Исследование кристаллов с дефокусированными атомными соударениями
Диссертация
Однако применяющиеся в настоящее время полупроводниковые, и диэлектрические материалы в подавляющем большинстве не выдерживают больших потоков ионизирующих излучений без резкого ухудшения своих физических свойств. Так, например, р-Б1 изменяет величину электропроводности в 1000 раз при облучении дозой быстрых нейтронов 1*10″ ^ н/см2, фотодиоды на основе Р6Б после облучения дозой эл/см2 изменяют… Читать ещё >
Содержание
- Некоторые часто встречающиеся обозначения
- Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
- 1. 1. Точечные дефекты в щшсталлах
- 1. 1. 1. Энергетические характеристики точечных дефектов
- 1. 1. 2. Радиационные дефекты в 1фисталлах
- 1. 2. Зоны неустойчивости в 1фисталлах
- 1. 3. Ориентационны (c)"Эффекты
- 1. 3. 1. Фокусировка
- 1. 3. 2. Каналирование
- 1. 4. Парные потенциалы взаимодействия
- 1. 5. Прогнозирование влияния ионизирующего излучения на 'физические свойства диэлектрических и полупроводниковых материалов
- 1. 6. Влияние облучения на некоторые физические свойства неметаллических кристаллов с различной кристаллической структурой
- 1. 6. 1. Флюорит
- 1. 6. 2. Биксбйит
- 1. 6. 3. Сфалерит ^
- 1. 6. 4. Полуторный теллурид индия
- 1. 1. Точечные дефекты в щшсталлах
- 2. 1. Пустоты в-плотнейшей укладке шаров и стехиометрические вакансии
- 2. 2. Параметры решетки кристаллов с различной степенью заполнения в модели плотнешей упаковки
- 2. 3. Зарядовое состояние атома, выбиваемого из узла решетки в ионно-ковалентных щ>ис-таляах с различной степенью ионности
- 2. 4. Расчет энергии фокусировки и длин пробега динамических краудионов в различных кристаллических структурах
- 2. 4. 1, Дефокусировка атомных соударений
- 2. 4. 2. Дополнительная фокусировка
- 2. 5. Машинный расчет параметров фокусировки атомных соударений в кристаллах с СВ
- 2. 5. 1. Нейтральная модель
- 2. 5. 2. Ионная модель
- 2. 6. Структурный критерий радиационной стойкости
- 3. 1. Синтез SnSe и SnSe2. Выращивание монокристаллов. Контроль образцов
- 3. 2. Синтез BiF3. Контроль образцов
- 3. 3. Промышленное сырье'
- 3. 4. Методика измерений физических параметров полупроводников при комнатной температуре
- 3. 4. 1. Измерение микротвердости
- 3. 4. 2. Методика измерений электрических параметров
- 3. 5. Методика исследования температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников .1^
- 3. 5. 1. Измерение температурной зависимости электропроводности в области низких температур
- 3. 5. 2. Измерение термостимулированной проводимости (ТСП)
- 3. 6. Измерение спектров диффузного отражения
- 3. 7. Измерение спектров ИК-поглощения
- 3. 8. Методика экспериментов по облучению кристаллов ионизирующими частицами
- 3. 8. 1. Облучение потоком электронов
- 3. 8. 2. Облучение потоком нейтронов
- 3. 9. Методика закалки и отжига кристаллов
- 3. 9. 1. Методика закалки
- 3. 9. 2. Отжиг кристаллов.. 135 '
- 4. 1. Исследование спектров диффузного отражения в области 350−900 нм
- 4. 2. Исследование спектров инфракрасного поглощения в области 2000−400 см~^
- 4. 2. 1. Влияние термической обработки на ИК-пог-лощение кристаллов
- 4. 2. 2. Влияние нейтронного облучения на ИК-пог-лощение кристаллов
- 4. 3. Исследование изменения электрофизических параметров монокристаллов SnSe и SnSe2 после воздействия различных видов облучения
- 4. 4. Сопоставление расчетов с эксперименталь нями результатами.. ^
- 4. 5. Экспериментальное исследование равновесных точечных дефектов в кристаллах типа Зп2Те
Список литературы
- Томпсон M. Дефекты .и радиационные повреждения е металлах: Пер. с англ. М.: Мир, 1971, 368 с.
- Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов: Пер. с англ. -М.: Атомиз-дат, 1979, 293 с.
- Винецкий В.Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979, 336 с.
- Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы: Сб. статей- Пер., с англ. М.: Мир, 1980, 332 с.
- Radiation stability of A^ B^ semiconductors. Rad.Ef., 1976, v. 29, В 1−2, pp 1−6.
- Заитов Ф.А. Радиационные эффекты в поликристаллических фотослоях сульфида свинца. Докл. АН Аз. ССР, 1981, т.37,1. Js 12, с.35−37.
- Галушка А.П., ЕрмолоЕИЧ И.Б., Корсунская Н. Е., Конозен-ко И.Д., Шейнкман М. К. Влияние -излучения и быстрых нейтронов на электрические свойства монокристаллов cas ФТТ, 1956, т.8, te 4, c. I040-I048.
- Завадовская Е.К., Федоров В. А., Лисицын В. М. Изменение проводимости кристаллов СаР2.при облучении электронами. Изв. ВУЗов. Физика. 1971, Js 2, с. 128−130.
- Кошкин В. M Г, Минкое Б. И., Гальчинецкий Л .П., Кулик В. Н. Термодинамика неустойчивых пар вакансия атом в междоузлии. ФТТ, 1973, т.16, В I, с.128−131.
- Koshkin V.M., Gal’chinetskii L.P., Kulik V.N., Minkov B.I., Ulmanis U.A. Unstable equilibrium and radiation defectsin solids. Sol. State Commun., 1973, v.13, N I, p.1−4
- Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.M., Кулаков В.M., Кулик В. Н., Руденко М. Й., Рябка П. М., Улманис У. А., Шаховцов В. И., Шиндич В. Л. Эффект радиационной устойчивости полупроводников со стехиометрическими вакансиями. ФТТ, 1972, т.14, В 2, с.646−648.
- Кошкин В.М., Гальчинецкий Л. П., Кулик В. Н., Гусев Г. К., Улманис У. А. Детекторы ионизирующих излучений на основе радиационностойких кристаллических полупроводников типа 1п2Те5. Атомная энергия, 1977, т.42, 4, с.290−294.
- Кошкин В.М., Забродский Ю. Р. Неустойчивые пары новый тип точечных дефектов в твердых телах. ДАН СССР, 1976, т.227, № 6, с.1323−1326.
- Кошкин В.М., Забродский Ю. Р. Зона неустойчивости вакансия атом в междоузлии. ФТТ, 1974, т.16, В II, с.3480--3483.
- Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах: Пер. с англ. -М.: Мир, 1966, 292 с.
- Itoh N. Interstitial and Trapped-Hole Gbnters in Alkali Halides. Cryst. Lattice Defects, 1972, v.3,N 3, p. Il5-I43.
- Saidoh M.- Itoh N. H-Center Interaction during Thermal Annealing in KOI.- J'.Phys. and Chem.Sol., 1973, v.34″ N 7, p. II65-II7I.
- Оловянщикова A.M., Анненков 10.M. Расчет барьеров миграциимекдоузельных дефектов в 1фисталле КС1. Изв. ВУЗов. Физика, 1984, т.27, JS 3, с, 106−108.
- Маннинг Дж. Кинетика диффузии атомов в кристалле: Пер. с англ. М.: Мир, 1971, 278 с.
- Точечные дефекты в твердых телах: Сб. статей- Пер. с англ. -М.: Мир, 1979, 382 с.
- Иванов Н.А., Касилов В. И., Космач В. Ф., Кузнецов В. И., Лугаков П. Ф., Остроумов В. И., Ткачев В. Д. Образование областей разупорядочения в кремнии под действием -квантов высоких энергий. ФТП, 1975, т.9, № 12, с.2369−2371.
- Физические процессы в облученных полупроводниках /Под ред. Смирнова Л. С. Новосибирск: Наука СО, 1977, 256 с.
- Радиационно-активируемые процессы в кремнии. Колл. авт., Ташкент, Фан, 1977, с. Н9.
- Pooley D. F-canter production in Alkali halides Ъу electron-hole recombination a subsequent IIO replacement sequence: a discussion of the electron-hole recom -bination. -Proc.Phys.Soc., 196?, v.87, N I, p.245−256.
- Лущик Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.-УФН, 1977, т.122, й 2, с.223−251.
- Gibson J.В., Go land A.N., Milgram M., Vineyard G.H. Byna -mies of Radiation Damage. Phys.Rev., I960 120, N 4, p. 1229 1253.
- Biget M., Rizk H., Va^da P., Besiis A. On the Spontane -ous Recombination Volume of Frenkel Defects in Irra -diated b.c.c. Metals,-Sol.State Commun., 1975, v. I6,1. N 7, p. 949 952.
- Huges A.F., Pooley D. High Dose Proton Irradiation of Alkali Halides. J.Phys.Cs Sol.St.Phys., 1971, v.4, N 14, p. 1963−1976.
- Balzer R. Volumenanderung von Alkalihalogenid -kristallen bei der Bildung von Gitterdefekten durch niederenergetische Strahlung. Z.Phya., 1970, v.234, N 3, 242 — 260.
- Tennenbaum A. Temperature dependence of low-energy га -diation damage. Phys. Letters, 1977, v.63A, N 2Д55−157.
- Забродский Ю.Р. Зона неустойчивости точечных дефектов втвердых телах. Канд. диссертация, Харьков, 1979, 127 с.
- Кошкин В.М., Забродский Ю. Р., Подорожанская Н. М. Зоны неустойчивости взаимодействующих точечных дефектов в периодических структурах. Вопросы атом. наук, и техн. Сер.: Физ. радиад. поврежд. и радиац. материаловед., Харьков, 1979, вып. З/П, с.21−26.
- Смирнов Н.И. Деформация 1фисталлической решетки кремния, вызываемая бомбардировкой ионами бора и кислорода. ДАН СССР, 1975, т.225, Лк 3, с.621−623.
- Смирнов Н.И. Расчет числа устойчивых пар вакансия меж-доузельный атом, создаваемых в мишени легкими ионами. -ФТП, 1976, т.10, 8, с.1596−1598.
- Кузнецов A.C. Радиационные дефекты в кристаллах Mgo «возникающие в результате рентгеновского облучения. Труды ИФ АН ЭССР, Тарту, 1976, JS 45, C. I0I-IT9.
- Гегузин Я.Е., Забродский Ю. Р., Кошкин В. М. „Охлопывание“ треков в неметаллических 1фисталлах. ФТТ, 1979, т.21, № 6, с.1755−1760.
- Фистуль В.И., Кошкин В. М., Забродский Ю. Р. Предвыделенияи образование зародышей новой фазы в конденсированных телах с большой зоной неустойчивости. ФТТ, 1977, т.19, й 3, с.668−671.
- Забродский Ю.Р. Зона неустойчивости точечных дефектов в квантовых кристаллах. КЭТФ, 1978, т.74, В 4, с.1521--1523.
- Забродский Ю.Р. Рассеяние электронов на неустойчивых парах вакансия-атом е междоузлии. ФТТ, 1978, т.20, № 4, с. II96−1201.
- Пугачева Т.О. Каскады и цепочки коррелированных атомных столкновений в кристаллах. Автореф. канд. диссерт., Ташкент, 1966.
- Silsbee К.Н. Focusing in Collision Problem in Solids.- J. of Appl.Phys., I957, v.28, N II, p. 1246−1250.
- Leibfried G. Correlated Collisions in a Displacement
- Spike. J. of Appl. Phys., 1959, v.30, К 9, p. I388-I396.
- Nelson E.S., Thompson M.W. Atomic collision sequences in crystalls of copper, silver and gold revealed Ъу sputtering in energetic ion beam. Proc.Roy.Soc., 1961, v.259, N 1299, p. 458−479.
- Орлов A.H., Трушин Ю. В. Современные представления о структуре и эволюции радиационных каскадов в твердых телах.
- В кн. Моделирование на ЭВМ дефектов в кристаллах. Л.: ФТИ АН СССР, 1979, с.8−39.¦
- Виньярд Дж. Динамика радиационного повреждения. УФН, 1961, т.74, J& 3, с.435−459.
- Агранович В.П., Кирсанов В. В. Моделирование цепочек атом-атомных столкновений в ОЦК кристалле в широком интервале температур. ФТТ, 1970, т.12,3 9, с.2671−2682.
- Schiffgeus J.O., Schwartz D.W., Ariyasu D.G., Caskaden S.F. Computer simulation of replacement sequences in copper. Rad.Eff., 1978, v.39, N 3−4, p. 221−231.
- Куркин G.A., Одинцов Д. Д. Влияние вакансий на пробег фо-кусонов. ФТТ, I9S5, т.7, й 5, с.1573−1576.
- Жуков Г. В., Коляда В. М. Фокусировка атомных столкновений в ЩК решетке при наличии одиночной вакансии. ФТТ, 1969, т. II, JS 8, с.2077−2078.
- Михлин Э.Я., Нелаев В. В. Фокусирующее влияние вакансии на распространение цепочек атомных столкновений. Удлинение цепочек. ФТТ, 1972, т.14, № 7, с.2159−2161.
- Гринчук П.П., Кирсанов В. В. Динамическое разрушение зон Гинье-Престона в процессе облучения. ФТТ, 1974, т.38, 1Ь 4, с.756−765.
- Кирсанов В.В. Перенос примеси динамическими краудионами.-ФТТ, 1977, т.19, }Ь 4, C. II84-II88.
- Liebfried G. Defects in Dislocations Produced Ъу Foeua -ing Collisions in f.c.c. Lattice. J. of Appl. Phys., i960, v.3I, N I, p. II7-I2I.
- Джапаридзе O.K., Орлов A.H., Трушин Ю. В. Фокусирующиеся столкновения в .изолированных двухатомных цепочках. ЖТФ, 1982, т.52, 1Ь 6, с.1081−1086.
- Balarin M. Fokussierungs Bedingung fur elastische Atom-stoBe in Graphit. Phys.stat. sol., 1962, v. 2, 1. N I, p. 60 72.
- Баларин M., Молчанов В. А., Тельковский В. Г. Анизотропия коэффициента катодного распыления и фокусированные столкновения в монокристаллах. ДАН СССР, 1962, т.147, й 2, с.331−333.
- Лисицын-В.М., Лисицына Л. А. Фокусированные соударения в кристаллах Mg.^. -.Изв. ВУЗов. Физика. Томск, 1975, й I5637−75деп., 8с.
- Лисицын В.М., Лисицына Л. А., Сигимов В. И. Пространственное разделение-компонентов первичных пар радиационных дефектов в ионных! фисталлах. ФТТ, 1977, т.19, J5 5, с. I495−1497.
- Акилов Ю.З., Ленченко В. М. Каскады смещений атомов в Ge и Si (машинное моделирование). ФТП, 1974, т.8, № I, с.30−38.
- Mac Donald R.J. Sputteried Atom Ejection Pattern from (100) Ge Surfaces. Phil.Mag., 1970, v.21, N 171, P. 519 — 531.
- Юрасова B.E., Левыкина Л.II., Бржезинский В. А. О распыле3 с-нии монокристаллов полупроводниковых соединений, А В . -Изв. АН СССР. Сер.физ., 1965, т.28, № д, с.1431−1435.
- Wehner G.K. Momentum Transfer in Sputtering by Ion Bombardment. J. of Appl.Phys., 1954, v.25, N 2, p.273−271.
- Anderson G.S. Atom Ejection in Low Energy Sputtering of Single Crystals of f.c.c. Metals and Ge and Si.- J. of Appl. Phys., 1962, v.33, N 6, p. 2017−2025.
- Эльтеков B.A., Самойлов B.H., Юрасова В. Е. Расчет на ЭШ угловой зависимости распыления монохфисталлов. Поверхность. Физ, хим., механ., 1982, $ 3, с.43−49.
- Шульга В.И. Угловые зависимости.и механизм распыления машинное моделирование. Поверхность. Физ., хим., механ., 1982, Я 3, с.38−42.
- Гарбер Р.И., Федоренко А. И. ФокусироЕка атомных столкновений. УФН, 1964,.т.83, 1? 3, с.385−432.
- Булгаков Ю.В. Нарушения, вносимые в кристалл ионной бомбардировкой и эффект Венера. ФТТ, 1964, $ 4, с.1182--II85.
- Вахидов Ш. А., Джуманов G.O. 0 механизме распыления и образования дефектов е ионных кристаллах. Докл. АН Уз. ОСР, 1980, В 7, с.37−39.
- Nelson R.S., Thompson N.W. The Penetration of Energetic Ions Through the Open-.Channels in Crystal Lattice.- Phil. Mag., 1963, v.8, N 94, p. 1677−1690.
- Томпсон M. Каналирование частиц e кристаллах. УФН, 1969, т.99, 2, с.297−317.
- Линдхард И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. УФН, 1969, т.99, В 2, с.249−296.
- Lehmann С., Leibfried G. Long-Range Channeling Effects in Inradiated Crystal. J. of Appl.Phys., I963, v.34, N 9, p. 2873 — 2878.
- Robinson M.T., Oen O.S. Computer Studies of the Slowing Down of Energetic Atom in Crystal. Phys.Rev., 1963, v. 132, N 6, p. 2385 2398.
- Кумахов M.A. Влияние эффекта каналирования на радиационный каскад в твердом теле. В сб. Радиационная физика •1фИсталлов и р-п переходов. Минск: Наука и техника, 1972, с.18−27.
- Гегузин Я.Е., Воробьева И. В. Эффект приповерхностного каналирования высокоэнергетических многозарядных ионов.-ФТТ, 1980, т.22, & 7, с.2010−2013.
- Орлов А.Н., Трушин Ю. В. Энергии точечных дефектов в металлах, -М.: Энергоатомиздат, 1983, 80 с.
- Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. -М.: Высшая школа, 1983, Г44 с.
- Урусов B.C. Энергетическая кристаллохимия. -М.: Наука, 1975, 335 с.
- Tenenbaum A. Effect of thermal vibration on low-energy collision cascades. Phil.Mag., 1978, v.37, N 6, p. 731 748.
- Макаров А.А., Демкин H.A., Лященко Б. Г. Влияние температуры на длины цепочек атом-атомных столкновений в металлах. Вопр.атом.наук, и техн. Сер.физ. радиац. повр. и радиац. материаловед. Харьков: 1981, № 2/Г6, с.53−56.
- Tenenbaum A. Formation of Frenkel pairs in electron irradiation copper: Rad. Effects, 1978, v.39, N 2, H9.
- Tenenbaum A., Doan N.V. Point defects migration induced by subthreshold focused соHis ions.-J.Nucl.Mat., 1978, v.69, N 1−2, p. 771−775.
- Fumi F.G.,.Tosi M.P. Ionic sizes and Born repulsive pa -rameters in NaCl-type alkali halids. I. Huggins-Mayerand Pauling forms. J.Phys.Chem.Sol., 1964, v.25,N I, p.31.
- Fumi F.G., Tosi M.P. II. The generalized Huggins-Mayer form. J.Phys.Chem.Sol., 1964, v.25, N I, p. 45−52.
- Beeler J.R., Besco D.G. Range and Damage Effects of Tun -nel Trajectories in Wurtzite Structure. J. of Appl.Phys., 1963, v.34, N 9, p. 2873−2878.
- Хастед Дж.-Физика атомных столкновений:'Пер. с англ.1. М.: Мир, 1955, 710 с.
- Erginsoy С., Vineyard G.M., Engbert A. Dynamics of Radiation Damage in a Body-Centered Cubic Lattice.- Phys. Rev., 1964, v. I33» N 24, p. 595−606.
- Chudinov V.G., Gogolin V.P., Coshohitskii B.N., Prota -sov V.I. Simulation of Collision Cascade in Intermetal-lic V^if Compounds. Phys.Stat.Sol.(a), l983, v.79,N I, K57.
- Фирсов 0. Б, Вычисление потенциала взаимодействия атомов.-ЖЭТФ, 1957, т.33, & 3, с.696−699.
- Vajda P. An extended approximation of Born-Mayer scattering cross-section for radiation damage calculations.- Phys. Lett, 1965, v.19, N 3, p. 204−20 595. Радиационные. эффекты в монокристаллах. Ташкент: Фан, 1973, 199 с.
- Naguib Н.М., Kelly R. Criteria for bombardment-induced structural changes in non-metallic solids.- Rad.Eff., 1975, v.25, N I, p. I-I2.
- Leadbetter A. J ., Phillips P.A., Wright A.F. Effect of pile irradiation on silica and related materials.- Phil. Mag., 1976, v.34, N 3, p. 453−464.
- Полинг Л. Природа химической связи. М.: ГХИ, 1947, 440 с.
- Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, Г975, 302 с.
- Воробьев А.А., Лисицын В. М. Радиационная устойчивость ионных кристаллических материалов. Кзв. ВУЗов. Физика, 1977, В 8, с.85−90.
- Кузьмин И.И., Соловьев С. П., Закуркин В. В. Радиационно-индуцированные фазовые превращения е сегнетоэлектриках типа BaTiO^. Изв. АН СССР, сер.физ., 1969, т. ЗЗ, № 2, c.354−3j60.
- Solov’ev S.P., Kuzmin I.I., Zakurkin V.V. Radiationinduced phase transformations in BaiiO, and PbTiO,. 3 3
- Ferroelectrics, I97O, v. I, N I, p. 19−22.
- Пенкаля Т. Очерки кристаллохимии: Пер. с полъск. Л.: Химия, 1974, 496 с.
- Вахидов 1II.A., Гаппаров Н., Рейтеров В. М., Рустамов Я.,
- Соколов В.А., Тавшунский Г. А., Трофимова Л. М. Свойства радиационного окрапшвания кристаллов типа флюорит и MgF^ ЖТФ, 1981, т.51, В II, с.2325−2329.
- Черневская Э.Г. 0 прозрачности кристаллов Са?2и ВаЕ^при действии на них жесткого излучения. Опт. и спектр., 1961, т. II, % 4, с.513−517.
- Kozo A., Moriatami О., Masuo N. Production efficiencyand perturbation of I-center in alkaline-earth fluorides induced by neutrons at low temperature. Ann.Repts. React. Inst .Kyoto Univ., 1980, v. 13, p.'180−184.
- Архангельская B.A., Ерофеичев В. Г., Киселева M.H. Радиационное окрашивание и электрические свойства кристаллов PbF2. ФТТ, 1972, т.14, JS 12, с.3505−3508.
- Hanafi Z.M., Ibrahim Е.M.H., Ismail Е.М. Effect of Radiation of Electrical. Conductivity and Infrared Absorption Spectra of Indium Oxide. Egypt. J.Phys., I977sv.8
- Физико-химические свойства окислов. Справочник /Под ред. Самсонова Г. В. М.: Металлургия, 1978, 471 с.
- ПО. Забродский Ю. Р., Кошкин В. М. Образование долгоживущих точечных дефектов из неустойчивых пар вакансия атом в междоузлии. — ФТТ, 1976, т.18, & 10, с.2857−2862.
- Report of Ann.Phys. S. Commision, Rev.Mod.Phys., 1975, v.47, N 3, S 3 — S 44.
- Clinard F.W., Bunch J.M., Ranken W.A. Neutron irradia -tion damage in Al2 O3 and 12 Oy ~ Radiat. Eff. and
- Tritium Techno1. Fus. Reac.Proc.Int.Conf., Gaflihburg, Tehn., 1975, v.2, N I, p. 498−516.
- ИЗ. Вайнер B.C., Вейнгер А. И., Полонский Ю. А. Исследование-центров в методом ЭПР. ФТТ, 1976, т.18, J& 2, с.409−412.
- Александров В.И., Калабухов В. Ф., Ломанов S.E., Осико В. В., Татаринцев В. И. Влияние примесей и условий отжига на оптические свойства монокристаллов Zr02 и Hfo?-Изв. АН ССОР. Неорг.матер., 1977, т.13, й 12, с.2192--2196.
- Спицын В.И., Рябов А. И., Стельмах Н. С., Пирогова Г. Н. Влияние радиации на оптические свойства монокристаллов Ge, GaAs и ZnSe, Изв. АН СССР. Неорг.матер., 1977, т.13, В I, с.27−30.
- Спицын В.И., Пирогова Г. Н., Стельмах Н. С., Рябов А. И. Короткоживущее оптическое поглощение в облученном ZnSe. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1978, т.14, JS 3, с.427−431.
- Михайлов М.М., Дворецкий М. И. Исследование спектров диффузного отражения окиси цинка, облученной электронами. -Ш1С, 1901, т.34, к 3, с.548−549.
- Амосов А.В., КорнеЕ В.В., Насельский С. П., Павлова й.А. Радиационно-оптические свойства керамики из диоксида щэемния. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1983, т.19, № I, с.142−146.
- S. ГорюноЕа Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. -М.: Советское радио, I9S8, 268 с.
- FinkmanE., Tauc J., Kershaw R., Wold A. Lattice dyna -mics of tetrahedrally bonded semiconductors containing ordered vacant sites. Phys.Rev., 1975, v. II, N 10, p. 3785−3794.
- Кошкин B.IvT., Атрощенко Л. В., Гальчинецкий Л. П., Шахов-цов В.И., Руденко М. К. Полупроводниковый кристаллический. материал /Изобретение й 293 395, 1939. Ш, 1977, № 31, с. 218.
- Бокий Г. Б. Кристаллохимия. ~М.: Наука, 1971, 400 с.
- Пирсон У. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов.
- В 2-х частях. М.: Мир, 1977, ч.1−420 е., ч.2 — 472 с.
- Кошкин В.М., Атрощенко Л. В., Фрейман Ю. А. Примеси в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями. ДАН СССР, I9S8, т.183, n I, с.83−86.
- Атрощенко Л.В., Гальчинецкий Л. П., Кошкин В. М., Палат-ник Л.С. Отклонения от стехиометрии и растворение примесей в полупроводниковых соединениях типа В^Сд^. Изв. АН СССР. Неорг. материал., 1965, т.1, й 12, с.2140−2150.
- Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники /Под ред. Радауцана С. И. Кишинев- Штиин-ца, 1980, 181 с.
- Кошкин В.М., Манюкова Л. Г., Сысоев Л. А. О температурах плавления ковалентных полупроводников со стехиометрическими вакансиями. Изе. АН СССР. Неорг. матер., 1968, т.4, Гр. 10, с.1633−1639.
- Кошкин В.М., Фрейман Ю. А., Гальчинецкий Л. П. О релаксации кристаллической решетки вблизи вакансии. ФТТ, 1969, т. II, J? I, с.212−214.
- Нараи-Сабо И. Неорганическая кристаллохимия: Пер. с венгерок., Будапешт, АН Венгрии, 1969, 496 с.
- Ормонт Б.Ф. Введение в «физическую химию и кристаллохимию полупроводников. -М.: Высшая школа, 1973, 656-е.
- Палатник Л.С., Комник Ю. Ф., Кошкин В. М. Кристаллохимия соединений с тетраэдрической координацией атомов. Кристаллографйя, 1962, т.7, Js 4, с.563−567.
- Ландау Л.Д. Собр. научн. трудов, т.1, М.: Наука, 1971, с. 81.
- Палатник Л.С., Кошкин В. М., Комник Ю. Ф. Об изоэлектрон-ных рядах полупроводниковых соединений. Кристаллография, 1962, т.7, J& I, с.124−125.
- Franklin A.D. Born model calculation of defects energies in CaF2.-J.Phys.Chem.Sol., I968, v.29, N 5, p.823−841.
- Бацанов С.С. Структурная рефрактометрия. M.: Высшая школа, 1976, 304 с.
- Nelson R.S. Focused Collision Sequences in (Tungsten and Molybdenum.-Phil.Mag., 1963, v.8,Ш 88, p.693−705.
- Кирсанов В.В., Орлов А.H. Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах. УФН, 1984, т.142,1. J& 2, с.219−264.
- Turrens I.MeC., Chadderton L.T. Dynamics of Radiation
- Damage in Face-Centered-Cubic Alkali Halids. -Phys. Rev., 1967, v.159, N 3, p. 671−682.
- Абрикосов H.X., ШелимоЕа Л.Е. Полупроводниковые мате4 fiриалы на основе соединений, А В. М.: Наука, 1975, 195 с.
- Чияиков Д.М., Счастливый В. П. Селен и селениды. М.: Наука, 1964, 320 с.
- Степанов И.В., Васильева М. А. Управление тепловым фактором при выращивании оптических монокристаллов. В кн.: Рост кристаллов. М.: Изд-во АН СССР, 1961, т. З, с.223--238.
- Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1975, 296 с.
- Жузе В. П. Сергеева В.М., Шелых А. И. Электрические свойства in2Te^ полупроводника с дефектной структурой. -ФТТ, i960, т.2, № 12, с.2858−2871.
- Громышев A.B., Луценко Э. Л., Синицкий В. В. Терморегули-рущее устройство для нагрева с постоянной скоростью. -ПТЭ, 1970, J5 5, с.206−207.
- Бойко И.И., Рашба Э. И., Трофименко А. П. Термически стимулированная проводимость е полупроводниках. ФТТ, i960, т.2, ib I, с.109−117.
- Антонов-РоманоЕский В. В. Определение коэффициента поглощения порошкообразных фосфоров. ЖЭТФ, 1954, т.26, № 4, с.459−472.
- Волгин Ю.Н., Ковалев В. П., Уханов Ю. И. Применение метода диффузного отражения для изучения 1фая оптического поглощения полупроводников и диэлектриков. ФТП, 1970, т.4, 1S 12, с.2400−2408.
- Шапиро И.П. Определение ширины запретной зоны из спектров диффузного отражения. Опт. и спектр., 1958, т.4, J& 2, с.256−260. '
- Кортюм Г., Браун В., Герцог Г. Принципы и методика измерения в спектроскопии диффузного отражения. УФН, 1965, т.85, JS 2, с.365−380.
- Давиташвили Т.Ш. Центры окраски в облученных кристаллах Li # Naci и KCl . В сб.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев: Наукова думка, 1967, с.287−291.
- Финч А., — Гейтс П., Редклиф К., Джексон Ф., Бентли Ф. Применение длинноволновой ИК-спектроскопии в химии: Пер. с англ. М.: Мир, 1973, 286 с.
- Смит А. Прикладная ИК-спектроскопия: Пер. с англ. М.: Мир, 1982, 328 с.
- Жижин-Г-.Н., Маврин Б. Н., Шабанов В. Ф. Оптические колебательные спектры кристаллов. М.: Наука, 1984, 232 с.
- Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах: Пер. с англ. М.: ИЛ, 1932, 584 с.
- Лыков A.B. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967, 600 с.
- Физика и химия соединении А2В^: Пер, с англ. М.: 1972, 624 с.
- Борн М., Кунь X. Динамическая.теория кристаллических решеток: Пер. с англ. М.: ИЛ, 1958, 488 с.
- Пуле А., Матье S. П. Колебательные спектры и симметрия кристаллов: Пер. с француз. — М.: Мир, 1973, 450 с.
- Рейсленд Дж. Физика фононов: Пер. с англ. М.: Мир, 1975, 368 с.
- Srivastava S.P., Singh E.D. Multiphonon absorption bands in MgO. Chem.Phys.Lett., 1971, v.10, N 4, P. 387 — 391.
- Кошкин B.M., ТиманБ.Л., Гальчинецкий Л. П. Особенности кристаллохимических и тепловых свойств полупроводников со стехиометрическими вакансиями. УФК, 1967, т.12,12, с.2065−2068.
- Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузии и электропроводность в простых окислах металлов: Пер. с англ. -М.: Мир, 1975, 396 с.
- Каминский Б.Т., Плыгунов A.C., Прокофьева Г. Н. Инфракрасные спектры окислов титана, циркония и гафния. -УХЕ, 1973, т.39, гё 9, с.946−947.
- Бацанов O.G., Григорьева Г. Н., Соколова Н. П. Оптические свойства окислов редкоземельных металлов. 1СХ, 1962, т. З, Л 3, с.339−342.
- Линник С.П., Юрасова В. Е. Распыление двухкомпонентныхсоединений и сщшеов. Поверхность. Физ., хим., механ., 1982, te 3, с.25−37.
- Aukerman L.W. Radiation-Produced Energy Levels in Com -pound Semiconductors.- J. of Appl.Phys., 1959, v.30, N 8, p. 1239 1243.
- Урусов B.C. Эффективные параметры электронных оболочек атомов и ионов. ЖСХ, 1962, т. З, JS 4, с.437−447.
- Оксенгендяер Б.Л. Теоретические аспекты дефектообразова-ния в твердых телах. В сб.: Влияние несовершенств структуры на свойства кристаллов. — Ташкент, Фан, 1979, с.11−48.
- Винецкий В.Л., Ентинзон И. Р., Холодарь Г. А. О «пороговой ' энергии образования дефектов Френкеля быстрыми частицами. ФТП, I979, т.13, й 5, с.912−918.
- Кошкин В.М., Эккерман В. М. Новый Еакансионный механизм диффузии. ФТТ, 1974, т.16, В 12, с.3728−3730.
- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972, 384 с.
- Палатник Л.С., Атрощенко Л. В., Гальчинецкий Л. П., Кошкин В. М. Об эффекте отклонения от стехиометрии в полупроводнике В^с^ДАН COOP, 1965, т.165, № 4, с.809--012.
- Ломер У.М. Дефекты в чистых металлах. В кн.: Успехифизики металлов: Пер. с англ. М.: ГНТИЛИЩ, 1963, т.5, с.299−372.
- Кошкин В.М., Гальчинецкий Л. П., Корин А. И. Электропроводность сильно легированных полупроводников типа т-. фз1-. ФТП, 1971, т.5, J? 10, с.1983−1985.
- Гальчинецкий Л.П., Кошкин В. М., Кулик В. Н., Улманис У. А. Радиационностойкий полупроводниковый материал Ga^ej. -Электронная техника. Сер.: Материалы, 1975, № 10, с. 29−34.
- Mac Key J.W., Klontz Е.Е. Review of radiation effects in germanium. Rad. Effects, 1971, v.9, N 1−2,p.27−36.
- Эккерман В.M., Гальчинецкий Л. П., Кошкин В.М.'Самодиффузия и диффузия кадмия в щшеталле 1п2Те5. ФТТ, 1974, T. I6, 5, с.1551−1552.