Разработка технологических способов управления морфологией поверхности и электрофизическими характеристиками фоточувствительных полупроводников и структур на их основе
Диссертация
Разработан способ управления параметрами слоёв (шероховатости и толщины) полиэтиленимина, осаждённых из раствора на кремниевые монокристаллические подложки с электронным и дырочным типами проводимости посредством освещения. Показано, что освещения с длиной волны из области собственного поглощения (442 нм) и интенсивностью 8 мВт/см" влияет на осаждение из раствора слоя катионпого полиэлектролита… Читать ещё >
Содержание
- ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
- 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ПО СПОСОБАМ МОДИФИКАЦИИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ И ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ПОМОЩЬЮ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ ВОЗДЕЙСТВИЙ
- 1. 1. Влияние зарядовых свойств поверхностных состояний на электрофизические свойства полупроводниковых структур
- 1. 1. 1. Образование поверхностных состояний. Заряд поверхностных состояний
- 1. 1. 2. Связь поверхностного потенциала с зарядом состояний и поверхностной проводимостью
- 1. 1. 3. Г1 оверхностная фотоЭДС
- 1. 1. 4. Поверхностная рекомбинация
- 1. 1. 5. Влияние поверхности на параметры полупроводниковых приборов
- 1. 2. Влияние зарядовых свойств поверхности на физико-химические процессы на границе раздела (полупроводник-газ, полупроводник-раствор)
- 1. 2. 1. Физическая адсорбция. Изотерма Ленгмюра
- 1. 2. 2. Хемосорбция
- 1. 2. 3. Адсорбция электролитов и полиэлектролитов
- 1. 3. Изменения электрофизических характеристик полупроводниковой структуры, возникающие при ее термическом отжиге и лазерном облучении
- 1. 4. Изменения электрофизических характеристик полупроводниковой структуры, возникающие под воздействием электронного облучения
- 1. 4. 1. Взаимодействие ускоренных электронов с веществом: механизмы, потеря энергии, глубина проникновения
- 1. 4. 2. Дефектообразование
- 1. 4. 3. Радиационно-атшулированная диффузия
- 1. 4. 4. Влияние электронного облучения на свойства полупроводников
- 1. 5. Изменения электрофизических характеристик полупроводниковой структуры, возникающие при нанесении на поверхность органического покрытия
- 1. 5. 1. Изменение поверхностного потенцишш и механизмов токоперепоса в результате нанесения органического покрытия
- 1. 5. 2. Использование органических покрытий в качестве матрицы для электрически активных элементов
- 1. 6. Выводы
- 1. 1. Влияние зарядовых свойств поверхностных состояний на электрофизические свойства полупроводниковых структур
- 2. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ГЕТЕРОФАЗНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА КАДМИЯ, В ТОМ ЧИСЛЕ, С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОРГАНИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ
- 2. 1. Описание объекта исследования
- 2. 2. Методы исследования, режимы измерения и их обоснование в применении к исследуемому объекту
- 2. 2. 1. Сканирующая зондовая микроскопия
- 2. 2. 2. Сканирующая электронная микроскопия
- 2. 2. 3. Вторичная ионная масс-спектрометрия
- 2. 2. 4. Электронная оже-спектроскопия
- 2. 2. 5. Измерение деградации фотократности при облучении электронами
- 2. 3. Модификация структуры, состава и свойств полупроводников на основе Сс1Б при высокотемпературном отжиге на воздухе
- 2. 3. 1. Модификация объёма и поверхности поликристаллических плёнок СйБ-РЬЯ, полученных термическим испарением, при высокотемпературном отжиге
- 2. 3. 2. Модификация объёма и поверхности пол и кристаллических плёнок Сс! Б, полученных термическим испарением и при нанесении органического свинцовосодержащего покрытия, с помощью термического отжига
- 2. 4. Радиационная стойкость гетерофазных структур Сс18-Р
- 2. 4. 1. Механизмы радиационной стойкости
- 2. 4. 2. Исследование влияния размеров и глубины залегания свинцовосодержащих кластеров на деградацию фоточувствительных полупроводниковых подложек на основе СЮ
- 2. 5. Выводы
- 3. МОДИФИКАЦИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ПОСРЕДСТВОМ ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА
- 3. 1. Описание объекта исследования
- 3. 2. Методы исследования, режимы измерения и их обоснование в применении к исследуемому объекту
- 3. 3. Локальная модификация структуры, состава и свойств полупроводников на основе Сс1Б при лазерном отжиге
- 3. 3. 1. Локальная модификация поверхности и объёма структур на основе Сс1Бх8е1. х при лазерном отжиге
- 3. 3. 2. Локальная модификация поверхности и объёма структур на основе СйБ-РЬБ при лазерном отжиге
- 3. 4. Выводы
- 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОСВЕЩЕНИЯ И ПОЛИЭЛЕКТРОЛИТНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК НА ОСНОВЕ
- 4. 1. Описание объекта исследования: материалов и технологии
- 4. 2. Методы исследования, режимы измерения и их обоснование в применении к исследуемому объекту
- 4. 2. 1. Электронная оже-спектроскопия
- 4. 2. 2. Измерение волып-амперных характеристик
- 4. 2. 3. Измерение туннельных волып-амперных характеристик
- 4. 2. 4. Измерения поверхностной фотоЭДС
- 4. 2. 5. Эллипсометрия
- 4. 3. Исследование влияния освещения на электрофизические свойства кремниевых подложек
- 4. 3. 1. Измерения поверхностной фотоЭДС подложек
- 4. 3. 2. Оценка изменения параметров полупроводниковых подложек при освещении
- 4. 4. Исследование влияния освещения на физико-химические свойства кремниевых подложек
- 4. 5. Исследование влияния полиэлектролитных покрытий на электрофизические свойства кремниевых подложек
- 4. 5. 1. Измерения поверхностной фотоЭДС
- 4. 5. 2. Обработка туннельных вольт-амперных характеристик
- 4. 5. 4. Анализ результатов
- 4. 6. Выводы
Список литературы
- Хрипунов, Г. С. Гибкие солнечные модули на основе сульфида и теллурида кадмия / Г. С Хрипунов Е. П. Черных, Н. А. Ковтун, Е. К. Белоногов // ФТП. 2009. — Т. 43. В. 5.1. C. 1084−1089.
- Romeo, A. Development of thin-film Cu (In, Ga) Se2 and CdTe solar cells / A. Romeo, M. Terheggen,
- D. Abou-Ras, D. L. Biitzner, F.-J. Haug, M. Kalin, D. Rudmann, A.N. Tiwari // Prog. Photovolt: Res. Appl.-2004.-Vol. 12.-P. 93−111.
- Li, J.B. Investigating the Role of Grain Boundaries in CZTS and CZTSSe Thin Film Solar Cells with Scanning Probe Microscopy / J.B. Li, V. Chawla, B.M. Clemens // Adv. Mater. 2012. — Vol. 24.- P.720−723.
- Климов, Б.Н. Исследование возможности нанотехнологии в устройствах отображения информации / Б. Н. Климов, А. И. Михайлов, Е. Г. Глуховской, Д. А. Горин, A.M. Ященок, А. А. Невешкин, С. А. Портнов // Наиотехника. 2007. — № 1(9). — С. 20−26.
- Ong, P.-L. Organic / IV, III-V Semiconductor Hybrid Solar Cells / P.-L. Ong, I.A. Levitsky // Energies. 2010. — Vol. 3. — P. 313−334.
- Kim, T.W. Electrical memory devices based on inorganic/organic nanocomposites / T.W. Kim, Y. Yang, F. Li, W.L. Kwan // NPG Asia Materials. 2012.-4. el8. doi:10.1038/am.2012.32.
- Borghesi, A. Oxygen precipitation in silicon / A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella // J. Appl. Phys. 1995. — Vol. 77. — P. 4169-^1244.
- Бухаров, В.Э. Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы / В. Э. Бухаров, А. Г. Роках, С. В. Стецюра // ЖТФ. 2003. — Т. 73. Вып. 2. — С. 93−98.
- Vilan, A. Molecules on Si: Electronics with Chemistry / A. Vilan, O. Yaffe, A. Biller, A. Salomon, A. Kahn, D. Cahen // Adv. Mater. 2010. — Vol. 22. — P. 140−159.
- Vilan, A. How organic molecules can control electronic devices / A. Vilan, D. Cahen // TRENDS in Biotechnology. 2002. — Vol. 20. No. 1. — P. 22−29.
- Har-Lavan, R. Toward metal-organic insulator-semiconductor solar cells, based on molecular monolayer self-assembly on n-Si / R. Har-Lavan, I. Ron, F. Thieblemont, D. Cahen // Appl. Phys. Lett.- 2009. 94. — P. 43 308−1 — 43 308−3.
- Salomon, A. Molecular modification of an ionic semiconductor-metal interface: ZnO/molecule/Au diodes / A. Salomon, D. Berkovich, D. Cahen // Appl. Phys. Lett. 2003. — Vol. 82. — 1051−1053.
- Scott, A. Molecular modulation of Schottky barrier height in metal-molecule-silicon diodes: Capacitance and simulation results / A. Scott, C. Risko, N. Valley, M.A. Ratner, D.B. Janes // J. Appl. Phys. 2010. — Vol. 107. — P. 24 505−1 — 24 505−8.
- Ковальчук, M.B. Молекулярный конструктор Ленгмюра-Блоджетт / M.B. Ковальчук, В. В. Клечковская, JI.A. Фейгин // Природа. 2003. — № 11. — С. 11−19.
- Тамм, И.Е. О возможности связанных состояний электронов па поверхности кристалла / И. Е. Тамм // Журн. экспер. и теор. физики. 1933. — Т. 3. — С.34−43.
- Shokley, W. On the surface states associated with a periodic potential / W. Shokley // Phys. Rev. -1939.-Vol. 59.-P. 319−326.
- Бедный, Б.И. Электронные ловушки на поверхности полупроводников / Б. И. Бедный // СОЖ, — 1998.-В. 7, — С. 114−121.
- Бехштедт, Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн- пер. с англ. под ред. И. П. Звягина М.: Мир, 1990. — 484 с.
- Шалимова, К.В. Физика полупроводников / К. В. Шалимова М.: Энергия, 1976. — 416 с.
- Green, M.A. Short communication: Optical properties of intrinsic silicon at 300 К / M.A. Green, M.J. Keevers // Progress in photovoltaics: research and appl. 1995. — Vol. 3. — P. 189−192.
- Кирьяшкина, З.И. Фотопроводящие плёнки (типа CdS) / З. И. Кирьяшкина, А. Г. Роках, Н. Б. Кац и др. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. — 192 с.
- Кисилёв, В.Ф. Основы физики поверхности твёрдого тела / В. Ф. Кисилёв, С.II. Козлов, А. В. Зотеев М.: Изд-во МГУ. 1999 — 284 с.
- Boudjani, A. Diffusion length measurement with a quick EBIC technique / A Boudjani // Semicond. Sci. Technol. 2005. — Vol. 20. — P. 175−179.
- Ebothe, J. Hole-diffusion length and transport parameters of thin CdS films from a Schottky barrier / J. Ebothe // J. Appl. Phys. 1986. — Vol. 59 (6). — P. 2076−2081.
- Пека, Г. П. Физика поверхности полупроводников / Г. П. Пека Киев: Изд-во Киевского унта, 1967.- 190 с.
- Барыбин, А.А. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы / А. А. Барыбин М.: Физматлит, 2006. — 424 с.
- Адамсон, А. Физическая химия / А. Адамсон. под ред. З. М. Зорина, В. М. Муллера. -М.: Мир, 1979.-568 с.
- Van de Vcn, T.G.M. Kinetic aspects of polymer and polyelectrolyte adsorption on surfaces / T.G.M. Van de Ven // Advances in Colloid and Interface Sci. 1994. — Vol. 48. — P. 121−140.
- Sohn, S. Modification of Langmuir isotherm in solution systems definition and utilization of concentration dependent factor / S. Sohn, D. Kim // Chemosphere. — 2005. — Vol. 58. — P. 115−123.
- Marczewski, A.W. Analysis of kinetic Langmuir model. Part I: integrated kinetic Langmuir equation (IKL): a new complete analytical solution of the Langmuir rate equation / A.W. Marczewski // Langmuir. 2010. — Vol. 26 (19). — P. 15 229−15 238.
- Foo, K.Y. Insights into the modeling of adsorption isotherm systems / K.Y. Foo, B.H. Hameed // Chemical Engineering Journal. 2010. — Vol. 156. — P. 2−10.
- Бару, В.Г. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. / В. Г. Бару, Ф. Ф. Волькенштейн М.: Наука, 1978 — 288 с.
- Гранкин, В. Г1. Фотодесорбция и фотоадсорбция атомов водорода на поверхности сульфидов / В. П. Гранкин // ПЖТФ. Т. 20. Вып. 14. — С 27−31.
- Qazi, М. Surface electronic property of SiC correlated with NCb adsorption / M. Qazi, J. Liu, M.V.S. Chandrashekhar, G. Koley//J. Appl. Phys. 2009. — Vol. 106. — P. 94 901−1 — 94 901−8.
- Foussekis, M. Photoadsorption and photodesorption for GaN / M. Foussekis, A. A. Baski, and M. A. Reshchikov // Appl. Phys. Lett. 2009. — Vol. 94. — P. 162 116−1 — 162 116−3.
- Comini, E. Light enhanced gas sensing properties of indium oxide and tin dioxide sensors / E. Comini, A. Cristalli, G. Faglia, G. Sberveglieri // Sensors and Actuators B: Chemical. 2000. -Vol. 65. — P. 260−263.
- Fillipova, N.L. Adsorption of polyelectrolytes on planar surfaces / N.L. Fillipova // Engineering Communications. 1998.-Vol. 167(1).-P. 181−203.
- Ray, A.K. Handbook of Polyelectrolytes and Their Applications Vol. 3 / A.K. Ray, A.V. Nabok, ed. by S.K. Tripathy, J. Kumar, U.S. Nalwa American Scientific Publishers, 2002. — P. 69−97.
- Erokhin, V. The new frontiers of organic and composite nanotechnology / V. Erokhin, M. Kumar, O. Yavuz Amsterdam: Elsevier, 2008. — 504 p.
- Jayant, K. Handbook of Polyelectrolytes and Their Applications Vol. 1 / K. Jayant, N.H. Singh, A.G. MacDiarmid American Scientific Publishers: Stevenson Ranch, 2002. — P. 69−97
- Dobrynin, A.V. Adsorption of polyelectrolytes at an oppositely charged surface / A.V. Dobrynin, A. Deshkovski, M. Rubinstein // Phys. Rev. Lett. -2000. Vol. 84. N. 14. — P. 3101−3104.
- Dobrynin, A.V. Adsorption of polyelectrolytes at oppositely charged surfaces / A.V. Dobrynin, A. Deshkovski, M. Rubinstein // Macromolecules. 2001. — Vol. 34. — P. 3421−3436.
- Dobrynin, A.V. Theory of polyeleetrolytes in solutions and at surfaces / A.V. Dobrynin, M. Rubinstein // Prog. Polym. Sci. 2005. — Vol. 30. — P. 1049−1118.
- Perel, V.I. Screening of a macroion by multivalent ions: a new boundary condition for the Poisson-Boltzmann equation and charge inversion / V.I. Perel, B.I. Shklovskii // Physica A. 1999. — Vol. 274. — P. 446153.
- Shklovskii, B.I. Wigner Crystal Model of Counterion Induced Bundle Formation of Rodlike Polyeleetrolytes / B.I. Shklovskii // Phys. Rev. Lett. 1999. — Vol. 82. — P. 3268−3271.
- Таиров, Ю.М. Технология полупроводниковых и диэлектрических приборов. / Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков Спб.: Лань, 2002. — 424 с.
- Хасс, Г. Физика тонких пленок / Г. Хасс, Р. Тун- пер. с англ. В. Б. Сандомирский. М.: Мир, 1968. Т. 3,-С. 332.
- Иванов, П.А. Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC диодов с барьером Шоттки / П. А. Иванов, И. Д. Ильинская, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, А. В. Афанасьева, В. И. Ильин // ФТП. 2013. — Т. 47. Вып. 1. — С. 69−72.
- Потапов, А.С. Влияние отжига на эффективную высоту барьера и фактор неидеалыюсти никелевых контактов Шоттки к 4H-SiC / А. С. Потапов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова // ФТП. -2009. Т. 43. Вып. 5. — С. 640−644.
- Пат. 845 685 Российская Федерация. Состав для изготовления пленочных фоторезисторов / Роках А. Г., Кумаков А. В., Елагина II.В. Приоритет от 07.02.80, действует с 01.07.93.
- Роках, А.Г. Гетерогенный фотопроводник на основе CdS-PbS / А. Г. Роках, А. В. Кумаков, Н. В. Елагина // ФТП. 1979. — Т. 13. Вып. 4. — С. 787−790.
- Бачериков, Ю.Ю. Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига / Ю. Ю. Бачериков, II.Е. Корсунская, В. Г1. Кладько, Е. Ф. Венгер, II.П. Баран, А. В. Кучук, А. Г. Жук // ФТП. 2012. — Т. 46. Вып. 2. — С. 198−203.
- Крылов, П.Н. Влияние термоотжига на оптические свойства панокристаллических плёнок сульфида цинка / П. Н. Крылов, Ф. З. Гильмутдинов, Э. А. Романов, И. В. Федотова // ФТП. -2011,-Т. 45. Вып. 11.-С. 1571−1575
- Булярский, С.В. Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках / С. В. Булярский, В. В. Светухин Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2002 — 385 с.
- Булярский, C.B. Моделирование неоднородной по объёму преципитации кислорода в кремнии / C.B. Булярский, В. В. Светухин, О. В. Приходько // ФТП. 1999. — Т. 33. Вып. 11.-С. 1281−1286.
- Ван Кампен, Н. Г. Стохастические процессы в физике и химии / Н. Г. Ван Кампен- пер. с англ. Г. А. Хоменко- под ред. С. С. Моисеева.- М.: Высш. шк, 1990. 376 с.
- Herman, P. Laser-Assisted Deposition of Thin Films from Gas-Phase and Surface-Adsorbed Molecules / P. Herman // Chem. Rev. 1989. — Vol. 89. — P. 1323−1357.
- Бабенцов, В.II. Фотолюминесценция рекристаллизованного наносекундным лазерным облучением теллурида кадмия / В. Н. Бабенцов, II.И. Тарбаев II ФТП. 1998. — Т. 32. Вып. 1. -С.32−35.
- Кунец, В.П. Модель фотоотжига собственных дефектов гексогональных квантовых точек CdSxSe,.x / В. П. Кунец, Н. Р. Кулиш, М. П. Лисица, В. П. Брыкса // ФТП. 2004. — Т. 38. Вып. 4. -С. 465168.
- Шульпипа, И.Л. Тепловое воздействие импульсного лазерного излучения на реальную структуру монокристаллов CdTe / И. Л. Шульпина, ILK. Зеленина, O.A. Матвеев // ФТТ. 2000. -Т. 42. Вып. З.-С. 548−552.
- Ковалев, A.A. Динамика лазерно-индуцированных фазовых переходов в теллуриде кадмия / A.A. Ковалев, С. П. Жвавый, Г. Л. Зыков // ФТП. 2005. — Т. 39. Вып. 11. — С. 1345−1349.
- Лапшин, К.Э. Прямое лазерное наноструктурирование поверхности алмазных плёнок и керамики нитрида кремния наносекундными импульсами излучения Fi-лазера / К. Э. Лапшин,
- Л.З. Обидин, B.II. Токарев, В. Ю. Хомич, В. А. Шмаков, В. А. Ямщиков // Российские нанотехиологии. 2007. — Т. 2. Вып. 11−12. — С. 50−57.
- Байдуллаева, А. Динамика развития поверхностных структур в кристаллах /--Сс1Те при облучении импульсным лазерным излучением / А. Байдуллаева, М. Б. Булах, А. И. Власенко,
- A.B. Ломовцев, П. Е. Мозоль // ФТП. 2004. — Т. 38. Вып. 1. — С. 26−29.
- Вавилов B.C. Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы / B.C. Вавилов // УФН. -1997.-Т. 167 (4). С. 407−412.
- Капауа, К. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets / K. Kanaya, S. Okayama // J. Phys. D. 1972. — Vol. 5. — P. 43−58.
- Роках, А.Г. Спектральное управление вторично-ионным фотоэффектом путь к оптоионике / А. Г. Роках, М. Д. Матасов, А. Г. Жуков // Российские нанотехиологии. — 2010. — Т. 5. № 5−6. -С. 105−110.
- Вавилов, B.C. Действие излучений на полупроводники / B.C. Вавилов, II. Г1. Кекелидзе, Л. С. Смирнов М.: Наука, 1988. — 192 с.
- Вавилов, B.C. Механизмы образования и миграции и дефектов в полупроводниках /
- B.C. Вавилов, А. Е. Кив, O.P. Ниязова M.: 11аука, 1981. — 368 с.
- Роках, А.Г. Варизонная модель полупроводника стойкого к деградации // ПЖТФ. 1984. -Вып. 13.-С. 820−824.
- Бухаров, В.Э. Влияние электронного облучения на рекомбинацию и прилипание в плёночных фотопроводниках на основе АоВб-А^Вб / В. Э. Бухаров, А. Г. Роках, C.B. Стецюра // ПЖТФ. 1999. — Т. 25. Вып. 3. — С. 66−72.
- Богданюк, Н.С. Отжиг центров зелёной люминесценции сульфида кадмия / Н. С. Богданюк, Г. Е. Давидюк, А. П. Шаварова // ФТП. 1995. — Т. 29. Вып. 2. — С. 201−208.
- Богданюк, U.C. Центры красной люминесценции в монокристаллах CdS и CdS:Cu и их преобразование при электронном облучении / Н. С. Богданюк, Г. Е. Давидкж, А. П. Шаваров // ФТП. 1995. — Т. 29. Вып. 2. — С. 357−361.
- Давидкж, Г. Е. Электрические, оптические и фотоэлектрические свойства легированных индием монокристаллов сульфида кадмия, облученных электронами / Г. Е. Давидкж, В. А. Оксюга, B.C. Мапжара // ФТТ. 2002. — Т. 44. Вып. 2. — С. 246−250.
- Брудный, В.Н. Электронные свойства и глубокие ловушки облучённого электронами /г-GaN / В.II. Брудный, С. С. Веревкин, A.B. Говорков, B.C. Ермаков, Н. Г. Колин, A.B. Корулин, А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов // ФТП. 2012. — Т. 46. Выи. 4. — С. 450−456.
- Поклонский, H.A. Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами / H.A. Поклонский, H.H. Горбачук, С. В. Шпаковский, С. Б. Ластовский, А. Wieck // ФТП. 2010. — Т. 44. Выи. 3. — С. 397−401.
- Neff, P.A. Formation and dielectric properties of polyelectrolyte multilayers studied by a silicon-on-insulator based thin film resistor / P.A. Neff, B.K. Wunderlich, R. v. Klitzing, A.R. Bausch // Langmuir. 2007. — Vol. 23. — P. 4048−4052.
- Vilan, A. How organic molecules can control electronic devices / A. Vilan, D. Cahen // Trends in Biotechnology. 2002. — Vol. 20. No. 1. — P. 22−29.
- Bruening, M. Polar ligand adsorption controls semiconductor surfacc potentials / M. Bruening, E. Moons, D. Yaron-Marcovich, D. Cahen, J. Libman, A. Shanzer // J. Am. Chem. Soc. 1994. -Vol. 116.-P. 2972−2977.
- Bruening, M. Controlling the work function of CdSe by chemisorption of benzoic acid derivatives and chemical etching. / M. Bruening, E. Moons, D. Cahen, A. Shanzer // J. Phys. Chem. 1995. -Vol. 99. — P. 8368−8373.
- Bastide, S. Controlling the work function of GaAs by chemisorption of benzoic acid derivatives. / S. Bastide, R. Butruille, D. Cahen, A. Dutta, J. Libman, A. Shanzer, L. Sun, A. Vilan //J. Phys. Chem. 1997.-Vol. 101.-P. 2678−2684.
- Bai, H. Gas Sensors Based on Conducting Polymers / H. Bai, G. Shi // Sensors. 2007. -Vol. 7(3). — P. 267−307.
- Fritz, J. Electronic detection of DNA by its intrinsic molecular charge / J. Fritz, E.B. Cooper, S. Gaudet, P.K. Sorger, S.R. Manalis // PNAS. 2002. — Vol. 99. No. 22. — P. 14 142−14 146.
- Vilan, A. Molecular control over Au/GaAs diodes / A. Vilan, A. Shanzer, D. Cahen // Nature. -2000. Vol. 404. — P. 166−168.
- Wu, D.G. Tuning of Au/n-GaAs diodes with highly conjugated molecules / D.G. Wu, J. Ghabboun, J.M.L. Martin, D. Cahen // J. Phys. Chem. B. 2001. — Vol. 105. — P. 12 011−12 018.
- Hiremath, R.K. Molecularly controlled metal-semiconductor junctions on silicon surface: a dipole effect / R.K. Hiremath, M.K. Rabinal, B.G. Mulimani, I.M. Khazi // Langmuir. 2008. — Vol. 24. -P. 11 300−11 306.
- Hiremath, R.K. Dipole tuning of charge transport in molecular junctions / R.K. Hiremath, M.H.K. Rabinal, B.G. Mulimani // Phys. Chem. Chem. Phys. 2010. — Vol. 12. — P. 2564−2568.
- Guisinger, N.P. Room temperature negative differential resistance through individual organic molecules on silicon surfaces / N.P. Guisinger, M.E. Greene, R. Basu, A.S. Baluch, M.C. Hersam // Nano Lett. 2004. — Vol. 4. No. 1. — P. 55−59.
- Lee, C.-W. Resistive humidity sensor using polyelectrolytes based on new-type mutually cross-linkable copolymers / C.-W. Lee, Y. Kim, S.-W. Joo, M.-S. Gong // Sensors and Actuators B. 2003. -Vol. 88, — P. 21−29.
- Durstock, M.F. Dielectric properties of polyelectrolyte multilayers / M.F. Durstock, M.F. Rubncr// Langmuir. 2001. — Vol. 17. — P. 7865−7872.
- Ho, J.C. Controlled nanoscale doping of semiconductors via molecular monolayers / J.C. Ho, R. Yerushalmi, Z.A. Jacobson, Z. Fan, R.L. Alley, A. Javey // Nature materials. 2008. — Vol. 7. -P. 62−67.
- Ho, J.C. Wafer-scale, sub-5 nm junction formation by monolayer doping and conventional spike annealing / J.C. Ho, R. Yerushalmi, G. Smith, P. Majhi, J. Bennett, J. Ilalim, V. Faifer, A. Javey // Nano Letters. 2009. — Vol. 9 (2). — P. 725−730.
- Ho, J.C. Nanoscale doping of InAs via sulfur monolayers / J.C. Ho, A.C. Ford, Y.-L. Chueh, P. Leu, O. Ergen, K. Takei, G. Smith, P. Majhi, J. Bennett, A. Javey // Appl. Phys. Lett. 2009. -Vol. 95. — P. 72 108−1 -72 108−3.
- Vegard, L. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfullung der Atome / L. Vegard // Zeitschrift fur Physik A: Hadrons and Nuclei. 1921. -5. — P. 17−26.
- Denton, A.R. Vegard’s law / A.R. Denton, N.W. Ashcroft // Phys. Rev. A. 1991. — Vol. 43. -P. 3161−3164.
- Bethke, P.M. Sub solids relations in the system PbS-CdS / P.M. Bethke, P.B. Barton // Amer. Miner. 1971.-Vol. 56. No. 11−12.-P. 2034−2039.
- Олейник, Г. С. Фазовая диаграмма системы CdS-PbS / Г. С. Олейник, П. А. Мизецкий, А. И. Низкова, Л. А. Поливцева, И. С. Ряднина // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1983. — Т. 19. № 2. -С. 202−204.
- Роках, А.Г. Исследование особенностей ионного травления гетерофазных полупроводников при освещении белым светом. / А. Г. Роках, С. В. Стецюра, А. Г. Жуков, A.A. Сердобинцев // ПЖТФ. 2003. — Т. 29. № 2. — С. 23−29.
- Rokakh, A.G. Secondary ion mass spectrometry of photosensitive heterophase semiconductor / A.G. Rokakh, A.G. Zhukov, S.V. Stetsura, A.A. Serdobintsev // Nuclear Inst, and Methods in Physics Research. B. 2004. — Vol. 226. № 4. — P. 595−600.
- Стецюра, C.B. Фоточувствительные материалы с иаиоразмерными включениями, полученные с использованием технологии Ленгмюра-Блоджетт / С. В. Стецюра, Е. Г. Глуховскои, С. А. Климова, И. В. Маляр // Вестник СГТУ. 2007. — № 4(28). Вып. 1. — С. 85−93.
- Behrisch, R. Sputtering by particle bombardment III: Characteristics of sputtered particles, technical applications / R. Behrisch, K. Wittmaack. Berlin: Springer-Verlag, 1991 — 410 p.
- Czanderna, A.W. Methods of surface analysis / A.W. Czanderna Amsterdam: Elsevier Scientific Pub. Co, 1975−481 p.
- Sarid, D. Exploring scanning probe microscopy with «Mathematica» / D. Sarid New York: John Wiley& Sons, Inc, 1997. — 262 p.
- Goldstein, J.I. Scanning electron microscopy and X-ray microanalysis: A Text for biologists, materials scientists, and geologists / Goldstein J.I., Newbury, D.E., Echlin, P., Joy, D.C., Fiori, C.E., E. Lifshin New York: Plenum, 1981.-673 p.
- Миронов, B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии. / В. Л. Миронов II. Новгород: Изд-во РАН Институ физики микроструктур. 2004. — 114 с.
- Tamayo, J. Relationship between phase shift and energy dissipation in tapping-mode scanning force microscopy / J. Tamayo, R. Garcia // Appl. Phys. Lett. 1998. — Vol. 73 (20). — P. 2926−2928.
- Zhavnerko, G.K. Interpretation of SPM images of Langmuir-Blodgett films based on long-chain carboxylic acids/G.K. Zhavnerko, V.E. Agabekov, V.N. Staroverov, M.O. Gallyamov, I.V. Yaminsky // Thin Solid Films. 2000. — Vol. 359 (1). — P. 98−103.
- Palermo, V. Electronic characterization of organic thin films by Kelvin probe force microscopy / V. Palermo, M. Palma, P. Samori // Adv. Mater. 2006. — Vol. 18. — P. 145−164.
- Божков, В.Г. Исследование свойств поверхности арсенида галлия методом сканирующей атомпо-силовой микроскопии / В. Г. Божков, H.A. Торхов, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // ФТП. -2008. Т. 42. Вып. 5. — С. 546−554.
- Маляр, И.В. Методы электронной микроскопии в применении к гетерофазным материалам / И. В. Маляр, С. В. Стецюра // Наноэлектроника, панофотоника и нелинейная физика: тез. докл. IV конф. молод1.1х учёных Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2009. С. 63−65.
- SIMS detection limits of selected elements in Si and Si02 under normal depth profiling conditions. Режим доступа: http://www.eaglabs.com/documents/si-sio2-sims-detcction-limits-AN339.pdf (дата обращения 12.10.2012).
- Useful information and facts about the practice of sputtering. Режим доступа: http://www.specs.de/cms/upload/PDFs/IQEl 1−35/sputter-info.pdf (дата обращения 12.10.2012).
- Davis, L.E. Handbook of Auger Electron Spectroscopy, 2nd ed. / L.E. Davis, N.C. MacDonald, P.W. Palmberg, G.E. Riach, R.E. Weber Eden Prairie: Physical Electronics, MN. 1976. — 252 p.
- Якушев, M.С. Оже-спектры фоточувствительных образцов на основе CdS / M.С. Якушев, И. В. Маляр, A.A. Ссрдобинцев // Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика: тез. докл. V конф. молодых ученых Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2010. С. 114−115.
- Буланов, М.С. Анализ поверхности полупроводников методом оже-спектроскопии / М. С. Буланов, И. В. Маляр, C.B. Стецюра // Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика: тез. докл. VI конф. молодых ученых Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2011. С. 15−16.
- Gfroerer Т.Н. Photoluniinescence in Analysis of Surfaces and Interfaces // Encyclopedia of Analytical Chemistry / R.A. Meyers (Ed.) Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2000. — P. 92 099 231.
- Степанов, В.А. Радиационно-стимулированная диффузия в твёрдых телах / В. А. Степанов // ЖТФ. 1998. — Т. 68. №.8. — С. 67−72.
- Мильвидский, М.Г. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов. Обзор. / М. Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев // ФТП. -1998. — Т. 32. Вып. 5. — С. 513−522.
- Маляр, И.В. Влияние морфологии и состава фаз на поверхности на радиационную стойкость гетерофазного материала CdS-PbS / И. В. Маляр, C.B. Стецюра // ФТП. 2011. — Т. 45. Вып. 7.-С. 916−921.
- Маляр, И.В. Формирование люминесцирующих кристаллитов в результате распада пересыщенного твёрдого раствора PbS-CdS / И. В. Маляр, М. Д. Матасов, C.B. Стецюра // ПЖТФ. 2012. — Т. 38. Вып. 16. — С. 42−50.
- Сердобиицев, A.A. Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гегерофазного полупроводника CdS-PbS: дисс.. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Сердобиицев Алексей Александрович. Саратов, 2006. — 104 с.
- Стецюра, C.B. Влияние параметров узкозонных включений на тип и величину вторично-ионного фотоэффекта в гетерофазных фотопроводниках / C.B. Стецюра, И. В. Маляр, A.A. Сердобиицев, С. А. Климова // ФТП. 2009. — Т. 43. Вып. 8. — С. 1102−1108.
- Маляр, И.В. Моделирование гетерогенного материала с использованием экспериментальных данных вторичной ионной масс-спектромегрии / И. В. Маляр, C.B. Стецюра
- Ыаноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика: тез. докл. III конф. молодых ученых Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2008. С. 200−202.
- Liu, В. Third-order nonlinear optical response in PbS-coated CdS nanocomposites / B. Liu, C.H. Chew, L.M. Gan, G.Q. Xu // J. Mater. Res. 2001. — Vol. 16, No. 6. — P. 1644−1650.
- Маляр, И.В. Модификация поверхности полупроводниковой подложки с помощью органических монослойных покрытий и воздействия излучений / И. В. Маляр, C.B. Стецюра // Вестник СГТУ. 2010. — № 4 (51). Выи. 3. — С. 30−35.
- Климова, С.А. Электрофизические свойства плёночных фотопроводящих структур на основе CdS со свинцовосодержащим органическим монослойным покрытием: дисс.. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Климова Светлана Александровна Саратов, 2010. — 180 с.
- Браташов, Д.Н. Создание микронных областей с измененными люминесцентными свойствами и топологией на пленках CdSxSeix посредством лазерного отжига / Д. Н. Браташов,
- С.А. Климова, А. А. Сердобшщсв, И. В. Маляр, С. В. Стещора // ПЖТФ. 2012. — Т. 38. Вып. 12. — С. 45−52.
- Semiconductors: Technology of III—V, II—VI and Non-Tetrahedrally Bonded Compound / O. Madelung, M. Schulz, II. Weiss (eds.). Landolt-Bornstein. New Series, Group III, V. 17. Pt. d Berlin. Springer Verlag, 1982 — 429 p.
- Рид, С.Д.Б. Электронно-зондовый микроанализ и растровая электронная микроскопия в геологии / С.Дж.Б. Рид М.:Техносфера, 2008. — 232 с.
- Holland, M.G. Phonon scattering in semiconductors from thermal conductivity studies / M.G. Holland // Phys. Rev. 1964. — Vol. 134. — P. A 471-A480.
- Ngankam, A.P. Continuous polyelectrolyte adsorption under an applied electric potential / A.P. Ngankam, P.R. Van Tassel // PNAS. 2007. — Vol. 104 (4). — P. 1140−1145.
- Olsen, C. Polyelectrolyte adsorption kinetics under an applied electric potential: Strongly versus weakly charged polymers / C. Olsen, P.R. Van Tassel // J. Colloid and Interface Sci. 2009. -Vol. 329. — P. 222−227.
- Курпосов, А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А. И. Курносов, В. В. Юдин М.: Высш. шк, 1986. — 368 с.
- Sze, S.M. Physics of semiconductor devices (2nd ed.) / S.M. Sze N.Y.: Wiley, 1981 — 880 p.
- Aswal, D.K. Self assembled monolayers on silicon for molecular electronics / D.K. Aswal, S. Lenfant, D. Guerin, J.V. Yakhmi, D. Vuillaume // Anal. Chim. Acta. 2006. — Vol. 568. — P. 84−108.
- Kostler, S. Surface thermodynamic properties of polyelectrolyte multilayers / S. Kostler, A.V. Delgado, V. Ribitsch // J. Colloid and Interface Sci. 2005. — Vol. 286. — P. 339−348.
- Жук, Д. С. Успехи химии полиэтиленимина / Д. С. Жук, П. А. Гембицкий, В. А. Каргии // Успехи химии, 1965.-Т. 34. № 7. — С. 1249−1271.
- Биленко, Д.И. Образование композитных напослоев при пребывании монокристаллического кремния в воде / Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, И. В. Маляр, Т.Е.
- Мельникова, И.Б. Мысенко, В.П. Полянская // Перспективные полимерные композиционные материалы. Альтернативные технологии. Переработка. Применение. Экология: доклады междунар. конф. «Композит-2010». Саратов: Сараг. гос. техн. ун-та, 2010. С. 282−284.
- Simmons, J.G. Generalized formula for the electric tunnel effcct between similar electrodes separated by a thin insulating film/J.G. Simmons//J. Appl. Phys. 1963. — Vol. 34. — P. 1793−1803.
- Simmons, J.G. Electric tunnel effect between dissimilar electrodes separated by a thin insulating film/ J.G. Simmons//J. Appl. Phys. 1963. — Vol. 34. — P. 2581−2590.
- Vilan, A. Analyzing molecular current-voltage characteristics with the Simmons tunneling model: scaling and linearization / A. Vilan // J. Phys. Chem. C. 2007. — Vol. 111. — P. 4431−4444.
- Санкт-Петербургский Государственный Университет информационных технологий механики и оптики и Нижегородский Государственный Университет им. Н. И. Лобачевского. Руководство пользователя прибора NanoEducator. М., Зеленоград: «НТ-МДТ», 2008. — 113 с.
- Schroder, D.K. Surface voltage and surface photovoltage: history, theory and applications / D.K. Schroder // Meas. Sci. Technol. 2001. — Vol. 12. — P. R16-R31.
- Kronik, L. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications / L. Kronik, Y. Shapira // Surface Science Reports. 1999. — Vol. 37. — P. 1−206.
- Motschmann, II. Ellipsometry in interface science / H. Motschmann, R. Teppner // Studies in Interface Science. 2001. — Vol. 11. — P. 112.
- Gordan, O.D. Reduced intermolecular interaction in organic ultrathin films / O.D. Gordan, C. Himcinschi, D.R.T. Zahn // Appl. Phys. Lett. 2006. — Vol. 88. — P. 141 913−1 — 141 913−3
- Биленко, Д.И. Влияние переходного слоя на результаты эллипсометрических исследований наноразмерпых слоев / Д. И. Биленко, В. П. Полянская, М. А. Гецьман, Д. А. Горин, А. А. Певешкин, A.M. Ященок // ЖТФ. 2005. — Т. 75. Вып. 6. — С. 69−73.
- Arwin, Н. Ellipsometry on thin organic layers of biological interest: characterization and applications / H. Arwin // Thin Solid Films. 2000. — Vol. 377−378. — P. 48−56
- CRC Handbook of Chemistry and Physics, 84th ed., ed. by David R. Lide. CRC Press, 2003. -P. 12−124
- Riviere, J.C. The work function of gold / J.C. Riviere // Appl. Phys. Lett. 1966. — 8. — P. 172.
- Green, M.A. Self-consistent optical parameters of intrinsic silicon at 300 К including temperature coefficients / M.A. Green // Sol. Energ. Mat. Sol. Cells. 2008. — Vol. 92. — P. 1305−1310.
- Богатыренко, В.В. Метод измерения скорости поверхностной рекомбинации в кремниевых пластинах по их тепловому излучению / В. В. Богатыренко // ФТГ1. 2010. — 'Г. 44. Вып. 3. -С. 409−412.
- Pehlivan, I.B. Ionic relaxation in polyethyleneimine-lithium bis (trifluoromethylsulfonyl) imide polymer electrolytes / I.B. Pehlivan, R. Marsal, P. Georen, C.G. Granqvist, G.A. Niklasson // J. Appl. Phys. 2010. — Vol. 108. — P. 74 102−1 — 74 102−6.
- Маляр, И.В. Влияние освещения на адсорбцию полиэтиленимина на кремниевые подложки / И. В. Маляр, С. В. Стецюра // Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика: тез. докл. VII конф. молодых ученых Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2012. С. 85−86.
- Neff, P.A. Electrical detection of self-assembled polyelectrolyte multilayers by a thin film resistor / P.A. Neff, A. Naji, C. Ecker, B. Nickel, R. v. Klitzing, A.R. Bausch // Macromolecules. 2006. -Vol. 39. — P. 463- 466.