Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Контроль качества и прогнозирование надежности изделий электронной техники по электрофизическим параметрам

Диссертация: Контроль качества и прогнозирование надежности изделий электронной техники по электрофизическим параметрам
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты диссертационной работы были доложены на 11-ом Всесоюзном совещании по физике отказов АН СССР (г. Москва, 1979), на Всесоюзных научно-технических конференциях «Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства неразрушающего контроля качества промышленной продукции» (г. Одесса, 1977, г. Могилев, 1984, г. Саратов, 1991, г. Ульяновск, 1993, 2000) — на ежегодных семинарах… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Физические процессы старения в оксидных конденсаторах и методы контроля их качества и прогнозирования надежности
    • 1. 1. Пробой и электрическое старение металлооксидных диэлектрических пленок
    • 1. 2. Перенос кислорода и электростимулированный рост кристаллов Ta205 (Nb205) в конденсаторной системе металл -анодный оксид — электролит. Изотопные исследования
    • 1. 3. Кинетика электростимулированного роста кристаллов Та
  • Nb2Os) в конденсаторной системе металл — анодный оксид -электролит
    • 1. 4. Влияние структуры оксида и межфазовой границы раздела металл — оксид на кинетику процесса электростимулированного роста кристаллов Та205 и Nb
    • 1. 5. Кинетика процесса развития пробоя аморфных металлооксидных диэлектриков
    • 1. 6. Процессы электрического старения оксидного диэлектрика и модели прогнозирования долговечности конденсаторов
    • 1. 7. Возможности прогнозирования показателей надежности оксидных конденсаторов по результатам испытаний в динамических режимах нагружения
    • 1. 8. Структурно-чувствительные и кинетические свойства и диагностика металлооксидных конденсаторных диэлектриков
    • 1. 9. Методики определения характеристических параметров кинетики электрического разрушения металлооксидных пленок в рабочей структуре электролитических конденсаторов
    • 1. 10. Возможности прогнозирования временной стабильности свойств оксидного конденсаторного диэлектрика и отбраковки потенциально ненадежных изделий
    • 1. 11. Возможности улучшения эксплуатационных свойств конденсаторов с оксидным диэлектриком
  • Выводы
  • Глава 2. Контроль качества фоторезисторов по совокупности электрофизических параметров и математическое моделирование их отказов
    • 2. 1. Определение информативных параметров фоторезисторов для индивидуального прогнозирования их надежности
    • 2. 2. Экспериментальные исследования оценки качества и прогнозирования надежности по коэффициенту низкочастотного шума
      • 2. 2. 1. Определение рациональных режимов измерения коэффициента низкочастотного шума. щ 2.2.2. Выявление потенциально ненадежных фоторезисторов по коэффициенту низкочастотного шума
      • 2. 2. 3. Взаимосвязь низкочастотного шума с дефектами фоторезисторов
    • 2. 3. Аппаратная реализация метода неразрушающего контроля качества фоторезисторов
  • Ф 2.3.1. Принцип измерения уровня низкочастотного шума фоторезисторов
    • 2. 3. 2. Основные технические характеристики измерителя низкочастотных шумов фоторезисторов
    • 2. 3. 3. Структурная схема измерителя низкочастотных шумов фоторезисторов
    • 2. 4. Анализ качества функционирования фоторезисторов с учетом деградации информативных электрофизических параметров
  • Выводы
    • Глава 3. Методы и средства отбраковки потенциально ^ ненадежных полупроводниковых приборов по шумовым характеристикам при ускоренных испытаниях
    • 3. 1. Постановка задачи и выбор объекта исследования
    • 3. 2. Разработка эквивалентной схемы возникновения низкочастотного шума в исследуемом полупроводниковом приборе
    • 3. 3. Выбор и обоснование метода измерения низкочастотного шума
    • 3. 4. Моделирование отказов полупроводниковых приборов по электрофизическим параметрам
    • 3. 4. 1. Физическое и математическое моделирование
    • 3. 4. 2. Прогнозирование безотказной работы Ш полупроводниковых приборов при линейном законе деградации электрофизических параметров
    • 3. 5. Экспериментальное исследование зависимости уровня низкочастотного шума полупроводниковых приборов при ускоренных испытаниях
    • 3. 5. 1. Выбор режимов проведения эксперимента
  • Ф 3.5.2. Анализ результатов эксперимента
    • 3. 5. 3. Теоретическая интерпретация результатов эксперимента
  • Выводы
    • Глава 4. Методы и приборы неразрушающего контроля качества и прогнозирования надежности транзисторов и операционных усилителей по уровню их низкочастотных шумов
    • 4. 1. Выбор объекта исследования и его характеристика
    • 4. 2. Разработка физических эквивалентных схем операционных усилителей
    • 4. 3. Методы и аппаратура для измерения низкочастотных шумов операционных усилителей
    • 4. 4. Прогнозирование надежности операционных усилителей по уровню их низкочастотных шумов
  • Выводы

Контроль качества и прогнозирование надежности изделий электронной техники по электрофизическим параметрам (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Задачи повышения качества и технического уровня продукции особенно важны и актуальны в радиоэлектронике [154,233,252,254]. Современные достижения космонавтики, научного приборостроения, систем космической связи и других областей науки и техники были бы невозможны без широкого использования радиоэлектронных средств (РЭС) повышенной надежности. Обеспечение высокого качества и надежности РЭС требует значительного повышения качества и надежности комплектующих изделий, среди которых большой объем составляют изделия электронной техники.

Проблема обеспечения качества ИЭТ до сих пор не получила полного исследования. Ее разрешение имеет большое значение и для изготовителей ИЭТ, и для потребителей, поскольку причины отказов возникают как в процессе изготовления, так и при эксплуатации и длительном хранении изделий.

В работах ряда ученых — Б. С. Сотскова, В. Т. Ренне, И. Т. Шефтеля, А. О. Олеска, С. Д. Ханина, В. И. Соколова и др. — исследованы физико-химические процессы, приводящие к отказам ИЭТ, и установлена связь этих процессов с некоторыми электрофизическими параметрами ИЭТ. Существование такой связи инициировало исследования информативности электрофизических параметроврезультаты исследований, представленные в работах Л. Г. Дубицкого, Г. Б. Сердюка, JT.JI. Кристалинского и др. показали принципиальную возможность индивидуального прогнозирования.

Принципиальный аспект метода контроля по электрофизическим параметрам представляется очевидным, но его практическая реализация связана с рядом технических трудностей и физических противоречий.

С деградацией ИЭТ в той или иной мере связаны несколько электрофизических параметров, и характер связи проявляется различно в.

ИЭТ).

I ¦ надежности ИЭТ [12,14,15,160,171,220,228,233,234,236]. разных изделиях. Для реализации метода нужны конкретные знания о связях значений электрофизических параметров с вероятностью отказа изделия.

Усложнение условий применения ИЭТ в аппаратуре, повышение интенсивности и числа внешних воздействий, а также рост степени интеграции с повышением функциональной значимости задач, выполняемых РЭС, возлагает большие требования к прогнозированию отказов ИЭТ. Под отказом в этих условиях понимается не только выход из строя ИЭТ, но и изменение режима работы — так называемый параметрический отказ. Например, в точной контрольно-измерительной аппаратуре, где требования к уровню собственных шумов крайне жесткие, возникновение в схеме источника избыточного шума, а при определенных условиях, как будет показано ниже, им может быть само ИЭТ, можно рассматривать как выход устройства из рабочего состояния. В этой связи на первый план выходит анализ скрытых дефектов, которые не влияют на параметры прибора в момент оценки его характеристик, но проявляются спустя некоторое время или в определенных условиях в процессе эксплуатации изделия.

Роль прогнозирования отказов в проблеме надежности непрерывно повышается, отражая переход от чисто математических методов теории надежности к глубокому изучению причин и механизмов отказа, к физике отказов, к рациональному сочетанию физических и математических методов [12,159,224,229,232,236,247.252]. Только в этом случае возможны, и квалифицированное проведение исследований, и правильная интерпретация полученных результатов.

В настоящее время наметилась тенденция к комплексному подходу обеспечения надежности: использование априорной информациипостроение физико-статистических моделейприменение физико-технических методов неразрушающего контроля качества и новых средств измерения с высокими метрологическими показателями.

Такой подход позволяет более строго оценивать качество выпускаемых изделий, дает возможность разработать методы индивидуального прогнозирования их надежности, позволяющие значительно повысить оперативность контроля и сократить объем испытаний на надежность [172,220,221,225,226,253,254].

Актуальной задачей является также установление связи основных показателей надежности с информативными электрофизическими параметрами, чувствительными к отказам ИЭТ. Знание физических процессов, приводящих к отказам ИЭТ, позволяет научно обосновывать и выбирать наиболее эффективные конструкторско-технологические и эксплуатационные способы повышения надежности, разрабатывать эффективные методы неразрушающего контроля, испытаний, прогнозирования и физико-технического анализа отказов ИЭТ [19,154,155,157,158,163.165,170,234,250].

В диссертационной работе предполагается, что среди многочисленных параметров, характеризующих любой ИЭТ, имеются параметры, чувствительные к зарождению отказа, при этом не обязательно, чтобы в качестве таковых выступали основные выходные параметры прибора.

Перспективным направлением в разработке экспресс методов неразрушающего контроля качества (НКК) и прогнозирования надежности ИЭТ, являются методы интегральной диагностики по информативным электрофизическим параметрам: уровню шума в низкочастотном и СВЧ диапазонах, нелинейности вольтамперных, вольтфарадных и других характеристик, «ш» и «р» параметров и др. Эти методы оперативны (их можно непосредственно внедрять в автоматические линии технологических процессов производства ИЭТ) и информативны (электрофизические параметры, с одной стороны, связаны с физико-химическими явлениями, протекающими внутри ИЭТ, а с другой — могут учитывать условия эксплуатации).

Литература

посвященная электрофизическим методам неразрушающего контроля качества ИЭТ, чрезвычайно обширна. Отметим только наиболее известные работы отечественных.

11,12,20,137,165,166,172,186,235,255.259] и зарубежных авторов [17,18,140. 146,237.239,252].

Особое место среди перечисленных выше электрофизических методов НКК занимает метод контроля качества ИЭТ по уровню низкочастотного шума (НЧШ). Эффективность метода электрофлуктуационной диагностики определяется чувствительностью шумовых характеристик к характеру и распределению различных дефектов в ИЭТ, так как электрические флуктуации являются следствием протекающих в них деградационных явлений.

Проблема 1/f шума насчитывает 60 лет. В зарубежной и отечественной литературе освещены основные свойства 1/f шума как универсального типа флуктуаций всех материальных объектов [17,141,223,255,260]. В настоящее время теоретически обосновано и экспериментально подтверждено наличие флуктуаций 1/f типа и их связь с деградационными явлениями на поверхности и в объеме различных материалов [223,231,249,255,261 .263].

Существует точка зрения на возможный механизм формирования 1/f шума, заключающийся в том, что этот шум сопровождает любой нестационарный процесс [8,168,247], который, в свою очередь, является фундаментальным свойством всех деградационных явлений. Из этого вытекает универсальность метода контроля качества ИЭТ по параметрам низкочастотного шума.

В работах [3,138,148,186,235,250,255] показана эффективность контроля качества ИЭТ по параметрам 1/f шума, с помощью которых можно прогнозировать отказы и надежность изделий. Таким образом, к основным достоинствам метода НКК по характеристикам 1/f шума относятся: их связь с деградационными процессамивысокая чувствительность параметров 1/f шума, деградация которых может быть обнаружена задолго до деградации основных параметров приборауниверсальностьвозможность сочетания физического и статистического подходов при определении надежности изделийвозможность отбраковки изделий на различных этапах их изготовления и контролявозможность прогнозирования индивидуального срока их службы.

Следует отметить, что большинство публикаций по данной проблеме, как правило, связано с исследованиями, подтверждающими эффективность методов НКК по низкочастотному шуму. Однако четко разработанных методов контроля для определенного класса ИЭТ на настоящий момент недостаточно. Это связано со спецификой работы приборов и их конструкций, что требует разработки диагностической аппаратуры для каждого типа изделий специально.

Внедрение методов НКК по электрофизическим параметрам, в частности, по низкочастотному шуму, позволит решить следующие задачи.

На стадии производства: обеспечение эффективности контроля качества исходных материалов и комплектующих изделийкорректировку технологических режимов изготовленияувеличение процента выхода годных изделийсокращение длительности испытаний ИЭТ.

На этапах испытаний и эксплуатации: обеспечение входного контроля ИЭТ с целью отбора изделий с повышенной надежностьюотбраковку потенциально ненадежных изделийоценку работоспособности ИЭТ в реальных условияхоптимизацию разработки ИЭТ и их компоновки с точки зрения повышения надежности.

В заключение отметим, что кроме упомянутых выше наиболее полных результатов по исследованию связи шумов полупроводниковых приборов с их надежностью, были опубликованы еще ряд работ экспериментального характера по этому вопросу [5,6,227,231,248,254,264]. Анализ проведенных исследований низкочастотных шумов 111 111 показал, что они не являются всеохватывающими: измерение НЧШ, в основном, проводились в нормальных условиях при комнатной температуре, что является значительным пробеломво многом это связано с большими техническими сложностями при проведении подобных исследований.

Во-первых, при воздействии температуры в полупроводнике должны активизироваться дефекты, которые в других условиях не проявляются, и соответственно, картина дефектности ИЭТ будет более полной. Во-вторых, современная радиоэлектронная аппаратура работает в широком диапазоне температур, и подчас к ней предъявляются высокие требования по стабильности работы, в том числе и по уровню собственного шума (высокоточная контрольно-измерительная аппаратура, космическая техника и т. д.). В этих условиях крайне важно знать не только как долго проработает в РЭС то или иное изделие электронной техники, но и как оно будет себя вести при изменяющихся нагрузочных и температурных воздействиях.

Исследования автора выполнялись на кафедре конструирования и производства радиоэлектронной аппаратуры Северо-Западного заочного политехнического института (г. Санкт-Петербург) в рамках госбюджетной и хоздоговорной тематики по планам работы комиссии «Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства неразрушающего контроля качества изделий из неметаллических материалов и микроэлектроники» целевой комплексной программы «Неразрушающий контроль и диагностика» Министерства науки, высшей школы и технической политики Российской.

Федерации, «Физические методы контроля» Российской академии наук, а также государственной программы «Качество».

Под руководством и при непосредственном участии автора выполнены научно-исследовательские работы:

— Разработка и исследование неразрушающих методов контроля качества нелинейных резисторов (отв. исполнитель) per. № 75 005 100, 1977 г.

— Исследование и разработка методов неразрушающего контроля качества фоторезисторов (отв. исполнитель) per. № 78 011 031, 1980 г.

— Исследование и разработка методов неразрушающего контроля качества и методика анализа отказов изделий микроэлектроники (отв. исполнитель) per. № 1 840 010 239, 1984.

— Исследование и разработка методов неразрушающего контроля качества и методика анализа отказов изделий микроэлектроники (научн. руководитель) per. № 1 850 008 854, 1986 г.

— Исследование, разработка и внедрение автоматизированной системы контроля качества и испытаний изделий электронной техники (научный руководитель) per. № 1 870 015 025, 1988 и 1990 г. г.

Исследование, разработка и внедрение методов и автоматизированных средств оценки и прогнозирования надежности изделий электронной техники (ИЭТ) (научн. руководитель) per. № 1 890 025 931, 1990.

— Методы и средства оптического, радиоволнового и теплового неразрушающего контроля качества промышленной продукции (отв. исполнитель) per. № 1 910 001 173, 1991 г.

— Исследование и разработка методов и средств контроля параметров электрических сигналов функциональных узлов РЭА на базе ПЭВМ, (научн. руководитель) per. № 1 910 015 807, 1991 г.

— Автоматизация контрольно-испытательных операций телевизионных приемников с помощью ПСКФ-Ш, (научн. руководитель) per. № 1 910 046 838, 1992 г.

— Исследование эксплуатационной надежности изделий электронной техники, применяемых в БРЭА и разработка рекомендаций на ее повышение, (научн. руководитель) per. № 1 850 023 186, 1985 г.

— Разработка и адаптация программно-математического обеспечения с целью оценки деградации ИЭТ при испытаниях на долговечность на базе персональной ЭВМ типа IBM PC/AT (научн. руководитель), 1991 г.

— Автоматизация диагностики и неразрушающих испытаний узлов и блоков БРЭА, (научн. руководитель) 1992 г.

Совокупность проблем обеспечения качества поставляемых ИЭТ с одной стороны, и с другой — видимая возможность универсального решения для многих их них, на основе метода контроля по электрофизическим параметрам, рассматриваются автором как объективные признаки актуальности работы.

Целью диссертационной работы являлось повышение достоверности контроля качества и индивидуальное прогнозирование надежности изделий электронной техники.

Для достижения поставленной цели представлялось необходимым:

1. Исследовать механизмы отказов и установить доминирующие факторы, определяющие надежность, долговечность и сохраняемость ИЭТ.

2. Выявить причины ускоренного старения и деградации ИЭТ.

3. Установить перечень электрофизических параметров ИЭТ, обеспечивающих индивидуальное прогнозирование их надежности.

4. Разработать методы аппаратурной оценки информативных электрофизических параметров ИЭТ.

5. Провести экспериментальную отработку предложенных методов индивидуального прогнозирования надежности изделий и разработать методики отбраковок потенциально ненадежных ИЭТ.

Для решения поставленных задач использовались методы физического и математического моделирования, современные физические модели полупроводников и диэлектриков, положения теории надежности, теории вероятностей, математической статистики, корреляционно-регрессионного анализа, математического планирования эксперимента, теории распознавания образов, методы цифрового спектрального анализа.

Математическая обработка полученных экспериментальных данных, построение моделей и проверка их адекватности осуществлялась с применением ЭВМ с использованием стандартных и оригинальных программ.

Научная новизна работы заключается в комплексном решении проблем повышения достоверности контроля качества ИЭТ.

Наиболее существенные научные результаты, полученные автором, следующие:

1. Установлены природа и закономерности процессов старения приборных структур оксидных конденсаторов, ограничивающих срок их службы.

2. Разработаны физические и математические модели явлений разрушения оксидного конденсаторного диэлектрика и приборной структуры в целом в сильных электрических полях.

3. Определены структурные дефекты приборной системы оксидного конденсатора, приводящие к ускорению, ее электрического разрушения и информативные для их выявления электрофизические параметры.

4. Разработаны методики контроля и прогнозирования временной стабильности свойств оксидного конденсаторного диэлектрика, основанные на вольти хроноамперометрии.

5. Разработаны методики контроля качества и индивидуального прогнозирования надежности оксидных конденсаторов, основанные на диэлектрической и электрофлуктуационной спектроскопии в области инфразвуковых частот.

6. Сформулированы научно-обоснованные рекомендации по совершенствованию технологии, направленные на повышение качества и надежности оксидных конденсаторов.

7. Разработаны физические эквивалентные шумовые схемы, с помощью которых могут быть представлены шумовые характеристики полупроводниковых приборов и интегральных операционных усилителей.

8. В рамках разработанных моделей аналитически определены величины спектральной плотности шумового напряжения и тока с учетом действия внутренних источников шумов ИЭТ, отражающих действие различных физических механизмов. 9. Получены зависимости изменения уровней низкочастотных шумов ИЭТ от температуры и токовой нагрузки. Ю. Показана эффективность применения совокупности двух информативных электрофизических параметров: уровня низкочастотного шума и нелинейности вольтамперной характеристики для контроля фоторезисторов.

11 .Разработаны методы обнаружения потенциально ненадежных и отбора высоконадежных полупроводниковых приборов, фоторезисторов и операционных усилителей по результатам измерения информативных электрофизических параметров.

Практическая значимость результатов диссертационной работы состоит в том, что разработанные научные положения послужили основой для принципиального решения ряда задач неразрушающего контроля качества и индивидуального прогнозирования надежности ИЭТ, в их перечень входят:

1. Ускоренная оценка долговечности оксидных конденсаторов при заданных условиях их электротеплового нагружения.

2. Методика определения допустимых пределов нагружения оксидных конденсаторов, отвечающих требованиям к их надежности.

3. Контроль качества оксидного диэлектрика конденсаторных структур.

4. Индивидуальное прогнозирование надежности оксидных конденсаторов на стадии их изготовления.

5. Повышение надежности оксидных конденсаторов технологическими средствами.

6. Методика выявления потенциально ненадежных фоторезисторов.

7. Отбор полупроводниковых приборов для использования в высокоточной и малошумящей контрольно-измерительной аппаратуре.

8. Повышение эффективности термоэлектротренировок ИЭТ.

9. Автоматизации контроля качества изделий в процессе производства, на выходе технологического процесса и на входном контроле у их потребителей.

Результаты диссертационной работы внедрены в виде методик и аппаратуры в ЛНПО «Позитрон», Государственном испытательном центре ВНИИ «Электронстандарт», НИИ электронно-механических приборов (г.Пенза), Научно-производственном предприятии «Биоспектр» и др., а также использовались при аттестации специалистов по оптическому, радиоволновому и тепловому видам неразрушающего контроля в МГТУ им Н. Э. Баумана и в СЗТУ и опубликованы в справочнике МЭП «Анализ отказов и контроль технологических операций производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов».

Материалы диссертационной работы использованы в учебном процессе СЗТУ при подготовке инженеров по специальности 2008 — Конструирование и технология производства РЭА.

Основные результаты диссертационной работы были доложены на 11-ом Всесоюзном совещании по физике отказов АН СССР (г. Москва, 1979), на Всесоюзных научно-технических конференциях «Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства неразрушающего контроля качества промышленной продукции» (г. Одесса, 1977, г. Могилев, 1984, г. Саратов, 1991, г. Ульяновск, 1993, 2000) — на ежегодных семинарах службы надежности МЭП (г. Пенза, 1978, 1982, Ереван, 1985, Псков, 1986, Витебск, 1987, Суздаль, 1989, Ленинград, 1978;1990, 1992 гг.) — ХИ-ой Всесоюзной научно-технической конференции «Неразрушающие физические методы и средства контроля» (Свердловск, 1990) — Ш-ей Всесоюзной конференции «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов» (Кишинев. 1991 г.) — 3-ей межотраслевой конференции «Неразрушающие методы контроля изделий из полимерных материалов» (г. Туапсе. 1989) — Х-ой Ленинградской конференции «Повышение качества и надежности промышленных изделий» (Ленинград, 1989) — на выездном заседании экспертного совета по машиностроению Гособразования СССР (Ивано-Франковск, 1990) — на постоянно действующем семинаре «Актуальные вопросы теории и практики надежности» (1980;1991 гг.) ЛОС НТО ЛДНТПна XV, XVI, XVIII Научно-технических конференциях СЗПИна 2-ом заседании Национального аттестационного комитета СССР по неразрушающему контролю (Ленинград, 1991) — на.

Всесоюзной научно-методической конференции «Физика в системе современного образования» (Ленинград, 1991, г. Сочи, 1993) — на Международной конференции «Диэлектрики-2000» (Санкт-Петербург, 2000).

В первой главе представлены результаты исследований процессов старения в приборных структурах оксидных конденсаторов, ограничивающих срок их службы, и развитые на этой основе методы контроля их качества и индивидуального прогнозирования надежности.

Во второй главе представлены результаты исследований факторов, определяющих качество фоторезисторов (ФР). Показатели качества ФР определены «техническими условиями», а факторы, влияющие на показатели качества, выявлены фактологическим анализом внутренней структуры и наружной поверхности фоторезистивного слоя ненадежных приборов.

На основании анализа предложенный метод неразрушающего контроля качества позволяет производить отбраковку потенциально ненадежных фоторезисторов по совокупности двух электрофизических параметров (уровень низкочастотного шума и нелинейность вольт-амперной характеристики) с высокой точностью и значительно повысить надежность выпускаемой продукции.

Результаты исследований внедрены в ЛНПО «Позитрон».

В третьей главе представлены теоретическое обоснование и экспериментальные исследования зависимостей поведения уровня низкочастотного шума полупроводниковых приборов от температуры и тока с целью повышения их качества и надежности. Результаты исследований внедрены в НПО «Биоспектр», ООО «НПО МЭП».

В четвертой главе разработаны методы и аппаратура для неразрушающего контроля качества и прогнозирования надежности интегральных операционных усилителей (ОУ) по уровню их шумов на инфранизких частотах. Результаты работы внедрены в КБ «Россия».

На основании рассмотрения материалов и обсуждения результатов, вошедших в диссертационную работу, на научно-технических конференциях, симпозиумах, семинарах и совещаниях, можно сделать вывод, что большинство из указанных положений приняты научной общественностью.

На защиту выносится комплексное исследование проблемы контроля качества и прогнозирования надежности изделий электронной техники, состоящее в теоретическом и экспериментальном обоснованиях информативности латентных физических признаков функциональных качеств и долговечности изделий, включающее в себя:

1. Разработку обобщенной концепции получения диагностической информации по электрофизическим параметрам изделий.

2. Исследование связи естественной релаксации приборных структур с характеристиками их надежности.

3. Методику оценки влияний технологических дефектов приборных структур на их электрофизические параметры.

4. Методы построения физических и математических моделей систем получения диагностической информации по электрофизическим параметрам.

5. Аналитическую оценку адекватности предложенных моделей физико-химическим процессам старения полупроводниковых структур.

6. Новые методы измерения уровня низкочастотных шумов, обеспечивающих достоверность диагностической информации.

7. Разработку процедур производственного контроля, обеспечивающих принцип единства измерений.

8. Разработку систем аппаратного обеспечения сплошного производственного контроля группы изделий электронной техники.

9. Определение способов повышения качества и надежности изделий путем управления технологическими факторами при их изготовлении.

Основные результаты диссертационной работы формулируются:

1. Изучены процессы старения в приборных структурах оксидных конденсаторов, ограничивающие срок их службы, и показано, что определяющую роль играют процессы разрушения конденсаторного диэлектрика в сильных электрических полях (электрического разрушения).

2. Экспериментально исследованы закономерности электрического разрушения оксидного конденсаторного диэлектрика: электростимулированного роста кристаллов оксида в приборной структуре электролитических конденсаторов и пробоя аморфного диэлектрика в приборных структурах оксидцо-полупроводниковых и оксидно-металлических конденсаторов.

3. На основании результатов структурных и электрофизических исследований развиты модельные представления о механизмах процессов электрического разрушения аморфного металлооксидного диэлектрика: реакционной диффузии (электродиффузии) кислорода к поверхности металла, приводящей к полицентрическому зарождению кристаллической фазы, и накопительных взаимосвязанных электронных и ионных процессах развития пробоя.

4. Разработаны математические модели кинетики процессов электрического разрушения оксидного конденсаторного диэлектрика, описывающие зависимости степени кристалличности и величины ионного тока в процессе электростимулированного роста кристаллов оксида от длительности нагружения и времени развития пробоя аморфного диэлектрика от условий нагружения приборных структур. На основе установленных кинетических закономерностей разработаны модели прогнозирования долговечности оксидных конденсаторов в зависимости от условий их нагружения.

5. Установлена взаимосвязь электропрочностных параметров оксидного конденсаторного диэлектрика при статической и динамической нагрузках и на этой основе предложен метод ускоренной оценки долговечности конденсаторов по величине порогового напряжения шума, измеренного в динамическом режиме при двух различных скоростях роста испытательного напряжения.

6. Выявлены структурные факторы, влияющие на скорость электрического разрушения оксидного конденсаторного диэлектрика, в том числе неоднородность строения и степень отклонения состава аморфных слоев оксида металла от стехиометрического, а также состояние межфазовой границы раздела металл-оксид. Проанализированы возможности выявления потенциально опасных структурных дефектов на основании измерений электрофизических параметров конденсаторной структуры.

7. Предложены методы контроля качества оксидного конденсаторного диэлектрика, в том числе для выявления фазовой неоднородности — по характеру нелинейности электронной проводимости оксида металла в различных структурных состояниях и устойчивости по отношению к электротепловому нагружению — по параметрам временной зависимости ионного тока.

8. Разработаны методы неразрушающего контроля качества и индивидуального прогнозирования надежности оксидных конденсаторов, основанные на диэлектрической спектроскопии в области инфразвуковых частот. В качестве информативных электрофизических характеристик и параметров предложено использовать частотную зависимость тангенса угла потерь в инфразвуковой области и относительное изменение его величины при приложении постоянного смещающего напряжения в неомической области.

9. Разработан метод неразрушающего контроля качества и отбраковки потенциально ненадежных изделий, основанный на электрофлуктуационной спектроскопии в области инфразвуковых частот, где в качестве информативного электрофизического параметра предложено использовать спектральную плотность мощности низкочастотных избыточных шумов. Установлена корреляция данных диэлектрической и электрофлуктуационной спектроскопии.

10. Развиты технологические подходы к повышению устойчивости приборных структур оксидных конденсаторов к электротепловому нагружению, основанные на совершенствовании используемых и применении новых материалов.

11.Выявлены потенциально опасные структурные дефекты в приборных структурах фоторезисторов и показаны возможности их обнаружения на основе совокупности электрофизических параметров: уровня низкочастотного шума, в котором проявляются дефекты фоточувствительного слоя полупроводника и нелинейности вольтамперной характеристики, отражающей состояние контактных узлов.

12.На основе установленных корреляций уровня низкочастотного шума полупроводниковых диодов с условиями электротеплового нагружения разработана эффективная методика индивидуального прогнозирования надежности.

13.Показано, что интегральные биполярные операционные усилители целесообразно представлять при моделировании их шумовых свойств, тремя типами эквивалентных шумовых схем. Обоснована моделирующая эквивалентная шумовая схема входного дифференциального каскада операционных усилителей, в которой на основе физических предпосылок учтены основные источники электрических флуктуаций.

14. Создана серия приборов для измерения уровня низкочастотных шумов в ИЭТ, в том числе предназначенных для измерений при повышенных температурах.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.Н., Кристалннский JT.JT. Определение информационных параметров для индивидуального прогнозирования надежности фоторезисторов СФ2−12 //Электронная техника.- Сер.8.- 1977.- № 5.-С.43−49.
  2. В.Н., Кристалинский JI.JT., Розин И. Т. Индивидуальное прогнозирование надежности фоторезисторов на основе статистической теории распознавания образов //Электронная техника.-Сер.8.- 1978.- № 6.-С.З-8.
  3. А.С. Низкочастотный шум и надежность полупроводниковых приборов //Труды МЭИ.- 1977.- Вып.334.- С.78−80.
  4. .С. О токовых шумах в неметаллических резистивных материалах //Электронная техника. Сер.8: 1967.- Вып.4.
  5. .Ю. Разработка и внедрение в производство методов неразрушающего контроля качества и надежности радиодеталей //Электронная техника. Сер.8.- 1972.- Вып.9.- С.21−24.
  6. .Ю., Кристалинский JT.JT. Применение методов неразрушающего контроля при производстве резисторов и конденсаторов //Электронная техника. Сер.8.- 1973.- Вып.6.- С.16−18.
  7. Л.П., Карпов Ю. С. Электронные флуктуации в фоторезисторах //Радиотехника и радиоэлектроника. 1970.- Т.15.- № 9.- С.30−33.
  8. А.К., Врачев А. С. Теория низкочастотного шума. -М.: Энергия, 1972.
  9. Н.А. Новые методы неразрушающего контроля качества и технической диагностики: Обзор //Зарубежная радиоэлектроника .1974 .-№ 3 .- С. 54.
  10. .С. основы теории и расчета надежности элементов и устройств автоматики и вычислительной техники. -М.: Высшая школа, 1970.
  11. З.Чернышев А. А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Радио и связь, 1988.
  12. Н.С. и др. Обеспечение качества РЭА методами диагностики и программирования.-М.: Изд-во стандартов, 1983. -224с.
  13. М.М., Платонов В. В., Дадео Л. И. Неразрушающие методы обеспечения надежности радиоэлектронной аппаратуры. -Киев.: Техника, 1980.
  14. O’Connor P.D.T. Reliability prediction- Help or hoax? //Solid State Technology.-1990. Vol.33. — N 8. — P.59−61.
  15. Allan R.J., Roesch W.J. Reliability prediction: the applicability of high temperature testing //Solid State Technology.- 1990. Vol.33.- N 9.- P. 103 108.
  16. B.H., Геликман Б. Ю., Кристалинский Л. Л. Прогнозирование надежности радиодеталей (резисторов и конденсаторов). Л.: ЛДНТП, 1982.-28 с.
  17. JI.JI., Орлов В. М. Анодные оксидные пленки. JL: Наука, 1991.-200 с.
  18. Lomer P.D. Dielectric strength of aluminium oxide films. // Proc. Phys. Soc. 1950. — V.8.- N 6, — P.797−798.
  19. Kawamura H., Azuma K. Dielectric breakdown of thin aluminium oxide film. // Journ. Phys. Soc. Japan. 1953. — V.8, N.6, — P.797−798.
  20. JI.JI., Платонов Ф. С., Савина Г. М. Электрическая прочность оксидных пленок на вентильных металлах. 1. Электрический пробой оксидных пленок на тантале и цирконии при постоянном напряжении. //Изв. ВУЗов: Сер. Физика. 1967.-№ 1.-С. 121−126.
  21. Пассивные радиокомпоненты. Часть 1: Электрические конденсаторы С. Д. Ханин, А. И. Адер А.И., В. Н. Воронцов, О. В. Денисова: Учеб.пособие.-СПб.: СЗПИ, 1998.
  22. Е.М. Некоторые закономерности пробоя анодных оксидных пленок в системе металл окисел — металл // Анодные оксидные пленки: Межвуз. сб. науч. тр. — Петрозаводск: ПГУ, 1978. — с. 150−157.
  23. Е.М., Платонов Ф. С., Шинкарчук А. В. Электрический пробой анодных оксидных пленок. // Анодные оксидные пленки: Межвуз. сб. науч. тр. Петрозаводск: ПГУ, 1978. — С. 158−165.
  24. Е.Я. Искрение в системах металл окисел — электролит и металл — окисел — Мп02 — электролит // Анодные оксидные пленки: Межвуз. сб. ПГУ. — Петрозаводск, 1978. — С. 138−150.
  25. Е.Я. Физико-химические процессы при образовании окисных пленок: Автореф. дис. канд. хим. наук/ Инст. электрохимии АН СССР.- М., 1983.- 16 с.
  26. В.П., Платонов Ф. С. Физика диэлектриков. Сильные поля: Учеб пособие- Петрозаводск: Петрозаводский государственный университет, 1984. 78 с.
  27. Larin Н.В. Mechanism of electrolytic rectification // Journ. Electrochem. Soc. 1952. — V.99.- № 1.-P.30−35.
  28. Ulrich D. Die Sprunge des Formierungs-Gradienten bei der anodischen Oxydschichtbildung von Aluminium und Tantal in wabrigen Elektrolyten. // Z. Hochschule Elektrotechn. 1957. — Bd.3. — S.65−66.
  29. A.A., Воробьев Г. А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. -М.: Высшая школа, 1966. 224 с.
  30. Just G. Die Durchschlagsfestigkeit auberst diinner Ta2Os Schichten in Abhangigkeit von der Schichtdicke// Z. Physik.- 1936.- Bd.82.- № 1−2. -S.l 19−133.
  31. Betz H. Die Durchschlagsfestigkeit auberst diinner Ta205 und A1203 -Schichten in Abhangigkeit von der Schichtdicke// Z. Physik 1936.- Bd.83.-№ 9−10. — S.644−649.
  32. Pakswer S., Pratiniclinik K. Negative resistance in thin anodic oxide films. // Journ. Appl. Phys., 1963. — V.34.- № 3. — P.711−716.
  33. Shousha A.H.M. Filamentary breakdown in thin anodic films. // Journ. Non-Cryst. Solids. 1975. — V. 17.- N 1. — P.100−108.
  34. Г. А., Мухачев B.A. Пробой тонких диэлектрических пленок. -М.: Сов. радио, 1977. 70с.
  35. De Wit H.J., Wijenberg Ch., Gevercouer С. The Dielectric breakdown of anodic aluminium oxide. // Journ. Electrochem. Soc. 1976. — V.123.-N 10, — P.1480−1486.
  36. А., Бетц Г. Электролитические конденсаторы. М.: Оборонгиз, 1939. — 200 с.
  37. Klein N. Electrical breakdown in thin dielectric films. // Journ. Electrochem. Soc. 1969. — V. 116. — N 7. — P.963−972.
  38. Yahalom J., Zahavi J. Electrolytic breakdown crystallization of anodic oxide films on Al, Taund Ti. //Electrochim. Acta. 1970. -V. 15. — P. 1429−1433.
  39. Burger F., Wu I.C. Dielectric breakdown in electrolytic capacitor // Journ. Electrochem. Soc. 1971. — V. l 18. — N 11, — P.2039−2042.
  40. M.E., Чернышев B.B., Войщев B.C. Исследование процессов искрения при формовке анодов электролитических конденсаторов. // Изв. ВУЗов. 1966. — Вып.57. — С. 156−160.
  41. B.A., Шмидт T.B. Исследование электрического пробоя некристаллического окисла тантала // Физ. тв. тела. 1989. — Т.31.-№ 2.-С. 187−192.
  42. Н.Ю., Лалэко В. А., Шмидт Т. В. Исследование электрического пробоя в окислах тантала, алюминия и кремния // Физика окисных пленок: Тез. докл. Всесоюзной конф. -Петрозаводск, 1987. С.75−76.
  43. В.А., Ершова Н. Ю. Исследование электрического пробоя анодного окисла алюминия // Изв. ВУЗов: Физика. 1990. — № 4. -С.25−28.
  44. Klein N., Albert М. Electrical breakdown of aluminum oxide films formed flanked by metallic electrodes// Journ. Appl. Phys. 1982. — V.53. — № 8. -P.5840−5850.
  45. De Wit H.J., Grevecour G. Electrical breakdown of anodic aluminum oxide // Phys. Lett. 1974. — V.50A, № 5. — P.365−366.
  46. Schwartz N., Gresh M. Effect of ambient and contact area on the asymmetric conduction of anodic tantalum oxide films // Journ. Electrochem. Soc. 1965. — V. l 12. — № 3. -P.295−300.
  47. Axelrod N.N., Schwartz N. Asymmetric conduction in thin films Та (Та oxide) metal structures. Interstitial an substitutional impurity effects and direct detection of flow breakdown // Journ. Electrochem. Soc. 1969. -V. 116.- № 4. — P.460−465.
  48. P.A., Давыдов А. Д. Диэлектрические анодные пленки на металлах. // Итоги науки и техники. Сер. Коррозия и защита от коррозии.- 1990. Т.16. — С.89−143.
  49. Е.В. Диэлектрические материалы с неоднородной структурой. -М.: Радио и связь, 1983. 127 с.
  50. Ф.С. Электрическая прочность оксидных пленок на вентильных металлах. II. О времени запаздывания разряда в тонких оксидных пленках на алюминии и тантале // Изв. ВУЗов: Физика. -1967. № 2. — С.7−12.
  51. В.А. Экспериментальное изучение предпробивных токов в диэлектрических слоях // Физика диэлектриков: Пробой и электрическое старение диэлектриков: Тез. докл. Всесоюзной конф. -Томск, 1983.-С. 16.
  52. Klein N. Electrical breakdown in insulators by one-carrier impact ionization. // Journ. Appl. Phys. 1982. — V.53. — № 8. — P.5828−5839.
  53. Klein N. Electrical breakdown mechanisms in thin insulators // Thin Solid Films. 1978. — V.50.- № ½. — P.223−232.
  54. Klein N., Solomon P. Current runaway in insulators affected by impact ionization and recombination // Journ. Appl. Phys. 1976. — V.47. — № 10. -P.43 64−43 72.
  55. Kashat J., Klein N., Current runaway in insulators affected by impact ionization and drift // Journ. Appl. Phys., 1977. — V.48 .- № 12. — P.5217−5226.
  56. Кинетика нарушения электрической прочности в пленках окислов / И. А. Сербанов, В. В. Фролов, В. В. Салун, Л. А. Рябова // Физика окисных пленок: Тез. докл. II Всесоюзной конф. Петрозаводск, 1987. — 4.1. -С.45.
  57. Klein G.P., Jaeger N.I. Electron injection into anodic tantalum oxide enhanced by ionic interface polarization // Journ. Electrochem. Soc. 1970. — V. l 17.- № 10. — P.1423−1435.
  58. Jaeger N.I., Klein G.P., Myzvabghes M. Electron injection in valve metal oxides//Journ. Electrochem. Soc. 1972. — V. l 19.-№ 11. — P. 1531−1538.
  59. Klein G.P., Jaeger N.I. Electron injection and interfacial reactions at valve metal oxides // Thin Solid Films. 1977. — V.43 .- № ½. — P. 103−131.
  60. В.А., Одынец Л. Л., Зайденберг А. З. Исследование процесса «активации» проводимости (деградации) анодных пленок на тантале в сильных электрических полях // Электрохимия. 1981. — Т. XVII, № 8. -С. 1246−1248.
  61. В.А., Райкерус П. А. Исследование необратимых изменений проводимости окисных пленок на тантале в сильных электрических полях//Журн. техн. физики. 1982. — Т.52 № 1. — С. 134−135.
  62. В.А., Одынец JI.JI., Стефанович Г. Б. Ионный ток и кинетика «активации» проводимости (деградации) анодных окисных пленок на тантале в сильных электрических полях // Электрохимия. 1982. — Т. XVIII.- № 6. — С.833−836.
  63. В.А., Райкерус П. А. О механизме изменений проводимости некристаллического окисла тантала при деградации в сильном электрическом поле // Журн. техн. физики. 1984. — Т.54.- № 1. — С.200−202.
  64. В.А., Райкерус П. А. Исследование переноса заряда в тонких диэлектрических пленках окисла тантала // Физика диэлектриков. Явления в тонкопленочных системах и на границах раздела: Тез. докл. Всесоюзной научн. конф. Баку, 1982. — С.73−74.
  65. Klein N. Electrical breakdown in thin dielectric films // Journ. Electrochem Soc. 1969. — V. l 16, N 7. -P.973−979.
  66. Д.В., Мирзоев P.A. Тепловой пробой диэлектрических анодных пленок // Электрохимия. 1987. — T.XXIII.- № 5. — С.595−601.
  67. Р.А. Тепловой пробой анодных пленок при наличии поверхностной проводимости границы оксид электролит // Электрохимия. — 1987. — T.XXIII.- № 5. — С.676−679.
  68. Е.В., Ермолина Э. И. Кинетические эффекты в диэлектриках при тепловой неустойчивости // Физ. тв. тела. — 1987. Т.29 .- № 4. -С.977−984.
  69. В.А. Факторы, определяющие электрический пробой анодного окисла алюминия // Физики окисных пленок: Межвуз. сб. науч. тр. -Петрозаводск: ПГУ, 1987. С.73−77.
  70. С.А., Шкут В. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1978. — 203 с.
  71. Долговечность и механизм старения оксидно-полупроводниковых конденсаторов /Копач В.Р., Поздеев Ю. Л., Столов JI.A., Скатков И. Б. // Электронная техника. Сер.8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1979. — Вып.1(71). — С.32−35.
  72. Е.В. Модели долговечности конденсаторных структур и кинетика изменения вольтамперных характеристик // Электронная техника. Сер.8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1982. — Вып.3(95). — С.23−24.
  73. Thomas О., Heurle М., Charai A. Reacted amorphous layers: tantalum and niobium oxides // Phil. Mag. B. 1988. — V.58, № 5. — P.529−538.
  74. Юнг Л. Анодные оксидные пленки. Л.: Энергия, 1967. — 232 с.
  75. М.Н., Муждаба В. М. Ханин С.Д. Современные представления о механизме электропроводности оксидного диэлектрика конденсаторов. // ЦНИИ «Электроника». Обзоры по электронной технике. Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты, 1982. -Вып.3(866). 40 с.
  76. С.Д. Проблемы электрофизики металлооксидных конденсаторных диэлектриков// ЦНИИ «Электроника». Обзоры поэлектронной технике. Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты .- 1990. -Вып. 1 (1524).-57 с.
  77. Vermileya D.A. The Crystallization of anodic tantalum oxide films in the presence of a strong electric field // Journ. Electrochem. Soc. 1955. -V.l02 .-N22, P.207−215.
  78. Franklin R.W. Electrolytic capacitor // Proc. Inst. Electric Eng. 1962. -V.B109, suppl., N 22. — P.525−536.
  79. Brettle J., Jackson N.F. Failure mechanisms of solid electrolytic capacitors // Electrocomp. Science Technol. 1977. — V.3. — P.233−246.
  80. Goudswaard В., Dreisens F.J.J. Failure mechanism of tantalum capacitors // Electrocomp. Science Technol. 1976. — V.2. — P. 171−179.
  81. Shwartz N, Gresh M., Karlik S. Niobium solid electrolytic capacitors //Journ. Electrochem. Soc. 1961. — V. l 08. — № 8. — P.750−757.
  82. JI.A. Полевая кристаллизация анодных оксидных пленок на ниобии // Анодные оксидные пленки: Межвуз. сб. науч. тр. -Петрозаводск: ПТУ, 1978. -С.70−79.
  83. JI.A., Чекмасова С. С. Применение метода частотных характеристик для анализа изменений, происходящих в конденсаторных системах металл окисел — электролит // Анодные оксидные пленки: Межвуз. сб. науч. тр. — Петрозаводск: ПТУ, 1978. -С.181−189.
  84. Hasegawa Y., Morimoto К. Characteristics and failure analysis of solid tantalum capacitors// Nec. Res. Developm. 1978. — № 50. — P.79−94.
  85. Vermileya D.A. Nucleation of crystalline Ta205 during field crystallization // Journ. Electrochem. Soc. 1957. — V. l04 .- № 9. — P.542−546.
  86. Jackson N.F. Field crystallization of anodic films on tantalum // Journ. Appl. Electrochem. 1973. -№ 3. -P.91−98.
  87. Vermileya D.A. Effect of ultraviolet irradiation on the growth of anodic Ta205 films// Journ. Electrochem. Soc. 1957. — V.104. — № 4. -P.212.
  88. Ohrlein G.S., d’Heurle E.M., Reisman A. Some properties of crystallized tantalum pentoxide thin films on silicon// Journ. Appl. Phys. -1984. V.35. — № 10. — P.3715−3725.
  89. Г. И., Маркова H.E. Кристаллизация и структура барьерных анодно-оксидных пленок тантала // Физика диэлектриков и перспективы ее развития. Тонкие диэлектрические пленки: Материалы Всесоюзной конф. Л., 1973. -Т.З. -С.244.
  90. Е.И., Чернякова JI.E. Исследование кристаллизации анодного оксидного слоя на ниобиевой фольге // Украинский физ. журн. 1973. — Т. 39. — № 1. — С. 45−48.
  91. Л.Л. Модель полевой кристаллизации в системе металл -оксид — электролит // Электрохимия. 1987. — T.XXIII. — № 12.- С. 1703−1706.
  92. Л.Л. Модель полевой кристаллизации в системе металл -окисел электролит // Физика окисных пленок: Тез. докл. Всесоюзной конф. — Петрозаводск, 1987. — С.36.
  93. А.Н. К статистической теории кристаллизации металлов. // Изв. АН СССР. Сер. Математ. 1937. — Т.З. — № 3. — С. 355 359.
  94. Исследование процессов старения оксидных слоев на алюминии и тантале, а также элементов конструкции конденсаторов при электротепловом нагружении: Отчет о НИР /НИИ «Гириконд" — Рук. Ю. М. Мудролюбов, С. Д. Ханин. № ГР 6 005 807. — Л., 1988. — 79 с.
  95. Е.И. Феноменологическое описание некоторых типичных процессов отказов изделий и материалов электронной техники //Физика отказов: Тез. докл. -М.: Наука, 1979.
  96. Вопросы качества радиодеталей /Б.Ю.Геликман, Г. А. Горачева, В. В. Стальбовский, Л. Л. Кристалинсий, под ред. А. П. Балашова. -М.: Сов. радио, 1980 .-328с.
  97. П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М.: Мир, 1975. -396 с.
  98. Швайко-Швайковский В. Е. Особенности ионного транспорта в тугоплавких оксидах с отклонением от стехиометрии. // ДАН СССР. -Т.273. № 5. — С. 1150−1152.
  99. В.В. Отклонение от стехиометрии в анодных оксидных пленках. // Физ. хим. обраб. матер. 1987. — № 1. — С.89−94.
  100. В.В. Теория ионной проводимости в тонких оксидных пленках при одновременном переносе анионов и катионов. // Электрохимия. T.XXIV.- № 9. — С.1163−1169.
  101. Transformation in a metal/insulator/semiconductor structure with an amorphous insulator film caused by contacts /B.T.Boiko, P.A.Pancheha, V.R.Kopach et al. //Thin Solid Films. 1985. — V.130 .-№ ¾. — P.341−345.
  102. Межфазное взаимодействие на границе с окислом в слоистых системах / Б. Т. Бойко, П. А. Панчеха, В. Р. Копач, Ю. Л. Поздеев // Украинский физ. журн. 1982. — Т.27 .-№ 11.- С. 1684−1687.
  103. Наблюдение стимулированных электрическим током структурных превращений в системе металл диэлектрик — полупроводник / Б. Т. Бойко, П. А. Панчеха Ю.Л.Поздеев, В. Р. Копач // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1983 .- № 12. — С.84−92.
  104. Kinetic measurements of oxygen dissolution into niobium substractes: in situ X-ray photoelectron spectroscopy study /B.R.King, H.S.Patel, D.A.Gulino, B.J.Tatarchuk //Thin Solid Films. 1990. — V.192 .- № 2. -P.351−369.
  105. Ю.П. Некоторые закономерности, связывающие физико-химические и диэлектрические свойства вещества //
  106. Электронная техника. Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты. 1972.- Вып.2(27). С.63−71.
  107. Dreiner R. Temperature dependence of the field coefficient for the anodization of tantalum //Journ. Electrochem. Soc. 1964. — V.III.- E.M. 4. -P.1350−1355.
  108. Argall F., Jonscher A.K. Dielectric properties of thin films of aluminium oxide and silicon oxide // Thin Solid Films. 1968. — V.2 .- № 3.- P.185−211.
  109. О., Гопкинс Б. Окисление металлов и сплавов. -М.: Металлургия, 1965. 428 с.
  110. Влияние ориентации монокристаллов на вторичную ионно-ионную эмиссию /М.А.Васильев, И. А. Запорожец, С. П. Чепахин, В.Т.Черепин// Взаимодействие атомных частиц с твердым телом: Сб. статей. Харьков, 1976. — С.98−101.
  111. Влияние сверхвысоковакуумной термообработки ниобия на электрофизические свойства его анодного оксида /В.М.Орлов, Т. И. Рюнгенен, А. В. Новотельнова, С. Д. Ханин //Высокочистые вещества. 1989.- В.6. — С. 193−197.
  112. Структурные превращения на границе металл-аморфный окисел. /Л.А.Алешина, В. П. Малиненко, А. Д. Фофанов, Н.М.Яковлева// Анодные окисные пленки: Межвуз. сб. науч. тр. Петрозаводск: ПТУ, 1978. — С.44−58.
  113. А.Л. Изучение ионных процессов при электрическом старение двуокиси титана (рутила): Автореф. дис.канд. техн. наук. — Л.: ЛПИ, 1970.- 16 с.
  114. Н.А., Погуляев В. В. Влияние термополевой обработки на электрофизические характеристики анодного оксида тантала // Известия ВУЗов. Физика. 1991. — № 9.
  115. С.Д. Проблемы электрофизики металлооксидных конденсаторных диэлектриков// ЦНИИ «Электроника»: Обзоры по электронной технике. Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты. 1990. -Вып. 1(1524). — 57 с.
  116. B.C. Физическое прогнозирование отказов оксидно-полупроводниковых конденсаторов //Физика отказов: Тез. докл. — М.: Наука, 1979.
  117. Ю.П. Электрофизическое диагностирование ИЭТ // Электронная промышленность 1990. — В.6. — С.5−8.
  118. Pawell R.E., Campbell J.J. The Influence of alloing elements on oxygen diffusion and flexure in tantalum base alloys // Acta Metal. 1981. -V.29. — № 5. -P.809−817.
  119. Г. Б. Теория и методы интегральной диагностики по нелинейным эффектам и переходным процессам //Методы и средства интегральной диагностики.- Киев, 1984 .- С.4−11.
  120. К.В., Концевой Ю. А., Павлов Э. В. Определение параметров скрытого канала ПЗС по изменению ВАХ и ВФХ тестовых транзисторов //Электронная техника. Сер.2 .- 1984 .- Вып. З, С.45−48.
  121. В.Н., Алхименков С. В. Индивидуальное прогнозирование надежности изделий электронной техники по уровню низкочастотного шума//Радиотехника. Метрология: Доклады юбилейной НТК.- СПб.: СЗПИ, 2000.
  122. И.Л., Кристалинский Л. Л., Мотенко Е. Н. Применение метода измерения порогового напряжения шума для неразрушающего контроля качества конденсаторов с органическим диэлектриком //Электронная техника.- Сер.8. 1983. — Вып.5 (104).
  123. А.С. О механизме связи НЧ-шума с надежностью элементов РЭА // Материалы Всесоюзн. конф. Флуктуационные процессы в электронных системах. Рига, 1984. — С.29−34.
  124. М. Шумы в электронных приборах и системах: Пер. с англ. /Под ред. В. Н. Губанкова. М.: Мир, 1986 .- 400 с.
  125. Ван-дер Зил А. Единое представление шумов типа 1/f в электронных приборах: фундаментальные источники //ТИИЭР. 1988. — Т.76,. -N 3. — С.28−56.
  126. F.N. 1/f noise // Physica. 1976. — Vol.83B. — P. 14−23.
  127. Pellegrini B. The theory of flicker noise //Phys. Rev.B., 1980, Vol.22. -N10.-P.4684−4691.
  128. Palenskis V., Shoblitskas Z. Oridin of 1/f noise //Solid State Commun. -1982, Vol.43, N 10, P761−763.
  129. Van Vliet C.M. A survey of results and future prospects on quantum 1/f noise and 1/f noise in general //Solid State Electron. 1991. — Vol.34. — N 11.- P. 1−21.
  130. J., Voss R.F. 1/f noise from thermal fluctuations in metal films //Phys. Rev. Lett. 1974. — Vol.33. — P.24−27.
  131. А.С. О термодинамическом подходе к проблеме низкочастотного шума //Изв. Вузов. Радиофизика. — 1980. — Т.23. -N12.- С. 1464−1472.
  132. А.С. О связи старения с природой НЧ-шума в диэлектриках//Тр. МЭИ .- 1982 .- Вып. 579.
  133. В.Н. Методика оценки влияния конструкторско-технологических факторов на выбор прогнозирующего параметра при исследовании надежности элементов оптоэлектроники//Материалы XIV НТК.-Л.: СЗПИ, 1976.
  134. В.Н., Каминер В. И. К вопросу контроля качества и надежности фоторезисторов неразрушающими методами//Труды СЗПИ.1976.-№ 37.-С.6−10.
  135. В.Н. Неразрушающий контроль элементов оптоэлектроники для следящих систем/ТМежвуз.сб.научн.тр М.: ВЗМИ, 1977.-С.118−123.
  136. В.Н. Метод выявления потенциально ненадежных элементов оптоэлектроники, используемых в системах автоматики// Межвуз.сб.научн.тр.-М.: ВЗМИ, 1978.-С.114−119.
  137. В.Н., Задорин Ю. Ф., Хамидуллин P.P. К вопросу измерения информативного параметра фоторезисторов для индивидуального прогнозирования их надежности//Межвуз.сб.научн.тр-М.: ВЗМИ, 1980.-С.95−99.
  138. В.Н. Методологические концепции к проблеме оценки качества и прогнозирования надежности изделий электронной техники/ЦНТИ «Информсвязь».-1982.-90 е.- Деп. в ВИНИТИ.- № 125.
  139. В.Н., Винец И. Л., Задорин Ю. Ф. Методы интегральной диагностики нелинейных резисторов/ЦНТИ «Информсвязь».- 1982.-90 с.-Деп. в ВИНИТИ, — № 8.
  140. М.Ф., Воронцов В. Н., Задорин Ю. Ф. Некоторые результаты анализа составляющей низкочастотного шума как информативного параметра качества фоторезисторов//Электронная техника.- 1982.-№ 3.
  141. В.Н., Ковалев Н. Ф. Современное состояние и применение методов неразрушающего контроля для анализа отказов изделий электронной техники//Физические методы и средства НК в производстве МЭА: Сб.науч.тр.-Л.:ЛИАП, 1986.-Вып. 181.-С.З-9.
  142. В.Н., Загребельный В. П., Холкин В. Ю. Неразрушающий контроль и математическое моделирование отказов изделий электронной техники/ТПриборы и методы контроля качества: Деп.сб.- М.: Машиностроение, 1989.
  143. В.Н., Мелуа А. И. Организация контроля и управления качеством радиоэлектронных средств//Приборы и методы контроля качества: Деп. сб-М.: Машиностроение, 1989.
  144. В.Н., Загребельный В. П., Парфенов А. А. Автоматизированные системы неразрушающего контроля качества ИЭТ//Оптич, радиоволн, и тепл. методы и ср-ва неразр. контр, изделий: Межвуз.сб.научн.тр.- Л.:СЗПИ, 1989.-С.108−120.
  145. В.И., Гориловская Т. Г. Анализ отказов конденсаторов в цветных телевизорах//Оптич, радиоволн, и тепл. методы и ср-ва неразр. контр, изделий: Межвуз.сб.научн.тр- Л.:СЗПИ, 1989.-С.150−157.
  146. В.Н., Гавриченков, Загребельный В.П. Физико-технический анализ отказов комплектующих изделий РЭА// Повышение качества и надежности изд.: Сб.-Д.: ЛДНТП, 1989.
  147. В.Н., Андреев А. Л. Методика выявления потенциально ненадежных ИЭТ по уровню низкочастотного шума//Актуальные проблемы надежности Л.: ЛДНТП, 1989.
  148. В.Н., Задорин Ю. Ф., Циунеллис В. Г. Автоматизированный комплекс интегральной диагностики ИЭТ на основе измерения электрофизических параметров//Вопросы проектирования и производства РЭА и электрорадиоизделий.- М., 1988.
  149. А.И., Воронцов В. Н. Неразрушающий контроль и диагностика изделий из неметаллических материалов и микроэлектроники// Неразрушающие физические методы контроля: XII Всесоюзн. НТК. Свердловск, 1990.-Т.7.
  150. С.Д., Воронцов В. Н., Денисова О. В. Кинетические явления и анализ структурных особенностей высокоомных неоднородных материалов электронной техники// Релаксация-94: Материалы международной конференции-СПб., 1994.
  151. Е.Е., Воронцов В. Н. Прогнозирование надежности операционных усилителей по уровню низкочастотного шума// Дефектоскопия.- 1995.- № З.-С. 66−68.
  152. В.Н., Холкин В. Ю. Шумовая термоэлектродинамическая диагностика полупроводниковых приборов// Дефектоскопия.- 1995. № 3.- С. 69−71.
  153. Vorontsoff V.N., KholkinV.Y. Noise and thermoelectrodynamic diagnostics of semiconductor Instruments//Suss. J. Nondestruct. Test. (USA) vol.31, 1996. No. 3.- P. 220−222.
  154. Пассивные радиокомпоненты. Электрические конденсаторы./ Ханин С. Д., Воронцов В. Н., Адер А. И., Денисова О. В. -2-е изд.- СПб.: СЗПИ, 2000.
  155. В.Н. Неразрушающий контроль качества и прогнозирование надежности изделий электронной техники по электрофизическим параметрам. СПб.: СЗТУ.-2002.-160 с.
  156. Ю.В., Строев К. Н., Строев Н. Н. Комплекс аппаратныхи программных средств для анализа спектра случайных сигналов //Приборы сист. упр.- 1992. N 2. — С.38.
  157. В.М. Шумовые свойства транзисторов на низких частотах. М.: Энергия, 1976. — 160 с.
  158. Д.Е. Операционные усилители: Принципы построения, теория, схемотехника. М.: Энергоатомиздат, 1983. — 216с.
  159. А.Г., Шило B.JT. Основные параметры и эквивалентные схемы интегральных операционных усилителей //Микроэлектроника. 1972. — Вып. 5. — С.27−47.
  160. В.В. Модель интегрального операционного усилителя //Изв. Вузов. Радиоэлектроника. 1980. — Т.23. — N 6. — С.61−63.
  161. В.А., Добролеж С. А., Шафер В. И. Оценка качества технологического процесса производства операционных усилителей по уровню низкочастотного шума //Электронная техника. Сер. Стандартизация, метрология, испытания.- 1984.- Вып.2. С. 107.
  162. В.Н., Геликман Б. Ю., Кристалинский JI.JI. Контроль и управление качеством РЭА// Материалы XVI НТК Л.: СЗПИ, 1985.-72 с.
  163. Т.Д. Исследование стабильности параметров ИС ОУ при воздействии повышенной температуры //Научн. тр. МЛТИ 1983. Вып. 158.
  164. Cellic-Butter Z., a.oth., Characterization of electromigration parameters in VLSI metallizations by 1/f noise measurements //Solid State Electronics. 1991. — Vol.34. N2. — P.185−188.
  165. Ю.Р. Связь шумовых характеристик с другими параметрами операционных усилителей //Диэлектрики и полупроводники. 1990. — N 37. — С.70−73.
  166. В.В., Якимов А. В. Диффузия примесей и фликкерные флуктуации подвижности носителей тока в полупроводниках //Изв. Вузов. Радиофизика.- 1984.- Т.27.- N 12. С.35−40.
  167. Я., Клявиньш В. И. Связь шумовых параметров с конструкцией биполярных транзисторов //Исследование и разработка современных радиоэлектронных элементов и устройств /Республ. научн.- техн.конф.: Тезисы докл.- Рига, 1989, — С. 21.
  168. И.Я. Контроль качества и надежности транзисторов и операционных усилителей по шумовым параметрам //Там же .- С. 26.
  169. Ф.В. и др. Цифровые фильтры и устройства обработки сигналов на интегральных микросхемах, М.: Радио и связь, 1984.-216с.
  170. В.Н. и др. Способ определения параметров избыточного шума А.С. № 1 481 694.-1989.
  171. B.C. Влияние вакансий на низкочастотный шум в твердом теле //ФТТ, — 1987.- Т.28.- N11.
  172. Ш. М. Низкочастотный токовый шум со спектром типа 1/f в твердых телах //УФН.- 1985.- Т.145.- N 2. С.285−328.
  173. Tadon J.L. Simpl interpretation of 1/f noise phenomenon //Pr. ITE. CEMI. 1989. — N 9. — P.81−85.
  174. Hey строев JT.H. О спектрах шума вблизи порога возбуждения медленных рекомбинационных волн //ФПТ.- 1986.- Т.20.- Вып.5.-С.937−939.
  175. Hooge F.N., Kleinpenning T.G.M., Vandamme L.K.J. Experimental studies on 1/f noise //Rep. On Progr. Phys.- 1981. Vol.44. — P.480−532.
  176. О.Г., Неустроев Jl.H., Осипов B.B. Теория генерационно-рекомбинационных шумов в полупроводниках с поверхностными состояниями //Поверхность. Физика, химия, механика.- 1984.- N8. С.23−30.
  177. Г. Н., Кузовлев Ю. Э. Новое исследование 1/f шума //УФН. -1983. Т. 141.- N 1. — С. 151−176.
  178. Ш. М., Шкловский В. И. Избыточный низкочастотный шум при прыжковой проводимости //ФТП.- 1981.- Т.15.- Вып.6.- С. 10 491 060.
  179. Pellegrini В. Jne model of flicker, burst and generation-reconbination noises //Phys. Rev. B. 1981. — Vol.24. — N12. — P.7071−7083.
  180. Ю.Б., Бочков Т. Н. К вопросу о происхождении статистических характеристик 1/f шума // Изв. Вузов. Радиофизика.-1983.- T.2.-N3.-С.310−317.
  181. Cottie J.B., Klonaris N.S. Microstructural effects on the 1/f noise of thin aluminium based films //Jornal of Electronic Materials. 1990. -Vol.19. N 11.-P.1201−1206.
  182. A study electromigration in aluminium and aluminium-silicon thin film resistors using noise technique / Diliganti A., Bangoli P.E., Neri В., Mantelassi L. A //Solid Stat Electon. 1989. — Vol.32. — N 2. — P. l 1−16.
  183. Milnes A.G., Baner C.L. Voids associated with electromigration in metal lines //Solid Stat Electon. 1991. — Vol.34. — N 7. — P.741−746.
  184. Nori В., Diligenti A., Bagnodi P. Electrimidration and low-frequency resistance fluctuation in aluminium thin film interconnections //IEEE Theory Electron Devices. 1987. — Vol.34. -Nil.- P.2317−2321.
  185. Scherge M., Breternitz V., Knedlik C. Simulation of electromigrstuon behaviour in A1 metallization of integrated circuits //Microelectron. Reliab. 1992. Vol.32. — N 1−2. — P.21−24.
  186. B.H. Новые результаты работ по изучению физики отказов//Актуальные вопросы теории и практики надежности: Научно-технич. семинар.-Л.: ЛДНТП, 1990.
  187. Н.В. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь, 1990. — 296с.
  188. Н.Н., Якимов А. В. Источники фликкерных шумов в биполярных транзисторах //Изв. Вузов. Радиофизика. 1986.- Т.29.-N 6. — С.675−683.
  189. Н.В. Шумы каскадов и их соединений при различных схемах включения транзисторов //Радиотехника.- 1984.- N 5. С.23−27.
  190. Отт Г. Методы подавления шумов и помех в электронных системах / Пер. с англ. под ред. М. В. Гальперина.- М., 1979.-320с.
  191. И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.- М.: Энергия, 1977.- 672с.
  192. В.И. Нелинейные преобразования случайных процессов.- М.: Радио и связь, 1986.- 296с.
  193. Дж. Основы теории случайных шумов и ее применение / Пер. с англ. под ред. B.C. Пугачева.- М.: Наука, 1965.- 464с.
  194. В.А., Краснощеков И. П. Современное состояние измерительной техники анализа сигналов в реальном времени //Измерит. Техника.- 1990.- N 8. С.50−52.
  195. С.Е., Волынчук В. Н., Зибров Н. Н. Разрешающая способность по частоте цифровых анализаторов спектра //Радиотехника.- 1990.- N 1. С.41−44.
  196. В.Н., Ковалев Н. Ф., Иванов В. Н. Методы физико-технического анализа отказов изделий микроэлектроники//Материалы XVI НТК.- Д.: СЗПИ, 1985.
  197. В.В. измерение отношения сигнал/шум по плотности величины мгновенной частоты //Радиотехника и электроника.- 1987.-Т.32. С. 444.
  198. В.Н., Быков М. Ф., Задорин Ю. Ф. Анализ функциональных зависимостей при испытаниях РЭА: Доп. программы для статистических расчетов на микроЭВМ JL: СЗПИ, 1988.-13 с.
  199. Н.Н., Якимов А.В., источники фликкерных шумов в биполярном транзисторе //Изв. Вузов. Радиофизика. -1986.- Т.29.- N9.-С.675−683.
  200. М.Ф., Воронцов В. Н., Задорин Ю. Ф. Контроль качества и испытания РЭА на должность: Учебное пособие. JL: СЗПИ, 1988, -80с.
  201. В.И., Лоссовский В. А. О прогнозировании надежности 111 111 по импульсным шумам //Надежность и контроль качества.- 1979.- N 8.
  202. Ван дер Зил А. Шум при измерениях / Пер. с англ. под ред. А. К. Нарышкина. -М.: Мир, 1979. -292 с.
  203. Ван дер Зил А. Шум. Источники, описание, измерение/ Пер. с англ. /Под ред. А. К. Нарышкина. М.: Сов. Радио, 1973. -259 с.
  204. В.Н. Методологический подход к проблеме оценки качества изделий электронной техники//Материалы XV НТК Л.: СЗПИ, 1980.
  205. В.Л. Термодинамические основы диагностики и надежности микроэлектронных устройств,— М.: Наука, 1989. -160 с.
  206. М.Ф., Воронцов В. Н., Задорин Ю. Ф. Диагностика, прогнозирование, неразрушающий контроль и управление качеством ЭА :Учеб. пособие.-Л: СЗПИ, 1985.-80 с.
  207. Л.Г. Физические основы интегральной диагностики. Электронная техника. Сер.8.-1980. -Вып.7 (85). С. 11−34.
  208. И.Н. Физические основы надежности. -Л.: Энергия, 1970. -151с.
  209. А.К. Техника статистических вычислений. -М.: Наука 1971.
  210. З.О., Барсегян Р. С., Арутянин В. М. Шумовые характеристики кремниевых диодов с примесью серы //Радиофизика. -1984. -Т.27.- N9. -С.1218−1220.
  211. Надежность и диагностика интегральных схем /Обзоры по электронной технике.- Сер.З. -М.: ЦНИИ «Электроника», 1991. -84с.
  212. А.К. Основные задачи диагностики качества и прогноза надежности полупроводниковых приборов неразрушающими методами// Радиоэлектроника и электросвязь, — Рига, 1984.
  213. Н.А., Сердюк Г. Б. Техническое диагностирование биполярных полупроводниковых приборов по параметрам квадратической нелинейности их вольтамперных характеристик //Электронная техника. Сер.8.- 1979.- Вып. 7.- С. 17−26.
  214. B.C. Прогнозирование надежности 111 111 по их низкочастотным шумам// Радиотехника.- 1981.- Т.36.- N 9.
  215. Г. Б. Интегральные электрофизические эффекты и их диагностическая информативность// Сб. научн. трудов «Методы и средства неразрушающего контроля качества компонентов РЭА.-Ульяновск, 1987.-С. 18−22.
  216. Buckingham M.J., Faulkner Е.А. The theory of inherent noise in p-n junction diodes and bipolar transistors// -The Radio and Elect. End. 1974. -44.-P. 125−140.
  217. Jevtic M.M. Impuzity concentration dependence of the 1/f -noise parameter and in silicon //Solid State Electron. -1988. V. 31. — N 6,-P. 1049−1052.
  218. Mihaila M., Amberiadis K. and Van der Ziel A., Solid-St. Electron. 27, 675 (1984).
  219. Van der Ziel A. and Handel P.H., «1/f noise in n+ -p diodes, «IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-32, p. 1805, 1985.
  220. И.П., Васильев H.H., Амбросов B.A. Быстрые методы статистической обработки и планирование экспериментов. —JI.: ЛГУ, 1975. 78с.
  221. Ю.Б. и др. Оценка эффективности отбраковочных испытаний комплектующих элементов РЭА //Надеж, и контр, кач-ва. -1989.-N12.-C.22−27.
  222. В.П. и др. Экспериментально-имитационный метод проведения предварительных испытаний // Надеж, и контр, кач-ва. -1990. N 1. — С.55−60.
  223. Н.О., Мархаев Н. Г. Ускорение испытания и прогнозирование надежности //Научн. тр. МИРЭА.- 1991.- N3. С. 114 120.
  224. Т.А. Методика сокращения времени испытания образцов //Конструирование быстродействующей помехозащищенной аппаратуры /Моск. ин-т электрон. машиностр.-М., 1991.- С.71−73.
  225. Bieleck C.J., Volkman F. Burn-in as a quality assurance and process control tool //Electronic Manufacturing. 1990. — Vol.36. — N 4. — P.14−15.
  226. H., Лион Ф. Статистика и планирование эксперимента в технике и науке. Методы обработки данных / Пер. с англ. под ред. Э. К. Лецкого.-М.: Мир.- 1980, 616с.
  227. В.И. Комплексная оценка качества МДП структур по напряжению микропробоя //Электронная промышленность.-1985.- N3 -с.34.
  228. С.А., Овчинников К. Д., Рипак A.M. Генерационно-рекомбинационные (ГР) шумы в токе лавинно-пролетных диодов //Изв. вузов СССР. Сер. Радиофизика. -1986. -т.29, N12. -с. 1462−1470.
  229. Г. Математические методы статистики. —М.: Мир, 1975.
  230. Pellegrini В. Diffusion, mobility, fluctuations and island models of flicker noise//Phys. Rev. В.- 1982. Vol.26. -N 4. — P. 1791−1797.
  231. Сравнение контроля низкочастотных шумов и нелинейности, как методов прогнозирования стабильности тонкопленочныхрезисторов/ Арменча Н. Н., Деев И. Н., Канцер И. Т. и др. //Надежность и контроль качества, — 1986. N 3. — С.56.
  232. И.Б. Физические основы электро-флуктуационной диагностики надежности и срока службы 111 111 //Электронная промышленность.- 1983. Т.6.
  233. С.Н. Надежность элементов радиоэлектронной аппаратуры. М.: Энергия. -80с.
  234. Г. Б. Электрофизические методы диагностирования в задачах обеспечения качества и надежности электроизделий. Киев, Техника, 1986.
  235. И.Я. контроль качества и надежности транзисторов операционных усилителей по шумовым параметрам //Исследования и разработка современных радиоэлектронных элементов и устройств: Тезисы докл. -. Рига, 1989. -С.21.
  236. Van Vliet К.М., Mehta Н. Theory of Transport Noise in Semiconductors //Phys: Stat. Solisi B. -1981. -Vol.106. N 1. -P.l 1−30/
  237. Ю.Р., Эйэентол Ю. В. Низкочастотный шум и характеристики полупроводниковых приборов //Флуктуационные явления в физических системах: Тезисы докл.- Вильнюс, 1988 г. -С.72−73.
  238. Н.Н. Низкочастотный шум и механизм токопрохождения в диодах на основе поликристаллического кремния// Флуктуационные явления в физических системах /Тезисы докл., 1985, г. Пущино, Моск. обл. с.98−99.
  239. Dai Y., Deep-level impurity analysis for р-n junctions of a bipolar transistor from low-frequency g-r noise measurements //Solid State Electronics. 1989. — V.32. — P.439−443.
  240. B.B. Вопросы качества радиодеталей/ Геликман Б. Ю., Горячева Г. А., Кристалинский JI.JI., —М.: Сов. Радио, 1980. -328с.
  241. П., Макглоулин Л., Маквиотан Р. Основы инфрокрасной техники. М.: Воениздат, 1964.
  242. М.Н. Приемники инфракрасного излучения. -М.: Наука, 1968.
  243. А. и др. Приемники инфракрасного излучения. М.: Мир, 1969.
  244. Фоторезисторы. ГОСТ 17 772. -М., 1972.
  245. Р. Инфракрасные системы. -М.: Мир, 1972.
  246. Н.А., Пеламид А. Е. Фотоэлектронные приборы, М., «Высшая школа», 1974.
  247. В.Н., Черкасов Е. И. О возможности прогнозирования надежности и качества элементов оптоэлектроники по их шумовым характеристикам//Материалы XIV НТК Л.: СЗПИ, 1976.
  248. А. Фото проводимость твердых тел. М.: Мир, 1966.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?