Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Транзисторы. 
Схемотехника аналоговых электронных устройств. 
Функциональные узлы

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Повышение температуры при фиксированном напряжении ?/бэ приводит к увеличению коллекторного тока. При повышении температуры на АТ сохранить значение коллекторного тока /к можно изменением напряжения U. г6э на величину At/ = ТКН^ пАТ. Температурный коэффициент напряженияр—ц-перехода (ТКН/ п) для кремниевых маломощных БТ оценивается в-2,3 мВ на градус. Существующие транзисторы можно разделить на две… Читать ещё >

Транзисторы. Схемотехника аналоговых электронных устройств. Функциональные узлы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Существующие транзисторы можно разделить на две группы — биполярные (БТ) с проводимостями п-р-п и р-п-р и полевые (ПТ) с проводимостями канала п илир. ПТ (или униполярные) реализуются с изолированным затвором МОП (МДП) и с управляющим электродом (затвором) в виде запертого р-пперехода.

Статические ВАХ БТ

Рассмотрим ВАХ на примере одной из трех возможных схем включения транзистора.

На рис. 1.7 изображен БТ, включенный по схеме с общим эмиттером.

На рис. 1.8 представлены выходные ВАХ БТ.

В семействе выходных ВАХ БТ можно выделить две характерных области.

Область правее штриховой линии на рис. 1.8:

БТ представляет собой источник тока;

при фиксированном значении базового тока /б изменение коллекторного напряжения ?/кэ (например, при включении резистора в цепь коллектора) незначительно влияет на величину коллекторного тока /к;

собственная проводимость источника тока определяется наклоном характеристик Транзисторы. Схемотехника аналоговых электронных устройств. Функциональные узлы. ;

Рис. 1.7.

Рис. 1.7.

Рис. 1.8.

Рис. 1.8.

при отсутствии наклона у ВАХ БТ представлял бы собой идеальный зависимый источник тока, управляемый также током (базовым током /б).

Область левее штриховой линии:

изменение управляющего сигнала (тока /б) не влияет на выходной ток /к. Транзистор находится в открытом состоянии, характерном для ключевого режима;

данная область является областью насыщения; насыщение наступает при малых напряжениях UK3 < Uce; напряжение насыщения для маломощных кремниевых БТ.

U ~0,2 В.

Рис. 1.9.

Рис. 1.9.

ВАХ прямой передачи (передаточные). На рис. 1.9 изображено семейство передаточных ВАХ БТ с ОЭ:

при напряжениях 1/кэ > Ucc семейство характеристик вырождается в одну линию; характеристика близка к экспоненте Транзисторы. Схемотехника аналоговых электронных устройств. Функциональные узлы. ;

крутизна характеристикисвязана с крутизной ВАХ.

р-п—перехода Sj = aS Транзисторы. Схемотехника аналоговых электронных устройств. Функциональные узлы.

коэффициент а ~ 1 для маломощных БТ с токами /к не более 1 мА. Коэффициент а уменьшается при возрастании значений коллекторного тока;

повышение температуры при фиксированном напряжении ?/бэ приводит к увеличению коллекторного тока. При повышении температуры на АТ сохранить значение коллекторного тока /к можно изменением напряжения U.г на величину At/ = ТКН^ пАТ. Температурный коэффициент напряженияр—ц-перехода (ТКН/ п) для кремниевых маломощных БТ оценивается в-2,3 мВ на градус.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой