Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Синтез и свойства теллурида свинца, легированного тулием

Диссертация: Синтез и свойства теллурида свинца, легированного тулием
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

III. 6.1.1. Подготовка образцов111. 6. 1. 2. Определение состава кристаллов111. 6. 1. 3. Исследование реальной структуры кристаллов. Синтез ромбоэдрической фазы Tm4Tes. I. введение. Сведения о зарядовом состоянии и электрической активности примесей в легированных кристаллах РЬТе. 6. Определение магнитной восприимчивости. Система Тш — Те11. 3. 1. Фазовая диаграмма и термодинамические свойства фаз… Читать ещё >

Содержание

  • I. ВВЕДЕНИЕ
  • II. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • II. 1. Система РЬ — Те
    • 11. 2. Система Тш — Р
    • 11. 3. Система Тш — Те
      • 11. 3. 1. Фазовая диаграмма и термодинамические свойства фаз в системе Тш-Те
      • 11. 3. 2. Зонная структура монотеллурида тулия
      • 11. 3. 3. Зарядовое состояние тулия в TmTe
      • 11. 3. 4. Синтез теллуридов тулия
      • 11. 3. 5. Перспективы исследования теллуридов тулия 19 П. 4. Система РЬ — Тш — Те
      • 11. 4. 1. Сведения о фазовой диаграмме системы РЬ — Тш — Те
      • 11. 4. 2. Свойства фаз в системе РЬ-Тш-Те
    • 11. 5. Синтез и свойства монокристаллов легированного теллурида свинца
  • II. 5.1. Особенности реальной структуры кристаллов легированного РЬТе 29 ' II.5.2. Влияние операционных параметров синтеза на реальную структуру кристаллов
    • 11. 5. 3. Образование пересыщенных твердых растворов при направленной кристаллизации
    • 11. 5. 4. Сведения о зарядовом состоянии и электрической активности примесей в легированных кристаллах РЬТе
    • 11. 6. Выводы из обзора литературы 49 III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТ
    • III. 1. Исходные материалы и оборудование
    • 111. 2. Синтез фаз в системе Pb-Tm-Te
    • 111. 2. 1. Синтез монотеллурида тулия
      • 111. 2. 1. 1. Отжиг тулия в парах теллура
      • 111. 2. 1. 2. Гидридный метод
      • 111. 2. 1. 3. Синтез в расплаве бромида натрия 57 III.2.1.4. Синтез в расплаве свинца
      • 111. 2. 1. 5. Высокотемпературный синтез
      • 111. 2. 1. 6. Получение тонких пленок
      • 111. 2. 2. Синтез ромбоэдрической фазы Tm4Tes
      • 111. 2. 3. Синтез Тш2Те
      • 111. 2. 4. Синтез сплавов состава ТшгТе, TmTeus, ТтзТе
      • 111. 2. 5. Синтез теллурида свинца
      • 111. 2. 6. Синтез оксотеллурида тулия
    • 111. 3. Диагностика фаз
      • 111. 3. 1. Рентгенофазовый анализ
      • 111. 3. 2. Измерение магнитной восприимчивости
      • 111. 3. 3. Дифференциально-термический анализ
    • 111. 4. Изучение фазовой диаграммы системы Pb-Tm-Te
      • 111. 4. 1. Фазовый состав и ДТА образцов в системе Тт-Те
      • 111. 4. 2. Триангуляция системы Pb-Tm-Te 75 Ш. 4.3. Разрез РЬТе — Тт2Те
    • 111. 5. Выращивание кристаллов теллурида свинца, легированного тулием
  • III. 5.1. Рост кристаллов из пара
  • Ш. 5.2. Рост кристаллов из расплава
    • 111. 6. Исследование монокристаллов 93 III.6.1. Использованные методы исследования
  • III. 6.1.1. Подготовка образцов
    • 111. 6. 1. 2. Определение состава кристаллов
      • 111. 6. 1. 3. Исследование реальной структуры кристаллов
      • 111. 6. 1. 4. Гальваномагнитные исследования
      • 111. 6. 1. 5. Исследование температурной зависимости электропроводности
      • 111. 6. 1. 6. Определение магнитной восприимчивости
      • 111. 6. 1. 7. Исследование околокраевой тонкой структуры спектра рентгеновского поглощения (XANES)
  • Ш. 6.2.Результаты исследования образцов полученных кристаллов
    • 111. 6. 2. 1. Зависимость параметра элементарной ячейки кристаллов от состава
      • 111. 6. 2. 2. Распределение тулия по длине выращенных кристаллов
      • 111. 6. 2. 3. Реальная структура кристаллов

      111.6.2.4. Температурная зависимость электрического сопротивления 127 Ш. 6.2.5.0пределение зарядового состояния Тш: магнитная восприимчивость и XANES 128 III.6.2.6. Результаты гальваномагнитных исследований

Синтез и свойства теллурида свинца, легированного тулием (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Легирование представляет собой универсальный метод модифицирования свойств материала. Характерной особенностью легированных соединений А'*В^ является образование из-за больших величин статических диэлектрических проницаемостей примесных центров, имеющих некулоновский потенциал, что приводит к образованию глубоких, квазилокальных примесных уровней. Легирование также позволяет изменить параметры кристаллической решетки, ширину запрещенной зоны, тип проводимости, концентрацию носителей заряда и т. д. [1]. Большая часть работ, посвященных вопросам примесных состояний в А'^ В ,^ связаны с легированием их элементами III группы. При легировании индием РЬТе впервые показана возможность стабилизации уровня Ферми и получения материала с высокой пространственной однородностью. В этих материалах обнаружен эффект задержанной фотопроводимости, долговременные релаксационные процессы электронных распределений, связанные с высокой фоточувствительностью материала. Позже подобные явления обнаружены в кристаллах PbTe (Ga), PbTe (Cd), PbTe (Cr) и др. Менее всего изучены процессы легирования А'^ В^ редкоземельными элементами. Оценка влияния тулия на свойства РЬТе показала возможность стабилизации уровня Ферми, хотя исследования затруднены высокими температурами плавления и агрессивностью расплавов теллуридов тулия. Кроме того, сведения об условиях синтеза, стехиометрии и свойствах фаз в системе Тт-Те ограничены и противоречивы. В задачи настоящей работы входило: 1. Разработка условий синтеза теллуридов тулия.2. Изучение части фазовой диаграммы тройной системы РЪ-Тт-Те, являющейся основой выбора условий легирования теллурида свинца тулием.3. Разработка условий синтеза кристаллов твердого раствора теллуридов свинца и тулия и исследование влияния этих условий на свойства кристаллов.

IV. Выводы.

1. Проведены низкои высокотемпературные синтезы теллуридов тулия. Найдено, что оптимальный метод синтеза Тт2Тез — отжиг тулия в парах теллура при 750 °C, для всех остальных фаз в интервале Тт-Тт2Тез необходим высокотемпературный синтез (1400−1900°С).

2. Получены неизвестные ранее данные по фазовой диаграмме Тш-Те.

A) Определены температуры тепловых эффектов для составов Тш4Те5, Тш3Те4 и Тш2Те3.

Б) Показано, что область гомогенности Тт2Те3 со стороны тулия захватывает состав ТшзТе4.

B) Найдено, что в системе между Tm и TmTe существует неизвестная ранее фаза, которая может быть проиндицирована в орторомбической сингонии с параметрами, а = 6.055, b = 3.366, с = 2.724 А.

3. Изучена часть фазовой диаграммы тройной системы Pb-Tm-Te в области твердого раствора PbTe™.

A) Проведена триангуляция в треугольнике Pb-Te-TmTe.

Б) Построена часть Т-х диаграммы разреза РЬТе-Тт2Тез в диапазоне составов РЬТе — (РЬТе)о.88(Тт2Тез)о.12. Найдена зависимость коэффициента распределения тулия от его содержания в расплаве (КТт меняется в диапазоне от 2 до 15).

B) Определена растворимость по этому разрезу при 850 и 300 °C и зависимость параметра элементарной ячейки от состава.

4. Найдены условия синтеза монокристаллов твердого раствора PbTe™ методом Бриджмена. Изучено влияние условий синтеза на свойства кристаллов. Показано, что для подавления ликвации, которая приводит к невоспроизводимости свойств кристаллов, необходимо выращивать кристаллы из шихты с избытком теллура. Показано, что при высоких содержаниях тулий в кристаллах РЬТе преимущественно занимает позиции свинца. Показано, что примесь тулия в кристаллах находится в состоянии Тт3+ независимо от разреза, по которому проводилось легирование. Концентрация электронов в образцах оказалась на порядок меньше концентрации введенного тулия. Уменьшение параметра ячейки твердого раствора и слабое изменение концентрации электронов в кристаллах при добавлении сверхстехиометрического РЬ позволяет предположить, что заметное количество тулия может входить в узлы Т. е. При этом акцепторное действие Тгпте компенсирует уменьшение VPb. Таким образом, Тш в РЬТе выступает как амфотерная примесь.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .А., Зломанов В. П., Рябова Л. И. и др. Перспективные материалы ИК-оптоэлектроники на основе соединений группы А4В6.// Высокочистые вещества. 1991, № 6, с.22−35.
  2. А.В., Зломанов В. П. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл-халькоген. М.: Наука. 1987, 207 с.
  3. Н.Х., Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. М.: Наука. 1975, 196 с.
  4. Физика и химия редкоземельных элементов. Справочник под ред. Гшнайдера К. и Айринга Л. М.: Металлургия. 1982, с. 24, 33,49.
  5. Palenzona A., Cirefici S. Dynamic differential calorimetry of intermetallic compounds. II. Heat of formation, heat and entropies of fussion of rare-earth-lead (RePb3) compounds.// Thermochim. acta. 1973, v. 6, № 4, p.455−460.
  6. A.A., Садовская O.A., Кузьмичева Г. М. Синтез и кристаллохимия редкоземельных полупроводниковых халькогенидов.// Журн. Всесоюз. хим. о-ва им. Д. И. Менделеева. 1981, т. 26, № 6, с. 12−21.
  7. А.А., Зинченко К. А., Землянухина В. М. и др. Рентгенографическое изучение теллуридов тулия.// Журн. неорган, химии. 1976, т. 21, № 10, с.2603−2605.
  8. Kaldis Е., Jilek Е., Spychiger Н. The search for a trivalent thulium monotelluride. // J. Less-Common Metals. 1983, v. 93, p. 399−409.
  9. Usha Devi S., Singh S.// Solid State Commun. 1984, v. 52, p. 303−305.
  10. Petzel Т., Ludwigs J., Greis O. Thermodynamics of sublimation and crystal chemistry of Tm0.77Te.// J. Less-Common Metals. 1989, v. 154, p. 317−328.
  11. Iandelli A., Palenzona A.// Inorg. Chem. 1965, v. 4, p. 970.
  12. Cannon J.F. and Hall H.T. High-pressure, high-temperature syntheses of selected lanthanide-tellurium compounds. // Inorg. Chem. 1970, v. 9, № 7, p. 1639.
  13. Kobler U., Fischer К., Bickmann К. et al. I I J. Magn. Magn. Mater. 1981, v. 24, p. 34−42.
  14. JCPDS-PDF Collection code № 15−855 (TmTe).
  15. A. // Atti Acad. Nazi. Lincei, Rend., Classe Sci. Fis., Mat. e Nat. 1961, v. 30, № 8, p. 201−207- Chem. Abstr. 1962, v. 56, p. 1041.
  16. Ott H.R., Hulliger F. Tm Valency and Magnetism in TmTe.// Z. Phys. B-Condensed Matter. 1983, v. 49, p. 323−330.
  17. Mills K.C. Thermodynamic Data for Inorganic Sulphides, Selenides and Tellurides. London, Butterworths. 1974, 845p.
  18. Gmelin. Handbook RE Main (21) v. C10, p.251−272.
  19. Suryanarayanan R., Guntherodt G., Freeouf J.L. et al. // Phys. Rev. 1975, v. В12, № 3, p. 4215−4222.
  20. И.А. Редкоземельные полупроводники перспективы развития и применения. // Журн. Всесоюз. хим. о-ва им. Д. И. Менделеева. 1981, v. 26, № 6, с. 2−11.
  21. Wohlleben D., Huber J.G., Maple. М.В. Magnetism and Magnetic Materials. Part2. Academic Press, New York. 1972, p. 1478.
  22. Kaindl G., Laubschat C., Reihl B. et al. // Phys. Rev. 1982, v. B26, № 3, p. 17 131 727.
  23. Abdusalyamova M.N., Chuiko A.G., Golubkov A.Y. et al. Synthesis, growth and investigation of the physical-chemical properties of single-crystals of TmSb, TmTe and their solid-solutions TmSbi.xTex. // J. Alloys and Сотр. 1994, v. 205, № 1−2, p. 107−109.
  24. Bucher E., Andres K., di Salvo F.J. et al. // Phys. Rev. 1975, v. B11, № 3, p. 500 513.
  25. Batlogg В., Kaldis E., Schlegel A. et al. // Phys. Lett. 1976, v. A56, p. 122−124.
  26. Kaindl G., Brewer W.D., Kalkowski G. et al. // Phys. Rev. Lett. 1983, v. 51, p. 2056−2059.
  27. Wachter P., Bommeli F., Filzmoser M. Phonons in TmTe. // Solid State Comm. r1998, v. 108, № 9, p. 641−644.
  28. Shiina R., Shiba H. Theory of antiferro-quadrupolar ordering of TmTe similarity and dissimilarity with CeB6. // Physica B. 1999, v. 261, № 1, p. 322−323.
  29. Fukushima N., Kuramoto Y. Fluctuation effects on the quadrupolar ordering in magnetic field. // J. Phys. Soc. Jap. 1998, v. 67, № 7, p.2460−2468.
  30. Kasuya T. Mixing-type quadrupolar order on gamma (7)-doublet in TmTe.// J. Phys. Soc. Jap. 1994, v. 63, № 11, p. 3936−3940.
  31. Link P., Gukasov A., Mignot J.M. et al. Neutron-diffraction study of quadrupole order in TmTe: observation of a field-induced magnetic superstructure.// Physica B.1999, v. 261, № 1, p. 319−321.
  32. Link P., Gukasov A., Mignot J.M. et al. Neutron-diffraction study of quadrupolar order in TmTe: First evidence for a field-induced magnetic superstructure.// Phys. Rev. Lett. 1998, v. 80, № 21, p. 4779−4782.
  33. Clementyev E., Kohler R., Braden M. et al. Neutron scattering study of crystal-field excitations in TmTe.// Physica B. 1997, v. 230, № 2, p. 735−737.
  34. Jha P. K, Sanyal S.P. Pressure dependence of structural and phonon properties of intermediate valence compound TmTe. // J. Phys. Chem. Solids. 1999, v. 60, № 4, p. 567−571.
  35. Tang J., Kosaka Т., Matsumura T. et al. The valence state of TmTe at high pressure.// Solid State Comm. 1996, v. 100, № 8, p. 571−574.
  36. Matsumura Т., Kosaka Т., Tang J. et al. Pressure induced semiconductor to metal transition in TmTe.// Phys. Rev. Lett. 1997, v. 78, № 6, p. 1138−1141.
  37. Heathman S., Lebihan Т., Darracq S. et al. High-pressure behavior of TmTe and EuO. // J. Alloys and Сотр. 1995, v. 230, № 12, p. 89−93.
  38. Link P., Goncharenko I.N., Mignot J.M. et al. Ferromagnetic mixed-valence and kondo-lattice state in TmTe at high pressure.// Phys. Rev. Lett. 1998, v. 80, № 1, p. 173−176.
  39. Matsumura Т., Nakamura S., Goto T. et al. Low temperature properties of the magnetic semiconductor TmTe.// J. Phys. Soc. Jap. 1998, v. 67, № 2, p. 612−621.
  40. Matsumura Т., Nakamura S., Goto T. et al. Quadrupolar ordering in TmTe.// Physica B. 1996, v. 224, № 1−4, p. 385−388.
  41. Matsumura Т., Shida H., Suzuki T. Specific heat study of the quadrupolar ordering in TmTe. // Physica B. 1997, v. 230, № 2, p. 738−740.
  42. Ufiiktepe Y., Kimura S., Kinoshita T. et al. Resonant photoemission studies of thulium monochalcogenides around the Tm 4d threshold. // J. Phys. Soc. Jap. 1998, v. 67, № 6, p. 2018−2026.
  43. Kinoshita Т., Ufuktepe Y., Nath K.G. et al. Resonant photoemission studies of thulium monochalcogenides around the Tm 3d threshold. II J. Electr. Spectr. Rel. Phenom. 1998, v. 88, № 3, p. 377−384.
  44. Walter U., Hollandmoritz E., Steigenberger U. Pressure-induced valence and crystal-field shifts in YbCu2Si2 and TmTe by neutron-scattering.// Z. Phys. B-Condens. Matter. 1992, Bd. 89, № 2, s. 169−176.
  45. Matsumura Т., Li Dx., Kwon Ys. et al. Impurity-induced properties of conducting TmTe. // Physica B. 1994. v. 199, № 4, p. 545−547.
  46. Nayak P. A model for the reflectivity spectra of TmTe. // Pramana J. Phys. 1996, v. 46, № 4, p. 271−275.
  47. Bucher В., Steiner P., Wachter P. Excitonic insulator phase in TmSeo.45Teo.55. Phys. Rev. Lett. 1991, v. 67, p. 2717−2720.
  48. П.Г., Абилов Ч. И., Мамедов M.P. Фазовая диаграмма и свойства фаз системы РЬТе TmTe. // Неорган, материалы. 1999, т. 35, № 2, с. 164−165.
  49. .А., Коробейникова Е. Н., Рябова Л. И. и др. Влияние Tm на свойства теллурида свинца. // Физика и техника полупроводников. 1991, т.25, № 2, с.342−344.
  50. Ryabova L.I., Tamm M.E. Tm doping of lead telluride. Rare Earth Doped Semiconductors Symposium. 13−15 April 1993. San Francisco, CA, USA. p.225−228.
  51. И.О., Султанов Т. И., Мургузов М. И. и др. Изучение свойств системы ЭугТез РЬТе и электрофизических свойств сплавов Ln2Te3 — РЬТе (Ln = Gd, ТЬ, Но, Er, Tm). Сборн. Физика и химия редкоземельных полупроводников. М.: Наука. 1990, с. 164−169.
  52. В.М., Глаголева Н. Н., Евгеньев С. Б. Объемные изменения при плавлении GeTe, SnTe, РЬТе, PbSe, PbS. // Изв. АН СССР, Неорган, материалы. 1968, т.2, № 3, с.418−423.
  53. Brebrick R.F., Gubner Е. Composition Stability of РЬТе. // J. Chem. Phys. 1962, v. 36, № 5, p.1283−1289.
  54. П.В., Зломанов В. П., Тананаева О. И. Синтез кристаллов теллурида свинца, легированных хромом.// Неорган, материалы. 1998, т. 34, № 4, с. 400.
  55. Т.А., Зломанов В. П., Тананаева О. И. Особенности легирования теллурида свинца кобальтом и никелем.// Неорган, материалы. 1998, т. 34, № 9, с.1055−1061.
  56. С.М., Кузнецова Т. А., Зломанов В. П. и др. Выращивание кристаллов РЬТе, легированного индием.// Неорган, материалы. 1997, т. 33, № 3, с.305−309.
  57. М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука. 1986, 144 с.
  58. М.Г., Освенский В. Б. Получение совершенных кристаллов. Сборн. Проблемы современной кристаллографии. М.: Наука. 1975, с.79−109.
  59. Zlomanov V.P., Chtcherbatchev K.D., Tkalich А.К. Point defect clasters in Pbi. xInxTe single crystals revealed by X-ray diffuse scattering method. // J. Solid State Chem. 1998, v. 137, № 1, p. 119−121.
  60. С.Г., Кузнецова Т. А., Тананаева О. И. и др. Особенности реальной структуры легированных кристаллов РЬТе. // Неорган, материалы. 1999, т. 35, № 8, с.934−936.
  61. А.А. Процессы кристаллизации. Современная кристаллография. Т.З. М.: Наука. 1980, с.146−154.
  62. У.Д., Нильсен С. Выращивание монокристаллов. Процессы роста и выращивание монокристаллов. М.: ИЛ. 1963, с.13−302.
  63. Ю.О., Сидоров Ю. Г. Зародышеобразование в расплавах РЬТе. // Неорган, материалы. 1981, т. 17, № 8, с. 1373−1377.
  64. А.Н., Исаенко Л. И., Исаенко В. А. Распределение примеси при направленной кристаллизации. Новосибирск.: Наука. 1977, 253с.
  65. Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: МИР. 1969, с. 155.
  66. В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука. 1967, 415с.
  67. .А., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца.// Успехи физ. химии. 2002, т. 172, № 8, с.875−906.
  68. Golacki Z., Heinonen М. Valency of Yb in PbS and PbTe determined by XPS. // Acta Phys. Polonica A. 1997, v. 91, p. 775−778.
  69. Zayachuk D.M., Kempnyk V.I., Bednarsky W. et al. Two charge states of Gd-impurities in the PbTe: Gd crystals. // J. Magn. Magn. Mater. 1999, v. 191, p.207−209.
  70. .А., Вертелецкий П. В., Зломанов В. П. и др. Осцилляции Шубникова-де-Гааза в РЬТе(Сг). // Физика и техника полупроводников. 1989, т. 23, № 2, с.244−249.
  71. Story Т., Wilamowski Z., Grodzicka Е. et al. Electron paramagnetic resonance of Cr in PbTe. // Acta Phys. Polonica A. 1993, v. 84, № 4, p.773−775.
  72. Mac W., Story Т., Twardowski A. Magnetization of Pbi. xCrxTe semimagnetic semiconductor. // Acta Phys. Polonica A. 1995, v. 87, № 2, p. 492−494.
  73. Story Т., Grodzicka E., Witkowska B. et al. Transport and magnetic properties of PbTerCr and PbSnTe: Cr. // Acta Phys. Polonica A. 1992, v. 82, № 5, p. 879−881.
  74. Tkalich A.K., Demin V.N., Zlomanov V.P. Oxidation states of In in Pbi.xInxTe.// J. Solid State Chem. 1995, v. 115, № 1, p. 1−3.
  75. C.A., Дарчук С. Д., Пляцко C.B. и др. Поведение примеси индия в монокристаллах теллурида свинца. // Изв. АН СССР, Неорган, материалы. 1988, т. 24, № 10, с. 1618−1622.
  76. А.И., Иванчик И. И., Попович 3. и др. Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы. // Физика и техника полупроводников. 1998, т. 32, № 6, с. 679−683.
  77. Zlomanov V.P., Tkalich А.К. Charge impurity states of In, Ga, Ge in the narrow-gap PbTe. // SPIE, 1999, v.3890, p.158−162.
  78. В.И., Рыков C.A., Рыкова M.A. и др. Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии. // Физика и техника полупроводников. 1990, т. 24, № 1, с. 144−151.
  79. С.А., Прошин В. И., Абайдулина Т. Г. Влияние квазилокальных состояний In на дефектообразование в РЬТе. // Физика и техника полупроводников. 1996, т. 30, № 7, с. 1285−1292.
  80. А.И., Кожанов А. Е., Слынько Е. И. и др. Транспортные и магнитные свойства сплавов PbTe(Mn, Cr). VI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27−31 октября 2003 г., с.72−73.
  81. Л.Л., Батраков Ю. Ф., Зломанов В. П. и др. Состояние атомов Ga и In в кристаллах РЬТе по данным их эмиссионных /f-спектров. // Журн. неорган, химии. 1997, т. 42, № 2, с. 287−291.
  82. А.Н., Волков Б. А., Волошок Т. Н. и др. Неравновесная парамагнитная восприимчивость примесных центров галлия в теллуриде свинца. // Журн. эксперим. теор. физ. 1998, т. 114, № 5, с. 1859−1867.
  83. В.М., Тетеркин В. В., Сизов Ф. Ф. и др. Поведение примеси Ga в монокристаллах РЬТе. // Укр. физич. журнал. 1984, т. 29, № 5, с. 757−759.
  84. Т.А., Яшина Л. В., Зломанов В. П. и др. Донорное влияние германия на РЬТе. // Неорган, материалы. 1994, т. 30, № 9, с. 1121−1123.
  85. Islam Q.T., Bunker В.А. Ferroelectric transition in Pbi. xGexTe: extended X-Ray-absorption fine-structure investigation of the Ge and Pb sites. // Phys. Rev. Lett. 1987, v. 59, № 23, p. 2701−2704.
  86. Prewitt C.T., Sleight A.W. Structure of gadolinium sesquisulfide. // Inorg. Chem. 1968, v.7, № 6, p. 1090.
  87. В.И. Магнитные измерения. M.: МГУ. 1963,232с.
  88. С.А. Изучение закономерностей выращивания кристаллов AIVBVI из пара. Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук. МГУ. 1984.
  89. Е.Д. Синтез и исследование твердых растворов Pbi.xSnxTe. Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук. МГУ. 1983.
  90. В.Я., Погодин С. А. Основные начала физико-химического анализа. М.: Изд. АН СССР. 1947, 870 с.
  91. О.Н. Синтез эпитаксиальных гетероструктур с согласованными параметрами кристаллическои решетки на основе твердых растворов, А В . Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук. МГУ. 1986.
  92. Holoway Р.Н. Quantitative Auger-electron Analysis of Homogeneus Binary Alloys Chromium in Gold. // Surface Sci. 1997, v. 66, p. 479−494.
  93. Palmberg P.W., Reach J.E., Weber R.E. et al. Handbook of Auger-electron Spectroscopy. Edina, Minnesota. 1972, 162 p.
  94. Coghlan W.A., Clausing R.E. Auger Catalog. Calculated Transition Energies Listed by Energy and Element.// Atomic Data. 1973, № 5, p. 317−469.
  95. В.Е. «Быстрая» и «медленная» диффузия в германии. Радиационная автоматика, изотопы и ядерные излучения в науке и технике. Киев: АН УССР. 1964, с.177−180.
  96. Т.А. Синтез кристаллов теллурида свинца, легированных переходными металлами (Со, Ni). Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук. МГУ. 1994.
  97. Т.А., Тананаева О. И., Зломанов В. П. Выращивание высокоомных кристаллов РЬТе, легированных германием и галлием. // Неорган, материалы. 1994, т. 30, № 5, с. 639−641.
  98. В.П. Направленный синтез соединений группы AIVBVI. Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук. МГУ. 1982.
  99. В.И., Немов С. А., Равич Ю. И. Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа AIVBVI. // Физика и техника полупроводников. 1994, т. 28, № 3, с. 369−393.
  100. В.А. Сегрегация растворимых примесей при затвердевании слитка. Сборн. Жидкие металлы и их затвердевание. М.: Металлургия. 1962, 405 с.
  101. В.Н., Вольпян А. Е., Курдюмов Г. М. Направленная кристаллизация и физико-химический анализ. М.: Химия. 1976,200 с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?