Оптимизация переходных процессов в мощных транзисторах с изолированным затвором
Диссертация
Мощные МДП-транзисторы и БТИЗ, широко используемые в современной силовой электронике, по принципу управления удобно кондуктивные — распространяющиеся по проводам и проводящим конструкциям рассматривать как один класс мощных транзисторов с изолированным затвором (ТИЗ). Типичный режим работы для ТИЗ — режим жесткого переключения: при этом транзистор в течение времени ПП, подвергается стрессовой… Читать ещё >
Содержание
- 1. МЕТОДЫ ОПТИМИЗАЦИИ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
- 1. классификация и эволюция методов снижения потерь и стрессовых нагрузок в импульсных преобразователях на мощных транзисторах с изолированным затвором
- 1. 1. 1. Потери и стрессовые нагрузки в схеме жесткого переключения
- 1. 1. 2. Активные и пассивные методы снижения потерь и стрессовых нагрузок
- 1. 1. 3. Эффективность методов мягкого переключения
- 1. 2. Моделирование силовых полупроводниковых приборов. ^
- 1. 2. 1. Моделирование мощного диода с р-n переходом
- 1. 2. 2. Моделирование мощных МДП — транзисторов
- 1. 2. 3. Моделирование БТИЗ
- Выводы по разделу
- 2. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В КЛЮЧАХ НА МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ В РЕЖИМЕ ЖЕСТКОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
- 2. 1. Аналитическая модель ПП включения в мощных транзисторах с изолированным затвором
- 2. 1. 1. Математическое описание ПП жесткого переключения во временной области
- 2. 1. 2. Временные аппроксимирующие функции
- 2. 1. 3. Мощность потерь переключения
- 2. 2. Экспериментальное исследование ПП жесткого переключения в мощных МДП-транзисторах и БТИЗ
- 2. 2. 1. Экспериментальное исследование ПП в повышающем преобразователе на основе МДП-транзистора 1К. Р
- 2. 2. 2. Экспериментальное исследование ПП в повышающем преобразователе на основе
- БТИЗ ШХМВСЗОУ/
- 2. 2. 3. Практическая реализация ОС по току в повышающем преобразователе на 11^
- Выводы по разделу
- 3. ОПТИМИЗАЦИЯ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ И КИРП, ГЕНЕРИРУЕМЫХ ИМПУЛЬСНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ В РЕЖИМЕ ЖЕСТКОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
- 3. 1 Теоретическое исследование генерации КИРП в схемах жесткого переключения на мощных транзисторах с изолированным затвором
- 3. 1. 1. Проблемы ЭМС в области силовой электроники
- 3. 1. 2. Распространение КИРП. Синфазные и дифференциальные помехи. 8?
- 3. 1. 3. Генератор периодических импульсов с конечными длительностями фронтов как источник помех
- 3. 2. Разработка методики моделирования КИРП в схемах жесткого переключения на мощных транзисторах с изолированным затвором
- 3. 2. 1. Моделирование КИРП в 8Р1СЕ-совместимых программах. Проблемы
- 3. 2. 2. Методика численного моделирования КИРП в БРЮЕ-симуляторе программного пакета Огсас
- 3. 2. 3. Использование методики для моделирования ЭМС-характеристик повышающего преобразователя с помощью 8Р1СЕ-программы
- 3. 3 Разработка методики оптимизации ПП в схемах жесткого переключения на мощных ТИЗ с целью улучшения энергетических и ЭМС -характеристик. 10?
- 3. 3. 1. Обоснование необходимости учета характера ПП в повышающем преобразователе для исследования его совместимости со стандартами ЭМС в области КИРП
- 3. 3. 2. Связь временных параметров ПП с энергетическими потерями и ЭМС
- 3. 3. 3. Моделирование суммарной КИРП в повышающем преобразователе с неидеальным фильтром питания при различных режимах управления переходными процессами
- 3. 3. 4. Теоретическое обоснование метода оптимизации ПП, использующего соотношение огибающих спектра
- 3. 3. 5. Примеры оптимизации повышающего конвертера
- Выводы по разделу
Список литературы
- Chokhawala, R. Switching voltage transient protection schemes for high current IGBT modules / R. Chokhawala, S. Sobhani // IEEE Trans, on Industry Applications. 1997. — Vol. 33, N6, — P. 1601−1610.
- Rossetto, L. Conducted EMI Issues in a Boost PFC Design-/ L. Rossetto, S Buso, G. Spiazzi // IEEE Trans, on Industry Applications. 2000. — Vol. 36, N 2, — P. 578−585.
- Watson, R. New Techniques in the Design of Distributed Power Systems / R Watson / Ph.D. Dissertation, Virginia Polytechnic Institute. Blacksburg. 1998.- 258 p.
- A Comparative Investigation on the Use of Random Modulation Schemes for DC/DC Converters / K.K. Tse, H.S.H. Chung, S.Y.R. Hui, H.C. So // IEEE Trans, on Industrial Electronics 2000. — Vol. 47, N 2, — P. 245−252.
- Spectral Characteristics of random carrier frequency switching in off-line switched mode power supply / K.K. Tse, H.S.H. Chung, S.Y.R. Hui, H. C So // IEEE Trans, on Industrial Electronics 2000. — Vol. 47, N 4, P. 139−145
- Stankovic, A. M. Randomized Modulation of Power Converters via Markov Chains / A. M. Stankovic, G. C. Verghese, D. J. Perreault // IEEE Trans on Control Systems Technology. 1997. — Vol. 5, N 1, — P. 157−166.
- Simple high performance three-phase boost rectifiers / Y. Jiang, H. Mao, F.C. Lee, D. Borojevic // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Taipei, Taiwan, June 20−25, 1994: Proc. Taipei, 1994. — Vol. 2, P. 1 158 -1164.
- Chen, J. A New Low-Stress Buck-Boost Converter for Universal-Input PI C Applications / J. Chen, D. Maksimovic, R. Erickson // IEEE Applied Power Electronics Conference, New Orleans, Feb. 6−10, 2001. Proc. New Orleans, 2001.-P. 343 -349.
- Buso, S. Simplified Control Technique for High-Power-Factor Flyback Cuk and Sepic Rectifiers Operating in CCM / S. Buso, G. Spiazzi, D. Tagliavia // IEEE Trans, on Industry Applications. 2000. — Vol. 36, N 5, — P 13 541 363.
- Jovanovic, M.M. A New, Soft-Switched Boost Converter with Isolated Active / M. M. Jovanovic, Y. Jang // IEEE Trans, on Industry Applications. -1999 Vol. 35, N2, — P. 496−502.
- Perreault, D. J. Design and Evaluation of a Cellular Rectifier System With Distributed Control / D. J. Perreault, J. G. Kassakian // IEEE"Trans. Industrial Electronics. 1999. — Vol. 46, N 3, — P. 495−503.
- Jovanovic, M.M. A Technique for Reducing Rectifier Reverse-Recovery-Related Losses in High-Power Boost Converters / M.M. Jovanovic // IEEE Trans, on Power Electronics. 1998. — Vol. 13, N 5, — P. 932−941
- Jovanovic, M.M. A Novel Active Snubber for High-Power Boost Converters M. M. Jovanovic, Y. Jang // IEEE Trans, on Power Electronics. 2000. Vol. 15, N2, — P. 278−284.
- Smith, K.M., Jr. Properties and synthesis of passive lossless soft-switching PWM converters / K.M. Smith, Jr., K.M. Smedley // IEEE Trans, on Power Electronics. 1999. — Vol. 14, N 5, — P. 890−899.
- Levy, H. Analysis and evaluation of a lossless turn on snubber / H. Levy, 1 Zafrany, G. Ivensky, S. Ben-Yaakov // IEEE Applied Power Electronics conference, Atlanta, Oct. 5−9, 1997: Proc. Atlanta, 1997. — P. 634−640
- Reducing IGBT losses in ZCS Series Resonant Converters / G. Ivensky. 1 Zeltser, A. Kats, S. Ben-Yaakov // IEEE Trans, on Industrial Electronics 1997. Vol. 46, N 1, — P. 67−74.
- Ivensky, G. A soft switcher optimized for IGBT’s in PWM topologies / G. Ivensky, D. Sidi, S. Ben-Yaakov // INT. J. Electronics. 1997. — Vol. 83, N 5, — P. 703−716.
- Jang, Y. A new technique for reducing switching losses in pulse-width-modulated boost converter / Y. Jang and M. M. Jovanovic // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Charleston, SC, June 20−25, 1999: Proc. -Charleston, 1999. P.993−998.
- Mizoguchi, T. A family of single-switch ZVS-CV DC to DC converters / T Mizoguchi, T. Oghai, T. Ninomiya // IEEE Applied Power Electronics Specialists Conf., Orlando, Feb. 13−17, 1994: Proc. Orlando, 1994 Vol.2 -P. 1392 — 1398.
- Ben-Yaakov, S. Optimization of the auxilary switch components in a flying capacitor ZVS PWM converters / S. Ben-Yaakov, G. Ivensky, O Levitin H IEEE Applied Power Electronics Conf., Dallas, Texas, March 5−9, 1995: Proc. Dallas, 1995, — P. 503−509.
- Zhang, J. An Improved CCM Single-Stage PFC Converter with a Low-Frequency Auxiliary Switch / J. Zhang, F.C. Lee // IEEE Applied Power Electronics Specialists Conf., Dallas, March 14−18, 1999: Proc. Dallas. 1999 -P. 1392 — 1398.
- Stein, C.M.O. A True ZCZVT Commutation Cell for PWM Converters / C.M.O. Stein, H. L. Hey // IEEE Trans, on Power Electronics. 2000. — Vol 15, N 1, — P. 185−193.
- Vilela, M.S. PWM soft-switching converters using a single active switch / M.S. Vilela, E.A.A. Coelho, J.B. Vieira Jr. // IEEE Applied Power
- Electronics Conference, San Jose, California, March. 3−7, 1996: Proc. San Jose, 1996. -P. 299−304.
- Choi, HS. Novel Zero-Current-Switching (ZCS) PWM Switch Cell Minimizing Additional Conduction Loss / H.S. Choi, B.H. Cho // IEEE Trans, on Industrial Electronics. 2002. — Vol. 49, N 1, — P. 196−205.
- Fiel, A. MOSFET Failure Modes in the Zero-Voltage-Switched Full-Bridge Switching Mode Power Supply Applications / A. Fiel, T. Wu // IEEE Applied Power Electronics Conference, Anaheim, California, March 4−8, 2001: Proc Anaheim, 2001. — P. 657−662.
- Ma, C.L. A simple power diode model with forward and reverse recovery C.L. Ma, P.O. Lauritzen // IEEE Trans. Power Electronics. 2002. Vol. 8. N 2, — P. 342−346.
- Ma, C.L. Modeling of power diodes with the lumped- charge modeling technique / C.L. Ma, P.O. Lauritzen, J. Sigg // IEEE Trans Power Electronics. 2002. — Vol. 12, N 3, — P. 483−487.
- Xu, C.H. Modeling and simulation of power MOSFETs and power diodes / C.H. Xu, D. Schroder // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Kyoto, Japan, April 11−14, 1988: Proc.-Kyoto, 1988. P. 650−657.
- Scott, R.S. An accurate model for power DMOSFET including mterelectrode capacitance /R.S. Scott, G.A. Franz // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Paris, June 10−15, 1990: Proc. Paris, 1990. — P. 192−198.
- Budihardjo, I.K. Performance requirements for power MOSFET models I.K. Budihardjo, P.O. Lauritzen, H.A. Mantooth // IEEE Trans. Power Electronics. 1997. — Vol. 12, N 1, — P. 361−366.
- Andersson, M. SPICE Macromodel for Power DMOS transistors / M. Andersson, P. Kuivalainen // I5the Nordic Semiconductor Meeting, June 811, Hameenlinna, Finland, 1992: Proc. Orlando, 1994. — P. 21−26.
- Budihardjo, l.K. The lumped-charge power MOSFET model, including parameter extraction / I.K. Budihardjo, P.O. Lauritzen // IEEE Trans Power Electronics. 1995. — Vol. 10, N 5, — P. 412−418.
- Lauritzen, P.O. A Basic IGBT Model with Easy Parameter Extraction / P.O. Lauritzen, G.K. Andersen, M. Helsper // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Vancouver, BC, Canada, June 17−21, 2001: Proc. Vancouver. 2001.-P. 546−551.
- Sheng, K. A Review of IGBT Models / K. Sheng, S.J. Finney, B.W. Williams // IEEE Trans. Power Electronics. 2000. — Vol. 15, N 6, — P. 1250−1266.
- IGBT switching losses / K. Sheng, S.J. Finney, B.W. Williams et al. // Second International Conference on Power Electronics and Motion Control, Hangzhou, China, 1997. Proc. -Hangzhou, 1997. Vol.1 — P. 274 — 277.
- Hefner, A.R. An Investigation of the Drive Circuit Requirements for the Power Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) / A.R. Hefner // IEEE Trans on Power Electronics., 1991. — Vol. 6, N 2, — P. 208−219.
- Hefner, A.R., Jr. An experimentally verified IGBT model implemented in Saber circuit simulator / A.R. Hefner Jr., D.M. Diebolt // IEEE Trans, on Power Electronics., 1994. — Vol. 4, N 7, — P. 532−542.
- P. 1578−1585. 55. IRF730 Data Sheet, International Rectifier 56. HFA08TB60 Data Sheet, International Rectifier 57. IRG4BC40W Data Sheet, International Rectifier
- Liu, Y. Performance Analysis of a Novel Dual-gate IGBT / Y. Liu, A Q Huang // Virginia Center for Power Electronics Systems Seminar. Blacksburg, 2001: Proc.-Blacksburg, 2001.-Vol.1 P. 274−277.
- Hybrid MOS-Gated Bipolar Transistor Using High-Voltage 4H-SiC, BJT / Y. Tang, T P. Chow, A.K. Agarwal et al. // Virginia Center for Power Electronics Systems Seminar, Blacksburg, 2001: Proc. Blacksburg, 2001. Vol.1 -P. 112−115.
- Bober, G Ultrafast IGBTs Beats MOS in Switching Applications / G. Bober,
- B. Arlt, F. Lokuta // International Conference on Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM'97), Nurnberg, Germany, June 27−29, 1997: Proc. Nurnberg, 1997. — P. 319−325.
- Wheatley, C.F., Jr. Switching Waveforms of the L2 FET: A 5-Volt GateDrive Power MOSFET / C.F. Wheatley Jr., H.R. Ronan Jr. // Power Electronic Specialists Conference, Gaithersburg, Germany, June 19−21, 1984: Proc. Gaithersburg, 1984. — P.238−242.
- Wheatley, C.F., Jr. Power MOSFET Switching waveforms: A New Insight /
- C.F. Wheatley Jr., H R. Ronan Jr. // Powercon II, April 1984: Proc. -1984. P. C-3 -C-9.
- Natarajan, R. Design and Simulation of Integrated DMOS-IGBT/MPS-Rectifier Power Device / R. Natarajan, T P. Chow // Virginia Center for Power Electronics Systems Seminar, Blacksburg, 2002: Proc. Blacksburg. 2002. — P. 480−486.
- Andersson, M. Simulation of an Electronic Lamp Ballast Circuit / M Andersson, H. Pohjonen // 15th Nordic Semiconductor Meeting, 8−11 June, Hameenlinna, Finland, 1992: Proc. Hameenlinna, 1992. — P. 27−31.
- Characterisation of dual gate lateral inversion layer emitter transistor / U.N.K. Udugampola, G.F.W. Khoo, K. Sheng et al. // International Conference on Power Electronics Machines and Drives, Bath, U.K., April 2002: Proc. -Bath, 2002. P. 557−561.
- Udrea, F. A study of the CoolMOS integral diode: analysis and optimisation ' F. Udrea, K. Sheng, G.A.J. Amaratunga // IEEE International Semiconductor Conference (CAS 2001) Piscataway, NJ, USA, 2001: Proc. Piscataway, 2001. — Vol. 2-P. 461−464.
- Switching Characteristics of NPT- and PT- IGBTs under Zero-Voltage Switching Conditions / B.M. Song, H. Zhu, J.S. Lai, A.R. Hefner, Jr. // IEEE Industrial Application Society, Phoenix, Arizona, Oct. 13−16, 1999: Proc Phoenix, 1999.-P. 125−131.
- Loss Evaluation of Different Continuous-Conduction-Mode Boosl PFC topologies with Simulation Tool / W. Chen, J. Liu, J. Zhang et al. // Virginia Center for Power Electronics Systems Seminar, Blacksburg, 2001: Proc Blacksburg, 2001 P. 367−370.
- Loss mechanisms in IGBTs under zero voltage switching / A. Kurnia, O.H. Stielau, G. Venkataramanan, DM. Divan // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Toledo, Spain, June 29-July3, 1992: Proc. Toledo, 1992. — Vol. 2, P. 1011 — 1017.
- Numerical Method for Evaluating IGBT Losses, Fairchild Semiconductor, Application Note, AN-7520.
- A New Adaptive Driving Technique for High Current Gate Controlled Devices / A. Galluzzo, M. Melito, S. Musumeci et al. // IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, Orlando (USA), 1994: Proc Orlando, 1994-P. 480−486.
- Kuratii, С. А 16А IGBT Gate-Drive ASIC in a 15V, Зцт BiCMOS Technology / C. Kuratli, A. Biber, Q. Huang // Proceedings of IEEE International Symposium on Industrial Electronics, Athens, July 1995: Proc. -Athens, 1995. P. 491−494.
- Park, S., A Self-Boost Charge Pump Topology for a Gate Drive High-Side Power Supply / S. Park, T.M. Jahns // IEEE Applied Power Electronics conference, Miami Beach, FL, Feb. 9−13, 2003: Proc. Miami, 2003. — P. 1347−1350.
- Motto, E.R. Hybrid Circuits Simplify IGBT Module Gate Drive / E.R. Motto // International Conference on Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM'99), Nurnberg, Germany, 1999: Proc. Nurnberg, 1999. — P. 892 899.
- Neascu, D.O. Active Gate Drivers for Motor Control Applications / DO Neascu // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Vancouver, Canada, June 17−22, 2001: Proc. Vancouver, 2001. — Vol. 1 — P I 18 — 128
- Motto, E.R. Evaluating the Dynamic Performance of High Current IGBT Modules / E.R. Motto // International Conference on Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM'94), Nurnberg, Germany, June 28−30, 1994: Proc. Nurnberg, 1994. — P. 268−271.
- Агаханян, T.M. Линейные импульсные усилители / T.M. Агаханян. M.: Связь, 1970.-472 с.
- Park, S. Flexible dv/dt and di/dt Control Method for Insulated Gate Power Switches / S. Park, Т. M. Jahns // Virginia Center for Power Electronics
- Systems Seminar, Blacksburg, 2001: Proc. Blacksburg, 2001. — Vol l — P.60 66.
- John, V. Fast-clamped short-circuit protection of IGBT’s / V. John, B S. Suh. T.A. Lipo // IEEE Trans, on Industry Applications. 1999. — Vol. 35, N 2, -p. 477−486.
- Gerster, Ch. Gate-controlled dv/dt- and di/dt-limitation in high power IGBT converters / Ch. Gerster, P. Hofer // EPE Journal 1996. — Vol. 5, N ¾, P. 11−16.
- Wu, M.K.W. Development of an Integrated CAD Tool for Switching Power Supply Design With EMC Performance Evaluation / M.K.W. Wu, C. K. Tse, O.B.P. Chan // IEEE Transactions on Industry Applications 1998. — Vol 34, N2,-P. 364−373.
- Characterization and comparison of noise generation for quasi-resonant and pulse-width modulated converters / L. Hsiu, M. Goldman, A.F. Witulski et al // IEEE Transactions on Power Electronics. 1994. — Vol. 9, N 4, — P. 361 367.
- Albach, M. Conducted interference voltage of AC-DC converters / M. Albach // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Vancouver, Canada, June 20−25, 1986: Proc. Vancouver, 1986. -P. 203 — 212.
- Albach, M. An AC-DC converter with low mains current distortion and minimized conducted emissions / M. Albach // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Aachen, June 20−25, 1989: Proc. Aachen, 1989. P.457−460.
- Albach, M. How to avoid filters in off-line power supplies/ M. Albach / IEEE Power Electronics Specialists Conference, Brighton, June 20−25, 1993: Proc. Brighton, 1993. — Vol.3 — P.52−57.
- Rossetto, L. Boost PFC with 100-Hz Switching Frequency Providing Output Voltage Stabilization and Compliance with EMC Standards / L. Rossetto, G Spiazzi, P. Tenti // IEEE Trans, on Industry Applications. 2000. — Vol. 36, N 1, — P. 657−664.
- Comparison of EMI performance of PWM and resonant power converters / P. Caldeira, R. Liu, D. Dalai, W.J. Gu // IEEE Power Electronics Specialists
- Conference, Charleston, June 20−25, 1993: Proc. Charleston, 1993. — Vol. 2 -P. 134- 140.
- Scheich, R. EMI conducted emission in the differential mode emanating from a SCR: phenomena and noise level prediction / R. Scheich, J. Roudet // IEEE Trans, on on Power Electronics. 1995. — Vol. 10, N 2, — P. 578−585.
- Ferreira, J.A. Sources, paths and traps of conducted EMI in switch mode circuits / J.A. Ferreira, P.R. Willcock // IEEE Industrial Applications Society Annual Meeting, New Orleans, Oct. 5−9, 1997: Proc. New Orleans, 1997. P. 1584 — 1591.
- Zhang, W. Integrated EMI/Thermal Design for Switching Power Supplies / W. Zhang / M.S. Dissertation, Virginia Polytechnic Institute. Blacksburg, 1998. — 119 p.
- Ivensky, G. A Novel Three-Phase Rectifier with Reduced THD / G. Ivensky, S. Ben-Yaakov // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Vancouver, Canada, June 17−22, 2001: Proc. Vancouver, 2001. — P. 672 677.
- Reis, F.S. Determination of EMI emissions in Power factor preregulators by Design / F.S. Reis, J. Sebastian, J. Uceda // IEEE Power Electronics Specialists Conference, Taipei, Taiwan, June 20−25, 1994: Proc. Taipei, 1994,-Vol. 2-P. 1117- 1126.
- Chiu Computerized Conducted EMI Filter Design System Using Lab VIEW and Its Application / C.N. Chang, H.K. Teng, J.Y. Chen, H.J. // Proceedings of the National Science Council ROC (A). 2001. — Vol. 25, N 3, — P. 185−194.
- Cochrane, D. Passive Cancellation of Common-Mode Noise in Power Electronic Circuits / D. Cochrane, D.Y. Chen, D. Boroyevich // IEEE Transactions on Power Electronics. 2003. — Vol. 18, N 3, — P. 756−763
- Grandi, G. Effects of power converter parasitic components on conducted EMI / G. Grandi, U. Reggiani, D. Casadei // 12th International Symposium on EMC (EMC '97) Zurich, February 18−20, 1997: Proc. Zurich, 1997 P. 1489−1494.
- Popescu, R.M. Power Electronic Converter EMC Analysis Through State Variable Approach Techniques / R.M.Popescu, J. Roudet, J.-C. Crebier // IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 2001. — Vol. 43, N 2, — P. 229−238.
- Survey of EMI Reduction Techniques In Switched-mode Power Supplies / C. Bolden, M. Ferdowsi, N. Patel et al. // Virginia Center for Power Electronics Systems Seminar, Blacksburg, 2001: Proc. Blacksburg, 2001 Vol.1 — P. 525−532.
- Москалев A.B. Моделирование ключа на биполярном транзисторе с отрицательной обратной связью / А. В. Москалев // Магистрант 98: Сборник статей магистрантов физического факультета. — Воронеж: ВГУ. 1998. — С. 26 — 30.
- Дудкин В. П. Ключ на мощном МОП-транзисторе с активной обратной связью / В. П. Дудкин, А. В. Москалев // Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2001. — С. 206−210.
- Дудкин В.П. Повышающий преобразователь напряжения на мощном MOSFET с применением активной обратной связи в формирователе управляющего сигнала / В. П. Дудкин, А. В. Москалев // VII
- Международная научно техническая конференция «Радиолокация, навигация и связь», Воронеж, 23 — 25 апреля 2002 г.: Тез. докл. Воронеж, 2002.-Т. 3.-С. 2156 — 2161.
- Дудкин В.П. Мощный ключ на МОП-транзисторе с активной параллельной обратной связью по току, управляемой напряжением / В. П. Дудкин, A.B. Москалев // Известия высших учебных заведений Радиоэлектроника. 2003. — Т. 46, № 8. -С.15- 80.