Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Направленный синтез легированных галлием и индием пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии

Диссертация: Направленный синтез легированных галлием и индием пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Соотношение давлений свинца и теллура в реакционной камере модифицированного метода «горячей стенки» позволяет контролировать отклонение от стехиометрии, а следовательно, тип и концентрацию носителей заряда, при синтезе на подложках Si (100) нелегированных пленок теллурида свинца, обладающих структурой мозаичных монокристаллов с ориентацией (100). Формирование слоев РЬТе осуществляется… Читать ещё >

Содержание

  • индием пленок VI примесных
  • Специальность 02.00.01 — неорганическая химия
  • ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени доктора химических наук
  • Научный консультант: доктор химических наук, профессор МИТТОВА И. Я
  • Воронеж
  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Система свинец — теллур
    • 1. 2. Система свинец — галлий
    • 1. 3. Система свинец-индий
    • 1. 4. Получение пленок теллурида свинца
    • 1. 5. Структура и физические свойства эпитаксиальных пленок теллурида свинца
    • 1. 6. Структура и физические свойства кристаллов и эпитаксиальных пленок РЬТе, легированных галлием и индием
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Методика выращивания тонких пленок теллурида свинца
    • 2. 2. Высокотемпературная масс-спектроскопия
    • 2. 3. Электронная микроскопия
    • 2. 4. Локальный рентгеноспектральный микроанализ
    • 2. 5. Рентгеноструктурный анализ
    • 2. 6. Металлографический анализ тонкой структуры монокристаллов Si, РЬТе и пленок РЬТе
    • 2. 7. Изучение электрофизических свойств тонких пленок РЬТе
  • ГЛАВА 3. СИНТЕЗ ПЛЕНОК PbTe/Si, PbTe/Si02/Si И ИЗУЧЕНИЕ ИХ РЕАЛЬНОЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ
    • 3. 1. Синтез пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si при помощи модифицированного метода «горячей стенки»
    • 3. 2. Влияние условий формирования на кристаллическую структуру пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/S
    • 3. 3. Металлографическое исследование микроструктуры объемных монокристаллических и тонкопленочных образцов РЬТе
    • 3. 4. Рентгенографическое исследование скалярной плотности дислокаций в пленках PbTe/Si и PbTe/Si02/S
  • ГЛАВА 4. ЛЕГИРОВАНИЕ Ga ПЛЕНОК PbTe/Si И PbTe/Si02/Si МЕТОДОМ ДВУХТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА В ПАРОВОЙ ФАЗЕ
    • 4. 1. Выбор условий парофазного легирования Ga пленок РЬТе при помощи отжига в насыщенном паре над гетерогенной смесью GaTes + L
    • 4. 2. Моделирование процесса парофазного легирования галлием тонких пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/S
    • 4. 3. Методика и результаты парофазного легирования галлием пленок PbTe/Si и PbTe/SiCVS
  • ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРОВОЙ ФАЗЫ НАД РАСПЛАВАМИ
  • Pb-Ga И Pb-In ПРИ ПОМОЩИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ МАСС — СПЕКТРОСКОПИИ
    • 5. 1. Актуальность создания научно-обоснованного метода синтеза пленок
  • PbTe (Ga) и PbTe (In) с равномерным распределением примесных атомов
    • 5. 2. Изучение взаимодействия компонентов в насыщенном паре над расплавами Pb-Ga и Pb — In методом высокотемпературной масс-спектроскопии
    • 5. 3. Расчет элементного состава насыщенного пара в бинарных системах Pb-Ga и Pb-In
    • 5. 4. Расчет температурно-концентрационных зависимостей активностей компонентов в системах Pb-Ga и Pb-In
    • 5. 5. Термодинамический анализ взаимодействия компонентов в системах свинец — галлий и свинец — индий
    • 5. 6. Сопоставление результатов термодинамического анализа взаимодействия компонентов в системах свинец — галлий и свинец — индий

    ГЛАВА 6. РАЗДЕЛЬНАЯ И СОВМЕСТНАЯ КОНДЕНСАЦИЯ КОМПОНЕНТОВ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ НАД РАСПЛАВАМИ Pb-Ga И Pb-In ^ 6.1. Обоснование необходимости изучения процессов конденсации компонентов из паровой фазы над расплавами Pb-Ga и Pb-In. 204 6.2. Конденсация паров чистых исходных компонентов в системах в системах Pb-Ga и Pb — In при помощи метода «горячей стенки»

    6.3. Изучение совместной конденсации компонентов из паровой фазы над расплавами Pb — Ga и Pb-In

    6.4. Сравнительный анализ особенностей синтеза пленок Pbi^Ga^, и Pb^In^, при помощи модифицированного метода «горячей стенки».

    ГЛАВА 7. СИНТЕЗ ПЛЕНОК PbTe (Ga) И PbTe (In), ЛЕГИРОВАННЫХ АТОМАМИ МЕТАЛЛОВ IIIА ГРУППЫ НЕПОСРЕДСТВЕННО В ПРОЦЕССЕ ФОРМИРОВАНИЯ КОНДЕНСАТА

    7.1. Преимущества одностадийного синтез пленок РЬТе, легированных Ga и In непосредственно в процессе формирования конденсата

    7.2. Синтез пленок PbTe (Ga) легированных Ga непосредственно в процессе роста на Si и Si02/Si подложках.

    7.3. Синтез пленок РЬТе, легированных In непосредственно в процессе роста на Si подложках.

    7.4. Кристаллическая структура пленок Pbi^Ga^Te и Pbi^In^Te

    ГЛАВА 8. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ ГАЛЛИЕМ И ИНДИЕМ ПЛЕНОК РЬТе

    8.1. Электрофизические свойства и чувствительность к ИК — излучению нелегированных пленок теллурида свинца

    8.2. Тип и концентрация носителей заряда в легированных галлием и индием пленках теллурида свинца.

    8.3. Сравнительный анализ результатов изучения электрофизических свойств пленок РЬТе, легированных галлием и индием.

    8.4. Чувствительность к ИК — излучению легированных пленок теллуридасвинца

    ВЫВОДЫ.

Направленный синтез легированных галлием и индием пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность. Одной из фундаментальных задач неорганической химии в XXI веке остается проблема синтеза сложных многокомпонентных материалов с заданными функциональными свойствами, отсутствие которых сдерживает дальнейшее развитие научно-технического прогресса, в том числе, совершенствование приборов микрои оптоэлекгроники [1 — 4]. Пленки и монокристаллы узкозонных полупроводников AIVBVI, легированные металлами III, А группы Периодической системы Д. И. Менделеева с переменной валентностью, обладают уникальными электрофизическими свойствами, поскольку в них наблюдается стабилизация (пиннинг) уровня Ферми Ef либо внутри запрещенной зоны, либо вблизи дна зоны проводимости [5 — 7]. Одним из особенно интересных проявлений стабилизации Ер является нечувствительность электрофизических свойств легированных Ga и In теллурида свинца и его твердых растворов к присутствию других примесных атомов. При этом природа и механизмы этого явления еще до конца не изучены. Синтез легированных Ga и In пленок халькогенидов свинца с заданным содержанием примесных атомов остается одной из важнейших задач полупроводникового материаловедения, поскольку изучение кристаллической структуры и физико-химических свойств таких гетероструктур имеет большое значение с точки зрения фундаментальной науки.

Халькогениды металлов IV, А группы Периодической системы Д. И. Менделеева служат базовыми материалами при создании активных элементов в различных приборах оптоэлеюронной техники в средней и дальней инфракрасной (ИК) области спектра, а также могут использоваться при разработке термоэлектрических преобразователей энергии [8]. Разработка надежных методов синтеза качественных тонких пленок соединений A1VBVI на кремнии, который до настоящего времени остается основным материалом современной микроэлектроники, позволит создать гибридные интегральные схемы, одновременно включающие в себя элементы регистрации ИК — излучения, а также систему обработки детектируемого сигнала [9 — 13].

Физические параметры тонких пленок соединений A1VBVI и твердых растворов на их основе можно целенаправленно изменять в результате легирования металлами III, А группы с переменной валентностью. Это открывает путь к созданию принципиально новых квантовых электронных приборов. Весьма существенным достоинством подобного типа структур может служить значительное улучшение параметров уже существующих оптоэлектронных приборов при использовании в них сверхрешеток [14−18].

Работа выполнена в соответствии с тематическим планом НИР Воронежского госуниверситета, финансируемых из средств республиканского бюджета по единому заказ-наряду (№ Г. Р. 01.20.8 367) и поддержана грантами МНФ Дж. Сороса (NZOOOO и NZ0300), а также грантом Министерства образования РФ № Е02−5.0−289.

Цель работы: Разработка и осуществление научно-обоснованных методов направленного синтеза легированных галлием и индием пленок теллурида свинца при условии контроля не только концентрации примесных атомов, но и отклонения от стехиометрии в содержании основных компонентов, что обеспечивает сравнительное изучение влияния примесных атомов IIIА группы, обладающих переменной степенью окисления, на кристаллохимическую структуру и электрофизические свойства исходного материала в зависимости от конкретных условий процесса легирования.

Для достижения цели требовалось выполнение следующих задач:

1. Оптимизация режимов синтеза на подложках Si (100) и Si02/Si (100) пленок РЬТе, обладающих высокой степенью структурного совершенства, при помощи модифицированного метода «горячей стенки»;

2. Разработка научно-обоснованного двустадийного метода парофазного легирования галлием предварительно синтезированных пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si;

3. Изучение температурно-концентрационной зависимости состава паровой фазы над бинарными расплавами Pb — Ga и Pb — In, используемыми в качестве источников пара металлических компонентов при синтезе легированных пленок PbTe (Ga) и PbTe (In);

4. Термодинамический анализ характера взаимодействия компонентов в системах Pb — Ga и Pb — In в интервале температур Т= 950 — 1150 К на основе температурных зависимостей парциальных давлений компонентов, полученных при масс-спектроскопических исследованиях этих систем;

5. Разработка методов направленного одностадийного синтеза на Si и Si02/Si подложках пленок РЬТе, легированных галлием и индием непосредственно в процессе их формирования, которые позволяют в выращиваемых пленках осуществлять строгий и гибкий контроль не только концентрации примесиых атомов, но также величины отклонения от стехиометрии в содержания основных компонентов;

6. Исследование скорости роста, химического состава и фазовой природы синтезируемых пленок PbTe (Ga) и PbTe (In) в зависимости от состава исходных расплавов Pbi^Ga^ и РЬ]л1пЛ, величин парциальных давлений металлических компонентов и теллура, а также от температуры подложки;

7. Комплексное сравнительное изучение реальной кристаллической структуры, электрофизических параметров и чувствительности к ИК — излучению легированных Ga и In пленок РЬТе, полученных различными методами, в зависимости от концентрации примесных атомов, отклонения от стехиометрии в содержании основных компонентов, природы подложки и конкретных условий процесса легирования.

8. Создание представлений о механизме взаимодействия с исходной кристаллической матрицей РЬТе примесных атомов III, А группы, обладающих переменной степенью окисления, с учетом их различного положения и величин отклонения от стехиометрии в содержании основных компонентов — свинца и теллура.

Научная новизна.

• В результате изучеиия процессов формирования мозаичных нелегированных монокристаллических пленок РЬТе на подложках Si (100) и SiCVSi (100) при помощи модифицированного метода «горячей стенки» установлены принципиальные закономерности их синтеза, обеспечивающие получение образов с п — и р — типом проводимости и высокой степенью структурного совершенства;

• На основании данных, полученных при изучении реальной кристаллической микроструктуры пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si с помощью металлографического анализа, растровой электронной микроскопии (РЭМ) и прецизионного рентгенографического анализа, установлено, что присутствие переходного буферного слоя Si02 толщиной 20 ± 5 — 50 ± 5 нм приводит к повышению структурного совершенства пленок и снижению средней скалярной плотности дислокаций. Однако с увеличением толщины оксидного слоя до 100 — 300 нм наблюдается рост плотности дислокаций с последующим переходом пленок РЬТе в поликристаллическое состояние;

• На основании термодинамического анализа состава пара в системе галлийтеллур разработан и осуществлен двустадийный метод легирования Ga предварительно синтезированных пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si посредством двухтемпературного отжига в насыщенном паре над гетерогенной смесью GaTes + Li, который позволяет получать образцы с содержанием примесных атомов Ga в пределах от 0,0005 до 0,015 мольн. д.;

• В результате масс-спектроскопических исследований установлено, что в интервале температур 780 — 1153 К насыщенный пар над расплавами Pbi^Ga^ и Pbi-Jn, в значительной степени обогащен металлами III, А группы, при этом содержание металлов III, А группы в зависимости от температуры и состава исходного расплава изменяется в пределах от 0,0001 до 0,0745 мольн. д. и от 0,001 до 0,1112 мольн. д. для Ga и In, соответственно. Такой интервал составов намного превышает диапазон концентраций примесных атомов в легированных образцах PbTe (Ga) и PbTe (In), для которого отмечены наиболее существенные изменения электрофизических параметров. На основании термодинамического анализа доказано, что при температурах 780 — 1153 К взаимодействие компонентов в расплавах Pbi^Ga^ и Pbi-jln* характеризуется сильно выраженным положительным отклонением от идеальности. Образование расплавов в системах Pb — Ga и Pb — In в интервале температур 780 — 1153 К является эндотермическим процессом и характеризуется значительными положительными величинами избыточных парциальных и.

Е Е интегральных мольных свободных энергий смешения g и энтропии смешения 5 .

• Установлено, что на состав бинарных слоев Pbi^Ga^ и Pb^In^ влияет не только соотношение парциальных давлений компонентов, но также величина общего давления насыщенного пара и температура подложки. Результаты, полученные при выращивании двухкомпонентных пленок Pb^Ga^ и Pb^In^, доказали целесообразность использования расплавов Pb|^Ga^ и Pbj^In* в качестве источников паров металлических компонентов при направленном синтезе пленок PbTe (Ga) и PbTe (In) модифицированным методом «горячей стенки»;

• Разработан и осуществлен одностадийный направленный синтез легированных Ga и In пленок теллурида свинца при условии строгого и гибкого контроля не только концентрации примесных атомов, но и величин отклонения от стехиометрии в содержании свинца и теллура;

• Комплексное изучение количественного состава, фазовой природы и микроструктуры синтезированных пленок PbTe (Ga) и PbTe (In) позволило оценить границы растворимости галлия и индия в теллуриде свинца. Показано, что область растворимости индия в теллуриде свинца имеет асимметричную форму относительно квазибинарного разреза РЬТе — InTe, при этом содержание индия и теллура является взаимозависимым;

• В подтверждение амфотерного (донорного и акцепторного) поведения галлия и индия в исходной матрице РЬТе с позиций ионной модели разработаны представления, учитывающие различные зарядовые состояния примесных атомов (Ме+1 и Ме+3), их положение в исходной кристаллической матрице (Mej и Мерь), а также степень отклонения от стехиометрии в содержании основных компонентовсвинца и теллура.

Практическая значимость:

Формирование качественных тонких пленок полупроводниковых материалов AIVBVI на кремнии позволит создать гибридные интегральные схемы, одновременно включающие в себя элементы регистрации ИК — излучения, а также систему цифровой обработки детектируемого сигнала. Легирование пленок теллурида свинца галлием и индием приводит к стабилизации уровня Ферми внутри запрещенной зоны, поэтому электрофизические параметры таких материалов становится нечувствительными к присутствию других примесных атомов. Пленки PbTe (Ga) и PbTe (In) позволяют обеспечить стабильную и долговременную работу ИК — сенсоров и лазеров.

Апробация работы:

Материалы диссертационной работы были представлены на Всероссийских и международных конференциях: 6th International Conference «Physics and Technology of Thin Films», Ivano-Frankivsk, 1997; 5-я Международная конференция «Термодинамика и материаловедение полупроводников» Москва. МИЭТ, июль, 1997; Второй Российский симпозиум «Процессы тепло-массопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур». Обнинск. 22−24 сентября, 1997; European Materials Research Society (E-MRS'98) Spring Meeting. Strasbourg. France, June 16−20, 1998; 5-th International Workshop MSU — HTSC V, Moscow, March 24−29, 1998; Всероссийская научно-техническая конференция «Новые материалы и технологии НМТ-98» Москва. 17−18 ноября, 1998; Third International Conference «Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat Mass Transfer». Obninsk. 1999; IX и X Российские национальные конференции по росту кристаллов (НКРК-2000, 16−20 октября 2000 г., Москва, НКРК-2002. 24−29 ноября 2002 г. Москва) — 13-th International Conference of Crystal Growth (ICCG-13. 30.07. — 04.08.2001. Kyoto, Japan) — Всероссийская научная конференция «Физика полупроводников и полуметаллов» (ФПП-2002. 4−6 февраля 2002 г. Санкт-Петербург, Россия) — Spring Meeting of European Materials Research Society (E-MRS'2002. Strasbourg. France, June 16−20, 2002) — Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» ФАГРАН-2002. Воронеж, 11−15 ноября 2002 г.- 1st International Symposium on Point Defects and Nonstoichiometry. ISPN 2003. March 20 — 22, 2003, Sendai, Japan- 7-th International Conference on Photoelecrtonic and Advanced Materials (ICPAM — 7), June 10 — 13, 2004. Yassi, RomaniaXV Международная конференция по химической термодинамике в России, Москва, 27 июня — 2 июля 2005 г.- International Conference «Functional Materials» ICFM-2005, Ukraine, Crimea, Partenit, October, 2−7.

Публикации.

По результатам проведенных исследований опубликовано 29 статей, 17 из которых в академической российской печати, 5 в международных журналах (издательство Elsevier).

На защиту выносятся:

• Физико-химические закономерности процессов синтеза при помощи модифицированного метода «горячей стенки» нелегированных, а также легированных галлием и индием пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si с п — и р — типом проводимости. Влияние условий синтеза (парциальные давления компонентов и температура подложки) на количественный состав, фазовую природу, качество реальной кристаллической структуры и основные электрофизические параметры. Зависимость реальной кристаллической структуры пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si от наличия и толщины переходного буферного слоя Si02;

• Результаты масс-спектроскопического изучения процессов испарения расплавов РЬ1/}аЛ и РЬ[л1пЛ, свидетельствующие о том, что насыщенный пар в значительной степени обогащен металлами III, А группы, а взаимодействие компонентов характеризуется существенными положительными отклонениями от идеальности;

• Результаты термодинамического анализа взаимодействия компонентов в бинарных системах Pb — Ga и Pb — In, свидетельствующие, что образование расплавов Pbi-jGa* и Pbi-^In* в интервале температур 780 — 1150 К является эндотермическим процессом и характеризуется значительными положительными величинами избыточных парциальных и интегральных мольных свободных энергий смешения gE и энтропии смешения sE;

• Доказательство целесообразности применения расплавов Pb^Ga^ и Pb^In^ в качестве источников паров металлических компонентов при осуществлении направленного синтеза легированных пленок PbTe (Ga) и PbTe (In) модифицированным методом «горячей стенки;

• Границы области растворимости галлия и индия в пленках теллурида свинца, установленные на основании результатов комплексного исследования состава, кристаллической структуры и фазовой природы пленок Pbi^In/Te/SiCVSi и Pbi-yln^Te/Si при помощи методов электронной микроскопии, JIPCA и прецизионного рентгенографического анализа. Взаимное влияние Те и In на протяженность области твердых растворов индия в теллуриде свинца;

• Доказательства амфотерного (донорного и акцепторного) характера поведения галлия и индия в пленках теллурида свинца в зависимости не только от содержания металлов III, А группы с переменной степенью окисления, но также от величины отклонений от стехиометрии основных компонентов — свинца и теллура;

• Результаты изучения чувствительности к ИК — излучению легированных пленок PbTe (Ga) и PbTe (In) в зависимости от метода легирования, природы и концентрации примесных атомов, а также отклонения от стехиометрии в содержании основных компонентов — свинца и теллура.

Структура и объем работы:

Текст диссертации состоит из введения, восьми глав, списка литературы, включающего 229 наименований источников. Содержание работы изложено на 340 страницах, включает 119 рисунков, 42 таблицы и 229 библиографических ссылок.

ВЫВОДЫ.

Главным итогом диссертационной работы является решение актуальной научной проблемы: на основе термодинамического анализа взаимодействия свинца, галлия и индия между собой разработан и осуществлен направленный синтез легированных Ga и In пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии основных компонентов, что позволило провести комплексное изучение не только влияния природы и концентрации примесных атомов, но и величины отклонения от стехиометрического соотношения в содержании основных компонентов на кристаллическую структуру и электрофизические параметры гетероструктур PbTe (Ga)/Si и PbTe (In)/Si, способных эффективно детектировать ИК — излучение.

1. Соотношение давлений свинца и теллура в реакционной камере модифицированного метода «горячей стенки» позволяет контролировать отклонение от стехиометрии, а следовательно, тип и концентрацию носителей заряда, при синтезе на подложках Si (100) нелегированных пленок теллурида свинца, обладающих структурой мозаичных монокристаллов с ориентацией (100). Формирование слоев РЬТе осуществляется по механизму «пар — конденсат без коалесценции». Присутствие переходного буферного слоя Si02 толщиной 20 ± 5 — 50 ± 5 нм приводит к повышению структурного совершенства пленок теллурида свинца и снижению средней скалярной плотности дислокаций до величин ~ 10~5 см-2, однако увеличение толщины оксидного слоя до 100 — 300 нм вызывает рост плотности дислокаций с последующим переходом слоев РЬТе в поликристаллическое состояние.

2. Двухтемпературный отжиг в насыщенном паре над гетерогенной смесью.

§.

GaTe + Li в системе галлий — теллур обеспечивает эффективное легирование галлием предварительно синтезированных пленок теллурида свинца и в зависимости от температуры, продолжительности, а также парциального давления молекул Ga2Te позволяет получать образцы с содержанием примесных атомов в пределах от 0,001 до 0,03 мольн. д.

3. На основании результатов масс-спектроскопических исследований установлено, что в интервале температур 780 — 1153 К паровая фаза над расплавами Pbi-jGa* и Pbi-Jn*состоит, главным образом, из одноатомных молекул, а суммарное содержание двухатомных частиц не превышает 0,05% и 0,5% для системы Pb — Ga и Pb — In, соответственно. Установлено, что поведение свинца, индия и, в особенности, галлия в расплавах Pbi^Ga^ и Pbi^In* характеризуется сильно выраженным положительным отклонением от идеальности. Показано, что для свинца, галлия и индия значения коэффициентов активности уменьшаются с ростом температуры.

4. На основании проведенных термодинамических расчетов установлено, что образование расплавов в системах Pb — Ga и Pb — In в интервале температур 780 -1150 К является эндотермическим процессом и характеризуется значительными положительными величинами избыточных парциальных и интегральных мольных р свободных энергий смешения g .

5. Доказана целесообразность использования расплавов Pb^Ga^ и РЬ^п* в качестве источников паров металлических компонентов при синтезе пленок PbTe (Ga) и PbTe (In) модифицированным методом «горячей стенки». На основании температурных зависимостей парциальных давлений компонентов над расплавами Pb — Ga и Pb — In определен состав насыщенного пара в изученных системах, показано, что содержание металлов III, А группы в зависимости от температуры и состава исходного расплава изменяется в пределах от 0,0001 до 0,045 мольн. д. и от 0,001 до 0,11 мольн. д. для галлия и индия, соответственно, что намного превышает интервал концентраций примесных атомов в легированных образцах PbTe (Ga) и PbTe (In), для которого отмечены наиболее существенные изменения электрофизических параметров.

6. Разработан и осуществлен одностадийный направленный синтез легированных Ga и In слоев теллурида свинца с возможностью строгого и гибкого контроля не только содержания примесных атомов в формируемой пленке в пределах от 0,0004 до 0,015 мольн. д. и от 0,0008 до 0,025 мольн. д. для галлия и индия, соответственно, но и отклонения от стехиометрии по основным компонентам: свинцу и теллуру. Синтезированные полуизолирующие пленки PbTe (Ga) в режиме фотосопротивлений обладают способностью не только эффективно детектировать ИК — излучение, но и регистрировать изменение его мощности.

7. Комплексное изучение количественного состава, фазовой природы и микроструктуры синтезированных пленок PbTe (In) позволило оценить границы растворимости галлия и индия в теллуриде свинца. Показано, что пленки РЬ^пДе, выращенные при 7-иь = 583 ± 3 К и 7-ub = 623 + 3 К, остаются однофазными, если содержание In в них не превышает = 0,012 — 0,014. При у1п> 0,014 пленки РЬ^пДе, содержащие избыток Те относительно стехиометрического соотношения, являются гетерогенными и представляют собой либо двухфазную смесь (РЬТе + InTe), (РЬТе + 1п2Те3), либо трехфазную смесь (РЬТе + InTe + In2Te3). Пленки РЬ^пДе, содержащие недостаток Те относительно стехиометрического соотношения, могут быть гомогенными и гетерогенными: (РЬТе + РЬ), (РЬТе + 1п4Те3) и (РЬТе + РЬ + 1п4Те3), в зависимости от содержания свинца и индия. Показано, что область растворимости индия в теллуриде свинца имеет асимметричную форму относительно квазибинарного разреза РЬТе — InTe, при этом содержание индия и теллура является взаимозависимым.

8. Сопоставление немонотонных зависимостей параметра кристаллической решетки, типа и концентрации носителей заряда, а также температурных зависимостей чувствительности к ИК — излучению легированных пленок PbTe (Ga) и PbTe (In) от содержания в них атомов металлов III, А группы доказывает амфотерное (донорное и акцепторное) поведение галлия и индия в исходной матрице РЬТе. С позиций простой ионной модели для объяснения сложного поведения металлов с переменной степенью окисления в кристаллической решетке РЬТе разработаны представления, учитывающие их различные зарядовые состояния (Ме+1 и Ме+3), а также положения в исходной кристаллической матрице (Ме, и МеРЬ).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Lead Chalcogenides: Physics and Applications / ed. D. Khohlov. — New York:
  2. Gordon & Breach, 2002. 687 p.
  3. .А. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах наоснове теллурида свинца / Б. А. Волков, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов // Успехи физических наук. 2002. — Т. 172, № 8. — С. 875−906.
  4. РЬТе films grown by hot wall epitaxy on sapphire substrates / Z. Dashevsky et al. // Thin Solid Films. 2004. — V. 461. — P. 256 — 265.
  5. Synthesis and growth of PbTe crystals at low temperature and their characterization / V. Munoz et al. // Journ. Cryst. Growth. 1999. — V. 196. — P. 71−76.
  6. Carrier transport and non-equilibrium phenomena in doped PbTe and related materials / B. A. Akimov et al. // Phys. Stat. Sol. 1993. — V.137, № 8. — P. 9−55.
  7. Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe (Ga), облученного электронами / Е. П. Скипетров и др. // Физика и техника полупроводников. 1994. -Т. 23, № 9.-С. 1626−1635.
  8. Энергетический спектр твердых растворов (Sn0 65Pb o, 35) o, 95Geo, o5Te / С. А. Немов и др. // Физика твердого тела. 2000. — Т. 42, № 4. — С. 623−625.
  9. В.М. Термоелектрика телуриду свинцю i його аналопв / В. М. Шперун, Д.М. ФреГк, P.I. Запухляк. 1вано — Франювсък: Изд-во Плай, 2000. -250 с.
  10. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays / H. Zogg et al. // Optical Engineering. 1994. — V.33, № 5. — P. 1440 — 1449.
  11. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon / H. Zogg et al. // Semicond. Sci. Technol. -1991. № 6. — P. 36−41.
  12. Photovoltaic Pbi. xSnxSe-on-Si IR Sensor Arrays for Thermal Imaging / H. Zogg et al. // International Conference on Solid States Devices and Materials: Extended Abstracts, Yokohama, Japan, August 23 26, 1994. Yokohama, 1994. — P. 963 — 964.
  13. The lattice constant of ternary and quaternary alloys in the PbTe SnTe — MnTe System / S. Miotrowska et al. // Journ. Cryst. Growth. — 1999. — V. 200. — P. 483−489.
  14. Handbook of semiconductor technology: / ed. K. A. Johnson and W. Schrotter. -Weinheim New York — London.: Wiley VCH, 2001. — V. 1. — 846 p.
  15. Ю.В. Многоцветные ИК приемники / Ю. В. Медведев // Зарубежная электронная техника. — 1983. — № 10. — С. 40−53.
  16. Д.М. К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца / Д. М. Заячук // Физика и техника полупроводников. -1997. Т.31, № 2. — С.217−221.
  17. Фотопроводимость Pbi. xSnxTe (In) в миллиметровой области спектра / Ю. А. Абрамян и др. // Физика и техн. полупроводников. 1994. Т. 28, № 3. — С. 533−534.
  18. Kasemset D. Liquid phase epitaxy of PbTeSe lattice matched to PbSnTe / D. Kasemset, S. Rotter, C.G. Fonstad // Journ. of Electronic Materials. — 1981. — V. 10, № 5. — P.863−878.
  19. В.М. Акустические исследования расслаивания и закритических явлений в электронных расплавах / В. М. Глазов, С. Г. Ким // Докл. АН СССР. Сер. Физ. химия. 1986. — Т. 290, № 4. — С. 873−876.
  20. Влияние расслоения на термодинамические и кинетические свойства сплавов / В. И. Кононенко и др. // Журн. физ. химии. 1975. — Т. 49, № 10. — С. 2570−2573.
  21. Вол А. Е. Строение и свойства двойных металлических систем: в 4-х т. / А. Е. Вол, Е. К. Каган. М.: Наука. — 1976. — Т.З. — 814 с.
  22. Heumann Т. Thermodynamische Unttersuchungen im System Indium Blei / T. Heumann, B. Predel // Z. Metallkunde. — 1966. — Bd. 57, № 1. — S. 50 — 55.
  23. Поверхностное натяжение сплавов индий свинец / О. Г. Ашхотов и др. // Журн. физич. химии. — 1997. — Т. 71, № 1. — С. 129 — 132.
  24. Kameda К. Activities of Liquid Pb-In Alloys by E.M.F. Measurements Using Zirconia Solid Electrolyte Cells / K. Kameda, Y. Yoshida, S. Sakairi // Transactions of the Jap. Inst, of Metals. 1982. — V. 23, № 8. — P. 433 — 439.
  25. McDonald J.A. Nights of the Future: II-VI Primer. Part 2: Tapping the True Potential of First and Second Generation II-VI Products / J. A. McDonald // III Vs Revue. — 1992. -V. 5,№ 2.-P.28−33.
  26. Thermal mismatch — strain relaxation in epitaxial CaF2, BaF2/CaF2, and PbSe/BaF2/CaF2 layers on Si (111) after many temperature cycles / H. Zogg et al. // Phys. Review B. — 1994. — V. 50, № 15. — P. 10 801 — 10 810.
  27. Фоточувствительные поликристаллические пленки компенсированного теллурида свинца РЬТе: С1,Теех / И. Б. Захарова и др. // Физика и техника полупроводников. 1994. — Т. 28, № 10. — С. 1802−1807.
  28. Astles M.G. Liquidus measurements in the Pb Sn — Те system / M. G. Astles, P. Hatto, A. J. Crocker // Journ. Cryst. Growth. — 1979. — V. 47. — P.379−383.
  29. Zemel A. Electric properties of indium-doped LPE layers of PbijSn*Te / A. Zemel, D. Eger, H. Shtikman // Journ. Electron. Materials. 1981. — V. 10, № 2. — P. 245 — 253.
  30. Growth of (11 l)-oriented PbTe thin films on vicinal Si (111) and on Si (100) using fluoride buffers / A. Belenchuk et al. // Journ. Cryst. Growth. 1999. — V. 198/199. P. 1216−1221.
  31. B.M. Получение твердых растворов замещения в системе свинец -олово селен / В. М. Марков, JI.M. Маскаева, Л. Д. Лошкарева // Неорганические материалы. — 1997. — Т. 33, № 6. — С. 665 — 668.
  32. Electrodeposition of РЬТе thin films / Н. Salomeni et al. // Thin Solid Films. -1998. V. 326. — P.78−82.
  33. Д.М. Физика и технология полупроводниковых пленок / Д. М. Фрейк, М. А. Галущак, И. И. Межилевская. Львов: Вища школа, 1988. — 155 с.
  34. Scholar R.B. Preparation of single-crystal films of PbS / R. B. Scholar, J. M. Zemel // Journ. Appl. Phys. 1984. — V.35, № 6. — P. 1848−1851.
  35. Jensen J.D. Surface charge transport in PbSz (Se)x and Pbi. xSnxSe epitaxial films / J. D. Jensen, R. B. Scholar//Journ. Vac. Sci. Technol. 1976. — V.13, № 4. — P. 920−925.
  36. Д.М. Синтез пленок AIVBV1 из навесок механической смеси компонентов под «тепловым затвором» / Д. М. Фрейк, М. А. Рувинский // Журн. техн. физики. -1983. Т.53., № 7. — С.1378 — 1379.
  37. К.В. Тонкие слои, выращенные методом «горячей стенки» / К. В. Боткин, А. П. Шотов, В. В. Урсаки //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1981.- Т. 17, № 1,-С. 24−27.
  38. Kasai I. PbixSnxTe epitaxial layers prepared by the hot-wall technique /1. Kasai, J. Hermung // Journ. Electron. Mater. 1975. — V. 4, № 2. — P. 299−311.
  39. Ishida A. Sn diffusion effects on X-ray diffraction patterns of Pb^SnJe -PbSe/Te^ superlattices / A. Ishida, M. Aoki, H. Fujiyasu // Journ. Appl. Phys. 1985. -V.58, № 2. — P. 797 — 801.
  40. Clemens H. Crowth of PbTe Doping Superlattices by Hot Wall Epitaxy // H. Clemens // Joum. Cryst. Growth. 1988. — V.88. — P. 236−240.
  41. Clemens H. Hot-wall epitaxy system for the growth of multilayer IV-VI compound heterostructures / H. Clemens, E. Farther, G. Bauer // Rev. Sci. Instrum. -1983.-V 54,№ 6.-P. 685−689.
  42. Ishida A. Hall properties of PbTe-SnTe superlattice / A. Ishida, M. Aoki, H. Fujiyasu // Journ. Appl. Phys. 1985. — V. 58, № 5. — P. 1901−1903.
  43. Новый метод выращивания тонких пленок твердых растворов AIVBVI / В. Н. Васильков и др.//Неорган, материалы. 2001. — Т. 31, № 1.-С. 26−29.
  44. Эпитаксия пленок Pb0, gSno-2Te / Д. М. Фрейк и др. // Физ. электроника. 1979. -Вып. 18.-С. 82- 86.
  45. Lopez Otero A. The use of a phase diagram as a guide for growth of PbTe films / A. Lopez — Otero // Journ. Appl. Phys. Lett. — 1975. — V. 55. — P. 2032−2036.
  46. Mojejko K. Structure and growth mechanisms in thin epitaxial PbTe films / K. Mojejko, H. Subotowicz // Thin Solid Films. 1981. — V. 78, № 4. p. 678 — 684.
  47. Исследование совершенных монокристаллических пленок РЬТе стехиометри-ческого состава / JI.A. Гудков и др. // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1980. — Т.16, № 9. — С. 1676 — 1678.
  48. Dawar A.L. Electrical transport properties of epitaxial films of Pbi^SnJe / A.L. Dawar, P. Kumar, S.K. Paradkar // Phys. Status Solidi. 1982. — A 73, № 2. — P. 189 -194.
  49. C.B. Легирование пленок PbTe при их выращивании из газовой фазы / С. В. Гладкий, Т. Разафиндразана, И. В. Саунин // Изв. СПб. электротехн. ун-та. -1993.-№ 457.-46−56.
  50. Monolithic IR Sensor Arrays in Heteroepitaxial Narrow Gap Lead Chalcogenides on Si for the SWIR, MWIR and LWIR Range / H. Zogg et al. // Infrared Detectors and Focal Plane Arrays. Proc. SPIE Conference. Orlando, USA, 1990. — P. 169 — 177.
  51. Epitaxy of IV-VI Materials on Si with Fluoride Buffers and Fabrication of IR-sensors Arrays / H. Zogg et al. // Extended Thesis of 7-th International Conference on Narrow Gap Semiconductors. Santa Fe, USA. 1995. — P. 134 — 140.
  52. Неидеальный гетеропереход p PbTe — n — Si / В. H. Выдрин и др. // Физика и техника полупроводников.-1991. — Т.25, № 1. — С. 106 — 109.
  53. А.А. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца / А. А. Аверкин, В. И. Кайданов, Р. Б. Мельник. // Физика и техника полупроводников.-1971.-Т.5,№ 3,-С. 42−56.
  54. Особенности легирующего действия Ga в РЬТе и твердых растворах РЬТе -SnTe / Г. С. Бушмарина и др. // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. -1980.- Т. 16,№ 12.-С.2136−2140.
  55. М.А. Легирование РЬТе галлием в процессе выращивания кристаллов по механизму ПЖК / М. А. Лазаренко, A.M. Гаськов, В. П. Зломанов // Весник МГУ, сер. Химия. 1980. — Т. 21, № 6. — С. 756 — 763.
  56. Влияние галлия на электрофизические свойства теллурида свинца / М. А. Лазаренко и др. // Легированные полупроводники. -М.: Наука, 1982. С. 81−85.
  57. Примесные состояния Ga и фотоэлектрические явления в сплавах PbTe (Ga) / Б. А. Акимов и др. // Физика и техника полупроводников.- 1983. Т. 17, № 1.- С. 72 -76.
  58. Temperature dependence of mobility in heavily doped n type PbTe layers grown by LPE / Z. Feit et al. // Phys. Lett. — 1983. — A98, № 8 — 9. — P 451 — 454.
  59. H.A. Фазовый переход в теллуриде свинца с примесью галлия / Н. А. Ерасова // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1983. — Т. 20, № 3. — С. 538−540.
  60. Поведение примеси Ga в монокристаллах РЬТе / В. М. Лакеенков и др. // Укр. физический журн. 1984. — Т. 29, № 5. — С. 757 — 759.
  61. А.И. Фотопроводимость и процессы рекомбинации в РЬТе, легированном Ga / А. И. Лебедев, Т. Д. Айтикеева // Физика и техника полупроводников, — 1984. Т. 18, № П.-С. 1964- 1966.
  62. Ф.Ф. Глубокие уровни в РЬТе / Ф. Ф. Сизов, С. В. Пляцко, В. М. Лакеенков // Физика и техника полупроводников. 1985. — Т. 19, № 4. — С. 592 — 596.
  63. А.Н. Энергетические уровни, связанные с комплексами в РЬТе, легированном примесями III группы / А. Н. Вейс, Е. В. Глебова, Н. А. Ерасова // Физика и техника полупроводников. 1985. — Т. 19, № 11. — С. 2055 — 2058.
  64. Akimov В.А. Low-temperature switching in PbTe (Ga) at high electric fields / B.A. Akimov, A.V. Albul, E.V. Bogdanov // Semicond. Sci. And Technol. 1993. — V. 8, № 15.-P. 447−450.
  65. Свойства диодных структур на основе-PbTe (Ga) / Б. А. Акимов и др. // Физика и техника полупроводников. 1997.-Т.31, № 12. — С. 1431−1435.
  66. В.П. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа A1VBVI / В. П. Кайданов, Ю. И. Равич // Успехи физич. наук. 1985. — Т.145, № 1.- С. 51 -86.
  67. С.А. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности / С. А. Немов, Ю. И. Равич // Успехи физич. наук.- 1961.- Т. 168, № 9.-С. 32−47.
  68. В.И. Исследования теллурида свинца с примесью индия / В. И. Кайданов, Р. Б. Мельник, И. А. Черник // Физика и техника полупроводников.- 1973.-Т.7, № 9. С. 37−51.
  69. Явление переноса в Pb|x Sn^Te с большим содержанием примеси индия / С. А. Немов и др. // Физика и техника полупроводников. 1993. — Т.27, № 7. — С. 299−325.
  70. Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии / В. И. Кайданов и др. // Физика и техн. полупроводников. 1990. — Т.24, № 3. — С. 144−172.
  71. С.Н. О зарядовом состоянии примеси индия в теллуриде свинца / С. Н. Лыков, И. А. Черник // Физика и техника полупроводников. 1980. — Т. 14, № 9. — С. 47−62.
  72. Переход в бесщелевое состояние под действием давления в сплаве PbSnTe с примесью индия / Б. А. Акимов и др. // Физика и техника полупроводников.- 1977.-Т.11,№ 6. С. 1077−1103.
  73. С.А. Влияние квазилокальных состояний индия на дефектообразование в теллуриде свинца / С. А. Немов, В. И. Прошин, Т. Г. Абайдулина // Физика и техника полупроводников. 1996. — Т. З, № 11. — С. 45−67.
  74. Ю.И. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в РЬТе и твердых растворов на их основе / Ю. И. Равич // Физика и техника полупроводников. 2002. — Т.36, № 1.- С. 3−23.
  75. А.Н. Температурная зависимость положения квазилокального уровня в PbTe(In) / А. Н. Вейс, С. А. Немов // Физика и техника полупроводников. 1982. -Т. 16, № 2.-С. 178 — 183.
  76. Поверхность ликвидуса системы In-Pb-Te / З. М. Лапитов и др. // Изв. АН СССР, сер. Неорганические, материалы. 1989. — Т.25, № 12. — С. 2073−2074.
  77. Т.Ю. Влияние отклонения от стехиометрии на структуру и свойства сплавов РЬ^ГпДе / Т. Ю. Батюшкова, Б. А. Ефимова, Е. И. Рогачева // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1981. — Т.17, № 11. — С. 2006−2010.
  78. Поведение примеси индия в монокристаллах теллурида свинца / С.А. Бело-конь и др. //Неорганические материалы. 1988. — Т.24, № 10. — С.1618−1622.
  79. Коррекция свойств пленок PbSnTe, полученных МЛЭ, при помощи низкотемпературных диффузионных отжигов / Л. Ф. Васильева и др. // Неорганические материалы. 2001. — Т. 37, № 2. — С. 193−197.
  80. Получение пленок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объеме / Н. Н. Безрядин,. A.M. Самойлов и др. // Вестник Воронежского государственного технического ун-та, Сер. Материаловедение. 2002. — Вып. 1.11. — С. 47 — 51.
  81. В.Л. Эффективность геттерирования при массопередаче в вакууме / В. Л. Ласка, А. В. Кондратьев, А. А. Потапенко // Инж. физ. журнал. — 1984. — Т.46, № 6. -С. 949 — 952.
  82. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме /10.3. Бубнов и др. -М.: Советское радио, 1975.- 160 с.
  83. Wright S. Reduction of oxides on silicon by heating in a gallium molecular beam at 800° С / S. Wright, H. Kroemer // Appl. Phys. Letters. 1980. — V. 36. № 3. — P. 210−211.
  84. Г. А. Применение масс-спектрометрии в неорганической химии / Г. А. Семенов, Е. Н. Николаев, К. Е. Францева. Л.: Химия, 1976. — 234 с.
  85. Л.Н. Масс-спектральные термодинамические исследования / Л. Н. Сидоров, М. В. Коробов, Л. В. Журавлева. М.: Изд-во МГУ, 1985. — 208 с.
  86. А. И. Масс-спектрометрический метод исследования термодинамических свойств веществ / А. И. Зайцев // Заводская лаборатория. 1990. — Т. 56, № 11.-С. 57 — 69.
  87. Г. А. Масс-спектрометрическое исследование испарения оксидных систем / Г. А. Семенов, В. Л. Столярова. Л.: Наука, 1990. — 300 с.
  88. Paule R.C. Analysis interlaboratory measurements on the vapour pressure of cadmium and silver / R. C. Paule, J. Mandel // Pure Appl. Chem. 1972. — V. 31, № 3. — P. 397 — 431.
  89. C.C. Рентгенографический и электронно-оптический анализ / С. С. Горелик, Л. Н. Расторгуев, Ю. А. Скаков. М.: Металлургия, 1970. — 368 с.
  90. П. Электронная оптика и электронная микроскопия / П. Хокс. М.: Мир, 1974.-347 с.
  91. В. П. Электронно-зондовые устройства / В. П. Деркач, Г. Ф. Кияшко, М. С. Кухарчук. Киев: Науковадумка, 1974.-238 с.
  92. И. Г. Физические основы методов просвечивающей электронной микроскопии / И. Г. Стоянова, И. Ф. Анаскин. М.: Наука, 1972. — 347 с.
  93. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я. С. Уманский и др. М.: Металлургия, 1982. — 432 с.
  94. Микроанализ и растровая электронная микроскопия / под ред. Ф. Морис, JI. Мени, Р. Тиксье. М.: Металлургия, 1985. — 407 с.
  95. Рид С. Электронно-зондовый микроанализ / С. Рид. М.: Мир, 1979. — 432 с.
  96. Рентгеноспектральный микроанализ легированных монокристаллов РЬТе и Pba. gSna^Te / М. В. Бестаев и др. // Физика и техника полупроводников. 1997. — Т. 31,№ 8.-С. 980−982.
  97. С.С. Рентгенографический и электронно-оптический анализ / С. С. Горелик, JI.H. Расторгуев, Ю. А. Скаков. М.: Изд-во МИСИС, 1994. — 328 с.
  98. Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов / Ю. П. Пшеничнов. М.: Металлургия, 1974. — 528 с.
  99. Современная кристаллография / под ред. Б. К. Вайнштейна. Т. 2. Структура кристаллов. М.: Наука, 1979. — 360 с.
  100. М.П. Кристаллография / М. П. Шаскольская. М.: Высшая школа, 1984.-375 с.
  101. О.Г. Рост и морфология кристаллов / О. Г. Козлова. М.: Изд-во МГУ, 1980.-357 с.
  102. Г. И. Физические основы микроэлектроники / Г. И. Епифанов. М.: Советское радио, 1971. -375 с.
  103. В.И. Введение в физику полупроводников / В. И. Фистуль. М.: Высшая школа, 1975. — 296 с.
  104. П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П. Т. Орешкин. М.: Высшая школа, 1977. -448 с.
  105. С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников / С. И. Рембеза. Воронеж: Изд-во Воронеж, ун-та, 1989. — 222 с.
  106. Е.В. Методы исследования эффекта Холла / Е. В. Кучис. М.: Советское радио, 1974. — 328 с.
  107. Получение тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках / Я. А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 1994. — Т.30, № 7. — С. 898−902.
  108. X. Справочник по физике / X. Кухлинг. М.: Мир, 1982. — 519 с.
  109. Квантовая проводимость микроконтактов металл узкощелевой полупроводник Pb, Sn^Se / Б. А. Волков [и др. // Физика твердого тела. — 1995. — Т.37, № 9. — С. 2856 -2858.
  110. Микрогетерогенность и протяженные дефекты в кристаллах Cd^Hgi^Te / Я. А. Угай,. A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 1995 — Т. 31, № 1. -С. 37−50.
  111. Исследование скалярной плотности дислокаций монокристаллов РЬТе / Я. А. Угай,. A.M. Самойлов и др. // Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур: тез. 2-ого Рос. Симп., Обнинск, 22−24 сентября 1997.-М., 1997. С. 125.
  112. Crystal microstructure of РЬТе thin films on Si Substrates / Ya.A. Ugai, A.M. Samoylov et al. // Physics and Technology of Thin Films: book of abstr. of VI Intern. Conf. Ivano-Frankivsk, 1997. — Part I. — P. 36.
  113. Методические особенности рентгеновского определения параметров дислокационной структуры монокристаллов / О. П. Карасевская и др. // Заводская лаборатория. 1995. — № 3. — С. 18−20.
  114. M.A. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами / М. А. Кривоглаз. М.: Наука, 1967. — 325 с.
  115. Crystal Microstructure of PbTe/Si and PbTe/Si02/Si Thin Films / Y.A. Ugai, A.M. Samoylov et al. // European Materials Research Society (E-MRS'98). Strasbourg, France, June 16−19, 1998: book of abstr. Strasbourg, France, 1998. — D-V/P20. D-23.
  116. Структура тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках / Я. А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 1998. — Т.34. № 9. — С. 1048 — 1054.
  117. Crystal Microstructure of PbTe/Si and PbTe/Si02/Si Thin Films / Ya.A. Ugai, A.M. Samoylov et al. // Thin Solid Films. 1998. — V.336. — P. 196 — 200.
  118. Датчики измерительных систем / Ж. Аш и др. М.: Мир, 1992. — Т.1. — 480 с.
  119. А.С. Исследование диффузии индия в кристаллах Pb!.xSnxTe методом рентгеноспектрального микроанализа / А. С. Бакин, Т. Т. Дедегкаев, Д. И. Иванов // Физика твердого тела. 1983. — Т.25, № 5. — С. 1515−1516.
  120. Е.А. Влияние In, Ga и Al на электрофизические свойства твердых растворов Pb.xSnxTe / Е. А. Глушков, О. Б. Яценко, В. П. Зломанов // Изв. АН СССР, Сер. Неорганические материалы. 1978. — Т. 14, № 3. — С. 843−848.
  121. Свойства неорганических соединений: справочник / А. И. Ефимов и др. Л.: Химия. 1983.-392 с.
  122. Физические величины: справочник / под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. -М.: Энергатомиздат, 1991. 1232 с.
  123. Electrical Properties and Infrared Sensitivity of Doped with Ga Lead Telluride Thin Films on Si Substrates / Ya. Ugai, A. Samoylov et al. // MSU HTSC IV International Workshop. Moscow, Russia, October 7 — 12, 1995: book of abstr. — M., 1995 — P.81.
  124. Электрофизические свойства легированных галлием тонких пленок теллурида свинца /Я.А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Конденсированные среды и межфазиые границы.- 1999.-Т. 1, № 2. С. 132−138.
  125. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б. Ф. Ормонт. М.: Высшая школа, 1973. — 655 с.
  126. Н.А. Диффузия и окисление полупроводников / Н. А. Колобов, М. М. Самохвалов. М.: Металлургия, 1975. — 456 с.
  127. Ч. Введение в физику твердого тела / Ч. Киггель. М.: Наука, 1978.- 792 с.
  128. X-ray Diffraction Investigation of Diffusion in PbTe-PbSe Superlattices / A.G. Fedorov et al.//Journ. Cryst. Growth. 1999.- V. 198/199, — P. 1211−1215.
  129. A.M. Кристаллическая структура и электрофизические свойства легированных Ga пленок РЬТе на Si подложках / A.M. Самойлов // Вести. Воронеж, гос. ун-та, Сер. Химия, биология. 2001. — № 2. — С. 3−22.
  130. Электрофизические свойства легированных галлием тонких пленок РЬТе на Si-подложках / Я. А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2002. -Т. 38,№ 1-С. 17−23.
  131. Е.К. Испарение оксидов / Е. К. Казенас, Ю. В. Цветков. М.: Наука, 1997.- 543 с.
  132. Термодинамический анализ фазовых равновесий в системе фосфор мышьяк / Я. А. Угай и др. // Журн. физ. химии. — 1986. — Т. 60, № 12. — С. 2043 — 2046.
  133. A.M. Фазовые равновесия в системах сурьма мышьяк и фосфор -мышьяк: дисс. канд. хим. наук / A.M. Самойлов. — Воронеж, 1985.- 177 с.
  134. Термодинамический анализ взаимодействия компонентов в системе сурьма -мышьяк /Я.А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Журн. физ. химии. 1986. — Т. 60, № 1.- С. 25−28.
  135. Состав насыщенного пара в системе фосфор мышьяк / Я. А. Угай,. A.M. Самойлов и др. // Журн. неорганической химии. — 1986. — Т. 31, № 10. — С. 26 312 633.
  136. Фазовые равновесия между фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом / ЯЛ. Угай и др. М.: Наука, 1989. — 239 с.
  137. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону / справочник под ред. В. Н. Кондратьева. М.: Наука, 1974. — 351 с.
  138. Mann J.B. Ionization cross section of the elements calculated from mean-square radii of atomic orbitals / J.B.Mann// Journ. Chem. Phys. 1967.- V. 46, № 5.- P. 1646 — 1651.
  139. Balducci G. Dissociation energies of the Ga2, In2 and Gain molecules / G. Balducci, G. Gigli, G. Meloni // Journ. Chem. Physics. 1998. — V. 109, № 11. — P. 4384 — 4388.
  140. В.М. Основы физической химии / В. М. Глазов. М.: Высшая школа. -1981.-456 с.
  141. А.Г. Физическая химия / А. Г. Стромберг, Д. И. Семченко. М.: Высшая школа. — 1999. — 527 с.
  142. Belton G.R.The determination of activities by mass spectrometry. I. The liquid metallic systems iron nickel and iron — cobalt / G.R. Belton, R.J. Fruechan // Journ. Phys. Chem. — 1967. — V. 71, № 5. — P. 1403 — 1409.
  143. К. Термодинамика сплавов / К.Вагнер. М.: Металлургия- 1 966 288 с.
  144. В.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия / В. М. Глазов, JI.M. Павлова. М.: Металлургия, 1981.-336 с.
  145. Hume-Rothery W. Phase stability in metals and alloys / W. Hume-Rothery. New York, London, Brisbane: McGraw-Hill, 1967. — 463 p.
  146. Я.А. Общая химия / Я. А. Угай, М.: Высшая школа, 1984. — 483 с.
  147. Emsley J. The Elements / J. Emsley. Oxford.: Clarendon Press, 1991. — 256 p.
  148. Совместная конденсация металлических компонентов в процессе роста легированных Ga тонких пленок РЬТе на Si подложках / Я. А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2001. — Т. 37, № 11. — С. 1299−1305.
  149. Особенности конденсации Pb и In в процессе роста в вакууме легированных индием пленок РЬТе на Si-подложках / A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2002. — Т. 38, № 7. — С. 795 — 802.
  150. Тонкие пленки PbTe, легированные Ga непосредственно в процессе роста на Si-подложках / Я. А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2002. Т. 38, № 5.-С. 551−559.
  151. Выращивание модифицированным методом «горячей стенки» пленок РЬТе, легированных In непосредственно в процессе синтеза / A.M. Самойлов и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. -№ 1.-С. 86−94.
  152. Выращивание пленок РЬТе на Si подложках, легированных In непосредственно в процессе синтеза / A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2003. — Т. 39, № 11. — С. 1311−1317.
  153. Кристаллическая структура пленок РЬТе<1п>, выращенных на подложках Si (100) при помощи модифицированного метода «горячей стенки» / A.M. Самойлов и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.2003.-№ 10.-С. 73−82.
  154. Кристаллическая структура пленок PbTe/Si, легированных индием непосредственно в процессе роста / A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы.2004. Т. 40, № 4. — С. 414−420.
  155. Crystal Structure and Electrical Parameters of In-doped PbTe/Si Films Prepared by Modified HWE Technique / A.M. Samoylov et al. // Journ. Cryst. Growth. 2003. -V. 254. P. 55−64.
  156. Н.Ю. О фазовой диаграмме системы индий теллур / Н. Ю. Буданова, Е. Я. Скасырская // Неорганические материалы. — 1998. — Т. 34, № 3. — С. 288 — 289.
  157. Phase Diagram and Thermodynamic Properties of Phases in the In-Te System / V. P ZlomanoV et al. // Journ. Of Phase Eguilibria. 2001. — V. 22, № 3. — P. 339−344.
  158. KiH’Uanois В.И. («амокоин^'нсаиия :иек-| рижски лмшшмх примессн hk.:ih-. • • п. ¦ ми дефектами в подупронтишках тина /, УВ ' / Р. М. Капаашт » .A. i < ¦
  159. Nonstoichiometry and solubility of impurity in In-doped PbTe films on Si substrates / A.M. Samoylov et al. // Material Science in Semiconductor Processing. -2003. № 5−6.- P. 496−501.
  160. Рогачева Е. И. Фазовое взаимодействие и природа твердых растворов в системе РЬТе + InTe / Е. И. Рогачева, Г. В. Горне, Н. М. Панасенко // Изв. АН СССР, Сер. Неорганические материалы. 1979. — Т. 15, № 8. — С. 1366 -1369.
  161. Границы области растворимости индия в пленках PbTe (In), легированных непосредственно в процессе синтеза /Э.А. Долгополова, A.M. Самойлов и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. -№ 11.- С. 74- 80.
  162. A.M. Выращивание пленок PbTe(In) при помощи модифицированного метода «горячей стенки»./ A.M. Самойлов, С. В. Беленко, Ю. В. Сыноров // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. -№ 12.- С. 84 — 90.
  163. Датчики измерительных систем / Ж. Аш и др.- М.: Мир. 1992. — Т.2. — 480 с.
  164. Электрофизические свойства тонких пленок РЬТе, выращенных на Si подложках / Я. А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2000. — Т. 36, № 5.- С. 550 — 555.
  165. В.Ф. Физика МДП структуры: учеб. пособие. /В.Ф. Сыноров, Ю. С. Чистов. — Воронеж: Изд-во Воронеж, гос. ун-та, 1989. — 224 с.
  166. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов / С. М. Зи. М.: Мир, 1984. — Т.1. — 455 е.- Т.2. — 455 с.
  167. Crystal Structure, Carrier Concentration and IR-Sensitivity of PbTe Thin Films Doped with Ga by Two Different Methods / A.M. Samoylov et al. // Journ. Cryst. Growth. 2002. — V. 240. — P. 340−346.
  168. Comparative study of point defects induced in PbTe thin films doped with Ga by different techniques / A.M. Samoylov et al. // Material Science in Semiconductor Processing. 2003. V.6. № 5−6. — P. 481−485.
  169. Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. М.: Мир, 1969. -654 с.
  170. Г. Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971.-400 с.
  171. М.А. Отклонение от стехиометрии и механизм самолегирования полупроводников группы A1VBV1 / М. А. Коржуев // Электронная техника. Сер. Материалы. 1987. — Т. 1. — С. 42−45.
  172. Study of Vacancy Defects in PbSe and Pbi. x SnxSe by Positron Annihilation / Polity A. etal.// Journ. Cryst.Growth.- 1993,-V. 131.- P.271 -274.
  173. И.А. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния / И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес // Физика и техника полупроводников. -1981. Т. 15, № 4. — С. 625−648.
  174. Неустойчивость DX-подобных примесных центров в PbTe (Ga) при отжиге / Д. Е. Долженко и др. // Физика и техника полупроводников. 2000. — Т. 34, № 10. -С. 1194- 1196.
  175. .А. Внутрицентровые кулоновские корреляции, зарядовые состояния и спектр примесей III группы в узкощелевых полупроводниках А4В6 / Б. А. Волков, О. М. Ручайский // Письма в ЖЭТФ. 1995. — Т. 62. — С. 567 — 572.
  176. Р.С. Кристаллохимический анализ поведения In в РЬТе / Р. С. Ерофеев // Неорганические материалы. 1980. — Т. 16, № 5. — С. 800 — 803.
  177. Перспективные материалы ИК оптоэлектроники на основе соединений А4В6 / Б. А. Акимов и др. // Высокочистые вещества. — 1991. — № 6. — С. 22 — 34.
  178. Спектры фотопроводимости и проблема примесных состояний в PbTe (Ga) / Б. А. Акимов и др. // Физика и техника полупроводников. 1995. — Т. 29, № 11. — С. 20 152 223.
  179. Кристалокваз1×1м1я дефекпв в халькогенидах свинцю / С.С. .Шсняк и др. // Ф1зика i х1м1я твердого тша. 2000. -Т. 1,№ 1.-С. 131−133.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?