Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Синтез и физико-химические свойства твердых растворов Pb1-x Ge xTe и Sn1-x Ge x Te

Диссертация: Синтез и физико-химические свойства твердых растворов Pb1-x Ge xTe и Sn1-x Ge x Te
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для твердого раствора Pbi. JjexTe методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано наличие нескольких компонент в спектрах Ge 2/>3/2 и Ge 3d5j2, что может свидетельствовать о неэквивалентности атомов германия. На атомах теллура обнаружен повышенный отрицательный заряд. В случае твердого раствора Sni. jGexTe в спектре Ge 2руг обнаружена только одна компонента с положительным химическим… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ХАРАКТЕРИСТИКА ИССЛЕДУЕМЫХ СИСТЕМ (обзор литературы)
    • 1. 1. Фазовые диаграммы двухкомпонентных систем
      • 1. 1. 1. Система свинец — теллур
      • 1. 1. 2. Система германий — теллур
      • 1. 1. 3. Система олово — теллур
    • 1. 2. Фазовые диаграммы квазибинарных систем
      • 1. 2. 1. Система PbTe-GeTe
      • 1. 2. 2. Система SnTe-GeTe
    • 1. 3. Особенности химической связи в полупроводниковых соединениях группы
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ, ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ В РАБОТЕ
    • 2. 1. Определение состава образцов
      • 2. 1. 1. Определение концентрации носителей заряда. j) 2.1.2. Рентгенофазовый анализ
      • 2. 1. 3. Локальный рентгеноспектральный анализ
      • 2. 1. 4. Масс-спектрометрия вторичных нейтральных частиц
    • 2. 2. Исследование структурных характеристик кристаллов и пленок
      • 2. 2. 1. Оптическая микроскопия
      • 2. 2. 2. Электронная микроскопия
    • 2. 3. Исследование зарядового состояния атомов
      • 2. 3. 1. Рентгеновская эмиссионная спектроскопия
      • 2. 3. 2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
  • ГЛАВА 3. СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИСТИКА ОБРАЗЦОВ
    • 3. 1. Методы синтеза кристаллов и пленок на основе соединений (обзор литературы)
      • 3. 1. 1. Методы выращивания монокристаллов из расплава и пара
      • 3. 1. 2. Методы синтеза пленок
  • ) 3.2. Синтез и характеристика кристаллов и пленок (экспериментальная часть)
    • 3. 2. 1. Синтез поликристаллических образцов
    • 3. 2. 2. Выращивание и характеристика монокристаллов
    • 3. 2. 3. Синтез пленок теллурида германия методом «горячей стенки»
    • 3. 2. 4. Характеристика структуры и электрофизических свойств пленок GeTe
  • ГЛАВА 4. ИЗУЧЕНИЕ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ АТОМОВ ГЕРМАНИЯ В
  • ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ Pb^JJeJe И Snj.^Te
    • 4. 1. Методы определения зарядового состояния атомов в кристаллах (обзор литературы)
      • 4. 1. 1. Краткий обзор методов исследования зарядового состояния атомов
      • 4. 1. 2. Рентгеновская эмиссионная спектроскопия как метод определения эффективного заряда атома
      • 4. 1. 3. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
    • 4. 2. Литературные данные о зарядовом состоянии различных атомов в соединениях и твердых растворах на их основе
    • 4. 3. Определение эффективного заряда атомов германия в твердых растворах Pb1.xGexTeviSnI.3lGexTe
      • 4. 3. 1. Результаты, полученные методом рентгеновской эмиссионной спектроскопии
      • 4. 3. 2. Результаты, полученные методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
    • 4. 4. Резюме главы
  • ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИФФУЗИИ ГЕРМАНИЯ В КРИСТАЛЛАХ РЬТе И SnTe
    • 5. 1. Методы изучения твердофазной диффузии (обзор литературы)
      • 5. 1. 1. Методы моделирования и регистрации концентрационных профилей
      • 5. 1. 2. Профильный анализ
      • 5. 1. 3. Послойный анализ
        • 5. 1. 3. 1. Способы снятия слоев с поверхности образца
        • 5. 1. 3. 2. Методы определения концентрации компонентов
      • 5. 1. 4. Обработка диффузионных данных
    • 5. 2. Литературные данные о диффузии примесей в теллуридах свинца и олова
    • 5. 3. Исследование диффузии германия в кристаллах РЬТе и SnTe
      • 5. 3. 1. Приготовление образцов
        • 5. 3. 1. 1. Выбор условий диффузионных отжигов
        • 5. 3. 1. 2. Проведение диффузионных отжигов
      • 5. 3. 2. Регистрация профилей концентраций и расчет коэффициентов диффузии германия
    • 5. 4. Резюме главы
  • ГЛАВА 6. ИЗУЧЕНИЕ ОКИСЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Pb]. JJexTe И Sni.^GexTe
    • 6. 1. Литературные данные об окислении поверхности полупроводников группы
    • 6. 2. Изучение окисления поверхности твердых растворов Pbi. JJexTe и Srii./jeJ'e кислородом воздуха
      • 6. 2. 1. Окисление поверхности бинарных теллуридов
      • 6. 2. 2. Окисление поверхности твердого раствора Pb0.93Ge0.07Te
      • 6. 2. 3. Окисление поверхности твердого раствора Snj. xGexTe
    • 6. 3. Резюме главы
  • ВЫВОДЫ
  • БЛАГОДАРНОСТИ

Синтез и физико-химические свойства твердых растворов Pb1-x Ge xTe и Sn1-x Ge x Te (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Халькогениды А^вУ1 — один из основных материалов современной ИК-оптоэлектроники. Монокристаллы и гетероструктуры на основе теллурида свинца применяют для изготовления лазеров и фотоприемников, работающих в ИК-области спектра, поликристаллические теллуриды свинца и германия — основные компоненты термогенераторов, работающих в среднетемпературном диапазоне (573−873/0. Легированные поликристаллические пленки являются материалом для фотоприемников. Ширина запрещенной зоны соединений А^В™ плавно изменяется в зависимости от состава твердого растворалегирование их различивши примесями позволяет модифицировать энергетический спектр полупроводника, что приводит к появлению необычных эффектов. Так, например, для твердых растворов на основе теллурида свинца (Pbi JStixTe, Pbi-xGexTe и др.), легированных элементами III группы, наблюдались переходы типа металл-диэлектрик, а также долговременные релаксационные процессы при выведении электронной системы из равновесия [1]. Ряд различных по своим характеристикам примесей при введении их в кристаллическую матрицу халькогенидов свинца или твердых растворов, проявляет схожие свойства, например, переменную валентность. Это свидетельствует о влиянии матрицы на энергетический спектр вводимой примеси. Таким образом, понимание фундаментальных аспектов поведения примеси возможно при всестороннем исследовании физико-химических свойств кристаллической матрицы.

Объектами исследования настоящей работы являются твердые растворы Pbi. xGexTe и Sni. xGexTe с xsO.15. Для них известен ряд свойств, таких как зависимость электрофизических параметров, ширины запрещенной зоны, кристаллической структуры и параметра решетки от состава. Изучены области существования твердых растворов. Однако, такие фундаментальные характеристики, как зарядовое состояние атомов, коэффициенты твердофазной диффузии до настоящего времени практически не изучались.

При постановке задачи предполагалось, что поведение германия в исследуемых твердых растворах неодинаково, поскольку разница радиусов атомов свинца и германия гораздо больше, чем олова и германия. Кроме того, теллуриды олова и германия более схожи между собой чем теллуриды свинца и германия по таким параметрам, как, например, форма области гомогенности, температура плавления, основные термодинамические свойства и др.

При образовании твердых растворов происходит изменение локального окружения атомов в кристаллической решетке, что приводит к изменению электронного спектра. Данные по зарядовому состоянию атомов германия могут быть полезны при выявлении корреляций между электронной структурой атомов и электрофизическими свойствами твердых растворов Pbi."GexTe и Sni.JJexTe. С локальной структурой твердого тела и зарядовым состоянием примеси связан процесс диффузии примеси. Изучение диффузионных процессов позволяет выяснить фундаментальные для неорганической химии вопросы, связанные с установлением типа преобладающих точечных дефектов, механизмов массопереноса для основных компонентов и примесей. Кроме того, данные о коэффициентах диффузии атомов необходимы для оптимизации условий синтеза полупроводниковых материалов с заданными свойствами, поскольку синтез материалов (выращивание монокристаллов и пленок, термообработка, создание />-я-переходов) происходит при высоких температурах, когда решающую роль могут играть процессы твердофазной диффузии.

Важной задачей представляется также исследование реакций на поверхности полупроводников, в частности взаимодействия «твердое-газ». С практической точки зрения, актуальным является исследование процесса окисления поверхности полупроводниковых материалов при взаимодействии с кислородом воздуха. Применение современных методов исследования поверхности твердых тел, например, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в сочетании с другими методами, позволяет решать такие фундаментальные задачи, как идентификация продуктов окисления, установление механизмов взаимодействия на атомном уровне, выявление элементов структуры поверхности (точечные и протяженные дефекты, микрорельеф и т. д.), которые ответственны за ее реакционную способность. В связи с этим, в работе поставлены следующие задачи:

1. Синтез кристаллов PbTe, SnTe, GeTe и твердых растворов Pbi./}exTe, Sni-xGexTe.

2. Определение условий синтеза гетероструктур GeTe/BaF2 и GeTe/PbTe, характеристика их структурных и электрофизических параметров.

3. Определение зарядового состояния германия в твердых растворах Pbi. jGexTe и Sni./jexTe cxsO.15.

4. Исследование диффузии германия в теллуридах свинца и олова при введении диффузанта из газовой фазы и из пленки, нанесенной на поверхность кристалла.

5. Изучение процессов, происходящих при взаимодействии поверхности монокристаллов Pbi-xGexTe и Sni-jGexTe с компонентами воздуха.

Работа построена следующим образом: первая глава содержит обзор литературных данных по характеристике исследуемых бинарных теллуридов (область гомогенности, кристаллическая структура, состав пара над твердой фазой, характер химической связи) и фазовым диаграммам квазибинарных системво второй главе приводятся методики синтеза и.

выводы.

1. Методами ПЖК и Бриджмена синтезированы монокристаллы бинарных соединений РЬТе и SnTe и твердых растворов Pbi.^GexTe и Snj.xGexTe. Определены условия синтеза гетероструктур GeTe/BaF2 и GeTe/PbTe методом «горячей стенки». Охарактеризованы состав и структурные параметры полученных кристаллов и пленок. Показано, что в процессе синтеза пленок GeTe/PbTe при температурах подложки до 603 К заметной диффузии компонентов пленки и подложки не происходит.

2. Методом рентгеновской эмиссионной спектроскопии определен эффективный заряд атомов германия в теллуриде германия и твердых растворах Pbi. jGexTe и Sni. J3exTe с xs.0.15. Установлено, что эффективные заряды атомов германия в твердых растворах Pbi. xGexTe и Sni. jGexTe выше, чем в теллуриде германия, однако значительно ниже, чем в Ge02.

3. Для твердого раствора Pbi. JjexTe методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано наличие нескольких компонент в спектрах Ge 2/>3/2 и Ge 3d5j2, что может свидетельствовать о неэквивалентности атомов германия. На атомах теллура обнаружен повышенный отрицательный заряд. В случае твердого раствора Sni. jGexTe в спектре Ge 2руг обнаружена только одна компонента с положительным химическим сдвигом, заряд атомов олова при этом меньше, чем в теллуриде олова.

4. В целях исследования диффузии германия в кристаллах РЬТе и SnTe определены условия получения диффузионных образцов при введении диффузанта из газовой фазы и пленки, нанесенной на поверхность монокристалла. Рассчитаны коэффициенты диффузии германия в РЬТе и SnTe. Показано участие вакансий в процессе диффузии. Определена энергия активации процесса диффузии.

5. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии установлено, что при окислении поверхности твердых растворов Pbi-J3exTe и SnJ3ei-xTe атомы германия обладают наибольшей реакционной способностью. Установлен состав продуктов окисления теллуридов германия и олова и твердых растворов Pbi. xGexTe и SnJJei.xTe. Предложена схема окисления исследованных соединений и твердых растворов.

Благодарности.

Выражаю искреннюю благодарность н.с. Яшиной Л. В. и в.н.с. Штанову В. И. за внимательное отношение к работе, всестороннюю помощь и поддержку в проведении исследований и обсуждении результатов. Глубокая благодарность Бобруйко В. Б. за ценные замечания, высказанные при обсуждении диффузионных экспериментов. А также профессору Санкт-Петербургского государственного университета Макарову Л. Л., доценту Московского института стали и сплавов Кобелевой С. П., Тихонову Е. В., н.с. Козловскому В. Ф. за помощь в проведении рентгеноэмиссионного, фотоэлектронного и рентгенодифрактометрического исследования образцов, асп. Санкт-Петербургского электротехнического университета Бондокову Р. за помощь в синтезе гетероструктур. Искренняя признательность сотрудникам лаборатории физики и химии полупроводников за доброжелательное отношение, поддержку и помощь в повседневной работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .А., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца // Успехи физических наук, 2002, т. 172, № 8, с.875−906.
  2. В.П., Новоселова А. В. Р-Г-дс-диаграммы состояния систем металл халькоген. М.: Наука. 1987,207с.
  3. Zlomanov V.P., Yashina L.V. Phase diagrams and growth of bulk lead chalcogenides crystals. Chapter II. In: Lead chalcogenides: Physics and Applications ed. D. Khokhlov, Gordon&Breach, 2002, p.37−121.
  4. П.В. Синтез и свойства теллурида свинца, легированного хромом // Дисс. канд. хим. наук, М., 1990,198с.
  5. А.С. Физико-химическое исследование систем свинец-селен, свинец-теллур, германий-селен //Дисс. канд. хим. наук, М., 1977, 176с.
  6. A.M. Физико-химическое исследование теллурида свинца // Дисс. канд. хим. наук, М., 1969,129с.
  7. М.А. Теллурид германия и его физические свойства. М.: Наука, 1986,103с.
  8. Л.Е., Томашик В. Н., Грыцив В. И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении: системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, РЬ. М.: Наука, 1991, 368с.
  9. С.Г., Зломанов В. П., Новоселова А. В. О полиморфизме теллурида германия // Доклады АН СССР, 1968, т. 182, № 4, с.832−835.
  10. Hohnke D.K., Holloway Н., Kaiser S. Phase relation and transformations in the system PbTe — GeTe // J. Phys. Chem. Solids, 1972, v.33, № 11, p.2053−2062.
  11. А.П., Беспальцева H.H. Исследование состава и давления пара теллурида германия масс-спектрометрическим методом // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1969, т.5, № 5, с.161−162.
  12. Лю Цюнь Хуа, Пашинкин А. С., Новоселова А. В. Определение давления насыщенного пара твердых селенида и теллурида германия // Ж. неорганич. химии, 1963, т.7, № 5, с.7963−7969.
  13. В.П. Направленный синтез соединений и твердых растворов на их основе // Дисс. докт. хим. наук, М., 1982, 324с.
  14. Brebrick R.F. Partial pressures of Te2 (g) in equilibrium with Ge0 5.iTeo.s+s © from optical density data //J. Phys. Chem. Solids, 1966, v.27, № 9, p.14 905−1503.
  15. B.JI. Критическая оценка, оптимизация фазовой диаграммы и термодинамических свойств в системе Sn-Te // Неорганич. материалы, 1996, т.32, № 3, с.261−272.
  16. Brebrick R.F. Composition stability limits for the rocksalt-structure phase (PbiySny)1.xTex from lattice parameter measurements // J. Phys. Chem. Solids, 1971, v.32, № 2, p.551−562.
  17. Е.И., Горне Г. В., Лаптев C.A. Концентрационные зависимости свойств в области гомогенности SnTe // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1986, т.22, № 1, с.41−44.
  18. Colin R., Drowart J. Thermodynamic study of tin selenide and tin telluride using mass-spectrometer // Trans. Faraday Soc., 1964, v.60, № 496, p.673−683.
  19. Yashina L.V., Leute V. The phase diagrams of quasibinary systems (Pb, Ge) Te and (Sn, Ge) Te // J of Alloys and Compounds, 2000, v.313, p.85−92.
  20. Parker S.G., Pinnel J.E., Swink L.N. Determination of the liquidus-solidus curves for the system PbTe-GeTe //J. Mater. Sci., 1974, v.9, p.1829−1832.
  21. Yashina L.V., Leute V., Shtanov V.I., Schmidtke H., Neudachina V.S. A thermodynamic discription of the quasiternary system PbTe-GeTe-SnTe // Phys. Chem. Chem. Phys., 2003, in press.
  22. Massimo M., Cadoff I.B. Pb-jGexTe solubilities, electrical and optical properties // J. of Electronic Materials, 1976, v.3, № 6, p.601−607.
  23. Л.Е., Абрикосов И. Х., Бессонов В. И. // Изв. АН СССР, Металлургия и горное дело, 1964, № 1, с.180−183.
  24. И.Х., Шелимова Л. Е. О неквазибинарности разрезов GeTe-SnTe и GeTe-PbTe систем Ge-Sn(Pb)-Te // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1986, т.22, № 7, с.1109−1114.
  25. Э.А., Зломанов В. П., Тананаева О. И., Новоселова А. В. Построение элементов р-Т-х-у диаграммы системы Pb-Ge-Te // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1991, т.27, № 3, с.487−490.
  26. О.Ш., Дегальцев А. И., Кононов Г. Г. Лавриенко И.П., Нечепуренко Э. В. Область гомогенности в системе GeTe-PbTe // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1988, т.24, № 6, с.925−927.
  27. Mazelsky R., Lusell M.S., Kramer W.E. Phase studies of the group IV-A tellurides // J. Chem. Phys., 1962, v.37, № 1, p.45−47.
  28. И.Х., Авилов Е. С., Карпинский О. Г., Шелимова JI.E. Физико-химическое исследование сплавов системы GeTe-PbTe в области твердых растворов на основе GeTe // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1981, т.17, № 9, с.1586−1590.
  29. Wooley J.C., Nikolic P. Some properties of GeTe-PbTe alloys // J. Electrochem. Soc., 1965, v.112, p.82−84.
  30. С.Г., Зломанов В. П., Новоселова A.B., Метлин Ю. Г. Физико-химическое изучение системы PbTe-GeTe II Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1969, т.5, № 1, с.270−274.
  31. С.Г., Белоусов В. И., Сидоров JI.H., Зломанов В. П., Новоселова А. В. Масс-спектр насыщенного пара системы GeTe-PbTe II Ж. физич. химии, 1968, т.42, № 1, с.216−217.
  32. Balde L., Legendre В., Balkhi A. Etude du diagramme d’equilibre entre phases du systeme ternaire germanium-etain-tellure // J. of Alloys and Com., 1994, v.216, p.285−293.
  33. H.X., Шелимова JI.E. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. М.: Наука, 1975,269с.
  34. В.В. Собственные энергетические уровни соединений А™В™. Кишинев: Штиинца, 1981,284с.
  35. .Я. Влияние дефектов на сегнетоэлектрический фазовый переход (GexPbj.xTe, SnxPbj. xTe) II Физика твердого тела, 1984, т.26, № 2, с.578−580.
  36. Grandke Т., Ley L., Cardona М. Angle-resolved uv photoemission and electronic band structures of the lead chalcogenides // Phys. Rev. B, 1978, v.18, № 8, p.3847−3871.
  37. Shalvoy R.B., Fisher G.B., Stiles R.Y. Bond ionicity and structural stability of same average-valence five materials studied by X-Ray photoemission // Phys. Rev., 1977, v.15, № 4, p. 16 801 697.
  38. P.JI., Нефедов В. И. Рентгено-спектральное определение заряда атомов в молекулах. М.: Наука, 1966,247с.
  39. О.И. Эффект химического смещения рентгеновских К^-линий в тяжелых атомах. Систематика экспериментальных данных и сравнение с теорией // Ж. эксперим. и теор. физики, 1969, т.57, № 11, с.1716−1727.
  40. С.В., Аксенов Н. Д., Макаров JI.JI. Рентгеноспектральное исследование стекол и кристаллов системы Ge-Se // Физика и химия стекла, 1992, т. 18, № 3, с.23−39.
  41. Г., Майзель А. Рентгеновские /Г-спектры германия в некоторых его соединениях II Изв. АН СССР. Сер. Физическая, 1976, т.40, № 2, с.379−384.
  42. .П. Физическая химия полупроводников. М.: Металлургия, 1969,224с.
  43. Е., Пирсон В. Химическая связь в полупроводниках. В кн. «Полупроводниковые вещества. Вопросы химической связи. Пер. с англ. под ред. B. J1. Жузе. М.: Изд-во иностр. литер., 1960, с. 134−158.
  44. Л.Е., Абрикосов Н. Х., Жданова В. В. Система Ge-Te в области соединения GeTeIIЖ. неорганич. химии, 1965, т. Ю, № 5, с.1200−1205.
  45. Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982,558с.
  46. С.В., Иванов Д. И., Саунин И. В., Яськов Д. А. Фазовые и структурные характеристики пленок РЬ^ПхТе // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1990, т.26, № 9, с. 1847−1852.
  47. В.А., Нгуен Н. Ч., Румянцева А. И. Рентгеноспектральный микроанализ твердых растворов Pbi.x.?nxIn{Te методом отоношения относительных иетенсивностей. // Неорганич. материалы, 1997, т. ЗЗ, № 7, с.798−802.
  48. Belyansky М.Р., Gaskov А.М., Strelkov A.V. Chalcogen interdiffusion in PbSe/PbTe heterostructures // Mater. Sci. and Engeneering, 1992, v.15, p.78−81.
  49. Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник. М.: Металлургия, 1974,444с.
  50. Е.В., Зыков B.C., Смирнов Ю. П., Исаев Э. П., Сумбаев О. И. Установка для измерения малых энергетических смещений рентгеновских линий. Л.: ЛИЯФ, Препринт, 1966,23с.
  51. М.Т. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, М.: Мир, 1987,480с.
  52. Shalloy R.B., Fisher G.B., Stiles P.J. Bond ionicity and structural stability of some average-valence-five materials studied by X-Ray photoemission // Phys. Rev. B, 1977, v.15, № 4, p.1680−1697.
  53. Zlomanov V.P., Tkalich A.K. Charge impurity states of In, Ga, Ge in the narrow-gap PbTe // SPIE, 1999, v.3890, p.158−162.
  54. Bettini M., Richter H.J. Oxidation in air and thermal desorption on PbTe, SnTe and Pb0. sSn0.2Te surfaces // Surf. Sci., 1979, v.80, p.334−343.
  55. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Бриггса Д. и Сиха М. П. М.: Мир, 1987,598с.
  56. Shevchik N.J., Tejeda J., Langer D.W., Cardona M. Similarities in the valence bands of amorphous and crystalline GeTe determined by X-Ray photoemission // Phys. Rev. Letters, 1973, v.30, № 14, p.659−662.
  57. Lippens P.E., Brouse E., Jumas J.C. Local electronic structure of the tellurium atoms in As2Te3 GeTe compounds // J. Phys. Chem. Solids, 1999, v.60, p.1663−1668.
  58. Hesse R., Chasse Т., Szargan R. Peak shape analysis of core level photoelectron spectra using UNIFIT fot WINDOWS. // Fresenius J. Anal. Chem., 1999, v.365, p.48−54.
  59. P., Паркер P. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974, 540с.
  60. Э.А., Зломанов В. П., Новоселова А. В., Тананаева О. И. Синтез кристаллов Pbi.xGexTe направленной кристаллизацией расплавов // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1987, т.23, № 1, с. 161−162.
  61. A.M., Комиссаров В. Н., Гаранин В. К., Зломанов В. П., Новоселова А. В. Т-х-у диаграмма системы Pb-Sn-Te и рост кристаллов (Pbj.xSn^j.yTey из расплава. // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1980, т.16, № 2, с.268−271.
  62. Szczerbakow A. Influence of thermal radiation on crystal growth by sublimation of IV-VI solid solutions on source material // J. of Crystal Growth, 1987, v.82, p.709−716.
  63. Wiedemeyer H., Chandra D., Klassig F.G. GeSe crystal growth by / transport // J. of Crystal Growth, 1980, v.51, p.345−349.
  64. Yashina L.V., Shtanov V.I., Yanenko Z.G. The application of VLS growth technigue to bulk semiconductors //J. of Crystal Growth, 2003, v.252, № 1−3, p.68−78.
  65. З.Г., Штанов В. И., Зломанов В. П. Выращивание кристаллов Pbi.?nxTe по механизму пар-жидкость-кристалл при небольшших градиентах температуры // Изв. АН СССР, Неорган, матер., 1990, т.26, № 5, с.437−438.
  66. Тонкие пленки: взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж.Мейера. М.: Мир, 1982,567 с.
  67. Fedorov A.G., Shneiderman I.A., Sipatov A.Yu., Kaidalova E.V. X-Ray diffraction investigation of diffusion in PbTe-PbSe superlatticec // J. of Cryst. Growth, 1999, v.198/199, p.1211−1215.
  68. В.И., Постнова Л. И. Влияние вакуумного отжига на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок сульфида свинца // Неорганич. материалы, 1996, т.32, № 9, с.1066−1068.
  69. В.Т., Селиванов Ю. Г., Чижевский Е. Г. Фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев селенида свинца // Физика и техника полупроводников, 1996, т.30, № 4, с.755−763.
  70. Н., Sakashita Т., Fujiyasu Н. (р/п) РЬТе multiple-layer films prepared by a hot wall technique // J. Appl. Phys., 1981, v.52, № 4, p.2869−2871.
  71. Saloniemi H., Kanniainen Т., Ritala M., Leskela M. Electrodeposition of РЬТе thin films // Thin Solid Films, 1998, v. 326, p.78−82.
  72. В.Ш., Греков Ю. А., Дворецкий C.A., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Машанов В. И. Выращивание фоточувствительных структур на основе Pbi.?nxTe методом жидкофазной эпитаксии // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1982, т.18, № 3, с.388−390.
  73. Л.П., Гегиадзе Г. Г., Даварашвили С. И., Должнов Л. М., Енукашвили М. И., Кекелидзе Н. П., Шотов А. П. Жидкофазовая эпитаксия тройных и четверных твердых растворов соединении А^В*. Тбилиси.: ТГУ, 1994,182с.
  74. Л., Лидейкис Т., Норейка В. Диффузионные процессы на границе гетероструктур PbTe/PbosSnojTe, выращенных жидкофазной эпитаксией // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1990, т.26, № 1, с.72−75.
  75. Г. И., Рябец С. И., Трейгер Б. А., Царенко О. Н. Легирование Pbi.xSnxTe переходными металлами // Неорганич. материалы, 1992, т.28, № 4, с.899−901.
  76. А.В., Медведев Ю. В., Берченко Н. Н. Термическое вакуумное напыление пленок полупроводниковых соединении группы AwBvl II Зарубежная электронная техника, 1982, № 11, с.54−115.
  77. Wales J., Black P.V. The optical properties of РЬТе films in the 5−20 fjm wavelength region I I Thin Solid Films, 1971, v.7, № 5, p.325−339.
  78. Tao T.F., Wang C.C. Epitaxial growth of Pbo. gj8Sn0.o82Se films on CaF2 and BaF2 substrates I I J. Appl. Phys., 1972, v.43, № 3, p.1313−1316.
  79. Jalochovski M., Subotowicz M. Electron tunneling in PbJ$ni.xTe alloys // Thin Solid Films, 1976, v.36, № 1, p.121−124.
  80. Lopez-Otero A. Hot wall epitaxy // Thin Solid Films, 1978, v.49, p.3−57.
  81. Д.И., Саунин И. В., Яськов Д. А. Электрические свойства р-п-переходов на основе пленок теллурида свинца // Физика и техника полупроводников, 1984, т.18. № 5, с.818−820.
  82. Kinoshita Н., Jujiyasu Н. PbTe-Pbi-jSnxTe superlattices prepared by a hot wall technique // J. Appl. Phys., 1980, v.51, № 11, p.5845−5864.
  83. Я.А., Самойлов A.M., Сыноров Ю. В., Яценко О. Б. Электрофизические свойства тонких пленок РЬТе, выращенных на Si-подложках // Неорганич. материалы., 2000, т.36, № 5, с.550−555.
  84. О.Н. Синтез эпитаксиальных гетероструктур с согласованными параметрами кристаллической решетки на основе твердых растворов А^В™. II Дисс. канд. хим. наук, М., 1986, 282с.
  85. Rappl Р.Н.О., Closs Н., Ferreira S.O., Abramof Е., Boschetti С., Motisuke P., Ueta A.Y., Bandeira I.N. Molecular beam epitaxial growth of high quality Pbi.?nxTe layers with Osxsl // J. of Crystal Growth, 1998, v.191, p.466−471.
  86. Partin D.L. Diode lasers of lead-europium-selenide-telluride grown by molecular beam epitaxy //Appl. Phys. Lett., 1983, v.43, № 11, p.996−997.
  87. Sahay S.S., Guruswamy S. Epitaxial growth of PbTe film on Si substrate // J. of Mater. Sci. Letters, 1998, v.17, p. l 145−1147.
  88. Zemel J.N. Recent developments in epitaxial IV-VI films // J. of Luminescence, 1973, v.7, p.524−541.
  89. Ю.Г., Ильчук Г. А., Павлишин С. П., Петренко С. И. Эпитаксиальные слои Pbi.x$nxTe, выращенные методом химических транспортных реакций // Вестник Львовского политехи, института, 1987, № 215, с.122−123.
  90. В.И., Банин Е. С., Гусаров А. В., Терехович Т. Ф., Пелевин О. В., Николаев М. И. Исследование гетеропереходов п -РЬ i .^nxTe-p-Pb i -х$пхТе II Физика и техника полупроводников, 1978, т.12, вып.9, с.1714−1718.
  91. Clemens Н., Ofner P., Krenn Н., Bauer G. Epitaxial growth of Pbi.^GexTe films and of PbTelPbj. xGexTe superlattices // J. of Crystal Growth, 1987, v.84, p.571−576.
  92. Miiller P., Zogg H., Fach A., John J., Paglino C., Tiwari A.N., Krejci M., Kostorz G. Reduction of threading dislocations densities in heavily lattice mismatched PbSe on Si (111) by glide I I Phys. Rev. Letters, 1997, v.78, № 15, p.3007−3010.
  93. Ю.Н. Изучение процессов диффузии компонентов и примесей в системе свинец-олово-теллур //Дисс. канд. хим. наук, М., 1980,160с.
  94. С.Л., Саунин И. В., Яськов Д. А. Влияние состава на структуру и электрофизические свойства пленок твердых растворов Pbi.^nxTe II Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1983, т. 19, № 1, с.55−58.
  95. М.В., Алиханян А. С., Зломанов В. П., Яшина Л. В. Масс-спектрометрическое исследование газовой фазы над теллуридом германия // Неорганич. материалы, 2002, т.38, № 6, с.682−686.
  96. P.JI. Магнетохимия. М.: Мир, 1989,321с.
  97. А.Г., Федин Э. И. ЯМР-спектроскопия. М.: Наука, 1986,223с.
  98. Р. Физические методы в химии. М.: Мир, 1981, т. 1,2.
  99. Е.Л. Принципы электронной туннельной спектроскопии. Киев: Наукова думка, 1990, 454с.
  100. Рентгеноспектральный метод изучения структуры аморфных тел: EXAFS-спектроскопия. Под ред. Г. М. Жидомирова, Новосибирск: Наука, 1988,306с.
  101. Д., Снейвили М., Балкин Б. Применение спектроскопии КР в химии. М.: Мир, 1984,216с.
  102. А., Леонхардт Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь. Киев: Наукова думка, 1981,419с.
  103. Tupitsyn I.I., Makarov L.L., Batrakov J.F. Sing of the spin-polarized effects in the chemical shifts of the X-Ray Си Каг emission transitions // J. Phys. Chem. Solids, 1998, v.59, № 5, p.809−817.
  104. B.M., Ханонкинд M.A. Влияние ионизации атома на энергию рентгеновских переходов // Изв. АН СССР, сер. Физич., 1971, т.34, № 1, с.86−93
  105. Р.И., Грабаускас Д. В., Киселев А. А. Сдвиги жесткой рентгеновской линии при образовании нескольких вакансий в электронных оболочках // Литовский физич. сборник, Вильнюс, 1974, т. 14, № 2, с.249−261.
  106. В.И., Симкин Б. Я., Миняев P.M. Теория строения молекул. Ростов-на-Дону: Феникс, 1997,558с.
  107. Л.Л., Зайцев Ю. М., Батраков Ю. Ф. О применимости приближения свободного атома при интерпретации химических сдвигов рентгеновских эмиссионных линий // Теор. и эксперим. химия, 1976, т.12, № 1, с.78−84.
  108. В.И., Черепин В. Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. М.: Наука, 1983,295с.
  109. В.Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П. Идентификация одно- и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом мессбауэровской спектроскопии // Физика и техника полупроводников, 1996, т. ЗО, № 5, с.840−851.
  110. В.Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П., Ермолаев А. В., Иркаев С. М. Электрическая активность изоэлектронной примеси германия в халькогенидах свинца // Физика и техника полупроводников, 1997, т.31, № 3, с.381−383.
  111. Л.В., Зарубо С. В., Виноградова М. Н., Никулин Ю. А., Гарцман К. Г. Об энергетическом спектре примесных состояний Sn и Ge в твердых растворах на основе халькогенидов свинца // Физика и техника полупроводников, 1982, т. 16, № 12, с.2136−2140.
  112. А.И. Сегнетоэлектрические фазовые переходы в полупроводниках группы А’ВР, обусловленные нецентральными примесями // Дисс. докт. физ.-мат. наук, М., 1993, 421с.
  113. Islam Q.T., Bunker В.А. Ferroelectric transition in Pbi-xGexTe: extended X-Ray-absorption fine-structure investigation of the Ge and Pb sites // Phys. Rev. Letters, 1987, v.59, № 23, p.2701−2704.
  114. Baltrtinas D. Quadrupole interaction of 119Sn in solid solutions of tin chalcogenides // Phys. Stat. Sol. B, 1997, v.204, p.811−815.
  115. С.А., Дарчук С. Д., Пляцко С. В., Сизов Ф. Ф., Тетеркин В. В. Поведение примеси индия в монокристаллах теллурида свинца II Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1988, т.24, № 10, с.1618−1622.
  116. Л.Л., Батраков Ю. Ф. Зломанов В.П., Демин В. Н. Состояние атомов Ga и In в кристаллах РЬТе по данным их эмиссионных /С-спектров // Ж. неорганич. химии, 1997, т.42, № 2, с.287−291.
  117. С.А., Прошин В. И., Абайдулина Т. Г. Влияние квазилокальных состояний In на дефектообразование в РЬТе II Физика и техника полупроводников, 1996, т.ЗО, № 7, с. 12 851 292.
  118. В.И., Рыков С. А., Рыкова М. А., Сюрис О. В. Исследование метастабильных квазилокапьных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии // Физика и техника полупроводников, 1990, т.24, № 1, с. 144−151.
  119. А.И., Иванчик И. И., Попович 3., Ромчевич Н., Хохлов Д. Р. Структура .ОХ-подобных центров в узкозонных полупроводниках А^В™, легированных элементами III группы // Физика и техника полупроводников, 1998, т.32, № 6, с.679−683.
  120. В.М., Тетеркин В. В., Сизов Ф. Ф., Пляцко С. В., Белоконь С. А. Поведение примеси Ga в монокристаллах РЬТе II Укр. физический журнал, 1984, т.29, № 5, с.757−759.
  121. А.Н., Волков Б. А., Волошок Т. Н., Кувшинников С. В. Неравновесная парамагнитная восприимчивость примесных центров галлия в теллуриде свинца // Ж. эксперим. и теор. физики, 1998, т.114, вып.5(11), с.1859−1867.
  122. .А., Вертелецкий П. В., Зломанов В. П., Рябова Л. И., Тананаева О. И., Широкова Н. А. Осцилляции Шубникова-де-Гааза в РЬТе(Сг) // Физика и техника полупроводников, 1989, т.23, вып.2, с.244−249.
  123. Story Т., Wilamowski Z., Grodzicka Е., Witkowska В., Dobrowolski W. Electron paramagnetic resonance of Cr in РЬТе I I Acta Physica Polonica A, 1993, v.84, № 4, p.773−775.
  124. Mac W., Story Т., Twardowski A. Magnetization of Pbi. xCrxTe semimagnetic semiconductor I I Acta Physica Polonica A, 1995, v.87, № 2, p.492−494.
  125. Story Т., Grodzicka E., Witkowska В., Gorecka J., Dobrowolski W. Transport and magnetic properties of PbTe. Cr and PbSnTe. Cr // Acta Physica Polonica A, 1992, v.82, № 5, p.879−881.
  126. В.И., Заячук Д. М., Иванчук Р. Д., Кемпник В. И., Микитюк В. И. Эффективный магнитный момент примеси гадолиния в кристаллах PbTe и PbSe // Неорганич. материалы, 1996, т.32, № 5, с.551−555.
  127. Golacki Z., Heinonen М. Valency of selected rare-earth ions in SnTe matrix // Acta Physica Polonica A, 1997, v.91, № 4, p.779−782.
  128. Golacki Z., Heinonen M. Valency of Yb in PbS and РЬТе determined by XPS // Acta Physica Polonica A, 1997, v.91,775−778.
  129. Story Т. IV-VI semimagnetic semiconductors with rare earth ions // Acta Physica Polonica A, 1997, v.92, № 4, p.663−672.
  130. Zayachuk D.M., Kempnyk V.I., Bednarsky W., Waplak S. Two charge states of Gd-impurities in the PbTe. Gd crystals // J. of Magnetism and Magnetic Mater., 1999, v.191, p.207−209.
  131. Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д.Шоу. М.: Мир, 1975, 684 с.
  132. П. Диффузия в твердых телах. М.: Металлургия, 1966, 195 с.
  133. Г. М., Джафаров Т. Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат, 1980, 280 с.
  134. Kikaldy J.S. Diffusion in the condensed state. London.: The Institute of Metals, 1987,512 p.
  135. JI., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989, 342с.
  136. Г. П. Диффузия компонентов и примесей в халькогенидах А4Е? и А* В* // Дисс. канд. химия, наук, М, 1986, 185с.
  137. Рид С. Электронно-зондовый микроанализ. М.: Мир, 1979,423с.
  138. A.M. Направленный синтез трехкомпонентных твердых растворов халькогенидов свинца и олова для оптоэлектроники // Дисс. докт. химич. наук, М, 1988, 487с.
  139. В.А. Аналитическая химия германия. М.: Наука, 1973,264с.
  140. К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990,496с.
  141. Breitsameter В., Hartmann W., Lowe Н. Chemical lap polishing of РЬТе and Pb.^SnxTe crystals // Krist. und Technik, 1980, v. 15, № 4, p.497−503.
  142. Partin D.L., Thrush C.M. Anodic oxidation of lead telluride and its alloys.// J. Electrochem. Soc., 1986, v. 133, № 7, p. 1337−1340.
  143. C.B., Васина С. Я., Гаськов A.M., Петрий O.A., Зломанов В. П. Электрохимические реакции на поверхности полупроводников А^В™ в водных буферных растворах // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1990, т.26, № 1, с. 60.
  144. NorT М.К. An electrolytic polish etch for lead telluride // J. Electrochem. Soc., 1962, v.109, № 5, p.433−439.
  145. Powell C.J., Seah M. P Critical review. Precision, accuracy, and uncertainty in quantitative surface analysis by Auger-electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy // J. Vac. Sci. and Technology A, 1990, v.8, № 2, p.735.
  146. Grazhulene S.S., Popandopulo Y. I, Chaplygina N.I. Combination of impurity pre-concentration in compound semiconductors with different methods of analysis // Analyst, 1987, v.112, № 4, p.455−457.
  147. О.И. Вольтамперометрическое изучение и использование в анализе молибденовых гетерополисоединений Si и Ge II Дисс. канд. хим. наук, М., 1992, с. 28.
  148. Belyansky M.P., Gaskov A.M., Strelkov A.V. Chalcogen interdiffusion in PbSe/PbTe heterostructures // Mater. Sci. and Engeneering, 1992, v.15, p.78−81.
  149. E.M., Солдатов B.C., Дунаев С. Ф. Количественное описание процессов взаимной диффузии в многокомпонентных системах. М., 1987, Химфак МГУ, деп. ВИНИТИ N4685-B87 от 25.06.87.
  150. .И., Мохов Ю. Н. Самодиффузия и диффузия примесей в теллуриде и селениде свинца II Ж. техн. физики, 1958, т.28, № 5, с.1047−1050.
  151. Leute V., Schmidtke Н. Untersuchungen zum diffusionsmechanismus in den quasibinaren halbleiterlegierungen (Pb, Sn) Te und (Pb, Sn) Se // Ber. Bunsenges. Physik. Chem., 1975, v.79, № 10, s. l 134−1140.
  152. M.B., Дедегкаев Т. П., Мошников В. А. Диффузия олова в РЬТе при легировании из газовой фазы // Физика твердого тела, 1984, т.26, вып.7, с.2200−2202.
  153. Sishe D., Ermisch W. Investigation of Sn diffusion in Pbu? nxTe and РЬТе I I Kristall. und Technick., 1980, v.15, № 9, p. 1043−1049.
  154. Leute V., Hornischer R. Die interdiffusion der chalkogene in der halbleiterlegierung Pb (Se, Te) //Z. fur Physik. Chemie Neue Folge, 1974, B.93, № 1−6, s.33−52.
  155. Ban Y., Wagner J.B. Diffusion of selenium-75 in lead chalcogenides // J. Appl. Phys., 1970, v.41, № 7, p.2818−2823.
  156. JI.П. Объемная и поверхностная диффузия серебра в теллуридах свинца и олова // Неорганич. материалы, 1994, т.30, № 2, с. 176−178.
  157. Л.П., Симирская Г. П. Радиохимическое исследование процессов растворения и миграции висмута в теллуриде свинца и твердых растворах на его основе.// Радиохимия, 1988, т.30,№ 1, с. 148 -152.
  158. Kulvitit J., Rolland S., Grander R., Pelletier C. Diffusion coefficient of Cd in p-type lead telluride // J. Phys. Chem. Solids, 1984, v.45, № 8/9, p.977−979.
  159. Л.П., Симирская Г. П. Диффузия кадмия в сильнолегированном теллуридесвинца и твердых растворах на его основе. // Вестник МГУ, Серия 2, Химия, 1988, т.29, № 2, с. 185−190.
  160. George T.D., Wagner J.B. The diffusion of nickel and chlorine into p-type lead telluride at 700 C. // J. Electrochem. Soc., 1968, v. l 15, № 9, p.956−961.
  161. George T.D., Wagner J.B. Diffusion of nickel and chlorine into lead telluride. // J. Electrochem. Soc., 1969, v. l 16, № 6, p.848−854.
  162. Crocker A.J., Doming B.F. Diffusion of sodium in lead telluride.// J. Phys. Chem. Solids, 1968, v.29, № 1,р.155−161.
  163. Л.П., Симирская Г. П. Диффузия радиоактивного 77 в теллуриде свинца и твердых растворах Pb0.sSn0.2Te и PbTe0.92Se0.08 // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1987, т.23, № 6, с.916−919.
  164. Silberg Е., Sternberg Y., Yellin N. Cadmium diffusion into РЬТе // J. of Solid State Chem., 1981, v.39, p.100−105.
  165. Assenov R., Moshnikov V.A., Yaskov D.A., Andreev A.P., Bestaev M.V. Diffusion of iodine in lead telluride // Cryst. Res. Technol., 1987, v.22, № 9, p. l 159−1163.
  166. B.M., Дудкин Л. Д., Петрова Л. И. Исследование и анализ диффузионных процессов в контактах GeTe-SnTe-Fe II Неорганич. материалы, 2000, т.36, № 1, с.21−27.
  167. А.В., Василькова О. Г., Лебедева В. Б., Мюллер Н. Н. Измерение параметров диффузии в халькогенидах IV группы // Заводская лаборатория, 1970, № 9, с.1091−1092.
  168. Л.В., Бобруйко В. Б., Зломанов В. П., Белянский М. П., Дерновский В. И., Молчанов М. В. Оптимизация условий отжига для получения кристаллов (Pbi.jjGex^.^ej+s заданного состава // Неорганич. материалы, 1995, т.31, № 10, с. 1340−1346.
  169. .И., Мохов Ю. Н. Диффузия свинца в теллуристом свинце // Ж. технич. физики, 1956, т.26, вып.11, с.2448−2450.
  170. В.П., Новоселова А. В. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом//Доклады АН СССР, 1962, т.143,№ 1. С.115−118.
  171. О.И., Сапожников Р. А., Новоселова А. В. Изучение окисления теллурида свинца кислородом // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1969, т.5, № 4, с.737−740.
  172. С.В., Малинский И. М., Кузнецов В. Л., Богданов А. А., Гаськов A.M., Зломанов В. П. Влияние кислорода на свойства Pb.xSnxTe (х=0- 0.2) // Изв. Ан СССР, Неорганич. материалы, 1989, т.25, № 7, c. l 113−1116.
  173. М.И., Фирсанова Л. А., Бейлин А. Ю., Обухов О. П. Исследование окисления теллурида олова // Термоэлектрические материалы. Сборник научных трудов. М.: Изд-во МИСИС, 1971, с.45−50.
  174. Ю.Б., Кобяков В. П., Челнокова Л. П. Окисление в атмосферных условиях порошкообразных теллуридов германия, олова и свинца // Порошковая металлургия, 1973, т.123, № 3, с.51−56.
  175. О.Ш., Дегальцев А. Н., Кононов Г. Г., Лавриенко И. П., Ладыкин С. П. Поведение кислорода в теллуриде германия // Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1988, т.24, № 7, С.1108−11И.
  176. O.K., Зломанов В. П., Дудкин Л. Д., Нарва О. М. Изучение окисления теллурида германия. В кн. «Химия и физика халькогенидов», Киев: Наукова думка, 1977, с.82−83.
  177. В.В., Дашевский З. М., Ерусалимская Т. М., Котельников В. А., Руленко М. П. Влияние кислорода на барьерные эффекты в блочных монокристаллических пленках р-РЬТе II Физика и техника полупроводников, 1984, т. 18, вып.6, c. l 118−1120.
  178. А.А., Беккер А. А., Несмеянов А. Н. Об окислении в теллуридных системах элементов четвертой группы // Латвийский государственный университет, Ученые записки, 1972, т. 166, с.27−32.
  179. Л.Н., Макеева К. В., Арчаков Ю. И. Механохимическое окисление SnTe Ц Изв. АН СССР, Неорганич. материалы, 1979, т.15, № 8, с.1352−1355.
  180. Ю.В., Олоновский А. Н., Зломанов В. П., Зарифьянц Ю. А. Кинетика роста и фазовый состав пленок, образующихся при окислении монокристалла сульфида свинца // Ж. неорганич. химии, 1977, т.22, вып.8, с.2073−2074.
  181. И.Р., Жубанова Н. Х., Куанышев А. Ш. Механизм реакции окисления сульфида свинца // Комплексное исследование минерального сырья, 1988, № 8, с.92−94.
  182. Zingg D.S., Hercules D.M. Electron spectroscopy for chemical analysis studies of lead sulfide oxidation//J. of Phys. Chem., 1978, v.82, № 18, p.1992−1995.
  183. Buckley A.N., Woods R. An X-Ray photoelectron spectroscopic study of the oxidation of galena//Appl. Surf. Sci., 1984, v.17, p.401−414.
  184. Fornasiero D, Li F., Ralston J., Smart R.St. Oxidation of galena surface. I. X-Ray photoelectron spectroscopic and dissolution kinetics studies // J. of Colloid and Interface Sci., 1994, v.164, p.333−344.
  185. Laajalehto K., Kartio I., Nowak P. XPS study of clean metal sulfide surfaces // Appl. Surf. Sci., 1994, v.81, p.11−15.
  186. Nowak P., Laajalehto K. Oxidation of galena surface an XPS study of the formation of sulfoxy species // Appl. Surf. Sci., 2000, v.157, p. 101−111.
  187. Kim B.S., Hayes R.A., Prestidge C.A., Ralston J., Smart R.St.C. Scanning tunneling microscopy studies of galena: the mechanism of oxidation in air // Appl. Surf. Sci., 1994, v.78, p.385−397.
  188. Evans S., Raftery E. Electron spectroscopic studies of galena and its oxidation by microwave-generated oxygen species and by air // J. Chem. Soc., Faraday Trans., 1982, v.78, p.3545−3560.
  189. Brion D. Photoelectron spectroscopy of the superficial degradation of FeS2, CuFeS2, ZnS and PbS in air and in water// appl. Surf. Sci., 1980, v.5, p.133−152.
  190. Becker U., Hochella M.FJr. The calculation of STM images, STS spectra, and XPS peak shifts for galena: new tools for understanding mineral surface chemistry // Geochimica and Cosmochimica Acta, 1996, v.60, № 13, p.2413−2426.
  191. Shapter J.G., Brooker M.N., Skinner W.M. Observation of the oxidation of galena using Raman spectroscopy // Int. J. Miner. Process., 2000, v.60, p.199−211.
  192. Gautier C., Cambon-Muller M., Averous M. Study of PbSe layer oxidation and oxide dissolution // Appl. Surf. Sci., 1999, v.141, p.157−163.
  193. Green M., Lee M.J. The interaction of oxygen with clean lead telluride surfaces // J. Phys. and Chem. Solids, 1966, v.27, № 5, p.797−804.
  194. Sun T.S., Byer N.E., Chen J.M. Oxygen uptake on epitaxial PbTe (111) surfaces I I J. Vac. Sci. Technol., 1978, v.15, № 2, p.585−589.
  195. Sun T.S., Buchner S.P., Byer N.E., Chen J.M. Oxygen uptake on an epitaxial PbSnTe (111) surfaces // J. Vac. Sci. Technol., 1978, v.15, № 4, p.1292−1297.
  196. Hagstrom A.L., Fahlman A. The interaction between oxygen and the lead chalcogenides at room temperature studied by photoelectron spectrometry // Appl. Surf. Sci., 1978, № 1, p.455−470.
  197. E.B. Исследование окисления поверхности кристаллов теллурида свинца методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Дипломная работа, М.: МГУ, 2003,88с.
  198. Dai G., Jiang X., Zhang Y. Excimer laser deposition and characteristics of tin oxide thin films // Thin Solid Films, 1998, м.320, № 2, p.216−219.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?