Математическое и программное обеспечение систем оперативной оценки характеристик сложных объектов на основе интегрированных баз данных
Публикации. По результатам диссертации опубликовано 10 научных работ, в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве и приведённых в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: — обобщение информации для построения математической модели сложных объектов- — использование интерактивных средств при построении автоматизированных систем- — разработка… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Анализ построения современных систем для исследования сложных объектов с использованием интерактивных средств, и интегрированных баз данных
- 1. 1. Использование интерактивных средств и баз данных в интегрированных системах
- 1. 2. Классификационные характеристики программных систем моделирования сложных объектов
- 1. 2. 1. Общие характеристики программных систем моделирования сложных объектов
- 1. 2. 2. Программные характеристики программных систем моделирования сложных объектов
- 1. 2. 3. Технические характеристики программных систем
- 1. 2. 4. Эргономические характеристики программных систем
- 1. 3. Принципы проектирования интегрированной программной системы
- 1. 4. Вопросы автоматизации процесса оценки стойкости бортовой аппаратуры к локальным радиационным эффектам от воздействующих 34 КП
- 1. 5. Локальные радиационные эффекты в изделиях полупроводниковой электроники от воздействия 34 КП
- 1. 6. Концепции моделирования локальных радиационных эффектов
- 1. 7. Методы повышения радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники
- 1. 8. Цель работы и задачи исследования
- Глава 2. Разработка математического обеспечения оперативной оценки характеристик сложного объекта
- 2. 1. Разработка комплексной модели сложной радиоэлектронной системы в рамках интегрированных компьютерных технологий
- 2. 2. Моделирование локальных радиационных эффектов в
- I. полупроводниковых изделиях
- 2. 3. Математическое обеспечение оценки стойкости полупроводниковых изделий к локальным радиационным эффектам
- 2. 3. 1. Типовая модель оценки характеристик стойкости полупроводниковых изделий к воздействию 34 КП
- 2. 3. 2. Разработка специализированной математической' модели оценки стойкости полупроводниковых изделий к воздействию тяжёлых заряженных частиц космического пространства
- 2. 3. 3. Разработка специализированной математической модели оценки
- 2. 3. Математическое обеспечение оценки стойкости полупроводниковых изделий к локальным радиационным эффектам
- I. стойкости полупроводниковых изделий к воздействию ь высокоэнергетичных протонов космического пространства
- 3. 1. Разработка универсальной программной системы, настраиваемой на исследование различных объектов
- 3. 2. Разработка программного обеспечения оценки характеристик сложного объекта
- 3. 3. Синтез структуры интегрированной базы данных изделий
- 3. 4. Инвариантная часть программного обеспечения оценки сложных объектов
- 3. 4. 1. Конвертация различных форматов файлов для интеграции систем
- 3. 4. 2. Разработка блок-схемы функционирования подсистемы «Интеграция проектов»
- 3. 4. 3. Разработка блок-схемы функционирования подсистемы «Справочная система»
- 3. 4. 4. Разработка подсистемы «Теоретическая справка»
- 3. 4. 5. Разработка алгоритмов оптимизацйи выбора изделий и режима функционирования подсистемы «Оптимизация выбора изделий»
- 3. 5. Специализированная часть программного обеспечения оценки сложных объектов
3.5.1. Разработка подсистемы «Оценка стойкости комплектующих ИПЭ к локальным радиационным эффектам при воздействии отдельных ТЗЧ». 109 3.5.2. Разработка подсистемы «Оценка стойкости комплектующих ИПЭ к локальным радиационным эффектам при воздействии отдельных ВЭП».
3.5.3. Разработка блок-схемы работы подсистемы «Проверка на соответствие требованиям стойкости».
Выводы.!.
Глава 4. Программная реализация интерактивной системы оперативной оценки стойкости полупроводниковых изделий к локальным радиационным эффектам.
4.1. Разработка графического интерфейса программного обеспечения на основе функциональной схемы взаимодействия подсистем.
4.2. Графический интерфейс программного комплекса оперативной оценки стойкости полупроводниковых изделий к локальным радиационным эффектам.
4.2.1. Графический интерфейс «Главной графической формы».
4.2.2. Графический интерфейс «Справочной системы».
4.2.3. Графический интерфейс подсистемы «Интеграция проектов».
4.2.4. Графйческий интерфейс формы «Оценка стойкости полупроводниковых изделий при воздействии ТЗЧ».
4.2.5. Графический интерфейс формы «Оценка стойкости полупроводниковых изделий при воздействии ВЭП».
4.2.6. Графический интерфейс формы «Проверка на соответствие требованиям стойкости».
4.2.7. Графический интерфейс подсистемы «Теоретическая справка».
4.2.8. Графический интерфейс подсистемы «Оптимизация выбора изделий».
4.3. Методика проведения расчёта стойкости ИПЭ от воздействующих заряженных частиц КП.
4.4. Апробация расчётных значений стойкости ИПЭ от воздействующих заряженных частиц КП.
Выводы.
Список литературы
- Агаханян Т.М. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах / Т. М. Агаханян, Е. Р. Аствацатурьян, П. К. Скоробогатов. -М.: Энергоатомиздат, 1989. 256 с.
- Агаханян Т.М. Моделирование радиационных эффектов в интегральных микросхемах / Т. М. Агаханян, А. Ю. Никифоров. Микроэлектроника М.: Наука/Интерпериодика, 2004. т. ЗЗ № 2. С. 85−90.
- Алексеев Д.М. Физический энциклопедический словарь / Д. М. Алексеев, A.M. Бонч-Бруевич, A.C. Боровик-Романов, Б. К. Вайштейн и др. -М.: Советская энциклопедия, 1983. 928 с.
- Архангельский А .Я. Программирование в С++ Builder 6 / А. Я. Архангельский. 2-е изд. -М.: ООО «Бином-Пресс», 2005. 1168 с.
- Архангельский А.Я. Программирование в Delphi 6 / А. Я. Архангельский. —М.: ООО «Бином-Пресс», 2004. 1120 с.
- Аствацатурян Е.Р. Переходные ионизационные эффекты в цифровых интегральных микросхемах / Е. Р. Аствацатурян, A.B. Раткин, П. Н. Скоробогатов, А. И. Чумаков. Зарубежная электронная техника, 1983. Вып. 9 (267). С. 36−72.
- Барабанов В.Ф. Интерактивные средства моделирования сложных технологических процессов / В. Ф. Барабанов, С. Л. Подвальный. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2000. 124 с.
- Барабанов В.Ф. Интерактивная система оценки знаний / В. Ф. Барабанов, Л. И. Лыткина: Учеб. пособие. Воронеж: Воронеж, гос. технол. акад., 2000. 100 с.
- Барабанов В.Ф. Интерактивные средства моделирования динамических систем / В. Ф. Барабанов // Технология компьютерного обучения. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1988. С. 123−127.
- Барабанов В.Ф. Автоформализуемая система профессиональных знаний / В. Ф. Барабанов, A.M. Нужный // Системы управления и информационные технологии: Сб. науч. тр. —Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2000. С. 63.
- Барабанов В.Ф. Интерактивные средства моделирования сложных технологических процессов /В.Ф. Барабанов, A.M. Нужный, C.JI. Подвальный // Системы управления и информационные технологии: Сб. науч. тр. —Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2000. С. 4.
- Барашенков B.C. Взаимодействие высокоэнергетических частиц и атомных ядер с ядрами / B.C. Барашенков, В. Д. Тонеев. М: Атомиздат, 1972. 648 с.
- Брагин Д.М. Интеграция универсальной справочной системы и библиотек системы P-CAD / Д. М. Брагин, В. Ф. Барабанов // Современные проблемы информатизации в технике и технологиях: труды X междунар. открытой науч. конф. -Воронеж, 2005. С. 211.
- Вернов С.Н. Пояса земли и космические лучи / С. Н. Вернов,
- B.П. Вакулов, Е. В. Горчаков. -М. Просвящение, 1970, 128 с.
- Вологдин Э.Н. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах и методы испытаний изделий полупроводниковой электроники на радиационную стойкость: учебное пособие / Э. Н. Вологдин, А. П. Лысенко. — Москва, 2002. 46 с.
- Гольдин, В.В. Информационная поддержка жизненного цикла электронных средств / В. В. Гольдин, В. Г. Журавский, A.B. Сарафанов, Ю. Н. Кофанов. М: Радио и связь, 2002. 386 с.
- Горчаков Е. Методические указания часть 2. Методические указания по оценке и обеспечению сбоеустойчивости и отказоустойчивости бортовой аппаратуры / Е. Горчаков, В. Герасимов, А. Чумаков, В. Ужегов. 2009. 74 с.
- Дейт К. Введение в системы баз данных / К. Дейт. 8-е изд. -М.: Вильяме, 2005. 1328 с.
- Келли Б. Радиационные повреждения твёрдых, тел / Б. Келли- пер. с английского. — Н.: Атомиздат, 1970. 236 с.
- Климов C.B. особенности микродозиметрических эффектов в СБИС/
- Кнут Д. Искусство программирования. Основные алгоритмы: пер. с англ. / Д. Кнут. -3-е изд. -М.: Вильяме, 2006. -Т. 1: 720 с.
- Коваленок В.И. Комплексное моделирование физических процессов высоконадежных РЭС / В. И. Коваленок, A.B. Сарафанов, C.B. Работин
- Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. науч. тр. / Под ред A.B. Сарафанова. Красноярск: КГТУ, 2000. С. 276−283.
- Когаловский М.Р. Энциклопедия технологий баз данных. / М. Р. Когаловский. -М.: Финансы и статистика, 2002. 800 с.
- Коноплёва Р.Ф. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий / Р. Ф. Коноплёва, B.JI. Литвинов, H.A. Ухин. -М. Атомиздат, 1971. 176 с.
- Коршунов Ф.П. Влияние облучения на р-n переходы / Ф. П. Коршунов // Радиационная физика кристаллов и р-n переходов. — Минск: Наука и техника, 1972. 125 с.
- Кофанов Ю.Н. Автоматизация проектирования РЭС. Топологическое проектирование печатных плат: Учеб. пособие. 2-е изд., перераб. и доп. / Ю. Н. Кофанов, A.B. Сарафанов, С. И. Трегубое. М.: Радио и связь, 2001. 220 с.
- Криницкий А. Воздействие отдельных ядерных частиц на интегральные схемы / А. Криницкий //Современная электроника, 2008. № 4. С. 60−63.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Краткий курс теоретической физики. Книга 1. / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. -М.: Наука, 1969. 271 с.
- Лидский Э.А. Задачи синтеза при системном анализе РЭА / Э. А. Лидский. Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 1995. 67 с.
- Лихачев А. Система ТехноПро новый уровень автоматизации проектирования технологии / А. Лихачев // САПР и Графика. 1997. Вып. № 9. С. 12−27.
- Лобанов О.В. Перемежающиеся отказы вызванные ядерными реакциями в устройствах электронной техники при облучении первичными ускоренными частицами / О. В. Лобанов, М. В. Мирошкин, М. В. Стабников. СРЭ Вып. 2. 1988. 32. с.
- Малинский В.Д. Испытания аппаратуры и средств измерений на воздействие внешних факторов: Справочник / В. Д. Малинский, В. Х. Бегларяи, Л.Г. Дубицкий- Под ред. В. Д. Малинского. М: Машиностроение, 1993. 573 с.
- Мырова Л.О. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи / Л. О. Мырова, А. З. Чепиженко. -М.: Радио и связь, 1983. 216 с.
- Немнюгин С.А. Практикум Turbo Pascal / С. А. Немнюгин. -2-е изд. -СПб.: Питер, 2007. 268 с.
- Пашковский М.Е. Модель энерговыделения от высокоэнергетичных протонов космического пространства / М. Е. Пашковский, В. Ф. Барабанов //Вестник Воронежского государственного технического университета. 2010. Т. 6. № 9. С. 45−48.
- Россер У. Радиационные пояса земли / У. Россер. // Успехи физических наук, т.85, вып. 1, 1966. С. 24−30.
- Рыбаков A.B. Интеллектуальная компьютерная среда / A.B. Рыбаков // Автоматизация проектирования. 1997. -№ 3. С. 40−45.
- Рыбаков A.B. Создание систем автоматизации поддержки инженерных решений / A.B. Рыбаков, С. А. Евдокимов, A.A. Краснов // Автоматизация проектирования. 1997. -№ 5. С. 12−22.
- Телец В. ПЛИС для космических применений. Архитектурные и схемотехнические особенности / В. Телец, С. Цыбин, А. Быстрицкий, С. Подъяпольский. Электроника: наука, технология бизнес, 2005. Вып. № 6. С. 44−48.
- Трахтенгерц Э.А. Особенности построения системного программного обеспечения в распределенных системах автоматизации проектирования сложных технических объектов / Э. А. Трахтенгерц // АиТ. 1994. Вып. № 11. С. 158−175.
- Устюжанинов В.Н. Радиационные эффекты в биполярных интегральных схемах / В. Н. Устюжанинов, А. З. Чепиженко. -М.: Радио и связь, 1989.142 с
- Фаронов B.B. Delphi 2005. Разработка приложений для баз данных и Интернета / В. В. Фаронов. -П.: ИЗДАТЕЛЬСКИЙ ДОМ, 2006. 603 с. *
- Фленов М. Е. Библия Delphi. 2-е изд. / М. Фленов. -П.: БХВ-Петербург, 2006. 802 с.
- Хайкин С. Нейронные сети: полный курс/ С. Хайкин. 2-е издание, пер. с английского. М.: Издательский дом «Вильяме», 2006. 1104 с.
- Хенли Э. Радиационная химия: пер. с английского. / Э. Хенли, Э. Джонсон. Н.: Атомиздат, 1974. 416 с.
- Чумаков А.И. Действие космической радиации на ИС / А. И. Чумаков. М. Радио и Связь, 2004.
- Чумаков А.И. Методы защиты микросхем от единичных сбоев. — В кн.: Сб. научных трудов Электроника и автоматизация в научных исследованиях- под ред. В. М. Рыбина. М. Энергоатомиздат, 1988, С. 114−115.
- Шалаев A.M. Свойства облученных металлов и сплавов / A.M. Шалаев. -Киев: Наукова думка, 1985. 308 с.
- Ширшев JT.Г. Ионизирующие излучения и электроника / Л. Г. Ширшев. -М.: Сов. радио. 1969. 191 с.
- Юдинцев В. Радиационно стойкие интегральные схемы надёжность в космосе и на земле / В. Юдинцев. Электроника: наука, технология бизнес Вып. № 5 2007. С.72−77.
- Canaris J., Whitaker S- Circuit techniques for the radiation environment of space-IEEE 1995 Custom Integrated Circuits Conference, 1995.
- Hansen D.L. et all. «Correlation of Prediction to On-Orbit SEU Performance for a Commercial 0.25-цт CMOS SRAM» IEEE Trans, on Nuclear Science, vol. 54, no. 6, p.2525, Dec. 2007.
- Romanko Th., Clegg B. SOI eases radiation-hardened ASIC design. -www.eetimes.com/showArticle.ihtml?articleID=l65700727. 2005.
- Wang J.J., Katz R., Sun J., Cronquist В., McCollum J., Speers T. and Plants W. SRAM Based Re-programmable FPGA for Space Applications IEEE Transactions on Nuclear Science, 1999. NS-46.
- S. Whitaker, J. Canaris, K. Liu.- SEU Hardened Memory Cells for CCSDS REED Solomon Encoder. IEEE Transactions on Nuclear Science, 1991. NS-38:6, pp. 1471−1477.
- Средства и технологии проектирования и производства электронных устройств. М.: Изд-во ОАО «Родник Софт», 2000. — № 1. 32 с.
- Порядок использования испытательных средств роскосмоса для контроля стойкости электронной компонентной базы к ионизирующему излучению космического пространства. ОАО НИИ КП «Роскосмос», 2010. 40 с
- РМ П0.200.000. Электрорадиоэлементы и узлы радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов. 1971.
- ТЗ. 0071.160. На ОКР «Комплект унифицированных приборов автоматического регулирования и контроля для системы электроснабжения Российского сегмента МКС. 1997.1. УТВЕРЖДАЮ
- Главный аналитик, член-корреспондент РАКЦ, к .т.71. A.C. Гончаров
- ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО НАУЧНО ВНЕДРЕНЧЕСКОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ «ПРОТЕК»
- ОАО НВП «ПРОТЕК») Почтовый адрес: 394 028, Воронеж, ул. Базовая, 6 тел. (473) 220−47−22, 220−47−23, факс (473) 220−47−24 с-таН:рго1ск@рп^ек-Угп.ги ИНН 366 501 752! КПП 366 301 001 ОКПО 41 211 944 ОГРН 1 023 601 555 097
- УТВЕРЖДАЮ0ГЩЙВП <
- Л’Чу^-«1 I, ?1 февраля 2011 г. 1. АКТо приеме в опытную эксплуатацию программного комплекса определения характеристик устойчивости аппаратуры к единичным эффектам при воздействии отдельных заряженных
- КГ) А. Н. Калита 'Г1 ЬуВ.А. Виноградов