Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов
Диссертация
Значительные достижения технологии МЛЭ были бы невозможны без ДЭВЭО, поскольку этот метод позволяет проводить точную калибровку встраивающихся потоков компонентов по измерению периода осцилляций интенсивности зеркального рефлекса и фиксировать необходимую реконструкцию поверхности при ее подготовке к росту. Тем не менее, уникальные возможности ДЭВЭО не ограничиваются этими двумя обстоятельствами… Читать ещё >
Содержание
- ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
- ГЛАВА 1. Кинетический метод исследования реакций термического и фотохимического разложения ионных кристаллов
- 1. 1. Масс-спектрометрическое исследование процессов фотолиза и термолиза 63 1.1.1. Приготовление образцов
- 1. 2. Термическое и фотохимическое разложение гидрида алюминия
- 1. 2. 1. Фотолиз гидрида алюминия
- 1. 2. 2. Кинетика начальных стадий термического разложения А1Н3. Поверхностная реакция
- 1. 2. 3. Механизм фотохимической реакции в А1Н3. Связь ФХР с фотопроводимостью
- 1. 2. 4. Кинетическая модель фотолиза гидрида алюминия
- 1. 2. 5. Электронный перенос в поверхностной реакции разложения гидрида алюминия
- 1. 3. Начальные стадии фотохимического разложения оксалата серебра
- 1. 3. 1. Предварительные замечания
- 1. 3. 2. Спектральные характеристики ОС
- 1. 3. 3. Механизм электронного возбуждения при фотолизе оксалата серебра
- 1. 3. 4. Кинетика газовыделения СОг 106 1.3.5. Диффузия экситонов в кристалле оксалата серебра
- 2. 1. Техника экспериментов
- 2. 1. 1. Предварительная подготовка образцов
- 2. 1. 2. Экспериментальные методы для исследования состава поверхности
- 2. 1. 3. Техника дифракционного эксперимента
- 2. 2. Получение атомарно чистых поверхностей GaAs и InAs и исследование их свойств методами электронной спектроскопии и ДЭВЭО 124 2.2.1 Исследование поверхности (001) GaAs
- 2. 2. 2. Дифракция от поверхности (OOl)GaAs, обработанной в НС1-ИПС
- 2. 2. 3. Исследование поверхности (111)А и (001) InAs
- 3. 1. Исследование морфологии атомарно-чистых поверхностей (001) GaAs, (001), (111)А InAs
- 3. 1. 1. Грань InAs (lll)A
- 3. 1. 2. Грань InAs (001)
- 3. 1. 3. Грань скола InAs (110)
- 3. 2. Динамическая теория ДЭВЭО. Ширина брэгговских рефлексов
- 3. 3. Резонансное рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs
- 3. 3. 1. Геометрическое рассмотрение резонансов в InAs и простые модели
- 3. 3. 2. Спектры состояний поперечного движения в InAs при плоскостном каналировании
- 3. 3. 3. Сопоставление экспериментальных и рассчитанных параметров спектра состояний
- 3. 3. 4. Систематический ряд отражений
- 3. 3. 5. Захват электрона в связанное состояние поперечного движения
- 3. 4. Осцилляции зеркального рефлекса при эпитаксиальном росте. 199 Краткий обзор моделей осцилляций
- 3. 4. 1. Поверхностный потенциал и коэффициент отражения
- 3. 4. 2. Интерференционная модель осцилляций ЗР
- 4. 1. Адсорбция Ga на As-стабилизированных поверхностях (2×4)-GaAs (001)
- 4. 1. 1. Адсорбция галлия на поверхности (2×4)?
- 4. 1. 2. Адсорбция галлия на поверхности (2×4)а
- 4. 2. Адсорбция индия на поверхности (001) InAs
- 4. 3. Адсорбционные фазы индия на поверхности (111)А InAs
- 5. 2. Эксперимент
- 5. 3. Критика теорий фазового перехода, использующих модель Изинга для поверхности
- 001. GaAs и InAs
- 5. 4. Термодинамическое рассмотрение поверхностных фаз
- 5. 5. Кинетические аспекты в реконструкционных переходах
- 5. 6. Статистические аспекты реконструкционных переходов
- 5. 6. 1. Модель фазового перехода
- 5. 6. 2. Статистистический анализ фазового перехода
- 5. 7. Эпитаксия и фазовый переход
Список литературы
- J.H.Neave, В A Joyce, P.J.Dobson, N.Norton. Dynamics of Film Growth of GaAs by MBE from RHEED observation. //Appl.Phys.A, 1983, v.31, pp. 1−8.
- J.M. Van Hove, C. SEent, P.R.Pukite, P.I.Cohen Damped Oscillations in Reflection High Energy Electron Diffraction during GaAs MBE. // J.Vac.Sci.Technol.B, 1983, v. 1, № 3, p.741−746.
- L.-M.Peng, M. J.Whelan. A General Matrix Representation of the Dynamical Theory of Electron Diffraction. // Proc.R.Soc.Lond.A, 1990, v.431, p. 111−123, p. 125−142.
- P.A.Maksym, J.L.Beeby. A Theory of RHEED. // Surf.Sci., 1981, v. 110, p.423−438.
- S .L.Dudarev, D.D. Vvedensky, M. J.Whelan. Statistical Treatment of Dynamical Electron Diffraction from Growing Surfaces. //Phys.Rev. В 1994. V.50. P. 14 525−14 538.
- RHEED and REM of surfaces. Eds. P. Klarsen, P.J.Dobson, N. Y.:Plenum Press, 1988. 271p.
- J. Zhang, P.J.Dobson, J.H.Neave, B.A.Joyce. Surf.Sci. 1990. V.231. P.379.
- P.J.Dobson, J.H.Neave, B.A.Joyce. Current Understanding and Applications of the RHEED Intensity Oscillation technique.//J.CrystGrowth 1987. V.81. P. 1−8.
- P.R.Pukite, C.S.Lait P.J.Cohen Diffraction from Stepped Surfaces. // Surf ScL 1985. V. 161. P.39−68.
- P.J.Cohen, G.S.Petrich, P. RPukite, G.J.Whaley, A.S.Airot. Birth-Death Models of Epitaxy (Diffraction Oscillations from Low Index Surfaces) // Surf.Sci. 1989. V.216. P.222−248.
- P.J.Cohen, P.R.Pukite, S.Batra. Thin Film Growth Techniques for Low Dimensional Structures. Ed. R.F.Fairow. N.Y.:Plenum Press, 1988. P.69.
- J.H.Neave, J. Zhang, P.J.Dobson, B.A.Joyce. RHEED Oscillations from Vicinal Surfaces a New Approach to Surface Diffusion Measurements. //Appl.Phys.Lett. 1985. V.47. P.100−102.
- P.I.Cohen, P.R.Pukite, J.M.Van Hove, C.S.Lent. RHEED Studies of Epitaxial Growth on Semiconductor Surfaces. //J. Vac. Sci. Technol. 1987. V.81. P. 1251−1257.
- T.Shitara, T.Nishinaga. Surface Diffusion Length of Gallium During MBE Growth on the Various Misoriented GaAs (OOl) Substrates. //Jap. J.Appl.Phys. 1988. V.28 P. 1212−1216.
- T.Nishinaga, T. Shitara, K. Mochizuki, K.I.Cho. Surface Diffusion and Related Phenomena in MBE Growth of Ш-V Compounds. // J.CiystGrowth. 1990. V.99 P.482−490.
- T.Shitara, E. Kondo, T.Nishinaga. RHEED Oscillations and Surface diffusion Length on GaAs (lll)B Surface. //J. Cryst. Growth. 1990. V.99P.530−534.
- T.Nishinaga, K.Miwa. Theoretical Study of Step Edge Supersaturation and Its As/Ga Flux Dependence in Molecular Beam Epitaxy of GaAs on Vicinal Surfaces // J. CrystGrowth 1995 v.146. P. 177−182.
- D.Walton. Nucleation of vapor deposits // J. Chem. Phys. 1962. V.37. P.2182−2188.
- D.Walton. Orientation of vapor deposits // Philos. Mag. 1962 V.7. P. 1671−1679.
- T.N.Rahodin. Nucleatin and growth of solid surfaces. Theory and application. // Uses of Thin Films in Physical Investigations. Ed.: J.C.Anderson. Academic Press Inc. London. 1966. 187p.
- B.Lewis, D.S.Cambell. Nucleation and initial growth behavior of thin films deposits. // J. Vac. Sci. Technol. 1967. V.4. P.209−218.
- G.Zeintsmeister. Theory of thin film condensation Pt. Aggregate size distribution in island film. // Thin Solid Films. 1969. V.4. P.363−386.
- B.Lewis, J.C.Anderson. Nucleation and growth of thin films //N. Y. Academic Press, 1978.504p.
- G.Zeintsmeister. Theory of thin film condensation. Solution of simplified condensation. // Thin Solid Films. 1968. V.2. P.497−507.
- S.Stoyanov, D.Kashiev. Thin film nucleation and growth theory: a confrontation with experiment. // Curr. Top. in Mater. Sci. 1981. V.7. P.69−141.
- ЛА.Боровинский, Т. И. Круглова, Н. П. Самолюк К атомистической теории образования зародышей на активных центрах подложки. // Сб. Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. Наука. Новосибирск 1981. С.5−8.
- J.A.Venables, G.D. Spiller, M.Hanbuckrn. Nucleation and growth of thin films. // Rep. Progr. Phys. 1984. V.47. P.399−459.
- S.Stoyanov. On the interpretation of the RHEED intensity oscillations during the growth of vicinal faces. // Applied Physics. 1990. V.50. P.349.
- A.K.Myers-Beaghton, D.D.Vvedensky. Nonequilibrium Lattice Modes of Epitaxial Growth // Surf. Sci. 1990. V.232. P. 161−184.
- A.K.Myers-Beaghton, D.D.Vvedensky. Nonlinear Model for Temporal Evolution of Stepped Surfaces During MBE //Phys.Rev. 1990. V. B42 P.9720−9723.
- A.K.Myers-Beaghton, D.D.Vvedensky. Nonleniar Diffusion Equation for Crystal Growth on Stepped Surfaces. //J. Phys. A 1990. V.23. P. L995−1001.
- A.K.Myers-Beaghton, D.D.Vvedensky. Nonleniar Equation for Diffusion and Adatom Interactions During Epitaxial Growth. // Phys. Rev. В 1990. V.42. P.5544−5554.
- D.D.Vvedensky, S. Clark, KJ. Hugill, M. RWilby, T.Kawamura. Growth Kinetics on Vicinal Surfaces. //J. Cryst. Growth. 1990. V.99. P.54−59.
- A.K.Myers-Beaghton, D.D.Vvedensky. Generalised Burton-Cabrera-Frank Theory for Growth and Equilibration on Stepped Surfaces. // Phys. Rev. A 1991. V.44. P.2457−2468.
- W.K.Burton, N. Cabrera, F.C.Frank. The Growth of Crystals and The Equilibrium Structure of their Surface //Philos. Trans. R. Soc. ser. A 1951. V.243. P.299−358.
- В. A Joyce, N. Ohtani, S.M.Mokler, T. Shitara, J. Zhang, J.H.Neave, P.N.Fawcett. Applications of RHEED to the Study of Growth Dynamics and Surface Chemistry During MBE. // Surf. Sci. 1993. V.298. P.399−407.
- J.C. Garcia, CNeri, J.Massies. A Comparative Study of the Interaction Kinetics of As2 and As4 molecules with Ga-rich GaAs (001) Surfaces. // J. Ciyst. Growth. 1989. V.98. P.511−518.
- C.T.Foxon, B. A Joyce. Interaction Kinetics of As4 and Ga on {100} GaAs Surfaces Using a Modulated Molecular Beam Technique // Surf.Sci. 1975. v.50. P.434−450.
- Молекулярно-лучевая эпигакеия и гетероструюуры. Перевод с англ. под ред. ЖЛ Алферова. М.:Мир, 1989. cip.48.
- J.D. Weeks, G.H.Gilmer, KAJackson. Analitical Theory of Crystal Growth // J. Chem. Phys. 1976. V.65. P.712−716.
- S.Clarke, D.D.Vvedensky. Origin of Reflection High-Energy Electron Diffraction Intensity Oscillation During Molecular-Beam Epitaxy: A Computational Modelling Approach // Phys. Rev. Lett. 1987. V.58. P.2235−2238.
- S.Clarke, D.D.Vvedensky. Growth Kinetics and Step Density in Reflection High-Energy Electron Diffraction During Molecular-Beam Epitaxy // J. AppL Phys. 1988. V.63. P2272−2283.
- S.Clarke, D.D.Vvedensky, M.W. Ricketts. // J. Cryst. Growth. 1989. V.95. P.28.
- B. A. Joyce. The Evaluation of Growth Dynamics in MBE Using Electron Diffraction. // J. Cryst. Growth. 1990. V.99. P.9−17.
- Ch.Hein, M.Harsdorff. Simulation of GaAs Growth and Surface Recovery With Respect to Gallium and Arsenic Surface Kinetics //Phys. Rev. В 1997. V.55. P.7034−7038.
- Ch.Hein, M.Harsdorff. J. Cryst. Growth. 1995. V.150. P. 117.
- Ch.Hein, T. Franke, RAuton, M.Harsdorff. Correlation Between Island Formation Kinetics, Surface Roughening and RHEED Oscillation Damping During GaAs Homoepitaxy. // Phys. Rev. В 1997. V.56 P. 13 483−13 489.
- B.F.Lewis, F J. Grunthaner, A. Madhukar, T.C.Lee, R.Fernandes. RHEED Intensity Behavior During Homoepitexial MBE Growth of GaAs and Implication for Growth Kinetics and Mechanisms. //J. Vac. Sci. Technol. В 1985. V.3. P. 1317−1322.
- T.C.Lee, M.Y.Yen, P. Chen, A.Madhukar. Kinetic processes in MBE of GaAs (001) and AlAs (001) Examined via Static and Dynamic Behavior of RHEED Intensities. // J. Vac. Sci. Technol. A 1986. V.4. P.884−888.
- A.Madhukar, T.C.Lee, M.Y.Yen, P. Chen, J.Y.Kim, S.V.Ghaisas, P.G. Newman. Appl. Phys. Lett. 1985. V.46, P. 1148.
- J.Y.Kim, D. Bassi, L. Jostad. RHEED Dynamics Study of GaAs, AlAs, Alo.5Gao.5As Layer
- Growth under As4 and/or As2 Molecular Beam Secies. //Appl. Phys. Lett 1990. V.57. p.2107−2109.
- B.F.Lewis, R. Fernandez, AMadhukar, F.J.Grunthaner. Arsenic-indused Intensity Oscillation in RHEED Measurements. //J. Vac. Sci. Technol. B 1986. V.4. P.560−563.
- A.R. Avery, H.T.Dobbs, D.M.Holmes, B.A.Joyce, D.D.Vvedensky. Nucleation and Growth of Islands on GaAs Surfaces. //Phys. Rev. Lett. 1997 V.79. P.3938−3941.
- B.AJoyce, D.D.Vvedensky, A.R.Avety, J. GBelk, H.T.Dobbs, T.S.Jones. Nucleation Mechanisms During MBE Growth of Lattice-matched and Strained III-V Compound Films. // Appl. Surf. Sci. 1998 V. 130−132. P.357−366.
- M.Itoh, G.R.Bell, A. RAvery, T.S.Jones, B.A.Joyce, D.D.Vvedensky. Island Nucleation and Growth on Reconstructed (001) GaAs Surfaces. // Phys. Rev. Lett. 1998. V.81. P.633−636.
- A.Kley, P. Ruggerone, M.Scheflfler. Novell Diffusion Mechanism on the GaAs (001) Surface: The Role of Adatom-Dimer Interaction. //Phys. Rev. Lett. 1997. V.79. P.5278−5281.
- P.Kratzer, C.G.Morgan, M.ScheflQer. Model for nucleation in GaAs Homoepitaxy Derived from First Principles. // Phys. Rev. B 1999. V.59. P. 15 246−15 252.
- G.R.Bell, M. Itoh, T.S.Jones, B.A.Joyce. Nanoscale Effects of Arsenic Kinetics on GaAs (001)-(2X4) Homorpitaxy. // Surf. Sci. 1999. V.423. L.280−284.
- B.A.Joyce, D.D.Vvedensky, T.S.Jones, M. Itoh, G.R.Bell, J.G.Belk. In situ Studies of m-V Semiconductor Film Growth by MBE. // J. Ciyst. Growth 1999 V.201/202. P. 106−112.
- H.Yang, V.P.Labella, D.W.Bullock, Z. Ding, J.B.Smathers, P.M.Thibaldo. Activation Energy for Ga Diffusion on the GaAs (001)-(2X4) Surface MBE-STM Study. // J. Cryst. Growth 1999. V.201/202. P.88−92.
- P.A.Thiel, J.W.Evans. Nucleation, Growth and Relaxation of Thin Films: Metal (001) Homoepitaxial Systems. // J. Phys. Chem. B 2000 V. 104. P. 1663−1676.
- E.S.Tok, J.H.Neave, F.E.Allegretti, J. Zhang, T.S.Jones, B.A.Joyce. Incorporation Kinetics of As2 and As4 on GaAs (110). // Surf. Sci. 1997. V. 371. P.277−288.
- E.S.Tok, J.H.Neave, J. Zhang, T.S.Jones, B.A.Joyce. Arsenic Incorporation Kinetics in GaAs (001) Homoepitaxy Revisited. // Surf. Sci. 1997. V. 374. P.397−405.
- J. Y. Tsao, T.M.Brennan, B.E.Hammons. Oscillatory As4 Surface Reaction Rates During MBE of
- AlAs, GaAs, InAs. //J. Ciyst. Growth. 1991. V.lll. P. 125−130.
- J.Y.Tsao, T.M.Brennan, J.F.Klem, B.E.Hammons. Surface Stochiometry Dependance of As2 Desorption and As4 Reflection from GaAs (001). //J. Vac. ScL Techno! A1989. V.7. P.2138−2142.
- T.M.Brennan, J.Y.Tsao, B.E.Hammons. Reactive sticking of As2 During MBE of GaAs, AlAs, InAs. // J. Vac. Sci. Technol. A 1992. V. 10. P.33−45.
- C.Sasaoka, Y. Kato, A.Usui. Anomalous As2 Desorption from InAs (001)-(2X4). // Appl. Phys. Lett. 1993. V.62. P.2338−2340.
- С.Ю.Карпов, М. А. Майоров. Кинетическая модель роста GaAs (001) из молекулярных пучков. Письма ЖТФ 1997. Т.23. С. 64−71.
- S.Yu.Karpov, MA.Maiorov. Analysis of V-Group Molecules Sticking to Ш-V Compound Surfaces. // Surf. Sci. 1995. V.344. PI 1−22.
- Хирш П., Хови А., Николсон P., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. — 574 с.
- Каули Дж.М. Физика дифракции. М: Мир, 1979 — 431 с.
- Кулешов В.Ф., Кухаренко Ю. А., Фридрихов С. А., Запорожченко В. И., Раховский В. И., Наумовец А. Г., Городецкий А. Е. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. Сб. статей под ред. Рамбиди Н. Г. — М.:Наука, 1985 — 288 с.
- Spence J.S.H., Zuo J.M. / Electron Microdifraction. N. Y.: Plenum Press, 1992.
- Estrup P.J., McRae E.G. Surface studies by electron diffraction. Surf.Sci., 1971, v.25, p.1−52.
- Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.560 с.
- Larsen Р.К., Dobson P.J., Neave.J.H., Joyce B.A., Bolger В., Zhang J. Dynamic effects in RHEED from MBE Grown GaAs (OOl) Surfaces. Surf.Sci., 1986, v. 169, p. 176−196.
- T.Hsu, G.Yehmfiil. Streaking of Reflection High Energy Electron Diffraction Spots as a Result of Refraction on Curved Specimen Surface. //Ultramicroscopy 1989. V.27. P.359−366.
- Gajdardziska-Jousifovska M., Cowley J.M. Brillouin Zones and Kikuchi Lines for Crystals Under Electron Channeling Conditions. Acta Ciyst., 1991, v. A47, p.74−82.
- S.Miyake. A Note on Diffuse Patterns in Electron Diffraction from Single Crystals. // J. Phys. Soc. Jap. 1962. V.17. P. 1642−1646.
- S.Miyake, K. Hayakawa, T. Kawamura, Y.Ohtsuki. The Nature of Kikuchi Lines in the Bragg Case in RHEED. // Acta Cryst. A 1975. V.31. P.33−39.
- J.F.Menadue. Si (111) Surface Structures by Glancing HEED. //Acta Cryst A1972. V28. P. 1−11.
- R.Colella. N-Beam Dynamical Diffraction of High Electron at Glancing Incidence. General Theory and Computational Method. //Acta Cryst. A 1972. V.28. P. 11−15.
- R.Collela, J.E.Menadue. Comparison of Experimental and n-Beam Calculated Intensities for
- Glancing Incidence HEED. // Acta Ciyst. A 1972. V.28. P. 16−21.
- K.Britz and G. Meyer-Ehmsen. High Energy Electron Diffraction at Si (OOl) Surface. Surf.Sci., 1978, v.77, pp. 131−141.
- Dudarev S.L., Whelan M.J. Resonance Scattering of High Energy Electrons by a Crystal Surface. IntemJ. Modem Phys. B, 1996, v. 10, № 2, pp. 133−168.
- L.M.Peng, S.L.Dudarev. Tensor Theories of RHEED and their Use in Surface Crystallography. // Surf. Sci. 1993. V.298. P.316−330.
- S.Nagano. Theory of RHEED. // Phys. Rev. B 1990. V.42. P.7363−7369.
- F.N.Chukhovskii, V.L.Vergasov. Physical and Mathematical Foundations of Multiwave Electron Diffraction. // Acta Ciyst. A 1990. V.46. P. 153−165.
- L.M.Peng, J.M.Cowley. A Multislice Approach to the RHEED and REM Calculation. // Surf. Sci. 1988. V. 199. P.609−622.
- Y.Ma, L.D.Marks. Bloch-Wave Solution in die Bragg Case. // Acta Cryst. A 1989. V.45. P. 174−182.
- L.M.Peng, M.J.Whelan. Surface Superlattice Reflections and Kinematical Approximation in RHEED. // Acta Cryst. A 1991. V.47. P.95.
- G.Meyer-Ehmsen. Surf. Sci. 1989. V.219.
- Z.Mitura, M. Jalochowski, M.Subotowiz. Computer Study of the Influence of Thermal Vibrations on the RHEED Intensity. // Phys. Lett. A 1990. V. 150. P.51−52.
- Z.Mitura, M.Jalochowski. RHEED Intensity Calculations for Au (001) on Ag (001) Substrate. // Surf. Sci. 1989. P.247−258.
- A.Ichemiya. Many-Beam Calculation of RHEED Intensity by the Multi-Slice Method. // Jap. J. Appl. Phys. 1983. V.22. P.176−180.
- Y.Horio, A.Ichimiya. RHEED Intensity Analysis of Si (lll)-(7X7) Surfaces. // Surf. Sci. 1983. V.133. P.393−400.
- A.Ichimiya, S.Mizuno. // RHEED Intensity Analysis of Si (lll)-(7X7)-H Surfaces. // Surf. Sci. 1987. V.191. P. L765-L771.
- A.Ichemiya. RHEED Intensity Analysis of Si (l 11)-(7X7) at One-Beam Condition. // Surf. Sci. 1987. V. 192. P. L893−898.
- AJchimiya. Bethe’s Correction Method for Dynamical Calculation of RHEED from General Surfaces. //Acta Cryst. A 1988. V.44. P. 1042−1044.
- AJchimiya. Numerical Convergence of Dynamical Calculations of RHEED. // Surf. Sci. 1990. V.235. P.75−83.
- A.E.Smith, D.F.Linch. Acta.Qyst. A 1988. V.44. P.780.
- A.E.Smith, G. Lehmpfuhl, Uchida. Ultramicroscopy 1992. V.41. P.367−373.
- T.S.Zhao, H.C.Poon, S.Y.Tong. Invariant-Embedding R-matrix Scheme for Reflection High-Energy Electron Diffraction. // Phys.Rev.B, 1988. V.38, № 2, P. 1172−1182.
- Zhao T.S., Tong S.Y. R-matrix method for calculating wave functions in reflection high-energy electron diffraction. //Phys.Rev.B, 1993, V.47, № 7, P.3923−3928.
- L.-M.Peng, J.M.Cowley. Dynamical Diffraction Calculation for RHEED and REM // Acta Crystallogr. A 1986. V.42. P.545−552.
- Z.L.Wang. Philos.Mag. 1989. V.60. P.617.
- Y.Ma, L.D.Marks, Acta Ciystallogr. A 1990. V.46. P. 11.
- Y.Ma, L.D.Marks, Acta Crystallogr. A 1991. V.47 P.707.lll.S.Lordi, Y. Ma, J.A.Eades. Ultramicroscopy 1994. V.55 P.284.
- S.Miyake, K. Kohra, M.Takagi. Acta Crystallogr. 1954. V.7. P.393.
- K.Kohra, K. Molliere, S. Nakano, M.Ariyama. -J.Phys.Soc.Jpn. suppl. B-II, 1962. P.82.
- Miyake S., Hayakawa K. Resonance Effects in Low and High Energy Electron Diffraction by Crystals. //Acta Crystallogr. A, 1970, V.26, P.60−70.
- AJchimiya, G.Lehmpfuhl. Axial Channeling and Electron Diffraction // Z. Naturforsch. 1978. V.33aP.269−281.
- Uchida Y., Lehmpfuhl G., J.Jager. Ultramicroscopy, 1984, v. 15, p. 119.
- Hsu T., Peng L.-M. Experimental studies of atomic step contrast in reflection electron microscopy (REM). //Ultramicroscopy, 1987, v.22, p.217−224.
- HMarten, G. Meyer-Emsen. Effect of RHEED Resonances on Secondary and Auger Electron Emission of Pt (l 11). // Acta Cryst. A 1988. V.44. P.853−857.
- P.Lu, J. Liu, J.M.Cowley. Theoretical and Experimental Studies of Electron Resonance Effects in RHEED. // Acta Cryst. A 1991. V.47. P.317−327.
- Peng L.-M., Cowley J.M. Geometric Analysis of Surface Resonance Conditions in Reflection High Energy Electron Diffraction. // J. Electron Microscopy Technique, 1987, v.6, pp.43−53.
- Peng L.-M., Cowley J.M. Experimental Study of Surface Resonance Scattering Processes in RHEED. // Surf.Sci., 1988, v.201, pp.559−572.
- Peng L.-M., Cowley J.M., Yao N. The Observation of Surface Resonance Effects in RHEED Patterns. //Ultramicroscopy, 1988, v.26, pp. 189−194.
- Wang Z.L., Liu J., Ping Lu, Cowley J.M. Electron Resonance Reflections from Perfect Crystal
- Surfaces and Surface with Steps. // Ultramicroscopy, 1989, v.21, p. 101−112.
- Yao N., Cowley J.M. The Parabolas and Circles in RHEED Patterns. // Ultramicroscopy, 1989, v.31, p. 149−157.
- Cowley J.M. Imaging and analysis of surfaces with high spatial resolution. // J.Vac.Sci. Technol. A, 1989, v.7, № 4, p.2823−2828.
- Yao N., Cowley J.M. Electron Difraction Conditions and Surface Imaging in Reflection Electron Microscopy. // Ultramicroscopy, 1990, v.33, p.237−254.
- Lehmpfuhl G., Dowell W.C.T. Convergent-Beam Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED) Observations from an Si (l 11) Surface. // Acta Crist., 1986, v. A42, p.569−577.
- Smith E., Lehmpfuhl G., Uchida Y. A comparison between experimental and calculated convergent beam RHEED patterns from the Pt (l 11) surface. // Utramicroscopy, 1992, v.41, p.367−373.
- James R., Bird D.M., Wright A.G. Smooth Parabolas in Transmission Electron Diffraction Patterns. // Acta Cryst., 1994, v. A50, p.357−366.
- S.W.Bonham, C.P.Flynn. Resonant RHEED Study of Cu2Au (111) Surface Order. // Surf. Sci.1996. V.366. P. L760-L764. 133. Ландау Д Д., Лифшиц EM Квантовая механика -3-е изд., перераб. и доп. М. Наука, 1974 633с.
- Hayakawa К., Miyake S. Acta Cryst. А, 1974, v.30, р374.
- Marten Н., Meyer-Ehmsen G. Resonance Effects in RHEED from Pt (lll). // Surf.Sci., 1985, v. 151, p.570−584.
- Peng L.-M. Bloch wave origin of surface resonance scattering in RHEED. // Surf.Sci., 1994, v.316, L1049-L1054.
- Bleloch A.L., Howie A., Milne R.H., Walls M.G. Elastic and Inelastic Scattering Effects in Reflection Electron Microscopy. // Ultramicroscopy, 1989, v.29, p. 175−182.
- О.В.Крылов, М. У. Кислюк, Б. Р. Шуб. Константы скорости элементарных гетерогенно-каталитических процессов. // Кинетика и катализ. 1972. Т. 13. С.598−610.
- В.ШКданов, ЯНавличек, 31Снор. Нормальные предакспоненциальные факторы дли элементарных физико-химическихщюцессов mповерхности. //Поверхность 1986. Т. 10. с.41−46.
- G.A.Somorjai, R.C.Baetzold. Preexponential Factors in Surface Reaction. // J. Catalysis. 1976. V.45. P.94−105.141 .В.ИЖданов. Элементарные физико-химические процессы // Наука, Новосибирск 1988.318с.
- H.Ibach, W. Erley, Н. Wagner. The preexponential Factor in Desorption CO on Ni (111). // Surf. Sci. 1980. V.92. P.29−42.
- H.Pfnur, P. Feulner, D.Menzel. Desorption Kinetics and Equilibrium: CO on Ru (001). // J. Chem. Phys. 1983. V.79. P.4613−4623.
- W.H.Weinberg, J. Taylor, D.E.Ibbotson. The Chemisorption of CO on Clean and Oxidized Ir (110). //J. Chem. Phys. 1978. V.69. P.4298−4310.
- G.ErU, KChristmann, RJ.Madix. Preexponential Factors for Hydrogen Desorption from Single Crystal Metal Surfaces. // Chem. Phys. Lett. 1979. V.62. P.38−41.
- J.K.Norskov, P.Stoltze. Theoretical Aspects of Surface Reactions. // Surf. Sci. 1987. V. 189/190. P.91−105.1. Глава 1.
- Галицын Ю.Г., Михайлов Ю. И., Пошевнев В. И., Болдырев B.B. Фотопроводимость поликристаллического гидрида алюминия. Изв. АН СССР Неорганич. материалы, т. 15, N1,1979, с.68−71.
- Михайлов ЮЛ, Галицын Ю. Г., Хайретдинов Э. Ф., Пошевнев В. И., Темновая электропровод -ность гидрида алюминия. Изв. АН СССР Неорганич. материалы, 1979, т. 15, N1, с72−75.
- Михайлов Ю.И., Галицын Ю. Г., Пошевнев В. И., Болдырев В. В. Масс-спектрометричес-кое исследование фотолиза гидрида алюминия. Кинетика и катализ 1979, т.20, в.2, с.330−333.
- Михайлов Ю.И., Галицын Ю. Г., Болдырев В. В. Термо-э.д.с. гидрида алюминия. Изв. АН СССР Неорганич. материалы, 1979, т. 15, N1, с161−163.
- Галицын Ю.Г., Михайлов Ю. И., Хайретдинов Э. Ф., Болдырев В. В. Вольтамперные и релаксационные характеристики темновой проводимости А1Н3. Изв. АН СССР Неорганич. материалы, 1976, т. 12, N12, с2146−2150.
- Михайлов Ю.И., Галицын Ю. Г., Болдырев В. В., Пименов Ю. Д., Центры окраски при фотолизе А1Н3. Оптика и спектроскопия, 1975, т.39, с.1136−1139.
- Михайлов Ю.И., Галицын Ю. Г., Болдырев В. В. Влияние предварительного УФ-облучения на термолиз гидрида алюминия. Кинетика и катализ, т. 17, 1976, с.608−612.
- Галицын Ю.Г., Михайлов Ю. И., Пошевнев В. И., Митрофанова Р. П., Болдырев В. В. Механизм фотохимического распада гидрида алюминия. 2-е Всесоюзн совещание по воздействию ионизирующего излучения на гетерогенные системы, тез. докл., Кемерово, 1979, с. 102.
- Галицын Ю.Г., Пошевнев В. И., Гаврилов Е. Ф., Михайлов Ю. И., Роль ионных и электронных дуфукгов в термолизе гидрида алюминия. 3-е Всесоюзн. совещание по химии твердого тола. Тез. докл. т.2,1981, с. 62, Свердловск.
- Галицын Ю.Г., Пошевнев В. И., Фотохимический распад А1Н3. 6-е Всес. совещание по фотохимии. Тез. докл. Ленинград, 1981, с. 88.
- Галицын Ю.Г., Пошевнев В. И., Механизм поверхностной реакции при термическом и фотохимическом распаде гидрида алюминия. Всесоюзн. совещание по кинетике и механизму химических реакций в твердой фазе. Тез.докл. Кемерово, 1981, с.50−51.
- Пошевнев В.И., Галицын Ю. Г., Электронный перенос в поверхностной реакции разложения А1Н3. 8-е Всесоюзн. совещание по кинетике и механизму реакций в твердом теле. Тез. докл., Черноголовка, 1982, с.59−60.
- Galitsyn Yu.G., Poshevnev V.l., Surface Reaction of A1H3 thermal decomposition. 10th Intl. Symp. Reactivity of Solids, Dijon, 1984, p. 185.
- Mikhailov Yu.I., Boldyrev V.V., Galitsyn Yu.G., Aluminium Hydrid Photographic Process// Photographic Science and Engeniring, 1984, v.28, p.28−34.
- Пошевнев В.И., Галицын Ю. Г., Михайлов Ю. И., Болдырев В. В. Кинетика газовыделения водорода при термолизе гидрида алюминия. ДАН, 1981, т.256, N4, с.904−907.
- Михайлов Ю.И., Галицын Ю. Г., Болдырев В. В. Фотопроводимость и тип носителей тока в А1Н3. Изв. АН СССР Неорганич. материалы, 1977, т. 13, N5, с.830−832.
- Пошевнев В.И., Галицын Ю. Г., Болдырев В. В. Электронный перенос в поверхностной реакции разложения А1Н3. ДАН, 1984, т.274, N5, с. 1135−1139.
- Галицын Ю.Г., Пошевнев В. И., Михайлов Ю. И., Масс-спекгрометрическое исследование фотолиза оксалата серебра на ранних стадиях. Изв. СО АН СССР, сер. хим. наук, 1982, N7, в. З, с.32−37.
- Хайретдинов Э.Ф., Галицын Ю. Г., Иост Г., Иедамциг Ю., Термолиз и фотолиз механоактивированного Ag2C204. Журн. физ. химии, 1981, т.55, N7, с. 1661.
- Хайретдинов Э.Ф., Галицын ЮГ., Иост Г., Влияние механической обработай на последующее термическое разложение Ag2C204. Изв. СО АН СССР сер. хим. 1979, N14, в.6, с.50−55.
- Бросалин А.Б., Галицын Ю. Г., Михайлов Ю. И., Болдырев В. В. Кинетика выделения водорода при фотолизе гидрида лития. ДАН, 1981, т.258, N2, с.373−376.
- Пошевнев В.И., Злобинский В. А., Галицын Ю. Г., Михайлов Ю. И., Кинетическая модель фотолиза гидрида алюминия. Изв. СО АН СССР сер. хим., 1982, N1, с.29−33.
- В.В.Болдырев, В. И. Ерошкин, ЮА.Захаров. Влияние добавок кадмия и ртути на скорость термического разложения оксалата серебра. // Изв.ВУЗов. Химия и хим.технол. 1960. Т.З. № 1. С.33−35.
- F.M.Brower, XE. Maizek P.KReigler, H.W.Riim, C. BJloberts, DL. Schmidt, JASnover, K/ferada. Preparation and Properties of Aluminium Hydride. //J. Amer. Chem. Soc. 1976. V.98. P2450−2453.
- J.W.Turley, H.W.Rinn. The Crystal Structure of Aluninium Hydride. // Inorg. Chem. 1969. V.8. P. 18−22.26.