Рост и структура барьерных слоев MgO и YSZ для ориентированных пленок ВТСП
Диссертация
Важным моментом при получении пленок методом термического испарения является выбор материала испарителя. Для избежания загрязнения осаждаемых пленок, вещество испарителя должно иметь при рабочей температуре незначительную упругость пара. Материалами, отвечающими этим требованиям, являются тугоплавкие металлы и окислы. Дальнейший выбор определяется учетом вероятности образования сплавов… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. ОРИЕНТИРОВАННЫЙ РОСТ ПЛЕНОК (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
- 1. 1. Ориентированный рост на поверхности монокристаллов
- 1. 1. 1. Общие закономерности сопряжения кристаллических решеток и ориентация пленок
- 1. 1. 2. Природа множественности ориентаций
- 1. 1. 3. Пути подавления сопутствующих ориентаций
- 1. 2. Ориентированный рост на неориентирующих аморфных подложках
- 1. 2. 1. Природа аксиальных текстур
- 1. 2. 2. Искусственная эпитаксия
- 1. 2. 3. Облучение растущей пленки пучком ионов с низкой энергией (1 В АО-метод)
- 1. 1. Ориентированный рост на поверхности монокристаллов
Список литературы
- Mannhart J., Bednorz J. D., Catana A., Gerberg C. and Schlom D. G. Materials and Crystallographic aspects of High-Tc Supercocductivity / Edited by Kaldis E. V. 263.- 1993.-P. 453−459.
- Kratz H. A. Applications of High Temperatuer Superconductors in Real Time Signal Processing // Applied Superconductivity / Editor H. C. Freyhardt- DGM Iformationsgesellschaft Verlag, 1993 .-P. 1553−1562.
- Ashworth S. P. and Slaughter R. J. The Technical and Economic Feasibility of High Temperatuer Superconducting Power Transmission Cables // Applied Superconductivity / Editor H. C. Freyhardt DGM Iformationsgesellschaft Verlag, 1993.-P. 879−891.
- Papst G. Present and Futuer Applications of HTS Wire // Applied Superconductivity / Editor H. C. Freyhardt DGM Iformationsgesellschaft Verlag, 1993.-P. 155−164.
- Dimos D., Chaudhari P. and Mannhart J. Superconducting transport propoties of grain boundaries in УВа2Си307 bicrystals // Physical Review В.- V. 41.- № 7−1990.-P. 4038−4049.
- Kromann R., Bilde-Sorensen J. В., de Reus R., Andersen N. H., Vase P., Freltoft T. Relation between initial current densities and epitaxy of YBa2Cu307 thin films on MgO (100) and SrTi03 (100) // J. Appl. Phys.- V. 71.- 1992.- P. 3419−3425.
- Pashley D. W., The nucleation, growth, structure and epitaxy of thin surface films // Adv. Phys.- V. 14.- 1965.- P. 327−410.
- Палатник Л. С., Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация М.: Металлургия, 1964.-408 с.
- Палатник Л. С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки— М.: Металлургия, 1971.-408 с.
- Палатник JI. С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок М.: Наука, 1972 — 320 с.
- Иевлев В. М., Трусов Л. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках.- М.: Металлургия, 1988 326 с.
- Кузнецов А. В., Семилетов С. А. и Чаплыгин Г. В. Ориентация нитрида галлия на сапфире // Рост кристаллов М.: Наука — т. 15 — 1986 — С. 14−23.
- Иевлев В. М., Кущев С. Б., Комбаров В. В. Электронно-микроскопическое исследование закономерностей ориентированной кристаллизации пленок Мо на флюорите // Изв. АН СССР. Сер. физич.-1980.-т. 44.-№ 6.-С. 1253−1256.
- Бугаков А. В., Иевлев В. М., Иевлев В. П. Ориентационные соотношения на границе раздела эпитаксиальных пленок // ФММ- 1980-т. 50.- Вып. 2.- С. 427−430.
- Иевлев В. М., Бармина Н. В., Аммер В. А. Ориентация и структура пленок Au на ювенильной поверхности (11 l) Bi //Кристаллография 1982-т. 27.-Вып. 6.-С. 1200−1203.
- Bollmann W. Crystal Defects and Crystalline Interfaces Berlin: Springer Verlag, 1970.-270 p.
- Иевлев В. M., Бугаков А. В., Бармина Н. В. Применение теории 0-решетки к анализу ориентационных соотношений на межфазной границе подложка-пленка // Поверхность. Физика, химия, механика 1984.-№ 5 — С. 21−28.
- Иевлев В. М., Бугаков А. В. Межфазные границы совпадения в системе золото-кремний // ФТТ.- 1977 т. 19.- С. 3128−3130.
- Бармина Н. В., Иевлев В. М. Ориентация и структура пленок висмута на ювенильной поверхности цинка // ФММ 1983.- т. 56 — Вып. 2- С. 413 416.
- Бугаков А. В., Иевлев В. М., Ирхин Б. П. Энергия и релаксированная атомная структура межфазных границ в металлических системах с ГЦКрешеткой: энергия границ различных ориентаций // Поверхность. Физика, химия, механика 1983 .-№ 2 — С. 97−105.
- Иевлев В. П. Ориентация, структура и субструктура двухслойных металлических пленок (системы Au-Ni, Au-Fe, Au-Cr, Ni-Fe, Ni-Cr, Au-Co): Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук-Воронеж, 1997 .- 16 с.
- Иевлев В. М., Даринский Б. М., Бугаков А. В. Ориентационные соотношения при эпитаксиальном росте металлических пленок на мусковите и фторфлогопите // ФММ.- 1976.- Т. 42.- С. 1236−1240.
- Markov J, Kashchiev D. The effect of substrate inhomogeneity on the kinetics of heterogeneous nucleation from vapours // Thin Solid Films 1973- V. 15.-P. 181−189.
- Иевлев В. M., Бугаков А. В. Ориентированная кристаллизация пленок-Воронеж: Изд-во ВГТУ, 1998.-216 с.
- Kotze I. A., Lombaard J. С., Henning С. А. О. The accomodation of epitaxial metal embryos on virgin alkali halide surfaces // Thin Solid Films-1974.- V. 23.-P. 221−232.
- Точицкий Э. И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок-Минск: Наука и техника 1976 — 376 с.
- Чопра К. JI. Электрические явления в тонких пленках: Пер. с англ.- М.: Мир, 1972.-435 с.
- Олыпанецкий Б. 3. Структурные переходы на чистых поверхностях однокомпонентных полупроводников. Препринт ИФПП СО АН СССР-Новосибирск, 1970 10 с.
- Метьюз Дж. У. // В кн.: Физика тонких пленок. Т. 4: Пер. с англ.- М.: Мир, 1979.-С. 167−227.
- Постников В. С., Иевлев В. М., Аммер В. А. и др. // В кн.: Ядерно-радиационная физика и технология.- Тула: ТПИ, 1976- С. 69−74.
- Росляков Т. Л., Гусев О. В., Шоршоров М. X. // В кн.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Материалы V Всесоюзн. Конф.- Минск, 1979.-С. 175−178.
- Постников В. С., Моргунов В. Н., Золотухин И. В. О зародышеобразовании золота на ионных кристаллах // ФТТ- 1970 Т. 12-С. 2974−2976.
- Постников В. С., Иевлев В. М., Моргунов В. Н., Золотухин И. В. Влияние ионизации молекулярного пучка на ориентированный рост металлических пленок // Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. Ч. 2-Воронеж: Изд. ВПИ, 1970.-С. 87−93.
- Постников В. С., Иевлев В. М., Моргунов В. Н., Золотухин И. В. Рост металлических пленок при конденсации из пучка, облученного электронами // ФММ.- 1970.- Т. 29.- С. 441−442.
- Дистлер Г. И., Власов В. П., Герасимов Ю. М., Кобзарева С. А., Кортукова Е. И., Лебедева В. Н., Москвин В. В., Шенявская Л. А. Декорирование поверхности твердых тел М. Наука, 1976.
- Stenzel Н., Bethge Н. An investigation of heterogeneous nucleation on point defects // Thin Solid Films.- V. 32.- 1976.- P. 267−270.
- Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. Ч. 2: Матер. II Всесоюзн. Конф.-Воронеж: ВПИ.-1975.
- Власов В. П., Дистлер Г. И. Отсутствие эпитаксии первичных зародышей при эпитаксиальном росте AgCl и PbS // ФТТ Т. 17 — 1975 — С. 1183−1185.
- Chopra К. L. Growth of thin metal films under applied electric field // Appl. Phys. Lett.-V. 7.- 1965.-P. 140−142.
- Chopra K. L. Influence of electric field on the gowth of thin metal films // J. Appl. Phys.-V. 37.- 1966.-P. 2249−2254.
- Messier R. and Yehoda J. E. Geometry of thin-film morphology // J. Appl. Phys.-V. 58.- 1985, — P. 3739−3746.
- Lichter S. and Chen J. Model for columnar microstructure of thin solid films // Phys. Rev. Lett.-V. 56.- 1986, — 1396−1399.
- Givargisov E. I. Highly-Anisotropic Crystals, Reidel, Dordrecht, 1987.
- Adamczewska J. and Budzynski T. Stress in chemically vapour-deposited silicon films // Thin Solid Films.- V. 113.- 1984.- P. 271−285.
- Bityurin Y. A., Gaponov S. V., Gudkov A. A. and Mironov V. L. Artificial epitaxy in an elastic strain field // J. Cryst. Growth.- V. 73.- 1985.- P. 551−557.
- Cahn R. W. Recovery and recrystallization, in Physical Metallurgy, Cahn R. W. and Haasen P., Noth-Holand, Amsterdam, 1983.- P. 1595−1671.
- Sheftal N.N. and Bouzynin N.A. Preferred orientation of crystallites on the substrate and effect of scratches // Вести. Моск. Унив., Сер. Геолог 1972 — V. 27.- № 3.- Р. 102−104.
- Sheftal N.N. Trends in real crystal formation and some principles of for single crystal growth//Growth of Crystals, New York, 1976.-V. 10.-P. 185−210.
- Klykov V.I., Sheftal N.N. and Hartmann E. Artifitial epitaxy (diataxy) of silicon and germanium // Acta Phys. Acad. Sci. Hung 1979 — V. 47 — P. 167−183.
- Givargisov E.I., Sheftal N.N. and Klykov V.I. Diataxy (graphoepitaxy) and other approaches to oriented crystallization on amorphous substrates // Curr. Top. Mater. Sci.- 1982.-V. 10.-P. 1−53.
- Smith H.I., Flanders D.C. Oriented of crystal growth on amorphous substrates using artificial surface-relief gratings // Appl. Phys. Lett- 1978 V. 32.-P. 349−350.
- Bland R.D., Kominiak G.J. and Mattox M. Effect of ion bombardment during deposition on thick metal and ceramic deposits // J. Vac. Sci. Technol-1974.-V. ll.-№ 4.-P.671−674.
- Bunshah R.F. Deposition technologies for films and coatings. Park Ridge, NJ, Noyes Publications. 1982.
- Yu L.S., Harper J.M.E., Cuomo J.J., Smith D.A. Alignment of thin films by glancing angle ion bombardment during deposition // Appl. Phys. Lett 1985 — № 47. P.932−933.
- Dobrev D. Ion-beam-induced texture fomation in vacuum-condensed thin metal films // Thin solid films.- 1982.- V.92.- P.41−47.
- Yu L.S., Harper J.M.E., Cuomo J.J., Smith D.A. Control of thin film orientation by glancing ion bombardment during growth // J. Vac. Sci. Technol-1986.-V.A4.- P. 443−447.
- Sonnenberg N., Longo A.S., Cima M.J., Ressler K.G., Mclntyre P.C., Liu Y.P. Preparation of biaxially aligned cubic zirconia films on pyrex glass substrates using ion-beam assisted deposition // J. Appl. Phys- 1993- V. 74- № 2 P. 1027−1034.
- Roosendaal M.T. Topics in Applied Physics 47, Spattering by Particle Bombardment I. Springer Verlag, Berlin, 1981.
- Фельдман Д., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М. Мир, 1989. 344 С.
- Feldmann L.C., Mayer J.W., Picraux S.T. Materials Analysis by Ion Channeling. Academic Press, New York, 1982.
- Robinson M. T. Topics in Applied Physics, v. 47, Sputtering by Particle Bombardment I, Herausg.: Springer Verlag, Berlin, 1981.
- Elich J. J., Roosendaal H. E., Onderdelinden D. Precision measurement on angular and temperature dependens of sputtering // Radiat. Eff- V. 14 1972 — P. 93−98.
- Usoskin A., Freyhardt H.C. und Neuhaus W., Patentschrift: Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats unter Verwendung einer gepulsten Quelle, Aktenzeichen P 42 28 573.9−45, Deutsches Patentamt, Munchen (1992).
- Betz V., Holzapfel В., Schultz L. In situ reflection high energy electron bombardment analysis of biaxially oriented yttria-stabilized zirconia thin film growth on amorphous substrates // Thin Solid Films V. 301- 1997a — P. 28−34.
- Iijima Y., Tanabe N., Kohno O. and Ikeno Y. In-plane aligned YBa2Cu307x thin films deposited on polycrystalline metallic substrates // Appl. Phys. Lett V. 60.-№ 6.- 1992.- P. 769−771.
- Хирш П., Хови А., Николсон П., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов.- М: Мир, 1968 274 с.
- Томас Г., Гориндж М. Дж. Просвечивающая электронная микроскопия материалов // М. Наука, 1983 320 с.
- Спенс Дж. Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения // М. Наука, 1986.- 320 с.
- Neff Н., Grundlagen und Anwendung der Rontgen-Feinstrukturanalyse, R.01denbourg, Munchen. 1962.
- Kleber. K. Kristallographie. 7. Auflage VEB Berlin, 1963.
- Tietz Lisa A., and Carter Barry C. Crystallography of УВа2Си306+х thin film-substrate interfaces // J. Mater. Res.- V. 4.- № 5.- 1989.- P. 1072−1081.
- Fenner D.B., Viano A.M., Fork D.K., Connell G.A.N., Boyce J.B., Ponce F.A. and Tramontana J.C. Reaction at the interface of thin films of Y-Ba-Cu- and Zr- oxides with Si substrates // J. Appl. Phys.- 1991.- V. 64.- № 4.- P. 2176−2182.
- Schlom D. G., Hellman E. S., Hartford E. H., Eom С. B. and Jr., Clark J. C., and Mannhart J. Origin of the ф ~ ± 9° peaks in YBa2Cu3075 films grown on cubic zirconia substrates // J. Mater. Res 1996.- V. 11.- № 6.- P. 1336−1348.
- Pechen E.V., Schoenberger R, Brunner В., Renk K.F., Sidorov M.V., and Oktyabrsky S.R. Epitaxial growth of YBa2Cu3075 films on oxidized silicon with yttria- and zirconia-based buffer layers // J. Appl. Phys 1993- V. 74- № 5 — P. 3614−3616.
- Bardal A., Eibl О., Matthee Th., Friedl G. and Wecker J. High-resolution electron nicroscopy of epitaxial YBC0/Y203/YSZ on Si (001) // J. Mater. Res.-1993.- V. 4.- № 9.- P. 2112−2127.
- Усоскин А. И., Цуканова И. H. Проблемы получения текстурированных ВТСП пленок методом лазерного импульсного осаждения // Физика низких температур.- 1992.- Т. 18.- № 4, — С. 342−349.
- Tegart W. G. The electrolytic and chemical polishing of metals 1959.
- Вайнер Я. Технология электорохимических покрытий 1976.
- Scott M. G. Phase relationships in the Zirconia-Yttria system // J. Mater. Sci.- 1975-№ 10.-P. 1527−1532.
- Pies Weis Landolt Bornstein Data III/7bl. 1976.
- Stubican V. S., Hink R. C., Ray S. P. // J. Am. Ceram. Soc.- 1978.- V. 61.-P. 18−23.
- Hund F. // Z. f. Elektrochemie.- 1951.- V. 55.- P. 365−371.
- Bell A. M. Calculated x-ray powder diffraction patterns and theoretical densities for phases encountered in investigationes of Y-Ba-Cu-O superconductors // Supercond. Sci. Technol V. 3.- 1990.- P. 55−61.
- Высокотемпературные сверхпроводники / А. У. Слейт, P. П. Мессмер, V
- Р. Б. Мерфи и др.- Под ред. Д. Нелсона- М.: Мир, 1988 400 с.
- Иевлев В.М., Исаев А. Ю., Рубцов В. И. Эффект ювенильной поверхности при росте плёнок MgO на (111) Si // Поверхность. Физика, химия, механика 1993.-№ 2-С. 63−66.
- Иевлев В.М., Исаев А. Ю., Тураева Т. Л., Ермолов С. Н. Получение ориентированных барьерных слоев на кремнии для выращивания эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников // Тез. докл. конф. по электронным материалам. Новосибирск, 1992 С. 181.
- Постников B.C., Иевлев В. М., Моргунов В. Н., Золотухин И. В. Декорирование золотом различных граней кристаллов NaCl и КС1 // Кристаллография.- 1971,-Т. 16.-С. 971−977.
- Ievlev V.M., Isaev A.Yu., Ermolov S.N. Superconducting УВа2Сиз07. х films on metal substrate // Proceeding of the European Conference on Applied Superconductivity. Gottingen, 1993-P. 525−528.
- Иевлев B.M., Исаев А. Ю., Ермолов С. Н. Получение ориентированных барьерных слоев на металлических подложках для выращивания плёнок ВТСП // Тез. докл. XIV конф. по тепловой микроскопии. Воронеж, ВПИ, 1992.-С. 148.
- Бугаков A.B., Иевлев В. М. Закономерности ориентированной кристалли- зации для систем с большим несоответствием // Рост и структура тонких пленок и нитевидных кристаллов. Воронеж, 1989 С. 10−16.
- Пайдасси Ж. Окисление никеля // Окисление металлов. Под ред. Ж.Бенаре. В 2-х томах. Т.2. М. Металлургия, 1969.- С. 107−117.
- Барабаш О. М., Коваль Ю. Н. Структура и свойства металлов и сплавов Киев: Наукова думка, 1986 — 698 с.
- Ievlev V. М., Isaev A. Y. Heteroepitaxial structures for the growth of HTSC films // Proceedings of the 7-th International Workshop on Critical Currents in superconductors- Alpbach, 1994-P. 633−638.
- Иевлев B.M., Исаев А. Ю. Гетероэпитаксиальные структуры для выращивания плёнок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) на металлических и полупроводниковых подложках // Научные труды III Вакуумной конференции. Харьков, 1993- С. 4.
- Иевлев В. М., Исаев А. Ю. Гибкая композиционная подложка для ориентированной кристаллизации пленок ВТСП // Тонкие пленки и нитевидные кристаллы: Межвуз. сб. науч. тр.- Воронеж: ВПИ, 1993- С. 38−41.
- Wiesmann J. Herstellung und Charakterisierung von texturierten Ce02 und YSZ Pufferschichten auf technischen Substraten: Diplomarbeit- Institut fur Metallphysik, Universitat Gottingen, 1994 98 s.
- Ressler K. G., Sonnenberg N. and Cima M. J. Ion Beam-Assisted Deposition of Diaxially Aligned Ce02 and Zr02 Thin Films on Amorphous Substrates // Materials Research Society Symposium Proceedings V. 316 — 1994- P. 83−89.
- Rao M. S. R, D’Souza C. P., Apte P. R., Pinto R., Gupta L. C., Sronovas S. and Bhatnagar A. K. Microstructural study of yttria stabilised zirconia buffered sapphir for YBa2Cu307-§ thin films // J. Appl. Phys.- V. 79.- 1996.- P. 940−947.
- Koch T., Ziemann P. Effects of ion-beam-assisted deposition on the growth of zirconia films // Thin Solid Films.- V. 303.- 1997.- P. 122−129.
- Mao Y. J., Ren C. X, Yuan J., Zhang F., Liu X H. and Zou S. C. Study on the growth of biaxially aligned yttria-stabilized zirconia films during ion beam assisted deposition // J. Vac. Sei. Technol. A.- V. 15.- № 5.- 1997 P. 26 872 698.
- Smidt F. A. Use of ion beam assisted deposition to modify the microstructure and properties of thin films // International Materials Reviews V. 35.-№ 2.- 1990.-P. 61−128.
- Wiesmann J. Wachstum von biaxial texturierten YSZ-Diinnfilmen mittels ionenstrahlunterstutzter Deposition: Diss. Dr. der Naturwissenschaft Institut fur Metallphysik-, Universitat Gottingen, 1998 — 120 s.
- Je J. H., Noh D. Y., Kim H. K., Liang K. S. The crossover of preferred orientation in TiN film growth: A real time x-ray scattering study // J. Mater. Res V. 12.- 1997.-P. 9−16.
- Ying F., Smith R. W., Srolovitz D. J. The mechanism of texture formation during film growth: The roles of preferential sputtering and shadowing // Appl. Phys. Lett.- V. 69.- № 20.- 1996.- P. 3007−3009.
- Bradley R. M., Harper J. M. E., and Smiht D. A. Theory of thin-film orientation by ion bombardement during deposision // J. Appl. Phys- V. 601 986.- P. 4160−4167.
- Berti M., Drigo A. V., Cohen C., Siejka J., Tosic M. M. Channeling in virgin and Yb implanted Yttria Stabilized Zirconia Crystals // Nuclear Instruments Methods B.- V. 199.- 1982.- P. 605−611.
- Geerk J., Linker G., Meyer O. // Materials Science Report V. 4 — 1989 — P. 193−197.
- Bell A.M.T. Calkulated X-ray powder diffraction patterns and theoretical densities for phases ecountered in investigations of Y-Ba-Cu-O superconductors // Supercond. Sci. Technol- 1990,-№ 3.-P. 55−61.
- Skofronick G. L., Carim A. H., Foltun S. R., Muenchausen R. E. Orientation of YBa2Cu307^ films on unbuffered and Ce02-buffered yttria-stabilized zirconia substrates // J. Appl. Phys.-. 1994.- V. 76.- № 8.- P. 4753−4760.
- Schlom D. G., Hellman E. S., Hartford E. H., Eom Jr., Eom C. B., Clark J. C., Mannhart J. Origing of the
- Skofronick G. L., Carim A. H., Foltun S. R., Muenchausen R. E. Interfacial reaction products and film orientation in YBa2Cu307.-r on zirconia substrates with and without Ce02 buffer layers // J. Mater. Res.- 1993.- V. 8.- № 11.- P. 27 852 798.
- Broorsson G., Olsson E., Ivanov Z. G., Stepantsov E. A., Alarco J. A., Boikov Yu., Berastegui P., Langer V., Lfgren M. // J. Appl. Phys. -.1994- V. 75.-№ 4.-P. 7958−7963.
- Garcia-Moreno F., Usoskin A., Issaev A., Wiesmann J., Dzick J., Hoffmann J., Heinemann K., und Freyhardt H.C. Hohe kritische Stromdichten in YBCO-Filmen auf polykristallinen technischen Substraten // Fruhjahrstagung, Munster.-1997.-S. 1011.
- Ermolov S.N., Bliznyk V.A., Ievlev V.M., Isaev A.Yu., Lykhin V.A. YBCO thin films current-carrying elements on metallic substrate // IEEE Trans, of Appl. Superconductivity.- 1995.- V.5.- № 2.-P.1929−1931.
- Bliznyuk V.A., Ermolov S.N., Ievlev V.M., Isaev A.Yu. and Lykhin V.A. Crystallisation of YBa2Cu307. x films on metal substrates // Prociding of the JCEC-JCMC. Kiev, 1992.-P. 32−36.
- Freyhardt H.C., Hoffmann J., Wiesmann J., Dzick J., Heinemann K., Isaev A., Usoskin A., Garcia-Moreno F. Y-123 Films on Technical Substrates // Applied
- Superconductivity, Special Issue: YBCO Conductor Development for Large Scale Applications, 1998.- P. 435−446.
- Freyhardt H. C., Hoffmann J., Wiesmann J., Dzick J., Heinemann K., Isaev A., Garcia-Moreno F., Sievers S., Usoskin A. YBaCuO thick films on planar and curved technical substrates // IEEE Trans, on Appl. Superconductivity 1997 — V. 7.-P. 1426−1432.
- Garcia-Moreno F., Usoskin A., Issaev A., und Freyhardt H.C. Ungewohnliche Nukleationsschicht von YBCO-Filmen auf polykristallinen technischen Substraten // Fruhjahrstagung, Munster, 1997 S. 974.
- Issaev A., Garcia-Moreno F., Usoskin A., Wiesmann J., und Freyhardt H.C. TEM-Untersuchung von HTSL YBaCuO-Filmen auf keramischen YSZ-Bandern // Fruhjahrstagung, Munster, 1997 S. 974.