Получение неорганических покрытий пиролитическим разложением элементоорганических соединений
Диссертация
Физико-математическая модель, описывающая процесс термораспада злементоорганических соединений, использована при разработке основ технологии получения заготовок селенида цинка оптического качества. Применение данной модели позволило сократить количество экспериментов, связанных с использованием дорогостоящих, токсичных реагентов. Внедрение её дало экономический эффект 300 тыс. ру б/год… Читать ещё >
Содержание
- 1. Анализ опубликованных работ по вопросу термического разложения крешийорганических соединений с образованием диоксида кремния
- X. I. Исследование процесса образования диоксида кремния в разных газовых средах
- 1. 2. Влияние исходного соединения на режимы осаждения и физичесйке характеристики диоксида кремния
- 1. 3. Низкотемпературные методы получения диоксида кремния
- 1. 4. Математическое моделирование процесса термораспада ЭОС
- 1. 5. Выводы и задачи исследования
- 2. Моделирование процесса осаждения диоксида кремния из тетраэтоксисилана .-v./
- 2. 1. Физико-химическая модель процесса термораспада тетраэтоксисилана
- 2. 2. Математическая модель процесса образования неорганических покрытий из парогазовой смеси
- 2. 3. Граничные условия
- 2. 4. Метод решения
- 2. 5. Определение физичебких свойств многокомпонентной парогазовой смеси
- 2. 6. Анализ влияния константы скорости реакции термораспада тетраэтоксисилана на процесс осаждения диоксида кремния
- 3. Определение константы скорости термического разложения элементоорганических соединений в открытой системе
- 3. 1. Импульсная проточная система для изучения макрокинетики термораспада ТЭОС
- 3. 2. Влияние природы поверхности на скорость реакции тершраспада этилферроцена
- 3. 3. Температурные зависимости константы скорости термораспада элементоорганических соединения в открытой системе
- 4. Исследование процесса осаждения диоксида кремния в реакторе проточного типа
- 4. 1. Описание экспериментальной установки
- 4. 2. Влияние параметров процесса на скорость осаждения диоксида кремния
- 4. 3. Оценка плотности и структурной однородности диоксида кремния
- 4. 4. Сравнение результатов экспериментов по наращиванию диоксида кремния с теоретическим расчетом
- 5. Метод определения констант скоростей и механизма термораспада ЭОС
- 5. 1. Определение кинетических констант термораспада
- 5. 2. Определение механизма термораспада ЭОС
Список литературы
- Разуваев Г. А., Грибов Б. Г. и др. Металлоорганические соединения в электронике. — М.: Наука, 1972. — 480 с.
- Суйковская Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. -1.: Химия, 1971, с. 37−41.
- Пауэлл К., Оксли Дж., Блочер Дж. Осаждение из газовой фазы.-М.: Атомиздат, I970.-470 с.
- Зиновьев К.В., Вихлянцев О. Ф., Грибов Б. Г. Получение окисннх пленок и использование их в электронной технике. Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы, 1974, вып. 13(250), 60 с.
- Грибов Б.Г., Домрачев Г. А. и др. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. М.: Наука, 1981.- 322 с.
- Щупак Е.А., Домрачев Г. А., Фукин К. К. Влияние окислительно-восстановительных свойств системы на направление распада органических соединений металлов.-Тр. по химии и химич. технологии, 1969, № 3, с. 175−177.
- Коулсон Ч. Валентность. М.: Мир, 1965. — 430 с.
- Кричевская О.Д., Белозерский Н. А. и др. Изучение кинетики термического разложения твердых карбонильных соединений металлов.- ЖНХ, 1963, т.8, }Ь 8, с. 1806−1808. .
- Geiseler G., Kuschmiers R. Kinetik und Mechanismus des ther-mischen Zerfalls der Alkansulfahalageniede Z. fiir Physikalische Chemie. Neue Folge, 1961, Ъ.28, Щ, s. 33−50.
- Рогинский C.3., Яновский М. И., Газиев Г. А. Химические реакции в хроматографическом режиме. ДАН СССР, 1961, г. 140, № 5, с. II25-II27.
- Иванов М.Я., Купряжкина Т. Н. и др. Исследование кинетики плазмохимического синтеза оксидов повышенной степени чистоты. Тез. докл. Ш Всесоюзного совещания: Плазменные процессы в металлургии и технологии неорганических материалов. М., ЙМЕТ, 1976, с. 17.
- Рохов Ю., Херд Д., Льюис Р. Химия металлоорганических соединений. М.: Щ, 1963. — 359 с.
- Палова З.В., Вишнякова З. П. и др. Получение диэлектрических пленок двуокиси титана. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1970, т. 6, № 12, с. 2207−2208.
- Dividse P.D. Dielectric Thin Films through rf Sputtering. -J.Appl. Phys., 1966, v. 37, № 2, p. 574−579.
- Balog M., Schiber M. Thin Films of Metal Oxides on Silicon by chemical vapor deposition with organometallic compounds.-J.Crust. Growth, 1972, v.17, № 12, p. 298−301.
- Щерб С.Ш., Столярчук В. Г. Влияние температуры подложки термообработки на структуру и некоторые свойства двуокиси титана. Электронная техника. Сер. Материалы, 1973, вып. 3, с.93−97.
- Ковтонюк Н.Ф., Абрамов А. А. и др. Влияние термообработки на свойства структур двуокиси титана кремний. — Электроннаятехника. Сер. Материалы, 1973, вып. 12, с. 50−54.
- Андрианов К.А., Львов С. В. и др. Получение и структура диэлектрических окисных пленок Ti02 .-ЖПХ, 1975, т. 48, вып. II, с. 2371−2377.
- Александров Г. С. Газоструйный метод получения тонких пленок. Оптикомеханическая промышленность, 1969, № 3, с. 35−37.
- Барыбин А.А., Томилин В. И. Влияние условий пиролиза изопро-поксида алюминия на некоторые свойства пленок ai2o3 .
- Ж. прикл. химии, 1976, т. 49, № 8, с. 1699−1702.
- Колешко В.М., Свиридов В. В. и др. Получение пленок А12о3 пиролизом ацетилацетоната алюминия. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1976, т. 12, № 10, с. 1780−1783.
- Барыбин А.А., Томилин В. И. и др. Установка для получения тонких пленок ai2o^ . Приборы и техника эксперимента, 1975, т. З, № 5/6, с. 238−239.
- Корзо В.Ф. Влияние структуры на характер пробоя пиролитиче-ских пленок окиси алюминия. Физика твердого тела, 1970, т. 12, № 2, с. 614−616.
- Павлов С.П., Виданов А. И. и др. Дефектность пленок окиси алюминия, полученных термическим разложением изопропилата алюминия. Сб. научных трудов по проблемам микроэлектроники. Сер. Хим.-технологич., 1975, вып. 21, с. 11−18.
- Duffu М.Т., Werner Kern. Chemical Vapor Deposition of Aluminium Oxide Films from Organo-Aluminum Compounds. RCA Review, 1970, v. 31, N24, p. 754−770.
- Творогов H.H. О методе получения диэлектрических пленок окиси алюминия. ЖПХ, 1961, т. 34, В 10, с. 2203−2206.
- Рябова Л.А., Герасимова Э. А., Савицкая Я. С. К вопросу получения тонких пленок окиси алюминия. ЖПХ, 1965, т.38, № 8,с. 1862−1863.
- Корзо В.Ф., Ибраимов Н. С., Галкин БД. 0 структуре пиролити-чески выращенных слоев А120з • ~ ЯПХ" 1969, т. 42, № 5,с. 989−990.
- Вишняков Б.А., Вишнякова З. П., Павлова З. В. Получение пленок окиси алюминия пиролитическим методом. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1972, т. 8, № I, с. 185−186.
- Корзо В.Ф. Получение тонких слоев окиси алюминия пироактива-ционным разложением органических соединений. ЯПХ, 1976, т.49, вып. I, с. 74−77.
- Корзо В.Ф. Оптические и электрические свойства некристаллических пленок А1203. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1976, т. 12, № 7, с. 1224−1229.
- Шитова Э.В., Водзинский В. Ю., Генкина Н. А. Электрофизические свойства пленок окиси алюминия, полученных термическим разложением паров триметилалюминия. Электронная техника. Сер. Материалы, 1975, вып. 10, с. 88−91.
- Рябова Л.А., Герасимова Э. А., Савицкая Я. С. К вопросу получения тонких пленок окиси алюминия. ШХ, 1965, т. 38, № 8, с. 1862−1863.
- Жигач А.Ф., Корнеев Н. Н. и др. Авт. св. СССР, кл. С 23с II/08, $ 432 239, заявл. 12.06.72, опубл. 6.11.74.
- Ниппон дэнсин дэнва кося. Японск. пат., кл. I2A26, № 26 262, заявл. 18.5.61, опубл. 13.12.63.
- Мельников В.В., Домрачев Г. А., Фукин К. К. Продукты распада как источник слоистой структуры пленок, осажденных из паровой фазы. Тр. по химии и химич. технологии, 1969, вып. 3, с. 179−182.
- Фукин К.К., Мельников В. В., Домрачев Г. А. Влияние параметров процесса на скорость осавдения пленок хрома из паровой фазы при распаде бис-аренхромовых комплексов. Там же, с. 186 189.
- Петухов Г. Г., Дружков О. Н. и др. Исследование термического разложения бис-этилбензолхрома. Тр. по химии и химич. технологии, 1973, вып. 2(33), с. I2I-I22.
- Петухов Г. Г., Артемов А. Н. Термическое разложение бис-арено-вых Д комплексов хрома и молибдена.-Тр. по химии и химич. технологии, 1969, вып. 3(24), с. 169−174.
- Тараденкова Ф.С., Наумова О. Н. и др. Химический состав металлических покрытий, полученных термическим разложением бис-аре-новых комплексов хрома, молибдена и ванадия. Тр. по химиии химич. технологии, 1973, вып. 3(34), с. I09-III.
- Петухов Г. Г., Лузин А. С. и др. Получение защитных хромовых покрытий на стальных деталях термическим разложением бис-этилбензолхрома. Тр. по химии и химич. технологии, 1974, вып.4, с. 147−149.
- Петухов Г. Г., Лузин А. С., Скуридина П. Н. Получение алюминий-хромовых покрытий термическим разложением металлоорганических соединений. Тр. по химии и химич. технологии, 1973, вып.2 (33), с. 156−157.
- Лузин А.С., Чужко Р. К. и др. Исследование процесса осаждения хрома при термическом разложении его бис-этилбензольных комплексов в проточном реакторе. В кн.: Химия элементоорганических соединений: Межвуз. сб. Горький: ГГУ, 1976, вып. 4(48), с. 81−86.
- Алмазов Г. В., Лазарев А. И. Модель процесса термического разложения бис-ареновых комплексов металлов. В кн.: II Всесоюзное совещание по МОС для получения металлических и окисных покрытий: Тез.докл. М.: Наука, 1977, с.12−14.
- Бессмертная Л.М. и др. Исследование процесса термораспада бис-этилбензолхрома в сильном электрическом поле. Тр. по химии и химич. технологии, 1975, вып.1 (40), с.93−95.
- Бехтев Л.Г., Коробов А. И. и др. Применение метода термического разложения элементоорганических соединений при изготовлении резистивных элементов пленочных микросхем. Электронная техника. Сер.14. Материалы, 1969, вып.8, с.124−129.
- Семенов Н.М., Жук Б.В., Домрачев Г. А. Роль адсорбции в процессе термораспада 1,1 диэтилферроцена. — В кн.: II Всесоюзное совещание по МОС для получения металлических и окисных покрытий: Тез.докл. М.: Наука, 1977, с. 41.
- Жук Б.В., Семенов Н. Н., Домрачев Г. А. Роль адсорбции в процессе термораспада 1,1 диэтилферроцена. — Ж.общ.химии, 1978, т.48, вып. II, с.2562−2565.
- Кузнецов П.И. и др. Рост пленок а^в71 (A11- Zn, Cd, B^-s «Se) из элементоорганических соединений. ДАН, СССР, 1980, т.252, № I, с.115−119.
- Жук Б.В., Хамылов В. К. и др. Кристаллизация селенида цинка при реакции цинкоорганического соединения и селеноводорода. Поверхность, 1982, № 7, с. II2-II7.
- Manasevit Н.М., Simpson W.J. The Use of metal-organies in the preparation of semiconductor materials. J.Biectrochem.
- Soc, 1971, v.118, H24, p. 644−647.
- Blanconner P. Growth and Characteriaation of undoped ZnSeepitaxial Layers abtained by organometallic chemical vapour deposition.-Thin Solid Film, 1978, v.55, Ю, p.375−386.
- Шнаревич Е.И., Рыбинский О. А., Злобин В. А. Диэлектрики интегральных схем. М.: Энергия, 1975. — 118 с.
- Мазель Е.З., Пресс Ф. П. Планарная технология кремниевых приборов. М.: Энергия, 1974. — 384 с.
- Everstein F. Low-Temperature Deposition of Alumina-Silica Films.-Philips Res. Repts., 1066, v.21, N25, p.379−386.
- Коробов А.И., Качухашвили Г. С. Получение диэлектрических и резистивных пленок методом химических реакций в газовой фазе.- Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1967, вып. 7, с. 71−84.
- Agajanian A. Bibliography on Silicon Dioxide Films.-Solid State Technology, 1977, v.20, 161 f p.36−48.
- Bradley D.C., Mehrotra R.C., Wardlaw W. Structural Chemistry of the Alkoxides. Secondary Alkoxides of Silicon, Titanium and Zirconium.-J.Chem.Soc., 1952, 1812, p.5020−5023.
- Дементьев Ю.С. и др. Скорость роста пленок двуокиси кремния в процессе термического разложения тетраэтоксисилана. ЖФХ, 1974, т. 48, вып. 3, с. 588−591.
- Горохов Е.Б. и др. Получение однородных пленок Si02 пиролизом тетраэтоксисилана. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1976, т. 12, № 2, с. 270−272.
- Зильберштейн Б.Б., Мокеев O.K. Получение пленки двуокиси кремния методом термического разложения тетраэтоксисилана.- Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы, 1976, вып. 3, с. 94−101.
- Волцит В.В. и др. Некоторые особенности осаждения и свойств пленок двуокиси кремния на поверхности германия. Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы, 1966, вып. I, с. 14−25.
- Вишняков Б.А., Арутюнят Б, А. Термическое разложение тетраэтоксисилана и образование диоксида кремния. Тез.докл. на Всесоюзном Совещании «МОС для получения металлических и окисных пленок». Горький, 1974, с. 51.
- Сумилин А.Д. и др. Спектроскопическое изучение процесса образования пленок двуокиси кремния. В кн.: Спектроскопия. Методы и применение.: Тез.докл. У1 Сибирского совещания по спектроскопии. — М.: Наука, 1973, с. 260−262.
- Тулуевский В.М. и др. Особенности роста и некоторые свойства пленок двуокиси кремния, полученных при пиролизе тетраацеток-сисилана. Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы, 1972, вып. I, с. 63−70.
- Калныня Р.П. и др. Влияние газа-носителя на процесс образования и свойства пиролитических пленок SiOg • Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1969, т. 5, № 9, с.1540−1545.
- Творогов Н.Н. Получение диэлектрических тонких пленок двуокиси кремния и некоторые их свойства. ЖПХ, 1959, т.32, вып.5, с. I043−1046.
- Воронков М.Г. Осаждение пленок двуокиси кремния пиролизом тетраацетоксисилана и олигопераацетоксисилоксанов. Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы, 1970, вып.1, с. 168−174.
- Klerer J. On the Mechanism of the Deposition of Silica by Pyrolytic Decomposition of Silanes. J.Electrochem. Soc., 1965, v.112, № 5, p. 503−506.
- Воронов М.Г. и др. Силаксановая связь Новосибирск, 1976. — 315 с.
- George W. An Analysis of the thermal Decomposition of tetra-ethoxysilane by Gas Chromatography.- Analytica chemica Acta., 1969, v.48, N32, p.405−409.
- Jordan E.L. A Diffusion Mask for Germanium.-Journ.Electrochem. Society, 1961, v.108, Щ, p. 478−481.
- Klerer J. A Method for the Deposition of SiO^ at Low Temperatures. -J.Electrochem. Society, 1961, v.108, N211, p. 1070−1071.
- Thomas J.E. Young D.E. Space-Charge Model for Surface Poten-zial Shifts in Silicon Passivation with Thin Insulating Layers.-J. of Research and Development, 1964, v.8, № 4,p. 87−90.
- Долгов Б.П. ЖОХ, 1931, № I, с. 330−333.
- Агаларзаде П.С. и др. Получение плотных пленок Si02 низкотемпературным разложением тетраэтоксисилана.-Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1971, т.7, № II, с.1975−1977.
- Белякова О.И. и др. Образование пленок SiOg из тетраал-коксисиланов в потоке кислорода. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1976, т. 12, № 4, с. 631−633.
- Костин В.Н., Васильев Г. Ф. Низкотемпературное получение пленок двуокиси кремния. Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 197I, вып. 5, с. 59−63.
- Калныня Р.П., Фелтынь И. А. Получение и исследование защитных свойств пленки двуокиси кремния на германии. Изв. АН Латв. ССР. Сер. Физических и технических наук, 1965, № I, с. 26−32.
- Жагата J1.A. Калныня Р. П. и др. Диэлектрические пленки, полученные низкотемпературным окислением тетраэтоксисилана. -Изв. АН Латв. ССР. Сер. Физических и технических наук, 1972, № 3, с. 34.
- Kern W., Fischer A.W. Deposition and Properties of Silicon Dioxide and Silicate Films Prepared Ъу Low-Temperature Oxidation of Hydrides. RCA Review, 1970, v.31, p. 715- 727.
- Booker G.R., Benjamin C.E. Measurement of Thickness and Refractive Index of Oxide Pi1ms of Silicon.- J.Electrochem. Soc., 1962, v.109, № 12, p. 1206−1212.
- Виртманис А.С., Жагата JI.А. и др. Влияние скорости роста пленок Si02 на некоторые их свойства. Изв. АН Латв.ССР. Сер. Физических и технических наук, 1973, № 4, с. 8−13.
- Грегор П.В. Нанесение диэлектрических пленок из газовой фазы. Физика тонких пленок / Под общей ред. Хасса Г. и Туна Р. Э., 1968, т. 3, с. 135−173.
- Корзо В.Ф. и др. Пленки из элементоорганических соединений в радиоэлектронике. М.: Энергия, 1973. — 192 с.
- Pliskin W.A. Gnall R.P. Evidence for Oxidation Growth at the Oxide Silicon Interface from Controlled Etch Studies. -J.Electrochem. Soc., 1964, v.111, N27, p.872−873.
- Жагата Л.А., Калныня Р. П. и др. Свойства пленок Si02 «полученных из тетраизодропоксисилана. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1975, т. II, № 10, с. 1792−1795.
- Бокий Г. Б. Иммерсионный метод. М.: МГУ, 1948.-е. 84.
- Sumrell a., Ham G.E. Joum.Amer.Ghem.Society, 1956, v.76, p. 5573−5575.
- Анохин Б.Г. Снижение температуры нанесения диэлектрических пленок. Электронная промышленность, 1972, & 5, с. 39−43.
- Сакураи Сигэки, Морио Токуо, Ватанабэ Сихаруо. Японский патент, кл. 59 EIOI, 24, № 14 774.
- Maeda К., Sato J. Very low temperature chemical vapor deposition of silicon dioxide films using ozone and organosilane.-Дэнки Кагаку Оеби когё бупури кагаку Denki kagaku, 1977, v.45, H§ 10, p. 654−659.
- Жагата I.А., Белякова О. И. Влияние паров воды на образование пиролитических пленок Si02 . ЖПХ, 1977, т. 50, № 3,с. 673−675.
- Secrist D.R., Mackenzie J.D. Incorporation of water into vapour deposited oxide films. Solid — State Electronics, 1966, v.9, KS2, p. 180−181.
- Ing. S.W., Davern W. Glow Discharge Formation of Silicon Oxide and. The Deposition of Silicon Oxide Thine Film Capacitors by Glow Discharge Techniques.-J.Electroohem.Soc., 1965, v.112, H23, p.284−288.
- Alt.L.L., Ing S.W.f Laendle K.W. Low Temperature Depositionof Silicon Oxide Films. J.Electrochem.Soc., 1963, v.110, Ш5, p.465−466.
- Корзо В.Ф., Бехтев I.В. Плазменно-пиролитическое выращивание SiOg из тетраэтоксисилана. Электронная техника. Сер. Материалы, 1969, вып. 6, с. 72−76.
- Вишняков Б.А., Осипов К. А. Электронно-лучевой метод получения тонких пленок из химических соединений. М.: Наука, 1970. — 143 с.
- Суходаев Б.А., Гусев В. В. и др. Выращивание пленок Si02 в тлеющем ВЧ разряде. Электронная техника. Сер. Материалы, 1969, вып. 6, с. 77−81.
- Бехтев Л.Г., Коробов А. И. Получение пленок Si02 разложением тетраэтоксисилана в высокочастотном разряде. Электронная техника. Сер. Материалы, 1969, вып. 5(21), с. 41−43.
- Басихин Ю.В. и др. К вопросу о низкотемпературных способах получения тонких диэлектрических пленок. Вычислительные системы, 1969, вып. 32, с. 23−29.
- НО. Сумилин А. Д., Неустроев С. А. и др. Плазмохимическое осавде-ние пленок двуокиси кремния. Химия высоких энергий, 1973, т. 7, № 3, с. 202−205.
- Шитова Э.В., Раков С. К. и др. Установка для получения пленок двуокиси и нитрида кремния, в низкоэнергетической плазме газового разряда. Электронная техника. Сер. Технология, организация производства и оборудование, 1972, вып. 3(51), с. 88- 94.
- Антонова А.И. и др. Нанесение защитных пленок двуокиси кремния на арсенид галлия методом пиролиза тетраэтоксисилана в вакууме. Изв. Ленингр. электротехнического ин-та, 1972, вып. 126, ч. 6, с. 117−120.
- Пат. США, кл. 427−95 (С 23с 11/08), № 3 934 060, заявл.19.12.73, № 426 395, опубл. 20.01.76.
- Назарова Р.И. и др. Авт. свид. СССР, № 230 994, кл. 21д II/02, «Бюлл. изобр.», 1968, № 35.
- Патанкар С., Сполдинг Д. Тепло- и массообмен в пограничных слоях. М.: Энергия, 1971. — 127 с.
- Бретшнайдер С. Свойства газов и жидкостей. -М.: Химия, 1966. 184 с.
- Краткий справочник физико-химических величин/ Под ред. К. П. Мищенко и А. А. Равделя. JI.: Химия, 1967. — 184 с.
- Справочник инженера-химика / Под ред. Д. Г. Перри. -Л.: Химия, 1969, т.1, с. 404−405.
- Березкин В.Г. Газохроматографические методы изучения кинетики жидкофазных реакций. Успехи химии, 1968, т. 37, № 7,с. 1348−1367.
- Петухов Б.С. Теплообмен и сопротивление при ламинарном течении жидкости в трубах. М.: Энергия, 1967, с. 61−62.
- Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. / Под ред. Р. Бургера и Р.Донована. -М.: Мир, 1969, с. 100−102
- Афанасьев В"А. Оптические измерения. М.: Недра, 1968, с. 138.
- Х24. Pliskin W.A., Lehman H.S. Structural Evaluation of Silicon Oxide Films. J. Electrochem. Soc», 1965, v.112, № 10, p. 1013−1019.
- Коробов И.В., Кузнецов Ю. Н. и др. Исследование процесса осаждения пленок окиси алюминия на подложках кремния пиролизом изопропилата алюминия в среде азота. ЖПХ, 1979, т. 52, вып.2, с. 277−282.
- Коробов И.В., Кузнецов Ю. Н. и др. К теории осаждения пленок окиси алюминия на подложках кремния пиролизом изопропилата алюминия в среде азота. Там же, с. 282−286.
- Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е. П. и др. Построение теоретической модели осавдения диэлектрических пленок Si02 и Si3N4 в вертикальном реакторе. ЖПХ, 1976, т. 49, вып. З, с. 561 566.
- Повх И.Л. Аэродинамический эксперимент в машиностроении. М.- Л.: Машиностроение, 1965. — 480 с.
- Рабинович В.Г. (Минкина В.Г.). Исследование процесса наращивания окисных пленок алюминия из ацетилацетоната алюминия.-Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1981, т.7, J?6, с. I008-I0II.
- Попов В.П., Минкина В. Г., Дягилева Л. М., Цыганова Е. И. Осаждение неорганических покрытий пиролизом элементоорганических соединений. Тез. докл. IX Всес. совещания: Теория и практика газотермического нанесения покрытия. Дмитров, 1983, т. 2, с. 124.
- Дягилева Л.М., Цыганова Е. И., Рабинович В. Г. (Минкина В.Г.). Кинетика пиролиза бисаренов хрома в открытой системе. Тез.докл. Ш Всес. совещания по применению МОС для получения металлических и окисных покрытий. Горький, 1980, с. II3-II4.
- Дягилева Л.М., Цыганова Е. И., Рабинович В. Г. (Минкина В.Г.). Изучение пиролиза ферроценов в открытой системе. Ж. общей химии, 1981, т. 51, № 8, с. 1838−1842.
- Дягилева Л.М., Попов В. П., Цыганова Е. И., Рабинович В. Г. (Минкина В.Г.). Изучение пиролиза бисаренов хрома в открытой системе. ЖПХ, 1983, т. 56, # I, с. 16−19.
- Минкина В.Г., Попов В. П. Тепло- и массообмен при химическом осаждении покрытий из элементоорганических соединений. -Минск, 1984. 57 с. (Препринт/ Институт тепло- и массооб-мена АН БССР).
- Саутин С.Н. Планирование эксперимента в химии и химической технологии. М.: Химия, 1975. — 47 с.
- Зайдель А.Н. Ошибки измерений физических величин. Л.: Наука, 1974. — 108 с.