Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Фотохимические процессы в легированных кристаллах сульфоселенида кадмия и селенида цинка

Диссертация: Фотохимические процессы в легированных кристаллах сульфоселенида кадмия и селенида цинка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для достижения поставленной цели решены следующие задачи: методами фотои термоактивационной спектроскопии определены энергетический спектр и кинетические параметры электронных и дырочных состояний, сформированных глубокими центрамиустановлены структура, характеристические параметры и физико-химическая природа примесно-дефектных центров в образцах различного химического состававыявлены условия… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. Центры с глубокимиуровнями в соединениях АПВУ
      • 1. 1. Классификация центров с глубокими уровнями в полупроводниках
      • 1. 2. Методы исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах
      • 1. 3. Фотоактивационные процессы с участием электронных и дырочных центров
      • 1. 4. Термоактивационные процессы с участием электронных ЦП
      • 1. 5. Фотохимические реакции
      • 1. 6. Структурные и примесные дефекты и их ассоциаты в кристаллах
  • АПВУ ГЛАВАЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТ
    • 2. 1. Экспериментальная становка
    • 2. 2. Методика обработки данных эксперимента
    • 2. 3. Характеристика исследованных бразцов
  • ГЛАВА III. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТА И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Экспериментальные результаты исследования ФХР в кристаллах С (18<�К>
    • 3. 2. Спектры ИПФ и ТСТ в кристаллах 2п8е<
  • >
    • 3. 3. Обсуждение экспериментальных результатов
      • 3. 3. 1. Особенности фотохимических реакций в кристаллах Сс15<�К>и
      • 3. 3. 2. Флуктуации примесного фототока в кристаллахСё8×8е]. х активированных калием
  • ВЫВОДЫ

Фотохимические процессы в легированных кристаллах сульфоселенида кадмия и селенида цинка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Опыт физико-химического исследования полупроводников свидетельствует о том, что одними из наиболее значимых с точки зрения практического применения являются монокристаллы, легированные различными примесями. Собственные и примесные дефекты кристаллической решетки широкозонных полупроводниковых материалов образуют в запрещенной зоне спектр электронных и дырочных состояний, который вносит существенный вклад в формирование их фото-, магнитои термоэлектрических, резонансных и оптических свойств. Поэтому главной проблемой, возникающей при исследовании такого типа материалов, является установление физико-химической природы дефектно — примесного состава полупроводников.

Представления о термои фотоассоциации примесей и дефектов кристаллической решетки успешно используются для интерпретации определенных фотохимических реакций, протекающих в полупроводниках типа АПВУ1. Однако, представления о стимулированных преобразованиях в дефектно-примесной подсистеме нуждаются в экспериментальном подтверждении и теоретической интерпретации. Для этого необходимо установить физико-химическую природу и механизм образования и разрушения примесно-дефектных комплексов, участвующих в термои фотоактивационных процессах.

Наряду с этим особый интерес вызывают нелинейные явления, которые проявляются при исследовании фотохимических процессов в монокристаллах, легированных различными элементами. Исследование такого типа явлений, являющихся проявлением процессов самоорганизации в конденсированных средах, предусматривает применение комплексного подхода, особая роль в котором отводится установлению типа динамики протекающих процессов и математическому моделированию кинетических закономерностей протекающих фотохимических процессов.

Поэтому проведение исследований, связанных с неравновесными фотои термостимулированными преобразованиями в полупроводниках, а также установление физико-химической природы их дефектно-примесной подсистемы являются актуальнымидля современной физической химии.

Цель и задачи исследования

Цель работы состояла в исследовании фотостимулированных преобразований дефектно-примесной подсистемы кристаллов сульфоселенида кадмия и селенида цинка, легированных калием и серебром, а также в анализе нелинейных явлений, возникающих вследствие протекания в них фотохимических реакций.

Для достижения поставленной цели решены следующие задачи: методами фотои термоактивационной спектроскопии определены энергетический спектр и кинетические параметры электронных и дырочных состояний, сформированных глубокими центрамиустановлены структура, характеристические параметры и физико-химическая природа примесно-дефектных центров в образцах различного химического состававыявлены условия реализации осцилляций примесного фототока в монокристаллах легированных калием и установлены особенности динамики протекающих процессов. методами нелинейной неравновесной термодинамики и математического моделирования проведен анализ особенностей проявления флуктуационных явлений.

Объектами исследованияявились монокристаллы Zn. Se и Сбй^в?х, легированные серебром и калием.

Методы исследования. Экспериментальные исследования проводились с применением комплекса методов, основанных на изучении спектральных и кинетических характеристик примесной и индуцированной примесной фотопроводимости термостимулированного тока и оптического гашения фотопроводимости. При реализации данных методов вариацией уровня фотовозбуждения полупроводника в широких пределах осуществлялось управление квазиуровнями Ферми, что позволило раскрыть широкие методические возможности данных методов для изучения особенностей электронной структуры глубоких центров.

С целью выяснения особенностей реализации критических явлений в виде колебаний примесного фототока использованы: дискретное преобразование Фурье, реконструкция динамики по временной последовательности данных, вычисление показателей Ляпунова и КСэнтропии, математическое моделирование.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем: обнаружено фотохимическое образование и термическое разрушение донорных молекул типа {Ag[)2 в кристаллах ZnSe, легированных серебромустановлено обратимое фотохимическое преобразование примесно-дефектных комплексов типа донорно-акцепторных пар в кристаллахСйК^е/.^, легированных калиемобнаружены аномально низкие значения сечения захвата центров, участвующих в термостимулированных процессах, протекающих в исследуемых кристаллахобнаружены нелинейные явления в виде флуктуаций примесного фототока в кристаллах Сс18×8е]х, легированных калием.

Теоретическая и практическая значимость. Получены новые экспериментальные результаты по исследованию фотостимулированных преобразований дефектно-примесной подсистемы кристаллов сульфоселенида кадмия и селенида цинка, легированных калием и серебром, а также по нелинейным явлениям в виде флуктуаций примесного фототока, возникающего вследствие протекания фотохимических реакций.

Теоретическая значимость исследования определяется тем, что полученные результаты и их интерпретация могут быть использованы в качестве модельных при объяснении аналогичных явлений в фотохимически активных полупроводниках различного типа.

Результаты, полученные в работе, могут быть полезны при разработке и конструировании новых фотоэлектрических полупроводниковых приборов.

Подходы, предложенные в работе, могут быть использованы при исследовании сложных процессов различной физико-химической природы, в которых проявляются эффекты самоорганизации.

Основные положения, выносимые на защиту: результаты по определению энергетического спектра и кинетических параметров электронных и дырочных состояний, сформированных неустойчивыми центрамирезультаты по обоснованию моделей примесно-дефектных центров на основе сравнения экспериментальных и теоретически рассчитанных фотоактивационных спектроврезультаты по установлению структуры, особенностей характеристических параметров и физико-химической природы примесно-дефектных центров в образцах С (18×8е]х различного составарезультаты по выявлению условий реализации осцилляций примесного фототока в монокристаллах Сй8×8в1.х, легированных калием и установлению параметров динамики протекающих процессов. результаты по термодинамическому анализу и математическому моделированию фотохимических процессов, протекающих в колебательном режиме.

Личный вклад автора. Лично автором проведены экспериментальные исследования. Обсуждение результатов проведено совместно с руководителями.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы доложены и обсуждены на:1У Международной научной конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы получения новых материалов: исследования, инновации и технологии» (Астрахань, 2010), XI, XII и XIII Международных конференциях «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы» (Ульяновск, 2009 — 2011)), Международной научной конференции «Инноватика-2011» (Ульяновск, 2011), Межрегиональном Пагоушском симпозиуме «Наука и высшая школа Чеченской Республики: перспективы развития межрегионального и международного сотрудничества» (Грозный, 2010), конференциях профессорско-преподава6 тельского состава Чеченского госуниверситета (Грозный, 2009;2011).

Публикации. Основные результаты работы опубликованы в 10 работах, 3 из которых — в журналах из перечня ВАК.

Структура и объем работы. Диссертация изложена на112 страницах машинописного текста, состоит из введения, трех глав и выводов, иллюстрирована28 рисунками, содержит 3 таблицы и список используемой литературы из153наименований работ.

выводы.

1. Методами фотои термоактивационной спектроскопии определены энергетические и кинетические параметры электронных дырочных центров, ответственных за полосы ПФ, ИПФ, ОГФ и ТСТ в кристаллах С<38<�К> и ZnSe. Получено, что эти центры образованы сложными фотохимически неустойчивыми примесно-дефектными комплексами типа донорно-акцепторных пар, в которых роль донора играет примеси калия и серебра в междоузельных позициях.

2. Методом ТСТ установлено, что в кристаллах Сс18<�К> и ZnSe реализуются системы неустойчивых оптически неактивных электронных ЦПопределены их кинетические (8гсм2) и энергетические (Е1- эВ) параметры.

3. Обнаружено, что фотоактивационные процессы в примесной области кристаллов С^бе^-, легированных калием, при напряжении 100 В и облучении их примесным светом (к — 1,1 мкм) протекают в колебательном режиме.

4. На основе дискретного преобразования Фурье, реконструкции динамики процессов по временным рядам, вычисления показателей Ляпунова и энтропии Колмогорова-Синая установлено, что наблюдаемые осцилляции являются следствием протекания фотохимических реакций, т. е. имеет место проявление детерминистской динамики, причем реализуется динамический хаос.

5. Используя принципы нелинейной термодинамики неравновесных процессов, установлено, что потеря устойчивости и реализация осцилляций примесного фототока происходит в результате наличия автокаталитической стадии, а также обратных связей при протекании фотоактивационных процессов.

6. Исходя из результатов качественного анализа и численного интегрирования математической модели получено, что реализуется одно стационарное состояние типа «неустойчивый фокус" — сделано заключение о возможности возникновения критических явлений вследствие бифуркации типа Андронова-Хопфа из этой особой точки в предельный циклпоказано, что математическая модель качественно описывает закономерности проявления флуктуационных явлений.

Показать весь текст

Список литературы

  1. AvenM. PrenerJ.S. PhysicsandChemestryofll-
  2. VICompounds.Amsterdam.-1967. (Перевод под ред. С.А. Медведева2 6
  3. Физика и химия соединений, А В .М.: «Мир».- 1970.)
  4. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: «Физматгиз», — 1962. 494 С.
  5. А. Основы теории фотопроводимости. М.: «Мир», — 1966.-138 С.
  6. В.Е., Любченко A.B., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках// Киев: изд-во «Наукова Думка».-1981.-264 С.
  7. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках// М.: «Мир».- 1977. 562 С.
  8. . Оптические процессы в полупроводниках// М.: «Мир»,-1973. 456 С.
  9. М.К. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках А2В6// Изв. АН СССР. Сер. физ, — 1973.- т.37, — № 2.- С. 400−404.
  10. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции// Изв. АН СССР. Сер. физ, — 1946.- т.Ю.- № 5−6, — С. 477−487.
  11. Garlic G.F.Т., Gibson A.F.The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors// Proc. Phys. Soc.- 1948.- v. A60.- N342.-P. 574−590.
  12. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.// M.: «Высшая школа».- 1971. 336 С.
  13. Д. Люминесценция кристаллов// М.: «ИЛ».-1961.-194 С.
  14. П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул, и кристаллов// М.: Физматгиз.- 1959.
  15. В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорга-нических веществах// Новосибирск: «Наука», — 1979.- 333 С.
  16. Г., Хаусман А., Зандер В. Электронная структура точечных дефектов// М.: «Атомиздат», — 1977. 204 С.
  17. Физика соединений А2В6 // (Под редакцией Георгобиани А. Н., Шейнкмана M.K.).- М.: «Наука».- 1986. 320 С.
  18. Ф. Химия несовершенных кристаллов// (Под редакцией Полторака О.М.) М.: «Мир», — 1969. 654 С.
  19. А., Дин П. Светодиоды// М.:изд-во «Мир», — 1973.- 686 с.
  20. Д.Д., Симашкевич A.B. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка// Кишинев: «ШТИИНЦА».-1984.-150 с.
  21. Н.К., Кузнецов В. А. Сульфид цинка получение и свойства //М.: «Наука».- 1987. 200 С. 19.
  22. ReissH., FullerC.S., MorinF.J. Bell. SystTech.J.- 1956, — v.35.- P.535−611. (Цитируется по 16.).
  23. Л., Вильяме Ф. Конфигурационное взаимодействие и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцепторных пар// Изв. АН СССР, сер. физич, — 1973,-т.37.-№ 4,-С. 803−809.
  24. Morgan T.N., Weiber В., Bhargana R.H. Optical properties of Cd-0 and Zn-Complexes in GaP// Phys.Rev.- 1968.- v.166.- N 3.- P.751−753
  25. Henry C., Dean P., Thomas D., Hopfield J. A localized exciton bound tocadmium and oxygen in gallium phosphide// In: Proc. conf. Localized excitations." Ed. Wallis R.F. New York: Plenum press.-1968.- P. 257.
  26. А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия // В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: «Наука».- 1972.- С. 224−304.
  27. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates // J.Luminescence.- 1973.- v.7.- N1.- P.35−50.
  28. Термолюминесценция и термостимулированный ток методы определения параметров захвата// «Физика минералов». М.: «Мир». -1971, — С. 134−155.
  29. А.П., Горюнов В. И. О расчете кривых термостимулированного тока // Физ. тв. тела.- 1966, — т. 8.- № 6.- С. 19 441 946.
  30. А.Г., Сандомирский В. Б., Ожередов А. Д. и др. К определению параметров ловушек по кривым термостимулированного разряда конденсатора// Физ. и техн. полупроводников.- 1969, — Т.З.- № 12.- С. 1755.
  31. Г. С., Ринкавичюс B.C. О методе термостимулированного разряда конденсатора// Физ. и техн. полупроводников.- 1969, — Т.З.-№ 3.- С. 445−446.
  32. Hiroshi Sugimoto and Tetsuo Maruyama. Chenge Transfers in the Red Copper Luminescent ZnS Phosphors Investigated by Electron Spin Resonance
  33. Method// J. of the Phys.Soc. Japan.-1967.- v.23.- N1, — P. 44−51.
  34. JI.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров.//М.: «Наука», — 1980, — 126 с.
  35. Е.А. Кинетические методы определения параметров уровней прилипания// Физ. тв. тела.- 1963.- т.5.- № 1, — С. 240−245.
  36. М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах// М.: изд-во «Мир», — 1973.- 416 С.
  37. А.Н., Свечников С. В. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках//Киев: «Наукова думка», — 1981.- 254 с.
  38. Lu Lianggand. The principle of a new method for determining local trapping states by space-charge-limited current.// J.Appl. Phys.- 1993.- v.73.-№ 11.- P. 7487−7490.
  39. E.H., Рыбкин C.M. Индуцированная инфракрасная чувствительность в некоторых полупроводниках // ФТТ.- I960.- т. 11.- № 8, — С. 1889−1892
  40. E.H., Парицкий Л. Г., Рыбкин С. М. Исследование кинетики инфракрасной примесной фотопроводимости в CdS, индуцированной постоянной подсветкой // ФТТ.- I960, — т. 11.- № 6.- С. 1160−1163.
  41. М.А., Эмиров Ю. Н., Абилова H.A. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Cu, обусловленные фотохимическими реакциями// ФТП, — 1980.-Т.14.- № 9.- С. 1665−1671.
  42. Г. М., Карпович И. А., Магомедов Н. П. Индуцированная примесная фотопроводимость в пленках ZnTe // Учен. записки Горьковского ун-та.- 1973.- вып. 167.- С. 61−63.
  43. M. А., Габибов Ф. С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS// ФТП.- 1979, — т.13.-№ 7,-С.1324−1328.
  44. М.А., Зобов Е. М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSe// ФТП.- 1980, — т.14.- № 12.- С.2407−2410.
  45. М.А. Универсальная диаграмма характеристических параметров центров прилипания носителей заряда и соответствующих термостимулированных спектров в полупроводниках и диэлектриках// Физ. тв. тела.- 1989.- т.31.- № 11.- С. 193−196.
  46. А.Н., Котляревский М. Б., Рогозин И. В. Глубокие акцепторные центры в А2В6// Труды междунаодной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах».- Ульяновск: изд-во УГУ.- 1997.- С. 2627.
  47. Larsen T.L., Varotto C.F., Stevenson D.A. Electrical transport and photoelectronic properties of ZnTe Al crystals // J. Appl. Phys.- 1972.-v.43,-№ 1.- P. 172−182.
  48. A.H., Котляревский М. Б., Михайленко B.H. Структура дефектов в ZnS с собственно-дефектной дырочной проводимостью//Изв.АН СССР. Неорган.материалы.- 1981.- т.17.- № 7,-С.1329−1334.
  49. Shirakawa J., Kukimoto H. The electron traps associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSxSe.x.// SolidState Commun.-1980.- v.34.- N5.- P. 359.
  50. П.JI., Палмре И. В. Центры свечения в легированном ZnSe и энергия активации их образования.// Изв. АНСССР. Неорган.100материалы.- 1980.- T.16.-N11.- С. 1916−1920.
  51. Wakim F.G. Stimulated photocurrent and thermally stimulated current excitation spectra in cubic ZnSe crystals// J.Appl.Phys.-1970.-v.41.- N 2.- P. 835.
  52. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide// J.Appl.Rhys.- 1984, — v.55.- N15, — P. 1614−1616.
  53. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrical measurements // Solid Stat.Commun.-1969.- v.24, — № 7.- P. 1757−1761.
  54. ВаксманЮ.Ф., МалушинН.В., СердюкВ.В. ИccлeдoвaниecпeктpoвфoтoлюминecцeнциимoнoкpиcтaллoвZnSeлeгиpoвa нныхалюминием // Журн. прикл. спектроск.- 1976.- т.25.- № 5.- С. 832 835.
  55. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat treated in controlied Partial Pressures of constituent elements// Japan J.Appl. Phys.- 1979.- v. l8.- N10.- P. 1965−1972.
  56. Halsted R.E., Aven М. Photo luminescence of defect exciton complexes in II-VI compounds// Phys. Rev. Lett.- 1965.- V. 14.- № 3.- P. 64−65.
  57. Kishida S., Matsuura K., Fukuma H. et al. Optical absorption bands in neutron irradiated ZnSe find ZnSo.sSeo.s crystals // Phys. Stat. Sol.(b).- 1982.101
  58. V.l 13.- № 1.- P. K31-K32.
  59. Lee K.M., Dang L.S., Watkins G.D. Optically detected magnetic resonance of zinc vacancy in ZnSe// Solid State Commun.- 1980.- V. 35.- № 7, — P. 527−530.
  60. M.K., Беленький Г. Jl. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe// ФТП.- 1968.- т.2.- № 11.-С.1635−1638.
  61. И.Я., Касьян В. А., Федоров А. И. и другие. Рекомбинация носителей заряда в монокристаллах ZnSe, легированных
  62. Al, Ga и Си.//В кн.: Физические процессы в гетер о структур ах и2 6некоторых соединениях, А В .- Кишинев: «Штиинца», — 1974, — С. 77−85.
  63. Bube R.H., Lind E.L. Photoconductivity of ZnSe crystals and correlation of donor and acceptor levels in II-VI photoconductors// Phys. Rev.- 1958.-V.110.- № 5.- P. 1040−1049.
  64. B.A., Маликова Л. В., Морозова В. И., Симашкевич А. В. Исследование глубоких центров, связанных с собственными дефектами в ZnSe// Изв. ВУЗов.Сер.физика.- 1989.- № 3, — С. 42−46.
  65. А.Н., Котляревский М. Б., Леонтьева О. В., Пегов А. А. Собственно-дефектные электрически активные акцепторные центры в селениде цинка р-типа// Краткие сообщ. по физике ФИАН.- 1986.- № 6.-С. 21−23.
  66. YuP.W., ParkY.S. p-TypeConductioninUndopedZnSe // Appl. Phys. Lett.- 1973, — V.22.- № 7.- P. 345−347.
  67. МорозоваН.К., ГаврищюкЕ.М., КаретниковИ.А., БлиновВ.В., ЗимогорскийВ.С., ГалстянВ.Г., ЯшинаЭ.В. ЛюминecцeнцияZnSe, сильнолегированногомедью// Неорган, материалы.- 2002.- т. 38.- № 6.- С. 674.680.
  68. О.Н., Ревзин Л. С., Рыдун О. И., Сигал Г. П., Шапиро A.M. Исследование межпримесных фотопереходов в зеленой люминесценции ZnS-Cu фотолюминофорах // Журн. Прикл. Спектроскопии.- 1977.- т. 26, — № 4, — С. 673−677.
  69. A.M., Гутман В. Б., Ильина М. А. О природе глубоких центров свечения в ZnS-фосфорах активированных серебром и медью. // Изв. АН СССР. Сер. физика, — 1971, — т. 35.- № 7.- С. 1467−1469.
  70. М.А., Абрамов И .Я., Хамидов М. М. Объяснение зеленосиней люминесценции в ZnS-Cu на основе новой модели центров свечения//ФТП, — 1978, — т. 12,-№ 11.-С. 2186−2191.
  71. Н.Е., Кролевец Н. М., Маркевич И. В. и др. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью// ФТП.- 1975, — т.7.- № 2, — С. 275−278.
  72. Ullman F.G., Dropkin J.J. Infrared enhancement and quenching of photoconduction in single crystals of ZnS: Cu // J. Electrochem. Soc. 1961.-V.108.- № 2.- P. 154−159.
  73. М.М. Структура, параметры и физико-химическая природа2 6центров с глубокими уровнями в соединениях, А В . Автореф. дис.доктфиз.-мат. Наук. Ульяновск, 2006. 38 с.
  74. Swaminathan V., Green L.C. Low temperature photoluminescence in Ag-doped ZnSe// J. Luminescence.- 1976, — V.14.- № 5/6, — P. 357−363.
  75. Baker A.T.J., Bryant F.J., Lowther J.E. The visible luminescence of copper doped zinc telluride// J. Phys. C.- 1973.- V. 6, — № 4. p. 780−783.
  76. Chamonal J.R., Molva E., Pautrat J.L. Indentification of Cu and Ag acceptors in CdTe//Ibid.- 1982.-v.43.-№ 11,-P. 801−805.74. РизахановМ.А.
  77. Объяснениелинейчатыхспектровиндуцированнойпримеснойфотопроводи мocтивCdS-CdSeнaocнoвeпpeдcтaвлeнийoдoнopныx молекулах// ФТП.-1982.- т.16.-№ 4. -С. 699−702.
  78. Е.М., Гарягдыев Г. Г., Ризаханов М. А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами// ФТП,-1987,-т.21, — в. 9,-С. 1637- 1641.
  79. М.А., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К. Зависимость сечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS : Ag от их энергетического положения// ФТП.-1975.- т.9.- № 4, — С. 779−782.
  80. Е.В., Мельник В. В. Свойства кристаллов ZnSe, легированных фосфором// Неорган, материалы.- 1995.- т.31.- № 10.- С. 1294−1295.
  81. Л.И., Горя О. С., Коротков В. А., Ковалев Л. Е., Маликова Л. Симашкевич А. В. Кинетика фотопроводимости кристаллов ZnSe при оптической перезарядке глубоких центров// Неорган, материалы.- 1995.-т.31.- № 10.- С. 1296−1298.
  82. М.М., Махний В. Л. Свойства монокристаллических слоев ZnSe, легированных Cd // Неорган, материалы, — 1995. т.31.- № 10.- С.1299−1301.
  83. М.М., Махний В. П., Мельник В. В. Влияние примесей Li, Cd, In, As на оптоэлектронные свойства ZnSe// Неорган, материалы.-1997.- т.33.- № 2.- С.181−183.
  84. Bhargava R.N., Soymowi R.I., Fitzpatrik B.I., Herko S.P. Donor-acceptor pair band in ZnSe // Phys. Rev.B. 1979.- V. 20, — № 6, — p. 2407−2419.
  85. Holten W.C., de Wit M., Estle T.L. Self-activated ZnS and ZnSe: lumines cence and electron spin resonance // Intern. Luminescence Sympos. And Chem. Szintillator.- Munchen.- 1965.- P 454−459.
  86. Aven., Keunicott P.R. Semiconductor device concepys. // Scientific Report N. AF-19 (628)-329, U.S.- Air Forse Cambridge Research Laboratories, Bedford, Massachusetts.- 1964, — P. 17−20.
  87. Emelyanenko O.V., Ivanova G.H., Lagunova T.S. et al. Scattering mechanisms of electrons of ZnSe crystals with high mobility. // Phys. Stat. Vol.(b).- 1979.- V.96.- № 2, — P. 823−833.
  88. П.В., Недоогло Д. Д., Нгуен Фнь Минь. Электрические свойства селенида цинка, легированного алюминием и галлием //В кн.: Физические процессы в полупроводниках.- Кишинев: Штиинца, — 1977.126 с.
  89. Park Y.S., Hemenger P.M., Chung C.H. p-type conducting in Li-doped ZnSe// Appl. Phys. Lett.- 1971.- V. 18.- № 2.- P. 45−46.
  90. Henning J.C.M., Boom H. van den, Dieleman J. Electron-spin resonance of CO+2 in cubic ZnSe //Phil. Res. Repts.- 1966.- V.21.- № 1.- P. 16−26.
  91. Terada T. Photoconductivity of phosphorus-ion-implanted zinc selenide// J. Phys. Soc. Jap.- 1976, — V.40.- № 4. P. 1048−1055.
  92. Swaminathan V., Greene L.C. Pair spectra, edge emission the shallow acceptors in melt-grown ZnSe.// Phys. Rev. В.- 1976.- V.14.- № 12. P. 53 515 363.
  93. Roppisher H., Jacobs J., Novicov B.V. The influence of Zn and Se heat treatment on the exciton spectra of ZnSe single crystals // Phys. Stat. Solidi (a).- 1975, — V.27.- № 1.- P. 123−127.
  94. В.П., Савицкий A.B., Никонюк Е. С. и др.105
  95. Энергетический спектр уровней захвата в теллуриде кадмия, легированного германиием // ФТП.- 1974, — т.8.- № 5.- С. 1035−1037.
  96. Ю.П., Фарина И. А., Гамарник Р. В. и др. Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe:Fe и Cdi. xFexTe// ФТП.-1993.- т.27.- № 10, — С. 1639−1650.
  97. SimonsAJ., ThomasC.B. Mexanisms' ofelectronicconductionthroughthinfilmZnS: Mn // Phil. Mag.B.- 1993, v.68, № 4, p. 465−473.
  98. B.C., Манжаров B.C., Ткачук П. Н., Цосопь B.M. Термовысвечивание селенида цинка легированного акцепторными примесями // ФТП, — 1980, — т.14, — N8, — С. 1621−1624.
  99. А.И. Спектроскопия сульфида цинка и других соединений, А В, активированных ионами переходных металлов// Автореф. Докторской диссертации.- Л.: 1973.- 23 с.
  100. В.И., Грехов A.M., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г. Оптические свойства полупроводников (справочник)// Киев: «Наукова Думка». — 1987.- 607 с.
  101. Л.С. Взаимодействие собственных и примесных дефектов в люминесцентных полупроводниковых материалах на основе халькогенидов цинка// Автореф. дис.докт. физ.-мат. М.: 2002.- 25 с.
  102. ElmanharawyM.S., Abdel-KaderA. On the nature of fluorescent centers and traps in some ZnS-phosphors activated with silverand copper// Acta Phys. Polon.- 1979, — v. A56.-N1.-P. 19−29.
  103. Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmium selenide crystals// J.Chem.Phys.- 1958, — v.29.- N1.- P. 128−137.
  104. ШейнкманМ.К., ТягайВ.А., БеленькийГ.Л., БондаренкоВ.Н. ИccлeдoвaниeпpиpoдыoчyвcтвлeнияCdSeмoнoкpиcтaллoввpeзyльтaтeиx травления// Укр. физ. журнал.- 1968, — т.13, — № 9.- С. 1453−1457.
  105. И.Н., Городецкий И .Я., Любченко А. В. и др. Параметры быстрых центров рекомбинации в CdS и их влияние на фоточувствительность// Укр. физ. журнал, — 1973.- т. 17.- № 3.- С. 599−605.
  106. SacalasA., BaubinasR. ScatteringcentersandtheirralationtotherecombinationcentersinsinglcrystalsofCd Se // Phys.Stat.Sol.(a).- 1975.- v.31.- N1, — P. 301−307.
  107. А. Собственные дефекты в селенистом кадмии// Лит.физ. сборник, — 1979.- т.19.- № 2.- С. 233−240.
  108. Р., Вищакас Ю., Сакалас А., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe// Лит.физ. сборник.-1974.- т.14.-№ 4.-С. 609−611
  109. Л.Г., Петренко В. Р., Уйлист Г. В. Исследование глубокого дислокационного уровня в ZnSe методом фотостимулированной проводимости // ЖЭТФ, — 1978.- т.74.- № 2.- С. 742−743.
  110. И.Я., Дубенский К. К., Лашкарев В. Е., и др. Определение параметров рекомбинационных центров в монокристаллах ZnSe II ФТП.-1967.- т.1.- № 11.-С. 1666−1673.
  111. Tcholl Е. The photochemical interpretation of slow phenomena in107cadmium sulphide// Philips Res. Repts. (Suppl).-1968.- № 6.- P.1−93.
  112. .И., Матлак В. В., Парфенюк O.A., Савицкий A.B. Особенно-сти комплексообразования в р- CdTe при значительных концентрацииях собственных дефектов// ФТП.- 1986.- т.20.- № 5.- С. 849 852.
  113. ПО.Сакалас А. Собственные дефекты в селенистом кадмии// Лит.физ. сборник.- 1979, — т.19.- № 2, — С. 233−240.
  114. М.М., Магомедбеков У. Г., Рабаданов М. Х., Солтамурадов Г. Д., Хамидов М-д.М. Фотостимулированные преобразования в кристаллах селенида цинка, легированных серебром //Изв. Вузов. Сев.-Кавк. регион. Ест.науки. 2010. № 5 (159). С. 52−54
  115. М.М., Магомедбеков У. Г., Зобов Е. М., Солтамурадов Г.Д., 108
  116. Хамидов М-д.М. Самоактивированная люминесценция в кристаллах селенида цинка /Фундаментальные и прикладные вопросы получения новых материалов: исследования, инновации и технологии. Матер. IV Междун. науч. конф. Астрахань: «Астр.ун-т», 2010. С. 99−101
  117. М.М., Магомедбеков У. Г., Рабаданов М. Х., Солтамурадов Г. Д., Хамидов М-д.М.Фотостимулированная деградация кристаллов CdS: K. «Инноватика-2011»: ТрудыМеждун. конф. Т.2. Ульяновск: УлГУ, 2011. С. 5−6
  118. М.М., Магомедбеков У. Г., Солтамурадов Г. Д., Хамидов М-д.М. Фотохимические реакции в кристаллах CdS: K/onto-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы. Тр. XII Межд. конф. Ульяновск: УГУ, 2010. С. 242
  119. Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса// Л. «Химия». — 1973.- 572 с.
  120. В.Н., Тутуров Ю. Ф. Филимончева П.Н. Инжекционный отжиг диодов на основе Ge после облучения быстрыми нейтронами. // Изв. АН СССР «Неорган, материалы», — 1974, — т. 10.- № 11.- С. 1926−1932.
  121. П.С. Физика полупроводников // М.: изд-во «Высшая школа». — 1969, —. С. 199 иС. 558.
  122. Kolas W., Wolniewicz L. Potential energy curves for the Х! ХЧ, Xu and 'Пи states of hydrogen molecule // J.Chem. Phys.- 1965, — v.43.- № 7, — P. 24 292 441.
  123. M.K. Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермической диссоциации донорно-акцепторных пар в CdS // Письма ЖЭТФ, — 1972, — т.15.-№ 11.- С. 673−676.
  124. М.А., Зобов Е. М., Хамидов М. М. Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетическими свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS. // ФТП.- 2004,-т.38.-№ 1, — С. 49−55.
  125. М.А., Хамидов М. М. Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe // ФТП.- 1993.- т. 27, — № 5.- с. 721−727.
  126. Е.М., Ризаханов М. А. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем в кристаллах y-La2S3// ФТП.- 2001.- т. 35.- № 2, — С. 171−176.
  127. Е.М., Ризаханов М. А., Хамидов М. М., Магомедов Н. М. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой в порошках промышленных люминофоров К-83, К-96 // Тезисымеждународной конф. «Оптика полупроводников», — Ульяновск.- 2000, — С. 84.
  128. Р., Эноксон JI. Прикладной анализ временных рядов. Основные методы. М.: Мир, 1982. 428с.
  129. В.К. Теория вычисления преобразования Фурье. Киев: 1983. 274с.
  130. П., Помо К., Видаль К. Порядок в хаосе. О детерминистском подходе к турбулентности. М.: Мир, 1991. 368 с.
  131. Г. Г., Потапов А. Б. Современные проблемы нелинейной динамики. М.: Эдиториал УРСС, 2000. 336 с.
  132. У.Г. Окисление биосубстратов в колебательном режиме. Махачкала: ИПЦ ДГУ, 2002. 132 с.
  133. И., Николис Т. Познание сложного. Введение. М.: Эдиториал УРСС, 2008. 352 с.
  134. Яцимирский К. Б Построение фазовых портретов колебательных химических реакций // Теор. экспер. химия, 1988. Т.24. № 4. С.488−491
  135. Takens F. On the numerical determination of dimenitions of an attractor // Yecture Notes in Math. Shpinger, 1985. V. 1025. P. 99−106.
  136. Packard N.H., Crutghfield J.P., Farmer J.D. Shaw R.S. Geometry from a time series // Phys. Rev. Lett 1980. V.45. P.712−715
  137. Grasberger P., Procaccia I. Measuring the strangeness of strange attractor //PhysicaD., 1983. V.9. № 1 .P.189−208.
  138. Grasberger P. An optimized box-assisted algorithm for fractal dimensions //Phys. Lett. A., 1990.V. 148. P. 63−67.
  139. Э.М., Третьяков Ю. Д., Гордеев JI.C., ВертегелА.А. Нелинейная динамика и термодинамика необратимых процессов в химии и химической технологии. М.:Химия, 2001. 408 с.
  140. Hegger R., Kantz Н., Schreiber Т. Practical implementation of nonlinear time series methods: The TISEAN package // Chaos, 1999. V.9. P. 413
  141. Программы для обработки временных рядов TISEAN 2.1. http://www.mpipks-dresden.mpg.de/~tisean
  142. М.М., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К., Фотхимические реакции и модели некоторых центров прилипания электронов в CdS и его аналогах // ФТП.- 1974, — т. 8.-№ 8, — С. 1521−1524.
  143. М.М., Абилова Н. А., Эмиров И. Н., Индуцированная припримесная фотопроводимость в кристаллах CdS:Си, обусловленная фотохимическими реакциями // ФТП.- 1976.- т. 10.-№ 3.- С. 600−601.
  144. Э.М., Гордеев JI.C. Методы синергетики в химии и химической технологии. М.: Химия, 1999, 256 с.
  145. И., Кандепуди Д. Современная термодинамика. От тепловых двигателей до диссипативных структур. М: Мир, 2002. 461 с.
  146. М., Клич А., Кубичек М., Марек М. Методы анализа нелинейных математических моделей. М.: Мир, 1991. 368 с.
  147. Н.Н. Поведение динамических систем вблизи границ области устойчивости. М.: Наука, 1984. 176 с.
  148. PojmanJ.A. Studying Nonlinear Chemical Dynamics with Numerical Experiments. Department of Chemistry & Biochemistry. University of Southern Mississippi, 1997.P. 339−348.
  149. ХерхагерМ., ПартолльХ. МаШсаё 2000. Полное руководство. Киев: Издательская группа BHV, 2000, 416 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?