Аналитические модели взаимодействия заряженных краевых дислокаций и точечных дефектов в кристаллических структурах
Диссертация
Практическая значимость полученных результатов связана с широким использованием изучаемых в диссертационной работе материалов. Ионные кристаллы применяются в качестве элементов оптических систем (линзы, призмы, окна лазеров), в акустэлектронике, в качестве датчиков излучений в ядерной физике, космических исследованиях и медицине. Ковалентные кристаллы полупроводников используются в качестве… Читать ещё >
Содержание
- СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
- ГЛАВА 1. ЗАРЯЖЕННЫЕ ДИСЛОКАЦИИ В КРИСТАЛЛАХ
- 1. 1. Структура и свойства дислокаций в кристаллах
- 1. 2. Модели заряженных дислокаций
- 1. 3. Эффекты на заряженных дислокациях
- 1. 4. Заряженные дислокации в электромагнитном поле
- 1. 5. Диссипация энергии движущихся дислокаций
- ГЛАВА 2. АНАЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ДИСЛОКАЦИЙ И ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
- 2. 1. Основная система уравнений для одного типа точечных дефектов
- 2. 2. Модель взаимодействия системы «дислокация-облако» при наличии градиента температуры
- 2. 3. Модель взаимодействия системы «дислокация-облако» в электрическом поле. Прямой и обратный пьезоэффек-ты
- 2. 4. Модель взаимодействия системы «дислокация- облако» при наличии градиента температуры и магнитного поля. Дислокационный поперечный эффект Нернста-Эттингсхаузена
- 2. 5. Модель взаимодействия системы «дислокация- облако» в скрещенном электрическом и магнитном поле
- 2. 6. Модель взаимодействия движущейся заряженной дислокации с облаком точечных дефектов при наличии магнитного поля перпендикулярного к ее оси. Дислокационный эффект Холла
- 2. 7. Модель взаимодействия движущейся заряженной дислокации с облаком точечных дефектов во внешнем магнитном поле, параллельном ее оси
- 2. 8. Основная система уравнений для двух типов точечных дефектов
- 2. 9. Модель поперечного дислокационного эффекта Нернста — Эт-тингсхаузена для двух типов точечных дефектов
- 2. 10. Модель взаимодействия системы «дислокация-облако» во внешнем электрическом поле при наличии двух типов подвижных точечных дефектов
- 2. 11. Модель взаимодействия системы «дислокация-облако» при наличии градиента температуры для двух типов подвижных точечных дефектов
- 2. 12. Модель взаимодействия системы «дислокация-облако» в скрещенных электрическом и магнитном полях при наличии двух типов подвижных точечных дефектов
- 2. 13. Модель дислокационного эффекта Холла для двух типов подвижных точечных дефектов
- 2. 14. Модель взаимодействия движущейся дислокации с двумя типами подвижных точечных дефектов во внешнем магнитном поле, параллельном ее оси
- 2. 15. Диффузионная модель дислокационных эффектов. Границы применимости построенных аналитических моделей. Математические методы определения параметров дефектов
- 2. 16. Выводы
- ГЛАВА 3. АНАЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ ЗАРЯЖЕННЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ
- 3. 1. Основная система уравнений. Модель рассеяния на неподвижной дислокации
- 3. 2. Модель рассеяния на движущейся дислокации с одним типом точечных дефектов
- 3. 3. Модель рассеяния на колеблющейся дислокации с одним типом точечных дефетов
- 3. 4. Модель рассеяние электромагнитной волны на кристалле с двумя типами точечных дефектов
- 3. 5. Модель рассеяния на дислокационной решетке
- 3. 6. Математические методы определения характеристик дефектной структуры кристалла по картине рассеяния
- 3. 7. Теоретические и экспериментальные зависимости характеристик рассеяния электромагнитной волны от параметров дислокаций
- 3. 8. Выводы
- ГЛАВА 4. АНАЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ КОЛЕБАНИЙ, ЛОКАЛИЗОВАННЫХ НА ДИСЛОКАЦИЯХ, В ИОННЫХ И КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ
- 4. 1. Модель поляритонов, локализованных вблизи дислокаций, в ионных кристаллах
- 4. 2. Модель плазменных колебаний, локализованных вблизи заряженных дислокаций, в полупроводниковых кристаллах при одном типе подвижных носителей заряда
- 4. 3. Модель плазменных колебаний, локализованных на заряженной дислокационной стенке
- 4. 4. Модель колебаний электронно — дырочной плазмы локализованных на дислокациях
- 4. 5. Выводы
- ГЛАВА 5. КВАНТОВО-МЕХАНИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ МЕХАНИЗМОВ ТОРМОЖЕНИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ДИСЛОКАЦИЙ В ИОННЫХ И КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ
- 5. 1. Квантово-механическая модель взаимодействия электрического поля движущейся заряженной дислокации с диссипативными центрами
- 5. 2. Модель торможения заряженных дислокаций примесными атомами в полупроводниках
- 5. 3. Модель торможения экситонами Ванье-Мотта в ионном кристалле при низкой температуре
- 5. 4. Модель торможения поляронами сильной связи в ионных кристаллах
- 5. 5. Модель торможения поляронами слабой связи в ионных кристал
- 5. 6. 0. ценка эффектов торможения заряженной дислокации за счет упругого взаимодействия с диссипативными центрами
- 5. 7. Классификация механизмов торможения дислокации
- 5. 8. Выводы
Список литературы
- Абаев М.И., Корнфельд М. И. Образование пор при распаде твердого раствора двухвалентных ионов в хлористом натрии // ФТТ, 1965.-Т.7,№ 9.-С.2809−2815.
- Авакянц Л.П., Горелик B.C., Китов И. А., Червенов А. В. Комбинационное рассеяние света в арсениде галлия, ионно-легированном кремнием // ФТТ, 1995.-Т.35,№ 5.-С. 1318−1322.
- Агранович В.М. Теория экситонов. М.: Наука, 1968.-382 с.
- Агранович В.М., Гинзбург В. Л. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов.-М.: Наука, 1979.-432 с.
- Акулов Н.С. Дислокации и пластичность. -Минск, 1961.-109 с.
- Александров Ю.М. и др. Спектры возбуждения собственной и примесной люминесценции NaBr, КВг и CsBr синхротронным излучением 5−30 эВ // Труды института физики АН Эстонской ССР.- 1984.-Т.55.-С.72−75.
- Александров Л.Н., Зотов М. И., Фельдман Ф. Л. Некоторые механизмы затухания волн в пластически деформированном кремнии // ФТТ, 1970.-Т.12,№ 6.-С Л 859−1860.
- Алукер Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радио люминесценция ЩГК .-Рига: Зинатне, 1979.- 251 с.
- Алыниц В.И., Воска Р., Даринская Е. В., Петржик Е. А. Магнитопластиче-ский эффект в кристаллах NaCl и LiF в переменном магнитном поле //ФТТ, 1993.-Т.35.-С.70−75.
- Ю.Алыниц В. И., Галусташвили М. В., Паперно И. М. О кинетике формирования заряда на дислокациях в процессе пластической деформациию // Кристаллография, 1975.-Т.20,№ 6.-С.1113−1116.
- Алыниц В.И., Даринская Е. В., Михина Е. Ю., Петржик Е. А. О влиянии электрического поля на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl //ФТТ, 1996.-Т.38.-С.2426−2430.
- Альшиц В.П., Инденбом B.JI. Динамическое торможение дислокаций // Сб. науч. тр. «Динамика дислокаций». -Киев.-1975.-С.232−275.
- Альшиц В.П., Инденбом B.JI. Динамическое торможение дислокаций // Успехи физических наук, 1975.-Т.115, Вып.1.-С.3−39.
- Н.Альшиц В. И., Малыпуков А. Г. О фононной компоненте динамического торможения дислокаций // Журн. эксперим. и теор. физ., 1972.-Т.63,вып.5.-С.1849−1857.
- Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций.- М.: Мир, 1968.-240 с.
- Андрюшин Е.А., Силин А. П. Экситоны в квантовых ямах и квантовых проволоках//ФТТ, 1993.-Т.35,вып. 7.-С. 1947−1955.
- Антипов С.А., Батаронов И. П. и др. Взаимодействие дислокаций с точечными дефектами при низких температурах в кристаллах с высоким барьером Пайерлса // Изв. АН СССР, сер. Физическая, 1996.-Т.60,№ 9.-С.159−165.
- Аппель Ф., Мессершмит У., Смирнов Б. Закономерности двойного поперечного скольжения винтовых дислокаций в кристаллах NaCl // Труды Симп.
- Проблемы физики твердого тела и материаловедения «. Тбилиси, 10−20 апреля 1976.М.:Наука, 1976.-С.51−55.
- Асеев Г. И., Кац M.J1., Никольский В. К. Многофотонное возбуждение фотопроводимости в щелочно-галоидных кристаллах лазерным излучением // Письма в ЖЭТФ, 1968.-Т.8, вып.4.-С.174−177.
- Ашкинадзе Б.М., Крецу И. И., Рыбкин С. М., Ярошецкий И. Д. Коллективные свойства экситонов в кремнии // ЖЭТФ, 1970.-Т.58, вып.2.-С. 1982−1985.
- Баженов A.M., Шикин В. Б., Шикина Ю. В. Заряженные дислокации в полупроводниках р-типа//ФТТ, 1992.-Т.34.-С. 789−792.
- Басиев Т.Т. и др. Твердотельные перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах // Известия АН СССР. Серия Физика, 1982.-Т.46,№ 8.-С.1600−1606.
- Белозерова Э.П., Светашов А. А. Влияние электрического поля на поступательное движение и размножение дислокаций при ультразвуковой вибрации ЩГК разных ориентаций // ФТТ, 1985.-Т.27.-С. 1996−2000.
- Белозерова Э.П., Светашов А. А., Красников B.JI. Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения щелочно-галоидных кристаллов//Изв. РАН. Сер. Физ, 1997.-Т.61.-.С.291−297.
- Белозерова Э.П., Тяпунина Н. А., Светашев А. А. Влияние электрического и ультразвукового полей на внутренние напряжения в ЩГК // Кристаллография, 1975.-Т.20.-С.788−795.
- Белозерова Э.П., Тяпунина Н. А., Светашев А. А. Влияние электрического поля на динамический предел текучести ЩГК // Кристаллография, 1983.-Т.28.-С.1176−1182.
- Белявский В.И., Даринский Б. М., Свиридов В. В. Электронно-стимулированная подвижность дислокаций в полупроводниках с высоким барьером Пайерлса// ФТТ, 1985.-Т.27,№ 4.-С. 1088−1092.
- Белявский В.И., Копаев Ю. В., Павлов С. Г., Шевцов С. В. Экситоны Ванье в планарных гетероструктурах с квантовыми ямами // ФТТ, 1995.-Т.37,вып. 10.-С.3147−3168.
- Блейкмор Дж. Физика твердого тела.- М.: Мир, 1988.-608 с.
- Блистанов А.А. Влияние дислокаций на механические свойства полупроводниковых и диэлектрических кристаллов. -М.: Наука, 1971.-108 с.
- Блистанов А.А. Дислокации в полупроводниковых кристаллах со структурой алмаза, сфалерита и вюрцита.- М.: Наука, 1973.-40 с.
- Блистанов А.А., Гераськин В. В. Точечные дефекты в кристаллах.- М.: Мир, 1973.-80 с.
- Блистанов А.А., Павлов А. Н., Шаскольская М. П. Распад примесных ассоциаций в моно- кристаллах LiF // ФТТ, 1972.-Т.14.С.1230−1232.
- Болтакс А. Точечные дефекты в твердых телах. М.: Мир, 1979.-379 с.
- Бондаренко Е.И., Ерофеев В. Н., Никитенко В. И. Подвижность индивидуальных дислокаций в монокристаллах германия с различным содержанием электрически активных и нейтральных примесей // ФТТ, 1969.-Т.11,№ 12.-С.42−48.
- Бонч-Бруевич В.А., Калашников С. Т. Физика полупроводников. -М.:Наука.-1977.- 267с. в полупроводниках // ФТТ, 1971.-Т.13,№ 5.-С.1310−1320.
- Борисенко Е.Б., Гнесин Б. А. Особенности рекристаллизации чистых и легированных стронцием кристаллов КС1 // ФТТ, 1999.-Т.41, вып.2.-С.259−264.
- Борн.М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970.-С.-856.
- Бронштейн И.Н., Семендяев К. А. Справочник по математике,— М.: Наука, 1957.-340 с.
- Векилов Ю.Х., Кадышевич А. Е., Красильников О. М. Поглощение звука в полупроводниках // ФТТ, 1971 .-Т. 13,№ 5.-С. 1310−1320.
- Воинова О.А., Кардашев Б. К., Никаноров С. П. Внутреннее трение и заряженные дислокации в кристаллах LiF: Mg //ФТТ, 1981.-Т.23.-С.2933−2935.
- Гаусташвили М.В. Электростатические эффекты при пластической деформации кристаллов LiF // ФТТ, 1970.-Т.12,№ 4.-С. 1263−1266.
- Математические модели дислокационных эффектов в кристаллических структурах/ С. Г. Гестрин, Ф. М. Задорожный, А. Н. Сальников и др. Саратов: СГТУ, 2002.-72с.
- Гестрин С.Г. Дислокационный аналог эффекта Холла в ионных кристаллах //Физ. низ. темп., 1991.-Т. 17,№ 8.-С. 1030−1033.
- Гестрин С.Г. Торможение заряженных дислокаций примесными атомами в полупроводниковых кристаллах при низких температурах // Физ. низ. темп., 1993.-Т. 19,№ 4.-С. 1−4.
- Гестрин С.Г. Торможение заряженных дислокаций поляронами в ионных кристаллах при низких температурах // Физ. низ. темп., 1994.-Т.20,№ 1,-С.71−75.
- Гестрин С.Г. Торможение заряженных дислокаций экситонами Ванье-Мотта в полупроводниках при низких температурах // Известия ВУЗов. Физика, 1998.-Т.41,№ 12.-С.107−109.
- Гестрин С.Г. Дислокационный аналог эффекта Холла в щелочно-галоидных кристаллах с двумя типами подвижных точечных дефектов //Известия ВУЗов. Физика, 1998.-№ 4.-С.114−116.
- Гестрин С.Г. Лкализация поляритонов вблизи дислокаций в ионных кристаллах // Известия ВУЗов. Физика, 1996.-№ 10.-С.45−50.
- Гестрин С.Г. Локализация плазменных колебаний вблизи заряженных дислокаций и дислокационных стенок в полупроводниках // Известия ВУЗов. Физика, 1998.-№ 2.-С.92−95.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Струлева Е. В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста Эттингсхаузена в ионных кристаллах // Известия ВУЗов. Физика, 1996.-№ 1.-С.80−82.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Струлева Е. В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста Эттингсхаузена в ионных кристаллах при наличии двух типов подвижных точечных дефектов // Известия ВУЗов. Физика, 1996.-№ 10.-С.41−45.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Струлева Е. В. Взаимодействие движущихся заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов в ионных кристаллах во внешнем магнитном поле // Кристаллография, 1997.-Т.42,№ 1.-С.1−4.
- Гестрин С.Г., Задорожный Ф. М., Сальников А. Н. Дифракция электромагнитного излучения на полупроводниковом кристалле с заряженными дислокациями // Оптика и спектроскопия, 1997.-Т.83,№ 3.-С446−448.
- Гестрин С.Г., Задорожный Ф. М., Сальников А. Н. Влияние заряженных дислокаций в полупроводниковом кристалле на рассеяние электромагнитного излучения //Известия ВУЗов. Физика, 1998.-№ 2.-С.75−79.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Самородина Т. В. Поглощение дислокационных фононов поляронами сильной и слабой связи в щелочногалоидных кристаллах при низких температурах // Известия ВУЗов. Физика, 1999.-№ 9.-С.18−22.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Самородина Т. В. Поглощение дислокационных фононов экситонами и примесными атомами при низких температурах//Известия ВУЗов. Физика, 1999.-№ 11.-С.7−11.
- Гестрин С.Г., Конторович В. М., Кочанов А. Е. Диффузионная модель протяженных радиокомпонентов и струй с движущимся источником ускоренных частиц //Кинематика и физика небесных тел, 1987.-Т.З,№ 4.-С.57−66.
- Головин Ю.И., Дьячек Т. П., Долгова В. М. Заряженные дислокации в ЩГК, подвергнутых импульсному сжатию // Кристаллография, 1987.-Т.32,№ 6.-С.1468−1471.
- Головин Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCl // ФТТ, 1995.-Т.37.-С.2118−2121.
- Головин Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. В., Карякин A.M. Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле // Изв. РАН. Сер. Физ., 1996.-Т.60.-С.173−178.
- Головин Ю. И., Шивяков А. А. Скачкообразная дислокационная поляризация монокристаллов LiF, деформируемых одиночным скольжением // Кристаллография, 1987.-Т.32,№ 5.-С.1206−1208.
- Гомелаури Г. Ф., Епифанов А. С. Статистические особенности лавинной ионизации широкозонных диэлектриков лазерным излучением в условиях недостатка затравочных электронов // ЖЭТФ, 1980.-Т.79, вып.6.-С.2356−2363.
- Горшков Б.Г. и др. Влияние УФ-подсветки на пробой ЩГК-кристаллов излучением С02-лазера // Квантовая электроника, 1981.- Т.8, вып.1.-С.155−156.
- Горшков А.С. и др. Лазерное разрушение щелочно-галоидных кристаллов//ЖЭТФ, 1977.-Т.72, вып.З.-С. 1171−1181.
- Горшков Б.Г., Епифанов А. А. Экспериментальные исследования фотопроводимости широкозонных диэлектриков, возбуждаемой ультрафиолетовым лазерным излучением //ЖЭТФ, 1981.-вып.4.-С.1423−1434.
- Градштейн И.С., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Наука, 1971.- 1108 с.
- Гришин A.M., Канер Э. А., Фельдман Э. П. Электронное торможение дислокаций в магнитном поле // Журн. эксперим. и теор. физ., 1976.-Т.70,вып.4.-С. 1445−1463.
- Гутманас Э.Ю., Надгорный Э. М. Прямой и косвенный методы определения подвижности дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ, 1970.-Т. 12,№ 7.-С.2076−2082.
- Гутманас Э.Ю., Надгорный Э. М., Степанов А. В. Изучение движения дислокаций в кристаллах NaCl // ФТТ, 1963.-Т.5,№ 4.-С. 1021−1026.
- Давыдов А.С. Теория твердого тела.-М.: Наука, 1976.- 460 с.
- Де Батист, Ван Дингегнев, Мартышев Ю. Н., Сильвестрова И. М., Уру-совская А. А. Заряженные дислокации в иодистом цезии // Кристаллография, 1967.-Т.12.-С.1012−1013.
- Днепровский B.C. и др. Фотопроводимость диэлектриков под действием излучения лазера // Письма в ЖЭТФ, 1966.-Т.З, вып.10.-С.385−389.
- Доценко В.И. Современные проблемы низкотемпературной пластичности материалов .-Киев.: Наукова думка, 1987.-161 с.
- Дрияев Д.Г., Мелик-Шохназаров В.А. Движение заряженных дислокаций в кристаллах LiF в переменном электрическом поле // ФТТ, 1966.-Т.8,№ 11 .-С.3280−3281.
- Епифанов Г. И. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 1977.-288 с.
- Ермолаев Г. Н. Подвижность дислокаций на различных этапах импульсного нагревания//Материаловедение, 1999.-.№ 7.-С.2−7.
- Жеру И.И. Низкочастотные резонансы экситонов и примесных центров. Кишинев, Штиинца, 1976.-195 с.
- Зуев Л.Б., Сергеев В. П., Рябченко Н. Н. Эффект резкого увеличения подвижности винтовых дислокаций импульсом электрического поля // Изв. ВУЗов СССР. Физика, 1979.-№ 3.-С.71−74.
- Каганов М.И., Кравченко В. Я., Нацик В. Д. Электронное торможение дислокаций в металлах // Успехи физических наук, 1978.-Т.111,вып.4.-С.655−682.
- Кардашев Е.К., Никаноров С. П., Воинова О. А. Электрические эффекты, связанные с колебательным движением заряженных дислокаций, и внутреннее трение в кристаллах NaF и NaCl // ФТТ, 1975.-Т.16,№ 4.-С.1068−1070.
- Качурин Г. А., Нидаев Е. В. Лазерный отжиг точечных дефектов в Si и GaAs // ФТП, 1980.-Т. 14,№ 3.-С.424−427.
- Кинк Р.А., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б., Соовик Т. А. Автолокализация эк-ситонов и оптические явления в ионных кристаллах // Изв. АН СССР, сер. Физическая, 1967.-Т.31, вып. 2.-С.507−514.
- Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.-С.792 с.
- Кишинец Ю.М., Леванюк А. П., Сигов А. С. Вклад дислокаций в аномалии физических свойств кристаллов вблизи точек структурных фазовых переходов // Кристаллография.-1985, Т.30,№ 5.С.837−840.
- ЮО.Кишинец Ю. М., Леванюк А. П., Морозов А. И., Сигов А. С. Рассеяние света на дислокациях вблизи структурных фазовых переходов // ФТТ, 1987.-Т.29,№ 2.-С.604−606.
- Ю1.Классен Н. В., Осипьян Ю. А. Анизотропное поглощение поляризованного света в сульфиде кадмия, вызванное введением дислокаций // ФТТ, 1972.-№ 12.-С.3694−3701.
- Ю2.Клявин О. В. Физика пластичности кристаллов при гелиевых температурах. -М.: Наука, 1987.-255 с.
- ЮЗ.Клявин О. В., Чернов Ю. М., Степанов А. В. Определение оптического предела упругости монокристаллов хлористого натрия в области температур жидкого гелия // ФТТ, 1967.-Т.9,№ 8.-С, 2190−2195.
- Коган А.Н., Миркин Л. И. Дислокации и механические свойства материалов. -Саранск.-1979.-94 с.
- Коломийцев А.И. Зависимость от температуры линейной плотности заряда дислокаций в кристаллах хлористого натрия // ФТТ, 1971.-Т. 13,№ 5.-С.1487−1491.
- Юб.Коломийцев А. И. Распределение заряда и потенциала вблизи краевой и винтовой дислокации в ионном кристалле // Вестн. МГУ. Сер.З. Физика, астрономия.-1978.-Т.12.-С.642−648.
- Косевич A.M. Дислокации в теории упругости. Киев.: Наукова думка, 1978.-219 с.
- Косевич А. М. Основы механики кристаллической решетки. -М.:Наука, 1972.-280с.
- Косевич A.M. Физическая механика реальных кристаллов. -Киев.: Наукова думка, 1981.-327 с.
- ПО.Косевич A.M. Теория кристаллической решетки. -Харьков.: Высшая школа, 1988.-303 с.
- Ш. Косевич A.M., Маргелашвили И. Г., Саралидзе З. К. Распределение заряда вблизи призматической дислокационной петли в ионном кристалле// ФТТ, 1965.-Т.7,№ 2.-С.464−468.
- Котрелл А. Теория дислокаций. -М.: Мир, 1969.-96с.
- Кузьменко Р.В. и др. Деформационно-индуцированные спектры фотоотражения на гетероструктурах GaAs-Si и InP-Si // ФТТ, 1999.-Т.41,№ 4-С.725−729.
- Куличенко А.Н., Смирнов Б. И. Влияние примеси на электропластический эффект в щелочногалоидных кристаллах // ФТТ, 1984.-Т.26.-С.933−955.
- Куличенко А.Н., Смирнов Б. И. Электризация щелочно-галоидных кристаллов, деформируемых одиночным и множественным скольжением //ФТТ, 1983 .-Т.26.-С.3294−3297.
- Куличенко А.Н., Смирнов Б. И. Движение дислокаций в кристаллах LiF под действием электрического поля // ФТТ, 1986.-Т.28.-С.2796−2798.
- Кучин В.А., Ульянов B.JI. Упругие и неупругие свойства кристаллов. -М.: Энергоатомиздат, 1986.-136 с.
- Кютт Р.Н., Сорокин A.M., Аргузова Т. С., Рувимов С. С. Рентгенодиф-ракционное исследование дислокационной структуры в системах молекулярно-лучевой эпитаксии с высоким уровнем несоответствия параметров решеток // ФТТ, 1994.-Т.-36,№ 9.-С.2700−2711.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Гидродинамика. М.:Наука, 1986.- 736с.
- Леванюк А.П., Осипов В. В., Сигов А. С., Собянин А. А. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек переходов // ЖЭТФ, 1979.-Т.76, № 1.-С.345−361.
- Лифшиц И.М., Гегузин Я. Е. Поверхностные явления в ионных кристаллах // ФТТ, 1965.-Т.7.-С.62−74.
- Лубенец С.В. Подвижность дислокаций в кристаллах с дефектами структуры. // Физика конденсированного состояния. Харьков, 1973.-вып.24,-С.17−36.
- Лубенец С.В., Старцев В. И. Подвижность и взаимодействие дислокаций с примесью в кристаллах КС1:Ва2+ //ФТТ, 1968.-Т. 10,№ 1 .-С.22−29.
- Лущик Ч.Б., Васильченко Е. А. и др. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания F-, H-nap в ЩГК // Труды института физики АН Эстонской ССР.-1983.-Т.54.-С.3−33.
- Лущик Ч.Б., Лийдья Г. Г., Эланго М. А. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах // ФТТ, 1964.-Т.6,№ 8.-С.2256−2260.
- Маделунг О. Физика твердого тела. -М.: Наука, 1978.-С.624.
- Маеда Н., Кимура К., Такеучи С. Влияние возбуждения на подвижность дислокаций в элементарных полупроводниках // Известия АН СССР, сер. Физическая, 1987.-Т.51,№ 4.-С.729−734.
- Малыгин Г. А. Самоорганизация дислокаций и локализация скольжения в пластически деформируемых кристаллах // ФТТ, 1995.-Т.37,№ 10.-С.3−42.
- Малышев А.В. К теории анизотропии магнитного момента акцепторных центров в алмазоподобных полупроводниках // ФТТ, 2000.-Т.42, вып.1.-С.33−35.
- Маргелашвили И.Г., Саралидзе З. К. Распределение заряда вблизи дислокации в ионном кристалле // ФТТ.-1969.-Т. 11.-С.2269−2272.
- Мастеров В.Ф., Михрин С. Б., Сухоруков Б. Е. Поведение марганца в широкозонных соединениях А3В5 / «Легированные полупроводниковые мате-риалы». М.: Наука, 1985.-С.220−223.
- Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. -М.: Мир, 1974,461с.
- Михальченко Г. А. Некоторые итоги исследований радиационных процессов в щелочно-галоидных фосфорах, выполненных в ЛТИ // Сб. трудов: Физика и химия щелочно галоидных соединений. Ленинград.-1971.-вып. 1.-С.3−25.
- Молоцкий М.И. Оптический метод определения энергии связи примеси с дислокацией // ФТТ, 1990.-Т.32,№ 12.-0.3683−3689.
- Мусиенко А.И., Копцик В. А. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций в кристаллах с многоатомными решетками // Кристаллография, 1996.-Т.41,№ 4.-С.586−590.
- Мясников Э.Н. Сильные экситонные фотопереходы. Ростов, 1981.183 с.
- Мэтьюз Дж., Уокер Р. Математические методы физики. М.:Атомиздат, 1972.- 400 с.
- Надгорный Э.М., Степанов А. В. Искусственное сдвигообразование и дислокационная структура в кристаллах NaCl // ФТТ, 1963.-Т.5,№ 4.-С.1009−1012.
- Надгорный Э.М., Степанов А. В. Изучение дислокаций в кристаллах хлористого натрия // ФТТ, 1963.-Т.5,№ 4.-С.998−1005.
- Надгорный Э.М., Степанов А. В. Искусственное сдвигообразование и дислокационная структура в кристаллах хлористого натрия // ФТТ, 1963.-Т.5,№ 4.-С. 1006−1020.
- Нацик В.Д., Потемина Л. Г. Торможение дислокаций электронами в металлах в сильных магнитных полях // Журн. эксперим. и теор. физ., 1974.-Т.67,вып. 1 .-С.240−252.
- Никифорова О.А., Маарос А. А., Яансон Н. А. Выращивание кристаллов КС1 и КВг повышенной чистоты и совершенства // Труды института физики АН Эстонской ССР.-1985.-Т.57.-С. 157−174.
- Островский И.В., Стебленко Л. П., Надточий А. Б. Влияние ультразвуковой обработки на подвижность коротких дислокаций в кристаллах кремния // ФТТ, 2000.-Т.42,№ 3.-С.478−481.
- Парийский В.Б., Лубенец С. В., Старцев В. И. Подвижность дислокаций в монокристаллах КВг// ФТТ, 1966.-Т.8,№ 4.-С.1227−1238.
- Петухов Б.В. О влиянии точечных дефектов на подвижность дислокаций в кристаллах с высоким барьером Пайерлса // ФТТ, 1971.-Т.13,№ 5.-С.1445−1449.
- Политов Н.Г., Галусташвили М. В., Паперно И. Н. Возникновение разности потенциалов на поверхности деформированного кристалла LiF // ФТТ, 1970.-Т. 12,№ 8.-С.2421 -2424.
- Половинкина В.И., Суворов Э. В., Чуховский Ф. Н., Штольберг А. А. Экспериментальное исследование и расчет рентгеновского дифракционного контраста единичной дислокации// ФТТ, 1972.-№ 7.-С.1963−1973.
- Рид В. Т. Дислокации в кристаллах. М.: Металлургиздат, 1957.С. 123.
- Сальников А.Н., Гестрин С. Г. Заряженные дислокации и точечные дефекты в кристаллах (Аналитические модели взаимодействия).-Саратов: СГТУ, 2002.-224с.
- Свиридов В.В. Электронно-стимулированная подвижность дислокаций в германии//ФТТ, 1995.-Т.37,№ 10.-С.3097−3107.
- Сергеев В.П., Зуев Л. Б. Влияние электрического импульса на длину пробега дислокаций в монокристаллах NaCl // Изв. ВУЗов СССР. Физика, 1980.-Т.23.-С.10−14.
- Силин А.П., Шубенков С. В. Экситоны Ванье-Мотта в гетерострукту-рах узкощелевых полупроводников // ФТТ, 2000.-Т.42,вып.1.-С.25−32.
- Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. -М.: Наука, 1981.-275 с.
- Смирнов Б.И., Самойлова Т. В. Влияние различных факторов на размножение винтовых дислокаций при деформировании кристаллов // ФТТ, 1976.-Т. 18,№ 6.-С. 1744−1746.
- Соболев В.В. Зоны и экситоны соединений группы А2В6.-Кишинев.: Штиинца, 1980.-255 с.
- Соболев В.В. Экситоны и зоны щелочно-галоидных кристаллов. -Кишинев.: Штиинца, 1984.- 302 с.
- Сойфер JI.M. Упрочнение щелочно-галоидных монокристаллов двухвалентными примесями // Физика конденсированного состояния. Харьков, 1973.-вып.24.-С.45−64.
- Сойфер JI.M., Щеголева З. А., Мадикян Р. А. Подвижность дислокаций в чистых и примесных кристаллах LiF // ФТТ, 1969.-Т.11,№ 12.-С.3665−3667.
- Соколова Э.Б. К вопросу об оптических свойствах дислокаций в полупроводниках // ФТТ, 1965.-№ 2.-С.489−492.
- Стратан И.В., Предводителев А. А. Моделирование процесса движения дислокаций в трехмерном дислокационном ансамбле // ФТТ, 1970.-Т. 12,№ 7,-С.2141−2143.
- Судзуки Т., Есинага X., Такеучи С. Динамика дислокаций и пластич-ность.-М.:Мир.-1989.-296 с.
- Тарбаев Н.И. Определение систем скольжения дислокаций в монокристаллах CdSe методом низкотемпературной фотолюминисценции //ФТТ, 1998.-т.40,№ 10.-С. 1845−1848.
- Тяпунина Н.А., Белозерова Э. Н. Заряженные дислокации и свойства щелочногалидных кристаллов // УФН, 1988.-Т.156,№ 4.-С.623−717.
- Тяпунина Н.А., Коломийцев А. И. Эффект Степанова и электропроводность кристаллов хлористого натрия с катионной и анионной примесями // Известия АН СССР. Сер. Физ., 1973.-Т.34.-С.2443−2447.
- Тяпунина Н. А., Коломийцев А. И. Заряд дислокаций в кристаллах хлористого натрия с анионной примесью // Кристаллография, 1973.-Т. 18.-С.868−871.
- Тяпунина Н.А., Светашова А. А. Влияние электростатического поля на поступательное движение дислокаций при высокочастотной вибрации ЩГК // Вести. МГУ. Физ. Астрон.-1981.-Т.22.-С. 15−20.
- Уоррен П.Д., Роберте С. Г., Хирш П. Б. Анизотропия и полярность микротвердости в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях А3В5 //Известия АН СССР, сер. Физическая, 1987.-Т.51,№ 4.-С.812−817.
- Урусовская А.А. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов//УФН, 1968.-Т.96,№ 1.-С.39−60.17 8. Фриде ль Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967.-643 с.
- Ханнанов И.Ш. Электроупругие поля движущихся дислокаций и дис-клинаций в пьезоэлектрических кристаллах // ФТТ, 1999.-Т.41,№ 7.-С.1210−1213.
- Хлудков С.С., Чалдышева Н. В., Мищенко О. Б. Влияние типа и концентрации носителей заряда в исходном GaAs на скорость диффузии примеси Fe. / «Легированные полупроводниковые материалы». М.: Наука, 1985.-С.89−91.
- Цаль Н.А., Спитковский И. М., Струк Я. А. Влияние скорости деформации и термообработки на кинетику электризации в кристалле NaCl при пластическом деформировании // ФТТ, 1982.-Т.24.-С.2166−2196.
- Чишко К.А., Чаркина О. В. Излучение электромагнитных волн краевыми дислокациями, движущимися в ионных кристаллах // ФТТ, 1996.-Т.38,№ 9.-С.2775−2786.
- Чолах С.О., Пустоваров В. А. Экситонный механизм создания центров окраски в LiH и LiH-Na// Труды института физики АН Эстонской ССР.-1985.-Т.57.-С.101−112.
- Швидковский Е.Г., Тяпунина Н. А., Белозерова Э. П. Влияние электрического поля на поведение заряженных дислокаций // Кристаллография, 1962.-Т.7.-С.471−472.
- Шевцова И.Н. Заряженные подвижные дислокации и электризация ионных кристаллов при пластической деформации // ФТТ, 1983.-Т.25,№ 4,-С. 1172−1175.
- Шикин В.Б., Шикина Ю. В. Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах//УФН, 1995.-Т.165,№ 8.-С.887−917.
- Шикин В.Б., Шикина Ю. В. Заряженные дислокации в полупроводниках р-типа//ФТП, 1993.-Т.25, в.12.-С.2225−2233.
- Шпейзман В.В., Смирнов Б. И., Солнцева И. Ю. О движении дислокаций в монокристаллах кремния при комнатной температуре // Известия АН СССР, сер. Физическая, 1987.-Т.51, № 4.-С.768−773.
- Anderson A.R., Pollard H.F. Changes in internal friction and dislocation charge in sodium chloryde crystals following plastic deformation // J. Appl. Phis., 1979.-v.50.-P.5262−5264.
- Appel F. Thermally activated dislocation processes in NaCl single crystals // Phis. St. Sol. (a), 1974.-v.25.-P.607−617.
- Baltog I., Ghita C., Giurgea M., Velicescu B. Some pecularities of light scattering in Ba and Pb doped NaCl crystals // Opt. Com., 1970.-v.l,№ 9.-P.409−411.
- Batlog I., Ghita C., Giurgea M. Evidence of charged dislocations by light scattering in NaCl doped with divalent impurities // J. Phys. C.: Solid State Phys., 1974.-v.7,№ 10.-P. 1892−1897.
- Bassani F., Thompson R. Assotiation energy of vacancies and impurities with edge dislocations in NaCl //Phys. Rev., 1956.-v.l02,№ 2.-P. 1264.
- Brady L.E., Castle J.W., Hamilton J.F.Epitaxial silver halidefilms //Appl. Phys., Letters, 1968, v. l3,N 2, P.76−78.
- Brantley W. A., Bauer Ch. L. Electroacoustic investigation of charged dislocations in NaCl // Phil. Mag., 1969.-v.20.-P.441 -444.
- Broudy R.M., McClure J.M. Statistics of the occupations of dislocation acceptors (one-dimensional interaction statistics) // J. Appl. Phys., 1960.-v.-31.-P.1511−1516.
- Brown L.M. Mobile charged dislocation in ionic crystals // Phis. St. Sol., 1961 .-v. 1 .-P.585−599.
- Brontley W.A., Bauer Ch.L. Electroacoustic investigations of charged dislocations in NaCl // Phil. Mag., 1969.-v.20.-P.441−444.
- Bussenden S., Gardner J., Illingworth F., Hovacevic K., Whitworth R.W. The influence of an electric field on the flow stress of crystals of NaCl // Phis. St. Sol. (a), 1979.-v.51.P.521−526.
- Caffyn J.E., Goodfellow T.L., Hamdani A.J. The movement of dislocations in an electric field in sodium chloride //Mat. Res. Bull., 1967.-v.2.-P.1067−1074.
- Colombo L., Kataoka J., Li J.C.M. Movement of edge dislocation in KC1 by large electric field // Phil. Mag. A., 1982.-v.46,№ 2.-P.211−214.
- Davidge R.W. The sign of charged dislocation in NaCl // Phil. Mag., 1963.-v.8.-P92−95.
- Eshelby I.D., Newey C.W., Pratt P.L., Lidiard A.B. Charged dislocations and strength of ionic crystals // Phil. Mag., 1958.-v.3.-P.75−77.
- Gestrin S., Zadorozhnyi Ph., Salnikov A. Determination of dislocations velocity from scattering pattern observed// SPIE Proceeding, 1998.- Vol.3726.-P.74−78.
- Gestrin S., Zadorozhnyi Ph., Salnikov A. Scattering of optical radiation by optical radiation by multy dislocations system in an ionic crystal //SPIE Proceeding, 2000.- Vol.4034.-P.43−45.
- Gestrin S., Salnikov A., Samorodina T.V. Transitions between energy levels of exitons produced by the laser radiation caused by the crystals deformation // SPIE Proceeding, Vol.4002.-P. 180−184.
- Kataoka Т., Saramoto M., Yamada T. Influence of the electric field on flow stress in KC1 crystals containing Ca++ impurity // J. Appl. Phis. Japan, 1975.-v.l4,№ 10.-P. 1609−1610.
- Lejcek L., Fouskov F., Pavel V. Note on light scattering by dislocations in TGS // Phys. State Sol.(a), 1989,-v.l 15,№ 445.-P.445−450.
- Moria K., Ogawa T. Observation of the dislocations in alkali halides by light scattering // Jpn. J. Appl. Phis., 1997.-v.22,№ 207.-P.1318−1325.
- Mora-Ramos M.E., Rodriguez F.J., Quiroga L. Polarons in wurtzite nitride semiconductors // Solid State Commun., 1999−109, № 12.-P.767−772.
- Nabarro F.R. Theory of crystal dislocations.- Clarendol press.: Oxford, 1967.-P.596.
- Plint C.A., Breig M.L. Light scattering and temperature dependence for crystal of alkali halides with point impurities and defects // J. Appl. Phis., 1964.-v.-35.-P.2745−2749.
- Plint C.A., Sibley W.A. Light scattering from NaCl-type crystal with thermal spicement treatment// J. Appl. Phis., 1962.-v.33.-P.3167−3170.
- Plint C.A., Sibley W.A. Isoelectric point and thermal dependence of light scattering from alkali halide crystals // J. Chem. Phys., 1965.-v.42.-P. 1378−1384.
- Read W.T. Theory of dislocation in germanium //J.Phil.Mag., 1954.-v.45.-P.775−796.
- Read W.T. Statistics of the occupation of dislocation aceptor centers // J.Phil.Mag., 1954.-v.45.-P.ll 19−1128.
- Robinson W. Amplitude- independent mechanical damping in alkali halides // J. Mat. Sci., 1972.-V.7.-P.115−123.
- Robinson W. H. Electrical-mechanical coupling due to charged dislocations //Phil. Mag., 1972.-v.25.-P.355−369.
- Robinson W, Glover J. Electrical-mechanical coupling of dislocations in KC1, NaCl, LiF and CaF2 // Phis. St. Sol., 1978.-№ 1 .-P. 156−163.
- Robinson W. H., Glover A. J., Wolfenden L. Electrical mechanical coupling of dislocations in KC1, NaCl, LiF and CaF2 // Phis. St. Sol., 1978.-v.48.-P. 155 163.
- Robinson W.H., Tallon J.L., Sutter P.H. The temperature dependence of the dislocation charge in pottassium // Phil. Mag., 1977.-v.36.-P. 1405−1427.
- Schockly W. Some predicted of temperature gradient of diffusion in crystals //Phys. Rev, 1953.v.91,P.228−232.
- Seitz F. Charge of the edge dislocation and core defects //Rev. Mod. Phys, 195 l.-v.80.-P.239−242.
- Seitz F. Speculations on the properties of the silver halide crystals // Rev. Mod. Phys, 1951 .-v. 1 .-P.328−331.
- Sibley W.A. Light scattering in alkali halide single crystals // Phys. Rev, 1963.-v.l32,№ 5.-P.2065−2072.
- Sproul R.L. Charged dislocations in lithinium ftoride // Phil. Mag, 1960.-v.56.-P.815−831.
- Srinivasan M, Fotedar H. L, Stoebe T.G. Dislocation dynamics in LiF and MgO single crystals //Phys. St. Sol. (a), 1973.-v.17.-P.257−265.
- Steigmer E. F, Auderset H, Harbeke G. In: Anharmonic lattice, structural transitions and melting. / Ed. Riste T, Noordhoff. Leiden, 1974.-P.153−160.
- Sumino K. Defects and properties of semiconductor.: Defect engineering. KTK Scientific Publishers.- Tokyo, 1987.-P.259.
- Tanibayashi M. The effects of charge clouds on the motion of charged dislocations in ionic crystals // Phil. Mag. A.4, 1981.-P. 141−144.
- Tanibayashi M. Motion of dislocations in NaCl and KC1 crystals in micro-plastic region// J. Phis. Soc. Japan, 1987.-v.45.-P.1063−1066.
- Tanibayashi M., Tsuda T. Behavior of charged dislocation in ionic crystals with electric field applied // J. Phis. Soc. Japan, 1981.-v.50,№ 6.-P.2054−2062.
- Tanibayashi M., Tsuda T. Behavior of charged dislocation in ionic crystals with electric field applied II //J. Phis. Soc. Japan., 1982.-v.5 l,№l.-P.244−246.
- Theimer O., Plint C.A. Light scattering process from alkali halide crystal // Ann. Phys. N.Y., 1958.-v.3.-P.408−422.
- Theimer O., Plint C.A., Sibley W.A. Study of light scattering from KC1 crystal doped with impurities // Ann. Phis. N.Y., I960.- v.9.-P.475−498.
- Toth A. On the mechanism of charge transport caused by moving dislocations in NaCl crystals doped with Ca//Phys. St. Sol., 1976.-v.33.-P.47−50.
- Toth A., Kerzthelyi Т., Kalman P., Sarkozi J. Diffusion model for charge transport by moving dislocations in simple ionic crystals // Phis. Stat. Sol., 1984,-v.122.-P.501−505.
- Toth A., Sarkozi J. Investigation of electric charged carried by dislocations in sodium chloride crystals doped with calcium // Phis. Stat. Sol., 1975.-v.30.-P. 193 195.
- Turner R. M., Whitworth R. W. Pich-up and loss of charge from dislocations in Mn++ doped sodium chloride crystals // Phil. Mag., 1970.-v.21.-P.1187−1192.
- Turner R.M., Whitworth R.W. Movement of dislocation in sodium chloride //Phil. Mag., 1968.-v.18.-P.531−534.
- Van Dingenen The charge on edge dislocations in pure KBr single crystals//Phil. Mag., 1975.-v.31,№ 6.-P. 1263−1269.
- Whitworth R.W. A charged dislocation model for the effect of an electric field on the flow stress of an ionic crystal // Phys. Stat. Sol., 1976.-v.-38.-P.299−302.
- Whitworth R.W. Atomic mechanisms for the transport of charge by dislocations in NaCl type crystals// Phil. Mag., 1965.-v.l l,№ 109.-P.83−90.
- Whitworth R.W. Theory of the thermal equilibrium charge on edge dislocations in alcali halide crystals //Phil. Mag., 1968.-v.-17.-P.1207−1221.
- Whitworth R.W. Charged dislocation in ionic crystall //Adv.Phis., vol.24,-P.203−204.
- Whitworth R.W., Huddart A. Measurements of the charge acquired by dislocations in NaCl crystals of known purity // Phil. Mag., 1973 .-v.27.-P. 107−119.
- Indenbom V. L., Chernov V. M. Determination characteristics for the interaction between point defects and dislocations from internal friction experiments // Phis. Stat. Sol. (a), 1972.-v.14.-P.347−354.
- Гестрин С.Г., Сальников A.H. Дислокационный аналог эффекта Холла // Физика прочности и пластичности материалов: Тез. докл XIV Междунар. конф.- Самара, 1995.-С.55−56.
- Гестрин С.Г. Торможение заряженных дислокаций в полупроводниковых и ионных кристаллах // Физика прочности и пластичности материалов: Тез. докл XIV Междунар. конф. Самара, 1995.-С.54.
- Гестрин С.Г. Локализация колебаний вблизи заряженных дислокаций в полупроводниковых и ионных кристаллах // Физика прочности и пластичности материалов: Тез. докл XIV Междунар. конф. Самара, 1995.-С.57.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Струлева Е. В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена // Физика прочности и пластичности материалов: Тез. докл. XIV Междунар. конф. Самара, 1995.-С.190−191.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Струлева Е. В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена // Релаксационные явления в твердых телах: Тез. докл Междунар. семинара.- Воронеж, 1995.-С.32.
- Гестрин С.Г., Задорожный Ф. М. Определение скорости дислокаций в примесных полупроводниках оптическим методом // Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении: Материалы Междунар. конф.- Саратов, 1997.-С.168.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Струлева Е. В. Определение плотности линейных дефектов в ЩГК // Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении: Материалы Междунар. конф.- Саратов, 1997.-С.219.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Самородина Т. В. Поглощение дислокационных фононов поляронами в ионных кристалл ах.//Межвуз. сб. «Актуальные научные исследования». Саратов, 1999.-вып.2.-С.112−113.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Самородина Т. В. Расчет силы торможения дислокаций экситонами Ванье-Мотта в полупроводниковых и диэлектрических кристаллах // Спектроскопия и физика молекул: Тез. докл. межвуз. конф. Саратов, 1999.-С.87.
- Гестрин С.Г., Сальников А. Н., Самородина Т. В. Взаимодействие движущихся дислокаций с поляронами в ионных кристаллах // Студент и научно-технический прогресс. 4.1. Физика: Тез. докл. XXXYII Междунар. конф, — Новосибирск, 1999.-С.16.
- Гестрин С.Г., Задорожный Ф. М., Сальников А. Н. Особенности дифракции оптического излучения на периодической системе краевых дислокаций в щелочногалоидном кристалле // XXII съезд по спектроскопии: Тез. докл.-Звенигород, 2001.-С.50.
- Гестрин С.Г., Струлева Е. В., Сальников А. Н. Переходное излучение в щелочногалоидных кристаллах // XXII съезд по спектроскопии: Тез. докл.-Звенигород, 2001.-С.49.
- Гестрин С.Г. Торможение заряженных дислокаций в деформируемом полупроводниковом кристалле при низких температурах // Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении: Материалы Междунар. конф.- Саратов, 1997.-С.182−183.
- Гестрин С.Г. Взаимодействие заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов в ионных кристаллах во внешнем магнитном поле М., 1991.13 с. Деп. в ВИНИТИ ,-№ 441-В 91.
- Гестрин С.Г. Локализация плазменных колебаний вблизи заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах М., 1992.- 14 с. Деп. в ВИНИТИ,-№ 201-В 92.
- Бочкарев В.Л., Гестрин С. Г., Сальников А. Н. Дислокационный аналог эффекта Холла в ионных кристаллах при наличии двух типов подвижных точечных дефектов М., 1991.- 13 с. Деп. в ВИНИТИ, № 2506-В 91.
- Гестрин С.Г., Задорожный Ф. М., Сальников А. Н. Применение модели краевой дислокации в виде заряженной нити для описания рассеяния электромагнитной волны ионным кристаллом // Математическое моделирование физи