Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Эмиссионные и инжекционные свойства низкоразмерных углеродных материалов и гетероструктур на их основе

Диссертация: Эмиссионные и инжекционные свойства низкоразмерных углеродных материалов и гетероструктур на их основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты работы были опубликованы в виде статей и тезисов докладов конференций, перечень которых приведен в конце автореферата. Результаты работы докладывались на научной конференциях: Ломоносовские чтения (Москва, 2009), XI International Conference Hydrogen Materials Science & Chemistry of Carbon Nanomaterials (Yalta-Crimea-Ukraine 2009), на инновационной выставке в рамках… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЭМИССИОННЫЕ И ИНЖЕКЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ И ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ
    • 1. 1. Обзор различных типов электронной эмиссии
    • 1. 2. Обзор инжекционных свойств низкоразмерных углеродных гетероструктур
  • ГЛАВА 2. ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ЧАСТИ
    • 2. 1. Описание методики приготовления и измерения образцов аморфного ЛЦУ
    • 2. 2. Описание методов приготовления и измерения пленок ДУ ЛЦУ
    • 2. 3. Описание способа приготовления и аттестации пленок поликристаллического ЛЦУ
    • 2. 4. Методика измерений инжекционных и транспортных свойств углеродных гетероструктур
  • ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬ ТА ТЫ ПРОВЕДЕННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Структурный и эмиссионные свойства аморфного ЛЦУ
    • 3. 2. В торичная электронная эмиссия и транспортные свойства ДУЛЦУ
      • 3. 2. 1. Вторично-эмиссионные свойства пленок ДУ ЛЦУ
      • 3. 2. 2. Транспортные и инжекционные свойства гетероструктур на основе ЛЦУ
      • 3. 2. 3. Создание прототипов твердотельных эмиссионных устройств на основе ЛЦУ
    • 3. 3. Структурные и инжекционные войства поликристаллических пленок ЛЦУ
  • ЗАКЛЮ ЧЕНИЕ
  • СПИСОК ЛИТЕРА ТУРЫ

Эмиссионные и инжекционные свойства низкоразмерных углеродных материалов и гетероструктур на их основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Приоритетным направлением развития науки и техники в настоящее время является твердотельная электроника, лежащая в основе разнообразных направлений техники (энергетика, приборостроение, видеотехника, светотехника и другие).

Твердотельная электроника основывается, на свойствах традиционных полупроводников и гетероструктур на их основе. В результате возрастающих требований к миниатюризации элементной базы, размеры МОП (металл-окисел-полупроводник) структур (например, длина канала проводимости) приблизились к предельным минимальным значениям — порядка ЗОнм. Дальнейшее уменьшение размеров приводит к квантовым эффектам, нарушающим принципы работы традиционной полупроводниковой электроники. Существуют фундаментальные ограничения, связанные с физикой работы полупроводниковых приборов. Размер полупроводникового элемента не может быть меньше длины свободного пробега электрона и радиуса экранирования Дебая в полупроводнике (десятки нанометров). Используемые в настоящее время технологии и материалы уже дошли до своего технологического предела.

Логика развития физики низкоразмерных систем ставит фундаментальные задачи поиска новых материалов и структур на их основе и детального изучения их электрофизических свойств с целью создания приборов нового поколения на новых принципах работы. В связи с этим представляются чрезвычайно актуальными исследования, направленные на создание альтернативных материалов и устройств, способных обеспечить дальнейший рост производительности интегральных микросхем, как за счет собственных нетривиальных электрофизических свойств, так и за счет возможности изготовления на их основе приборов, работающих на принципиально новых физических эффектах. Одним из подходов решения этой задачи — формирование логических устройств на основе одноэлектронных устройств. Однако анализ работы одноэлектронных устройств выявил ряд проблем. Линейный размер элемента работающего при комнатной температуре не должен превышать 5 нм, что не позволяет создание устройств на его основе в рамках существующих промышленных технологий. Более того, обеспечение воспроизводимости размеров и формы таких элементов в настоящее время не представляется возможным.

Альтернативой твердотельной электронике является эмиссионная электроника. Вакуумные эмиссионные устройства имеют ряд преимуществ перед твердотельными: низкий уровень шума (дробовой шум), высокое быстродействие (баллистическая проводимость) и др. Прогресс в этом направлении сдерживается отсутствием эффективных электронных эмиттеров. Для создания таких эмиттеров требуется новый материал, обладающий незаурядными эмиссионными свойствами. Поэтому требуется поиск новых на-номатериалов с уникальной электронной структурой, обеспечивающей высокие эмиссионные свойства. Линейно-цепочечный углерод (ЛЦУ) идеально подходит для этих целей из-за особенностей его электронной структуры.

Структура ЛЦУ представляет собой параллельные цепочки атомов углерода с эр1 — гибридизацией валентных связей, образующих гексагональные плотно упакованные слои. Углеродные цепочки ориентированы нормально по отношению к подложке и поверхности пленки. Одномерный характер структуры ЛЦУ определяет высокую анизотропию электрической проводимости (вдоль и поперек цепочек). Электрическая проводимость вдоль цепочек на шесть порядков выше, чем в перпендикулярном направлении.

Анизотропия проводимости пленок ЛЦУ, их баллистическая проводимость вдоль цепочек дают основание ожидать аномально высокие транспортные свойства электронов и, соответственно высокую вторично-электронную эмиссию, что позволит проектировать такие электронные устройства как электронно-чувствительные фотоэлектрические преобразователи.

Целью данной работы является:

1. Исследование структурных свойств ЛЦУ полученного различными методами: импульсно-плазменного осаждения двумерно упорядоченный ЛЦУ (ДУ ЛЦУ), ионно-стимулированной конденсации (поликристаличе-ский ЛЦУ) и методом дегидрогалогенирования поливинилиденхлоридного волокна с последующей термической обработкой в вакууме (аморфный ЛЦУ).

2. Исследование вторично-эмиссионных свойств ДУ ЛЦУ и анализ механизма эмиссии отвечающего за аномально высокую ВЭЭ.

3. Исследование инжекционных и транспортных свойств гетерострук-тур типа металл — ЛЦУ — металл, на основе: ДУ ЛЦУ и поликристаллического ЛЦУ с целью создания основных элементов углеродной электроники.

4. Исследование эмиссионных свойств аморфного ЛЦУ с целью создания эффективных холодных эмиттеров.

Научная новизна и научно-практическая значимость работы заключается в том, что:

1. Получены низкоразмерные материалы на основе ЛЦУ методами ионно-плазменного, ионно-стимулированного осаждения и методом химического дегидрогалогенирования.

2. Впервые получены и исследованы поликристаллические пленки углерода на основе Бр1 — связей с высокой анизотропией проводимости.

3. Созданы гетероструктуры типа металл — ЛЦУ, металл — диэлектрикЛЦУ и исследованы их функциональные свойства.

4. Проведено комплексное исследование эмиссионных и инжекционных свойств гетероструктур (металл — ЛЦУ, металл — диэлектрик — ЛЦУ) на основании которых определены оптимальные характеристики технологических процессов для обеспечения их высоких функциональных свойств: высокий потенциал открывания (от 3 В), высокая крутизна вольтамперной характеристики.

5. Обнаружена аномально высокая вторичная эмиссия (коэффициент вторичной эмиссии ~ 50) электронов пленок ДУ ЛЦУ на просвет, что позволяет использовать их в качестве твердотельных умножителей электронов для создания приборов твердотельной эмиссионной электроники.

6. Разработан лабораторный образец холодного эмиттера на основе структуры металл-диэлектрик — ДУ ЛЦУ — металл.

7. Изготовлен холодный катод на основе аморфного ЛЦУ, с механизмом эмиссии по Шоттки.

8. Создан макет нового наноэлектронного устройства — полевого транзистора на основе пленки ДУ ЛЦУ.

Все приведенные результаты получены автором лично или с его непосредственным участием. Существенным вкладом автора является: создание измерительных стендов, разработка методик измерений, обработка полученных результатов. На основании обработки полученных данных, автором сформулированы и обоснованы выводы диссертации.

Основные результаты работы были опубликованы в виде статей и тезисов докладов конференций, перечень которых приведен в конце автореферата. Результаты работы докладывались на научной конференциях: Ломоносовские чтения (Москва, 2009), XI International Conference Hydrogen Materials Science & Chemistry of Carbon Nanomaterials (Yalta-Crimea-Ukraine 2009), на инновационной выставке в рамках «Российского молодежного инновационного Конвента» (Москва, 2008), Конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу (Звенигород, 2012). Результаты исследований были опубликованы в виде отчетов и финансировались в рамках: федеральной целевой программы по теме «Разработка технологии получения линейно-цепочечного углерода (ЛЦУ) и разработка опытных образцов термоэлектрических преобразователей и источников света с применением нового наноматериала на основе ЛЦУ», (государственный контракт № 5980р/8130 от 31.03.2008), научно-исследовательских работ по теме: «Линейно-цепочечный углерод как материал для создания покрытия коллектора высокоэффективного термоэмиссионного преобразователя» (Соисполнители Заказчика по выполнению государственного контракта № 02.516.12.6004 «Высокоэффективный термоэмиссионный модуль с газовым нагревом для когенерационных энергетических установок нового поколения»), государственного контракта № 02.740.11.0229 на выполнение НИР по теме: «Исследование процессов в новых устройствах электроники на основе квантования переноса заряда и магнитного потока» в рамках федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009;2013 годы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Проведено комплексное исследование наноструктурированных углеродных пленок синтезированных методами ионно-плазменного и ионно-стимулированного осаждения на поверхности металлов, полупроводников и диэлектриков, методами электронной микроскопии, рамановской спектроскопии и туннельной спектроскопии, которое показало, что структура полученных пленок основана на одномерных ер1 — связях.

2. Контактным методом и методом туннельной спектроскопии исследованы инжекционные и транспортные свойства полученных структур. Изучение электропроводности показали анизотропию проводимости (отноо шение проводимости вдоль и поперек структуры) пленок ЛЦУ: от 10° (для поликристаллического ЛЦУ) до 10б (двумерно-упорядоченный ЛЦУ).

3. Эмиссионные свойства аморфного ЛЦУ объяснены с использованием механизма эмиссии по Шоттки. Полученное низкое значение эффективной работы выхода объяснено наличием встроенного электрического поля в одномерных цепочках, обусловленного наличием оборванных или деформированных связей на концах цепочек.

4. Показано, что вторично — эмиссионные свойства пленок ДУ ЛЦУ определяются высокими транспортными свойствами (высокой подвижностью связанной с баллистическим механизмом проводимости) линейных цепочек и коэффициент вторичной эмиссии достигает максимального значения 50 (при напряженности поля ~ 2 кВ/см).

5. На основе установленных в работе электрофизических и структурных свойств изученных структур, смоделированы и изготовлены макеты ге-тероструктур на основе ЛЦУ (холодный эмиттер, лавинный диод, полевой и инжекционный транзисторы) и исследованы их функциональные свойства: порог открывания, крутизна вольтамперной характеристики и т. д. На основании исследования транспортных и инжекционных свойств определены оптимальные параметры данных гетероструктур.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Merculov V. L, and etc. Field emission properties of different carbon forms // Solid-State Electronics. 45. 2001. p.949−956.
  2. Fursey, G.N. Field emission in vacuum micro-electronics. // Applied Surface Science. 215. 2003, p. 113−134.
  3. Obraztsov A. N., Volkov A. P., Pavlovsky I. Field emission from nano-structured carbon materials // Diamond and Related Materials, 9, 2000, p. 11 901 195.
  4. Ming-Chi Капа, Jow-Lay Huanga, James C. Sungb, Kuei-Hsien Chen, Bao-Shun Yau. Thermionic emission of amorphous diamond and field emission of carbon nanotubes // Carbon 41, 2003, p.2839−2845.
  5. Peng Liu, Yang Wei, Kaili Jiang, Qin Sun, Xiaobo Zhang, and Shoushan Fa".Thermionic emission and work function of multiwalled carbon nanotube yarns // PHYSICAL REVIEW. В 73, 2006, 235 412.
  6. C.A., Дзбановский Н. Н., Ильичев ЭЛ., Минаков П. В., Полторацкий ЭЛ., Рынков Г. С., Суетин Н. В. Усиление потока электронов с помощью алмазной мембраны // Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 1, стр.108−114.
  7. A., Yater J., Ног С., Abrams R. Secondary electron emission studies //Applied Surface Science 111, 1997, p.251−258.
  8. Hua Qin, Hyun-Seok Kim, Michael S. Westphall, Lloyd M. Smith & Robert H. Blick Sub-Threshold Field Emission from Thin Silicon Membranes // Appl. Phys. Lett. 91, 2007, 183 506
  9. Jeonghee Leea, Taewon Jeonga, SeGi Yua, Sunghwan Jina, Jungna Heoa, Whikun Yia, D. Jeonb, J.M. Kim. Thickness effect on secondary electron emission of MgO layers // Applied Surface Science 174, 2001, p.62−69.
  10. А Э. Бурштейн, С. Лундквист. Туннельные явления в твёрдых телах//М.: Мир, 1973.
  11. J.G.Simons. Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film // J. Appl. Phys., 34, 1963, 1793.
  12. А.И. Сканирующая туннельная и атомно-силовая микроскопия в электрохимии поверхности // Успехи химии, 1995. Т.64, № 8. С. 818−833.15 .Ed. W.J. Gunther о dt, R. Wies endanger. Scanning tunneling miscroscopy. Berlin: Springer Verlag, 1991
  13. Jansen R, Kempen H., WolfR.M. II J. Vac. Sci. Technol, B. 1996. Vol. 14, P.1173−1178
  14. Ed. S. Amerlinckx, D. van Dyck, J. van Landuyt, G .van Tandello, Berlin, Weinheim II Handbook of Microscopy, Methods, 1997, p. 807−825
  15. А.В.Картавых, Н. С. Маслова, В. И. Панов, и др. Туннельная спектроскопия атомов примесей в монокристаллической полупроводниковой матрице // Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4, С. 394.
  16. Л.Н. Добрецов, М. В. Гомоюнова. Эмиссионная электроника // М.: Наука, 1966.
  17. Е. Вольф II Принципы электронной туннельной спектроскопии. Киев: «Наукова Думка», 1990, 454 с. 21./. Tersoff and D. R. Hamann. Theory and application for scanning tunneling microscope // Phys. Rev. Lett. v. 50, 1983, p. 1998−2001.
  18. J.G.Simons. Electric tunnel effect between dissimilar electrodes separated by a thin insulating film 11 J. Appl. Phys., 34, 1963, p. 2581.
  19. R.M.Feenstra, V. Ramachandran, H.Chen. Recent development in scanning tunneling spectroscopy of semiconductor surfaces. // Appl. Phys., A 72, 2001, p. 193−199.
  20. AO. Голубок, O.M. Горбенко, Т. К. Звонарева, С. А. Маслов, В. В. Розанов, С. Г. Ястребов, В.И.Иванов-Омский. Сканирующая туннельная микроскопия плёнок аморфного углерода, модифицированного медью//Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып 2.
  21. В.И. Иванов-Омский, А. Б. Лодыгин, С. Г. Ястребов. Сканирующая туннельная спектроскопия аморфного углерода: модель туннелирования // Письма в ЖТФ, 1999, том 25, вып 24. С. 66−71.
  22. В.И. Иванов-Омский, А. Б. Лодыгин, С. Г. Ястребов. Сканирующие туннельные микроскопия и спектроскопия аморфного углерода // Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 12
  23. В.И. Иванов-Омский, А. Б. Лодыгин, С. Г. Ястребов. Письма ЖТФ, 25 (24), 1999, с. 66
  24. Т.К., Иванов-Омский В.И., Розанов В. В., Шаронова Л. В. Сканирующая туннельная спектроскопия пленок а-С:Н и а-С:Н (Си) полученных магнетронным распылением // Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып 12.
  25. V.I. Ivanov-Omskii, A.V. Tolmachev, S.G. Yastrebov. II Phil. Mag. B73, 1996,715.
  26. O. Groning, O.M. Kuttel, P. Groning, L. Schlapbach. II Appl. Surf. Sci., Ill, 1996, 135.
  27. Д.В. Лихарев, K.K. Аверин. II ЖЭТФ, 90, 1986, 733.
  28. Arena C., Kleinsorge В., Robertson J., Miline W.I., Welland M.E. II Journ. Of Applied Physics. V.85.N 3. 1999. P.1609.
  29. С.Ю., Денисов А. В. Особенности туннельно-спектроскоиических измерений в конфигурации воздушного сканирующего туннельного микроскопа // ЖТФ, 2000, т. 70, вып 1.
  30. R. М. Feestra, J. A. Stroscio, А. P. Fein. II Phys. Lett., 58, 1987, 1192
  31. Н.С., Моисеев Ю. Н., Панов В. И., Савинов С. В. Влияние локализованных состояний и межчастичных взаимодействий на диагностику наноструктур методами СТМ/СТС и АСМ // УФН 1995, с. 236−238.
  32. N.S. Maslova, S.I. Oreshkin, V.I. Panov and S.V. Savinov. Scanning tunneling spectroscopy of charge effects on semiconductor surfaces and atomic clusters // JETP LETTERS V. 67, Num. 2, 25, 1998
  33. Erik Bakkers. Scanning Tunneling Spectroscopy with Symmetrical and Asymmetrical Tip/Quantum Dot/Gold Configurations (Charge Transfer between Semiconductor Nanocrystals and a Metal), Dissertation, Utrecht. 2000, c. 125
  34. Teri Wang Odom, Jin-Lin Huang, Philip Kim, Charles M.Lieber. II NATURE, vol. 39. 1998
  35. С.Ю.Васильев A.B., Денисов II ЖТФ, 70, 2000,100.
  36. Y. Goldstein, L.F.Fonseca, F.R.Zypman II Phys. Rev.B., 49 (3), 1994, 1981.
  37. Yuki Matsuda, Wei-Qiao Deng, and William, A. II J. Phys. Chem. C, Vol. 111,2007, No. 29
  38. Givargizov, V. V. Zhirnov, A.N. Stepanova. II Appl. Surf. Sci., 87, 1995,24.
  39. M.L. Theye, V. Paret, A. Sadki. II Condens. Matter News, 7 (1), 4, 1998.
  40. F.Y. Chuang, C.Y. Sun, T.T. Chen, I.N. Lin. II Appl. Phys. Lett., 69 (23), 1996,3504
  41. Y. Nosho, Yohno, S. Kishimoto and T. Mizutani. Relation between conduction property and work function of contact metal in carbon nanotube field-effect transistors //Nanotechnology 17, 2006, 3412−3415
  42. Florian Banhart. Interaction between metals and carbon nanotubes: at the interface between old and new materials // The Royal Society of Chemistry 2009 Nanoscale, 2009, 1, 201−213
  43. Antonis N. Andriotis, Madhu Menon. Structural and conducting properties of metal carbon-nanotube contacts: Extended molecule approximation // PHYSICAL REVIEW В 76, 2007, 45 412.
  44. Norbert Nemec, David Tomanek, and Gianaurelio Cuniberti. Contact Dependence of Carrier Injection in Carbon Nanotubes: An Ab Initio Study // PRL 96, 76 802, 2006
  45. Seong Chu Lim, Jin Ho Jang, Dong Jae Bae, Gang Нее Han, Sunwoo Lee, In-Seok Yeo, and Young Нее Lee. Contact resistance between metal and carbon nanotube interconnects: Effect of work function and wettability // APPLIED PHYSICS LETTERS 95, 2009, 264 103.
  46. Rajendra Prasad Kalakodimi, Aletha M. Nowak, and Richard L. McCreery. Carbon/Molecule/Metal and Carbon/Molecule/Metal Oxide Molecular Electronic Junctions // Chem. Mater. 2005, 17, 4939−4948
  47. Yuki Matsuda, Wei-Qiao Deng, and William A. Goddard, III. Contact Resistance Properties between Nanotubes and Various Metals from Quantum Mechanics//J. Phys. Chem. C. 2007, 111, 11 113−11 116
  48. Jing Guo, Supriyo Datta and Mark Lundstrom. A Numerical Study of Scaling Issues for Schottky Barrier Carbon Nanotube Transistors // School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47 907
  49. Harish M. Manohara, Eric W. Wong, Erich Schlecht, Brian D. Hunt, and Peter H. Siegel. Carbon Nanotube Schottky Diodes Using Ti-Schottky and Pt-Ohmic Contacts for High Frequency Applications // NANO LETTERS, 2005 Vol.5,No 7,1469−1474
  50. Peter Liljeroth, Lucian Jdira, Karin Overgaag, Bruno Grandidier, Sylvia Speller and Daniel Vanmaekelbergh. Can scanning tunnelling spectroscopymeasure the density of states of semiconductor quantum dots? // Phys. Chem. Chem. Phys., 2006, 8, 3845−3850
  51. Erik P. A. M. Bakkers and Daniel Vanmaekelbergh. Resonant electron tunneling through semiconducting nanocrystals in a symmetrical and an asymmetrical junction // PHYSICAL REVIEW B, VOL. 62, NUMBER 12.
  52. S. Folsch, P. Hyldgaard, R. Koch, and К. H. Ploog Quantum Confinement in Monatomic Cu Chains on Cu (lll) // PHYSICAL REVIEW LETTERS VOLUME 92, NUMBER 5, 2004
  53. J. G. Simons. II J. Appl. Phys. 1963. V. 34, 1793
  54. J. G. Simons. II J. Appl. Phys. 1963. V. 34, 238
  55. J. G. Simons. Electric tunnel effect between dissimilar electrodes separated by a thin insulating film // J. Appl. Phys., 34, 1963, 2581.
  56. Kudryavtsev Yu.P., Evsyukov S.E., Guseva M.B., Babaev V.G. II Carbon. 1992. V. 30. 2. P. 213
  57. Н.Д. Физические основы управляемого ионно-плазменного синтеза функциональных углеродных покрытий. Дис. Канд.ф.-м.н., Москва, 1998, с. 225.
  58. G.E. Bugrov, S.G. Kondranin, E.A.Kralkina, V.B. Pavlov, D.V. Savinov, К. V. Vavilin, Heon-Ju Lee II Current Applied Physics. 2003. 3. P. 485.
  59. K.B., Кралъкина E.A., Павлов В. Б., и др. И Плазменный источник ионов. Патент RU 2 371 803. 2008.
  60. А.Ф., Бугров Г. Э., Вавилин КВ., и др. // Наукоемкие технологии. 2005. 6, № 1. С. 5.
  61. Кап М.С., Huang J.L., Sung J.С. et al. II J. Mater Res.2003. V. 18. <7. P. 1594.
  62. Zhu W., Bower C., Kochanski G.P., Jin S. II Diamond Relat Mater. 2001. V. 10. P. 1709.
  63. Wang S.G., Zhang Q., Yoon S.F. et al. II Diamond RelatMater. 2003. V. 12. P. 8.
  64. O., Kuttel O.M., Groning P., Schlapbach L. //Appl. Surf. Sci. 1997. V. 111. P. 135.
  65. Кап M.C., Huang J.L., Sung J.C., Lii D.F. II J. Vac. Sci.Technol. B. 2003. V. 21. 4. P. 1216.
  66. Zhu W" Kochanski G.P., Jin S. II Science. 1998. V. 282.<20. P. 1471.
  67. May P. W., Stefan H., Michael N. R. et al. И J. Appl.Phys. 1998. V. 84. 3. P. 1618.
  68. Wang S.G., Zhang Q., Yoon S.F.et al. II Surface Coatings Technology. 2003. V. 167. P. 143.
  69. Ming-Chi Kan, Jow-Lay Huang, SungJ.C. et al. II Carbon. 2003. V. 41. P. 2839.
  70. Chen КН., Wu J.J., Chen L.C. et al. II Diamond Relat Mater. 2000. V. 9. P. 1249.
  71. В.Г., Гусева М. Б., Савченко Н. Ф. и др. И Поверхность. Рентген., синхр. и нейтрон, исслед 2004. № 3,с.16.
  72. А.Х., Жиэ/син ГЛ. Фурье-КР и Фурье-ИК спектры полимеров. М.: Физматлит. 2001. 656 с.
  73. Н.Ф., Гусева М. Б. //Тез. докл. Всесоюзн. симп. «Электронная микроскопия и электронография в исследовании образования, структуры и свойств твердых тел». Звенигород, 1983. Ч. 1. С. 38.
  74. A., Ferrari А. С., Yangi Т., Robertson J. II Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. n 18. P. 2627.
  75. Peng Liu, Yang Wei, Kaili Jiang, Qin Sun, Xiaobo Zhang, and Shoushan
  76. Fan II Physical Review В. 2006. V. 73. P. 235 412.
  77. LouL., Nordlander P. II Phys. Rev. B. 1996. V. 54. 23. P. 16 659.
  78. А. Т. IIУФН. 2000. T. 70. № 9. C. 996
  79. Шерилин Е.П. II Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов. М.: Изд-во МФТИ: Физматкнига, 2001, 287 с.
  80. Chen Y., Shaw D" Guo L. II Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 2469.
  81. Hsieh C.-T., Chen J.-M., Kuo R.-R. Huang Y.-H. H Rev. Adv. Mater Sei. 2003. V. 5.P. 459.
  82. A.H., Павловский И. Ю., Волков А.П., II ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 11. С. 89−95
  83. V. G., Guseva М. В. //Carbyne and Carbynoid Structures / Eds Heinemann R., Evsyukov S., Kavan L., Kluver Acad Publ. 2000. V. 21. P. 159
  84. LagowR. J., Kampa J. J., WeiH.-Ch. //Science. 1995. V. 267. P. 362.
  85. Guseva, M. Babaev V., Novikov N., and et. al. Tetracarbon. US Patent 6,454,797, 2001.
  86. Fink J., Leising G II Phys. Rev. В, 1986. v. 34, № 8. p.5320.
  87. Ritsko J.J., Crecelius G., Fink J. II Phys. Rev. В, 1983. v. 27. № 8. p.4902.
  88. Wolfgang S.M. Werner, Alessandro Ruocco, Francesco Offi II Phys. Rev. B, 2008. v. 78.p.233.
  89. Xiangyun C., Ilan Ben-Zvi., Andrew В., and et. al. II Particle Accelerator Conference. Knoxville. Tennessee, 2005. p. 2251.
  90. C.A., Збановский H.H, Ильичёв Э. А. и др. II ЖТФ, 2004. т. 74, выпуск 1, с. 108.
  91. Нео J.N., Kim W.S., Jeong Т. W. and et.al. II Physica, 2002. v. 323. series b. p. 174.
  92. A., Yater J., Ног C., Abrams R. H App. Surf. Science, 1997. № 111. p.251.
  93. И.М., Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. М. Наука, 1969.
  94. Nobuo U., Kzuyuki S., Kazuchiko S. and Hiroo I. II Phys. Rev., 1986. vol.34. № 9. p.6386.
  95. Nobuo U., Kzuyuki S., II Phys. Rev., 1990. vol.42. № 3. p.1659.
  96. Hoffman A., Elbaum., Brender., II Phys. Rev., 1993. vol.48. № 21, p.16 078.
  97. Prazdnikov Yu.E., Lepnev L.S., Novikov N.D., Bozhko A.D. II Journal of Russian Laser Research. 2005. T. 26. № 3. C. 245−251
  98. Heimann R.B., Burlacov I., Kleiman J.I., and et. al. II Polyynes Synthesis, Properties, and Applications edited by Franco Cataldo. 2006. P. 37.
  99. Ravagnan L., Siviero F., Salis E., and et. al. II Polyynes Synthesis, Properties, and Applications edited by Franco Cataldo. 2006. P. 15.
  100. Ravagnan L., Piseri P., Bruzzi M. II Pys. Rev. Lett. 2007. 98, 216 103.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?