Кинетические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cd1-xMnxGeAs2 и Cd1-xMnxGeP2 при высоком давлении до 7 ГПа
Диссертация
Начиная с 90-х годов активно развивается новое направление физики твердого тела, связанное с возможностью переноса ориентированного спина электрона из ферромагнетика в немагнитный полупроводник. Прикладное направление этих исследований получило название спинтроники. Эти исследования важны для создания одноэлектронных логических структур, и-спин-информационных систем для^ информатики (в данном… Читать ещё >
Содержание
- Глава I. Литературный обзор
- 1. Кристаллическая структура соединений АПВ1УСУ2. В
- 1. 1. Кристаллическая структура СсЮеАБг
- 1. 2. Кристаллическая структура СсЮеР
- 1. 3. Кристаллическая структура гпОеАвг
- 1. 4. Кристаллическая структура 2пОеР
- 2. Электрофизические свойства полупроводников А"В1УСУ
- 3. Влияние введения (1-элементов (Мп, Сг, Бе) на магнитные свойства полупроводников А^^С^
- 3. 1. СсЮеАвг
- 3. 2. СсЮеР
- 3. 3. гпОеАБг
- 3. 4. ZnGeP
- 3. 5. Магнитные свойства МпАб и МпР
- 1. Кристаллическая структура соединений АПВ1УСУ2. В
- 2. 1. Обзор методов создания гидростатического давления
- 2. 2. Аппарат высокого давления типа «Тороид»
- 2. 3. Создание гидростатического давления до 9 ГПа с помощью аппарата «Тороид»
- 2. 4. Экспериментальная установка и методика измерения удельного сопротивления, магнитосопротивления и коэффициента Холла при гидростатическом давлении до 9 ГПа
- 2. 5. Методика измерения магнитной восприимчивости и объемной магнитострикции под давлением
- 3. 1. Кинетические свойства СсЮеАвг с различным содержанием Мп при атмосферном давлении. Обсуждение полученных результатов
- 3. 2. Кинетические и магнитные свойства СсЮеАвг с различным содержанием Мп при всестороннем давлении. Обсуждение полученных результатов
- 4. 1. Кинетические и магнитные свойства СсЮеР2 с различным содержанием Мп при атмосферном давлении. Обсуждение полученных результатов
- 4. 2. Кинетические и магнитные свойства СсЮеР2 с различным содержанием Мп при всестороннем давлении. Обсуждение полученных результатов
Список литературы
- Ohno Н., Making Nonmagnetic Semiconductors Ferromagnetic // Science, v.281, N.5379, pp.951−956 (1998).
- Prinze G.A., Magnetoelectronics // Science, v.282, N.5394, pp. 1660−1663 (1998).
- Иванов В.А., Аминов Т. Г., Новоторцев B.M., Калинников В. Т., Спинтроника и спинтронные материалы // Известия академии наук. Серия химическая, № 11, с.2255−2303 (2004).
- Matsukura F., Ohno Н., Shen A., Sugawara Y., Transport properties and origin of ferromagnetism in (Ga, Mn) As // Phys. Rev. В v.57, R 2037−2040 (1998).
- Edmonds K.M., Wang K.Y., Campion R.P., Neumann A.C., Farley N.R.S., Gallagher B.L., Foxon C.T., High-Curie-temperature Gai-xMnxAs obtained by resistance-monitored annealing // Appl. Phys. Lett, v.81, pp.4991 3 pages. (2002).
- Zhao Y.-J., Geng W.T., Freeman A.J., Oguchi, Т., Magnetism of chalcopyrite semiconductors: Cd!.xMnxGeP2 // Phys. Rev. В v.63, Issue 20, pp.201 202 ® 4 pages. (2001).
- Sato K., Medvedkin G.A., Ishibashi T. Mitani S.5 Takanashi K., Ishida Y., Sarma D. D., Okabayashi J., Fujimori A., Kamatani T. and Akai H., Novel Mn-doped chalcopyrites //J. Phys. Chem. Sol., v.64, pp.1461−1468 (2003).
- Medvedkin G.A., Hirose K., Ishibashi Т., Nishi Т., Voevodin V.G., Sato K., New magnetic materials in ZnGeP2-Mn chalcopyrite system // J. Ciyst. Growth, v.236, pp.609−612 (2002).
- Choi S., Cha G.-B., Hong S.C., Cho S., Kim Y., Ketterson J.B., Jeong S.-Y., Yi G.-C. Room-temperature ferromagnetism in chalcopyrite Mn-doped ZnSnAs2 single crystals // Solid State Commun., v. 122, pp. 165−167 (2002).
- Медведкин Г. А., Ишибаши Т., Ниши Т., Сато К., Новый магнитный полупроводник CdixMnxGeP2 // Физика и техника полупроводников, т.35, № 3, с.305 309 (2001).
- Medvedkin G.A., Takayuki Ishibashi, Takao Nishi, Koji Hayata, Yoichi Hasegawa and Katsuaki Sato., Room Temperature Ferromagnetism in Novel Diluted Magnetic Semiconductor CdixMnxGeP2 // Jpn. J. Appl. Phys., v.39. pp. L949-L951 (2000).
- Krstajic P.M., Peeters F.M., Ivanov V.A., Kikoin K., Double-exchange mechanisms for Mn-doped III-V ferromagnetic semiconductors // Phys. Rev. В., v.70. pp.195 215 16 pages. (2004).
- Демин P.B., Королева Л. И., Маренкин С. Ф., Михайлов С. Г., Новоторцев В. М., Калинников В. Т., Аминов Т. Г., Шимчак Р., Шймчак Г. Баран М.,
- Новый ферромагнетик с температурой Кюри выше комнатной -легированный Мп халькопирит // Письма в ЖТФ. Т. 30. № 21. с.812 004).
- Новоторцев В.М., Калинников В. Т., Королёва Л. И., Демин Р. В., Маренкин С. Ф., Аминов Т. Г., Шабунина Г. Г., Бойчук С. В., Иванов В. А., // Высокотемпературный ферромагнитный полупроводник CdGeAs2{Mn} // Журнал Неорганической Химии, т.50, № 4, с.552−5 572 005).
- Новые алмазоподобные полупроводники AHBIVCV2 (обзор), под ред. Валового Ю. А., М., (1971).
- Полупроводники AnBIVCv2 под ред. Горюновой Н. А., Валова Ю. А., М., «Советское радио», (1974).
- Pfister Н. Kristallstruktur von ternaeren Verbindungen der Art A (II) B (IV) С (111)2, // Acta Ciystallographica, v. l 1, pp.221−224 (1958).
- Vaipolin A.A., Specific defects of the structure of compounds A (II) B (IV) C (V)2, // Fizika Tverdogo Tela, v.15, pp.1430−1435 (1973).
- Abrahams S.C., Bernstein J.L., Piezoelectric nonlinear optic CuGaSe2 and CdGeAs2: Crystal structure, chalcopyrite microhardness, and sublattice distortion, The Journal of Chemical Physics August 1, v.61, Issue 3, pp.1140−1146 (1974).
- Маренкин С.Ф., Новоторцев В.M., Палкина K.K., Михайлов С. Г., Калинников В. Т., Получение и структура кристаллов CdGeAs2, // Неорганические материалы, т.40, № 2, с.1−3 (2004).
- Vaipolin A.A., Osmanov Е.О., Prochukhan V.D., Modifications of A (II) B (IV) C2(V) compounds with the sphalerite structure // Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Neorganicheskie Materialy, v.8, pp.825−827(1972).
- Grigorovici R., Manaila R., Vaipolin A.A., The structure of crystalline and amorphous Cd Ge P2 //Acta Crystallographica B, v.24, pp.535−541 (1968).
- Hoenle W., von Schnering H.G., Verfeinerung der Kristallstruktur von CdGeP2 // Zeitschrift fuer Kristallographie, v.155, pp.319−320 (1981).
- Levalois M., Allais G, Etude structurale, par diffraction de R-X des liaisons dans les semiconducteurs ternaires ZnSiAs2, ZnGeAs2 et ZnSnAs2 // Physica Status Solidi, Sectio A: Applied Research, v.109, pp.111−118 (1988).
- Janotti A., Wei Su-Huai, Zhang S.B., Kurtz S., Structural and electronic properties ofZnGeAs2 //Phys. Rev. В., v.63, pp.195 210 7 pages. (2001).
- Lind M.D., Grant R.W., Structural dependence of birefringence in the chalcopyrite structure. Refinement of the structural parameters of ZnGeP2 and ZnSiAs2 // The Journal of Chemical Physics January 1, v.58, Issue 1, pp.357−362 (1973).
- Continenza A., Massidda S. et. al., Structural and electronic properties of narrow-gap ABC2 chalcopyrite semiconductors // Phys. Rev., Serie 3. В -Condensed Matter, v.46, pp. 10 070−10 077 (1992).
- Leroux-Hugon P. // Compt rend. Acad, sei, v.256, N 1, p. 118 (1963).
- Бергер Л.И., Исследования в области тройных алмазоподобных полупроводников. Автореф. докт. дис. М., МИСиС, (1968).
- Вайполин А.А., Османов Э. О., Третьяков Д. Н. // Известия АН СССР. Неорганические материалы, т. З, № 2, с. 260 (1967).
- Boyd G.D., Buehler Е., Storr F.G., Wernick J.H., Linear and nonlinear optical properties of ternary AnBIVC2V chalcopyrite semiconductors // IEEE J. Quant. Electronics, v.8, Issue 4, pp.419−426 (1972).
- Bendorius R., Prochukhan V.D., Sileika A., The Lowest Conduction Band Minima of A2B4C25-Type Semiconductors // Phys. Stat. Sol. B, v.53, Issue 2, pp.745 752 (1972).
- Горюнова H.A., Тахтарёва H.K. // В кн.: Сложные полупроводники и их физические свойства. Кишинёв, «Штиинца», с. 47 (1971).
- Mughal S.A., Payne A.J., Ray В., Preparation and phase studies of the ternary semiconducting compounds ZnSnP2, ZnGeP2, ZnSiP2, CdGeP2, and CdSiP2 // J. Mater. Sci., v.4, N 10, pp.895−901 (1969).
- Masumoto K., Isomura S., Goto W., The preparation and properties of ZnSiAs2, ZnGeP2 and CdGeP2 semiconducting compounds // J. Phys. Chem. Solids, v.27, Issues 11/12, pp.1939−1947 (1966).
- Goryunova N.A., Ryvkin S.M., Shpenikov G.P., Investigations of Some Properties of Vitreous and Crystalline CdGeP2 // Phys. stat. sol. B, v.28, Issue 2, pp.489−494 (1968).
- Goryunova N.A., Kusmenko G.S., Osmanov E.O., Glasses on the basis of the A2B4C25, A2C25 compounds and their intermediate alloys // Mater. Sci. Engng, v.7, Issue 1, pp.54−56 (1971).
- Аксёнов В.В., Петров В. М., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А., // Всесоюзная конференция по электрическим и оптическим свойствам кристаллов типа AinBv и сложных соединений типа AIIBIVCV2. Тезисы докладов. Ашхабад, «Ылым», с. 11 (1971).
- Супруненко П.А., Кальная Г. И., Кириленко М. М., // Изв. АН СССР. Неорганические материалы, т. Ю, № 6, с. 988 (1974).
- Ундалов Ю.К., Получение и исследование полупроводникового соединения CdGeP2. Автореферат канд. дис. Л., Ленинградский политехнический институт, (1974).
- Тычина И.И., Получение монокристаллов полупроводниковых соединений CdGeP2 и ZnGeP2 и исследование их свойств. Автореф. канд. дисс. Киев, Киевский пед. ин-т, (1966).
- Choi S., Choi J., Hong S.C., Cho S., Mn-doped ZnGeAs2 and ZnSnAs2 single crystals: growth and electrical and magnetic properties // Journal of the Korean Physical Society, v.42, pp. S739-S741 February (2003).
- Аверкиева Г. К., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В., Таштанова М. // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, т.11, № 4, с. 607 (1975).
- Solomon G.S., Timmons M.L., and Posthill J.B., Organometallic vapor-phase-epitaxial growth and characterization of ZnGeAs2 on GaAs // Journal of Applied Physics, v.65, Issue 5, pp.1952−1956 March 1, (1989).
- Дашевский М.Я., Хасиков B.B., В кн.: Тройные полупроводники AUBWC и AuBin2CVV Кишенёв, «Штиинца», с. 83 (1972).
- Buehler Е., Wernik J.H., Wiley J.D., The ZnP2-Ge system and growth of single crystals of ZnGeP2 // J. Electr. Mater, v.2, N 3, pp.445 (1973).
- Goryunova N.A., Poplavnoi A.S., Polygalov Yu.J., Chaldyshev N.A., Energy Band Structure of Ternary Diamond-Like A2B4C25-Type Semiconductors // Phys. Stat. Sol., v.39, N 1, pp.9−17 (1970).
- Bertoti J., Somogyi K., Preparation and some properties of ZnGeP2 crystals // Phys. Stat. Sol. A., v.6, Issue 2, pp.439−443 (1971).
- Somogyi K., Bertoti J., Some Electrical Properties of ZnGeP2 Crystals // Japan J. Appl. Phys., v. ll, N 1, pp.103−106 (1972).
- Grigorueva V.S., Prochukhan V.D., Rud Yu.V., Yakovenko A.A., Some electrical properties of high-resistance ZnGeP2 single crystals // Phys. Stat. Sol. A., v.17, Issue 1, pp. k69-k74 (1973).
- Григорьева B.C., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В. и др. // Письма в ЖЭТФ, 1, № 3, с.130 (1975).
- Григорьева B.C., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В., Яковенко A.A. // Физика и техника полупроводников, 8, вып. 8, с. 15 82 (1974).
- Landolt-Bornstein. Semiconductors: Physics of Ternary Compounds, ed. By O. Madelung (Berlin-Heidelberg, Springer Verlag, (1985) v. 17h.
- Sato K., Medvedkin G.A., Ishibashi- Т., Proceeding of international conference on Physics and applications of spin-related phenomena in semiconductors (PASP 2000), Sendai, Japan, Sept. 13−15, (2000).
- T. Hwang, J.H. Shim, and S. Lee, Observation of MnP magnetic clusters in room-temperature ferromagnetic semiconductor ZnixMnxGeP2 using nuclear magnetic resonance // Appl. Phys. Lett., v.83, pp.1809 3 pages. (2003).
- S. Cho, S. Choi, G.-B. Cha, S.C. Hong, Y. Kim, Y.-J. Zhao, A.J. Freeman, J.B. Ketterson, B.J. Kim, Y. C. Kim, and B.-C. Choi, Room-temperature ferromagnetism in (Zni.xMnx)GeP2 semiconductors // Phys. Rev. Lett., v.88, pp.257 203 4 pages. (2002).
- Wellmann P.J., Garcia J.M., Feng J.-L., Petroff P.M., Formation of nanoscale ferromagnetic MnAs crystallites in low-temperature grown GaAs // Appl. Phys. Lett., v.71, Issue 17, pp. 2532−2534 (1997).
- Fumihiro Ishikawa, Keiichi Koyama, Kazuo Watanabe, Tetsuya Asano and Hirofumi Wad a, First-order Phase Transition at the Curie Temperature in MnAs and MnAso9Sbo. i // Journal of the Physical Society of Japan, v.75, No.8, pp.84 604 6 pages. (2006).
- Huber E.E., Ridgley D.H., Magnetic properties of a single crystal of manganese phosphide // Phys. Rev. v.135, Issue 4A, pp. A1033-A1040 (1964).
- Bridgmen. P. W. The technique of high pressure experimenting // Proceeding. American Academy Arte Science, v.49. pp.627−643 (1914).
- Hall. H. T., Some high pressure, high temperature apparatus design considerations equipment for use at 100.000 atmospheres and 3000 C // Rev. Sci. Instrum., v.29, № 4, pp.267−275 (1958).
- Hall H. T., Ultra-High pressure, high temperature apparatus the «belt» // Rev. Sci. Instrum., v.31, № 2, pp.125−131 (1960).
- Jayaraman A. Hutson A. R., Mc. Pee J. H., Coriell A. S., Maines R. G., Hydrostatic and uniaxial pressure generation using teflon cell container in conventional piston-cylinder device // Rev. Sci. Instrun., v.3S, № 1, pp.44−49 (1967).
- Curtin H. R, Decker D. L., Vanfleet H. B., Effect of pressure on the inter metallic diffusion of silver in lead // J. Phys. Rev., v. 133, Issue 15A, pp. 1552−1557(1965).
- Norris D. I. R., On shear stresses in liquids at high pressure // Brit. J. Appl. Phys., v. 16, No. K5, pp.709−734 (1965).
- Bamett J. D., Bosco C. D., Technique for obtaining true hydrostatic pressures to 60 koar// Rev. Sci. Instrum., v.38, Issue 7, pp.957−963 (1967).
- Barnett J. D., Losco C., Viscosity measurements on liquids to pressures of 60 kbar // J. Appl. Phys., v.40, № 8, pp.3144−3150 (1969).
- Zeto R. J., Hryckowian E., Vanfleet H. B., Pressure cell with ten electrical leads for liquid hydrostatic pressures to 60 kbar // Rev. Sci. Instrum., v.43, Issue l, pp, 132−136 (1972).
- Young A. P., Ward G. F., Krauss H. H., Container for low boiling point liquids in belt-type high pressure apparatus // Rev. Sci. Instrum., v.35, Issue 12, pp. 1722−1723 (1964).
- Bocquillon-Monrigal G. Effet de la pression jusqu a 60 kbar sur la temperature de transition des grenats de terres rares purs et substitues, These de Doctoral d etat ea sciences physiques. Paris, p. 161 (1973).
- Бенделиани H.A., Верещагин Л. Ф. Измерение гидростатического давления до 100 кбар манганиновым датчиком сопротивления // ПТЭ., № 4, с.218−219 (1970).
- Khvostantsev L.G., Vereshchagin L.P., Ulyanitskaya N.M., Measurement of the thermoelectric properties of metals and semiconductors at quasi-hydrostatic pressures up to 60 kbarl Bismuth // High Temp.-High Pressures., v.5, № 1, pp.261−264 (1973).
- Khvosbantsev L.G., Vereshchagin L.P., Novikov A.P. Device of Toroid type for high pressure generation // High Temp-High Pressures., v.9, № 6, pp.637 639 (1977).
- Piermarini G.J., Block S., Bamett J.D., Hydrostatic limits in liquids and solids to 100 kbar//J. Appl. Phys., v.44, № 12, pp.5377−5382 (1973).
- Pierrmariini G.J., Porman R.A., Block S., Viscosity measurements in the diamond anvil pressure cell // Rev. Sci. Instrum., v.49, № 8, pp.1061−1066 (1976).
- Ицкевич E.C., Толмачев A.H., Широков A.M., Гридина H.M. Низкотемпературная камера гидростатического давления до 30 кбар из немагнитных материалов // ПТЭ, № 1, с.201−208 (1979).
- Zeto R. J., Vanfleet Н. В. Pressure calibration to 60 kbar based on the resistance change of a manganin coils under hydrostatic pressure // J. Appl. Phys., v.40, № 5, pp.2227−2231 (1969).
- Jeffery R. Т., Barnett J. D., Vanfleet H. B, Hall H. Т., Pressure calibration to 100 kbar based on compression ofNaCl // J. Appl. Phys., v.37, № 8, pp.31 723 180 (1966).
- Haygarth J. C., Luedenann H. D., Getting I. C, Kennedy G. C. The upper bismuth pressure calibration point. In: Accurate characterization of the high-pressure environment, NBS Special publication 326, Washington, pp.35−38(1971).
- Decker D. L., Bassett W. A., Merill L., Hall H. Т., Barnett J. D. High pressure calibration. A critical review // J. Phys. Chem. Ref. Data., v. l, № 3, pp.773−835 (1972).
- Ицкевич E.C., Толмачев A.H., Широков A.M., Гридина H.M. Низкотемпературная камера гидростатического давления до 30 кбар из немагнитных материалов // ПТЭ. № 1, с.201−208 (1979).
- Лундберг, Бакстрем. Измерение холловского напряжения и магниторезистивного эффекта висмута методом суммарной частоты в установке «белт» // Приборы для научных исследований., № 6, с.20−23 (1972).
- Аверкин А.А., Богомолов В. Н. Устройство для исследования гальваномагнитных эффектов при всестороннем сжатии // ФТТ., Т. З, В.2, с.627−629 (1961).
- Моллаев А.Ю., Арсланов Р. К., Даунов М. И., Магомедов А. Б. Устройство для исследования гальваномагнитных эффектов до 4 ГПа. II В сб. Влияние высокого давления на вещество. Киев: (1995), с.145−147.
- Моллаев А.Ю., Арсланов Р. К. Устройство для измерения барических зависимостей характеристических параметров твердых тел при высокихгидростатических давлениях до 10 ГПа. II Информ. лист. Дагестанского ЦНТИ. № 66−98 серия Р. 29.03.25.
- Вонсовский С.В. Магнетизм. Наука, М. (1971), с. 949.
- Королева Л.И. Магнитные Полупроводники // М.: МГУ. (2003), с. 312.
- Игошева Т.Н. О коэффициентах Холла в области парапроцесса // Письма вЖЭТФ, Т.10, с.125−129 (1969).
- К.П.Белов, Магнитные превращения, Физматгиз, М. (1959), с. 259.
- Кикоин И.К., ЖЭТФ Т.10, 11, с. 1242 (1940).
- Гражданкина Н.П., Матюшенко J1.A., Берсенев Ю. С. ФТТ Т.10, 3, с. 670 (1968).
- Bebenin N.G., Ustinov V.V., Conduction and disorder in LaMn03-based materials // J. Phys.: Cond. Matter, v.10, N.28, pp.6301 (1998).
- H. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982), Т.1, с.368
- Бебенин Н.Г., Зайнуллина Р. И., Машкауцан В. В., Гавико B.C., Устинов В. В., Муковский Я. М., Шулятев Д. А. ЖЭТФ Т.117, 6, с. 1181 (2000).
- Chun S.H., Salamon М.В., Han P.D., Hall effect of Ьа2/з (Са, РЬ)1/3МпОз single crystals near the critical temperature // Phys. Rev. В., v.59, N.17, pp.11 155−11 158 (1999).
- Chun S.H., Salamon M.B., Han P.D., Hall effect of Ьа2/з (Са, РЬ)1/зМп03 single crystals //.J.Appl. Phys., v.85, Issue 8, pp.5573−5575 (1999).
- Bebenin N.G., Zainullina R.I., Mashkautsan V.V., Ustinov V.V., Vasiliev V.G., Slobodin B.V., Galvanomagnetic Effects in Ьа2/зВ'1/зМп03 (D — В a, Sr) near Metal-Insulator Transition Point // Phys. Stat. Sol. A., v.175, Issue 2, pp.659−664 (1999).
- Бебенин Н: Г., Зайнуллина P.M., Машкауцан В. В., Устинов В. В., Васильев- В.Г., Слободин Б. В., Кинетические эффекты в Lao.67-xRxSro.33Mn03 (R = Eu, Gd) // ФТТ, Т.43, Вып. З, с.482−488 (2001).
- Papaconstantopoulos D.A., Pickett W.E., Tight-binding coherent potential approximation study of ferromagnetic La2/3Bai/3Mn03 // Phys. Rev. В., v.57, Issue 20, pp. 12 751−12 756 (1998).
- Моллаев А.Ю., Камилов И:К., Арсланов Р. К., Залибеков У.3., Маренкин С. Ф., Новоторцев С. М., Михайлов С. Г. Фазовые превращения в новом ферромагнетике CdixMnxGeAs2. //Сб. трудов- межд. конф. «Физика-2005». 2005. Баку. НАН Азербайджана. С.105−108.
- Новоторцев В.М., Моллаев А. Ю., Камилов И. К., Арсланов Р. К., Залибеков У. З., Маренкин С. Ф., Варнавский С. А. Фазовые превращения в ферромагнитном полупроводнике CdixMnxGeAs2 при давлениях до 5 ГПа. Неорганические материалы, т.42, № 8, с.826−829 (2006).
- Моллаев А.Ю., Камилов И. К., Арсланов P:K., Залибеков У. З., Маренкин С. Ф. Структурные фазовые превращения в новом ферромагнитном полупроводнике CdGeAs2.-Mn. Баку. Fizika. 2007. № 1−2. С. 320.
- Даунов, М.И., Камилов И. К., Арсланов Т. Р., Даунова Д. М. Применение метода- эффективной среды для описания полиморфных переходов в твердом теле при высоком давлении. ФТВД, 16, 1, 81−86 (2006).
- Моллаев А.Ю., Камилов И. К., Арсланов Р. К., Залибеков У. З., Арсланов Т. Р. Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением // ФТВД, т. 19, Jf22. с. 99 (2009).
- Моллаев А.Ю., Камилов И. К., Арсланов Р. К., Арсланов Т. Р., Залибеков У. З. Магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn индуцированное высоким давлением. // Известия РАН. Серия Физическая, т.73, № 7. с. 1048 (2009).
- Моллаев А.Ю., Камилов И. К., Арсланов Р. К., Арсланов Т. Р., Залибеков У. З., Новоторцев В. М., Маренкин С. Ф. Магнетосопротивление в p-InAsи p-CdGeAs2 :Мп, индуцированное высоким давлением //Сб. тр. Междунар. симпозиума ОМА-11. Лоо, (2008), с. 52.
- Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Arslanov T.R., Zalibekov U.Z. About the high pressure induced negative magneto resistivity, found out in the CdixMnxGeAs2 // Abst. XLVIIth EHPRG Conference. Paris. (2009), p.255.
- Khosla B.P., Fischer J.B., Low-Temperature Magnetoresistance in Degenerate n-Type Si //Phys. Rev. B. v.6. pp.4073- 4075 (1972).
- S. J. May, A. J. Blattner, and B. W. Wessels, Negative magnetoresistance in (In, Mn) As semiconductors // Phys. Rev. B, v.70, pp.73 303 4 pages. (2004).
- Камилов И.К. Исследование тепловых и электрических свойств ферромагнитных полупроводников. Кандидатская диссертация, Москва, МГУ, (1964).
- Камилов И.К., Алиев Х. К. Статические критические явления в магнитоупорядоченных кристаллах // Махачкала: ДНЦ РАН. (1993), с. 197.
- Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Arslanov T.R., Zalibekov U.Z., Comprehensive study of high temperature ferromagnetic semiconductor
- Cd0 82Mn0 i8GeAs2 I I Book of Abstracts European Materials Research Society (E-MRS 2009). Warsaw. Poland. (2009), p. 113.
- G.Oomi and N. Mori, Bulk Modulus Anomalies of Fe-Ni and Fe-Pt Invar Alloys // J. Phys. Soc. Jpn. v.50, pp.2917−2923 (1981).
- M.Shiga and Y. Nakamura, Characterization of the phase transition of Invar type alloys by magnetoelasticity // J. Magn. Magn. Mater, v.90−91, pp.733 734 (1990).
- G.P.Renaud and S.G. Steinemann, High temperature elastic constants of fee Fe-Ni invar alloys // Physica B, v.161, pp.75−78 (1989).
- G.P.Renaud and S.G. Steinemann, Thermal disorder and magnetic fluctuations in invar type alloys // Physica В v.149, pp.217−220 (1988).
- V.A.Sidorov and L.G. Kvostantsev, Magnetovolume effects and magnetic transitions in the invar systems Fe65Ni35 and Er2Fe14B at high hydrostatic pressure // J. Magn. Magn. Mater, v.129, pp.356−360 (1994).
- Лобановский JI.C., Новоторцев B.M., Маренкин С. Ф., Трухан В. М., Шёлковая Т. В. Метамагнетизм вблизи Тс в Мп-замещенном халькопирите Cdo.9oMno.ioGeAs2, // Письма в ЖЭТФ, т.89, вып.7, с.391−395 (2009).
- Shiga M., Kusakaba Y., Nakamura Y., Makita K. and Sagawa M., Magnetoelasticity of Nd2Fe14B and Y2Fe14B // Physica B, v.161, pp.206−208 (1989).
- Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Zalibekov U.Z. Phase transition in multicomponent semiconductor Cd|-xMnxGeP2 under hydrostattic pressure up to 7 GPa // High Pressure Research, v.26, № 4, pp.387−390 (2006).
- Моллаев А.Ю., Камилов И. К., Арсланов P.K., Залибеков У. З. Фазовые превращения в ферромагнитном полупроводнике Cdi.xMnxGeP2 при давлении до 5 ГПа. // Неорганические материалы, (2006), т.42, № 8, с. 1−3
- Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Arslanov T.R., Zalibekov U.Z., Spin reorientation transitions in ferromagnetic semiconductors CdixMnxGeP2 and CdixMnxGeAs2 induced at high pressure // Abst. XLVIIth EHPRG Conference. Paris. (2009), p.254.
- Akai H., Kamatani Т., Watanabe S., Electronic structure of diluted magnetic semiconductors and their superlattices // J. Phys. Soc. Jpn, suppl. A., v.69, pp. 119−124 (2000).
- Akai H., Ferromagnetism and Its Stability in the Diluted Magnetic Semiconductor (In, Mn) As // Phys. Rev. Lett., v. 81, pp.3002−3005(1998).
- Zhang S.B., Wie S.H., Zunger A., Stabilization of Ternary Compounds via Ordered Arrays of Defect Pairs // Phys. Rev. Lett., v.78, Issue 21, pp.40 594 062 (1997).
- Zhang S.B., Wie S.H., Zunger A., Katayama-Yoshida H., Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor // Phys. Rev. В., v.57, Issue 16, pp.9642−9656 (1998).