Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта — легированием
Диссертация
Анализ основных характеристик электронного транспорта в РНЕМТ транзисторных структурах, таких как подвижность 20 электронов це и концентрация п8 показывает, что идет постоянный поиск и усовершенствование технологических приемов создания транзисторных структур, а также оптимизация базовой структуры. Величины це и п8 в основном зависят от способа и уровня легирования донорных слоев, толщины… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Типы наногетероструктур с высокой подвижностью электронного газа и их свойства
- 1. 1. Двумерный электронный газ
- 1. 2. Выбор способа легирования
- 1. 3. Механизмы роста напряженных эпитаксиальных слоев
- 1. 4. Классификация транзисторных структур
- 1. 4. 1. Полевые транзисторы с барьером Шоттки
- 1. 4. 2. Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов
- 1. 4. 3. Псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов
- 1. 4. 4. Метаморфные ваАБ МНЕМТ и наногетероструктуры на 1пР
- 2. 1. Молекулярно-лучевая эпитаксия: принцип работы и блок-схема установки
- 2. 2. Установка МЛЭ ЦНА-24, принцип ее работы и блок-схема
- 2. 2. 1. Устройство и работа установки
- 2. 2. 2. Устройство и работа составных частей установки
- 2. 3. Калибровка установки МЛЭ по скоростям роста слоев наногетероструктуры и концентрации легирующей примеси
- 2. 3. 1. Калибровочные процессы роста
- 2. 3. 2. Определение скоростей роста соединений А3В
- 2. 3. 3. Калибровка концентрации легирования донорными примесями
- 2. 3. 4. Определение качества буферного слоя ваАв и электрофизических параметров эпитаксиальных пленок
- 2. 4. Методы измерений параметров эпитаксиальных структур
- 2. 4. 1. Метод эффекта Холла
- 2. 4. 2. Метод спектроскопии фотолюминесценции
- 3. 1. Расчет зонной структуры
- 3. 2. Анализ особенностей зонной структуры в РНЕМТ наногетероструктурах с односторонним дельта легированием
- 3. 3. Анализ особенностей зонной структуры в РНЕМТ наногетероструктурах с двухсторонним дельта легированием
- 4. 1. Электрофизические свойства модулированно- и дельта-легированных РНЕМТ транзисторных структур на основе А^СаихАзЛПуОаьуАз/ОаАз
- 4. 2. Влияние температуры роста спейсерного АЮаАэ слоя на электрофизические параметры и структурные свойства слоев РНЕМТ наногетероструктуры
- 4. 3. Исследование влияния толщины барьерного слоя на электрофизические свойства односторонне легированных РНЕМТ наногетероструктур АЮаАзЛпСаАз/ОаАБ
Список литературы
- Ж. И. Алфёров. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП, 1998, Т. 32, В.1, С. 3−18
- Л. Ченг, К. Плог. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры // М.: Мир, 1989, 584 с.
- John R. Arthur. Molecular beam epitaxy // Surface Science, 2002, V. 500, P. 189−217
- Шур M. Современные приборы на основе арсенида галлия // М: Мир., 1991,632 с.
- Tan K.L., Dia R.M., Streit D.C., Han A.C., Trinh T.Q., Velebir J.R., Liu P.H., 1. n Т., Yen H.C., Sholley., Shaw L. Ultralow-Noise W-band Pseudomorpic InGaAs HEMT"s. // IEEE Electron Device Lett., 1990, V. 11, № 7, P. 303 305.
- Tan K.L., Dia R.M., Streit D.C., Lin. Т., Trinh Т., Han A.C., Liu P.H., Chow
- P.D., Yen H.C. 94-GHz 0.1 |im T-Gate Low-Noise Pseudomorpic InGaAs HEMT"s. // IEEE Electron Device Lett., 1990, V. 11, № 12, P. 585−587
- Y. Habbad, D. Deveaud, H.-J. Btihlmain, M. Ilegems. Low-frequency noise measurements of AlxGaixAs/InyGaiAs/GaAs high electron mobility transistors // J. Appl. Phys., 1995, V.78, № 4, P. 2509−2514
- Chou Y.C., Li G.P., Chen Y.C., Wu C.S., Yu K.K., Midford T.A. Off State Breakdown Effects on Gate Leakage Current in Power Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMT"s. // IEEE Electron Device Lett., 1996, V. 17, № 11, P. 479−481
- Toyoshima H., Niwa Т., Yamazaki J., Okomoto A. Suppression of In surfacesegregation and growth of modulation-doped N-AlGaAs/InGaAs/GaAs structures with a high In composition by molecular-beam epitaxy. // J. Appl. Phys., 1994, V. 75, № 8, P. 3908−3913
- Radhakrishan K., Yoon S.F., Li H.M., Han Z.Y., Zhang D.H. Photoluminescence studies of strained InxGai-xAs-Al0.28Ga0.72Asheterostructures grown by molecular-beam epitaxy. // J. Appl. Phys., 1994, V. 76, № 1, P. 246−250
- Wojtowicz M., Pascua D., Han A.-C., Block T.R., Streit D.C. Photoluminescence characterization of MBE grown AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs. // Journ. Cryst. Growth., 1997, V. 175/176, P.930−934
- Chen T.N., Huang Y.S., Shou T.S., Tiong K.K., Lin D.Y., Pollak F.H., Goorsky
- M.S., Streit D.C., Wojtowicz M. Room temperature polarized photoreflectance and photoluminescence characterization of AlGaAs/InGaAs/GaAs high electron mobility transistor structures. // Physica E, 2000, V. B, P. 297−305
- Cao X., Zeng Y., Kong M., Pan L., Wang B., Zhu Z., Wang X., Chang Y., Chu
- J. Photoluminescence of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with different thickness of spacer layer.// Journ. Cryst. Growth., 2001, V. 231, P. 520−524
- Look D.C., Jogai B., Stutz C.E., Sherriff R.E., DeSalvo G.C., Rogers T.J., Ballingall J.M. Magneto-Hall characterization of delta-doped pseudomorphic high electron mobility transistor structures. // J. Appl. Phys., 1994, V. 76, № 1, P. 328−331
- Cao X., Zeng Y., Cui L., Kong M., Pan L., Wang B., Zhu Z. Using phoyoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure // Journ. Cryst. Growth., 2001, V. 227−228, P. 127−131
- Oelgart, G. Grummt, G. Lippold, R. Pickenhain, R. Schwabe, L. Lehmann. Halleffect, photoluminescence and DLTS investigation of the DX centre in AlGaAs // Semicond. Sei. Technol., 1990, V.5, P. 894−899
- L. Pavesi, M. Guzzi. Photoluminescence of AlxGal-xAs alloys // J. Appl. Phys., 1994, V.75, P. 4779−4842
- A. Leuther, A. Forster, H. Luth, H. Holzbrecher, U. Breuer. DX centres, conduction band offsetsand Si-dopant segregation in AlxGal-xAs/GaAs heterostructures // Semicond. Sei. Technol., 1996, V. l 1, P. 766−771
- Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках // М.: Мир, 1986, 304 с.
- К. Kalna, S. Roy, A. Asenov, К. Elgaid, I. Thayne. Scaling of pseudomorphichigh electron mobility transistors to decanano dimensions // Solid-State Electronics, 2002, V. 46, № 5, P. 631−638
- M.V. Fischetti. Monte Carlo simulations in technologically significant semiconductors of the diamond and zinc-blende structures. // Part I: Homogeneous transport. IEEE Trans Electron Dev., 1991, V. 38, P. 634−648
- P.A. Houston, A.G.R Evans. Electron drift velocity in n- GaAs at high electricfields. // Solid-State Electron, 1983, V. 20, P. 197−204
- Т.Н. Windhorn, L.W. Cook, G.E. Stillman. The electron velocity-field characteristics for n-InO:53GaO:47As at 300 K. // IEEE Electron Dev, Lett., 1982, V. 3,№ 1,P. 18−20
- D. J. Dunstan, S. Young, R. H. Dixon. Geometrical theory of critical thicknessand relaxation in strained-layer growth // J. Appl. Phys., 1990, V. 70, P.3038 -3045
- R. S. Sandhu, G. Bhasin, C. D. Moore, G. D. U’Ren, M. S. Goorsky, T. P. Chin,
- M. Wojtowicz, T. R. Block, D. C. Streit. Corimpason of strained channel InGaAs high electron mobility structures grown on InP and GaAs // J. Vacuum Science and Technology B, 1999, V. 17, P. 1163−1166
- S.C. Jainyz, M. Willander, H. Maes. Stresses and strains in epilayers, stripes andquantum structures of III-V compound semiconductors // Semicond. Sci. Technol., 1996, V. l 1, P. 641−671
- Н.Н.Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д.
- Бимберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор // ФТП, 1998, Т. 32, С. 385
- A. Polimeni, A. Patane, М. Capizzi, F. Martelli, L. Nasi, and G. Salviati. Selfaggregation of quantum dots for very thin InAs layers grown on GaAs // Phys. Rev. В1996, V. 53, P. R4213-R4234
- К.Т. Chan, M.J. Lightner, G.A. Patterson, K.M. Yu. Growth studies of pseudomorphic GaAs/InGaAs/AlGaAs modulation-doped field-effect transistor structures // Appl. Phys. Lett., 1990, V. 56, P. 2022−2024
- S. C. Jain, T. J. Gosling, J. R. Willis, D. H. Totterdell, and R. Bullough A newstudy of critical layer thickness, stability and strain relaxation in pseudomorphic GexSii. x strained epilayers // Philos. Mag., 1992, A 65, № 5, P.1151−1167
- J.H. Matthews, A.E. Blakesley. «Defects in epitaxial multilayers. I. Misfitdislocations» // J. Cryst. Growth, 27 p. 118−127 (1974)
- M.S. Goorsky, J.W. Eldredge, S.M. Lord, J.S. Harris. Structural properties ofhighly mismatched InGaAs-based devices grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates // J. Vacuum Science and Technology B, 1994, V. B12, P. 1034−1037
- I. J. Fritz, S. T. Picraux, L. R. Dawson, T. J. Drummond, W. D. Laidig, N. G.
- Anderson. Dependence of Critical Layer Thickness on Strain for InxGalxAs/GaAs Strained-Layer Superlattices // Appl. Phys. Lett., 1985, V. 46, № 10, P. 967−969
- T. G. Anderson, Z. G. Chen, V. D. Kulakovski, A. Uddin, J. T. Vallin. Variationof Critical Layer Thickness with In Content in Strained InxGai. xAs-GaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1987, V. 51, № 10, P. 752−754
- F. Fournier, R.A. Metzger, A. Doolittke, A.S. Brown, C.C. Coman. Growthdynamics of InGaAs/GaAs by MBE // J. Cryst. Growth, 1997, V. 175, P. 203 210
- J.P. Silveira, J.M. Garcia, F. Briones. Limited In incorporation during pseudomorphic InAs/GaAs growth and quantum dot formation observed by in situ stress measurements // Appl. Surf. Sci., 2002, V. 188, P. 75−79
- В.Г. Дубровский, Ю. Г. Мусихин, Г. Э. Цырлин, B.A. Егоров, H.K. Поляков,
- Ю.Б. Самсоненко, А. А. Тонких, Н. В. Крыжановская, Н. А. Берт, В.М.
- Устинов. Зависимость структурных и оптических свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs/GaAs от температуры поверхности и скорости роста // ФТП, 2004, Т. 38, В. 3, С. 342−348
- U. Meirav, М. Heiblum, F. Stem High-mobility variable-density 2DEG ininverted GaAs- AlGaAs heterojunctions // Appl. Phys. Lett., 1988, V. 52, № 15, P. 1268−1270
- L. Gottwaldt, K. Pierz, F. J. Ahlers, E. O. Gobel, S. Nau, T. Torunski, W. Stolz
- Correlation of the physical properties and the interface morphology of AlGaAs/GaAs heterostructures // J. Appl. Phys., 2003, V.94, № 4, P. 24 642 472
- K.J. Chao, N. Liu, C.-K. Shih, D.W. Gotthold, B.G. Streetman. Factors influencing the interfacial roughness of InGaAs/GaAs heterostructures: A scanning tunneling microscopy study // Appl. Phys. Lett., 1999, V. 75, № 12, P. 1703−1705
- H. Shtrikman, M. Heiblum, K. Seo, D. E. Galbi, L. Osterling. High-mobilityinverted selectively doped heterojunctions // J. Vacuum Science and Technol B, 1988, V. 6, № 2, P. 670−673
- V.M. Airaksinen, J.J. Harris, D.E. Lacklison, R.B. Beall, D. Hilton, C.T. Foxon,
- S.J. Battersby. «The effect of strong localization on the mobility of electrons in modulation-doped inverted structures» // J. Vacuum Science and Technol B, 1988, V. 6, P. 1151−1155
- K.H. Ploog, O. Brandt. InAs monolayers and quantum dots in a crystalline GaAsmatrix// Semicond. Sci. Technol., 1993, V. 8, P.8229−8235
- D. Leonard, K. Pond, P.M. Petroff. Critical layer thickness for self-assembled
- As islands on GaAs // Phys. Rev. B, 1994, V. 50, P. 11 687−11 692
- Jie Sun, Peng Jin, Zhan-GuoWang. Extremely low density InAs quantum dotsrealized in situ on (100) GaAs // Nanotechnology, 2004, V. 15, P. 1763−1766
- E.F. Schubert, C.W. Tu, R.F. Kopf, J.M. Kuo, L.M. Lunardi. Diffusion and driftof Si dopants in 8-doped n-type Al/ja^As // Applied Physics Letters, 1989, V. 54, P. 2592−2594
- A. Leuther, A. Forster, H. Luth, H. Holzbrecher, U. Breuer. DX centres, conduction band offsetsand Si-dopant segregation in AlxGal-xAs/GaAs heterostructures // Semicond. Sci. Technol., 1996, V. l 1, P. 766−771
- Nozaki, Т., M. Ogawa, H. Terao and H. Watanabe Gallium arsenide and relatedcompounds // Inst. Phys. Conf. Ser., 1975, No.24, Chapt. 2, P.46
- Стриха В.И., Бузанева E.B., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение) // Под ред. В. И. Стрихи. М., «Сов, радио», 1974, 248 с.
- Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технологииизготовления: Пер. с англ. // Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.
- Дулин В. Н. Электронные и квантовые приборы СВЧ // М.: Энергия, 1972,224 с
- Андрушко JI.M., Федоров Н. Д. Электронные и квантовые приборы СВЧ. //
- М.: Радио и связь, 1981, 208 с
- Г. Уотсон. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение. // М.: Мир, 1972, 660 с
- C.S. Wu, F. Ren, S.J. Pearton, M. Ни, С.К. Pao, R.F. Wang. High efficiencymicrowave power AlGaAs/InGaAs PHEMTs fabricated by dry etch single gate recess // IEEE Trans. Electr. Dev., 1995, V. 42, № 8, P. 1419−1424
- C. Gaquiere, J. Griinemitt, D. Jambon, E. Delos, D. Ducatteau, M. Werquin,
- D. Treron, P. Fellon. A high-power W-band pseudomorphic InGaAs channel PHEMT // IEEE Electr. Dev. Let., 2005, V. 26, № 8, P. 533−534
- M.T. Yang, Y.J. Chan, C.H. Chen, J.I. Chyi, R.M. Lin, J.L. Shien. Characteristics of pseudomorphic AlGaAs/In^Gai As (0
- X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. The keys to get hightransconductance of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs devices // Solid-State Electronics, 2001, V. 45, № 5, P. 751−754
- B. A. Miller and P. B. Kirby Molecular beam epitaxy growth interrupt andtemperature studies on doped and undoped single quantum well pseudomorphic structures // Appl. Phys. Lett., 1992, V. 61, P. 432−435
- Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, E.A. Климов, В. Г. Мокеров. Электрофизические свойства модулированно- и дельта-легированных Р-НЕМТ транзисторных структур на основе AlxGa^As/InyGa^yAs/GaAs // Микроэлектроника, 2006, Т. 35, № 2, С. 83−89
- В. Jogai. P.W. Yu and D.C. Streit Free electron distribution in S-doped InGaAs/AlGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor structures // J. Appl. Phys., 1994, V. 75, № 3, P. 1586−1589
- T. Schweizer, K. Kohler, P. Ganser. Principle differences between the transportproperties of normal AlGaAs/InGaAs/GaAs and inverted GaAs/InGaAs/AlGaAs modulation doped heterostructures // Appl. Phys. Lett., 1992, V. 60, № 4, P. 469−471
- D.C. Dumka, G. Cueva, W.E. Hoke, P.J. Lemonias, I. Adesida, 0.13 jim gatelength Ino.52Alo.48As-Ino.53Gao.47 As metamorphic HEMTs on GaAs substrate // Proceedings of the 58th Device Research Conference, Denver, 2000, P. 83−84
- K. van der Zanden, M. Behet, G. Borghs. Comparison of Metamorphic InGaAs/InAlAs HEMT’s on GaAs with InP based LM HEMT’s // CS MANTECH, 1999, P. 143
- K. Kawada, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, H. Nakata. Comparison of
- Electrical Characteristics of Metamorphic HEMTs with InP HEMTs and PHEMTs // Jpn. J Appl. Phys, 2003, Part 1, V. 42- № 4B, P. 2219−2222
- D W Tu, S Wang, J S M Liu, K C Hwang, W Kong, P C Chao, K Nichols. Highperformance double-recessed InAlAs/InGaAs power metamorphic HEMT on GaAs substrate // IEEE Microwave And Guided Wave Lett., 1999, V. 9, № 11, P. 458−460
- Svensson S.P., Andersson T.G. Film thickness distribution at oblique evaporation // J. Vacuum Sci. Technol., 1982, V. 20, P.245−247.
- Myers T.H., Schetzina J.F. Molecular beam source for high vapor pressure materials // J. Vacuum Sci. Technol., 1982, V. 20, P. 134−136
- Curless J. A. Molecular beam epitaxy beam flux modeling // J. Vacuum Sci. Technol. B, 1985, V. 3, P. 531−534
- Shchekochikhin Yu.M. In: Proceedings of the Summer School on Physical and Technical Basis of MBE, Eberswalde GDR, 1979, P. 86
- Svensson S.P., Andersson T.G. Transformation between perpendicular and oblique incidence at evaporation // J. Phys. E.: Sci. Instrum., 1981, V. 14, № 9, P. 1076−1081
- A.B. Гук, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров. Оптическая спектроскопия двумерных электронных состояний в модулировано-легированных гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs // ФТП, 1997, Т.31, № 11, С. 1367−1374
- А.Ю. Егоров, А. Г. Гладышев, Е. В. Никитина, Д. В. Денисов, Н. К. Поля ков,
- Е.В. Пирогов, A.A. Горбацевич. Двухканальные псевдоморфные НЕМТ-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием // ФТП, 2010, Т. 44, В.7, С. 950−954
- Ломов A.A., Имамов P.M., Гук, A.B., Федоров Ю. В, Хабаров Ю. В., Мокеров В. Г. Влияние параметров структуры отдельных слоев на фотолюминесцентные свойства системы InxGaixAs-GaAs // Микроэлектроника, 2000, Т. 29, № 6, С. 410−416
- И.С. Васильевский, Г. Б. Галиев, E.A. Климов, В. Г. Мокеров, P.M. Имамов, И. А. Субботин. Электрофизические и структурные свойства квантовых ям InyGai. yAs/InxAli.xAs/InP с различным содержанием InAs. // Кристаллография, 2010, Т 55, № 1, С.7−11
- F. Stern, S. das Sarma. Electron energy levels in GaAs-GaAlAs heterojunctions // Phys. Rev. B, 1984, V. 30, P. 840−848
- E.A.B. Cole, T. Boettcher, С. M. Snowden. Corrections to the calculation of bulk electron densities in quantum wells of HEMTs // Semicond. Sci. Tech., 1997, V. 12, P 100−110
- K. Inoue, H. Sakaki, J. Yoshino, T. Hotta. Self-consistent calculation of electronic states in AlGaAs/GaAs/AlGaAs selectively doped double-heterojunction systems under electric field // J. Appl. Phys., 1987, V. 58, P. 4277−4281
- M.I. Ke, D. Westwood, R.H. Williams, M.J. Goodfrey. Theoretical and experimental investigations of the electronic structure for selectively O-doped strained InGaAs/GaAs quantum wells // Phys. Rev. B, 1995, V. 51, P. 50 385 042
- H. Марч, В. Кон, П. Вашишта, С. Лундквист, А. Уильяме, У. Барт, Н. Лэнг
- Теория неоднородного электронного газа". // М.- Мир., 1987,400 с.
- W. Kohn, L. J. Sham. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects // Phys. Rev., 1965, V. 140, P. Al 133-A1138
- W. Nakwaski. Effective masses of electrons and heavy holes in GaAs, InAs, AlAs and their ternary compounds // Physica B, 1995, V. 210, P. 1−25
- R.C. Miller, D.A. Kleinman, A.C. Gossard. Energy-gap discontinuities and effective masses for GaAs-AbcGal -xAs quantum wells // Phys. Rev. B, 1984, V. 29, P. 7085−7087
- H. Kroemer. Band offsets at heterointerfaces: theoretical basis, and review, of recent experimental work// Surface Science, 1986, V. 174 P.299−306
- H.M. Cheong, J.H. Burnett, W. Paul, P.F. Hopkins, A.C. Gossard. Hydrostatic-pressure dependence of band offsets in GaAs/AlxGal-xAs heterostructures // Phys. Rev. B., 1994, V. 49, P. 10 444−10 449
- G. Ji, D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Morko?. Optical investigation of highly strained InGaAs-GaAs multiple quantum wells // J. Appl. Phys., 1987, V. 62, № 8, P. 3366−3373
- V.D. Kulakovskii, T.G. Andersson, L.V. Butov. Band edge offset in strained InGaAs/GaAs quantum wells measured by high-excitation photoluminescence // Semicond. Sci. Technol., 1993, V. 8, P. 477−480
- A. J. Ekpunobi, A. O. E. Animalu Band offsets and properties of AlGaAs/GaAsand AlGaN/GaN material systems // Superlattices and Microstructures, 2002, V. 31, № 5, P. 247−252
- S. Niki, C.L. Lin, W.S.C. Chang, H.H. Wieder. Band-edge discontinuities of strained-layer InxGa 1 -jcAs/GaAs heterojunctions and quantum wells // Applied Physics Letters, 1989, V. 55, № 13, P. 1339- 1341
- W.S. Chi, Y.S. Huang. The determination of the band offsets in strained-layer InGaAs/GaAs quantum wells by low-temperature modulation spectroscopy // Semicond. Science Technol., 1995, V. 10, P. 127−137
- Y. Hirota, Y. Watanabe, F. Maeda, T. Ogino. Relaxation of band bending on GaAs (OOl) surface by controlling the crystal defects near the surface // Appl. Surf. Sci., 1997, V. 117, P. 619−623
- W.Y. Chou, G.S. Chang, W.C. Hwang, J.S. Hwang. Analysis of Fermi level pinning and surface state distribution in InAlAs heterostructures // J. Appl. Phys., 1998, V. 83, № 7, P. 3690−3695
- H. Shen, M. Dutta, L. Fotiadis, P.G. Newman, R.P. Moerkirk, W.H. Chang, R.N. Sacks. Photoreflectance study of surface Fermi level in GaAs and GaAlAs // Appl. Phys. Lett., 1990, V. 57, P. 2118−2120
- P. А. Лунин. Электронные свойства дельта-легированных GaAs/AlxGaixAs структур. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Москва, 1999, 178 с.
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys // J. Appl. Phys., 2001, V. 89, № 11, P. 5815−5875
- S. Adachi. Material parameters of Inl-xGaxAsyPl-y and related binaries // J. Appl. Phys., 1982, V. 53, № 12, P. 8775−8792
- T. Hisaka, H. Sasaki, T. Katoh, K. Kanaya. Achievement of high performance and high reliability in a 38/77 GHz InGaAs/AlGaAs PHEMT MMIC // IEICE Electron. Express, 2010, V. 7, № 5, P. 558−562
- L. Gunter, D. Dugas, X. Yang, P. Seekell. The First 0.1 micron 6″ GaAs PHEMT MMIC Process // CS MANTECH, 2006, P. 23−25
- A. Brinciotti, G. Di Maio, G. Ravasi. PHEMT device for microwave power applications based on a double delta doped heterostructure with a stop etch layer// Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS, 1997, P 309−312
- M. Wojtowicz, T. Block, R. Lai, M. Barsky, An-Chich Han, and D. Streit. MBE Production of HEMT Material for Commercial Applications // CS MANTECH, 1999, P. 2573−2577
- G. L. Zhou, W. Liu, M. E. Lin. Charge density control of single and double 8-doped PHEMT grown by molecular beam epitaxy // J. of Crystal Growth, 2001, V. 227−228, P. 218−222
- X. Deng, W. Liu, M.E. Lin, J. Zhang. Role of molecular beam epitaxy parameters on InGaAs surface roughness // J. Vac. Sci. Technol. B, 2001, V.19,P. 1558−1561
- A.M. Афанасьев, P.M. Имамов. Структурная диагностика «квантовых» слоев методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии // Кристаллография, 2003, Т. 48, № 5, С.786−801
- Т. Unuma, Т. Takahashi, Т. Noda, М. Yoshita, Н. Sakaki, М. Baba, Н. Akiyama. Effects of interface roughness and phonon scattering on intersubband absorption linewidth in a GaAs quantum well // Appl. Phys. Lett., 2001, V. 78, P. 3448−3450
- A.R. Clawson Guide to references on III—V semiconductor chemical etching // Materials Science and Engineering: R: Reports, 2001, V. 31, № 1−6, P. 1−438
- S.K. Brierley. Quantitative characterization of modulation-doped strained quantum wells through line-shape analysis of room-temperature photoluminescence spectra // J. Appl. Phys., 1993, V. 74, P. 2760−2767
- Члены комиссии: Зав. лаб. № 101, д.ф.-м.н. Зав. лаб. № 104, к.т.н. Зав. лаб. № 106, к.т.н.1. А.П. Сеничкин