Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Формирование слоев сульфидов (селенидов) индия и CuInS2 на различных подложках методом пиролиза аэрозоля растворов тиокарбамидных комплексных соединений

Диссертация: Формирование слоев сульфидов (селенидов) индия и CuInS2 на различных подложках методом пиролиза аэрозоля растворов тиокарбамидных комплексных соединений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Оптимальным методом синтеза полупроводниковых сульфидов является метод пиролиза аэрозоля раствора тиомочевинных комплексных соединений металла (ПА ТКС) на нагретой подложке. Этим методом получают ряд сульфидов и твердых растворов между ними на поверхностях различных подложек. В качестве подложек в этом случае применяются, как правило, пластины стекла, кварца, ситалла. Но крайне редко используются… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Обзор литературы
    • I. 1. Фазы системы In — S
    • 1. 2. Структура и свойства CuInS
    • I. 3. Селективные химические транспортные реакции
    • I. 4. Комплексные соединения индия
    • I. 5. Методы получения тонких пленок
  • Глава II. Методика эксперимента

II. 1. Методика напыления пленок 45 II. 2. Методика рентгенофазовых и микроструктурных исследований 49 II. 3. Методика оптических исследований 50 II. 4. Методика электрофизических исследований 51 II. 5. Методика измерения температурной зависимости внутреннего трения 52 II. 6. Методика проведения газотранспортного отжига

Глава III. Комплексообразование в системах «1пХз -вода» и «1пХ3 — вода

NH2)2CS>>

III. 1. Расчет мольных долей комплексов в растворе

III. 2. Результаты расчета

Глава IV. Фазовый состав и микроструктура пленок

Глава V. Некоторые физические свойства пиролитических слоев In3S4 и

CuInS

V. 1. Оптические свойства пленок 91 V. 1. 1. Влияние температуры синтеза на оптические свойства пленок I113S4 и CuInS

V. 1. 2. Влияние соотношения С (ТМ): С (1п3+) в растворе на оптические свойства пленок I113S

V. 2. Электрофизические свойства гетероструктур Si/In3S4 и Si/CuInS

V. 2. 1. ВАХ гетероструктур Si/ In3S

V. 2. 2. ВАХ гетероструктур Si/CuInS

Глава VI. Регулирование состава пиролитических слоев

VI. 1. Регулирование содержания серы в пленках, полученных на кремнии 111 VI. 2. Селенизация пленок методом селективных химических транспортных реакций

Выводы

Формирование слоев сульфидов (селенидов) индия и CuInS2 на различных подложках методом пиролиза аэрозоля растворов тиокарбамидных комплексных соединений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Оптимальным методом синтеза полупроводниковых сульфидов является метод пиролиза аэрозоля раствора тиомочевинных комплексных соединений металла (ПА ТКС) на нагретой подложке. Этим методом получают ряд сульфидов и твердых растворов между ними на поверхностях различных подложек. В качестве подложек в этом случае применяются, как правило, пластины стекла, кварца, ситалла. Но крайне редко используются монокристаллические полупроводники, в частности, кремний, из-за сложности осаждения сульфидов методом ПА на них. Между тем, получение гетероструктур «кремний — сульфид» является перспективным в прикладном отношении в связи с развитием тонкопленочной технологии.

Сульфиды индия в настоящее время используется в оптоэлектронике для создания фоточуствительных гетероструктур. Кроме того, они являются альтернативой сульфиду кадмия при создании экологически безопасных бескадмиевых солнечных батарей, тонкопленочных фотоэлементов. В этой связи получение тонких слоев In3S4/Si методом ПА так же представляет практический интерес.

Развитие солнечной энергетики стимулировало интерес к соединению CuInS2 (рокезит). Это перспективный преобразователь солнечного излучения. Поиск оптимальных методов синтеза и изучение свойств полученных образцов этого соединения остается актуальной задачей и по сей день.

Изменение элементного и фазового состава сульфидных пленок методом селективных химических транспортных реакций (СХТР) позволяет получать на моноSi слои других фаз системы In — S, а так же селенид индия. Получение этих соединений непосредственно методом ПА ТКС затруднено. Селенид индия может быть использован в качестве датчика излучения ближнего ИК диапазона, он обладает радиационной стойкостью. Малоизученность поведения тонкопленочных образцов в условиях СХТР актуализирует исследования в этом направлении.

Работа выполнена при поддержке грантов 08−08−9907-рофи и РФФИ 08−03−913а.

Целью работы является установление закономерностей формирования слоев сульфидов, селенидов индия и рокезита CuInS2 на кварцевых и кремниевых подложках в методе пиролиза растворов аэрозоля тиомоче-винных комплексных соединений.

Для достижения этих целей решали следующие задачи.

1. Построение зависимостей содержания различных молекулярных и ионных форм комплексных соединений индия от состава исходного раствора. Выбор оптимального состава раствора для формирования пленок в методе ПА ТКС;

2. Установление влияния условий получения на свойства и состав осажденных слоев сульфидов, и выявление особенностей формирования гетероструктур Ir^S^Si и CuInS2/Si;

3. Применение метода селективных транспортных химических реакций для регулирования содержания серы и замещения серы на селен в пленках сульфидов индия.

Научная новизна.

Выявлено, что при пиролизе раствора, содержащего незначительную долю однородных тиомочевинных комплексов индия происходит формирование текстурированных слоев In3S4 на подложках монокристаллического кремния. Текстурирование сульфидного слоя происходит независимо от ориентации кремния и толщины оксидного слоя на нем.

Установлено, что при пиролизе раствора, содержащего тиомочевину, соли меди и индия, на поверхности кремния происходит осаждение фазы CuInS2. Температура пиролиза не оказывает влияния на фазовый состав пленок.

Успешно применен неразрушающий метод селективных химических транспортных реакций для регулирования фазового состава тонкопленочных гетероструктур сульфидов индия на монокристаллическом кремнии. Этим же способом достигнута селенизация сульфидов.

Практическая значимость.

Результаты комплексного исследования процессов осаждения сульфидов индия и рокезита методом пиролиза аэрозоля на поверхности моно-Si могут быть использованы для создания фоточувствительных гетероструктур, солнечных батарей. Применение экспрессного и недорогого метода ПА для получения полупроводниковых гетероструктур с участием сульфидов может быть использовано на предприятиях электронной промышленности.

Исследование поведения тонкопленочных образцов в условиях газотранспортного отжига может найти применение для получения пленок сульфидов индия заданных состава и структуры.

Введение

в сульфидную матрицу селена и получение селенидных пленок на монокристаллическом кремнии может быть применено при изготовлении датчиков излучения в различных диапазонах (от видимой области до инфракрасной), стабильно работающих в условиях повышенной радиации.

Положения, выносимые на защиту.

1. Формирование слоев сульфида индия происходит при пиролизе аэрозоля раствора с содержанием однородных тиомочевинных комплексов менее 10 мол.%.

2. Рост пленок I113S4 и CuInS2 происходит с промежуточным образованием оксида индия, который образуется при пиролизе доминирующих в растворе галогенидно-гидроксидных комплексов. Оксид индия превращается в сульфид в условиях совместного пиролиза с тиомочевиной.

3. Осаждение текстурированных пленок I113S4 на монокристаллическом кремнии не зависит от его ориентации и толщины оксидного слоя на нем.

4. Возможность модификации фазового состава пленок In3S4 методом селективных химических транспортных реакций.

Публикации.

Основное содержание работы отражено в 4 статьях, 2 из них опубликованы в журналах, входящих в утвержденный ВАК РФ перечень научных изданий, и 11 тезисах конференций.

Апробация работы Основные результаты исследований были доложены на Всероссийских конференциях «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, 2006, 2008), Международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск 2007;2008), XIII конференция «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение» (Нижний Новгород, 2007), XVIII Менделеевский съезд по общей и прикладной химии (Москва, 2007), Третья Всероссийская конференция (с международным участием) «Химия поверхности и нанотехнологии» (Санкт-Петербург — Хилово, 2006), V школа — семинар «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Звенигород 2005).

124 ВЫВОДЫ.

1. На основании термодинамического расчета показано, что комплексообразование индия с тиомочевиной в водных растворах выражено незначительно, (NH2)2CS преимущественно входит в состав смешанных комплексов In (Thio)"!X/!(OH).

2. На подложках монокристаллического кремния из растворов галогенидов индия и тиомочевины формируется кубическая фаза In3S4. Структурное соответствие решеток сульфида и подложки в этом случае служит дополнительным фактором, способствующим закреплению текстурированных слоев на mono-Si. На окисленном кремнии так же происходит рост текстурированных слоев In3S4. Пленка, осажденная на кварцевых подложках, текстурой не обладает и имеет фазовый состав In2S3. Методом пиролиза водных растворов, содержащих CuCl2, 1пС13 и тиомочевину получены слои тетрагональной фазы CuInS2 на монокристаллическом кремнии.

3. Рост пленок In3S4 и рокезита на кремнии происходит с промежуточным образованием оксида индия. Оксид индия образуется при пиролизе галогенидно-гидроксидных комплексов металла и взаимодействует с активными центрами кремниевой подложки. В условиях совместного пиролиза с тиомочевиной закрепившийся оксид индия превращается в сульфид. Дальнейший рост сульфидного слоя осуществляется как за счет пиролиза тиомочевинных комплексов, так и сульфидизации оксида индия.

4. Показано, что при помощи селективных химических транспортных реакций с водородом в качестве транспортного агента, возможно регулирование содержания серы в тонких пленках In3S4. В зависимости от состава шихты газотранспортная реакция приводит к обогащению пленок серой с образованием тетрагональной In2S3 (шихтаCuS) или обеднению пленок серой с образованием фаз In6S7 и InS (Cu2S+Cu, Cuij6+Cu2S) и In5S4 (Cu2S+Cu). В отличие от массивных образцов, для тонких пленок характерно более глубокое извлечение серы.

5. Методом селективных химических транспортных реакций СХТР, при использовании в качестве шихты элементарного Se, происходит замещение части серы в пленке In3S4, на селен (подложка — кварцевое стекло). По мере увеличения времени газотранспортного отжига содержание селена сначала возрастает, а при замещении -18 ат. % серы дальнейшее насыщение пленки Se прекращается. В отличие от пленок, нанесенных на кварцевые подложки, слой In3S4, нанесенный на моно — Si, в условиях указанного отжига полностью превращается в In2Se3.

6. Выпрямляющие свойства гетероструктур In3S4/Si и CuInS2/Si определяются наличием на границе раздела полупроводников дополнительных состояний, появляющихся как следствие поликристаллического строения сульфидного слоя. Гетероструктуры обнаруживают высокую фоточувствительность в видимом и ближнем ИК диапазоне. В случае CuInS2/Si фоточувствительность выше, чем In3S4/Si.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Duffin W.J. Crystalline phase in the system In-In2S3 / WJ Duffin., J.H. Hogg // Acta crystallogr. 1966. — 20, № 4.- p. 566−569.
  2. Вол A.E. Строение и свойства двойных металлических систем. / А. Е. Вол, И. К. Каган/М.: Наука. 1976. Т. 3. 814 с.
  3. Ф. Структуры двойных сплавов. / Ф. Шанк. / М.: Металлургия. 1970. С.473−474.
  4. .В. Основы общей химии. / Б. В. Некрасов // М.: Химия. 1967. Т.2. С.222−223.
  5. Г. Курс неорганической химии. / Реми Г. // М.: ИЛ. 1963. Т. 1. С. 416−417.
  6. Соединения переменного состава. / Под. ред. Б. Ф. Ормонта. // Л.: Химия.1969. 520 с.
  7. Р.П. Структуры двойных сплавов. / Р. П. Эллиот / М.: Металлургия.1970. Т.2. С. 125.
  8. Likfroman A. Mise en evidence d’une solution solide de type spinele dance le diagramme de phase du systeme In-S / A. Likfroman // J. Solid State Chemistry, 1980, v. 34, pp. 353- 359
  9. Godecke T. On the phase diagram InSM / T. Godecke, K. Schubert. // Z. Metallk. 1985. Bd. 76. pp. 358−364
  10. П. И. Индий./ Федоров П. И., Акчурин P. X. М.: Наука. 2000.- 277 с.
  11. А. Ю. Т-х-фазовая диаграмма системы In -S /А. Ю. Завражнов, и др. // Неорган, материалы. 2006. Т. 42. № 12. С. 1420 -1424
  12. Massalski Т.В. Binary Alloys Phase Diagrams. / T.B. Massalski // 2-nd Edition, ASM International Metals Phase Park, Ohio, 1990
  13. J Binsma. Phase Relations in the System Cu2S In2S3 / Binsma J., Giling L., Bloem J. // J. of Crystal Growth. — 1980. — V. 50. pp. 429 -436.
  14. В. Б. Бескадмиевые тонкопленочные гетерофотоэлементы Cu(In, Ga) Se2/(In2S3): создание и свойства. / В. Б. Залесский и др. // Фйз. и тех. полупроводников. 2007. — Т. 42. — вып. 11. — с. 992 -997.
  15. В. Altiokka. Optical Properties of CuInS2 Films Produced by Spray Pyrolysis Method./ Altiokka B, Aksay S. // Journal of Arts and Sciences Sayi. 2005. — V. 3 — (May). — p.27 -34
  16. M. Krunks. Sprayed CuInS^ thin films for solar cells: the effect of solution composition and post-deposition treatments. / Krunks M. at all. // Solar Energy Materials & Solar Cells. 2001. — V. 69. — p. 93 -98.
  17. M. И. Получение тонкой пленки из порошка CuInS2 осажденного из водной среды и изучение ёе оптических свойств. / М. И. Агаев и др. // Физика. 2006. -Т. XII. — № 4. — с. 68 -70.
  18. В. Ф. Получение кристаллов и пленок CuInS2xSe2(i-X) и исследование их свойств./В. Ф. Гременок и др. // Письма в Журн. техн. физики. 2001. — Т. 27. -Вып. 2. — С. 17−23.
  19. Nemerenco L. Exciton Spectra of CuInSe2 Crystals. / L. Nemerenco // Moldavian Journal of the Physical Sciences. 2005. — Vol.4. — № 4. — pp. 438 -^42.
  20. Masaya Iwai. Analysis of photoluminescence spectra on CuInS2 crystals./ Masaya Iwai at all. .// International Conference «Fizika-2005». 7 -9 июня. Баку. Азербайджан. С. 804 -807.
  21. А. А. Электронно-энергетическая структура полупроводниковых шпинелей In2S3 и CdIn2S4 по данным рентгеновской спектроскопии и теоретических расчетов. / А. А. Лаврентьев и др. // Физика твердого тела. 2000.- Т. 42. — Вып. 11. -с. 1992−1997.
  22. Lenz R. Developments in Measuring and Calculating Chemical Transport Phenomena Demonstrated on Cr, Mo, W, and their Compounds / R. Len, Gruehn. // Chem. Rev. -1997.-№ 97.- P.2967
  23. Chemical transport reactions as a new variant of the phase composition control / A. Y. Zaxrazhnov at all. // Journal of Phase Equilibria. 2003. — V. 24, № 4. P. 330 — 339.
  24. А. Ю. Управление составом моноселенида галлия в пределах облас-тигомогенности и диагностика нестехиометрии GaS / А. Ю. Завражнов // Журн. «конденсированные среды и межфазные границы» 2004. — Т.6, № 4. — 322 — 335.
  25. Chemical transport reactions as a new variant of the phase composition control / A. Y. Zavrazhnov at all. // Journal of Phase Equilibria. 2003. — V. 24, № 4. — P. 330−339
  26. Wehmeier F. H. The growth of cadmium chromium selenide by chemi-cal transport with cadmium chloride and the behavior of cadmium chromium se-lenide at elevated temperatures / F. H. Wehmeier // J. Crystal Growth. 1969. — № 5. — P. 26 — 28.
  27. Получение арсенидов кремния методом химических транспортных реакций / Я. А. Угай и др. // Неорг. материалы. 1989. — Т.25. — С. 709 — 712.
  28. И. Д., Наумов А. В., Гончаров Е. Г., Зломанов В. П. Ста-ционарные состояния без массопереноса в газотранспортных системах // Кон-денсированные среды и межфазные границы. 2004. Т. 6. № 4. С. 311−321
  29. А. Ю. Селективный химический транспорт как метод изменения состава нестехиометрических сульфидов индия. / А. Ю. Завражнов и др. // Неорганические материалы, 2007, Т. 43, № 11, С. 1303−1315
  30. Новый справочник химика технолога. С-Пб.: АНО НПО «Про-фессионал». 2004. Т. 3.
  31. И. А. Галогениды индия и их координационные соединения. / И. А, Шека, 3. А. Шека // Киев: Наукова думка. 1981. 300 С.
  32. В. Н. Процессы формирования тонких слоев полупровод-никовых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений. / В. Н. Семенов // Ав-то-реф. дисдокт. хим. наук. Воронеж. ВГУ. 2002.
  33. Ю.Ю. Справочник по аналитической химии. /Ю. Ю. Лурье // М.: Химия, 1989. 448 с.
  34. Н. Н. Образование тиомочевинных комплексов индия (III) в водном растворе. / Н. Н. Головнев, А. С, Примаков, И. И. Головнева // Журн. неорганической химии. 1995. — Т. 40, — № 6. — С. 973−975.
  35. В. Н. Получение и свойства пленок In2S3 / В. Н. Семенов и др./ // Журнал неорганической химии. Т.36, Вып.З. — 1991. — С. 591−596.
  36. Г. Датчики. / Г. Виглеб // Пер. с нем. М.: Мир. 1989. С.5−9.
  37. O’Brien P. Novel precursors for the growth of In2S3'. trisdialkyldithiocarbamates of indium. / O’Brien P at all. // Thin Solid Films. 1998. V.315. — P. 57−61
  38. Yamamoto Akio. Metalorganic chemical vapor deposition growth of InN for InN/Si tan-dem solar sell / Yamamoto Akio et all. // Sol. Energy Mater, and Sol. Cells. 1994. -V.35.-№ 1−4. P. 53−60
  39. Single Source Precursors for Thin Film Solar Cells /Kulbinder K. Banger, Jennifer A. Hollingsworth, Jerry D. Harris et all. // The NASA STI Pro-gram Office. in Profile. NASA/TM—2002−211 496.
  40. Mike Lazell. Single source molecular precursors for the deposition of III/VI chalcogenide semiconductors by MOCVD and related techniques / Mike Lazell at all. // J. Chem. Soc., Dalton Trans. 2000 — p. 4479^1486
  41. Zhul L.D. MO CVD growth and charac-terization of high quality InP / Zhul L.D., Chan K.T., Ballantyne Y.M. // J. Cryst Growth. 1985. V 73. — № 1. — p. 83−85.
  42. Г. А. Условия химического осаждения тонких пленок сульфида кадмия на твердой поверхности / Г. А. Китаев, А. А. Урицкая, С. Г. Мокрушин // Журн. физ. химии. 1965. — Т. 39. — № 8. — С. 2065−2066.
  43. Г. А. Термодинамическое обоснование условий осаждения сульфидов металлов тиомочевинной из водных растворов / Г. А. Китаев. и др. // Тр. Уральского политехнического института. 1968. № 170. — С. 113—126.
  44. Н.С. Дифракционный анализ размера нанокристаллических частиц сульфидов свинца и кадмия, полученных методом химического осаждения из водных растворов. / Н. С. Кожевникова и др. // Журнал структурной химии. 2004. -Т. 45.-С. 156- 162.
  45. . И. Электрофизические свойства гетероструктур InP-In2S3 /Б. И. Сысоев, В. Д. Линник, С. А. Титов // Физ. и техн. полупроводников. 1994. — Т.28. -№ 5. — С.808−814.
  46. . И. Структура слоев сульфида индия на поверхности InAs / Б. И. Сысоев и др. //Неорган, материалы. 1995. Т.31. — № 7. — С. 891−895.
  47. Sawada Yutaka. Thermal oxidation of indium nitride films. / Sawada Yutaka, Hashimoto Akira. //Thermochim. acta. 1994. — V.231. — p. 307−315.
  48. Takahiro Wada. Microstructure of CuInS2 films prepared by sulfuration of Cu-In-0 films / Takahiro Wada, Takayuki Negami, Mikihiko Nishitani // J. Mater. Res. 1996. -Vol. 8- №. 3, — p. 545
  49. Delahoy. M. Akhtar, J. Ternary Source Materials for C1GS Buffer Layers. / Delahoy. M. Akhtar at all. // Prog XVI. European PVSEC. 2000, — p. 767−770.
  50. В. Б. Бескадмиевые тонкопленочные гетерофотоэлементы Cu(In, Ga) Se2/(In2S3): создание и свойства. / В. Б. Залесский и др. // Физ. и тех. полупроводников. 2007. Т. 42. — вып. 11. — с. 992 -997.
  51. К. В. Механизм образования и кинетика роста пленок сульфида кадмия, осажденных пульверизацией / К. В. Керм, А, О. Тиллинг, Ю. А. Варвас // Тр. Таллинского политехи, ин-та. 1980. — с.101−106.
  52. А. В. Рост пленок сульфида кадмия из тио-мочевинных комплексов на различных подложках / А. В, Наумов, В. Н. Семенов // Тез. докл. IX Национальной Конференции по росту кристаллов НКРК-2000. Москва, ИК РАН, 2000. С 386.
  53. М. Н. Импульсная магнитная обработка кремниевых подложек для осаждения тонких пленок методом пульверизации / М. Н. Левин, В. Н. Семенов, А. В. Наумов // Письма в ЖТФ. 2001. — Т. 46. — № 3. — С. 427−431.
  54. Riad A. S. Transport mechanisms and photo-voltaic characterizations of spray-deposited of CdS on InP in heterojunction devices / A. S. Riad, S. Darwish., H. H. Afify //Thin Solid Films. 2001. V. 391, P. 109−116.
  55. В. H. О люминесценции пленок CdS-ZnS в спектральном интервале 400−1200 нм /В. Н. Семенов, Е. М. Авербах // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж: Изд-во. ВГУ. 1981. С. 99−104.
  56. М. И. Образование пленок CdS и CdZnS при химической пульверизации растворов / М. И. Крункс, Э. Я. Мелликов, И. В. Кариенко // Тр. Таллинского политехи. ин-та. 1981. № 515. С.35−42.
  57. Д. А. Исследование тонких пленок и электрооптические эффекты // Физика и химия соединений AIIBVI / Под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970. С. 537 578.
  58. Л. Г. Влияние отжига на оптические спектры химически осажденных пленок сульфида кадмия / Л. Г. Скорняков, Г. А. Китаев, Т. А. Дроздова // Журн. прикладной спектроскопии. 1978. — Т.29. — С.358−360.
  59. Н. К. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства. / Н. К. Морозова, В. А. Кузнецов. // М.: Наука, 1987. 200 с.
  60. В. С. Состояние и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHgj.xTe /. С. Варавин и др. // Прикладная физика. 2002. № 6. с. 25−41.
  61. А.С. О получении сульфида индия а-модификации при термолизе ВКС индия. /А. С. Чернова, М. Я. Рахлин // Ж. неорг. химии 1985. — 30. — № 10. — с. 27 042 706.
  62. Д. И. Электронографическое исследование многострук-турности аморфных пленок полиморфного TlInS2 / Д. И. Исмаилов, М. В. Алиева, Э. Ш.
  63. , Ф. И. Алиев // Физ. и тех. полупроводников. 2003. — Т. 37. — вып. 7. -с.772 — 775.
  64. Н. К. Электронографическое исследование фазового состава системы серебро-индий-сера и формирование пленочных структур AgInS2 / Н. К. Керимова, Д. И. Исмаилов // Fizika. 2007. — CILD XIII. — № 4. с. 60−63.
  65. N. Kamoun. Optical Properties of InS Layers Deposited Using an Airless Spray Technique / N. Kamoun at all. // Phys. Stat. Sol. 1998. p. 97 104.
  66. Volkova O. S. Magnetoresistive «necked-grain» CaCuMn6Oi2 ceramics prepared by ultrasonic aerosol spray pyrolysis. / O.S.Volkova at all. // Mend. Commun. 2005. — № 5. -pp.131−133.
  67. A. Abrutis, A. Preparation of dense, ultra-thin MIEC ceramic membranes by atmospheric spray-pyrolysis technique / A. Abrutis, A. Teiserskis, G. Garcia, V. Kubilius.// Journal of Membrane Science. 2004. — № 240. — P. 113−122
  68. Pomerantseva E. A. Homogeneity Field and Magnetoresistance of the Ca (Mn, Cu)7012 Solid Solution Prepared in Oxygen. / E.A.Pomerantseva at all. // J.Mater.Chem. -2004.-V.14.-pp.l 150- 1156.
  69. JI. И. Нанесение тонких пленок катодным распылени-ем.//Физика тонких пленок / Пер. с англ. М.: Мир. 1968. Т.З. С. 58−134.
  70. В. М., Долганов Л. М., Третьяков Н. Д. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. / В. М. Андреев, Л. М. Долганов, Н. Д. Третьяков // М.: Сов. Радио. 1975. 328 с.
  71. Технология тонких пленок / Под ред. Майссела Л., Гленга Р. М.: Сов. Радио. 1977. Т.1. 662 с.
  72. Г. С. Фотовольтаический эффект в гетеропереходах n -GaP/p —CuInS2 / Г. С. Сеидли, М. Г. Гусейналиев, Г. И. Исаков // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология». 2005. — № 11 (31). — с.46 -47.
  73. Е.В. Yousfi. Atomic layer deposition of zinc oxide and indium sulfide layers for Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar cells. / E.B. Yousfi at all. // Thin Solid Films. 2001. — V. 387.-p. 29−32
  74. B.D. Yao. Formation of ZnO nanjstructures by a simple way of thermal evaporation. / B.D. Yao, Y.F. Chan, N. Wang.// Applied Physics letters. 2002. — № 4. — p. 757−759.
  75. А. В. Выращивание пленок ZnSe на GaAS (100) методом рентгено-стимулированной газофазной эпитаксии. / А. В. Коваленко // Физ. и тех. полупроводников. 1997. — Т. 31. — № 1. — с. 31 -34.
  76. И. В. Барьеры Шоттки на основе пленок п —L12S3, полученных импульсным лазерным испарением. /И. В. Бондарь и др. // Физ. и тех. полупроводников. 2007. — Т. 41. — вып. 1. — с. 48 -52.
  77. Ю.Н. Химия координационных соединений. /Ю. Н. Кукушкин // М.: Высш. школа, 1985. 455 с
  78. Бек М. Химия равновесий реакций комплексообразования. / Пер. с англ. М.: Мир, 1973. 359 с
  79. В. Н. Процессы формирования тонких слоев полупровод-никовых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений. Автореф. дис.докт. хим. наук. Воронеж. ВГУ. 2002.
  80. А. В. Наумов. Протолитические рав-новесия в водных растворах галогенидов металлов с тиомочевиной / А. В. Наумов и др. // Вестник ВГУ. — 2005. — Т1, С. 66 -68.
  81. В. Н. Формальная кинетика осаждения тонкого слоя из потока распыляемого раствора / В. Н. Семенов, А. В. Наумов // Конденсированные среды и межфазные границы. Т.1, № 2. 1999. С. 176−180.
  82. Powder Diffraction File. Swarthmore: Joint Committee on Powder Diffraction Standards, 1996.
  83. M. Г. Полупроводниковые материалы в современной микроэлектронике. / М. Г. Мильвидский // М.: Наука. 1986. 143 с.
  84. В. Г. Лифшиц Поверхностные фазы и наноструктуры на поверхно-сти кремния / Лифшиц В. Г. и др. // Журнал структурной химии. 2004. — Т. 45. (Приложение). С. 37−60.
  85. Swanson et al., Natl. Bur. Stand. (U.S.). Circ. 539. 5 26 (1955)
  86. . И. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2InB3VI (110) / Б. И. Сысоев и др. // Физика и техника полупроводников. 1995. Т. 29, № 1. С.24−32.
  87. В. И. Воздействие оптического излучения на внутреннее трение в пьезополупроводниках с глубокими центрами. / В И. Митрохин и др. // Физ. и тех. полупроводников. 2002. Т. 6. вып.2. с 138 -143
  88. JI. Н. Внутреннее трение и дефекты в по-лупроводниках. / JI. Н. Александров, М. И. Зотов // Новосибирск: Наука. 1979. 158 с.
  89. И. В. Фоточувствительные структуры на кристаллах In2S3 / И. В. Бондарь и др.// Физ. и тех. полупроводников. 2003. — Т. 37. — Вып. 11.- с. 1346 -1348.
  90. Варцаб’юк О. М. Оптичш та структуры властивост1 тонких шнвок CuInS2 / О.М. Варцаб’юк и др.// Ф1зика i Х1м1я Твердого Тша. 2001. — Т. 2. — № 4. — С. 617−622.
  91. П. В. Скрипов Оценка термоустойчивости полимерной жидкости методом управляемого импульсного нагрева / П. В. Скрипов, А. А. Старостин, Д. В. Волос-ников // Журнал технической физики. -1999. -Т. 69. -вып. 12. С. 92 —94.
  92. С. Н. Моделирование взрывного вскипания при им-пульсном лазерном воздействии / С. Н. Андреев, С. В. Орлов, А. А. Самохин // Труды института общей физики им. A.M. Прохорова. -2004. Т. 60. — С. 127 -148.
  93. ЮЗ.Рудаш В. К,. Воздействие излучения С02 — лазера на крупные ка-пли ортофос-форной кислоты, воды и ледяные кристаллы сферической формы / В. К. Рудаш // Квантовая электроника. -1994. № 2. — С. 137−141.
  94. А. Гетеропереходы и переходы металл -полупроводник. / А. Милне, Д. Фойхт // М.: Мир. 1975. 432 С.
  95. А. В. Давление пара летучих халькогенидов металлов / А. В. Новоселова, А. С. Пашинкин. // М.: Наука. -1977. -112 с.
  96. В. П. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл хальклген / В. П, Зломанов, А. В. Новоселова. // М.: Наука. -1987. -178 с.
  97. А. Ю. Исследование Р-Т-х диаграмм халькогенидов галлия при помощи вспомогательного компонента / А. Ю. Завражнов // Журнал Неорг. химии. — 2003. -Т.48, № 10. -С. 1722 -1736.
  98. Медведева 3. С. Халькогениды элементов III Б подгруппы перио-дической системы / З. С. Медведева. // М.: Наука. -1968. -216 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?