Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия

Диссертация: Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В настоящее время более перспективными считаются эпитаксиальные слои тройного раствора на гетероподложках. Основными методами выращивания эпитаксиальных слоев CdxHg|.xTe в настоящее время являются жидкофазная (ЖФЭ), молекулярно-лучевая (МЛЭ) эпитаксия и химическое осаждение из паров металлоорганических соединений (MOCVD). В методе ЖФЭ высокие температуры роста создают большие трудности… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Получение эпитаксиальных слоев CdxHgixTe MOCVD-методом для ИК-фотоприёмных устройств, литературный обзор)
    • 1. 1. Физико-химические свойства теллуридов Cd, Hg и Zn
    • 1. 2. Основные методы получения эпитаксиальных слоев CdxHgixTe
    • 1. 3. Подложки для осаждения CdxHgi. xTe
    • 1. 4. MOCVD-метод получения эпитаксиальных слоёв CdxHgixTe
      • 1. 4. 1. Общая характеристика метода
      • 1. 4. 2. Осаждение на подложках из GaAs
    • 1. 5. Современные приборы на основе CdxHgi. xTe
    • 1. 6. Постановка цели и задач исследований
  • Глава 2. Выращивание буферных слоёв ZnTe и CdTe на подложках из арсенида галлия методом химического осаждения из паров алкильных соединений кадмия, цинка и теллура
    • 2. 1. Аппаратура и методика эксперимента
    • 2. 2. Исследование термораспада ДИПТ
    • 2. 3. Осаждение буферных слоёв ZnTe на подложках из GaAs
      • 2. 3. 1. Зависимость скорости роста, кристаллического совершенства и морфологии поверхности эпитаксиальных слоёв ZnTe от температуры подложки
      • 2. 3. 2. Модель осаждения ZnTe из паров ДЭТ и ДЭЦ. 56 ^ 2.4. Осаждение эпитаксиальных слоёв CdTe на подложках из GaAs
      • 2. 4. 1. Влияние толщины прослойки ZnTe/GaAs на свойства эпитаксиальных слоёв CdTe кристаллографических ориентаций (100) и (lll)B
      • 2. 4. 2. Выращивание и свойства гетероструктур CdTe/GaAs (111)В и CdTe/ZnTe/GaAs (100)
  • Глава 3. Осаждение эпитаксиальных слоев Cd (yZnyTe на подложках из арсенида галлия кристаллографических ориентации (100) и (111)В
    • 3. 1. Влияние условий осаждения на скорость роста, морфологию поверхности, структурное совершенство и состав CdiyZnyTe
    • 3. 2. Осаждение гетероструктур CdiyZnyTe/CdTe/ZnTe/GaAs
    • 3. 3. Механизм роста эпитаксиальных слоев CdiyZnyTe
    • 3. 4. Сравнительная характеристика буферных слоев CdTe/GaAs (l 11) В, CdTe/ZnTe/GaAs (100) и
  • Cd,.yZnyTe/CdTe/ZnTe/GaAs (100)
  • Глава 4. Осаждение тройного раствора CdxHgixTe чередованием тонких слоев HgTe и CdTe на подложках из GaAs
    • 4. 1. Методика проведения эксперимента
    • 4. 2. Выбор буферного слоя и реагентов для послойного роста КРТ
    • 4. 3. Осаждение эпитаксиальных слоёв HgTe в условиях роста КРТ
    • 4. 4. Осаждение эпитаксиальных слоёв CdTe в условиях роста КРТ
    • 4. 5. Осаждение гетероструктур CdTe/CdxHgixTe/CdTe/GaAs (111)В из паров Cd (CH3)2, Te (i-C3H7)2 и Hg
    • 4. 6. Определение толщины и состава эпитаксиальных слоёв CdxHgixTe
    • 4. 7. Измерение электрофизических параметров эпитаксиальных слоев CdxHgixTe
    • 4. 8. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические свойства гетероструктур CdTe/CdxI IgixTe/CdTe/GaAs (111)В
    • 4. 9. Матричное фотоприёмное устройство для спектрального диапазона 3-ь5 мкм на основе гетероструктуры p-Cdo, 27Hgo, 73Te, полученной MOCVD-методом
  • Выводы

Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Л ?

Одним из важнейших представителей группы соединений, А В является тройной раствор CdxIIgixTe (KPT). В настоящее время это основной материал для изготовления высокочувствительных и быстродействующих фотоприёмников для среднего (3−5 мкм) и дальнего (8−14 мкм) окон прозрачности атмосферы в ИК-области.

Благодаря образованию системой CdTe-HgTe непрерывного ряда твердых растворов с шириной запрещённой зоны КРТ от -0,3 эВ (х=0) до 1,6 эВ (х=1) состав тройного раствора может быть оптимизирован для использования в диапазоне длин волн от 1 до 30 мкм.

Начиная с первого сообщения о синтезе тройного раствора в конце 1950;х годов [1] основным методом получения CdxHgjxTe для изготовления фотодетекторов было выращивание объёмных кристаллов из жидкой фазы. Такой материал имеет высокие однородность состава и кристаллическое совершенство, низкую концентрацию, высокие подвижность и время жизни носителей заряда. Однако методу присущи недостатки — блочность, малый выход годного материала при резке на пластины и трудность получения больших монокристаллов, необходимых для изготовления современных многоэлементных ИК-фотоприемников.

В настоящее время более перспективными считаются эпитаксиальные слои тройного раствора на гетероподложках. Основными методами выращивания эпитаксиальных слоев CdxHg|.xTe в настоящее время являются жидкофазная (ЖФЭ), молекулярно-лучевая (МЛЭ) эпитаксия и химическое осаждение из паров металлоорганических соединений (MOCVD). В методе ЖФЭ высокие температуры роста создают большие трудности с получением резких гетерограниц и многослойных структур, имеются ограничения при выборе материала подложек. Характерным недостатком ЖФЭ являются также частые случаи террасной морфологии поверхности слоев.

Достоинствами газофазных методов — МЛЭ и метода химического осаждения из паров МОС являются низкая температура роста и возможность выращивания слоев на гетероподложках большой площади (кремний, арсенид галлия, лейкосапфир), а также совмещение в одном цикле нескольких операций. MOCVD-метод уступает МЛЭ в широте применяемых методов контроля и исследования свойств слоев во время осаждения, но в то же время более производителен и использует менее сложное оборудование.

Первоначально рост CdxHgixTe осуществляли осаждением одновременно трех компонентов из газовой фазы (DAG-метод — direct alloys growth). Однако область температуры и соотношения концентраций МОС, в которой может расти сплав CdxHgj. xTe, очень узка. За пределами этой области растет либо CdTe, либо HgTe. В результате при их соосаждении может иметь место значительная неоднородность состава растущего слоя [2].

Контроль состава легче осуществлять при осаждении КРТ послойным методом — IMP (interdiffussed multilayers process), предложенным в 1984 году [3], когда получают многослойную структуру из чередующихся слоев CdTe и IlgTe с последующей гомогенизацией структуры за счет взаимной диффузии компонентов. При этом условия осаждения могут выбираться оптимальными для каждого соединения. Ранее осаждение CdxHgixTe чередованием слоев HgTe и CdTe проводили из паров диэтилтеллура (ДЭТ), диметилкадмия (ДМК) и металлической ртути, однако заметное различие в термической устойчивости ДЭТ и ДМК создаёт значительные трудности проведения процесса при температурах ниже 400 °C, а при более высоких температурах ухудшаются характеристики гетероструктур. В последнее десятилетие чаще используют менее термически устойчивый диизопропилтеллур (ДИПТ) [4,5], что позволяет снизить температуру роста и улучшить характеристики материала. В качестве подложек перспективным материалом является GaAs с нанесённым на него буферным слоем CdTe или CdiyZnyTe.

К настоящему время уровень MOCVD-технологии КРТ за рубежом позволяет изготавливать сложные приборные структуры, в том числе двухцветные [6], однако в публикациях технология осаждения освещена слабо. Приведённые в литературе данные по получению буферных слоёв CdTe, ZnTe и CdiyZnyTe на GaAs зачастую противоречивы, неясен механизм их роста и предпочтительность выбора в зависимости от кристаллографической ориентации GaAs. Практически отсутствует информация, относящаяся к условиям и закономерностям роста слоёв HgTe из паров ДИПТ и условиям послеростового отжига MOCVD-эпислоёв КРТ.

Целью данной работы была разработка MOCVD-методики получения гетероструктур CdxHgi. xTe/GaAs р-типа проводимости из паров Cd (CH3)2, Те (СгН5)2, ТеО-СзН7)2 и Hg, пригодных для изготовления диодных матричных фотоприёмных устройств (МФПУ).

Для решения поставленной задачи было необходимо:

— Исследовать закономерности и механизм роста буферных слоёв системы CdTe-ZnTe из паров МОС на подложках GaAs, разработать методики их осаждения на подложки GaAs (l 11) В и GaAs (lOO).

— Изучить закономерности и условия осаждения высококачественных слоёв HgTe из паров Те (1-СзН7)2 и металлической ртути.

— Исследовать режимы послеростового отжига эпитаксиальных слоёв CdxHgi. xTe для получения электрофизических параметров материала р-типа, достаточных для изготовления диодных РЖ-фотоприёмников.

Научная новизна.

— Изучено влияние температуры осаждения из паров Те (С2Н5)2 и Zn (C2Hs)2 на скорость роста, морфологию поверхности и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев ZnTe на подложках GaAs (lll)B и GaAs (lOO). Показано, что по кристаллическому совершенству слои ZnTe (lll)B уступают слоям ZnTe (lOO). Предложен механизм роста, включающий термораспад МОС до контакта с подложкой.

— Проведено исследование влияния толщины прослойки ZnTe на качество буферных слоев CdTe/ZnTe/GaAs (l 11) В и CdTe/ZnTe/GaAs (100). Установлено, что на подложках GaAs с ориентацией (111)В нанесение подслоя ZnTe ухудшает кристаллическое совершенство выращиваемых поверх него буферных слоев CdTe, а на подложках GaAs (lOO) тонкий слой ZnTe (25−50 А) улучшает как кристаллическое совершенство, так и морфологию поверхности слоев CdTe.

— Изучено влияние температуры осаждения из паров Zn (C2H5)2, Cd (CH3)2 и Те (С2Н5)2 на скорость роста, состав и кристаллическое совершенство слоев CdiyZnyTe на подложках из GaAs (lll)B и GaAs (lOO). Все исследованные параметры слоев заметно зависят от кристаллографической ориентации подложки, что указывает на существенную роль поверхностных стадий осаждения. Скорость роста твёрдого раствора Cdi. yZnyTe не является алгебраической суммой скоростей роста бинарных соединений в тех же условиях, что можно объяснить конкурирующей адсобцией цинки кадмийсодержащих компонентов на поверхности. Слои Cdi. yZnyTe (100) обладают лучшим кристаллическим совершенством, чем Cdi"yZnyTe (l 11) В.

— Изучена зависимость от парциального давления Hg скорости роста на подложках CdTe/GaAs и качества эпитаксиальных слоев HgTe, полученных осаждением из паров ртути и Те (1-СзН7)2. Показано, что осаждение наиболее гладких слоев с подвижностью электронов до 100 000 см2/в-с (77 К) происходит при давлении ртути 2 кПа, соответствующем максимальной скорости роста.

— Проведено сравнение различных источников теллура — Те (С2Н5)г и Te (i-СзН7)г при послойном росте КРТ. Применение менее термоустойчивого.

ДИПТ увеличивает среднюю скорость роста тройного раствора с 1−2 до 6−9 мкм/час, позволяет снизить температуру зоны прекрекинга и сблизить температурные условия роста подслоев CdTe и HgTe.

— Разработан режим послеростового отжига гетероструктур на основе CdxIIgixTe в потоке водорода в отсутствии паров ртути, позволяющий достигнуть подвижности дырок при 77 К в материале р-типа 300−500 л 1Л 1 см /в-с при их концентрации порядка 10 см .

Практическая значимость работы.

Разработана методика химического осаждения из паров МОС и ртути эпитаксиальных слоев CdxHgixTe на полуизолирующем арсениде галлия, пригодных для изготовления диодных ИК-фотоприёмников, на доступных гетероподложках из GaAs.

В НПО «Орион» из гетероструктуры Cdo^Hgo^Te/CdTe/GaAsC 111) В был изготовлен матричный фотодиодный приёмник формата 128×128 элементов [7]. Приёмник чувствителен к ИК-излучению в области 3−5 мкм с граничной длиной волны 5,1 мкм. Размеры площадок р-n перехода составляли 18×18 мкм. Среднее значение удельной обнаружительной способности при 200 К составило D*cp= 1,5 1010 см-гц½/Вт, что является достаточным для использования ФП в диапазоне 3−5 мкм.

На защиту выносятся следующие положения:

Результаты исследования закономерностей осаждения из паров Те (С2Н5)2 и Zn (C2H5)2 эпитаксиальных слоёв ZnTe на подложках из GaAs (l 11) В и GaAs (100).

Результаты исследования наличия на поверхности подложек из GaAs (lll)B и GaAs (100) прослойки ZnTe и её толщины на свойства выращиваемого поверх него буферного слоя CdTe.

— Результаты исследования процесса осаждения и методика получения эпитаксиальных слоев тройного раствора Cdi. yZnyTe на подложках из GaAs (l 11) В и GaAs (lOO) из смеси паров Cd (CH3)2, Те (С2Н5)2 и Zn (C2H5)2.

— Результаты исследования процесса осаждения из паров Те (ьСзН7)2 и ртути эпитаксиальных слоев HgTe на подложках CdTe/GaAs (l 11) В и CdTe/ZnTe/GaAs (100).

— Методика получения гетероструктур КРТ на подложках из арсенида галлия из паров Cd (CH3)2, Te (i-C3H7)2 и ртути методом послойного осаждения чередующихся слоёв HgTe и CdTe с последующим отжигом для придания материалу р-типа проводимости.

Апробация работы:

Результаты работы были представлены на XI и XII конференциях по химии высокочистых веществ (г. Нижний Новгород, 2000, 2004 гг.) — на XVI и XVIII Международных конференциях по фотоэлектронике и приборам ночного видения (г. Москва, 2000, 2002 гг.) — на V Российской конференции по физике полупроводников (г. Казань, 2001 г.) — на III-VI, VIII Нижегородских сессиях молодых ученых (г. Дзержинск, 1998;2001, 2003 гг.) — на I, II Конференциях молодых ученых-химиков г. Нижнего Новгорода (1998, 1999 гг.).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 3 статьи и тезисы 13 докладов.

Объем и структура диссертации. Диссертационная работа изложена на 116 стр. машинописного текста, состоит из введения, четырёх глав, выводов и списка цитируемой литературы (175 наименований) и содержит 12 таблиц, 43 рисунка.

Выводы.

1. Проведено исследование особенностей осаждения эпитаксиальных слоёв ZnTe из паров Те (С2Н5)2 и Zn (C2H5)2 на подложки GaAs (lll)B и GaAs (lOO). Предложен механизм роста, включающий термораспад МОС до контакта с подложкой. Показано, что по кристаллическому совершенству слои ZnTe (lOO) превосходят ZnTe (l 11) В. Нанесение тонкого слоя ZnTe (25−50 А) на подложки GaAs (lOO) улучшает кристаллическое совершенство и морфологию выращиваемых поверх него буферных слоёв CdTe. На подложках GaAs (lll)B промежуточный слой ZnTe ухудшает качество CdTe.

2. Изучено влияние температуры осаждения из паров Zn (C2H5)2, Cd (CH3)2 и Те (С2Н5)2 на скорость роста, состав и кристаллическое совершенство слоёв CdiyZnyTe на подложках из GaAs (lll)B и GaAs (lOO). Все исследованные параметры слоёв заметно зависят от кристаллографической ориентации подложки, что указывает на существенную роль поверхностных стадий осаждения. Скорость роста твёрдого раствора Cdi. yZnyTe не является алгебраической суммой скоростей роста бинарных соединений в тех же условиях, что можно объяснить конкурирующей адсобцией цинки кадмийсодержащих компонентов на поверхности. Слои Cdi. yZnyTe (100) обладают лучшим кристаллическим совершенством, чем Cdi. yZnyTe (l 11) В.

3. Изучена зависимость от парциального давления Hg скорости роста и качества эпитаксиальных слоёв HgTe, полученных осаждением из паров ртути и Te (i-C3H7)2. Показано, что осаждение наиболее гладких слоёв с подвижностью электронов до 100 000 см/в-с (77 К) происходит при давлении ртути 2 кПа, соответствующем максимальной скорости роста.

4. Проведено сравнение различных источников теллура — Те (С2Н5)2 и Te (i-C3H7)2 при послойном росте CdxHgixTe. Применение менее термоустойчивого ДИПТ увеличивает среднюю скорость роста тройного раствора с 1−2 до 6−9 мкм/час, позволяет снизить температуру зоны прекрекинга и сблизить температурные условия роста подслоев CdTe и HgTe. На подложках из полу изолирующего GaAs из паров Hg, Те (1-СзН7)2 и Cd (CH3)2 получены гетероструктуры CdTe/CdxHgixTe/CdTe/GaAs составов от х=0,2 до 0,4 с неоднородностью состава по площади 2 см Дх=±-0,0025 и полушириной кривой качания рентгеновской дифракции 2−4 угл. мин.

5. Разработан режим послеростового отжига гетероструктур в потоке водорода, позволяющий достигнуть в CdxHgixTe р-типа проводимости подвижности дырок при 77 К 300−500 см /в-с при их концентрации.

1Л «2.

0,5−5)-10 см", что находится на уровне лучших литературных данных.

Из образца CdTe/Cdo, 27Hgo, 73Te/CdTe/GaAs в НПО «Орион» был изготовлен матричный фотоприемник формата 128×128 элементов для спектрального диапазона 3−5-5 мкм. Среднее значение удельной обнаружительной способности D* при Т=200 К достаточно для использования фотоприёмника в диапазоне 3−5 мкм и составляет 1,5 1010 Вт'-смТц172.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Lawson W. D., Nielson S., Putley E. II., Young A. S. II J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 9, P. 325.
  2. Mull in J.B., Irvine S.J. С. II J. Phys. D: Appl. Phys. 1981. V. 14. P. 149. p 3. Irvine S.J.C., Tunnicliffe J., Mullin J.B. II Mater.Lett. 1984. V. 2. N 4B. P. 305.
  3. P., Case F.C., Glass H.L., Speziale V.M., Flint J.P., Tobin S.P., Norton P. W. И J. Electron.Mater. 2001. V. 30. № 6. P. 779.
  4. Piotrovski A., Madejczic P., Gawron W., Klos K., Romanis M, Grudzien M., Piotrovski J., RogalskiA. II Opto-electronics review 2004. V. 12. № 4. P. 453.
  5. Reine M.B., Hairston A., O’Dette P., Tobin S.P., Smith F.T.J., Musicant B.L., Mitra P., Case F.C. II Proc. SPIE. 1998. V. 3379. P. 200.
  6. КО., Яковлева Н. И., Расструева О. Н., Пономаренко В. П., Стафеев В. И., Бурлаков И. Д., Моисеев А. Н., Котков А. П., Дорофеев В.В. II Прикладная физика. 2003. № 3. стр. 95.1. О (%
  7. Л.А., Стафеев В. И. Физика соединений, А В / Под ред. i
  8. М., Prene М.С. Физика и химия соединений, А В / Пер. с англ. под ред. Медведева С. А., М.: Мир. 1970. стр. 624.
  9. Ratajezak Е., Terpilowski J. II Roczniki Chem. 1969. V.43. P. 1609.
  10. Kubaschewski O., Evans E.L., Alcok C. Metallurgical Chemistry. Oxford. 1967. P. 314.
  11. H.H., Kpeec B.E., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. М.: Воен. издат. 1982. стр. 208.
  12. Brice J.С., Capper Т., Jones C.L. II J. Cryst. Growth. 1986. V. 75. № 2. P. 395. л 14. Farrar R.H., Gilham C.J. II Mater. Sci. 1974. V. 12. P. 836.4
  13. Irvine S.J. C., Mullin J.В., Giess J. et al. //J.Cryst.Growth. 1988. V. 93. P. 732.
  14. Ghandhi S.K., Bhat I.B., Ehsani H. et al II Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. № 2. P. 137.
  15. Chu T.L., ChuS., Pauleau Y. et al II Appl. Phys. 1983. V. 54. № 1. P. 398.
  16. Yang Jianrong II J. Cryst. Growth. 1993. V. 126. P. 695.
  17. Norton P. II Opto-electronics review. 2002. V. 10. № 3. P. 159.
  18. Chadi D.J., Walter J.P., Cohen M.L. et al //Phys. Rev. 1972. V. 5. P. 3058.
  19. Горшков A.B. II Высокочистые вещества. 1989. № 6. С. 207.
  20. Capper P. II J. Cryst. Growth. 1982. V. 57. P. 280.
  21. Capper P. II Progr. Cryst. Growth and Charact. 1989. V.19. P.295.
  22. Capper P. II J. Vac. Sci.Technol. B. 1991. V.9. № 3. P. 1667.
  23. Mullin J.В., Holland R., Blacmore G.M. et al II J. Cryst. Growth. 1990. V.106. P. 127.
  24. Capper P., Keefe E.S., Maxey C. et al II J. Cryst. Growth. 1996. V.161. P. 104.
  25. Grainger F, Roberts J.A. II Semicond. Sci. Technol. 1988. V. 3. P.802.
  26. Capper P., Easton B.C., Wiffin P.A.C. et al II J. Cryst. Growth. 1986. V. 79. P. 508.
  27. Edwall D.D., Gertner E.R., Tennan W.E. II J. Appl. Phys. 1984. V. 55, P. 1453.
  28. Tung Т., Kalisher M.H., Stevens A.P., Herning P.E. II Mat. Res. Symp. Proc. 1987. V. 90, P. 321.
  29. B. //J. Cryst. Growth. 1988. V. 86, P. 146.
  30. Tung Т., DeArmond L. V., Herald R.F., Herning P.E., Kalisher M.H., Olson D.A., Risser R.F., Stevens A.P., Tighe S.J. II Proc. SPIE 1992. V. 1735, P. 109.
  31. Castro СЛ. II Proc. SPIE. 1993. V. 2021, P. 2.
  32. As ties M.G. II Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds, EMIS Datareviews Series 1994. № 10, P. 13.
  33. Djuric Z II J. Mat. Sci. 1995, V. 5, P. 187.
  34. Irvine S.J.C. И Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds, EMIS Datareviews Series 1994, № 10, P. 24.
  35. Arias J.M. II Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds. EMIS Datareviews Series 1994. № 10, P. 30.
  36. Aoki Т., Takeguchi M, Boieriu P., Singh R., Grein C., Chang Y., Sivananthan S., Smith D. J. И J. Ciyst. Growth. 2004. V. 271. P. 29.
  37. Wu O.K. II Proc. SPIE. 1994. V. 2021. P. 79.
  38. Arias J.M., Zandian M., Pasko J.G., Bajaj J., Kozlowski L.J., Tennant W.E.,' DeWames R.E. II Proc. SPIE 1994. V. 2274. P. 2.
  39. Vasilyev V. V., Klimenko A. G., Marchishin I. V., Ovsyuk V. TV., Talipov N. Ch., Golenkov T. A. G., Derkach Yu. P., Zahar 'yash V. I., Reva P., Sizov F. F., Zabudsky V. V. II Infrared Physics & Technology. 2004. V. 45. Issue 1. P. 13.
  40. DeLyon T.J., Ravajal R.D., Vigil J.A., Jensen J.E., Wu O.K., Cockrum C.A., Johnson S.M., Venzor G.M., Baily S.L., Kosai M.D., Ahlgren W.L., Smith M.S. // J. Electron. Mater. 1999. V. 27. P. 550.
  41. J.C. И Proc. SPIE. 1992. V. 1735. P. 92.
  42. Dabhinamurthy S., Bhat I. II J. Cryst. Growth. 1997. V. 170. P. 193.
  43. S., Bhat I. //J. Electron. Mater. 1998. V. 27. № 6. P. 521.4 ,
  44. A.B., Несмелое C.H., Коханенко А. П., Машуков Ю.П.,
  45. Т.Н., Васильев В. В., Варавин B.C., Сидоров Ю. Г., Дворецкий С. А., Михайлов Н.Н. II Известия высших учебных заведений. Физика. 2005. № 2. стр. 35.
  46. Л.А., Болтарь К. О., Бурлаков И. Д., Головин С. В., Иванов В. Ю., Сагинов Л. Д., Стафеев В. И., Акимов В. М., Климанов Е. И., Лакеенков В. М., Сидоров Ю.Г. II Прикладная физика 1999. № 3. стр. 24.
  47. КО., Бовина Л. А., Сагинов Л Д., Стафеев В. И., Гибин И. С., Малеев В. М. II Прикладная физика. 1999. № 2. стр. 50.
  48. С.Н., Бенюшис Т.Н. II Вестник ННГУ им. Н. И. Лобачевского. Материалы, процессы и технология электронной техники. Н. Новгород: ННГУ. 1994. стр. 81.
  49. SchmitJ.L. II J. Vac. Sci. Technol. 1986. A 4. № 4. P. 2141.
  50. Tower J.P., Tobin S.P., Kestigian M., Norton P.W., Bollong A.B., Schaake H.F., Ard C.K. II J. Electron. Mater. 1995. V. 24. № 5. p. 497.
  51. R., Chatard J.P., Costa P., Manissadjian A. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 184−185. P. 1262.
  52. Parich A., Pearson S.D., Tran Т.К., Bichnell R.N., Benz R.G., Wagner B.K., Schafer P., Summers C.J. II J. Cryst. Growth 1996. V. 159. № 1 -4. P. 1152.
  53. G.J., Muller R.J., Bowden R.S. 11 J. Cryst. Growth 1993. V. 130. № 3.1. P. 209.
  54. Asahi Т., Oda O., Taniguchi Y., Koyama A. II J. Crystal Growth 1995. V. 149. P. 23.
  55. Casagrande L.G., Larson D.J. et al. II J. Cryst. Growth. 1994. V. 137. № ½. P. 195.
  56. А. Инфракрасные детекторы / Пер. с англ. под ред. А. В. Войцеховского. Новосибирск: Наука. 2003. стр. 388.
  57. N.K., Zanatta J.P., Ferret P., Million A. // J. Cryst. Growth 1999. V. 201−202. P. 975."f 59. Million A., Dhar N. K, Dinan J.H. II J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 76.
  58. Rujirawat S., Almeida L.A., Chen Y.P. et al. II Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. № 13. P. 1810.
  59. J.B. Varesi, A.A. Buell, R.E. Bornfreund, W.A. Radford, J.M. Peterson, K.D. Maranovski, S.M. Johnson, D.F. King II J. Electron. Mater. 2002. V. 31. № 7. P. 815.
  60. Farrow R.F.C., Jones G.R. et al. II Appl. Phys. Lett. 1981. V. 39. № 12. P. 954.
  61. J.H., Quadri S.B. И J. Vac. Sci. Technol. 1986. A 4. № 4. P. 2158.
  62. Matsumura N., Ohshima Т., SaraieJ., Yodogawa Y. II J. Cryst. Growth. 1985. V 71. P. 361. 65. Zanatta J.P., Ferret P. et al. II J.Electron.Mater. 1998. V. 27. № 6. P. 542.
  63. Hoke W.E., Traczewski R., Kreismanis V.G. et al. I I Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. № 7. P. 276.
  64. Myers Т.Н., YawchengL. et al. И Appl. Phys. Lett. 1983. V. 42. № 3. P. 247.
  65. E.R., Tennant W.E., Blakwell J.D., Rode J.P. /I J. Cryst. Growth. 1985. V. 72. P. 462.
  66. Bubulac L.O., Edwall D.D., McConnell D., DeWames R.E., Blazejewski E.R., Gertner E.R. И Semicon. Sci. Technol. 1990. V. 5. P. 45.
  67. Edwall D.D., Chen J.S., Bajaj J., Gertner E.R. II Semicond. Sci. Technol. 1990. V.5.P. 221.
  68. Kimata H., RyojiA., Croki Т. И J. Cryst. Growth. 1987. V. 81. P. 508.
  69. Rauhala E., Keinonen J. et al. И Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. № 13. P. 973.
  70. Zinck J.J., Brewer et al И Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. № 17. P. 1434.
  71. A.C. Рубин и сапфир. М.:Наука. 1974. стр. 236.
  72. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.: Наука. 1979. стр. 339.
  73. Johnson S.M., Kalisher М.Н., Ahlgren W.L., James J.B., Cockrun C.A. II Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. P. 946.
  74. Zanio K., Bean R., Mattson R.,. Vu P, Taylor S., Mclntryre D., Ito C., Chu M. И Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. P. 1207.
  75. Johnson S.M., Vigill J.A., James J.B., Cockrum C.A., Konkel W.H., Kalisher M.H., Risser R.F., Tung Т., Hamilton W.J., Ahlgren W.L., Myrosznyk J.M. II J. Electron. Mater. 1993. V. 22. P. 835.
  76. De Lyon T.J., Johnson S.M., Cockrum C.A., Wu O.K., Hamilton W.J., Kamath G.S. Hi. Electrochem. Soc. 1994. V. 141. P. 2888.
  77. L.J. Kozlowski, R.B. Bailey, D.E. Cooper, K. Vural, E.R. Gertner, W.E. Tennat //Proc. SPIE 1991. V. 1540. P. 250.
  78. Okamoto Т., Saito Т., MurakamiS. et al. И Appl. Phys. Lett. 1996, V.69. № 5. P. 677.
  79. Irvine S.J.C., Mullin J.B. II J. Cryst. Growth. 1981. V. 55. P. 107.
  80. Peng Rui-wu, XuFei, Ding Yong-ging //J. Cryst. Growth. 1991. V. 115. № 1−4. P. 698.
  81. Irvine S.J.C., Tunnicliffe J., Mullin J.B. II J. Cryst. Growth. 1983. V. 65. P. 479.
  82. Liane I-R., Chou K-S., Lin M-S. II J. Ciyst. Growth. 1988. V. 87. № 3. P. 529.
  83. Hyliands M.J., Thompson J., Bevan M.J. et al. II J. Vac. Sci. Technol. 1986. / A 4. № 4. P. 2217.
  84. Tunnicliffe J., Irvine S.J.C. et al. II J. Cryst. Growth. 1984. V. 68. № 1. P.245.
  85. IB. //J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 1.
  86. Mullin J.B., Irvine S.J.C., Ashen D.J. И J. Cryst. Growth. 1981. V. 55. P. 92.
  87. Mullin J.B., Irvine S.J.C., GiessJ. //J.Ciyst.Growth.1985. V. 72. P. 1. 91.SchmitJ.L. И J. Vac. Sci. Technol. 1985. A3. № 1. P. 89.
  88. L.M., Thompson J. И Chemtronics. 1989. V 4. P. 62.
  89. Smith L.M., Thompson J. IIGEC J. Res. 1989. V 7. № 2. P.72.
  90. TribouletR. Hi. Cryst. Growth. 1991. V. 107. P. 598.
  91. Ebe H., Yamamoto К. I I J. Ciyst. Growth 1997. V. 174. P. 746.
  92. Smith L.M., Byrhe C.F., Patel D. et al. II J. Ciyst. Growth. 1991. V. 107. № 14. P. 605.
  93. Druilhe R., Desjonqueres F. et al. II Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. 22.
  94. Hall R.S., Ashley Т., Elliott C.T., Gordon N.T., Johnson A.D., Pryce G.J. II J. Cryst.Growth. 1996. V. 159. P. 1100.
  95. Mitra P., Case F.C., Reine M.B., Starr R., Weiler M.H. II J. Cryst. Growth 1997. V. 1−4. P. 542.
  96. Le Meur M.A., Cuniot M., Rommeluere J.F., Tromson-Carli A., Triboulet R., Marfaing Y. //J. Cryst. Growth 1998. V. 184−185. P. 1279.
  97. Mitra P., Schimert T.R., Case F.C. et al. II J.Electron.Mater. 1995. V.24. № ^ 5. P. 661.
  98. Chen M.C., Bevan M.J. II J. Appl. Phys. 1995 V. 78. № 7. P. 4787.
  99. Feldmcm R.D., Kisker D.W., Austin R.F. et al. II J. Vac. Sci. Technol. 1986. A 4. № 4. P. 2234.
  100. Tompa G.S., Nelson C.R., Saracino MA. et al. II Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. № l.P. 62.
  101. Yasuda K, Ekawa M., Matsui N. II Jap. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. № 3. P. 479.
  102. Feldman R.D., Kisker D. W. et al. II Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. № 3. P. 248.
  103. P.L. //J.Vac.Sci.Technol. 1986. V. A4. № 4. P. 2162.
  104. Lu P.-Y., Williams L.M., Chu S.N.G. II J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. A4. № 4. P. 2137.
  105. D.W., Steigerwald M.L., Kometani T.Y. И Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. № 23. P. 1681.
  106. Ekawa M., Yasuda K, Sone S. et al. И J. Appl. Phys. 1990. V. 67. № 11. P. 6865.111 .Angelo J.E., Gerberich W. W" Bratina C. et al. II J. Cryst. Growth. 1993. V. 130. P. 459.
  107. Cheng T.T., Aindon M., Jones I.P. II J. Cryst. Growth. 1994. V. 135. P. 409.
  108. Stricman H., Oron M., Raizman A., Cinader G. II J. Electron. Mater. 1988. V. 17. № 2. P. 105.
  109. P.D., Hails J.E., Russel G.J., Woods J. И Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. № 17. P. 1144.
  110. Cinader G., Raizman A., SherA. И J. Vac. Sci.Technol. 1991. V. B9. № 3. P. 2234.
  111. Desjonqueres F., Tromson-Carli A. et al. II J. Cryst. Growth. 1990. V. 107. № 1−4. P. 626.
  112. Tompa G.S., Salagaj T. et al. II J. Cryst. Growth. 1991. V. 107. P. 198.
  113. Pain G.N., Sandford C. et al. И J. Cryst. Growth. 1991. V. 107. № 1−4. P. 610.
  114. Druilhe R., Desjonqueres F., Katty A. et al. II J. Cryst. Growth. 1990. V. 101. P. 73.
  115. J.P. //J. Cryst.Growth. 1987. V. 81. P. 483.
  116. WuO., Kamath G.S. II Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. 6.
  117. Y. // J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. P. 720.
  118. Sang-Hee Sun, Jong-Hyeong Song, Sung-Wook Moon II J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1132.
  119. NishinoH., Nishijima Y. II J. Cryst. Growth. 1997. V. 173. P. 330.
  120. Hails J.H., Cole-Hamilton D.J., Giess J. II J.Electron.Mater. 1998. V. 27. № 6. P. 624.
  121. Faurie J.P., Hsu C., Sivananthan S. et al. II Surface Science. 1986. V. 168. P. 473.
  122. OtsukaN., Kolodziejski L.A., Gunshor R.L. et al. II Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. № 9. P. 860.
  123. Srinivasa R., Panish M.V., Temkin H. II Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. № 20. P. 1441.
  124. Wagner B.K., Oakes J.D. et al. И J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 292.
  125. Tang H.P., FeungJ.Y. et al. II J. Cryst. Growth. 1991. V. 112. № 2−3. P. 407.
  126. Leo G., Longo M., Lovergine N.,. Mancini A. M, Vasanelli L., Drigo A.V., Romanato F., Peluso Т., Tapfer L. II J. Vac. Sci. Technol. 1996. В14. № 3. P. 1739.
  127. W. Palosz, F.R. Szofran, S.L. Lehoczky // J. Crystal Growth 1995 V. 148. № 56. P. 1152.
  128. Nishino H" Saito Т., Nishijima Y. II J. Cryst. Growth 1996. V. 165. № 3. P. 227.
  129. Yasuda K, Araki N., Samion H.B., Miyata M. II J. Cryst. Growth. 2000. V. 214−215. P. 19.
  130. J.J., Ко E.I., Sides P.J. II J. Cryst. Growth 1997. V. 174. № 1−4. P. 713.
  131. GiessJ., GoughJ.S. et al. //J.Cryst. Growth. 1995. V. 72. P. 120.
  132. Natarayan V., Taskar N.R., Bhatl.B. II J. Electron. Mater. 1988. V. 17. № 6. P. 479.
  133. Patriarche G., Triboulet R. et al. И J. Ciyst. Growth. 1993. V. 129. № 3−4. P. 375.
  134. C.T. И Semicond.Sci.Technol. 1990. V. 5. P. 30.
  135. Elliott C.T., Day D., Wilson B. JII Infrared Phys. Technol 1982. V. 22. P. 31.
  136. Reine M.B., Maschhoff K.R., Tobin S.P., Norton P.W., Mroczkowski J.A., Krueger E.E. II Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. P. 788.
  137. Nemirovsky Y., Bahir G. II J. Vac. Sci. Technol. 1989. A 7. P. 450.
  138. Sarussi G., Cinader G., ZemeiA., Eger D., Shapira Y. II J. Appl. Phys. 1992. V. 71. P. 5070.
  139. Norton P. II Proc. SPIE. 1998. V. 3379. P. 102.
  140. Rajavel R.D., Jamba D.M., Wu O.K. et al. II J. Electron. Mater. 1997. V. 26. P. 476.
  141. A.M., Макаров Ю. Н. Гидромеханика и тепломассообмен при получении материалов. М. Наука. 1990. стр. 43.
  142. А.Н., Гугель Ю. В., Хоружников С.Э. II Высокочистые вещества. 1993. № 6. стр. 10.
  143. А.П. Получение эпитаксиальных слоев CdxHgixTe на арсениде галлия методом химического осаждения из паров диметилкадмия, диэтилтеллура и ртути // Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук, Н. Новгород, 1996 г.
  144. А.Н. Получение гетероэпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe методом химического осаждения из паров диметилкадмия, диэтилтеллура и ртути // Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук, Н. Новгород, 1999 г.
  145. Kuhn W.S., Lusson A., Qu’Hen В., Grattepain С., Dumont Н., Gorochov О., Bauer S., Wolf К, Worz M., Reisinger Т., Rosenauer A., Wagner H., Stanzl H.,
  146. Gebhardt W. II Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 1995. V. 31. № 1−2. P. 119.
  147. M.R., Easton B.C. // J. Ciyst. Growth. 1984. V. 68. P. 128.
  148. В.И., Зорин А. Д., Гурылев B.B. // ЖОХ. 1990. Т. 60. вып. 7. стр. 1468.
  149. McAllister Т. /П. Cryst. Growth 1989. V. 96. № 3. P. 552.
  150. Dumont H., Marbeuf A., Bouree J.-E., Gorochov О. II Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 1993. V. В 17. № 1−3. P. 41.
  151. A.H., Батманов С.М.,.Ливерко B.H. II Высокочистые вещества 1994. № 4. стр. 136.
  152. Mull ins J.Т., Clifton Р.А., Brown P.D., Brinkman A. W, Woods J. // J. Cryst. Growth 1990. V. 101. № 1−4. P. 100.
  153. Yao Т., Takeda Т. II Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. № 2. P. 160.
  154. Ruault M.-O., Kaitasov O., Triboulet R., Crestou J., Gasgnier M. II J. Cryst. Growth. 1994. V. 143. № 1−2. P. 40.
  155. Marbeuf A., Druilhe R., Triboulet R., Patriarche G. II J. Cryst. Growth 1992. V. 117. № 1−4. P. 10.
  156. Irvine S.J. C., Gough J.S., J. Giess, Gibbs M.J., Royle A., Taylor C.A., Brown J.T., Keir A.M., Mullin J.B. //J. Vac. Sci. Technol. 1989. A 7. P. 285.
  157. Sang-Hee Suh, Jin-Sang Kim, Hyung Joon Kim, Jong-Hyeong Song II J. Cryst. Growth. 2002. V. 236. P. 119.
  158. Yasuda K, Hatano H., Ferid Т., Minamide M., Maejima Т., Kawamoto К. II J. Cryst. Growth 1996. V. 166. P. 612.
  159. A.H., Котков А. П., Дорофеев B.B, Гришнова НД II Неорганические материалы. 2004. Т. 40. №. 1. стр. 15.
  160. Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. II J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 7099.
  161. Finkman A., Nemirovsky Y. I I J. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 2. P. 12.
  162. П.А., Дворецкий С. А., Варавин B.C., Коробкин А. П., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю.Г. II Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. № 10. стр. 1203.
  163. КучисЕ. В. Методы исследования эффекта Холла. М.: 1974.
  164. А. И., Белов А. Г, Виноградов Е.А., Рашевская Е. П. Препринт № 156 ФИАН СССР. М.: 1988.
  165. П. В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. М.: 1985.
  166. Kamata A., Matsushita К., Shigenaka К. I/ J. Cryst. Growth. 1998. V. 184 185. P. 1228.
  167. Л.А., Болтарь КО., Бурлаков ИД., Климанов Е. А., Патрашин А. И., Сагинов Л. Д., Стафеев В. И., Тимофеев А.А. II Оптический журнал. 1996. № 6. стр. 74.
  168. КО., Бовина Л. А., Сагинов Л. Д., Стафеев В. И., Гибин И. С., Малеев В.М. II Прикладная физика. 1999. № 2. стр. 50.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?