Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм
Диссертация
В последнее время широкое распространение получили волоконно-оптические линии связи (BOJ1C). В BOJIC передача информации осуществляется с помощью модулированного оптического сигнала, распространяющегося по оптическому волноводному волокну. Этот вид связи, по сравнению с традиционными электрическими проводными и беспроводными системами, характеризуется более высокой помехозащищенностью, слабым… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Инжекционные лазеры для применений в системе волоконно-оптической линии связи
- 1. 1. Особенности волоконно-оптических систем передачи информации
- 1. 2. Материалы для лазерных излучателей, используемые для BOJIC
- Глава 2. Экспериментальное оборудование и методики
- 2. 1. Методы роста и экспериментальные методы измерения
- 2. 2. Постростовые операции
- 2. 3. Особенности лазерных структур с квантовыми точками в активной области
- 2. 4. Особенности азотсодержащих полупроводниковых материалов
- Глава 3. Пространственно-одномодовые лазерные диоды с In (Ga)As квантовыми точками и с InGaAsN квантовыми ямами в активной области
- 3. 1. Переход генерации с основного состояния на генерацию через возбужденное состояние
- 3. 2. Пространственно-одномодовые лазеры с In (Ga)As КТ в активной области
- 3. 3. Пространственно-одномодовое излучение лазеров с InGaAsN/GaAs квантовой ямой в активной области
- 3. 4. Пространственно-одномодовые лазеры с In (Ga)As квантовыми точками и InGaAsN квантовыми ямами на подложках GaAs: сравнительный анализ
- 3. 5. Пространственно-одномодовые лазеры с In (Ga)As квантовыми точками и InGaAsN квантовыми ямами на подложке GaAs: сравнительный анализ с InGaAsP/InP лазерами
- Глава 4. Оптимизация активной области, содержащая InGaAsN квантовую яму, излучающую на длине волны 1.3 мкм, для лазерного применения
- Глава 5. Управление длиной волны лазерной генерации в диапазоне 1.3−0.85 мкм с помощью высокотемпературного отжига структур с квантовыми точками
Список литературы
- Д.В.Иоргачев, О. В. Бондаренко, Волоконно-оптические кабели и линии связи, Эко-Трендз, 2002
- S. Seki, Н. Oohasi, Н. Sugiura, Т. Hirono, and К. Yokoyama. J. Appl. Phys., 1996, vol.79, pp. 2192−2196
- B.B. Elenkrig, S. Smetona, J.G. Simmons, T. Makino, and J.D. Evans, J. Appl. Phys., 1999, vol. 85, pp. 2367−2370
- K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, and S. Yamazaki, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 1994, vol.33, p.1710.
- V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, A. V. Lunev, В. V. Volovik, I. L. Krestnikov, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 74, 2815 (1999)
- Kondow M. et al // IEEE J. Sel. Topics Quant. Electron. 3, 719 (1997)
- V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, N. A. Maleev, Quantum dot lasers, Oxford university press, 2003
- Ж.И. Алферов, Речь на открытии 8-й международной конференции «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, Russia, June 2000
- М.М.Бутусов, С. М. Верник, С. Л. Галкин и др., Волоконно-оптические системы передачи. Москва, Радио и связь, 1992
- W. W. Chow, К. D. Choquette, М. Н. Crawford, К. L. Lear, and G. R. Hadley, «Design, fabrication and performance of infrared and visible vertical-cavity surface-emitting lasers», IEEE J. Quantum Electron. 33(10), 1810−1821 (1997)
- M.Fisher, D. Gollub, M. Reinhardt, A. Forchel, 2001 International Conterence on InP and related materials, 14−18 May, 2001, Nara, Japan
- Y.Qian, Z.H.Zhu, Y.H.Lo, D.L.Huffaker, D.G.Deppe, H.Q.Hou, B.E.Hammons, W. Lin, Y.K.Tu, Appl.Phys.Lett., 71(1), 25−27, (1997)
- D. I. Babic, K. Streubel, R. P. Mirin, N. M. Margalit, J. E. Bowers, E. L. Hu, D. E. Mars, L. Yang, and K. Carey, «Room-temperature continuous-wave operation of 1.54-|im vertical-cavity lasersIEEE Photon. Technol. Lett. 7(10), 1225−1227 (1995)
- M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, «GalnNAs: A novel material for long-wavelength-range laser diodes with excellent high-temperature performance», Jpn. J. Appl. Phys. 35(2B), 1273−1275 (1996).
- Yamada M., Anan Т., Tokutome К., Kamei A., Nishi K., Sugou S., IEEE Photonics Technology Letters, «Low-threshold operation of 1.3 цш GaAsSb quantum-well lasers directly grown on GaAs substrates», 12, 774−776 (2000)
- M.Yamada, T. Anan, K. Kurihana, K. Nishi et al., Ellectr.Lett., 36(7), 637(2000)
- Н.Н.Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг, «Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры, (обзор)», ФТП, 32(4), стр.385−410 (1998)
- A.E.Zhukov, A.R.Kovsh, S.S.Mikhrin, V.P.Vasirev, E.S.Semenova, N.A.Maleev, V.M.Ustinov, M.M.Kulagina, E.V.Nikitina, I.P.Soshnikov, Yu.M.Shernyakov,
- С.С.Михрин, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Е. С. Семенова, В. М. Устинов, М. М. Кулагина, Е. В. Никитина, И. П. Сошников, Ю. М. Шерняков, Д. А. Лившиц, Н. В. Крыжановская, Д. С. Сизов, М. В. Максимов, А. Ф. Цацульников,
- H.Н.Леденцов, D. Bimberg, Ж. И. Алферов «Высокоэффективные (rjD>S0%) длинноволновые (А>1.25 мкм) лазеры на основе квантовых точек на подложках GaAs» ФТП, 36(11), 1400−1407 (2002)
- В.А.Одноблюдов, А. Ю. Егоров, М. М. Кулагина, Н. А. Малеев, Ю. М. Шерняков,
- E.В.Никитина, В. М. Устинов, «Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие в районе длины волны13 мкм.», ФТП, 38(5), 630−633 (2004)
- А.Е. Жуков, Б. В. Воловик, С. С. Михрин, Н. А. Малеев, А. Ф. Цацульников, Е. В. Никитина, И. Н. Каяндер, В. М. Устинов, Н. Н. Леденцов, «Электролюминесценция в диапазоне 1.55−1.6 мкм диодных структур с квантовыми точками на GaAs.», ПЖТФ, 27(17), 51−56, (2001)
- Yang X., Jurkovic J., Heroux J.B., Wang W.I., «Molecular beam epitaxial growth of InGaAsN:Sb/GaAs quantum wells for long-wavelength semiconductor lasers», Applied Physics Letters, 1999, 75, 178−180
- Gambin V., Wonnil Ha, Wistley M., Yuen H., Bank S.R., Kim S.M., Harris J.S., «GalnNAsSb for 1.3 1.6 цт-long wavelength lasers grown by molecular beam epitaxy», IEEE J. Select. Top. Quantum Electronics, 2002, 8, 795−800
- Fischer M., Reinhardt M., Forhel A., «GalnAsN/GaAs laser diodes operating atl.52mm», ElectronicsLetters, 2000,36(14), 1208−1209
- А.Е.Жуков, А. П. Васильев, А. Р. Ковш, С. С. Михрин, Е. С. Семенова, А. Ю. Егоров,
- М.В.Максимов, Ю. М. Шерняков, Н. В. Крыжановская, А. Г. Гладышев, Ю. Г. Мусихин, Н. Н. Леденцов, А. Е. Жуков, А. П. Васильев, А. Р. Ковш,
- C.С.Михрин, Е. С. Семенова, Н. А. Малеев, Е. В. Никитина, В. М. Устинов,
- Ж.И.Алферов, «Мощные лазеры на квантовых точках InAs—InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs», OTn 38(6), 763−766 (2004)
- M.A.Herman, H. Sitter, Molecular beam epitaxy. Fundamentals and current status., Springer series in Materials science., Vol.7. Springer-Verlag, (1989)
- L.I.Maissel, R. Glang (eds.)Handbook of Thin Film Technology (McGraw-Hill, New York 1970)
- K.G.Gunther: Z.Naturforsch.l3A, 1081 (1958)
- M.G.Panish, A.Y.Cho, Molecular beam epitaxy, Spectrum, 17(4) 18 (1980)
- B.Bolger, P.K.Larsen, Rev.Sci.Instrum., 57, 1363 (1986)
- J.H.Neave, B. AJoyce, P.J.Dobson, N. Norton< Appl.Phus.A31, 1 (1983)
- T.Sakamoto, H. Funabashi, K. Ohta, T. Nakagawa, J.J.Kawai, T. Kojima, Y. Bando, Superlattices and Microstructures, 1, 347 (1985)
- E.Tokumitsu, Y. Kudou, M. Konagai, K. Takahashi, J.Appl.Phus., 55,3163 (1985)
- Молекулярно пучковая эпитаксия и гетероструктуры, М., «Мир», 1989
- M.D.Lumb, Luminescence Spectroscopy, Academic, New York, 1978
- М.Шур, Современные приборы на основе арсенида галлия., Москва «Мир», 1991
- Rhoderick Е.Н., Metal-Semiconductor contacts, Clarendon Press, Oxford, 1978
- Braslau N., Gunn J.B., Staples J.L., Metal-semiconductor contact for GaAs bulk effect devices., Solid-State Electron., 10, pp.3 81−383 (1967)
- Braslau N., Alloyed ohmic contacts to GaAs., J. Vac. Sci. Technol., 19(3), p.803 (1981)
- Ogawa M., J.Appl.Phys., 51, p.406 (1980)
- Yoder M., Solid State Electron., 23, p. l 17 (1980)
- Gohen H.J., Yu A.Y.C., Ohmic contacts to epitaxial p-GaAs., Solid State Electron., 14, pp.515−517 (1971)
- Matino H., Tokunaga M., Contact resistance of several metals and alloys to GaAs., J. Electrochem. Soc., 116, pp.709−711 (1979)
- Robinson G.Y., Schottky diodes and ohmic contacts for the III-V semiconductors, in: Physics, and Chemistry of III-V Seniconductor Interfaces, C.W.Wilmsen (ed.) Plenum, New York, 1981
- Reeves G.K., Harrison H.B., Obtaining the specific contact resistance from transmission line model measurements., IEEE Electron Devise Lett., EDL-3(5), pp.111−113 (1982)
- И.Броудай, Дж. Мерей, Физические основы микротехнологии, Москва «Мир», 1985
- Coburn J.W., Winters H.F., Plasma Ething a discussion of Mechanisms, J.Vac. Sci.Technol., 16 (March-April 1979)
- K.Petermann «Laser diode modulation and noise», Kluwer Academic Publishers, 1988, p.36.
- InGaAsP Alloy semiconductors, Edited by T.P. Pearsall, New-York, 1982
- N.N.Ledentsov, «Ordered arrays of quantum dots», Proc. of the 23 Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, M. Scheffler and R. Zimmerman, ed., v. 1, 19(1996)
- D.Leonard, M. Krishnamurthy, L.M.reaves, S.P.DenBaars, and P.M.Petroff, Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces, Appl. Phys. Lett., v.63, No.23, 3203 (1993).
- Э. Зенгуил, Рост кристаллов, «Физика поверхности», М. Мир, 1990, стр.506−511
- J.M.Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, and O. Vatel, Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs, Appl. Phys. Lett., v.64, No.2, 198 (1994)
- P.Chen, Q. Xie, A. Madhukar, L. Chen, and A. Konkar, Mechanisms of strained island formation in molecular beam epitaxy of InAs on GaAs (lOO), J. Vac. Sci. Technol. B, v.12, No.4,2568(1994)
- H.Kitabayashi and T. Yano, Atomic force microscope observation of the initial stage of InAs growth on GaAs substrates, Proc. 8th Int. Conf. on MBE, aug.29-sept.2, 1994 (Osaka, Japan), pp.415−416.
- J.S.Lee, K. Kudo, S. Niki, A. Yamada, Y. Makita, and K. Tanaka, The initial growth stage of the InAs quantum well structures on variously oriented GaAs substrates, Jpn. J. Appl. Phys., v.32, No. l 1A, 4889 (1993)
- V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, P. S.Kop'ev, and D. Bimberg, Spontaneous formation of ordered arrays of quantum dots, Proc. Int. Semiconductor Device Research Simposium, Dec.5−8, 1995 (Charlottesville, Virginia, USA), pp.581−584
- M.Grundmann, J. Christen, N.N.Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S.Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov,
- A.E.Zhukov, P. S.Kop'ev, and Zh.I.Alferov, Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots, Phys. Rev. Lett., v.74, No 20,4043 (1995)
- Д.С.Сизов, М. В. Максимов, А. Ф. Цацульников, Н. А. Черкашин,
- Н.В.Крыжановская, А. Б. Жуков, Н. А. Малеев, С. С. Михрин, А. П. Васильев, ¦ *
- Р.Селин, В. М. Устинов, Н. Н. Леденцов, Д. Бимберг, Ж. И. Алферов, «Влияние условий отжига на испарение дефектных областей в структурах с квантовыми точками InGaAs в матрице GaAs», ФТП 36(9), 1097−1104 (2002)
- А.Ю.Егоров, В. А. Одноблюдов, Н. В. Крыжановская, В. В. Мамутин,
- B.М.Устинов, «Взаимное расположение краев энергетических зон в гетероструктурах GaAs/GaAsN/InGaAs», ФТП 36(12), стр. 1440−1444 (2002)
- Н. P. Xin and С. W. Tu, «GalnNAs/GaAs multiple quantum wells grown by gas-source molecular beam epitaxy»,^/. Phys. Lett. 72(19), 2442−2444 (1998)
- S. Sato and S. Satoh, «Metalorganic chemical vapor deposition of GalnNAs lattice matched to GaAs for long-wavelength laser diodes», J. Cryst. Growth 192, 381−385 (1998).
- S. Francoeur, G. Sivaraman, Y. Qiu, S. Nikishin, and H. Temkin, «Luminescence of as-grown and thermally annealed GaAsN/GaAs», Appl. Phys. Lett. 72(15), 1857−1859 (1998).
- T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama, and K. Iga, «Thermal annealing of GalnNAs/GaAs quantum wells grown by chemical beam epitaxy and its effect on photoluminescence», Jpn. J. Appl. Phys. 38(3B), L298-L300 (1999)
- T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, and T. Tanaka, «Mechanism analysis of improved GalnNAs optical properties through thermal annealing», J. Cryst. Growth 209, 345−349 (2000).
- Maclean J.O., Wallis D.J. et al, МВЕ XI, September, Beijing, China, 2000
- Одноблюдов B.A., КовшА.Р., Жуков A.E., Егоров А. Ю., Малеев Н. А., Михрин С. С., Устинов В. М, «Выращивание соединений (Al)GaAsN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием аммиака», ПЖТФ 2002, 28(12), стр. 62−71
- Kageyama Т., Miyamoto Т., Makino Sh., Koyama F., Iga К. // Jpn. Appl. Phys. V. 38. P. L298−300. (1999)
- Mars D.E., Babic D.I., Kaneko Y., Ying-Lan Chang, Subramanya S., Kruger J., Perlin P., Weber E.R. // J. Vac. Sci. Technology. В 17 (3). P. 1272−1275 (1999)
- H.P.Xin, C.W. Tu, «GalnNAs/GaAs multiple quantum well grown by gas-source molecular beam epitaxy.» Appl.Phys. Lett., 72(19), pp 2442−2444 (1998)
- T.FL Chen, B. Zhao, Y.H. Zhuang et al., Appl.Phys. Lett., 60(15), pp 1782−1784 (1992)
- D.L.Huffaker, G. Park, Z. Zou et aJ/IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics., 6(3), pp.452−461 (2000)
- Shchekin O.B., Ahn J., Deppe D.G., High temperature performance of a self-organized quantum dot laser wich a stacked p-doped active region, Electron. Lett., 2002,38(14), pp. 712−713
- Kovsh A.R., Wang J.S., Wei L., Shiao R.S., Chi J.Y., Volovik B.V., Tsatsurnikov A.F., Ustinov V.M., Molecular beam epitaxy growth of GaAsN layers with high luminescency efficiency, J. Vac. Sci. Technol. B, 20(3), 2002, pp.1158−1161
- H.A.Wonill, V. Gambin, B. Sank, M. Wistey, H. Yuen, L. Goddard, K. Seongsin, J. Harris, Abstracts Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, v.61, p.89 (2002)
- T. Kageyama et al, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L298 (1999)
- N.Chand, E.E.Becker, J.P. van der Ziel, S.N.G. Chu, N.K. Dutta, «Excellent uniformity and very low (<50 A/cm2) threshold current density strained InGaAs quantum well diode lasers on GaAs substrate.» Appl. Phys. Lett. 58(20), 1704−1706(1991)
- S. Sato and S. Satoh, «High-Temperature Characteristic in 1.3- цт-Range Highly Strained GalnNAs Ridge Stripe Lasers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition» IEEE Photon. Technol. Lett. 11(12), 1560−1562 (1999)
- А.Е.Жуков, А. П. Васильев, А. Р. Ковш, и др., ФТП, 37(12), 1461−1464 (2003)
- A.O.Kosogov, P. Werner, U. Gosele, et al., «Structural and optical properties of InAs-GaAs quantum dots subjected to high temperature annealing», Appl.Phys.Lett. 69(20), 3072−3074, (1996)
- D.G. Deppe, N. Holonjak, «Atom diffusion and impurity-induced layer disordering in quantum well III-V semiconductor heterostructures.», J. Appl. Phys., 64, R93 (1988)