Исследование и разработка лазерных сканирующих эллипсометров высокого пространственного разрешения
Диссертация
В дальнейшем, после этих фундаментальных исследований, вплоть до середины нашего столетия, метод эллипсометрии не находил сколько нибудь широкого применения, что объяснялось сложностью и громоздкостью математической обработки результатов измерений. Всё это сдерживало расширение области применения эллипсометрии и не стимулировало совершенствование применяемой аппаратуры. Осуществлен анализ… Читать ещё >
Содержание
- 1. Основные направления развития и аппаратурное обеспечение эллипсометрии высокого пространственного разрешения
- 1. 1. Основы метода эллипсометрии
- 1. 2. Основные направления эллипсометрии высокого пространственного разрешения
- 1. 2. 1. Отображающая микроэллипсометрия
- 1. 2. 2. Микроэллипсометрия на основе сфокусированного пучка света
- 2. 1. Обоснование выбора
- 2. 2. Исследование и анализ основных факторов, влияющих на точность эллипсометрических измерений контрастных микрообъектов
- 2. 3. Расчет параметров фокусирующего микрообъектива
- 3. 1. Анализ и разработка статической двухканальной измерительной схемы
- 3. 2. Анализ чувствительности статической двухканальной измерительной схемы
- 3. 3. Анализ основных систематических погрешностей
- 4. 1. Работа и устройство эллипсометра
- 4. 2. Юстировка эллипсометра
- 4. 3. Испытания и результаты измерений
Список литературы
- R.F. Cohn, J.W. Wagner, J. Kruger. Dinamic imaging microellipsometry: theory, system design, and feasibility demonstration // Appl.Opt., 1988, 27, № 22, p.4664−4671.
- D. Beaglehole. Rev. Sci. Instrum. 59, 2557 (1988)
- Mishima Teruhito, Kao Kwan C. Detection of thickness uniformity of film layers in semiconductor devices by spatially resolved ellipsointerferometry // Opt.Eng., 1982, 21, N6, 1074−1078.
- Mishima Teruhito, Kao Kwan C. Improved lateral resolution in the thickness measurements of thin films by ellipsointerferometry // Appl.Opt., 19 882,21,N 23, p.4203−4204.
- Mishima Teruhito. Resent trends of studies on ellipsointerferometry. A new technique for the determination of two dimensional distributions of thickness and optical constants of thin films // Bull.Fac.Eng.Hokkado mUniv., 1983, N 112, p.47−55.
- Oesterl Reinhard. Measuring the depth of etching in small structures // Ger.(East) DD 207,060 (CI.HO 1121/66). 15 Feb. 1984, Appl. 237, 216, 05 Feb. 1982, p.6
- Hyuk Рак, Bruce H.Low. 2D imaging ellipsometric microscope // Rev.Sci. Instrum. 66, Oct. 10, 1995, p.4972
- Liu An-Hong, Wayner Peter C. Jr, Plawsky Joel L. Image scanning ellipsometry for measuring nonuniform film thickness profils // Applied Optics V.33 n 7, Mar 1, 1994 p. 1223−1229.
- Adachi Eiki, Yoshimura Hideyuki, Nagayama Kuniaki. Color ellipsoscop for real time imaging of nanometer-scale surface phenomena // Applied Optics v34 n 4 Feb 1, 1995, p 729−731.
- Albersdofer A., Elender G., Mathe G., Neumaier K.R., Padushek P. High resolution imaging microellipsometry of soft surfaces at 3 jim lateral and 5 A normal resolution. // Appl.Phys.Lett., vol. 72, n 23, Jun 8, 1998, p. 29 302 932.
- U.Erman M., Theeten J.B. Spatially resolved ellipsometry // J.Appl.Phys, 1986, 60(3), P.859.
- Erman M., Renoud M., Gourriere S. Spatially resolved ellipsometry for semiconductor process control: application to gallium indium arsenide MIS structures //Jap.J.Appl.Phys., part 1, 1987, vol 26, N 11, p.1891−1897.
- Holmes R.D., See C.W. Somekh M.G. Scanning microellipsometry for extraction of true topography. // Electronics Letters, v 31, n 5, Mar 2, 1995, p 358−359.
- Nyffenegger R., Ammann E., Siegenthaler H., Kotz r., Haas O. In-situ scanning prode microscopy for the measerement of thickness changes in an electroactive polymer. // Electrochimica Acta v 40 n 10 Jul 1995. 141−1415
- Streiz Christopher C, Kruger Jerome, Moran Patrick J. Microellipsometric study of the passive film formation on Al-Ta alloys I. Solid solution alloys.// Journal of Electrochemical Society, v. l4l, n 5, May, 1994, p 1126−1131.
- Michaels A., Schultze J.W. Anisotropy Microellipsometry for in-situ Determination of Optical and Crystallographic Properties of Anisotropic
- Solids and Layes with Ti/Ti02 as an example.// Thin Solid Films 1996, vol. 274, Iss. 1−2, p. 82−94 (UQ256)
- Michaelis-A Schweinsberg M An Anisotropy Microellipsometry (Ame) Study of Anodic Film Formation on Ti and Zr Single Grains.// Thin Solid Films 1998, Vol. 313, Iss. Feb, p. 756−760
- Barros D.A., Ferraz A.M. Messaddeq Y, Aegerter M.A. Uniaxial-Stress Relaxation Measerement in Fluoroindate Glasses.// Journal of Non-Crystalline Solids 1997, vol. 213, Jun., p.336−340
- Oconor T.M., Back Y. R., John M.S. M i n B. G, Karris Т.Е. Surface Diffusion of Thin Perfluoropolyalkylether films.// Journal of Applied Optics 1996, vol. 79, Iss. 8, Part 28, p. 5788−5790 (UG878)
- Ruhe J., Novotny v., Clare T., Street G.B. Ultrathin Perfluopolymer films -Influence of Anchoring and Mobility of Polymers on the Tribological Properties.// Journal of Tribology-Transactions of the ASM 1996, vol. 118, Iss. 3, p 663−668 (UX811).
- Henon S., Meunier J. Ellipsometry and reflectivity at the Brewster angle: tools to study the bending elasticity and phase transitions in monolayers at liquid interfaces.// Thin Solid Films, vol.233−234, Oct., 1993, p. 471−474.
- Valignat M.P., Fraysse N., Cazabat A.M., Heslot F., Levinson P. An ellipsometric study of layered droplets.// Thin Solid Films, vol.233−234, Oct., 1993, p. 475−477.
- Voue M ., De Coninck J., Villette, Valignat M.P., Cazabat A. M. Investigation of layered microdroplets using ellipsometric techniques.// Thin Solid Films, Vol. 313, Iss. Feb, 1998, p. 819−824.
- Анциферов А.П. и др. Применение эллипсометрии для измерения толщин диэлектрических пленок на отдельных элементах интегральных микросхем.// Микроэлектроника, 19 756 т.4б № 3 6 С .273 275.
- Биленко Д.И., Казакова Н. П., Полянская В. П. Определение толщины слоев в локальных эпитаксиальных структурах.// Микроэлектроника, 1983, т.12,№ 1б, с.70−75.
- Егорова ГЛ. Лонский Э. С., Потапов Е. В., Раков A.B. Дифракционная эллипсометрия для определения толщины остаточных пленок в окнах малых размеров при контроле структур БИС // Микроэлектроника, 1982, 1982, т. 11, вып.5,с.387−395.
- Барсуков Д.О., Гусаков Г. М., Комарницкий A.A. Точная эллипсометрия на основе сфокусированного пучка света. Часть 1// Оптика и спектроскопия, 1986, т.64, № 6, с. 1313−1317.
- Барсуков Д.О., Гусаков Г. М., Комарницкий A.A. Точная эллипсометрия на основе сфокусированного пучка света. Часть2 Анализ чувствительности // Оптика и спектроскопия, 1988, т.65, № 2, с.398−402.
- ЗЕСвиташев К.К., Семененко А. И., Семененко Л. В., Соколов В. К. Эллипсометрия на основе сходящегося пучка света.// Оптика и спектроскопия, № 34, 1973, с. 542.
- Ржанов А. В, Свиташев К. К. и др. Основы эллипсометрии // Новосибирск, Наука, 1978, с.322−329.
- Шишков A.B., Тищенко Е. А. Оптика и спектроскопия, № 72, 1992, 265.
- Федоринин В.Н. Метод эллипсометрического анализа периодических структур // Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Матер.Всес.Конф., Новосибирск, 9−11 июля 1985., Наука, 1987, с. 123 126.
- Спесивцев Е.В., Федоринин В. Н. Эллипсометрические исследования поверхности локальных объектов в фокусированном пучке света.// Эллипсометрия: теор., мет., прил., Новосибирск, 1991, с. 138−147.
- Климков Ю.М. Основы расчета оптико-электронных приборов с лазерами.// М.: Сов. радио. 1978.
- А.с. 4 235 335 СССР. Спектроэллипсометр// С. В. Рыхлицкий, В. К. Соколов, В. Н. Федоринин. Опубл. 28.07.89. Бюл. № 27
- Рыхлицкий СВ., Свиташев К. К., Соколов В. К., Хасанов Т. Х. О влиянии многократного отражения на работу фазовой кварцевой пластинки // Оптика и спектроскопия. Том 63. вып.5. 1987. с. 1092−1094.
- Hale P.D., Day G.W. Stability ofbirefringent linear retarders (waveplates).// Applied Optics, vol. 24, n.24, Dec. 1988, p. 5146−5153.
- Якушенков Ю.Г. Основы оптико-электронного приборостроения.// Москва, Советское радио, 1977.
- Бори М., Вольф Э. Основы оптики.// Москва, Наука, 1973
- Бронштейн И.Н., Семендяев К. А. Справочник по математике.// Москва, 1959.
- Спесивцев Е.В., Рыхлицкий СВ. Свидетельство на полезную модель «Эллипсометр» № 163 14 от 20.12.2000 с приоритетом от 13.11.98 г.
- Спесивцев Е.В. Сканирующая микроэллипсометрия метод исследования полупроводников с высоким пространственным разрешением.// Международная конференция «Оптика полупроводников — 2000″, Ульяновск, 2000 г.
- Спесивцев Е. В. Рыхлицкий СВ. Эллипсометрия высокого пространственного разрешения.//Автометрия, янв.№ 1,1997,с.73−75.
- Rykhlitsky S.V., Spesivtsev E.V. Ellipsometry of local microobjects with sharply expressed borders.// Second International Conference on Spectroscopic Ellipsometry, Charleston, South Carolina, USA, 12−15 May 1997, p 5.18.
- Аульченко Н.А., Ладыгин В. И., Рыхлицкий СВ., Соколов В. К., Спесивцев Е. В., Федоринин В. П., Чупин В. В. Сканирующий эллипсометр высокого пространственного разрешения.// Приборы и техника эксперимента, 1992, с.72
- Спесивцев Е. В. Рыхлицкий СВ., Назаров Н. И. Автоматический сканирующий микроэллипсометр.//Автометрия,№ 1,1997,с. 100−105.
- Свиташев К.К., Швец В. А., Мардежов А.С, Дворецкий СА., Сидоров Ю. Г., Спесивцев Е. В., Рыхлицкий СВ., Чикичев СМ., Придачин Д. Н. Метод эллипсометрии в технологии синтеза соединений кадмий-ртуть-теллур.//Автометрия, № 4, 1996, с. 100.
- Spesivtsev E. V., Shvets V. A., Rykhlitsky S.V., Romanov S.I., Sokolov L. V. Ellipsometric study of pi»" porous silicon layers.// Second International Conference on Spectroscopic Ellipsometry, Charleston, South Carolina, USA, 12−15 May 1997, p.513.
- Mikhailov N.N., Rykhlitski S.V., Spesivtsev E.V., Dulin S.A., Nazarov N.I. Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A. Integrated analytical equipment for control of film growth in MBE technology//Material Science and Engineering B80(2001)p.41−45