Метод исследования взаимодействия носителей заряда в гетероструктурах с электрическими полями радиочастотного диапазона
Диссертация
Материалы проделанной работы использованы в учебном процессе в лекционных курсах и при постановке лабораторных работ в Уральского политехнического института им. С. М. Кирова (г. Свердловск-Екатеринбург), Балтийского государственного технического университета им. Д. Ф. Устинова (г. Санкт-Петербург), Волгоградского государственного университета (г. Волгоград), Волгоградского государственного… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. X АР АКТЕР ИС ТИКИ ИССЛЕДУЕМЫХ ГЕТЕРОГЕННЫХ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР И ОСНОВЫ ОРГАНИЗАЦИИ ЭКСПЕРИМЕНТА ДЛЯ
- ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ
- 1. 1. Зарядовые характеристики гетероструктур и приборов с зарядовой связью на их основе
- 1. 2. Характеристики гетероструктур, определяющие потери заряда в процессе его переноса при воздействии внешних электрических полей
- 1. 3. Факторы, определяющие высокочастотные свойства гетероструктур
- 1. 4. Особенности и основные принципы организации современного физического эксперимента
- 1. 4. 1. Существующие тенденции в организации эксперимента
- 1. 4. 2. Особенности современного эксперимента по исследованию характеристик гетероструктур
- 1. 4. 3. Алгоритмическое и программное обеспечение современного физического эксперимента
- 1. 5. Существующие методы разработки систем для экспериментальных исследований с использованием процессорных средств
- Краткие
- выводы по главе 1
- ГЛАВА 2. СТРУКТУРНАЯ ДЕКОМПОЗИЦИЯ СЛОЖНЫХ СИСТЕМ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
- 2. 1. Декомпозиция структуры сложных систем и выявление состава систем для исследования зарядовых и частотных характеристик гетероструктур
- 2. 2. Логические цепи управления характеристиками адаптивной системы для физических исследований.,
- Краткие
- выводы по главе 2
- ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ ФИЗИЧЕСКОГО ЭКСПЕРИМЕНТА И СИНТЕЗ АДАПТИВНЫХ СИСТЕМ ДЛЯ ФИЗИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ
- 3. 1. Обобщенные требования физического эксперимента и их формализация
- 3. 2. Разработка базы знаний для синтеза измерительных структур адаптивных систем на основе характеристик исследуемых гетерогенных твердотельных структур
- 3. 3. Обобщенная измерительная структура и ее свойства
- 3. 4. Оптимизация измерительных структур для физических исследований в процессе их синтеза
- 3. 5. Методика и алгоритм синтеза оптимальных измерительных цепей в составе адаптивных систем для физических исследований
- Краткие
- выводы по главе 3
- ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ОПТИМАЛЬНОЙ АДАПТИВНОЙ СИСТЕМЫ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАРЯДОВЫХ И ЧАСТОТНЫХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ
- 4. 1. Характеристика зарядовых процессов в гетероструктурах и выбор методов их исследования
- 4. 2. Анализ требований эксперимента по определению зарядового состояния гетероструктур методами емкостной спектроскопии и вывод оптимальных измерительных структур
- 4. 2. 1. Модифицированный метод изотермической релаксации емкости
- 4. 2. 2. Модифицированные методы вольт-фарадных характеристик
- 4. 3. Определение зарядовых и частотных характеристик гетероструктур методами термоактивационной спектроскопии и вывод оптимальных измерительных структур
- 4. 4. Структурный синтез многопараметрической адаптивной системы для исследования зарядовых и частотных свойств гетероструктур
- 4. 5. Алгоритмы определения зарядовых и частотных характеристик твердотельных слоистых структур, формирование экспертной системы
- 4. 6. Определение зарядовых и частотных характеристик гетероструктур с использованием АСФИ
- 4. 7. Частотные зависимости характеристик гетероструктур и высокочастотные свойства ПЗС
- 4. 8. Влияние концентрации ловушек на моноэнергетических уровнях в гетероструктурах на их зарядовые и частотные свойства
- 4. 9. Оценка полной погрешности адаптивной системы для физических исследований
- Краткие
- выводы по главе 4
- ГЛАВА 5. ГИБКИЕ СРЕДСТВА СОПРЯЖЕНИЯ ЭВМ С ВНЕШНИМИ УСТРОЙСТВАМИ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЕ АДАПТИВНЫЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ ДЛЯ
- ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
- 5. 1. Формализация функциональных и структурных характеристик средств сопряжения
- 5. 2. Обеспечение аппаратной гибкости средств сопряжения
- Краткие
- выводы по главе 5
Список литературы
- Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего // Физика сегодня и завтра / Под ред. В. М. Тучкевича. Л., 1973.
- Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике // Физика сегодня и завтра: Прогнозы науки. М.: Наука, 1975.
- Алферов Ж.И., Конников С. Г., Корольков В. И. Об одной возможности оценки влияния границы раздела в гетеропереходах на основе твердых растворов // ФТП. 1973. Т. 7. С. 1423−1429.
- Алферов Ж.И. Инжекционные гетеролазеры // Полупроводниковые приборы и их применение / Под ред. Я. В. Федотова. М., 1971.
- Алферов Ж.И. и др. Координатно-чувствительные фотоэлементы на основе гетеропереходов AlxGa, xAs-GaAs // ФТП. 1969. Т. 3. № 9. С. 1324−1327.
- Альтман Дж.А. Устройства сверхвысоких частот: Пер. с англ. М.: Мир, 1998. 488 с.
- Алъховской Э.А., Ильинский А. С., Трошин Г.И Исследование гофрированных волноводов//Радиотехника и электроника. 1974. Т. 19. № 6. С. 1959−1961.
- Арефьев А. С., Неганов В. А., Нефедов Е. И. Электродинамическая теория экранированной несимметричной двухщелевой линии передачи // Известия вузов: Радиофизика. 1998. Т. 41. № 4. С. 507−518.
- Ю.Алексеев В. В. и др. Измерения в экологии: Учеб. пособие / СПбГЭТУ. СПб., 1998. 79 с.
- Аникин М.М. и др. Высокотемпературный диод Шоттки Au-SiC-6H //ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 2. С. 328−333.
- Белодедов М.В., Заярный В. П., Чмутин A.M. Анализ точности компьютерного лазерного доплеровского виброметра // Изв. вузов: Приборостроение. 1993. № 11—12. С. 51−55.
- Белявский В.И. и др. Квазистационарные состояния дырочных пар в гетероструктурах с квантовыми ямами // ЖЭТФ. 1996. Т. 109. Вып. 6. С. 2179−2188.
- Берман J7.C. и др. О механизме отжига дивакансий в кремнии, облученном протонами // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 8. С. 1507−1508.
- Берман Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с.
- Бескровный А.А., Заярный В. П. Виртуальная измерительная система для определения параметров электрических цепей и их элементов // Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. «Математика, компьютер, образование», 1998. Дубна, 1998. С. 29.
- Болотов В.В., Вишняков А. В. Насыщение положительного заряда в окисле МОП-структур при облучении при криогенных температурах //ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 10. С. 145−154.
- Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: Физматгиз, 1962. 452 с.
- Веденев А. С., Ждан А. Г., Рылъков В. В. Определение сечения фотоионизации легирующих примесей в полупроводниках из измерений эффекта Холла // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 6. С. 1096−1099.
- Вертопрахов В.Н., Кучумов Б. М., Салъман Е. Г. Строение и свойства структур Si-Si02-M. Новосибирск: Наука, 1981. 96 с.
- Вертопрахов В.Н., Салъман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336 с.
- ВиглебГ. Датчики: Пер. с нем. М.: Мир, 1989. 89 с.
- Высокоточные измерения плотности поверхностных электронных состояний гетероструктур / Клюкин В. Э., Заярный В. П., Бикметов И. Ф. и др.- Урал. Политехи. Ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ, 1987, № 6464.
- Голъденберг Ю.А., Поссе Е. А. Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур //ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 9. С. 61−66.
- Голъденберг JI.M. Цифровая обработка сигналов. М.: Радио и связь, 1990. 224 с.
- Гороховатский Ю.А., Кирьянов Г. Г. Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрических релаксаций в элементах интегральных схем. М.: МИЭМ, 1984. С. 20−24.
- Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1982. 174 с.
- Гороховатский Ю.А., Пономарев А. П. и др. // Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах микросхем. М.: Изд-во МИЭМ, 1985. С. 72−76.
- Горюнов Н.Н., Маняхин Ф. И., Осипов Р. Ю. Измерение и обработка экспериментальных массивов области пространственного заряда полупроводниковых структур // Информационные технологии. 1997. № 2. С. 51−55.
- АА.Евстратов КВ., Заярньш В. П. Распознавание речевых образов с применением натурного измерения функции возбуждения // Материалы науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та. Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997. 484 с.
- Еестратое КВ., Заярньш В. П. Синтез вокализованных фонем на основе линейной модели речеобразования // Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. «Математика, компьютер, образование», 1998. Дубна, 1998. С. 70.
- Аб.Еестратое К. В., Заярньш В. П. Аспекты интеллектуализации компьютерных систем учета энергоресурсов в системе энергообеспечения // Вестник Волгоградского государственного университета. Сер. 1, Математика. Физика. Вып. 3. 1998. С. 176−180.
- А1.Еестратое КВ., Сарана Д. В. Аппаратное и программное обеспечение для исследования речевой информации: Сб. науч. ст. студентов и молодых ученых Волгоградской области (по итогам I Межвуз. науч.-практ. конф.). Ч. 3. Волгоград: Перемена, 1994. 85 с.
- Заярный В.П. Адаптивная система для исследования зарядовых свойств гетероструктур в области высоких частот. // Тез. докл. на Междунар. конф. «Физика и технические приложения волновых процессов», 2001. Самара, 2001. С. 106.
- Заярный В.П. О возможности передачи электрической энергии посредствам электрической индукции с помощью электрически связанных конденсаторов (емкостного трансформатора) / Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1995. Деп. в ВИНИТИ, 1995, № 3479-В95.
- Заярный В.П. Аппаратные средства цифровой обработки сигнала лазерного интерферометра общего применения // Тез. докл. на Всесоюз. науч. семинаре «Метрология в прецизионном машиностроении», 1990. Саратов. 1990. С. 54−56.
- Заярный В.П. Исследование радиочастотных свойств твердотельных гетерогенных структур с зарядовой связью. // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2001. Т. 4. № 4. С. 61−65.
- Ъ%.3аярный В. П. Компьютерные измерители, преобразователи и анализаторы электрических сигналов / Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1995. Деп. в ВИНИТИ, 1995, № 3478-В95.
- Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2002. Т. 5. № 3. С. 57−59.
- Заярный В.П. Особенности зарядовых процессов, определяющих высокочастотные свойства гетероструктур для приборов с зарядовой связью. // Тез. докл. на Междунар. конф. «Физика и технические приложения волновых процессов», 2001. Самара. 2001. С. 92.
- Заярный В.П. Электро-электрическая индукция в системе электрически связанных конденсаторов / Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1996. Деп. в ВИНИТИ, 1996, № 812-В96.
- Заярный В.П., Белодедов М. В., Лапинский И. Н. Компьютерное обеспечение лазерной интерферометрической системы // Тез. докл. на Всесоюз. семинаре «Метрология лазерных измерений», 1991. Ч. 2. Волгоград, 1991. С. 48−50.
- Заярный В.П., Муха Ю. П., Сарана Д. В. Параллельно-последовательный аналого-цифровой преобразователь с вычитанием нуля // Тез. докл. на Всерос. НТК с участием зарубежных специалистов «Электроника и информатика -97″, 1997. М.: Изд-во МИЭТ, 1997. С. 22−24.
- Заярный В.П., Сарана Д. В. и др. Моделирование речевого тракта, определение параметров и распознавание речевого сигнала // Вестник Волгогр. гос. ун-та. Сер. 1, Математика. Физика. Вып. 2. 1997. С. 137−143.
- Заярный В.П., Тыщенко Г. А. Практический синтез оптимальных измерительных структур информационно-измерительных систем на метрологической основе. // Вестник Волгогр. гос. ун-та. Сер. 1, Математика. Физика. Вып. 5. 2000. С. 121—129.
- Ъ.Звездин А. К., Попков А. Ф. К нелинейной теории спиновых волн // ЖЭТФ. 1983. Т. 84. № 2. С. 606−610.
- Зверев В.А. Формирование изображений волновыми полями. Н. Новгород: ИПФ РАН, 1998.252 с.
- ЪЪ.Зегря Г. Г., Андреев АД. Теория рекомбинации неравновесных носителей в гетероструктурах типа II // ЖЭТФ. 1996. Т. 109. Вып. 2. С. 615−638.86Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн.: Пер с англ. 2-е изд. пе-рераб. и доп. М.: Мир, 1984.
- Иванов С.Л. Разработка программного обеспечения процессорных средств измерения // Приборы и системы управления. 1988. № 3. С. 15−16.
- Игнатьев М.Б., Путилов В. А., Смольков Г. Я. Модели и системы управления комплексными экспериментальными исследованиями. М.: Наука, 1986. 236 с.
- Ильичев Э.А. Неразрушающий метод диагностики глубоких уровней в полуизолирующих материалах // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 5. С. 141−143.
- Информационные возможности электрофизических методов исследования слоистых структур с областями пространственного заряда / Клюкин В. Э., Заярный В. П., Шульгин Б. В. и др.- Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ в 1987 г., № 6463.
- Исследование параметров глубоких центров в облученных ПЗС методом изотермической релаксации емкости / Клюкин В. Э., Заярный В. П., Климашин В. М. и др. // Химия твердого тела. Свердловск: УПИ, 1986. С. 78−83.
- Исследование поверхностных состояний на границе раздела Ge-пиролитический окисел Si02 методами вольт-фарадных характеристик
- Клюкин В.Э., Заярный В. П., Данилов С. Г. и др.- Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ в 1987 г., № 3196.
- Како Н., Яманэ Я. Датчики для микро-ЭВМ: Пер. с яп. Л. Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1986. 56 с.
- Каппелини В. и др. Цифровые фильтры и их применение: Пер. с англ. / В. Каппелини, А.Дж. Константинидис, П. Эмилиани. М.: Энергоатомиздат, 1983. 360 с. ил.
- Керр Р. Новая тенденция в области измерений на базе персональных компьютеров // Приборы и системы управления. 1997. № 4. С. 25.
- Колесников Н.В., Мальханов С. В., Якименко А. Н. Исследование концентрации локальных уровней и поверхностных состояний в у-облученных МДП-структурах // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 9. С.1691−1694.
- Комбинированный термо- и фотоактивационный метод измерения электрофизических параметров в гетероструктурах: Информ. листок № 1−86 / Клюкин В. Э., Заярный В. П., Тюленев Л. Н. и др. Свердловск: СЦНТИ, 1985.4 с.
- Корбутяк Д.В. и др. Генезис спектров низкотемпературной фотолюминесценции и энергетические состояния носителей заряда в короткопериод-ных сверхрешетках // ФТТ. 1991. Т. 33. Вып. 8. С. 2418−2422.
- Корнюшкин Н.А. и др. Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП-структур на арсениде индия // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 5. С. 914−917.
- Кузин Е.С. Интеллектуальный интерфейс: Общие принципы организации и проблемы реализации // Известия АН СССР: Техническая кибернетика. 1985. № 5. С. 48−52.
- Кузмичев Д.А., Радкевич И. А., Смирнов АД. Автоматизация экспериментальных исследований: Учеб. пособие. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1983. 392 с.
- Кузьмицкий А.А., Буров А. Н. О состоянии информатики и измерительной техники в России // Приборы и системы управления. 1997. № 6. С. 1.
- Куо Б. Теория и проектирование цифровых систем управления: Пер. с англ. М.: Машиностроение, 1986. 448 е., ил.
- Кучумов Б.М., Вертопрахов В. Н. Поляризационные явления в тонких диэлектрических слоях МДП-структур: Обзоры по электронной технике. Сер.2, Полупроводниковые приборы. Вып. 13(400), М.: ЦНИИ „Электроника“, 1976. 27 с.
- Мальцев А.А., Зимина С. В. Некоторые точные результаты статистического анализа многоканальных адаптивных систем с непрерывными градиентными алгоритмами // Изв. вузов: Радиофизика. 1999. Т. 42. Вып. 9. С. 914— 921.
- Мелешко Е.А. Быстродействующие цифровые регистраторы формы сигнала //ГТГЭ. 1997. № 1.С. 5.
- Методы исследования полупроводниковых материалов для приборов с зарядовой связью / Клюкин В. Э., Заярный В. П., Старцев B.C. и др. // Химия твердого тела. Свердловск, 1986. С. 79−88. (Межвуз. сб. Вып. 8).
- Методы электрических измерений: Учеб. пособие для вузов / Л. Г. Журавин, М. А. Мариенко, Е. И. Семенов, Э.И. Цветков- Под ред. Э. И. Цветкова. JL: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1990. 288 е.: ил.
- Мировицкий Д.И., Будагян И. Ф., Дубровин В. Ф. Микроволновая оптика и голография. М.: Наука, 1983. 320 с.
- Мировицкий Д.И., Дубровин В. Ф., Баскаков В. В. Синфазные направленные разветвнтели поверхностной волны на диэлектрических волноводах // Антенны. М.: Связь, 1971. Вып. 12. С. 65−76.
- Мячев А. А. Интерфейсы средств вычислительной техники: Справ. М.: Радио и связь, 1993. 352 с.
- Нефедов Е.И. Дифракция электромагнитных волн на диэлектрических структурах. М.: Наука, 1979. 254 с.
- Неганов В.А., Нефедов Е. И., Яровой Г. П. Современные методы проектирования линий передачи и резонаторов сверх- и крайне высоких частот. М.: Педагогика-Пресс, 1998. 328 е.: ил.
- Неганов В.А., Нефедов Е.И, Яровой Г. П. Полосково-щелевые структуры сверх- и крайневысоких частот. М.: Наука. Физматлит, 1996. 304 с.
- Неганов В.А., Раевский С. Б., Яровой Г. П. Линейная макроскопическая электродинамика / Под ред. Неганова В. А. Т. 1. М.: Радио и связь, 2000. 509 е., ил. 123, табл. 5.
- Неганов В.А., Раевский С. Б., Яровой Г. П. Линейная макроскопическая электродинамика: Т. 2 / Под ред. Неганова В. А. и Раевского С. Б. М.: Радио и связь, 2001. 575 е., 142 ил.
- Новиков В.Н., Овсюк Н. Н. Поглощение на фрактонах в дальней ИК-области // ФТТ. 1992. Т. 34. Вып. 7. С. 2280−2281.
- Новицкий П.В., Зограф И. А. Оценка погрешностей результатов измерений. Л.: Энергоатомиздат, 1998. 248 с.
- Носов Ю.Р., Шилин В. А. Основа физики приборов с зарядовой связью. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1996. (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). 320 с.
- Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с.
- Овсюк В.Н. и др. Планарные фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев Cdx Hgix Те, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 2. С. 193−198.
- Орнатский П.П. Теоретические основы информационно-измерительной техники. Киев: Вища школа, 1983. 455 с.
- Орнатский П.П., Туз Ю.М. Интеллектуальные измерительные комплексы // Приборы и системы управления. 1989. № 7. С. 15—16.
- Островский М.А. Принцип максимального правдоподобия в задаче адаптивного обнаружения сигналов с неизвестными неинформативными параметрами // Изв. вузов: Радиофизика. 1998. Т. 41. Вып. 5. С. 640−650.
- Певчев Ю. Ф. Финогенов К.Г. Автоматизация физического эксперимента: Учеб. пособие для вузов. М.: Энергоатомиздат, 1986. 368 е.: ил.
- Пиляр А.В. Многофункциональная аналого-цифровая интерфейсная плата для IBM PC/AT: Препринт / Объед. ин-т ядер, исслед. (Дубна). 1995. № Р13−9-5−59. С. 1—7. Рус.- рез. англ.
- Пименов Ю.В., Волъман В. И., Муравцов А. Д. Техническая электродинамика. М.: Радио и связь, 2000. 536 с.
- Попов В.А., Заярный В. П. Четырехсекционная стабилоплатформа // Межгос. науч.-техн. конф. с участием зарубежных специалистов „Датчики и преобразователи информации систем измерения, управления и контроля“, 1993. М., 1993. С. 57−58.
- Портной Г. Я., Болотин О. А. Интеллектуальные датчики измерения тока // Приборы и системы управления. 1997. № 8. С. 42.
- Поспелов Г. С. Искусственный интеллект — основа новой информационной технологии. М.: Наука. 1988. 438 с.
- Построение экспертных систем / Под ред. Ф. Хейес-Рот, Д. Уотермен, Д. Ленат. М.: Мир, 1989. 220 с.
- Пресс Ф.П. Формирователи видеосигнала на приборах с зарядовой связью. М.: Радио и связь, 1981. 136 е., ил.
- Приборы с зарядовой связью / Пер. с англ под ред. М Хоувза и Д. Моргана. М.: Энергоиздат. 1981. 376 е., ил.
- Приборы с зарядовой связью / Пер. с англ. под ред. Д. Ф. Барба. М.: Мир, 1982. 240 е., ил.
- Применение цифровой обработки сигналов / Пер с англ. под ред. Э. Оппенгейма. М.: Мир, 1980. 312 с.
- Прокунцев А.Ф., Юмаев P.M. Преобразование и обработка информации с датчиков физических величин. М.: Машиностроение, 1992. 324 с.
- Радиационная стойкость приборов с зарядовой связью к облучению электронами высоких энергий / Клюкин В. Э., Заярный В. П.,
- Климашин В.М. и др. // Радиационно стимулированные явления в твердых телах. Свердловск, 1985. С. 104−106. (Межвуз. сб. Вып. 7).
- Резник JI.K. Проблемы использования экспертных систем в интеллектуальных средствах измерений // Сб. докл. Междунар. конф. „Мера-90″, 1990. М., 1990. С. 64−71.
- Релаксационные методы исследования энергетического спектра локализованных состояний в полупроводниках: Учеб. пособие / Сыноров В. Ф., Сысоев Б. И., Линник В. Д. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1982. 180 с.
- Рожков В.А., Трусова АД. Энергетические барьеры на межфазных границах в МДП-системе Me-Yb203-Si // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 4. С. 60−64.
- Романов В.Н., Соболев B.C., Цветков Э. И. Интеллектуальные средства измерений / Под ред. д-ра техн. наук Э. И. Цветкова. М.: РИЦ „Татьянин день“, 1994. 280 е., ил.
- Рош У. Л. Библия по техническому обеспечению Уинна Роша: Пер. с англ. М.: МХХК „Динамо“, 1992. 328 с.
- Сапунов В.А., Заярный В. П. Установка для исследования динамической поляризации ядер в слабых магнитных полях // ПТЭ. 1987. № 5. С. 235−236.
- Сарана Д.В., Заярный В. П. Гибкая IBM-совместимая субсистема сопряжения компьютера с внешними устройствами // В сб. науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та, 1997. Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997.484 с.
- Сарана Д.В., Тыщенко Г. А., Заярный В. П. Вероятностный метод распознавания слитной речи с применением лингвистического предсказания // Вестник Волгогр. гос. ун-та. Сер. 1, Математика. Физика. 1998. Вып. 3. С. 170−175.
- Заярный В.П. Устройство для гальванической развязки электрических цепей: Свидетельство РФ RU 3357 U1, 6. Н 02 М 5/08 // Н 02 М 5/10- № 951 114 207/20. Заявл. 08.08. 95. Опубл. 16.12.96. Бюл. № 12.
- Секен К, Томпсет М. Приборы с переносом заряда / Под ред. В. В. Поспелова и Р. А. Суриеса: Пер. с англ. М.: Мир, 1978. 327 е., ил.
- Селиванов М.Н., Фридман А. Э., Кудряшева Ж. Ф. Качество измерений: Метрологическая справочная книга. Л.: Лениздат, 1987. 295 с.
- Скрипалъ А.В., Усанов ДА. и др. Автодинное детектирование в полупроводниковом лазере при движении внешнего отражателя // ЖТФ. 1999. Т. 69. № 1. С. 72−75.
- Соболев B.C. Потенциальная точность интеллектуальных измерений // Приборы и системы управления. 1991. № 4. С. 18−20.
- Соболев В С. Программное обеспечение современных систем сбора и обработки измерительной информации // Приборы и системы управления. 1998. № 1. С. 55−63.
- Солимар Л., Уолш Д. Лекции по электрическим свойствам материалов: Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 505 е., ил.
- Сопряжение датчиков и устройства ввода данных с компьютерами IBM PC: Пер. с англ. / Под ред. У. Томпкинса, Дж. Уэбстера. М.: Мир, 1992. 392 е., ил.
- Совкин В.В., Рубцов А. Н. Двумерные и слоистые структуры в дискретной Ф4-модели//ЖЭТФ. 2000. Т. 118. Вып. 6. С. 1391−1401.
- Ступин Ю.В. Методы автоматизации физических экспериментов и установок на основе ЭВМ. М.: Энергоатомиздат, 1983. 288 е., ил.
- Схема управления трехфазным прибором с зарядовой связью / Заярный В. П., Клюкин В. Э., Легезо С. Л. и др.: Информ. листок № 279−83. Свердловск: Свердл. межотрасл. территор. центр науч.-техн. информации и пропаганды, 1983. 4 с.
- Сыноров В.Ф., Чистов Ю. С. Физика МДП-структур. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989. 178 с.
- Тыщенко Г. А., Заярный В. П. Распознавание речевых образов при моделировании вероятностного аналога нейронной сети // Тез. докл. на VII Между-нар. науч. конф. „Математика, компьютер, образование“, 2000. Дубна, 2000. С. 324.
- Тыщенко Г. А., Заярный В. П. Компьютерное осмысление понятий при распознавании речевой информации в рамках искусственного интеллекта //
- Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. „Математика, компьютер, образование“, 1998. Дубна, 1998. С. 203.
- Тыщенко Г. А., Заярный В. П. Осмысление понятий при распознавании речевой информации // В сб. науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та. Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997. 484 с.
- Тыщенко Г. А., Сарана Д. В., Заярный В. П. Решение задачи выделения слов в потоке слитной речи при распознавании речевых сигналов // Тез. докл. на VI Междунар. конф. „Математика, компьютер, образование“, 1999. М.- Пу-гцино, 1999. С. 278.
- Тыщенко Г. А., Сарана Д. В., Eecmpamoe И.В., Заярный В. П. Самообучающаяся компьютерная система „Вопрос ответ“ // Информационные технологии. 1999. № 5. С. 36−38.
- Управляемый азотный криостат для автоматизации электрофизических экспериментов / Волков А. Р., Заярный В. П., Клюкин В. Э. и др.: Информ. листок № 484−86. Свердловск: Свердл. межотрасл. территор. центр науч.-техн. информации и пропаганды, 1986. 4 с.
- Усанов Д.А., Горбатов С. С. Резонансное поглощение инфракрасного излучения системой металл тонкий слой диэлектрика — диафрагма с отверстием // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 21. С. 81−83.
- Усанов Д.А., Скрипалъ А. В., Калинкин Ю. М. Восстановление формы сложного движения объекта по сигналу автодинного детектирования полупроводникового лазера // ЖТФ. 2000. Т. 70. № 2. С. 125−129.
- Усанов Д.А., Горбатов С. С., Вениг С. В., Орлов В. Е. Резонансы в полубесконечном волноводе с диафрагмой, связанные с возбуждением волн высших типов // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 18. С. 47−49.
- Установка для исследования глубоких центров в облученных полупроводниках / Заярный В. П., Легезо СЛ., Старцев B.C. и др. // Химия твердого тела. Свердловск: УПИ, 1986. С. 83−85.
- Установка для исследования радиационных дефектов в облученных полупроводниках / Заярный В. П., Клюкин В. Э., Тюленев Л. Н. и др. // Тез. докл. на Свердл. НТК молодых ученых „Материаловедение в атомной энергетике“, 1986. Свердловск. 1986. С. 83−84.
- Установка для исследования характеристик приборов с зарядовой связью / Заярный В. П., Клюкин В. Э., Плотнир А. И. и др. // Материалы VII НТК УПИ / Проблемная НИЛ- Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1984. Деп. в ВИНИТИ в 1984, № 3259.
- Ушуков Н.М., Гелъбух С. С., Петросян В. И. О влиянии температуры на высоту барьера контакта металл-полупроводник при его формировании // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 11. С. 197−200.
- Федорков Б.Г., Телец В. А. Микросхемы ЦАП и АЦП: функционирование, параметры, применение. М.: Энергоатомиздат, 1990. 320 е.: ил.
- Цапенко М.П. Измерительные информационные системы. М.: Энергоатомиздат, 1985. 440 с.
- Цветков Э.И. Алгоритмические основы измерений. СПб.: Энергоатомиз-дат, 1992. 256 с.
- Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справ. / С. В. Якубовский, Л. И. Нисселъсон, В. И. Кулешова и др.- Под ред. С. В. Якубовского. М.: Радио и связь, 1990. 496 е., ил.
- Шило В.Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Сов. радио, 1979. 366с., ил.
- Экспериментальная ядерная физика: Пер. с англ. под ред. Э. Сегрэ. М.: Иностр. лит., 1955. 662 с.
- Якимов Е.Б., Ярыкин Н. А. //ФТТ. 1980. Т. 22. Вып. 11. С. 3490−3492.
- Amelio G.F., Tompsett M.F., Smith G.E. Experimental Verification of the Chage Coupled Diode Concept//Bell Sist. Tech. J. 1980. Vol. 49. P. 593−598.
- Arnbak J. Leaky Waves on a Dielectric Rod // Electronics Letters. 1999. Vol. 5. № 3. p. 41−43.
- Aumala O., Ihalainen H., Jokinen H., Heinola K. Automatik Multivariate signal Analysis // Proc. IMEKO TC7 Intern. Symp. on AIMAC'91, Kyoto, Japan. Japan. Kyoto: SICE, 1991. P. 187−192.
- Boyd J.W., Wilson J.B. Thin Solid Films // IEEE. 1981. Vol. 83. № 4. P. 173−176.
- Capelletti R., et. al. Defects in Insulating Cristals / Ed. V.M. Tuckevich, K.K. Shvarts. Berlin: Springer-Verlag, 1981. P. 675−705.
- Chmutin A.M., Zotov N.M. Laser Doppler Vibrometry in metrology / Proc. Fnt. Conf. „Laser Application in Life Scienses“. Moscow: MGU Publishers, 1990. P. 67−70.
- Clarricoats P.J., Taylor B.C. Evanescent and Propagating Modes of Dielectric-Loaded Circular Waveguide // Proc. IEEE. 1984. Vol. III. № T-6. P. 1951−1956.
- Deal B.E., Snow E.H., Mead C.A. Barrier Energies in Metal-Silicon Dioxide-Silicon Structures // J. Phys. Chem. Sol. 1986. Vol. 27. № 11/12. P. 1873−1879.
- Donnely J.P., Milns A.G. The Capacitance of p-n Heterojunction Including the Effects of Interface States // IEEE. Trans. Electron Devices. 1987. Vol. ED-14. № 2. P. 63−68.
- Finkelstein L. Theoretical Basis of Intelligent and Knowledge Based Instrmentation // Proc. IMECO TC7 Intern. Symp. On AIMfc' 91, Kyoto, Japan: Japan. Kyoto: SICE, 1991. P. 43−50.
- Goetsberger A. Ideal MOS Curves for Silicon // Bell Syst. Tech. J. 1976. Vol. 45. P. 1097−1104.
- Goetsberger A., Klausmann E., Shulze M. Interface States on Semiconductor / Insulator Surfaces // CRC Critical Reviews in Solid State Sciences. 1986. Vol. 6. № l.P. 1−43.
- Grey P. V., Brown D.M. Density of Si-Si02 Interface States // Appl. Phis. Lett. 1987. Vol. 8. № 2. P. 31−33.
- Helszajn J., Fan F.C. Mode Shart for Partial-Height Ferrite Waveguide Circulation // Proc. IEEE. 1985. Vol. 122. № 5. P. 34−36.
- Hoffman H. Dispersion of Planar Waveguides for Millimeter-Wave Application // AEU. 1997. Vol. 31. № 1. P. 40−44.
- Killiany J.M., Baker WD. Limitations of a Threshold-Insensitive CCD Input Techniquein a Total Dose Radiation Environment // Conf. Applic. CCDs Proc. 1985. P. 369−374.
- May T.C., Woods M.H. A New Physical for Soft Errors in Dynamic Memories // Phys. Symp. Proc. 1988. P. 33−40.
- Nakano M. et al. Small Size Polarization Diversity Antenna//Nat. Soc. Conv. Of IEEE. Vol. B-l-42. 1997. P. 86−89.
- Mitchell D.M. An Analytical Investigation of Current-Injected Control for Constant-Frequency Switching Regulator // IEEE. Trans. Power Electron. 1996. Vol. PE-1. № 3. P. 73−76.
- Nicollian E.H., Brews J.R. MOS Physics and Technology. N. Y., 1992.
- Nicollian E.H., Goetsberger A. MOS Conductance Technique for Measuring of Surface State Parameters // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 7. № 8. P. 216−218.
- Nicollian E.H., Goetsberger A. MOS Study of Interface State Time Constant Dispersion // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 10. № 2. P. 60−64.
- Nicollian E.H., Goetsberger A. The Si-Si02 Interface Electrical Properties as Determined by the Metal Insulator Silicon Conductance Technique // Bell Sist.
- Techn. J. 1977. Vol. 46. № 5. P. 1055−1062.
- Nicollian E.H., Melchior H. A Quantitative Theory of 1/f Type Noise Due to Interface States in Thermally Oxidized Silicon // Bell Sist. Tech. J. 1997. Vol. 46. № 9. P. 1935−1944.
- Powell R.J. Photo injection into Si02 Use of Optional Interference to Determine Electron and Hole Contribution // J. Appl. Phys. 1989. Vol. 40. № 13. P. 1093−1101.
- Powell R.J., Derbenwich G. Vacuum Ultraviolet Radiation Effects in Si02 //IEEE. TransNucl. Sci. 1991. Vol. NS-18. № 6. P. 99−107.
- Sacs N.S., Killiany J.M., Baker W.D. Effects of Neutron Irradiation on the Characteristics of a Buried Channel CCD at 80 and 295 К // NASA-JPL Conf. CCD Tech. Applic. Proc. 1996. P. 110−114.
- Schoneman G.K., Mitchell D.M. Closed-Top Performance Comparisons of Switching Regulators with Current-Injected Control // IEEE. Trans. Power Electron. 1988. Vol. 3. № 1. P. 48−51.
- Simons R.N. Broadside Coupled Slot — Line Field Components // IEEE. Trans. MTT. 1994. Vol. 32. № 1. P. 116−120.
- Sped D.F. Probabilistic Neural Networks // Neural Networks. 1990. № 3. P. 109−118.
- Sztipanovits J., Bourn J. Design of Intelligent Instrumentation // Proceedings of I-st Conference on Art. Intell. Appl. IEEE Computer Society. 1984. P. 213−217.284
- Tsandonlas G.H., Ince W.J. Modal Inversion in Circular Waveguides // IEEE Trans. MTT-19. 1971. № 4. P. 386−391.
- Zerbst M. Relaxations Effect an Halbleiter-Insulator-Grenzfidchen //Z. Angew. Phys. 1986. Vol. B-22. P. 30−33.
- А1. Белодедов MB., Заярный В. П., Чмутин А. М. Анализ точности компьютерного ла-зфногодоплеровскош виброметра// Изв. вузов: Приборостроение. 1993.№ 11—12. С. 51−55.
- А2. Бескровный А. А., Заярный В. П. Виртуальная измерительная система для определения параметров электрических цепей и их элементов // Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. „Математика, компьютер, образование“, 1998. Дубна, 1998. С. 29.
- А4. Высокоточные измерения плотности поверхностных электронных состояний гетероструктур / Клюкин В. Э., Заярный В. П, Бикметов И. Ф. и др.- Урал. Политехи. Ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИЩ 1987, № 6464.
- А5. Евстрапюв И. В., Заярный В. П. Распознавание речевых образов с применением натурного измерения функции возбуждения // Материалы науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997.484 с.
- А6. Евстратов И. В., Заярный В. П. Синтез вокализованных фонем на основе линейной модели речеобразования // Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. „Математика, компьютер, образование“, 1998. Дубна, 1998. С. 70.
- А7. Евстратов И. В., Заярный В. П. Аспекты интеллектуализации компьютерных систем учета энергоресурсов в системе энергообеспечения // Вестник Волгоградского государственного университета Сер. 1, Математика Физика. Вып. 3.1998. С. 176−180.
- А8. Жданов ГЛ., Заярный В. П., КатихинаН.В. Цифровая лазерная измерительная система // Тез. докл. на III Всесоюз. науч. семинаре „Диагностическое применение лазеров и волоконной оптики в народном хозяйстве“, 1990. Волгоград, 1990. С. 109−110.
- А9. Заярный В. П. Адаптивная система дня исследования зарядовых свойств гетероструктур в области высоких частот. // Тез. докл. на Междунар. конф. „Физика и технические приложения волновых процессов“, 2001. Самара, 2001. С. 106.
- А10. Заярный В. П. О возможности передачи электрической энергии посредствам электрической индукции с помощью электрически связанных конденсаторов (емкостного трансформатора) / Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1995. Деп. в ВИНИТИ, 1995, № 3479-В95.
- All. Заярный В. П. Аппаратные средства цифровой обработки сигнала лазерного интерферометра общего применения // Тез. докл. на Всесоюз. науч. семинаре „Метрология в прецизионном машиностроении“, 1990. Саратов. 1990. С. 54−56.
- А12. Заярный В. П. Исследование радиочастотных свойств твердотельных гетерогенных структур с зарядовой связью. // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2001. Т. 4. № 4. С. 61−65.
- А13. Заярный В. П. Исследование частотных свойств твердотельных слоистых структур в составе приборов с зарядовой связью //Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 3. С. 29−35.
- А14. Заярный В. П. Комбинированный аналого-цифровой преобразователь со смещением нуля //ПТЭ. 1997. № 4. С. 42−44.
- А15. Заярный В. П. Компьютерные измерители, преобразователи и анализаторы электрических сигналов /Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1995. Деп. в ВИНИТИ, 1995, № 3478-В95.
- А16. Заярный В. П. Модуль 12-разрядного аналого-цифрового преобразователя длякомпьютеров IBM PC //ГТГЭ. 1995. № 6. С. 175−176.
- А17. Заярный В. П. О некоторых радиационных эффектах в МДП-структурах в области низких температур / Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ, 1988, № 949.
- А18. Заярный В. П. О существовании внесенной (взаимной) емкости у электрически связанных конденсаторов / Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1996. Деп. в ВИНИТИ, 1996, № 168-В96.
- А19. Заярный В. П. О влиянии зарядовых процессов в твердотельных слоистых структурах на частотные свойства микроприборов на их основе // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2002. Т. 5. № 3. С. 57−59.
- А20. Заярный В. П. Особенности зарядовых процессов, определяющих высокочастотные свойства гетероструктур для приборов с зарядовой связью. // Тез. докл. на Междунар. конф.' 'Физика и технические приложения волновых процессов“, 2001. Самара 2001. С. 92.
- А21. Заярный В. П. Радиофизические свойства твердотельных слоистых структур с зарядовой связью: методы и информационные возможности для их определения. М: Радио и связь, 2001.212 е.: ил.
- А23. Заярный В. П. Тенденции развития компьютерных средств сопряжения в современном физическом эксперименте // Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ. 1997. Т. 5.3(19). С. 235−236.
- А25. Заярный В. П. Устройство для гальванической развязки электрических цепей: Свидетельство РФ RU 3357 U1,6. Н 02 М 5/08 // Н 02 М 5/10- № 951 114 207/20. Заявл. 08.08. 95. Опубл. 16.12.96. Бюл. № 12.
- А26. Заярный В. П. Электро-элекгрическая индукция в системе электрически связанных конденсаторов/Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1996. Деп. в ВИНИТИ, 1996,№ 812-В96.
- А27. Заярный В. П., Беюдедов МВ., Лагшнский И. Н. Компьютерное обеспечение лазерной интерферометрической системы // Тез. докл. на Всесоюз. семинаре „Метрология лазерных измерений“, 1991. Ч. 2. Волгоград, 1991. С. 48−50.
- А28. Заярный В. П., Беляев КВ. Автоматизация мессбауэровского спектрометра на базе системы КАМАК // Тез. докл. на 7-й науч. конф. преподавательского состава Волгоградского государственного университета, 1990. Волгоград, 1990. С. 31−33.
- А29. Заярный В. П., Буков В. В. Автоматизация установки для исследования электрофизических свойств гетероструктур с применением системы КАМАК // Тез. докл. на 9-й науч. конф. преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та, 1992. Волгоград, 1992. С. 47−48.
- А36. Заярный В. П., Сарана Д. В. Повышение скорости ввода в ПЭВМ IBM и точности представления информации от микрополосковых антенн на основе расширяющихся щелевых линий //Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ. 1996. Т. 4. № 2(14). С. 208−210.
- А37. Заярный В. П., Сарана Д. В. и др. Моделирование речевого тракта, определение параметров и распознавание речевого сигнала // Вестник Волгогр. гос. ун-та Сер. 1, Математика Физика. Вып. 2.1997. С. 137−143.
- А38. Заярный В. П., Сарана Д. В., Евстратов И. В. Мношфункциона) 1ьный ЮМ-совместимый модуль сопряжения дня экспериментальной СВЧ/КВЧ-системы // Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ. 1997. Т. 5. № 3(19). С. 231—234.
- А40. Заярный В. П., Тыщенко Г. А. Практический синтез оптимальных измерительных структур информационноизмфительных систем на метрологической основе. // Вестник Волгогр. гос. ун-та Сер. 1, Математика. Физика. Вып. 5.2000. С. 121—129.
- А41. Информационные возможности электрофизических методов исследования слоистых структур с областями пространственного заряда / Клюкин В. Э., Заярный В. П., Шульгин Б. В. и др.- Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ в 1987 г., № 6463.
- А42. Исследование параметров глубоких центров в облученных ПЗС методом изотермической релаксации емкости /Клюкин В.Э., Заярный В. П., Климашин В. М. и др. // Химия твердого тела. Свердловск: УПИ, 1986. С. 78−83.
- А43. Исследование поверхностных состояний на границе раздела (Зе-пиролитический окисел SiCb методами вольт-фарадных характеристик / Клюкин В. Э., Заярный В. П., Данилов С. Г. и др.- Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ в 1987 г., № 3196.
- А46. Комбинированный термо- и фотоактивационный метод измерения электрофизических параметров в гетероструктурах: Информ. листок № 1−86/Клюкин В.Э., Заярный ВН., ТюленевЛН. и др. Свердловск: СЦНЩ 1985.4 с.
- А47. Методы исследования полупроводниковых материалов для приборов с зарядовой связью / Клюкин В. Э., Заярный ВН., Старцев B.C. и др. // Химия твердого тела Свердловск, 1986. С. 79−88. (Межвуз. сб. Вып. 8).
- А49. Полое В. А., Заярный В. П. Четырехсекционная стабилоплатформа // Межгос. науч-техн. конф. с участием зарубежных специалистов „Датчики и преобразователи информации систем измерения, управления и контроля“, 1993. М., 1993. С. 57−58.
- А50. Радиационная стойкость приборов с зарядовой связью к облучению электронами высоких энергий /Клюкин В.Э., Заярный В. П., Климашин В. М. и др. // Радиационно стимулированные явления в твердых телах. Свердловск, 1985. С. 104−106. (Межвуз. сб. Вып. 7).
- А51. Сапунов В. А, Заярный В. П. Установка для исследования динамической поляризации ядер в слабых магнитных полях // ПТЭ. 1987. № 5. С. 235−236.
- А52. Сарана Д. В., Заярный В. П. Гибкая IBM-совместимая субсистема сопряжения компьютера с внешними устройствами // В сб. науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та, 1997. Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997.484 с.
- А53. Сарана Д. В., Тыщенко Г. А., Заярный В. П. Вероятностный метод распознавания слитной речи с применением лингвистического предсказания //Вестник Волгогр. гос. ун-та. Сер. 1, Математика. Физика. 1998. Вып. 3. С. 170— 175.
- А55. Схема угравления трехфазным прибором с зарядовой связью / Заярный В. П., Клюкин В. Э., Легезо СЛ. и др.: Информ. листок № 279−83. Свердловск: Свердп. межотрасл. терригор. центр науч.-техн. информации и пропаганды, 1983.4 с.
- А56. Тыщенко ГА, Заярный В. П. Распознавание речевых образов при моделировании вероятностного аналога нейронной сети // Тез. докл. на VII Междунар. науч. конф. „Математика, компьютер, образование“, 2000. Дубна, 2000. С. 324.
- А57. Тыщенко Г. А., Заярный В. П. Компьютерное осмысление понятий при распознавании речевой информации в рамках искусственного интеллекта // Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. „Математика, компьютер, образование“, 1998. Дубна, 1998. С. 203.
- А58. Тыщенко Г. А., Заярный В. П. Осмысление понятий при распознавании речевой информации // В сб. науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та. Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997.484 с.
- А59. Тыщенко Г. А., Сарана Д. В., Заярный В. П. Решение задачи выделения слов в потоке слитной речи при распознавании речевых сигналов // Тез. докл. на VI Междунар. конф. „Математика, компьютер, образование“, 1999. М.- Пугцино, 1999. С. 278.
- А60. Тыщенко Г. А., Сарана Д. В., Евстратов КВ., Заярный В. П. Самообучающаяся компьютерная система „Вопрос ответ“ // Информационные технологии. 1999. № 5. С. 3638.
- А61. Управляемый азотный криостат для автоматизации электрофизических экспериментов / Волков А. Р., Заярный В. П., Клюкин В. Э. и др.: Информ. листок № 484−86. Свердловск: Свердл. межотрасл. территор. центр науч-техн. информации и пропаганды, 1986.4 с.
- А62. Установка для исследования глубоких центров в облученных полупроводниках / Заярный В. П, Легезо СЛ., Старцев B.C. и др. // Химия твердого тела Свердловск: УПИ, 1986. С. 83−85.
- А63. Установка для исследования радиационных дефектов в облученных полупроводниках / Заярный В. П., Клюкин В. Э., Тюленев ЛН. и др. // Тез. докл. на Свердл. НТК молодых ученых „Материаловедение в атомной энергетике“, 1986. Свердловск. 1986. С. 83−84.
- А64. Установка для исследования характеристик приборов с зарядовой связью / Заяр1 —> 2 → 3
- Рис. П1−1. Типовые структурные схемы канала ввода (а) и канала вывода (б) сигналов с применением ЭВМ: 1-ОИ- 2-ПИП (датчик) — 3-ПрИП- 4-АЦП- 5-УС- 6-ЭВМ- 7-ЦАП- 8-РгВв-Выв- 9-СУВОИ171. Rl' Rj2 Rj3 R!4 R!5 К R2
- Рис. П1−2. Обобщенная структура аппаратного обеспечения функционально сложного РФЭ: 1-ОИ- 2-измерительная камера- 3-интеллектуальный датчик- 4-ПИП- 5-ПрИП- 6-УВХ- 7-АМ- 8-НУ- 9-АЦП- 10-УС- 11-ЭВМ- 12-ЦАП- 13-ДМ- 14-РгВв-Выв- 15-СУВОИ- 16-БП- 17-ИОН
- Структурная схема обобщенного АО
- Все оперативные и окончательные данные по организации и проведению эксперимента, а также получению результатов эксперимента, так или иначе, поступают в распоряжение эксперта для принятия дальнейших решений.
- Разработка моделей реальных модулей функционального ресурса для физических исследований, формирование базы данных
- Математические модели ФМ, входящих в состав разработанного ИФР, выводятся из общей их структуры, приведенной в п. 3.3 и конкретных значений характеристик ФМ, приведенных в п. 2.1. С учетом сказанного, они будут представлять собой следующие кортежи:
- Ms^b=(rsi (-)> (sleS lmin? Simax., fsl [fslmin> fslmax ])sb (Ui (t)e[Uimin, UimaJ, fi g firmin? firmax.), abs 0, inc М'^лдв^модель ПИП1 (лазерный доплеровский виброметр, имеет Ulmin=-5 В, U, max=+5 В, firmin=0, firmax=l МГц) —
- MS4H4B®X=(RS4(-)' (s4e S4min, S4max., fs4e[fs4min, fS4max])s4, (u4(t)G [U4niln, U4max], f4e[f4rmin, f4rmax]), abs 0, inc М'^нчвсюО-модель ПИП4 (экспериментальная установка низкочастотных вольт-фарадных характеристик, имеет U4min=0 В, о
- U4max=+1 В, f4rmin=10 Гц, £фгтах=1 Гц) —
- Ms5HPE=(Rs5(-), О5 е Sfmin jSsmax.) fs5 e[fs5mim fs5max])s5j (u5(t)e [U5mjn, U5max], f5ef5rmin, fsrmax.)? abs 0, inc М^щ^-модель ГШП5 (экспериментальная установка изотермической релаксации емкости, имеет U5min=-10 В, U5max=0 В, f5rmax=0,25 МГц) —
- Ms6TCn=(Rs6(„)5 (s6? fS6min? S6max. fs6efs6min, fS6max])s6, (ибОО e [Uemin, Ugmax] >fjj? fermin? ^бгтах.)? abs 0, inc М'^бтсп^модель ПИП6 (экспериментальная установка термостимулированных токов поляризации, имеет и6т-п=-1 В, 2
- U6max=+1 В, f6rmin=10 Гц, f6rmax=10 Гц) —
- Ms8T/n=(Rs8(')> (s8eS8min, S8max., fs8e[fs8min, fS8max])s8, (Ug (t)? [U8min, U8max], f8? [f8rminj fsrmax]), abs 0, inc М'^т/дЬмодель ПИП8 (дифференциальная термопара, имеет U8min=0 В, U8max=+10 мВ, f8rmin=T0~2 Гц, f8rmax=l Гц) —
- Ms9m=(Rs9(,)5 (s9eS9min, S9max., fs9e[fs9min, fS9max])s9, (U9(t)? [U9min, U9max], f9? f9rmin, f9rmax.), abs 0, inc M1s9M) — модель ПИП9 (микрофон, имеет U9min= -30 мВ, U9max=+30 мВ, f9rmin=20 Гц, f9rmax=20 кГц) —
- Msiovg=(Rslo (')> (us10(t)GlJl0mim UiOmaxL fse[flOmim flOmax.)) abs О, ШС M ^lOVg) „модель ПИП10 (генератор пилообразного напряжения, имеет Uiomin=-10 В,
- UiOmax=+10 В, flOrmin=10 3 Гц, flOrmax=10 2 Гц) —
- Mhi=(Rhi (-)5 (si, Msi) нь Ки1, abs 0, inc М'^О-модель нормализатора HI (имеет расчетный коэффициент передачи Ки 1) —
- Mh2=(Rh2(-)> (s2, Ms2) н2, Ки2, abs 0, inc М^щ^модель нормализатора Н2 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки2) —
- Mh3=(Rh3(0> Ms3) нз, КуЗ, abs 0, inc М1Нз)-модель нормализатора НЗ (имеет расчетный коэффициент передачи Ки3) —
- MH4=(Rh4(05 (s4, Ms4) н4, Ки4, abs 0, inc М"1Н4)-модель нормализатора Н4 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки4) —
- MH5=(Rh5(') — (s5, Ms5) н5, Ки5, abs 0, inc М1Н5)-модель нормализатора Н5 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки5) —
- Mh6=(Rh6(,)5 (s6, Ms6) нб, Ки6, abs 0, inc М1нб)-модель нормализатора Н6 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки6) —
- MH7=(Rh7(-)5 (s7, Ms7) н7, Ки7, abs 0, inc М“-модель нормализатора Н7 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки7) —
- MH8=(Rh8(0″ (s8, Ms8) н8, Ки8, abs 0, inc М'^-модель нормализатора Н8 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки8) —
- Mh9=(Rh9(')“ (s9, Ms9) н9, Ки9, abs 0, inc М^н^-модель нормализатора Н9 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки9) —
- Mhio=(RhioO, (si0, Ms10) hio, KulO, abs 0, inc М"ню)-модель нормализатора HI0 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки10)-uaumax .)увхь txpb abs 0, inc 0)-модель УВХ1-mybx2~(RyBX2(')1. МувхзНДувхзО1. МуВХ4 (RyBX4(„)
- MyBX5=(RyBX5(') Mybx6=(RyBX6(') MyBX7=(RyBX7(0 Mybx8=(RyBX8(')1. MyBX9-(RyBX9(')
- UeUaiimin, U ацтах .)увх2? txp2, abs 0, inc 0
- UeUaumin, иацтах. Уувхз, txp3, abs 0, inc 0
- UeUaiimjn, Uaumax.)yBx4? txP4, abs 0, inc 0
- UeUaiimjn, Uaumax. УУВХ5, txp5, abs 0, inc 0
- UeUaL[min, Uaumax.)yBx6, txP6, abs 0, inc 0
- UeUaiimjn, Uaqmax.)увх7? txP7, abs 0, inc 0
- Ug Uaumjn, иацтах.)увх8> txp8? abs 0, inc 0
- UeUaiimjn, Uaumax.)увх9, txp9, abs 0, inc 0)-модель УВХ9--модель УВХ2--модель УВХЗ--модель УВХ4--модель УВХ5--модель УВХ6--модель УВХ7--модель УВХ8-
- MyBxio=(RyBxio (-), (UеUaumjn, Uaiimax.)увхю, txpio, abs 0, inc 0)-модель1. УВХ10-
- Mak,=(Raki (-), (Ue Uaumax., Мувх) акь пакь abs 0, inc 0)-модельаналогового коммутатора 1 (имеет Пдк1=4) — MAK2=(Rak2(-)5 (Ue
- Мувх)ак2, Пдх2, abs 0, inc 0)-модель аналогового коммутатора 2 (имеет пак2=8) —
- МацшЧДацшОХ ((UeUimin, Ujmax., fe[0, fmaxi]), МУВх, МКом) ацпь 4imax? abs (Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпг) inc 0)-модель АЦП1 (АЦП с кварцованным периодом дискретизации, имеющий Uimjn=-5 В, Uimax=+5 В, fmaxi=0,5 МГц, qi max =12) —
- МацП2=(К-АЦП2(0> ((UeU2min, U2max., fG[0, fmax2]), Мувх, Мком) аЦП2, Я2тах, abs (Мдцпь Мдцпз, Мдцпд, МАцП5) inc 0)-модель АЦП2 (комбинированный АЦП с наращиваемым числом разрядов, имеющий и2тт=-5 В, U2max=+5 В, fmax2=T, 0 МГц, q2max=l (H16) —
- М!дцпз=(1^-ацпз (')' ((UGU3min, U3max., fe [0, fmax3])5 Мувх, М{(ом)аЦПЗ, ЯЗтах, abs (Мдцпь МАцт, Мдцп4, Мацп5) inc 0)-модель АЦПЗ (АЦП в стандарте КАМАК, имеющий U3min=-8,128 В, U3max=0 В, fmax3=50 МГц, q3max=8) —
- Мдцп4=(КаЦП4(,)5 ((UeU4min, U4max., fe[0, fmax4]), MyBX, МКом) аЦП4, Ч4тах, abs (Мдцпь Мдцт, МдцПЗ, Мдцпз) inc 0)-модель АЦП4 (АЦП в составе платы SOUNDBLASTER, имеющий U4min=-0,5 В, U4max=+0,5 В, fmax4=44 кГц, q4max=20) —
- Мацпз^ацпзСО“ ((ugU5min, UsmaxL f?[0> fmax5.)j Мувх, МКом) аЦП5, я5тахэ abs (Мдцпь МдцП2, МдцПЗ, МдцШ) inc 0)-модель АЦП5 (полуалгоритмический АЦП, имеющий U5min=0 В, U4max=5 В, fmax5=40 кГц, q5max=12) —
- Myci=(Ryci (0) (Мдцпь Мдцпг, МдцПЗ, МдцП4, МдцП5) усь ЧуСЬзусЬ abs Мусг, inc 0)-модель устройства сопряжения 1 (qyci=24, t3yci=0,l мкс) —
- Myc2=(Ryc2(-)' (Мдцпь Мдцпг, Мдцп3, Мдцп4, МдцП5) ус2, Чусг, t3yc2, abs Мусь inc 0)-модель устройства сопряжения 2 (qyC2=24, t3VC2=l мкс) —
- Мцф1=(к-1цф1(„)5 (Мдцпь Мдцпг, МдцПЗ, МдцП4, Мдцпэ, Мусь Мусг Уцфь abs Мцф2, inc 0)-модель цифрового фильтра 1 (КИХ-фильтр) —
- Мцфг=(Кцф2(-), (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, МдЦП4, Мдцп5, МУС1, МуС2 Уцфг, abs Мцфь inc 0)^модель цифрового фильтра 2 (БИХ-фильтр) —
- HI-(R Hl („)> (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпз, Myci, Мус2, Мцф) НЬ (Kul)"1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. RHI (-)-1. М"1
- H2 (R 112(0' (Мдцпь Мддп2, Мдцпз, МдцП4, Мдцп5, МуС1, МуС2, Мцф) Н2, (Ки2)"' abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. Rm (-) —
- M"1h3=(R"'h3(-), (Мдцпь Мдцпг, МдцПЗ, Мдцп4, Мдцпз, МУСь МУС2, МцфУнз, (КиЗ)"1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. Rhb (0-
- M"1h4=(R'1h4(-)“ (Мдцпь Мдцпг, МАцПз, МдцП4, Мдцпз, Мусь МУС2, Мцф)"1н4, (Ku4)1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. RmO?
- M"1h5=(R"1h5(-), (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпз, Мусь Мусг, Мцф)"1н5, (Ки5)"' abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. Rhs (-) —
- M"1h6=(R"ih6(-), (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпз, МуСЬ МУС2, МцфУ’нб, (Куб)"1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. Rh6(0-
- M"1H7=(R"1H7(-), (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпз, Мусь Мусг, -Мцф)“ 17, (Ku7)1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. RhtO) —
- M"1h8=(R"1H8(0> (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, МдцП4, Мдцпз, МУСь Myc2, Мцфу! ш, (Ku8)1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. RHS (-) —
- M"1H9=(R"1H9(-)5 (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцш, М"ф)"'н9, (Ки9)"' abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное RroO) —
- M"1H10=(R"1H10(-), (Мдцш, Мдцш, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпз, Мусь Мусг, Мцф)» !hio, (КиЮ)"1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. RhioO) —
- M'^^R"1^-), (M"'Hi)s1' abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное Rsi (-) —
- М"'s2=(R"^s2(')' (M"Vi2)s21, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное RS2G) —
- M"1s3=(R"1s3(-), (М-1НЗ)s31, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное Rs3(-) —
- M"1s4=(R"1s4(-), (M'Vm)s41, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное RS4(0-
- M"1s5=(R"1s5(-), (М1н5)s51, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное RssG) —
- M"1s6=(R"1s6(-), (М1Н6)s61, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное RS6(0−1.f^KR^GX (M~Vi7 У71, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное R^GX
- M"1s8=(R"1s8(-), (М"'н8)s8~ abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное Rs8(-) —
- M"1s9=(R"1s9(-), (M"Vi9)s91, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное Rs9(') —
- M'^io^R^sioco, (M"'hio)sio~ abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное RsioC*)jmcmo=(rcmo (-)" (Мдцп, Мус, Мцф, М1Н, M"'s Усмо, л abs 0, inc 0)-модель модуля, обеспечивающего цифровые преобразования в соответствии со СМО-
- Mynp=(Rynp (-), (s, Ms, Мн, Мувх, Мак, МацП, Мус, М1н, M"'s, Мцф, МСмо) упр, abs 0, inc Ms, МУВх, Мак) модель управляющего модуля-