Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Физико-химические основы получения магнитных полупроводников — халькогенидных шпинелей типа A1-xBxCr2X4 (A, B=Fe, Co, Cu, Zn, Cd, Sn, Hg; X=S, Se)

Диссертация: Физико-химические основы получения магнитных полупроводников — халькогенидных шпинелей типа A1-xBxCr2X4 (A, B=Fe, Co, Cu, Zn, Cd, Sn, Hg; X=S, Se)
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Выбор объектов исследования обусловлен следующими причинами. Представители класса халькогенидных шпинелей тетрасульфиды дихрома железа и кобальта (FeCr2S4 и CoCr2S4) имеют самые высокие среди магнитных полупроводников температуры магнитного упорядочения (170 и 227 К соответственно). Тетрахалькогениды дихрома-меди (CuCr2X4, X=S, Se) являются ферромагнентикми с Тс выше комнатной и обладают… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Физико-химические свойства халькогенидных шпинелей и методы их получения в поли- и монокристаллическом виде (литературный обзор)
    • 1. 1. Структурные и кристаллохимические особенности халькогенидных шпинелей
    • 1. 2. Диаграммы состояния систем, содержащих шпинельные фазы
    • 1. 3. Термическая устойчивость халькогенидных шпинелей
    • 1. 4. Синтез и выращивание монокристаллов
    • 1. 5. Физические свойства магнитных полупроводников
    • 1. 6. Проблемы получения халькогенидных шпинелей
  • ГЛАВА 2. Экспериментальная часть (методы исследования)
    • 2. 1. Получение халькогенидных шпинелей
      • 2. 1. 1. Характеристика и очистка исходных веществ
      • 2. 1. 2. Синтез поликристаллических соединений
      • 2. 1. 3. Выращивание монокристаллов
      • 2. 1. 4. Получение пленок
      • 2. 1. 5. Получение керамических образцов
    • 2. 2. Методы физико-химического анализа
    • 2. 3. Термическая устойчивость
    • 2. 4. Контроль состава магнитных полупроводниковых фаз
    • 2. 5. Физические свойства магнитных полупроводников
  • ГЛАВА 3. Физико-химическое исследование систем, содержащих магнитные полупроводниковые фазы, и синтез поликристаллических соединений
    • 3. 1. Диаграмма состояния системы FeS — Cr2S
    • 3. 2. Диаграмма состояния системы CoS — Cr2S
    • 3. 3. Синтез поликристаллических халькогенидных шпинелей
      • 3. 3. 1. Тетрасульфид дихрома-железа
      • 3. 3. 2. Тетрсульфид дихрома-кобальта
      • 3. 3. 3. CuxCo,.xCr2S4 и CuxFeixCr2S
      • 3. 3. 4. Твердые растворы на основе CuCr2Se
  • ГЛАВА 4. Физико-химические основы выращивания монокристаллов халькогенидных шпинелей из раствора в расплаве
    • 4. 1. Исследование систем шпинель — растворитель
      • 4. 1. 1. Система CoCr2S4 — СоС
      • 4. 1. 2. Система CoCr2S4 — растворитель
    • 4. 2. Выращивание монокристаллов халькогенидных шпинелей методом кристаллизации из раствора в расплаве
      • 4. 2. 1. Тетрасульфиды дихрома железа и кобальта
      • 4. 2. 2. Тетраселенид дихрома-ртути
      • 4. 2. 3. Твердые растворы CuxFe|.xCr2S4 и CuxC0|.xCr2S
  • ГЛАВА 5. Физико-химические основы выращивания монокристаллов методом химических транспортных реакций
    • 5. 1. Термическая устойчивость халькогенидных шпинелей и их твердых растворов в вакууме
      • 5. 1. 1. Тетрасульфиды дихрома-железа и кобальта
      • 5. 1. 2. Твердые растворы CuxFe|.xCr2S4 и CuxCoi. xCr2S
      • 5. 1. 3. Твердые растворы на основе тетраселенида дихрома-ртути
    • 5. 2. Кинетика массопереноса в процессе химического транспорта
      • 5. 2. 1. HgCr2Se
      • 5. 2. 2. CuCr2Se
    • 5. 3. Выращивание монокристаллов халькогенидных шпинелей методом химических транспортных реакций
      • 5. 3. 1. Влияние технологических параметров на габитус и размеры монокристаллов соединений
      • 5. 3. 2. Выращивание монокристаллов твердых растворов
    • 5. 4. Анализ состава монокристаллов
  • ГЛАВА 6. Физико-химические аспекты получения ¦ пленок магнитных полупроводников — халькогенидных шпинелей
    • 6. 1. Получение и свойства пленок тетрасульфидов дихрома-железа и кобальта
    • 6. 2. Получение и свойства пленок тетраселенида дихрома-кадмия
  • ГЛАВА 7. Физико-химические основы получения керамических образцов халькогенидных шпинелей
    • 7. 1. Термическая устойчивость халькогенидных шпинелей и их твердых растворов на воздухе
    • 7. 2. р — Т диаграммы халькогенидных шпинелей и получение керамических образцов
      • 7. 2. 1. FeCr2S
      • 7. 2. 2. CoCr2S
      • 7. 2. 3. HgCr2Se
      • 7. 2. 4. Твердый раствор Cuo, 3Coo, 7Cr2S
    • 7. 3. Влияние высоких давлений на электрические свойства халькогенидных шпинелей
  • ГЛАВА 8. Физические свойства монокристаллов, пленок и керамических образцов магнитных полупроводников — халькогенидных шпинелей
    • 8. 1. Монокристаллы магнитных полупроводников
    • 8. 2. Керамические образцы магнитных полупроводников
    • 8. 3. Влияние чистоты исходных веществ на величину фотоферромагнитного эффекта монокристаллов CdCr2Se
    • 8. 4. Влияние отжига в различных средах на физические свойства монокристаллов магнитных полупроводников
    • 8. 5. Перспективы практического использования магнитных полупроводников
  • ВЫВОДЫ

Физико-химические основы получения магнитных полупроводников — халькогенидных шпинелей типа A1-xBxCr2X4 (A, B=Fe, Co, Cu, Zn, Cd, Sn, Hg; X=S, Se) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Развитие современной электронной техники в значительной мере определяется уровнем научных исследований по химии и технологии полупроводниковых материалов. Простые вещества и бинарные соединения уже не удовлетворяют возросшим потребностям приборостроения, поэтому значительно усилился интерес к тройным и даже четверным соединениям, а также твердым растворам на их основе. Соединения, состав которых описывается общей формулой Ai. xBxCr2X4(A, B = Си, Zn, Cd, Fe, Со, — X = S, Se) объединяет общее строение кристаллической решетки, а именно структура природного минерала шпинели MgAl204. Отсюда их общее название — халькогенидные шпинели [1]. Поскольку эти соединения представляют собой смешанные сульфиды (селениды) хрома и двухвалентных металлов, в дальнейшем будем называть их тетрахалькогенидами дихрома — металла. Кроме кристаллической структуры соединения А|хВхСг2Х4 объединяет наличие в них магнитного порядка в определенном температурном интервале. В зависимости от природы входящих в. состав шпинелей катионов и анионов, их магнитные, электрические оптические свойства изменяются в широком диапазоне [2, 3]. Для CdCr2Se4 и HgCr2Se4 характерен ферромагнитный порядок при температурах ниже 126 и 106 К соответственно, a FeCr2S4 и CoCr2S4 являются ферримагнетиками с температурами магнитного упорядочения 177 и 220 К. Ферромагнетик CuCr2Se4 имеет температуру магнитного упорядочения Тс= 420 К. Соединение ZnCr2Se4 является антиферромагнентиком.

Также разнообразны и электрофизические свойства шпинелей. ZnCr2Se4, CdCr2Se4, HgCr2Se4, FeCr2S4, и CoCr2S4 являются полупроводниками. Соединения, обладающие высокими температурами Кюри (CuCr2S4 и CuCr2Se4) проявляют металлический характер проводимости. Задачу создания магнитного полупроводника с температурой магнитного упорядочения выше комнатной можно решить, используя изоструктурные свойства халькогенидных шпинелей и близость периодов их элементарных ячеек, что позволяет получать твердые растворы А!.хВхСг2Х4 в широком диапазоне концентраций.

Наличие у халькогенидных шпинелей таких физических свойств, как большое вращение плоскости поляризации света, фотоферромагнитный эффект, спин-стеклообразное состояние, аномальный характер магнетосопротивления и фотопроводимости вблизи температуры Кюри, сильный сдвиг края поглощения при магнитном упорядочении, позволяет рассматривать их перспективными материалами для использования в электронной технике. Материалы на основе халькогенидных шпинелей открывают возможность для создания новых полупроводниковых и оптических приборов, параметры которых регулируются магнитным полем. Уникальное сочетание полупроводниковых и магнитных свойств халькогенидных шпинелей представляет также интерес и для теории в физике и химии твердого тела.

Интенсивные исследования в области физики и химии халькогенидных шпинелей проводятся с 1964 г. Среди отечественных исследовании в области физики и химии магнитных полупроводников — халькогенидных шпинелей следует отметить работы, проводимые в Московском государственном университете им. М. В. Ломоносова под руководством Ю. Д. Третьякова (химический факультет) и Л. И. Королевой (физический факультет), в институте общей физики РАН под руководством В. Г. Веселаго, в институте физики металлов УрО РАН под руководством А. А. Самохвалова, институте физики им. Л. В. Киренского СО РАН под руководством С. Г. Овчинникова. В ИОНХ им. Н. С. Курнакова РАН под руководством В. Т. Калинникова выполнен большой цикл работ по исследованию диаграмм состояния систем, содержащих магнитные полупроводниковые фазы и разработке физико-химических основ выращивания монокристаллов халькогенидных шпинелей кристаллизацией из раствора в расплаве.

Имеющиеся к началу проведения данной работы сведения по синтезу и исследованию магнитных полупроводников — халькогенидных шпинелей носили отрывочный и противоречивый характер. Авторы изучали лишь, как правило, отдельные частные аспекты проблемы получения материалов и исследования их физико-химических свойств. Можно отметить два основных направления исследований новых магнитных материалов: поиск магнитных полупроводников с Тс выше комнатной и поиск материалов с уникальными магнетооптическими свойствами.

В настоящее время в исследовании магнитных полупроводников со структурой шпинели прослеживаются две тенденции: изучение физиками на соединениях АСг2Х4 новых свойств и эффектов и синтез новых магнитных полупроводниковых фаз со структурой шпинели все более сложного состава.

Большинство исследований магнитных полупроводников выполнено на поликристаллических образцах, что затрудняет решение задачи получения материала с воспроизводимыми физическими свойствами Более того, целый ряд физических свойств, прежде всего явления переноса, могут быть получены только на монокристаллах. Успешное развитие исследований в области магнитных полупроводников на современном этапе во многом определяется достигнутым уровнем химии и технологии материалов на основе халькогенидных шпинелей, в первую очередь в виде монокристаллов. Управление процессами кристаллизации халькогенидных шпинелей требует проведения цикла физико-химических исследований: изучение диаграмм состояния систем, содержащих магнитные полупроводниковые фазы, подбор растворителей и исследование фазовых равновесий в системах шпинельрастворитель, изучение процессов химического транспорта с различными переносчиками, изучение условий образования соединений и их термической устойчивости, исследование влияния чистоты исходных веществ и условий кристаллизации на свойства, размеры, габитус и состав монокристаллов, изучение влияния отжига монокристаллов в различных средах на их свойства.

Применение магнитных полупроводников в устройствах электронной техники предусматривает использование их также в виде высокоплотных поликристаллических (керамических) образцов, которые получают методом горячего прессования. Для выбора условий прессования необходимо изучение Р — Т диаграмм.

Практическое применение магнитных полупроводниковхалькогенидных шпинелей в микроэлектронике прежде всего связано с разработкой методов их получения в виде полии монокристаллических пленок с воспроизводимыми физическими характеристками.

Выбор объектов исследования обусловлен следующими причинами. Представители класса халькогенидных шпинелей тетрасульфиды дихрома железа и кобальта (FeCr2S4 и CoCr2S4) имеют самые высокие среди магнитных полупроводников температуры магнитного упорядочения (170 и 227 К соответственно). Тетрахалькогениды дихрома-меди (CuCr2X4, X=S, Se) являются ферромагнентикми с Тс выше комнатной и обладают металлической проводимостью. На основе этих соединений представляется перспективным получение твердых растворов, сочетающих полупроводниковые свойства с высокотемпературным магнитным упорядочением. Путем замещения ионов железа и кобальта в FeCr2S4 и CoCr2S4 ионами меди можно получить ряд твердых растворов, являющихся магнитными полупроводниками с температурами магнитного упорядочения выше комнатной. Кроме того, эти материалы имеют величину эффекта Фарадея на 1,5−2 порядка выше известных аналогов и хорошую оптическую добротность в видимом и ИК диапазоне спектра.

Твердые растворы CuixZnxCr2Se4 в течение длительного времени привлекают внимание благодаря многообразию реализующихся в них магнитных состояний при различных значениях х. Тетраселенид дихрома-ртути (HgCr2Se4) среди халькогенидных шпинелей выгодно отличается своими электрическими свойствами (самая высокая подвижность носителей заряда) и обнаруживает сильное красное смещение края поглощения ниже температуры Кюри. Разработку метода получения пленок магнитных полупроводников из независимых источников проводили на тетраселениде дихрома-кадмия (CdCr2Se4).

С точки зрения материаловедения проблема магнитных полупроводников включает следующие основные задачи:

1. Синтез высокотемпературных магнитных полупроводников (с температурой упорядочения выше комнатной), а также исходных и вспомогательных веществ необходимой степени чистоты.

2. Получение монокристаллического материала (объемного или планарного) с заданной геометрией и воспроизводимыми физико-химическими свойствами.

3. Получение высокоплотных поликристаллических магнитных полупроводниковых материалов высокой оптической добротности.

Решение этих задач требует разработки физико-химических основ технологии магнитных полупроводниковых материалов на основе халькогенидных шпинелей, а также средств контроля их качества.

Данная работа выполнялась в соответствии с Государственной научнотехнической программой «Перспективные материалы» (постановление ГКНТ № 518 от 09.04.91 г.), совместных комплексных программ АН СССР и Минэлектронпрома СССР, планами научно-исследовательских работ Института общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН на 1981 — 2004 гг. (номера Государственной регистрации №№ 81 052 465, 01.86.43 310, 01.09.10.011948), координировавшихся научными советами АН СССР и РАН по проблемам «Химия высокочистых веществ» и «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения».

Цель работы. Цель данной работы состояла в разработке физико-химических основ получения полии монокристаллов, пленок и высокоплотных (керамических) образцов халькогенидных шпинелей типа Ai. xBxCr2X4 (А, В = Fe, Со, Си, Zn, Cd, Sn, HgX = S, Se) как магнитных полупроводниковых материалов для электронной техники.

Достижение этой Цели связано с решением следующих задач:

— исследовать условия образования поликристаллических соединений и твердых растворов и разработать методы их направленного синтеза;

— изучить диаграммы состояния систем, содержащих полупроводниковые фазы и определить области первичной кристаллизации халькогенидных шпинелей;

— построить диаграммы плавкости шпинель — растворитель и определить условия кристаллизации соединений и твердых растворов из раствора в расплаве;

— исследовать термическую стабильность халькогенидных шпинелей в различных средахисследовать влияние технологических режимов на скорость массопереноса в процессе химического транспорта;

— изучить влияние технологических условий процессов химического транспорта и кристаллизации из раствора в расплаве на состав, свойства, размеры и габитус монокристаллов халькогенидных шпинелей и определить оптимальные условия их выращивания;

— определить условия получения пленок халькогенидных шпинелей;

— изучить влияние высоких давлений и температур на структуру и свойства керамических образцов халькогенидных шпинелей, получаемых методом горячего прессованияисследовать физические свойства образцов магнитных полупроводников — халькогенидных шпинелей, полученных различными методами, изучить влияние чистоты исходных веществ и отжига монокристаллов в различных средах на физические свойства магнитных полупроводников и сформулировать перспективные направления по использованию магнитных полупроводниковых материалов.

Научная новизна. В работе впервые:

1. Разработаны физико-химические основы получения магнитных полупроводниковых фаз типа Ai. xBxCr2X4 (А, В = Fe, Со, Си, Zn, Cd, Sn, HgX = S, Se). Проведены систематические исследования физико-химических свойств халькогенидных шпинелей и их твердых растворов, необходимых для определения условий получения полии монокристаллов.

2. Методами физико-химического анализа изучено взаимодействие в системах FeS — Cr2S3 и CoS — Сг2Бз и построены диаграммы состояния этих систем. Установлен перитектический характер плавления соединений и определены их области первичной кристаллизации.

3. Изучены условия образования поликристаллических халькогенидных шпинелей состава Ai. xBxCr2X4 (A, B=Cu, Zn, Fe, Со, SnX=S, Se) в диапазоне концентраций 0 > х > 1 из элементов и бинарных соединений и определены оптимальные режимы их синтеза.

4. Методом термогравиметрии исследована термическая стабильность на воздухе Ai. xBxCr2X4 (0 > х > 1), где А, В = Си, Zn, Cd, Hg, Fe, Co, Sn. Определены интервалы температур, при которых происходит отщепление халькогена и окисление шпинели.

5. Статическим компенсационным методом изучена термическая устойчивость в вакууме CoCr2S4, FeCr2S4, Сио, зСоо, 7Сг2Б4, Cu0,5Feo, 5Cr2S4, Hg0)5Cdo-5Cr2Se4, Hg0>98Ga0i08Cr2Se4, Hg0>9lno, iCr2Se4. Получены уравнения температурных зависимостей давления пара и предложены схемы диссоциации соединений и твердых растворов.

6. С целью определения условий выращивания монокристаллов тетрасульфида дихрома-кобальта кристаллизацией из раствора в расплаве частично построены диаграммы плавкости систем CoCr2S4 — СоС12 и CoCr2S4 — Р (40,5 мол.% СоС12 + 59,5 мол.% SrCl2). Определены интервалы температур и концентраций первичного выделения CoCr2S4.

7. Изучено влияние давления и температуры на структуру и свойства FeCr2S4, CoCr2S4, HgCr2Se4 и твердых растворов на их основе. Построены р-Т-диаграммы и определены области температур и давлений существования соединений как в структуре шпинели, так и в моноклинной структуре типа NiAs.

8. Исследована кинетика массопереноса тетраселенидов дихромартути, и меди. Найдены области концентрации переносчика, в которой массоперенос определяется диффузией. Изучено влияние технологических условий роста кристаллизация из раствора в расплаве, химические транспортные реакции) на состав, свойства, размеры и габитус монокристаллов халькогенидных шпинелей и их твердых растворов.

9. Исследовано влияние чистоты исходных веществ при выращивании монокристаллов CdCr2Se4 методом кристаллизации из раствора в расплаве на величину фотоферромагнитного эффекта. Изучено влияние отжига в присутствии смесей различного состава на физические свойства CdCr2S4 и HgCr2Se4.

Полученные в диссертационной работе данные неоднократно цитировались в справочной литературе и научных монографиях.

Практическая значимость.

Результаты комплексных физико-химических исследований позволили разработать ряд оригинальных методов получения магнитных полупроводников — халькогенидных шпинелей в полии монокристаллическом виде. Определены оптимальные условия направленного синтеза из элементов и бинарных соединений поликристаллических халькогенидных шпинелей А. хВхСг2Х4 в широком диапазоне составов, в том числе с температурами магнитного упорядочения выше комнатной.

Разработаны способы получения ряда монокристаллов Ai. xBxCr2X4 (А, В = Fe, Со, Си, ZnX = S, Se) кристаллизацией из раствора в расплаве и методом химических транспортных реакций. Оптимизированы параметры химического транспорта для HgCr2Se4 и его твердых растворов. Впервые выращены монокристаллы магнитных полупроводников Cuo, 3Coo, 7Cr2S4 и Cuo, 5Fe0.5Cr2s4 с температурами магнитного упорядочения выше комнатной.

Определены условия получения однофазных поликристаллических пленок CdCr2Se4, CoCr2S4 и FeCr2S4 изучено влияние термообработки на их физические свойства.

Методом горячего прессования получены высокоплотные поликристаллические образцы магнитных полупроводников, свойства которых близки к свойствам соответствующих монокристаллов.

Опыты по отжигу монокристаллов тетраселенида дихрома-кадмия и ртути в различных средах показали возможность целенаправленного изменения физических свойств магнитных полупроводников.

Результаты исследований электрических, магнитных и оптических свойств полученных образцов магнитных полупроводников, проведенных совместно с сотрудниками Института общей физики РАН (г. Москва), физического факультета Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, Института физики металлов Уро РАН (г. Екатеринбург), Института физики твердого тела и полупроводников АН БССР и НИИ физико-химических проблем Белорусского госуниверситета (г. Минск) свидетельствуют о возможности создания на их основе различных устройств электронной техники (модуляторы ИК излучения, элементы запоминающих устройств, электробарические преобразователи и др.).

Перечисленные выше положения выносятся на защиту.

В процессе выполнения настоящей диссертационной работы осуществлено решение важной научной проблемы, которая заключается в разработке керамических образцов магнитных полупроводников халькогенидных шпинелей — перспективных материалов электронной техники.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на VIII (Москва-Куйбышев, 1982 г.) IX (Ужгород, 1985 г.) Всесоюзных конференциях по термическому анализуII, III всесоюзных и V международной конференциях «Термодинамика материаловедение полупроводников» (Москва, 1983, 1986 и 1997 гг.) — VI (Пасанаури, 1983 г.) и VII (Ужгород, 1988 г.) Всесоюзных конференциях по химии, физике и техническому применению халькогенидовIV Всесоюзном совещании по химии твердого тела (Свердловск, 1985) — всесоюзной конференции «Химия и технология редких, цветных металлов и солей» (Фрунзе, 1986 г.) — III всесоюзной конференции по химии и технологии халькогенов и халькогенидов (Караганда, 1986 г.) — II, III и IV Всесоюзных конференциях «Материаловедение халькогенидных и кислородсодержащих полупроводников» (Черновцы, 1986, 1991, 1994 гг.) — I Всесоюзной школе по термодинамике и технологии полупроводниковых кристаллов и пленок (Ивано-Франковск, 1986 г.) — V Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1987 г.) — Белорусском научно-техническом совещании «Применение термического анализа» (Минск, 1988 г.) — V Всесоюзной школе «Физико-химические основы электронного материаловедения» (Иркутск, 1988 г.) — XIV (Москва, 1989 г.) и XVI (Санкт Петербург, 1988 г.) Менделеевских съездах по общей и прикладной химииXII Всесоюзном школе-семинаре «Новые магнитные материалы микроэлектроники» (Новгород, 1990 г.) — VIII Международной конференции по тройным и многокомпонентным соединениям (Кишинев, 1990 г.) — VIII Всесоюзном совещании по физико-химическому анализу (Ужгород, 1991 г.) — IX, X и XI и XII конференциях по химии высокочистых веществ (Нижний Новгород, 1992, 1995, 2000 и 2004 гг.) — XI Всероссийском и XII Международном школе-семинаре «Новые магнитные материалы микроэлектроники» (Москва, 1996 и 1998 гг.) — XI Международной конференции по тройным и сложным полупроводникам (Salford, 1997 г.) — конференции «Высокочистые вещества и материалы для ИК оптики» (Нижний Новгород, 1997 г.) — II Международной конференции по магнитоэлектронике (Екатеринбург, 2000 г.), ICSS'2002 (Zacopane. Poland. 2002 г).

Фрагменты работы демонстрировались на Выставке достижений народного хозяйства (1986 г.) и Международной выставке «Связь-80» .

Публикация результатов исследования. Основное содержание диссертации опубликовано в 105 работах, в том числе монографии «Термодинамика и материаловедение полупроводников (Москва, Металлургия, 1992), подписной серии «Химия» (новое в жизни науки и техники) и 7 авторских свидетельствах.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, восьми глав, выводов и списка цитируемой литературы. Она изложена на 242 страницах машинописного текста, включая 61 рисунок, 44 таблицы и библиографию из 304 наименований.

ВЫВОДЫ.

1. Разработаны физико-химические основы получения магнитных полупроводниковых фаз на основе халькогенидных шпинелей. Проведены систематические исследования физико-химических свойств халькогенидных шпинелей и их твердых растворов с целью определения оптимальных условий получения полии монокристаллов, поликристаллических пленок и керамических образцов с заданными физическими характеристиками.

2. Методами физико-химического анализа изучено взаимодействие в системах FeS — Cr2S3 и CoS — Cr2S3 и частично построены диаграммы состояния этих систем. Установлено, что тетрасульфиды дихрома-железа и кобальта разлагаются по перитектической реакции при температурах 1140 и 1390 °C соответственно. Области первичной кристаллизации обеих соединений составляют 33 — 40 мол.% Cr2S3.

3. Изучены условия образования поликристаллических халькогенидных шпинелей состава Ai. xBxCr2X4 (A, B=Cu, Zn, Fe, Со, SnX=S, Se) в диапазоне концентраций 0 > х > 1 из элементов и бинарных соединений и определены оптимальные режимы их направленного синтеза. Методом термогравиметрии исследована термическая стабильность на воздухе халькогенидных шпинелей и их твердых растворов. Установлены зависимости дефицита халькогена от температуры и состава.

4. Статическим компенсационным методом исследована термическая устойчивость в вакууме CoCr2S4, FeCr2S4, Cuo, 3Co0>7Cr2S4, Cu0,5Fe0,5Cr2S4, Hg0,5Cd0,5Cr2Se4, Hgo, 92Gao, o8Cr2Se4, Hg0,9ln0,iCr2Se4. Предложены схемы диссоциации соединений и твердых растворов. Получены уравнения температурных зависимостей давления пара.

5. С целью определения условий выращивания монокристаллов CoCr2S4 методом кристаллизации из раствора в расплаве изучено взаимодействие в системах CoCr2S4 — СоС12 и CoCr2S4 -Р (40,5 мол.% СоС12 + 59,5 мол.% SrCl2). Установлены интервалы температур и концентраций первичного выделения тетрасульфида дихрома-кобальта. Определены оптимальные режимы выращивания монокристаллов CoCr2S4, FeCr2S4 и HgCr2Se4 кристаллизацией из раствора в расплаве хлоридов металлов. Разработан новый универсальный метод выращивания монокристаллов твердых растворов AixBxCr2X4 (А, B=Cu, Zn, Hg, Cd, Fe, Co, SnX=S, Se).

6. Исследована кинетика массопереноса тетраселенидов дихрома-ртути и меди в процессе выращивания монокристаллов методом химических транспортных реакций. Найдены области температур и концентраций переносчика, в которых массоперенос определяется молекулярным потоком, диффузией и конвенцией. Изучено влияние технологических параметров процесса химического транспорта на состав, габитус и размеры монокристаллов халькогенидных шпинелей и их твердых растворов. Найдены оптимальные условия выращивания монокристаллов халькогенидных шпинелей методом химических транспортных реакций, как в виде октаэдров, так и в виде пластинок. Разработаны способы получения монокристаллов твердых растворов Ai. xBxCr2X4 (А, В = Fe, Со, Си, ZnX = S, Se).

7. Изучен процесс получения поликристаллических пленок тетрасульфидов дихрома-железа и кобальта методом «взрывной» вакуумной конденсации, а также пленок тетраселенида дихрома-кадмия методом вакуумного испарения из независимых источников. Исследовано влияние термической обработки на структуру и свойства пленок. Получены поликристаллические пленки FeCr2S4, CoCr2S4 и CdCr2S4 стехиометрического состава и физическими свойствами, близкими к свойствам массивных образцов.

8. Изучено влияние высоких давлений и температур на структуру и свойства халькогенидных шпинелей и твердых растворов на их основе. Построены р — Т диаграммы тетрасульфидов дихрома-железа и кобальта и определены области температур и давлений существования соединений, как в структуре шпинели, так и в моноклинной структуре типа NiAs. Методом горячего прессования получены высокоплотные поликристаллические образцы магнитных полупроводников, свойства которых близки к свойствам соответствующих монокристаллов.

9. На основе проведенных исследований электрических, магнитных и оптических свойств полученных образцов магнитных полупроводников обоснованы перспективные пути их практического использования в важных устройствах электронной техники и оптики (модуляторы ИК излучения, элементы запоминающих устройств). Изучение влияния высоких давлений (до 10 Гпа) на электросопротивление ряд двойных и тройных халькогенидов показало возможность практического применения этих соединений в качестве датчиков высоких давлений. Исследовано влияние чистоты исходных веществ при выращивании монокристаллов CdCr2Se4 методом кристаллизации из раствора в расплаве на величину фотоферромагнитного эффекта. Опыты по отжигу монокристаллов в различных средах показали возможность получения CdCr2Se4 и HgCr2Se4 с заданными физическими характеристиками. При этом температуру магнитного упорядочения CdCr2Se4 можно варьировать в интервале 105 — 172 К, а температуру магнитного упорядочения HgCr2Se4 — в интервале 116 — 225К.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К.П., Третьяков Ю. Д., Гордеев И. В., Королева Л. И., Кеслер Я. А. Магнитные полупроводники — халькогенидные шпинели. //М. Изд-во МГУ. 1981.
  2. Метфессель 3., Маттис Д. Магнитные полупроводники. //М. Мир. 1972.
  3. В.Г., Борухович А. С., Самохвалов А. А. Введение в физико химию ферромагнитных полупроводников.//М. Металлургия. 1988.
  4. Е.В. Намагниченность насыщения и кристаллохимия ферритов.//Успехи физических наук. 1955. Т. 87. С. 2−3.
  5. Hafner S. Die Mineralen mit Spinelstruktur.//Schweiz. Min. petrpgr. Mitt. 1960. T. 40.
  6. Ю.Д. Термодинамика ферритов. 1967. Л., Химия.
  7. Pinch H.L., Berger S.H. The effekts of Non-Stoichiometry on the Magnetic Properties of Cadmium Chromium Chalkogenide Spinels.//J.Phys. Chem/ Solids. 1968. T. 29. № 21. P.2091−2099.
  8. B.A. Синтез и свойства некоторых халькохромитов со структурой шпинели. //Дисс. на соискание ученой степени канд. хим. наук. 1975. М.
  9. К. Структурные исследования некоторых окислов и других халькогенидов при нормальном и высоких давлениях. 1989. М. Мир.
  10. Banus M.D., Lavinne М.С. Polimorphism in Selenospinels and High-pressure transition in CdCr2Se4. //J. Solid State Chem. 1969. Т. 1. P. 109−116.
  11. Passerini L., Baccaredda M. Ricerche sugli spinelli IV-i Sulfocrmiti di Manganese e di Cadmio. //R.C. Accad. Lincei. 1931. V. 14. № 1−2. S. 33−37.
  12. Natta G., Passerini L. Sulfosali aventi la Structure degli Spinelli. //R.C. Accad. Lincei. 1931. V. 14. № 1−2. S. 38−43.
  13. Von Harry, Hahn H., Frudrich K., Schroder K. //Uber die Struktur des CdCr2Se4 и HgCr2Se4. //Z. anorg. allgem. Chemie. 1958. V. 269. S.135.
  14. Ю.Д., Гордеев И. В., Алферов В. А., Саксонов Ю. Г. Отклонение от стехиометрии халькогенидных хромитов со структурой шпинели. //Неорганические материалы. 1972. Т. 8. С. 2215−2216.
  15. В.Г., Герасимов А. Ф., Конев В. И. Кристаллохимическое исследование CdCr2S4 и CdCr2Se4 с различным содержанием халькогена в твердых растворах на их основе. //Неорганические материалы. 1978. Т. 14. № 2. С. 223−226.
  16. А.В., Волков Е. А., Давыдов В. А., Банеева М. И., Новоторцев В. М. Фазовые превращения CdCr2Se4 при высоких давлениях и температурах.//Журнал неорганической химии. 1990. Т. 35. № 5. С. 1137−1141.
  17. Broda Н., Konopka D., Kozlowska I. X-ray diffraction study of the formation of spinel structure of HgCr2Se4.//Acta Phys. Polon. 1972. V. A42. № 3. P. 255−258.
  18. Konopka D., Stebarski A., Chelkowski A. X-ray investigations of the Debye effektive temperature factor «B» of some spinel structure compounds. //Acta Phys. Polon. 1974. V. A46. № 1. P. 47−51.
  19. Lutz H.D., Lovasz Cs., Bertran K.H., Stackovic M., Brinker U. Darstellung von Schwermetall-chalkogenide-Einkristallen durchchemischen Transport mit Alluminiumchlorid.//Monathefte Chem. 1970. Bd. 101. № 5. S. 519−524.
  20. Baltzer P.K., Wojtowek P.J., Robbins M., Lopatin E. Exchange interactions in ferromagnetic chromium chalkogenide spinels.// Phys. Rev. 1966. V. 151. № 2. P. 367−387.
  21. В.Э., Михайлов Ю.Н.//Тез. Докладов V Всес. Школы «Физико-химические основы электронного материаловедения». 1988. Иркутск. С. 79.
  22. Kistation P., Vishavardan R.C., Satanarayan M.R. Lattice Thermal expantion behavior of spinel HgCr2Se4.//J.Appl. Cristallogr. 1986. V. 19. № 1. P. 86−89.
  23. H., Frank G., Klinger W. // Z.anorg. allgem. Chem. 1956. B. 279. № 56. S. 241.
  24. B.J. // Phil. Mag. 1975. V.8. № 3. P.688.
  25. Ю.В., Гордеев И. В., Алферов В. А., Саксонов Ю. Г. //Неорганические материалы. 1972. Т. 8. № 12. С. 2215.
  26. Philipsborn Н. Chalkogenide Spinels and alternative Strukture. // Z. Kristallograf. 1971. V. 133. P. 464−472.
  27. S., Shin S., Taniguchi K., Seki M. // Pys. Rev. 1982. V. 25. P. 5486.
  28. Skinner B.J., Erd R.C. Greigite the Thio-Spunel of Iron- A. New Mineral. // Amer. Mineral. 1964. V. 49. № 5. H. 543−552.
  29. Shirane G. and Cox D.E. Magnetic Structure in FeCr2S4 and FeCr204. //J. Appl. Phus. 1964. V. 35. P. 954−955.
  30. Russo P.M., Bouchard R.J. and Wold A. Cristallugraphic Study of Chromium Spunels. //J. Appl. Phus. 1966. V. 37. P. 1436−1437.
  31. Albers W. and Roomans G-J.M. High Pressure Polimorphism of Spinel Compounds. // Solid. Stat. Commun. 1965. V. 3. № 12. P. 417−419.
  32. Tressler R.E., Hummel F.A. and Stubican Y.S. Pressure Temperature Study of Sulfospinels. //J. Amer. Ceram. Soc. 1968. V. 51. № 10. P. 648−651.
  33. Bouchard R.J. Spinel To Defect NiAs-Structure Transformation. //Mater.Res. Bull. 1967. V/ 2. № 4. P. 459−463.
  34. Hahn H. Structure of Several Chromium Thiospinels. //Z. anorg. allgem. Chem. 1951. V. 264. P. 184−188.
  35. Lutz H.D., Becker R-A. Festcorperreactionen in Chalcogeniden Sustemen. Verteilungsgleigewichte zweiwertiger Ubergangsmetflle in Chromtiospinell-Mischkristallen.// J. Solid. Stat. Chem. V. 20. № 2. P. 183−190.
  36. Barraclough K.G., Meyer A. The CdSe Cr2Se3 system and formation of ferromagnetic semiconucting spinel CdCr2Se4.//J. Cristal Growth. 1973. N. 20. № 2. P. 212−216.
  37. Kiysawa Т., Masumoto K. P-T-Phase Diagram for ferromagnetic semicondaktor CdCr2Se4.//J. Phys. Chem. Solids. 1977. Т/ 38. № 5. Р/ 609−616.
  38. И.С., Кузнецова И. Я., Калинников B.T. Взаимодействие HgSe с Cr2Se3.// Журнал неорган, химии. 1980. Т.25. С. 1156−1158.
  39. М.А., Бабицына А. А., Калинников В. Т. Система CuSe -Cr2Se3.//Журнал неорган, химии. 1977. Т. 22. № 12. С. 3357−3360.
  40. Т.К., Губская Г. Ф., Стоянцова З. П., Калинников В. Т. Взаимодействие в системе Си V — S. //Неорганические материалы. 1982. Т. 18. № 12. С. 1954.
  41. Narita Т., Ishikawa Т., Nishida К. Phase Relations in an Fe Cr — S System at Temperatures of 1073 and 1173 К in the Sulfur Pressure Range from 10° to 10'5 Pa.// Oxidation of Metals. 1987. V. 27. № ¾. P. 239−251
  42. E.B., Шабунина Г. Г., Аминов Т. Г. Система Sb2S3 -Cr2S3.//Журнал неорганической химии. 1990. Т. 34. № 6. С. 1613−1616.
  43. Т.И., Вольфкович А. Ю., Шишкин Ю. Л., Новторцев В. М. Взаимодействие в системе CuInTe2 Сг2Те3 в системе Cu-In-Cr-Te. //Журнал неорганической химии. 1999. Т. 44. № 4. С. 645−648.
  44. Т.И., Вольфкович А. Ю., Шишкин Ю. Л., Новторцев В. М. Взаимодействие в системе In-Cr-Te по разрезу InTe Сг2Те3. //Журнал неорганической химии. 1999. Т. 44. № 10. С. 1734−1738.
  45. Wada Y., Ametani К. Thermal Stabilites of some Magnetic Chromium Chalkogenides with Spinel and Hexagonal Structures. //Thermochimica Acta. 1971. V. 2. № 3. H. 237−247.
  46. H.W., Emmengger F.P. //Crystal Growth Optical and Semiconucting Properties of Ferromagnetic HgCr2Se4. //Solid State Com. 1969. V. 7. P. 965−969.
  47. Wehmeier F.H. The Growth CdCr2Se4 by Chemical Transport. //J/ Crystal Groth. 1969. V. 5. № 1. P. 26−30.
  48. C.M., Новоселова A.B., Украинский Ю. М. Термическая устойчивость халькогенидов трехвалентного хрома. //Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 12. С. 2125−2130.
  49. В.А. Исследование синтеза и окисления сульфидных хромитов в системе CoCr2S4 NiCr2S4. //Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук. Черновцы. 1976.
  50. Tretyakov Yu.D., Gordeev I.V., Kesler Y.A. Investigation of Some Chalkogenides with Spinel Structure. //J. Solid. State Chem. 1977. V. 20. P. 345−358.
  51. Аракелян З.С. P-T-x фазовые диаграммы и термодинамические свойства селенидов хрома и ртути (Cr2Se3, HgSe), селенохромитов ртути и кадмия
  52. HgCr2Se4, CdCr2Se4). // Дисс. на соискание ученой степени канд. хим. наук. 1983. М.
  53. В.П., Ляликова Р. Ю., Радауцан С. И., Рацеев С. А., Тэзлэван В. Е. Термическая устойчивость и область нестехиометрии легированного CdCr2Se4 и CdIn2S4. //Неорганические материалы. Т. 22. № 3. С. 403−406.
  54. Diefallah El.-H., Obaid A.Y., Samarkandy А.А., Abel Badei M.M. and El-Bellihi A.A. Formation of Copper- Chromium Sulfide Spinel and Thermal Decomposition Reactions in CuS Cr2S3Crystalline Mixtures.//J. Solid State Chem. 1995. V. 117. P. 122−126.
  55. Woytowicz P.I. Semiconducting Ferromagnetic Spinels. //I.E.E.E. Trans. Magnet. 1968. MAG. 4. № 6. P. 840−848.
  56. А.И. Халькогенидные шпинели. M. Электроника. 1968.
  57. Philipsbprn Н., Crystal Growth and Characterization of Chromium Sulfo- and Selenospinels. //J. Cristal Growth. 1970. V. 9. № 2. P. 296−304.
  58. Lotgering F.K. Mixed Cristals between binary Sulfides or Selenides with Spinel Structure. // J.Phys. Chem. Sol. 1968. V. 29. № 4. P. 699−709.
  59. Haake G., Beegle L.C. Magnetic Properties of Spinel System Fei. xCuxCr2S4. //J. Phys. Chem. Sol. 1967. V. 28. P. 1699−1704.
  60. Lotgering F.K., Stapele R.P. Magnetic and Electrical Conduction of Copper Containg Sulfo- and Selrnospinels. //J. Appl. Phys. 1969. V. 39. № 2. P. 417−423.
  61. Steight A.W., Jarret H.S. Preparation and Properties of some copper chromium Chalcogenides with spinel Structure. //J. Phys. Chem. Sol. 1972. V. 29. № 6. P.868−870.
  62. Джалилов H.3., Гусейнов А. Ф., Абдинов Н. Ш. Получение и исследование электрических свойств HgCr2Se4 и CuCr2Se4.//H3B. АН СССР. Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 8. С.1514−1515.
  63. Н.З., Гусейнов А. Ф., Абдинов Н. Ш. Получение HgCr2Se4 и CuCr2Se4 и исследование их теплопроводности.//Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 12. С. 2228−2229.
  64. Vallet Е., Paris Е.М. Aux syntheses des thiochromites metallique. //С. R. Acad. Sci. C. 1967. V. 264. P. 772−780.
  65. Bouchard R., Busso R., Wold A. Preparation and Electrical Properties of Some Thiospinels. /VInorg. Chem. 1965. V. 4. № 5. P. 685−688.
  66. Н.И., Оболончик B.A., Горячев Ю. М. Приготовление и характеристика соединений типа АВ2Х4. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1972. Т. 8. № 9. С. 1669−1670.
  67. Mitchell P.W., Morgan Р.Е. Direct Precipitation Method for Complex Crystalline Chalcogenides. //J. Am. Ceram. Soc. 1975. V. 57. № 6. P. 278−283.
  68. Carnell E., Pearlman D., Cburn T.I. Hot Pressed CoCr2S4: A Potentialy useful Magnetooptic Material. //Mat. Res. Bui. 1972. V. 7. № 1. P. 1361−1368.
  69. Pearlman D., Carnell E., Martin T. The Preparation of Hot Pressed Calcogenide Spinels. // J/ Solid. State Chem. 1973, V. 7. № 2. P. 138−148.
  70. E.B. Магнитный резонанс поликристаллических ферромагнитных полупроводников халькогенидных шпинелей. Автореф. дисс. на соискание ученой степени канд. хим. наук. Свердловск. 1974.
  71. А.В., Давыдов В. А., Волков Е. А., Банеева М. И., Новоторцев В. М. Получение образцов GdCr2Se4 со структурой шпинели методом горячего прессования и их свойства. //Неорганические материалы. 1990. Т. 26. № 8. С. 1618−1621.
  72. Boutbiliba My.A., Rasneur J., El Aatmani M. Spinel type ternary sulfides FeCr2S4 and MnCr2S4. //J. of Alloys and Compounds. 1998. V/ 264. P. 142−146.
  73. Pinch H.L., Ekstrum L. Vapor Phase Growth of Magnetic Semiconducting Spinels. //R.C.A. Review. 1970. V. 31. № 4. P. 692−701.
  74. С.П., Молодян И. П., Коваль JT.C. Кузьменко Г. С. Выращивание кристаллов магнитных полупроводников. //Полупроводниковые материалы и их применение. Кишинев. Штиница. 1976. С. 158−168.
  75. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. 1974. М. Мир. С. 311−331.
  76. П. Препаративные методы в химии твердого тела. М. Мир. 1976.
  77. Н.П., Шабунина Г. Г. Исследование процессов кристаллизации CdCr2Se4 в тройной системе 3CdSe + 2CrCl3 = 3CdCl2 + Cr2Se3. //Тройные полупроводники и их применение. 1976. Кишинев. Штиница. С. 86−87.
  78. М.А., Калинников В. Т., Бабицына А. А., Емельянова Т. А. Изучение взаимодействия CuCr2Se4 с некоторыми солями. //Журнал неорганической химии. 1978. Т. 23. № 1. С. 77−81.
  79. А.А., Емельянова Т. А., Черницына М. А., Калинников В. Т. Синтез монокристаллов CuCr2Se4. //Журнал неорганической химии. 1978. Т.23. № 1. С. 267−270.
  80. И.С., Кузнецова И. Я. Исследование взаимодействия в системе HgSe-Cr2Se3-Se. //Тройные полупроводники и их применение. Кишинев. Штиница. 1979. С. 70.
  81. В.А., Ковалева И. С., Калинников В. Т. Взаимодействие в системе шпинель растворитель. //Журнал неорганической химии. 1981. Т. 26. № 6. С.1703−1705.
  82. В.А., Ковалева И. С., Калинников В. Т. Способ получения селенохромита ртути. Авторское свидетельство СССР № 736 549.
  83. И.Я., Ковалева И. С. Получение монокристаллов HgCr2Se4 методом выращивания из раствора в расплаве. // Журнал неорганической химии. 1985. Т. 30. № 7. С.1892−1893.
  84. Г. Г., Бушева Е. В., Аминов Т. Г., Новоторцев В. М. Физико-химические основы выращивания кристаллов высокотемпературного соединения CuCr2S4. /Сб. докладов Всеросс. конф. «Химия твердого тела и новые материалы». Екатеринбург. 1996. Т. 1. С. 251.
  85. Curtis В. J., Emmeger F.P., Nitsche R. The Preparation of Ternary and Quaternary Compounds by Vapor Phase Growth. //R. C.A. Rview. 1970. V. 31. № 4. P. 647−661.
  86. Goldstein L., Dormann J.L., Druilhe R., Guittard M., Gibart P. Chemical Transport of FeCr2S4.//J. Crystal Growth. 1973. V. 20. № 1. P. 24−28.
  87. Gibart P., Goldstein L., Dormann J.L., Guittard M. Vapour Growth of Thio- and Selenospinels. // J. Crystal Growth. 1974. V. 24. № 1. P. 147−150.
  88. Selmi A., Heritier M., Gibart P. Spinel magnetic semiconductor HgCr2Se4.// J. Crystal Growth. 1986. V. 33. № 1. P. 121−143.
  89. Ametani K. Composition of Single Crystals of ChromiumChalkogenide spinels Crowth by Chemical Vapour Transport.//Bull. Chem. Soc. Japan. 1976. V. 49. № 2. P. 450−454.
  90. Mahl D., Pickardt J., Reuter B. Zuchtung und Untersuchung von Einkristallen der Verbindungen CuCrZnSe4 und CuCrSnSe4.//Z. anorg. allg. Chem. 1984. B. 508. S. 197−200.
  91. Berger S.B., Ekstrom L. Optical properties of Single Crystal Film of CuCr2S4. // Phys. Rev. Letters. 1969. V. 23. № 26. P. 1499−1503.
  92. Neida R., Shic L.K. Single Crystal growth of Some ChalcogenideSpinels. //J/ Appl. Phys. 1969. V. 40. № 3. P. 1013−1015.
  93. L.K., Neida R. Патент США. кл. 23−294. № 3 627 498. 14. 12. 1971.
  94. Shic L.K., Neida R. Single Crystal growth of CoCr2S4 and FeCr2S4. //J. Cryst. Growth. 1969. V. 5. № 2. P. 313−314.
  95. Dillon J.F., Roy le Grow J.R., Philipsborn H., Wernick J.H. Пат. США. кл. 23 315. № 3 480 409. 25.11.1969.
  96. Tressler R.E. and Stubican V.S. Preparation of thin Films of Sulfospinels. //Mater. Res. Bull. 1967. V. 2. № 12. P. 1119−1124.
  97. Зуб E.M., Трофимова Ж. П. Свойства пленок соединения CoCr2S4.//M3B. АН СССР. Неорганические материалы. 1979. Т. 15. № 2. С. 224−226.
  98. В.М., Зозуля Л. Ф., Калинников В. Т., Аминов Т. Г. Получение тонких пленок CdCr2Se4 методом взрывной вакуумной конденсации. // Физика твердого тела. 1976. Т. 18. № 7. С. 2118−2120.
  99. С.А. Лазерные методы получения и исследования тонких слоев полупроводниковых шпинелей. //Тройные полупроводники и их практическое применение. 1976. Кишинев. Штиница. С. 138.
  100. Tsukachara S., Saton Т. And Tsuchima. Preparations of Films CdCr2Se4. //J. Cryst. Growth. 1974. V. 24/25. № 1. P. 158−161.
  101. С.М., Дарашкевич В. Р., Кротов В. А., Любимов В. К., Новоселова А. В., Украинский Ю. М. Получение тонких пленок CdCr2Se4. // Тройные полупроводники и их практическое применение. Кишинев. Штиница.1976. С. 85−86.
  102. Н.В. Катодное распыление. //Москва. Атомиздат. 1968. С. 232.
  103. Tchernev D.I. and Syllaios A.J. Preparations and Properties of CdCr2Se4 Thin Films. //Magnet. Mater. 1974. 20 th Arm. Conf. ATR. San-Francisko. 1974. B46. P. 376.
  104. Jamanaka E. And Eunada Y. CdCr2Se4 Film by Simultaneous Vacuum Deposition from Separate Souces. //Japan J. Appl. Phys. 1972. V. 11. № 7. P. 1068.
  105. Jizuka T. And Sugano T. Magnetic and Electrical Properties of Vacuum-Deposited Thin Film. // Japan J. Appl. Phys. 1976. V. 15. № 1. P. 57−63.
  106. Л.И., Кравцов В. И. Магнитное упорядочение и магнитооптическая добротность в пленках халькогенидных шпинелей. // Физика магнитных пленок. 1979. Саранск. С. 183−185.
  107. В.П., Бондаренко Г. В., Вершинина Л. В. Технология получения пленок халькогенидных шпинелей хрома. //Магнитные свойства пленочных и массивных материалов. Красноярск. Институт физики им. Л. В. Киренского.1977. С.105−109.
  108. В.Н., Гавричков С. А., Кононов В. П., Мисюль С. В. Получение и исследование свойств пленок халькогенидных шпинелей хрома CdCr2Se4, CuCr2Se4. //Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1980. Т. 16. № 5. С. 815−818.
  109. Zub Е.М., Kuchis E.V., Sukhvalo S.V. Kinetic Properties and Peculiaites of the Semiconductor Metal PhaseTransition in CuxCo!.xCr2S4.//Phys. Stat. Sol. (a). 1985. V. 90. P. 365−370.
  110. Зуб Е. М. Формирование вакуумных конденсатов хромхалькогенидных шпинелей. //Неорганические материалы. 1989. Т. 25. № 3. С.513−515.
  111. Baltzer Р.К., Lehman H.W., Robbins М. Insulating ferromagnetic spinels. //Phys. Rev. Let. 1965. V. 151. № 2. P. 393−395.
  112. Baltzer P.K., Lehman H.W., Robbins M., Lopatin E. Exchange interactions in ferromagnetic chromium Chalkogenide spinels. // Phys. Rev. Let. 1966. V. 151. № 2. P. 367−377.
  113. Menyuk N., Dwight K., Arnott R.J. Ferromagnetism in CdCr2Se4 and HgCr2Se4. //J. Appl. Phys. 1966. № 3. P. 1387−1388.
  114. Lehman H.W., Robbins M. Electrical transport properties of the insulating ferromagnetic spinels CdCr2S4 and CdCr2Se4. //J. Appl. Phys. 1966. V. 37. № 3. P. 1389−1390.
  115. Kubiak S., Zarek W., Drzazga Z., Krok J. and Chelkovski A. Magnetic Properties of the Chalkogenide Spinels CdCr2S4> CdCr2Se4, HgCr2S4, HgCr2Se4. //Acta Phys. Polon. 1974. V/ A45. № 6. P. 819−824.
  116. В.А., Яковлев E.H. Сдвиг точки Кюри в CdCr2Se4 при давлениях до 90 кбар. //Физика твердого тела. 1975. Т. 17. № 6. С.1786−1787.
  117. К.П., Третьяков Ю.Д, Гордеев И. В., Королева Л. И., Педько А., Баторова С. Д., Алферов В. А., Саксонов Ю. Г., Шалимова М. А. Магнитные свойства халькогенидных шпинелей. //Физика твердого тела. 1973. Т. 15. № 19. С. 3106−3108.
  118. А.Г., Яковлев Ю. М., Карпович В. И., Винник М. А., Агеев А. Н., Рубальская Э. В., Лаповок Б. Л. Магнитный резонанс и гальванорезонансные эффекты в кадмий-хромовых халькогенидах. //Труды Межд. конф. магн. матер. МКМ-73. М. 1974. Т. 5. С. 469−472.
  119. Tsuya N., Arai K.I. and Chmori. Magnetoelastic Coupling in Some Ferrites and Ferrochalkogenides. // Труды Межд. конф. магн. матер. МКМ-73. М. 1974. Т. 5. С. 464−467.
  120. Berger S.B. and Pinch H.L. Ferromagnetic Resonance of Single Crystals of CdCr2S4 and CdCr2Se4. //J. Appl. Phys. 1967. V. 38. № 3. P. 949−950.
  121. Fastman D.E., Shafer M.W. Magnetostriction in ferromagnetic CdCr2Se4. // J. Appl. Phys. 1967. V. 38. № 12. P. 4761−4763.
  122. Lehman H.W. and Harbeke G. Semiconducting and Optical Properties of Ferromagnetic CdCr2S4 and CdCr2Se4.// J. Appl. Phys. 1967. V. 38. № 3. P. 946.
  123. Lotgering F.K. Ferromagnetism in spinels CuCr2S4 and CuCr2Se4. //Solid. State Com. 1964. V. 2. P. 55−56.
  124. Minematsu K., Miyatani K., Takachasi T. Magnetic and electrical properties of impurity doped HgCr2Se4. //J. Phys. Soc. Jap. 1971. V. 31. № 1. P. 123−128.
  125. Н.Б., Чернов В. К. Температурная зависимость намагниченности в магнитном полупроводнике HgCr2Se4. //Физика твердого тела. 1986. Т. 26. № 6. С. 1941−1945.
  126. Н.И., Сухоруков Ю. П., Гижевский Б. А., Чеботаев Н. М., Самохвалов А. А. Эффект Фарадея на носителях заряда в магнитном полупроводнике HgCr2Se4. // Физика твердого тела. 1988. Т. 30. № 3. С. 906−909.
  127. B.C., Галдикас А. П., Гребинский С. И., Мицкявичюс С. В., Захаров С. Я. Магнетострикция ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4. // Физика твердого тела. 1989. Т. 31 № 5. С. 271−275.
  128. А.П., Гребинский С. И., Мицкявичюс С. В. Анизотропия магнетосопротивления ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4. //Литовский физический сборник. 1987. Т. 27. № 3. С. 304−317.
  129. Gurevich A.G., Emisyan L.M., Nedkov T., Gibart P. Ferromagnetic resonanse in the magnetic semicondactor HgCr2Se4. //Acta Phisica Polonica (A). 1988. V. 77. № 6. P. 731−736.
  130. К.Г., Пасенко Л. Я., Эмирьян Л. М., Гуревич А. Г., Радауцан С. И., Тезлеван В. Е. Влияние отжига на ферромагнитный резонанс HgCr2Se4. //Физика твердого тела. 1985. Т. 27. № 1. С. 229−233.
  131. Н.А., Самохвалов А. А., Чеботаев Н. М., Гижевский Б. А. Ширина линии ФМР в проводящих магнитных полупроводниках.// Физика твердого тела. 1988. Т. 30. № 6. С. 1814−1816.
  132. B.C., Галдикас А. П., Гребинский С. И., Мицкявичюс С. В. Анизотропия линии ширины линии ферромагнитного резонанса HgCr2Se4. // Литовский физический сборник. 1987. Т. 27. № 6. С. 738−743.
  133. Л.М., Гуревич А. Г., Щукюров А. С., Бержанский В. Н. Особенности ферромагнитного резонанса в магнитном полупроводнике HgCr2Se4. //Физика твердого тела. 1981. Т. 23. № 10. С. 2916−2922.
  134. Stast J., Jelonek М., Tekely P. Temperanere dependeces ESR lune interesity in CdCr2Se4, HgCr2Se4, CdCr2S4 and HgCr2S4. //Acta Phys. Polon. 1976. A49. № 6. P. 737−739.
  135. Н.И., Чеботаев H.M. Магнитосопротивление и эффект Холла магнитного полупроводника HgCr2S4 в сильных магнитных полях.//Физика твердого тела. 1997. Т. № 9. № 5.
  136. И.К., Головин А. В., Север Г. Н. Гигантское влияние магнитного поля на ширину запрещенной зоны соединения HgCr2S4 в области температуры Кюри.//Вестник Моск. Ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. 1995.Т. 36. № 2. С. 100−103.
  137. Lotgering F.K. Ferromagnetic interaction in sulphides, selenides and tellurides with the spinel structure. //Proc. Int. Conf. Magnetism. Nottingem. 1964. P. 533−560.
  138. Lotgering F.K. Ferromagnetism in spinels:, CdCr2S4 and CdCr2Se4. //Solid State Com. 1964. V. 2. № 2. P. 55−56.
  139. M., Wolf R., Kurtzig A.J. Sherwood R.C. Miksovski M.O. //Ferrimagnetic Compositions in the System Fe1+xCr2.xS4. //J. Appl. Phys. 1970. V. 41. № 3. P. 1086−1087.
  140. Lotgering F.K. Magnetic and Electrical Properties of Co!.xCuxRhS4. //J. Phys. Chem. Solids. 1969. V. 30. № 12. P.1429−1431.
  141. Gibart P., Dorman J-L., Pellerin Y. Magnetic Properties of FeCr2S4 and CoCr2S4. //Phys. Stat. Solid. 1969. V. 5. № 1. P. 187−194.
  142. Shirane C., Cox R., Pickart S.J. Magnetic structures in FeCr2S4 and FeCr204. // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. № 3. P. 954−955.
  143. Stapele R.P., Wieringen J.S., Bonger P.F. Strong anisotropy in cubic ferrimagnet FeCr2S4. //J. de Phys. 1971. V. 32. suppl № 2−3. C1−53-C1−54.
  144. Lotgering F.K. On the ferrimagnetism of some sulfides and oxides. //Philips Res. Rep. 1956. V. 11. P. 190−249.
  145. Pellerin Y., Gibart P. Properietes electriques etmagnetiquesde CoCr2S4. HQ. R. Acad. Sci. 1969. V. 269B. 3 14. P. 615−617.
  146. П.А., Кальная Г. И., Мурашко Н. И., Оболончик В. А. Влияние термообработки на свойства FeCr2S4. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1980. Т. 16. № 9. С. 1635−1637.
  147. В.Н., Ковтун Н. М., Прокопенко В. К., Сафаров А. Ф., Шемяков А. А., Эйвазов Э. А. Влияние термообработки на стехиометрию и свойства CoCr2S4. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1984. Т. 20. № 8. С. 1270−1272.
  148. А.А., Виноградова Г. И., Голант К. М., Веселаго В. Г. Влияние легирования на обменные взаимодействия в магнитном полупроводнике CdCr2Se4./M>H3HKa твердого тела. 1977. Т. 19. № 7. С. 2075−2077.
  149. Э.Л. Ферромагнитные и антиферромагнитные полупроводники.//УФН. 1975. Т. 117. № 3. С. 437−492.
  150. Larsen Р.К., Voermans А.В. Origin of the Conductivity Minimum and the Negative Magnetoresistance in n-Type Sulpho-Spinels.//J. Phys. Chem. Solids. 1973. V. 34. P. 645−650.
  151. A.M., Аленина А. Ф., Яковлев Ю. М. Электропроводность монокристаллического CdCr2Se4 в переменных кристаллических полях.//Физика твердого тела. 1982. Т. 24. № 6. С. 1685−1690.
  152. Haas С., Run A.M.J.G. van, Bongers P.F., Albers W. The magnetoresistance of n-type CdCr2Se4. //Solid. State Com. 1967. V. 5. № 8. P. 657−661.
  153. Л.Н., Голик Л. Л., Аминов Т. Г., Жегалина В. А. Фотоэлектрические свойства CdCr2Se4.//OH3HKa твердого тела. 1980. Т. 22. № 10. С. 3032−3039.
  154. К.П., Королева Л. И., Баторова С. Д. Аномалии фотопроводимости в области точки Кюри соединения CdCr2Se4, слабо легированного галлием.// Письма в ЖЭТФ. Т. 20. № 3. С. 191−195.
  155. Голик J1.JI., Новиков Л. Н., Аминов Т. Г., Жегалина В. А. Влияние вакансий селена на температурные зависимости сопротивления и магнетосопротвления CdCr2Se4.//OTT. 1977. Т 19. № 9. С. 1823−1826.
  156. К., Miyatani К. //J. Phys/ Soc. Jap. 1971. V. 31. № 1. P. 123−126.
  157. Т.Н., Самохвалов А. А., Показаньев Г. К. //Физика твердого тела. 1984. Т. 26. № 1. С. 256−258.
  158. Lehman H.W. Semiconducting properties of ferromagnetic spinels CdCr2S4 and CdCr2Se4.// Phys. Rev. 1967. V. 163. № 2. P. 488−496.
  159. Amith A., Friedman L. Mixed-conduction model for charge transport in n-type CdCr2S4. // Phys. Rev. (B). 1966. V. 2. № 2. P. 434−445.
  160. Chaves M.R., Ribeiro Y.Z., Selmi A., Gibart P. Electrical resistivity and Seebec effect in HgCr2Se4. //Phys. Stat. Solidy (a). 1985. V. 92. № 1. P. 263−266.
  161. Goldstein L., Gibart P., Selmi A. Transport properties oa the ferromagnetic semicvonductor mercury chromium selenide (HgCr2Se4). //J. Appl. Phys. 1978. V. 49. № 3. P. 1474−1476.
  162. Ribeiro J.L. Transport properties of n-type ferromagnetic semiconductor HgCr2Se4. //Port. Phys. 1984. № 3−4.
  163. Selmi A., Mauger A., Heritler M. Anomalous Transport properties in n-type HgCr2Se4. //J. Appl. Phys. 1985. V. 57. № 8. P. 3216−3221.
  164. В.Г., Голант К. М., Ковалева И. С., Юрин И. Н. Энергетический спектр и транспортные свойства монокристаллов HgCr2Se4. //Журнал экспериментальной итеор. физики. 1984. Т. 86. № 5. С. 1857−1861.
  165. Selmi A., Mauger A., Heritier M. Metal-insulator transition in a Mott extrinsic magnetic semiconductor n-type HgCr2Se4. //J. Phys. -C. 1985. V. 18. № 29. P. 55 995 602.
  166. A.A., Осипов B.B. Электрические и магнитные помехи в магнитном полупроводнике HgCr2Se4, помещенном в сильное электрическое поле. //Физика твердого тела. 1983. Т. 25. № 7. С. 1999−2002.
  167. А., Викторавичюс В., Матуленене И., Мицкявичюс С., Мартунас 3., Штякус А., Ковалева И. С. Электропроводность магнитного полупроводника HgCr2Se4 в сильном электрическом поле. // Физика твердого тела. 1984. Т. 26. № 10. С. 2906−2909.
  168. Kistein P., Murthy K.S., Rao K.V.K. High pressure electrical resistivity of meroury chromium selrnide HgCr2Se4. //J. Less. Common. Net. 1984. V. 98. № 1. P. 413−415.
  169. Hejiev V.G., Stoyanov S.P., Aliev M.N. Temperature dependences of conductivity and photoconductivity of indopea mercury dichromium tetraselenide. //J. Phys. C. 1984. V. 17. № 10. P. L293-L296.
  170. Galdikas A., Grebinskii S., Mickevicius S. Piezoressistans anizotropu of the ferromagnetic semiconductor HgCr2Se4. //Phys. State. Solidi (a). 1988. V. 7. № 1. P. K53-K55.
  171. К.Г., Пасенко Л. Я., Тэзлэван В. Е. Влияние нестехиометрии на электрические характеристики кристаллов HgCr2Se4. //Тез. докл. на VI Всесоюз. конф. по химии, физике и техническому применению халькогенидов. Тбилиси. 1983.'С. 129.
  172. Л.И., Керимов И. Г., Бабаев С. Х., Намазов З. М. Электрические свойства CuCr2X4 (X=S, Se). //Изв. АН Аз.ССР. Серия физ.-техн. и матем. наук. 1973. № 3. С.44−49.
  173. Kanomata Т., Ido Н. Exchange strictions of chalcogen spinels CuCr2X4 (X=S, Se and Te).//J. Phys. Soc. Japan. 1974. V. 36. № 5. P. 1322−1324.
  174. Radautsan S.I., Tsurkan V.V., Teslevan V.E. Transport phenomena and magnetic-ion exchange in ferromagnetic CuyCr2Se4. xBrx spinel crystals. // Nuovo Cim. 1983. V. 2D. № 1. P. 1823−1827.
  175. В.В., Голант К. М., Юрин И. М. Проводимость и эффект Холла в монокристаллах ферромагнитной шпинели CuCr2Se4. //Физика твердого тела. 1982. Т. 24. Вып. 11. С.3465−3467.
  176. Tsurkan V.V., Ratseev S.A., Teslevan V.E. Hall effect and conductivity of ferromagnetic CuCr2Se4 single crystals.//Progr. Cryst. Growth Charact. 1985. V. 10. № 1−4. P. 385−389.
  177. H.D., Gorier G.P., Feher F. //Z. Naturforsch. 1971. V/ 26a. № 7. S. 12 381 240.
  178. Watanabe T. Electrical properties of FeCr2S4 и CoCr2S4. //Solid. State Com. 1973. V. 12. № 5. P. 355−358.
  179. Gibart P., Robbins M., Lambrecht W. G/Jr. New ferrimagnetic spinel Composition in the System MeCr2S4. xSex, whare Me=Fe, Co, Mn. //J. Phys. Chem. Solids. 1973. V. 34. № 8. P. 1363−1368.
  180. Goldstein L., Gibart P. Resistiite, effect Hall et magnetoresistance de FeCr2S4. //C. R. Acad. Sci. 1969. V. 269B/№ 11. P. 471−474.
  181. Э.А., Рустамов А. Г., Ибрагимов Б. Б. Электрические и гальваномагнитные свойства FeCr2S4. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1977. Т. 13. № з. с. 430−432.
  182. Л.Ь., Керимов И. Г., Бабаев С. Х., Намазов З. Ш. Электрические свойства FeCr2S4, FeCr2Se4, FeCr2Te4. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 2. С. 213−216.
  183. Watanabe Т. and Nakada I. Preparation of Some Chalkogenide Spinels Single Crystals and Their Electronic Properties. //Japan. J. Appl. Phys. 1978. V. 17. № 10. P. 1745−1757.
  184. Van Vleck J.H., Bongers P.F., Haas C., Van Pun A.M.J.C. and Lanmarchi A. Magnetoresistante in Chalcogenide Spinels. //J/ Appl. Phys. 1969. V. 40. № 3. P. 958−983.
  185. Treitinger L., Gobel H. And Pink H. Magnetic semiconducting Spinels in the mixed System Coi. xFexCr2S4. //Mat. Res. Bull. 1976. V. 11. № 11. P. 1375−1379.
  186. Lotgering F.K., Van der Stein G.H.A.M., von Stapele R.P. and Wiringen J.S. Magnetic Properties Conductivity and Jonis Orderung in FeixCuxCr2S4- //J. Phys. Chem. Solids. 1969. V. 30. № 4. P. 799−784.
  187. Haacke G., Beegle L.C. Electrical transport in FeCr2S4 CuCr2S4. //J. Appl. Phys. 1968. V. 39. P. 656−657.
  188. Ahrenriel R.K., Lee S.L., Lyu S.I., Moser F. Gigant Magnetoreflectanse of CoCr2S4.//Solid. State Commun. 1973. V. 12. № 11. P. l 113−1115.
  189. Harbeke G. and Pinch H. Magnetoabsorbtion in Single Crystal Semiconducting Ferromagnetic Spinels. //Phys. Rev. Lett. 1966. V. 17. № 21. P. 1090−1092.
  190. Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М. Наука. 1979. С. 182.
  191. Э.Э., Аминов Т. Г., Голик Л. Л., Елинсон М. И., Калинников В. Т. Влияние анионного замещения на «красный» сдвиг края поглощения монокристаллов CdCr2Se4. //Физика твердого тела. 1976. Т. 18. № 7. С. 20 832 085.
  192. Batlogg В., Zwara М. and Wachter P. Pressure Dependent optical Absortion Edge Shift and Compressebility of CdCr2Se4 Single Crystals. //Solid. State Commun. 1978. V. 28. № 7. P. 567−570.
  193. Amith A., Berger S.B. Spectral Dependence of the photoconductance in CdCr2Se4. //J/ Appl. Phys. 1971. V. 42. № 4. P. 1472−1473.
  194. И.А. Процессы излучения в легированных и нелегированных кристаллах хромоселенида кадмия. //Неоднородные и примесные полупроводники во внешних полях. Кишинев. Штиница. 1979. С. 118−127.
  195. В.Г., Вигилева Е. С., Виноградова Г. И. Фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4. //Письма в ЖЭТФ. 1972. Т. 15. С. 316−319.
  196. Г. И. Фотоферромагнитный эффект в магнитном полупроводнике CdCr2Se4. //Магнитные полупроводники. Тр. ФИАН. М. Наука. Т. 139. С. 3−36.
  197. В.Г., Прохоров A.M. Квантовый характер запоминания особенности в магнитных полупроводниковых шпинелях. //М. 1977. Препринт 30 ФИАН.
  198. В.Г., Виноградова Г. И., Гареев P.P., Мошняга В. Т. Влияние поверхности на величину фотоферромагнитного эффекта в CdCr2Se4. //Физика твердого тела. 1984. Т. 26. Вып. 7. С. 2203−2205.
  199. Н.Н., Сухоруков Ю. П., Гижевский Б. А., Чеботаев Н. М., Симонова М. И., Самохвалов А. А. Спектры оптического поглощения нестехиометрических кристаллов магнитного полупроводника HgCr2Se4. //Физика твердого тела. 1987. Т. 29. № 7. С. 2231−2233.
  200. Koguchi N., Masumoto K., Takahashi S. Optical absorption spectra of the ferromagnetic semiconducting mercury (II) dichromium (III) selenide thim films. //Nuovo Cimento Soc. Ital. Fiz. D. 1983. V. 2D. № 6. P. 1944−1949.
  201. Takahashi S., Koguchi N., Masumoto K. Preparation and optical absorption spectra semiconducting HgCr2Se4 thin films. //J/ Jap. Inst. Met. 1983. V. 47. № 11. P. 970−977.
  202. B.A., Ерухимов М. Ш., Овчинников С. Г. Плотность состояний в спектре поглощения ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4. //Физика твердого тела. 1987. Т. 2. № 29. С. 527−529.
  203. М.И., Бебенин Н. Г. Особенности зонной структуры вблизи края фундаментальной полосы в ферромагнитном полупроводнике CdCr2Se4 и HgCr2Se4. // Физика твердого тела. 1988. Т. 30. № 4. С. 945−951.
  204. Н.Н., Сухоруков Ю. П., Самохвалов А. А. Магнитные полупроводники магнетооптические материалы для Ж техники. //Материалы III семинара по функциональной магнитоэлектронике. Красноярск. 1988. С. 5.
  205. З.Е., Голик JL Л., Паксеев В. Е. Оптические свойства HgCr2Se4 вблизи края поглощения. //Физика твердого тела. 1983. Т. 25. № 6. С. 18 771 879.
  206. Arai Т., Wakaki М., Onari S., Kido К., Satoh Т., Tsishima Т. Magnetoabsorption in Single-crystal HgCr2Se4. //J. Phys. Soc. Jap. 1973. V. 34. 3 1. P. 68−73.
  207. .Ю., Галдикас А. П., Гребинский С. И., Дагис З. С. Зависимость края оптического поглощения ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4 от концентрации носителей тока. //Физика твердого тела. 1987. Т. 29. № 8. С. 24 852 487.
  208. В.Г., Прялкин В. И., Файдер В. Н., Холодных А. И. Аномальная люминесценция ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4. //Физика твердого тела. 1984. Т. 26. № 2. С. 507−512.
  209. О.В., Борисов Н. А., Веселаго В. Г., Холодных А. И., Ковалева И. С., Левшин В. А. Люминесценция ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4 с энергией кванта, большей ширины запрещенной зоны. // Письма в ЖЭТФ. 1983. Т. 38. № 11. С. 529−532.
  210. Ahrenriel R.K., Coburn T.J. Hot pressed CoCr2S4: a magneto-optical memory material. // Appl. Phys. Lett. 1973. V. 22. № 2. P. 340−341.
  211. Садыхов P.3., Валиев А. М., Ахметов А. И. Магнитные и электрические свойства Ni0)25CuxFeo, 75-xCr2S4. //Физика твердого тела. 1984. Т. 26. № 8. С. 23 142 316.
  212. Р.З., Валиев A.M., Исмаилов А. О. Влияние замещения ионов Со ионами Си на магнитные и электрические свойства CoCr2S4. // Физика твердого тела. 1984. Т. 26. № 12. С. 3663−3665.
  213. Lotgering F.R. Mixed Crystals Between Binary Sulphides of Selenides with Spinel Structure. //J/Phys. Chem. Solids. 1968. V. 29. 3 4. P. 699−709.
  214. Ю.Д., Саксонов Ю. Г., Алферов B.A., Гордеев И. В. Синтез халькохромитов с частичным гомо- или гетеровалентным замещением халькогена. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 11. С. 2064−2065.
  215. Л.М., Керимов И. Г., Бабаев С. Х., Электрические свойства FeCr2S4, FeCr2Se4, FeCr2Te4. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 2. С. 213−216.
  216. Э.А., Сафаров А. Ф. Магнитная восприимчивость новой ферримагнитной системы Cuo, 3Co0)7Cr2S4.xSex. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14. № 8. С. 1533−1534.
  217. К.П., Королева Л. И., Шалимова М. А., Павлов В. Ю., Гордеев И. В., Кеслер Я. А. Электрические и магнитные свойства халькогенидной системы CuxCo.xCr2S4. // Вестник МГУ. Сер. Физика, Астрономия. 1980. Т. 21. № 3. С. 47−52.
  218. Lutz H.D. Phase Diagrams in Quatenary Systems Mei. xCuxCr2X4 (Me = Co, Fe, Ni- X = S., Se). // J. Solid. Stat. Chem. 1984. V. 51. № 1. P. 69−74.
  219. Ando K., Nishihara Y., Okuda Т., Tsushima T. Hall effect magnetoresistance in the CuxFe,.xCr2S4. //J.Appl. Phys. 1979. V. 50. № 3. P. 1917−1919.
  220. B.B., Радауцан С. И. и др. Магнитные полупроводники на основе селенохромита меди. Кишинев. Штиница. 1984. С. 92−98.
  221. Jusczyk S., Krok J., Okonska-Kozlowska I., Broda H., Warczewski J. // Phase Trans. 1981. V. 2. P. 67.
  222. Т., Duda H., Warczewski J. //Phys. Rev. 1990. B. 41. № 18. P. 12 424.
  223. Н.Б. Иванова, H.B. Казак, С. Г. Овчинников, Е. П. Попел. Влияние термической неустойчивости на магнитные свойства твердых растворов Сщ. xZnxCr2Se4 //Физика твердого тела. 2002. Т. 44. № 9. С. 1643−1645.
  224. Toda М., Tosima S. Magnetocapacitance effect in a metal CdCr2Se4 juction. // J/Appl. Phys. 1972. V. 43. № 4. P. 1751−1756.
  225. Wen C.P., Hershenov В., Philipsborn H., Pinch H. Band-edge shift of CdCr2Se4near Curie temperature. // Appl. Phys. Letters. 1968. V. 13. № 5. P. 188 190.
  226. Lygscheider W., Zinn W. Switching effects in magnetic semiconductors. // IEEE Trans. Magnet. 1972. MAG-8. № 3. P. 276.
  227. А.А., Лошкарева H.H., Сухоруков Ю. П., Кладов Г. К., Курносов И. В. Магнитные полупроводники — магнитооптические материалыдля инфракрасной техники. //Оптико механическая промышленность. 1987. № 10. С. 18−20.
  228. Н.Н., Сухоруков Ю. П., Самохвалов А. А., Шувалов В. А., Карташев Е. В., Чеботаев Н. М., Наумов С. В. Аминов Т.Г. Магнитоуправляемый полосовой фильтр. //Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. № 3. С. 10−13.
  229. Г. И., Гареев P.P., Тархов Д. А., Харламов В. Ф. Приемник инфракрасного излучения на основе фотоферромагнитного эффекта в CdCr2Se4. //Труды ИОФАН. 1993. Т. 44. С.69−75.
  230. Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. //М. Физматиздат. 1961. 651 С.
  231. Электронно-зондовый микроанализ: Сборник статей под редакцией И. Б. Боровского.//М. Мир. 1974.
  232. Рис С. Электронно-зондовый микроанализ.// М. Мир. 1979.
  233. К.М., Махоткин В. Е., Веселаго В. Г. Об определении точки Кюри ферромагнетиков по температурной зависимости динамической магнитной проницаемости. //ФТТ. 1975. Т. 17. № 8. С.2279−2281.
  234. В.М., Жуков Э. Г., Калинников В. Т. Система FeS -С^зУ/Журнал неорганической химии. 1982. Т. 17. № 2. С. 533−536.
  235. Г. В., Дроздова С. В. Сульфиды. //М. Металлургия. 1972. С. 1707.
  236. К. Электропроводность и магнитные свойства магнитных полупроводниковых систем Сио^Рео^Сг^./Шеревод Г-28 689 ВЦП.
  237. Э.Г., Полуляк Е. С., Варнакова Г. С., Федоров В. А. Получение и термическая устойчивость твердых растворов Cu1xZnxCr2Se4.A0KypH. неорган, химии. 1993. Т. 38. № 1. С. 167−168.
  238. Г. С., Жуков Э. Г., Федоров В. А. Синтез и термическая стабильность на воздухе твердых растворов Cui.xSnxCr2Se4.//Bbic0K04HCTbie вещества. 1996. № 4. С. 85−87.1. Z. J /
  239. Е.С., Жуков Э. Г., Яевшин В. А., Федоров В. А. Система C0CI2 -CoCr2S4. //Журнал неорган, химии. 1986. Т. 22. № 5. С. 1354−1355.
  240. Н.Н. и др. Справочник по плавкости систем из безводных неорганических солей.//М. JI. Изд-во АН СССР. 1961. Т. 1. С. 255.
  241. Е.С., Жуков Э. Г., Вельский Н. К., Очертянова Л. И., Федоров В. А. Взаимодействие в системе шпинель-растворитель. // Журн. Неорган, химии. 1987. Т. 23. № 9. С. 2325−2326.
  242. В.А., Жуков Э. Г., Федоров В. А., Курбанклычев И. Взаимодействие в системе тетраселенид дихрома-ртути — хлорид кадмия.//Тезисы докладов I Всес. школы по термодинамике и технологии полупроводниковых кристаллов и пленок. Ивано-Франковск. 1986.
  243. Э.Г., Индосова В. М., Калинников В. Т. Давление пара тиохромитов железа и кобальта. //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1982. Т. 17. № 4. С. 688−689.
  244. Е.С., Жуков Э. Г., Саныгин В. П., Квадраков A.M., Федоров В. А. Получение, состав и термическая устойчивость твердых растворов Cuo, 3Coo, 7Cr2S4 и Cu0.5Feo, 5Cr2S4./^ypH. неорган. Химии. 1988. Т. 33. № 12. С. 3157−3162.
  245. Р.А. Давление пара и диссоциация сульфидов металлов.// Алма-Ата. Наука. 1968. С.76−90.1. Z. JO
  246. В.А., Курбанклычев И., Жуков Э. Г., Полуляк Е. С., Очертянова Л. И., Вельский Н. К., Федоров В. А. Получение, состав и термическая устойчивость твердых растворов Н1.хСс1хСг28е4.//Журнал неорган, химии. 1990. Т. 35. № 3. С.569−574.
  247. В.А., Мистрюков В. Э., Жуков Э. Г., Полуляк Е. С., Курбанклычев И., Михайлов Ю. Н., Федоров В. А. Получение, свойства и структура твердых растворов на основе тетраселенида дихрома-ртути.//Журн. неорган, химии. 1991. Т. 36. № 8. С.1938−1943.
  248. R., Drowart J. //Trans. Faradey Soc. 1968. V. 64. № 10. P2611−2613.
  249. E.C., Мистрюков В. Э., Левшин B.A., Жуков Э. Г., Михайлов Ю. Н. Химический транспорт тетраселенида дихрома-ртути. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1988. Т. 24. № 6. С. 921−924.
  250. Г. Химические транспортные реакциию//М. Мир. 1964. С. 14−22.
  251. В.М., Сухвало С. В., Зуб. Е.М., ЖуковЭ.Г., Аминов Т. Г., Калинников В. Т. Получение и свойства монкокристаллов сульфохромита железа. //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. Т. 18. № 2. С. 197−199.
  252. Я.И., Жуков Э. Г., Аминов Т. Г., Юрин Н.М.ДПаханов А.В., Калинников В. Т. Получение и свойства монокристаллов тиохромита меди.// Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1984. Т. 19. № 2. С. 343−346.
  253. Kistain P., Reddy C.V., Myrthy K.S. Lattic Thermal Expansion Behaviow of Spinel HgCr2Se4. //J. Appl. Cryst. 1986. V. 9. P. 86−89.
  254. E.C., Плоткин M.A., Жуков Э. Г. Получение, состав и свойства монокристаллов CoCr2S4. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т. 23. № 8. С. 1388−1390.
  255. В.М., Пирогова A.M., Жуков Э. Г., Калинников В. Т. Получение и свойства пленок тиохромита железа.//Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1982. Т. 17. № 4. С. 687−688.
  256. Haacke G., Beegle L.C. Anomalous Thermoelectric Power of FeCr2Se4 Near the Curie Teemperature. // Phys. Rev. Lett. 1966. V. 17. № 8. P. 427.
  257. B.M., Жуков Э. Г., Калинников В. Т. Получение и исследование свойств пленок селенохромита кадмия. //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1982. Т. 17. № 4. С. 689−691.
  258. Палатник J1.C., Федоренко А. И. О механизме образования текстуры роста в конденсатах бериллия.//Физика твердого тела. 1965. Т. 7. № 7. С. 819−822.
  259. Палатник J1.C., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и структура конденсированных пленок. М. Наука. 1972. С. 28.
  260. В.Т., Аминов Т. Г., Голик JI.JL, Новиков JI.H., Жегалина В. А., Шумилкин Н. С. Влияние вакуумной термообработки на электрические свойства монокристаллов CdCr2Se4. // Неорганические материалы. 1978. Т. 14. № 8. С. 1408−1412.
  261. Shiskov A.G., Ilicheva E.N., Kanavina N/G., Ivanov A.N., Pirogova A.M. Magnetic and Electrical Properties of the Thin Films Magnetic Semiconductor CdCr2Se4.// Phys. Stat. Solid. 1981. a (66). № 2. K93.
  262. Э.Г., Полуляк E.C., Варнакова Г. С., Федоров В. А. Исследование стабильности халькогенидных шпинелей при нагревании на воздухе. // Журнал «Неорганические материалы», 1997. Т.ЗЗ. № 8. С. 939.
  263. Э.Г., Давыдов В. А., Левшин В. А., Полуляк Е. С., Филатов А. В., Федоров В. А. Получение поликристаллического CoCr2S4 методом горячего прессования и его свойства. //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1986. Т. 22. № 3. С. 384−386.
  264. Э.Г., Полуляк Е. С., Саныгин В. П., Квардаков A.M., Мистрюков В. Э., Михайлов Ю. Н., Федоров В. А. Влияние давления и температьуры на свойства и структуру тетрасульфида дихрома железа. 1991. Т. 36. № 7. С. 16 891 692.
  265. Э.Г., Левшин В. А., Полуляк Е. С., Курбанклычев И., Давыдов В. А., Федоров В. А. Получение HgCr2Se4 методом горячего прессования и его свойства. //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т. 23. С. 860−861.
  266. И., Жуков Э. Г., Полуляк Е. С., Бурдина К. П., Левшин В. А. Получение и свойства высокоплотных поликристаллических образцов твердого раствора Сио^СоолСг^У/Журнал неорган, химии. 1990. Т. 35. № 2.С. 297−299.
  267. А.Г., Яковлев Ю. М., Карпович В. И. Ферритовые СВЧ приборы и материалы. М. Электроника. 1972.
  268. А.С., Нутин Н. Н., Аминов Т. Г., Калинников В. Т. Исследование магнитных свойств монокристаллов CdCr2S4 и CdCr2Se4 в области их фазового перехода. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1980. Т. 16. № 1. С. 46−49.
  269. Н.К., Очертянова Л. И., Жегалина В. А., Калинников В. Т. Область гомогенности ферромагнитного полупроводника CdCr2Se4. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1984. Т. 20. № 5. С. 762−765.
  270. В.Ф., Скоропанов А. С., Масленко Ю. С., Кулиев А. А., Вечер А. А., Валевский Б. Л., Бабанлы М. Б. Свойства тройных соединений TlGa(In)Te2(Se2) при высоких давлениях. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1983. Т. 19. № 11. С.1937−1940.
  271. Karunakaran С., Vijakumar V., Vaidya S.N., Kunte N.S., Suryanarayna S. Effect of pressure on electrical recivity and thermoelectrical power of FeS.// Mater. Res. Bull. 1980. V. 15. № 2. P. 201−204.
  272. King H.E., Prewitt C.T. High-pressure and high-temperature polimorphism of iron sulfide (FeS).//Acta crystallogr. 1982. V. B38. № 7. P. 1877−1880.
  273. Samara G.A., Giardini A.A. Compressibility and electrical conductivity of cadmium sulfide at high pressures.// Phys. Rev. 1965. V. 140. № 1A. P. A388.
  274. Ohtani A., Seike Т., Motobayashi M., Onodera A. The electrical properties of HgTe and HgSe under very high pressure.//J. Phys. Chem. Solids. 1982. V. 43. № 7. P. 627−641.
  275. C.B. Магнетизм. M. Наука. 1971. С. 563.
  276. Зуб E.M., Сухвало С. В., Шифрин А. Б. Магнитные и электрические свойства пленок Cu (xFexCr2S4- //Новые магнитные материалы для микроэлектроники. Ашхабад. Туркменский гос. ун-т. 1980. С. 215.
  277. А.Н., Веселаго В. Г., Голант К. М., Коржавин B.C. Магнетометр для исследования статических петель гестерезиса магнитомягких ферромагнитных полупроводников.//М. Изд. ФИАН СССР. 1981. № 76.
  278. Л.И., Шалимова М. А. Магнитные и электрические свойства двойных и тройных твердых растворов халькошпинелей CuCr2Se4, CuCr2S4, CuCr2Te4. //Физика твердого тела. 1979. Т. 21. № 2. С. 441.
  279. Н.Н., Сухоруков Ю. П., Гижевский Б. А., Самохвалов А. А. Модулятор ИК излучения на магнитном полупроводнике. //Письма ЖЭТФ. 1989. Т. 15. В. 17. С. 82−86.
  280. Л.И., Михеев М. Г., Флорентьева Н. В., Жуков Э. Г., Левшин В. А., Полуляк Е. С. Магнетотермоэдс и эффект Холла в магнитном полупроводнике HgCr2Se4. //Физика твердого тела. 1988. Т. 30. № 3. С. 743−750.
  281. P.P., Виноградоваа Г. И., Шибанова Н. М., Веселаго В.Г.//Письма в ЖЭТФ. 1986. Т.12. Вып. 1. С. 25.
  282. Д.А., Виноградова Г. И., Веселаго В. Г., Менщикова Т. К., Губская Г. Ф., Жуков Э. Г. Повышение температуры Кюри CdCr2Se4 при легировании галлием.//Неорганические материалы. 1994. Т. 30. № 4. С. 484−488.
  283. А.А., Виноградова Г. И., Голант К. М., Веселаго В. Г. Влияние легирования на обменные взаимодействия в магнитном полупроводнике CdCr2Se4. //Физика твердого тела. 1977. Т. 19. № 7. С.2075−2077.
  284. Veselago V.G., Vinogradova G.I., Glushov M.V. Curie Point Chsnging of Ga-Doped Spinel CdCr2Se4.//Eighth Int. Conf. on Ternary and MultThinary Compounds. Kishinev. USSR. Sept. 11−14. 1990. Abstracts. P. 104.
  285. Ю.П., Лошкарева H.H., Трофимов А. И., Жуков Э.Г., Левшин
  286. B.А., Самохвалов А. А. Магнитоуправляемый модулятор ИК излучения на токих монокристаллах HgCr2Se4. //Тезисы докладов XII Всес. школы-семинара «Новые магнитные материалы микроэлектроники». Новгород. 1990. Т. 2. С. 77.
  287. R. //IEEE Trans. Magn. 1978. MAG-11. № 5. P. 454−456.
  288. S.D. // Electronic materials. 1975. V. 4. № 2. P. 223−241.
  289. A.C., Жуков Э. Г., Валевский Б. Л., Федоров В. А. Получение халькогенидов с использованием сверхвысоких давлений.//Тезисы докладов III Всесоюзного совещания по химии и технологии халькогенов и халькогенидов.
  290. В.А., Жуков Э. Г., Левшин В. А., Кеслер Я. А., Полуляк Е. С. Магнитные полупроводники со структурой шпинели материалы электронной техники.//Фундаментальные науки — народному хозяйству. М.: Наука. 1990.1. C.230−231.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?