Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Получение высокочистого галлия из отходов производства полупроводниковых материалов

Диссертация: Получение высокочистого галлия из отходов производства полупроводниковых материалов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Высокочистый галлий является одним из основных компонентов для получения полупроводниковых материалов соединений АШВУ, к важнейшим из которых относятся арсенид и фосфид галлия и твердые растворы на их основе (СаАэР, СаА1Аз, Са1пР, АНпОаР и другие). Объемы мирового производства монокристаллов арсенида галлия превышают 100т/год, ежегодные темпы прироста составляют 4—10%. Возрастающие потребности… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Методы очистки галлия, полученного из традиционного сырья
      • 1. 1. 1. Фильтрование
      • 1. 1. 2. Гидрохимическая очистка
      • 1. 1. 3. Химическая обработка галлия газообразными реагентами
      • 1. 1. 4. Вакуумтермическая обработка
      • 1. 1. 5. Электрохимическое рафинирование
      • 1. 1. 6. Дистилляция и ректификация трихлорида галлия
      • 1. 1. 7. Зонная плавка трихлорида галлия
    • 1. 2. Получение высокочистого галлия из нетрадиционного сырья
    • 1. 3. Роль кристаллизационных методов в технологии получения высокочистого галлия
  • Глава 2. Методы экспериментальной работы
    • 2. 1. Методы анализа примесей в галлии
    • 2. 2. Определение вещества — основы
      • 2. 2. 1. Определение галлия
      • 2. 2. 2. Определение мышьяка
      • 2. 2. 3. Определение фосфора
    • I. 2.3. Измерение электрофизических параметров монокристаллов и эпитаксиальных структур ваАБ
      • 2. 4. Методы очистки галлия
        • 2. 4. 1. Гидрохимическая очистка
        • 2. 4. 2. Вакуумтермическая обработка
        • 2. 4. 3. Электрохимическое рафинирование
        • 2. 4. 4. Направленная кристаллизация по Чохральскому
        • 2. 4. 5. Горизонтальная направленная кристаллизация
        • 2. 4. 6. Направленная кристаллизация с вращением контейнера
  • Глава 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
    • 3. 1. Классификация галлийсодержащих отходов на основе ваАв и ваР. Получение технического галлия
    • 3. 2. Глубокая очистка галлия
    • 1. 3.2.1. Гидрохимическая очистка
      • 3. 2. 2. Вакуумтермическая обработка
      • 3. 2. 3. Электрохимическое рафинирование
      • 3. 3. Кристаллизационная очистка галлия
      • 3. 3. 1. Определение эффективных коэффициентов распределения для бинарных систем галлий — примесь
      • 3. 3. 2. Определение эффективных коэффициентов распределения для многокомпонентных систем галлий — примеси
      • 3. 3. 3. Механизм влияния природы примеси на морфологию кристалла галлия
  • Глава 4. Комплексная технологическая схема получения высокочистого галлия из отходов производства полупроводниковых материалов
    • 4. 1. Выбор й обоснование технологической схемы получения высокочистого галлия
    • 4. 2. Испытания образцов высокочистого галлия для выращивания монокристаллов арсенида галлия и эпитаксиальных структур Са^хА^Аэ
  • Выводы

Получение высокочистого галлия из отходов производства полупроводниковых материалов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Высокочистый галлий является одним из основных компонентов для получения полупроводниковых материалов соединений АШВУ, к важнейшим из которых относятся арсенид и фосфид галлия и твердые растворы на их основе (СаАэР, СаА1Аз, Са1пР, АНпОаР и другие). Объемы мирового производства монокристаллов арсенида галлия превышают 100т/год, ежегодные темпы прироста составляют 4—10% [1, 2]. Возрастающие потребности в арсениде галлия обусловлены уникальными электрофизическими свойствами, определяющими его широкое применение в качестве активных элементов компьютеров и средств мобильной связи (сверхскоростных интегральных схем), а также в преобразователях солнечной энергии, светоизлучающих диодах и фотоприемниках видимого и инфракрасного диапазона излучения, включая светодиоды белого спектра излучения, появившихся на рынке в последние годы, СВЧ — и фотодиодов, инжекционных лазеров, оптических фильтров и модуляторов лазерного излучения.

Технологический процесс изготовления полупроводниковых приборов характеризуется применением многочисленных операций [3, 4], таких, как синтез и выращивание монокристаллов с заданными электрофизическими параметрами, их калибровка, резка на пластиныхимико-механическая обработка поверхности, выращивание эпитаксиального слоя с применением методов газофазной (ГФЭ) и жидкофазной (ЖФЭ) эпитаксии или технологии МОСУО, формирование требуемой топологии элемента прибора. Многостадийность технологических процессов с учетом высоких требований к конечному изделию приводят к существенным потерям исходных материалов, степень использования которых, как правило, не превышает 20%. Образующиеся отходы — некондиционные монокристаллы, пластины, эпитаксиальные структуры, порошкообразные остатки после резки слитков и шлифовки пластин — представляют собой весьма ценное вторичное сырье, содержащее основные компоненты, наиболее дефицитным из которых является галлий. В связи с этим проблема переработки этого сырья является актуальной как с точки зрения экономики (возврат в производственный цикл дорогостоящих материалов), так и охраны окружающей среды (снижение объема токсичных техногенных отходов).

Большая часть литературных источников [5−15] посвящена проблеме выделения и последующей очистки галлия из традиционного сырья. Показана также возможность извлечения галлия из некоторых видов отходов производства полупроводниковых материалов на основе арсенида галлия. Однако для создания эффективного производства галлия высокой чистоты с использованием новой сырьевой базы, отличающейся значительным количеством видов отходов, требуется решение целого комплекса физико-химических и технологических задач, обусловленных сложным составом сырья, наличием трудноотделяемых примесей (олово, индий, германий и др.) и возрастающими требованиями к качеству конечной продукции.

Цель настоящей работы заключается в разработке физико-химических основ извлечения галлия из различных отходов производства полупроводниковых материалов, его глубокой очистки и обосновании комплексной технологической схемы получения высокочистого продукта. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие научно-технические задачи:

— провести классификацию отходов и комплексное исследование исходного сырья с определением его макро — и микросостава с разработкой эффективных методов выделения галлия, пригодного для последующей очистки;

— создать физико-химические основы процессов переработки технического галлия в высокочистый продукт квалификации 99,9999 мае. % с применением гидрохимической обработки ГХО, электрохимического рафинирования ЭХР, вакуумтермической обработки ВТО, направленной кристаллизации НК с определением оптимальных режимов рассматриваемых методов;

— выполнить исследование эффективности очистки галлия методом направленной кристаллизации применительно к бинарным и многокомпонентным системам галлий — примесь в широком диапазоне начальных концентраций (1*1 О*1 — МО" 4 мае. %) с целью изучения особенностей характера распределения примесей и определение путей усовершенствования технологии НК;

— обосновать выбор комплексной технологической схемы получения галлия высокой чистоты из отходов производства полупроводниковых материалов на основе комплексного исследования закономерностей поведения примесей на основных стадиях рафинирования галлия;

— провести испытания образцов высокочистого галлия в процессах выращивания монокристаллов и эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия.

Результаты исследования положены в основу создания на базе ОАО «НИИ материалов электронной техники» (г. Калуга) комплексной технологической схемы получения высокочистого галлия.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К. Примеры и перспективы применения новых материалов в электронике. М.: Наука, 1991. 86 с.
  2. A.B., Освенский В. Б., Уфимцев В. Б. Развитие технологии получения монокристаллов арсенида галлия // 70 лет в металлургии редких металлов и полупроводников. Юбилейный сборник трудов ГИРЕДМЕТ. М.: ЦИНАО. 2001. С. 191−206.
  3. А., Дин П. Светодиоды. М: Мир, 1979. 686 с.
  4. JI.M. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. М.: Энергоиздат, 1983. 208 с.
  5. Химия и технология редких и рассеянных элементов / Под ред. Большакова К. А. М.: Высшая школа, 1976.
  6. И.А., Чаус И. С., Митюрева Т. Г. Галлий, Киев, «Гостехиздат УССР», 1963, 295 с.сил.
  7. .И., Вершковская О. В., Славиковская И. М. Галлий, М. «Наука», 1973. 186 с.
  8. .И., Вершковская О. В., Славиковская И. М. Галлий. М. «Наука» 1973. 473 с.
  9. О.В., Краснова B.C., Салтыкова B.C., Первухина А. Е. Галлий. М. «Академия наук СССР» 1960. 146 с.
  10. Н.И. Галлий, М., «Металлургия», 1964 г., 168 с.
  11. Р.В. Химия и технология галлия. М.: Металлургия, 1973. 392 с.
  12. Полупроводниковые соединения A111 Bv. Под редакцией Роберта Виллардсона и Харвея Геринга. М «Металлургия», 1967, 727 с.
  13. А.И., Жемчужина Е. А., Фирсанова JI.A. Металлургия чистых металлов и элементарных полупроводников. М. «Металлургия», 1969. 503 с.
  14. В.Н. Получение металлов высокой чистоты для полупроводниковой техники.//Металлургия редких металлов и полупроводников. М. «Цветметинформация» 1969. С 22 — 26.
  15. М.Г., /Пелевин О.В., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на основе арсенида галлия). М. Металлургия. 1974. 392 с.
  16. С.П. Галлий. Взаимодействие с металлами. М. «Наука», 1974 г. 220 с.
  17. П.И., Мохосоев М. В., Алексеев Ф. П. Химия галлия, индия и таллия, Новосибирск, «Наука», 1977,222 с.
  18. С.П., Аникин Ю. А. Растворимость металлов IV периода в жидком галлии. Изв. АН СССР. Металлы 1970, № 4, С. 162 167.
  19. С.П., Аникин Ю. А. Растворимость металлов V периода в жидком галлии. Физхим. и мех. матер., 1970, т.6, № 3, С. 57 — 62.
  20. С.П., Аникин Ю. А., Диева Э. Н. Растворимость металлов VI периода в жидком галлии. Журн. физ. химии, 1971, т.45, С. 2098 2099.
  21. Р.Ш., Лаврова О. В., Мартынов П. Н., Сысоев Ю. М. Способ очистки технического галлия. Патент RU № 2 087 573, от 19.12.95, С 22 В 58/00, опубл. 20.08.97 Бюл.№ 23
  22. О.Г., Омельчук A.A., Будник В. Г. Эффект фильтрации галлия при анодной поляризации в щелочных электролитах.// ЖПХ, 1996. т 69, № 5. С 788−791.
  23. Ю.Т., Веприкова Е. В. Способ очистки галлия от примесей. Патент RU С 22 В 58/00, № 2 070 594,16.12.92, опубл. 20.12.96 Бюл. № 35
  24. И.В., Гнидо В. Ф. Способ очистки галлия от примесей. Патент RU № 2 162 114,05.04.1999, С 22 В 58/00,9/02, опубл. 20.01.01 Бюл.№ 2
  25. С.А., Потолоков H.A., Сажин М. В. Способ рафинирования галлия. A.C. СССР № 1 803 446, 24.04.1991. С 22 В 58/00, опубл.23.03.93 Бюл.№ 11
  26. О.В., Сысоев Ю. М., Мартынов П. Н., Скоморохова С. Н. Способ рафинирования галлия. Патент RU № 2 086 692, 19.02.95. С 22 В 58/00, опубл. 10.08.97 Бюл. № 22
  27. .В. Основы общей химии. М. «Химия», 1973. Т. 1, 656 с, Т. 2, 688 с.
  28. B.C., Таций В. И., Смирнов В. А. Способ рафинирования галлия. A.C. СССР № 1 391 117,12.12.85., опубл. 27.08.99 Бюл. № 24
  29. Л.И., Смотрина О. В., Король H.A., Корниевич М. В. Исследование взаимодействия примесей в галлии с низкотемпературной кислородной плазмой. Высокочистые вещества. 1996. № 3. С. 37−40.
  30. B.C., А.И. Евстюхин, В.А. Шулов. Теория процессов получения чистых металлов, сплавов и интерметаллидов. М. «Энергоатомиздат», 1983. 143 с.
  31. А.И. Физико химические основы очистки металлов и полупроводниковых материалов. М. «Металлургия» 1973. 222 с.
  32. A.A., Козин Л. Ф. Очистка галлия, индия и теллура от ртути, кадмия и цинка дистилляцией примесей в вакууме при высоких температурах. Укр. Хим. журнал, 1962, т.28, № 6, С. 699−702.
  33. Справочник по электрохимии J1.: Химия, 1981. 486 с.
  34. А.Н., Меерсон Г. А. Металлургия редких металлов. М. «Металлургия» 1978. 346 с.
  35. В.Г., Яценко С. П., Диев В. Н. и др. Электролиз щелочных растворов, содержащих цинк и галлий // Цветные металлы. 1983, № 12, С. 29 — 31.
  36. С.И., Лыкасов A.A. Исследование влияния температуры на электролиз галлия из щелочных растворов // Цветные металлы. 1983, № 10, С. 63−66.
  37. H.A., Фомина H.A., Селехова Н. П. и др. Получение галлия высокой чистоты методом электрорафинирования // Труды ГИРЕДМЕТ. 1972. Т. XXXVIII. С. 119- 134.
  38. A.A., Козин В. Ф., Иванова Е. Г. Электрохимическое извлечение галлия из тройного индий галлий — оловянного сплава в щелочных электролитах. //ЖПХ, 1997. т 70, № 2. С 247−251.
  39. С.П., Диев В. Н., Диева Э. Н., Хаяк В. Г., Панов A.C., Рубинштейн Г. М. Способ электрохимической очистки галлия и его сплавов. A.C. СССР № 1 170 793,09.06.83. С 22 В 58/00, опубл. 10.05.00 Бюл. № 13.
  40. JI.A., Алексеева H.H., Иванова P.B. Очистка галлия ректификацией его хлорида. «Изв. АН СССР. Металлы», 1965, № 3, С. 40−46.
  41. Г. Г., Аглиулов Н. Х., Лучинкин В.В.и др. Методы получения и анализа веществ особой чистоты. М. «Наука», 1970, С. 51 —54.
  42. Л.А., Алексеева H.H., Иванова Р. В. Известия АН СССР, Металлы, 1965г., вып. 3, С. 40−49.
  43. П.И. Радиохимия, 1967г., т. 9, вып. 3, С. 341 -346.
  44. O.E. Отходы рассеянных редких металлов. М.: Металлургия, 1985. 103 с.
  45. Р.В., Калашник О. Н., Нисельсон Л. А. Сравнительный анализ возможных способов переработки отходов производства арсенида галлия //Электронная техника. 1970. Серия 14 «Материалы». Выпуск 1. С. 108 115.
  46. С.С., Рыцарев В. В. Галлий. Технология и производство // 70 лет в металлургии редких металлов и полупроводниковых материалов: Юбилейный сб. трудов ГИРЕДМЕТ. М.: ЦИНАО. 2001. С. 104 110.
  47. H.A., Козлов С. А. Получение галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства //Электронная промышленность. 1996. № 3. С 84 85.
  48. С.А., Сажин М. В., Петрухин И. О., Сидоров О. Л., Аганичев М. П., Потолоков H.A. Технология получения галлия высокой чистоты из отходов полупроводникового производства. // Наукоемкие технологии. 2003. т.4. № 2. С. 88−94.
  49. Papp Е., Schoimar К. Einige Probleme der Herstellung und Prufung dtr Reinstgallium //Acta Chim. Sei. Acad. Hung. 1960. V. 24. № 4. P. 451 -457.50.3еликман A.H., Крейн О. В., Самсонов Г. В. Металлургия редких металлов. М.: Металлургия, 1978. 560 с.
  50. H.A., Козлов С. А., Захарова Н. С., Федоров В. А. Получение высокочистых галлия и мышьяка из отходов производстваполупроводниковых материалов. // Тезисы докладов XI конференции по химии высокочистых веществ. Нижний Новгород. 2000. С. 35 36.
  51. С.А., Потолоков H.A., Сажин М. В. Способ получения галлия высокой чистоты. Патент RU № 2 224 038, приоритет от 17.01.2002., опубл. 20.02.2004. Бюл. № 5.
  52. McDonald J. А. Gallium Goes Green, Thanks to Recapture Metals Inc. // III -Vs Review. 1994. V. 7. № 2. P. 25 28.
  53. Abijutin V.N., Eskov V.P., Ivanova R.V. u.a. Verfahren zur Herstellung von Reinstgallium: Патент ФРГ № 3 048 858 AI. МКИ С 22 В 58/00, С 01 G 15/00. Приоритет от 22.07.82., опубл. 4. 03.84. Бюл. № 8.
  54. В.Н., Калашник О. Н. Способ переработки галлий-мышьяксодержащих отходов. Патент RU № 2 078 842. МКИ С 22 В 58/00. Приоритет от 11.10.95., опубл. 10.05.97. Бюл. № 13.
  55. В.М., Макаренко В. Г., Мартынко В. Д. и др. Способ переработки отходов полупроводникового фосфида галлия и устройство для его получения. A.C. СССР № 871 537. МКИ С22 В 58/00. Приоритет от 17.01.80. опубл. 12.03.83 Бюл. № 24
  56. Harper J.G. Method of Purifyng Gallium by Recrystallization: Патент США № 3 088 853, НКИ 148 1.6. Приоритет от 07.05.63.
  57. A.A., Иванова Р. В. Физико-химические основы кристаллизационных процессов глубокой очистки металлов. М., «Наука», 1970,100 с.
  58. Р.В., Бельский A.A. Анализ выполненных работ по очистке галлия методом зонной плавки // Труды ГИРЕДМЕТ. 1972. Т. XXXVIII. С. 104−108.
  59. Р.В., Бельский A.A. Условия зонной плавки галлия с учетом физико-химических свойств // Труды ГИРЕДМЕТ. 1972. Т. XXXVIII. С. 109−113.
  60. Э., Шоймар К. Получение галлия чистотой 99,9999% методом дробной кристаллизации и зонной плавки. «Изв. вузов. Цвет, металлургия», 1963, № 5, С. 108 — 111.
  61. Л.Ф., Богданова А. К. Очистка галлия от олова и индия кристаллизацией.// Высокочистые вещества. 1992. № 1 С. 37−43. .
  62. А.Г., Киреев С. М., Кочуров А. З., Нисельсон Л. А. Коэффициент распределения примеси германия в галлии при равновесии кристалл расплав. // Высокочистые вещества. 1989. № 3 С. 46- 48.
  63. А .Я., Мевиус В. И. Расчет распределения примеси по длине кристаллов, выращенных методами направленной кристаллизации. // Высокочистые вещества. 1994. № 1. С. 5 — 21.
  64. В. Зонная плавка. М. «Мир», 1970, 364 с.
  65. Химический энциклопедический словарь. М. «Советская энциклопедия» 1983. 791 с.
  66. Л.А., Ярошевский А. Г. Межфазовые коэффициенты распределения. М.: Наука. 1992. 397 с.
  67. Г. Г., Еллиев Ю. Е. Введение в теорию глубокой очистки веществ. М. «Наука» 1990. 320 с.
  68. Г. Г., Бурханов Г. С. Высокочистые тугоплавкие и редкие металлы. М., «Наука», 1993. 223 с.
  69. А.Я. Монокристаллы полупроводников. М. «Металлургия» 1978. 199 с.
  70. Обзоры по электронной технике. Серия 7. Выпуск 12. Закурдаев И. В., Музлов Д. П., Трунин Е. Б., Жевняк A.B. Чистые материалы в электронной технике. ЦНИИ «Электроника», М. 1980. С. 4−7.
  71. Кристаллизация из расплавов / Под ред. И. Бартель, Э. Бурит, К. Хайн, Л. Кухарж. М.: Металлургия, 1987. 319 с.
  72. Г. Г., Гавва В. А., Гусев A.B., Кириллов Ю. П. Предельное распределение двух взаимопревращающихся форм примеси в процессезонной перекристаллизации. // Высокочистые вещества. 1996 г. № 1. С. 5 — 10.
  73. Г. Г., Бурханов Ю. С. Концентрационная зависимость равновесного коэффициента распределения. // Высокочистые вещества. 1996. № 2 С 48−49.
  74. И.Г. Зонная плавка и направленная кристаллизация в кинетическом режиме. // Высокочистые вещества. 1989. № 3 С. 68—72.
  75. В.А., Гусев А. В., Кириллов Ю. П. Динамика распределения взаимопревращающихся форм примеси при зонной перекристаллизации. Высокочистые вещества. 1996. № 5. С5 10.
  76. Н.П., Бурханов Г. С. Монокристаллы веществ с металлическим типом химической связи. // Высокочистые вещества. 1995. № 1. С. 5 17.
  77. Г. Г., Гавва В. А., Гусев А. В., Кириллов Ю. П., Чурбанов М. Ф. Распределение двух взаимопревращающихся форм примеси при направленной кристаллизации. // Высокочистые вещества. 1995. № 5 С. 14−18.
  78. .Д., Горштейн и.Г., Блюм Г. З., Курдюмов Г. М., Оглоблина И. П. Методы получения особо чистых неорганических веществ. Я. «Химия» 1969. 480 с.
  79. В.Н. Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией. М. «Металлургия» 1969. 296 с.
  80. В.Б., Русаков B.C., Хованский Г. С., Урусов B.C. Концентрационная зависимость коэффициента распределения микропримеси при ее взаимодействии с собственными дефектами кристалла. //Высокочистые вещества. 1993. № 6 С. 39−49.
  81. Я., Кухарж JL, Бурханов Г.С. Периодическая зависимость коэффициентов распределения примесей в металлах от атомного номера примеси.//Неорганические материалы. 1998 г. Том 34. № 2. С. 165- 178.
  82. А.Е. Физико-химические основы кристаллизационных процессов глубокой очистки металлов. М. Наука. 1992. С. 7.
  83. В.И., Нашельский А. Я. //ТОХТ. 1992. т.26. С. 779.
  84. Бенуа Пеликен, Мишель Jlepya, Юбер Д’Ондт. Способ очистки галлия. Патент СССР № 1 782 247,30.06.89., опубл. 15.12.92. Бюл. № 46.
  85. Галлий. Методы анализа. ГОСТ 13 637.0−93 ГОСТ 13 637.9−93. М.: ИПК Издательство стандартов, 1996. 96 с.
  86. Галлий высокой чистоты. Технические условия ТУ 48 — 4 — 350 — 84. 33 с.
  87. Ф., Янсен А., Тириг Д., Вюнш Г. Комплексные соединения в аналитической химии. М. Наука. 1975. 532 с.
  88. A.M., Савостин А. П. Аналитическая химия галлия. М. Наука. 1968. 256 с.
  89. A.A. Аналитическая химия мышьяка. М. Наука. 1976. 244 с.
  90. A.A., Черняховская Ф. В., Вернидуб A.C. Аналитическая химия фосфора М. Наука. 1974. 220 с.
  91. Арсенид галлия. Технические условия ТУ 48 — 4 — 276 — 92, 135 с.
  92. С.А., Потолоков H.A., Гусев A.B., Федоров В. А. Определение эффективных коэффициентов распределения галлий — примеси металлов методом направленной кристаллизации из расплава //ЖНМ, 2002. т.38, № 12, С. 1432−1435.
  93. С.А., Сидоров О. Л., Сажин М. В., Петрухин И. О., Потолоков H.A. Способ и устройство для получения галлия из отходов полупроводникового фосфида галлия. Патент RU № 2 226 563, приоритет от 17.01.2002. опубл. 10. 04. 2004. Бюл. № 10.
  94. О.В., Гиммельфарб Ф. А., Мильвидский М. Г. и др. Политермический разрез GaAs Zn // Изв. АН СССР. 1972. Т. VIII, № 6. С. 1049−1054.
  95. А.Г., Карабаш В. А., Вивдыч И. К. и др. Растворимость воды в расплавах металлов и определение в них примеси конституционно связанной воды // XV Менделеевский съезд по общей и прикладной химии. Обнинск, ФЭИ. 1993. т.2. С. 198- 199.
  96. С.А., Сидоров О. Л., Сажин М. В., Петрухин И. О., Потолоков H.A. Способ рафинирования галлия. Патент RU № 2 221 066, приоритет 17.01.2002. Опубл. 10.01.2002.Бюл.№ 1.
  97. В.В., Соколов И. А., Кузнецов Г. Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М. Металлургия. 1982. 392с.
  98. П.В., Зограф И. А. Оценка погрешностей результатов измерений. JI. Энергоатомиздат, 1991. 302 с.
  99. Ю.Н., Гладышевский P.E. Галлиды. М. Металлургия, 1989, 303 с.
  100. Е.М., Гузей J1.C. Металлохимия. М. Московский университет. 1986. 264 с.
  101. С.А., Потолоков H.A., Федоров В. А., Аганичев М. П., Сидоров O.J1., Сажин М. В., Петрухин И. О. Получение высокочистого галлия из отходов производства полупроводниковых материалов. // ЖНМ, 2003. Т. 39. № 12. С. 5−16.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?