Анализ дефектов структуры полупроводников по рентгенотопографическим и поляризационно-оптическим розеткам контраста
Диссертация
Расчётное изображение винтовой дислокации в упругоизотропном приближении (ваАз) и с учётом анизотропии гексагонального кристалла (8Ю) описывается двухлепестковой розеткой чёрно-белого контраста. Если ось дислокации совпадает с направлением преимущественного распространения энергии волнового рентгеновского поля, то плоскость антисимметрии розетки перпендикулярна отражающим плоскостям. Расположение… Читать ещё >
Содержание
- ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ И ОБОЗНАЧЕНИЯ
- Глава 1. ПРЯМЫЕ НЕРАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЁТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ (ОБЗОР)
- 1. 1. Современное состояние рентгеновской топографии
- 1. 1. 1. Общая характеристика методов рентгеновской топографии
- 1. 1. 2. Физические принципы методов рентгеновской топографии
- 1. 1. 3. Вопросы интерпретации изображений в рентгеновской топографии
- 1. 2. Поляризационно-оптический метод исследования дефектов в кристаллах (метод фотоупругости)
- 1. 2. 1. Физические принципы поляризационно-оптического метода
- 1. 2. 2. Применение метода фотоупругости для анализа дефектов монокристаллов
- 1. 3. Выводы и постановка задач диссертационного исследования
- 1. 1. Современное состояние рентгеновской топографии
- Глава 2. АППАРАТУРА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ, ПОДГОТОВКА МОНОКРИСТАЛЛОВ
- 2. 1. Подготовка монокристаллов для оптических и топографических исследований
- 2. 2. Политипный анализ кристаллов 8Ю
- 2. 3. Аппаратура и геометрия съёмки
- 2. 4. Оцифровка экспериментальных топограмм и поляризационно-оптических снимков
- 2. 5. Компьютерная обработка топографических и поляризационно-оптических изображений дефектов кристаллической решётки монокристаллов. 2.5. Выводы
- Глава 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТРАСТА ИНТЕНСИВНОСТИ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ В МЕТОДАХ РТБ И
- ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА
- 3. 1. Метод расчёта бормановского контраста интенсивности от дефектов с медленно изменяющимися полями деформаций
- 3. 2. Моделирование изображений дислокаций в методе РТБ
- 3. 3. Моделирование изображений микродефектов в методе РТБ
- 3. 4. Моделирование поляризационно-оптических изображений дислокаций
- 3. 5. Выводы
- Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ РТБ
- 4. 1. Экспериментальный контраст от дислокаций в методе РТБ
- 4. 1. 1. Контраст от дислокаций в кристаллах SiC
- 4. 1. 2. Краевые дислокации в кристаллах GaAs
- 4. 1. 3. Дислокации в монокристаллических сплавах (Bi+Sb)
- 4. 2. Исследование дефектов упаковки методом РТБ
- 4. 2. 1. Теоретические модели дефектов упаковки в монокристаллах с решёткой алмаза
- 4. 2. 2. Моделирование контраста интенсивности от частичных и вершинных дислокаций в монокристаллах кремния в методе РТБ
- 4. 2. 3. Исследование ростовых ДУ в монокристаллах кремния методом РТБ
- 4. 3. Экспериментальный контраст от микродефектов в методе
- 4. 3. 1. Исследования микродефектов в кристаллах 81, 8Ю, ваАБ и 278 (В1+БЬ)
- 4. 3. 2. Цифровая обработка изображений микродефектов
- 4. 4. Определение чувствительности метода РТБ при исследовании различных материалов
- 4. 5. Выводы
- 4. 1. Экспериментальный контраст от дислокаций в методе РТБ
- Глава 5. РЕНТГЕНОВСКИЙ КОНТРАСТ ОТ ДИСЛОКАЦИЙ В УСЛОВИЯХ СЛАБОГО ПОГЛОЩЕНИЯ
- 5. 1. Получение секционных и проекционных топограмм дефектов в монокристаллах 81С
- 5. 2. Секционные изображения дислокаций, перпендикулярных поверхности кристаллов 8¡-С
- 5. 3. Изображения дислокаций, перпендикулярных поверхности кристаллов 8Ю, в методе Ланга
- 5. 4. Выводы
- Глава 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКИМ МЕТОДОМ
- 6. 1. Исследование дислокаций в монокристаллах 8Ю, выращенных методом Лели
- 6. 2. Применение метода фотоупругости для исследования дефектов в монокристаллах 8Ю, выращенных методом ЛЭТИ
- 6. 3. Выводы
Список литературы
- Данильчук J1.H. Бормановская рентгеновская топография дефектов в кристаллах с медленно изменяющимися полями деформаций. Дис.. д-ра ф.-м. наук. Киев: ИМФ АН Украины, 1992. 361 с.
- Окунев А. О. Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния: Дис.,. канд. физ.-мат. наук. Новгород, 1999. 263 с.
- Сангвал К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990. 492 с.
- Authier A. Dynamical theory of X-ray diffraction. New York: Oxford University Press, 2004. 676 p.
- Боуэн Д.К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактомет-рия и топография / Пер. с англ. И.Л. Шульпиной- Т. С. Аргуновой. СПб.: Наука, 2002. 274 с.
- Шульпина И.Л. Рентгеновская дифракционная топография. Этапы и тенденции развития // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования'. 2000. № 4. С. 3−18.
- Суворов Э.В. Физические основы современных методов исследования реальной структуры кристаллов. Черноголовка, 1999. 232 с.
- Суворов Э.В., Шулъпина И. Л. Рентгеновская оптика кристаллов с дефектами // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. № 7. С. 3−22.
- Шулъпина И.Л. Рентгеновская дифракционная плосковолновая топография (обзор) // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2000. Т. 66, № 2. С. 25−37.
- Bonze U., Hart М. An X-ray interferometer // Appl. Phys. Lett. 1965. V. 6, N 8. P. 155−156.
- Bonze U., Hart M. An X-ray interferometer with long separated interfering beam paths // Appl. Phys. Lett. 1965. V. 7, N 4. P. 99−100.
- Дангтъчук Л.Н., Окунев А. О., Ткалъ В. А., Труханов Е. М., Фёдоров A.A., Васшенко А. П. Рентгеновская топография кремния на основе плёночной интерферометрии эпитаксиальных систем и эффекта Бормана. НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 351 с.
- Ingal V.N., Beliaevskaya Е.А. Phase dispersion introscopy // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1996. № 3−4. С. 222 230.
- Шулъпина ИМ. Применение комплекса дифракционных методов в исследовании реальной структуры материалов (обзор) // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2004. Т. 70, № 1. С. 23−27.
- Шулъпина И.Л. Контраст дефектов в проекционной топографии сильно-поглощающих кристаллов // Кристаллография. 1994. Т. 39, № 2. С. 210−211.
- Иверонова В.И., Ревкевич Г. П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: Изд-во МГУ, 1978. 277 с.
- Tanner B.K. X-ray diffraction topography. New York: Pergamon Press, 1976.176 p.
- Пгтскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. M.: Наука, 1982. 392 с.
- Тихонов Л.В. О возможностях трансмиссионной рентгеновской топографии при использовании косонесимметричных и кососимметричных съемок // Укр. физ. журн. 1971. Т. 16, № 1. С. 137−150.
- Gerward L. The energy flow of X-rays in silicon single crystals // Acta Cryst. 1971. V. 27, N l.P. 18−22.
- Efimov O.N. Contribution of thermal vibrations to the anomalous trans-mission of X-rays // Phys. stat. sol. 1967. Vol. 22, N 2. P. 297−308.
- Borrmann G. Uber extinktion der rontgenstrahlen von quarz // Physik Zeit. 1941. Bd. 42, N 1. S. 157−162.
- Hirsch P.В. The reflexion and transmission of X-rays in perfect absorbing crystals // Acta-Cryst. 1952. Vol. 5, N 3. P. 176−181.
- Laue M. Die Energiesstromung bei Rontgenstrahl-Interferenzen im Kristallen // Acta Cryst. 1952. Bd. 5, N 8. S. 619−625.
- Zachariasen W.H. On the anomalous transparency of thick crystals to X-rays // Proc. N.A.S. USA. 1952. Vol. 38, N 4. P. 378−382.
- Laue M. Rontgenstrahlinterferenzen, 3 Aufg. Frankfurt am Mein. Akadem. Verlagsgeselschaft, 1960.
- Инденбом B.JI., Чуковский Ф. Н. Проблема изображения в рентгеновской оптике // УФЫ. 1972. Т. 107, вып. 6. С. 229−265.
- Тихонова Е.А. Теория бормановского дислокационного контраста // Укр. физ. журн. 1976. Т. 21. С. 709−734.
- Tanner В.К. X-ray diffraction topography. New-York: Pergamon Press, 1976.176 p.
- Suvorov E. V., Indenbom V.L. X-Ray diffraction contrast // Proc. 4-th international specialists school on crystal growth. Suzdal (USSR), 1980. P. 229−250.
- Лэнг A.P. Рентгеновская топография методы и интерпретация // Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении. М.: Металлургия, 1984. С. 364−446.
- Отъе А. Контраст изображений в рентгеновской топографии // Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении. М.: Металлургия, 1984. С. 446−470.
- Kato N. Pendellosung fringes in distorted crystals. I. Fermat's principle for Bloch waves // J. Phys. Soc. Japan. 1963. Vol. 18, N. 12. P. 1785−1791.
- Kato N. Pendellosung fringes in distorted crystals. II. Application to two-beam cases // J. Phys. Soc. Japan. 1964. Vol. 19, N. 1. P.' 67−77.
- Kato N. Pendellosung fringes in distorted crystals. I II. Application to homogeneously bent crystals // J. Phys. Soc. Japan. 1964. Vol. 19, N. 6. P. 971−985.
- Инденбом В.Л., Чуковский Ф. Н. // Кристаллография. 1971. Т. 16, № 6. С. 1101.
- Takagi S. Dynamical theory of diffraction applicable to crystals with any kind of small distortion//Acta Cryst. 1962. V. 15, N 10. P. 1311−1312.
- Authier A., Simon D. Application de la theorie dynamique de S. Takagi an contraste d’un defaut plan en topographie par rayons X // Acta Cryst. 1968. Vol. A24. N 5. P. 517−526.
- Authier A., Malgrange C., Tournarie M. Etude theorique de la propagation des rayons X dans un cristal parfait ou legerement deforme // Acta Cryst. 1968. Vol. A24. N l.P. 126−136.
- Слободецкий И.Ш., Чуковский Ф. Н., Инденбом B.JI. Дифракция рентгеновских лучей в условиях пространственно-неоднородной динамической задачи // Письма в ЖЭТФ. 1968. Т. 8, № 2. С. 90−94.
- Слободецкий И.Ш., Чуковский Ф. Н. К динамической теории дифракции пространственно-неоднородного пучка’рентгеновских лучей в идеальном кристалле//Кристаллография. 1970. Т. 15,№ 6. С. 1101−1106.
- Лэнг А.Р. Непосредственное наблюдение дислокаций методом рентгеновской дифракции // Несовершенства в кристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1964. С. 201−203.
- Лэнг А.Р. Проекционная топография новый метод в рентгеновской дифракционной микрорадиографии // Несовершенства в кристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1964. С. 198−200.
- Лейкин В.Н., Мингазин Т. А., Зеленое В. И. Коллимирующее устройство для рентгеновской топографии // Приборы и техника эксперимента. 1981. №. 3. С. 208−210.
- Takagi S. A dynamical theory of diffraction for a distorted crystal // J. Phys. Soc. Jpn. 1969. Vol. 26, N 5. P. 1239−1253.
- Toupin D. Prevision de queloques images de dislocation par transmission des rayons X (cas de Laue symetrique) // Acta Crystallogr. 1967. V. 23, N 1. P. 25−35.
- Authier A. Contrast of dislocation images in X-ray transmission topography // Adv. in X-PLay Analisis. 1967. Vol. 10, N 10. P. 9−31.
- Authier A., Balibar F., Epelboin J. Theoretical and experimental study of in-terbranch scattering observed near a dislocation line in X-ray topography // Phys. stat. sol. 1970. Vol. 41, N 1. P. 225−238.'
- Чуковский Ф. Н, Штольберг А. А. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей на дислокациях // ЖЭТФ. 1973. Т. 64, № 3. С. 1033−1041.
- Suvorov E. V., Polovinkina V.I., Nikitenko V.I., Indenbom V.L. Investigation of image formation of straight-line dislocations in the case of extinction contrast // Phys. stat. sol. (a). 1974. Vol. 26. P. 385−395.
- Indenbom V.L., Nikitenko V.I., Suvorov E.V., Kaganer V.M. Section topography as single-crystal interferometry // Phys. stat. sol. (a). 1978. Vol. 46, N 1. P. 379−386.
- Suvorov E. V., Gorelik O.S., Kaganer V.M., Indenbom V.L. Shape of extinction fringes and determination of the Burger vector in single-crystal interferometric techniques // Phys. stat. sol. (a). 1979. Vol. 54, N 1. P. 29−35.
- Йндепбом B.JI., Чуховский Ф. Н., Слободецкий И. Ш. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла // Кристаллография. 1974. Т. 19, вып. 1. С. 35−53.
- Indenbom V.L., Slobodetskii I.Sh. Image of a stacking fault // Phys. stat. sol. (b). 1975. V. 71, N 3. P. 751−756.
- Инденбом В.Л., Слободецкий И. Ш., Трунин КГ. Рентгеновский интенфе-рометр с узким пучком // ЖЭТФ. 1974. Т. 66, № 36. С. 1110−1120.
- Суворов Э.В., Мухин К. Ю., Половинкина В. И., Энтин И.Р., Никитенко
- B.И., Инденбом В. Л. Дислокационный контраст // Материалы IV совещ. по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. JL: Изд-во АН СССР, 1977. С. 31−35.
- Суворов Э.В., Смирнова И. А., Шулаков Е. В. Дифракционное изображение дислокаций, расположенных в плоскости рассеяния перпендикулярно вектору отражения // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 9. С. 64−68.
- Петрашенъ П.В., Чуховский Ф. Н., Шулъпина ИЛ. Решение проблемы расчёта рентгеновских проекционных топограмм // ДАН СССР. 1978. Т. 240, № 4.1. C. 836−838.
- Петрашенъ П.В., Чуховский Ф. Н. Новый метод расчёта рентгеновских проекционных топограмм // ФТТ. 1978. Т.20, № 4. С. 1104−1108.
- Petrashen P. V, Chukhovskii F.N., Shulpina I.L. The physical foundation of the computer simulation of X-ray traverse topographs // Acta Cryst. 1980. Vol. A36, N 1. P. 287−295^
- Суворов Э.В., Смирнова И. А., Шулаков Е. В. Влияние толщины кристалла и роль поглощения в формировании рентгеновского дифракционного изображения дислокаций // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. № 12. С. 12−19.
- Смирнова И.А., Суворов Э. В., Шулаков Е.В. .Дифракция рентгеновских лучей на деформациях, локализованных в области, параллельной поверхности образца // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. № 12. С. 8−11.
- Шулъпина И.Л., Даценко Л. И. Об изображении линейных дефектов в методе аномального прохождения рентгеновских лучей // Укр. физ. журн. 1967. Т. 12, № 9. С. 1474−1482.
- Borrmann G., Hartwig W., Irmler H. Schatten von Versetzungslinien im Ront-gen-Diagramm // Zeit. Physik. 1959. Bd. 155, N 4. S. 387−394.
- Алъшиц В.И., Инденбом В. Л., Русакова H.A. Эйкональное приближение в теории электронно-микроскопического изображения и его обобщения // Кристаллография. 1977. Т. 22, № 6. С. 1157−1165.
- Suvorov E.V., Indenbom V.L., Gorelik O.S., Rusakova I.A., Chamrov V.A. Dislocation coritrast in the case of anomalous X-ray transmission // Phys. stat. sol. (a). 1980. Vol. 60, N l.P. 27−35.
- Kambe K. Theorie der Schattenbildung von Versetzungenslinien in Rontgen-Durchstrahlungsdiagrammen // Zeit. Naturforsch. Ser. A, 1963. Bd. 18A, N 7, S. 10 101 011.
- Xupui П., Николсон Р., Пэгили Д., Уэлан М. М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. 574 с.
- Gerold V., Meier F. Der Rontgenographische Nachweis von Versetzungen in Germanium // Zeit. Phys. 1959. Bd. 155, N 4. S. 387−394.
- Authier A. Observation des dislocations dans le silicium a l’aide des rayons X dans le cas la transmission anomale // J. Phys. Radium. 1960. Vol. 21, N 8−9. P. 655 661.
- Данилъчук JI.H., Смородина T.A. Наблюдение полей напряжений вокруг отдельных дислокаций методом аномального прохождения рентгеновских лучей // ФТТ. 1965. Т. 7, № 4. С. 1245−1247.
- Данилъчук JI.H., Никитенко В. И. Прямые наблюдения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла кремния // ФТТ. 1967. Т. 9, № 7. С. 2027−2034.
- Данилъчук JI.H. Исследование дислокационной структуры монокристаллов и плёнок с решёткой типа алмаза методом АПРЛ: Дис.. канд. физ.-мат. наук. Новгород, 1967.
- Данилъчук JI.H. Исследование дислокационной структуры монокристаллов с алмазной решёткой' методом АПРЛ // Учёные зап. Петрозавод. гос. ун-та. Петрозаводск, 1968. Т. 16, Вып. 6. С. 3716.
- Данилъчук JI.H. Рентгенографическое наблюдение полей деформаций вокруг краевых дислокаций в монокристаллах германия // ФТТ. 1969. Т. 11, № 11. С. 3085−3091.
- Данилъчук JI.H. Контраст интенсивности от винтовых дислокаций, лежащих в отражающей плоскости // ФТТ. 1973. Т. 15, № 7. С. 2143−2145.
- Данилъчук JI.H. Обнаружение и исследование контраста интенсивности от винтовых дислокаций в германии // ФТТ. 1975. Т. 17, № 9. С. 3700−3702.
- Данильчук. JI.H. Рентгеновская топография дефектов в кристаллах на основе эффекта Бормана // Вестн. Новгород, гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 1995. № 1.С. 12−19.
- Инденбом В.Л., Чамров В. А. Однолучевая электронная микроскопия // Кристаллография. 1980. Т. 25, № 3. С. 465−472.
- Dunia Е., Malgrange С., Petroff J.F. Determination of the sign of the Burgers vector for nearly screw dislocations. A direct application of X-ray dynamical theory // Phil. Mag. A. 1980. Vol. 41, N 3. P. 291−306.
- Тихонов Л.В., Харькова Г. В. Определение пространственной ориентации дислокационных линий в германиевом кристалле по топограммам, полученным методом Бормана//Кристаллография. 1968. Т. 13, № 3. С. 479−486.
- Смородина Т.А., Данильчук Л. Н. Использование метода АПРЛ для изучения структуры монокристаллического германия при эпитаксиальном наращивании германиевых слоев // Учёные зап. Петрозавод. гос. ун-та. Петрозаводск, 1968. Т. 16, № 6. С. 65−73.
- Данильчук Л.Н., Смородина Т. А. Смещение изображения дислокаций при аномальном прохождении рентгеновских лучей // Рост кристаллов. М.: Наука, 1965. Т. 5. С. 321−326.
- Буйлов А.Н. Исследование структурных дефектов монокристаллического арсенида галлия рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана: Дис.. канд. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 2002. 242 с.
- Буйлов А.Н., Данильчук Л. Н. Краевые дислокации с большим вектором Бюргерса в структуре сфалерита//Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28, вып. 18. С. 24−28.
- Chukhovskii F.N., Stolberg A.A. On the dynamical theory of X-ray images of real crystal // Phys. stat. sol. 1970. Vol. 41, N 3. P. 815−825.
- Данильчук Л.Н., Окунев A.O., Ткаль В. А. Рентгеновская дифракционная топография дефектов в кристаллах на основе эффекта Бормана / НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 493 с.
- Epelboin Y., Ribet М. Quantitative study of the contrast of dislocations in translation topographs application to lithium formate monohydrate // Phys. stat. sol. (a) 1974. Vol. 25. P. 507−513.
- Bonze U. Zur rontgenographischen bestimmung des typs einzelner versetzungen In einkristallen // Zeit. Phys. 1958. Bd. 153, N 2. S. 278−296.
- Бонзе У. Рентгеновское изображение поля нарушений решетки вокруг отдельных дислокаций // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. С. 184−204.
- Kaganer V.M., Mohling W. Characterization of dislocations by double crystal X-ray topography in back reflection // Phys. stat. sol. (a). 1991. Vol. 123. P. 379−392.
- Gemperlova J., Polcarova M., Bradler J. X-ray topographic contrast on dislocations with g-b=0 //J. Phys. D. 1993. Vol. 26, N 4A. P. A131-A136.
- Kato N. Usami K., Katagawa T. The X-ray diffraction image a stacking fault // Adv. X-ray Analisis. 1967. Vol. 10, N 1. P. 46−66.
- Authier A. Contrast of the stacking fault on X-ray topographs // Phys. stat. sol. 1968. Vol. 27, N 1. P. 77−93.
- Sauvage M., Malgrange C. Observation of X-ray stacking fault fringes in the plane wave case // Phys. stat. sol. 1970. Vol. 37, N 3. P. 759−771.
- Patel J.R., Authier A. X-ray topography of defects produced after heat treatment of dislocation-free silicon containing oxygen // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46, N 1. P. 118−125.
- Authier A., Patel J.R. X-ray topographic determination of the intrinsic or extrinsic nature of stacking faults // Phys. stat. sol. (a). 1975. Vol. 27, N 1. P. 213−222.
- Инденбом B.JI., Чуковский Ф. Н. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла // Кристаллография. 1974. Т. 19, № 1. С. 35−41.
- Инденбом В.Л., Слободецкий И. Ш. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла // Кристаллография. 1974. Т. 19, № 1. С. 42−53.
- Indenbom V.L., Slobodetskii I.Sh. Image of stacking fault // Phys. stat. sol. (b). 1975. Vol. 71, № 2. P. 751−756.
- Суворов Э.В., Мухин К. Ю. Секционное изображение дефекта упаковки // Материалы IV Совещ. по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. Л: Изд-во АН СССР, 1977. С. 42−45.
- Швутке Г., Силе В. Рентгеновский анализ структур дефектов упаковки в эпитаксиально наращенном кремнии // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. С 246−258.
- Indenbom V.L., Kaganer V.M. The formation of X-ray images of microde-fects // Phys. stat. sol. (a). 1985. Vol. 87, N 1. P. 253−265.
- Крылова H.O., Мелинг В., Шулъпина И. Л., Шейхет Э. Г. Выявление и исследование. микродефектов в кремнии методами рентгеновской топографии // ФТТ. 1986. Т. 28, № 2. С. 440146.
- Каганер В.М., Крылова И. О., Инденбом В. Л., Шулъпина И. Л. Волновые пакеты и изображения микродефектов в двухкристальной рентгеновской топографии // ФТТ 1986. Т. 28, № 8. с.2343−2351.
- Voloshin А.Е., Smolskii I.L., Kaganer V.M., Indenbom V.L., Rozhanskii V.N. Imaging of microdefects in silicon single crystals by plane wave X-ray topography at asymmetric diffraction//Phys. stat. sol. (a). 1992. Vol. 130, P. 61−73.
- Green G.S., Cui Shu Fan, Tanner B. K Simulation of images of spherical strain centres in X-ray section topographs // Phil. Mag. A. 1990. V. 61. № 1. P. 23−33.
- Holland A. J., Tanner B.K. Simulation of X-ray section topograph images of oxygen precipitates in silicon // J. Phys D: Appl. Phys. 1995. V. 28. P. A27-A32.
- Даншъчук Л.Н. Ростовые включения второй фазы в кремнии, выращенном по методу Чохральского // Расширенные тез. 6 Междунар. конф. по росту кристаллов. М.: Изд-во АН СССР, 1980. Т. 4. С. 294−295.
- Даншъчук Л.Н. О природе А-кластеров в бездислокационном кремнии, выращенном по методу Чохральского // Тез. докл. IV Всесоюз. совещ. по дефектам структуры в полупроводниках. Новосибирск: Изд-во АН СССР, 1984. Ч. 1. С. 2829.
- Даншъчук Л.Н. Бормановский’контраст интенсивности от когерентных включений второй фазы в монокристаллах полупроводников // Тез. второго совещания по Всесоюзной межвузовской комплексной программе «Рентген». Ереван: Изд-во ЕГУ, 1987. С. 40−41.
- Deslattes R.D., Kessler E.G., Owens S., BlackD., Henins A. Just how perfect can a perfect crystal be? // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1999. Vol. 32. P. A3-A7.
- Tuomi Т., Rantamaki R., McNally P.J., Lowney D., Danilewsky A.N., Becker P. Dynamical diffraction imaging of voids in nearly perfect silicon // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2001. Vol. 34. P. A133-A135.
- Epelboin Y., Morris F., Rimsky A. Image enhancement of X-ray topographs by Fourier filtering // J. Appl. Phys. 1993. N 26. P. A15-A18.
- Pilard M., Epelboin Y., Soyer A. Fourier filtering of synchrotron white-beam topographs // J. Appl. Cryst. 1995. N 28. P. 279−288.
- Баловсяк С.В., Фодчук И. М., Потапов О. Н. Методы цифровой обработки изображений в рентгеновской топографии // II Украинская науч. конф. по физике полупроводников: Тез. докл. Черновцы, Украина, 2004. С. 415^-16.
- Квитек Е.В., Садыков Р. А., Марук С. В. Метод компьютерной обработки пленок рентгеновской дифракции // Приборы и техника эксперимента. 1996. № 2. С. 64−67.
- Суевалов С.А., Каплан КГ. Проблема численного выделения фона в рентгеноструктурных исследованиях // Кристаллография. 2005. Т. 50, № 1. С. 3842.
- Kozlowski J., Serafinczuk J. Wavelet analysis of the X-ray high resolution image // X-TOP 2002. P. 63.
- Александров А.В., Потапов В. Д., Державин Б. П. Сопротивление материалов. М.: Высш. шк., 1995. 560 с.
- Милевский JI.C. Дислокационная структура полупроводников и методы ее исследования // Дислокации и физические свойства полупроводников / Под ред. А. Р. Регеля. Л.: Наука, 1967. С. 5−29.
- Никитенко В.И., Осипъян Ю. А. Влияние дислокаций на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов // Проблемы современной кристаллографии. М.: Наука, 1975. С. 239−261.
- Nikitenko V.I., Dedukh L.H. Application of the photoelasticity method to the investigation of stresses around individual dislocations and their influence on crystal properties //Phys. stat. sol. (a). 1970. Vol. 3. P. 383−392.
- Никитенко В. И, Инденбом В. Л. Сопоставление напряжений и дислокаций в кристаллах германия // Напряжения и дислокации в полупроводниках / Под ред. М.В. Классен-Неклюдовой: М.: Институт кристаллографии АН СССР, 1962. С. 34−42.
- Денисов А.В., Крымов В. М., Лунин Ю. О. Остаточные напряжения в ба-зисноограненных ленточных кристаллах сапфира // III Международная конференция по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века»: Сборник тезисов. Черноголовка. 2006. С. 150−151.
- Chuan-zhen B.G., Nai-ben М., Duan F. A study of screw dislocations in gadolinium gallium garnet and yttrium aluminium garnet crystals by birefringence topography // Phil. Mag. A. 1986. Vol. 53, N 2. P. 285−296.
- Nai-ben M., Chuan-zhen B.G. Direct observation of defects in transparent crystals by optical microscopy // J. Cryst. Growth. 1990. Vol. 99. P. 1309−1314.
- Данильчук Л.Н., Окунев А. О. Исследования дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами // Вестн. Новгород. гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 1998. № 10. С. 13−18.
- Калимгулов А.Р., Чувыров А. Н. Исследование винтовых супердислокаций в кристаллах кварца методом поляризационной оптики // Электронный журнал «Исследовано в России», 116, стр. 1178−1183, 2005 г. http://zhurnal.ape.relarn.rU/articles/2005/l 16. pdf)
- Kato T., Ohsato H., Okamoto A., Sugiyama N., Okuda T, The photoelastic constant and internal stress around micropipe defects of 6H-SiC single crystal // Materials Science and Engineering. 1999. Vol. B57. P. 147−149.
- Ohsato H., Kato T., Okuda T. Screw and edge dislocations-induced internal strain around micropipes of 6H-SiC single crystals // Materials Science in Semiconductor Processing. 2001. Vol. 4. P. 483−487.
- Ma X, Dudley M., Vetter W. Sudarshan T. Extended SiC defects: polarized light microscopy delineation and synchrotron white-beam X-ray topography ratification // Japan. J. Appl. Phys. 2003. Vol. 42. P. L1077-L1079.
- Kubota T., Talekar P., Sudarshan, T.S., Ma X., Parker M. A non-destructive automated defect-detection system for silicon carbide wafers // Machine Vision and Applications. 2003. DOI 10.1007/s00138−002−0115−9.
- Долотов Н.И., Левчук Б. И., Макаров B.B., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Влияние механической обработки на структуру поверхности монокристаллов карбида кремния // Физика и химия обработки материалов. 1986. № 4. С. 69−71.
- Концевой Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. 240 с.
- Анисимов В.Г., Буйлов А. Н., Окунев А. О., Ткаль В. А. Подготовка монокристаллического карбида кремния для рентгенотопографических исследований. М., 1999. 14 с. Деп. в ВИНИТИ 09.09.99, 2809-В99.
- Благов В.В., Васильева Т. В., Данилова B.C., Ткаль Н. В. Исследование режимов резки монокристаллического SiC // Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе: Тез. докл. Междунар. семинара. Новгород, 1995. С. 43.
- Wallace С.А. The study of polytypism in silicon carbide by X-ray diffraction topography//Z. fur kristallographie. 1968. Bd. 126. S. 44459.
- Baronnet A. Some aspects of polytypism in crystals // Prog. Crystal Growth Characterisation. 1978. Vol. l.P. 151−211.
- Mitchell R.S. Application of the Laue photograph to the study of polytypism and sintaxic coalexence is silicon carbide // The American Minerologist. 1953. Vol. 38, N ½. P. 60−67.
- Choyke W.J., Yoganathan M., Carter C. Comparison of experimental Laue transmission and reflection patterns for 4H, 6H, 15R, and 3C SiC // Springer Proceedings in Physics. 1992. Vol. 56. P. 165−182.
- Францевич КН. и др. Карбид кремния, свойства и области применения. Киев: Наукова думка, 1975. 110 с.
- Dudley М., Huang W., Wang S., Powell J.A., Neudeck P., Fazi С. White-beam synchrotron topographic analysis of multi-polytype SiC device configurations // J. Phys. D. 1995. Vol. 28, N 4A. P. 56−62.
- Kelly J.F., Barnes P., Fisher G.R. The use of synchrotron edge topography to study polytype nearest neighbour relationships in SiC // Radiat. Phys. and Chem. 1995. Vol. 45, N3. P. 509−522.
- Dressler L., Goetz K, Krausslich J. X-ray examination of SiC monocrystals // Phys. stat. sol. (a). 1995. Vol. 148, № 1. P. 81−88.
- Картенко Н.Ф., Заславский А. И., Спиридонова H.B. Дифрактометриче-ское определение политипных модификаций карбида кремния // Аппаратура и методы рентгеновского анализа. 1973. Вып. 12. С. 136−144.
- Левчук Б.И., Цветков В. Ф., Чернов М. А. Рентгеновский дифрактометри-ческий анализ политипных структур карбида кремния // Кристаллография. 1982. Т. 27, № 3. С. 610−612.
- Окунев А.О., Ткалъ В. А., Данильчук Л. Н. Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами. НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 252 с.
- Шасколъская М.П. Кристаллография. M.: Высш. шк., 1984. 376 с.
- Пинскер З.Г. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в идеальных кристаллах. М.: Наука, 1974. 367 с.
- Barth Н., Hosemann R. Use of parallel beam transmission method for the X-ray examination of crystal structure // Zeit. Naturforsch. 1958. Vol. 13a, N 4. P. 792.
- Фигиман Ю.М. Эффективность использования трубки БСВ-10 (БСВ-11) в методе Ланга // Аппаратура и методы рентгеновского анализа. 1970. Вып. VI. С. 16−20.
- Шлихт Г. Ю. Цифровая обработка цветных изображений. М.: ЭКОМ, 1997.336 с.
- Уманский Я.С. Рентгенография металлов и полупроводников. М.: Металлургия, 1969. 496 с.
- Дроздов Ю.А. Компьютерная обработка рентгенотопографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов: Дис.. канд. техн. наук. Великий Новгород, 2003. 233 с.
- Данипьчук Л.Н., Ткаль В. А., Окунев А. О., Дроздов Ю. А. Цифровая обработка рентгенотопографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов / НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2004. 227 с.
- Lang A.R. X-ray detectors / Characterisation of crystal growth defects by X-ray methods: NATO advanced study institutes series. Ser. В Physics: New York, Plenum Press, 1980. Vol. 63. P. 320−332.
- Дроздов Ю.А., Окунев А. О., Ткалъ В. А. Компьютерная обработка рентге-нотопографичееких изображений дефектов структуры монокристаллов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. № 8. С. 611.
- Дроздов Ю.А., Окунев А. О., Ткалъ В. А., Шулъпина И. Л. Применение компьютерной обработки рентгенотопографических изображений для идентификации дефектов структуры монокристаллов // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2002. Т. 68, № 12. С. 30−36.
- Астафьева Н.М. Вейвлет-анализ: основы теории и примеры применения // УФН. 1996. Т. 166, № 11. С. 1145−1170.
- Дремин И.М., Иванов О. В., Нечитайло В. А. Вейвлеты и их использование//УФН. 2001. Т. 171, № 5. С. 465−501.
- Wavelets and their applications in computer graphics // Course Notes: #26 from Siggraph '95 Conference. University of. British Columbia. 1995. 238 p.
- Переберин A.B. О систематизации вейвлет-преобразований // Вычислительные методы и программирование. 2001. Т. 2. С. 15−40.
- Aldroubi A, Unser М. Wavelets in Medicine and Biology. Boca Raton: CRC Press, 1996.
- Van den Berg J.C. Wavelets in Physics. Cambridge: Cambridge University Press, 1998.
- Goswami J.C., Chan A.K. Fundamentals of Wavelets: theory, algorithms and applications. A Wiley-Interscience public, 2000. 308 p.
- Воробьев В.И., Грибунин В. Г. Теория и практика вейвлет-преобразования. СПб.: ВУС, 1999. 208 с.
- Vetterli М., Kovacevic J. Wavelets and subband coding. Prentice Hall PTR. New Jersey, USA, 1995. 487 p.
- Чуй Ч. Введение в вейвлеты. М.: Мир, 2001. 412 с.
- Добеши И. Десять лекций по-вейвлетам. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. 464 с.
- Дьяконов В.П. От теории к практике. Вейвлеты. М.: COJIOH-P, 2002. 448с.
- Новиков JJ.B. Основы вейвлет-анализа сигналов: Учеб. пособие. СПб.: ООО «МОДУС+», 1999. 152 с.
- Кетов Ю.Л., Кетов А. Ю., Шулъц М.М. MATLAB 7: программирование, численные методы. СПб.: БХВ-Петербург, 2005. 752 с.
- Дьяконов В.П., Абраменкова И.В. MATLAB. Обработка сигналов и изображений: Специальный справ. СПб.: Питер. 2002. 608 с.
- Ткаль В.А., Окунев А. О., Емельянов Г. М., Петров М. Н., Данильчук Л. Н. В ейвлет-анализ топографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов. НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2006. 397 с.
- Ткаль В.А., Окунев А. О., Белехов Я. С., Петров М. Н., Данильчук Л. Н. Устранение зернистости топографических изображений дефектов структурьгмоно-кристаллов с помощью вейвлет-анализа // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2006. Т. 72, № 8. С. 27−32.
- Ткаль В.А., Окунев А.О.', Белехов Я. С., Петров М. Н., Данильчук Л. Н. Устранение фоновой неоднородности изображений дефектов структуры монокристаллов различными вейвлетами // Заводская лаборатория. Диагностика, материалов. 2007. Т. 73, № 3. С. 28−37.
- Ткаль В.А., Окунев А. О., Петров М. Н., Данильчук Л. Н. Вейвлет-обработка топографических изображений с расширенным динамическим диапазоном // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 5. С. 1−11.
- Ткаль В.А., Окунев А. О., Данильчук Л. Н., Петров-М.Н., Андреев A.A.
- Цифровая обработка топографических и поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов // III Международная конференция по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI’века»: Сборник тезисов. Черноголовка. 2006. С. 178−180.
- Инденбом В.Л., Чамрое В. А. Ореольный контраст дислокационных петель // Металлофизика. 1980. Т. 2, № 3. С. 3−9.
- Буйное А.Н., Даншъчук Л. Н., Окунев А.О: Особенности контраста от краевых дислокаций в-арсениде галлия в случае эффекта Бормана // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 1. С. 25−31. .
- Белов А.Ю., Чамров В. А. О влиянии поверхности на* упругие поля и электронно-микроскопические изображения наклонных дислокаций // Металлофизика. 1987. Т. 9, № 3. С. 68−78.
- Фриделъ Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967. 626 с.209- Карбид кремния / Под ред. Г. Хениша, Р. Роя. М.: Мир, 1972. 388 с.
- Хирт Д., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. 599 с.
- Shaibani S.I., Hazzledine P.M. The displacement and stress fields of a general dislocation close to a free surface of an isotropic solid // Phil. Mag. A. 1981. Vol. 44, N 3. P. 657−665.
- Мшьвидскнй М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты Bi монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256>с.
- Эйдензон A.M., Пузанов Н. И. Классификация ростовых микродефектов в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского // Неорган, материалы. 1995. Т. 31, № 4. С. 435−443.
- Данильчук Л.Н., Буйлов А. Н., Окунев А. О. Исследование квазиточечныхVдефектов в GaAs // III Международный семинар «Карбид кремния и родственные материалы» ISSCRM-2000: Сб. докл. Великий Новгород, 2000. С. 179−187.
- Данильчук Л.Н., Васильева Е. В. Рентгенотопографические исследования структуры монокристаллов Bi+Sb. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. № 9. С. 49—52.
- Эшби М., Браун Л. Дифракционный контраст, обусловленный сферически симметричными полями деформации // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. С. 89−108.
- Дроздов Ю.А., Окунев А. О., Ткаль В. А., Шульпина И. Л. Исследование дислокаций в монокристаллическом карбиде кремния поляризационно-оптическим методом // Заводская лаб. Диагностика материалов. 2003. Т. 69, № 1. С. 24−29.
- Окунев А. О., Анисимов В. Г., Буйлов А. Н., Данильчук Л. Н. Рентгенотопографические исследования дефектов структуры монокристаллического карбида кремния // Карбид кремния и родственные материалы: Тез. докл. Междунар. семинара. Новгород, 1997. С. 11−12.
- Буйлов А.Н., Даншьчук Л. Н., Дроздов Ю. А., Окунев А. О., Ткаль В.А.
- Авраменко С.Ф., Валах М. Я., Киселев B.C. Сергеев О. Т., Скороход М. Я. Исследование структурного совершенства кристаллов а-карбида кремния // Металлофизика и новейшие технологии. 1995. Т. 17, № 7. С. 46−51.
- Трегубова A.C., Шульпина И. Л. Дефекты роста в полупроводниковых кристаллах карбида кремния // ФТТ. 1972. Т. 14, № 9. С. 2670−2674.
- Трегубова A.C., Шульпина И. Л. О рентгеновском изображении дефектов упаковки в эпитаксиальных пленках карбида кремния // Материалы IV совещ. по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. JI., 1977. С. 75−78.
- ХольтД.Б. Дефекты в структуре сфалерита // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. С. 100−118.
- МшевскийЛ.С., ХвостиковаВ. Д Дислокационная структура кристаллов с решёткой алмаза, выращенных в направлении 100. // Рост и несовершенства металлических кристаллов / Под редакцией Д. Е. Овсиенко. Киев: Наук, думка, 1966. С.261−265.
- Хорнстра Д. Дислокации в решетке алмаза // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. С. 15−37.
- Otake S., Koike S., Motohashi Y. Dislocation etch pits on various crystal planes with higher order indices of bismuth // Jap. J. Appl. Phys. 1973. V. 12. N 5. P. 636−640.
- Brown D.M., Silverman S.J. // Phys. Rev. 1964. V. 136A. P. 250.
- Брандт Н.Б., Свистова E.A., Сазонов М. В. //ЖЭТФ. 1970. Т. 59. С. 434.
- Грабов В.М., Иванов Г. А., Налетов B.JJ. Понарядов B.C., Яковлева Т.А. II ФТТ. 1969.Т. 11. С. 3653−3655.
- Грабов В.М., Иванов К. Г. Качественная картина изменения зонной схемы Bi при легировании его Sb // В сб.: Полуметаллы и полупроводники. Л.: Изд. ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1975. С. 52−55.
- Иванов К.Г., Крылов A.C. Выращивание монокристаллов Bi-Sb высокого качества // В сб.: Полуметаллы и полупроводники. Л.: Изд. ЛГПИ им. А. И. Герцена, 1975. С. 24−29.
- Иванов К.Г., Крылов A.C., Калугина И.К Выращивание монокристаллов Bi+Sb // ПТЭ. 1975. № 2. С. 225−226.
- Рид В. Т. Дислокации в кристаллах. М.: Металл у ргиз дат, 1957.
- Коттрелл А. Теория дислокаций. М., 1969. 95 с.
- Халл Д. Введение в дислокации. М: Атомиздат, 1968. 300 с.
- Келли А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1974.496 с.
- Анисимов В.Г. Исследование ростовых дефектов упаковки монокристаллического кремния рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана. Дис.. канд. техн. наук. Великий Новгород, 2004. 212 с.
- Анисимов В.Г., Данилъчук Л. Н., Дроздов Ю. А., Окунев А. О., Ткалъ В. А. Исследование сложных дефектов упаковки в монокристаллах кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 11. С. 74−81.
- Frank FC. II Phil. Mag. 1951. V. 42. P. 809.253. homer W.M. И Phil. Mag. 1951. V. 42. P. 1327.
- Aerts T., Delavignette P., Siems R., Amelinckx S. // J. Appl. Phys. 1962. V. 33. P.3078.
- Ioffe E.H. A dislocation at free surface // Phil. Mag. 1961. V. 6. N 69, P. 1147−1150.
- Мюллер Э., Цонь Т. Автоионная микроскопия. М.: Металлургия, 1972.360 с.
- Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: Высш. Шк., 1970. 503 с.
- Карбанъ В.И., Борзаков Ю. И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике. М: Радио и связь. 1988. 104 с.
- Шулъпина И.Л., Заславский А. И., Дедегкаев Т. Т. Исследование выделений в кремнии, возникающих при термообработке. ФТТ. 1968. Т. 10, № 5. С. 1347— 1354.
- Chikawa J. X-ray diffraction contrast from impurity precipitates in CdS single crystals //Adv. X-ray Analysis. 1967. Vol. 10. P. 153−158.
- Карачинов B.A., Окунев A. О., Дикун Д. Е. Направленные эффекты пробоя в кристаллах карбида кремния // Физика и химия обработки материалов. 1999. № 6. С. 63−67.
- Милъвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М: Наука, 1986. 143 с.
- НадаиА. Пластичность и разрушение твердых тел. М.: Мир, 1969. Т. 2.863 с.
- Смирнов B.C. Теория обработки металлов давлением. М.: Металлургия, 1973. 496 с.
- Даншьчук JI.H. Определение знака и величины вектора Бюргерса краевой дислокации в германии // Тезисы второго совещ. по всесоюзной комплексной программе «Рентген», Ереван, 1987, изд. АН Арм. ССР, с. 42−43.
- Окунев А. О., Шульпина И. Л. Рентгенотопографический контраст краевых дислокаций, перпендикулярных поверхности кристалла 6H-SiC // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31, вып. 12. С. 1−7.
- Окунев А.О., Даншьчук Л. Н., Ткаль В. А., Дроздов Ю. А. Секционные то-пограммы дислокаций в 6H-SiC // Вестн. Новгород, гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 2004. № 28. С. 143−149.
- Окунев А. О., Даншьчук Л. Н., Ткаль В. А. Секционные изображения дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристаллов бН-SiC // ФТТ. 2006. Т. 48, вып. 11. С. 1962−1969.
- Окунев А.О., Ткаль В. А., Данилъчук JI.H. Изображения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла 6H-SiC, в методе Ланга // Вестн. Новгород, гос. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 2005. № 34. С. 106−111.
- Dudley М., Wang S., Huang W., Carter C. H, Tsvetkov V.F., Fazi С. WhiteIbeam synchrotron topographic studies of defects in 6H-SiC single crystals // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. Vol. 28, N 4A. P. A63-A68.
- HuangX.R., Dudley M., Vetter W.M., Huang W., WangS., Carter C.H. Direct evidence of micropipe-related pure superscrew dislocations in SiC // Appl. Phys. Let. 1999. Vol. 74, N3. P. 353−355.
- Dudley M., Huang X.R., Huang W., Powell A., Wang S., Neudeck P., Skow-ronski M. The mechanism of micropipe nucleation at inclusions in silicon carbide // Appl. Phys. Let. 1999. Vol. 75, N. 6. P. 784−786.
- Dudley M., Huang X.R., Huang W. Assessment of orientation and extinction contrast contributions to the direct dislocation image // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. Vol. 32. P. A139-A144.
- Dudley M., Huang X.R., Vetter W.M. Contribution of X-ray topography and high-resolution diffraction to the study of defects in SiC // J. Phys D: Appl. Phys. 2003. Vol. 36. P. A30-A36.
- Heindl J., Dorsch W, Strunk HP., Muller St.G., Eckstein R, Hofmann D., Winnacker A. Dislocation content of micropipes in SiC // Phys. Rev. Let. 1988. Vol. 80, N4. P. 740−741.
- Шейнерман А.Г., Гуткин М. Ю. Упругие поля винтовой супердислокации с полым ядром (трубки), перпендикулярной свободной поверхности кристалла // ФТТ. 2003. Т. 45, вып. 9. С. 1614−1620. '
- Меланхолин Н.М. Методы исследования оптических свойств кристаллов. М.: Наука, 1970. 156 с.
- Гейдур С.А., Ясъков АД. Дисперсия коэффициента преломления света и фотоупругий эффект в полупроводниках со структурой вюрцита // Оптика и спектроскопия. 1980. Т. 48, вып. 6. С. 1130−1137.
- Гейдур С.А. Фотоупругие свойства кристаллов SiC // Оптика и спектроскопия. 1980. Т. 49, вып. 1. С. 193−195.