Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки

Диссертация: Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты докладывались, на: 5, 6, 7 и 10 международных научно-технических конференциях «Актуальные проблемы твёрдотельной r ¦ '. 12 • • — электроники» (Таганрог 1998 г, Таганрог 1999 г, Таганрог 2000 г, Таганрог 2006г) — Международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва 1999 г, Москва-2000г, іуіосква 2001 г,.Москва… Читать ещё >

Содержание

  • глава 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ПО ПОЛУЧЕНИЮ И ПРИМЕНЕНИЮКТУР НА ИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ
    • 1. 1. Предельные размеры МОП-транзисторов
    • 1. 2. структуры кремний на сапфире
    • 1. 3. лазерная рекристаллизация и ее применение в КНИ-технологии
    • 1. 4. Методы формирования изолирующего слоя
  • 1−5.С1'рукту ры КНИ полученные, но технологии S1MOX
    • 1. 6. Структуры кни полученные методом прямого связывания пластин
    • 1. 7. применение кии-технологии.45 > выводы
  • глава 2. используемые методы исследования структур над изолирующих подложках
    • 2. 1. Зарядовое состояние МДП-структур .'
    • 2. 2. Измерения времени жизни в полупроводниковых слоях КНИ-структур
    • 2. 3. Методы ионной и электронной спектроскопии
    • 2. 4. Эллипсометрия
    • 2. 5. Метод вольт-фарадных характеристик
  • глава 3. воздействие ионизирующих излучений на гетероструктуры и биполярные полупроводниковые приборы
    • 3. 1. Зарядовая нестабильность в гетеросгруктурах
    • 3. 2. механические напряжения в системе кремний-диэлектрик
    • 3. 3. Свойства МДП-структур полученных окислением в хлорсодержащей среде
    • 3. 4. Влияние ионизирующего излучения на свойства структур диэлектрик-полупроводник
    • 3. 5. Влияние зарядового состояния на характеристики МДП-структур.loo
    • 3. 6. Влияние ионизирующего излучения на интегральные транзисторные структуры
    • 3. " В. ШЯММ1: ионизирующего излучения на ионизационные гоки биполярных транзисторов
      • 3. 8. Усовершенствование транзисторной структуры с межкомпонентной оксидной изоляцией
      • 3. 9. Технология формирования самосовмещенной структуры транзистора
  • выводы
  • глава. '4: ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ? НА САПФИРЕ С ПОНИЖЕННОЙ ДЕФЕКТНОСТЬЮ.130'
    • 4. 1. Ьсобенности МДП-транзисторов изготовленных на структурах кремний на изоляторе
    • 4. 2. дефектность кнс — структур
    • 4. 3. Влияние дефектов на параметры приборов
    • 4. 4. влияние технологических факторов на дефектность khc-структур
    • 4. 5. Пленки кремния, выращенные на сапфировых подложках, обработанные ионным пучком
    • 4. 6. Улучшение структуры пленок КНС ионной имплантациеи
    • 4. 7. Технологические способы совершенствования структуры пленок КНС
    • 4. 8. Электронные свойства ионно-имплантированного кремния на сапфире
    • 4. 9. Р1иш!онныг пгоцгггы в TCI 1С КМДП-структур х
  • выводы
  • глава 5. технология формирования структур кремний на изоляторе на основе пористого кремния
    • 5. 1. Создание изолирующих слоев на основе окисленного пористого кремния
    • 5. 2. формирование пористого анодного оксида на кремнии
    • 5. 3. Изоляция пористым кремнием элементов ИС
    • 5. 4. КНИ-сгруктуры на основе пористого кремния
  • выводы
  • ГЛ/^ВА 6. ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ ИМПЛАНТАЦИЕЙ АТОМОВ КИСЛОРОДА И АЗОТА
    • 6. 1. Технология -нормирования кремниевых пластин со скрытым изолирующим слоем
    • 6. 2. Технология формирования КНИ-структур с пониженной плотностью дефектов
    • 6. 3. Формирование КНИ-структур имплантацией ионов азота
    • 6. 4. формиров iihf КНИ-структур поглповатгльной имплант чцией ионов кислорода и азота
    • 6. 5. КНИ структуры обогащенные кислородом
    • 6. 6. Тонкопленочные КНИ МДП-транзисторы
    • 6. 7. ^радиационная стойкость КНИ МДП-трашисторов к накопленной дозе ионизирующего излучения
    • 6. 8. Пьгсаыаивы 5 л> чшышя колсдрь кц11и и 1ехнологии формирования КНИ МДП-транзисторов
  • выводы

Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

В последние годы в США, Японии, странах Европы и Юго-Восто^^оьг Азии наблюдается рост интереса к технологии изготовления струхстг^р кремний на изоляторе (КНИ). Данная технология позволяет повысить тагше характеристики интегральных схем, как быстродействие, предельная работая температура, радиационная стойкость. Благодаря уменьшению токовьгх утечек и паразитных емкостей, улучшению диэлектрической изоляццИ ' элементов снижается потребление энергии, что также актуально. Кроме того приборы на структурах КНИ обладают повышенной надежностью, особенно в экстремальных условиях эксплуатации. В настоящее время КНСИ-технология является одним из наиболее динамично развивающиеся направлений полупроводникового материаловедения. Однако электрофизические и функциональные параметры приборов, а также их радиационная стойкость и надежность в существенной мере снижаются высокой дефектностью приборных слоев кремния. Для структур «кремний: на сапфире» эта дефектность обусловлена, в частности различием ' кристаллографического строения кремния? и сапфира, а тахс^же автолегированием кремниевой пленки алюминием из сапфировой подло^сзси.

18 9п 2 до концентрации Ю10- 1(Ги см". При формировании скрытого изолирующего слоя имплантацией в кремний ионов кислорода, высокая дефектность приборного и изолирующего слоев обусловлена поврежденксзвпчси I крпсхаллинсской решетки и различием температурных коэффициентов линейного расширения кремния и оксида.

В связи с этим особую актуальность приобретают работы по разработке способов и технологий получения качественных слоев крет^щпия: обеспечивающих возможность формирования структур на изолирующих подложках с требуемым набором структурных и электрофизичесгЕоих параметров' и позволяющих расширить область применения КНИ-структур и повысить надежность приборов на их основе. Указанные тенденции обуславливают актуальность темы работы, посвященной совершенствованию и оптимизации технологических решений с учетом использования заряженных частиц и ионизирующих излучений при формировании полупроводниковых структур на изолирующих подложках, с повышенными требованиями к ' надежности и установление взаимосвязи между технологическими процессами получения пленок кремния и энергетическими параметрами воздействующих факторов.

Работа выполнена в соответствии с федеральными целевыми программами: «Электронная Россия» на 2002; 2006 годы- «Национальная технологическая база» на 2007; 2011 годы".

Цель работы состоит в выявлении закономерностей применения воздействия ионов и ионизирующих излучений для эффективного управления процессами формирования тонких пленок кремния на изолирующих подложках и разработке научно обоснованных технологических решений получения приборных слоев кремния с пониженной дефектностью.

Для достижения этой цели были сформулированы и решены следующие научно-технические задачи:

1. Исследовать влияние ионизирующего облучения на гетерои I полупроводниковые структуры, изготовленные по различным конструктивно-технологическим вариантам.

2. Установить эффективность использования имплантации ионов для управления зарядовым состоянием и параметрами структур на подложках сапфира.

3. Определить возможность управления параметрами тонких кремниевых пленок на подложках сапфира, обработкой подложки ионами 81+, 0+ и Аг+.

4. Установить взаимосвязь между параметрами процесса роста и. характеристиками эпитаксиального слоя и определить возможность получения пленок кремния на сапфире заданного состава.

5. Определить технологические режимы воспроизводимого получения качественных пленок кремния на сапфировых подложках.

6. Разработать новые технологические способы изготовления структур на подложках сапфира с улучшенными параметрами.

7. Исследовать возможность получения КНИ-структур на основе окисленного пористого кремния.

8. Исследовать возможность разработки технологии формирования КНИ-структур с применением скрытого изолирующего слоя на основе 81зЫ4.

9. На основе проведенных исследований разработать технологические режимы формирования скрытых изолирующих диэлектрических слоев-" БЮг и 81зМ4, для создания КНИ-структур с высокими электрофизическими параметрами.

10. Исследовать пути совершенствования и оптимизации технологических процессов изготовления полупроводниковых приборов.

Научная новизна.

1. Впервые установлены закономерности и принципы управления электрофизическими параметрами тонких слоев кремния на изолирующих подложках и границ раздела пленка-подложка, отличающиеся тем, что они основаны на создании условий, обеспечивающих получение структур кремния на изоляторе с пониженной дефектностью путем воздействия ионов и ионизирующих излучений.

2. Разработаны способы предэпитаксиальной подготовки подложек сапфира, отличающиеся от известных тем, что для получения пленок кремния на сапфире с пониженной дефектностью проводится обработка сапфировой подложки ионами 81+, 0+, Аг+, режимы которой обеспечивают уменьшение несоответствия решеток между эпитаксиальной пленкой кремния и подложкой, и улучшение структуры пленок кремния за счет образования тонкой слабо разупорядоченной переходной области в поверхностном слое подложки.

3. Предложен способ изготовления КНС-структуры, отличающийся от известных трехступенчатым процессом эпитаксиального выращивания пленок кремния, включающим, осаждение тонкого (0.1- 0.2* мкм)< слоя кремния из газовой фазы, частичную аморфизацию начального слоя кремния ионной имплантацией, рекристаллизацию кремния в твердой фазе и последующее-наращивание кремния до необходимой толщины методом газовой эпитаксии, режимы которого обеспечивают улучшение качества КНС-структуры.

4. Разработан способ изготовления КНИ-структуры, отличающийся от известных формированием под слоем кремниевой пленки слоя диоксида кремния, имплантацией ионов кислорода с последовательным набором интегральной дозы в три этапа, режимы которого обеспечивают снижение дефектности приборного слоя кремния и получение КНИ-структуры с высокими электрофизическими параметрами за счет снижения механических напряжений.

5. Предложены и защищены патентами России способы снижения дефектности и токов утечки в полупроводниковых структурах на изолирующих подложках.

6. Предложены и защищены патентами России способы повышения быстродействия и радиационной стойкости полупроводниковых приборов. I.

Основные положения, выносимые па защиту:

1. Технология получения полупроводниковых слоев кремния на сапфировой подложке с заданными электрофизическими параметрами воздействием ионов на диэлектрическую подложку.

2. Воздействие облучения высокоэнергетичными электронами полупроводниковых структур изготовленных по различным, конструктивно-технологическим вариантам изоляции элементов, позволяющее оптимизировать технологию изготовления и структуру элементов ИС и уменьшить влияние излучения на параметры полупроводниковых структур.

3. Технологические режимы получения пленок кремния на сапфире с улучшенной структурой.

4. Влияние температуры подложки и дозы внедряемого кислорода, при имплантации ионов, на параметры слоя кремния в КНИ-структуре.

5. Технология формирования скрытого изолирующего слоя в КНИ-структурах имплантацией ионов кислорода. 6. Технология получения приборного слоя кремния на изолирующих подложках для формирования полупроводниковых приборов на КНИ-структурах с высокими электрофизическими параметрами.

7. Новые технологические способы формирования пленок кремния и изготовления полупроводниковых структур на изолирующих подложках обладающих улучшенными параметрами.

Практическая ценность.

Установленные теоретические и экспериментальные закономерности улучшения свойств тонких полупроводниковых пленок кремния на изфлирующих подложках и структур на их основе открывают возможности их использования при разработке новых и оптимизации существующих технологических процессов создания изделий микроэлектроники. Полученные экспериментальные и теоретические результаты используются в учебном процессе при чтении лекций и проведении лабораторных занятий по дисциплинам специальностей: 210 104.65 — Микроэлектроника и твердотельная электроника, 210 803.65 — Микроэлектроника и полупроводниковые приборы, и направления: 210 100.68 и 210 100.62 — Электроника и микроэлектроника в Кабардино-Балкарском госуниверситете.

I Ниже приводятся конкретные результаты и их применение.

1. Полученные результаты по влиянию ионизирующего облучения на параметры, и характеристики полупроводниковых структур на основе кремния расширяют возможность создания радиационно-стойких приборов электроники. Результаты внедрены в ОАО СКВ «Элькор».

2. Разработаны способы обработки ионами и ионизирующим излучением обеспечивающие снижениезарядового состояния и повышение стабильности-параметров полупроводниковых приборов. Результаты-внедрены в 6ао «НЗПП».

3. Разработаны способы создания скрытых изолирующих слоев на основе 8102, 8Ю2+81зМ4 обеспечивающие снижение дефектности струю. ур кремний на изоляторе. Результаты внедрены-в ОАО «НЗПП».

4. Разработан способ формирования слоя диоксида-, кремния в хлорсодержащей среде обеспечивающий снижение дефектности и повышение стабильности параметров полупроводниковых приборов. Результаты внедрены в ОАО «НЗПП».

5. Полученные результаты по влиянию ионной имплантации* и воздействию ионизирующих излучении на границу раздела диэлектрик-полупроводник расширяют возможность создания полупроводниковых приборов на основе МДП-структур. Результаты внедрены в ЗАО «ЭПЛ».

6. Разработаны способы изготовления транзисторных п-р-п-стр-уктур методомсамосовмещения, с применением поликристаллического кремния, с минимальным отклонением линейных размеров (< О. Г мкм). Результаты внедрены в ОАО СКБ «Элькор».

7. Разработаны оптимизированные конструктивно-технологические варианты формирования транзисторных п-р-п-структур с применением I межкомпонентной диэлектрической' изоляции ' диоксидом кремния, обеспечивающие повышение радиационной стойкости. Результаты внедрены в ОАО СКБ «Элькор».

8. Разработанные способы, изготовления структур кремний на изоляторе с пониженной дефектностью могут быть использованы для оптимизации типовой структуры и получения полупроводниковых приборов с улучшенными параметрами и характеристиками. Патенты РФ № 2 210 141, № 2 284 611, № 2 330 349, № 2 356 125.

9. Разработаны способы формирования пленок кремния на сапфире обеспечивающие уменьшение4 рассогласования кристаллических решеток между эпитаксиальной пленкой кремния и подложкой с применением-обработки ионами 81+, 0+, Аг+, В+ и оптимизацией* скорости* роста пленюг кремния на сапфире. Результаты внедрены в ЗАО «ЭПЛ».

10. Разработаны способы формирования структур кремний на изоляторе на основе окисленного пористого кремния, селективным анодированием скрытого п+ слоя. Результаты внедрены в ЗАО «ЭПЛ».

I 11. Разработаны и предложены для практического применения способы изготовления структур на изолирующих подложках. Патенты РФ № 2 256 980, № 2 275 712, № 2 280 915, № 2 292 607, № 2 298 250- № 2 302 055, № 2 340 038^ № 2 344 511.

Обоснованность и достоверность научных положений и выводов, сформулированных в диссертации, подтверждаются согласованностью полученных результатов* и следствий из них с известными литературными, теоретическими и экспериментальными данными, результатами апробирования и внедрения при изготовлении полупроводниковых приборов .и ИС.

1 Личный вклад автора.

Автором лично определена идеология всей работы, сформулированы цель и задачи рабо1Ы, осуществлена постановка теоретических и экспериментальных исследований, проведено обобщение полученных лично им результатов, а также в соавторстве с сотрудниками ДагГТУ, КБГУ и ОАО СКБ «Элькор». В цитируемых автором работах ему принадлежит выбор основных направлений и методов решения задач, трактовка и обобщение полученных результатов.

Апробация работы.

1 Основные результаты докладывались, на: 5, 6, 7 и 10 международных научно-технических конференциях «Актуальные проблемы твёрдотельной r ¦ '. 12 • • - электроники» (Таганрог 1998 г, Таганрог 1999 г, Таганрог 2000 г, Таганрог 2006г) — Международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва 1999 г, Москва-2000г, іуіосква 2001 г,.Москва 2007 г, Москва*2008г, Москва 2009г)-: 8−9J 10 и 12: международных совещаниях «Радиационная физика твёрдого тела» ' (Севастополь 1998 г, Севастополь 1999 г, Севастополь 2000 г, Севастополь 2002г) — 2 и 3 Российских школах ученых и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов5, кремния (Москва 2001 г, Москва 2005г) — 3, 4 и 6 Российских конференциях по материаловедению и физико-химическим основам технологии? получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе- (Москва 2003 г, Москва 2007 г, Новосибирск- 2009) — Северо-Кавказской региональной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Перспектива'1 (Нальчик 1999 г, Нальчик 2000г) — Всероссийской научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Перспектива» (Нальчик 2005 г,.

Нальчик 2006г) — Международном симпозиуме «Фазовые превращенияв • твердых растворах и сплавах» (Сочи 2002г) — Второй, Всероссийской, научной internetконференции- «Компьютерное и математическое моделирование в естественных и технических науках» (Тамбов 2001 г) — 6 и 7 Российско-китайском симпозиумах «Новые материалы и технологии» (Пекин- 2001 г, Москва 2003г) — Международном симпозиуме «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» (Сочи 2003г) — 5, 6, 7 и 8 международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск 2005 г, Кисловодск 200бг, Кисловодск. 2007 г, Кисловодск 2008г) — Международной научно.-технической конференции «Микрои нанотехнологии в электронике» (Нальчик 2009г).

выводы.

1. Качество вышележащего слоя кремния определяется вкладами и особенностями взаимодействия двух механизмов, сопровождающих отжиг имплантированных слоев: восстановление кристаллической структуры за счет отжига радиационных дефектов и миграции примеси к скрытому слою.

2. Показано, что плотность дефектов в верхнем слое кремния в КНИ-структурах зависит как от температуры подложки при имплантации, так и дозы внедряемого кислорода. Установлено, что оптимальными технологическими параметрами, обеспечивающими получение минимальной плотности дефектов (до 102 см" 2), являются: температура подложки 550- 600 °C, доза имплантации 1.2−1018 см" 2.

3. Определено, что в КНИ-структурах однородный сплошной скрытый слой диоксида кремния образуется при имплантации ионов кислорода дозой 0.4−1018 см" 2, который обеспечивает получение структур с напряжением пробоя 40 В, а подбор дозы имплантации позволяет регулировать толщину скрытого слоя БіОг и его параметры.

4. Показано, что плотность дефектов в КНИ-структурах при ионной имплантации снижается, если набор дозы имплантированного кислорода проводить в несколько этапов с промежуточными отжигами при 1300 °C в течении 6 ч в атмосфере смеси аргона и кислорода.

5. Разработан способ создания интегральных МДП-транзисторов на.

КНИ-структурах с улучшенными параметрами путем обработки электронами дозой 2-Ю14- 8-Ю16 см" 2 с энергией 4 МэВ.

6. Замена 02 на N2 обеспечивает снижение плотности дефектов в поверхностном слое кремния и формирование толстых изолированных слоев кремния.

7. Показано, что в результате последовательной ионной имплантации кислорода и азота в кремний могут быть созданы скрытые изолирующие слои с параметрами, удовлетворяющими требованиям, предъявляемым к КНИ-ст]эук і урам.

8. Показано, что переход от технологии объемного кремния к КНИ-технологии является одним из способов решения проблем при создании субмикронных транзисторов. I.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1.

В процессе выполнения работы получены следующие новые научные результаты.

1. Проведено исследование влияния облучения на параметры гетерои, полупроводниковых структур изготовленных по различным конструктивно-технологическим вариантам. Показано, что с увеличением дозы ионизирующих частиц плотность заряда в диэлектрике растет, достигает насыщения при дозе 108- 109 рад, а величина встроенного заряда и механические напряжения в двухслойных диэлектрических системах снижаются за счет образования промежуточного заряда на границе раздела диэлектриков и наличием потенциального барьера между ними.

2. Показано, что оптимизация технологии и структуры элементов БИС с учетом воздействия ионизирующих излучений обеспечивает снижение, влпяыпрадиационных эффектов на параметры полупроводниковых структур, за счёт уменьшения геометрических размеров элементов и устранения паразитных каналов между скрытыми п+ слоями разделением их областями р+ типа.

3. Проведено исследование влияния ионизирующих излучений на электрофизические характеристики материалов определяющих параметры полупроводниковых приборов. Показано, что свойства структур определяются технологией изготовления, а применение процесса облучения высокоэнергетичными электронами дозой 2−1014- 1016 см" 2 способствует. улучшению параметров МДП-транзисторов на КНИ-структурах. Способ защищен патентом РФ.

4. Показано, что надежность биполярных полупроводниковых структур определяется как конструкцией транзистора, так и его геометрическими размерами, а предварительная обработка полупроводниковых Сфуктур у-квантами обеспечивает снижение величины ионизационных токов.

Способ защищен патентом РФ. 1 (.

5. Показано, что предварительная обработка ионами Si+, 0+, Аг+ сапфировой подложки до зпитаксиального роста уменьшает несоответствие решеток между эпитаксиальной пленкой кремния и подложкой и улучшает структуру пленок кремния, за счет образования тонкой слабо разупорядоченной переходной области в поверхностном слое подложки. Установлено, что оптимальными технологическими параметрами, обеспечивающими получение пленок с улучшенными характеристиками, являются имплантация ионов Si+, 0+, Аг+ с энергией 10- 65 кэВ и дозой 5-Ю12 см" 2. Способ защищен патентом РФ.

6. Разработана технология создания структур КНС с пониженной дефектностью, формированием на подложке сапфира под кремниевой эпитаксиальной пленкой слоя диоксида кремния толщиной 0.2- 0.4 мкм, при температуре 700- 1080 °C. Способ защищен патентом РФ.

7. Установлено влияние скорости роста пленки кремния на сапфире на совершенство структуры пленок кремния. Показано, что при медленном росте пленки кремния характеризуются высоким содержанием алюминия за счет продолжительного воздействия газовой среды реактора, которое ведет к вытравливанию алюминия из сапфира и последующему его встраиванию в слой кремния с образованием дефектов. Определены оптимальные технологические режимы роста пленок кремния на сапфире: скорость роста 5.3- 6 мкм/мин,, температура 945±15 °С, обеспечивающее снижение дефектов и улучшение структуры пленок кремния. Способ защищен патентом РФ.

8. Разработан технологический процесс получения КНИ-структур, на основе окисленного пористого кремния за счет превращения п+ скрытого слоя в пористый кремний путем его селективного анодирования на основе HF. Показано, что селективная обработка обеспечивается при концентрации примеси в области п+ типа на порядок превышающей концентрацию примеси в области n-типа. Для формирования пористого кремния предложен трехстадийный режим окисления: 300- 400 °C, 1 ч в сухом кислороде- 800- 900 °C, 2 ч в сухом кислороде- 1050- 1150 °C, 1 ч во влажном кислороде. Способ защищен патентом РФ.

9. Показано, что плотность дефектов в верхнем слое кремния в КНИ-структурах зависит как от температуры подложки при имплантации, так и дозы внедряемого кислорода. Установлено что оптимальными технологическими параметрами, обеспечивающими получение КНИ-структур с минимальной.

О 0 плотностью дефектов (до 10 см" «»), являются: температура подложки 550- 600 °C, доза имплантации 1.2−1018 см" 2.

10. Показано, что плотность дефектов в КНИ-структурах при ионной имплантации снижается, если набор дозы имплантированного кислорода проводить в несколько этапов с промежуточными отжигами при 1300 °C в течении 6 ч в атмосфере смеси аргона и кислорода, а подбор дозы имплантации позволяет регулировать толщину скрытого слоя Si02 и его параметры. Способ защищен патентом РФ.

11. Разработана технология изоляции подложки, имплантацией ионов азота, формированием скрытого диэлектрического слоя при температуре 550-, 650 °C с энергией 140- 160 кэВ и дозе 7.5−1017 см" 2, с последующим термическим отжигом при температуре 1100- 1200 °C в атмосфере Ar в течении 2- 4 ч, обеспечивающий снижение плотности дефектов в КНИ-структурах. Замена кислорода азотом позволяет снизить почти на порядок дозу имплантации ионов и снизить дефектность КНИ-структур. Способ защищен патентом РФ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. DennardR., Gaensslen F., Kuhn L., Yu H. Design of Micron MOS Switching Devices. Abstracts 1. EE Int. Electron Dev. Meeting (1972).
  2. Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Mi: Техносфера, 2002, 416 с.
  3. Celler G.K. Frontiers of silicon on insulator. J. Appl. Phys., 2003, vol. 93, № 9, p.4955- 4978
  4. Thompson S., Packan P., Bhor M. MOS scaling: Transistor challenges for the 21st century. Intel Tech. J. 1998, vol. Q3. p.1−19
  5. O.B., Антонова И. В., Попов В. П. и др. Нанотранзисторьг кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации. ФТП, 2003, т. 37, № 10,-С. 1253- 1259
  6. Buchanan М. Scaling the gate dielectric: Materials, integration and reliability. IBM Journal of R&D, Vol. 43, № 3, 1999.
  7. А.Г., Мустафаев А. Г. Проблемы масштабирования затворного ¦ диэлектрика для МОП-технологии //Нано и микросистемная техника, № 4, 2008, -с. 17−22'. ,.
  8. Doyle В., Arghavani R., Barlage D., Datta S., Doczy M., Kavalieros J., Murthy A., Chau R. Transistor Elements for 30nm Physical Gate Length and Beyond. Intel Technology Journal, Vol. 6, // 2, May 2002.
  9. Peters M.G., den Hartog S.G., Dijkhuis J.I., Buyk O.J.A., Molenkamp L.W. Single electron tunneling and suppression of short-channel effects in submicron silicon transistors. J. Appl. Phys., Vol. 84, # 9, 5052−5056 (1998)
  10. Ernst Т., Cristoloveanu S. SOI Technology and Devices IX, Proc. Vol. PV99−3, Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1999, p.329- 334
  11. В. Будущее транзисторных структур. ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ,. № 3, 2002, С. 64- 67
  12. Colinge J P., Gao М.Н., Romano A., Maes Н., Claeys С. Silicon on insulator: Gate all around device. Technical Digest of IEDM, 1990. p. 595
  13. Kawaura H., Sakamoto Т., Baba Т. Ext. Abstracts Int. Conf. Solid State Devices and Materials, 20 (1999)
  14. Hisamoto D: FiffiET-asel?aHgned, douW^
  15. EE Trans. Electron 'Devices, vol: 47, no- 12, pp- 2320-^325^.2000 У19.. Zhirnov V.V., Caviri R.K., Hutchby J.A., Bourianoff G. I- // Limits to Binary Logic Switch Scaling —A Gedanken Model. Proc. IEEE. 2003- V. 91. No. 11. P. 1934 ' ¦¦ ': ' ¦¦•'.-. ¦
  16. Colinge J.P. SOI Technology- Materials to VLSI" (2nd ed.), Kluwer, Boston (1997) ¦ '. :. —. .: 'V21 v. Bruef M, Silicons on insulator material technology. Electronics Lett, ' vol. 31, #14,1201−1202(1995) — '- '. —:: .-
  17. Nakamura. T., Matsuhashi H-, Nagatomo Y. Silicon1 on sapphire device technology. Oki tech. rev., Vol. 71, #4, 2004, p.66- 69, ' .24., Pribat D., Mercandalli L.M., Siejka J., Perriere J- Journ. Appl: Phys. Vol. 58, #1,313−320(1985) '
  18. G.W., Рае S., Denton J.P., Su T. Multiple layers of silicon-on-insulator for nanostructure devices. J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 17, no. 3, pp. 994— 998, 1999
  19. Tsao S. Porous silicon techniques for SOI structures // IEEE Circuits and Dev. Mag. -1987. -Vol. 3, № 6. -p. 3−7 '27.. Tong Q.-Y., Gosele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology. Wiley, New York. 1998
  20. Hon W. L- SIMOX SOI for integrated circuit fabrication. IEEE Circuits and Dev- Mag. 1987, Vol.3, № 4, p.6−11:: ' ¦¦.: ' ¦"¦.-'- • '
  21. Попов В. Г1., Антонова А. И., Французов А. А. и др. Свойства структур и приборов на кремний-на-изоляторе. ФТП, 2001, (35) № 9, С. 1075- 1083
  22. Haond M. Recrystallization of Si: on- insulating substrates by using incoherent light sources. J. Phys., 1984, 44, N10, p. 327−336.
  23. Moore B.T., Dawson R., Fulford Jr. etc. Transistor with buried insulative layer benealh the channel region. US Patent № 5 930 642, 1999
  24. Partridge S.L. Silicon- on- insulator and device applications // The GEC J. of Research. 1986. -Vol.4, #3. p. 165−173
  25. Schwank Jl R. Space and- Military Radiation. Effects in- Silicomon-Insulator Devices. 1996 IEEE International SOT Conference Short Course Silicon-on-Insulator Circuits, ed. J. P. Colinge, pp. 5−1—5−75 (1996)
  26. Parke S., Goldston M., Hackler D. Review of SOT MOSFET Designs for Total DoseRadiationReliability.www.americansemi.com
  27. T.iu S.T., Jenkins W.C., Hughes H.L. Total Dose Radiation Hard 0.35 pm SOI CMOS Technology. IEEE Trans. Nucli Sei. Vol.:45- p:2442 (1998)!
  28. Claeys C., Simoen E. Radiation Effects in- Advanced Semiconductor Materials and Devices, Berlin Heidelberg. Springer-Verlag, 20 0214L Holmes-Siedle A., Adams^-L'-.Handbook.of radiationEffects, 2nd edition, New York, Oxford University Press, 2002
  29. Bhumann R'. Single-Event Effects in' Advanced CMOS Technology. IEEE NSRHC Conference. Seattle, WA, July 11−15, 2005
  30. Nagatomo Y., Reedy R.E. Latest Trends of SOS (Silicon on Sapphire) Technology. Denshi Zaiiyo, Vol. 42, No. 5, 2003
  31. B.C., Цыбульников М. Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. .Энергия, М, (1979)
  32. Cristoloveanu S. Silicon films on sapphire. Rep. Prog. Phys., 3- 327 (1987)
  33. Burgerier. M.L., Reedy R.E. Minimum Charge FET Fabricated on an Ultrathin Silicon on a Sapphire Wafer. US Patent № 5,416,043- 1995
  34. Технология СБИС: В 2 кн. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986
  35. Reedy R.E. Application of UTSi® CMOS on sapphire to RF and mixed signal requirements in advanced space systems, http://www.peregrine-semi.com
  36. Tseng W., Repace J., Hughes H., Christou A. Silicon on sapphire films with negative and positive interfacial charges. Thin Solid Films, 1981, vol. 82, #3, p. 213 216
  37. Smith D., Freeman L., MeMahon R., Ahmed H., Pitt M., Peters T. Characterization of Si-implanted and electron-beam annealed silicon- on- sapphire using high-resolution electron microscopy. «J. Appl. Phys., 1984, 56, N8, p. 22 072 212
  38. Hsu S.T., Scott J.H., Jr. Mobility-of current carriers in silicon-on-sapphire
  39. SOS) films. RCA Rev., 1975, vol.36, #2, p. 240
  40. Lui K.P., Hegmann F.A. Fluence- and temperature-dependent studies of carrier dynamics in radiation-damaged silicon-on-sapphire and amorphous silicon. J. Appl: Phys. Vol. 93, #11, pp.9012−9018 (2003)
  41. Cristoloveanu S. Silicon on insulator technology and devices: from present to future. Solid state electronics, 2001, vol. 45, #8, p.1403−1411
  42. Vasudev P.K. Recent advances in solid-phase epitaxial recrystallisation of SOS with applications to CMOS and bipolar devices // IEEE Circuits and Devices Mag., 1987, vol.3, #4, p. 17- 19
  43. В., Данилович H., Демчук А. Зарубежная электронная техника, 10,46(1984).
  44. В. Д. Зонная плавка. М.: Металлургия, 1960.-366 с. 60.' Вигдорович В. Н. Совершенствование зонной перекристаллизации. М: Металлургия, 1974.-200 с.
  45. Д.Г. Бестигельная зонная плавка. М.: Металлургия, 1976.- 224 с.
  46. Steinbach I., Apel М. Phase-field simulation of rapid crystallization of silicon-on substrate. Materials science and engineering A, Structural materials: properties, microstructure and processing. 2007, vol. 449−451, pp. 95−98
  47. Aleksandrov L.N., Zinovyev V.A. Melting and crystallization of silicon layers on insulator with millisecond lamp heating. Gryst. Res. Technol. 1990, Vol. 25, # 3, p. 269- 276
  48. Bertranda I., Dilha J'.M., Renauda P., Ganibal C. Large area recrystallization of thick polysilicon films for low cost partial* SOI power devices. Microelectronics Journal. Vol. 37. # 3- 2006, Pages 257−261
  49. Garner D.M., Udrea F., Lim H-.T., Ensell G., Popescu A.E., Sheng K., Milne W.I. Silicon-on-insulator power integrated circuits. Microelectronics Journal- Vol'. 32, # 5−6, May-June 2001, Pages 517−526
  50. Christodoulides C.E., Baragiola R.A., Chivers D., Grant W.A., Williams J.S. The recrystallization of ion-implanted silicon layers. Radiation Effects and Defects in Solids, Vol 36, # 1 & 2 1978, pages 73 82
  51. Bondarenko V., Dorofeev A. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices. Ed. Colinge J.-P., Lysenko V., Nazarov A. Kluwer Academic Publishers (1995). p. 15.
  52. Bondarenko V.P., Bogatirev Y.V., Colinge J.P., Dolgyi L.N., Dorofeev A.M., Yakovtseva V.A. IEEE Transactions on Nuclear Science, (1997) vol. 44, #5, p. 17 191 723
  53. Yonehara Т., Sakaguchi K. Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme conditions. Ed. F. Balestra, A.Nazarov. Kluwer Academic Publishers (2002). P.309
  54. Auberton-Herve A.-J. Just 20 years: An SOI journey. Semiconductor International. 2004, vol. 27, # 1, pp. 74−75
  55. Kuo J.B., Lin S.-C. Low-Voltage SOI CMOS VLSI Devices and Circuits. New York: Wiley, 2001
  56. Gritsenko V.A., Nasyrov K.A., Novikov Yu.N., Aseev A.L., Yoon S.Y., Lee J.-V., Lee E.-H., Kim C.W. // A new low voltage fast SONOS memory with high-k» dielectric. Solid State Electronics. 2003. Vol. 47. #10. p. 1651−1656
  57. Yamaguchi Y., Kim I.J., Maeda S., Iwamatsu Т., Ipposhi Т., Inoue Y., Miyoshi II. Impro ement of leakage cunent related yield of SOI MOSFET’s using Nitrogenion implantation to the source and- drain regions. IEEE SOI Conference Proc., 1996, p. 168−169
  58. Adan A., Naka T., Kagisawa: A., Shimizu. Hi SOI as- a mainstream IC technology. Proceedings IEEE: SOBGonference- 1998″ p. 9−12
  59. Plummet JiDi, Deaf MDi, Griffin: — P: B1. Silicon* VLSIC Technology: Fundamentals,.Practice and Modeling. Prentice Hall, NJ,.2000i78:'-:•• Flandre D- Mat: Sci., and"Eng,.B29- 7 (1995).
  60. Alestig G., Holmen G., Linnros J. Electrical properties of ion beam recrystallized and laser beam annealed arsenic-implanted silicon on sapphire. J! Appl. Phys., 1987, vol. 62, #2, p- 409−413
  61. Benjamin J-, Keen* J5., Large area, uniform silicon- on- insulator using- buried layer of oxidised porous silicon. Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 49. p. 716−718
  62. Imai K., Unno H. FIPOS technology and its application to LSIs. IEEE Trans-on ED. 1984. Vol. 31, #3. p. 297−302i86- Institutions active in SOI development. IEEE Circuits and Dev. Mag. 1987, vol.3,#4,p. 32−35
  63. Baria K.,-Bomchil G., Herino-R-: Monroy A. SOII technology using buried* layers of oxidized porous Si. IEEE Circuits and Dev. Mag. 1987, vol. 3, #4, p. 11−15
  64. Bindal A., Rovedo N., Restivo J., Galli C., Ogura S. Fabrication of extremely thin silicon on insulator for fully-depleted CMOS applications. Thin Solid Films, Vol. 232, # 1, 1993, p. 105−109
  65. Krull W.A., Buller J.F., Rouse G.V., Cherne R.D. Electrical and radiation-characterization of three SOL material technologies. IEEE Circuits and Dev. Mag., 1987, vol. 3, #4, p. 20−26
  66. Hisamoto D., Kaga Т., Takeda E. Impact of the vertical SOI structure on planar device technology. IEEE Trans. Electron devices, 1991, vol. 38, #6, p. 1419−1424
  67. Hughes H., McMarr P. Radiation-Hardening of SOI by Ion Implantation, into the Buried Oxide. US Patent №" 5,795,813
  68. Ishimaru M., Tsunemori Т., Harada S., Arita M., Motooka T. Microstructural evblution of oxygen implanted silicon during annealing processes. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1999. vol. 148, p: 311−316
  69. Kamgar A., Clemens J. Isolation’s path to SOI technology. Solid State Technology, vol. 42, #10, 1999'
  70. Lam H.W. SIMOX SOL for integrated circuit fabrication. IEEE Circuits and Devices Mag., 1987, vol. 3, #4, p. 6- 11
  71. Stoemenos I., Laussand C., Bruel M., Margail J. New conditions for synthesizing SOI structures by high dose oxygen implantation. «J. Cryst. Growth,» 1985, vol. 73, #3, p. 546- 550
  72. Arnold E., Baumgart H., Khan В., Ramesh S. Laser-beam-indused recrystallization of silicon and it’s application to silicon-on-insulator technology. Philips J. Res., 1987, vol: 42, #3, p. 253−280
  73. Maszara W. P., Goetz G., Cavigilia A. Mc. Kitterick J. B. Bonding of silicon wafers for silicon- on- insulator. J. Appl. Phis., 1986- vol. 64, # 10, p: 1943−1950
  74. Sensor Technology Devices. Ed. Ljubisa Rustic. Boston London: Artech House, 1994, p. 157- 201
  75. Tong Q.-Y., Gusele U. A Model of Low- Temperature Wafer Bonding And Its Applications. J. Electrochem. Soc., 1996, vol. 143, #5, p.1773−1779
  76. Tong Q. Y., Gusele U. Wafer Bonding and Layer Splitting for Microsystems. — Adv. Mater. 1999, v. l 1, № 17, p. 1409−1425'
  77. Timoshenkov S. PI, Prokopfiev E. P: Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). — Ukraine. Kyiv, October 2−5, 2000, p. 23−24
  78. Take Т., Nakazato Y., Yoshizawa K., Uchiyama A. Silicon wafer’bonding mechanism for silicon-on-insulator structures. Jap. J. Appl. Phys., 1990, vol. 29, #12- p. 2311−2314
  79. Furukava K., Nakagava A. Application of the silicon wafer direct-bonding rechuique to electron devices. Appl. Surf. Sci., 1989, vol. 41−42, #14, p. 627−632'
  80. Е.П., Тимошенков С. П., Калугин В .В. Технология КНИструктур. Петербургский журнал электроники, 2000, № 1, С. 8−26
  81. С.П., Прокопьев Е. П. Особенности процесса прямого соединения кремния. Материаловедение, 1999, № 5. С. 43−45
  82. Е.П., Тимошенков С. П., Калугин' В.В., Григорьев Д. К., Тимошенков А. С. Научные основы технологии структур «кремний на изоляторе». Петербургский журнал электроники, 2002, № 2, С. 15−27
  83. С.П., Прокопьев Е. П., Калугин В. В., Тимошенков А.С.,, Талесников М. Н. SMART-CUT технологии изготовления КНИ структур. Петербургский журнал электроники, 2003, № 2, С. 31−39
  84. Е.П., Тимошенков С. П. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания, Материаловедение, 1999, № 4. С. 49−51
  85. С.П., Прокопьев Е. П., Дягилев В. В. Движение и залечивание пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния. Известия вузов Электроника, 1998, № 5, С. 39−44
  86. Abe Т. Bonded SOI Technologies for High Voltage Applications. Proc. of 8th ISPSD, 1996, p.41
  87. Yonehara Т., Sakaguchi K., Sato N. Epitaxial layer transfer by bond and etch back of porous Si. Appl. Phys. Lett., (1994), vol. 64, #16, p.2108−2110
  88. Silicon Wafer Bonding Technology for VLSI and MEMS Applications, ed. S.S. Iyer and A J. Auberton-Herve (INSPEC, London, UK, 2002)
  89. Stengl R., Tan Т., Gosele U. A model for the silicon wafer bonding process. Japan J. Appl. Phys. 1989. ol. 28. #10. p. 1735−1741
  90. Е.П., Тимошенков С. П. Модель прямого низкотемпературного соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 2001. № 1.С. 44−52
  91. А.А. Метод молекулярного наслаивания основа химической нанотсхнологип материалов твердотельной электроники// Петербургский журнал электроники. 1996. № 1. — С. 22.
  92. С., Aspar В., Poumeyrol Т., Moriceau Н., Bruel М., Auberton A.J. -Herve, Barge Т. Wafer bonding and H-implantation mechanisms involved in the Smart-cut technology. Mat Sci. and Eng. B46, (1997), p.14−19
  93. Auberton-Herve A.J. SOI: Materials to Systems- IEDM96, pp. 3−10
  94. А.Г., Тешев P:UL Полировальный- состав, для" полупроводников типа A2! BV1 и способ полирования полупроводников типа- A2'Bvi. Пат. РФ № 2 170 991, Бюл. № 20, 2001
  95. Png • C.E.,.Chan S. Pi, Lim S.Т., Reed G.T. Optical' phase modulators for MHz and? GHz modulation in silicon-on-insulator (SOI)," Ji Eightwave: Technoll, volt 22, no. 6, ppi- 1573−1582, June 2004
  96. В.E., Седаков А. Ю., Синегубко Л. А., Скупов В. Д. Материаловедческие проблемы- создания специальной- полупроводниковой элементной базы и возможные пути их решения: Экономика и производство. 2002. № 10
  97. Tang X., Baie X., Bayot V., Van de Wiele F., Colinge J. P: An SOI nano flash memory device, Proceedings of the IEEE International- SOI Conference, pp. 100−101, 1999 !
  98. T. 16Mb DRAM/SOI Technologies for Sub-IV Operation. IEDM 1996, pp.'609−612
  99. А.И., Гребенников Г. И., Савченко A.M. Состояние и перспективы развития микроэлектроники по программам вооружения. Зарубежная электронная техника 1990, № 4, — С. 53−67
  100. Ю.Л. Состояние и перспективы использования КНС- технологии. ЗЭТ, 1989, № 11, С. 19−33
  101. А.Г., Мустафаев А. Г. Формирование радиационно-стойких КНИ структур //Труды молодых учёных, Владикавказский, научный центр РАН, Владикавказ, 2004, вып. З, — С. 18−21.
  102. Akarvardar К., Cristoloveanu S., Schrimpf R.D., Dufrene В., Gentil P., Blalock B.J. Total-dose radiation hardness of the SOI 4-gate transistor (G4-FET). El^ctrochem Soc Proc 2005 p.99−106
  103. Roffelsen H.D., Hardage L., Jones C., Frank C. Thirty Megarad CMOS Gate Array for Spacecraft Applications. Nuclear Science, IEEE Transactions, 1984, Vol. 31, # 6, pp.1364−1367
  104. Р.Ш., Мустафаев А. Г., Кармоков* A.M. Мустафаев Г. А. Создание структур кремний на изоляторе с пониженной дефектностью //Известия ВУЗов Северо-Кавказского региона. Технические науки, 2006, № 7, С. 41−42.
  105. В.Я. Самоформирующиеся прецизионные 3D наноструктуры для будущих приборов наноэлектроники и наномеханики. В кн. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. Под ред. Асеева A.JI. Новосибирск. Изд. СО РАН, 2004. С. 85
  106. Bambrick R. Role of SOI techniques in 3D VLSI emerges. Electronics News. 1986, vol. 32, #1633. p. 1−31
  107. Lee T. The Case of 3-D Microelectronics. Matrix Semiconductor, 2001
  108. Baker, R. Jacob (2008). CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation, Revised Second Edition, Wiley-IEEE
  109. Свойства структур металл диэлектрик — полупроводник. Под ред. А. В. Ржанова. М., «Наука», 1976, 277с
  110. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов.-М.:Мир, 1984, 455 с
  111. А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., «Наука», 1971, 480с
  112. П.П., Тарантов Ю. А., Касъяненко Е. В. Электронные и ионныепрЬцессы в системе кремний диэлектрик — электролит. Под ред. А. В. Ржанова, Новосибирск, «Наука», 1978, — С. 247
  113. Felix J.A., Xiong H.D., Fleetwood D. M, Gusev E.P. and etc. Interface trapping properties of nMOSFETS with Al203/SiC)xNy/Si (100) gate dielectric stacks after exposure to ionizing radiation. Microel. Reliab., 2003
  114. ВТ., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев: Наукова думка, 1978. 316с
  115. Методы исследования состава и структуры материалов электронной техники. Ч. 1. Методы исследования состава материалов электронной техники / Ю. Н. Коркишко, А. Г. Борисов, Н. Г. Никитина и др. Иод ред. Ю. Н. Коркишко. М. МИЭТ, 1997
  116. Л.И., Федоров В. А., Коркишко Ю. Н. Методы исследования состава и структуры материалов электронной техники. Ч. 2. Методы исследования структуры материалов электронной техники / Под ред. Ю. Н. Коркишко. М.: МИЭТ, 1997
  117. Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок, llep. с ашл. М.: Мир, 1989. 342 с
  118. Ion beam handbook for material analysis. Ed. by J.W. Mayer, E. Rimini. -N. Y.: Academic Press, 1977. 280 p.
  119. В.Т., Васильев M.А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов: Справочник. Киев: Наукова Думка, 1982. 400 с
  120. В.И. Вторичная ионная эмиссия металлов. М.: Наука, 1978. 240 с ,
  121. А.Р., Фридрихов С. А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977. 551 с
  122. Мак-Хью И. А. Методы анализа поверхности./Пер с англ. М.: Мир, 1979
  123. Л.Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564с
  124. Ф.Ф., Кумахов М. А., Ташлыков И. С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Мн.: Университетское, 1987. — 256 с
  125. А.А., Пучеров Н. Н., Чеснокова Т. Д., Щербин В. Н. Методы анализа на пучках заряженных частиц. Киев: Навукова думка, 1987. 152 с
  126. Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy / Ed. D. Bnggs, M.P. Seah. L.: John Wiley and Sons, 1983 '
  127. Э.Т. Обратное рассеяние быстрых ионов: Теория, эксперимент, практика. Ростов: РГУ, 1988. 160 с168:! Оцуки Е. X. Взаимодействие заряженных частиц с твердыми- телами. М.: Мир- 1985.
  128. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской- фотоэлектронной.' спектроскопии // Под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха.- М.: Мир, 1987.- 600 с.
  129. С.С. Электронная спектроскопия поверхности и тонких пленок: Учеб. пособие.- М.: Изд-во МГУ, 1992.- 94 с.
  130. Ghu W.K., Mayer J.W., Nicolet М.А. Backscattering Spectroscopy. N. Y.: Academic Press, 1978. — 384 p178. http://www-nds.iaea:оrg/ibandl/179. http://www.eaglabs.conr
  131. В.И., Абаев М. И., Лызлов Н. Ю. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях. Л.: Химия, 1986s
  132. Аззам Р. М, Башара НЖ Эллипсометрия и поляризованный, свет. М. Мир, 1981.-583 с
  133. М.М., Эллипсометрия, М., 1974 Основы эллипсометрии, Новосибирск, 1979
  134. У. Шерклифф, Поляризованный свет, пер. с англ., М., 1 965 184- Гавриленко В. И., Грехов A.M., Кобуляк Д: В. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев, Наукова думка, 1987
  135. С.В., Грушко НС. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. 399 с.
  136. Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия: глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981.176 с.
  137. Fleetwood D.M. Border traps in MOS devices. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39(2):269,1992
  138. Г. А., Саркаров Т. Э., Тешев Р. Ш., Мустафаев А. Г. Способы получения тонких диэлектрических плёнок для интегральных схем. //Зарубежная электронная техника, Москва, 2000, вып.4, С.62−91
  139. Г. А., Саркаров Т. Э., Мустафаев А. Г. Свойства тонких диэлектрических плёнок. //Зарубежная электронная техника, Москва, 2001, вып. З, С.74−104.
  140. A.M., Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. Тешев Р.Ш. Кинетика образования пленок Si02// В сб. матер. XIV- Международного симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике».- Харьков, 2002, С. 88−90
  141. Thomas J., Joung D. IBM J. Research and Development. 1964, v. 8, p.386
  142. Lundstrom I., Svensson C. IEEE Trans. Electron. Dev., 1972, v. ED-19, p.826
  143. А.С., Щеглова B.B. Механические напряжения в тонких пленках. Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы. 1981, Вып. 6
  144. И.Ф., Федоров А. Г. Определение критической толщины слоя и границ области накопления дислокаций в диффузионно-легированных монокристаллах \ Микроэлектроника, 1989, Т. 18, вып. 1, С. 56−60.
  145. Hezel R., Hearn Е. Mechanical stress and electrical properties of MNOSdevices, as a function of the nitride deposition temperature // J. Electrochem. Soc., 1978, Vol. 125, #11, P. 1848.1852. i
  146. В.П., Золочесвский Ю. Б., Ларчиков A.B., Сапольков А.Ю.
  147. Влияние механических напряжений в диэлектрике на динамические вольт-амперные характеристики МДП-структур \ Известия ВУЗов. Элекроника, 1997, Т.2, № 6, С. 37−43.
  148. С.А., Косушкин В. Г., Максимова Е. А. Определение влияния механических напряжений на концентрацию носителей заряда методом микротермо-ЭДС // Натю- ¡-г микросистемная техника. 2007. — № 7. — - С. 45
  149. Stoney G. the tension of metallic films deposited by electrolysis \ Proc. R/ Soc/London, Ser. A, 1909, Vol. 82, p. 172−175
  150. Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982, 240 с.
  151. Yin Z.Z. Applicabilil) range of Stoney’s formula and modified, formulas for a film/substrate bilayer. Journal of applied physics, 2006, vol. 99, № 5
  152. Mada Y. defect elimination using Si34 film pattern. Jap. J. Appl. Phys., 1982, v.21, #11, p. L683-L684
  153. Borden P.G. A simple technique for determining the stress^ of the Si/Si02 interface. Appl. Phys. Lett., 1980, v. 38, #10, p.629−631
  154. Petersen K.E., Guamieri C.R. Youngs modulus measurements of thin films using micromechnanics. J: Appl. Phys., 1970, v.50, #11, р.676Г-6766
  155. Tamura M., Sunami H. Generation' of dislocation- induced', by chemicali vapor deposited Si3N4 films on silicon: Jap. J. Appl. Phys., 1972, v. 11, #8- p.1097−1105
  156. Г. А., Саркаров- Т.Э., Мустафаев А. Г. Технология^ осаждения тонких диэлектрических слоев нитрида кремния//Вестник ДГТУ, Махачкала, 2001, С. 148−150
  157. Robinson P.M. Use Of НС1 Gettering in Silicon Device. J: Of the Electrochem. Soc., 1971, v. ll8,№l, p. l41
  158. Krieqler R.V., The Role of HC1 in Passivation of MOS Structures. Thin Solid Films, 1972, v.13-, № 1, p. l 1
  159. Zerbst M'. Relaxationeffekte an Halbleiter-Isolator-Grenzflachen // Zeit. angew. Phys. 1966. B. 22. No. 1. S. 30−33.213. Мустафаев А. Г., Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. Способ изготовления пленок диоксида кремния. Патент РФ № 2 344 511. Бюл. № 2, 2009.
  160. Balk P. Materials Science Monographs, 32, The Si-Si02 System, (Elsevier, Ne, w York, NY, 1988), pp: 77−123
  161. A.M., Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. Тешев P.Illi Воздействие электронного облучения на полупроводниковые гетерокомпозиции// В сб. матер: XII- Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». -М., 2002, С. 435- 439-
  162. Felix J.A., Shaneyfelt M.R., Fleetwood DM., Meisenheimer T.L. and etc.
  163. А.Г., Мустафаев Г. А., Тешев Р. Ш. Радиационные эффекты и альтернативные затворные диэлектрики. Труды VIII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2008, С.395−396.
  164. Wright P.J., Saraswat К. С «The Effect of Fluorine in Silicon Dioxide Gate Dielectrics» TEEE Transaction on Electron Devices, vol. 36, No. 5, 1989*
  165. Chowdhury P. et al. Improvement of ultra thin gate oxide and, oxynitride integrity using fluorine implantation technique. Appl. Phys. Lett., vol. 70, no. 1, pp. 37−39,1997
  166. А.Г., Мустафаев А. Г. Ионное легирование структур-металл-оксид-полупроводник //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2003, вып. З, С. 11−15.
  167. М>с1афаев А.Г., Мустафаев А. Г. Легированные диэлектрические плёнки диоксида кремния //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2003, вып.4, С. 21−26.
  168. А.Г., Мустафаев А. Г., Мустафаев Г.А Способ изготовления полупроводникового прибора Пат. РФ № 2 302 055, Бюл. № 18, 2007
  169. Swargop В., Schaffer P. S. Conduction in silicon nitride and silicon nitride oxide films. J. Phys., 1970,. 3, p. 803
  170. В.Д. Радиационная физика приборов со структурой металл — диэлектрик полупроводник. — М.: МИФИ. 1984. 80 с
  171. Н.Н., Мордкович В. Н. Радиационные эффекты в системе1 полупроводник — диэлектрик // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. № 6: С. 5−19
  172. В.А. Иерархия в деградации электрофизических параметров МДП-приборов под действием ионизирующего излучения // Электрофизика слоистых структур. Сер. 6. Материалы. Вып. 5 (281). М-.: ЦНИИ
  173. Электроника", 1988. С. 12−15
  174. Ludeke R., Cuberes M.T., Cartier E. Local transport and trapping issues in A1203 gate oxide structures. Appl. Phys. Lett., 76(20):2886−2888, 2000
  175. Harari E., Royce B.S.H. Trap structure of pyrolytic A1203 in MOS capacitors. Appl. Phys. Lett., 22:106−107, 1973i
  176. A.B., Давыдов Г. Г., Фигуров B.C. и др. Радиационно-индуцированная проводимость А12Оз при импульсном ионизирующем воздействии. 10-я Всероссийская научно-техническая конференция по радиационной стойкости электронных систем «Стойкость-2007»
  177. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. Под ред. Е. А. Ладыгина.-М.: ЦНИИ Электроника, 1980. 224с
  178. Schwank J.R. Total dose effects in MOS devices. IEEE NSREC Short Course, pages 1−123, 2002
  179. Г. А., Саркаров Т. Э., Мустафаев А. Г. Влияние*излучений, на МДП-структуры. Зарубежная электронная техника, № 4, 2001, С. 81−102
  180. A.M., Мусiафаев Г. А., Мустафаев А. Г. Радиационные дефекты и параметры полупроводниковых структур. Труды VIII межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела», 1998, С. 663−665
  181. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями. Под ред. В. И. Фистуля. -М.: Металлургия, 1987. -232 с.
  182. А.Г., Мустафаев Г. А. Исследование дефектов в структурах кремния на изоляюре меюдом аннигиляции позитронов^ //Нано и микросистемная техника, № 11, 2007, С. 17- 19
  183. Т. и др. Электронные свойства двумерных систем. Пер. с англ./ Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. — М.: Мир, 1985. 416 с
  184. М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002
  185. Э.Н., Лысенко А. П. Интегральные радиационные изменения нарамефов полупроводниковых материалов. МГИЭМ, М., 1999
  186. А.Г., Мустафаев А. Г. Воздействие ионизирующих излучений на биполярные структуры. Электронный журнал «Исследовано в России», 016, -С. 203- 208, 2008. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2008/016.pdf
  187. Heremans P., Witters J., Groeseneken G., Maes H.E. Analysis Of charge pumping Techique And Its Application For MOSFET Degradation // IEEE Trans. On
  188. Elect. Devices. 1989. V.36. № 7. P.1318−1335.i
  189. B.C., Попов В. Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М. 1988 -255 с.
  190. A.M., Мустафаев Г. А., Тешев Р. Ш., Мустафаев А. Г. Влияниеимпульсного ионизирующего излучения на биполярные транзисторы. Труды X межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела», 2000, С. 496−498
  191. Е.Р. Методы повышения радиационной стойкости электронных схем и устройств вычислительной техники. М. 1986, 88 с
  192. Г. А. Влияние внешних факторов на параметры интегральных структур. Вестник Кабардино-Балкарского госуниверситета, серия «Физико-математические науки», вып. 1, 1996, С. 226−230
  193. А.Г., Тешев Р. Ш., Мустафаев А. Г. Способ повышения быстродействия полупроводниковых приборов. Пат. РФ № 2 197 766, Бюл. № 3, 2003
  194. А.Г., Тешев Р. Ш., Мустафаев А. Г. Способ повышения коэффициента усиления полупроводниковых приборов на основе кремния: Пат.
  195. РФ № 2 168 236, Бюл № 15. 2001
  196. Р.Б. Самоформирование микроструктур в технологии изготовления интегральных схем. Обзоры по электронной технике. Серия 3. Микроэлектроника. М. 1986, С. 45- 50
  197. Lukanov N.M. Bipolar VLSI based on self-aligned transistor structures // Electronic Engineering. Series Microelectronics. 1991, 1(1). P.54−55
  198. Р.Б. Технологические способы уменьшения ширины базовой области. Физическая электроника. Тез. докл. конференции. Каунас, 1985, С. 41
  199. А.Н. Разработка биполярных транзисторных структур конкурентоспособных СЗБИС. Зарубежная радиотехника, 1990, № 1−2
  200. Р.Б. Особенности способов изготовления быстродействующихинтегральных схем самоформированием. Тез. докл. 2-го респ. школы-семинара «Самоформирование и создание принципиально новой полупроводниковой технологии», Вильнюс, 1985, С. 6−7
  201. А.И., Демидова Ю. Б., Кудрявцев. А.Н. и .др. Высокоэффективная сверхсамосовмещенная Би-КМОП технологиям // Всероссийская научно-техническая конференция^ МИКРО- и НАНО-ЭЛЕКТРОНИКА -98. Том 1. Р1−64. Звенигород, 1998.
  202. А.Г. Конструктивные и технологические способы улучшения параметров КИИ МОП-транзисторов //Нано и микросистемная техника, № 6, 2007, С. 37- 42
  203. В.В., Чиркин JI.K. Полупроводниковые приборы. СПб.: Лань, 2002. 480 с.
  204. NanoDotTek Report NDT14−08−2007, 2007
  205. Weste and Eshraghian, Principles of CMOS VLSI Design: a systems perspective, Second Edition, (1993) pp.48
  206. А.Г., Мустафаев Г. А. Плёнки кремния на сапфире. Вестник ДНЦ РАН. Махачкала, 2006, № 25, С. 14- 16.
  207. Luth Н. Surface and Interfaces of Solids. Springer Series in Surface Science 15. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 1993. 356p.
  208. Lavitskaya F N., Druzhinin A.A., Maryamova etc. Grain boundary effect on the conductivity and piezoresistance of the polycrystalline silicon layers. Functional Materials, Vol. 3, #1, 1996, p.58- 61
  209. В.И., Эфрос А.Л: Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979
  210. Garcia G.A., Reedy R.E., Burgener M.L. High-quality CMOS in thin (100 nm> silicon on sapphire. IEEE EDL, pp. 32−34, 1988
  211. Температурная зависимость подвижности носителей в сильнолегированных слоях кремния р-типа на сапфире /Белоглазов А.В., Бейден В. Е., Панков B.C., Стучебников В. М. Электронная техника. Сер. Материалы, 1976, вып. 10, — С. 44
  212. А. М., Weitzel Ch.E. The effect of oxidation and hydrogen annealing on the silicon-sapphire-interface region of SOS. IEEE Trans. El. Dev., 1977, v. ED-24, N3.p.215*
  213. Ф., Эндерлайн PI Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1.990
  214. Зешуил.Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1990
  215. .Ф. Введение в, физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1973*
  216. М.А. Пространственное перераспределение потока заряженных частиц в кристаллической решетке. УФН, Том 115, вып. 3, 1975, С. 427−464
  217. Kumakhov М.А., Muralev V.A. Spatial Distribution of Channeled Ions (I) // Phys. Stat. Sol {a). 1981, v.65, № 1,р.107−117
  218. Dowsett M., Parker E., Mole P. Quantification of dopant implants in oxidized* Silicon on Sapphire using secondary-ion mass spectrometry. J. Appl. Phys., 1983, 54,1. N11, p. 6340- 6342
  219. Picraux S. Ion channeling studies of the crystalline perfection of epitaxial layers. J. Appl. Phys., 1973, 44, p. 587- 593
  220. Ham W., Abrahams M., Duiocchi C., Blanc J. Direct observation of the structure of thin, commercially useful silicon on sapphire films by cross section transmission electron microscopy. J. Electrochem. Soc., 1977, 124, N4, p. 634
  221. А.Г., Кармоков A.M., Мустафаев А. Г., Мустафаев Г. А. Способ изготовления полупроводниковой структуры. Пат. РФ № 2 298 250, Бюл. № 12, 2007
  222. А.Г., Кармоков A.M., Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. № 2 284 611. Был. № 27, 2006
  223. Jayatissa А.Н., Yamaguchi Т., Sawada К. etc. Characterization* of Interface Layer of Silicon on Sapphire Using Spectroscopic Ellipsometry. Jap. J. Applied^ Physics 36 (1997) pp. 7152−7155
  224. Sang Lam, Wai-Kit Lee, Alain C.-K etc. A Workable Use of the Floating-Body Silicon-On-Sapphire MOSFET as a Transconductance Mixer. Jap. J. Applied Physics 43 (2004) pp. 2176−2179
  225. А.Г., Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. Способ изготовления полупроводникового прибора с низкой плотностью дефектов Пат. РФ № 2 330 349, Бюл. № 33, 2008
  226. Mustafaev G.A., Teshev P.Sh., Mustafaev A.G. Influence of processing by magnetic field on semiconductor structures parameters // New materials and technologies in 21-st century-Beijing- China oct. 2001 -p. 415
  227. Kobayashi Y., Suzuki Т., Tamura M. Improvement of Crystalline Quality of SQS with Laser Irradiation Techniques. Jap. J. of Applied Physics 20 (1981) pp: L249-L252
  228. А.Г., Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. Способ' изготовления^ полупроводникового прибора. Пат. РФ № 2 388 108, Бюл. ФИПС № 12, 2010 г.
  229. А.Г. Формирование структуры кремния на изоляторе с низкой плотностью дефектов// В сб. матер. VI- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск, 2006, С. 95
  230. А.Г., Кармоков A.M., Мустафаев А. Г., Мустафаев Г. А. Способ изготовления полупроводниковой структуры. Патент РФ № 2 292 607, Бюл. № 3, 2007
  231. А.Г., Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. 11ат. РФ № 2 356 125, Бюл. ФИПС № 14, 2009 г.
  232. А.Г., Мустафаев А. Г. Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы изготовленные по КНС технологии //Нано и микросистемная техника, № 9, 2008, С. 44−46
  233. А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
  234. B.C., Емельянов В. В., Зебрев Г. И. и др. Влияние режима имплантации бора на дозовую деградацию тока потребления КМОП КНС БИС. Конференция «Стойкость 2008», С. 85
  235. Maldonado C.D., Louie S.A. Thermal redistribution of boron implants in bulk silicon and SOS type structures. Applied Physics A: Materials Science & Processing. Vol. 27, № 4, 1982, pp. 219−231
  236. А.Г., Шаваев X.H., Мустафаев А. Г., Мустафаев Г.А Способ повышения радиационной стойкости полупроводниковых приборов Пат. РФ' № 2 308 785, Бюл. № 29, 2007
  237. С.В., Фистуль В. И. Термодинамика и кинетика-взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука. Физматлит. 1997
  238. Nikiforov A.Y., Poljakov I.V. CMOS/SOS RAM transient radiation upset and «inversion» effect investigation. Nuclear Science, IEEE Trans. Vol. 43, # 6, 1996, pp.2659—2664
  239. Ma T.P., Dressendorfer V. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and
  240. Circuits. Wiley-IEEE, 1989, p.587
  241. Smith R.L., Collins S.D. Porous silicon formation mechanisms. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. № 8. P. 1−22
  242. Gullis A.G., Canham L.T. The structural and luminescence properties of porous silicon. Appl. Phys. Rev. 1997. V. 82(3). № 1. p. 909−965
  243. Э.Ю., Проказников A.B. Управление морфологией пористого кремния.n-типа. //Письма вЖТФг 1997. Т. 23. В. 6. С. 80−84
  244. Wanatabe Y., Arita Y., Yokoyama Т., Igarashi Y. Formation and properties of porous silicon and its applications, J Electrochem Soc: Solid-State Science and Technology, Vol 122, No 10, pp.1351−1355 (1975)
  245. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabricated by electrochemical and chemical dissolution of wafers, Appl Phys Lett, Vol 57, No. 10, pp 1046−1048 (1990)
  246. Lehmann V., Jobst В., Muschik Т., Kux A. Correlation between optical properties and crystallite size in porous silicon, Jpn J Appl Phys, Vol 32, Pt 1, No 5A, pp 2095−2099(1993)
  247. Thomas N.J., Davis J.R., Keen J.M., Castledine J.G. High-performance thin-film silicon on insulator CMOS transistors in porous anodized silicon, IEEE Electron device letters, Vol 10, No 3, pp 129−131 (1989)
  248. Thust M., Schoning M.J., Frohnhoff S., Arens-Fischer R. Porous silicon as a substrate material for Potentiometrie biosensors, Meas Sei Technol, Vol 7, pp 26−29 (1996)
  249. Berger M.G., Arens-Fischer R., Thonissen M., Kruger M. and etc. Dielectric filters made of PS: advanced performance by oxidation and new layer structures, Thin Solid Films, Vol 297, No 1−2, pp 237−240 (1997)
  250. Oules C., Halimaoui A., Regolini J. L., Perio A. and etc. Silicon on insulator structures obtained by epitaxial growth of silicon over porous silicon, J Electrochem Soc, Vol 139, No 12, pp 3595−3599 (1992)
  251. Lang W., Steiner P., Richter A., Marusczyk K. and etc. Applications of porous silicon as a sacrificial layer, Sensors and Actuators A, Vol 43, pp 239−242 (1994)
  252. Lehmann V., Gosele U. Porous silicon formation: a quantum wire effect, App Phys Lett, Vol 58, No 8, pp 856−858 (1991)
  253. Nakajima A., Nara Y., Sugita Y., Itakura T. and etc. Quantum-Size Effect from Photoluminescence of Low-Temperature-Oxidized Porous Si. Japanese Journal of Applied Physics 32 (1993) pp. 415−418
  254. Mustafaev G.A., Kumakhov A.M., Mustafaev A.G.' Forming and exploration of light-emitting silicic nanocrystal properties// VII Russian-Chinese symposium «New materials and technologies».- Moscow-Agoy, Sept. 2003, p. 116
  255. Imai К., Nakajima S. Full isolation technology by porous oxidized silicon and, its application to LSIs. Electron Devices Meeting, Vol. 27, #, 1981, pp.376 379
  256. Memming R., Schwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions, Surface Science, Vol 4, pp 109−124 (1966)
  257. Lehmann V. The physics of macropore fonnation in low doped n-type silicon, J Electrochem Soc, Vol 140, No 10, pp 2836−2843 (1993)
  258. Partridge S.L. Silicon-on-insulator technology, IEE Proceedings E, Vol 133, No З. рр 107−116(1986)
  259. E.A., Фофанов А. Д. Эволюция дифракционных картин пористого кремния. Электронный журнал «Исследовано в, России», 2006, С. 578−584. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2006/057.pdf
  260. Higa К., Asano Т. Fabrication of Single-Crystal Si Microstructures by Anodization. Jap. J. of Applied Physics 35 (1996) pp. 6648−6651
  261. А.Г., Мустафаев А. Г. Разработка структур кремний на изоляторе на основе пористого кремния. Электронный журнал «Исследовано в России», 093, С. 1027−1037, 2008. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2008/093.pdf
  262. А.Г., Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. Способ изготовления полупроводниковой структуры. Пат. РФ № 2 378 740, Бюл. ФИПС № 1, 2010 г.
  263. Bruel M., Aspar В., Maleville C. Electrochem. Soc. Proc., 1997, (23), 3
  264. Д.В., Федосеенко С. И. Исследование микротопографии поверхностей Si02 и Si межфазной границы Si/Si02 в структурах SIMOX методом сканирующей туннельной микроскопии. ФТП, 1999, т. 33, вып.6, стр. 70S-711
  265. А.Г., Тешев Р. Ш., Мустафаев А. Г. Способ изготовления полупроводникового прибора с низкой плотностью дефектов. Патент РФ № 2 210 141, Бюл. № 22, 2003
  266. Г. А., Мустафаев А. Г. Снижение дефектности окисных пленок. Международный симпозиум «Фазовые превращения в твердых растворах исплавах». Сочи 2002, С. 25−27
  267. Г. А., Кармоков A.M., Мустафаев А. Г. Особенности влияния технологии на дефектность и параметры КНИ структур. V Международная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск, 2005, С. 10−13
  268. А.Г. Технология формирования кремниевых пластин со скрышм слоем /УНано и мпкросистемная техника, № 10- 2007, С. 11- 14
  269. А.Г., Мустафаев А. Г. Улучшение структур кремний- на-изоляторе ионной имплантацией //Труды молодых учёных, Владикавказский научный центр РАН, Владикавказ, 2005, вып. З, С. 36−40
  270. Nesbit L., Stiffler S., Lusser G., Vinton H. Formation of silicon-on-insulator structures by implanted nitrogen. «J.Electrochem.Soc», 1985, 132, № 11, p. 27 132 721
  271. Bouvet D., Clivaz P. A., Dutoit M., Coluzza C. and etc. Influence of Nitrogen^ Profile on Electrical Characteristics of Furnace- or Rapid Thermally Nitrided Silicon Dioxide Films. J. Appl. Phys. 79, 7114 (1996) —
  272. Carr E.C., Ellis K.A., Buhrman R.A. Nitrogen Profiles in Thin Si02 in N20: The Role of Atomic Oxygen. Appl. Phys. Lett. 66, 1492 (1995)
  273. Г. А., Мустафаев А.Г.Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе. Нано и микросистемная техника, № 1, 2009, С. 30−32.
  274. Diantong L., Wuxing L., Huaide Z., Dang M., Zhongning L. Properties of SOI structures formed by high dose oxygen implantation into silicon. «Vacuum», 1989, 39, № 2−4, p. 219−221
  275. Scanion P. S., Hemmenet P.L., Robinson A.K., Charter R.J. and etc. Oxygen rich SIMOX. «Semicond. Soi. Technol.», 1991, 6, № 8, p. 730−734
  276. Pennycook S. J., Namavar F., Karam N.H. Formation of low dislocation density silicon-on-insulator by a single implantation and annealing. Appl. Phys. Lett., 1990, 57, № 2, p. 156−158
  277. Rivera A., Balk P., van Veen A. etc. Oxygen related defects in the top silicon-layer of SIMOX: the effects of thermal treatments. Mat. Sci. Eng. В 73, (2000), p.77−81
  278. Uedono A., Tanigava S., Ogura A. etc. Annealing properties of defects during Si-on-insulator fabrication by low-dose oxygen implantation studied by monoenergetic positron beams. J. Appl. Phys. 87 (2000), p. l659−1665
  279. А.Г., Кумахов A.M., Мустафаев А. Г. Способ- изготовления полупроводникового прибора. Пат. № 2 280 915 РФ, Бюл. № 21, 2006
  280. А.Г., Мустафаев А. Г., Мустафаев Г.А Способ изготовления полупроводникового прибора Пат. РФ № 2 340 038, Бюл. № 33, 2008
  281. А.Г., Кумахов A.M., Мустафаев А. Г. Основные процессы, происходящие при воздействии ионизирующего излучения на полупроводниковые структуры, и способы повышения их радиационной стойкости //Вестник ДНЦ РАН, 2003, № 13, С. 22−28
  282. Fourches N.T. Charge buildup by irradiation in metal-oxide-semiconductor structures at cryogenic temperatures: Basic mechanisms and influence of dose and dose rate. Phys. Rev. B, 55, pp. 7641−7652, 1997
  283. Rashkeev S.N., Cirba C.R., Fleetwood D: M., Schrimpf R.D. and etc. Physical model for enhanced interface-trap formation at low dose rates. IEEE Trans. Nuc. Sci., 49, pp. 2650−2655, 2002
  284. А.Г., Кумахов A.M., Мустафаев А. Г. Способ изготовления полупроводникового прибора. Пат. РФ № 2 275 712, Бюл № 12, 2006
  285. А.Г., Кумахов A.M., Мустафаев А. Г. Способ' изготовления полупроводникового прибора. Патент РФ № 2 256 980, Бюл. № 20* 2005
  286. И. Тенденции развития трехмерных ИО// ТИИЭР, 1986, Т. 74, № 12.- С. 120−132 .
  287. А.Г., Авакимянц А. Г., Мустафаев А. Г. Особенности МДП-транзисторов, изготовленных по КНИ-технологии //Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета, Владикавказ, 2006* С. 132 135 .
  288. Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 630 с.
  289. А.Г., Мустафаев А. Г. Материалы затворного диэлектрика для КМОП-технологии. Электронный журнал «Исследовано в России», 175- С. 2027−2037, 2007. http://zhurnal.ape.relam.ru/aiticles/2007/175.pdf
  290. А.Г. Исследование радиационной стойкости КНИ МОП транзисторов //В сб. матер. VII- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2007, С. 81−82
  291. А.Г. Радиационные эффекты в КИИ МОП транзисторах // В с б- матер. VII- Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск 2007, С. 82−83
  292. Hite L.R., Lu Н., Houston T.W. et al. An SEU Resistant 256K SOI SRAM., IEEE Trans. Nucl. Sci. Vol. 39, p.2121 (1992)
  293. Shoji Ml, Horiguchi S. Electronic Structures and Phonon-Limited Electron Mobility of Double-Gate Silicon-on-lnsulator Si Inversion Layers. J. Appl. Phys. 1999, vol. 85, p.2722−2730
  294. А.Г., Мустафаев Г. А., Уянаева M.M. Затворные материалы для субмикронных, транзисторов. Материалы международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике», 21- 27 сентября 2009 г. Нальчик: КБГУ, 2009, С. 209- 212.
  295. S.-H. Oh, D. Monroe, J. М. Hergenrother, IEEE Electron Device Lett., 2000, vol. 21, p.445−451
  296. Brews J.R., Fichtner W., Nicollian E.N., Sze S.M. Generalized- guide for MOSFET miniaturization, IEEE Electron Dev. Lett., 1980
  297. Kedzierski J., Ieong M., Nowak E. Silicon-on-lnsulator Technology and Devices XI, ed. by S. Cristoloveanu (Pennington, N.Y., Electrochemical Society Proc., 2003) PV 2003−05, p. 185
  298. Kim K., Fossum J.G., IEEE Trans. Electron Devices 48, 294, 2001
  299. Wong H.-S., D Frank., Y Taur., Stork J. Design: and performance. considerations for sub-0.1 jam double-gate SOI MOSFET’s. IEDM Tech. Digest, 1994, pp. 747−750.
  300. Allibert F., Zaslavsky A., Pretet J., Cristoloveanu S- Proceedings of the ESSDERC'2001 edited by H. Ryssel, G. Wachutka, and II. Grunbacher, Frontier Group, Neuilly, 2001, p. 267
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?