Совершенство структуры и свойства пленок оксида цинка, получаемых ионным распылением
Диссертация
Монокристаллы и тонкие пленки оксида цинка обладают уникальными физико-химическими свойствами: анизотропная кристаллическая структура, нестехиометрический состав соединения, полупроводниковые свойства при большой ширине запрещенной зоны, люминесцентные свойства, фотопроводимость, фотовольтаические и фотохимические свойства, высокая отражательная способность в видимой области спектра и сильное… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА I. Литературный обзор
- 1. 1. Общая характеристика оксида цинка
- 1. 2. Методы получения ориентированных и монокристаллических слоев и пленок ZnO
- 1. 3. Зависимость структурного совершенства и свойств пленок ZnO от условий получения
- 1. 4. Методы получения ориентированных слоев и пленок на неориентирующих подложках
- 1. 5. Особенности кристаллизации оксида цинка и постановка задачи
- ГЛАВА II. Методика эксперимента
- 2. 1. Описание установки для получения пленок ZnO магнетронным методом
- 2. 2. Методика подготовки подложек и изготовления мишеней ZnO
- 2. 3. Оценка совершенства структуры и определение ориентации пленок ZnO методом дифракции быстрых электронов
- ГЛАВА III. Одноосная эпитаксия оксида цинка на поверхности аморфной структуры. Условия и механизм формирования одноосно-эпитаксиальных и эпитаксиаль-ных пленок ZnO
- 3. 1. Зависимость совершенства структуры пленок ZnO на аморфной поверхности от условий получения
- 3. 2. Одноосная эпитаксия оксида цинка на аморфной поверхности
- 3. 3. Механизм формирования пленки ZnO одноосно-эпитаксиальной структуры
- 3. 4. Особенности роста эпитаксиальных пленок ZnO на подложках из монокристаллического сапфира
- Выводы
- ГЛАВА IV. Зависимость электрических и оптических свойств пленок оксида цинка от условий получения
- 4. 1. Свойства межзеренных границ в ZnO
- 4. 2. Зависимость удельного сопротивления пленок ZnO от условий получения
- 4. 3. Зависимость фотоэлектрических свойств пленок ZnO от условий получения
- Выводы
Список литературы
- Кузьмина И.П., Никитенко В. Н. Окись цинка. Получение и оптические свойства. — М.: Наука, 1984. — 166 с.
- Kleber W., Mlodoch R. Uber die Synthese von Zinkit-Einkristallen //Krist. und Techn. 1966. — Bd.l. — pp.249−259.
- Герасимов Я.И., Крестовников А. А., Шахов A.C. Химическая термодинамика в цветной металлургии. М.: Энергия, 1960. — Т. 1. — 61 с.
- Patey D.R. Mineral specimen N 121 zincite //Mine and quarry enginering. -1963. — Y.29. -pp.430−431.
- Hirschwald W., Bonasewicz P., Ernst L. et al. Zinc oxide: Properties and behaviour of bulk, the solid (vacuum and solid) gas interface //Curr. Top. Mater. Sci. 1981. — V.7. -pp.143−482.
- Heiland G., Mollwo E., Stockhmann E. Electronic processes in zinc oxide //Solid State Phys. 1959. — V.8. — pp.191−323.
- Георгобиани A.H. Широкозонные полупроводники, А В и перспективы их применения //Успехи физ. наук. 1974. — Т. 113. — С. 129−155.
- Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. — 654 с.
- Никитенко В.А. Оптические свойства монокристаллов окиси цинка, полученных различными методами газотранспортных реакций: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. М.: МИСиС, 1975. — 18 с.
- Димова-Алякова Д. И. Электрофизические свойства пленок окиси цинка, полученных разными методами. Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. М.: МИСиС, 1974.-21 с.
- Brown Н.Е. Zinc oxide: Properties and applications. N. Y.: Pergamon press, 1976.-112 p.
- Hutson A.R. Hall effect of doped zinc oxide single crystals //Phys. Rev. -1957. -V. 108. -pp.222−230.
- Garrett C.G.B. The electron as a chemical entity //Adv. Electron, and Electron. Phys. 1961. — V.14. -pp.1−35.
- Bogner G. Messungen Der Electrschen Leitfahigkeit und des Halleffects An ZnO-Kristallen und Ihre Deutung durch Storbander //J. Phys.Chem. Solids. -1961. V.19. -pp.235−250.
- Рябова JI.A., Савицкая Я. С., Шефталь P.H. Получение ориентированных пленок окиси цинка //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1968. — Т.4. — С.602−603.
- Димова-Алякова Д.И., Малов М. М., Дмитриев В. А. и др. Электрофизические свойства пленок окиси цинка, полученных окислением слоев цинка и селенида цинка //Тр. МЭИ, вып. 192: Электроника и радиотехника. 1974. — С.78−84.
- Шпилькин АД., Магомедов З. А., Семилетов С. А. Гиперзвуковые преобразователи на основе пленок ZnO, полученных окислением селенида цинка //Изв. АН СССР. Сер.: Неорг. матер. 1981. — Т.17, № 6. — С.1004−1007.
- Георгобиани А.Н., Бутхузи Т. В., Зада-Улы и др. Оптические свойства диэлектрических слоев оксида цинка //Неорган, материалы. 1993. -Т.29, № 10.-С.1404−1407.
- Рабаданов Р.А. Получение, реальная структура, некоторые объемные и поверхностные свойства монокристаллического оксида цинка. Дис.. докт. физ.-мат. наук. Махачкала, 1997. — 358 с.
- Lehmann H.W., Widmer R. Preffered Orientation in RF-sputtered ZnOFilms //Jap. J. Appl. Phys. 1974. — V.13, supp.2, part.l.-pp.741−744.
- Chubachi N., Minakata M., Kikuchi J. Physical Structure of DC Diode Sputtered ZnO Films and Its Influence on the Electromechanical Coupling Factors //Jap. J. Appl. Phys. 1974. — V.13, supp.2, part.l. — pp.737−740.
- Жуков С.П., Киндяк В. В., Демченко А. И. Получение и свойства высокоориентированных пьезоэлектрических пленок оксида цинка на подложках из плавленного кварца //Неорган, материалы. 1994. — Т. ЗО, № 5. -С.710−712.
- В.И. Бунарев, Б. Ф. Мочалов, Н. Н. Стрельцова и др. Экспериментальное исследование структурных свойств пленок ZnO, полученных магнетрон-ным методом//Электронная техника. 1981. — № 5(29). — С.35−38.
- К. Tominaga, S. Iwamura, I. Fujita et al. Influence of Bombardment by Energetic Atoms on c-Axis Orientation of ZnO Films //Jap. J. Appl. Phys. -1982. V.21, № 7. — pp.999−1002.
- Лютович A.C. Ионно-активированная кристаллизация пленок. Ташкент, 1982.-148 с.
- Гранкин И.М., Кальная Г. И., Гришина Н. М. Высокоориентированные пленки оксида цинка //Неорганические материалы. 1982. Т.18, № 5. — С.820−824.
- Miura М. Crystallographic Character of ZnO Thin Films Formed at Low Sputtering Gas Pressure //Jap. J. Appl. Phys. 1982. — V.21, № 2. — pp.264−271.
- Дьяконова Н.И., Евдосеева И. А., Тихонов C.K., Хабаров С. Э. О структурных и пьезоэлектрических свойствах пленок окиси цинка //Письма в ЖТФ. 1989. — Т. 15, вып.6. — С.11 -15.
- Yamazaki О., MitsuyuT., Wasa К. ZnO Thin-film SAW Devices //IEEE Trans. Son. Ultrason. 1980. — V. SU-27, № 6. — pp.352−352.
- Paradis E.L., Shuskus A.J. RF sputtered Epitaxial ZnO Films on Sapphire for Integrated Optics//Thin Solid Films. 1976. — V.38. -pp.131−141.
- Шермегор Т.Д., Стрельцова H.H. Пленочные пьезоэлектрики. М.: Радио и связь, 1986. — 137 с.
- Мочалов Б.Ф., Стрельцова Н. Н., Шермегор Т. Д. Получение пьезоэлектрических пленок ZnO методами ионно-плазменного распыления //Электронная техника, сер.6. 1979. — № 11(136). — С.126−128.
- Wasa К., Hayakawa S. Spesial Features of Thin Compound Films Prepared by Magnetron Sputtering //Surface Science. 1979. — Y.86. — pp.300−307.
- Hickernell F.S. Low loss zinc oxide optical waveguides on amorphus substrates //Topical Meeting on Integr. and Guided Wave Optics. Nevada, 1980.-WB6.-pp.l-4.
- Аникин В.И., Зайцев C.B., Корольков В.И., Шевцов В.М. В кн.: Интегральная оптика. Физические основы. Приложения. Новосибирск: Наука, 1986. -С.52−58.
- Аникин В.И., Шевцов В. М. Структура субмикронных поликристаллических пленок ZnO, выращенных на неориентирующих подложках //Письма в ЭТФ. 1989. — Т.15, вып.З. — С.1−5.
- Shiosaki Т., Ohnishi S., Kawabata A. Optical Properties of Single Crystalline ZnO Films Smoothly Chemical-vapour Deposited on Intermediately Sputtered Thin ZnO Film on Sapphire //J. Appl. Phys. 1979. — V.50, № 5. -pp.3113−3117.
- Гиваргизов Е.И. Искусственная эпитаксия перспективная технология элементной базы микроэлектроники. -М.: Наука, 1988. — 176 с.
- Гиваргизов Е.И., Лиманов А. Б. Искусственная эпитаксия: новые факты и новые механизмы//Сб. «Рост кристаллов». М.: Наука, 1986.-Т.15. — С.5−13.
- Александров Л.Н. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. -Новосибирск: Наука, 1977. -248 с.
- Rasmanis Е. Thin film p-n junction silicon devices //Semicond. Products and Sol. St. Technol. 1963. — V.6, № 7. -pp.30−33.
- Kwisera P., Reif R. Solid phase epitaxial recrystallization of thin polysilicon films amorphized by silicon ion implantation //Appl. Phys. Lett. 1982. -V.41, № 4. -pp.379−381.
- Рабаданов P.А., Рабаданов M.P., Исмаилов A.M., Темиров A.T. Особенности кристаллизации оксида цинка // Материалы Всероссийской конференции по физической электронике. Махачкала: 1999. — С.214−216.
- Рабаданов Р.А., Исмаилов A.M. Стимулирование эпитаксиального роста тонких пленок электронным облучением //Физика межфазных явлений ипроцессов взаимодействия потоков энергий с твердыми телами Тез. докл Всерос конф я Нальчик С. 116−117.
- В АЛабунов Н Щанилович, А (Уксусов В Минайчев Современные магнетронные распылительные устройства //Зарубежная электронная техника я я Вып я С
- Данилин Б С Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок я М Энергоатомиздат я с
- Миркин JI И Справочник прентгеноструктурному анализу поликристаллов я М Физматгиз я с
- Горелик С С Расторгуев JI СЫаков Ю, А Рентгенографический и электронографический анализ я М Металлургия я с
- Эндрюс К Дайсон ДСиоун С Электронограммы и их интерпретация я М Мир я с
- Хирш П Хови, А Пэшли Д Уэлан М Электронная микроскопия тонких кристаллов я М Мир я с
- Рабаданов Р, А Рабаданов М Р Исмаилов, А М Алиев И Ш 3 А Влияние условий термообработки и природы металла на процесс формирования и свойства структуры типа Me-ZnO //Вестник ДГУ Естественные науки я Махачкала ИПЦ ДГУ я нып я С
- Рабаданов Р, А Рабаданов М Р Исмаилов, А М Ал^бд^йаеШ X М Механизм и условия формирования омического контакта монокристаллическому оксиду цинка Вестник ДГУ Естественные науки я Махачкала ИПЦ ДГУ я вып я С
- Павлов JI П Методы измерения параметров полупроводниковых материалов я М Высшая школа я с
- Бауэр Э. Рост ориентированных пленок на аморфных поверхностях.- В кн.: Монокристаллические пленки. /Пер. с англ, под ред. З. Г. Пинскера. -М.: Мир, 1966. С.58−90.
- Исмаилов A.M., Рабаданов М. Р., Рабаданов Р. А. Одноосная эпитаксия оксида цинка на аморфной поверхности // Тезисы докладов Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых. -Томск: 1999.-С. 234−235.
- Александров JI.H. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985. — 224 с.
- Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высшая школа, 1987. — С.65−83.
- Чернов А.А., Гиваргизов Е. И., Багдасаров Х. С., Куцнецов В. А., Демья-нец JI.H., Лобачев А. Н. Современная кристаллография. М.: Наука, 1980.-Т.3.-407 с.
- Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. 540 с.
- Технология тонких пленок /Справоч. изд. Под ред Л. Майссела. М.: Советское радио, 1977. — С.12−176.
- Физика тонких пленок /Под ред Г. Хасса. М.: Мир, 1967. — Т.1. -С.224−274.
- Осаждение из газовой фазы /Пер. с англ. Под ред. К. Пауэлла. М.: Атомиздат, 1970. — С.471.
- Воронцов В.В. Структура поверхности кристалла в модели Косселя. В кн.: Рост кристаллов. — М.: Наука, 1974. — Т. 10. — С.7−25.
- Боровинский JI.A. К теории скорости образования двумерных зародышей на грани гомеополярного кристалла, содержащего микроскопические нарушения однородности. В кн.: Рост кристаллов. — М.: Наука, 1974.-Т.10.-С.35−47.
- Шефталь Р.Н., Боровинский JI.A. Кристаллизация эпитаксиальных пленок методом вакуумной конденсации В кн.: Рост кристаллов. — М.: Наука, 1974. — Т.10. — С.62−70.
- Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1990. — С. 126−130.
- Радиофизическая электроника /Под. ред. Н. А. Капцова. М.: Изд-во МГУ, 1960. — С.356−407.
- Ворончев Т.А., Соболев В. Д. Физические основы электровакуумной техники. М.: Высшая школа, 1967. — С.298−347.
- Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980.-488 с.
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках.- М.: Физматгиз, 1960. С. 16−46.
- Лопаткин А.А. Теоретические основы физической адсорбции. М.: Изд-во МГУ, 1983.-344 с.
- Зандберг Э.Я., Ионов Н. И. Поверхностная ионизация. М.: Наука, 1969.- С.11−41.
- Кузнецов Г. Д. Кристаллизация из газовой фазы при ионном воздействии на поверхность. В кн.: Рост кристаллов. -М.: Наука, 1986. — Т. 15. — С.24−42.
- Люто ич А.С. Ионна-молекулярная эпитаксия.- В кн.: Рост кристалла. -М.: Наука, 1983. С.34−42.
- Бабае В.Г., Гусе, а М.Б. Адсорбция пара металла присутст ии ионного облучения //Из. АН СССР. Сер. физ. 1973. — Т.37, № 12. -С.2596−2601.
- Плеши це Н. В. Катодное распыление. М.: Атомиздат, 1968. — 344 с.
- Технология тонких пленок //Спра оч. изд. М.: Со етское радио, 1977. — 662 с.
- Распыление под дейст ием бомбардира ки частицами (Пад ред. Р. Бе-риша, К. Виттмака. М.: Мир, 1998. — ып.З. — 551 с.
- К. Tominaga, S. Iwamura, Y. Shintani et al. Energy Analysis of High-energy Neutral Atoms in the Sputtering of ZnO and ВаТЮз //Jap. J. Appl. Phys. -1982. V.21, № 5. — pp.688−695.
- Molnar В., Flood J.J., Francombe M.H. //J. Appl. Phys. 1964. — V.35. -p.3554.
- Елисее A.E., Калинкин И. П. Синтез эпитаксиальных полупро одникоых пленок на осно е катодно-плазменного испарения. -В кн.: Рост и легиро ание полупро однико ых кристалла и пленок. Но осибирск: Наука, 1977.-ч.2.-С. 167−171.
- Багмут А.Г., Косе ич В.М., Николайчук Г. П. Структурные и фазо ые пре ращения пленках, осажденных зоне оздейст ия лазерной плазмы на подложку. В кн.: Рост кристалло. — М.: Наука, 1988. -Т.17. -С.5−17.
- Быка ский Ю.А., Дудолада А. Г., Ко але Л. К1?озленко В.П., Ли-тинская Л. И. Структура слое образо анных из низкотемпературной импульсной плазмы //По ерхность. 1985. — № 8. — С.74−76.
- Ахсахалян А.Д., Гапоно С. В., Лучин В. И. О неустойчи ости испаренияуело иях интенси ного поглощения плазмой лазерного излучения //Из. АН СССР. Сер. физ. 1985. — Т.49, № 4. — С. 776−778.
- Chopra K.L. //J. Appl. Phys. 1966. — V.37. — p.2249.
- Коробов O.E., Маслов B.H., Нечаев B.B. //Мат. IV Всесоюз. совещ. по росту кристаллов. Ереван, 1972. — С. 161−163.
- Фрисер Р.Г. Прямое преобразование тепловой энергии в электрическую и топливные элементы. М., 1969. — С.81−86.
- Кукушкин С.А., Осипов А. В. Процессы конденсации тонких пленок //Успехи физических наук. 1998. — Т.168, № 10. — С.1083−1116.
- Шефталь Р.Н. Процессы эпитаксиального роста монокристаллических пленок. В кн.: Рост кристаллов. — М.: Наука, 1974. — Т.10. — С.48−61.
- Finch G.J., Quarrell A.D. //Proc. roy. Soc. 1933. — V.41. — p.398.
- FinchGJ., Quarrell A.D.//Proc. roy. Soc.- 1934.-V.46.-p.l48.
- Шаихов Д.А., Рабаданов P.A., Семилетов C.A., Эфендиев А. З. Зависимость электрических свойств эпитаксиальных пленок ZnO от условий выращивания и ориентации подложки //Микроэлектроника. 1978. -Т.7, вып.З. — С.271−273.
- Данков П.Д. //Тр. второй конф. по коррозии металлов. М.: Металлургия, 1943.-Т.2.-С.12.
- Ван-дер-Мерве Дж. X. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложками. В кн.: Монокристаллические пленки. — М.: Мир, 1966. -С. 172−201.
- Палатник Л.С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. — 319 с.
- Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1966. -234 с.
- Кузнецов А.В., Семилетов С. А., Чаплыгин Г. В. Ориентация нитрида галлия на сапфире. В кн.: Рост кристаллов. — М.: Наука, 1986. — Т.15. -С. 14−24.
- Джелул Абделкадер. Закономерности формирования реальной структуры монокристаллических слоев оксида цинка и их некоторые свойства: Дис.. канд. физ.-мат. наук. Махачкала, 1989. — 164 с.
- Рубин и сапфир. М.: Наука, 1974. — 236 с.
- Семилетов С.А., Кузнецов Г. Ф., Багамадова A.M. и др. Ориентация пленок окиси цинка на сапфире //Кристаллография, 1978. Т.23, вып.2. — С.357−361.
- Рабаданов Р.А. Получение и исследование эпитаксиальных пленок окиси цинка: Дис.. канд. физ.-мат. наук. -М., 1972. 183 с.
- Пангаров Н.А. Ориентация кристаллитов при электроосаждении металлов. В кн.: Рост кристаллов. -М.: Наука, 1974. — Т.10. — С.71−97.
- Александров Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985. — 225 с.
- Александров Л.Н. Получение эпитаксиальных пленок полупроводников методом перекристаллизации при импульсном нагреве. В кн.: Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. — Новосибирск: Наука, 1984. -ч.2. — С.35−52.
- Сокол А.А., Косевич В. М., Маринчев А. Р. Рост кристаллов в пленочных системах с аморфной составляющей при твердофазных реакциях. В кн.: Рост кристаллов. -М.: Наука, 1989.-Т. 17.-С. 103−117.
- Популярная библиотека химических элементов. М.: Наука, 1983. -С. 179−190.
- Физико-химические свойства окислов /Справ, изд. М.: Металлургия, 1978.-471 с.
- Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применение /Под ред. JI. Казмерски. Пер с англ. М.: Мир, 1983. — 304с.
- Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение /Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. М.: Мир, 1989. — 341 с.
- Аморфные и поликристаллические полупроводники /Пер. с нем. М. В. Акуленок. Под ред. В. Хейванга. М.: Мир, 1987. 160 с.
- Айнцингер Р. Развитие физических моделей варисторов на основе ZnO. В кн.: Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение /Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. -М.: Мир, 1989. -С.315−338.
- Рабаданов Р.А., Семилетов С. А., Багамадова A.M. Электрические свойства эпитаксиальных и поликристаллических пленок ZnO //Кристаллография. 1974. — Т. 19, вып.4. — С. 850−853.
- Казмерски J1. Электрические свойства поликристаллических полупроводниковых тонких пленок. В кн.: Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применение /Под ред. JI. Казмерски. Пер с англ. -М.: Мир, 1983. — С.67−143.
- Бурре А. Атомная структура межзеренных границ. В кн.: Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение /Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. — М.: Мир, 1989. — С.17−35.
- Понд Р. Геометрия протяженных граничных дефектов в полупроводниках. В кн.: Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение /Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. — М.: Мир, 1989. -С.49−76.
- Гамбург Ю.Д. Электрохимическая кристаллизация металлов и сплавов.- М.: изд-во «Янус-К», 1997. -С.339−358.
- Рабаданов P.P., Рабаданов М. Р., Исмаилов A.M. Особенности в формировании монокристаллической структуры оксида цинка // Тезисы докладов IX национальной конференции по росту кристаллов. Москва: 2000. -С. 624.
- Харбеке Г. Оптические свойства поликристаллических пленок кремния. В кн.: Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение /Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. -М.: Мир, 1989. — С.223−243.
- Volger //J. Phys. Rev. 1950. — V.9.-p.1023.
- Физика и химия соединений А2В6 /Под ред. С. А. Медведева. Пер. с англ.- М.: Мир, 1970.-624 с.
- Гренишин С.Г. Электрофотографический процесс. М.: Наука, 1970. -С.9−86.
- Абрамова Б.А. Исследование влияния условия получения и обработки поверхности пленок ZnO на их адсорбционные и фотоэлектрические свойства: Дис.. канд. физ.- мат. наук. Махачкала, 1984. — 166 с.
- Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра /Под ред. В. И. Стафеева. -М.: Радио и связь. 1984. 216 с.
- Ибрагимов В.Ю., Рубинов В. М. Фоторезистивные свойства аморфных и поликристаллических пленок широкозонных полупроводников. Ташкент: изд-во «ФАН», 1991. — С.139.
- Гайдялись В.И., Маркевич Н. Н., Монтримас Э. А. Физические процессы в электрофотографических слоях. Вильнюс, 1968. — 367 с.
- Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1971.-С.375.
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990.-С.685.
- Рыбкин С.М. Рекомбинация в полупроводниках. В кн.: Полупроводники в науке и технике. — М.: изд-во АН СССР, 1958. — С.463−515.134
- Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. — 235 с.
- Пуцейко Е.К. //Докл. акад. наук СССР. 1953 — Т.91. — С. 1071.
- Бьюб Ф. Фотопроводимость твердых тел. М.: Мир, 1962. — 430 с.