Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Фазовые равновесия и направленный синтез твердых растворов в тройных полупроводниковых системах с двумя летучими компонентами

Диссертация: Фазовые равновесия и направленный синтез твердых растворов в тройных полупроводниковых системах с двумя летучими компонентами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Таким образом, системы с непрерывным рядом твердых растворов с минимальной точкой, — это как бы первый шаг к состоянию, отражаемому диаграммой с ограниченными твердыми растворами. Интересна в этом отношении фазовая диаграмма системы Au — Ni, в которой при пониженных температурах наблюдается широкая область несмешиваемости, а температурный интервал между верхней границей этой области и линией… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ МЕЖДУ ФОСФОРОМ, МЙШЬЯКОМ И СУРЬМОЙ И В ТРОЙНЫХ СИСТЕМАХ НА ИХ ОСНОВЕ (обзор литературы)
    • 1. Взаимодействие фосфора и элементов подгруппы мышьяка между собой
      • 1. 1. Фазовые диаграммы двойных систем
      • 1. 2. Взаимодействие в паровой фазе
      • 1. 3. Получение и свойства сплавов в системах Ау-Ву
    • 2. Фазовые диаграммы систем? п-Аб-Р (8Ь)
      • 2. 1. Диаграммы состояния двойных систем
      • 2. 2. Политермические разрезы 1нА8−1пР, 1пАз-1п
      • 2. 3. Термодинамическое описание фазовых диаграмм тройных систем А111- ВУ-СУ
      • 2. 4. Дефектообразование в соединениях типа АШВУ
    • 3. Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия
      • 3. 1. Фазовые диаграммы двойных систем
      • 3. 2. Структура и свойства промежуточных фаз
      • 3. 3. Твердые растворы на основе соединений А1УВУ

Фазовые равновесия и направленный синтез твердых растворов в тройных полупроводниковых системах с двумя летучими компонентами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Среди разнообразных материалов, применяемых в современной электронной технике, большую роль играют соединения на основе летучих элементов V группы — фосфора, мышьяка, сурьмы. Соединения класса АШВУ и твердые растворы на их основе уже сейчас широко используются для изготовления датчиков Холла, оптических фильтров, термоэлектрических и других приборов. Область применения соединений типа А1УВУ еще только определяется. Вследствие ярко выраженной анизотропии свойств, являющейся результатом их низкосимметричного кристаллохимического строения, соединения данного класса обладают интересными электрофизическими и оптическими свойствами, что делает их весьма перспективными материалами, например, при создании детекторов ИК-излучения.

Возможность непрерывного изменения свойств системы при изменении состава, характерная для непрерывного ряда твердых растворов, позволяет получать материалы с оптимальными характеристиками. Однако решение проблемы направленного синтеза твердых растворов возможно лишь на основе физико-химической информации о границах областей существования фаз и характере гетерогенных равновесий в соответствующих тройных системах. Основой для выбора процесса, приводящего к получению необходимого материала, и прогнозирования условий, обеспечивающих достижение заданного состава, служат фазовые диаграммы. Выяснение характера фазовых равновесий в тройных системах на основе соединений.

АШВУ и А1УВУ невозможно без учета особенностей взаимодействия фосфора и элементов УА группы между собой. Глубже понять физико-химическую природу трехкомпонентных твердых растворов в системах АшАбР (8Ь), А1У-А8-Р, с научной точки зрения подойти к процессам их получения можно только на основе знания характера фазовых равновесий в соответствующих бинарных системах. В связи со сложностью экспериментального исследования систем с двумя летучими компонентами в литературе практически отсутствуют данные о Р-Т-х диаграммах бинарных систем Р — Ав и 8Ь — Ав, а сведения о фазовых равновесиях в тройных системах с участием этих элементов крайне отрывочны и противоречивы.

Особенностью направленного синтеза трехкомпонентных твердых растворов является необходимость управления составом одновременно по двум параметрам: изменяя молярность твердого раствора, можно варьировать такими свойствами как ширина запрещенной зоны, параметр решетки и т. п., а отклонение от стехиометрии позволяет контролировать тип и концентрацию носителей. Процессы дефектообразования в твердых растворах 1пАз1хР (8Ь)Х, ОеАз1. хРх практически не изучены, а данные, имеющиеся для бинарных составляющих — неоднозначны. Таким образом, комплексное исследование фазовых диаграмм тройных систем Ш-Аб-Р (8Ь), Ое (81)-А8-Р, включающее анализ процессов дефектообразования в трехкомпонентных твердых растворах, является весьма актуальной задачей.

Помимо практического интереса, исследование фазовых равновесий между фосфором, мышьяком и сурьмой позволяет полнее выявить закономерности изменения свойств элементов V группы, исследовать взаимодействие их между собой, определить влияние этого взаимодействия на фазовые равновесия в тройных системах с их участием. Кроме того, сравнительный анализ тройных систем АшВуСУ, А1УВу — Су дает возможность проследить влияние природы катионообразова-теля на характер протекающих в них гетерогенных процессов. Решение этих вопросов имеет как научное, так и практическое значение и определяет актуальность данной работы.

Работа выполнена в соответствии с координационным планом РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения» (направление 2.21) по проблеме 2.21.1.1 «Разработка физико-химических основ создания новых полупроводниковых материалов».

Цель работы: установление характера фазовых равновесий и разработка на этой основе условий направленного синтеза твердых растворов в тройных системах 1п — Ав — Р^Ь) — Оеф) — Аз — Р.

Достижение этой цели включает:

• изучение Р-Т-х диаграмм бинарных систем РАв, 8Ь — Аб, их термодинамический анализ с целью получения информации о взаимодействии компонентов в этих системах.

• исследование Р-Т-х-у фазовых диаграмм тройных систем Ы-Ав-РШ-Аб-БЬ, установление координат поверхностей ликвидуса и пара Т-х-у проекций, положения изоконцентрационных линий.

• термодинамический анализ процессов дефектообразования и определение отклонения от стехиометрии в твердых растворах 1пАз1. хРх, 1пАз]. х8Ьх.

• построение Т-х-у проекций фазовых диаграмм систем веАб-Р, 81 -Аб — Р, термодинамическая оценка концентрации собственных точечных дефектов и построение поверхности солидуса твердых растворов ОеА81хРх.

• разработка условий получения кристаллов твердых растворов в системах 1п — Аб — Р, Ое-Аэ-Р.

Научная новизна. В работе проведено комплексное исследование и сравнительный анализ тройных систем? п-Аб — Р (ЭЬ), Ое (81) -Аэ — Р, представляющих важные классы неорганических соединений с полупроводниковыми свойствами, осуществлено изучение взаимодействия элементов V группы между собойна этой основе разработаны условия получения кристаллов трехкомпонентных твердых растворов с двумя летучими компонентами.

В работе впервые построены Р-Т-х диаграммы бинарных систем 8Ь — Аэ, РАэпредложен экстраполяционный метод построения проекций линии трехфазного равновесия для систем, прямое экспериментальное изучение которых затруднено. Термодинамический анализ с учетом исследованного состава пара выявил положительное отклонение от идеальности в указанных системах, был определен ряд термодинамических функций сплавов.

При исследовании фазовой диаграммы системы Гп-Аб-Р установлено наличие моновариантных равновесий ?,<->• 1пА8]. хРх+ Аб и Аб + Ь <-" уА81. ХРХ, а также нон-вариантного перитектического процесса Ь + Ав <-" 1пА81. хРх + у-А81.хРх. На основании расчетных и экспериментальных данных определено положение линии моновариантного равновесия, ограничивающей поле первичной кристаллизации твердых растворов 1пА81×8Ьх в системе? п-Аб^Ь.

На основании термодинамического анализа процессов дефектообразования в твердых растворах 1пА81хРх, 1пАз1. х8Ьх, СеАз1хРх установлена зависимость концентрации собственных точечных дефектов от параметров термодинамического равновесия кристалл — расплав — пар. Показано возрастание роли антиструктурных дефектов 1пв в ряду полупроводниковых соединений 1пР — 1пАз — 1п8Ь и твердых растворов 1пА81хРх — 1пАз1. х8Ьх.

При исследовании и построении фазовой диаграммы системы ве — Аб — Р установлено наличие непрерывного перехода эвтектического трехфазного равновесия в перитектическоепоказано, что политермический разрез веАБ — веР не является квазибинарным. На основании экспериментального исследования и путем термодинамических расчетов впервые определены координаты поверхности ликвидуса фазовых диаграмм тройных систем ве-Аз-Р, ЗьАэ-Р. Доказано отсутствие непрерывного ряда твердых растворов в системе 81Аз — 81Р, причем данный политермический разрез не является квазибинарным.

На основании обобщения полученной информации о фазовых равновесиях в тройных и бинарных системах сформулированы условия получения кристаллов твердых растворов в системах Ы-Ав-Р, Ое-Ав-Р. При этом в качестве источника летучих компонентов при синтезе предложено использовать сплавы системы Р-Ав, что позволяет контролировать парциальные давления фосфора и мышьяка и получать однородные по составу кристаллы.

Полученные в работе новые результаты определяют развитие научного направления, заключающегося в разработке основ направленного синтеза трехком-понентных твердых растворов с двумя летучими компонентами на базе комплексного исследования фазовых равновесий в тройных системах на основе соединений АШВУ и А1УВУ.

Практическая значимость работы заключается в том, что она связывает в единое целое данные о фазовых равновесиях в двойных системах Р — Аб, 8Ь — Аз и в тройных системах с участием этих элементов с условиями выращивания кристаллов, позволяет сформулировать условия направленного синтеза трехкомпонентных твердых растворов с двумя летучими компонентами.

Результаты комплексного исследования фазовых равновесий в системах 1п-Аз-Р, ве-Ав-Р позволили усовершенствовать методику получения кристаллов твердых растворов 1пАз1хРх, ОеАз1хРх. Использование в качестве источника летучих компонентов сплавов бинарной системы фосфор — мышьяк дает возможность выращивать однородные кристаллы в широком интервале концентраций.

Основные результаты внедрены в практику научно-исследовательских работ в качестве методик построения Р-Т-х диаграмм систем с двумя летучими компонентами, определения состава пара, получения кристаллов твердых растворов. Материалы диссертации использованы в учебном пособии «Химия полупроводников» (Гончаров Е.Г., Семенова Г. В., Угай Я. А., Воронеж: Изд. ВГУ, 1995) — в курсах лекций, читаемых на кафедрах общей и неорганической химии Воронежского госуниверситета.

Положения, выносимые на защиту:

• сложный состав пара и общий вид Р-Т-х диаграмм бинарных систем РАз, БЬ — Абположительное отклонение от идеальности в этих системах.

• общие закономерности фазовых равновесий при взаимодействии фосфора и элементов УА группы между собой.

• влияние взаимодействия компонентов в бинарных системах Р-Аб, 8Ь-Аз на характер фазовых равновесий в тройных системах А111- Ву — Су, А1У-Ву-Су.

• общие черты и отличительные особенности фазовых диаграмм тройных систем 1п-Аз — Р (БЬ), Ое^ОАв — Р.

• механизм дефектообразования в твердых растворах 1пАз1хРх, 1пАз1. х8Ьх, GeAsi. JP>, — роль антиструктурных дефектов в увеличении отклонения от стехиометрии в твердых растворах по сравнению с бинарными соединениями.

• формирование широких областей твердых растворов в тройных системах на основе соединений А1УВУ с анионным замещением (ве-Аэ-Р, Эь Ав-Р), трудность их образования при катионном замещении.

• условия получения кристаллов трехкомпонентных твердых растворов с двумя летучими компонентами в системах Гп-Аэ-Р, Ое-Ав-Р.

Публикации и апробация работы. По материалам работы опубликована монография «Фазовые равновесия между фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом» (совместно с Я. А. Угаем, Е. Г. Гончаровым, В.Б. Лазаревым), М.: Наука, 1989; опубликовано 75 статей и тезисов научных конференций.

Основные результаты работы доложены и обсуждены на ряде региональных, республиканских, Всесоюзных, международных конференциях, семинарах, симпозиумах, в том числе на: XII Менделеевском съезде по общей и прикладной химии (Москва, 1981) — Всесоюзном совещании «Химическая связь, электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и металлов» (Калинин, 1985) — III и IV Всесоюзной конференции «Термодинамика и материаловедение полупроводников» (Москва, 1986 и 1989) — VII Всесоюзном совещании по физико-химическому анализу (Фрунзе, 1988) — II Украинской конференции «Материаловедение и физика полупроводниковых фаз переменного состава» (Нежин, 1993) — Всероссийской конференции по термическому анализу и калориметрии (Казань, 1996) — XIII International Symposium on the Reactivity of Solids (Hamburg/Germany, 1996) — VII International Conference on Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors (Templin/Germany, 1997).

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, обзора литературы, четырех глав с изложением результатов теоретических и экспериментальных исследований, заключения, общих выводов и приложениясодержит 409 страниц машинописного текста, включая 42 таблицы и 83 рисунка, библиографический список из 338 наименований цитируемой литературы.

VII. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

1. На основании комплексного исследования фазовых равновесий в бинарных системах Sb — As, As — Р построены их Р-Т-х диаграммы. Установлено, что при взаимодействии фосфора с мышьяком наряду с широкими областями твердых растворов на основе компонентов образуется промежуточная бертоллидная фаза, содержащая от 60 до 70 ат. % As и разлагающаяся по перитектической схеме при 971 К и 4,02! О4 гПа. Убывание химической активности элементов и нарастание металлической составляющей химической связи с ростом атомной массы приводит к тому, что в системе Sb — As образуется непрерывный ряд твердых растворов с минимальной точкой при 20 ат.% As, 879 К и 198 гПа.

2. Оценка термодинамической активности и расчет относительных молярных функций смешения указывает на положительное отклонение от идеальности в системах Sb — As и Р — As. Однако если в системе Sb — As по мере уменьшения температуры степень отклонения растет и наблюдается тенденция к распаду твердого раствора, то взаимодействие фосфора и мышьяка при понижении температуры усиливается .

3. Исследование фазовых равновесий тройных систем с участием элементов V группы позволило установить, что при анионном замещении в системах In — As — Р, Ge (Si) — As — Р твердые растворы образуются без заметных затруднений, в то время как их формирование в системе In — As — Sb связано с длительным процессом гомогенизации. При катионном замещении в системе — ве — Ав даже после 800-часового отжига существует эвтектическая смесь бинарных компонентов — арсенидов кремния и германия. Термодинамический анализ на основании результатов тензиметрических исследований указывает на положительное отклонение от идеальности в системах ГпАв — 1пР, веАз — веР, 81Аб — 81Р, причем как и в бинарной системе Аб — Р, степень этого отклонения растет при увеличении температуры.

4. Экспериментальное изучение аналитического состава пара и расчет его молекулярного состава на основании данных тензиметрических исследований показали, что равновесная паровая фаза в системе фосфор — мышьяк обогащена фосфором, а помимо молекул Р4 и Аз4 в паре присутствуют ассоциаты РПА84.&bdquo- (п = 1-ьЗ) и двухатомные молекулы АзР, содержание которых растет с повышением температуры. Анализ процесса термической диссоциации твердых растворов ГпАз^Рх, ОеАз1. хРх также выявил значительную долю фосфора в паровой фазе, в то время как на диаграмме разреза 81Аб — линия состава пара расположена между линиями ликвидуса и солидуса, что свидетельствует о большей близости характера химической связи в фосфиде и арсениде кремния.

5. Построенные экспериментально, а также расчетным путем Т-х-у диаграммы тройных систем 1п — Аэ — Р, Ое (81) — Аб — Р характеризуются наличием двух четырехфазных перитектических равновесий с участием промежуточной у-фазы А8ХР1. Х (х = 0,6-ь0,7). Если в системах на основе соединений АШВУ разрезы ¡-пАб — 1пРТпАв — 1п8Ь являются квазибинарными и осуществляют триангуляцию фазовых диаграмм, то инконгруэнтный характер плавления фосфида германия приводит к тому, что в системе СеАв — Р имеет место непрерывный переход эвтектического трехфазного равновесия в перитектическое, а политермический разрез веАз — веР не является квазибинарным. В тройной системе 81 — Ав — Р реализуется перитек-тическая смесь твердых растворов на основе фосфида и арсенида кремния, разрез 81Аб — 81Р также не является квазибинарным. Большую часть поверхности ликвидуса занимают поля первичной кристаллизации фосфида и дифосфида кремния.

6. Термодинамическая оценка концентрации собственных точечных дефектов в бинарных системах 1пВу показала, что доминирующими дефектами в фосфиде и арсениде индия являются нейтральные вакансии и междоузель-ные атомы компонента V группы, а в антимониде индия наряду с ЯЬ^ преобладают антиструктурные дефекты 1п" 8Ь. Соединения 1пВу являются двусторонними фазами с асимметричными областями гомогенности, при этом максимальная температура плавления реализуется у составов с избытком индия. В твердых растворах 1пА8]. хРх эти особенности сохраняются, причем избыточное содержание летучих компонентов уменьшается с ростом молярной доли арсенида индия, а растворимость индия увеличивается за счет дополнительного образования вакансий мышьяка. Для 1пАз1 Х8ЬХ определяющее влияние на величину отклонения от стехиометрии оказывают антиструктурные дефекты 1п" 8Ь. Преобладающие антиструктурные дефекты Ое’в обеспечивают р-тип проводимости твердых растворов ОеАвьхРх во всем интервале давлений пара летучих компонентов. При этом области гомогенности этих фаз полностью смещены в сторону избыточного содержания германия и не включают стехиометрический состав.

7. С учетом изотермических, изобарических, изоконцентрационных линий поверхности ликвидуса фазовых диаграмм систем 1п — Аб — Р, ве — Аб — Р определены условия получения кристаллов твердых растворов заданной молярности. При получении кристаллов двухтемпературным синтезом с последующей направленной кристаллизацией расплава предложено в качестве источника летучих компонентов применять сплавы бинарной системы Аб — Р. Использование сплавов, являющихся гетерофазной смесью промежуточной у-фазы системы Аб — Р и твердого раствора на основе фосфора или мышьяка, дает возможность выращивать образцы в условиях контролируемого давления пара летучих компонентов, а путем изменения температуры зоны источника можно варьировать состав получаемых кристаллов.

VI.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Настоящая работа посвящена исследованию характера фазовых равновесий в тройных системах с участием элементов V группы периодической системы. Наличие двух летучих компонентов в значительной мере осложняет получение кристаллов трехкомпонентных твердых растворов в системах подобного типа, например, 1пАЗ]. хРх, ОаА81. хРх, ОеАз]. хРх и т. п. Именно поэтому проблема направленного синтеза этих материалов до настоящего времени не решена. Как известно, основой научного подхода к получению кристаллов заданного состава являются прежде всего фазовые Р-Т-х-у диаграммы. С этой точки зрения, построение в настоящей работе диаграмм состояния тройных систем 1п-Аз-Р (8Ь), Ое^^-Аэ-Р дает возможность сформулировать условия синтеза этих фаз. В то же время, анализ полученной физико-химической информации позволяет выявить характерные особенности формирования твердых растворов с летучими элементами V группы и расширить представления об их природе [335].

Очевидно, что анализ фазовых равновесий в тройных системах невозможен без учета особенностей взаимодействия фосфора и элементов УА группы между собой. Полученные в работе экспериментальные данные позволили не только построить Р-Т-х диаграммы бинарных систем Р — Аз и 8Ь — Ав, но и полнее выявить закономерности изменения свойств элементов V группы периодической системы.

Существует внутренняя генетическая связь самых различных типов взаимодействия в двойных системах в зависимости от соотношения металлохимических свойств компонентов. При этом как наиболее общий случай физико-химического взаимодействия можно рассматривать образование твердых растворов. Так, при анализе развития геометрических элементов фазовой диаграммы в [336] в качестве отправного пункта (своеобразной границы) избрано именно образование непрерывного ряда твердых растворов. Действительно, в зависимости от соотношения металлохимических свойств компонентов твердый раствор может иметь тенденцию либо к распаду, либо к усилению взаимодействия компонентов. Анализ характера фазовых равновесий в системах, образованных элементами подгруппы мышьяка между собой, подтверждает эту мысль. Обладая схожим электронным строением, типом кристаллической структуры и характером химической связи, эти элементы отличаются атомными размерами, и этот фактор становится решающим. Наиболее близкие по атомным размерам сурьма и висмут смешиваются во всех отношениях как в жидком, так и в твердом состоянии. Разница в атомных размерах для системы БЬ — Аб (12,2%) уже больше и находится вблизи так называемой «благоприятной» зоны — в этой системе образуется непрерывный ряд твердых растворов III типа по Розебому с минимумом.

При анализе ряда систем, в которых оба элемента находятся в одной группе периодической системы и образуют непрерывный ряд твердых растворов с минимумом, можно отметить, что стерический фактор для таких систем также находится вблизи границы «благоприятной» зоны. Например, разница в атомных размерах для системы Си — Аи составляет 12,5% - для системы К — Се: 11%- Сг — W: 10%. В то же время целый ряд подобных систем (Ag — Си — Ъа. — Сс1 и др.), имея примерно такое же соотношение атомных размеров, при взаимодействии образуют ограниченные твердые растворы эвтектического типа.

Таким образом, системы с непрерывным рядом твердых растворов с минимальной точкой, — это как бы первый шаг к состоянию, отражаемому диаграммой с ограниченными твердыми растворами. Интересна в этом отношении фазовая диаграмма системы Au — Ni [1], в которой при пониженных температурах наблюдается широкая область несмешиваемости, а температурный интервал между верхней границей этой области и линией солидуса составляет менее 100 К. При еще большей разнице в атомных размерах реализуется фазовая диаграмма эвтектического типа, как это имеет место в системе Bi — As. По мере увеличения разности атомных размеров на фазовой диаграмме появляется гетерогенная область, внутри которой стабильна смесь твердых растворов, при дальнейшем увеличении этой области последняя соприкасается с линией солидуса, образуя эвтектическую горизонталь. С другой стороны, для ряда твердых растворов при низких температурах наблюдается обратная тенденция — усиление взаимодействия, образование соединений Курна-кова. С ростом разности электроотрицательностей компонентов возрастает индивидуальность соединения, чему на фазовой диаграмме соответствует новый геометрический образ.

При рассмотрении особенностей взаимодействия фосфора с элементами подгруппы мышьяка следует иметь в виду, что кристаллическая структура различных модификаций фосфора весьма разнообразна и зависит от способа его получения. Отличие строения обычно используемых модификаций от структурного типа a-As и сильное различие атомных размеров фосфора, с одной стороны, сурьмы и висмута — с другой, исключают возможность возникновения широкой области гомогенности в твердом состоянии. Разница в атомных размерах фосфора и мышьяка невелика (~9%), определенная аналогия наблюдается и в кристаллохимическом отношении. Так, фосфор проявляет слабое, но отчетливое стремление к формированию цепей из атомов (подобные структуры встречаются и у мышьяка). Уже упоминалось, что небольшие добавки мышьяка каталитически влияют на процесс кристаллизации фосфора. С этой точки зрения образование достаточно широких областей твердых растворов не является удивительным. И все-таки основное значение имеет нарастание химической активности при взаимодействии. Термодинамический анализ указывает на склонность разнородных частиц к взаимодействию при пониженных температурах (отрицательное отклонение от идеальности, Нм< О), однако с ростом температуры величина энтальпии смешения уменьшается, в системе наблюдается положительное отклонение от закона Рауля. Известно, что еще один элемент V группы — азот — образует с фосфором нитриды РЫ и Р3Ы5 с ковалент-ным типом связи. Убывание химической активности элементов и нарастание металлической составляющей связи в ряду N — Р — Аэ — 8Ь — В1 приводит к тому, что промежуточная фаза в системе фосфор — мышьяк весьма неустойчива (инконгру-энтный тип плавления), а в системе при повышенной температуре наблюдается положительное отклонение от идеальности.

Значения термодинамической активности компонентов в системе 8Ь — Ав также свидетельствует о положительном отклонении вдоль линии трехфазного равновесия, однако при понижении температуры эта тенденция нарастает и система характеризуется достаточно большими положительными значениями избыточной свободной энергии, наличие которой, в основном, связано с энтальпией смешения Нм>0.

Тенденция к сближению кристаллохимических свойств элементов УА подгруппы по мере увеличения порядкового номера проявляется в изменении типа фазовой диаграммы. Для системы В! — 8Ь характерна непрерывная растворимость в твердом и жидком состоянии. Атомы сурьмы и висмута близки по размерам и энергетическим характеристикам связи в элементарных кристаллах, и с этой точки зрения их замена друг другом не связана с затруднениями структурного или энергетического порядка. С учетом характера взаимодействия компонентов в системе 8Ь — Аб и при сопоставлении характеристик всех трех элементов подгруппы мышьяка и типов диаграмм 8Ь — Аб и В1 — 8Ь можно предположить, что в случае последней будут наблюдаться меньшие отклонения от идеального поведения. Действительно, при определении энтальпий смешения в [337] было отмечено, что в системе В1 -8Ь наблюдаются незначительные положительные отклонения от идеальности. Кривая концентрационной зависимости энтальпии смешения симметрична относительно эквиатомного состава, а максимальное значение Нм не превышает величины 0,5 кДж/ моль. Таким образом, для систем В1 — 8Ь и 8Ь — Аэ отличие термодинамических свойств сплавов от идеальных обусловлено в основном деформацией кристаллической решетки, что обычно вносит положительный вклад в теплоту смешения [13]. При этом положительные отклонения в системе В1 — БЬ меньше, чем при взаимодействии сурьмы с мышьяком ввиду особой близости кристаллохимических и энергетических факторов.

Характер взаимодействия элементов V группы между собой накладывает отпечаток и на фазовые равновесия в тройных системах с их участием.

В соединениях А1УВУ оба компонента расположены в периодической системе справа от границы Цинтля, причем на один атом приходится в среднем 4,5 электрона. Следует ожидать, что кристаллическая структура этих соединений должна быть как бы «промежуточной» между структурами исходных компонентов: пространственной трехмерной сетки для элемента IV группы и гофрированной — для элемента V группы. Действительно, например, для арсенида и фосфида германия, имеющих моноклинную кристаллическую решетку, характерно наличие явно выраженной слоистой структуры, атомы внутри слоев связаны прочными ко-валентными связями, а между слоями действуют слабые ван-дер-ваальсовы силы. В соответствии с правилом октета (8 — 1М) для соединений А1УВУ средний номер группы N = 4,5, а среднее координационное число равно 3,5. Если учесть, что для соединений класса А1УВУ характерна аналогия между ближайшей координацией атомов в соединениях и их координацией в чистых простых веществах, то координационные числа компонентов равны, соответственно, 4 и 3.

Таким образом, в соединениях данного типа структурный мотив анионооб-разователя накладывает большой отпечаток на кристаллохимическое строение фаз. Следствием этого, видимо, является тот факт, что в тройных системах на основе соединении А1УВУ с анионным замещением достаточно легко образуются твердые растворы, в то время как при катионном замещении даже длительный гомогенизирующий отжиг не приводит к появлению заметных областей твердофазной растворимости. Действительно, даже после более чем 800-часового отжига кристаллов в системе 8 ¿-Аз — веЛв обнаружена гетерофазная смесь арсенидов кремния и германия.

В соответствии с правилом Музера-Пирсона пе/па + Ьа = 8 для соединений АГУВУ Ьа < 0, что свидетельствует о наличии в структурах этих фаз катион — кати-онных связей. Жесткие ковалентные связи, сохраняющиеся в структуре, препятствуют взаимному замещению элементов четвертой группы друг другом.

Характер взаимодействия в тройных системах с анионным замещением во многом определяется совместным присутствием компонентов пятой группыфосфора и мышьяка. В обеих системах — веАз — веР и Я ¡-Аз — 81Р — твердые растворы образуются достаточно легко, хотя из-за различного кристаллохимического строения фосфида и арсенида кремния в последней системе существует гетерофаз-ная область, отвечающая совместному присутствию твердых растворов на основе компонентов. Для обеих систем характерно положительное отклонение от идеальности, которое как и в бинарной системе Аз — Р, увеличивается с ростом температуры.

Наличие двух конгруэнтно плавящихся соединений в системе ве — Аз и пе-ритектический характер плавления промежуточной фазы в системе ве — Р обусловливает своеобразие тройной системы Ое — Аэ — Р, характеризующейся наличием непрерывного перехода эвтектического трехфазного превращения в перитектиче-ское.

Значительную часть поверхности ликвидуса занимают поля первичной кристаллизации фосфидов кремния в системе — Ав — Р, а также диарсенида германия и твердых растворов ОеАз1хРх в системе Ое — Аз — Р. Это согласуется с различной прочностью химической связи в соответствующих соединениях. Известно [336], что особенности взаимодействия компонентов определяются т.н. металлохимическими факторами. Для соединений А1УВУ ввиду близости электронных конфигураций и значений электроотрицательностей катионои анионообразователей большое значение имеет размерный фактор — соотношение атомных радиусов взаимодействующих элементов (табл. 6.1) [173]. При небольших различиях в ковалент-ных радиусах происходит наиболее полное перекрывание валентных электронных облаков, что должно приводить к возникновению более прочных связей.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. М.: 1962. 608 с.
  2. Parravano N., de Cesaris P. Die Arsen Antimon — Legierungen.// Ztschr. Metallk. 1912. B.2. № 1. S. 70−75.
  3. Mansuri Q.A. Equilibrium diagramm of the system antimony arsenic .// J. Chem. Soc. 1928. Pt.2. P.2107−2108.
  4. Shin C.H., Peretti E.A. The constitution of indium arsenic — antimony alloys.// Trans. ASM. 1956. V.48. P.706−725.
  5. Wretblad P.E. Minerals of the Varutrask Pegmatite.XX.Die Allemontite und das System As-Sb.// Geol. foren. Stockholm forhandl. 1941. Y.63. P.19−48.
  6. Quensel P. Ahlborg К., Westgren A. Minerals of the Varutrask Pegmatite. II. Allemontite. With a X-ray analysis of the mineral and of other arsenic-antimony alloy.//Geol. foren. Stockholm forhandl. 1937.V.59. P.136−144.
  7. Skinner В J. The system arsenic antimony.// Econ.Geol. 1965. V.60. № 2. P.228−239.
  8. Trzebiatowski W., Bryjak E. Rontgenanalyse der System Arsen-Antimon. // Ztschr. anorg. und allg. Chem. 1938. B.238. № 2. S.255−267.
  9. Wretblad P.E. Eine neue Deutung der angeblichen Phase des Systems As-Sb. // Ztschr. anorg. und allg. Chem 1938. B.240. № 1. S.139−141.
  10. Trzebiatowski W. Uber die Existenz der? -Phase in Arsen-Antimon-System als Antwort an P.E.Wretblad.// Ztschr. anorg. und allg. Chem 1938. B.240. № 1. S.142−144.
  11. Р.И. Исследование термодинамических свойств твердых растворов элементов YB группы. Дис.. канд. хим. н. Баку. 1969.
  12. Р.И., Шахтахтинский М. Г., Кулиев A.A. Исследование термодинамических свойств твердых растворов сурьма мышьяк.// Ж. физ. химии. 1970. Т.44. № 12. С. 3018 — 3021.
  13. Юм-Розери В. Введение в физическое металловедение. М.: Мир. 1965.203 с.
  14. A.A., Мамедов А. Н., Сулейманов Д. М. Термодинамическое исследование системы сурьма мышьяк.// Докл. АН АзССР. 1972. Т.28. № 3. С.30−33.
  15. Klemm W., v. Falkowski J. Das System Phosphor Arsen.//Ztschr. anorg. Chem. 1948. B.256. № 2. — S.343−348.
  16. Krebs H., Holz W., Worms K.H. Eine neue rhombische Arsen modifikation und ihre Mischkristallbildunf mit schwarzen Phosphor.// Chem. Ber. 1957. B.90. № 6. S.1031−1037.
  17. Krebs H., Weitz H., Worms K.H. Uber die Strukture und Eigenschaften der Halbmetalls.//Ztschr. anorg. und allg. Chem. 1955. B.280.№i/3. S. 119−133.
  18. Stephenson C.C., Potter R.L., Maple T.J. The thermodynamic properties of elementary phosphorus.// J. Chem. Thermodyn. 1969. V.l. № 1. P.59−76.
  19. Я.А., Муравьева C.H., Гончаров Е. Г. Диаграмма состояния системы Р -As.// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1971. Т.7. № 11. С. 1927 1930.
  20. Я.А., Гончаров Е. Г., Китина З. В. Некоторые особенности взаимодействия конденсированных фаз фосфора и мышьяка.// Химия фосфидов с полупроводниковыми свойствами. Новосибирск: Наука. 1970. С.51−55.
  21. А.Н. Давление пара химических элементов. М.: Изд. АН СССР 1961. 396 с.
  22. Goldfinger Р., Jeunehomme М. Mass-spectrometric study of thermodynamicproperties of III V and II — VI compounds and V, VI group elements .// Adv. Mass. Spectrom. 1959.V.1. P.534−541.
  23. Gutbier H.B. Massenspektrometrische Untersuchung der Vorgange beim Verdampfen von Indiumarsenid.// Ztschr. Naturforsch. A. 1959. B.14. № 1. S.32−38.
  24. Gutbier H.B. Massenspektrometrische Untersuchung der Verdampfun-gsvor-gange bei einigen Verbingungen mit Zinkblende- Gitter im Temperaturbereich um 1000 K. // Ztschr. Naturforsch. 1961. B.16. S.268−278.
  25. Schwartz G.P., Bondybey V.E., English J.H. et al. Thermal and pulsed lazer evaporation of single phase AsxPix alloys. // Appl. Phys. Lett. 1983. V.42. № 11. P.952−954.
  26. Ozin G.A. High-temperature gas-phase lazer Raman spectroscopy: Evidence for the existence and molecular structure of interpnictides.// J. Chem. Soc. A. 1970. № 13. P.2307−2310.
  27. Yee K.K., Jones W.E. The emission spectrum of the AsP molecule. // Chem. Communs. 1969. № 11. P.586−589.
  28. Harding L., Jones W.E., Yee K.K. The 1 n-X1S+ band system of AsP.// Canad. J. Phys. 1970. V.48. № 23. P.2842 2851.
  29. Goodfriend R.L. Prediction of vibrational constants for heteronuclear diatomic molecules. // Canad. J. Phys. 1967. V.45. № 10. P.3425−3427.
  30. Shashanka Shekhar Mitra. Grundschwingungen von zweiatomigen Molekulen. // Ztschr. Phys. 1955. B.140.№ 5. S.531−534.
  31. Yee K.K., Jones W.E. The emission spectrum of the XY3 molecules.// J. Mol.
  32. Spectrosc. 1970. V.33. № 1. P.119−124.
  33. Pandey A.N., Sharma D.K., Goel R.K. Vibrational mean amplitudes of XY3 pyramidal molecules.// Spectrosc. Lett. 1973. V.6. № 8. P.419−553.
  34. Kohl F.J., Prusaczyk J.E., Carlson K.D. New gaseous molecules of pnictides. // J. Amer. Chem. Soc. 1967. V.89.№ 21. P.5501−5502.
  35. Yee K.K., Jones W.E. Emission spectrum of the AsSb molecule. // Chem. Communs. 1969. № 3. P.752−753.
  36. Kohl F.J., Carlson K.D. Dissociation energy of Bi-Sb molecules.// J. Amer. Chem. Soc. 1968. V.90. № 18. P.4814−4817.
  37. Kordis J., Gingrich K.A. Mass spectroscopic investigation of the equilibrium dissociation of gaseous Sb2, Sb3, Sb 4, SbP, SbP3 and P2.// J. Chem. Phys. 1973. V.58. № 11. P.5141−5149.
  38. Kordis J., Gingrich K.A. Gaseous phosphorus compounds. VIII. Thermo-dynamic study of antimony monophosphide with amass spectrometer.//J. Phys. Chem. 1972. V.76. № 16. P.2336−2341.
  39. Yee K.K., Jones W.E., Kopp J. Emission spectrym of PSb molecule. // J. Mol. Spectrosc. 1970. V.33. № 1. P. l 19−123.
  40. Jones W.E., Glinn C.Y., Yee K.K. Rotational analyses of the 'll-X1^ system of phosphorus antimonide.// J. Mol. Spectrosc. 1974. V.52. № 3. P.344−357.
  41. Gingrich K.A., Cocke D.L., Kordis J. Gaseous phosphorus compounds. X. Mass -spectrometric determination of the dissociation energies of arsenic and bismuth mono-phosphides.// J. Phys. Chem. 1974. V.78. № 6. P.603−606.
  42. Rajamanickam N., Prahlland U.D., Narasimhamurthy B. On the dissociation energy of
  43. AsP molecule.// Spectrosc.Lett. 1982. V.15. № 7. P.557−564.
  44. H.X., Томтиев Д. С., Шахтахтинский М. Г. Термоэлектрические свойства твердых растворов сурьмы с мышьяком.// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1965. Т. 1. № 7. С.1021−1024.
  45. А.А., Томтиев Д. С., Шахтахтинский М. Г. Получение и исследование электрических свойств монокристаллов твердых растворов Sb As с большим содержанием мышьяка. .// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1966. Т.2. № 1. С.6−8.
  46. А.И., Довжанов X., Таиров С. И. Выращивание монокристаллов некоторых полупроводников и исследование их электрических свойств. // Материалы научн. конф. мол. ученых и аспирантов АН АзССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук. Баку. 1967. С. 139- 148.
  47. Ohyama М. Semiconducting properties in Sb-As alloys.// J. Phys. Soc. Jap. -1965.V.20. № 8. P.1538−1539.
  48. Ohyama M. The electrical properties of Sb-As alloys.// J. Phys. Soc. Jap. 1966. V.21. № 6. P. l 126−1131.
  49. М.И., Томтиев Д. С., Мусаев А. А. О выращивании монокристаллов систем со значительной сегрегацией компонентов, испаряющихся при плавлении. // Изв. АН АзССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук. 1970. № 5. С.48−52.
  50. А.И., Довжанов X., Томтиев Д. С. Выращивание и очистка монокристаллов некоторых полупроводников. // Материалы Всесоюзного совещ. по методам получения особо чистых веществ. 1965 г. М.:1967. С.183−191.
  51. Saunders L.A., Copper G., Miziumski С., Lawson A.W. The electrical propertiesin Sb-As alloys.//J. Phys. Chem. Solids. 1965. V.26. № 3. P.533−539.
  52. A.A., Шахтахтинский М. Г., Томтиев Д. С. О характере изменения электрических свойств твердых растворов сурьма мышьяк.// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1968. Т.4. № 10. С.1640−1645.
  53. Yamaguchi Y., Miyano К., Ishiguro S. Magnetic susceptibilitity of As and As-Sb alloys. // Proc. XII Intern. Conf. Low Temp. Phys. (Kyoto, 1970). Tokyo. 1971. P.581−582.
  54. Yoshitami S., Maczawa K. De Haas van Alphen effect and magnetic susceptibility of antimony — arsenic alloys.// Proc. XII Intern. Conf. Low Temp. Phys. (Kyoto, 1970). Tokyo. 1971. P.583−585.
  55. Tichovolski E.J., Mavroides J.G. Magnetoreflection studies of the band structure of bismuth antimony alloys.// Solid State Communs. 1969.V.7. № 13. P.927−931.
  56. Mase S. Electronic structure of bismuth type crystalls.// J. Phys. Soc. Jap. 1958. V.13. № 2. P.434−443.
  57. Д.В., Федорко A.C. Некоторые гальваномагнитные свойства сплавов висмута с мышьяком.// Исследования по полупроводникам. Кишинев: Изд. МССР. 1968. С.63−66.
  58. Gitsu D.V., Golban J.M., Makeichik A.J. The thermopower and thermomag-netic power in arsenic antimony alloys at low temperatures.// Phys. Status Solidi, B. 1980. V.100. № 2. P.401−406.
  59. H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. M.: Советское радио. 1968. 226 с.
  60. Folberth O.G. Uberblick uber einige physikalisch chemische Eigenschaften der Ani — Bv — Verbindungen unter besonderer Berucksichtigung der Zustandsdia-gramme. // Halbleiterprobleme. 1960. B.5. № 1. S. 40−74.
  61. Я.А., Битюцкая JI.А., Гурза Л. Ф. О температурной зависимости упругости диссоциации InP. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1966. Т. 2. № 11. С. 1944−1947.
  62. Я.А., Битюцкая Л. А., Гончаров Е. Г. Исследование Р-Т-х диаграмм систем In InP и InAs — InP. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1970. Т. 6. № 6. С. 1179−1181.
  63. Liu T.S., Peretti Е.А. The indium arsenic system. // Trans. Amer. Soc. Metals. 1953. V.45. P. 677−685.
  64. B.B., Мильвидский М. Г., Немцова Г. А. Исследование Р-Т-х диаграммы системы In As . // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 5. С. 830−834.
  65. С.А., Дубинский С. А. О диаграмме состояния системы индий сурьма. // Изв. сект. физ. — хим. анализа ИОНХ АН СССР. 1949. Т. 17. № 2. С. 204 208.
  66. В.И., Гейдерих В. А., Герасимов Я. И. Термодинамические свойства сплавов индия с сурьмой. // Ж. физ. химии. 1983. Т. 57. № 11. С. 2708−2711.
  67. Liu T.S., Peretti Е.А. The indium antimony system. // Trans. Amer. Soc. Metals.1952. V.44. P. 539−542.
  68. B.M., Чижевская С. Н., Глаголева Н. Н. Жидкие полупроводники. М.: Наука. 1967. 244 с.
  69. Folberth O.G. Mischkristallenbildung InAs InP Verbindunggen. // Ztschr. Naturforsch. 1955. B. 10, a. S. 502−505.
  70. Koster W., Ulrich W. Zur isomorfic der Verbindunggen des Types AInBv. // Ztschr. Metallkunde. 1958. B. 49. S. 365−367.
  71. Я.А., Гончаров Е. Г., Китина 3.B., Швырева Т. Н. О диаграмме состояния InAs InP. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1968. Т.4. № 3. С. 348 351.
  72. И.В., Матяс Э. Е. Диаграмма состояния системы InAs InP. // Ж. неорган, химии. 1977. Т.22. № 3. С.796−799.
  73. Thompson A.G., Wagner J.W. Preparation and properties of InAs! xPx alloys. // J. Phys. Chem. Solids. 1971. V.32.№ 7. P. 2613−2616.
  74. Carlson K.D., Kohl F.J., Uy O.M. The high-temperature gas-phase Raman spectra of the phosphides. // Advan. Chem. Ser. 1968. V. 72. P. 245−251.
  75. Shin C.H., Peretti E.A. The system InAs InSb. // J. Amer. Chem. Soc. 1953. V. 75. P. 808−810.
  76. Wooley I.C., Smith B.A. Solid solution in A111 Bv compounds. // Proc. Phys. Soc. 1958. V.72.№ 1. P.214−218
  77. Stringfellow G.B., Greene P.E. Liquid phase epitaxial growth of InAs!.xSbx. // J. Electrochem. Soc. 1971. V.118. № 5. P.805−811.
  78. JI.И., Нашельский А. Я., Колесник Л.И. Полупроводниковые фосфиды
  79. AniBv и твердые растворы на их основе. М.: Металлургия. 1974. 230 с.
  80. В.М., Крестовников А. Н., Малютина Г. Л. О закономерности изменения некоторых термохимических свойств в ряду соединений аналогов АШВУ. // Докл. АН СССР. 1967. Т.175. № 3. С.631−634.
  81. В.Т., Семенкович С. А. О приближенном расчете энтропий и теплот плавления некоторых полупроводниковых соединений. // Ж. физ. химии. 1968. Т.42. № 3. С.672−674.
  82. В.М., Айвазов А. А. Энтропия плавления металлов и полупроводников. -М.: Металлургия. 1980. 172 с.
  83. Foster L.M., Woods J.F. Thermodynamic analysis of the III V alloys semiconductor phase diagramms. // J. Electrochem. Soc. 1971. V.118. № 7. P. 11 751 183.
  84. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах / Под ред. Рома-ненко В.Н. М.: Металлургия. 1987. 136 с.
  85. Hultgren R., Ott R.L., Anderson P.D. Selected values of thermodynamic properties of metals and alloys. N.Y.: Wiley. 1963. 517 p.
  86. Четырехкомпонентные твердые растворы в системе In Ga — As — P — новый материал оптоэлектронной техники // Зарубежная электронная техника. 1983. № 8. С. 22−27.
  87. Panish М.В., Ilegems М. Phase equilibria in ternary III V systems // Prog. Solid State Chem. 1972. № 7. P. 39 — 84.
  88. Stringfellow G.B. Calculation of ternary phase diagramms of III V systems. // J. Phys. Chem. Solids. 1972. V.33. № 3. P. 665−677.
  89. Brebrick R.F., Panlener RJ. A systematic investigation of quantitative fits to III V pseudobinaries using the quasiregular model and its special cases. // J. Electrochem. Soc. 1974. V.121. № 7. P. 932−942.
  90. Hall R.N. Solubility of III V compound semiconductors in column III liquids. // J. Electrochem. Soc. 1963. V. 110. № 5. P. 386−388.
  91. B.M., Крестовников A.H., Нагиев B.A. Термографическая оценка теплоты плавления InP. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1974. Т.10. № 4. С. 585−589.
  92. Термические константы веществ / Медведев В. А., Бергман Г. А., Гурвич JI.B. и др.: Справочник. М.: ВИНИТИ. 1971. вып. 5. С. 198−200.
  93. Antypas G.A., Yep Т.О. Growth and characterization of liquid phase epitaxial InAsixPx. // J. Appl. Phys. 1971. V.42. № 8. P.3201−3204.
  94. H.H., Новиков В. В. Диаграмма плавкости системы арсенидов галлия и индия и фосфида индия. // Ж. физ. химии. 1985. Т. 59. № 4. С.829−834.
  95. VielandL. Phase equilibria oflll-V compounds.// Acta Metallurgica. 1963. V. 11. № 2. P. 137−141.
  96. Я.А., Ковтуненко П. В., Майер A.A. Термодинамическое описание фазовых равновесий в приближении идеальных растворов с учетом химических равновесий. // Ж. физ. химии. 1982. Т.56. № 1. С. 60−64.
  97. Lichter B.D., Sommerlet P. Thermal proerties of AniBv compounds. 1. High temperature heat contents of fusion InAs, GaAs and AlAs. // Trans. TYME. 1969. V.245.№ 7. P. 1021−1028.
  98. B.M., Павлова JI.M. Анализ кривых плавкости конгруэнтных диссоциирующих соединений в приближении регулярных растворов. // Докл. АН СССР. 1974. Т. 218. № 3. С. 600−603.
  99. Fedders Р.А., Muller M.W. Mixing enthalpy and composition fluctuations in ternary III V semiconductor alloys. // J. Phys. Chem. Solids. 1984. V. 45. № 6. P. 685−688.
  100. Blachnik R., Schneider A. Schmelzwarmen von III/V und II/VI Verbindungen // Ztschr. Anorg. Allg. Chem. 1970. B.372. № 3. S.314−324.
  101. Terpilovski J., Trzebiatowski W. Thermodynamic properties of indium arsenide // Bull. Acad. Polon. Ser. Sci. Chem. 1960. V.8. № 3. P.95
  102. Nachtrieb N.H., Clement N. Heat of fusion and heat capacity of indium arsenide // J. Phys. Chem. 1958. V. 62. № 7. P.876−877
  103. Schneider A., Blachnik R. Die Spezifischen warmen von InSb zwischen +20 und + 6600 С //Naturwissenschaften. 1962. B. 49. № 20. S. 465−466.
  104. Л.А., Савицкий A.A., Скумс В. Ф. Энтальпия образования твердых и жидких растворов InSb GaSb. // Ж. физ. химии. 1971. Т. 45. № 8. С.2016−2017.
  105. Сох R.H., Pool M.J. Heat contents and heats of fusion of III V compounds // J. Chem. Eng. Data. 1967. V.12. № 2. P. 247−248.
  106. и.А., Шелимова Л. Е., Косяков В. И. Критическая оценка и согласование данных по диаграмме состояния системы In Sb. // Неорганические материалы. 1994. Т. 30. № 4. С.467−473.
  107. В.Б., Вигдорович В. Н., Крестовников А. Н. Термодинамический анализ расплавов полупроводниковых соединений типа AinBv. // Ж. физ. химии. 1967. Т.41. № 8. С. 2041−2044.
  108. Thurmond C.D. Phase equilibria in the Ga As and Ga — P systems. // J. Phys. Chem. Solids. 1965. V. 27. № 2. P. 785−802.
  109. Wagner C. Thermodynamics of phase diagramms of binary systems involving compounds.// Acta Metallurgies 1958. V.6. № 5. P. 309−319.
  110. H.M., Бурдейный A.H., Бандура B.M. Расчет параметров взаимодействия квазибинарных систем1. AmBv. AmBv и ж фюхимии. 1980. Т.54. № 9.1. С.2263−2266.
  111. Н.М., Прач П. И. Параметры взаимодействия и диаграммы состояния квазибинарных систем // Ж. физ. химии. 1983. Т.57. № 8. С. 1857−1866.
  112. С.С., Лебедев В. В. Соединения АШВУ. Справочник. М.: Металлургия, 1984. 144 с.
  113. Stringfellow G.B., Green Р.Е. Calculation of III V ternary phase diag-ramms: In — Ga — As and In — As — Sb. // J. Phys. Chem. Solids. 1969. V. 30. № 7. P. 17 791 791.
  114. Kikuchi R. Theory of ternary III V semiconductor phase diagramms // Physica. 1981. V. 103, B. № 1. P.41−56.
  115. Lendvay E. Ternary AnIBv antimonides. // Prog, cryst. growth and charact. 1984. V.8. P. 371−425.
  116. A.H., Литвак A.M., Чернева T.B. Анализ фазовых равновесий в системе In As — Sb с использованием модели квазирегулярных ассоциированных растворов. // Неорганические материалы. 1990. Т.26. № Ю. С.2022−2025.
  117. Szapiro S. Calculation of the phase diagramm of the GalnSb system in the (Ga + In) rich region. // J. Phys. Chem. Solids. 1980. V.41. № 3. P. 279−290.
  118. Miszynski L., Riabcev N.G. A new method for the determination of liquids surfaces in ternary phase diagramms Ga-As-P, In-As-P, Ga-In-As, Ga-Al-As and Ga-Al-Sb // J. Cryst. Growth. 1976. V. 36. № 2. P. 335−341.
  119. Т.П., Евгеньев C.B., Борисов С. Р. Фазовые равновесия в системе In -Sb As . // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1983. Т. 19. № 3. С. 341 343.
  120. A.M., Чарыков H.A. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1991. Т.27, № 2. С. 225−230.
  121. М.Г., Освенский В. В. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия. 1984. 256 с.
  122. М.Г. Стехиометрия и дефектообразование в полупроводниковых соединениях АШВУ . // Итоги науки и техники. Сер. Электроника и ее применение, Т. 11. М.: ВИНИТИ, 1979. С. 105−141.
  123. В.М., Калинин A.A., Бублик В. Т. Собственные точечные дефекты и микродефекты в монокристаллах антимонида галлия . // Кристаллография. 1986. Т.31.№ 3. С. 615−617.
  124. Т.В., Бублик В. Т., Морозов А. Н., Переверзев А. Т. Природа собственных точечных дефектов в монокристаллах InSb . // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т. 23. № 2. С.195−197.
  125. В.Т., Каратаев В. В., Кулагин P.C. и др. Природа собственных точечных дефектов в монокристаллах GaAs в зависимости от состава расплава при выращивании. //Кристаллография. 1973. Т.18. № 2. С. 353−356.
  126. В.Т., Блаут-Блачев А.Н., Каратаев В. В. Природа собственных точечных структурных дефектов в арсениде индия и их влияние на электрофизические свойства монокристаллов. // Кристаллография. 1977. Т. 22. № 6. С. 1240−1246.
  127. А.Н., Бублик В. Т., Освенский В. В. и др. Природа и концентрация собственных точечных дефектов в нелегированных монокристаллах InP . I. Влияние состава расплава. // Кристаллография. 1983. Т. 28. № 4. С. 776−781.
  128. А.Н., Бублик В. Т., Ковальчук И. А., Столяров О. Г. Собственные точечные дефекты в монокристаллах фосфида галлия . // Кристаллография. 1986. Т. 31. № 5. С. 986−993.
  129. Jordan A.S., Von Neida A.R., Caruso R., Kim C.K. Determination of the solidus and gallium and phosphorus vacancy concentrations in GaP. // J. Electrochem. Soc. 1974. V. 121. № l.P. 153−158.
  130. Wagner R.J. et al. Submillimetre EPR evidence for the As antisite defect in GaAs. // Solid State. Comm. 1980. V. 36. № 1. P. 15−17.
  131. B.B., Холодный Л. П., Мильвидский М. Г. Внутреннее трение в монокристаллах GaAs. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1972. Т.8. № 8. С.802−807.
  132. Chiang S.Y., Pearson G.L. Properties of vacancy defects in GaAs single crystalls. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P.2980−2991.
  133. Bhattacharya P.K., Ku J.W., Owen S.J. The trend of deep states in organo-metallic vapour-phase epitaxial GaAs with varying As/Ga rations. // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 36. № 4. P.304−306.
  134. Van Vechten J.A. Simple theoretical estimates of the enthalpy of antistructure pairformation and virtual-enthalpies of isolated antisite defects in zinc-blende and wurtzite type semiconductors. // J. Electrochem. Chem. 1975. V. 122. P. 423−428.
  135. Logan R.M., Hurle D.T.J. Calculation of point defects concentrations and nonstoichiometry in GaAs. // J. Phys. Chem. Solids. 1971. V. 32. P. 1739−1753.
  136. Hurle D.T.J. Revised calculation of point defect equilibria and nonstoichio-metry in gallium arsenide. // J. Phys. Chem. Solids. 1979. V. 40. P. 613−626.
  137. B.T., Морозов A.H., Освенский B.B. Расчет области гомогенности ар-сенида галлия. // Кристаллография. 1979. Т. 24. № 6. С. 1230−1234.
  138. В.Т., Каратаев В. В., Мильвидский М. Г., Морозов А. Н. Расчет области гомогенности арсенида индия. // Кристаллография. 1981. Т. 26. № 3. С. 554−560.
  139. Ф.А., Горшкова О. В., Поляков А. Я. Расчет области гомогенности ан-тимонида индия. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1981. Т. 17. № 9. С. 1541−1544.
  140. Ф.А., Поляков, А .Я., Горшкова О. В. Расчет областей гомогенности в антимониде и арсениде индия . // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1981. Т. 17. № 5. С. 778−782.
  141. А.Н., Бублик В. Т., Григорьева Т. П. Природа и концентрация собственных точечных дефектов в нелегированных монокристаллах InP. II. Область гомогенности фосфида индия. // Кристаллография. 1984. Т.29. № 4. С. 757−763.
  142. Т.В., Бублик В. Т., Морозов А. Н. Структурный тип преобладающих собственных точечных дефектов и область гомогенности InSb. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1988. Т. 24. № 1. С. 15−18.
  143. Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969.654 с.
  144. Van Vechten J.A. Simple theoretical estimates of the Schottky constants and virtual-enthalpies of single vacancy formation in zinc-blende and wurtzite type semiconductors. // J. Electrochem. Soc. 1975. V.122. № 3. P. 419−422.
  145. Van Vechten J.A. Point defects and deep traps in III V compounds. // Czech. J. Phys., B. 1980. V. 30. № 4. P. 388−394.
  146. У.М. Энтальпии образования точечных дефектов в бинарных и тройных полупроводников. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1988. Т. 24. № 5. С. 735−742.
  147. Bublik V.T. The mean square atomic displacements and enthalpies of vacancy formation in some semiconductors. // Phys.Stat.Solidi (a). 1978. V. 45. P. 543−547.
  148. Van Vechten J. A. A simple means view of the thermochemistry of semiconductors. / Ed. by T.S. Moos. Norther-Holland Publ. Co. 1980. V. 3. 110 p.
  149. Дж. Континуальная теория дислокаций. М.: Ин.лит.1963. 236 с.
  150. В.Т. Рентгеновское исследование атомной структуры и термодинамика твердых растворов полупроводников: Дис.. докт. физ. мат. наук. М.: МИСиС, 1980.
  151. Е.Г., Семенова Г. В., Сушкова Т. П., Хорошилова Н. А. Термодинамическая оценка области гомогенности арсенида индия. // Ж. неорган, химии. 1993. Т.38.№ 3. С. 402−405.
  152. В.М., Крестовников А. Н., Уфимцев В. Б. Физико-химическое исследование антимонидов и арсенидов. // Металлиды строение, свойства, применение. М.: Наука, 1971. 166 с.
  153. Stohr Н., Klemm W. Uber Zweistoffsysteme mit Germanium ii. // Ztschr. anorg. und allgem. Chem. 1940. B. 244. № 1. S. 205−223.
  154. B.M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М.: Наука. 1967. С. 142−146.
  155. Jillson D.C., Sheckler А.С. The segregation coefficient of As in germanium as a function of crystal growth varyables. //Phys.Rev. 1955. V. 98. № 1. P. 229−231.
  156. Hall N. Segregation of impurities during the growth of germanium and silicon crystalls. // J. Phys. Chem. 1953. V.57. № 3. P. 836−838.
  157. Burton J.A., Kolb E.D., Slichter W.P. Distribution of solute in crystals grown from thrmelt.//J. Chem. Phys. 1953. V. 21. № 3. P. 1991−1994.
  158. Trumbore F.A. Solid solubilities of impurity element in germanium and silicon. // Bell Syst. Techn. 1960. V.34. P. 205−241.
  159. Thurmond C.D., Trumbore F.A., Kowalchik N. Germanium solidus curves. // J. Chem. Phys. 1956. V. 25.№ 2. P. 799−800.
  160. B.C., Журкин Б. Г., Юркина K.B. Растворимость мышьяка в германии. // Изв. АН СССР. Металлургия и топливо. 1962. № 2. С. 134−135.
  161. В.И., Гринштейн К. М., Рытова Н. С. О политропии легирующих примесей в полупроводниках. // ФТП. 1970. Т. 4. С. 84−88.
  162. Я.А., Мещанинова JI.H., Гончаров Е. Г. Р-Т-х диаграмма состояния системы Ge-As. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1975. Т. 11. № 4. С.602−806.
  163. Я.А., Гладышев Н. Ф., Гончаров Е. Г. Тензиметрическое исследование системы Ge-As. // Ж. неорган, химии. 1978. Т.23. № 4. С.1065−1068.
  164. Е.Г., Гладышев Н. Ф., Угай Я. А. Физико-химическая природа промежуточных фаз в системе германий мышьяк. // Ж. неорган, химии. 1977. Т.22. №l.C. 1951−1956.
  165. Я.А., Попов А. Е., Гончаров Е. Г. Исследование фазовых равновесий в системе GeAs2 As. // Ж. неорган, химии. 1983. Т.28. № 11. С. 2944−2947.
  166. Я.А., Евсеева С. П., Попов А. Е. Диаграмма состояния системы GeAs2 -As. // Ж. неорган, химии. 1985. Т.ЗО. № Ц. с. 2951−2953.
  167. Zumbusch М., Heimbrecht М., Biltz W. Germaniumphosphid. // Ztschr. anorg. und allgem. Chem. 1939. B.242. № 1. S. 237−248.
  168. H.X., Глазов B.M., Лю-чжань-Юань. Исследование растворимости алюминия и фосфора в германии и кремнии. // Ж. неорган, химии. 1962. Т.7. № 7. С. 831−833.
  169. Я.А., Соколов Л. И., Гончаров Е. Г. Термографическое исследование разреза системы Ge Р — РЬ. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1973. Т.9. № 8. С. 1445−1447.
  170. Л.И. Фазовые равновесия и свойства промежуточных фаз в системах германий фосфор, кремний — фосфор. Дис.. канд. хим. наук. Воронеж. 1983.
  171. Е.Г., Соколов Л. И., Угай Я. А. Диаграмма состояния и некоторые термодинамические параметры системы Ge Р. // Ж.неорган.химии.1975. Т. 20. № 9. С. 2452−2454.
  172. Я.А., Соколов Л. И., Гончаров Е. Г. Р-Т-х диаграмма состояния системы Ge Р. //Ж. неорган, химии. 1978. Т. 23. № 7. С. 1907−1911.
  173. Я.А., Соколов Л. И., Гончаров Е.Г.О термической диссоциации фосфида германия // Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж: Изд. ВГУ. 1974. С. 173−181.
  174. Е.Г. Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия. Воронеж.: Изд. ВГУ. 1989. 208 с.
  175. Biltz W. Beitrage zur systematischen Verwandtschaftslehre 80. Silizium-phosphid. // Sitzungsberichte Preub. Akad. Wiss. Phys.- Phys.-math. Klasse. 1938. B.24. № 10. S. 99−109.
  176. Giessen В., Vogel R. Uber das System Silizium Phosphor. // Ztschr. Metallkunde. 1959. B. 50. S. 274−277.
  177. Я.А., Мирошниченко С. Н., Сысоева Э. А. Исследование частной диа-грамммы состояния Si- SiP. // Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж: Изд. ВГУ. 1974. С. 62−65.
  178. Я.А., Соколов Л. И., Гончаров Е. Г. Р-Т-х диаграмма состояния и термодинамика фазовых равновесий в системе кремний фосфор. // Ж. неорган, химии. 1978. Т.32. № 5. С. 1198−1200.
  179. Jordan A.S., Weiner М.Е. Calculation of the liquidus and component activities in Ga-As-Si and Ga-P-Si ternaiy systems. // J. Electrochem.Soc. 1974. V.121. № 12. P. 1634−1640.
  180. Fritz G., Berkenhoff H.O. Uber ein Siliciumphosphid Si2P. // Ztschr. anorg. und allgem. Chem. 1959. B. 300. № 3. S. 205−209.
  181. Wadsten T. The crystal structures of SiP2, SiAs2 and GeP. // Acta Chem. Scand. 1967. V.21. № 2. P. 593−594.
  182. Wadsten T. Synthesis of a pyriye-type modification of SiP2. // Acta Chem. Scand. 1967. V.21. № 5. P. 1374−1376 .
  183. Marcus S.M. Measurement of the de Haas van Alphen effect in the pyrite structureof SiP2. //Phys. lett. 1981. V. 25 A. № 6. S. 468−469.
  184. Klemm W., Pirscher P. Uber Siliciumarsenids. // Ztschr. anorg. und allgem. Chem. 1941. B.247. S. 211−220.
  185. Я.А., Мирошниченко C.H., Гончаров Е. Г. Исследование Р-Т-х диаграммы системы Si-As. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1974. Т. 10. № 10. С. 1 741 777.
  186. Я.А., Гончаров Е. Г., Гладышев Н. Ф. Тензиметрическое исследование системы Si-As. // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж.: Изд. ВГУ.1981. С. 138−144.
  187. Wadsten Т. The crystal structure of SiAs. // Acta Chem. Scand. 1965. V. 19. P. 1232−1238.
  188. Wadsten T. On the crystallography and morphology of SiAs. // Acta Chem. Scand. 1969. V. 23. № 2. P. 331−333.
  189. Wadsten T. X-ray powder patterns of binary compounds of silicon or germani-um with phosphorus or arsenic and gallium telluride. // Chem. Communs. Univ. Stockholm. 1975.№ 10.P. 14−18.
  190. Wadsten T. Synthesis and structural data of SiP. // Acta Chem. Scand. 1969. V.23. № 7. P. 2532−2533.
  191. Schubert K., DorreE., GunzelE. Kristallchemische Ergebnisse an Phasen aus B-Elementen. //Naturwissenschaften. 1954. B. 41. № 19. s. 448.
  192. Bryden J.H. The crystal structures of the germanium arsenic compounds. // J. Acta Cryst. 1962. V. 15. P. 167−171.
  193. Schmidt P.F., Stickler R. Silicon phosphide precipitates in diffused silicon. // J.
  194. Electrochem. Soc. 1964. V. 111. № 11. P. 1188−1189.
  195. Beck C.C., stickler R. Crystallography of SiP and SiAs single crystalls and of SiP precipitates in Si. // J. Appl. Phys. 1966. V. 37. № 13. P. 4683−4687.
  196. Spring-Thorpe A.J. The preparation of the single crystal orthorhombic SiP2. // Math. Res. Bull. 1969. V.4. № 2. P. 125−128.
  197. Miller L., Kannewurf C.R. Optical properties of single crystal silicon arsenides. // J. Phys. Chem. Solids. 1970. V. 31. P. 849−855.
  198. Rau J.W., Kannewurf C.R. Optical absorption, reflectivity and electrical conductivity in GeAs. // Phys. Rev. B. 1977. V. 3. № 8. P. 2581−2587.
  199. A.H. Электрические свойства моноклинных кристаллов группы AIVBV. // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж.: Изд. ВГУ. 1981. С. 148−151.
  200. Я.А., Ключникова О. В., Гончаров Е. Г. Электрофизические и оптические свойства монокристаллов моноарсенида кремния. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1986. Т. 22. № 3. С. 376−377.
  201. Я.А., Попов А. Е., Гончаров Е. Г. Электрофизические свойства и область гомогенности арсенида германия. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. Т. 19. № 2. С. 190−192.
  202. А.Е. Физико-химическая природа промежуточных фаз в системе германий мышьяк.: Дис. канд. хим. наук. Воронеж. 1982.
  203. Я.А., Попов А. Е., Гончаров Е. Г. Область гомогенности арсенида германия. // Ж. неорган, химии. 1982. Т. 27. № 7. С. 1782−1787.
  204. А.Н., Соколов Л. И., Кавецкий B.C. Электрофизические и оптическиесвойства фосфида германия. // Химия и технология фосфидов и фосфоросодержащих сплавов. Киев. 1979. С. 133−135.
  205. А., Но К., Sakai J. Optical properties of SiAs single crystals. // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. P. 1895−1896.
  206. T., Огава К., Куниока A. Электрические и оптические свойства арсе-нидов германия и кремния. // Дэнки Гаккай Ромбунси. 1976. Т. 96-А. № 7. С. 295 301.
  207. Я.А., Муравьева С. Н., Гончаров Е. Г. Диаграмма состояния системы GeAs-GeP. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1972. Т. 8. № 9. С. 1665−1666.
  208. Я.А., Мещанинова JI.H., Гончаров Е. Г. Р-Т-х диаграмма состояния системы GeAs GeP. // Ж. неорган, химии. 1976. Т. 21. № 1. С. 230−232.
  209. Я.А., Мещанинова JI.H., Гончаров Е. Г. Р-Т-х диаграмма состояния системы GeAs GeP. // Ж. неорган, химии. 1983. Т. 28. № 3. С. 732−734.
  210. Е.Г., Мирошниченко С. Н., Гладышев Н. Ф. Диаграмма состояния системы SiAs SiP. // Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж.: Изд. ВГУ. 1974. С. 65−71.
  211. Я.А., Гончаров Е. Г., Домашевская Э. П. Особенности взаимодействия компонентов в квазибинарной системе SiAs SiP. // Ж. неорган, химии. 1977. Т. 22. № 2. С. 490−494.
  212. JI.H., Гончаров Е. Г., Угай Я. А. Р-Т-х диаграмма состояния системы SiAs- SiP. //Ж. неорган, химии. 1980. Т. 25. № П. С. 3084−3088.
  213. Halansez A., Pungar Е. Adatok a foszfor, arsen, szilicum е germanium olib-dennd. alkotott heteropolisasainah tulajdon sagaihor es analitikal alkaima zasaher 1,2,3.//
  214. Maguar Kemiai Folyoirat. 1970. V.76. № 10. S.494−544.
  215. JI.И. Спектрофотометрический количественный анализ сплавов, содержащих кремний, германий, фосфор, мышьяк. В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж: Изд. ВГУ. 1977. С.205−211.
  216. ASTM Difraction Data Card File. Ref. Swanson and Fuyat. NBS circular 539, Philadelphia, 1973. V.2. P.25.
  217. Зломанов В.П. P-T-x диаграммы состояния двухкомпонентных систем. M.: Изд. МГУ. 1980. 152 с.
  218. A.B. Термодинамическая химия парообразного состояния. Л.: Химия. 1970. 200 с.
  219. Я.А., Гончаров Е. Г., Семенова Г. В., Лазарев В. Б. Фазовые равновесия между фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом. М.: Наука. 1989. 233 с.
  220. А.Д., Агамирова Л. М., Жуков Э. Г. Давление сублимации мышьяка.// Вест. МГУ, сер.2. Химия. 1982. Т.23. № 2. С.104−107.
  221. Horiba S. Bestmmung des Dampfdruckes von metallischen Arsen // Ztschr. Phys.Chem. 1923. B.106. № 1/6. S.295−302.
  222. Rau H. Vapour composition and van der Waals constants of arsenic. // J. Chem. Thermodyn. 1975. V.7. № 1. P. 27−32.
  223. A.B., Пашинкин A.C. Давление пара летучих халькогенидов металлов. М.: Наука. 1973. 110 с.
  224. Я.А., Семенова Г. В., Гончаров Е. Г. Р-Т-х диаграмма состояния системы сурьма мышьяк.//Ж. неорган, химии. 1985. Т.ЗО. № 6. С.1532−1535.
  225. Г. В., Самойлов A.M., Гончаров Е. Г. Состав паровой фазы в системесурьма мышьяк в условиях изотермического равновесия жидкость — пар.// Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1987. Т.ЗО. № 3. С. 19 — 20.
  226. Я.А., Семенова Г. В., Самойлов A.M., Гончаров Е. Г. Анализ фазовых равновесий в системе Sb As.// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т.23. № 9. С.1434−1437.
  227. Я.А., Самойлов A.M., Гончаров Е. Г., Семенова Г. В. Структура и свойства твердых растворов системы Sb As вблизи температуры плавления. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1984. Т. 20. № 10. С. 1611−1614.
  228. Я.А., Гончаров Е. Г., Семенова Г. В. Упорядочение твердых растворов системы сурьма мышьяк.// XII Менд. съезд по общей и прикл. химии. Рефераты докл. и сообщ. М.: Наука. 1981. С. 113.
  229. Е.Г., Пшестанчик В. П., Семенова Г. В. Физико-химические процессы в твердых растворах вблизи линии солидус. // В кн.: Физико-химический анализ гомогенных и гетерогенных многокомпонентных систем. Саратов, 1983. 4.1. С. 33−34.
  230. Я.А., Семенова Г. В., Гончаров Е. Г. Р-Т-х диаграмма состояния системы фосфор мышьяк.// Ж. неорган, химии. 1981. Т. 26. № 8. С.2218−2221.
  231. Я.А., Семенова Г. В., Гончаров Е. Г., Берендт Э. Исследование Р-Т-х диаграммы системы фосфор мышьяк экстраполяционным методом. // Ж. неорган, химии. 1979. Т. 24. № 12. С.3344−3346.
  232. Г. В., Гончаров Е. Г., Гурова С. К. Состав пара в системе фосфор -мышьяк // В кн.: Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж: Изд. ВГУ. 1981. С. 145−148.
  233. Я.А., Семенова Г. В., Самойлов A.M., Гончаров Е. Г. Состав насыщенного пара в системе фосфор мышьяк. // Ж. неорган, химии. 1986. Т.31. № 10. С. 2631−2633.
  234. Rosenblatt G.M. The role defects in vaporization: arsenic and antimony // Surface and defect properties of solids. L.: Acad.Press. 1976. V. 5. P.36−64.
  235. Я.А., Самойлов A.M., Семенова Г. В. Термодинамический анализ взаимодействия компонентов в системе сурьма мышьяк. // Ж. физ. химии. 1986. Т. 60. № 1. С.25−28.
  236. Baker Е.Н. Thermodynamic studies of the arsenic triple point // Trans. Instr. Mining and Met. C. 1974. V.83. P.237−240.
  237. ji.А., Гасанов А. А., Ярошевский А. Г. Давление насыщенного пара над жидким и кристаллическим мышьяком // Докл. АН СССР, 1990. Т.314. № 5. С. 1166−1168.
  238. Nagory R.E., Pollack М., De Winter J. The thermodynamic studies of As Sb and P — Sb alloys. // J. Appl. Phys. 1977. V.48.№ 3. P.1607−1614.
  239. М.Г., Пелевин O.B., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия. 1974. 392 с.
  240. Stull D.R., Sinke G.C. Thermodynamic properties of the elements // Adv. Amer. Chem. Soc.- Chem. Ser. Washington: Dow Сотр. 1956. 234 p.
  241. Дж. Элементы : Справочник. Пер. с англ. М: Мир. 1993. 256 с.
  242. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / Под ред. А. В Новоселовой., В. Б. Лазарева. М.: Наука. 1979. 339 с.
  243. Г. В., Аветисов Ю. Р. Тензиметрическое исследование взаимодействия компонентов в системе фосфор мышьяк // Физико-химия полупроводникового материаловедения. Воронеж: Изд. ВГУ. 1978. С. 144−148.
  244. Е.А., Ярым-Агаев Н.П., Майборода Н. Ф. Вычисление давления насыщенного пара в двойных системах с химическим взаимодействием компонентов в паре // Ж. физ. химии. 1963. Т. 37. № 7. С. 1539−1544.
  245. Г. И., Баев А. К. Особенности испарения хлоридов редкоземельных элементов в системах Kcl LnCl3. // Вест. ЛГУ. Физика, химия. 1962. № 16, С. 89−97.
  246. Г. П., Кукушкина Е. А., Поляченок О. Г. Термическая диссоциация газообразных сульфидов фосфора // Материалы Всесоюзн. конф. по химии парообразных неорганических соединений и процессов парообразования. Минск. 1973. С.75−76.
  247. Г. П., Кукушкина Е. А. Тензиметрическое изучение процессов термической диссоциации газообразных сульфидов фосфора // Ж. физ. химии. 1974. Т.48. № 7. С. 1885−1887.
  248. Н.П., Михайлова O.K. Термодинамические соотношения для метода тензиметрии// Вест. ЛГУ. Физика, химия. 1979. № 10. С. 68−72- 1980. № 10 С. 57−60.
  249. Н.П., Михайлова O.K. О некоторых возможностях применения термодинамики при тензиметрическом исследовании ненасыщенных ассоциированных паров // Математические методы химической термодинамики. Новосибирск: Наука. 1982. С. 102−108.
  250. А.Д., Яковлев О. П. О погрешностях термодинамического расчета равновесного состава // Вест. МГУ. сер. 2. Химия. 1972. Т. 13. № 6. С. 716−718.
  251. А.Д. О тензиметрических методах исследования сложных равновесий // Вест. МГУ. сер. 2. Химия. 1973. Т. 14. № 4. С. 400−404.
  252. А.Д., Яковлев О. П. Метод анализа сложных равновесий при постоянном объеме по тензиметрическим данным // Вест. МГУ. сер. 2. Химия. 1973. Т. 14. № 5. С. 541−545.
  253. Я.А., Семенова Г .В., Берендт Э. Расчет состава пара в системе фосфор -мышьяк // Ж. физ. химии. 1979. Т. 53. № 4. С. 1019−1020.
  254. Ван Везер Дж. Фосфор и его соединения. М.: Изд. ИЛ. 1962. 480 с.
  255. Я.А., Семенова Г. В., Гончаров Е. Г. Термодинамический анализ фазовых равновесий в системе фосфор мышьяк // Ж. физ. химии. 1986. Т.60. № 12. -С. 2952−2954.
  256. В.М., Лазарев В. Б., Жаров В. В. Фазовые диаграммы простых веществ. М: Наука. 1980. 272 с.
  257. Г. Ф. Парциальные термодинамические функции гетерогенных смесей и их применение в термодинамике сплавов // Современные проблемы физической химии. М.: Изд. МГУ. 1976. Т.9. С.29−33.
  258. Г. Ф. Термодинамические свойства промежуточных фаз с узкими облаотями гомогенности // Ж. физ. химии. 1971. Т. 45. № 12. С. 3030−3034- 1972. Т.46. № 2. С.968−970.
  259. В.М., Павлова JI.M. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия. 1988. 560 с.
  260. К. Термодинамика сплавов. М.: Металлургия. 1957. 179 с.
  261. Г. Методы аналитической химии. Количественный анализ неорганических соединений. Ч. 2. М.: Химия. 1969. 1205 с.
  262. Методы анализа материалов, применяемых в электровакуумной промышленности. / Под ред. Клячко Ю. А. М.: Советское радио. 1972. 345 с.
  263. Thompson A.G., Rowe J.E., Rubinstein М. Preparation and optical properties of InAs4. nP" alloys. // J. Appl. Phys. 1969. V. 40. № 8. P.3280−3288.
  264. JI.A., Торбова О. Д. Кристаллизация твердых растворов InAs4.nP" из газовой фазы. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1969.Т.5. № 1. С. 173 -175.
  265. Г. В. Р-Т-х диаграмма состояния системы InAs InP. // Физико-химия полупроводникового материаловедения. Воронеж: Изд. ВГУ. 1979.С. 7378.
  266. Я.А., Самойлов A.M., Семенова Г. В. Система InAs InP. // Ж. неорганической химии. 1985. Т. 30. № 8. С. 2112−2115.
  267. В.Б., Лобанов A.A. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводников. М.: Металлургия. 1981. 216 с.
  268. В.Б., Крестовников А. Н., Костин Г. В. Об «инверсии» состава паровой фазы над полупроводниковыми соединениями АШВУ . // Ж. физ. химии. 1970.1. Т.44. № 5. С. 1360−1363.
  269. Я.А., Семенова Г. В., Гончаров Е. Г., Грекова И. И. Состав пара и термодинамический анализ системы InAs InP. // Ж. неорганической химии. 1986. Т.31. № 3. С.775−778.
  270. С.И. Термодинамика полупроводниковых соединений AInBv. // Итоги науки и техники. Химическая термодинамика и равновесие. М.: ВИНИТИ. 1975 Т. 3. С. 1−150.
  271. A.M. Многокомпонентные металлические системы с промежуточными фазами. М.: Металлургия. 1985. 134 с.
  272. Я.А., Семенова Г. В., Гончаров Е. Г., Грекова И. И. Термодинамический анализ фазовых равновесий в системе In-As-P. // В кн.: Термодинамика и материаловедение полупроводников. Материалы III Всесоюзн. конф. М. 1986.Т.1. С. 137.
  273. Г. В., Угай Я. А., Гончаров Е. Г. Фазовая диаграмма системы In-As-P. // Ж. неорганической химии. 1988. Т.ЗЗ. № 4. С. 1000−1003.
  274. A.M. Закономерности триангуляции тройных систем с «линейными» промежуточными фазами переменного состава. // В кн.: Диаграммы состояния в материаловедении. Киев: Наукова думка. 1984. С. 174−179.
  275. В.Н., Великанова Т. Я., Артюх J1.B. Триангуляция систем с двойными и тройными фазами переменного состава. // В кн.: Диаграммы состояния в материаловедении. Киев.: Наукова думка. 1984. С.28−36.
  276. Jordan A.S. Phase Equilibria of ternary systems.// Metal. Trans. 1971. V.2, № 8. P. 1959−1973.
  277. Г. В., Грекова И. И., Калюжная М. И., Гончаров Е. Г. Состав паровой фазы в тройной системе In-As-P. // Ж. неорганической химии. 1992. Т.37. № 7. С.1635−1637.
  278. Г. В., Угай Я. А., Грекова И. И., Калюжная М. И. Р-Т-х-у фазовая диаграмма системы In-As-P. // Ж. неорганической химии. 1990. Т. 35. № 8. С. 21 302 133.
  279. Е.Г., Сушкова Т. П., Семенова Г. В. Фазовая диаграмма системы 1п-As-Sb. // В кн.: Труды Всероссийск. конф. по термическому анализу и калориметрии. Казань. 1996. С. 111−114.
  280. Е.Г., Семенова Г. В., Угай Я. А. Химия полупроводников/ Учебн. пос. Воронеж: Изд. ВГУ. 1995. 272 с.
  281. В.Н. Физическая химия твердого тела. М.: Химия. 1982. 319 с.
  282. А., Янушкявичюс 3. Точечные дефекты в полупроводниковых соединениях. -Вильнюс: Моколас. 1988. 153 с.
  283. В.Д., Ковязин В. Я., Мильвидский М. Г. Исследование точечных дефектов решетки в соединениях АШВУ методом внутреннего трения.// Физика твердого тела. 1977. Т. 19. № 11. С. 3304−3307.
  284. Г. В., Сушкова Т. П., Гончаров Е. Г., Хорошилова H.A. Расчет области гомогенности фосфида индия. // Ж. неорганической химии. 1993. Т. 38. № 5. С.887−890.
  285. Дж. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир. 1964. 392 с.
  286. Г. В., Сушкова Т. П., Гончаров Е. Г. Отклонение от стехиометрии в полупроводниковых соединениях InP, InAs, InSb. // Ж. неорганической химии.1994. Т. 39. № 10. С. 1612−1615.
  287. В.П., Новоселова A.B. P-T-x диаграммы состояния систем металл -халькоген. М.: Наука. 1987. 208 с.
  288. А.И., Копанская Ф. Я., Тарченко В. П. Расчет нестехиометрии тройных твердых растворов Ga!.xAlxAs и GaAsixPx // Ж. физ. химии. 1991. Т. 65. № 1. С. 281−283.
  289. Ivashchenko A.J., Kopanskaya F.Y., Kuzmenko G.S. Thermodynamic calculation of the equilibrium solidus of binary AinBv semiconductors. The case of GaP and GaAs. // J. Phys. Chem. Solids. 1984. V.45. № 8/9. P. 871−875.
  290. Blom G.M. The Theoretical estimates of the homodensity intervals of the Ga-Al-As ternary solutions. // J. Cryst. Growth. 1976. V. 36.№ 1. P. 125−128.
  291. Г. В., Сушкова Т. П., Гончаров Е. Г. Термодинамический расчет отклонения от стехиометрии в твердых растворах InAsixPx. // Ж. неорганической химии. 1993. Т. 38. № 10. С. 1717−1720.
  292. Г. В., Сушкова Т. П., Гончаров Е. Г. Дефектообразование в твердых растворах InAsixSbx. // Неорганические материалы. 1995. Т. 31. № 3. С. 304−307.
  293. Morozova A., Sushcova Т.Р., Semenova G.V., Goncharov E.G. Native point defects in InAsixPx and InAs! xSbx solid solutions. // ХШ-th Int. Sympozium on the Reactivity of Solids. Hamburg. 1996. P. 3-QC-079.
  294. Е.Г., Сушкова Т. П., Семенова Г. В. Дефектообразование в твердых растворах InAsi.xPx. // XXIX научн. конф. по проблемам математики, физики, химии Российского Университета дружбы народов. М., 1993. Ч.З. С. 23.
  295. Т.П., Гончаров Е. Г., Семенова Г. В. Дефектообразование в твердых растворах InAsi"xSbx.// В кн.: Материаловедение и физика полупроводниковых фаз переменного состава. Тез. докл. II Украинск. конф. Нежин. 1993. 4.2. С. 199.
  296. Г. В., Сушкова Т. П., Гончаров Е. Г. О роли антиструктурного разупо-рядочения в твердых растворах InAs! xSbx. // В кн.: Проблемы химии и химической технологии ЦЧР. Тез. докл. II регионал. научн. техн. конф. Тамбов. 1994. С. 54.
  297. Г. В., Гончаров Е. Г., Калюжная М. И. Фазовые равновесия в системе Ge-As-P. // Физико-химия материалов и процессов в микроэлектронике. Воронеж: Изд. ВГУ. 1989. С. 47−50.
  298. Я.А., Семенова Г. В., Калюжная М. И., Грекова И. И. Т-х-у проекция диаграммы состояния системы Ge-As-P. // Ж. неорган, химии. 1988. Т. 33. № 7. С. 1884−1886.
  299. Е.Г., Семенова Г. В., Калюжная М. И. Термографическое исследование фазовой диаграммы системы Ge-As-P. // Ж. неорган, химии. 1992. Т. 37. № 8. С. 1895−1897.
  300. Г. В., Морозова A.A., Гончаров Е. Г., Долгополова Э. А. Система Ge -As Р. // Ж. неорган, химии. 1997. Т.42. № 2. С. 322−324.
  301. Ф. Диаграммы фазового равновесия в металлургии. М.: Металлургия. 1960. 376 с.
  302. Д.А. Двойные и тройные системы. М.: Металлургия. 1986. 256 с.
  303. А.А., Семенова Г. В., Гончаров Е. Г. Особенности образования твердых растворов в системе Ge-As-P. //В юн.: Материаловедение и физика полупроводниковых фаз переменного состава. Тез. Докл. II Украине, конф. Нежин. 1993. Ч. II. С. 272.
  304. Я.А., Грекова И. И., Семенова Г. В. Термодинамическое описание фазовых равновесий в тройной системе Ge -As -P. // В кн.: Термодинамика и материаловедение полупроводников. Тез. докл. IV Всесоюзн. конф. М.: 1989. Ч. I. С. 145.
  305. Н.Ф. Расчет диаграммы состояния системы GeAs- GeP в приближении регулярных растворов. // В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж.: Изд. ВГУ. 1974. С. 58−62.
  306. Г. В., Морозова А. А., Гончаров Е. Г. Термодинамический анализ Р-Т-х- у фазовой диаграммы системы Ge-As-P. // Ж. неорган, химии. 1993. Т.38. № 12. С. 2023−2025.
  307. Я.А., Мещанинова Л. Н., Семенова Г. В., Гончаров Е. Г. Состав пара в системах GeAs GeP, SiAs — SiP. // Ж. неорган, химии. 1986. Т. 31, № 8. С. 21 012 104.
  308. Hiller R., Bouix J., Michaelides A. Elaboration characterisation et stabilite thermique des arseniures de germanium et silicium. // J. Thermochim. Acta. 1980.1. V.38.№ 3. P. 259−277.
  309. Я.А., Мещанинова Л. Н., Семенова Г. В., Гончаров Е. Г. Состав пара и термодинамический анализ системы GeAs GeP. // Ж. физ. химии. 1986. Т. 60. № 7. С. 1777−1780.
  310. Г. В., Гончаров Е. Г., Мещанинова Л. Н. Фазовые равновесия в квазибинарных полупроводниковых системах AIVAs AIVP. // III Всесоюзн. конф. «Термодинамика и материаловедение полупроводников» М. 1986. Т. 1. С. 136.
  311. Semenova G.V., Sushkova Т.Р., Morozova A., Goncharov E.G. Processing of defect formation and deviation from stoichiometry in semiconductor AinBv and AIVBV compounds. // Inst. Phys. Conf. Ser. 160. IOP./Publ. Ltd. 1997. P. 385−388.
  312. Л. Природа химической связи. M., Л.: Госхимиздат. 1947. 440 с.
  313. Е.Г., Семенова Г. В. Калюжная М.И., Соловьев Н. Е. Политермический разрез SiAs SiP. // Ж. неорган, химии. 1993. Т. 38. № 4. С.709−710.
  314. Г. В., Морозова А. А., Гончаров Е. Г. Анализ фазовых равновесий в системе Si-As-P. // Ж. неорган, химии. 1995. Т. 40. № 4.С.658−660.
  315. Я.А., Семенова Г. В., Мещанинова Л. Н., Гончаров Е. Г. Физико-химическое исследование системы SiAs SiP. // Ж. неорган, химии. 1987. Т. 32. № 9. С. 2338−2341.
  316. Korb J., Hein К. Dampfdrucuntersuchungen in System Zn-Si-P. // Ztschr. anorg. allgem. Chem. 1976. B. 425. S. 281−288.
  317. Я.А., Семенова Г. В., Соколов Л. И., Гончаров Е. Г. Термическая диссоциация монофосфида кремния. // Ж. неорган, химии. 1987. Т. 32. № 6. С. 1459−14
  318. H., Klemm W. // Ztschr. anorg. und allgem. Chemie. 1939. B. 241. № 4. S.305.424.
  319. Г. В., Забахидзе Г. Е., Гончаров Е. Г. Твердые растворы в системе Ge -Si As. // Проблемы химии и химической технологии. Сб. докл. IV регион, на-учн. конф. Тамбов. 1996. С. 20−21.
  320. Г. В., Забахидзе Г. Е., Гончаров Е. Г. Политермический разрез SiAs-GeAs. // Ж. неорган, химии. 1997. Т. 42. № 10. С. 1744−1745.
  321. И.В., Егоров Л. А., Шаханов Н. В. Выращивание монокристаллов твердых растворов InAs-InP из газовой фазы. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1966. Т. 2. № 10. С. 1872−1873.
  322. Л.А., Доронин В. Н., Медведева З. С. О равновесном давлении паров в системе InAs-InP-I2. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1970. Т.6. № U.C. 1944−1946.
  323. Misimo Osami, Arai Ken’ishi. Vapor growth of InAsixPx. // Jap. J. Appl. Phys. 1974. V.13. № 12. P. 1955−1958.
  324. Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов. / А. Я. Нашельский (СССР). № 644 906/22- заявл. 23.11.59- опубл. 10.12.60. Бюл. № 12. С.40−41.
  325. О.В., Нашельский А. Я., Островская В. З. Рентгенографическое исследование твердых растворов InAs-InP. // Кристаллография. 1961. Т. 6. № 1.1. С. 119−121.
  326. Я.А., Гончаров Е. Г., Болховитина И. Б. Получение твердых растворов InAsi-xPx постоянного состава по длине слитка. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1965. Т. 1. № 7. С. 1104−1108.
  327. Процессы роста и выращивания монокристаллов. / Под ред. H.H. Шефталя. М: Изд. ИЛ. 1963. С. 255−258.
  328. Я.А., Семенова Г. В., Грекова И. И., Гончаров Е. Г. Физико-химическое исследование системы In-As-P.// VII Всесоюзн. сов. по физико-химическому анализу. Тез. докл. Фрунзе: ИЛИМ. 1987. С. 457−458.
  329. Е.Г., Грекова И. И., Семенова Г. В. Фазовые равновесия и выращивание кристаллов в системе In-As-P. // Термодинамика и материаловедение полупроводников. Тез. IV Всесоюзн. конф. М. 1989.4.1. С. 111.
  330. Я.А., Семенова Г. В., Грекова И. И., Калюжная М. И. Получение кристаллов твердых растворов в системе In-As-P. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1991. Т. 27. № 8. С. 1560−1562.
  331. Я.А., Мещанинова Л. Н., Семенова Г. В., Самойлов A.M., Гончаров Е. Г. Получение однородных кристаллов твердых растворов с двумя летучими компонентами. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1990. Т. 26. № 3. С 476 479.
  332. Г. В., Грекова И. И., Калюжная М. И., Гончаров Е. Г. Фазовые равновесия и получение кристаллов твердых растворов в системе Ge-As-P. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1991. Т. 27. № 8. С. 1563−1566.
  333. Г. В. Анализ фазовых равновесий в тройных системах с участием элементов V группы периодической системы. // Вестник ВГУ. Серия 2. 1998. № З.С. 206−215.
  334. УгайЯ.А. Общая химия. М.: Высшая школа. 1984. 440 с.
  335. A.A., Мечковский JI.A., Вечер A.A. Исследование термодинамических свойств в системе Bi Sb // Ж. физ. химии. 1975. Т. 49. № 11. С. 29 212 923.
  336. Г. В. Анализ многокомпонентных равновесий в паровой фазе систем на основе мышьяка и фосфора. // В кн.: Проблемы химии и химической технологии ЦЧР РФ. Сб. докл. V регион, научн.-техн. конф. Липецк. 1997. С.131−135.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?