Совместное воздействие хемостимуляторов на термооксидирование арсенида галлия
Диссертация
Для этой цели применяют различные соединения. Взаимодействия, имеющие место при этом, представляют собой многостадийные последовательно-параллельные процессы, протекающие в открытых гетерогенных системах, находящихся в сильно неравновесном состоянии, осложненные явлениями массо-переноса через слой растущего оксидного покрытия и весьма сложные при их кинетическом описании. В связи с этим… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. ОБЗОР СОСТОЯНИЯ ПРОБЛЕМЫ
- 1. 1. Роль поверхности СаАв, зависимость состава и свойств собственных оксидных слоев от условий их формирования
- 1. 2. Современные методы создания диэлектрических слоев на СаАв
- 1. 3. Термооксидирование арсенида галлия с участием индивидуальных соединений-хемостимуляторов
- 1. 4. Совместное воздействие хемостимуляторов на термооксидирование СаАя
- ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ СаАв ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ СОВМЕСТНО ВВОДИМЫХ И ПРОСТРАНСТ ВЕННО РАЗДЕЛЕННЫХ КОМПОЗИЦИИ ХЕМОСТИМУЛЯТО РОВ- ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
- 2. 1. Характеристика материалов
- 2. 1. 1. Арсенид галлия, ОаАв
- 2. 1. 2. Оксид свинца (II), РЬО
- 2. 1. 3. Оксид сурьмы (III), БЬгОз
- 2. 1. 4. Оксид висмута (III), В
- 2. 1. 5. Оксид марганца (IV), Мп
- 2. 1. 6. Оксид марганца (II), МпО
- 2. 1. 7. Оксид ванадия (V), У
- 2. 1. 8. Оксид хрома (VI), СЮ
- 2. 1. 9. Физико-химические взаимодействия между оксидами-хемостимуляторами
- 2. 2. Методика термооксидирования СаАв в присутствии композиций двух оксидов-хемостимуляторов
- 2. 2. 1. Методика термооксидирования ОаАэ в присутствии бинарных композиций систем 8Ь2Оз-В12Оз-РЬО, Мп02(Мп0)+ РЬО и Мп02(Мп0)+У
- 2. 2. 2. Методика термооксидирования GaAs в присутствии композиций оксидов с участием оксида хрома (VI) с оксидами свинца и ванадия
- 2. 3- Способ установления локализации каналов связи между активаторами «при их совместном воздействии на термооксидирование GaAs
- 2. 4. Методика обработки результатов
- 2. 4. 1. Формально-кинетическая обработка результатов
- 2. 4. 2. Относительные интегральные толщины
- 2. 5. Методы исследования слоев на поверхности GaAs и превращений в композициях хемостимуляторов
- 2. 5. 1. Рентгенофазовый анализ (РФА)
- 2. 5. 2. Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ (РСФА)
- 2. 5. 3. Инфракрасная спектроскопия (ИКС)
- 2. 5. 4. Локальный рентгеноспектральный микроанализ (JIPCMA)
- 2. 5. 5. Масс-спектрометрия 71 2.5.6 Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия (УМРЭС)
- 2. 4. Методика обработки результатов
- 2. 1. Характеристика материалов
- 3. 1. Воздействие бинарных композиций Sb203+Bi203, Sb203+Pb0 и
- 3. 2. Хемостимулирующее воздействие тройных композиций системы ^ Sb203+Bi203+Pb0 на термооксидирование GaAs
- 3. 3. Природа нелинейных эффектов при совместном воздействии оксидов р-элементов на термооксидирование GaAs
- 5. 1. Термооксидирование GaAs в присутствии композиций РЬ0+Мп и V2O5+M11O
- 5. 2. Термооксидирование GaAs в присутствии композиций РЬО+МпО и V205+Mn
- 5. 3. Композиция оксидов МпОг+МпО как неаддитивный хемостимулятор процесса термооксидирования GaAs
- 6. 1. Локализация каналов связи между соединениями-хемостимуляторами при термооксидировании GaAs с участием би- 166 нарных композиций оксидов системы Sb203+Bi20^+Pb
- 6. 2. Локализация связывающих взаимодействий в композициях оксида марганца (IV) с оксидом свинца (II) и оксидом ванадия (V) при их 180 совместном воздействии на термооксидирование GaAs
- 6. 3. Термооксидирование GaAs под воздействием композиций МпО с
- 7. 1. Совместное воздействие оксидов-хемостимуляторов, испаряемых ^ из единой композиции, на термооксидирование GaAs
- 7. 2. Совместное воздействие оксидов-хемостимуляторов на термооксидирование GaAs при их пространственном разделении
- 7. 3. Аддитивность воздействия композиций Sb203+Ga203 на термооксидирование GaAs
Список литературы
- Арсенид галлия в микроэлектронике // под ред. Н. Айнспрука, У. Уис-смена. — М.: Мир, 1988. — 555 с.
- Improved Imaging Metrology Needed for Advanced Lithogaphy / A. Sytsma, H. Loan, M. Moers et al. // Semiconductor International — 2001. P.90
- Electronic Letters. 1976. — V.12. № 10. -P.251−253.
- High-Gain GalnP/GaAs HBT Monolithic Transimpedance Amplifier for High-Speed Optoelectronic Receivers / S. Mohammadi, J.W. Park, D. Pavlidis et al. // IEEE MTT-S, International Microwave Symposium Digest, Baltimore MD. -1998.-V.l.-P. 48−52.
- Мелешин В.А. Транзисторная преобразовательная техника. Перспективные направления / В. А. Мелешин // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 1998. № 5/6. — С. 25−28.
- Butcher D.N. Electrical properties of thermal oxides on GaAs / D.N. Butcher, B.J. Sealy // Electron Lett. 1977. — V.14. № 19. — P. 558−559.
- A XPS analisis of the oxide films on GaAs / Y. Mizakawa, H. Iwasaki, R. Nishitani et al. // Proc.7th Inter. Vac. Congr. and 3rd Intern. Conf. Solid Suf. Int. Union Vac. Sci., Technol. and Appl. Vienna. — 1977. — P. 631−634.
- Murarca S.P. Thermal oxidation of GaAs / S.P. Murarca // Appl. Phys. Lett. — 1975. — V.26. № 4. — P. 180−191.
- Navratil K. The physical structure of the interface between single-crystal GaAs and its oxide films / K. Navratil, I. Ohlidal, F. Lukes // Thin Solid Films. -1979. — V.56. № 1−2. — P. 163−171.
- Navratil К. Thermal oxidation of gallium arsenide / K. Navratil I I Czech. J. Phys. 1968. — V.18. — P. 266−274.
- Koshiga F. Thermal oxidation of GaAs / F. Koshiga, T. Sugano // Jap: J. Appl. Phys. 1977. -V. 16. № 16−1. — P.365−469.°
- Yamasaki К., Ho Q.V. // J. Fac. Eng., Univ.Tokio. 1980. -V.35. — P.' 662−627.
- Миттова И.Я. Химия процессов, целенаправленного создания функциональных диэлектрических слоев на полупроводниках при примесном термооксидировании / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик // Успехи химии. — 1991. — Т.60, вып.9. С. 1898−1919.
- Local atomic and electronic structure of oxide / GaAs and Si02/Si interfaces using high-resolution XPS / F.J. Grunthaner, P.J. Grunthaner, R.P. Vasquez et al. //J. Vac. Sci. Technol. 1979. — V.16. № 5. -P. 1443−1453.
- Auger electron spectroscopy analysis of the first stages of thermally stimulated oxidation of GaAs (100) / M.C.C. Passeggi, Jr.I. Vaquila, J. Ferron // Applied surface Science. 1998. V.133. — P. 65−67.
- GaAs surface oxide desorption by annealing in ultra high vacuum / A. Guillen-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, M. Lopez-Lopez // Thin Solid Films. — 2000. № 373.-P. 159−163.
- Lucia G. Quagliano Detection of As203 arsenic oxide on GaAs surface by Raman scattering / G. Lucia //Applied Surface Science. 2000. № 153. — P. 240−244.
- Characterization of oxide layers on GaAs substrates / D.A. Allwood, R.T. Carline, N.J. Mason et al. // Thin Solid Films. 2000. № 364. — P.33−39.
- Local oide growth on the n-GaAs surface studied by small area XPS / I. Gerard, C. Debiemme-Chouvy, J. Vigneron et al. // Surface Science. — 1999. № 433.-P. 131−135.
- Mihailova Ts. XPS study of residual oxide layers on p-GaAs surfaces / Ts. Mihailova, N. Velchev, V. Krastev // Applied Surface Science. 1997. № 120. — P. 213−219.
- Бедный Б.И. Пассивация поверхности GaAs при обработке в парах фосфина / Б. И. Бедный, Н. В. Байдусь // Физика и техника полупроводников. — 1996. Т.ЗО. № 2. — С. 236−243.
- Бессолов В.Н. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников АШВУ/ В. Н. Бессолов, М. В. Лебедев // Физика и техника полупроводников. 1998. — Т.32. № 11. — С. 1281−1295.
- Долгих Д.С. Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности GaAs(lOO), обработанном в селене / Д. С. Долгих, М. П. Сумец // Изв. вузов. Электроника. 1998. — Т. 25. № 6. — С. 157−158.
- Левинштейн М.Е. Барьеры / М. Е. Левинштейн, Г. С. Симин М.: Наука. 1987. 319 с.
- Лифшиц В.Г. Поверхность твердого тела и поверхностные фазы / В. Г. Лифшиц // Соросовскийобразоват. журн. 1995. № 1. — С. 99−107.
- A study on the structural distribution of Se-passivated GaAs surface / J.W. Kim et al. // Thin Solid Films. 1998. — V. 332, № 1−2. — P. 305−311.
- Kang M.G. Effect of GaAs surface treatments using HC1 or (NH^S* solutions on the interfacial bonding states induced by deposition of Au / M.G. Kang, H.H. Park // Thin Solid Films. 1998. — V. 1−2. № 332. — P. 437−443.
- Structural studies of sulfur-passivated GaAs (100) surfaces with LEED and AFM / Y. Ke et al. // Surface Science. 1998. — № 1−2. — P. 29−36.
- An X-ray photoelectron spectroscopy study of native oxides on GaAs / G.P. Schwarts, G. Gualtieri., GJ Kammlott. et al. // J. Electrochem. Soc. 1979. -V.126. — P.1737−1749.
- Sands F. Crystallographic relationship between GaAs, As and Ga203. at the GaAs thermal oxideinterface / F. Sands, J. Washburn, R. Grensky // Mater. Lett. — 1985. — V.3. № 5−6. — P:247−250-
- Zvonkov B: N., Karpovich L.A., Baidus N.V. et al. // Nanotechnology. — 2000.-V.11-P.221.
- Байдусь H.B., Звонков Б.Н.,. Мокеева П. Б. и др. // Изв. АН. Сер.чфиз. 2004 -Т.68. — С. 251.
- Baidus N.V., Zvonkov B.N., Mokeeva Р.В. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2004. — V. 19. — P. 469.
- Влияние электрохимической модификации тонкого покровного слоя, Ga (In)As на энергетический спектр квантовых точек InAs/GaAs / А. В. Карпович и др. // Физика и техника полупроводников. 2005. — Т. 39. вып. 1. -С. 541−544. «
- Ferris S.D. Laser-Solid Interection and Laser Processing / S.D. Ferris, H.J. Leamy, J.M. Poate // Materials Research Society1 American Institute of Physics. -1979.-P. 685−688.
- Плазмохимический реактор для задач наноэлектроники на базе пуч-ково-плазменного разряда: компьютерные модели / Н. В. Исаев, И. Л. Клыков,
- B.А. Курнаев и др. // 2 Межд. Форум по нанотехнологиям. — Москва. 2009. —1. C. 232−234
- Lucovsky G. A chemical bonding model for the native oxides of the III— V compound semiconductors / G. Lucovsky // J. Vac. Sci. Technol. —1981. -V.19. № 3.- P. 456−462.
- Ludeke R. The oxidation of the GaAs (110) surface / R. Ludeke // Solid State Commun. 1977. — V. 21. — P. 815−820.
- Галицин Ю.Г. Исследование кинетики образования и состава оксида на сколотой поверхности GaAs <110> / Ю. Г. Галицин, И. П. Петренко, С. Н. Свиташева // Поверхность: Физ., хим., мех. 1987. № 11. — С. 51−58.
- Navratil К. The physical structure of the interface between single-crystal GaAs and its oxide films / K. Navratil, J. Ohlidal, F. Lukes // Thin Solid Films. -1979. V.56. № 1,2. — P. 163−171.
- GaAs oxidation and Ga-As-O equilibrium phase diagram / C.D. Thurmond, G.P. Schwartz, G.W. Kammlott et al. // J. Electrochem. Soc. 1980. — V.14. № 4.-P. 921−923.
- Wilsmen C.W. Initial oxidation and oxide/semiconductor interface formation on GaAs / C.W. Wilsmen, R.W. Ku, K.M. Gub // J. Vac. Sci. Technol. 1979. -V.16. № 5. — P. 1366−1371.
- Wilsmen G.W. Oxide layers on III V compound semiconductors / G.W. Wilsmen // Thin Solid Films. — 1976. — V.30. № 1−3. — P. 105−117.
- Примесное термооксидирование кремния и арсенида галлия. Дис.. докт. хим. наук. / И. Я. Миттова — Москва. ИОНХ им. Н. С. Курнакова. 1988. -455 с.
- Takagi Н. A new technique for growth of thermal oxide films on GaAs / H. Takagi, G. Kano, J. Teramoto // Surf. Sci. 1979. — V.86. — P. 264−271.
- Миттова И.Я. Многоканальные реакции при хемостимулированном термическом* окислении полупроводников транзит, сопряжение, катализ / И. Я. Миттова // Вестник ВГУ. Воронеж. — 1999. № 2. — С. 5−12.1 I
- Миттова И.Я. Термическое окисление структур GaAs/In2S3 / И. Я. Миттова, В. В. Пухова // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1986. — Т.22. № 6.-С. 885−888.
- Термическое окисление структур GaAs/GeS2 в кислороде / И. Я. Миттова, В. В. Пухова, В. А. Терехов и др. //Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. -1988. —Т.24. № 10.-С. 1592−1594.
- Окисление GaAs со слоем PbS на его поверхности / И. Я. Миттова, В. В. Пухова, В. Н. Семёнов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1987. -Т.23.№ 5.-С. 717−720.
- Миттова И.Я. Формирование диэлектрических слоев на GaAs в процессе термооксидирования структур GaAs/Sb2S3 / И. Я. Миттова, В. В. Пухова, Л.Э. Но-ниашвили // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. — 1987. Вып. 2 С. 60−63.
- Получение термическим окислением структур GaAs/Bi2S3 и свойства диэлектрических плёнок на GaAs / И. Я. Миттова, В. В. Пухова, И. Ф. Клементьева и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1988. — Т.24. № 9. — С. 1431−1434.
- Миттова И.Я. Рост диэлектрических слоев при термическом отжиге структур GaAs/PbO в аргоне и кислороде / И. Я. Миттова, В. В. Свиридова, И. А. Колюкаева // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1989. — Т.25. № 12. — С. 1954−1958.
- Миттова И.Я. Термическое окисление структур GaAs/Sb204 в кислороде / И. Я. Миттова, Г. В. Борзакова, В. В. Свиридова // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1989. — Т.25. № 8. — С. 1244−1248.
- Термооксидирование структур GaAs/Bi203 в кислороде / И. Я. Миттова, В. В. Свиридова, В. Н. Семенов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1990. — Т. 26. № 10. — С. 2013−2016.
- Кинетика формирования оксидных слоев на GaAs в кислороде в присутствии GaCl3 / И. Я. Миттова, Н. И. Пономарёва, М. Н. Кузнецова // Журн. физ. химии. 1985. -Т.59. № 3. — С. 758−759.
- Миттова И.Я. Физико-химические особенности термического окисления GaAs в кислороде в присутствии 1пС13 / И .Я. Миттова, Н. И. Пономарёва // Журн. физ. химии. 1985. — Т.59. № 9. — С. 2331−2333.
- Особенности роста термических оксидных пленок на GaAs в присутствии РЬС12 / Миттова И. Я., Чавкина В. И., Семенов В. Н. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1987. — Т.23. № 7. — С. 1212−1215.
- Термическое окисление GaAs в. присутствии SbCl3 и BiCl3 / Миттова И. Я., Малыхина Т. С., Пономарёва Н. И. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1986. — Т.22. № 6. — С. 893−896.
- Оксидные диэлектрические слои на GaAs, выращенные в присутствии Bi203 / И. Я. Миттова, В. В. Васильева, В. А. Терехов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1988. — Т.24. № 12. — С. 1941−1944.
- Термооксидирование GaAs в кислороде в присутствиии Ge02 в газовой фазе / И. Я. Миттова, В. В. Свиридова, В. Н. Семёнов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1990. — Т.26. № 1. — С. 14−17.
- Закономерности формирофания оксидных слоёв термооксидированием GaAs при введении SnO вгазовую фазу / И. Я. Миттова, И. Я. Свиридова, C.B. Фетисова и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1991. — Т.27. № 4. — С. 675−679.
- Получение диэлектрических плёнок на GaAs в присутствии Sb203 в газовой фазе / И. Я. Миттова, В. В. Васильева, В. Н. Семёнов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1988. — Т.24. № 4. — С. 539−541.
- Термическое окисление GaAs при введении РЬО в газовую фазу / И. Я. Миттова, В. В. Свиридова, В. Н. Семёнов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1989. — Т.25. № 6. — С. 908−911.
- Ускоренное формирование оксидных диэлектрических слоев на GaAs в присутствии V2O5 в газовой фазе / Миттова И. Я., Свиридова В. В., Семенов В. Н. и др. // Изв. АН СССР Сер. Неог. Матер. 1991. — Т.27. № 5. — С. 127−131.
- Aspnes D.E. Electric-Field Effects on Optical Absorption near Thresholds in Solids / D.E. Aspnes // Phys. ref. 1966. — V.147. — P.554.
- Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем: Учеб. пособие / А. И. Курносов М.: Высш. шк. 1975. — 310 с.
- Угай Я.А. Введение в химию полупроводников: Учеб. пособие / Я.А. У гай М.: Высш. шк. 1975. — 302 с.
- Blakmore J.S. Appl. Phys. 1982 — V.53 -Р.123.
- Лазарев В.Б. Химические и физические свойства простых-оксидов металлов / В. Б. Лазарев, В. В. Соболев, И. С. Шаплыгин М. Наука.:1983. — 239 с.
- Казенас Е.К. Испарение оксидов / Е. К. Казенас, Ю. В. Цветков — М.: Наука. 1997. 543 с.
- Лидин P.A. Химические свойства неорганических веществ / P.A. Лидин, В. А. Молочко, Л. Л. Андреева М.: Химия. 1997. — 535 с.
- Рабинович В.А. Краткий химический справочник / В. А. Рабинович, З. Я. Хавин М: Химия. 1978. — 392 с.
- Кубашевский О. Термохимия в металлургии / О. Кубашевский, О. Эванс-ИЛ. 1954.-252 с.
- Коновалов В.М. Диаграмма состояния оксида висмута (Ш) / В. М. Коновалов, В. И. Кулаков, А. К. Фидря // Журнал техн. физ. 1955. — Т.25. № 11. — С. 1864.
- Emons H.H. Massenspektrometrische Untersuchung der Gasphase uber Alkalimetalliodiden / H.H. Emons, W. Horlbeck, D. Kiessling // Z. Anorg. Allg. Chem.- 1982.-V.488.-P. 212−218.
- Аномалии физических свойств формы оксида висмута. / В. Г. Орлов,-A.A. Буш, С. А. Иванов и др. // Физика твердого тела. — 1997. — Т.39. — С. 865−870.
- Kauffman A. Thermodynamik of Bi203 / A. Kauffman, E.D. Dilling // Econom. Geol. 1950 — V.45 — P. 222.
- Роде T.B. Кислородные соединения хрома и хромовые катализаторы / Т. В. Роде М.: Изд. АН СССР. — 1962. — 256 с.
- A. Simon, Т. Schidt. Zeit. Anorg. Chem. 1926. — P. 153, 191, 209.
- О. Glemser, U. Hauschild, F. Trupel. Zeit. Anorg. Chem. 1953. -P. 113,277.83?. J. Dunoyer. Compt. Rend. 1939. — P. 208, 520.
- R. Schwarts, I. Fankuchen, R. Ward. J. Amer. Chem. Soc. 1952. — P. 74.
- L. Blank. Compt. Rend. 1925. — P.* 180, 289.
- Торопов H.A. Диаграммы состояния силикатных систем Вып 5 / H.A. Торопов, В. П. Борзаковский Л.: Наука. 1969. — 823 с.
- Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов. Справочник. Вып. 5, ч. 2. / под ред. Ф. Я. Галахова. Л.: Наука. 1986. — 353 с.
- Громов В.К. Введение в эллипсометрию / В. К. Громов. — Л.: ЛГУ. 1986.- 189 с.
- Урывский Ю.И. Эллипсометрия / Ю. И. Урывский. Воронеж: 1971.-131 с.
- Кольцов С.И. Эллипсометрический метод исследования поверхности твердых веществ / С. И. Кольцов, В. К. Громов, P.P. Рачковский — Л.: Наука. 1983.-248 с.
- Бублик В.Т. Методы исследования структуры полупроводников и металлов / В. Т. Бублик, А. Н. Дубровина — М.: Металлургия, 1978, — 271 с.
- X-ray diffraction date cards, ASTM.
- Михеев В.И. Рентгенометрический определитель минералов / В. И. Михеев М.: Госгеолиздат, 1957, — 868 с.
- Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л. И. Миркин М.: Физматгиз, 1961, — 646 с.
- Жарский И.М. Физические методы исследования в неорганической химии / И. М. Жарский, Г. И. Новиков М.: «Высшая школа». 1988. — 269 с.
- Основы аналитической химии / под. ред. Ю. А. Золотова. Т.2. — М.: «Высшая школа». 1999. — С. 256−257.
- Накамото К. ИК-спектры неорганических и координационных соединений / К. Накамото М.: Мир. 1966. — 411 с.
- Гоулдстейн Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: В 2-х книгах / Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери Пер. с англ. — М.: Мир. 1984. 303с.
- Исаев Р.Н. Масс-спектрометрия и ее применение / Р. Н. Исаев. Б.: Алтайс. гос. ун-т. 1990. — 74 с.
- Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии / Ю.А. Пен-тин- JI. В. Вилков. М.: Мир: 2003. — 683 с.
- Физические методы исследования неорганических веществ / Т.Г. Ба-личева и др.- под ред. А. Б. Никольского. М.: Academia. 2006. — 442 с.
- Майзель А. Рентгеновские спектры и химическая связь / А. Майзель, Г. Леонхард, Р. Сарган пер. с нем. Е. А. Журановского. — Киев: Наукова думка. 1981.-420с.
- Вагнер К. Термодинамика сплавов / К. Вагнер М.: Металлургия. 1957.- 180 с.
- Миттова И.Я. Эффект кинетического сопряжения при хемостимули-рованном окислении фосфида индия под воздействием оксида свинца / И. Я. Миттова, В. Р. Пшестанчик, В. В. Сошников // Доклады РАН. 1997. — Т. 54. № 3. — С.343−345.
- Нагиев Т.М. Химическое сопряжение / Т. М. Нагиев — М.: Высшая школа. 1989.-251 с.
- Миттова И.Я. Термическое окисление арсенида галлия в кислороде / И. Я. Миттова, Н. И. Пономарёва // Физико-химия гетеоргенных систем. Воронеж: Изд-во ВГУ. 1984. — С. 26−32.
- Механизм термооксидирования GaAs при введении Сг03 в газовую окисляющую среду / И. Я. Миттова, В. В. Пухова, O.A. Пиняева и др. // Микроэлектроника 2001. — Т.ЗО. № 2. — С. 127−131.
- Кнотько A.B. Химия твердого тела / A.B. Кнотько, И. А. Пресняков, Ю. Д. Третьяков М.: Академия. 2006. — 304 с.
- Скороход В.В. Реологические основы теории спекания / В.В. Скороход-Киев: Наукова Думка. 1972. 151 с.
- Гегузин Я.Е. Физика спекания 2-е изд. перераб. и доп. / Я. Е. Гегузин -М. Наука. 1984.-311 с.