Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Физико-химические основы создания электролюминесцирующих структур на основе широкозонных полупроводниковых соединений с высоким уровнем преобразования

Диссертация: Физико-химические основы создания электролюминесцирующих структур на основе широкозонных полупроводниковых соединений с высоким уровнем преобразования
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработана обобщенная эквивалентная схема тонкопленочных электролюминесцентных структур и математическим моделированием определены численные значения и характер зависимостей токов и напряжений элементов ТПЭЛУ от частоты, емкости диэлектрика, проводимости люминофора. Установлено, что переходные процессы включения ТПЭЛУ под напряжение сопровождаются плавным повышением напряжения на слое люминофора… Читать ещё >

Содержание

  • 1. МЕХАНИЗМ СВЕЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СТРУКТУР НА ПОРОШКОВЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНОФОРАХ ПОСТОЯННОГО ТОКА
    • 1. 1. Предпробойная электролюминесценция в гетеропереходах на основе соединений А2В
    • 1. 2. Механизм токопрохождения в гетеропереходах на основе соединений А2В
    • 1. 3. Природа процессов формовки в гетеропереходах на основе CuxS-ZnS:Mn, возбуждаемых постоянным электрическим полем
    • 1. 4. Физико-химические процессы образования гетеропереходов в электролюминофорах, возбуждаемых постоянным электрическим полем
    • 1. 5. Роль технологических факторов при создании электролюминесцентных индикаторов, возбуждаемых постоянным электрическим полем
    • 1. 6. Технологические аспекты получения пленочных электролюминесцентных источников света постоянного тока на основе соединений А2Вб
    • 1. 7. Математическая модель процесса диффузии меди в электролюминофорах, возбуждаемых постоянным электрическим полем
    • 1. 8. Математическое моделирование электрофизических процессов, протекающих в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на постоянном токе
    • 1. 9. Исследование экспериментальных и теоретических зависимостей яркости в электролюминофорах постоянного тока от напряжения и температуры
    • 1. 10. Изменение состава второй фазы и деградация электролюминофоров
  • 2. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦИРУЮЩИЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ЭФФЕКТИВНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ УСТРОЙСТВ (ТПЭЛУ)
    • 2. 1. Широкозонные полупроводниковые материалы для тонкопленочных электролюминесцентных устройств
    • 2. 2. Оборудование для синтеза и исследования тонкопленочных структур на основе соединений А2Вб
      • 2. 2. 1. Исследование кинетики осаждения и структурных особенностей тонких пленок сульфида цинка
    • 2. 3. Синтез тонких пленок А2Вб из тиомочевинных растворов
      • 2. 3. 1. Исследование механизма и кинетики образования сульфида цинка в области малых концентраций реагентов тиомочевинным способом
      • 2. 3. 2. Закономерности процесса зародышеобразования и его влияние на кинетику образования сульфида цинка
    • 2. 4. Технология нанесения электролюминесцентных и диэлектрических пленок
      • 2. 4. 1. Термическое резистивное испарение
      • 2. 4. 2. Термическое испарение путем индукционного нагрева
      • 2. 4. 3. Термическое испарение путем электронной бомбардировки
      • 2. 4. 4. Магнетронные системы ионного распыления
        • 2. 4. 4. 1. Обоснование конструкции источника электропитания магнетронной системы ионного распыления
        • 2. 4. 4. 2. Стабилизированные источники электропитания магнетронных систем ионного распыления
        • 2. 4. 4. 3. Способы оптимизации изменения вольт-амперных характеристик магнетронных систем ионного распыления
  • 3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦИРУЮЩИХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ДЛЯ ТПЭЛУ
    • 3. 1. Электрофизические свойства тонких пленок сульфида цинка
      • 3. 1. 1. Состав, структура и оптические характеристики пленок гпБ и гпЗ: Мп
    • 3. 2. Диэлектрические материалы для тонкопленочных электро люминесцентных устройств
    • 3. 3. Исследование электрофизических и оптических характеристик диэлектрических пленок
    • 3. 4. Природа процесса дефектообразования в пленках сульфида цинка, активированного редкоземельными элементами (РЗЭ)
    • 3. 5. Изучение механизма деградации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах
  • 4. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ ВОЗБУЖДЕНИЯ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ СУЛЬФИДА ЦИНКА (ТПЭЛУ)
    • 4. 1. Расчет функции распределения электронов по энергиям под действием сильного электрического поля
    • 4. 2. Исследование влияния меди на процессы возбуждения в ТПЭЛУ
    • 4. 3. Распределение напряженности электрического поля по толщине электролюминесцентной структуры
    • 4. 4. Исследование интерференционных эффектов в ТПЭЛУ
    • 4. 5. Деградация медьсодержащих и безмедных структур
  • 5. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДОВ КАЛЬЦИЯ И СТРОНЦИЯ, АКТИВИРОВАННЫХ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ
    • 5. 1. Механизм свечения электролюминесцентных структур на основе СаБ: Се и 8г8: Се
    • 5. 2. Конструкция и метод приготовления тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе сульфида кальция и стронция, активированных редкоземельными элементами
    • 5. 3. Природа точечных дефектов в сульфиде кальция и стронция
    • 5. 4. Физико-химические основы синтеза сульфидов щелоч-ноземеольных металлов, активированных редкоземельными элементами
    • 5. 5. Электролюминесцентные излучатели на тонких пленках сульфида кальция, активированного церием
  • 6. ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТПЭЛУ В ПЕРЕХОДНЫХ И УСТАНОВИВШИХСЯ РЕЖИМАХ
    • 6. 1. Основные положения математического моделирования ТПЭЛУ
    • 6. 2. Методика математического моделирования ТПЭЛУ на основе эквивалентной схемы и проверка ее достоверности
    • 6. 3. Исследование частотных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных устройств
    • 6. 4. Эквивалентные схемы для анализа зависимостей параметров ТПЭЛУ от свойств диэлектрических и люминесцентных слоев

Физико-химические основы создания электролюминесцирующих структур на основе широкозонных полупроводниковых соединений с высоким уровнем преобразования (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одним из основных звеньев, обеспечивающих эффективное взаимодействие человека с машиной в современных вычислительных, информационных измерительных системах и устройствах, а также в системах управления, являются устройства отображения информации (УОИ). К ним относятся устройства, обеспечивающие отображение информации в виде, наиболее пригодном для зрительного восприятия. Основным узлом электронных УОИ являются индикаторные устройства, преобразующие электрические сигналы в видимые изображения.

Наряду с этим в состав средств отображения информации входят устройства адресации и управления, синхронизации, интерфейса, запоминающие устройства, преобразователи кодов и так далее. Эти устройства определяют практически все основные схемотехнические, конструктивно-технологические и эксплуатационные параметры УОИ.

Основному типу индикаторов, широко используемых до настоящего времени в УОИ, — электронно-лучевым трубкам присущи все типичные недостатки электровакуумных приборов: высокие напряжения питания и потребляемая мощность, значительные габариты при относительно малых размерах экрана, необходимость вакуумирования.

В последние десятилетия развитие физики полупроводников и диэлектриков привело к созданию новых электролюминесцентных источников света, излучающими элементами которых являются широкозонные полупроводниковые соединения, возбуждаемые электрическим полем. Электролюминесцентные устройства находят все более широкие применения в различных областях науки и техники, и, прежде всего, в УОИ. При этом особое внимание заслуживают плоские протяженные электролюминесцентные панели и миниатюрные источники света, экраны индивидуального и группового пользования, а также другие устройства, отвечающие современным требованиям плоскостности, монолитности, долговечности, высокой яркости, контрастности, многоцветности изображений.

Не смотря на перспективность электролюминесцентных устройств (ЭЛУ) с точки зрения создания УОИ на их основе, имеется ряд проблем в этой области, требующих дополнительных исследований и технологических поисков. Действительно, попытки улучшения основных параметров ЭЛУ (увеличение яркости, снижение рабочего напряжения и др.), как правило, сопровождаются снижением их срока службы. Довольно сложна технология их получения. Это в значительной степени ограничивает сферу современных применений таких устройств и не позволяет в полной мере реализовать их достоинства.

В настоящее время основные успехи в разработке эффективных ЭЛУ связаны с эмпирическими исследованиями в области физики и технологии широкозонных полупроводников и изучении электролюминесценции многослойных тонкопленочных структур на их основе.

При этом имеются принципиальные отличия в физике электролюминесцентных процессов для широкозонных и узкозонных полупроводников, соответственно излучающих в видимой и ИК области спектра. Действительно, в случае узкозонных полупроводников (типа А3В5), концентрация неравновесных носителей заряда обычно соизмерима с их равновесной концентрацией. Проблема формирования р-п переходов с заданными электрофизическими свойствами для гетероструктур на их основе в основном решена, что позволило создать высокоэффективные фотоматрицы и светодиоды ИК диапазона, работающие как в обычном люминесцентном, так и в лазерном режимах излучения. Вместе с тем, не смотря на значительный вклад, внесенный российскими учеными О. В. Лосевым, И. К. Верещагиным, А. Н. Георгобиани в изучение физики электролюминесцентных процессов, проблема электролюминесценции широкозонных полупроводниковых соединений еще далека от окончательного решения.

Действительно, многочисленные попытки кардинального усовершенствования основных характеристик ЭЛУ видимого диапазона спектра наталкиваются на принципиальные затруднения. При этом становится все более очевидным, что несомненные успехи в этой фундаментальной области прикладной физики оптического излучения широкозонных полупроводниковых соединений могут быть получены лишь в результате комплексных экспериментальных и теоретических исследований многостадийных процессов создания и преобразования энергии неравновесных носителей заряда в многослойных электролюминесцентных структурах.

В связи с изложенным, целью диссертационной работы является установление взаимосвязи основных выходных параметров многослойных пленочных и порошковых электролюминесцентных структур на основе широкозонных полупроводниковых соединений с электрофизическими и оптическими свойствами жидких кристаллофосфоров и диэлектриков, с учетом технологии их формирования с целью прогнозирования возможностей и методов усовершенствования УОИ.

Для решения этой проблемы потребовалось:

1. Уточнить механизмы и кинетику многостадийных процессов преобразования энергии неравновесных носителей в электролюминесцентных структурах на основе широкозонных полупроводниковых соединений с различными центрами люминесценции (Си, Мп, РЗЭ и др.), работающих на постоянном и переменном токе, с учетом технологии формирования этих структур.

2. Развить технологии получения диэлектрических и люминесцентных слоев, удовлетворяющих ряду требований, необходимых для практических применений ЭЛУ в народном хозяйстве.

3. Создать эквивалентные схемы, адекватные тонкопленочным электролюминесцентным устройствам (ТПЭЛУ) и исследовать на их основе методами математического моделирования явления в тонкопленочном электролюминесцентном слое (ТПЭЛС) во всей совокупности реальных режимов: переходных и установившихся с одновременным повышением точности воспроизведения реальных процессов, а также получить зависимости основных характеристик работы ТПЭЛУ от свойств люминофора и диэлектрика.

4. Исследовать теоретически и экспериментально электрофизические параметры и характеристики ТПЭЛУ переменного тока с одинаковыми и различными диэлектрическими слоями, необходимые для получения электролюминесцентных структур с пониженным рабочим напряжением (менее 100 В).

5. Выполнить теоретические и экспериментальные исследования распределения электронов по энергиям в сильных электрических полях для тонких и сверхтонких пленок и изучить влияние процессов ударного воздействия электронов на активные центры.

6. Провести теоретические и экспериментальные исследования процессов деградации в порошковых и тонкопленочных структурах.

7. Выяснить факторы, определяющие эффективность электролюминесценции тонкопленочных и порошковых (поликристаллических) структур, возбуждаемых постоянным и переменным током, построить модели электролюминесценции кристаллофосфоров на базе соединений А2В6 и АгаВба, установить основные критерии создания перспективных ЭЛУ на основе комплексного исследования механизмов физико-химических и физико-электрических процессов в этих системах.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

• Изучение механизма структурных и фазовых переходов в поликристаллической системе 2п8-Сих8;

• Комплексное исследование свойств кристаллофосфоров на основе 7п8 и сульфидов ЩЗМ, эмпирически рекомендованных для создания эффективных ЭЛУ (ТПЭЛУ) и установление основных критериев для их выбора в изготовлении перспективных систем;

• Изучение взаимосвязи основных характеристик электролюминофоров с параметрами ЭЛУ на их основе;

• Практический синтез люминесцентных таблетированных мишеней (ЛТМ) на основе сульфидов цинка и ЩЗМ, активированных Мп, РЗЭ, а также диэлектрических таблетированных мишеней (ДТМ) на основе оксидов и сложных оксидов различных элементов (А1, Т1, УЬ, Ъс, Ва, Эг и др.);

• Исследование свойств ТПЭЛУ, полученных с использованием ЛТМ и ДТМ;

• Экспериментальное и теоретическое исследование электрофизических процессов в ТПЭЛУ переменного тока и установление взаимосвязи его основных характеристик с параметрами использованных ЛТМ и ДТМ;

• Анализ возможностей улучшения параметров ЭЛУ;

• Обсуждение различных вариантов композиций и технологических приемов для создания эффективных ТПЭЛУ;

• Исследование процессов деградации в порошковых и тонкопленочных электролюминесцентных структурах.

Решение поставленных задач выполнено следующим образом.

Первая глава посвящена анализу процессов, возникающих при электролюминесценции широкозонных полуроводников на основе соединений.

А2В6 и их твёрдых растворов, возбуждаемых постоянным электрическим полем.

Во второй главе рассмотрены способы создания тонкопленочных электролюминесцентных устройств на основе широкозонных полупроводниковых соединений, которые наиболее перспективны с точки зрения их использования в современных устройствах отображения информации, в том числе в вычислительных устройствах.

Третья глава посвящена исследованию электрофизических и оптических свойств электролюминесцирующих и диэлектрических пленок для ТПЭЛУ переменного тока на основе соединений группы А2В6. Исследованы свойства электролюминесцентных пленок, изготовленных различными способами.

В четвертой главе изложены результаты исследования электронных процессов возбуждения активных центров в тонких пленках на основе сульфида цинка, дан анализ результатов расчета функции распределения электронов по энергиям в сильном электрическом поле для тонких и сверхтонких пленок сульфида цинка.

В пятой главеописаны электролюминесцентные структуры на основе сульфидов кальция и стронция, активированных редкоземельными элементами.

На защиту выносятся следующие новые научные результаты и положения:

1. Разработана математическая модель диффузионных процессов в цинк-сульфидных электролюминофорах постоянного тока, которая позволяет провести анализ и оценить порядок величины коэффициента диффузии ионов меди в.

2. Показано, что в гетеропереходах на основе соединений Сих8-?п8:Си изменение состава фазы Сих8 является лишь следствием электродиффузионных процессов, приводящих к перераспределению электрического поля внутри микрокристаллов, но не может быть причиной деградации электролюминесцентных излучателей.

3. Экспериментально подтверждено, что в исследуемых структурах зависимость яркости от напряжения определяется генерацией свободных носителей путем туннельной делокализации электронов, стимулированной фононами.

4. Предложена физико-химическая модель осаждения пленок сульфида цинка из компонентов, исследованы вольт-амперные характеристики образцов. Обнаружено, что зависимость удельного сопротивления ZnS от температуры осаждения определяется соотношениями молекулярных потоков паров компонентов. Показано, что в области низких темпера-туросаждения лимитирующей стадией процесса является поверхностная диффузия адсорбированных паров серыв области высоких температур процесс конденсации пленок лимитируется стадией адсорбции паров.

5. Проведен сравнительный анализ возможных механизмов образования сульфида цинка из тиомочевинных растворов. На основании экспериментальных данных и теоретического расчета показано, что лимитирующей стадией процесса синтеза ZnS> является образование сероводорода путем гидролиза тиомочевины с дальнейшим прямым взаимодействием 2п804 и Н28. Показана возможность роста пленок сульфида цинка заданной толщины, микроструктуры, стехиометричности путем регулирования стадии зародышеобразования и искусственного пролонгирования ее на период роста кристаллов.

6. На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований электрофизических и оптических параметров и характеристик ТПЭЛУ определены расчетные зависимости энергетической эффективности, критизна вольт-яркостной характеристики, напряжение пробоя, добротности диэлектрических слоев с одинаковыми и разными диэлектрическими материалами, требуемых для высоконадежной работы. Установлено значение указанных параметров для ТПЭЛУ с рабочими напряжениями не превышающими 100 В. Разработаны и исследованы ТПЭЛУ на основе 2п8: Мп, 2п8: ТЬР3, 2п8:8тР3, Са8: Еи, 8г8: Се, в том числе с рабочими напряжениями, не превышающими 100 В.

7. Установлена и теоретически объяснена корреляция между яркостью свечения и величиной порогового напряжения зажигания, которая определяется природой диэлектрических слоев, а также технологией нанесения всех элементов тонкопленочных электролюминесцентных структур. Установлено, что использование диэлектриков, в состав которых входит оксид тантала (например, А120з-Та205) способствует не только получению диэлектрических пленок, обладающих достаточно высокой диэлектрической проницаемостью, но и появлению добавочных энергетических уровней на границе раздела люминофор-диэлектрик.

8. Рассмотрены процессы ударной ионизации дефектов и кристаллической решетки, приводящие к появлению пространственного заряда, который формирует внутреннее поле. Получен профиль распределения электрического поля по толщине пленки и приведены экспериментальные результаты, подтверждающие указанное распределение поля.

9. В качестве безмедных структур предложены и экспериментально исследованы тонкопленочные электролюминесцентные излучатели постоянного тока на основе гетероперехода р^/г^пБ.

10. Изучены процессы деградации в тонкопленочных структурах переменного тока, связанные с миграцией ионов меди под действием переменного электрического поля, с привлечением методов эллипсометрии.

11. Показано, что многослойные структуры на основе сверхтонких пленок могут оказаться перспективными при изготовлении электролюминесцентных панелей.

12. Разработана обобщенная эквивалентная схема тонкопленочных электролюминесцентных структур, методом математического моделирования определены численные значения и характер зависимостей токов и напряжений элементов ТПЭЛУ от частоты, емкости диэлектрика, проводимости люминофора. Установлено, что переходные процессы включения ТПЭЛУ под напряжение сопровождаются плавным повышением напряжения на слое люминофора без скачков и ударных значений, а также без начальных бросков тока, что исключает разрушающие воздействия как на элементы питания цепей, так и на свою собственную структуру. Тем самым открываются возможности построения тонкопленочных структур с высоким рабочим ресурсом и надежностью.

Научная новизна результатов исследований содержится в защищаемых положениях.

Практическая значимость работы заключается заключается в разработке теоретической и практической основы для получения электролюминесцентных устройств с улучшенными характеристиками:

1. Определены основные технологические факторы, влияющие на параметры электролюминесцентных структур постоянного тока.

2. Разработаны методики синтеза диэлектрических и люминесцентных мишеней.

3. Разработаны экспериментальные методы, позволяющие получать и прогнозировать свойства диэлектрических и электролюминесцентных слоев в ТПЭЛУ.

4. Проведено систематическое сравнительное изучение ряда диэлектрических и электролюминесцентных слоев, полученных термическим испарением в вакууме электроннолучевым и высокочастотным магнетрон-ным напылением.

5. Разработана методика определения качества ТПЭЛУ переменного тока на основе анализа свойств диэлектрических слоев.

6. Проведено исследование физико-химических свойств электролюминофоров, определяющих их светотехнические параметры.

7. Исследован механизм токопрохождения в структурах МДПМ и МДПДМ для систем на основе люминофоров: Мп, гп8: РЗЭ, Са8: Се и оксидами металлов в качестве диэлектрического слоя.

Научные исследования, положенные в основу диссертации, выполнены на кафедре материалов и компонентов твердотельной электроники и научно-техническом центре Ставропольского Государственного технического университета в рамках координационного плана НИР Научного совета по проблеме «Люминесценция» Российской Академии наук, в соответствии с планом важнейших работ вузов страны по фундаментальным проблемам микроэлектроники, с заказ-нарядами ХНО Минвуза России на 1995;1998 г. г., а также в рамках хоздоговорных и госбюджетных НИР, по которым автор был ответственным исполнителем, а также по личной инициативе совместно с сотрудниками НПО «Люминофор» (ныне ОАО «Люминофор»). Всего проведено 9 госбюджетных и хоздоговорных тем, по которым представлено 9 отчетов.

Результаты исследований докладывались и обсуждались на 25 Международных, Всесоюзных, Всероссийских, региональных, межвузовских конференциях, совещаниях, расширенных заседаниях, сессиях, семинарах, опубликованы в 75 печатных работах.

Личный вклад автора в проведенные исследования заключается в следующем. Изложенные в диссертации результаты получены автором лично и в соавторстве с сотрудниками кафедры МиКТЭ Ставропольского государственного технического университета и ОАО «Люминофор». Основная часть научных исследований проведена по инициативе и под руководством автора. Участие автора состояло в постановке задач и целей исследования, разработке экспериментальных методик, в проведении расчетов, в обсуждении полученных результатов. Основная часть экспериментальных и расчетных данных получена самим авторам, большая часть работ по теме написана автором на основе коллективного обсуждения и анализа результатов. Основные положения, выносимые на защиту, принадлежат автору. Все работы по практическому использованию результатов диссертации проведены под руководством и при личном соучастии соискателя.

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка литературы и приложений. Она содержит 293 страницы машинописного текста, включая 142 рисунка, 21 таблицу, 284 наименования литературы на 30 страницах.

Основные результаты настоящей работы можно кратко сформулировать следующим образом:

1. Разработана математическая модель диффузионных процессов в цинк-сульфидных электролюминофорах постоянного тока, которая позволяет провести анализ и оценить порядок величины коэффициента диффузии ионов меди в 2п8.

2. Показано, что в гетеропереходах на основе соединений Сих8−2п8:Си изменение состава фазы Сих8 является лишь следствием электродиффузионных процессов, приводящих к перераспределению электрического поля внутри микрокристаллов, но не может быть причиной деградации электролюминесцентных излучателей.

3. Экспериментально подтверждено, что в исследуемых структурах зависимость яркости от напряжения определяется генерацией свободных носителей путем туннельной делокализации электронов, стимулированной фононами.

4. Предложена физико-химическая модель осаждения пленок сульфида цинка из компонентов, исследованы вольт-амперные характеристики образцов. Обнаружено, что зависимость удельного сопротивления 2п8 от температуры осаждения определяется соотношениями молекулярных потоков паров компонентов. Показано, что в области низких темпера-туросаждения лимитирующей стадией процесса является поверхностная диффузия адсорбированных паров серыв области высоких температур процесс конденсации пленок лимитируется стадией адсорбции паров.

5. Проведен сравнительный анализ возможных механизмов образования сульфида цинка из тиомочевинных растворов. На основании экспериментальных данных и теоретического расчета показано, что лимитирующей стадией процесса синтеза Ъп$> является образование сероводорода путем гидролиза тиомочевины с дальнейшим прямым взаимодействием и Н28. Показана возможность роста пленок сульфида цинка заданной толщины, микроструктуры, стехиометричности путем регулирования стадии зародышеобразования и искусственного пролонгирования ее на период роста кристаллов.

6. На основе проведенных теоретических и экспериментальных исследований электрофизических и оптических параметров и характеристик ТПЭЛУ определены расчетные зависимости энергетической эффективности, критизна вольт-яркостной характеристики, напряжение пробоя, добротности диэлектрических слоев с одинаковыми и разными диэлектрическими материалами, требуемых для высоконадежной работы. Установлено значение указанных параметров для ТПЭЛУ с рабочими напряжениями не превышающими 100 В. Разработаны и исследованы ТПЭЛУ на основе 2п8: Мп, гп8: ТЬР3, 2п8:8тР3, Са8: Еи, 8г8: Се, в том числе с рабочими напряжениями, не превышающими 100 В.

7. Установлена и теоретически объяснена корреляция между яркостью свечения и величиной порогового напряжения зажигания, которая определяется природой диэлектрических слоев, а также технологией нанесения всех элементов тонкопленочных электролюминесцентных структур. Установлено, что использование диэлектриков, в состав которых входит оксид тантала (например, АЬОз-ТагОз) способствует не только получению диэлектрических пленок, обладающих достаточно высокой диэлектрической проницаемостью, но и появлению добавочных энергетических уровней на границе раздела люминофор-диэлектрик.

8. Рассмотрены процессы ударной ионизации дефектов и кристаллической решетки, приводящие к появлению пространственного заряда, который формирует внутреннее поле. Получен профиль распределения электрического поля по толщине пленки и приведены экспериментальные результаты, подтверждающие указанное распределение поля.

9. В качестве безмедных структур предложены и экспериментально исследованы тонкопленочные электролюминесцентные излучатели постоянного тока на основе гетероперехода р-81/п2пз.

10. Изучены процессы деградации в тонкопленочных структурах переменного тока, связанные с миграцией ионов меди под действием переменного электрического поля, с привлечением методов эллипсометрии.

11. Показано, что многослойные структуры на основе сверхтонких пленок могут оказаться перспективными при изготовлении электролюминесцентных панелей.

12. Разработана обобщенная эквивалентная схема тонкопленочных электролюминесцентных структур и математическим моделированием определены численные значения и характер зависимостей токов и напряжений элементов ТПЭЛУ от частоты, емкости диэлектрика, проводимости люминофора. Установлено, что переходные процессы включения ТПЭЛУ под напряжение сопровождаются плавным повышением напряжения на слое люминофора без скачков и ударных значений, а также без начальных бросков тока, что исключает разрушающие воздействия как на элементы питания цепей, так и на свою собственную структуру. Тем самым открываются возможности построения тонкопленочных структур с высоким рабочим ресурсом и надежностью.

Автор считает своим долгом выразить признательность и глубокую благодарность своему научному консультанту академику АТН, доктору химических наук, профессору Синельникову Борису Михайловичу, сотрудникам кафедры Материалов и компонентов твердотельной электроники Ставропольского государственного технического университета, а также ОАО «Люминофор» за постоянное внимание, поддержку и помощь при выполнении данной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А., Дин П. Светодиоды. — М.: Мир, 1979.
  2. Georgobiani A.N. The constrauction of light emmitting diodes of the base of wide gap II-VI semiconduetor compounds // J. Lumen. 1991. — Vol. 4849. — P. 839−844.
  3. Butkhuzi T.G., Georgobiani A.N., Eltazarov B.T., Khulordava
  4. T.G., Kotljarevsky M.B. Blue ligt emiting diodes on the base of ZnSesengle cristals // J. F Cristal Growth. 1992. — Vol. 117. — P. 1055−1058.
  5. Destriau G. Recherehes sur les scintillations des sulfures de zinc aux rayons // Y. de Chimie Phys. 1936. — Vol. 33. — P. 587.
  6. Destriau G. Recherhes experimentales sum les action du champ elec-trigue sur les sulfures phosphonescents.// Y. de Chimie Phys. -1937. Vol. 34. -P. 117−124.
  7. A.H., Бочков Ю. В., Кисель И. И., Сысоев А. А., Чилая Г. С. Электролюминесценция объемных кристаллов ZnS // Изв. АН СССР. Сер. Физика. 1965. — Т. 18, вып. 2. — С. 347−349.
  8. А.Н., Бочков Ю. В., Гершди А. С., Сысоев Л. А., Чилая Г. С. Ультрафиолетовая электролюминесценция сульфида цинка // Оптика испектроскопия. 1966. — Т. 20, вып. 1.- С. 183−184.
  9. А.Н., Бочков Ю. В., Чилая Г. С. Электролюминесценцияи некоторые оптические характеристики монокристаллов сульфида цинка //Труды ФИАН. 1970. — Т. 50. — С. 6091.
  10. А.Н., Тодуа П. А. Доменная электролюминесценция сульфида цинка // Труды ФИАН. 1977. — Т. 97. — С. 22−40.
  11. Georgobiana A.N., Togua Р.А. Low voltage electroluminescence of ZnS due to an aconsto-electric nostability // J. Lumin. 1972. — № 5. — P. 14−20.
  12. O.B. Действие контактных детекторов, влияние температуры на генерируемый контакт. Телегр. и телорония без проводов.
  13. Электролюминесцентные источники света /Под ред. И. К. Верещагина. -М.: Энергоиздат, 1990. С. 45−62.
  14. А.Н., Рамбиди Н. П., Тодуа П. А., Шестаков Е. Ф., Эльтазаров Б. Т. Электролюминесценция МДП структур CdS /пленка Ленг-мюр-Блодже/Au // Краткие сообщения по физике. — 1987. — № 9. — С. 46−49.
  15. Georgobiani A.N., Eltazarov В.Т., Pambidi N.G., Todua P.A. Padiative and electrical properties of CdS /Langmuir-Blodgett film / Au MIS structure // J Molec. Electronics. 1988. — Vol. 4. — P. 49−53.
  16. Georgobiani A.N., Mach R, Yu., Bockow V., Selle B. Physical properties of Schottky diodes on ZnS single crystals // Phys. Stat. Sol. (a). -1979.-Vol. 53.-P. 263−270.
  17. Allen J.W., Livingstone A.W., Turvey K. Electroluminescence in revense biased zine selenide Shottky diodes // Sol. State Electron. — 1972. -Vol. 15, № 12.-P. 1363−1369.
  18. Gordon N.T., Ryall M.D., Allen J.W. Electroluminescence in reverse biased ZnS: Mn Shottky diodes // Appl. Phys. Lett. — 1979. — .35, № 9. -P. 691−692.
  19. Л. А. Внутризонная люминесценция полупроводников II- Изв. АН СССР. Сер. Физика. 1985. — Т. 49, № 10. — С. 1934−1939.
  20. Rigly N.E., Allen J.W. Light emission from hot electrons in zine sulphide // J. Phys. C. 1988. — Vol. 21, № 19. — P. 3483−3494.
  21. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М: Высшая школа, 1971. С. 336.
  22. Ф.Ф. Физика и химия соединений А2В6. М.: Мир, 1970.-N. 481.
  23. Gillson J.L., Darnell J. Electroluminescence in zine sulfide // Phys. Rev. 1962. — Vol. 125, № 1. — P. 149−159.
  24. Oranowski W.E. Untcrsuchungen den Electroluminescence of ZnS VON ZnS Einkristallen // Acta Phys. Akaf. Sci. Hung. — 1962. — Vol. 14, № 1. -P. 115−119.
  25. Fischer A.G. Electroluminescent lines in ZnS powder partic-les // J. Electrochem. Soc. 1962. — Vol. 109, № 11. — P. 1043−1049.
  26. Fischer A.G. Desrian electroluminescence models: a rubutall // Lett, al Nonvo Cimento. 1975.- Vol. 12, № 9. — P. 309−314.
  27. Bertram R., Haupt H., Nelkowski H. On the mechanism of the fouble comet shaped electrolumines cence in ZnS: Cu crystals // J. Lumin. 1978 -Vol. 16, № 3.-P. 245−250.
  28. Haupt H., Nelrowski H. Explanation of the comet shope of electroluminescent lines in ZnS: Cu senge crystals // J. Lumin. 1978. — Vol. 16, № 3. — P. 245−250.
  29. B.E. К вопросу о модели электролюминесцентного штриха в монокристаллах сульфида цинка // Электролюминесценция твердых тел: Сб. науч. тр. Киев: Науково думке, 1976.
  30. Nortese G., Maxia V., Mutoni С., Murgia М. Photoelectrolumi-nescence in ZnS //Niuvo Cimento. 1973. — Vol. 15B, № 2. — P. 121−135.
  31. Maxia V., Muntoni C., Murgia M. After effect of UV excitation on the ZnS electroluminescent emission // Lett. Nouvo Cimento. -1980. Vol. 27, № 2. — P. 49−52.
  32. А.Н., Фок М.В. Процесс, определяющий зависимость средней яркости электролюминесценции от напряжения // Опт. и спектр.-1961. Т. 10, вып. 2. — С. 188−193.
  33. А.Н. Электролюминесценция кристаллов // Труды ФИ-АН СССР. 1963. — Т. 23 — С. 3−63.
  34. А.Н. Широкозонные полупроводники А2В6 и перспективы их применения // Успехи физических наук. 1974. — Т. 113, вып. 1.- №. 129−155.
  35. Г. Н. Электролюминесценция. М.: Мир, 1964.
  36. Ruda Н.Е., Lai В. Electron transport in ZnS // J Appl Phys.- 1980. -Vol. 68, № 4. -P. 1714−1719.
  37. Larach S., Shrader R.E. Chemical evidence for a barrien in electroluminescent zinc sulfide phosphors // Phys. Chem. Sol. 1957. -Vol 3, № 12. -P. 159−180.
  38. Goldberg Y., Varia S. On the physical charactericstic ant chemical composition of electroluminescent phosphors // J. Electrochem.Sol. 1962 -Vol. 107, № 8.-P. 521.
  39. П.Е., Рудзик C.A., Фурман М. П. К вопросу о роли фа-зы Cu2S в образовании ZnS электролюминофоров // Изв. вузов. Сер. Физика. — 1972. — № 2. — С. 132−136.
  40. И.К., Ковалев Б. А., Цюрупа О. В. Изменение электро-люминесцентных свойств поверхности и параметров электролюминофоров при удалении сульфида цинка // ЖФК. 1985. — Т. 59, № 8. — С. 2072−2074.
  41. Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. Л.: Наука, 1983. — С. 122.
  42. Faria S. Electroluminescent characteristics of small particle size phosphors // J. Electrochem. Soc. 198. — Vol. 135, № 10. — P. 2627−2630.
  43. А.Н., Пипинис П. А. Туннельные явления в люминес-ценции полупроводников. М.: Мир, 1994. С. 218.
  44. Bougnot J., Guastavino F., Lugnet H., Sodini D. On the electrical properties of CuxS // J. Phys. Stat. Sol.(a). 1971. — Vol. 8. — P. K93-K96.
  45. Razykov T.M., Kafirov K.H. Energy band fiagrams of Cu2S--ZnxCdix hetlnojunctions // J. Phys. Stat. Sol.(a). 1984. — Vol. 84, № 1. — P. K71-K74.
  46. Entage P.R. Enhancement of metall to insulaton tunneling by optical phonons // J. Appl. Phys. Vol. 38, № 4. — P. 1820−1825.
  47. А.Г., Проскура А. И., Лысенко С. Ф. Три рода эффекта Гуддена-Поля и фосфоресценция сернистого цинка, активированного медью // Оптика и спектроскопияю 1965. — Т. 19, вып. 6. — С. 943−950.
  48. Bar V., Alexander Е., Brada J., Steinberder I. The effect of electric fields on the luminescence and conductivity of ZnS singlecrystals // J. Phys. Chem. solids. 1964. — Vol. 25, № 12. — P. 1317−1328.
  49. Marerello V., Samuelson L., Onton A. Probe baner measurement of electroluminescence excitation in ac thin film devices // J. Appl. Phys. 1981. -Vol. 52, № 5. — P. 2590−2599.
  50. Фок M.B., Васильченко В. П., Войханский M.A., Матизен Л. К. О возможности рекомбинационного механизма возбуждения Мп в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS: Mn, Yr// Уч. зап. Тартуского гос. ун-та. 1989. — Вып. 867. — с. 6−23.
  51. Abadala M.I., Thomas J., Brunce A. Performance of DCEL coeva-porated ZnS, Mn, Cu low voetage devices // IEEE tranctlons on electronic Device. 1981. — Vol. ED-28, № 6. — P. 689.
  52. N. // Jap. J. Appl. Phys. 1969. — Vol. 4, № 4. -P. 450.
  53. С.М. Электродиффузионные процессы и другие явления, определяющие характеристики электролюминесцентных источников света: Автореф. докт. дис. 1996. — С. 38.
  54. Destrian G. The new phenomenon of electroluminescence and its possibilities for the investigation of crystall lattice // Phil. Hog. 1947. — Vol. 38, № 285. — P. 700−739.
  55. В.П., Савельева Г. А. Особенности формовки электролю-минесцентных пленок ZnS-Cu, Мп // Электролюминесцентные тонкопленочные излучателей и их применение: Тез. док. сем. Ровно, 1981. -С. 16−18.
  56. И.Г. Прохождение тока сквозь тонкие диэлектрические пленки / Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. Л. Майселая, Р. Глента. 1977. — Т. 2. — С. 345−399.
  57. И.Х. Контакты металл-проводник / Под ред. Г. В. Степанова. М, 1982.-С. 208.
  58. .М. Электролюминофоры постоянного тока. -Ставрополь, 1996. С. 225.
  59. И.К. Электролюминесценция кристаллов. М., 1974. — № 279.
  60. Vecht A., Werring N. Direct current in electroluminescence ZnS // Brit. J. Appl. Phys. 1970. — Vol. 3, № 2. — P. 105−120.
  61. Alter G.J., Cattell A.F., Dexter K.E. An investigation on the electrical and optical properties of DC electroluminescent ZnS: Mn, Cu powder panes
  62. IEEE trasactions on Electron Devices. 1981. — Vol. ED-28, № 6. — P. 680 688.
  63. H.А. О механизме старения электролюминесцирующих пленок сульфида цинка и путях повышения их долговечности // Труды по электролюминесценции: Уч. зап. Тартуского ун-та. Тарту, 1976. — Вып. 279. — С. 22−50.
  64. О.Н., Королев А. О. Паранан Г. А., Пекерман Ф.М.
  65. Электролюминофоры, возбуждаемые постоянным электрическим током // Светотехника. 1976. — № 12. — С. 3−4.
  66. В.П., Каек А. К. Электрофизические свойства элект-ролюминофорорв постоянного тока на базе ZnS:Mn. // Уч. зап. Тартусско-го университета. 1979. — Вып. 509. — С. 44−57.
  67. Ф.И., Гущин М. Н., Лурье В. И. К теории деградации гетеропереходов CuS-ZnS:Mn// Микроэлектроника. 1981. — Т. 109, вып. 3. — № 235−239.
  68. Chong Kuochu, Chang Hsinyi, HSU Hsujung. Excitation mechanism in DC electroluminescence of Y203xEu sintered slice und ZnS: Cu, Er, CI thin film ageing // J. Luminescence. 1979. — Vol. 18/19, part. 2. — P. 913−916.
  69. Zahter C., Anand R. Physical mechanism of conditionand light emission imission in Aigh-Resistivity ZnS: Mn // Thin Film. Phys. stat sol/a/. -1974. Vol. 44. P. 3231−3237.
  70. O.H., Марковский Л. Я., Мирюков И. А. и др. Неорганические люминофоры. Л., 1975. — С. 192.
  71. Электролюминесцентные источноки света / Под. ред. И.К. Вереща-гина. М.: Энергоиздат, 1990.
  72. Vecht A. Electroluminescent displays // J. Vacum science and technology. 1973. — Vol. 10, N 5. — P. 789−795.
  73. В.И., Кононенко В. И., Вергунас А. Б. Повышение надежнос-ти пленочных ЭЛ индикатор импульсной формовки // VI
  74. Всесоюзная конфе-ренцня по электролюминесценции.- Днепропетровск, 1977.-С. 117−118.
  75. А.И., Васильченко В. П. Формовка порошковых электролюминесцентных конденсаторов постоянного тока // VI Всесоюзная конференция по электролюминесценции. Днепропетровск, 1977.1. С.117−118.
  76. А.И. Исследование электролюминесценции цинксуль-фидных люминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем: Авторефер. канд. дисс. Тарту, 1982. — С. 16.
  77. А.И. // Всесоюзное совещание «Синтез, свойства, исследования и технология люминофоров для отображения информации»: Тез. докл. Ставрополь, 1982. — С. 142.
  78. Н.А., Гергель А. Н., Школа А. А. Низковольтные элект-ролюминесцентные пленочные структуры постоянного тока // Электролюминесценция твердых тел и ее применение. Киев, 1972. -С.228.
  79. Н.А., Куриленко Б. В., Цыркунов Ю. А. Электролюми -несцентные тонкопленочные излучатели и их применение. Киев, 1981. -С. 22.
  80. Vecht A. Materials control and D.C. electroluminescence in ZnS: Mn, Cu, CI powder phosphors // Brit. J. Appl. Phys. O, ser. 2. 1969. — Vol. 2, N 7. -P. 953−966.
  81. Mohamed I., Gofin A., Brenae A. Electrical conduction and degradation mechanisms in powder ZnS: Mn, Cu direct current electroluminescent devices// IEEE transaction on electron devices, VED-28. 1981. — № 6. — P. 689 693.
  82. Abdalla M., Gofin A., Noblane J. O.C. Electroluminescence mechanisms in ZnS devices // J. Luminescence. 1979. — Vol. 18/19, part II. — P. 743 748.
  83. А.И., Васильченко В. П. Природа формовки электролюми-несцентных конденсаторов постоянного тока // Ученые записки ТГУ. 1978. — Т. VII. — Р. 31−40.
  84. Kosyachenko L.A., Verechagin I.K., Korin S.M. Electronic properties of CuxS-ZnS heterostructure in zink sulphide luminophores // Polycrys-talline Semiconductors IV-physics, chemistry and technology. Trans. Tech. Publ., Zug Switzerland. 1995. — P. 115.
  85. Alexander R.W., Sherhod C., Stowell M.J. Phorming of powder electrolumineccent displays.I.Characterisation end effectsof gaseous enviroment // J. Physics.
  86. К. // Уч. зап. Тартуского гос. ун-та. Тарту, 1976. — Вып. 379. — С. 86.
  87. В.В., Пермин А. В. О влиянии концентрации Мп и спосо-ба его введения на электролюминесценцию пленочных структур Cu20S-ZnS:Cu, Mn. // Люминесцентные материалы и особо чистые вещества: Сб. тр. ВНИИЛ. Ставрополь, 1973. — Вып. 9.
  88. И.А. Физико-химические основы синтеза люминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем (ЭЛПП): Автореф. канд.дис. Ставрополь, 1993. — С. 23.
  89. Matsumoto Н., Tanaka Sh., Yobumoto Т. DC electroluminescence on M-I-S structures in thin films // J. Appl. Phys. 1978. — Vol. 17, № 9. — P. 901−904.
  90. Torngvist R.O., Tuomi Т.О. DC Electroluminescence in InSnxOy-Ta205-ZnS:Mn-Ta205-Al thin film structures // J. Luminescence. 1981. — Vol. 24/25, part 2. — P. 901−904.
  91. Ohnishi H., Sakuma N., Teyasu K., Hamakawa Y. Efficient D-C electroluminescence from ZnS: Mn and AS: TbF thin films prepared by Rf sputtering // J. Electrochem. Soc. 1983. — Vol. 130, № 10. — P. 2115−2117.
  92. Blacmore J.M., Cattell A.F., Dexter K.F., Kirton J., Loud P. DCelectroluminescence in copper free ZnS: Mn thin films. I. Local destructiv brek-doun and its dependence on preparation and test conditions // J. Appl. Phys. -1987.-Vol. 61.-P. 714−721.
  93. В.П., Савельева Г. А. Особенности формовки электролю-минесцентных пленок ZnS:Cu, Мп // Тез. сем. «Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение». -Ровно, 1981.-С. 16−18.
  94. .Н., Семчук А. Ю. Порошковые электролюминофоры и устройства постоянного тока. Киев: ИФ АН УССР, 1984. — С. 118.
  95. Piper W.W., Williams F.F. Electroluminescence of singl crystals of ZnS: Cu // J. Phys. Rev. 1952. — Vol. 87, № 1. — P. 151−152.
  96. Zalm P. The electroluminescence of ZnS type phosphors // Philips Research Reports 1956. — Vol. 11, № 5. — P. 353−399.
  97. J.M. // J. Appl. Phys. 1971. — Vol. 10. — P. 326.
  98. .А. Роль сульфида меди в механизме старения электролюминофоров переменного тока // Уч. зап. Тартусского ун-та. -1986. -Вып. 742. С. 18−46.
  99. Hann D., Minkes Е. Agin mechanism of ZnS: Cu electroluminesce // J. Phys. Chem. Solids. 1968. — Vol. 29. — P. 1287−1292.
  100. Rogers E.A. Kinetic of electroluminescent deteri oration in some ZnS // Phosphors electrochem Soc. 1964. — Vol. 111. — P. 411−412.
  101. H.H., Данилов В. П., Веревкин Ю. Н. Электролюминес-ценция твердых тел и ее применение. Киев: Наукова Думка, 1972. — С. 197−200.
  102. М.М. Кристаллография. 1969. — Вып. 14, № 4. — С.704.
  103. Jaffe P.M. On the theory of electroluminesce deterioration // J. Electrochem. Sol. 1961. — Vol. 108, № 7. — P. 711−712.
  104. Curie O. Libres parcours des electrons dans les cristaux // J. Phys. Rad. 1952. — Vol. 13, № 6. — P. 317−325.
  105. Lenz P., Riehl N. Tief temperatur versuche uber Ausleuctung von ZnS Phosphorend durch electriche felder // Z. Angew. Phys. — 1972. — Vol. 32. -P. 366−371.
  106. А.Ю., Куджмаускас Ш. П., Пипинис П. А. Механизм опус-тощающего действия электрического поля на центры захвата в ZnS:Pb кристаллофосфорах // ФТТ. 1977. — Т. 19, вып. 11. — С. 3485−3488.
  107. А.Ю., Куджмаускас Ш. П., Пипинис П. А. Механизм иони-зации центров захвата электрическим полем в кристаллофосфорах // Лит. физ. сб. 1978. — Т. 18, № 4. — С. 531−539.
  108. А.Ю., Пипинис П. А. Эффект Гуддена-Поля в кристаллах ZnSe // Лит. физ. сб. 1979. — Т. 19, № 1.- С. 145−149.
  109. А.Н., Фок М.В. Главные пики волны яркости элект-ролюминесценции // Оптика и спектроскопия. 1960. — Вып. 6. — С. 775−781.
  110. А.Н., Фок М.В. Зависимость фазы волн яркости электролюминесценции от параметров возбуждающего напряжения // Оптика и спектроскопия. 1961. — Т. 11, вып. 1. — С.93−97.
  111. Pipinys P., Rimeik A. Current pulses in ZnS: Cu crystals stimulated by electric field at low temperatures // Phys. Stat. Sol.(a). 1978. — Vol. 45, № 2. — P. K113-K116.
  112. Ш. П. Теория туннелирования электронов из глубо-ких примесных уровней в зону проводимости в сильных электрических по-лях с учетом многофононных процессов // Лит. физ. сб. -1976. Т. 16, № 4. — С. 459−467.
  113. Ф.И. Многофонные туннельные процессы в однородном электрическьом поле // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1978. — Т. 74, вып. 2. — С. 472−482.
  114. П.А., Киверис А. Ю., Римейка А.К.
  115. Электролюминесцен-ция пленок фторида кадмия, активированных редкоземельными элементами // Лит. физ. сб. 1986. — Т. 26. — С. 748−758.
  116. П.А., Пипинис A.B., Васильченко В. П., Матизен Л. Л. Влияние центров захвата на электролюминесценцию тонких пленок на осно-ве ZnS:Mn // Лит. физ. сб. 1988. — Т. 28, № 2. — С. 244−253
  117. Nasegawa Н., Nakagawa S. DC-electroluminescence in ZnS: Cu, Mn prepared by successive vacuum deposition metod // Proc. SID. 1987. — Vol. 28, № l.-P. 27−30.
  118. H.A. Фото- и электролюминесценция пленок // Уч. записки Туртусского университета. Тарту, 1973. — Т. 3. — С. 3−68.
  119. А.Н., Добрун А. П., Фок М.В. Механизм электролюминесценции пленочных структур CuS-ZnS:Cu, Mn, Cl-AI работающих на постоян-ном токе // Уч. записки Тартусского университета. Тарту, 1988. — Т. XVI. — С. 37−68.
  120. Н.И., Качалов О. В. Математическое моделирование электрофизических процессов, протекающих в ТПЭЛС на постоянном токе // Известия вузов. Радиофизика/ Материалы III региональной конференции по микроэлектронике.-Н. Новгород, 1996. С. 70−76.
  121. .М. Теоретические основы синтеза и эксплуатации неорганических электролюминофоров: Автореф. док. дис. -Ставрополь, 1985. С. 41.
  122. Vecht A., Werring N., Ellis R., Smith P. Direct curent electroluminescence in ZnS // Proc. EL Dev. IEEE. 1973. — Vol. 61, № 7. — P. 902 907.
  123. Vecht A. Devolopments in electroluminescent Panels // J. Cryst. Growth. 1982. — Vol. 59, № 3. — P. 81−97.
  124. Fujii Y., Hoshina T. Japan Display // Tokyo: Institute of television Engineers of Japan. 1983. — P. 96.
  125. Glaser D., Kupsky G. R. SID 87 Dijest N.Y.: Palisades Institute for Research Services. 1987. — P. 292.
  126. C.C. Курс коллоидной химии. M.: Химия. — 1969. — С.286.
  127. В.А. Исследование физических особенностей и оптимальных условий формирования электролюминесцентных порошковых слоев: Автореф. канд. дис. Тарту, 1973.
  128. Н.П. Исследование физико-химической природы электролю-минесцентных слоев с целью улучшения основных параметров невакуумных приборов отражения информации: Автореф. канд. дис. -Тарту. 1971. — С. 24.
  129. И.К., Кокин С. М. Влияние влаги на старение электролюминофоров // Уч. зап. Тартуского ун-та. Тарту, 1983. — Вып. 655. -С. 101−108.
  130. Антонов-Романовский В. В. Кинетика люминесценции кристалло-фосфоров. М.: Наука, 1966. — С. 320.
  131. B.C. Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений // Успехи физических наук. Т. 164, № 3.- 1994.-№ 286−295.
  132. Д.Д., Бараненков И. В. Тонкопленочные электролюми-несцентные индикаторные устройства // Зарубежная радиоэлектроника. 1985. — N 7.
  133. Teho A.P. Laser Focus Electro-Optics. 1985. — № 3.
  134. Touna S., Koboyashi H. Oyu Butsuri. 1986. — Vol. 55, № 2.
  135. M.K., Shlam F., Morton O. // J. Croc. SID. 1987. — Vol. 28., № 1.
  136. Tommula Y., Ohwaki J., Kozawaguehi H. Jap. J. Appl. Phys, pt. 2. 1986.-Vol. 25, № 3.
  137. Hamakawa Y., Oishi Y., Kato T. Annu. Rev. Electron // Comput. Telecommun. 1986. — Vol. 19.
  138. Sasakura H., Kobayashi H., Tanaka S., Mita J., Tanaka T. Elec-troluminecsent mechanism of ZnS: Mn and ZnS: TbF3 AC thin-film devices // J. Luminescence. 1981. — Vol. 24/25, pt. 11. — P. 897−900.
  139. Tommura Y., Ohwaki J., Kozawaguehi H., Tsujiayma B. Jap. J. Appl. Phys. 1986, pt. 2. — Vol. 25, № 2.
  140. Tanaka S., Yoshiyama H., Nishura J. Bright white-light electroluminescence based on ronradiative enengy transfer in Ce and Eu-doped SrS // J. Appl. Phys. Lett. 1987. — Vol. 51, № 21. — P. 1661−1663.
  141. BshushanS, Chandra F. AC and DC electroluminescence in CaS: Cu, Sm phosphors // Pramana. 1985. — Vol. 24, № 4.
  142. Tanaka S., Mikami Y., Deguchi H., Kobayoshi H. Jap. J. Appl. Phys. 1986, pt. 2. — Vol. 25, № 2.
  143. И.П., Алесковский В. Б., Семашкович A.B. Эпитакси-альные пленки соединений АВ. Л.: Из-во Ленинградского унта, 1978.-С. 187.
  144. Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. -С. 654.
  145. А.с. 1 385 453 СССР. Получение сульфида цинка, включающее взаимодействие ацетата цинка с тиомочевиной. Опубл. 1986.
  146. Н.А., Гергель А. Н., Коновец Я. Ф. Исследование меха-низма старения электролюминесцентных пленочных источниковсвета и спо-собы повышения их долговечности // Полупроводниковая техника и микро-электроника. 1974. — Вып. 16. — С. 48−53.
  147. H.A., Гурьянов С. Н. Электролюминесценция тонких пленок. Состояние исследований и нерешенные проблемы // Изв. АН СССР. Сер. Физика. 1985. — Т. 49, № 10. — С. 1909−1915.
  148. М.И., Миллинов Н. Я. Пленки ZnS и CdS, полученные хи-мической пульверизацией растворов // Химия твердого тела. -Свердловск, 1982. С. 20−25.
  149. Заявка 55−10 547 Япония. Способ получения порошка сульфида цинка / Мацусите Дэнки Сангенк Опубл. 1980.
  150. H.A. Электролюминесцентные пленки как источники света для целей оптоэлектроники // Полупроводниковая техника. Киев, 1973.-Р. 93−101.
  151. В.П., Корсункский В. М. Электролюминесцентные устройства. Киев: Наукова думка, 1968.
  152. Г. А. Осаждение пленок и покрытий разложением ме-таллоорганических соединений. М.: Наука, 1981. — С. 125.
  153. Пат. N 3 386 841 США. Способ изготовления пленок ZnS с кубической структурой Опубл. 30.04.1968.
  154. К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986.-С. 435.
  155. Г. А. Исследование процессов получения пленок халько-генидов металлов в водных растворах, содержащих ТЮ, селемочевину и селеносульфат натрия: Автореф. док. дис. Свердловск, 1966. — С. 42.
  156. Marcotrigiano G., Peronye G., Battistussi R. Prepartion of A2B6 compounds from thiouria // J. Phys. 1972. — Vol. 11. — P. 193−197.
  157. Разработка эффективных электролюминофоров, возбуждаемых пе-ременным электрическим полем промышленной частоты 50Гц. / Реф.сб. Сер. Химия и технология люминофоров и чистых неорганических материа-лов. М.: НИИТЭХИМ, 1981. — Вып. 2. — С. 1−3.
  158. Ю.С. Физико-химические методы анализа. М.: Химия, 1974.-С. 536.
  159. В.Г., Иванов М. Г. Труды по химии и химической техноло-гии: Сб. тр., вып. 1/19. Горький, 1968. — С. 86.
  160. Martinusis S., Cabone-Brouty В. Etude de photopilis an Cu2SCd ZnS et de couches de CdS spay. Collg. // Int Elect. Solouce. 1976. — P. 293 302.
  161. A.K., Таммак A.A. О новом методе изготовления тонкоп-леночных электролюминесцентных структур // Уч. зап. Тартусского уни-верситета. Тарту, 1983. — Вып. 655. — С. 120−129.
  162. Пат. 57−41 199 МКИ Н05 В 33/18 Япония. Тонкопленочный светоиз-лучающий элемент/ Сяно К. К. Опубл. 01.09.82.
  163. М.Х., Джонсон ДЖ.Е. Физика тонких пленок. -1972. -Т. 5. С. 161−186.
  164. В.Н., Синельников Б. М., Каргин Н. И. Преимущества и недостатки систем осаждения тонких пленок // Всероссийская научно-тех-н. конф. Кисловодск, 1996. — С. 12.
  165. A.c. 1 307 884 СССР. Способ ионно-плазменного нанесения пленок в вакууме/ Коломыцев В.Н.
  166. A.c. 1 302 982 СССР. Устройство для электропитания ионно-плаз-менной установки/ Коломыцев В.Н.
  167. A.c. 1 449 999 СССР. Переменный резистор/Коломыцев В.Н.
  168. .С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные систе-мы. М.: Радио и связь, 1982. — С. 72.
  169. В.Н., Синельников Б. М., Каргин Н.И.
  170. Оптимальные изменения ВАХ магнетронных систем ионного распыления во время распыле-ния катодов // Всероссийская научно-практ. конф. «Перспективные мате-риалы и технологии для средств отображения информации»: Тез. док. Кисловодск, 1996. — С. 9−10.
  171. Заявка на изобретение 3 113 270/21 от 29.03.85. Устройство для электропитания плазменной установки / Коломыцев В.Н.
  172. М.К. Конструкции и технология тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Ульяновск: Из-во УлГТУ, 1997. -С. 54.
  173. В.П. Синтез диэлектрических таблетированных мишеней для ТПЭЛУ переменного тока // Всесоюзная конф. по электролюминесцен-ции: Тез. докл. Ангарск, 1991. — С. 68.
  174. Ю.Г., Акулюшин И. Л., Миронов B.C. и др. Электрофизические свойства пленок систем Zn02-Y203, Hf02-Nd03, НЮ2-Y203 // Неорганические материалы. 1994. — Т. 30, № 4. — С. 556−558.
  175. Н.М., Кокин С. М., Липовецкий A.B. и др. Влияние диэлектрика на параметры тонкопленочных электролюминесцентных структур // Изв. вузов. Физика. 1986. — № 4. — С. 119−120.
  176. Venghaus Н. Microstructure and light emission of AC-film electroluminescent device // J. Appl. Phys. 1982. — Vol. 53, № 6. — P. 4146−4751.
  177. Howard W.E. The importance of insulater properties in A thin film electroluminescent device // JEEE Trans. Electron. Devices. 1977. — Vol. 24, № 7. — P. 903−908.
  178. Abe A., Fujita Y., Tohda T. Large-scale highly resoluble AC thin film EL flat panel display //Nat. Techn. Report. 1984. — Vol. 30, N 1. — P. 186 192.
  179. Kozawaguchi H., Tsujiyama В., Murasi К. Thin-film electroluminescent device employing TaO HF Sputterad Insulating film // Jap. J. Appl. Phys. 1982. — Vol. 21, № 7. — P. 1028−1031.
  180. Н.Т. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряжения тонкопленочных электролюминесцентных конденсато-ров // Электронная техника. Сер. VI. Микроэлектроника. -1990. Вып. 1(135). — С. 88−90.
  181. Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Л. Майсела, Р.Гленга. М.: Сов. радио, 1977. — Т. 2. -С. 768.
  182. .М., Шапочкин Б. А. Измерение параметров оптических покрытий. М.: Машиностроение, 1986. — С. 131.
  183. В.П., Матизен JI.JI. Определение спектра уровней захвата в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах на основе ZnS:Mn // ЖПС. 1985. — Т. 43, № 6. — С. 953−955.
  184. Marello V., Samuelson L., Onton A. Probe layer measurements of electroluminescence excitation in ae thin-film defices // J. Appl. Phys. 1981. -Vol. 52, № 5.-P. 3590−3599.
  185. Benoit J., Barthou C., Benalloul P. Excitation efficiency in thin-film electroluminescent devices. Probe lager measurements // J. Appl. Phys. -1993. Vol. 73, № 3. — P. 1435−1442.
  186. Alt P.M. Thin-film electroluminescent displays: device characteristics and performance // Proc. of the SID. 1984. — Vol. 25, № 2. — P. 123 146.
  187. К. Физика полупроводников. М., 1977. — С. 246.
  188. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. — С. 688.
  189. Goodnick S., Dur М., Pennathur S. Monte Carlo simulations of high field transport in inorganic EL // Inorganic and organic electroluminescence. Berlin, 1996.
  190. В.З. Сверхпроводимость и сверхтекучесть. М.: Наука, 1978.-С. 190.
  191. Л.В. Кинетическая теория ударной ионизации в полупроводниках //ЖЭТФ. 1959. — Т. 37, вып. 3. — С. 713−717.
  192. Reigrotzki M., Fitzer N., Pennathur S. Redmer R., Schattke W., Goodnick S. Impact ionisation in GaAs and ZnS// Inorganic and organic electroluminescence. Berlin, 1996.
  193. Gupta S., MsClure J., Singh V. Activator clustering and efficiency in ZnS: Mn A.C. Thin film electroluminescence display devices// Inorganic and organic electroluminescence. Berlin, 1996.
  194. Л.Д., Лифшиц E.M. Квантовая механика- нерелятивистская теория. М.: Наука, 1974. — С. 752.
  195. Дж. Теория рассеяния- квантовая теория нерелятивистских столкновений. М.: Мир, 1975. — С. 565.
  196. Е., Bhattacharyya К. // Semi. Sci. Tech. Vol. 10. — P.1065.
  197. В.Л., Митрофанов H.B., Тимофеев Ю. П. и др. Применение кристаллофосфоров для регистрации электромагнитных излучений // Люминесценция и нелинейная оптика. Труды ФИАН. 1972. — Т. 59. -С. 64−123.
  198. Т.К., Сошин Н. П., Тальвисте Э. К. и др. Некоторые свойства гетеропереходов p-Si-ZnS //
  199. A.B., Свиташев K.K., Семененко А. И., Семененко Л. В., Соколов В. К. Основы элипсометрии. Новосибирск: Наука, 1979.
  200. .А. Роль сульфида меди в механизме старения электролюминофоров переменного тока // Уч. записки Тартуского гос.университета. Тарту, 1986. — Вып. 742. — С. 18−46.
  201. П.П., Комащенко В. Н., Федорус Г. А. Механизмы токопрохождения и зонная диаграмма гетеропереходов сульфид медисульфид цинка // ФПП. 1980. — Т. 4−14, № 7. — С. 1276−1280.
  202. С.М. Электродиффузионные процессы и другие явления, определяющие характеристики электролюминесценитных источников света : Автореф. док.дис. М., 1996. — С.38.
  203. Л.А., Панькеев Н. М., Пивовар А. В. Электрические свойства Al-SiC- диодов // Укр. физ. журн. 1982. — Т. 27, № 1. — С. 101−108.
  204. Parker G.H., Mead С.А. Tunneling in CdTe Schottky barriers // Phys. Rev. 1969. — Vol. 184, № 3. — P. 780−787.
  205. Tanaka Sh. Color electroluminescence in alkaline-earth sulfide thin-films //J. Luminescence. 1988. — Vol. 40−41. — P. 20−23.
  206. Sasakura H., KobayashiH., Tanac S., Mita J., Tanaka T. Electroluminescent mechanism of ZnS: Mn and ZnS: TbF3 AC thin-film devices // J. Luminescence. 1981. — Vol. 24−25, pt. II. — P. 897−900.
  207. Tohda Т., Fujita Y., Matsuoka Т., Abe A. New efficient phosphor material ZnS: Sm, P for red electroluminescent devices // Appl. Phys. Lett. -1986.-Vol. 48, № 2.- P. 95−96.
  208. Ohwaki J., Tamura Y., Kozawaguchi H. High-brightness blue, red and stable green thin-film electroluminescent devices // Rev. Electrical Commun. Lab.- 1987. Vol. 35, № 6. — P. 733−739.
  209. Higton M., Vecht A., Mavo J. Blue, green and red DC-El splay development// SIO Int. Symp. digest oftechn. papers. 1978. — P. 136−137.
  210. Vecht A. DCEL matrix displays in a range of colors SID 80 digest. 1980. — P. 110−111.
  211. Tammura Y., Ohwaki J., Kozawaguchi H., TsujiyamaB. Bright blue electroluminescence in SrS: CeCl3 thin film, Jap. // J. Appl. Phys. 1986. -Pt. 2.2, vol. 25, № 2. — P. 1105−1110.
  212. Aozara M., Kato К., Nakayama Т., Ando К. CaS: Eu, F thin-film electroluminescent devices prepared by RF sputtering with hydrogcnargon mixture gos, Jap. // J. Appl. Phys. 1990. — Vol. 29, № 10. — P. 1997−2002.
  213. Shanker V., Tanaka Sh., Shicha M., Degychi H., Kobayashi H., Sasakura H. Electroluminescence in thin-film CaS: Ce // Appl. Phys. lett. -1984. Vol. 45, № 9. — P. 960−961.
  214. Ogawa M., Shimouma Т., Nakada G., Yoshioka T. Electroluminescence of devices with thin-film CaS: Ce, Ce as the active luminescence Layer, Jap. // J. Appl. Phys. 1985. — Vol. 24, № 2. — P. 1 680 172.
  215. Vig D., Mathus V. at al. Cathodoluminescence of CaS-Ce phosphors // Indian J. Pure Appl. Phys. 1976. — Vol. 9. — P. 1509−1519.
  216. Singh N., Malhotra B. et al. Photoluminescence spectre of CaS-Ce and CaS-Cu phosphors // Indian J. Pure Appl. 1981. — Vol. 19. — P. 204−208.
  217. Okomato E., Kato K. et al. Preparation and cathodoluminescence of CaS-Ce and Ca (l-x)Sr (l-x)-Ce phosphors // J. Electrochem. Soc. 1983. -Vol. 130, № 2. — P. 432−437.
  218. Jokono Shigun et al. Phonon sidilands in emission and excitatin spectra fon Ce (3+) in CaS // J. Phys. Soc. Jap. 1979. — Vol. 46, № 1. — P. 351 351.
  219. Yoshyama H., Shon S., Tanaka Sh., Kobayashi. // Spinger Proceed in Phys. Electroluminescence. 1989. — Vol. 38. — P. 48−55.
  220. Wager J.F. Electroluminescence phosphors: point defects // Inorganic and organic electroluminescence. Augst 1996. Berlin, 1996. — P. 3339.
  221. Ф. Химия несовершенствованных кристаллов. M.: Мир, 1969. — С. 654.
  222. Britis patent № 1 449 602. / Vecht A., Bird G., Quddus V. 15th September, 1976.
  223. W. // J. Luminescence. 1972. — Vol. 5. — P. 87.
  224. Shancer V., Tanaka S., Shiiki M. et al. Electroluminescence in thin-film CaS-Ce // Appl. Phys. Lett. 1984. — Vol. 15, № 9. — P. 960−961.
  225. Tanaka S., Sanker V., Shiiki M. et al. Multicolor electroluminescence in alkaline-earth sulphide thin-film device. // Digtst 1985 SID Int. Symp., Orlando, Society for information Disrlay, Los Angeles. 1985. -P. 218−222.
  226. Kane J., Harty W.E., Yoroth P.N. New electroluminescent phosphors based on strotium sulphide // Conf. Record 1985 Int. Display Res. Conf., IEEE. NewYork, 1985. — P. 4146−4151.
  227. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфо-ров. М.: «ВШ», 1971. — С. 26−28, 42−44.
  228. Т.П., Реало К. В., Пузенко Т. В. Электролюминесцентные излучатели постоянного поля на основе CaS-Ce: Уч. зап. Тартуского гос. ун-та. 1988ю — Вып. 168. — С. 98−105.
  229. Lenard P., Schmidt F., Tomascheck R. Handbuchder experimental physic: Akadem. Verlagsges. Leipzig, 1928. — Vol. 23.
  230. Pipinys P., Rimeika A., Kiveris A. Ona trap ionization mechanism by electric field in CdF2 // Phys. Stat. Sol.(a). 1985. — Vol. 87, № 1. — P. 89−91.
  231. И.Я. Устройства отображения информации с плоскими экранами. М.: Радио и связь, 1983. — С. 208.
  232. Ю.А., Литвак И. И., Персианов Г. М. Электронные приборы для отображения информации. М.: Радио и с вязь, 1985. — С. 240.
  233. Электролюминесцентные источники света / Под. ред. И. К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. — С. 168.
  234. Sano J., Nunomura К., Koyama. Anovel TEEL device using high dielectric constant multilayer ceramic subsstrate // Conf. Rec. Int. Display. Res. Conf. San Diego Calif., Oct 15−17 1985. 1985. — № 4. — P. 173−176.
  235. Sano Y., Nuromura K., Koyama N. et al. A novel TFEL device using hidh dielectric constant multilayer ceramic substrate // IEEE Trans. Electron Devices. 1986. — Vol. ED33, № 8. — P. 1156−1158.
  236. М.Я., Родионов B.E. Исследование вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур с керамическим диэлектриком // Письма в ЖТВ. 1988. — Т. 14, № 23. — С. 21 442 147.
  237. А.С. 1 545 925 СССР. Электролюминесцентный излучатель / В. Г. Бойко, М. Я. Рохлин, В. Е. Родионов.
  238. А.С. 1 561 800 СССР. Матричный индикатор / Б. И. Каплан, М. Я. Рохлин, В. Е. Родионов.
  239. Заявка 52−34 951 Япония Опубл. 1985.
  240. Ю.Р. Оптоэлектроника. М.: Радио и связь, 1989. — С.360.
  241. Дисплеи / Под. ред. Ж.Панкова. -М.: Мир, 1982. С. 320.
  242. JI.M. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. -М.: Энергоатомиздат, 1983. С. 208.
  243. А., Дин П. Светодиоды: Пер. с англ. / Под ред. А.Э. Юно-вича. М.: Мир, 1979. — С. 688.
  244. Barrow W.A., Coovert R.E., Kung C.N. Strontium sulphide: the host for a new high efficience thin-film EL blue phosphor // SID Digest techn. parpers. — 1984. — № 15. — P. 249−250.
  245. Ohnishi H., Okuda T. Blue-green color TEEL device with sputtered SrS: Ce thin films// Proceed of the SID. 1990. — Vol. 31, № 1. — P. 31−36.
  246. Tanaka Sh., Yoshiyama H., Mikami Y., Nishiura J., Oshio Sh., Kobayashi H. Excitation mechanism in red CaS: Eu and blue SrS: Ce, K TEEL devices // Proceed SID. 1988. — Vol. 29, № 1. — P. 77−81.
  247. П.А., Лапейко B.A., Соозарь O.H. Электролюминесценция и электролюминесценция тонкопленочных излучателей на основе SrS:Ce // Журнал прикладной спектроскопии. 1995. — Т. 62, № 1. — С. 135 141.
  248. Crandall R.S., Zing М. Evidence for recombunation controlled electroluminescence in alkaline-earth sulfides // J. Appl. Phys. — 1987. — Vol. 62.-P. 3074−3067.
  249. M.H., М.-Л.Ю. Аллсау М.-Л.Ю., Данилкин М.И., Михайлин В.В., Педак Э. Ю. Центры захвата в CaS-Eu и SrS-Eu 1987. -Москва, 1. МГУ.
  250. Jain S.C., Bhawalkar D.R. Indian J. Pure Appl. Phys. 1975.- 13, N2.- P. 74−81.
  251. .М., Каргин Н.И., Савельев B.A., Данилов
  252. В.П. Электролюминесцентные излучатели на тонких пленках сульфида кальция, активированного церием // Журнал прикладной спектроскопии. -1995.-Т. 62, № 3.-С. 178−181.
  253. Заявка, Россия. Способ получения люминесцентного материала для электролюминесцентных устройств / Б. М. Синельников, А.Б. Саути-ев, Н. И. Каргин / № 5 022 548/25. Заявл. 13.01.1992.
  254. .М., Саутиев А. Б., Морозов Е. Г., Каргин Н. И. Роль технологических факторов при создании электролюминесцентных индикаторов, возбуждаемых постоянным током // Неорганические материалы. 1993. — Т. 29, № 10. — С. 1376−1378.
  255. .М., Ромае Е. Г., Каргин Н. И. Способ изготовления излучателец на основе ЭЛПП // Всесоюзная конференция «Электроника органических материалов (ЭЛОРМА-90), пос. Домбай, Ставропольский, 1990 г.-С. 189.
  256. Н.И., Свистунов И. В. Разработка математической модели процесса диффузии атомов меди в широкозонных полупроводниках в процессе формовки.
  257. .М., Фарахманд А. Р., Каргин Н. И., Синельникова Э. М. Новый способ получения электролюминесцирующих пленок на основе сульфида цинка// Неорганические материалы. 1993. — Т. 29, № 10.- С.1360−1361.
  258. .М., Фарахманд А. Р., Каргин Н. И. Особенности кинетики осаждения пленок сульфида цинка из тиомочевинных растворов// Неорганические материалы 1993. — Т. 29, № 10. — С.1367−1368.
  259. .М., Фарахманд А. Р., Каргин H.H., Петровых
  260. .М., Игнатов А. Ю., Каргин Н.И., Игнатова
  261. В.Н. Электрофизические свойства тонких пленок сульфида цинка // Известия вузов. Радиофизика./ Материалы III региональной конференции по микроэлектронике, Нижний Новгород, 1996 г. С. 149−153.
  262. Markku Ylilammi. Analytical Circuit Model for Thin Film Electroluminescent Devices// IEEE transactions on electron devices. 1995. — V. 42, № 7. — P. 1227−1232.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?