Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Межфазные явления в многокомпонентных растворах, соединениях и гетерогенных структурах

Диссертация: Межфазные явления в многокомпонентных растворах, соединениях и гетерогенных структурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследование профилей распределения атомов отдачи алюминия и бомбардирующих ионов бора в кремнии, полученных при бомбардировке системы пленка, алюминиякремний ионами бора, показало, что при толщине пленки алюминия 100 и 170 нм образуется слой, легированный алюминием и бором. Толщина сдоя, легированного алюминием — 350 нм, бором — 300 нм. Средняя доля атомов алюминия в них — 0,01−0,02% и бора… Читать ещё >

Содержание

  • Введние
  • 1. Термодинамическая теория межфазных явлений на границе раздела конденсированных фаз в изобарических условиях
    • 1. 1. Краткий обзор исследований. межфазной сегрегации и межфазного натяжения на границе раздела конденсированных фаз.,
    • 1. 2. Уравнения изобар состава межфазного слоя и межфазного натяжения в бинарных системах на границе конденсированных фаз
      • 1. 2. 1. Приближение идеальных растворов
      • 1. 2. 2. Многокомпонентные системы в приближении идеальных растворов
      • 1. 2. 3. Нулевое приближение теории регулярных растворов
      • 1. 2. 4. Первое приближение теории регулярных растворов
      • 1. 2. 5. Приближение субрегулярных растворов
    • 1. 3. Адгезия, краевой угол смачивания и коэффициент растекания на границе раздела конденсированных фаз
    • 1. 4. Активность малых примесей на межфазных границах бинарных конденсированных фаз в изобарических условиях
  • Выводы из 1 главы
  • 2. Аппаратура и методика вторично-ионной и электронной спектрометрии для исследования поверхностных и межфазных слоев материалов
    • 2. 1. Экспериментальные установки. для исследования состава, структуры и профилей распределения элементов с помощью ионных пучков
      • 2. 1. 1. Метод вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС)
      • 2. 1. 2. Спектроскопия обратно-рассеянных ионов низкой энергии
    • 2. 2. Экспериментальные установки для изучения химического состава, атомной и электронной структуры поверхностного слоя материалов методами электронной спектроскопии
  • Выводы из 2 главы
  • 3. Исследование методами ионной спектроскопии поверхностной сегрегации и профилей распределения элементов в бинарных системах
    • 3. 1. Исследование методом ВИМС профилей распределения сегрегировавщих элементов в поверхностном слое кристаллов
      • 3. 1. 1. Методические особенности исследования распределения элементов в поверхностном слое материалов с помощью ВИМС
      • 3. 1. 2. Исследование профилей распределения элементов в поверхностном слое монокристаллических твердых растворов Си-А1 и Cu-Ge методом ВИМС. л
      • 3. 1. 3. Сегрегация элементов в поверхностном слое интерметаллидов типа фаз Лавеса
      • 3. 1. 4. Исследование методом ВИМС распределения элементов в поверхностном слое монокристаллов InSb (111) и GaP (111)
      • 3. 1. 5. Определение параметров диффузии в поверхностном слое кристаллов
    • 3. 2. Исследование методом СОРИНЭ поверхности кристаллов
      • 3. 2. 1. Современное состояние исследований поверхности кристаллов методом СОРИНЭ
      • 3. 2. 2. Исследование методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий структуры поверхности монокристалла
  • Си + 6 ат. %Ge (111)
  • Выводы из 3 главы
  • 4. Особенности поверхностной сегрегации легирующих примесей в элементарных полупроводниках
    • 4. 1. Поверхностная сегрегация и профили распределения элементов в поверхностном слое полупроводниковых кристаллов
    • 4. 2. Влияние заряда в поверхностном слое на перераспределение примеси в полуограниченном полупроводниковом кристалле
    • 4. 3. Теоретическое рассмотрение поверхностной сегрегации примесей n-типа в кристаллах кремния и германия
    • 4. 4. Расчет термодинамических характеристик поверхности легированного кремния и коэффициентов диффузии примесей в кремнии
  • Выводы из 4 главы
  • 5. Исследование методом ВИМС профилей распределения бора и фосфора на межфазных границах кремний — металлическая пленка
    • 5. 1. Послойный анализ границ раздела разнородных материалов
    • 5. 2. Методика приготовления образцов и структур границы кремний — пленка алюминия
    • 5. 3. Сегрегация легирующей примеси на межфазной границе кремний-металл
    • 5. 4. Влияние процесса силицидообразования на перераспределение примеси бора в системах Ni-Si и Ti-S
  • Выводы из 5 главы
  • 6. Контактное плавление кристаллов и практические применения результатов исследования
    • 6. 1. Контактное плавление в направленно кристаллизованных эвтектических сплавах
    • 6. 2. Теоретическое исследование кинетики контактного плавления эвтектических композиций
    • 6. 3. Контактное плавление в системах с химическим взаимодействием компонентов
    • 6. 4. Практические применения разработанных методик и результатов исследования поверхностных и межфазных явлений
      • 6. 4. 1. Контактно-реактивная пайка металлов
      • 6. 4. 2. Активная и контактно-реактивная пайка металлов с керамическими материалами
      • 6. 4. 3. Межфазные взаимодействия металлических расплавов с некоторыми пьезокерамиками при пайке
      • 6. 4. 4. Исследования состояния поверхности и межфазной границы при формировании полупроводниковых структур в технологических процессах изготовления ИС
    • 6. 5. Разработка методик формирования сильнолегированных полупроводниковых структур методами ионной имплантации и диффузии
      • 6. 5. 1. Исследование методом ВИМС одновременной имплантации В иА1 В S
  • Выводы из 6 главы

Межфазные явления в многокомпонентных растворах, соединениях и гетерогенных структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ

За последние десятилетия необычайно I возрос интерес к исследованиям поверхностных явлений. Это связано, в первую очередь, с осознанием того факта, что решение огромного числа фундаментальных и практических задач, выдвигаемых научно-техническим прогрессом, зависит от знания свойств поверхностей и уровня понимания процессов, протекающих с их участием. Дальнейший прогресс во многих перспективных направлениях современной техники и технологии в значительной степени зависит от успехов в развитии физических представлений о свойствах тонких переходных слоев между фазами.

Для исследования свойств поверхностного слоя и межфазных границ I разработаны и широко используются такие уникальные по своим характеристикам экспериментальные методы, как электронная и ионная спектроскопия поверхности материалов. Однако, в случае определения химического состава поверхности и характера распределения элементов в поверхностном слое и межфазных границах большинство этих методов дает усредненное по достаточно большой толщине материала значение. Это искажает реальную картину и затрудняет понимание природы физико-химических явлений, происходящих на межфазных границах.

В большинстве случаев экспериментальные исследования свойств границ раздела фаз носит эмпирический характер, а теоретически, как правило, проводятся методами функционала электронной плотности, а также электронно-статистическим и термодинамическим методами при изотермических условиях. На практике же наиболее часто встречаются изобарические условия, которые до настоящего времени при решении подобных задач не рассматривались.

Анализ литературных данных показывает, что к настоящему времени наиболее полно изучена поверхностная сегрегация в металлических сплавах, однако мало изученными остаютря поверхностная сегрегация в металлических монокристаллических твердых растворах, ее ориентационная зависи7 мость, распределение атомов в поверхностном монослое. Также мало изучено распределение элементов в поверхностном слое интерметаллических соединений типа фаз Лавеса, которые находят широкое применение на практике в качестве конструкционных материалов." .

Одним из интересных явлений, возникающих на границе раздела I твердых фаз, является контактное плавление, приводящее к образованию жидкой фазы в зоне контакта при температуре ниже температуры плавления чистых компонентов. Закономерности кинетики контактного плавления получили широкое применение в решении ряда вопросов сварки и пайки металлов (контактно-реактивная пайка). Теоретические и экспериментальные исследования в этом направлении позволяют проследить кинетику процессов, протекающих при повышенных температурах в контакте разнородных кристаллов и дать соответствующие рекомендации по вопросам пайки. Однако, несмотря на практическую и теоретическую значимость исследований контактного плавления, механизм и кинетика этого процесса в гетерогенных структурах, в частности в эвтектических композициях и в системах с химическим взаимодействием компонентов, мало изучены.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ. Цель работы заключается в проведении теоретических и экспериментальных исследований термодинамических свойств поверхности металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, а также границ раздела: полупроводник — металлическая пленка, металлическая композиция — жидкость. .Здесь под термодинамическими характеристиками понимаются — состав поверхности и межфазной области, поверхностное и межфазное натяжение, работа адгезии, краевой угол смачивания, коэффициент растекания. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— Разработка термодинамической теории межфазной сегрегации и межфазного натяжения многокомпонентных систем в изобарических условиях. 8.

— Исследование методами ионной и электронной спектроскопии поверхностной сегрегации в однофазных металлических, интерметаллических и полупроводниковых материалах.

— Экспериментальное исследование сегрегации легирующей примеси в кремнии на границе с металлической пленкой.

— Теоретическое и экспериментальное исследования кинетики контактного плавления в эвтектических композициях и дистектических системах.

— Исследование влияния физико-химических свойств поверхности и границ раздела фаз на технологические процессы пайки металлов и сплавов с металлами, полупроводниками и керамиками, а также на формирование полупроводниковых структур при создании интегральных микросхем.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА. В рамках термодинамического метода слоя конечной толщины развита теория межфазных явлений на границе раздела конденсированных фаз в изобарических условиях.

Впервые получены новые уравнения изобар состава межфазного слоя, межфазного натяжения, работы адгезии, краевого угла смачивания и коэффициента растекания на границе раздела конденсированных фаз с учетом межчастичных взаимодействий в различных приближениях для бинарных и многокомпонентных систем.

Исходя из этих уравнений, установлены новые критерии межфазной активности компонентов на межфазной границе.

Создана новая экспериментальная установка для определения состава и структуры моноатомного поверхностного слоя методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низкой энергии (СОРИНЭ) и модернизировано устройство вторичноионной масс спектрометрии (ВИМС) для построения профилей распределенйя элементов в ультратонких поверхностных слоях материалов.

Впервые экспериментально изучены профили распределения элементов в поверхностном слое монокристаллических твердых растворов, 9 фаз Лавеса, элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях типа АгВ5.

Впервые методом СОРИНЭ изучены структура поверхности монокристалла твердого раствора Си + 6 ат. % Ge (111) и реконструкция поверхностного слоя при напылении долей монослоя Sn на эту поверхность.

Впервые изучено распределение легирующих примесей на межфазной границе кремния с металлической пленкой, а также перераспределение их в процессе образования и роста силицидов металлов.

Обнаружена анизотропия кинетики, контактного плавления эвтектических композиций с чистыми металлами и установлено существование массопереноса вдоль межфазной границы композиционный материал-жидкость, влияющего на процесс, контактного плавления.

Используя полученные экспериментальные данные, проведены расчеты термодинамических характеристик поверхностного слоя исследованных систем.

Разработаны новые способы определения толщины силицидных пленок на межфазной границе металл-кремний, соединения металлов с керамическими материалами, а также поверхностной энергии твердых тел. Разработанные способы защищены авторскими свидетельствами на изобретения.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ. Полученные уравнения изобар межфазного натяжения, состава доежфазного слоя, работы адгезии, краевого угла смачивания и коэффициента растекания могут быть использованы при разработке новых и оптимизации существующих технологических процессов создания изделий микроэлектроники и машиностроения, а также в планировании экспериментов.

Разработанное для диагностики поверхности экспериментальное оборудование используется для научных исследований и в учебном процессе при выполнении курсовых и дипломных работ.

V.

Результаты исследования поверхностных и межфазных характеристик полупроводниковых структур внедрены в ОАО СКБ «Элькор» (Нальчик) 1992 и 1997 г и ОАО НЗПП (Нальчик) 1994 г.

Разработанные рекомендации по пайке металлов с металлами, полупроводниками и керамическими материалами использованы во Всесоюзном электротехническом институте (Москва) и ОАО СКБ «Элькор» .

Результаты исследований используются также в курсе лекций по термодинамике межфазных явлений, в спецкурсе «Методы исследования твердотельных структур с помощью ионных пучков», а также в лабораторv. • ном практикуме «Методы диагностики материалов и изделий электронной техники с помощью ионных пучков» .

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ:

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Построена термодинамическая теория межфазной сегрегации и межфазного натяжения на границе двух конденсированных фаз в состоянии равновесия при изобарических условиях. Получены новые аналитические выражения для, расчета состава межфазного слоя и межфазного натяжения для бинарных систем с учетом межчастичных взаимодействий различных приближений.

2. Получены новые аналитические выражения для расчета работы адгезии, коэффициента растекания и краевого угла смачивания при изобарических условиях, которые могут быть применены для решения практических задач. Проведены численные расчеты составов сосуществующих фаз, межфазного слоя, межфазного натяжения, адгезии, коэффициента растекания, краевого угла смачивания и ряда термодинамических параметров межфазного: слоя в зависимости от температуры для бинарных металлических систем Au — Ag, Со — Fe, СиAg, Ni — Си, Sn — Bi, Zn — Mg, Cu-Au. Опираясь на полученные аналитические выражения, сформулированы качественные критерии межфазной сегрегации компонентов, межфазного натяжения и адгезии, а также коэффициента растекания на границе двух предельно разбавленных конденсированных фаз.

3. Модернизированная автором экспериментальная установка ВИМС МС 7201 позволяет проводить анализ состава ультратонкого поверхностного слоя в квазистатическом режиме и строить профили пространственного распределения элементов по глубине металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов в динамическом режиме с относительной погрешностью до 5%. Позволяет in situ проводить контролируемое напыление металлов, прогрев образца до 523 К, менять предел развертки по.

312 массе и проводить анализ до 2501й (а.е.м.) атомных единиц с разрешением не хуже 1 атомной единицы массы.

4. Созданная экспериментальная установка спектроскопии обратно v рассеянных ионов низкой энергии позволяет проводить анализ состава, структуры и топографию поверхности кристалла с локальностью в один монослой, а также исследовать поверхность при углах падения первичных ионов от 0 до 90 градусов, углах рассеяния до 120 градусов и повороте образца по азимуту на 360 градусов вокруг нормали к исследуемой поверхности.

5. Впервые методом ВИМС построены профили распределения элементов по глубине ультратонкого поверхностного слоя монокристаллов Си+10 ат.% А1 и Си+6 ат.% Ge, фаза Лавеса HfMo2, HfW2, ZrMo2, TiCo2, TiCr2 и полупроводниковых соединениях InSb и GaP, которые апроксимируются экспоненциальной зависимостью. В монокристаллах проявляется ориентационная зависимость поверхностной концентрации (сегрегации).

6. Рассчитаны поверхностное натяжение монокристаллов в зависимости от кристаллографической ориентации, активности, коэффициенты активности компонентов в поверхностном слое сплавов, поверхностные натяжения и термодинамические параметры поверхностного слоя в фазах Лавеса. Исходя их профилей распределения элементов и кинетических кривых сегрегации, рассчитаны коэффициенты диффузии в поверхностном слое кристаллов, которые, как оказалось, отличаются от объемных.

7. Спектры обратно рассеянных ионов показывают, что при температуре 323 К на поверхность монокристалла твердого раствора Си+6 ат.% Ge сегрегирует Ge и его концентрация составляет ~15 ат. % Ge. Исследованы зависимости интенсивности рассеянных ионов на атомах Си I и Ge от углов падения первичного пучка, рассеяния и вращения образца по азимуту. Исходя из этих результатов, оценена атомная шероховатость.

313 поверхности и установлено, что атомы Ge смещены относительно атомов Си на (0.66 АО вниз. С помощью ЭВМ построены модели первого атомного слоя монокристалла твердого раствора Си+15 ат.% Ge и Си+15 ат.% Ge с осаждением Sn. Установлено, что в первом атомном слое поверхности твердого раствора Cu-Ge сохраняется поворотная ось симметрии шестого порядка, характерная для плоскости ориентации (111) объемной структуры и элементарные ячейки меди и германия на поверхности ориентированы друг относительно друга на ~ 30°.

8. Установлено резкое расхождение экспериментальных данных по поверхностной сегрегации легирующих, примесей фосфора, сурьмы и мышьяка на грани (111) кремния, а также фосфора на грани (111) германия, полученных методом электронной оже — спектроскопии и вторично ионной массспектрометрии, с результатами численных расчетов в рамках термодинамической теории поверхностной сегрегации с учетом межчастичных взаимодействий, причем теоретические данные в десятки раз превосходят значения, полученные в эксперименте.

9. Получено уравнение, позволяющее рассчитать поверхностную концентрацию легирующих примесей донорного типа в кристаллах элементарных полупроводников при различных температурах. В ходе решения поставленной задачи рассчитаны значения поверхностного натяжения фосфора, сурьмы и мышьяка, коэффициентов диффузии этих металлов в кремнии и фосфора в германии, а также разность потенциалов на поверхности и в объеме для тех же температур.

10. Обнаружена сегрегация легирующих примесей бора и фосфора в кремнии на межфазную границу. В зависимости от металла пленки контактирующего с кремнием, содержание примеси на границе раздела фаз может возрастать в несколько раз или же примесь может отойти от межфазной границы вглубь кристалла. Оценка протяженности межфазного слоя во всех исследованных системах, в которых наблюдается сегрегация.

314 легирующих примесей на межфазную границу, дает значения 10−15 нм. Наиболее точно эта величина определяется по ширине профиля распределения примеси на анализируемой границе.

11. В результате образования интерметаллических соединений на межфазной границе происходит перераспределение профилей элементов. В системах Ti-Si и Ni-Si наблюдается обогащение примесью силицидных слоев. На межфазных границах раздела силицидов и силицидов с металлом и кремнием тоже возрастает их содержание. Диффузия примеси через межфазную границу и увеличение содержания примеси в интерметаллических соединении способствует увеличению коэффициента диффузии и уменьшению энергии активации диффузии. Разработан новый способ определения толщины силицидов с применением процесса сегрегации легирующих примесей на межфазной границе.

12. Экспериментально определены скорости контактного плавления направленно кристаллизованных эвтектических композиций Bi-Cd и Cd-Sn с Sn, Bi и Pb в нестационарно-диффузионном режиме. Установлено, что скорость контактного плавления эвтектических композиции зависит от угла ориентации пластинчатой структуры по отношению к плоскости контакта с третьим чистым компонентом и толщины пластин композиции. v. •.

Разработана теория процесса контактного плавления эвтектической композиции с третьим чистым компонентом в квазистационарном приближении. Результаты расчета для трех систем находятся в удовлетворительном согласии с данными эксперимента. Обнаружено, что при температурах, близких к эвтектической, имеет место существенное отклонение режима контактного плавления от автомодельного закона перемещения межфазных границ." .

13. В системах с равновесной дистектической диаграммой состояния наблюдается контактное плавление по метастабильной диаграмме. При контактировании нагретых образцов происходит контактное плавление.

315 компонентов при температурах значительно ниже наинизшей эвтектической температуры. Термодинамические расчеты, проведенные в квазихимическом приближении, подтверждают существование метастабильной диаграммы состояния. Образование жидкости при температурах ниже наинизшей эвтектики, в зоне контакта Bi-Tl и Bi-Te, подтверждается также рентгенографическим, рентгеноспектральным и металлографическим методами.

14. Методика обработки поверхности кремниевых пластин, предложенная в работе, нашли применение в научно-исследовательских лаборатория КБГУ и технологических процессах производства интегральных микросхем в СКБ ПО «Элькор». Исследования физико-химических процессов, происходящих на межфазных границах в многослойных системах металлизации, показали более высокую надежность работы и термостойкость интегральных микросхем, чем с алюминиевой металлизацией.

15. Исследование профилей распределения атомов отдачи алюминия и бомбардирующих ионов бора в кремнии, полученных при бомбардировке системы пленка, алюминиякремний ионами бора, показало, что при толщине пленки алюминия 100 и 170 нм образуется слой, легированный алюминием и бором. Толщина сдоя, легированного алюминием — 350 нм, бором — 300 нм. Средняя доля атомов алюминия в них — 0,01−0,02% и бора -0,15−0,16%. При толщине пленки алюминия 380 нм (толщина пленки больше среднего проективного пробега атомов бора данной энергии) эффект легирования атомами отдачи алюминия исчезает и формируется тонкий легированный бором слой толщиной около 100 нм со средней долей бора 0,025%, Ионной имплантацией с использованием лазерных источников ионов можно получить примеси алюминия, что позволяет формировать мелкозалегающие слои с акцепторной примесью. При этом.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.И. К термодинамике дефформируемых твердых поверхностей.//В кн.: Физика межфазных явлений./ Нальчик, КБГУ, -1980, -с. 26−56.
  2. С.Н., Хоконов Х. Б. Физика межфазных явлений. Нальчик: КБГУ,-1980, -ч.1,-84 с.
  3. А.А. Поверхностная сегрегация в разбавленных металлических растворах.//Поверхность -1983, -№ 8, -с. 13−22.
  4. Д.В. Термодинамические работы. М., Гостехиздат, -1950, -421 с.
  5. А.И. Фазовые равновесия и поверхностные явления. Л., Химия, Ленинградское отделение, -1967, -388 с.
  6. С.Н., Шебзухов А. А. О межфазном натяжении в конденсированных системах.//В кн: Адгезия расплавов и пайка материалов ./Киев: Наукова думка, -1976, -с. 34 39.
  7. А.А., Хоконов Х. Б. Статистические теории межфазных энергий и адсорбция в многокомпонентных системах.// В кн.: Физика межфазных явлений./ Нальчик, КБГУ, -1979, -с. 3−23.
  8. А.А., Хоконов Х. Б. Статистические теории межфазного натяжения и адсорбция в многокомпонентных системах.// В кн.: Физика межфазных яявлений./ Нальчик, -1980, -с. 3−25.
  9. Ю.Шебзухов А. А., Карачаев A.M., К расчету термодинамических свойств межфазного слоя на границе двух конденсированных фаз методом слоя конечной толщины .//В кн. Поверхностные явления на границах конденсированных фаз., -1983, -с. 23−48.
  10. А.А. Теория поверхностной сегрегации в концентрированных растворах.//Поверхность, -1983, -№ 9, -с. 31 39.318
  11. А.А., Осико Т. П., Кожокова О. М., Мозговой А. Г. Поверхностное натяжение жидких щелочных металлов и их сплавов./Юбзор по теплофизическим. свойствам веществ. М.: Ин-т высоких температур АН СССР, -1981, -№ 5 (31), -141 с.
  12. X.JI., Задумкин JI.C. Уравнение изотерм межфазного натяжения бинарных конденсированных систем.//В кн.: Физика межфазных явлений, Нальчик, -1981, -с. 84 92.
  13. С.И. Теория металлургических процессов. Итоги науки и техники. М.: ВИНИТИ, -1971, -132 с.
  14. В.В., Попель С. И., Есин О. А. Зависимость межфазного натяжения от состава и температуры.//В кн.: Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах./Нальчик, Каб.-Балк. книжное изд-во, -1965, -с. 136 141.
  15. .Я. Межфазное поверхностное натяжение у металлов и сплавов.//ЖТФ, -1952, -т. 12, -вып. 12, -с. 1985 2003.
  16. Е.Д., Ющенко B.C. О связи хрупкости под действием жидких металлов с характерами магнитных взаимодйствий.//В кн.: Поверхностные явления в расплавах. Киев: Наукова Думка, -1968, -с. 415 420.
  17. С.И., Павлов В. В., Жуков А. А., Кожурков В. Н. Адсорбция компонентов металлмческого расплава на границе с газом и с другим расплавом.//В кн.: Физика межфазных явлений./Нальчик, -1976, -с. 12 -20.
  18. Mezey L.Z., Giber J. New simple rules of interface segregation.// Surf. Sci. -1985,-162,-p. 514−518.
  19. P.M., Созаев В. А. Индуцированная поверхностная сегрегация в сплавах щелочных металлов.// Поверхность -1992, -№ 4, -с. 22−25.
  20. .Б., Созаев В. А., Хоконов Х. Б. Влияние адсорбированных диэлектрических покрытий на межфазную энергию металлических сплавов.//ЖТФ, -1997, -т.67, -№ 1, -с. 133−13,5.
  21. И.Р. Молекулярная теория растворов. М.: Металлургия.-1990.-380С.320
  22. А.В. Термодинамика гетерогенных систем. Л.: -1967.-1−2 ч.
  23. A.M. Уравнения изобар состава и межфазного натяжения на границе конденсированных фаз в приближении идеальных растворов.// Вестник Кабардино-Балкарского отделения технологической АН РФ, -1998, -в.2 -с.23−32.
  24. A.M., Шебзухова М. А., Шебзухов А. А. Сегрегация и натяжение на границе двух многокомпонентных конденсированных фаз в изобарических условиях.//Тез. Всеросийской научн. конференции -1995 -с.65.
  25. И. И. Расчет термодинамических свойств бинарных металлических расплавов по свойствам образующих их металлов.//ДАН РФ, Химия -1995, -344, -№ 2, -с. 164−196.
  26. М.Х., Хоконов Х. Б. Об уравнении равновесия фаз малых размеров и некоторых его применениях.// В кн.: Вопросы физики формообразования и фазовых превращений./ Калинин, КГУ, -1979, -с. 114−122.
  27. А.А., Карачаев A.M., Сегрегация, избыточная напряжение и адгезия на границе многокомпонентных конденсированных фаз.// Поверхность -1984, -№ 5, -с.5 8−67.321
  28. Miedema A.R., den Broeder F.J.A. On the Interfacial energy in solid-liquid and solid-solid metal combinations.// Z. Metallkde -1979, -70, -№ 1. -p.14−20.
  29. Cahn J.W. Interfacial free energy and interfacial stress: the case of an internal interface in a solid.// Acta metall. -1989, -v.37, -№ 3, -p.773−776.
  30. Chipman J., Floridis T.R. Activity of aluminum in liquid Ag-Al, Fe-Al, Fe-Al-C and Fe-Al-C-Si alloys.// Acta Metall. -1954, -v.3, -№ 5, -p.456−459.
  31. Gonser U. Bestimmung termodynamischer aktiviten mittels radiaktiver isotope.//Z. Phys. Chem. -1954, -1, -№ 1−2, -p.1−20.
  32. В. Коэффициенты активности некоторых цветных металлов в бинарных растворах.// Бюл. Польск. АН, отд. 4, -1954, -2, -№ 3, -с.139−144.
  33. Imrich-Schwarz G., Gamsjager Н. Computerun terstutzte Auswertung der Gibbs-Duhem-Gleichung: binare sisteme.//Berg-und Huttenmann. Monatsh --1981, -45, -126, -№ 7, -p.275−277.
  34. Williams F. L., Mason D. Binari alloy surface compositions from bulk alloy thermodinamic data.//Surf. Sci. -1974, -v. 45, -№ 2, -p. 377−408.
  35. Свойства элементов. 4.2. Физические свойства. Справочник. /2-ое издание под ред. Самсонов Г. В. М.-- Металлургия -1976, -600 с. у ¦
  36. В.А., Остроумова Г. В., Свит Т. Ф. Термодинамические свойства веществ. Справочник. JL, Химия -1977, -292 с.
  37. Физические величины. Справочник./Под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е.3.,-М.- Энергоиздат -1991,-1232 с.
  38. Ф. Структура двойных сплавов. М. Металлургия. -1973, -760. -с.322.
  39. Таблицы физических величин. Под ред. Кикойн И.К. М. Атомиздат, -1976,-1008 с.
  40. .Г., Крапошин B.C., Липецкий Я. Л. Физические свойства металлов и сплавов. М., Металлургия, -1980, -320 с.
  41. М. Андерко К. Структура двойных сплавов: пер. с англ. Новикова П. К. и др./ Под ред. Новикова И. И. и Рогельберга И. Л., т. 1−2. М.: Металлургиздат.-1962. 1488 с.
  42. В.И. Плотность жидких металлов и их температурная зависимость. Методы исследований и 'свойства границ раздела конденсированных фаз./ Киев. Наукова думка, -1977, -с. 125.
  43. Б. Д. Горюнов Ю.В. Физико-химические свойства смачивания и растекания. -М.: Химия. -1983, -192 с.
  44. А.И. Растекание.-Киев: Наукова думка. -1983.-192 с.
  45. Корольков А. И. Поверхностное натяжение алюминия и его сплавов.//Изв. АН СССР, отд. тех. наук -1956, -№ 2, -с.35.
  46. А.И., Еременко В.Н.О поверхностной активности присадок в жидких металлах. //Порошковая металлургия -1964, -№ 2, -с. 11−18.
  47. Burton J.J., Machline E.S. Prediction of segregation to alloys surfacces from bulk phase diagrams//Phys. Rev. Lett. -1976, -v. 37, -№ 15, -p.1433−1436.323
  48. Hamilton J. G. Prediction of surface segregation in binary alloys using bulk alloy variables //Phys. Rev. Lett.,-1979, -v. 42, -№ 15, -p. 989−992.
  49. Abraham F.F., Tsai N.H., Pound G.M. Bond and strain energy effects in surface segregation: atomic calculation.//Surf. sci., -1979, -v. 83, -p. 406.
  50. Abraham F.F. Surface segregation in binary solid solution: the e* -a* representation.//Phys. Rev. Lett.,'-1981, -v. 46, -p.546.
  51. А.И., В кн., Современная теория капиллярности, Л. Химия, -1980, -с. 13.
  52. А.А., Хамиш Л., Кармоков A.M. Влияние малой примеси на термодинамические характеристики плоской поверхности на границе жидкость пар. Деп. ВИНИТИ, -1990, -18 с.
  53. А.А., Лефкаер И.-К., Кармоков A.M. О новых критериях межфазной активности компонентов на границе двух конденсированных фаз.// Тез. Всесоюз. Конференции «Поверхность 88″, Черноголовка-1989,-с. 62−63.'
  54. A.M. Шебзухова М. А., Шебзухов А. А. О критерии межфазной активности малых добавок в изобарических условиях.// Тез. Всеросийской научной конференции./Нальчик, -1995, -с. 95−96.
  55. B.M., Вобет M., Тимошенко В. И. Методы исследования свойств жидких металлов и полупроводников. М.: Металлургия.-1989.-384 с.
  56. С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, -1980, -488 с.
  57. Методы анализа поверхностей. Под ред. Зандерны А.: пер. с англ. /под ред. Кораблева В. В., Петрова Н.Н.-М.: Мир,-1979.-540 с. 324 .i
  58. Г. Введение в вторично-ионную масс-спектрометрию (ВИМС).// В кн.: Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. Под ред. J1. Фирмэнса, Дж. Вэнника, В. Декейсера. М.: Мир, -1981. -с.345−459.
  59. Новое в исследовании поверхности твердого тела. /Под ред. Гиваргизова Е. И., Ждана А. Г., Сандамирского В. Б. М.: Мир,-1977,-в. 1 и -в.2 -314 с. и -371 с.
  60. И.Г. Методы энергетического анализа электронных потоков. М.: Атомиздат, -1971, -189 с.
  61. В.Т. Ионный зонд. Киев: Наук, думка, -1981. -328с.
  62. Н. Н., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Л. Из-во ЛГУ. -1977. -160 с.
  63. Arnot F.L., Milligan J.C.// Proc. Roy. Soc., Ser.1 A, -1936, -156, -538.
  64. Herzog R.F.K., Viehbock F.P.//Phys. Rev.,-1949, -76, -855.
  65. H.W. В кн.: Dev. Appl. Spectroscopy, vol. 7A, eds. E.L. Grove, A.J. Perkins, Plenum, New York, -1969, -p.239.
  66. Werner H.W., de Grefte H.A.M.Masse-spektrometer zur untersuchng dunner schichter.// Vacuum Techn. -1968. -17 -№ 2. -p. 37−41.
  67. Carter G., Colligon J.S., Ion Bombardment of Solids.//Heinemann Educational Books Ltd, London, -1968.
  68. Chi P.H., Simons D.S., Wickenden A.E., Koleske D.D., Pepeatability of Si concentration measurements in Si- dopid GaN films.//J. Vac.Sci. and Technolog. A., -1997, -v.15, -№ 5, -p. 2565−2568.
  69. Evans Charles A.S. Pecent advances and applications of SIMS to electronic materials.//16 Conf. solid stase devices and mater, final program and late news abstr. kobe, 1984″, Tokio, -77−88.
  70. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. (составитель Машкова Е.С.), М.: Мир, -1989? -352 с.
  71. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. (Под ред. Бериша) Вып. 2, М.: Мир, -1986, -488 с.325
  72. A.M., Шебзухов А. А. Методическая разработка „Методы диагностики материалов и изделий электронной техники с помощью ионного пучка“/ Нальчик. Изд. КБГУ, -1992, -86 с. I
  73. О.А., Кармоков A.M. Некоторые изменения в электронных схемах масс-спектрометра МС-7201.//Тез. 6 Всесоюзн. семин. „Вторичная ионная и ионн-фотонная эмиссия“, Харьков, -1991, -с. 247 249.
  74. А.К., Кармоков A.M., Шауцуков, Кожокова Ф.М. Исследование методом вторично ионной масс-спектрометрии одновременной имплантации бора и алюминия в кремний.// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. -1988, -вып.6, -57−59.
  75. Ю.Я. Твердые электролиты.- М.: Наука, -1986.- 176 с.
  76. О.М., Гимельфарб Ф. А., Орлов П. Б. и др. // ЖАХ. -1986, -т.41, -№ 12,-с. 2164−2174.
  77. А.Ф., Комаров Ф. Ф. Кумахов М.А. и др. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (теория, методы расчетов, таблицы). Минск: изд. БГУ им. Ленина, -1980. -348с.
  78. М.А. Испускание электронов и отражение ионов отповерхности металла .//Докл. АН СССР -1951, -т.79, -№ 2, -175−780.
  79. У. А., Агафонов А. Х., Поверхностные явления при бомбардировке металлов положительныим ионами.//Докл. АН Уз ССР, -1951, -№ 4, -с. 12−16.
  80. Smith D.P. Scattering of low-energy noble gas ions from metal surfaces.//J. Appl. Phys. -1967, -v.38, -№ 1, -p.340−347.
  81. У. А. Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого тела. М., -1968, -372 с.326i .
  82. В. И. Вторичная эмиссия атомных частиц. Ташкент. 1970. 244с.
  83. Smith D. P. Analysis of surface composition with low-energy backscattering ions.// Surface sci. -1971, -v. 25, -№ 1, -p.171−191.
  84. H. H., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Д.: Из-во ЛГУ. -1977. -С. 160.
  85. В.П., Явор С .Я. Электростатические анализаторы для пучков заряженных частиц. М.: Наука. -1978.- 224 с.
  86. О.Д., Машинский Ю. П. Энергетические анализаторы оже-электронной спектроскопии. Обзоры по электронной технике. Серия 7, „Технология, организация производства и оборудование“, вып. 4(363), ЦНИИ Электроника, М. -1976. -49 с.
  87. Приборы и методы анализа поверхностей материала с помощью обратного рассеяния ионов низких энергий. Отчет о патентных исследованиях. ВЦПУ, Волгоградский филиал. Per. № ВЦПУ 1101/86, -1986,-119 с.
  88. С.С., Гутенко В. Т. Исследованиевнешнего моноатомного слоя поверхности методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий.// Электронная промышленность, -1984, -№ 2, -27−31.327
  89. С.С., Денисов А.Г., и др. Автоматизированная установка для анализа поверхности методами ионной и электронной спектроскопии.// Тезисы докладов „Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия“, Харьков,-1980.-С .67−69.
  90. В.П., Горин Ю. Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. М. Высшая школа, -1988, -239−244.
  91. Saiton М., Oura К., Asano К., Shoji F., Hanawa Т., Low energy ion scattering study of adsorption and desorption processes of Pb on Si (lll) surfaces.// Surface Sciens -1985, -№ 154, -394.
  92. R., Aono M., ОбЫгпд С., Otani S., Ishizawa Y. Mechanism of electron exchage between fow energy He+ and solid surfaces.// Surf. Sci. ~ 1985, -№ 1, -L59-L65.
  93. Oura K., Katayama M., Shoji F., Simp. Атёг. Vac. Soc., Reno, Nev., 4−7 Dec.-1984,-1507−1510
  94. Speller S., Schleberger M., Heiland W., Structural stadies of the Pb (110) surface with ISS and RHEED.//Surf. Sci. -1997, -380, -№ 1, -p. 1−8.
  95. Creemers C., Dual mode segregation of Pd to the surface of polycristaleine Fe99Pdi.// Surf. Sci. -1996, -360, -№ 1−3, -p. 10−20.
  96. Niehus H., Bauer E. Low energy ion: backscattering spectroscopy (ISS) with a commercial auger cylindrical analyzer (CMA).// Rev. Sci. Instrum. -1975 -v. 46, -№ 9, -1275−1277.
  97. Wheatley G.H., Caldwell C.W. UHV systems for surface studies by ion scattering.//Rev. Sci. Instrum. -1973 -v. 44, -№ 6, -744−747.
  98. А.И., Щербединский Г. В., Современные методы исследования поверхности металлов и сплавов. М.: Металлургия, -1989, -192 с.
  99. A.M., Матвеев Г. И., Тешев Р. Ш. Исследование поверхности материалов метрдом спектроскопии обратно-рассеянных328ионов низкой энергии (СОРИНЭ).// Тез. 6 Всесоюзн. семин."Вторичная ионная иионн-фотонная эмиссия», Харьков, -1991, -с. 256−257.
  100. A.M., Матвеев Г. Н. Исследование поверхности кремния методом спектоскопии обратно рассеянных ионов низких энергий. Сб.Iнаучн. трудов.// Физика и технология поверхности./ Нальчик, -1990, -9299.
  101. A.M., Шебзухов А. А. Методы диагностики материалов и изделий электронной техники с помощью ионных пучков. Нальчик, КБГУ, -1993, -76 с.
  102. А.Р., Фридрихов С. А. Вторично- эмиссионные методы исследования твердого тела. М., «Наука».-1977, -551 с.
  103. А.Ю., Черевацкий Н. Я., Дворянкин В. Ф. Электронная оже-спектроскопия метод исследования поверхностных явлений. //"Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы", -1971, -т.7, -№ 12, -с. 21 212 133.
  104. К., Нордлинг К., Фальман А., и др. Электронная спектроскопия./ Пер. с англ. под ред. Боровского И. Б. М., «Мир», -1971, -432с.
  105. О.Г., Шебзухов А. А., Кармоков A.M. Сверхвысоковакуумная установка для комплексного исследования поверхности.//В кн.: Физика межфазных явлений. Нальчик,: Кабард.-Балкар. ун-т,-1980,-с. 94−100.
  106. О.Г., Шебзухов А. А., Кармоков A.M. Исследование малых примей серы на поверхности чистого индия при фазовом329превращении.// Сб. «Всесоюзная школа по физике, химии, механике поверхности», Черноголовка, -1981, -с.82.
  107. О.Г., Шебзухов А. А., Кармоков A.M. Исследование состава поверхности жидких растворов индий- свинец и олово- свинец методом ЭОС.// Изв. АН СССР, Поверхность. Физика, химия, механика. -1982, -№ 10, -с101−106.
  108. З.М., Кармоков A.M., Шауцуков А. Г., Строева Т. В., Шухостанов А. К. Исследование профилей распределения элементов в имплантированных слоях кремния методом ЭОС.// Сб. «Физика межфазных явлений», Нальчик, -1985, -с. 143−149.
  109. А.А., Ашхотов О. Г., Кармоков A.M. Электронная спектроскопия поверхбности жидких металлов и сплавов.// Тез. Всесоюзн. Конференц."Научное приборостроение", Рязань, -1986, -с.76.
  110. О.Г., Гришутин Г. С., Журтов З. М., Кармоков A.M., Молоканов О. А., Сергеев И. Н. Исследование поверхности керамики 22ХС методом электронной оже- спектроскопии.//Адгезия расплавов и пайка материалов, Киев, Наукова думка, -1986, -с.29−31.
  111. З.М. Электронная спектроскопия и атомная структура поверхности моно и поликристалличёских сплавов Си-А1 и W-Mo.
  112. ДКФМН, Нальчик, -1991, -165 с.•
  113. О.Г. Поверхностные характеристики р- металлов и их двойных сплавов.// Автореферат диссертаци ДФМН. -1997, -316 с.330
  114. С. Послойный анализ.// Анализ поверхности методами оже-и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: -Мир. -1987. -с. 110.
  115. Е.С. Современные тенденции в исследовании распыления твердых тел./Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. М.: Мир, -1989. -с. 5−45.
  116. Но P. S., Lewis J. Е., Wildman H.S., Howard J.K. Auger stady of preferred sputtering on binary alios surfaces.// Surf. Sci. -1976. -57. -p.393−405.
  117. Patterson W. L., Shim G. A. The sputtering of nickel-chromium olloys.// J. Vac. Sci. Technol., -1967. -4. 343−346. -
  118. Werner H. W., Warmoltz N. The influence of selective sputtering onsurface composition.// Surf. Sci. -1976 -57. -p.706−714.i. .
  119. Г., Венер Г. Распыление многокомпонентных материалов / Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р. Бериша. М.: Мир,-1986. -с. 24.
  120. R. 141. On the problem of whether mass or chemical bonding is more important to bombardmentinoluced-compositional changels in alloys and oxides.// Surf. Sci. -1980. -100. .-p. 85−107.
  121. A.B., Кармоков A.M., Аксёльруд E.A. Исследование методом ВИМС профилей распределения элементов в поверхностном слое монокристаллических твердых растворов Cu-10%A1, Cu-6%Ge.//v •
  122. Физика и химия перспектив, мате-ов. -Нальчитк. -КБГУ. -1998. -с.30−39.
  123. Oeshsner Н. Energieverteilungen bei der festkorzerstaubung durch ionenbeschub Z. Phys.//Zs. Phys., -1970. -V. 238. -P. 433−451.
  124. W., Wehrner G.K. // J. Appl. Phys., -1961. -V. 32. -p. 365.
  125. Sigmund P. Theory of spyttering. 1. Spyttering yield of amorphous and polycristalline targets. // Phys. R’ew. -1969. -V. 184. -p.383−416.331
  126. А.В., Кармоков A.M., Аксельруд Е. А. Исследование методом ВИМС профилей распределения элементов в поверхностном слое монокристаллических твердых растворов Cu-Al, Cu-Ge и фаз Лавеса.// Вестник КБО АТН РФ. -1997. -в.1 -с. 24−30.
  127. З.М., Шебзухов А. А. Поверхностная сегрегация на гранях (111), (110) и (100) твердого раствора алюминия и меди (10 ат. %).// Тез. док. Всесоюзной конференции «Поверхность-89″. -Черноголовка. -1989. -с. 81.
  128. Журтов 3.M., Лефкаер И.-Х- //Физика и: технология поверхности. -Нальчик. 1990. -с.70.
  129. Лефкаер И.-Х., Шебзухов А. А. //Тезисы докладов и сообщений республиканской научно-практической конференции молодых ученых и специалистов. Нальчик. — 1988. -с. 106.
  130. Лефкаер И.-Х., Шебзухов А. А. Поверхностная сегрегация и некоторые термодинамические свойства поверхности ряда фаз Лавеса, 332образованных тугоплавкими металлами. Нальчик. — 1990. С. 24. Деп. в ВИНИТИ № 5624-В90.
  131. A.M., Лефкаер И.-Х,. Шебзухов А. А., Исследование сегрегации элементов в поверхностном слое интерметаллидов типа фаз Лавеса.//Вестник КБГУ, сер. физ.-мат. наук, -1996 -в.1 -с.261−266.
  132. В.Ф., Горин A.M. Процессы и установки электронно-ионной технологии./М.: Высшая школа., 1988.-255 с.
  133. Г. В. Металловедение магния и его сплавов./ Перевод с англ.
  134. Е.Л., Тиховой Н. М. Под редакцией Михеевой В.И.-М., Металлургия.-1964. -487 с.
  135. Krimmal E.F., Pilender Н. Implantation profiles modified by sputtering. //Radiat eff. -1973. -V. 19. -P. 83−85.
  136. Вол A.E. Строение и свойства двойных металлических систем, т.1 и 2. 1959 и 1962
  137. В.И., Флока Л. И. Поверхностное натяжения жидких металлов и сплавов. Справочник. М., Металлургия, -1981,-208 с.
  138. Л., Бернстейн X. Расчет диаграмм состояний с помощью ЭВМ./ Пер. с англ. под ред. Аптекоря И. Л. и Шиняева А. Я. М.: Мир, -1972. — 328 с
  139. В.И. Физические основы рентгеноэлектронного анализа состава поверхности.//Поверхность -1982, № 1, с.4−21.
  140. Мс Lean D., Grain boundarias in Menals // Oxford, Clareydol Press, -1957-X.-346 p.
  141. Du Plessis J., Viljoen P.E., Non-eguilibrium surface segregation of silicon in Fe-6,3 at.% Si (l 11).
  142. Crank J. The Matematics of diffusion. //Oxford University Press, -1975.e
  143. Lea C., Seah M.P. //Phil. Mag. -1977, -35, -213.333
  144. Hofmann S., Erlewein J. A model of the kinetics and equilibria of surface segregation in the monolayer regime.// Surface Sci. -1978. -77. -№ 3. -p.591−592.
  145. Журтов 3.M., Шебзухов A.A. Исследование поверхности сплавов методом ЭОС //Химия и технология молибдена и вольфрама. Нальчик. -1987.-С.11−19.
  146. Strehlow W.H., Smith David P., Determination of the chrystallographic polarity of CdS by ion sectering. //Apll. Phys. Letters. -1968. -13. -№ 4.-p. 34−35.i
  147. C.C., Толстогузов А. Б. Спектроскопия обратно рассеянных ионов низкой энергии./ Обзор электронной техники. -1981. -Сер.7.-вып. 15.(820).-83с.
  148. Suurmeijer Е.Р., Boers A.L. Low-energy ion reflection from metal surfaces.// Surface Sci. -1974, -v. 43, -№ 1, -p. 309−352.
  149. Smith David P., Analysis of surface composition with low-energy backscattered ions.// Surface Sci.- 1971, -v. 25, -№ 1, -p.171−191.334
  150. Bronckers R.P.N., de Wit A.G.J., Shadjwing, focussing end Chang-exchange effect in the angular distributions of keV Ne+ and H20+ ions scettered from Cu jl 11}.// Surface sci. -1981, -112, -p. 111−132.
  151. Bronckers R.P.N., de Wit A.G.J., Reconstruchion of the oxygen-covered Cu {l 11} surface idetified with low energa Ne+ and H20+ ions scettering.//
  152. Hupkens Th. M. Low energy ion scattering study of oxygen adsorption on a Cu {ill} single crystal surface. Part 1: Surface characteristics .//Nuclear1.struments and Methods in Physics Research, B9, -1985, -277−284.
  153. Hupkens Th. M. Low energy ion scattering study of oxygen adsorption on a Cu {l 1lj single crystal surface. Part 2: Kinetics.//Nuclear Instruments and
  154. Methods in Physics Research, B9, -1985, -285−290.
  155. Van de Riet E., Smeets J. B. J., Fluit J. M.1, Niehaus A. The structure of clean and oxygen covered copper surface stadied by low energy ion scattering.// Surface Sci. -1989, -214, -111−140.
  156. Narmann A., Derks H., Heiland W., Monreal R, Goldberg E., Flores F., Cristallografic effects in charge exchange processes: He scattering from Ni (110).// Surface Sci. -1989, -№ 217, -255−266.
  157. Moller J., Snowdon K.J., Heiland W. Low energy ion scattering from the Au (l 10) surface.// Surface Sci. -1986, -178, — 475−482.
  158. Heiland W., Taglauer E., The backscattering of low energy ions and surface structure .//Surface Sci. -1977, -№ 68, -96−107.
  159. Oura K., Hanawa T. Structure of metal/silicon cubmonolaeyer interface.// Semiconductor Tehnologies. -1984,-v. 13,-197−213.
  160. Green A.K., Bauer E.// J. Appl Phys. -1976, -47, -1284.
  161. K., Hanawa T. //Surface Sci. -1979, -82, -202.
  162. Lelay G., Faurie J.P. Aes study of the very finst stages of condensation of gold films on silicon (111) surfaces.// Surface Sci. -1977 -69. -p.295−300.
  163. Okada S., Oura K., Hanawa Т., Satoh.K. A LEED-AES study of thin Pd films on Si (111) and (100) substrates.// Surface Sci. 1−980. -97. -p.88−100.
  164. Rubloff G.W., Ho P. S., Freeouf J.L., Lewis L.E. Chemical bonding and reactions at the Pd/Si interface.// Phys. Rev. -1981. -B23. -p. 4183−4193.
  165. Heiland W., Ion Scattering stadies of surface cristallography.// Applications of surface Sci., -1982, -№ 13, -282−291.
  166. Van Zoest J. M., Van Der Mei C.E., Fluit J.M., Nichaus A. Directional dependence of ion neutralization at a surface.//Surf.sci.-1985.-p.l52−153.
  167. Lee Hai-Woong, George Tomas F. Analysis of experimental data for neutralization of low-energy ions at a solid surface.//Surface sci. -1986.-172.-№ 2.-p.211−229.
  168. Saiton M., Oura K., Asano K., Shoji F., Hanawa Т., Low energy ion scattering study of adsorption and desorption processes of Pb on Si (lll) surfaces. //Surface Science. -1985, -№ 154, -394−416.
  169. Chorkendorff I., Kofoed J., Onsgaard J., Spektroscopic and structural investigatins of the Yb-Al (llO), Yb-Ni (llO) and Yb-Si (lll) interfaces as a function of temperature.//Surface Sci. -1985, -№ 152/153, -749−756.
  170. Graham G.W. An investigation of „Cu (100)-c (2×2)Au“: LEED, AES, ISS, ARUPS and XPS results.// Surface Sci. -1987, -№ 184, -137−162.
  171. В.И., Щукин Е. Д., Ребиндер П. А. Физико-химическая механика металлов/М.: АН СССР, -1962.- 182 с.336
  172. Д.М. Литейные свойства металлов и сплавов./ М.: Наука, -1967.-195 с.
  173. Л. Л. Поверхностные явления в металлах./ М.: Металлургиздат, -1955, — 304 с.»
  174. ChebzoukhovA.A. Lefkaier L.K., Karmokov A.M., Bontessouna D. A bout new criteria of component activities at the interface between twoк. ¦condensed phases./ Surface sci. -2000, -445, -№ 1, p. 65−70.
  175. Williams F. L., Mason D. Binari alloy surface compositions from bulk alloy thermodinamic data.-Surf. Sci., -1974, -v. 45, -№ 2, -p. 377−408.
  176. B.K. Поверхностные явления в металлах и сплавах./ М.: ГИТТЛ,-1957.-350 с.
  177. М.А., Черепин В. Т., Якубцов О. А. Зависимость энергии связи электронов поверхностных атомов от состава сплавов Fe-Cr.// Д АН СССР -1979, -246, -вып.1, -с.75−77.
  178. Watanabe К., Hashiba М., Yamashina Т.А. quantitative analysis of surface segregation and in-depht profile of copper-nickel alloys.// Surf. Sci. --1976, -v.61, -№ 2, -p.483−490. '
  179. Leygrar C., Hultquist G., Ekelund S., Eriksson J.C. Surface composition studies of the (100) and (110) faces of monocrystalline Fe0.84Cr0.i6- //Surf. Sci. -1974, -v. 46, -№ 1, -p.157−176.
  180. Mathieu H.J., Landolt D. Quantitative Auger electron spectroscopy analysis of Ag-Pd and Ni-Pd alloys. //Surf. Sci. -1975, -v. 53, -№ 1, -p.228−240.337
  181. Pollizzoti R.S., Burton J.J. Surface segregation in alloys: dilute binary iron/ zirconium solid solutions.//.!. Vac. Sci. Technol. -1977, -v. 14, -№ 1, -p.347−350.
  182. Van Santen R.A., Toneman L.H., Bouwman R. Surface enrichment in Cu3Au and Au3Cu alloys. //Surf. Sci. -1975, -v.47, -№ 1, -p.64−76.
  183. Burton J.J., Helms C.R., Pollizzoti R.S. Surface segregation in alloys: existence of ordered overlayers. of Au segregated to the Ni (111) surface.// Surf. Sci. -1976, -v.57, -№ 1, -p.425−430.
  184. В.Г., Немошкаленко B.B., Прокопенко B.M. Изменение концентрации «летучего» компонента на поверхности сплава при температуре ниже порога испарения.//Металлофизика, -1980, -т.2. -вып.4, -с. 104−108.
  185. Bouwman R., Sachtler W.M.H. Photoelectrical determination of the equilibration of metal and alloy films. //Surfase Sci. -1971, -v. 24, -№ 1, -p.350−352.
  186. Thomas J.H., Sharma S.R. A study of the passive layer on Sn-Ni alloy.// J. Vac. Sci. Technol.-1987,-v. 14, -№ 5, -p. 1168−1172.
  187. Beretolini J.C., Massardier J., Delichere P., Tardy В., Imelic В., i. .
  188. PtioNi9o (lll) single cristal alloy: determination of the surface composision by AES, XPS and ISS.// Surface Sci. -1982, -119, -p.95−106.
  189. Kannar S., Mohazzabi P., An ion-scattering spektrometric study of cuprous sulphide.// Journal of Materials Sci. Let. -1985, -№ 4, -p.720−724.
  190. Sato K., Kono S., Teruyama Т., Higashiyama K., Sagawa Т., Ion scattering spektroscopic stady of clean and Sn-cvered Ge (lll) surfaces.// Surface Sci. -1985, -№ 158, -p.644−657. :
  191. Aono M., Katayama M., Nomura E., Chasse Т., Choi D., Kato M., Recent developments in low-energy ion scattering spectroscopy (ISS) for surface structural analysis.// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research ~ 1989, -B37/38, -p.264−269.338
  192. Tromp R.M., Van Loenen E.J., Ion beam cristallography of silicon surfaces, 3. Si (l 1 l)-(7×7).// Surface Sci. -1985, -№ 155, -p.441−479.
  193. Aono M., Hou Y., Oshima C., Ishizawa Y., Low-Energy ion Scattering the Si (OOl) surface.// Physical review letters -1982, -v.49, -№ 8, -p.567−570.
  194. Davis H.L., Noonan J.R., Rippled relaxation in the (110) surface of the ordered metallic alloy NiAl.// Physical review letters. -1985 -v.54, -№ 6, -p.566−569.
  195. Brongersma H.H., Buck T.M., Low-energy ion scatteing (LEIS) for composition and structure analysis of the outer surface.// Nuclear instruments and methods. -1978, -№ 149, -p.569−575. •
  196. Kumar R., Mintz M.H., Rabalais J.W., Ion survival probabilities for 3 keV Ar+ Scattering from La, Yb, and chemisorbed H2, 02, and H20 on La syrfaces.// Surface Science -1984, .-№ 147, -p. 15−3 6.
  197. Orvek K.J., Helbig H.F., Czanderna A.W., Thygesen K.H., Neutralisationof helium ions backscattered from tungsten.// Surface Science -1985,-№ 159, -p.35−48.
  198. Souda R., Aono M., Oshima C., Otani S., Ishizawa Y., Multiple Scatering of low-energy rare -gas ions at solid surfaces// Surface Science -1986, -№ 176,-657−668.
  199. Niehus H., Comsa G., Alkali ion impact collision scattering at Pt (lll).// Surface Science -1985, -№ 152/153, -93−98.
  200. Drummond I.W., Small electron and ion beams in surface analysis: ther optics, interactions and uses.// Vacuum -1981, -V 31, -№ 10−12, -579−588.
  201. Tenner A.D., Saxon R.R., Gillen K.T., Harison D.E., Horn T.G.M., Kleyn A.W. Computer simulation and rainbow paterns of alkali ion scattering from metal surfaces.//Surface Sci. -1986. -№ 1, -p.121−150.
  202. Hellig H.F., J. Vacuum Sci. Technol. -1976, -13, -368.
  203. Hellig H.F., Linder M.W., Morris G.A., Steward S.A.//Surface Sci. -1982, -144,-251.339
  204. А. М., Матвеев Г. Н. Исследование поверхности кремния методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низкой энергии./Физика и технология поверхности. Нальчик, -1990, -с. 92−98.
  205. Г. Н., Кармоков A.M., Тешев Р. Ш. ИсследованиеIповерхности материалов методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низкой энергии.// Тез. 6 Всесоюз. Семинара «Вторичная ионная и ионн- фотонная эмиссия», Харьков, -1991, -с. 255−258.
  206. М.О., Кармоков A.M. Исследование поверхности твердого раствора Cu-Ge (111) методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низкой энергии.// Тез. 3 Всеросийской научной конференции студентов-физиков, Екатеринбург, -1995, -с. 111.
  207. A.M., Дышеков М. Б., Кармоков A.M. Исследование методом спектроскопии обратно рассеянных имонов низкой энергийIструктуры поверхности монокристалла Cu-±6aT.%Ge (lll).// Вестник КБГУ, сер. физические науки, Нальчик, -1997, -с. 9−12.
  208. Davis Н. L., Noonon J. R. Atomic rippling of a metallicordered alloy surface-NiAl (l 10) //J. Vac. and Technol. 1985, A3, Pt 2: Proc. 31 Nat. Symp. Amer. Vac. Sol., Reno, Nev., 4−7 Dec. -1984, -p. 1507−1510.
  209. Mfrchut L., Buck Т. M., Mc Mfchon C. J., Wheatley G. H., Augustynik W. M. //Surface Science -1987, -p. 252−262.
  210. Whetley G. H., Calatteing C. W. UNV sistems for surface studies be ion scattering.// Rev. Su. Instrum. -1973. -44. -№ 6. -p. 744−747.
  211. Niehys H., Bauer E. Quantitative aspects of ion scattering spectroscopy (ISS). // Rev. Sei. Instrum. -1975. -№ 9. -46. -p. 222−333.
  212. А. А., Волков С. С., Гутенко В. Т., Дорожкин Н. В., Мишурова Е. А. Влияние изотопного состава на элементный и количественный анализ поверхности методом ионного рассеяния. //Поверхность.-1991. -%5 -с. 133−138.340
  213. А. А., Волков С. С., Исаев Т. Н., Машкова Т. М., 1. •
  214. М. Ю. Установка для исследования поверхности и эммисионных свойств пленочных эмитеров.// Электронная промышленность —1987, -№ 5, -с. 47−49.
  215. В. Е., Снитко О. В. Физика легированной металлами поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, -1988, -232 с.
  216. В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, -1987, -240 с.
  217. Н.А., Логинова Р. Г., Овсянников М. И., Шамов С. А. Испарение фосфора и бора из кремния в вакууме. № 354−77. Горький, -1976.-10 с.
  218. А.В., Кантор Б. З., Сидоров Ю. Г., Стенин С. И. // Поверхность -1990, -№ 9, -с. 30.
  219. А.В., Кантор Б. З., Стенин С. И. и др. Испарение и сегрегация галлий при нагреве легированного кремния в вакууме. // Поверхность -1989, -№ 3, -с. 160−162.
  220. В.К., Кармоков A.M., Шебзухов А. А. Поверхностная сегрегация фосфора, сурьмы и мышьяка в бинарных твердых растворах на основе кремния.// Коллоидный журнал -1996, -58, -№ 4, -с. 503−508.у ¦
  221. Анализ поверхности методами оже- рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. /Под ред. Брига Д. Сиха М. П. М.: Мир, -1987, -с. 598.
  222. Н.М., Morabito I.M. // Surf. Sci., -1979, -v. 83, -p.391.
  223. Shimizu R., Iohumura S. Quantitative Analysis by Anger Elektron Spektroscopy.// Toyata Foundation Research Report 1−006 № 76−0175, Osaka, P.-1981.
  224. Ichimura S., Shimizu R. Backscattering correction for guantitative Auger analysis. // Surf. Sci. -1981. v.112. -N3. -p.386−408.341
  225. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. Eds. Davis L.E., Mac Donald N.C., Palmberg P.W., Rioch G.E., WeberRE. Minnesota: Phys. Electron. Indust. — 1976. — 252 p.
  226. Ferrante J. An auger elektron spektroscopy and LEED study of equlibrium surface segregation in copper-aluminum alloys.//Acta Metallurgies -1971. -v. 19. № 8. -p.743−748.
  227. В.П. Вторичные электроны. M.: Энергоатомиздат. -1987.-177с.
  228. В.К. Исследование поверхностной сегрегации фосфора и сурьмы в кремнии методами оже-электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов: //- Физика и технология поверхности.- Нальчик.- 1990.- с. 134−138.
  229. В.К., Шебзухов А. А., Кармоков A.M. Сегрегация легирующих примесей на поверхности элементарных полупроводников (Si, Ge). // Тезисы докладов VI межотраслевого семинара «Радиационные процессы в электронике». Москва. -1994. с. 51.
  230. B.C., Сандомирский В. В. //Кинетика и катализ. -1962. -т.З, -с. 742.
  231. Ф.Ф. Физика-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, -1973, -400 с.
  232. В. К., Кармоков А. М., Шебзухов А. А. Поверхностная сегрегация легирующей примеси элемента донорного типа в342монокристаллах кремния и германия. // Журнал физической химии. -1998. -том 72.-N6.- с. 1111 1115.
  233. В. Н., Кочина Э. А., Иванова Т. В.//Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1980, -т. 16, -N4, -с. 586.
  234. С. Н., Карашаев А. А.// Ученые записки, Нальчик, -1962,с.243−244.
  235. С. Н., Темроков А. И. //Изв. вузов, физика, -1968, -9
  236. Ю. В., Перевертайло В. М., Неводник Г. М. В кн.: Смачиваемость и поверхностные свойства расплавов и твердых тел, Киев, Наукова думка, -1972, -с. 61.
  237. С. Н. В кн.: Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых тел, Кабардино-Балкарское книжное издательство, Нальчик, -1965, -с. 26.
  238. Р.В. /П. Chem. Phys. -1953. -V. 21. -P. 1531.
  239. В. Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск, Наука, -1984, -264 с.
  240. А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М., Высшая школа, 1986,368 с.
  241. Tabe М., Nakamura М. Segregation and desorption kinetics for evaporation of arsenic from silicon. // J. Appl. Phys. -1979. -V. 50. -№ 8. -P. 5292−5295.
  242. Gilman I.I. Terraces on etchpits.// J. Appl. Phys. 1960. — 31 (2). — p.2208.
  243. ВасильевМ.А., Ченакин С. П., Черепин B.T. Особенности вторичной ионно- ионной эмиссии границы разделаразнородных металлов.//Изв. АН СССР. Сер. физ. -1976, -40, -№ 12, -с. 2571−2574.
  244. Prudon G., Gantier В., Dupua J.C., Dubois С., Bonneau М. Delmas J., Valard J.P., Bremond G., Brenier R. Quantification of germanium and boron343in heterostructures Si/SibxGex/Si by SIMS//Thin Solid Films.- 1977.-294, №l-2.-p.54−58.у •
  245. Chi P.H., Simons D.S., Wickenden A.E., Koleske D.D. Pepeotabilety of Si concentration measuremments in Si-doped GaN films.//J. Vac. Sci. and Tehnol. A.- 1997.-15. № 5.-p.2565−2568.
  246. Ю.К., Быковский А., Неволин H. Малогабаритная установка для прямого легирования с лазерным источником.// ЖТФ, -1980, -40,-1,-с. 173−179.
  247. А.К., Шауцуков А. Г., Кармоков A.M., Кожокова Ф. М., Молоканов О. А. Исследование профилей распределения примесей в р±р- слоях двухпролетных лавинно- пролетных диодов методом ВИМС.//1. У •
  248. Электронная техника. Сер. 2, полупроводниковые приборы, -1989, -в. 2, -с. 57−60.
  249. А.Г., Дружинин А. В., Шухостанов Б. К., Аталиков С. Ч. Автоматизированное проектирование многократной имплантации для создания Р-областей двухпролетной ЛПД. //Электронная промышленность.- М., ЦНИИ.- 1990.- в.2.- с.26−27
  250. A.M., Молоканов О. А., Панчёнко В. А., Альтудова Ю. К. Исследование методом ВИМС влияния ионной имплантации на степень загрязнения кремниевых пластин.// Тез. 1 подотраслевой конф. у ¦
  251. Молодых специалистов. Нальчик, -1985, -с.76.
  252. А.Г., Журтов З. М., Кармоков A.M., Шухостанов А. К. Оже анализ концентрационных профилей имплантированных слоев кремния.// Тез. 1 подотраслевой конф. Молодых специалистов. Нальчик,-1985,-с.71.
  253. В.А., Нейман Г. В., Журтов З. М., Кармоков А.М, Профили концентрационного распределения элементов в кремнии, легированном на ЛПУ и Везувий 1.// Тез. 1 подотраслевой конф. Молодых специалистов. Нальчик, -1985, -с.96.344 .
  254. A.M., Молоканов О. А., Панченко В. А., Шухостанов А. К. Влияние химической обработки на распределение элементов в кремниевых пластинах дегированных — алюминием.// Тез. 1 подотраслевой конф. Молодых специалистов. Нальчик, -1985, -с. 118.
  255. А.К., Шауцуков А. Г., Кармоков A.M., Кожокова Ф. М., Молоканов О. А., Шебзухов А. А. Исследование распределения бора и атомов отдачи алюминия, одновременно имплантированных в кремний.// Сб. Физика-химия межфазных явлений. Нальчик, -1986, -с.57.
  256. Nauberger М. Oup if semiconducting materials. Handbook of electronic materials, v. 5, New-York, -1971.
  257. C.S., Ditrenberge J.A. // J. Appl:. Pfis.^ -1956.-27, — 544.
  258. Oechsner H. Analysis of thin film interfaces.// Proc. 9. Int. Vac. Cong, and 5. Int. Conf., 30, -1983, -316−323.
  259. Krimmel E., Pilederer H. Implantation profiles modified by sputtering.// lRadiat. Eff., -1973, -vol. 19, -p. 83−85.
  260. В. Г., Куянов И. А. Влияние примеси в приграничном слое кремния на величину барьера Шоттки в эпитаксиальной системе Al/n-Si.// Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -1996, -№ 11, -с. 51−55.
  261. Horiuchi Masatada, Yamaguchi Ken. SOLID: high-voltage, high-gain 300 nm channel-length MOSFETs-1. Simulation.// Solid-State Elektron. -1985. -28, -№ 5, -465−472.
  262. C.B., Герасименко H.H. Поведение примеси в процессе формирования силицидов металлов. // Поверхность.- 1986.-№ 7.- с.57−62
  263. Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир. -1986. -176 с.
  264. Ф.М., Кармоков A.M. Перераспределение ионов бора и фосфора на границе металл- кремний.// Тез. докл. и сообщен, республиканской конференции молодых ученных. -1988, -с.23.345
  265. Kogokova F.M., Karmokov A.M., Matveev G.N. The diagnostic of semiconductor structures by ion beams.// The 4- th All-Union Conference on Interection of Radiation with Solids. Moscow. -1990, -p.20.
  266. A.M., Кожокова Ф. М., Молоканов O.A., Исследование сегрегации легирующих примесей на межфазной границе кремний-металл.// Поверхность. Физика, химия, .механика. -1996, -№ 2, -с. 81−84.
  267. С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М. Металлургие. -1986, -574 с.
  268. Ф.М., Кармоков A.M. -Исследование сегрегации легирующей примеси на межфазных границах кремний- силицид-металл.// Тез. 6 Всесоюз. семинара «Вторичная ионная и ионн-фотонная эмиссия», Харьков, -1991, -с. 148−149.
  269. A.M., Кожокова Ф. М., Молоканов О. А., Влияние процесса силицидообразования и перераспределения примеси бора в системах Ni-Si и Ti-Si.// Поверхность. Физика, химия, механика. -1995, -№ 2, -с. 41−44.
  270. А.М., Молоканов О. А., Кожокова Ф. М. Способ измерения толщины интерметаллического слоя. Патент № 1 777 667 от 9.07.90 зарегистр. 22.07.92.
  271. Tsai M.Y., Chao Н.Н., Ephrath L.M., Crowder B.L., Cramer A., Bennett R.S., Lucehese C.A., Wordeman M.R.// J. Electrochem. Soc., -1981, -128, -2207.
  272. Pan P., Hsieh N., Gorpel H.J., Slusser G.J.// J. Appl. Phys., -1982, -53.3059.1
  273. Ostling M., Petersson C.S., Norstrom H., Runove., Buchta R., Wiklund P. The Behavior of Arsenic in TiSi2-// Polyside Layers, ESSDERC, Sept. 1982, Munchen, W.Germany.
  274. Э. П., Юрченко' В.Н. Кинетика сегрегации примесей на поверхностях раздела в твердых телах.// Поверхность, -1990. -№ 12, -138.у ¦
  275. Д.Д., Тихоновский М. А. Образование жидкой фазы в месте контакта двух кристаллов, составляющих эвтектическую пару.// ДАН СССР, -1941, -33, -№ 4, -с.1303−1309.
  276. П.А. Некоторые свойства эвтектических сплавов и молекулярная концентрация.//Известия-ТПИ -1958, -95, -с.146−151
  277. В.Н. Совершенствование зонной перекристаллизации, Металлургия, М.-1974,-200 с:
  278. Вигдорович В. Н. Исследование условий получения синтетических магниточувствительных электросопротивлений из эвтектическихv. •сплавов, ДАН СССР, -1969, -186, -№ 4, -с.842−845,
  279. К.А. Механизм роста кристаллов. Жидкие кристаллы и их затвердевание, М., Мепталлургиздат, -1962, -с.200−215.
  280. К.А. Основные представления о росте кристаллов. Проблемы роста кристаллов М.: Мир, -1−968, -с. 13−25.
  281. Д. Рост кристаллов. Физика и химия твердого состояния органических соединений. М.:', Мир, -1967, -с.191−230.
  282. В.А. Кристаллизация двойных эвтектик.// ЖФХ -1970, -44, -№ 8, -с.2071−2075.
  283. В.А. О фазовой ориентации в композиционных материалах.// ФММ -1970, -29, -№ 3, -641−644.
  284. А.И., Тихоновский М. А. Эвтектические композиции, М., Металлургия,-1975,-308
  285. A.M. Контактное плавление в эвтектических композициях и сложных системах ДК ФМН, Нальчик, -1978.347
  286. Н.Н., Бартенев Г. М., Борисов В. Т., Матвеев Ю. Е. Исследование контактного плавления в системе галлий-цинк.// ДАН СССР -1968, -180, -№ 2, -с.394−397.
  287. П.А., Кармоков A.M., Гетажеев К. А. Влияние тангенциальной диффузии в жидкости на кинетику перемещение межфазной границы при контактном плавлении.// Физическая химия границ раздела контактирующих фаз, Киев, Наукова думка, -1976, -с.176−180.
  288. К.А., Кармоков A.M., Борисов В. Т., Савинцев П. А. Кинетика контактного плавления направленно кристаллизованой эвтектики.// Изв. АН СССР, Металлы, -1977, -№ 1, -173−180.
  289. И.С. Образование метастабильных фаз при затвердевании быстроохлаждаемых расплавов.// «Рост кристаллов», Ереван, -1975, -XI, -337−348.
  290. Я.И. Кинетическая теория жидкости, Л., «Наука»,-1975, -592.
  291. Л.С., Косевич В, М., Антонов В. А. К вопросу образования метастабильных модификаций в конденсированных пленках.// ЖФХ, -1966, -40, -10, -2458−2463.348
  292. Iosiaki Т., Nobuo A. Behaviors of Eutektik Crystals below Their Eutektik Points.//Japonesse Jornal of Applied Physiks. -1968, -9, -1005−1011.
  293. Iosiaki Т., Nobuo A. Behaviors of Eutektik Crystals below Their Eutektik Points (II). //Japonesse, Journal of Applied Physics. -1971, -10, -9, -11 561 162.
  294. Nobuo A., On Dond itic Structures Caused by Contact between Iron and Silicon belqw Their Eutectic Temperatures.// Japones Jurnal of Appl. Phys1974,-13, -3, -p.534−538.
  295. M.P. Контактное плавление в бинарных системах с химическим взаимодействием компонентов. ДК ФМН, Махачкала, 1975.
  296. А.А. О природе и некоторых закономерностях контактного плавления. ДК ФМН -1970.
  297. А.А., Савинцев П. А. Контактное плавление кристаллов. Деп. 2330−70, ВИНИТИ,-1971.
  298. В.В., Савицкий А. П. Влияние легирования на скорость движения межфазной границы при контактном плавлении металлов.// Тез. докл. 7 Всесоюзной конференции «Поверхностные явления в расплавах», Тбилиси, -1974, -с.91.
  299. С.Н., Понежев М. Х., Белоусов В. Н. Уравнение изотермы поверхностного натяжения бинарного раствора.//ЖФХ -1971, -7, -1, -с.134−140.
  300. А.П., Некрасов Е. А., Максимов Ю. М. Влияние тепловыделения на кинетику роста слоя продукта при реакционной диффузии.// Изв. АН СССР, Металлы -1977,-№ 2, -с.121−125.
  301. A.M., Кириллов В. М. Исследование контактного плавления в металлических си системах с химическим взаимодействием. //Изв. ВУЗов, Физика, 1976.-1. -с. 94−97.349 .
  302. П.А., Кармоков A.M., Кириллов В. М. Образование жидкой фазы в контакте при температуре ниже эвтектической.//Адгезия металлов и сплавов. Киев, Наукова думка.-1977.-с.70−73.
  303. A.M., Кириллов В. М. Об Определении адгезионной прочности паянных соединений.// Тез. Докл. 13 республ. конференц., Нальчик, -1986, -с.17−18.
  304. A.M., Шебзухов А. А. Контактное плавление кристаллов.// Тез. Докл. 13 республ. конференц., Нальчик, -1986,-с.23−24.
  305. Ю.В., Шантурин Л. П. ЧЬтырехэлектродная электронная пушка сечением 10×80 см в атмосферу.// Приборы и техника эксперимента. -1979, № 4, 194−196.
  306. А.М., Журтов З. М., Кириллов В. М. К вопросу соединения алюминиевой фольги с компактной медью.// Физика межфазных явлений, Нальчик, -1981, -С123−126.
  307. А.П., Темнина Б. Я. //Технология поверхностной обработки алюминия и его сплавов. Киев, «Машгиз», -1963, -с.137−148.
  308. Ю. Н., Еременко В. Н., Богатыренко Б. Б. //Поверхностные явления в расплавах и процессах порошковой металлургии. Киев, издво АН УССР, -1963, -с.391−417.1
  309. Д.В., Оникошвили Э. Г., Тавадзе Ф. Н. Некоторые приложения теории капиллярности при физико-химическом исследовании сплавов. Тбилиси, «Мецниерефа», -1971, -134с.
  310. A.M., Сергеев И. Н., Молоканов О. А., Шериев В. Х. Контактно-реактивная пайка керамики с металлами без применения серебра.// Тез. 12 Республик. Конференции по проблем, сроит, и машиностроения. Нальчик, -1985, -с.59—60.
  311. A.M., Кириллов В. М., Гришутин Г. С., Шебзухов А.А. Исследование межфазных взаимодействии на границе ультрафарфора350
  312. УФ-46 с некоторыми металлическими сплавами применительно к условиям пайки.// Тез. Пайка в машиностроении. Омск, -1980, -с. 63.
  313. A.M., Сергеев И. Н., Мрлоканова О. А., Шериев В. Х. Способ соединения корунднвой керамики с титаном. Авт. свид. № 1 606 502 от 15.07.90. •
  314. М. Б., Гогичаев В. А. Об одной из причин появления паразитной проводимости между электродами в ЭВП.// Электрон, техника. Сер. Электрон СВЧ -1980, -вып.9, -с. 52−53.
  315. В.Н., Метелкин И-.И. и др. Вакуумноплотная керамика и ее спаи с металлами./ -М.: Энергия. -1973. С. 31.
  316. В.В., Митягин А. Ю. и др.// Микроэлектроника, Москва, -1977 г. С136−143.
  317. Ю.С., Ниобат и танталат лития /материалы для нелинейной оптики/, Наука, Москва, -1975, -170 с.
  318. А.Г., Журтов З. М., Кармоков А, М., Шухостанов А. К. Оже-анализ концентрационных профилей имплантированных слоев кремния.// Тез. 1 подотраслевой конф. Молодых специалистов. Нальчик,-1985,-с. 23.351
  319. A.M., Молоканов О. А., Панченко В. А., Альтудов Ю. К. Исследование методом ВИМС влияние ионной имплантации на степень загрячзнения кремниевых пластин.// Тез. 1 подотраслевой конф. Молодых специалистов. Нальчик, -1985, -с. 47.
  320. Scah P.M., Woodruff D.P. The temperature dependence of the energy of LEED intensity peaks and its effect on the surface Debye temperature.// Phys. Lett. A. 1969. -130. -№ 4. -p. 263−264.
  321. Janssen A.P., Schoonmaker R.C. Comparative study of single cristal magnesium oxide and oxidised magnesium by Auger electron spectroscopy. 41−47.// Surf. Sci. -1975. -47. -p.41−47.
  322. Tabor D., Wilson J.M., J.J. Bastow. Surface Debye-Waller factors for Cr (111) and Mo (100).// Surf. Sci. -1978−26. -p. 471−489.
  323. A.A., Пархоменко Ю. Н. Исследование атомной структуры поверхности полупроводниковых кристаллов методом дифракции медленных электронов.// Поверхностные явления в полупроводниках. М.: Металлургия, -1976, -с. 92−106.
  324. А.А., Журтов З. М., Кармоков A.M. Способ определения температурного коэффициента свободной поверхностной энергии. Авт. свид. № 1 323 930, 1987.
  325. А.Н., Гаев Д. С., Барашев Н-Н., Кармоков A.M., Шухостанов *
  326. А.К. Исследование кинетики межфазных взаимодействии в «fмногослойных системах металлизации.// Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов. Махачкала. -1990, -с.42.1
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?