Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Физические свойства углеродных наноматериалов и легированных синтетических монокристаллов алмаза

Диссертация: Физические свойства углеродных наноматериалов и легированных синтетических монокристаллов алмаза
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В последние десятилетия XX столетия значительный прогресс был достигнут в развитии методов роста крупных (более 1 карат) синтетических монокристаллов алмаза контролируемого химического состава, что оказывает революционное воздействие на возможности применения алмаза в электронике, оптике и оптоэлектронике, экстремальной электронике. В частности, наиболее эффективными методами являются метод роста… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЯ УГЛЕРОДНЫХ НАНОМАТЕРИАЛОВ И СИНТЕТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА ДЛЯ ПРИБОРОСТРОЕНИЯ
    • 1. 1. Синтез, структура и основные свойства полимеризованных фуллеритов С6о и С
      • 1. 1. 1. Кристаллические фазы С6о
        • 1. 1. 1. 1. Ромбическая lD-полимеризованная фаза
        • 1. 1. 1. 2. Ромбоэдрическая и тетрагональная 2В-полимеризованные фазы
        • 1. 1. 1. 3. ЗО-полимеризованные фазы С6о
      • 1. 1. 2. Трансформация 20-полимеров С60 в ЗБ-полимер под давлением
        • 1. 1. 2. 1. Фазовые превращения тетрагонального 20-полимера С6о под давлением
        • 1. 1. 2. 2. Фазовые превращения ромбоэдрического 2Б-полимера Сбо под 57 давлением
      • 1. 1. 3. Полимеризация С7о под давлением
      • 1. 1. 4. Разупорядоченные полимеры С60, С70. Поликонденсация и коалесценция фуллеренов
      • 1. 1. 5. Электрические и оптические свойства фуллерена С6о под давлением
    • 1. 2. Углеродные и азот-углеродные наноструктуры для полевых эмиттеров электронов
      • 1. 2. 1. Полевая эмиссия электронов из углеродных нанотрубок
      • 1. 2. 2. Влияние дефектов структуры УНТ на эмиссию электронов
      • 1. 2. 3. Синтез и свойства углерод-азотных нанотрубок и нановолокон
      • 1. 2. 4. Углерод-азотные нанотрубки и нановолокна, полученные электротермическим испарением углерода при высоком давлении азота
    • 1. 3. Синтетические монокристаллы алмазов, выращиваемые методом температурного градиента на затравке при высоком давлении и температуре
      • 1. 3. 1. Метод температурного градиента для выращивания монокристаллов при высоком давлении и температуре
      • 1. 3. 2. Химический состав синтетических монокристаллов алмаза
      • 1. 3. 3. Полупроводниковые светодиоды на основе монокристаллов алмазов
        • 1. 3. 3. 1. Полупроводниковые светодиоды и лазеры
        • 1. 3. 3. 2. P-n-переходы на основе синтетических монокристаллов алмазов 106 и их спектры электролюминесценции
  • ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА И СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЙ УГЛЕРОДНЫХ НАНОМАТЕРИАЛОВ И
  • КОМПОЗИТОВ НА ИХ ОСНОВЕ
    • 2. 1. Установка и методика исследований в сдвиговой алмазной камере 112 высокого давления
    • 2. 2. Теоретическая модель распределение давления твердом теле в алмазной камере высокого давления в условиях фазового перехода и пластического течения вещества
    • 2. 3. Метод исследования поверхности Ферми полуметаллов с помощью квантовых осцилляций акустоэлектронного тока
      • 2. 3. 1. Схема эксперимента
      • 2. 3. 2. Испытания разработанного метода
    • 2. 4. Измерение скоростей звука, удельного веса полимеризованных фуллеритов и расчет модулей упругости
    • 2. 5. Метод оценки соотношения sp2 и sp3 межатомных связей в углеродных материалах на основе рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
  • ГЛАВА 3. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА 2D- И 3D
  • ПОЛИМЕРИЗОВАННЫХ ФУЛЛЕРЕНОВ С60 И С70 И
  • ЭНДОФУЛЛЕРЕНА La@C
    • 3. 1. Упрочнение фуллерена С60 в результате фазовых превращений под давлением в сдвиговой алмазной камере высокого давления
    • 3. 2. Синтез псевдо-ЗБ-полимера С60 из ромбоэдрического 2Б-полимера при давлении 13 ГПа и повышенной температуре
    • 3. 3. Скорости звука, удельный вес и модули упругости полимеризованных фуллеритов Сбо, С
    • 3. 4. Спектры фотолюминесценции ЗБ-полимеризованных фуллеритов Сбо
    • 3. 5. Электрические свойства ЗБ-полимеризованных фуллеритов С6о и С
    • 3. 6. Тепловые свойства углеродных материалов получаемых из фуллеренов Сбо и С70 обработкой высоким давлением и температурой
      • 3. 6. 1. Термическое расширение, ангармонизм и кинетика деполимеризации 1D- и 20-полимеров Сбо
      • 3. 6. 2. Кинетика и энергия активации деполимеризации
      • 3. 6. 3. Теплоемкость 2D — и 3D -полимеров С6о, С70 с кристаллической и разупорядоченной структурой
      • 3. 6. 4. Обсуждение экспериментальных результатов
    • 3. 7. Структура и магнитные свойства ЗЭ-полимеров эндофуллерена
  • Ьа@С
    • 3. 8. Изготовление и исследование структуры, полимеризации и магнитных свойств слабогидрированных пленок фуллерена Сбо
  • ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ФУЛЛЕРЕНОМ С60 НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ 243 ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СПЛАВОВ Bi2Te3 И Bi0,5Sbl-5Te
    • 4. 1. Методика изготовления и структура образцов
    • 4. 2. Методика измерений электрических свойств
    • 4. 3. Зависимость электрических свойств наноструктурированных термоэлектрических сплавов Bi2Te3 и Bio^Sbi^Tei от концентрации примеси фуллерена Сбо
    • 4. 4. Выводы к Главе 4
  • ГЛАВА 5. АВТОЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛЕВЫХ КАТОДОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ИЗ УГЛЕРОД-АЗОТНЫХ НАНОСТРУКТУР
    • 5. 1. Изготовление углерод-азотных наноматериалов и исследование их структуры
    • 5. 2. Вакуумная диодная лампа с автоэмиссионным катодом на основе углерод-азотных наноструктур и ее вольт-амперные характеристики
    • 5. 3. Методика изготовления автокатодов из углерод-азотных нановолокон на графитовой основе
    • 5. 4. Вольт-амперные характеристик автоэмиссионных катодов из углерод-азотных нановолокон на графитовой основе
    • 5. 5. Выводы к Главе 5
  • ГЛАВА 6. СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ СВЕРХТВЕРДЫЕ КОМПОЗИЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ АЛМАЗА И ФУЛЛЕРЕНА С
    • 6. 1. Приготовление образцов и методики измерений
    • 6. 2. Электрическая проводимость и микротвердость композитов сверхпроводник-сверхтвердый материал. о
      • 6. 2. 2. Система С60-алмаз-ниобий
      • 6. 2. 3. Система алмаз-молибден
      • 6. 2. 4. Система алмаз
  • §-В
    • 6. 2. 5. Системы полимеризованный фуллерит C6o-MgB
    • 6. 2. 6. Система алмаз-Т^Мэбб 282 6.2.7 Система алмаз-М^Бп
    • 6. 3. Выводы к Главе 6
  • ГЛАВА 7. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ СИНТЕТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗОВ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДИЕНТА ПОД ДАВЛЕНИЕМ
    • 7. 1. Экспериментальные образцы и методика измерений
    • 7. 2. Экспериментальные результаты и их обсуждение
    • 7. 3. Электрическая проводимость и теплопроводность легированных бором синтетических монокристаллов алмаза для терморезисторов
      • 7. 3. 1. Электрические свойства терморезисторов из легированных бором синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента
      • 7. 3. 2. Методика измерения характерного времени отклика алмазных терморезисторов
      • 7. 3. 3. Теплопроводность и время отклика алмазных терморезисторов
    • 7. 4. Выводы к Главе 7

    ГЛАВА 8. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ P-N ПЕРЕХОДОВ И P-I-N СТРУКТУР, ИЗГОТОВЛЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ 306 БОРА, ФОСФОРА И МЫШЬЯКА В СИНТЕТИЧЕСКИЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ АЛМАЗОВ ТИПА IIb И IIa

    8.1. Фото- и катодолюминесценция синтетических монокристаллов алмаза типа IIa, выращенных методом температурного градиента под 307 давлением.

    8.2. Изготовление p-i-n и р-п структур на основе синтетических монокристаллов алмазов

    8.3. Вольт-амперные характеристики p-i-n структур и р-п переходов, изготовленных методом ионной имплантации бора, фосфора и мышьяка в синтетические монокристаллы алмазов типа IIa и IIb

    8.4. Спектры электролюминесценции p-i-n структур и р-п переходов на основе ионно-легированных синтетических монокристаллов алмазов.

    8.5. Выводы к Главе 8. 324

    ЗАКЛЮЧЕНИЕ 325 Основные результаты работы 326

    СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Физические свойства углеродных наноматериалов и легированных синтетических монокристаллов алмаза (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Электронная техника постоянно динамично развивается и совершенствуется. Регулярно происходят качественные скачки в обновлении элементной базы электронной техники в связи с новыми достижениями в физике полупроводников, в квантовой электронике и материаловедении. На рубеже XX и XXI столетий особенно заметны успехи в изучении и применении широкозонных полупроводников, а также всевозможных углеродных наноструктур. Наиболее актуальны следующие направления исследований и разработок элементной базы электроники и оптоэлектроники:

— расширение функциональных возможностей;

— снижение энергопотребления и материалоемкости;

— повышение быстродействия обработки сигналов;

— повышение долговечности, надежности, устойчивости функционирования при воздействии неблагоприятных внешних факторов — высоких и низких температур, ударных и статических механических нагрузок, химических и радиационных воздействий.

Для решения этих задач во всем мире ведется непрерывный поиск новых материалов, в частности новых полупроводниковых материалов, металлических сплавов, диэлектриков, ферромагнетиков, пьезоэлектриков и т. д. Кремний остается основным полупроводником в массовой современной цифровой электронике, однако в области специальной электроники для военной, космической техники, энергетики, силовой электроники и оптоэлектроники широко исследуются и применяются другие материалы, более термои радиационно-стойкие, более механически прочные. К таковым относятся широкозонные полупроводниковые материалы, как например нитриды алюминия, галлия, карбид кремния и другие. Предельными механическими характеристиками среди них обладают кубический нитрид бора и алмаз. В то же время, на пути миниатюризации, повышения быстродействия и надежности функционирования цифровой электроники активно развивается область наноэлектроники, связанная, в частности, с открытием и исследованием уникальных свойств углеродных наноматериалов, таких как фуллерены, нанотрубки, графен и т. д. Углерод отличается способностью формирования широкого спектра структур с самыми прочными межатомными связями, что обусловливает уникальные сочетания механической прочности с температурной, радиационной и химической стойкостью, требуемыми для практических применений. В последнее время приобрел широкое распространение термин «экстремальная электроника», который выделяет устройства и изделия цифровой и силовой электроники, предназначенные для использования в условиях экстремальных внешних воздействий.

Активные исследования полупроводниковых, механических и других физических свойств углеродных наноструктур были начаты в конце 80-х — начале 90-х годов XX столетия сразу после отработки методов получения этих материалов в макроскопических количествах. В частности, в 1990 г. были разработаны методы синтеза фуллереновой сажи и экстрагирования из нее фуллеренов С6о, С70, высших фуллеренов. В дальнейшем были освоены методы получения эндофуллеренов, металлофуллеренов, широкого спектра углеродных нанотрубок и нановолокон, различных так-называемых функционализированных фуллереновых соединений, т. е. химических соединений фуллеренов с органическими и металлорганическими функциональными группами. Было обнаружено, что в конденсированном состоянии фуллериты, фуллериды (соединения фуллеренов с металлами) обладают полупроводниковыми, сверхпроводящими, ферромагнитными свойствами. Кроме того, важным свойством фуллеренов оказалась их способность к полимеризации с образованием ковалентных межмолекулярных связей и сохранением структуры молекул. Полимеризация происходит под действием облучения светом (фотополимеризация), электронным пучком, а также при деформациях кристаллической решетки, обусловленных внешними механическими воздействиями, либо дополнительным влиянием теплового воздействия и интеркалированных атомов щелочных металлов. Были обнаружены и описаны различные типы линейнои планарно-полимеризованных фуллеритов (1Dи 20-полимеры, соответственно). Оставался неясным вопрос возможности получения ЗО-полимеризованных структур фуллеренов, структура и свойства таких полимеров.

В последние десятилетия XX столетия значительный прогресс был достигнут в развитии методов роста крупных (более 1 карат) синтетических монокристаллов алмаза контролируемого химического состава, что оказывает революционное воздействие на возможности применения алмаза в электронике, оптике и оптоэлектронике, экстремальной электронике. В частности, наиболее эффективными методами являются метод роста на затравке из расплава в условиях температурного градиента под высоким статическим давлением и метод гомоэпитаксиального роста из газовой фазы. Этими методами выращивают уникальные по чистоте беспримесные диэлектрические алмазы типа IIa, а также кристаллы типа IIb, легированные бором с различной концентрацией, обладающие примесной дырочной электрической проводимостью. Кроме того, методом гомоэпитаксиального роста из газовой фазы выращивают монокристаллические алмазные слои, легированные фосфором, серой, что обеспечивает электронный тип примесной проводимости. В связи с успешной разработкой этих технологий открываются широкие перспективы создания новых устройств электроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники на основе синтетических монокристаллов алмазов. Этим обусловлена необходимость детального изучения электрических и оптоэлектронных свойств легированных синтетических монокристаллов алмазов, выращенных методом температурного градиента.

Цель работы. Целью работы являлось получение новых углеродных наноматериалов и композитов на их основе, исследование их физических свойств, а также исследование физических свойств легированных синтетических монокристаллов алмазов для создания прототипов изделий электроники и приборостроения с расширенными областями применения. Для достижения этой цели были поставлены и решены следующие задачи:

— получение и исследование свойств фаз высокого давления фуллеренов С60 и С70, получаемых в широком диапазоне давлений до 35 ГПа с приложением сдвиговых деформаций и в области температур до 2300 К;

— получение слабогидрированных пленок Cgo и исследование их полимеризации и магнитных свойств;

— исследование полимеризации и свойств эндофуллерена La@Cg2 при обработке давлением 9,5 ГПа и температурах 520−720 К;

— исследование влияния легирования фуллереном С6о на электрические свойства сплавов Bi2Te3 и В^БЬ^Тез;

— исследование автоэмиссионных свойств автокатодов на основе углерод-азотных нановолокон на графитовой подложке, с концентрацией азота до 13%;

— исследование сверхпроводимости композиционных материалов, получаемых спеканием под давлением Сбо и синтетических порошковых алмазов со сверхпроводящими металлами, сплавами и MgB2;

— исследование электрических свойств синтетических монокристаллов алмазов, сильнолегированных бором в процессе роста при статическом давлении методом температурного градиента на затравке;

— ионное легирование синтетических монокристаллов алмазов типа IIa и IIb ионами бора, фосфора и мышьяка, исследование их вольт-амперных характеристик и спектров электролюминесценции.

Для выполнения поставленных задач были разработаны специальные экспериментальные методики и установки, а именно:

— автоматизированная установка и методика регистрации распределения спектров фотолюминесценции по площади экспериментальных образцов в сдвиговой алмазной камере высокого давленияметодика исследования движения вещества в алмазной камере высокого давления при осуществлении сдвиговой деформации, основанная на компьютерном анализе изображения образцов в камере;

— методика исследования поверхности Ферми носителей заряда в полуметаллах по измерениям квантовых осцилляций акустоэлектронного тока в магнитном поле;

— методика гидрирования фуллереновых пленок моноатомным водородом в установке тлеющего электрического разряда;

— методика количественной оценки соотношения sp2 и sp3 межатомных связей в углеродных материалах на основании РФЭСспектрометрии.

Научная новизна.

Впервые получены и исследованы метастабильные 2Dи 3 D-полимеризованные фазы фуллерена С70, построена реакционная Р, Т-диаграмма синтеза в области давлений до 15ГПа и температур до 1870К.

Впервые обнаружено, что неалмазная углеродная фаза, полученная из фуллерена С6о при давлении 20 ГПа в условиях больших сдвиговых деформаций, осуществляет пластическую деформацию поверхности (001) алмазной наковальни в сдвиговой алмазной камере высокого давления. Предел пластичности полученного из Сбо нового углеродного наноматериала превышает значение предела пластичности алмаза при Р>20 ГПа.

Впервые аналитически решена задача распределения давления в тонком цилиндрическом слое (диске), сжимаемом наковальнями с круглыми плоскопараллельными площадками в условиях структурного фазового перехода в материале диска с учетом скачкообразного изменения объема при фазовом переходе и пластического течения вещества. Показано, что активация фазового перехода в области метастабильного состояния под воздействием сдвиговых деформаций или повышения температуры стимулирует пластическое течение вещества в области границы фаз, а также развивает самомультипликацию или демультипликацию давления в зависимости от соотношения упругих и пластических свойств фаз и величины скачка объема при фазовом переходе.

Впервые измерены скорости продольных и сдвиговых упругих волн в сверхтвердых и ультратвердых фуллеритах на основе С6о и С70. В наиболее плотных фазах фуллеритов скорости продольных акустических волн достигают рекордно-высоких значений 21−26 км/с.

Впервые обнаружено сохранение характерной полосы 730−700 нм в спектрах фотолюминесценции фуллеритов, полученных обработкой С6о высоким давлением до 15 ГПа и температурой 550−1200°С, что свидетельствует о сохранении кластеров С6о в структуре полученных материалов.

Впервые исследована ширина запрещенной зоны различных 3D-полимеризованных фуллеритов С60 и С70, она составляет 0,1 — 0,55 эВ.

Впервые исследована деполимеризация ЗБ-полимеризованных структур С6о и С70, измерен тепловой эффект деполимеризации в диапазоне 340−640К. Впервые измерена удельная теплоемкость в диапазоне 240−640К полимеризованных фуллеритовых фаз стабильных в этом температурном диапазоне.

Впервые получены слабогидрированные фуллерены С6о: Н, обнаружена их обратимая фотополимеризация. В отличие от исходного диамагнитного С60, некоторые структуры Сбо: Н являются парамагнитными.

Впервые обнаружена полимеризация эндофуллерена La@Cg2 под давлением 9,5 ГПа при Т = 520−720 К с изменением плотности от 1,84 до 2,67 г/см и твердостью плотной фазы 30±5 ГПа. Концентрация неспаренных электронов по сравнению с исходным La@C82 выше на 15%.

Впервые исследован легирующий эффект фуллерена Сбо при введении в наноструктурированные термоэлектрические полупроводники BiaTe3 — Bi05Sb| 5Te3 и обнаружен эффект резонансных концентраций Сбо, при которых в несколько раз увеличивается концентрация дырок в соединениях р-типа проводимости и уменьшается концентрация электронов в соединениях n-типа. При этих же значениях концентрации обнаружены и локальные минимумы Холловской подвижности носителей заряда. Данный эффект приводит к резонансному снижению проводимости сплава n-типа, и наоборот, к резонансному увеличению проводимости сплава р-типа, что существенно влияет на добротность (коэффициент качества) термоэлектрических сплавов.

Впервые обнаружены и исследованы магнитные квантовые осцилляции акустоэлектронного тока в слоистой структуре Bio^gSbo^i-LiNbC^. Впервые получена и исследована метастабильная при нормальных условиях фаза высокого давления сплава Bio^Sbi/Tes с электронной проводимостью.

Впервые разработаны и изготовлены автоэмиссионные катоды из углерод-азотных нановолокон на графитовой основе, обнаружена низкая величина порогового значения напряженности электрического поля эмиссии около 1,2 В/мкм и достигнута рабочая плотность эмиссионного тока 1 мА/см2, достаточная для применения катодов в электролюминесцентных лампах.

Впервые изготовлены и исследованы новые сверхтвердые сверхпроводящие композиционные материалы на основе фуллерена С6о, порошковых синтетических алмазов, сверхпроводника MgB2 и сверхпроводящих металлов и сплавов. Критическая температура сверхпроводящего перехода различных композитов составляет 12,6−39,2 К при твердости 25−95 ГПа.

В диапазоне 77−800 К определен температурный коэффициент сопротивления (ТКС) миниатюрных терморезисторов, изготовленных из легированных бором синтетических монокристаллов алмазов с различной концентрацией бора. Величина ТКС составляет 0,001−0,1%, что обеспечивает чувствительность к изменению температуры 10~4 -10~2К при минимальном времени отклика около 100 мкс.

Впервые методом ионной имплантации бора, фосфора и мышьяка в синтетические монокристаллы алмазов типа IIb и IIa изготовлены р-п переходы и p-i-n структуры на основе алмаза. Исследованы их вольт-амперные характеристики и спектры электролюминесценции. В спектрах электролюминесценции при прямом прохождении тока наблюдаются характерные полосы рекомбинации экситонов в области 238 нм, а при плотности тока более 100 А/см2 впервые наблюдались полосы суперлюминесценции на длинах волн 325 и 340 нм.

Достоверность основных положений и выводов диссертации обеспечена применением современного высокоточного исследовательского оборудования и теоретическим анализом полученных экспериментальных результатов. Исследования физических свойств материалов производились с применением установок для электрических и магнитных измерений в диапазоне температур 1,6−800К типа Oxford Instruments MagLab 2000 и LakeShore Cryotronics 70 507- дифференциального сканирующего калориметра Perkin Elmer DSC-2- оптического спектрометра TRI АХ HORIBA Jobin Yvon Inc.- РФС-спектрометра PHI 5500ESCAимпульсного сканирующего акустического микроскопа WFPAMсовременного аналитического оборудования.

Практическая значимость работы. Результаты работы имеют большое практическое значение. Материалы экстремальной электроники требуются во многих областях человеческой деятельности: для контроля технологических процессов в атомной энергетике, в радиационной химии, в современных ускорителях заряженных частиц, в ракетно-космической технике, в геологоразведке, нефтеи газодобыче, в оборонной отрасли и других. Известно, что углеродные материалы, такие как алмаз и графит в наибольшей степени удовлетворяют этим требованиям. Новые углеродные материалы, такие как фуллерены и нанотрубки и производные на их основе, получаемые обработкой давлением, сдвиговыми деформациями и высокими температурами расширяют спектр возможных материалов электроники.

Показано, что ЗВ-полимеры Сбо и Суо представляют собой новый класс сверхтвердых и ультратвердых полупроводниковых материалов с энергией активации носителей заряда в диапазоне 0,05−0,3 эВ. Скорости продольных акустических волн в них достигают величины на 10−20% большей чем у алмаза, что перспективно с точки зрения разработки новых акустоэлектронных устройств. Разработана технология производства ультратвердых фуллеритов и наноинденторов из них для атомно-силовых зондовых микроскопов-твердомеров.

Полимеризованные эндофуллерены типа М@С82, где М — атом металла, могут послужить основой для разработки устройств хранения информации с рекордно-высоким значениями плотности записи, а также для разработки возможного базового материала создания кубитов в квантовых компьютерах. На примере La@C82 показано, что в процессе ЗЭ-полимеризации ячеистая структура молекул с энкапсулированными атомами металлов не нарушается.

Показано, что легирование наноструктурированных термоэлектрических сплавов фуллереном Сбо приводит к значительному изменению концентрации носителей заряда в них и как следствие — к изменению электрической проводимости. Этот способ легирования позволяет увеличивать добротность и коэффициент полезного действия термоэлектриков, что принципиально важно для практических применений.

Автокатоды на основе углерод-азотных нановолокон с плотностью автоэмиссионного тока порядка 1 мА/см2 применены в электролюминесцентных лампах зеленого, синего, красного, белого цвета и ультрафиолетового диапазона, работоспособных в широком диапазоне температур (-196) -(+150)°С.

Сверхтвердые сверхпроводящие композиционные материалы на основе сверхпроводящих металлов и сплавов, сверхпроводника MgB2, порошковых синтетических алмазов и фуллерена С6о необходимы для применений в электромеханических узлах криогенной техники, а также в исследовательской технике высоких давлений для электрических измерений при низких температурах.

Легированные бором монокристаллы алмаза представляют собой полупроводник р-типа с энергией активации акцепторов в диапазоне от 0 до 0,37 эВ в зависимости от концентрации бора. Обнаружено, что переход от нормального активационного типа проводимости к прыжковому в синтетических монокристаллах, выращенных методом температурного градиента происходит при концентрации бора около 1019см" 3, а вырождение происходит при концентрации около Ю20см~3. Эти данные необходимы для разработки всевозможных пассивных и активных электронных устройств на основе синтетических монокристаллов алмазов.

Быстродействующие миниатюрные терморезисторы на основе монокристаллов алмаза обладают высоким температурным коэффициентом сопротивления и широким температурным диапазоном функционирования в условиях неблагоприятных факторов, таких как ударные нагрузки, радиационное облучение и т. п. Поэтому они могут быть успешно использованы в технологических процессах атомной энергетики, радиационной химии, в ракетно-космической и оборонной технике. В рамках Госконтракта «Проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, разработка технологий и организация промышленного производства изделий из монокристаллических сверхтвердых материалов для приборостроения и инструментальной промышленности» разработана технология производства таких терморезисторов.

Полупроводниковые светодиоды и лазеры УФ-диапазона необходимы для приложений в системах телекоммуникаций и медицине. В настоящее время активно разрабатываются источники УФ излучения на широкозонных полупроводниках АЮаН, 81С и алмазе. В данной работе методом ионной имплантации изготовлены светоизлучающие р-п и р-ьпдиоды на основе синтетических монокристаллов алмазов, работающие при повышенных температурах 200−300°С. Они являются прототипами для разработки приборов практического назначения.

Работа выполнена по плану НИР ФГУ ТИСНУМ в соответствии с Государственными контрактами №№ 02.435−11−2006; 02.513.12.3061- 02.513.12.3086- 02.531.11.9005- 02.740.11.0105- 02.740.110 792 (Заказчик Минобрнауки) — № 1195, № 11/2001 (Заказчик МО РФ) — № 783−0623/09 (Заказчик Роскосмос), по проектам РФФИ № 96−02−1801- № 99−02−17 578, Российского фонда интеллектуального сотрудничества № 95 076, № 98 088- Шведской Королевской Академии Наук, ИНТАС № 00−237- 6-ой рамочной программы Евросоюза БР6 № 12 881.

Основные положения, выносимые на защиту:

1 Разработана, изготовлена и применена автоматизированная оптическая установка со сдвиговой алмазной камерой высокого давления для исследования распределения спектров фотолюминесценции, давления и движения вещества в тонких дисках, сжимаемых алмазными наковальнями. Аналитически решена задача распределения давления в тонком цилиндрическом слое (диске), сжимаемом плоскопараллельными наковальнями в условиях структурного фазового перехода в материале диска с учетом изменения объема при фазовом переходе и пластического течения вещества. Предел пластичности фазы высокого давления фуллерита С6о в сдвиговой алмазной камере при Р>20 ГПа выше предела пластичности алмаза.

2. Получены и исследованы метастабильные ЗО-полимеризованные фазы фуллерена С7о, построена реакционная Р, Т-диаграмма синтеза в области давлений до 15 ГПа и температур до 1870К. Скорости продольных упругих волн в сверхтвердых и ультратвердых фуллеритах на основе С6о и С7о варьируются в диапазоне 8,6-н26 км/с, сдвиговых — в диапазоне 6.8-И2.0 км/с, удельный вес — в диапазоне 2.2-ьЗ.З г см" 3 в зависимости от структуры материала. Разупорядоченные ЗО-полимеризованные структуры С6о и С70 стабильны в области температур до 640 К. В спектрах фотолюминесценции полимеризованных фуллеритов С6о сохраняется характерная для молекул фуллерена полоса X =700 нм. В зависимости от конкретной структуры, энергия активации носителей заряда в полупроводниковых фуллеритах составляет 0,05 — 0,3 эВ при Т = 300 К. Молекулы С60 выступают в качестве акцептора до 6 электронов в композиционных наноструктурированных термоэлектрических сплавах, за счет чего повышается термоэлектрическая эффективность сплавов р-типа.

3. Разработана методика получения слабогидрированного фуллерена С6о: Н. Как и исходный С6о, С (, о: Н полимеризуется, но в отличие от диамагнитного С6о, некоторые структуры С6о: Н парамагнитные.

4. Эндофуллерен La@Cg2 полимеризуется под давлением с образованием димеров и ЗБ-полимеров. Микротвердость ЗО-полимера равна 30 ± 5 ГПа. Концентрация неспаренных электронов в полимеризованной фазе на 15% больше по сравнению с исходным La@Cg2 •.

5. Разработаны, изготовлены и исследованы автоэмиссионные катоды из углерод-азотных нановолокон. Автокатоды применены в электролюминесцентных лампах, работоспособных в диапазоне температур (-196) -¿—(+150)°С.

6. Изготовлены и исследованы сверхтвердые сверхпроводящие композиционные материалы на основе порошковых синтетических алмазов, фуллерена Сбо и сверхпроводящих металлов и сплавов с критической температурой сверхпроводящего перехода 13−39 К при твердости 25−95 ГПа.

7. Применение легированных бором синтетических монокристаллов алмазов типа IIb в полупроводниковых термометрах сопротивления обеспечивает чувствительность.

5 3 к изменению температуры 10″ -10″ К в диапазоне 77 — 800 К при минимальном времени отклика -100 мкс.

8. Изготовлены и исследованы УФ-светодиоды на основе синтетических монокристаллов алмазов имплантированных ионами бора, фосфора и мышьяка. В спектрах электролюминесценции присутствуют полосы рекомбинации экситонов в области 238 нм. При плотности тока более 60 А/см возникают полосы суперлюминесценции на длинах волн 325 и 340 нм.

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 172 печатных работах: в 48 статьях в научных журналах, рекомендованных ВАК России, 4 из них — обзорные, 23 статьях в монографиях, сборниках трудов конференций, 86 тезисах докладов, 1 авторское свидетельство СССР, 8 патентов РФ, 1 патент США и 5 заявок на патент РФ. Основные положения диссертации полностью представлены в опубликованных работах.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на более чем 60 международных конференциях, в том числе:

— «Фуллерены и атомные кластеры» (С.-Петербург, 1994, 1995, 1996, 1997, 1999, 2001, 2009 гг.),.

— на конференциях по физике высоких давлений — Киев, 1991; Баку, 1992; Белфаст (Великобритания), 1993; Брно (Чехия) 1994; Варшава (Польша), 1995; Монпелье (Франция), 1997; Киото (Япония), 1998; Катанья (Италия) 1999; Прингри-Парк (США), 2001;Уппсала (Швеция), 2010;

— конференция Европейского Физического Общества, Севилья, (Испания), 1994; «Фуллерены», Оксфорд, (Великобритания), 1996; Токио (Япония), 2001; «Исследования материалов» Страсбург (Франция), 1997; «Carbon», Ньюкастл (Великобритания), 1996 г.- Страсбург (Франция), 1998 г.- «Синтетические металлы», Монпелье, (Франция), 1998; Гальштейн (Австрия), 2001;

— «Электронные свойства новых материалов — наука и технология молекулярных наноструктур», Киршберг (Австрия), 1996, 1997, 1998, 1999, 2000 ;

— 5-я Международная конференция по перспективным материалам, Пекин (КНР), 1999; Международная конференция по инженерным и технологическим наукам, Пекин (КНР), 2000;

— «Физика плазмы и плазменные технологии», Минск (Беларусь) 2003;

— «Инновационные сверхтвердые материалы и прочные покрытия», Киев (Украина), 2004;

-" Взаимодействие ионов с поверхностью", Звенигород, 2007;

— «Физика полупроводников под давлением», Барселона (Испания), 2006; Форталеза (Бразилия), 2008; «Физика полупроводников», Одесса (Украина), 2007; Запорожье (Украина), 2009; Рио-де-Жанейро (Бразилия), 2008, «Перспективные лазерные технологии», Анталья (Турция), 2009;

— «Diamond — Европейская конференция по алмазу, алмазо-подобным материалам, углеродным нанотрубкам, нитридам и карбиду кремния» Зальцбург (Австрия), 2003 гРива-дель Гарда (Италия), 2005 г.- Эшторил (Португалия), 2006 г.- Афины (Греция), 2009 г.- Будапешт (Венгрия), 2010 г.- Прикладная конференция по алмазам, Цукуба (Япония), 2003; Барселона (Испания), 2005;

-" Nano'2009″, Санторин (Греция), 2009; «Nano'2010», Тирученгоде (Индия), 2010;

— «Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология», Москва с 2002 по 2008 г. ежегодно, Троицк, 2009, Суздаль, 2010.

Отдельные части диссертационной работы отмечены Премией Европейской группы по исследованиям при высоких давлениях в 1993 г, медалями и дипломами международных салонов инноваций и изобретений в 1996, 1998, 2008 гг., конкурса МЧС РФ «Инновации и безопасность» 2007 г.

Личный вклад диссертанта. Автор был научным руководителем и ответственным исполнителем проведенных исследований. Основная часть описанных результатов исследования физических свойств углеродных наноматериалов и легированных синтетических монокристаллов алмазов получена автором лично. В большей части статей, патентов, в авторском свидетельстве и других публикациях он является основным соавтором.

Благодарности. Автор искренне признателен за плодотворное научное сотрудничество всем своим российским и зарубежным соавторам, в первую очередь профессору В. Д. Бланку, своему первому научному руководителю профессору А. И Коробову, а также Г. А. Дубицкому, Н. Р. Серебряной, В. М Прохорову, М. Ю. Попову, оказавшим наибольшее влияние на выбор направлений иследований и их успешное выполнение.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, восьми глав, заключения и библиографии, содержит 354 страницы машинописного текста, включая 198 рисунков, 17 таблиц и список литературы из 357 наименований.

Основные результаты работы :

1. Разработана, изготовлена и применена автоматизированная оптическая установка со сдвиговой алмазной камерой высокого давления для измерения распределения давления по площади исследуемых объектов методом анализа спектров фотолюминесценции маркерных частиц рубина при возбуждении фокусированным лазерным лучом. Установка позволяет исследовать перемещение вещества в камере при изменении нагрузки и сдвиговых деформациях. Это позволило получить качественно новую информацию о физических процессах в твердых телах под давлением.

2. Впервые аналитически решена задача распределения давления в тонком цилиндрическом слое (диске), сжимаемом наковальнями с круглыми плоскопараллельными площадками, в условиях структурного фазового перехода в материале диска с учетом скачкообразного изменения объема при фазовом переходе и пластического течения вещества. Показано, что активация фазового перехода в области метастабильного состояния под воздействием сдвиговых деформаций или повышения температуры стимулирует пластическое течение вещества в области границы фаз, а также развивает самомультипликацию или демультипликацию давления в зависимости от соотношения упругих и пластических свойств фаз и величины скачка объема при фазовом переходе.

3. Впервые получены и исследованы метастабильные 2Dи ЗБ-полимеризованные фазы фуллерена С70, построена реакционная Р, Т-диаграмма синтеза в области давлений до 15 ГПа и температур до 1870К.

4. Впервые обнаружено, что неалмазная углеродная фаза, полученная из фуллерена Сбо при давлении 20 ГПа в условиях больших сдвиговых деформаций, осуществляет пластическую деформацию поверхности (001) алмазной наковальни в сдвиговой алмазной камере высокого давления. Предел пластичности полученного из Сбо нового углеродного наноматериала превышает значение предела пластичности алмаза при Р>20 ГПа.

5. Впервые установлено, что скорости продольных упругих волн в сверхтвердых и ультратвердых фуллеритах на основе С6о и С70 варьируются в диапазоне 8,6 -ь 26 км/с, а сдвиговых — в диапазоне 6.8 ч- 12.0 км/с в зависимости от конкретной структуры материала. Удельный вес варьируется в диапазоне 2.2 -н 3.3 г см" 3'.

6. Впервые установлено, что спектры фотолюминесценции фуллеритов, полученных обработкой Сбо высоким давлением 13−15 ГПа и температурой 820 -1870°С, характеризуются уширенной полосой с максимумом в области 730−700 нм, а также дополнительными полосами в ИК области ^=1200−2300 нм при возбуждении He-Ne лазером с длиной волны 632 нм. Наличие характерной для молекул фуллерена полосы X = 700 нм свидетельствует о сохранении кластеров С6о в структуре полученных фуллеритов.

7. Впервые измерена величина энергии активации носителей заряда в полупроводниковых фуллеритах, полученных обработкой фуллеренов С6о и С70 при Р=12−15 ГПаТ=670−1800К. Величина Еа = 0,05−0,3 эВ в зависимости от структуры полученных материалов.

8. Впервые исследована деполимеризация кристаллических ЗО-полимеров С6ои 2D-полимеров С70 при нагреве. Методом дифференциальной сканирующей калориметрии измерен тепловой эффект деполимеризации в диапазоне 340−640 К и определена энергия деполимеризации: АЕ = (4.7 ± 0.6) эВ/С6о и (3.5 ± 0.4) эВ/С70, что соответствует предложенным моделям структуры этих фаз. Установлено, что разупорядоченные ЗБ-полимеризованные структуры С6о и С70, полученные при температурах синтеза более 970 К при давлениях 9.5−13 ГПа, стабильны в области температур до 640К. Величина удельной теплоемкости ср при Т = 350 К равна 0.76 0.88 Дж-г" 1 К" 1, в зависимости от конкретной структуры материала.

9. Разработана методика и впервые получены слабогидрированные тонкие пленки фуллерена Сбо: Н, исследована их структура и полимеризация под воздействием лазерного излучения. В отличие от исходного диамагнитного Сбо, некоторые структуры Сбо: Н являются парамагнитными. Обнаружено, что полимеризация соединений С60: Н обратима.

10. Впервые обнаружена полимеризация эндофуллерена Ьа@С82 под давлением 9,5 ГПа в диапазоне 520−720 К с изменением удельного веса от 1,84 до 2,67 г/см3 и твердостью плотной фазы 30±5 ГПа. По результатам исследования магнитной восприимчивости в диапазоне 4,2−300 К установлен рост на 15% концентрации неспаренных электронов по сравнению с исходным Ьа@С82 при Т < 50 К.

11. Впервые обнаружены эффекты резонансного увеличения концентрации дырок и уменьшения концентрации электронов при введении 0.2 — 6 об. % фуллерена С6о в наноструктурированные термоэлектрические сплавы В12Те3 и В^БЬ^Тез. При резонансных значениях концентрации С60 около 0,5 и 1,5 об. % наблюдаются и локальные минимумы Холловской подвижности носителей заряда. Данный эффект приводит к резонансному снижению проводимости сплава п-типа, и наоборот, к резонансному увеличению проводимости сплава р-типа, что повышает коэффициент качества термоэлектрических сплавов на 20−30%.

12. Разработаны и изготовлены автоэмиссионные катоды из углерод-азотных нановолокон на графитовой подложке, исследованы их вольт-амперные характеристики. Обнаружена низкая величина порогового значения напряженности электрического поля эмиссии около 1,2 В/мкм. Автокатоды обеспечивают рабочую плотность тока эмиссии 1−100 мА/см2 и применены в катодолюминесцентных лампах, работоспособных в диапазоне температур (-196) н-(+150)°С.

13. Впервые изготовлены и исследованы сверхтвердые сверхпроводящие композиционные материалы на основе фуллерена С60, порошковых синтетических алмазов, сверхпроводника 1У^В2 и сверхпроводящих металлов и сплавов. Критическая температура сверхпроводящего перехода составляет 12,6 -ь 39,2 К, в зависимости от выбора сверхпроводящего материала, при твердости 25ч-95 ГПа, в зависимости от выбора материала сверхтвердой компоненты.

14. В диапазоне 0,5−300 К впервые исследована температурная зависимость электросопротивления сильнолегированных бором синтетических монокристаллов алмазов, выращенных методом температурного градиента. Показано, что в диапазоне.

19 20 3 концентраций бора 10 -10 см" происходит изменение механизма транспорта носителей заряда (дырок) от обычного активационного к прыжковому и к состоянию разупорядоченного вырожденного полупроводника с проводимостью пропорциональной Т|/2.

15. Впервые в диапазоне 77 — 800 К исследован температурный коэффициент сопротивления (ТКС) миниатюрных терморезисторов, изготовленных из легированных бором синтетических монокристаллов алмазов с различной концентрацией бора. Величина ТКС составляет 0,001−0,1%, что обеспечивает чувствительность к изменению температуры 10″ 4−10~2 К при минимальном времени отклика ~100 мкс.

16. Впервые методом ионной имплантации бора, фосфора и мышьяка изготовлены р-п переходы и p-i-n структуры на основе синтетических монокристаллов алмазов типа IIb и IIa. Исследованы их вольт-амперные характеристики и спектры электролюминесценции. В спектрах электролюминесценции при прямом прохождении тока наблюдаются характерные полосы рекомбинации экситонов в области 238 нм, а при плотности тока более 60 Асм" 2 впервые наблюдались полосы суперлюминесценции на длинах волн 325 и 340 нм.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Целью работы являлось исследование физических свойств наноуглеродных материалов и легированных монокристаллов алмазов для расширения областей их использования в электронике и приборостроении.

Для достижения этой цели были разработаны, созданы и использованы новые установки и методики исследования наноуглеродных материалов под давлением до 35ГПа с приложением сдвиговых деформаций и с нагревом до 2300Кметодика гидрирования фуллереновых пленок моноатомным водородом в установке тлеющего.

2 3 разрядаметодика количественной оценки соотношения sp и $р межатомных связей в углеродных материалах на основании рентгенофлюоресцентной спектрометрии.

Исследования проводились с использованием высокоточного измерительного оборудования: установок для электрических и магнитных измерений в диапазоне температур 1,6−800К типа Oxford Instruments MagLab 2000 и LakeShore Cryotronics 70 507- дифференциального сканирующего калориметра Perkin Elmer DSC-2- оптического спектрометра TRIAX HORIBA Jobin Yvon Inc.- РФС-спектрометра PHI 5500ESCAимпульсного сканирующего акустического микроскопа WFPAMсовременного аналитического оборудования.

Выполнено теоретическое моделирование и разработаны компьютерные методики анализа структурных фазовых превращений в алмазных камерах высокого давления.

Проведены исследования свойств фаз высокого давления фуллеренов С60 и С70, эндофуллерена La@Cs2, получаемых в широком диапазоне давлений и температур, а также пленок С6оН, получаемых методом гидрирования пленок С6о в водородной плазме тлеющего разряда.

Изготовлены автокатоды на основе углерод-азотных нановолокон на графитовой подложке, с концентрацией азота до 13% и исследованы их автоэмиссионные свойства. Изготовлены прототипы вакуумных катодолюминесцентных ламп диодного типа с автокатодами на основе углерод-азотных нанострукутр.

Исследованы электрические свойства синтетических монокристаллов алмазов, сильнолегированных бором в процессе роста при статическом давлении методом температурного градиента на затравке, а также датчиков температуры на их основе.

Методом ионного легирования синтетических монокристаллов алмазов типа IIa и IIb ионами бора, фосфора и мышьяка изготовлены р-п переходы и p-i-n структуры на основе алмаза и исследованы их вольт-амперные характеристики и спектры электролюминесценции.

Методом спекания под давлением изготовлены и исследованы сверхпроводящие сверхтвердые композиционные материалы на основе фуллерена С6о и синтетических порошковых алмазов со сверхпроводящими металлами, сплавами и MgB2.

Исследовано влияние легирования фуллереном С60 на электрические свойства термоэлектрических сплавов Bi2Te3 и Bi0. sSb 1 ^Тез.

Полученные результаты позволили применить новые наноуглеродные материалы, композиты на их основе и легированные монокристаллы алмаза в быстродействующих радиационно-стойких высокочувствительных датчиках температуры для диапазона (-196) -н (+500)°С, в электропроводящих зондах для атомно-силовых сканирующих микроскопов-нанотвердомеров, в электролюминесцентных лампах, работоспособных в диапазоне температур (-196) s-(+150)°С, в высокоэффективных термоэлектрических преобразователях, в источниках УФ-излучения и других устройствах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Kroto Н. W., Heath J. R., O’Brien S. C., Curl R. F. and Smalley, R. E., Nature, 1985, 318, 162.
  2. Kratschmer W., Lamb L. D., Fostiropoulos K. and Huffman, D. R., Nature, 1990, 347, 354.
  3. IijimaS., Nature 354 (1991) 56.
  4. Dresselhaus M. S., Dresselhaus G. and Eklund P. C., Science of Fullerenes and Carbon
  5. Nanotubes. Academic Press, San Diego, 1996.
  6. Ruoff R. S. and Ruoff A. L" Nature, 1991, 350, 663.
  7. Ruoff R. S. and Ruoff A. L., Appl. Phys. Lett., 1991, 59, 1553.
  8. Wang Y., Tomanek D. and Bertsch G. F., Phys. Rev. B, 1991, 44, 6562.
  9. Duclos S.J., Brister K, Haddon R. C, Corten A. R, Thiel F.A. Effects of pressure and stresson C60 fullerite to 20 GPa. Nature 1991- 351:380−2.
  10. Yakovlev E. N., Voronov O.A. The Gibbs energy of fullerite C6o at pressures up to 20 GPa in the temperature range 300−1000 K. High Temperatures-High Pressures, 26 (1994) 639−643.
  11. Rao A. M., Zhou P., Wang K.-A., Hager G. Т., Holden J. M., Wang Y., Lee W.-T., Bi X.-X., Eklund P.C., Cornett D. S., Duncan M. A. and Amster I. J., Science, 1993, 259, 955.
  12. Kuzmany H., Winter J., Burger В., Polymeric Fullerenes, Synth. Met. 85 (1997) 11 731 177.
  13. Bashkin I.O., Rashchupkin V.I., Gurov A.F., Moravsky A.P., Rybchenko O.G., Kobelev N. P., Soifer Ya. M. and Ponyatovskii E. G., J. Phys.: Condens. Matter, 1994, 6, 7491.
  14. Nunez-Regueiro M., Marques L., Hodeau J.-L., Bethoux O. and Perroux M., Phys. Rev. Lett., 1995,74, 278.
  15. Hodeau J. L., Tonnerre J. M., Bouchet-Fabre В., Nunez-Regueiro M., Capponi J. J. and Perroux M., Phys. Rev. B, 1994, 50, 10 311.
  16. Blank V.D., Buga S.G., Dubitsky G.A., Serebryanaya N. R, Popov M.Yu., Sundqvist B. High-pressure polymerized phases of C6o- Carbon, V.36, P 319−343 (1998).
  17. Blank V.D., Dubitsky G.A. Serebryanaya N.R., Mavrin B.N., Denisov V.N., Buga S.G., Structure and properties of C6o and C70 phases produced under 15 GPa pressure and hightemperature. Physica В 33 9(2003) 39−44.
  18. Iwasa Y., Arima Т., Fleming R. M., Siegrist Т., Zhou O., Haddon R. C, Rothberg L. J., 1. ons К. В., Carter H. L., Hebard A. F., Tycko R., Dab-bagh G., Krajewski J. J., Thomas G. A. and Yagi Т., Science, 1994, 264, 1570.
  19. Nunez-Regueiro ML, Monceau P., Rassat A. and Zahab A., Nature, 1991, 354, 289.
  20. Snoke D. W., Raptis Y. S. and Syassen K., Phys. Rev. B, 1992, 45, 14 419.
  21. Snoke D. W., Syassen K. and Mittelbach, A., Phys. Rev. B, 1993,47,4146.
  22. Yoo C. S. and Nellis W. J., Chem. Phys. Lett., 1992, 198, 379.
  23. Moshary F., Chen N. H. Silvera I. F. Brown C. A., Dorn H. C., de Vries M. S. and Bethune D. S., Phys. Rev. Lett., 1992, 69, 466.
  24. Kosowsky S. D., Hsu C.-H., Chen N. H., Moshary F., Pershan P. S. and Silvera, I. F., Phys. Rev. B, 1993,48, 8474.
  25. Nunez-Regueiro M., Monceau P. and Hodeau J.-L., Nature, 1992, 355, 237.
  26. Yoo C. S., Nellis W. J., Sattler M. L. and Musket R. G., Appl. Phys. Lett., 1992, 61, 273.
  27. Hirai H., Tabira Y., Kondo K., Oikawa T. and Ishizawa, N., Phys. Rev. B, 1995, 52, 6162.
  28. В.Д., Буга С. Г., Барабанов И. А., Николов З. А., Иванов Н. И., Станев B.C. Устройство для исследования параметров вещества. Авторское свидетельство. № 1 828 264.Приоритет от 21.03.1990 г.
  29. В.Д., Буга С. Г., Попов М. Ю., Давыдов В. А., Агафонов В. А., Шварк А., Сеоля Р., Расса А., Фабре К. /Фазовые переходы и аномальное упрочнение твердого Сбо в сдвиговой алмазной камере высокого давления. ЖТФ, т.64, № 8, (1994), с. 153−156.
  30. Blank V., Popov М., Buga S., Davydov V., Denisov V. N., Ivliev A. N., Mavrin B. N.,
  31. Agafonov V., Ceolin R., Szwarc H. and Rassat A., Is C6o fullerite harder than diamond?, Phys. Lett. A, 1994,188, 281.
  32. Blank V., Buga S., Popov M., Davydov V., Kulnitsky В., Tatyanin E., Agafonov V.,
  33. Ceolin R., Szwarc H., Rassat A. and Fabre C., Phase transitions in solid C60 under pressure up to 40 GPa., Mol. Mater., 1994, 4, 149.
  34. Blank V. D., Buga S. G., Popov M. Yu., Davydov V. A., Agafonov V., Ceolin R.,
  35. Szwarc H., Rassat A. and Fabre C., Fulerene C6o under the influence of high pressuretogether with high shear stresses: how to scratch diamond/New J. Chem., 1995, 19, 2532.
  36. H.H., Семерчан А. А., Скасырская H.H., ДАН СССР 286 (1986) 1391.
  37. Yamawaki H., Yoshida M., Kakudate Y., Usuba S., Yokoi H., Fujiwara S., Aoki K.,
  38. Ruoff R., Mal-hotra R. and Lorents D., J. Phys. Chem., 1993, 97, 11 161.
  39. Persson P.-A., Edlund U., Jacobsson P., Johnels D., Soldatov A. and Sundqvist В.,
  40. Chem. Phys. Lett., 1996, 258, 540.
  41. Blank V. D., Buga S. G" Serebryanaya N. R., Denisov V. N., Dubitsky G. A., Ivlev, A.
  42. N., Mavrin B. N. and Popov M. Yu., Ultrahard and superhard carbon phases produced from C6o by heating at high pressure: structural and Raman studies, Phys. Lett. A, 1995,205,208−216.
  43. Blank V. D., Buga S. G" Dubitsky G. A., Serebryanaya N. R., Denisov V. N., Ivlev A.
  44. N., Mavrin B. N. and Popov M. Yu., Synthesis of ultrahard and superhard meterials from C60 fullerite. Mol. Mater., 1996, 7, 251−256.
  45. Blank V. D., Buga S. G., Serebryanaya N. R., Dubitsky G. A., Sulyanov S .N., Popov
  46. M. Yu., Denisov V. N., Ivlev A. N. and Mavrin B. N., Phase transformations in solid Сбо at high pressure-high temperature treatment and structure of 3D polymerized fullerites. Phys. Lett. A, 1996, 220, 149−157.
  47. David W. I. F., Ibberson R. M., Dennis T. J. S., Hare J. P. and Prassides K., Europhys.1.tt., 1992, 18,219.
  48. Marques L., Hodeau J.-L., Niinez-Regueiro M. and Perroux M., Phys. Rev. B, 1996, 54,1. R12633.
  49. Sundqvist В., Soldatov A., Andersson O., Lundin A. and Persson P.-A., in Fullerenes:
  50. Recent Advances in the Chemistry and Physics of Fullerenes, Vol. 2, ed. R. S. Ruoff and К. M. Kadish. Electrochemical Society, Pennington, 1995, pp. 891−905.
  51. Sundqvist B. Adv. in Physics, 48 (1999) 1.
  52. David W. I. F., Ibberson R. M., Dennis T. J. S., Hare J. P. and Prassides K., Europhys.1.tt., 1992, 18,219. David, W. I. F. and Ibberson, R. M., /. Phys.: Condens. Matter, 1993,5,7923.
  53. Sundqvist B., Andersson O., Lundin A. and Soldatov A., Solid State Commun., 1995,93, 109.
  54. Rao A. M., Eklund P. C, Venkateswaran U. D., Tucker J., Duncan M. A., Bendele G.
  55. M., Stephens P. W., Hodeau J.-L., Marques L., Niinez-Regueiro M., Bashkin I. O., Ponyatovsky E. G. and Morovsky A. P., Appl. Phys. A, 1997, 64, 231.
  56. Sundqvist B., Andersson O., Edlund U., Fransson A., Inaba A., Jacobsson P., Johnels
  57. Launois P., Moret R., Persson P.-A. and Sundqvist B., in Molecular Nanostructures, ed.
  58. H. Kuzmany, J. Fink, M. Mehring and S. Roth. World Scientific, Singapore, 1998, pp. 348−352.
  59. Moret R., Launois P., Persson P.-A. and Sundqvist B., Europhys. Lett., 1997, 40, 55.
  60. Agafonov V., Davydov V. A., Kashevarova L. S., Rakhmanina A. V., Kahn-Harari A.,
  61. Dubois P., Ceolin R. and Szwarc H., Chem. Phys. Lett., 1997. 267, 193.
  62. Wagberg T., Persson P.-A., Sundqvist B. and Jacobsson P., Appl. Phys. A, 1997, 64,223.
  63. Rao A. M., Eklund P. C., Hodeau J.-L., Marques L. and Nunez-Regueiro M., Phys. Rev.1. B, 1997, 55, 4766.
  64. Venkateswaran U. D., Sanzi D., Krishnappa J., Marques L., Hodeau J.-L., Nunez
  65. Regueiro M., Rao A. M. and Eklund P. C, Phys. Status Solidi (b), 1996, 198, 545.
  66. Burger B., Winter J. and Kuzmany H., Z. Phys. B, 1996, 101, 227.
  67. Hassanien A., Gasperic J., Demsar J., Musevic L. and Mihailovic D., Appl. Phys. Lett., 1997,70,417.
  68. Kozlov M. E. and Yakushi K., J. Phys.: Condens. Matter, 1995,7, L209.
  69. Porezag D., Pedersson M. R, Frauenheim T. and Kohler T., Phys. Rev. B, 1995, 52,14 963.
  70. Rachdi F., Goze C, Nunez-Regueiro M., Marques L., Hodeau J.-L. and Mehring M., in
  71. Fullerenes and Fullerene Nanostructures, ed. H. Kuzmany, J. Fink, M. Mehring and S.
  72. Roth. World Scientific, Singapore, 1996, pp. 337−343.
  73. Rachdi F., Goze C, Hajji L., Thier K. F., Zimmer G., Mehring M. and Niinez-Regueiro
  74. M., Appl. Phys. A, 1997, 64, 295.
  75. Stafstrom S. and Fagerstrom J., Appl. Phys. A, 1997, 64, 307.
  76. Springborg M., Phys. Rev. B, 1995, 52, 2935.
  77. Stafstrom S., Boman M. and Fagerstrom J., Euro-phys. Lett., 1995, 30,295.
  78. Tanaka K., Matsuura Y., Oshima Y., Yamabe T., Asai Y. and Tokumoto M., Solid Stale1. Commun., 1995,93, 163.
  79. Harigaya K., Phys. Rev. B, 1995, 52, 7968.
  80. Harigaya K., Chem. Phys. Lett., 1996, 253, 420.
  81. Soldatov A. and Andcrsson O., Appl. Phys. A, 1997, 64, 227.
  82. Persson P.-A., Andersson O., Jacobsson P., Soldatov A., Sundqvist B. and Wagberg T.,
  83. J. Phys. Chem. Solids, 1997 (in press).
  84. Wang Y., Holden J. M., Bi X.-X. and Eklund P. C" Chem. Phys. Lett., 1994, 217, 413.
  85. Iwasa Y., Furudate T., Fukawa T., Ozak, T., Mitani T., Yagi T. and Arima T., Appl.1. Phys. A, 1997, 64,251.
  86. Davydov V. A., Kashevarova L. S., Rakhmanina A. V., Agafonov V. N., Ceolin R. and
  87. Szwarc H., JETP Lett., 1996, 63, 818.
  88. Oszlanyi G. and Forro L., Solid State Commun., 1995, 93, 265.
  89. Goze C., Rachdi F., Hajji L., Nunez-Regueiro M., Marques L., Hodeau J.-L. and Mehring M., Phys. Rev. B, 1996, 54, R3676.
  90. Davydov V.A., Kashevarova L.S., Rakhmanina A.V., Agafonov V., Allouchi H., Ceolin
  91. R., Dzyabchenko A.V., Senyavin V.M., Szwarc H. Tetragonal polymerized phase of C60, Phys. Rev. B, 58 14 786−14 791.
  92. Makarova T.L., Sundqvisf B., Scharff P., Gaevski M.E., Olsson E., Davydov V.A.,
  93. Rakhmanina A.V., Kashevarova L.S. Electrical properties of two-dimensional fullerene matrices. Carbon 39 (2001) 2203 2209
  94. Kozlov M. E" Tokumoto M. and Yakushi K., Appl. Phys. A, 1997, 64,241.
  95. Iwasa Y., Arima T., Rothberg L. J., Fleming R. M., Zhou O., Lyons K. B., Chcong S.
  96. W., Haddon R. C., Hebard A. F. and Thomas G. A., Synth. Met., 1995, 70, 1407.
  97. Makarova T.L. Electrical and optical properties of pristine and polymerized fullerenes.
  98. Semiconductors 2001:35(3):257 -93.
  99. Makarova T. L, Wagberg T., Sundqvist B., Agafonov V., Davydov V.A., Rakhmanina
  100. Davydov V.A., Kashevarova L.S., Rakhmanina A.V., Senyavin V. M, Ceolin R., Szwarc
  101. H., Allouchi H., Agafonov V. Spectroscopic study of pressure-polymerized phases of C60. Phis Rev B 2000: 61(18)1936−45.
  102. Xu C.H., Scuseria G.E. Theoretical predictions for a two-dimensional rhombohedralphase of solid C60. Phys Rev. Lett. 74 (1995) 274−277.
  103. Blank V. D" Kulnitskiy B. A. and Tatyanin Ye. V., Phys. Lett. A, 1995, 204, 151.
  104. Popov M., Kyotani M., Koga Y. Superhard phase of single wall carbon nanotube: comparison with fullerite C6o and diamond. Diam. and Rel. Mat. 12 (2003) 833−839.
  105. Serebryanaya N.R., Blank V.D., Ivdenko V.A., Chernozatonskii L.A. Pressure-inducedsuperhard phase ofC60. Sol. St. Comm. 118 (2001) 183−187.
  106. Horikawa T., Kinoshita T., Suito K., Onodera A., Sol. St. Comm. 2000. V. 114. P. 121
  107. Serebryanaya N.R., Chernozatonskii L.A. Modelling and interpretation of the experimental data on the 3D polymerized C60 fullerites. Sol. St. Comm. 114 (2000) 537−541.
  108. Chernozatonskii L.A., Serebryanaya N.R., Mavrin B.N. The superhard crystalline three-dimensional polymerized C6o phase. Chem. Phys. Lett. 316 (2000) 199−204.
  109. Meletov K.P., Arvanitidis J., Tsilika E., Assimopoulos S., Kourouklis G.A., Ves S.,
  110. Soldatov A., Prassides K., Pressure-induced phase in tetragonal two-dimensional polymeric C60. Phys. Rev. B 63 (2001) 54 106 .
  111. Meletov K.P., Arvanitidis J., Assimopoulos S., Kourouklis G.A. Pressure-induced transformations in two-dimensional polymeric phases of C6o. OTT, 44 (2002) 601−604.
  112. Meletov K.P., Arvanitidis J., Kourouklis G.A., Prassides K., Iwasa Y. Structuralstability of the rhombohedral 2D polymeric phase of C60 studied by in situ Raman scattering at pressures up to 30 GPa. Chem. Phys. Lett. 357 (2002) 307−313.
  113. Buga S.G., Blank V.D., Dubitsky G.A., Serebryanaya N.R., Franson A., Wagberg T. and Sundqvist B. Synthesis of superhard 3D-polymeric Ceo fullerites from rhombohedral 2D-polymer by high-pressure-high-temperature treatment. High
  114. Pressure Res., 23 (2003) 259−264.
  115. Chi D.H., Iwasa Y., Takano T., Watanuki T., Ohishi Y., Yamanaka S.. Bond switchingfrom two- to three-dimensional polymers of C60 at high pressure. Phys. Rev. B 68, (2003)153402 -4.
  116. Okada S., Saito S., Oshiyama A. New metallic crystalline carbon: three dimensionallypolymerized C60 fullerite. Phys. Rev. Let. 83 (1999) 1986.
  117. Premila M., Sundar C.S., Sahu P.Ch., Bharathi A., Hariharan Y., Muthu D.V.S., Sood A.K., Solid State Commun.104 (1997) 237.
  118. Blank V.D., Serebryanaya N.R., Dubitsky G.A., Buga S.G., Denisov V.N., Mavrin B.N., 1. lev A.N., Sulyanov S.N., Lvova N.A. Polymerization and phase diagram of solid C70 after high-pressure-high-temperature tretment. Phys. Lett. A 248 (1998) 415−422.
  119. Blank V.D., Kulnitskiy B.A. Polymerisation of C6o and C70 under thermobaric treatment. Ins. Phys. Conf. Ser. 161 (1999) 425−428.
  120. Blank V.D., Kulnitskiy B.A., Zhigalina O.M. Dimerisation and polymerisation of C70after thermobaric treatment. Carbon 38 (2000) 2051−2054.
  121. Vergeijen M.A., Meekes H., Meijer G., Bennema P.,. De Boer J.L., Van Smaalen S.,
  122. Van Tendeloo G., Amelinckx S., Muto S., Van Laduyt J., Chem. Phys. 166 (1992) 287.
  123. Rao AM, Menon M, Wang K-A et al. Fotoinduced polymerisation of solid Ceo films.
  124. Chem. Phys. Let. 1994- 224:106−12.
  125. Blank V., Popov M., Lvova N., Gogolinsky K., Reshetov V., Nano-sclerometry measurements of superhard materials and diamond hardness using scanning force microscope with the ultrahard fullerite C6o tip. J. Mater. Res., Vol. 12, No. 11, (1997) 3109−3114.
  126. Blank V.D., Buga S.G., Serebryanaya N.R., Dubitsky G.A., Prokhorov V.M., Popov
  127. Buga S., Blank V., Dubitsky G., Serebryanaya N., Popov M., Prokhorov V., Pivovarov
  128. G., High-pressure synthesis of nanostructured superhard and ultrahard materials on the basis of fullerenes, their structure and properties. Nanosciaence& Nanotehnology'02. eds. E. Balabanova, I. Dragieva. Heron Press, Sofia, 2002, p.p. 12−17.
  129. Popov M., Koga Y., Fujiwara S., Mavrin B. N. and Blank V. D. Carbon nanocluster-based superhard materials. New Diamond and Frontier Carbon Technology Vol. 12, No. 4 (2002) 229−260.
  130. В.Д., Левин B.M., Прохоров B.M., Буга С. Г., Дубицкий Г.А., Серебряная
  131. H.Р., Упругие свойства ультратвердых фуллеритов, ЖЭТФ, 114, (1998) 13 641 374.
  132. Blank V.D., Prokhorov V.M., Buga S.G., Dubitsky G.A., Levin V.M. Eelastic properties of cross-linked layered structures synthesized from C6o powder at 8−11 GPa- 500−1650 K. Physica B: Condensed Matter. 265 (1999) 230−233.
  133. Buga S.G., Blank V.D., Dubitsky G. A, Edman L., Zhu X.M., Nyeanchi E.B., Sundqvist В. Semimetallic and semiconductor properties of some superhard andultrahard fullerites in the range 300−2 K. J. Phys. Chem. of Solids, 61 (2000) 10 091 015.
  134. Buga S.G., Blank V.D., Serebryanaya N.R., Makarova Т., Dzwilewski A., Sundqvist В., Electrical properties of 3D-polymeric crystalline and disordered C6o and C70 fullerites. Diamond and Related Mat., 14 (2005) 896−901.
  135. Blank V.D., Tatyanin Ye. V. and Kulnitskiy B. A., Phys. Lett. A, 225 (1997) 121.
  136. Blank V.D.,. Kulnitskiy В. A ., Dubitsky G. A., Alexandrou I. The structures of C6o-phases, formed by thermobaric treatment: HREM-stuadies. Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nansotructures, 13 (2005) 167−177.
  137. В.А., Кашеварова JI.C., Рахманина A.B., Агафонов В. И., Сеоля Р., Шварк А. Индуцированная давлением поликонденсация фуллерена С6о Письма ЖЭТФ, 63 (1996) 778 783.
  138. Gal’pern E.G., Stankevich I.V., Chistyakov A.L., Chemozatonskii L.A., Models of the stable dumbbell-like C.2o cluster and crimped nanotubes constructed from C6o fullerenes. Chem. Phys. Lett. 269 (1997) 85−87.
  139. B.L., Wang C.Z., Но K.M., Chan C.T. Structure of collapsed solid C60. Europhys. Lett, 28 (4), (1994) 219−224.
  140. Zeger L., Kaxiras E. New model for icosahedral carbon clusters and the structure of collapsed fullerite. Phys. Rev. Lett. 70 (1993) 2920−2923.
  141. Amaratunga G.A.J. Diamond formation in a carbon onion. Phys.Rev. Lett. (1996).
  142. Ebbesen T W (Ed.) Carbon Nanotubes: Preparation and Properties (Boca Raton, Fl.: CRC Press, 1997)
  143. Saito R., Dresselhaus G., Dresselhaus M. S., Physical Properties of Carbon Nanotubes (London: Imperial College Press, 1998).
  144. M. S., Dresselhaus G., Avouris P. (Eds) Carbon Nanotubes. Synthesis, Structure, Properties and Applications (Berlin: Springer, 2001).
  145. А. В., УФН 172 (2002) 401.
  146. А. В., УФН 174 (2004) 1191.
  147. Loiseau A. et al. (Ed.) Understanding Carbon Nanotubes: From Basics to Applications (Berlin: Springer, 2005)
  148. S. V., Subramoney S. (Eds) Applied Physics of Carbon Nanotubes: Fundamentals of Theory, Optics and Transport Devices (Berlin: Springer, 2005).
  149. Zhang J. et al. Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 64 106.
  150. Kawakita K. et al. J. Vac. Sci. Technol. В 24 (2006) 950.
  151. А. В., УФН 179 (2009) 225.
  152. А. В., Холодные полевые эмиттеры на основе углеродных нанотрубок, УФН, 180 (2010) 897−930.
  153. Gulyaev Yu. V. et al. J. Vacuum Sci. Techol. B13 (1995) 435.
  154. Chernozatonskii L.A. et.al. J. Vacuum Sci. Technol. B14 (1996) 2080.
  155. Chernozatonskii L. A. et al. Chem. Phys. Lett. 233 (1995) 63.
  156. Ю. В. и др. Микроэлектроника 26 (2) (1997) 84.
  157. De Heer W. A., Chatelain A., Ugarte D., Science 270 (1995) 1179.
  158. Rinzler A. G. et al., Science 269 (1995) 1550.
  159. Obraztsov A.N., Volkov A.P., Pavlovsky I. Field emission from nanostructured carbon materials. Diamond and Related Materials 9 (2000) 1190−1195.
  160. Obraztsov A.N., Zakhidov ALA., Volkov A.P., Lyashenko D.A. Nano-carbon materials for cold cathode applications. Microelectronic Engineering 69 (2003) 405 411.
  161. Sohn J. I. et al. Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 901.
  162. Wang Q. H., Yan M" Chang R. P. H" Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 1294.
  163. Mauger M., Binh V.T., Vac. Sci. Technol. В 24 (2006) 97
  164. Obraztsov A.N., Zakhidov Al.A., Volkov A.P., Lyashenko D.A. Non-classical electron field emission from carbon materials. Diamond and Related Materials 12 (2003) 446 449.
  165. Saito Y., Uemura S., Carbon 38 169 (2000).
  166. Yue G. Z. et al. Appl. Phys. Lett. 81 355 (2002).
  167. Zhang J. et al. Appl. Phys. Lett. 89 64 106 (2006).
  168. Kawakita K. et al. J. Vac. Sei. Technol. В 24 950 (2006).
  169. Тео К. В. K. et al. Nature 437 968 (2005).
  170. Milne W.I. et al. J. Vac. Sei. Technol. В 24 345 (2006).
  171. Fowler R. H" Nordheim L., Proc. R. Soc. London A 119 173 (1928).
  172. Gomer R. Field Emission and Field Ionization 2nd ed. (New York: AIP, 1993).
  173. JI. H., Гомоюнова М. В., Эмиссионная электроника (М.: Наука, 1966).
  174. Luo J. et al. Phys. Rev. В 66 155 407 (2002).
  175. Han S., Ihm J., Phys. Rev. В 66 241 402® (2002).
  176. Qiao L. et al. Diamond Relat. Mater. 18 657 (2009).
  177. Zheng X. et al. Phys. Rev. Lett. 92 106 803 (2004).
  178. Yaghoobi P., Walus K" Nojeh A., Phys. Rev. В 80 115 422 (2009).
  179. К. А., Роткин В. В. Письма в ЖЭТФ 75 239 (2002).
  180. Е. G., Raikh М. Е. Phys. Rev. В 74 155 410 (2006).
  181. Li Z-B., Wang W-L., Chinese Phys. Lett. 23 1616 (2006).
  182. Sedrakyan Т. A., Mishchenko E. G" Raikh M. E., Phys. Rev. В 73 245 325 (2006.)
  183. Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Volkov A.P., J. Vac. Sei. Technol. В 17, 674 (1999).
  184. Levine J.D., J.Vac. Sei. Technol. В 13, 553 (1995).
  185. Wei G. Appl. Phys. Lett. 89 143 111 (2006).
  186. Stephan O., Ajayan P.M., Colicx C., Rcdlich Ph., Lambert J.M., Bcrnicr P., Lefin P., Science 266, 1683 (1994).
  187. А.Г., Окотруб A.B., Юданов Н. Ф., Романенко А. И., Булушева Л. Г., Абросимов А. Г., Чувилин А. Л., Пажетов ЕМ., Воронин А. И. Газофазный синтез азотосодержащих углеродных нанотруб и их электронные свойства ФТТ, 44 (2002) 626−629.
  188. Suenaga К., Johansson М.Р., Hellgren N., Broitman E., Wallenberg L.R., Collicx С., Sungrcn J.E., Hultman L. Chem. Phys. Lett. 300, 695 (1999).
  189. Okotrub A.V., Bulusheva L.G., Romancnko A.I., Chuvilin A.L., Rudina N.A., Shubin Y.V., Yadanov N.F., Guscl’mkov A.V. Appl. Phys. A 71, 481 (2001).
  190. Kawabata A. Solid State Commun. 34, 6, 431 (1980).
  191. Langer L., Bayot V., Grivei E., Issi J.-P., Heremans J.P., Oik C.H., Stockman L., Van Hacscndonck C., Bruynscraede Y., Phys. Rev. Lett. 76, 479 (1996).
  192. Blank V.D., Gorlova I.G., Hutchison J.L., Kiselev N.A., Ormont V.D., Polyakov E.V., Sloan, J.- Zakharov, D. N.- Zybtsev, S. G., The structure of nanotubes fabricated by carbon evaporation at high gas pressure. Carbon, 38, 2000, 1217.
  193. Д.В., Бланк В. Д., Буга С. Г., Кульницкий Б. А., Поляков Е. В., Джу Б.-К., Ли Я.-Д., Способ получения нановолоконного материала для холодных катодов. Патент РФ № 2 288 890 от 11.09.2003 г.
  194. Terrones M., Redlich Ph., Grobert N., Trasobares S., Hsu W.K., Terrones H., Zhu Y.Q., Hare J.P., Cheetham A.K., Ruhle M., Kroto H.W., and Walton D.R.M., Carbon nitride nanocomposites: formation of aligned CxNy nanofibers, Adv Mater 1999- 11:655−658.
  195. Hu J., Yang P., Lieber C.M., Nitrogen driven sp3 to sp2 transformation in carbon nitride materials, Phys. Rev. B57, 1998, R3185.
  196. Inagaki M., Tachikawa H., Nakahashi T., Konno M., and Hishiyama Y. The chemical bonding state of nitrogen in kapton-derived carbon film and its effect on the graphitization process, Carbon 1998- 36(7−8): 1021−25.
  197. Sjostrom H., Stafstrom S., Boman M., and Sundgren J-E., Superhard and elastic carbon nitride films having fullerenelike microstructure, Phys Rev Lett 1995- 75(7):1336−39.
  198. Kiang C.H., Dresselhaus M.S., Beyers R, Bethune D.S., Vapor-phase self-assembly of carbon nanomaterials, Chem. Phys. Lett. 1996- 259(1, 2): 41−47.
  199. Zhang Q., Yoon S.F., Ahn J., Gan B., Rusli Yu .M.B., Carbon films with high density nanotubes produced using microwave plasma assisted CVD, J Phys Chem Solids 2000- 61(7):1179−83.
  200. Xie S.S., Li W.Z., Qian L.X., Chang B.H., Fu C.S., Zhao R.A., Zhou W.Y., and Wang G., Equilibrium shape equation and possible shapes of carbon nanotubes, Phys Rev B 1996- 54(23): 16 436−39.
  201. Veprek S., A theoretical approach to heterogeneous reactions in non-isothermal low pressure plasma, Z. Phys. Chem., 1973- 86, 1−2, 95−107.
  202. Badzian A., Badzian T., Lee S.-T., Synthesis of diamond from methane and nitrogen mixture, Appl Phys Lett 1993- 62(26):3432−34.
  203. Stolk R.L., van Herpen M.M., ter Meulen J. J, Schermer J.J., Influence of nitrogen addition on oxyacetylene flame chemical vapor deposition of diamond as studied by solid stste techniques and gas phase diagnostic, J Appl Phys 2000- 88(6):3708−16.
  204. Kaltofen R, Sebald T, Weise G., Low-energy ion bombardment effects in reactive RF magnetron sputtering of carbon nitride films, Thin Solid Films 1997- 308−309:118 125.
  205. Wang Z.L., Kang Z.C., Pairing of Pentagonal and Heptagonal Carbon Rings in Growth, Phil. Mag. B 1996- 74, 1, 51−69.
  206. Kusunoki M., Suzuki T., Hirayama T., Shibata N., Kaneko K., Appl. Phys. Lett. 2000, 77,4, 531−533.
  207. Ting J.-M., Lan B.C., Carbon 2000- 38(13): 1917−23.
  208. Venable J. A., Spiller G.D.T., Hanbucken M., Nucleation and growth of thin film, Rep Prog. Phys. 1984- 47(4):399−459.
  209. Bundy F.P., Bovenkerk H.P., Strong H.M. et al. Diamond graphite equilibrium line from growth and graphitization of diamond. J. Chem. Phys. 1961. v. 35, № 2, p. 383 -391).
  210. Wentorf R.H. J. Chem. Phys., 75, 1833 (1971).
  211. Strong H.M., Chrenko R.M. J. Chem. Phys., 75, 1838 (1971).
  212. С.А., Бланк В. Д., Носухнн С. А., Кузнецов М. И. Способ выращивания монокристаллов алмаза. Патент РФ № 2 320 404, приоритет от 25.11.2005 г.
  213. Полиморфные модификации углерода и нитрида бора: Справ, изд. / Курдюмов А. В., Малоголовец В. Г., Новиков Н. В., Пилянкевич А. Н., Шульман JI.A. М.: Металлургия, 1994. — 318 е.-
  214. Природные и синтетические алмазы./ Бокий Г. Б., Безруков Г. Н., Клюе Ю.А.в, Налетов A.M., Непша В. И. М.: Наука, 1986. — 222 е.
  215. Веб-сайт ФГУ ТИСНУМ: http://www.ntcstm.troitsk.ru
  216. Sumiya et al., «Process for the production of synthetic diamond», US Patent 6,030,595 от 29.02.2000.
  217. Dean P.J., Male J.C., J. Phys. Chem. Sol., 25 (1964) 1369.
  218. V.P., Laptev V.I., Personov V.A., Rotner Yu.M., ДАН СССР, Серия «Кристаллография», 226, № 2, (1976) 328.
  219. Гусева М. И, Коноров Е. А, Кузнецов Ю. А., Сергиенко В. Ф. Физика и техника полупроводников, 12, № 3 (1978) 505
  220. Horiuchi К., Nakamura К., Yamashita S.: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L604-
  221. Koizumi S., Watanabe K., Hasegawa M., Kanda H., Science 292 (2001)1899.
  222. Horiuchi K., Kawamura A., Ide Т., Ishikura T, Nakamura K., Yamashita. S., Efficient free-exciton recombination emission from diamond diode at room temperature. Jpn. J. Appl. Phys., 40 (2001) L 275−278.
  223. Wang W.L., Liao K.J., Cai C.Z., Zhu Y.B., Ma Y" Liao H.Y. Diam. and Rel. Mat. 12 (2003)1385.
  224. Makino Т., Tokuda N., Kato H. et. al. Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 222 111.
  225. В.Д., Буга С. Г., Карпушин М. П., Мордкович В. З., Терентьев С. А., Светоизлучающий диод. Патент РФ № 2 386 193. от 10.04.2010 г.
  226. Teofilov N., Schliesing R., Thonke К., Zacharias H., Sauer R., Kanda H., Diam. and Rel. Mat. 12 (2003) 636.
  227. Buga S.G., Blank V.D., Ivanov N. Computer visualisation of pressure distribution and substance flow in diamond anvil cells. Proceedings of 11th International Conference on Pattern Recognition, Hague, Netherlands, 30.08−03.09. 1992, v. 1, 181−184.
  228. В.Д., Буга С. Г., Автоматизированная оптическая установка со сдвиговой алмазной камерой высокого давления. ПТЭ, № 1 (1993) 205−216.
  229. А., Приборы для научных исследований. 1986. № 6. С. 3.
  230. В.Д., Богуславский Ю. Я., Еремец М.И, Ицкевич Е. С., Коняев Ю. С., Широков A.M., Эстрин Е. И. Эффект самомультипликации давления при фазовом переходе в квазигидростатических условиях. ЖЭТФ. 87 (1984) 922 926.
  231. И.А., Бланк В. Д., Коняев. Ю.С. ПТЭ. 1987. № 2. 176.
  232. Ves.S., Strossner К., Christiansen п., et al., Sol. St. Comm. V. 56. № 6 (1985) 479.
  233. В.Б., Тимофеев Ю. А., Виноградов Б. В., Яковлев Е. Н. ФТТ 31. № 8. (1989) 254.
  234. Boguslavsky Yu. Ya., Blank V.D., Begoulev V.B., Buga S.G., Shirokov A.M. Pressure self-miltiplication and self-demultiplication effect in an elastic-plastic substance at the structural phase transition. High Pressure Res. 12 (1994) 145−159.
  235. . JI.M. Основы теории пластичности. Москва, 1956, с. 320.
  236. В.Б., Тимофеев Ю. А., Виноградов Б. В., Яковлев Е. Н. Физика и техника высоких давлений 34, 82 (1990).
  237. В.И. Большие упруго-пластические деформации материалов при высоком давлении, Киев, 1987, 229 с.
  238. Buga S.G., Korobov A.I., Voronov D.D., Acoustoelectric current quantum oscillations in LiNb03-BiSb layered structure. Sol St. Comm. 77 (1991) 879−883.
  239. И. Акустические волны в твердых телах, Москва, (1981).
  240. Weinreich G., Phys. Rev. 107, 321 (1957).
  241. Renecker D.H., Phys. Rev. 115, 303 (1959).
  242. Zitter R.N., Phys. Rev. 127, 1471 (1962).
  243. Yu. & Kagan V., Fiz. Tverd. Tela 10, 2037 (1968).
  244. A.P. & Roy V.F., Fiz. Nizk. Temp. 1, 125 (1975).
  245. S., Fujimori Y., Mori H., Akinaga M., Yamaguchi T. & Shiraichi N., J. Phys. Soc. Jpn. 48, 1157(1980).
  246. H., Чудинов С., Экспериментальные методы исследования энергетических спектров электронов и фононов в металлах, изд. МГУ, Москва, 1984.
  247. N., Dolgotenko Т. & Stupochenko N., ЖЭТФ 45, 1319 (1963).
  248. N. & Chudinov S" ЖЭТФ 59, 1494 (1970).
  249. Gilmore R. S., Tarn K. G., et al., Phil Trans. R. Soc. London, А 320. 215 (1986).
  250. Maslov K., Acoustical Imaging. 20, 245 (1993).
  251. Briggs A., Acoustic Microscopy, Clarendon Press, Oxford (1992).
  252. Hag S. and Tunnicliffe D.L., Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 469.
  253. Poirier D. M et al., Physics D26 (1993) 79.
  254. Osawa S. et al, Fullerene Sei. Technol. 3 (1995) 565.
  255. Polushkin V.M.et al., Diamond and Related Materials, 3 (1994) 531
  256. Buga S., Blank V., Serebryanaya N., Fransson A., Sundqvist В. DSC study of annealing and phase transformations of Сбо and C70 polymerized under pressures in the range 9.5 to 13 GPa. J. Phys. Chem. Sol. 63 (2002) 331−343.
  257. Kozlov M. E., Hirabayashi M., Nozaki K., Tokumoto M. and Ihara, H., Appl. Phys. Lett., 1995,66, 1199.
  258. Kobelev N. P.,. Nikolaev R. K, Soifer Ya. M. et al. Chem. Phys. Lett. 276, 263 (1997).
  259. Физические величины, под ред. И. С. Григорьева, Е .3. Мелихова, Энергоатомиздат, Москва (1991), с. 149.
  260. Blackslee О. J., Appl. Phys. 41, 3373 (1970).
  261. G. В. Proc. 5th Conf. on Carbon. Pergamon, N. Y. Vol. 2 (1961), p. 531.
  262. Lynch R. W. and Drickamer H. G" J. Chem. Phys. 44, 181 (1966).
  263. Blank V. D., Buga S. G., Dubitsky G. A. et al., in Molecular Nanostructures, ed. by H. Kuzmany et al. World Scientific (1997), p. 506.
  264. Tashiro K., Kobayashi M., and Yabuki K., Synth. Met. 71,2101 (1995).
  265. S. В., Shenderova O. A. White С. T. ct. al., Carbon 36, 1 (1998).
  266. Kasarian S.A., Blank V.D., Buga S.G., Dubitsky G.A., Prokhorov V.M., Oraevsky
  267. A.N., Starodubtsev N.F., Microphotoluminescence of C6o-fullerites synthesized under a pressure of 13 GPa and temperatures of 770−2100 K. Journal of Russian Laser Research, 19, No.3,(1998) 237−243.
  268. С.А., Бланк В. Д., Буга С. Г., Дубицкий Г. А., Ораевский А.Н., Прохоров
  269. B.М., Стародубцев Н. Ф. Микрофотолюминесценция фуллеритов С60, синтезированных при давлении 13 ГПА и температуре 550−2000°С. Препринт 41 ФИАН им. П. Н. Лебедева, 1997 г.
  270. Feldmann J., Fischer R., Gobel E.O., Schmitt-Rink S., Optical excitation near the fundamental gap of solid C60. Physical Stat. Sol. (b), v.173, 339−344 (1992)
  271. Kazaoui S., Ross R. and Minanii N. Solid State Commun 90, 623, (1994).
  272. Besasson R.V., Hill Т., Lambert C., Land E.J., Leach S. and Trusscott T.G., Chemical Physics Letters 201,326 (1993).
  273. Wen C., Aida Т., Honma 1., Komiyana H. and Yamada K., J.Phys.Condens Matter, 6, 1603 (1994).
  274. Smontara A., Biljankovic K., Staresinic D., Pagic D., Kozlov M.E., Hirabayashi M., Tokumoto M., Ihara H., Thermal conductivity of hard carbon prepared from C6o fullerene, Physica В 219/220 (1996) 160−166.
  275. Hassanien A., Kozlov M.E., Tokumoto M., SPM investigation of superhard carbon prepared from C60 fullerene, International Winterschool on Electronic Properties of Novel materials, 2 February-6 March 1999, Kirchberg/Tirol, Austria. Book of Abstracts
  276. Bayot V., Piraux L., Michenaud J.-P., Issi J.-P., Lelaurian M., Moore A., Two-dimensional weak localization in partially graphitic carbons, Phys. Rev. B 41 (1990) 11 770−11 779.
  277. Lee P.A., Ramakrishnan T.V. Disordered electronic systems. Rev. Mod. Phys. 57 (1985) 287−337.
  278. Piraux L., Weak localization and coulomb interaction in graphite intercalation compounds and related materials, J. Mater. Res. 5 (1990) 1285−1298.
  279. Edman L., Sundqvist B., McRae E., Litvin-Staszewska E. Electrical resistivity of single-crystal graphite under pressure: an anisotropic three-dimensional semimetal, Phys. Rev. B 57 (1998)6227−6230.
  280. Carmona F., Delhaes P., Keryer G., Manceau J.P. Non-metal-metal transition in a noncrystalline carbon. Solid State Commun. 14(1974) 1183−1187.
  281. Mott N.F., Phil. Mag. 19 (1969) 835.
  282. Nagels P., in: M.H. Brodsky (Ed.), Amorphous Semiconductors, Springer-Verlag, Berlin, NY, 1979.
  283. Meingast C., Blank B., Burkle H., Obst B., Wolf T., Wiihl H., Selvamanickam V. and Salama K., Phys. Rev. B 41. 11 299 (1990).
  284. Gugenberger F., Heid R., Meingast C., Adelmann P., Braun M., Wiihl H., Haluska M., and Kuzmany H., Phys. Rev. Lett. 69, 3774 (1992).
  285. Inaba A., Fransson A., and Sundqvist B., J. Chem. Phys. 110, 12 226 (1999).
  286. White M. A., Meingast C., F. David W. I., and Matsuo T. Solid State Commun. 94, 481 (1995).
  287. Petersson J., Schneider E., and Siems R., Z. Phys. B: Condens. Matter 39, 233 (1980).
  288. Saito S. and Okada S., in Electronic Properties of Novel Materials, XII International Winterschool, edited by H. Kuzmany et al., (AIP, New York, 1998), p. 198.
  289. Buga S., Blank V., Serebryanaya N., Fransson A., Sundqvist В. DSC study of annealing and phase transformations of Сбо and C70 polymerized under pressures in the range 9.5 to 13 GPa. J. Phys. Chem. Sol. 63 (2002) 331−343.
  290. Pustai Т., Oslanyi G., Faigel G., Kamaras K., Granasy L., Pekker S., Solid State Comm. 11 (1999) 595.
  291. Dworkin A., Szwarc H., Davydov V.A., Kashevarova L.S., Rakhmanina A.V.,. Agafonov V, Ceolin R., Carbon 35 (1997)745.
  292. Iwasa Y., Tanoue K., Mitani Т., Yagi Т., Phys. Rev. В 58 (1998) 16 374.
  293. Hultgren R., Decai D.D., Hawkins D.T., Gleiser M., Kelley K.K., Wagman. D.D. Metals Park (Ohio). Selected values of the thermodynamic properties of the elements. Amer. Soc. for Metals, 1973.
  294. M.A. Verheijen, H. Meekes, G. Meijer, P. Bennema, J.L. De Boer, S. Van Smaalen, G. Van Tendeloo, S. Amelinekx, S. Muto, J. Van Ladduyt, Chem. Phys. 166 (1992) 287.
  295. Vaughan G.B.M., Heiney P.A., Cox D.A., Fischer J.E., McGhie A.R., Strongin R.M., Chichy M.A., Smith A.B., Chem. Phys. 178 (1993) 599.
  296. Chen H.S., Kortan A.R., Haddon R.C., Kaplan M.L., Chen C.H., Mujsce A.M., Chou H, Fleming D.A., Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 2956.
  297. Saxby J.D., Chartfield S.P., Palmisano A., Vassalo A.M., Wilson M.A., Pang L.S.K., J. Phys. Chem. 96 (1992) 17.
  298. Nisha J.A., Sridharan V., Janaki J., Hariharan Y., Sastry VS., Sundar C.S., Radhakrishnan T.S., J. Phys. Chem. 100 (1996) 4503.
  299. Marques L., Mezouar M., Hodeau J.-L., Nunez-Regueiro M., Serebryanaya N.R., Ivdenko V.A., Blank V.D., Dubitsky G.A., Science 283 (1999) 1720.
  300. Blank V.D., Prokhorov V.M., Buga S.G., Dubitsky G.A., Levin V.M. Eelastic properties of cross-linked layered structures synthesized from C6o powder at 8−11 GPa- 500−1650 K. Physica B: Condensed Matter. 265 (1999) 230−233.
  301. Okada S., Saito S., Phys. Rev. B 59 (1999) 1930.
  302. Lebedkin S., Hull W.E., Soldatov A., Renker B., Kappes M.M., J. Phys. Chem. B 104 (2000)4101.
  303. Soldatov A., Roth G., Dzyabchenko A., Johnels D., Lebedkin S., Meingast C., Sundqvist B., Haluska M., Kuzmany H. Science (2001).
  304. Nishibori E., Takata M., Sakata M., Inakuma M" Shinohara H., Chem.Phys. Lett. 2 981 998) 79.
  305. Buga S.G., Blank V.D., Serebryanaya N.R., Klaeser M., Liu G., Lebedkin S., Kulnitskiy B.A. Structure and properties of solid La@C82 endofiillerene polimerized under pressure 9.5GPa and temperature 520−720 K. Synthetic Metals 121,(2001) 10 931 096.
  306. Lebedkin S., Renker B., Heid R., Schober H., Rietschel H., Appl. Phys. A 66 (1998) 273.
  307. Funasaka H., Sugiyama K., Yamamoto F., Takahishi T., J. Phys. Chem. 99 (1995) 1826.
  308. Makarova T.L., Zakharova I.B., Kvyatkovskii O.E., Buga S.G., Volkov A.P., Shelankov A.L. Experimental realization of high spin states in dilutaly hydroginated fullerenes. Phys. Stat. Sol. (B) 245 (2009) 2778−2781.
  309. Makarova T.L., Kvyatkovskii O.E., Zakharova I.B., Buga S.G., Volkov A.P., Shelankov A.L.Laser controlled magnetism in hydrogenated fullerene films. J. Appl. Phys. 109,(2011) 83 941−1-7.
  310. R., Ebenhoch J., Fanti M., Fowler P. W., Leach S., Orlandi G., Ruchardt Ch., Sandall J. P. В., and Zerbetto F., Chem. Phys. 232, 75 (1998).
  311. Shimada Т., Yamamoto Y., Kaji Т., Itaka K., Koinuma H., Kuninobu Y., Matsuo Y., Nakamura E., and Saiki K., Solid State Commun. 132, 197 (2004)
  312. Plank W., Pichler Т., Kuzmany H., Dubay O., Tagmatarchis N., and Prassides K., Eur. Phys. J. В 17, 33 (2000).
  313. В.А., Кытин В. Г., Бланк В. Д., Буга С. Г., Попов М. Ю. Термоэлектрические свойства нанокомпозитов теллурида висмута с фуллеренами. Физика и техника полупроводников, 45, вып.9, (2011) 1241−1245.
  314. Popov М., Buga S., Vysikaylo Ph., Stepanov P., Skok V., Medvedev V., Tatyanin E., Denisov V., Kirichenko A., Aksenenkov V., Blank V. C6o-doping of nanostructured Bi-Sb-Te thermoelectrics. Phys. Status Solidi A, 1−7(2011)/DOI 10.1002/pssa.201 127 075.
  315. Williamson G. K. and Hall W. H., Acta Metallurgica 1, 22−31 (1953)
  316. Wang K. A., Wang Y., and Dresselhaus M. S., Raman scattering in C60 and alkali -metal doped C60 films. Phys. Rev. В 45, 1955 (1992).
  317. Huang J., Carman H.S., and Compton R.N., Low-Energy electron attachment to C60. J. Phys. Chem., 1995. 99: p. 1719.
  318. Ю.Л., Батов Д. В., Бланк В. Д., Бормашов B.C., Буга С. Г., Шешин Е. П., Способ изготовления холодного катода с эмиссионным слоем из нановолоконного материала на основе углерода. Патент РФ № 2 331 573 от 26.10.2006
  319. B.C., Шешин Е. П., Бланк В. Д., Буга С. Г., Батов Д. В., Альшевский Ю. Л., Новый метод изготовления автокатодов из углерод-азотных нановолокон. Нано- и микросистемная техника, № 1 (2007) 10−13.
  320. Bormashov V.S., Sheshin E.P., Al’shevskii Yu.L., Blank V.D., Buga S.G., Batov D.V., Novel method of flat cold cathode formation from carbon-nitrogen nanofibers. Ultramicroscopy, 107 (2007)
  321. Sasaki Т., Mori Y., Yoshimura M. et al. Effect of carbon nitride bonding structure on electron field emission // Diamond and Related Materials. 2000. Vol. 9. P. 1228−1235.
  322. Kurt R., Bonard J. M., Karimi A. Structure and field emission properties of decorated C/N nanotubes tuned by diameter variations // Thin Solid Films 398 (2001) 193−198.
  323. Service R. F. Nanotubes show image-display talent // Science. 270 (1995) 1119.
  324. Satyanarayana B. S., Robertson J., Milne W. I. Low threshold field emission from nanoclustered carbon materials // Diamond and Related Materials. 2000. Vol. 9. P. 1190−1195.
  325. Bormashov V. S., Nikolski N. N., Baturin A. S., Sheshin E. P. Prediction of field emitter cathode lifetime based on measurement of I-V curves // Applied Surface Science. 2003. Vol. 215. 178−184.
  326. Г. А., Кульбачинский В. А., Буга С. Г., Кречетов А. В., Семенова Е. Е., Кытнн В. Г. Поликристаллические алмазные порошки и пленки. Рос. Хим. Ж. 2004, т. XLVIII, № 5, 90−96.
  327. Г. А., Буга С. Г., Семенова Е. Е., Кульбачинский В. А., Кречетов А. В., Кытин В. Г. //Сверхтвердые сверхпроводящие материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора. Письма в ЖЭТФ, том 81, вып. 6, (2005) с.323−326.//
  328. Kulbachinskii V.A., Buga S.G., Blank V.D., Dubitsky G.A., Serebryanaya N.R., Superconducting superhard composite based on C6o and MgB2. Journal of Nanostructured Polymers and Nanocomposites, 6 (2010) 119−122.
  329. Тот JI., Карбиды и нитриды переходных металлов. М.: Мир, 1974. 294 с.
  330. Ю.С., Уткина Т. Г., Письма в ЖЭТФ, т.51, вып. 9, с. 468 (1990)
  331. Н.П., Красносвободцев С. И., Ноздрин B.C., Головашкин А. И. Физика твердого тела, 1996, т. 38,1 7, с. 1969.
  332. Nagamatsu J., Nakagawa N., Muranaka Т. et al., Nature, v. 410, p. 63 (2001).
  333. Zenitani Y., Akimitsu J., AAPPS Bulletin, v. 13, № 1, p. 26−33 (2003).
  334. Jung C. U., Min-Seok Park, Kang W. N. et al., Appl. Phys. Let., v.78, № 26 (2001).
  335. Prikhna T. A., Gawalek W., Surzhenko A.B. et al., Physika C, v. 372−376, p. 15 431 545 (2002).
  336. Pachla W., Kovac P., Diduszko R. et al., Supercond. Sci. Technol., v. 16, p. 7 (2003).
  337. Tampieri A., Celotti G., Sprio S. et al., Phisica C, 97, p. 400 (2004).
  338. Toulemonde P., Musolino N., Flukiger R., Supercond. Sci. Technol., v. 16, p. 7 (2003).
  339. Zhao Y., Cheng C.H., Rui X.F., et al., Appl. Phys. Let., v. 83, № 14, p. 2916 (2003).
  340. Dou S.X., Yeoh W.K., Horvat J., et al., Appl. Phys. Let., v.83, № 24, p. 4996 (2003).
  341. А.А., Гинзбург Б. И., Ховах Н. И. и др., Сверхтвердые материалы, № 1, с. 23−28 (1987).
  342. P., Vajeeston P., Vidya R., Kjekshus A. & Fjellvag H., Phys. Rev. B, 64, 224 509: 1−15 (2001).
  343. M. & Ueda K" Supercond. Sci. Technol., 17, R1-R18 (2004).
  344. Kim K.H.P., Choi J.-H., Jung C.U., Chowdhury P., Lee H.-S., Park M.-Se., Kim H.-J., Kim J.Y., Du Z., Sung G.Y., Lee J.Y., Phys. Rev. B, 65, 100 510: 1−4 (2002).
  345. Eltsev Y., Nakao K., Lee S., Masui Т., Chikumoto N., Tajima S., Koshizuka N. & Murakami M., Phys. Rev. B, 66, 180 504®: 1−4 (2002).
  346. С. & Yamashita Т., Review of the superconducting properties of MgB2, Supercond. Sei. Technol., 14, R115-R146 (2001).
  347. Sologubenko A.V., Jun J., Kazarov S.M., Karpinski J. & Ott H.R., Phys. Rev. B, 65, 180 505: 1−4 (2002).
  348. Welp U., Rydh A., Karapetrov G., Kwok W.K., Crabtree G.W., Marcenat Ch., Paulius L., Klein Т., Marcus J., Kim К. H. P., Jung C. U., Lee H.-S., Kang B.& Lee S.-I., Phys. Rev. B, 67, 12 505: 1−4 (2003).
  349. Locher R., Wagner J., Fuchs F., et al, // Mater. Sei. Engineering: В Vol. 29 (1995) P. 211.
  350. С.Г., Бланк В. Д., Терентьев С. А., Кузнецов М. С., Носухин С. А., Кульбачинский В. А., Кречетов A.B., Кытин В. Г., Кытин Г. А. Электронные свойства сильно легированных бором монокристаллов алмаза. ЖЭТФ 131 (2007) 662−667.
  351. Mamin R.F.and Inushima Т. Phys. Rev. B, 63, (2001) 33 201.
  352. Thonke K. Semicond. Sei. Technol., 18, (2003) S20.
  353. Massarani В., Bourgoin J.C. and Chrenko R.M., Phys. Rev. B, 17, 1758 (1977).
  354. Mott N. F., Metal-Insulator Transitions, London, Taylor and Francis (1990).
  355. Ekimov E.A., Sidorov V.A., Bauer E.D. et al. Nature, 428, 542 (2004).
  356. Takano Y., Nagao M., Sakaguchi I. et al. Appl. Phys. Lett., 85, 2851 (2004).
  357. Sidorov V.A., Ekimov E.A., Bauer E.D. et al. Diamond & Related Mater., 14, 335 (2005).
  358. Bustarret E., Kacmarcik J., Marcenat C. et al. Phys. Rev. Lett., 93, 237 005 (2004).
  359. B.H., Фролова Т. Н., Крячков В. А. // Измерительная техника № 3 (1997) с. 40.
  360. Bade J.P., Sahaida S.R., Stoner B.R., et al, // Diamond and Rel. Mater. 2 (1993) 816.
  361. Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел М.: Высшая школа, 2001 — 550 с.
  362. Cardona M., Kremer R. K, Sanati M., et al, // Solid State Comm. Vol. 133 (2005) P. 465.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?