204 С.
- Физика соединений А2В6 // (Под редакцией Георгобиани А. Н., Шейнкмана M.K.).- М.: «Наука».- 1986. 320 С.
- Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов// (Под редакцией Полторака О.М.) М.: «Мир», — 1969. 654 С.
- Берг А., Дин П. Светодиоды// М.:изд-во «Мир», — 1973.- 686 с.
- Недеогло Д.Д., Симашкевич A.B. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка// Кишинев: «ШТИИНЦА».-1984.-150 с.
- Морозова Н.К., Кузнецов В. А. Сульфид цинка получение и свойства //М.: «Наука».- 1987. 200 С. 19.
- ReissH., FullerC.S., MorinF.J. Bell. SystTech.J.- 1956, — v.35.- P.535−611. (Цитируется по 16.).
- Меркам Л., Вильяме Ф. Конфигурационное взаимодействие и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцепторных пар// Изв. АН СССР, сер. физич, — 1973,-т.37.-№ 4,-С. 803−809.
- Morgan T.N., Weiber В., Bhargana R.H. Optical properties of Cd-0 and Zn-Complexes in GaP// Phys.Rev.- 1968.- v.166.- N 3.- P.751−753
- Henry C., Dean P., Thomas D., Hopfield J. A localized exciton bound tocadmium and oxygen in gallium phosphide// In: Proc. conf. Localized excitations." Ed. Wallis R.F. New York: Plenum press.-1968.- P. 257.
- Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия // В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: «Наука».- 1972.- С. 224−304.
- Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates // J.Luminescence.- 1973.- v.7.- N1.- P.35−50.
- Термолюминесценция и термостимулированный ток методы определения параметров захвата// «Физика минералов». М.: «Мир». -1971, — С. 134−155.
- Кульсрешта А.П., Горюнов В. И. О расчете кривых термостимулированного тока // Физ. тв. тела.- 1966, — т. 8.- № 6.- С. 19 441 946.
- Ждан А.Г., Сандомирский В. Б., Ожередов А. Д. и др. К определению параметров ловушек по кривым термостимулированного разряда конденсатора// Физ. и техн. полупроводников.- 1969, — Т.З.- № 12.- С. 1755.
- Каваляускене Г. С., Ринкавичюс B.C. О методе термостимулированного разряда конденсатора// Физ. и техн. полупроводников.- 1969, — Т.З.-№ 3.- С. 445−446.
- Hiroshi Sugimoto and Tetsuo Maruyama. Chenge Transfers in the Red Copper Luminescent ZnS Phosphors Investigated by Electron Spin Resonance
- Method// J. of the Phys.Soc. Japan.-1967.- v.23.- N1, — P. 44−51.
- Берман JI.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров.//М.: «Наука», — 1980, — 126 с.
- Сальков Е.А. Кинетические методы определения параметров уровней прилипания// Физ. тв. тела.- 1963.- т.5.- № 1, — С. 240−245.
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах// М.: изд-во «Мир», — 1973.- 416 С.
- Зюганов А.Н., Свечников С. В. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках//Киев: «Наукова думка», — 1981.- 254 с.
- Lu Lianggand. The principle of a new method for determining local trapping states by space-charge-limited current.// J.Appl. Phys.- 1993.- v.73.-№ 11.- P. 7487−7490.
- Аркадьева E.H., Рыбкин C.M. Индуцированная инфракрасная чувствительность в некоторых полупроводниках // ФТТ.- I960.- т. 11.- № 8, — С. 1889−1892
- Аркадьева E.H., Парицкий Л. Г., Рыбкин С. М. Исследование кинетики инфракрасной примесной фотопроводимости в CdS, индуцированной постоянной подсветкой // ФТТ.- I960, — т. 11.- № 6.- С. 1160−1163.
- Ризаханов М.А., Эмиров Ю. Н., Абилова H.A. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Cu, обусловленные фотохимическими реакциями// ФТП, — 1980.-Т.14.- № 9.- С. 1665−1671.
- Гасанбеков Г. М., Карпович И. А., Магомедов Н. П. Индуцированная примесная фотопроводимость в пленках ZnTe // Учен. записки Горьковского ун-та.- 1973.- вып. 167.- С. 61−63.
- Ризаханов M. А., Габибов Ф. С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS// ФТП.- 1979, — т.13.-№ 7,-С.1324−1328.
- Ризаханов М.А., Зобов Е. М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSe// ФТП.- 1980, — т.14.- № 12.- С.2407−2410.
- Ризаханов М.А. Универсальная диаграмма характеристических параметров центров прилипания носителей заряда и соответствующих термостимулированных спектров в полупроводниках и диэлектриках// Физ. тв. тела.- 1989.- т.31.- № 11.- С. 193−196.
- Георгобиани А.Н., Котляревский М. Б., Рогозин И. В. Глубокие акцепторные центры в А2В6// Труды междунаодной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах».- Ульяновск: изд-во УГУ.- 1997.- С. 2627.
- Larsen T.L., Varotto C.F., Stevenson D.A. Electrical transport and photoelectronic properties of ZnTe Al crystals // J. Appl. Phys.- 1972.-v.43,-№ 1.- P. 172−182.
- Георгобиани A.H., Котляревский М. Б., Михайленко B.H. Структура дефектов в ZnS с собственно-дефектной дырочной проводимостью//Изв.АН СССР. Неорган.материалы.- 1981.- т.17.- № 7,-С.1329−1334.
- Shirakawa J., Kukimoto H. The electron traps associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSxSe.x.// SolidState Commun.-1980.- v.34.- N5.- P. 359.
- Кукк П.JI., Палмре И. В. Центры свечения в легированном ZnSe и энергия активации их образования.// Изв. АНСССР. Неорган.100материалы.- 1980.- T.16.-N11.- С. 1916−1920.
- Wakim F.G. Stimulated photocurrent and thermally stimulated current excitation spectra in cubic ZnSe crystals// J.Appl.Phys.-1970.-v.41.- N 2.- P. 835.
- Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide// J.Appl.Rhys.- 1984, — v.55.- N15, — P. 1614−1616.
- Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrical measurements // Solid Stat.Commun.-1969.- v.24, — № 7.- P. 1757−1761.
- ВаксманЮ.Ф., МалушинН.В., СердюкВ.В. ИccлeдoвaниecпeктpoвфoтoлюминecцeнциимoнoкpиcтaллoвZnSeлeгиpoвa нныхалюминием // Журн. прикл. спектроск.- 1976.- т.25.- № 5.- С. 832 835.
- Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat treated in controlied Partial Pressures of constituent elements// Japan J.Appl. Phys.- 1979.- v. l8.- N10.- P. 1965−1972.
- Halsted R.E., Aven М. Photo luminescence of defect exciton complexes in II-VI compounds// Phys. Rev. Lett.- 1965.- V. 14.- № 3.- P. 64−65.
- Kishida S., Matsuura K., Fukuma H. et al. Optical absorption bands in neutron irradiated ZnSe find ZnSo.sSeo.s crystals // Phys. Stat. Sol.(b).- 1982.101
- V.l 13.- № 1.- P. K31-K32.
- Lee K.M., Dang L.S., Watkins G.D. Optically detected magnetic resonance of zinc vacancy in ZnSe// Solid State Commun.- 1980.- V. 35.- № 7, — P. 527−530.
- Шейнкман M.K., Беленький Г. Jl. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe// ФТП.- 1968.- т.2.- № 11.-С.1635−1638.
- Городецкий И.Я., Касьян В. А., Федоров А. И. и другие. Рекомбинация носителей заряда в монокристаллах ZnSe, легированных
- Al, Ga и Си.//В кн.: Физические процессы в гетер о структур ах и2 6некоторых соединениях, А В .- Кишинев: «Штиинца», — 1974, — С. 77−85.
- Bube R.H., Lind E.L. Photoconductivity of ZnSe crystals and correlation of donor and acceptor levels in II-VI photoconductors// Phys. Rev.- 1958.-V.110.- № 5.- P. 1040−1049.
- Коротков B.A., Маликова Л. В., Морозова В. И., Симашкевич А. В. Исследование глубоких центров, связанных с собственными дефектами в ZnSe// Изв. ВУЗов.Сер.физика.- 1989.- № 3, — С. 42−46.
- Георгобиани А.Н., Котляревский М. Б., Леонтьева О. В., Пегов А. А. Собственно-дефектные электрически активные акцепторные центры в селениде цинка р-типа// Краткие сообщ. по физике ФИАН.- 1986.- № 6.-С. 21−23.
- YuP.W., ParkY.S. p-TypeConductioninUndopedZnSe // Appl. Phys. Lett.- 1973, — V.22.- № 7.- P. 345−347.
- МорозоваН.К., ГаврищюкЕ.М., КаретниковИ.А., БлиновВ.В., ЗимогорскийВ.С., ГалстянВ.Г., ЯшинаЭ.В. ЛюминecцeнцияZnSe, сильнолегированногомедью// Неорган, материалы.- 2002.- т. 38.- № 6.- С. 674.680.
- Айзенберг О.Н., Ревзин Л. С., Рыдун О. И., Сигал Г. П., Шапиро A.M. Исследование межпримесных фотопереходов в зеленой люминесценции ZnS-Cu фотолюминофорах // Журн. Прикл. Спектроскопии.- 1977.- т. 26, — № 4, — С. 673−677.
- Гурвич A.M., Гутман В. Б., Ильина М. А. О природе глубоких центров свечения в ZnS-фосфорах активированных серебром и медью. // Изв. АН СССР. Сер. физика, — 1971, — т. 35.- № 7.- С. 1467−1469.
- Ризаханов М.А., Абрамов И .Я., Хамидов М. М. Объяснение зеленосиней люминесценции в ZnS-Cu на основе новой модели центров свечения//ФТП, — 1978, — т. 12,-№ 11.-С. 2186−2191.
- Корсунская Н.Е., Кролевец Н. М., Маркевич И. В. и др. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью// ФТП.- 1975, — т.7.- № 2, — С. 275−278.
- Ullman F.G., Dropkin J.J. Infrared enhancement and quenching of photoconduction in single crystals of ZnS: Cu // J. Electrochem. Soc. 1961.-V.108.- № 2.- P. 154−159.
- Хамидов М.М. Структура, параметры и физико-химическая природа2 6центров с глубокими уровнями в соединениях, А В . Автореф. дис.доктфиз.-мат. Наук. Ульяновск, 2006. 38 с.
- Swaminathan V., Green L.C. Low temperature photoluminescence in Ag-doped ZnSe// J. Luminescence.- 1976, — V.14.- № 5/6, — P. 357−363.
- Baker A.T.J., Bryant F.J., Lowther J.E. The visible luminescence of copper doped zinc telluride// J. Phys. C.- 1973.- V. 6, — № 4. p. 780−783.
- Chamonal J.R., Molva E., Pautrat J.L. Indentification of Cu and Ag acceptors in CdTe//Ibid.- 1982.-v.43.-№ 11,-P. 801−805.74. РизахановМ.А.
- Объяснениелинейчатыхспектровиндуцированнойпримеснойфотопроводи мocтивCdS-CdSeнaocнoвeпpeдcтaвлeнийoдoнopныx молекулах// ФТП.-1982.- т.16.-№ 4. -С. 699−702.
- Зобов Е.М., Гарягдыев Г. Г., Ризаханов М. А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами// ФТП,-1987,-т.21, — в. 9,-С. 1637- 1641.
- Ризаханов М.А., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К. Зависимость сечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS : Ag от их энергетического положения// ФТП.-1975.- т.9.- № 4, — С. 779−782.
- Махний Е.В., Мельник В. В. Свойства кристаллов ZnSe, легированных фосфором// Неорган, материалы.- 1995.- т.31.- № 10.- С. 1294−1295.
- Брук Л.И., Горя О. С., Коротков В. А., Ковалев Л. Е., Маликова Л. Симашкевич А. В. Кинетика фотопроводимости кристаллов ZnSe при оптической перезарядке глубоких центров// Неорган, материалы.- 1995.-т.31.- № 10.- С. 1296−1298.
- Березовский М.М., Махний В. Л. Свойства монокристаллических слоев ZnSe, легированных Cd // Неорган, материалы, — 1995. т.31.- № 10.- С.1299−1301.
- Березовский М.М., Махний В. П., Мельник В. В. Влияние примесей Li, Cd, In, As на оптоэлектронные свойства ZnSe// Неорган, материалы.-1997.- т.33.- № 2.- С.181−183.
- Bhargava R.N., Soymowi R.I., Fitzpatrik B.I., Herko S.P. Donor-acceptor pair band in ZnSe // Phys. Rev.B. 1979.- V. 20, — № 6, — p. 2407−2419.
- Holten W.C., de Wit M., Estle T.L. Self-activated ZnS and ZnSe: lumines cence and electron spin resonance // Intern. Luminescence Sympos. And Chem. Szintillator.- Munchen.- 1965.- P 454−459.
- Aven., Keunicott P.R. Semiconductor device concepys. // Scientific Report N. AF-19 (628)-329, U.S.- Air Forse Cambridge Research Laboratories, Bedford, Massachusetts.- 1964, — P. 17−20.
- Emelyanenko O.V., Ivanova G.H., Lagunova T.S. et al. Scattering mechanisms of electrons of ZnSe crystals with high mobility. // Phys. Stat. Vol.(b).- 1979.- V.96.- № 2, — P. 823−833.
- Гаугаш П.В., Недоогло Д. Д., Нгуен Фнь Минь. Электрические свойства селенида цинка, легированного алюминием и галлием //В кн.: Физические процессы в полупроводниках.- Кишинев: Штиинца, — 1977.126 с.
- Park Y.S., Hemenger P.M., Chung C.H. p-type conducting in Li-doped ZnSe// Appl. Phys. Lett.- 1971.- V. 18.- № 2.- P. 45−46.
- Henning J.C.M., Boom H. van den, Dieleman J. Electron-spin resonance of CO+2 in cubic ZnSe //Phil. Res. Repts.- 1966.- V.21.- № 1.- P. 16−26.
- Terada T. Photoconductivity of phosphorus-ion-implanted zinc selenide// J. Phys. Soc. Jap.- 1976, — V.40.- № 4. P. 1048−1055.
- Swaminathan V., Greene L.C. Pair spectra, edge emission the shallow acceptors in melt-grown ZnSe.// Phys. Rev. В.- 1976.- V.14.- № 12. P. 53 515 363.
- Roppisher H., Jacobs J., Novicov B.V. The influence of Zn and Se heat treatment on the exciton spectra of ZnSe single crystals // Phys. Stat. Solidi (a).- 1975, — V.27.- № 1.- P. 123−127.
- Заячкивский В.П., Савицкий A.B., Никонюк Е. С. и др.105
- Энергетический спектр уровней захвата в теллуриде кадмия, легированного германиием // ФТП.- 1974, — т.8.- № 5.- С. 1035−1037.
- Гнатенко Ю.П., Фарина И. А., Гамарник Р. В. и др. Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe:Fe и Cdi. xFexTe// ФТП.-1993.- т.27.- № 10, — С. 1639−1650.
- SimonsAJ., ThomasC.B. Mexanisms' ofelectronicconductionthroughthinfilmZnS: Mn // Phil. Mag.B.- 1993, v.68, № 4, p. 465−473.
- Блашков B.C., Манжаров B.C., Ткачук П. Н., Цосопь B.M. Термовысвечивание селенида цинка легированного акцепторными примесями // ФТП, — 1980, — т.14, — N8, — С. 1621−1624.
- Рыскин А.И. Спектроскопия сульфида цинка и других соединений, А В, активированных ионами переходных металлов// Автореф. Докторской диссертации.- Л.: 1973.- 23 с.
- Гавриленко В.И., Грехов A.M., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г. Оптические свойства полупроводников (справочник)// Киев: «Наукова Думка». — 1987.- 607 с.
- Лепнев Л.С. Взаимодействие собственных и примесных дефектов в люминесцентных полупроводниковых материалах на основе халькогенидов цинка// Автореф. дис.докт. физ.-мат. М.: 2002.- 25 с.
- ElmanharawyM.S., Abdel-KaderA. On the nature of fluorescent centers and traps in some ZnS-phosphors activated with silverand copper// Acta Phys. Polon.- 1979, — v. A56.-N1.-P. 19−29.
- Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmium selenide crystals// J.Chem.Phys.- 1958, — v.29.- N1.- P. 128−137.
- ШейнкманМ.К., ТягайВ.А., БеленькийГ.Л., БондаренкоВ.Н. ИccлeдoвaниeпpиpoдыoчyвcтвлeнияCdSeмoнoкpиcтaллoввpeзyльтaтeиx травления// Укр. физ. журнал.- 1968, — т.13, — № 9.- С. 1453−1457.
- Бондаренко И.Н., Городецкий И .Я., Любченко А. В. и др. Параметры быстрых центров рекомбинации в CdS и их влияние на фоточувствительность// Укр. физ. журнал, — 1973.- т. 17.- № 3.- С. 599−605.
- SacalasA., BaubinasR. ScatteringcentersandtheirralationtotherecombinationcentersinsinglcrystalsofCd Se // Phys.Stat.Sol.(a).- 1975.- v.31.- N1, — P. 301−307.
- Сакалас А. Собственные дефекты в селенистом кадмии// Лит.физ. сборник, — 1979.- т.19.- № 2.- С. 233−240.
- Баубинас Р., Вищакас Ю., Сакалас А., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe// Лит.физ. сборник.-1974.- т.14.-№ 4.-С. 609−611
- Кириченко Л.Г., Петренко В. Р., Уйлист Г. В. Исследование глубокого дислокационного уровня в ZnSe методом фотостимулированной проводимости // ЖЭТФ, — 1978.- т.74.- № 2.- С. 742−743.
- Городецкий И.Я., Дубенский К. К., Лашкарев В. Е., и др. Определение параметров рекомбинационных центров в монокристаллах ZnSe II ФТП.-1967.- т.1.- № 11.-С. 1666−1673.
- Tcholl Е. The photochemical interpretation of slow phenomena in107cadmium sulphide// Philips Res. Repts. (Suppl).-1968.- № 6.- P.1−93.
- Илащук Б.И., Матлак В. В., Парфенюк O.A., Савицкий A.B. Особенно-сти комплексообразования в р- CdTe при значительных концентрацииях собственных дефектов// ФТП.- 1986.- т.20.- № 5.- С. 849 852.
- ПО.Сакалас А. Собственные дефекты в селенистом кадмии// Лит.физ. сборник.- 1979, — т.19.- № 2, — С. 233−240.
- Хамидов М.М., Магомедбеков У. Г., Рабаданов М. Х., Солтамурадов Г. Д., Хамидов М-д.М. Фотостимулированные преобразования в кристаллах селенида цинка, легированных серебром //Изв. Вузов. Сев.-Кавк. регион. Ест.науки. 2010. № 5 (159). С. 52−54
- Хамидов М.М., Магомедбеков У. Г., Зобов Е. М., Солтамурадов Г.Д., 108
- Хамидов М-д.М. Самоактивированная люминесценция в кристаллах селенида цинка /Фундаментальные и прикладные вопросы получения новых материалов: исследования, инновации и технологии. Матер. IV Междун. науч. конф. Астрахань: «Астр.ун-т», 2010. С. 99−101
- Хамидов М.М., Магомедбеков У. Г., Рабаданов М. Х., Солтамурадов Г. Д., Хамидов М-д.М.Фотостимулированная деградация кристаллов CdS: K. «Инноватика-2011»: ТрудыМеждун. конф. Т.2. Ульяновск: УлГУ, 2011. С. 5−6
- Хамидов М.М., Магомедбеков У. Г., Солтамурадов Г. Д., Хамидов М-д.М. Фотохимические реакции в кристаллах CdS: K/onto-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы. Тр. XII Межд. конф. Ульяновск: УГУ, 2010. С. 242
- Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса// Л. «Химия». — 1973.- 572 с.
- Афанасьев В.Н., Тутуров Ю. Ф. Филимончева П.Н. Инжекционный отжиг диодов на основе Ge после облучения быстрыми нейтронами. // Изв. АН СССР «Неорган, материалы», — 1974, — т. 10.- № 11.- С. 1926−1932.
- Киреев П.С. Физика полупроводников // М.: изд-во «Высшая школа». — 1969, —. С. 199 иС. 558.
- Kolas W., Wolniewicz L. Potential energy curves for the Х! ХЧ, Xu and 'Пи states of hydrogen molecule // J.Chem. Phys.- 1965, — v.43.- № 7, — P. 24 292 441.
- Шейнкман M.K. Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермической диссоциации донорно-акцепторных пар в CdS // Письма ЖЭТФ, — 1972, — т.15.-№ 11.- С. 673−676.
- Ризаханов М.А., Зобов Е. М., Хамидов М. М. Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетическими свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS. // ФТП.- 2004,-т.38.-№ 1, — С. 49−55.
- Ризаханов М.А., Хамидов М. М. Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe // ФТП.- 1993.- т. 27, — № 5.- с. 721−727.
- Зобов Е.М., Ризаханов М. А. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем в кристаллах y-La2S3// ФТП.- 2001.- т. 35.- № 2, — С. 171−176.
- Зобов Е.М., Ризаханов М. А., Хамидов М. М., Магомедов Н. М. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой в порошках промышленных люминофоров К-83, К-96 // Тезисымеждународной конф. «Оптика полупроводников», — Ульяновск.- 2000, — С. 84.
- Отнес Р., Эноксон JI. Прикладной анализ временных рядов. Основные методы. М.: Мир, 1982. 428с.
- Задирака В.К. Теория вычисления преобразования Фурье. Киев: 1983. 274с.
- Берже П., Помо К., Видаль К. Порядок в хаосе. О детерминистском подходе к турбулентности. М.: Мир, 1991. 368 с.
- Малинецкий Г. Г., Потапов А. Б. Современные проблемы нелинейной динамики. М.: Эдиториал УРСС, 2000. 336 с.
- Магомедбеков У.Г. Окисление биосубстратов в колебательном режиме. Махачкала: ИПЦ ДГУ, 2002. 132 с.
- Пригожин И., Николис Т. Познание сложного. Введение. М.: Эдиториал УРСС, 2008. 352 с.
- Яцимирский К. Б Построение фазовых портретов колебательных химических реакций // Теор. экспер. химия, 1988. Т.24. № 4. С.488−491
- Takens F. On the numerical determination of dimenitions of an attractor // Yecture Notes in Math. Shpinger, 1985. V. 1025. P. 99−106.
- Packard N.H., Crutghfield J.P., Farmer J.D. Shaw R.S. Geometry from a time series // Phys. Rev. Lett 1980. V.45. P.712−715
- Grasberger P., Procaccia I. Measuring the strangeness of strange attractor //PhysicaD., 1983. V.9. № 1 .P.189−208.
- Grasberger P. An optimized box-assisted algorithm for fractal dimensions //Phys. Lett. A., 1990.V. 148. P. 63−67.
- Кольцова Э.М., Третьяков Ю. Д., Гордеев JI.C., ВертегелА.А. Нелинейная динамика и термодинамика необратимых процессов в химии и химической технологии. М.:Химия, 2001. 408 с.
- Hegger R., Kantz Н., Schreiber Т. Practical implementation of nonlinear time series methods: The TISEAN package // Chaos, 1999. V.9. P. 413
- Программы для обработки временных рядов TISEAN 2.1. http://www.mpipks-dresden.mpg.de/~tisean
- Ризаханов М.М., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К., Фотхимические реакции и модели некоторых центров прилипания электронов в CdS и его аналогах // ФТП.- 1974, — т. 8.-№ 8, — С. 1521−1524.
- Ризаханов М.М., Абилова Н. А., Эмиров И. Н., Индуцированная припримесная фотопроводимость в кристаллах CdS:Си, обусловленная фотохимическими реакциями // ФТП.- 1976.- т. 10.-№ 3.- С. 600−601.
- Кольцова Э.М., Гордеев JI.C. Методы синергетики в химии и химической технологии. М.: Химия, 1999, 256 с.
- Пригожин И., Кандепуди Д. Современная термодинамика. От тепловых двигателей до диссипативных структур. М: Мир, 2002. 461 с.
- Холодниок М., Клич А., Кубичек М., Марек М. Методы анализа нелинейных математических моделей. М.: Мир, 1991. 368 с.
- Баутин Н.Н. Поведение динамических систем вблизи границ области устойчивости. М.: Наука, 1984. 176 с.
- PojmanJ.A. Studying Nonlinear Chemical Dynamics with Numerical Experiments. Department of Chemistry & Biochemistry. University of Southern Mississippi, 1997.P. 339−348.
- ХерхагерМ., ПартолльХ. МаШсаё 2000. Полное руководство. Киев: Издательская группа BHV, 2000, 416 с.