Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Полупроводниковые слоистые структуры на основе пленок редкоземельных элементов и их соединений: Силициды, оксиды и фториды

Диссертация: Полупроводниковые слоистые структуры на основе пленок редкоземельных элементов и их соединений: Силициды, оксиды и фториды
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

6 А/см2 при значении обратного напряжения в 10 В. Показано, что к исследуемым контактам в области комнатных температур применима теория термоэлектронной эмиссии. Методами вольтамперных, вольтфарадных характеристик, энергии активации и спектральных зависимостей фототока определена высота энергетического потенциального барьера на контакте РЗМ — р — 81. Установлено, что высота потенциального барьера… Читать ещё >

Содержание

  • Перечень условных обозначений и сокращений
  • Раздел 1. Контакты редкоземельный металл — кремний, силицид редкоземельного металла — кремний и поверхностно — барьерные диоды на их основе
  • Глава.
    • 1. 1. Общая характеристика и свойства редкоземельных элементов
  • Глава.
    • 1. 2. Контакты редкоземельный металл — кремний и поверхностно барьерные диоды на их основе
      • 1. 2. 1. Методика получения и исследования характеристик экспериментальных образцов поверхностно-барьерных диодов
      • 1. 2. 2. Структура пленок редкоземельных элементов
      • 1. 2. 3. Высота потенциального барьера на контакте редкоземельный металл — кремний
      • 1. 2. 4. Фотоэлектрические свойства поверхностно — барьерных диодов на основе контакта РЗМ — кремний р- типа
  • Глава.
    • 1. 3. Тонкопленочные силициды РЗМ и поверхностные барьеры в контакте силицид РЗМ — кремний
      • 1. 3. 1. Классификация, общая характеристика и основные свойства тонкопленочных силицидов металлов
      • 1. 3. 2. Получение образцов поверхностно — барьерных диодов на основе контакта силицид РЗМ — кремний и методика исследования их свойств
      • 1. 3. 3. Структура, состав и поверхностная морфология пленочных силицидов РЗМ
      • 1. 3. 4. Потенциальный барьер в системе силицид РЗМ — кремний и электрофизические свойства кремниевых ПБД с силицидами РЗМ
  • Раздел 2. Пленочные оксиды редкоземельных элементов и МДП — структуры с диэлектрическими слоями на их основе
  • Глава.
    • 2. 1. Получение и свойства пленок оксидов редкоземельных элементов
      • 2. 1. 1. Основные электрофизические свойства оксидов редкоземельных элементов (сведения из литературы)
      • 2. 1. 2. Методика низкотемпературного изготовления пленок оксидов
  • РЗЭ и кремниевых МДП-структур на их основе
    • 2. 1. 3. Структура пленок оксидов РЗЭ
  • Глава.
    • 2. 2. Электрические свойства пленок ОРЗЭ и МДП-структур на их основе
      • 2. 2. 1. Электропроводность кремниевых МДП-структур с диэлектрическими пленками из ОРЗЭ
        • 2. 2. 1. 1. Механизм прохождения тока в кремниевых МДП-структурах с
  • ОРЗЭ в качестве диэлектрика
    • 2. 2. 1. 2. Исследование кинетических характеристик тока для кремниевых МДП-структур с диэлектрическими пленками ОРЗЭ
    • 2. 2. 2. Проводимость и диэлектрические потери в слоисто-неоднородных структурах с ОРЗЭ на переменном сигнале
    • 2. 2. 3. Явление отрицательного сопротивления в МДП-структуре с пленкой оксида РЗЭ
  • Глава.
    • 2. 3. Характеристики электрического пробоя пленок ОРЗЭ в кремниевых МДП-структурах
      • 2. 3. 1. Методика исследования характеристик электрического пробоя
      • 2. 3. 2. Кинетические характеристики электрического пробоя
      • 2. 3. 3. Зависимость величины напряженности электрического поля пробоя от параметров МДП-структуры
      • 2. 3. 4. Влияние внешних параметров на величину пробивного электрического поля
      • 2. 3. 5. Модель явления электрического пробоя пленок ОРЗЭ в МДП-структурах и оценка ее применимости для обьяснения экспериментальных результатов
        • 2. 3. 5. 1. Пробой на постоянном напряжении
        • 2. 3. 5. 2. Пробой для случая линейно-нарастающего напряжения
        • 2. 3. 5. 3. Сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью
  • Глава.
    • 2. 4. Электрофизические свойства границы раздела кремний оксид редкоземельного элемента
      • 2. 4. 1. Вольт — фарадные характеристики кремниевых МДП-структур с оксидами РЗЭ
      • 2. 4. 2. Влияние технологии изготовления диэлектрических пленок на электрические характеристики МДП-структур
      • 2. 4. 3. Свойства границы раздела кремний-ОРЗЭ
        • 2. 4. 3. 1. Исследование генерационных процессов в кремниевых МДП-структурах А1- 8т203−81 и А1- УЪ20з-81 методом Цербста
        • 2. 4. 3. 2. Влияние освещенности на генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых МДП-структурах с пленками ОРЗЭ
        • 2. 4. 3. 3. Зависимость генерационных параметров МДП-структур от технологических условий изготовления диэлектрической пленки
  • Глава.
    • 2. 5. Фотоэлектрические свойства кремниевых МДП-структур на основе пленочных оксидов РЗЭ
      • 2. 5. 1. Методика определения высот энергетических барьеров на межфазных границах МДП-систем методом внутренней фотоэмиссии
        • 2. 5. 1. 1. Метод фотоинжекции и аналитическое выражение для фотоинжекционного тока
        • 2. 5. 1. 2. Анализ спектральной зависимости фотоинжекционного тока
        • 2. 5. 1. 3. Анализ вольтаической зависимости фотоинжекционного тока
      • 2. 5. 2. Изучение спектральных зависимостей фотоэмиссионного тока в кремниевых МДП-структурах с оксидами РЗЭ в качестве диэлектрика
      • 2. 5. 3. Изучение вольтаических зависимостей фотоэмиссионного тока в кремниевых МДП-структурах с оксидами РЗЭ в качестве диэлектрика
      • 2. 5. 4. Эффекты накопления заряда в пленках ОРЗЭ кремниевых МДП-структур при внешних воздействиях
        • 2. 5. 4. 1. Исследование эффекта переключения и памяти емкости структур А1-Еи203−8Ю2−81 и А1-Ьа203−8Ю
        • 2. 5. 4. 2. Особенности накопления заряда в кремниевых МДПструктурах с ОРЗЭ при воздействии облучения
  • Глава.
    • 2. 6. Исследование параметров активных центров захвата заряда в диэлектрических слоях из оксидов РЗЭ
      • 2. 6. 1. Методика определения локализации и плотности захваченного заряда в объеме диэлектрика
      • 2. 6. 2. Изучение активных центров захвата заряда в диэлектрических пленках оксида самария и иттербия
        • 2. 6. 2. 1. Плотность и локализация захваченного заряда в диэлектрических пленках оксида иттербия и самария в кремниевых МДП-структурах
        • 2. 6. 2. 2. Определение сечения захвата и плотности электронных ловушек в объеме диэлектрических пленок оксида самария и иттербия
        • 2. 6. 2. 3. Энергетическая глубина залегания электронных ловушек в диэлектрических пленках оксида самария и иттербия
        • 2. 6. 2. 4. Пространственное распределение захваченного заряда
  • Глава.
    • 2. 7. Эффект электрического переключения проводимости с памятью в МДМ- и кремниевых МДП-структурах с диэлектрическими пленками из ОРЗЭ
      • 2. 7. 1. Основные характеристики явления переключения проводимости в кремниевых МДП- структурах
      • 2. 7. 2. Исследование свойств проводящего состояния в МДП-структурах
      • 2. 7. 3. Модель явления электрического переключения проводимости с памятью в МДП-структурах с оксидами РЗЭ
  • Глава.
    • 2. 8. Оптические свойства пленок оксидов РЗЭ и просветляющие покрытия на их основе для кремниевых фотоэлектрических приборов
      • 2. 8. 1. Селективные просветляющие оптические покрытия для кремниевых фотоэлектрических приборов
      • 2. 8. 2. Оптические и просветляющие свойства пленок оксидов РЗЭ
      • 2. 8. 3. Рекомбинационные свойства кремния, пассивированного пленками ОРЗЭ
  • Глава.
    • 2. 9. Свойства кремниевых МДП-структур с оксидами, полученными высокотемпературным окислением РЗМ и МДПструктур с ОРЗЭ на основе германия и арсенида галлия
      • 2. 9. 1. Электрофизические свойства кремниевых МДП — структур с оксидами, полученными высокотемпературным окислением РЗМ
      • 2. 9. 2. Электрофизические свойства МДП — структур на основе германия и арсенида галлия с диэлектрическими слоями из ОРЗЭ
  • Раздел 3. Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ
  • Глава.
    • 3. 1. Получение пленок фторидов РЗЭ, слоистых структурна их основе и экспериментальные установки
      • 3. 1. 1. Технологические особенности изготовления пленок фторидов
  • РЗЭ и структур на их основе
    • 3. 1. 2. Методика измерений и экспериментальные установки
  • Глава.
    • 3. 2. Основные характеристики явления переключения проводимости с памятью в кремниевых структурах с диэлектрическими пленками фторидов РЗЭ
      • 3. 2. 1. Экспериментальные закономерности электрического и теплового переключения проводимости в структурах с диэлектрическими пленками фторидов РЗЭ
      • 3. 2. 2. Кинетические характеристики переключения и явление формовки
      • 3. 2. 3. Вольт — ёмкостные характеристики МДП — структур с фторидами
  • РЗЭ в высокоомном и низкоомном состоянии
  • Глава.
    • 3. 3. Исследование свойств низкоомного состояния кремниевых МДП -структур с фторидами РЗЭ и обсуждение модели переключения
      • 3. 3. 1. Исследование механизмов токопрохождения в МДП — структурах с фторидами РЗЭ после переключения в проводящее состояние
      • 3. 3. 2. Лавинный пробой в МДП — структурах с фторидами РЗЭ в низкоомном состоянии
      • 3. 3. 3. Электрофизические характеристики кремниевых МДП — структур с фторидами РЗЭ в низкоомном состоянии при освещении
        • 3. 3. 3. 1. Режим короткого замыкания МДП структур с фторидами РЗЭ в низкоомном состоянии
        • 3. 3. 3. 2. ВАХ и ВФХ МДП — структур с пленочными фторидами РЗЭ в низкоомном состоянии при освещении
        • 3. 3. 3. 3. Кинетика фотоответа кремниевых МДП — структур с пленочными фторидами РЗЭ в низкоомном состоянии
      • 3. 3. 4. Модель переключения проводимости с памятью в МДП структурах с фторидами РЗЭ
  • Глава.
    • 3. 4. Просветляющие и пассивирующие диэлектрические покрытия на основе фторидов РЗЭ для кремниевых фотоэлектрических приборов
      • 3. 4. 1. Оптические свойства пленок фторидов РЗЭ
      • 3. 4. 2. Фотоэлектрические свойства кремниевых структур с просветляющими слоями из фторидов РЗЭ

Полупроводниковые слоистые структуры на основе пленок редкоземельных элементов и их соединений: Силициды, оксиды и фториды (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В настоящее время контакты металл — полупроводник и структуры на их основе нашли исключительно широкое применение в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Они участвуют практически во всех исследованиях физических свойств полупроводников. В одних случаях такие контакты являются активными элементами, определяющими полезные свойства полупроводникового прибора (например, диода, фотодиода или полевого транзистора с барьером Шоттки и т. п.), в другихпассивными, роль которых сводится к подведению электрического тока. Однако и в этом случае их влияние может быть существенным: так, например, они обусловливают рекомбинацию, шумы и т. п. Области применения контактов металл — полупроводник непрерывно расширяются. Такое обширное применение полупроводниковых приборов с барьером Шоттки в последние годы стало возможным, во-первых, в связи с развитием теории контакта металл-полупроводник, во-вторых, из-за совершенствования технологии получения неприжимных контактов металл-полупроводник.

Широкое применение контактов металл — полупроводник и полупроводниковых приборов на их основе вызывает необходимость поиска и исследования характеристик новых контактных систем, обладающих разнообразными функциональными свойствами. К числу перспективных металлов для создания эффективных барьеров Шоттки с кремнием р — типа проводимости относятся редкоземельные элементы (РЗЭ), имеющие малую величину работы выхода электронов и позволяющие реализовать в контакте с р — кремнием большие по величине потенциальные барьеры. С этой точки зрения данная система перспективна для физических исследований и практических приложений в связи с возможностью получения значительных по величине барьеров, обладающих высокой эффективностью. Однако к моменту постановки настоящей работы в литературе отсутствовали экспериментальные данные о значении высоты барьера Фь в системе кремнийредкоземельный металл (РЗМ) за исключением одной работы, в которой Фь"0,7 эВ получена для контакта р-кремния с иттербием, тербием и эрбием. Совершенно не нашли отражения в литературе физическая модель, фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных диодов (ПБД) на основе контакта редкоземельного элементакремний и сведения о возможности их практического использования.

Актуальной задачей полупроводниковой электроники является также улучшение параметров и характеристик полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Значительных успехов в этой области в последние годы удалось достичь вследствие применения новых материалов — тонкопленочных силицидов металлов. Пленки этих соединений перспективны для создания низкоомных контактов, поверхностно — барьерных диодов, электродов затворов МДП — приборов, выполняемых по самосовмещаемой технологии, в интегральных схемах, межэлементных пленочных электрических соединений. Кроме этих, становящихся уже традиционными, областей применения, силициды могут послужить базовым материалом для новых, перспективных технологических процессов производства сверхбольших интегральных схем будущих поколений. Большие возможности открываются для процессов твёрдо-фазной эпитаксии с использованием слоев силицидов, ионной имплантации тугоплавких металлов через тонкие слои силицидов, применения силицидов в оптоэлектронных устройствах длительного хранения информации.

Силициды металлов, обладая высокой стабильностью, термической устойчивостью, хорошей адгезией к поверхности кремния, образуют тесный контакт металл-полупроводник с кремнием и характеризуются высокой стабильностью электрических характеристик. Однако, прогнозирование масштабов промышленного применения силицидов в микроэлектронике и их практическое использование в настоящее время представляет определённые трудности вследствие слабой изученности целого ряда их свойств, представляющих интерес.

Среди соединений кремния с металлами выделяются силициды редкоземельных металлов, которые образуют первую и окончательную дисилицидную фазу при весьма низких температурах (620−720 К) и формируют высокий барьер на ¿-«-кремнии и низкий на кремнии п-типа проводимости. Низкие значения высоты барьера на контракте силицид РЗМкремний п-типа позволяют говорить о возможности использования этой системы в качестве омического контакта. Однако, систематическое исследование свойств тонкоплёночных силицидов РЗМ и барьеров Шоттки на основе контакта силицид РЗМкремний только ещё начато. Не исследована кинетика роста силицидов РЗМ. Не ясен механизм образования дисилицидов при такой низкой температуре. Крайне мало данных имеется и об электрофизических свойствах этих контактов. В частности, не исследованы влияние уменьшения высоты барьера на основе силицида РЗМ на величину контактного сопротивления, морфология поверхности и структурные особенности переходной области контакта кремний-силицид РЗМ.

Развитие современной микроэлектроники в значительной степени определяется достижениями физики поверхности полупроводников и выдвигает перед этой областью науки целый ряд исключительно важных научных и практических задач. Микроминиатюризация полупроводниковых устройств, внедрение в производство планарной и пленочной технологии приборов вызвали необходимость разработки сложных полупроводниковых систем и исследования их свойств.

Сложные слоистые системы различного типа, в особенности системы металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), приобрели в последнее время исключительную актуальность в связи с чрезвычайно широким их распространением в полупроводниковых приборах и физических исследованиях. Именно такие системы составляют основу почти всего современного полупроводникового приборостроения, в том числе и микроэлектроники. Специфические свойства этих систем уже сейчас позволили предложить и разработать целый ряд новых полупроводниковых приборов (полевые транзисторы с изолированным затвором, МДП-варикапы, фотоварикапы, приборы с зарядовой связью, элементы памяти, переключатели, логические устройства и др.).

Несмотря на большое число работ, посвященных исследованию МДП-систем, и значительные успехи, достигнутые в понимании их свойств, многие вопросы, связанные с работой этих структур, до конца еще не могут считаться решенными. По-прежнему главными задачами этой области физики являются выяснение механизмов доминирующих физических процессов, протекающих на поверхности и в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника, установление природы поверхностных электронных состояний, поиск и разработка новых систем диэлектрик — полупроводник, изыскание методов сознательного управления параметрами МДП-систем, дальнейшее выяснение возможностей их практического использования. Среди основных путей улучшения параметров МДП-приборов и элементов интегральных схем следует выделить получение высококачественной границы раздела полупроводника с диэлектрической пленкой, использование диэлектрических материалов с лучшими характеристиками, совершенствование методов нанесения диэлектрических пленок.

К числу перспективных диэлектрических материалов относятся оксиды и фториды редкоземельных элементов (ОРЗЭ), которые обладают большими значениями диэлектрической проницаемости, высокой электрической прочностью, химической и термической стойкостью, расширенными функциональными возможностями. К настоящему времени на основе этих материалов разработаны и изготовлены высокоэффективные МДПгварикапы, МДП-транзисторы, электрические и тепловые переключатели, элементы памяти, термостойкие и эффективные просветляющие покрытия для кремниевых фотоэлектрических приборов.

Однако, несмотря на значительные практические успехи в технологии МДП-приборов с оксидами редкоземельных элементов (РЗЭ), многие фундаментальные вопросы, связанные с физикой явлений в них, а также касающиеся физико-химической природы их основных характеристик, до настоящего времени остаются невыясненными. К числу таких проблем относится определение величин энергетических потенциальных барьеров на межфазных границах, параметров и природы ловушек, являющихся центрами захвата носителей заряда, установление электрических и фотоэлектрических свойств МДП-структур с диэлектрическими пленками из ОРЗЭ. Актуальность решения указанных проблем определяется как самой логикой развития знаний о свойствах пленок ОРЗЭ, так и требованиями практического использования этих пленок в различных устройствах, поскольку именно эти параметры определяют основные электронные параметры и характеристики МДП-приборов.

Одной из актуальных задач полупроводниковой электроники является изучение новых физических явлений в тонкопленочных слоистых системах и возможностей их использования для разработки перспективных функциональных приборов и элементов. Обнаруженный в последнее время эффект электрического переключения проводимости с памятью в структурах на основе халь-когенидных стекол и оксидных пленок некоторых металлов открывает новые пути создания устройств с уникальными свойствами. Характерными для этого эффекта являются большая разница в сопротивлениях низкоомного и высоко-омного состояний, практически неограниченное число циклов переключения при оптимальном выборе режима переключения, малые времена и энергии переключения. Однако практическое использование этого эффекта встречает ряд трудностей, главной из которых является недостаточное понимание сущности физических явлений, происходящих при переключении. Хотя явлению переключения проводимости в большинстве пленочных материалов и структур на их основе присущи общие закономерности, до настоящего времени не удается указать однозначную причину их перехода из высокоомного состояния в низ-коомное и обратно. В связи с этим необходимо дальнейшее всестороннее исследование этого явления в различных материалах как для выяснения его физической природы, так и для разработки и создания на его основе элементов постоянной электрической репрограммируемой памяти и коммутационных сред, обладающих лучшими характеристиками.

Обнаруженный нами эффект электрического переключения проводимости с памятью в пленочных структурах на основе оксидов и фторидов редкоземельных элементов представляет интерес с точки зрения получения новых экспериментальных данных и характеристик, которые не наблюдались для других материалов. По таким своим параметрам, как кратность изменения со.

6 1 противления при переключении (10 — 10), время переключения (доли мкс), потребляемая энергия при переключении 10″ Дж), радиационная стойкость эти системы на несколько порядков превосходят известные аналоги. Это обусловливает необходимость исследования основных закономерностей эффекта переключения проводимости с памятью в структурах на основе фторидов редкоземельных элементов и их зависимость от внутренних и внешних факторов, а также функциональных особенностей этих структур.

В связи с этим целью данной работы является изучение электрофизических свойств контакта тонкопленочного редкоземельного элемента с кремнием, исследование электрофизических свойств тонкопленочных силицидов РЗМ и поверхностно — барьерных диодов на основе контакта РЗМ — кремний и силицид РЗМ — кремний, исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств кремниевых МДП-структур с оксидами и фторидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика, установление основных физических процессов, протекающих в них, изучение фундаментальных параметров МДП-систем, определение величин энергетических потенциальных барьеров на межфазных границах, исследование качества границы раздела диэлектрик-полупроводник, определение параметров активных центров захвата заряда в диэлектрических слоях оксидов РЗЭ.

Для достижения этой цели были поставлены следующие основные задачи:

• изучение основных электрических свойств контактов кремний — редкоземельный металл и кремний — силицид редкоземельного металла, определение высоты потенциального барьера на контакте кремний — редкоземельный металл, кремний — силицид РЗМ;

• исследование механизма электропроводности поверхностно — барьерных диодов на основе контакта редкоземельный металл — кремний и силицид редкоземельного металла — кремний;

• исследование процессов формирования тонкопленочных силицидов некоторых РЗМ на поверхности монокристаллического кремния;

• изучение структурных особенностей тонкопленочных силицидов РЗМ, переходной области контакта кремний — силицид РЗМ и изучение поверхностной морфологии силицидного слоя;

• изучение фотоэлектрических характеристик и параметров поверхностнобарьерных диодов на основе контакта кремний — РЗМ и кремний силицидРЗМ в фотодиодном и вентильном режимах, исследование фотоэлектрических свойств ПБД на основе контакта РЗМ — р81 в режиме лавинного усиления фототока, определение коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в кремнии и их зависимости от напряженности электрического поля;

• выяснение функциональных особенностей тонкопленочных силицидов РЗМ, контактных систем кремний — редкоземельный металл, кремний — силицид РЗМ, а также возможностей их использования в микроэлектронике;

• выяснение механизма электропроводности кремниевых МДП-структур с диэлектриком из оксидов и фторидов редкоземельных элементов;

• исследование активной составляющей проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь на переменном сигнале в кремниевых МДП-структурах с этими диэлектрическими пленками;

• исследование качества границы раздела диэлектрик-полупроводник (ДП), а также изучение влияния технологических условий изготовления диэлектрических пленок на электрофизические характеристики МДП-структур;

• выяснение зависимостей характеристик электрического переключения проводимости с памятью структур с диэлектриком из оксидов и фторидов редкоземельных элементов от внутренних и внешних факторов, основных свойств переключающих структур в высокоомном и низкоомном состоянии, исследование кинетики переходов структур из одного состояния в другое и зависимостей параметров переключения от температуры и электрического поля, закономерностей термического переключения проводимости МДП-структур, изучение фотоэлектрических характеристик кремниевых МДП-структур с оксидами и фторидами РЗЭ, определение физической модели низкоомного состояния;

• изучение влияния внешних условий: температуры окружающей среды, полярности приложенного напряжения, влажности и давления воздуха на величину напряжения пробоя пленок ОРЗЭ, разработка теоретической модели явления электрического пробоя пленок ОРЗЭ и ее сравнение с экспериментальными данными, исследование закономерностей электрического пробоя пленок оксидов РЗЭ и переключения проводимости с памятью в структурах на их основе;

• изучение явления внутренней фотоэмиссии электронов в пленку диэлектрика из полупроводника или металла при облучении МДП-структур монохроматическим светом и определение высот энергетических барьеров на межфазных границах металл (Ме)-ОРЗЭ и ОРЗЭ-81;

• изучение особенностей накопления заряда в диэлектрической пленке из оксида редкоземельного элемента в кремниевой МДП-структуре при облучении, исследование влияния УФ-излучения на электрофизические свойства МДП-структур с ОРЗЭ;

• исследование параметров активных центров захвата носителей заряда в диэлектрической пленке из оксида РЗЭ, определение «центроида» захваченного на ловушки заряда, энергетической глубины залегания и сечения захвата ловушек;

• выяснение функциональных особенностей МДП-структур с оксидами и фторидами РЗЭ в качестве диэлектрика, изучение просветляющего, пассивирующего действия пленок оксидов и фторидов РЗЭ в кремниевых приборах.

Научная новизна работы. Важнейшими из новых научных результатов, полученных в диссертационной работе, являются следующие.

Впервые проведено комплексное экспериментальное исследование электрофизических свойств контактов редкоземельный металл — кремний и силицид редкоземельного металла — кремний и поверхностно — барьерных диодов на их основе.

Установлено, что свойства поверхностно — барьерных структур с кремнием р — типа приводимости близки к идеальным барьерам Шоттки. Коэффициент идеальности для различных диодов Шоттки на основе контакта РЗМ — р — кремний лежал в пределах п = 1,05 — 1,13, а величина плотности обратного тока насыщения в темноте составляла 10″ 7- 10″ 6 А/см2 при значении обратного напряжения в 10 В. Показано, что к исследуемым контактам в области комнатных температур применима теория термоэлектронной эмиссии. Установлено, что высота потенциального барьера в ПБД для всех исследованных редкоземельных металлов практически совпадает между собой, не зависит от работы выхода электронов из РЗМ и составляет 0,79 — 0,8 эВ. Показано, что в области контакта РЗМ — рБ1 ПБД существует переходной диэлектрический слой с толщиной 25 А и плотностью поверхностных состоянии, лежащей в пределах от 3,9-Ю11 до 1,1−1012 эВ" 'см" 2.

Исследованы фотоэлектрические свойства ПБД на основе контакта РЗМр — кремний при освещении их светом из области межзонного поглощения кремния в фотодиодном и вентильном режимах. Установлено, что предельные величины фотоЭДС холостого хода составляют 0,54 В для поверхностнобарьерных фотодиодов на основе контактов Оёр81 и ЬирБь Показано, что спектральная чувствительность ПБД с различными РЗМ в вентильном режиме на длине волны 0,63 мкм лежит в пределах 0,15 — 0, 25 А/Вт, что соответствует значениям квантовой эффективности 30 — 50%. В фотодиодном режиме при напряжении большем 1 В значения спектральной чувствительности составляют 0,46 А/Вт и 0,3 А/Вт, а величины квантовой эффективности достигают величин равных 90% и 60% для диодов на основе контакта Ос1 — р81 и Бу — р81 соответственно.

Обнаружено, что поверхностно — барьерные структуры с РЗМ обладают высокой эффективностью преобразования световой энергии в электрическую с КПД, достигающим значения 9,3%, при оптимальной величине нагрузочного сопротивления в 2 кОм, при этом коэффициент заполнения составляет 0,65.

Экспериментально установлено, что величина спектральной чувствительности при освещении образцов на основе контакта Бу-рБ! монохроматическим излучением (Х=0,63 мкм) с мощностью 0,25 мВт в области лавинного умножения фотоносителей составляла 75 А/Вт, а коэффициент усиления фототока при обратном напряжении в 110 В равнялся 500. Для ПБД на основе контактов Ьи-р81 и У-р81 достигнутые значения коэффициента умножения фототока составляли 1200 и 1000 соответственно. Установлено, что зависимости коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в кремнии от напряжённости электрического поля в области (1,6−3,0)-1В/см удовлетворительно описываются теоретическими зависимостями Баррафа, при этом коэффициент ударной ионизации электронов почти на порядок превышает коэффициент ударной ионизации дырок.

Установлено, что формирование силицида РЗЭ происходит в единственной дисилицидной фазе при температурах выше 623−673 К. Методом рентгено-структурного анализа и Оже-электронной спектроскопии исследован фазовый состав образующихся силицидных плёнок РЗЭ. Показано, что плёночные диси-лициды диспрозия, иттрия и гадолиния формируются со структурой типа а-Ос1812, а дисилицид лютеция имеет структуру А1В2.

Установлено, что на контакте дисилицида РЗМ с кремнием р-типа проводимости реализуются сравнительно большие величины потенциального барьера (0,73−0,75 эВ), которые практически одинаковы для силицидов различных РЗМ. Определены значения высоты потенциального барьера на контакте силицида РЗМ с п-кремнием (0,35−0,41 эВ). Экспериментально установлено, что величины спектральной фоточувствительности кремниевых фотодиодов с плёночными дисилицидами гадолиния и диспрозия на длине волны 0,63 мкм лежат в пределах 0,25−0,3 А/Вт. Показана перспективность использования тонкоплёночных силицидов РЗМ для создания поверхностно-барьерных приборов, омических контактов к п-кремнию, фоточувствительных элементов и межэлементных соединений в кремниевых приборах и интегральных схемах.

Проведено комплексное экспериментальное исследование фундаментальных параметров кремниевых МДП-структур с диэлектрическими пленками из оксидов и фторидов РЗЭ. Установлено, что электропроводность МДП-структур с диэлектрическими пленками ОРЗЭ описывается механизмом Пула-Френкеля. Методом внутренней фотоэмиссии носителей заряда в диэлектрик впервые определены высоты энергетических барьеров на межфазных границах А1−8т203 (2,89−2,91 эВ), 8х-8т203 (2,70−2,72 эВ), №-8т203 (3,29−3,33 эВ), А1-УЬ203 (2,9−2,92 эВ), 8ьУЪ203 (3,18−3,21 эВ), №-УЬ203 (3,3−3,32 эВ), А1- У203.

3,3−3,4 эВ), А§— У203 (3,3−3,35 эВ), №-У203 (3,7−3,8 эВ), 81-У203 (3,8−3,85 эВ), А1-Ьи203 (2,9−3,0 эВ), 81- Ьи203 (3,4−3,45 эВ). Установлено, что при положительном и отрицательном напряжении на металлическом электроде наблюдается фотоэмиссия электронов из кремния и металла соответственно. Из анализа вольтаических зависимостей фотоинжекционного тока после облучения определены параметры электронных ловушек в диэлектрической пленке. Установлено, что фотоинжектированные электроны захватываются на глубокие центры диэлектрика, причем «центроид» захваченного заряда располагается вблизи центра диэлектрика. Сечение захвата и поверхностная плотность электронных пл ловушек в диэлектрической пленке оксида иттербия равны 3,5−10″ см и 1,6−1012 см" 2 соответственно.

Методом фотостимулированной деполяризации установлено, что электронные центры захвата располагаются почти в середине запрещенной зоны диэлектрика УЬ203 и 8ш203, в пленке УЪ203 на расстоянии 2,4−2,7 эВ от дна зоны проводимости, а в пленке 8т203 на расстоянии 2,25−2,6 эВ.

Получено пространственное распределение захваченного заряда в диэлектрической пленке вблизи межфазных границ раздела фаз БьОРЗЭ, А1-ОРЗЭ при облучении структур А1−8т203−81 и А1-УЪ203−81 монохроматическим светом. Установлено, что объемная плотность захваченного заряда в 4−10 раз больше в объеме диэлектрической пленки, чем вблизи границы раздела 8ь ОРЗЭ. Данный результат свидетельствует о высоком качестве границы раздела 8ьОРЗЭ.

Обнаружено, что при облучении структур как УФ-излучением, так и монохроматическим светом с энергией фотонов Ъу, превышающей высоту потенциального барьера &-ьо на межфазной границе диэлектрика, но меньшей его ширины запрещенной зоны Е§-, при одновременном воздействии внешнего поля диэлектрические пленки накапливают отрицательный электрический заряд. Величина захваченного заряда увеличивается с ростом приложенного напряжения и имеет тенденцию к насыщению при больших временах облучения. Отрицательный заряд захватывается на глубокие центры диэлектрика, причем «центроид» захваченного заряда локализуется вблизи середины диэлектрика.

Проведено исследование закономерностей электрического пробоя в диэлектрических пленках оксидов РЗЭ. Установлено два участка на кинетической характеристике пробоя. На первом участке, при малых скоростях роста пилообразного напряжения на структуре Ку-Ю-Ю5 В/с величина пробивной напряженности электрического поля линейно нарастает с увеличением логарифма скорости роста приложенного напряжения и пробой имеет кинетический характер. На втором участке величина поля пробоя не зависит от изменения скорости роста приложенного напряжения и пробой носит «критический» характер. Величина напряженности электрического поля пробоя на этом участке увеличивается с уменьшением толщины диэлектрика и площади верхнего электрода. Обнаружено уменьшение электрического поля пробоя с ростом температуры окружающей среды, причем наклон температурной характеристики уменьшается с увеличением скорости роста приложенного напряжения. Установлено, что время задержки пробоя пленки оксида самария экспоненциально уменьшается с возрастанием величины электрического поля и температуры. Предложена теоретическая модель электрического пробоя пленки оксида самария для области Ку=10−105 В/с. Показано, что развитие пробоя состоит из подготовительной стадии, связанной с накоплением в диэлектрике критического заряда, при превышении которого пробой переходит в быструю фазу собственного пробоя диэлектрика.

Методом неравновесного емкостного эффекта поля исследованы генерационные процессы в кремниевых МДП-структурах с пленками ОРЗЭ и определены параметры генерационных центров. Изучено влияние света и технологических условий изготовления диэлектрической пленки на генерационные процессы в кремнии.

Исследованы эффекты просветления и пассивации поверхности кремниевых фотоэлектрических приборов при нанесении пленок ОРЗЭ и показана перспективность их применения для создания эффективных фотоэлектрических приборов. Изучены свойства МДП-структур с диэлектрическими пленками ОРЗЭ на основе германия и арсенида галлия и установлена эффективность их использования для создания приборов на основе этих полупроводников.

Впервые проведено комплексное экспериментальное исследование явления электрического переключения проводимости с памятью, обнаруженного в структурах с диэлектрическими пленками из оксидов и фторидов РЗЭ. Установлено, что величина напряжения переключения структур из высокоомного в низкоомное состояние линейно увеличивается с толщиной пленки фторида РЗЭ и уменьшается с возрастанием температуры окружающей среды.

Исследованы основные закономерности эффекта электрического и термического переключения проводимости с памятью. Изучена кинетика переключения проводимости из высокоомного состояния в низкоомное и обратно, исследована зависимость электрических параметров переключения от температуры окружающей среды, толщины диэлектрика. Предложен экспериментально обоснованный механизм явления электрического переключения проводимости в исследованных структурах из высокоомного состояния в низкоомное и обратно, сопровождаемого долговременной памятью.

Проведено целенаправленное исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств МДП — структур с пленками фторидов РЗЭ в низкоом-ном состоянии. На основе теоретического анализа низкоомного состояния МДП — структур с фторидами РЗЭ показано, что характеристики низкоомного состояния описываются моделью структуры металл — туннельный диэлектрикполупроводник. Определены особенности механизмов токопереноса в МДПструктурах в низкоомном состоянии, обусловленные присутствием туннельно тонкого слоя диэлектрика на границе с полупроводником. Установлено, что в структурах, находящихся в низкоомном состоянии, при больших напряжениях в приповерхностной области кремния реализуется режим лавинного умножения. Экспериментально обнаружено и теоретически подтверждено, что в зависимости от состояния поверхности кремния в МДП — структурах после переключения в низкоомное состояние может устанавливаться режим инжекцион-ного усиления фототока или эффект накопления неосновных носителей заряда на поверхности полупроводника.

Проведено комплексное исследование оптических свойств пленочных фторидов РЗЭ, нанесенных на различные подложки. Выяснено влияние диэлектрических покрытий из фторидов РЗЭ на изменение оптических и фотоэлектрических характеристик кремниевых п+ - р — р+ структур, обусловленное просветляющим и пассивирующим действием данных пленок.

Практическая ценность. Результаты работы могут использоваться при разработке приборов с применением пленок редкоземельных металлов, силицидов, оксидов и фторидов редкоземельных металлов. Хорошие выпрямительные свойства контактов редкоземельный металл — р — кремний и силицид редкоземельного металла — р — кремний открывают возможности для создания на основе этих структур поверхностно — барьерных детекторов и диодов.

Высокие фотоэлектрические параметры поверхностно — барьерных диодов на основе контактов редкоземельный металл — р — кремний указывают на перспективность использования их в качестве высокочувствительных фотоприемников, в том числе обладающих внутренним усилением фототока, с коэффициентом лавинного умножения фототока, лежащем в пределах 1000 — 1200. Малые величины потенциального барьера и контактного переходного сопротивления в структуре силицид РЗМ — позволяют использовать их в качестве низкоомных контактов к кремнию п — типа проводимости и пленочных токове-дущих соединительных дорожек между элементами интегральных схем.

Практическое значение работы заключается также в возможности использования полученных сведений о фундаментальных параметрах кремниевых МДП-систем при разработке приборов с применением диэлектрических пленок оксида самария и иттербия. Изученные электрические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе пленок ОРЗЭ указывают пути создания на основе исследованных диэлектрических пленок активных и пассивных элементов интегральных схем, в частности МДП-варикапов и фотоварикапов просветляющих и пассивирующих покрытий кремниевых фотоэлектрических приборов.

Обнаруженный в МДП — структурах на основе пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов эффект бистабильного переключения проводимости с памятью и теплового переключения открывает возможности для создания на основе этих пленок элементов постоянной репрограммируемой памяти с малыми энергиями переключения и высоким быстродействием (Рожков В.А., Шалимова М. Б., Романенко H.H. Элемент памяти. АС № 1 585 834 15.04.90 г. Приоритет от 1.11.88 г. по заявке № 4 601 805).

Исследованный эффект внутреннего усиления фототока, обнаруженный в МДП — структурах в низкоомном состоянии, перспективен для разработки высокочувствительных фотоприемников с широким диапазоном спектральной чувствительности.

Использование пленок фторидов РЗЭ в качестве диэлектрических покрытий позволяет уменьшить оптические и рекомбинационные потери в кремниевых фотоэлектрических приборах, увеличить фототок короткого замыкания полупроводниковых фотопреобразователей и создать более эффективные фоточувствительные приборы.

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Свойства и характеристики поверхностно-барьерных диодов на основе контактов р-кремний — редкоземельный металл и р-кремний — силицид редкоземельного металла соответствуют свойствам и характеристикам почти идеальных барьеров Шоттки. В области обратных электрических полей (1,63,0) — 10э В/см зависимости коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок от напряженности электрического поля в кремнии для ПБД на основе контакта р-81 — РЗМ описываются теоретическими зависимостями Бараффа, а коэффициент ударной ионизации электронов почти на порядок превышает коэффициент ударной ионизации дырок.

2. Экспериментально — определённые величины высот потенциального барьера на контакте РЗМ — р — кремний и силицид РЗМ — р — кремний, равные 0,79 -0,8 эВ и 0,73 — 0,75 эВ соответственно и их независимость от типа редкоземельного металла. Механизм формирования плёнки дисилицида редкоземельного элемента на поверхности кремния в процессе его термообработки, состоящий в диффузии атомов кремния в плёнку РЗМ и твёрдотельной химической реакции между атомами кремния и РЗМ.

3. Механизм и теоретическая модель электрического пробоя пленок оксидов РЗЭ в кремниевых МДП-структурах, состоящий в накоплении под действием электрического поля электрического заряда критической величины вблизи поверхности диэлектрической пленки и достижении в этой области электрического поля, величина которого соответствует значению напряженности поля пробоя диэлектрика.

4. Параметры энергетической зонной диаграммы МДП-структур с диэлектрическими пленками из оксида самария, иттрия, лютеция и иттербия, определенные методом внутренней фотоэмиссии электронов из металла или полупроводника в пленку диэлектрика. Экспериментально установленные параметры активных центров захвата заряда в диэлектрических слоях из оксидов самария и иттербия, которые сосредоточены почти в середине запрещенной зоны диэлектрика, а центроид их заряда располагается в центре диэлектрической пленки.

5. Закономерности и физическая модель накопления заряда в диэлектрической пленке из 8т203, 0ё203, Бу203 и УЬ2Оэ кремниевых МДП-структур при одновременном действии света и электрического поля, состоящая в фотоин-жекции электронов из контакта или межзонной фотогенерации носителей заряда и захвате их на глубокие ловушки пленки оксида РЗЭ.

6. Результаты экспериментального исследования эффекта электрического переключения проводимости с памятью в МДП и МДМ структурах с пленочными оксидами и фторидами РЗЭ. Закономерности эффекта термического переключения проводимости в данных структурах. Физическая модель низко-омного состояния МДП — структур с фторидами РЗЭ в качестве диэлектрика, в соответствии с которой структура в низкоомном состоянии может рассматриваться как слоистая система металл — туннельно тонкий диэлектрик — полупроводник.

7. Закономерности усиления фототока и зависимость величины фоточувствительности кремниевых МДП — структур с фторидами РЗЭ от состояния поверхности кремния после переключения. Эффекты просветления и пассивации поверхности кремния с помощью пленок оксидов РЗЭ, состоящие в уменьшении коэффициента отражения света и в снижении скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда соответственно при нанесении на поверхность кремния пленки из оксида РЗЭ.

Полученная совокупность результатов исследований, включающая новые закономерности физических явлений в полупроводниковых слоистых структурах на основе пленок редкоземельных элементов и их соединений (силициды, оксиды, фториды), новые физические эффекты, новые базовые контактные материалы (редкоземельные элементы, силициды редкоземельных элементов), новые базовые тонкопленочные диэлектрические материалы (оксиды и фториды редкоземельных элементов), новые полупроводниковые приборы на их основе свидетельствуют о том, что итогом работы явилось решение крупной научно-технической проблемы физики полупроводников и диэлектриков, полупроводниковой электроники и микроэлектроники — исследования электрофизических свойств полупроводниковых слоисто — неоднородных систем с пленками из редкоземельных элементов, а также силицидов, оксидов и фторидов на их основе.

В результате решения этой научной проблемы были установлены новые закономерности в зависимостях электрофизических свойств полупроводниковых структур, как от внешних воздействий, так и от их внутренних параметров, новые физические эффекты, наблюдающиеся при различных внешних воздействиях (температура, электрическое поле, электромагнитное излучение и т. д.), при изменении используемых материалов и технологических процессов, а также при изменении внутренних параметров исследованных полупроводниковых систем, созданы новые типы полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем, обладающие улучшенными параметрами и характеристиками по сравнению с известными устройствами аналогичного назначения, что имеет важное народнохозяйственное значение. Указанная проблема была сформулирована и решалась в ходе выполнения ряда госбюджетных и хоздоговорных НИР и ОКР. Основные результаты диссертации использованы, внедрены и будут использоваться в дальнейшем на предприятиях «НИИ Волга», г. Саратов, ЦСКБ г. Самара, ГНПО «Квант», г. Москва, ГНПО «ЗИМ», г. Самара, «КБАС», г. Самара, «НИИМФ СГУ», г. Саратов.

Материалы диссертации использованы в разработанных и прочитанных лекционных курсах «Физика полупроводниковых приборах», «Микроэлектроника», «Микроэлектроника», «Физика поверхностных явлений в полупроводниках» .

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы докладывались на Второй Всесоюзной конференции по микроэлектронике (г. Москва, 1970 г.), Межведомственном научно-техническом совещании по метрике полупроводниковых структур (г. Саратов, 1970 г.), 1У Всесоюзном совещании по электронным явлениям на поверхности полупроводников (г. Киев, 1971 г.), Всесоюзной конференции «Основные задачи микроэлектроники и области ее применения» (г. Москва, 1972 г.), УПсовещании по редкоземельным металлам, сплавам и соединениям (г. Москва, 1972 г.), 1 Всесоюзной конференции по синтезу и исследованию термостойких материалов на основе окислов металлов (г. Киев, 1972 г.), семинаре по исследованию условий получения и физических свойств тонких пленок (Институт проблем материаловедения АН УССР, г. Киев, 1972 г.), 3 Всесоюзной конференции по микроэлектронике (г. Львов, 1975 г.), 1У Всесоюзном совещании по физике поверхностных явлений в полупроводниках (г. Киев, 1977 г.), 2 Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (г. Одесса, 1982 г.), 3 Всесоюзной конференции «Неорганические стекловидные материалы и пленки на их основе в микроэлектронике» (г. Москва, 1983 г.), «Пути повышения стабильности и надёжности микроэлементов и микросхем» (г. Рязань, 1984 г.), 8 Всесоюзном совещании «Физика поверхностных явлений в полупроводниках» (г. Киев, 1984 г.), 2 Всесоюзной конференции «Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и полупроводниках» (г. Воронеж, 1987 г.), 9 Всесоюзном симпозиуме 'Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников' (г. Новосибирск, 1988 г.), Всесоюзной школе по актуальным вопросам физики и химии соединений на основе РЗЭ (г. Красноярск, 1989 г.), 5 Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников (г. Саратов, 1990 г.) Всесоюзной научной конференции «Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники» (г. Минск, 1985 г.), XII Всесоюзной научной конференции по микроэлектронике (г. Тбилиси, 1987 г.), IV Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников (г. Новосибирск, 1987 г.), Всесоюзной конференции по физике диэлектриков. Секция «Электрофизика слоистых структур», (г. Томск, 1988 г.), Х1У конференция по тепловой микроскопии (г. Воронеж, 1992 г.), Российской научно — технич. конференции по физике диэлектриков с международным участием «Диэлектрики-93» (г. Санкт-Петербург, 1993 г.), конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики» (г. Саранск, 1993 г.), Российской научно — технич. конф. Новые материалы и технологии, (г. Москва, 1994 г.), Международной научно — технич. конференции по физике твердых диэлектриков «Диэлектрики — 97» (г. Санкт — Петербург, 1997 г.), 5 International Conference on Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics, 1995, Leicester, England, Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (г. Ульяновск, 1997 г.), The Dielectrics Society 28th Annual Conference Charges in Solid Dielectrics (Darwin College, University of Kent at Canterbury, England, 1997), IX Международной школе-семинаре Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ (г. Самара, 1997 г.), Второй Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Электроника и информатика-97» (г. Зеленоград-Москва, 1997 г.), научно-техническом семинаре «Шумы и деградационные явления в полупроводниках» (г. Москва, 1997 г.), V Российской научно-техн. конф. проф.-преподавательского и инж.-техн. состава (г. Самара, 1998 г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 140 печатных работ, в том числе 75 статей и докладов, 61 тезисов докладов на научно-технических конференциях, симпозиумах, совещаниях, семинаров, получены 1 авторское свидетельство и 1 положительное решение на изобретения.

В выполнении работ по теме диссертации принимали участие А. И. Петров, А. Ю. Трусова, МБ. Шалимова, Е. А. Милюткин, защитившие кандидатские диссертации под руководством автора. Постановка задач, выбор методов их решения, обоснование методик эксперимента, часть полученных экспериментальных результатов, анализ полученных теоретических и экспериментальных результатов всех работ, выполненных в соавторстве, принадлежат лично автору диссертации.

Структура и обьем диссертации. Диссертация состоит из введения, 3 разделов, в которые входят 16 глав, заключения и основных выводов, и списка используемых источников. Общий обьем диссертации составляет 545 страниц.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

В настоящей работе проведено изучение электрофизических характеристик, определяющих основные электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых структур с барьером Шоттки на базе контактов кремнийредкоземельный металл, кремний — силицид редкоземельного металла, поверхностно — барьерных диодов на их основе, МДП-структур на основе оксидов и фторидов редкоземельных элементов. Исследования носили комплексный характер и включали измерения нескольких эффектов: вольт — амперных и вольтемкостных характеристик, спектральных зависимостей фототока, обусловленного фотоэмиссией носителей заряда из контакта в полупроводник, различных фотоэлектрических характеристик структур при освещении светом из области межзонного поглощения полупроводника, характеристик пробоя и лавинного усиления фототока, температурных зависимостей физических величин и др. Фазовый состав, морфология поверхности тонкопленочных силицидов редкоземельных элементов, особенности переходного слоя контакта кремний — силицид РЗМ изучались рентгеноструктурным методом, оптическими и электронно — эмиссионными методами, а также с помощью Ожеэлектронной спектроскопии. Высота потенциального барьера на границе раздела кремний — РЗМ и кремний — силицид РЗМ определялись тремя независимыми методами: из вольт — амперных, вольтемкостных характеристик и спектральных зависимостей фототока.

Исследования свойств МДП-структур с диэлектрическими пленками из оксидов РЗЭ включали измерение нескольких эффектов: вольт-амперных характеристик, температурных зависимостей тока, вольтфарадных характеристик, активной составляющей проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь на переменном сигнале, кинетических зависимостей емкости при нестационарном истощении поверхности полупроводника основными носителями заряда, кинетических характеристик электрического пробоя, зависимости времени задержки пробоя от амплитуды прикладываемого ступенчатого электрического напряжения и температуры, зависимостей величины пробивного поля от толщины диэлектрической пленки, площади электрода и температуры окружающей среды, фотоэлектрических явлений, спектральных и вольтаиче-ских зависимостей фототока, явлений накопления заряда в диэлектрической пленке при облучении структуры монохроматическим видимым и УФ излучением рекомбинационных характеристик кремния и др.

Исследования свойств МДП-систем с фторидами РЗЭ включали изучение высокоомного и низкоомного состояний и переходных характеристик переключения. Особое внимание уделялось исследованиям механизмов токо-прохождения и фотоэлектрических явлений в МДП — структурах, находящихся в низкоомном состоянии, а также рассмотрению специфических режимов работы, реализуемых для этого состояния.

Исследование оптических свойств пленок оксидов и фторидов РЗЭ позволило получить необходимые данные для проведения анализа фотоэлектрических характеристик кремниевых п+ - р — р+ - структур с тонкопленочными покрытиями из оксидов и фторидов РЗЭ и оценить перспективы их использования для целей просветления и пассивации Поверхности кремния.

Это в итоге позволило получить надежные сведения о свойствах и параметрах изучаемых систем и установить ряд новых закономерностей. Основные результаты работы состоят в следующем:

1. Изучен механизм электропроводности поверхностно — барьерных диодов на основе контактов редкоземельный металл — кремний и силицид редкоземельного металла — кремний. Установлено, что свойства поверхностнобарьерных структур с кремнием р — типа приводимости близки к идеальным барьерам Шоттки. Коэффициент идеальности для различных диодов Шотт-ки на основе контакта РЗМ — р — кремний лежал в пределах п = 1,05 — 1,13, а величина плотности обратного тока насыщения в темноте составляла 1 О*7 -10'6 А/см2 при значении обратного напряжения в 10 В. Показано, что к ис.

10″ 6 А/см2 при значении обратного напряжения в 10 В. Показано, что к исследуемым контактам в области комнатных температур применима теория термоэлектронной эмиссии. Методами вольтамперных, вольтфарадных характеристик, энергии активации и спектральных зависимостей фототока определена высота энергетического потенциального барьера на контакте РЗМ — р — 81. Установлено, что высота потенциального барьера в ПБД для всех исследованных редкоземельных металлов практически совпадает между собой, не зависит от работы выхода электронов из РЗМ и составляет 0,79 — 0,8 эВ. Из анализа вольт — фарадных характеристик установлено, что в области контакта РЗМ — р81 ПБД существует промежуточный переходной диэлектрический слой о с толщиной ~ 25 А и плотностью поверхностных состояний, лежащей в пределах от 3,9-Ю11 до 1,1-Ю12 эВ^см" 2. Показано, что высота потенциального барьера на контакте р — кремния с редкоземельным металлом, в основном, определяется состоянием поверхности полупроводника. 2. Исследованы фотоэлектрические свойства ПБД на основе контакта РЗМр — кремний при освещении их светом из области межзонного поглощения кремния в фотодиодном и вентильном режимах. Установлено, что зависимости тока короткого замыкания от интенсивности освещения линейны вплоть л до уровней подсветки равных 85 мВт/см, а световые характеристики ЭДС холостого хода описываются логарифмическим законом. Предельные величины ЭДС холостого хода составляют 0,54 В для поверхностно — барьерных фотодиодов на основе контактов вс! -р81 и Ьир8ь Показано, что спектральная чувствительность ПБД с различными РЗМ в вентильном режиме на длине волны 0,63мкм лежит в пределах 0,15 — 0, 25 А/Вт, что соответствует значениям квантовой эффективности 30 -50%. В фотодиодном режиме при напряжении большем 1 В значения спектральной чувствительности составляют.

0,46 А/Вт и 0,3 А/Вт, а величины квантовой эффективности достигают величин равных 90% и 60% для диодов на основе контакта вс! — р81 и Бур81 соответственно. Обнаружено, что поверхностно — барьерные структуры с РЗМ обладают высокой эффективностью преобразования световой энергии в электрическую с КПД, достигающем значения 9,3%, при оптимальной величине нагрузочного сопротивления в 2 кОм, при этом коэффициент заполнения составляет 0,65.

3. Изучен эффект лавинного умножения фототока в кремниевых ПБС с редкоземельными элементами. Экспериментально установлено, что величина спектральной чувствительности при освещении образцов на основе контакта Dyр81 монохроматическим излучением (д,=0,63 мкм) с мощностью 0,25 мВт в области лавинного умножения фотоносителей составляла 75 А/Вт, а коэффициент усиления фототока при обратном напряжении в 110 В равнялся 500. Для ПБД на основе контактов Ьи — рБ1 и У — 81 достигнутые значения коэффициента умножения фототока составляли 1200 и 1000 соответственно. Показана перспективность использования ПБД на основе контакта РЗМ — р81 в качестве фотоприёмников и фотодетекторов, обладающих внутренним усилением фототока. Определены зависимости коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в кремнии от напряжённости электрического поля. Установлено, что зависимости коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок в кремнии от напряжённости электрического поля в области (1,6−3,0)-105 В/см удовлетворительно описываются теоретическими зависимостями Бараффа, при этом коэффициент ударной ионизации электронов почти на порядок превышает коэффициент ударной ионизации дырок.

4. Изучены процессы формирования тонкоплёночных силицидов редкоземельных элементов на поверхности кремния в результате твердофазной реакции между кремнием и РЗЭ. Установлено, что формирование силицида РЗЭ происходит в единственной дисилицидной фазе при температурах выше 623 673 К. Методом рентгеноструктурного анализа и Оже-электронной спектроскопии исследован фазовый состав образующихся силицидных плёнок РЗЭ. Показано, что плёночные дисилициды диспрозия, иттрия и гадолиния формируются со структурой а-вс^г, а дисилицид лютеция имеет структуру А1В2. С помощью эмиссионного электронного и оптического микроскопов изучена морфология поверхности плёнок силицидов РЗЭ. Показано, что поверхностная морфология плёночных силицидов РЗЭ характеризуется наличием большого числа углублений, размеры и плотность которых составляют 3−5 л мкм и ~10 см" соответственно. Установлено, что рост силицида РЗМ осуществляется неравномерно по поверхности плёнки РЗМ и происходит путём диффузии атомов кремния.

5. Методами вольамперных, вольфарадных характеристик и спектральных зависимостей фототока определена высота энергетического потенциального барьера на контакте силицид РЗМ — 81. Установлено, что на контакте дисили-цида РЗМ с кремнием р-типа проводимости реализуются сравнительно большие величины потенциального барьера (0,73−0,75 эВ), которые практически одинаковы для силицидов различных РЗМ. Определены значения высоты потенциального барьера на контакте силицида РЗМ с п-кремнием (0,35−0,41 эВ). Установлено, что вольтамперные характеристики структур на основе контакта дисилицида РЗМ с кремнием п-типа проводимости при комнатной температуре соответствуют омическим, а величина переходного контактного сопротивления для силицидов гадолиния и диспрозия составляет (0,5 — 1)-10″ 4 Ом-м2. Изучены фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных диодов на основе контакта дисилицида РЗМ с кремнием р-типа проводимости при освещении их светом из области собственного поглощения кремния. Экспериментально установлено, что величины спектральной фоточувствительности кремниевых фотодиодов с плёночными дисилицидами гадолиния и диспрозия на длине волны 0,63 мкм лежат в пределах 0,25−0,3 А/Вт. Показана перспективность использования тонкоплёночных силицидов РЗМ для создания поверхностно-барьерных приборов, омических контактов к кремнию, фоточувствительных элементов и межэлементных соединений в кремниевых приборах и элементах интегральных схем.

6. Изучен механизм электропроводности с диэлектрическими пленками из оксида самария и иттербия кремниевых МДП-структур. Установлено, что энергия активации проводимости пленки оксида иттербия монотонно уменьшается от 1,1−1,3 эВ до 0,86−0,9 эВ с ростом электрического напряжения от 2 до 5 В, а электропроводность кремниевых МДП-структур с диэлектрическими пленками 8т203 и УЬ203 удовлетворительно описывается механизмом Пула-Френкеля. Из ВАХ на постоянном токе определены величины высокочастотной диэлектрической проницаемости пленок оксида самария и иттербия, которые соответственно равнялись 8,9 и 7,4.

7. Методом вольтфарадных характеристик МДП-структур определены величины фиксированного заряда в диэлектрике и эффективной плотности поверхностных состояний. Плотность поверхностных состояний в МДП-структурах с оксидом самария не превосходит (3−3,6>Ю10 эВ^-см" 2, а с оксидом иттербия — (2,5−4) -10й эВ1-см" 2. Показано, что удельная емкость диэлектрика и коэффициент перекрытия емкости для исследованных образцов более чем в 3 раза превосходят такие же параметры широко распространенных аналогичных кремниевых МДП-систем с диэлектриком из двуокиси кремния. Установлено, что исследованные образцы перспективны для изготовления фотоваракторов с коэффициентом перекрытия емкости по свету для МДП-структур с диэлектрической пленкой из оксида самария равным 2,5 и 4 при уровнях освещенности, составляющих 4,3−103 и 3−104 лк соответственно. Для структур с оксидом иттербия эти величины равнялись 1,5 и 3. Показано, что значения tg 8 и активной составляющей проводимости МДП-структур слабо зависят от освещения.

8. Методом кинетических зависимостей МДП-емкости определены значения скорости поверхностной генерации носителей заряда для различных образцов на границе раздела кремний — оксид РЗЭ, которые составили 20−50 см/с для структур с оксидом самария, а для структур с оксидом иттербия — 11−60 см/с. Значения скорости поверхностной генерации в исследуемых структурах более чем на порядок меньше аналогичного параметра в таких же кремниевых МДП-структурах с термическим оксидом кремния в качестве диэлектрика. Установлено, что наилучшими электрическими характеристиками обладают МДП-структуры, диэлектрические пленки в которых, изготовлены термическим окислением металлических слоев РЗЭ при температуре 500° С. Показано, что процесс установления равновесия в ОПЗ при нестационарном обеднении поверхности полупроводника происходит путем термической генерации электронно-дырочных пар на поверхности и в ОПЗ полупроводника. Величина энергии активации генерационных центров лежит в пределах 0,4−0,43 эВ.

9. Изучены основные закономерности электрического пробоя пленок оксида самария. Установлено два участка на кинетической характеристике пробоя. На первом участке, при малых скоростях нарастания напряжения Ку=10−105 В/с, поле пробоя линейно увеличивается с ростом логарифма Ку и пробой имеет кинетический характер, который связан с накоплением критического заряда в приконтактной области диэлектрика. На втором участке, при Ку >106 В/с величина электрического поля пробоя не зависит от Ку и пробой носит «критический» характер. Показано, что величина пробивного поля линейно уменьшается с ростом температуры окружающей среды, причем наклон температурной характеристики снижается с увеличением скорости роста приложенного напряжения.

10. Методом внутренней фотоэмиссии носителей заряда в диэлектрик впервые определены высоты энергетических барьеров на межфазных границах А1−8т203 (2,89−2,91 эВ), 81−8ш203 (2,70−2,72 эВ), №-8ш203 (3,29−3,33 эВ), А1-УЬ203 (2,9−2,92 эВ), 81-УЬ203 (3,18−3,21 эВ), №-УЬ203 (3,3−3,32 эВ) А1- У203 (3,3−3,4 эВ), У203 (3,3−3,35 эВ),№-У203 (3,7−3,8 эВ), 81-У203 (3,8−3,85 эВ), А1−1д1203 (2,9−3,0 эВ), 81- Ьи203 (3,4−3,45 эВ). Установлено, что диэлектрические пленки из оксида самария и иттербия в кремниевых МДП-структурах накапливают отрицательный электрический заряд при облучении структур монохроматическим видимым и УФ-излучением при одновременном воздействии внешнего поля. Показано, что величина захваченного заряда увеличивается с ростом приложенного напряжения и имеет тенденцию к насыщению при больших временах облучения. Установлено, что величина эффективного заряда, захваченного в диэлектрике на порядок меньше заряда, прошедшего через структуру.

11. Из сдвига вольтаических зависимостей фотоинжекционного тока после облучения впервые определены параметры электронных ловушек в диэлектрической пленке. Установлено, что фотоинжектированные электроны захватываются на глубокие центры диэлектрика, причем «центроид» захваченного заряда располагается вблизи середины диэлектрика. Сечение захвата и плотность электронных ловушек в диэлектрической пленке оксида иттербия равны.

19 2 12 2.

3,5−10″ см и 1,6−10 см" соответственно. Методом фотостимулированной деполяризации установлено, что электронные центры захвата располагаются в середине запрещенной зоны диэлектрика УЪгОз и 8ш2Оз, на расстоянии 2,4 -2,7 эВ и 2,25−2,6 эВ соответственно от дна зоны проводимости диэлектрика. 12. На основе проведенных исследований указаны возможности использования пленок оксидов РЗЭ и МДП-структур на их основе в качестве МДП-варикапов и фотоварикапов с высоким коэффициентом перекрытия емкости. Показана перспективность использования исследованных систем для создания на их основе приборов с репрограммируемой оптической записью информации и визуализации УФ-изображений, использования их в качестве высокочувствительных фотоприемников, а также слоев исследованных ОРЗЭ в качестве изолирующих и пассивирующих покрытий.

13.Обнаружен и исследован эффект электрического переключения проводимости с памятью в структурах с пленочными фторидами РЗЭ. Установлено, что в высокоомном состоянии МДП — структуры имеют сопротивление (2-г4)-10п Ом, а их электропроводность удовлетворительно описывается механизмом Пула — Френкеля. Определены значения термической энергии активации структур в высокоомном и низкоомном состояниях, которые составили 0,5 ч- 0,8 эВ и 0,03 -0,1 эВ соответственно. Установлены зависимости характеристик переключения от параметров структуры и внешних условий. Выяснено одновременное участие высокополевых и тепловых процессов в явлении переключения, что указывает на его электротермическую природу. Методом вольтемкостных и вольтамперных исследований показано, что низкоомное состояние МДП — структур с фторидами РЗЭ удовлетворительно описывается моделью структуры металл — туннельно тонкий диэлектрик — полупроводник. Установлено, что в низкоомном состоянии МДП — структуры имеют сопротивление 104 4- 105 Ом. Изучены основные механизмы токопрохождения на различных участках ВАХ МДП — структур в темноте и при освещении от различных источников. Определено влияние поверхностных барьеров в кремнии на электропроводность указанных структур. Обнаружено, что в кремниевых МДП — структурах с фторидами РЗЭ в низкоомном состоянии реализуется режим инжекционного усиления фототока при начальных обогащающих или слабых обедняющих поверхностных изгибах энергетических зон. Найденный коэффициент усиления фототока составил М= 2+49.

14.Установлено, что нанесение просветляющей пленки из фторида РЗЭ на поверхность кремния дает возможность снизить коэффициент отражения монохроматического света от 34,7+37% на чистой поверхности кремния до 2+5% на поверхности кремния, покрытой слоем трифторида РЗЭ. Показано, что наблюдаемое увеличение спектральной чувствительности исследуемых кремниевых структур при нанесении тонких пленок фторидов РЗЭ вызвано просветляющим и пассивирующим действием пленочного покрытия.

15.На основе проведенных исследований указаны возможности использования пленок фторидов РЗЭ и МДП — структур на их основе в качестве электрических и тепловых переключателей, элементов репрограммируемой постоянной памяти для записи и хранения информации и др. Показана возможность использования МДП — структур с фторидами РЗЭ в низкоомном состоянии в качестве высокочувствительных фотодетекторов с широким диапазоном спектральной чувствительности. Проведенные исследования позволили предложить и экспериментально обосновать возможность использования пленок фторидов РЗЭ в качестве просветляющих и пассивирующих покрытий кремниевых фотоэлектрических приборов.

Материалы диссертационной работы опубликованы в следующих работах [36−39,43−55,57−59,80,116−121,135,142−158,212−214,216,225,254−262,276−313,332,333,339−341,373,379,380,393,395−401,408,409,447−466, 510−516].

В заключении считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность преподавателям и сотрудникам кафедры электроники твердого тела Самарского государственного университета, кафедр физики полупроводников и физики твердого тела Саратовского государственного университета им. Н. Г. Чернышевского, а также заведующему кафедрой физики полупроводников Саратовского государственного университета им. Н. Г. Чернышевского профессору, доктору технических наук, заслуженному деятелю науки и техники РФ Климову Борису Николаевичу за постоянную помощь и внимание, оказанные при выполнении работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Дей К., Селбин Д. Теоретическая неорганическая химия. М.: Химия, 1969. 432 с.
  2. Rajnak К., Approximate excited eigenfunction for Pr and Tm // J. Chem. Phys. 1962. V. 37, № 10. P. 2440 2444.
  3. B.B., Алексеенко JI.A. Курс химии редкоземельных элементов. Томск: Томский госуниверситет, 1963. 441 с.
  4. Д.И., Скляренко Ю. С., Сенявин М. М. Редкоземельные элементы и общие способы их получения // В кн.: Редкоземельные элементы. М.: АН СССР, 1958. С. 9.
  5. Г. А. О связи между структурными и каталитическими свойствами редкоземельных соединений // Изв. АН СССР. Сер. Неорганич. матер. 1965. Т. 9. С. 1569- 1572.
  6. Г. А. О нерегулярном изменении свойств редкоземельных элементов // Геохимия. 1964. Т. 1. Вып. 1. С. 3 8.
  7. Г. А., Джмуринский Б. Ф. О закономерностях в структурных свойствах соединений редкоземельных элементов в связи со строением их атомов//Докл. АН СССР. 1966. Т. 168. С. 1315 1318.
  8. Yost D.M. et al. The rare earth elements and their compounds New York -London: John Wiley Sonc Inc. 1947. 92 p.
  9. Ф., Уилкинсон Дж. Современная неорганическая химия. Т. 3. М.: Мир, 1969. 500с.
  10. Успехи в химии и технологии редкоземельных элементов / Под ред. JI. Айринга. М.: Металлургия. 1970. 485 с.
  11. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов / Под ред. Жузе В. П. Л.: Наука, 1973. 304 с.
  12. С.П., Федорова Е. Г. Редкоземельные элементы. Взаимодействие с р металлами. М.: Наука, 1990. 300 с.
  13. С.П., Феночка Б. В., Виксман Г. Ш. Термодинамика соединений лантаноидов. Справочник. Киев: Наукова думка, 1979. 373 с.
  14. Gasgnier М. Rare earth metals, rare earth hydrides and rare earth oxides as thin films //Phys. stat. sol. (a). 1980. V. 57, № 1. P. 11 57.
  15. Gasgnier M. Rare earth compounds (oxides, sulfides, boron, .) as thin films and thin crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1989. V. 114, № 1. P. 11 71.
  16. Henderson P. Rare earth element geochemistry. Development in geochemistry. Amsterdam, Oxford- N.Y.- Tokyo: Elsevier. 1984. P. 1 32.
  17. К., Дарби M. Физика редкоземельных соединений. М.: Мир, 1974. 375 с.
  18. Greis О., Petzel Т. Ein beitrag zur strukturchemie der selten erd frifluoride // Zeitschrift anorg. und allg. chem. 1974. Bd. 403, № 1. S. 1 — 12.
  19. Г. А., Джуринский Б. Ф., Тананаев И. В. Особенности кристаллохимии соединений редкоземельных элементов. М.: Наука, 1984. 232 с.
  20. Физика и химия редкоземельных элементов: Справ, изд. / Под ред. К. Гшнайднера, Л. Айринга. М.: Металлургия, 1982. 336 с.
  21. В.А., Ивановский А. Л., Рыжов М. В. Квантовохимические расчеты в материаловедении . М.: Наука, 1987. 240 с.
  22. В.J., Gschneidner К.А. // Handbok on the physics and chemistry of rare earths. Amsterdam: N.J.: North Holland, 1978. V. 1. P. 173 — 232.
  23. .С. Вакуумное нанесение тонких пленок. М.: Энергия, 1967. 312 с.
  24. B.B. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот. М.: Сов. радио, 1967. 456 с.
  25. JI.C. и др. Электронографическое исследование субструктуры тонких конденсатов алюминия методом микропучка // Физика мет. и металловед. 1961. Т.11.С. 864−874.
  26. JI.C. и др. Рентгенографическое исследование дефектов упаковки в конденсированных пленках кобальта // Физика мет. и металловед. 1965. Т. 20, Вып. 2. С. 280 287.
  27. JI.C., Фукс М. Я., Козьма A.A. Рентгенографическое исследование ориентированной микродеформации в конденсированных пленках пер-малоя и никеля // Физика мет. и металловед. 1965. Т. 19. С. 675 681.
  28. В.И., Бузанева Е. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М.: Сов. Радио, 1974. 284 с.
  29. В.И. Теоретические основы работы контакта металл полупроводник. Киев: Наукова думка, 1974. 263 с.
  30. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1. М.: Мир, 1984. 455 с.
  31. Э.Х. Контакты металл полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 209 с.
  32. Бонч Бруевич B. JL, Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.
  33. Е.А., Рожков В. А., Кочетков В. Ю. Механизм токопрохождения в контакте металл низкоомный карбид кремния // Депонир. ЦНИИ «Электроника». № 8932/83. Реферат опубл. в MPC ВИМИ «Техника, технология, экономика». № 21. 1983. сер. «ЭР».
  34. Е.А., Рожков В. А. Высота потенциального барьера на контакте кремний редкоземельный металл // Депонир. в ЦНИИ «Электроника» № 9153/84. Реферат опубл. в MPC ВИМИ «Техника, технология, экономика». № 35. 1983. сер. «ЭР».
  35. Е.А., Рожков В. А., Кочетков В. Ю. Механизм токопрохождения в контакте металл низкоомный карбид кремния // ФТП. 1983. Т. 17, № 4. С. 760.
  36. Е.А., Рожков В. А. Высота потенциального барьера на контакте кремний редкоземельный металл // ФТП. 1984. Т. 18, № 2. С. 389.
  37. Ю.А. Барьеры Шоттки и их использование для исследования свойств полупроводников // Микроэлектроника. 1982. Т. 11, № 1. С. 3 19.
  38. В.М., Ходин A.A. Поверхностный потенциальный барьер в контактах РЗМ полупроводник II ФТП. 1979. Т. 13, № 9. С. 1860 — 1863.
  39. Nord H., de Sousa Pires J., d’Heurle, et all. The Schottky barrier height of the contacts between some rare — earth metals (and silicides) and p-type silicon // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38. P. 865 — 867.
  40. В.А., Милюткин Е. А. Электрические и фотоэлектрические свойства поверхностно барьерных диодов на основе гадолиний — р — кремний // Электрон, техн. Сер. 2. П/п-ые приборы. 1984. Вып. 3 (169). С. 16 — 19.
  41. Е.А., Рожков В. А. Лавинное умножение фототока в структурах с барьером Шоттки на основе контакта диспрозий кремний // ФТП. 1984. Т. 18, № 8. С. 1455 — 1457.
  42. Е.А., Рожков В. А. Свойства поверхностно барьерных диодов на основе контакта диспрозий — кремний // В сб. Физика структуры и свойства твердых тел. 1984. Куйбышев, Куйб. госуниверситет. С. 164 — 167.
  43. В.А., Милюткин Е. А. Фотоэлектрические свойства поверхностно барьерных диодов на основе контакта редкоземельный элемент кремний // Электрон, техн. Сер. 2. П/п-ые приборы. 1987. Вып. 2 (187). С. 38 — 43.
  44. О.С., Рожков В. А., Котелков В. Н., Свердлова A.M. Получение и исследование свойств МОП структур на основе окислов редкоземельных элементов // Электрон, техн. Сер. 6. 1972. Вып. 5. С. 109 — 117.
  45. В.А., Вдовин О. С., Котелков В. Н., Свердлова A.M. Электрические свойства МОП структур на основе окислов диспрозия и европия // Микроэлектроника. 1972. Т. 1, № 2. С. 156 — 160.
  46. В.А., Вдовин О. С., Котелков В. Н., Свердлова A.M. Диэлектрические пленки на основе окислов редкоземельных элементов // Электрон, промышленность. 1973. Вып. 1. С. 22 23.
  47. В.А., Вдовин О. С., Котелков В. Н., Свердлова A.M. Эффект переключения и памяти в структурах AI Eu203 — Si02 — Si // Тезисы докл. Всесоюзн. научн. конф. «Основные задачи микроэлектроники и области её применения.» 1972. М. С. 23.
  48. О.С., Рожков В. А., Котелков В. Н., Свердлова A.M. Получение и электрические свойства МОП структур на основе пленок окислов редкоземельных элементов // Электрон, техн. Сер. 6. 1973. Вып. 2. С. 77−81.
  49. А.И. Электрический пробой и переключение проводимости с памятью в структурах с оксидами редкоземельных элементов // Дисс. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук. Самара. 1992. 149 с.
  50. О.С., Рожков В. А., Котелков В. Н., Свердлова A.M. Пленки окислов редкоземельных металлов, их свойства и применение в микроэлектронике // VII Совещание по редкоземельным металлам, сплавам и соединениям. Тезисы. 1972.-М.: 1972.-С. 118−119.
  51. О.С., Кирьяшкина З. И., Котелков В. Н., Новичков В. В., Рожков В. А. и др. Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ и МДП -структурах. Саратов: Сарат. Госуниверситет, 1983. 159 с.
  52. К. Кристаллография редкоземельных металлов. В кн. Редкоземельные металлы. М.: Металлургия, 1965. С. 218 — 253.
  53. Schottky W. Halbleitertheorie der Sperrschicht, Naturwissenschaften. 1938. V. 26. P. 843.
  54. Mott N.F. Note on the contact between a metal and an insulator or semiconductor//Proc. Cambr. Philos. Soc. 1938. V. 34. P. 568.
  55. .И. О выпрямляющем действии полупроводников // Физика. 1939. Т.1. С. 167.
  56. Bether Н.А. Theory of the boundary layer of crystal rectifiers // M.I.T. Radiation Lab. Rep. 1942. P. 3−12.
  57. Rhoderick E.H. Metal semiconductor contacts. Clarendon. Oxford. 1978.
  58. Rideout V.L. A review of the theory, technology and applications of metal -semiconductor rectifiers // Thin Solid Films. 1978. V. 48. P. 261.
  59. Bardeen J. Surface states and rectification at a metal semiconductor contact.// Phys. Rev. 1947. V. 71. P. 717.
  60. Crowell C.R. The Richardson contact for thermionic emission in Schottky barrier diodes // Solid State Electr. 1965. V. 8. P. 395.
  61. Crowell C.R., Sze S.M. Current transport in metal semiconductor barriers // Solid State Electr. 1966. V. 9. P. 1035.
  62. Crowell C.R., Sze S.M. Electron optical — phonon scattering in the emitter and collector barriers of semiconductor — metal — semiconductor structures // Solid State Electron. 1965. V. 8. P. 979.
  63. Crowell C.R., Beguwala M. Recombination velocity effects on current diffusion and inref in Schottky barriers // Solid State Electron. 1971. V. 14. P. 1149.
  64. Crowell C.R., Sarace J.C., Sze S.M. Tungsten semiconductor Schottky — barriers diodes // Trans. Met. Soc. AIME. 1965. V. 233. P. 478.
  65. Lepselter M.P., Sze S.M. Silicon Schottky barrier diode with near ideal J — V characteristics //Bell Syst. Tech. J. 1968. V. 47. P. 195.
  66. Goodman A.M. Metal semiconductor barrier height measurement by the differential capacitance method — one carrier system // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. P. 329.
  67. Mead C.A., Spitzer W.G. Fermi level position at metal semiconductor interfaces //Phys. Rev. 1964. V. 134. P. A713.
  68. Mead C.A. Metal- semiconductor surface barriers // Solid State Electron. 1966. V. 9. P. 1023.
  69. Pugh D. Surface states on the (111) surface of diamond // Phys. Rev. Lett. 1964. V. 12. P. 390.
  70. Spicer W.E., Chye P.W., Garner C.M. et all. The surface electronic structure of III V compounds and the mechanism of Fermi level pinning by oxygen (passivation) and metals (Schottky barriers) // Surface Sci. 1979. V. 86. P. 763.
  71. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл полупроводник. М.: Мир, 1975.432 с.
  72. В.А. Получение и свойства гетероэпитаксиальных слоев на основе твердых растворов в системе галлий алюминий — мышьяк — сурьма // Электрон. техн. Сер. 6. Материалы. 1981. Вып. 10 (159). С. 18 — 21.
  73. Card Н.С., Roderick Е.Н. Studies of tunnel MOS diodes. 1. Interface effects in silicon Schottky diodes // J. Phys. D: Appl. Phys. 1971. V. 4. P. 1589 1601.
  74. Cowley A.M. Depletion capacitance and diffusion potential of gallium phosphide Schottky barrier diodes // J. Appl. Phys. 1966. V. 37. P. 3024 — 3033.
  75. А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. М.: Сов. Радио, 1970. 392 с.
  76. И.Д., Викулин И. М., Заитов Ф. А., Курмашев Ш. Д. Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. М.: Радио и связь, 1984. 216 с.
  77. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Под. ред. Р. Дж. Киеса. М.: Радио и связь, 1985. 328 с.
  78. С.В. Элементы оптоэлектроники. М.: Сов. Радио, 1971. 271 с.
  79. Ю.Р. Оптоэлектроника. М.: Сов. Радио, 1977. 232 с.
  80. Т., Баррел ., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.: Мир, 1976.431 с.
  81. А., Бьюб Р. Солнечные элементы. Теория и эксперимент. М.: Энергоатомиздат, 1987. 278 с.
  82. Munz P., Bucher Е. The use of rare earths in photovoltaics // Rare Earth Mod. Sci. and Technol. Proc. 15- Rare Earths Res. Conf., Rolla. 15−18 June 1981. N.Y., London. 1982. P. 547 556.
  83. Woods M.H., Johnson W.C., Lampert M.A. Use of a Schottky barrier to measure impact ionization coefficients in semiconductors // Sol. St. Electron. 1973. V. 16, № 4. P. 381 394.
  84. Baraff G.A. Distribution function and ionization rates hot electrons in semiconductors //Phys. Rev. 1962. V. 128. P. 2507 2513.
  85. В.А., Крюкова Н. Н., Кюрегян А. С. и др. О коэффициенте ударной ионизации электронов и дырок в кремнии // ФТП. 1975. Т. 9. Вып. 4. С. 735 738.
  86. Goetzberger A., McDonal В., Haitz R.H., Soarlet R.M. Avalanche effects in silicon p-n junction. 2. Structurally perfect junctions // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. P. 1591.
  87. Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. 176 с.
  88. Ю.Д., Райнова Ю. П. Физико химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979.
  89. А.П. Технология интегральных схем. Минск: Вышейшая школа, 1982. 206 с.
  90. Г. В., Дворина JI.A., Рудь Б. М. Силициды. М.: Металлургия, 1979. 271 с.
  91. А.П., Киселевский Л. И., Грушецкий С. В. и др. Плазменная металлизация в вакууме. Минск: Наука и техника, 1983.
  92. Ю.Д., Достанко А. П. В кн.: Тугоплавкие металлы. М.: Металлургия, 1984.
  93. Nicolet М.А., Lau S.S. Formation and characterization of transition metal silicides // VLSI Electronics: Microstructure Science. V. 6, ch. 6. P. 329 — 464. N.Y.: Academic Press. 1983.
  94. Chen J., Roth L. Refractroty metals and metal silicides for VLSI // Solid State Technology. 1984. V. 27, № 8. P. 145 — 149.
  95. A.E., Ржанов A.B., Черепов Е. И. Образование пленок силицидов на кремнии //Поверхность. Физика, химия, механика. 1982, № 2. С. 1 12- Тонкопленочные силициды в микроэлектронике // Микроэлектроника.1982. Т. 11, № 2. С. 1 12.
  96. Wittner М. Silicide contacts for shallow junction devices // Thin Solid Films.1983. V. 107, № LP. 99−110.
  97. Thompson R.D., Tu K.N. Comparison of the three classes (rare earth, refractory and near — noble) of silicide contacts // Thin Solid Films. 1982. V. 93, № ¾. P. 265 — 274.
  98. Tu K.N., Thompson R.D., Traur B.Y. Low Schottky barrier of rare earth silicide on n — Si // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38, P. 626 — 628.
  99. Wu C.S., Lau S.S., Kuech T.F., Liu B.X. Surface morphology and electronic properties of ErSi2 // Thin Solid Film. 1984. V. 104. P. 175 182.
  100. Lau S.S., Pai C.S., Wu C.S. et all. Surface morphology of erbium silicide // Appl. Phys. Lett. 1982. V. 41, № 1. P. 77 80.
  101. Tsaur B.Y., Hung L.S. Ion beam — induced modification of silicide formation in rare — earth metals: Er — Si and Tb — Si systems // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 37, № 10. P. 922−924.
  102. Thompson R.D., Tsaur B.Y., Tu K.N. Contact reaction between Si and rare earth metals // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38, № 7. P. 535 537.
  103. Baglin J.E., d’Heurle F.M., Peterson C.S. The formation of silicides from thin films of some rare earth metals // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 36. P. 594 — 596.
  104. Cheng I.C., Lau S.S., Thompson R.D., Tu K.N. Shallow contact formation of gadolinium silicide // Mat. Rew. Soc. Symp. Proc. 1984. V. 25. P. 39 44.
  105. Wu C.S., Scott D.M., Lau S.S. et all. A comparison of thermal, line source electron beam am cw laser annealing for the fabrication of ErSi2 Schottky barrier on Si // Mat. Rew. Soc. Symp. Proc. 1984. V. 25. P. 93 98.
  106. Koleshko V.M., Belitsky V.F., Khodin A.A. Thin films of rare earth metal silicides // Thin Solid Films. 1986. V. 141. P. 277−285.
  107. Suu H.V., Mezey G., Peto G. et all. Formation and characterization of gadolinium silicides // Thin Solid Films. 1984. V. 116, № ½/3. P. 175.
  108. Иб.Милюткин E.A., Рожков В. А. Образование пленок силицидов РЗМ и свойства границы раздела силицид кремний // Микроэлектроника. 1985. Т. 14, № 1. С. 50−54.
  109. Е.А., Рожков В. А. Образование и свойства пленок силицидов редкоземельных металлов на поверхности кремния // Электрон, техн. Сер. Материалы. 1984. Вып. 5 (190). С. 17 19.
  110. Е.А., Рожков В. А. Электрофизические свойства границы раздела силицид РЗМ кремний // Тез. VIII совещания «Физика поверхностных явлений в полупроводниках.» Часть 2. 1984. Киев. С. 46 — 47.
  111. Е.А., Рожков В. А. Свойства границы раздела силицид РЗМ -кремний // Тез. докл. IX Всесоюз. симпоз. «Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников «. Часть 2. 1988. Новосибирск. С. 81.
  112. Е.А., Рожков В. А. Свойства тонкопленочных силицидов РЗЭ и их применение в элементах микросхем // Тез. докл. Школы по актуальным вопросам физики и химии соединений на основе РЗЭ. 1989. Красноярск. С. 39 40.
  113. Е.А., Рожков В. А. Тонкопленочные силициды РЗЭ, их свойства и применение в микроэлектронике // Тез. докл. V Всесоюз. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников. 1990. Саратов. С. 91.
  114. Tu K.N. Shallow and parallel silicide contacts // J. Vac. Technol. 1981. V. 9, № 3. P. 766−777.
  115. Ottaviani G. Interface metallurgy and electronic properties of silicides // J. Vac. Sci. Technol. 1981. V. 18, № 3. P. 924 928.
  116. Тонкие пленки: взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута. М. 1982. 575 с.
  117. Hansen M. in: Constitution of Binary Alloys. McGraw Hill, N.Y. 1958.
  118. Elliott R.P. in: Constitution of Binary Alloys. 1 st suppl, McGraw — Hill, N.Y. 1958.
  119. Shunk F.A. in: Constitution of Binary Alloys. 2 nd suppl., McGraw — Hill, N.Y. 1969.
  120. Moffat W.G. in: The Handbook of Binary Phase Diagrams. General Electric Co, Schenectady, N.Y. 1978.
  121. Van Gurp G.J. in: Semiconductor Silicon 1977 (eds. H.R. Huff and E. Sirtl) Electrochem. Soc. Princeton, New Jersey 1977. P. 342.
  122. Saxena A.N., Grobe J.J., Hage АН M. at all. in: Metal — Semiconductor Contacts / ed. M. Pepper. Inst. Phys., London. 1974. P. 160.
  123. Braicovich L. The electron states of silicides: results and perspectives // Thin Solid Films. 1986. V. 140. P. 79 88.
  124. Freeouf J.L. Silicide interface stoichiometry // J. Vac. Sci. Technol. 1981. V. 18, № 3. P. 910−916.
  125. Pearson W.B. A handbook of lattice spacings and structures of metals and alloys. V. 2. Pergamon. London. 1967.
  126. Samsonov G.V., Vinitski I.M. Handbook of refractory compounds. IFI / Plenum. N.Y. 1980.
  127. Perri J.A., Binder I., Post В. Rare earth metal disilicides // J. Phys. Chem. 1959. V. 63, № 4. P. 616−619.
  128. Г. В., Винецкий И. М. Тугоплавкие соединения. М.: Металлургия, 1976. С. 79.
  129. Cohen S.S. Contact resistance and methods for its determination // Thin Solid Films. 1983. V. 104, № ¾. P. 361 379.
  130. Shapira Y., Tove P.A., Stolt L., Norde H. Auger electron spectroscopy studiers of the formation of indium and thorium silicides // Thin Solid Films. 1982. V. 89, № 4. P. 361.
  131. К.А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Применение контакта металл -полупроводник в электронике. М.: Радио и связь, 1981. С. 16.
  132. В.В. и др. Редкоземельные элементы и их соединения в электронной технике. Томск: Томск. Госун-т, 1979. 144 с.
  133. В.А., Свердлова A.M. Эффекты отрицательного сопротивления, переключения и генерации сигналов в МОП структурах с пленками оксидов редкоземельных элементов // Письма в ЖТФ. 1981. Т. 7, Вып. 6. С. 335 -339.
  134. В.А. Исследование электрофизических свойств кремниевых МОП структур на основе диэлектрических пленок двуокиси кремния и окислов редкоземельных элементов / Дисс. на соиск. уч. ст. к.ф.-м.н. Саратов, 1973. 197 с.
  135. В.А. Фотоэлектрические свойства кремниевых МДП структур при нестационарном истощении поверхности полупроводника // Электрон, техн. сер. 2. Полупров. приборы. 1982. Вып. 5 (156). С. 28 -33.
  136. В.А. Фотоэлектрические свойства МДП структур при неравновесном обеднении поверхности полупроводника // 2 Республ. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. 1982. Одесса. 1982. С. 202.
  137. В.А., Петров А. И., Милюткин Е. А. Эффект переключения проводимости с памятью в структуре А1 Се02 — Si // Журн. техн. физики. 1983. Т. 57, № 7. С. 1404- 1405.
  138. В.А., Петров А. И., Милюткин Е. А. Переключение проводимости и память в кремниевых МДП структурах на основе пленок двуокиси церия // Микроэлектроника. 1984. Т. 13, № 3. С. 247 — 251.
  139. В.А., Петров А. И. Эффект переключения проводимости и память в структуре А1 Gd203 — Si // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. Вып. 1. С. 49 — 52.
  140. В.А., Петров А. И. Переключение и память в МДП структурах на основе оксидов редкоземельных металлов // Тез. докл. XII Всесоюз. конф. по микроэлектронике. Ч. 3. 1987. Тбилиси. 1987. С. 87 — 88.
  141. В.А., Петров А. И. Особенности явления переключения, памяти и пробоя в кремниевых МДП структурах с оксидами РЗМ // Тез. докл. IX
  142. Всесоюзн. симп. «Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников». Ч. 2. 1988. Новосибирск. С. Ill 112.
  143. В.А., Петров А. И. Особенности явления переключения проводимости с памятью в тонкопленочных системах на основе оксидов РЗЭ // Тез. докл. Всесоюз. школы по актуальным вопросам физики и химии соединений на основе РЗЭ. 1989. Красноярск. С. 41−42.
  144. . А.И., Рожков В. А. Особенности процессов переключения и памяти в кремниевых МДП структурах // В сб. Фотоэлектроника. Киев — Одесса: Либидь, 1991. С. 68−72.
  145. Ю.А., Петров А. И., Рожков В. А. и др. Просветляющие покрытия из оксидов редкоземельных элементов для кремниевых фотоэлектрических приборов // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 10. С. 54 58.
  146. В.А. Накопление заряда в кремниевых МДП структурах с диэлектриком из оксида диспрозия при воздействии УФ — излучения // Известия ВУЗов. Физика. 1994. № 7. С. 99 — 104.
  147. В.Б. Полиморфизм окислов редкоземельных металлов. М.: Наука, 1967. 133 с.
  148. Shafer M.V., Roy R. Rare earth pollmorphism and phase equilibria in rare -earth oxide — wafer sistems // J. Amer. Ceram. Soc. 1959. V. 42, № 11. P. 563 -570.
  149. Warschaw J., Roy R. Polimorphism of the rare aerth sesquioxides // J. Phys. Chem. 1961. V. 65, № 11. P. 2048 -2051.
  150. Roth R.S., Schneider S.J. Phase equilibria in systems involving the rare earth oxiders. Part I. Polimorphism of the oxides of the trivalent rare — earth gons // J. Res. NBS. 1960. V. 64 A, № 4. P. 309 — 316.
  151. В.Б., Соколов Ю. Г., Калер Э. К. Окисление металлического неодима и скорость полиморфного превращения С, А Ш20з // Ж. физ. хим. 1964. Т. 38. Вып. 5. С. 1126 — 1134.
  152. B.C., Смагина Е. И., Моржеедова Р. Н. О В форме окисла Sm203 // Ж. неорган, хим. 1963. Т. 8. Вып. 5. С. 1049 — 1052.
  153. К.И., Фадеева В. И., Тильфеева Н. И. Полиморфизм некоторых окислов редкоземельных элементов и их взаимодействие с водой // Атомная энергия. 1963. Т. 14. Вып. 6. С. 559 562.
  154. А.Г., Руденко B.C. О природе необратимых полиморфных превращений редкоземельных окислов // Докл. АН СССР. 1965. Т. 161, № 3. С. 590 593.
  155. В.Б., Боганов А. Г. Полиморфизм редкоземельных полуторных окислов // Изв. АН СССР. Сер. Химия. 1965, № 7. С. 1131 1138.
  156. Н.П. и др. Электрические свойства окислов редкоземельных элементов // Докл. АН СССР. 1965. Т. 160, № з. с. 578 581.
  157. С.С., Бацанов С. С. Ширина запрещенной зоны окислов редкоземельных металлов // Докл. АН СССР. 1967. Т. 175, № 5. С. 1062 1063.
  158. Noddack W., Watch H., Dobner W. Leitfahigkeitsmessunden an Oxiden der Seltenen // Erden I. Z. phys. chem (DDR). 1959. B. 211, H. ¾. S. 180 193. Erden IL S. 194−207.
  159. A.B., Дубок B.A., Тресвятский C.T. Электрические свойства окислов РЗЭ и некоторых их соединений / В кн.: Химия высокотемпературных материалов. Л.: Наука, 1967. С. 59- 65.
  160. Gzanderna A.W., Honig J.M. The compositic, resistivity and thermoelectric power of cerium oxides below 500° C. //Phys. Chem. Sol. 1958. V. 6, № 1. P. 96- 97.
  161. Kevane С .J., Holverson E.L., Watson R.D. Electrolytic conduction in calcium -doped solid cerium oxide // J. Appl. Phys. 1963. V. 34, № 7. P. 2083 2087.
  162. С.П., Феночка Б. В., Фесенко B.B. Редкоземельные металлы и их тугоплавкие соединения. Киев. Наукова думка, 1971.
  163. В.Ф. и др. Использование окислов РЗМ в пленочной электронике // Электроника: Информ. справочный листок № 784. Сер. Полупров. приборы, 1969. 4с.
  164. С.С., Дулепов Е. В. Диэлектрические проницаемости и заряды атомов в окислах редкоземельных элементов // ФТТ. 1965. Т. 7, № 4. С. 1239- 1241.
  165. Е.Д., Соколова М. Н., Бацанов С. С. Оптические свойства окислов редкоземельных элементов // Журн. структ. химии. 1956. Т. 8, № 3. С. 465 -470.
  166. У. Возможность использования окислов РЗМ при создании пленочных емкостных элементов и тонкопленочных активных элементов // Заруб, радиоэлектроника. 1966. № 1. С. 86 -90.
  167. H.H., Сачавский А. Ф., Афанасьев K.JI. Диэлектрические пленки на основе двуокиси церия // Изв. ВУЗов. Физика. 1970. № 2. С. 156 158.
  168. Tadashi Trutsumi. Dielectric properties of Y203 thin film preparated by vacuum evaporation // Japan J. Appl. Phys. 1970. V. 9, № 7. P. 735 740.
  169. P.A., Егиян К. А. Диэлектрические свойства пленочных окислов редкоземельных элементов // Изв. АН Арм. ССР. Физика. 1968. № 3. С. 348 -354.
  170. B.C., Маркарянц А. Е. и др. Тезисы II Всесоюзн. совещания по физико химии и контролю в микроэлектронике. Новосибирск. 1968. С. 58.
  171. В.Ф. Получение и исследование пленок соединений типа А2В3 и АВ03 // Дисс. на соиск. уч. степ, к.ф.-м.н. Новосибирск, 1969.
  172. М.М., Руднев В. В. Исследование диэлектрических пленок окиси неодима в структуре Al Nd203 — Al // Электрон, техн. Сер. 14. 1968. Вып. 2. С. 103 — 104.
  173. А.Г. Термоэлектронная эмиссия в пленках окиси празеодима. Токи, ограниченные пространственным зарядом в пленках окиси празеодима // Электрон, техн. Сер. 8. 1970. Вып. 2 (19). С. 115 119.
  174. Д.Н., Бахтинов В. В., Сахаров Ю. Г. Исследование диэлектрических пленок на основе окиси неодима // В сб. Радиоприборостроение и микроэлектроника. Омск. ОПИ. 1971. С. 191 195.
  175. Д.Н., Бахтинов В. В. Диэлектрические пленки из окиси празеодима и двуокиси церия // В сб. Радиоприборостроение и микроэлектроника. Омск. ОПИ. 1971. С. 205 207.
  176. Д.Н., Бахтинов В. В. Диэлектрические свойства пленок окислов редкоземельных элементов // В сб. Диэлектрики. Вып. 1. Киев: Наукова думка, 1972. С. 134 138.
  177. B.C., Красов В. Г., Маркарянц А. Е. Получение и исследование качества тонкопленочных конденсаторов на основе окислов редкоземельных элементов //Электрон, техн. Сер. 12. 1971. № 1 (17). С. 79 83.
  178. B.C., Красов В. Г., Макарянц А. Е. Получение и исследование качества тонкопленочных конденсаторов на основе окислов редкоземельных элементов // Электрон, техн. Сер. 12. 1971. Вып. 1 (7). С. 79 83.
  179. А.Ф., Гильман И. Я., Смолин М. Д. Преспективы применения пленок окислов редкоземельных металлов в оптической и электронной промышленности // В кн.: Получение и свойства тонких пленок. Киев: ИПМ АН УССР. 1978. С. 13 27.
  180. А.Г., Ущаповский Л. В. Бистабильное переключение в МДП -структурах на основе пленок окислов редкоземельных элементов // В кн.: Получение и свойства тонких пленок. Киев. ИПМ АН УССР. 1978. С. 52 -57.
  181. P.A., Егиян К. А., Авагян Л. А. Исследование диэлектрических свойств пленок окислов тяжелых редкоземельных элементов // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Технология произв-ва и оборудование. 1973. Вып. 1. С. 43 46.
  182. Д.И. Исследование состава и строения диэлектрических пленок окиси иттрия и электрических характеристик конденсаторов на их основе // Электрон, техн. Сер. 5. 1974. Вып. 1. С. 3 7.
  183. H.H., Красных С. А., Чистяков Ю. Д. Структура и электрофизические свойства пленок ОРЗМ // Электрон, техн. Сер. 3. (Микроэлектроника). 1973. Вып. 8(84). С. 100 105.
  184. Ю.Д., Заичкин H.H. Исследования структуры и свойств пленок ОРЗМ//Микроэлектроника. 1975. Т. 4. Вып. 2. С. 157 162.
  185. Физика тонких пленок. Т. 5. / Под ред. Г. Хасса и Р. Э. Туна. Пер. с анг. М.: Мир, 1972.
  186. JI. Нанесение тонких пленок в вакууме. М.: Госэнергоиздат, 1963.
  187. И.П. Основы микроэлектроники. М.: Сов. Радио, 1980. 423 с.
  188. В.В., Готра З. Ю., Матвийкин М. Д. Прогрессивные методы производства микросхем. Львов. Каменяр, 1973. 79 с.
  189. C.B. Получение тонкопленочных элементов микросхем. М. Энергия, 1977. 135 с.
  190. С.А., Чернобровкин Д. И. Пленочное материаловедение редкоземельных соединений. М.: Металлургия, 1981.
  191. Г. В. и др. Физико химические свойства окислов. М.: Металлургия, 1969.
  192. Е.М. Редкоземельные металлы и сплавы. М.: Наука, 1971. С. 9 -12.
  193. Д.И., Волкова В. В. Физика и химия обработки материалов. 1978. № 6. С. 66 -70.
  194. Д.И., Бахтинов В. В., Сахаров Ю. Г. Испарение окислов редкоземельных металлов электронным лучем // Приборы и техн. эксперим. 1971. № 3. С. 159- 160.
  195. Goldstein R.M. Thin film yttrium oxide capacitors // Electrochem. Techn. 1968. V. 6, № 5, 6. P. 186−191.
  196. Юнг Л. Анодные окисные пленки / Под. ред. Л. Н. Закгейма и А. Л. Одынца. Пер. с англ. Л.: Энергия, 1967.
  197. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия / Под ред. Р. Бугера и Р. Донована. Пер. с анг. М.: Мир, 1969.
  198. В.А., Петров А. И. Пленки окислов редкоземельных элементов, их свойства и применение в микроэлектронике // Тез. докл. III Всесоюз. конф. «Неорганические стекловидные материалы и пленки на их основе в микроэлектронике». 1983. М. 1983. С. 143.
  199. В.А., Петров А. И. Свойства пленок окислов редкоземельных элементов и перспективы их использования в микроэлектронике // Тез. докл. Всесоюз. конф. «Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники». Часть 1. 1985. Минск. С. 217.
  200. О.С. Окисление некоторых редкоземельных элементов. Вып. 3. Саратов: Сарат. госунив т, 1971. С. 36 — 41.
  201. В.Б., Котелков В. Н., Вдовин О. С., Рожков В. А. Исследование окисления пленок РЗЭ // В сб. Исследования в области химии редкоземельных элементов. Саратов: Сарат. госунивер-т, 1975. С. 111 112.
  202. М.Н., Вдовин О. С., Дворникова JI.M., Большаков А. Ф. Рентгенографическое исследование гидроокисей «легких» редкоземельных элементов // В кн. Физико химические исследования комплексных соединений РЗЭ. Саратов: Сарат. госун-т, 1968. С. 78 — 87.
  203. JI.B. О фазовом составе гадолиниевых и тербиевых пленок // В кн.: Физика магнитных пленок. Вып. 2. Иркутск: Иркут. госун-т, 1970. С. 49−54.
  204. Boulestiex С. at al. Microscopie et diffraction electroniques de conches minces de ses quioxide de neodime // Acta cristallogr. 1971. V. A27, № 6. P. 552 586.
  205. Boulestiex C., Valiergue L. Etide des conches minces de samarium Par Rayons X et microscopie // Thin Solid Films. 1970. V. 6, № 1. P. 51 — 71.
  206. Boulestiex С., Valiergue L. Stude des conches minces d’Ytterbium Par Rayons X et microscopie electronique // Thin Solid Films. 1970. V. 5, № 1. P. 15 — 28.
  207. Boulestiex C., Valiergue L. Reported twinning and dislocations in gadolinium metal thin films indentified as acciring in В type gadolinium sesquioxide cristals //Phys. Lett. 1970. V. A32. P. 361 — 378.
  208. JI.В., Буравихин В. А., Шелковников В. Н. Эпитаксиальные пленки окисленного гадолиния // В кн. Физика магнитных пленок. Вып. 2. Иркутск: Иркут. госун-т, 1970. С. 61 67.
  209. О.С., Котелков В. Н. Получение и структура пленок окислов редкоземельных элементов // В кн.: Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Вып. 4. Саратов: Сарат. госун-т, 1973. С. 61 66.
  210. О.С., Рожков В. А., Котелков В. Н., Свердлова A.M. Получение и некоторые свойства пленок окислов редкоземельных элементов // В кн.: Получение и свойства тонких пленок. Вып. 1. Киев: ИПМ АН УССР, 1973. С. 32−44.
  211. О.С., Дворникова Л. М. Структура и состав пленок окислов РЗЭ, полученных различными методами // В кн.: Синтез и исследование термостойких соединений на основе оксидов металла. Киев. Наукова думка. 1972. С. 54.
  212. В.Б., Келер Э. К., Соколов Ю. Г. Взаимодействие Ш20з с водой //Докл. АН СССР. 1964. Т. 158, № 1. С. 151 -154.
  213. О.С., Жарков Ю. В., Котелков В. Н. Структура пленок окислов РЗЭ // Тезисы докл. X Всесоюзн. совещания по использованию рентгеновских лучей к исследованию материалов. М. 1971. С. 249.
  214. H.H. Структура и электрические свойства пленок двуокиси церия//Изв. ВУЗов. Сер. Физика. 1971. № 8. С. 133 135.
  215. В.Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем МДП. Киев: Наукова думка, 1978. 313 с.
  216. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Под ред. А. В. Ржанова. М.: Наука, 1976. 280 с.
  217. А.Г. Структура пленок окислов редкоземельных элементов и явления переноса заряда в металл-диэлектрик-металл системах на их основе // Дисс. на соиск. уч. степени к.ф.-м.н. Иркутск. 1979. 161 с.
  218. .Л., Карпова А. П. Экспериментальное изучение эстафетного механизма протекания тока в системе М-Д-М // ФТП. 1973. Т.7, № 2. С. 230 235.
  219. Ю.А., Аболина Н. Я., Ванаг С. А. Термостимулированная поляризация в тонких пленках // Известия АН Латвийской ССР. Сер. Физ. и техн. наук. 1975. № 1. С. 34−38.
  220. Hill R.M. Pool-Frencel conduction in amorphous solids // Phil. Mag. 1971. № 181. P. 59−86.
  221. А.И., Плотников А. Ф., Селезнев В.H. Электронные явления переноса в аморфных диэлектрических слоях // Труды физ. института им. П. Н. Лебедева. 1987. Т. 184. С. 55−89.
  222. Нитрид кремния в электронике / Под ред. А. В. Ржанова. Новосибирск: Наука, 1982. 200 с.
  223. Ovshinsky S.R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures //Phys. Rev. Lett. 1968. V. 21, № 21. P. 1450−1453.
  224. C.P. Аморфные полупроводники // Зарубежная радиоэлектроника. 1970. № 6. С. 93−104.
  225. Massaki Tomizawa, Shinya Kopiki, Goro Maisimoto. Conduction and memory characteristics in Al-Al203-Au sandwich structure // Japan J. Appl. Phys. 1975. V. 14, № 10. P. 1615−1616.
  226. Khan M.I., Hogarth C.A., Khan M.N. Memory switching in Ge02 films // Int. J. Electron. 1979. V. 46. Р/ 215−216.
  227. Laverty S.J. Conduction and switching phenomena in thermally grown silicon dioxide films // Int. J. Electron. 1971. V. 30. № 2. P. 165−174.
  228. Shatzkes M., Av-ron N.M., Anderson R.M. On the nature of conduction and switching in Si02 // J. Appl. Phys. 1974. V. 45, № 5. P. 2065−2077.
  229. Henisch H.K. Switching in amorphous allows // Thin Solid Films. 1981. V. 83, № 2. P. 217−222.
  230. Sharaf K.A. Switching and memory effects in semiconducting chalcogenide glasses Bi29Ti35Se36//Appl. Phys. A. 1991. V. 53, № 3. P.218−221.
  231. Nadkarni G. S., Shirodrar V.S. Experiment and theory for switching in Al-V205-A1 devices //Thin Solid Films. 1983. V. 105. P. 115−129.
  232. K.L. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 184.
  233. E.H., Богдан Г. И. Тонкопленочный тепловой переключатель / В сб. Диэлектрики. Киев: Киев, госунив-т, 1971. Вып. 1. С. 138−141.
  234. Cook E.L. Model of resistance conduction transition in reversible resistanceswitching solids // J. Appl. Phys. 1970. V. 41, № 2. P. 551−554.
  235. Kaplan Т., Bullock D.С., Adler D., Epstein D.J. Thermal initiated negative resistance in Si Y.I. G. //Appl. Phys. Lett. 1972. V. 20, № 11. P. 439.
  236. Bullock D.C., Epstein D.J. Negative resistance, conduction, switching and memory effect in the crystals of Si-Y.I.G. // Appl. Phys. Lett. 1970. V. 17, № 5. P. 199−202.
  237. Freud P. J., Hed A.Z.I I Phys. Rev. Lett. 1969. V. 23, № 25. P. 1440−1443.
  238. М.И. Погрешность и надежность простейших экспериментов // УФН. 1965. Т. 85. Вып. 3. С. 533−542.
  239. А.И., Рожков В. А. Электрический пробой пленок оксидов редкоземельных элементов в МДП-структурах // Тез. докл. научно-техн. конф. «Проблемы и прикладные вопросы физики.» 1993. Саранск. С. 42.
  240. А.И., Рожков В. А. Электрический пробой пленок оксида гадолиния // Радиотехн. и электроника. 1993. Т. 32, № 2. С. 296−301.
  241. А.И., Рожков В. А. Электрический пробой пленочных оксидов редкоземельных элементов в МДП-структурах //Тез. докл. Росс, научнотехн. конф. по физике диэлектриков с междунар. участием. «Диэлектрики-93». Часть 2. 1993. С.-Петербург. С. 92−93.
  242. В.П., Петров А. И., Рожков В. А. Электрический пробой пленок оксида иттрия в кремниевых структурах металл-диэлектрик-полупроводник // Радиотехн. и электроника. 1994. Т. 39, № 11. С. 1845−1851.
  243. В.А., Петров А. И., Гончаров В. П. Электрический пробой пленок оксида лютеция // Физика тв. тела. 1995. Т. 37, № 2, С. 491−498.
  244. А.И., Рожков В. А. Электрический пробой пленок оксида диспрозия // Известия ВУЗов. Физика. 1995. № 8. С. 95−101.
  245. B.A., Трусова А. Ю. Электрический пробой пленок оксида самария в кремниевых МДП-структурах //Тез. докл. Междунар. научно-техн. конф. по физике твердых диэлектриков. «Диэлектрики-97». 1997. С.Петербург. С. 58−59.
  246. В.А., Трусова А. Ю. Электрический пробой пленок оксида самария в кремниевых МДП-структурах // Вестник СамГУ. 1997. № 2(4). С. 174 181.
  247. De Wit H.J., Wijenberg Ch. Dielectric breakdown anodic oxide aluminium // J. Electrochem. Soc. 1976. V. 123, № 10. P. 1479−1486.
  248. Holland S., Chen I.C., Ma T.P., Ни C. On physical models for gate oxide breakdown // IEEE Electron. Device Letters. 1984. V.- EDL-5, № 8. P. 302−305.
  249. O' Dwayer J.J. The theory of dielectric breakdown of solids // Oxford Univ. Press.1973. 297 p.
  250. Ridley B.K. Mechanism of electrical breakdown in thin Si02 films // J. of Apll. Phys. 1975. V. 46, № 3. P. 998−1007.
  251. Harari E. Dielectric breakdown in electrically stressed thin films of Si02 // J. Appl. Phys. 1978. V. 49, № 4. P. 2478−2489.
  252. Ю.В., Думиш JI.K. Миграция подвижных зарядов по поверхности различных диэлектриков в МДП-структуре // МЭ. 1973. Т. 2. Вып. 2. С. 159−165.
  253. С.А., Козлов С. Н. Миграция ионов по поверхности структур диэлектрик-полупроводник // МЭ. 1979. Т. 8. Вып. 3. С. 239−248.
  254. А.Б., Козлов С. Н., Киселев В. Ф. Об электропроводности и молекулярной подвижности адсорбированной на поверхности кремния воды // Доклады АН СССР. 1976. Т. 228, № 4. с. 877−880.
  255. Е.А., Горюнова Г. Ф. Исследование моно- и биполярного эффекта диссоциации адсорбированных молекул на поверхности кремния // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. № 2. С. 109−114.
  256. М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.216 с.
  257. Юнг Л. Анодные окисные пленки / Пер. с англ. Л.: Энергия. 1967. 232 с.
  258. В.А. и др. Исследование переходных процессов в кремниевых МДП-структурах // Электрон, техн. Сер. 2. 1971. Вып. 4(61). С. 71−74.
  259. В.А., Панфилов Б. А., Свердлова A.M. Измерение вольтемкостных и переходных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник // ПТЭ. 1971. № 6. С. 127−129.
  260. В.А., Свердлова A.M., Панфилов Б. А. Исследование кинетики образования р-п перехода в МОП-структурах // Тез. докл. 4-ой Всесоюз. со-вещ. по физическим явлениям в р-п переходах в полупроводниках. 1970. Одесса. С. 34.
  261. В.А., Свердлова A.M., Новичкова Н. П. Исследование неравновесного обеднения в кремниевых МОП-структурах // Тез. докл. !У Всесоюз. совещ. по электронным явлениям на поверхности полупроводника. 1971. Киев. С. 55−56.
  262. В.А. и др. Влияние глубоких центров на неравновесные процессы в кремниевых МОП-структурах // Совещание по глубоким центрам в полупроводниках. Краткое содержание докл. 1972. Одесса. С. 99.
  263. В.А., Вдовин О. С., Котелков В. Н., Свердлова A.M. МОП-структуры на основе пленок окислов редкоземельных элементов //В сб. Получение и свойства тонких пленок. Киев: ИПМ АН УССР. 1973. С. 3−11.
  264. В.А., Вдовин О. С., Котелков В. Н., Свердлова A.M. Электрофизические свойства структуры Al-Y203-Si //Микроэлектроника. 1973. Т. 2. № 3. С. 267−270.
  265. В.А. и др. Исследование влияния излучения на переходные процессы в кремниевых МОП-структурах // В сб. Физика полупров. и полупров. электроника. Саратов: СГУ, 1973. Вып. 4. С. 24−28.
  266. В.А. и др. Пленочные структуры на основе окислов редкоземельных элементов // В сб. Тонкие диэлектрические пленки. Матер. Всесоюз. конф. Физика диэлектриков и перспективы ее развития. Т.З. 1973. JI. С. 178 179.
  267. О.С., Рожков В. А., Котелков В. Н. и др. Исследование электрофизических свойств пленок окислов и соединений РЗЭ / В сб. Исследование в области химии редкоземельных элементов. Саратов: СГУ, 1975. С. 110−111.
  268. В.И., Зуев В. А., Сукач Г. А., Рожков B.A. Исследование границы раздела Si-Y203 оптическими методами // В сб. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Вып. 23. Киев: Наукова думка, 1976. С. 53−58.
  269. О.С., Рожков В. А., Котелков В. Н. и др. Некоторые свойства МДП-структур на основе пленок окислов редкоземельных элементов // В сб. Физика полупров. и полупр. электроника. Саратов: СГУ, 1975. Вып. 5. С. 121−125.
  270. В.А. и др. Электрические свойства кремниевых МДП-структур с пленками окислов иттрия и диспрозия // Тез. докл. У1 Всесоюз. сов. по физике поверхностных явлений в полупроводниках. Ч. 1. Киев. 1977. С. 7.
  271. В.А., Свердлова A.M., Вдовин О. С. Исследование неравновесного емкостного эффекта поля в кремниевых МДП-структурах с диэлектрическими пленками на основе окислов редкоземельных элементов // Деп. в ВИНИТИ. 1979. № 1381−79. 6 с.
  272. В.А., Петров А. И. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП-структур на основе окиси гадолиния // Электрон, техн. Сер. 6. Материалы. 1982. Вып. 9(170). С. 27−29.
  273. В.А., Петров А. И. Исследование процессов образования заряда в пленочных оксидах редкоземельных элементов при воздействии УФ облучения на МДП-структуры // Материалы У1 Всесоюз. конф по физике диэлектриков. Секция 7. Томск. 1988. С. 21−25.
  274. В. А., Петров А. И. Электрофизические свойства пленок двуокиси церия и кремниевых МДП-структур на их основе // Электрон, техн. Сер. 2. П-п-ые приборы. 1984. Вып. 1(167). С. 13−16.
  275. В.А., Петров А. И., Сущева Т. В. Исследование свойств границы раздела в кремниевых МДП-структурах с оксидами РЗЭ // Тез. докл. 2 Всесоюз. конф. «Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и полупроводниках.» 1987. Воронеж. С. 152.
  276. В.А., Петров А. И. Пленки оксидов РЗЭ и кремниевые МДП-структуры на их основе // Тез. докл. 1У Всесоюз. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников. 1987. Новосибирск. С. 202.
  277. В. А. Петров А.И., Латухина Н. В. Свойства границы раздела кремний-высокотемпературный оксид РЗМ // Тез. докл. IX Всесоюз. сим-поз. «Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников.» Ч. 2. 1988. Новосибирск. С. 143.
  278. В.А., Петров А. И., Латухина Н. В. Свойства кремниевых МДП-структур с оксидами, полученными высокотемпературным окислением РЗМ // В Респуб. межвед. научн. сб. Фотоэлектроника. Киев-Одесса: Либидь, 1990. Вып. 3. С. 98−101.
  279. В.А., Петров А. И. Свойства пленок окислов редкоземельных элементов и перспективы их использования в микроэлектронике // Тез. докл. У Всесоюз. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников. 1990. Саратов. С. 90.
  280. В.А., Петров А. И., Латухина Н. В. Кремниевые МДП-структуры с диэлектриком на основе оксидов редкоземельных элементов // В сб. Влияние внешних воздействий на структуру и свойства твердых тел. Куйбышев: КГУ. 1988. С. 119−123.
  281. В.А., Петров А. И. Пленки оксидов редкоземельных элементов и кремниевые МДП-структуры на их основе // В сб. Физика и химия редкоземельных полупроводников. Новосибирск: Наука. Сиб. отд., 1989. С. 84−89.
  282. В.А., Гончаров В. П. Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидом иттрия в качестве диэлектрика // Тез. докл. науч-но-техн. конф. Проблемы и прикладные вопросы физики. 1993. Саранск. С. 64.
  283. И.Г., Гончаров В. П., Рожков В. А., Трусова А. Ю. Кремниевые МДП-варикапы с диэлектриком из оксида самария иттрия и лютеция // В межвуз. научно-техн. сб. Электродинамика слоисто-неоднородных структур СВЧ. Самара: СамГУ, 1995. С. 82−88.
  284. В.А., Гончаров В. П., Трусова А. Ю. МДП-варикапы и фотоварик-пы на основе структуры А1-Ьи203−81 // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 2. С. 6−10.
  285. В.А. и др. МДП-варикапы и фотоварикапы на основе структуры А1−8т203−81 //Журн. техн. физики. 1995. Т. 65. Вып. 65. С. 183−186.
  286. В.А., Трусова А. Ю., Бережной И. Г. Электрофизические свойства МДП-структуры А1−8т203−81 при нестационарном истощении поверхности полупроводника основными носителями заряда //Вестник СамГУ. 1996. № 2. С. 113−121.
  287. Н.В., Рожков В. А., Селиверстова Н. В. Химическое травление пленок оксидов редкоземельных металлов // Физика и химия обработки материалов. 1996. № 5. С. 78−81.
  288. И.Г., Рожков В. А., Трусова А. Ю. Электрофизические свойства кремниевых МДП-систем с оксидом самария в качестве диэлектрика // Тез. докл. Междун. научно-техн. конф. по физике твердых диэлектриков «Диэлектрики 97». 1997. С.-Петербург. С. 25−26.
  289. В.А., Трусова А. Ю. Кремниевые металл-диэлектрик-полупроводник-варикапы с диэлектриком из оксида иттербия // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23, № 12. С. 50−55.
  290. И.Г., Петров А. И., Рожков В. А., Трусова А. Ю. Функциональные свойства кремниевых МДП-систем с диэлектриком из оксидов редкоземельных элементов // Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ. М. 1997. Т. 5. Вып. 3(19). С. 77−78.
  291. В.А. и др. Пленки оксидов редкоземельных элементов в кремниевых МДП-системах и элементах микроэлектроники // Тез. докл. Второй Всерос. научно-техн. конф. с международным, участием. «Электроника и информатика-97.» Ч. 1. 1997. М. С. 120−121.
  292. Д.И., Патрикеев А. К., Попов В. Д. Влияние температуры нанесения диэлектрика на плотность поверхностных состояний МДП-структур при воздействии радиации // Микроэлектроника. 1976. Т. 5. Вып. 6. С. 552 554.
  293. Zerbst М. Relaxutioneffekte an halbleiter-isolater-grenzfluchen // Zeit. Angew. Phys. 1966. B. 22, № 1. S. 30−33.
  294. Muller J., Schiek B. Transient responses of a pulsed MIS-capacitor // Solid State Electronics. 1970. V. 13. P. 1319−1332.
  295. Hofstein S.R. Minority carrier lifetime determination from inversion layer transient response. -IEEE Trans. Electron. Devices. 1968. V. ED-14. P. 785−786.
  296. Heiman F.P. On the determination of minority carrier lifetime from the transient response of an MOS capacitor // IEEE Trans. Electron. Devices. 1967. V. 14, № 11. P. 781 -784.
  297. Schroder D.K., Guldberg J. Interpretation of surface and bulk effects using the pulsed MIS capacitor // Solid State Electronics. 1971. V. 14. P. 1285−1297.
  298. Mui David S.L., Coldren L.A. Effects of surface recombination on carrier distributions and device characteristics // J. Appl. Phys. 1995. V. 78, № 5. P. 3208−3215.
  299. Buchanan D.A. On the generation of interface states from electron-hole recombination in metal-oxide-semiconductor capacitors // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65, № 10. P. 1257−1259.
  300. C.B., Грушко H.C. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Моск. ун-т, 1995. 399 с.
  301. Powell R. J., Berglund C.N. Photoinjection studies of charge distribution in oxide of MOS structures// J. Appl. Phys. 1971. V. 42, № 11. P. 4390−4397.
  302. B.H. Исследование электрофизических процессов в системе кремний двуокись кремния методом фотоинжекции: Дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07. Л. 1979. 201 с.
  303. Berglund C.N., Powell R. J. Photoinjection into Si-Si02: electron scattering in the image force potential well// J. Appl. Phys., 1971. V. 42, № 2. P. 573−581.
  304. Powell R. J. Interface barrier energy determination from voltage dependence of photoinjected current // J. Appl. Phys. 1970. V. 41. № 6. P. 2424−2432.
  305. Powell R. J. Photoinjection into Si02: use of optical interference to determine electron and hole contribution // J. Appl. Phys. 1969. V. 40, № 13. P. 10 931 101.
  306. Deal B.E., Snow E.H., Mead C.A. Barrier energies in metal-silicon dioxidesilicon structures // J. Phys. Chem. Sol. 1966. V. 27, № 11/12. P. 1873−1879.
  307. Brews J.R. Limitation upon photoinjection studies of charge distribution close to interface in MOS capacitors // J. Appl. Phys. 1973. V. 44, № 1. P. 379−384.
  308. A.M. Ловушки для электронов в термических пленках Si02 на кремнии// Микроэлектроника. 1986. Т. 15. Вып. 5. С. 434−441.
  309. Di Maria D. J. Determination of insulator bulk trapped charge densities and centroid from photocurrent voltage characteristics of MOS structures // J. Appl. Phys. 1976. V. 47, № 9. P. 4073−4077.
  310. Goodman A.M. Photoemission of holes from silicon into silicon dioxide // Phys. Rev. 1966. V.152. P. 780−784.
  311. Kahng D., Sze S.M. A floating gate and its application to memory devices // Bell Syst. Techn. J. 1967. V. 46. P. 1283.
  312. Frohman Bentchkowsky D. Memory behavior in a floating — gate avalanche -injection MOS (FAMOS) structure //Appl. Phys. Lett. 1971. V. 18, № 8.
  313. A.C., Ржанов A.B., Синица С. П. Запоминающие устройства на основе МНОП (металл-нитрид-окисел-полупроводник) структур // Микроэлектроника. 1973. Т. 2. № 5.
  314. Chen L.J., Pickar К.A., Sze S.M. Carrier transport and storage effects in Au ion implanted Si02 structures // Solid State Electron. 1972. V. 15. P. 979.
  315. В.А., Свердлова A.M., Лукашова И. П., Вдовин O.C. О влиянии рентгеновского облучения и отжига на структуры Si-Si02-Al // В сб. Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов: Сарат. Госун-т, 1975. Вып. 5. С. 54−58.
  316. В.А. и др. Эффекты переключения и памяти в структурах Si-Si02-Eu203-A1 // Микроэлектроника. 1973. Т. 2, № 1. С. 87−89.
  317. Goodman A.M., Ross Е.С., Duffy M.T. Optimization of charge storage in the MNOS memory device // RCA Review. 1970. V. 31. P. 342−354.
  318. Frohman Bentchkowsky D., Lenzinger M. Charge transport and storage in metal-nitride-oxide-silicon (MNOS) structures // J. Appl. Phys. 1969. V. 40. P. 3307−3317.
  319. Л.И., Румак H.B., Куксо B.B. Зарядовые свойства МОП-структур. Минск: Наука и техника, 1980. 200 с.
  320. Л.Н., Подлецкий Б. И., Попов В. Д. Изменение заряда в диэлектрике и проводимости МДП-структур под действием радиации. //Физика диэлектриков и перспективы ее развития: Тез докл. Всесоюзной конф. Л. 1973. С. 226−227.
  321. В.А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов // Обзоры по электронной технике. Сер.2.1978. Вып. 14(595). 31 с.
  322. В.А., Кольдяев В. И. Влияние пространственного заряда на проводимость МНОП-структур // Микроэлектроника. 1984. Т. 13. Вып. 5. С. 466−468.
  323. Х.С., Лебедев A.A., Экке В. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП структур, облученных у квантами при наличии электрического поля в диэлектрике //ФТП. 1987. Т.21. Вып. 1. С. 23−29.
  324. .С. и др. Новые перспективы использования МДП-структур // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 1973. Т. 16. № 4.
  325. А.Ф., Гуртов В. А., Назаров А. И. Пространственная локализация радиационного заряда в нитриде кремния // Микроэлектроника. 1985. Т. 14. Вып. 5. С. 447−451.
  326. В.А., Евдокимов В. Д., Назаров А. И., Хрусталев В. А. Накопление радиационно-индуцированного заряда в МНОП-структурах с различной толщиной // Микроэлектроника. 1985. Т. 14. Вып. 5. С. 431−434.
  327. А.И., Малков С. А. Особенности накопления заряда в слое AS2S3 при объемном фотовозбуждении. / Стеклообразные полупроводники для оптоэлектроники. Кишинев: Штиинца, 1991. С. 172−181.
  328. Ю.М., Набок А. В., Голтсвянский Ю. В., Дубчак А. П. Пространственное распределение захваченного заряда в пленках нитрида кремния в ЭНОП-структурах // Микроэлектроника. 1982. Т. 11. Вып. 3. С. 441−445.
  329. А.П., Масловский В. М., Нагин А. П. Определение параметров центров захвата в нитриде кремния МНОП-структуры при инжекции электронов из полевого электрода // Микроэлектроника. 1988. Т. 17. Вып. 4. С. 348−352.
  330. И.П., Овсюк В. Н., Эпов А. Е. Неоднородное накопление положительного заряда в кремниевых МДП-структурах в сильных полях // Письма в ЖТФ. 1996. Т.9. Вып. 17. С. 1051−1054.
  331. B.C., Воеводин А. Г., Варлашов И. Б., Коляда В. А., Соболев Н. В. Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры //ФТП. 1990. Т. 24. Вып. 9. С. 1611−1615.
  332. Thompson S.E., Nishida Т. A new measurement method for trap properties in insulators and semiconductors: using electric field stimulated trap-to-band tunneling transitions in Si02 // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. P.6864−6876.
  333. Buchanan D.A., Abram R.A., Morant M. J. Charge trapping in silicon-rich Si3N4 thin films // Solid State Electronics. 1987. V. 30, № 12. P. 1295−1301.
  334. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High-field and current-induced positive charge in thermal Si02 layers // J. Appl. Phys. 1985. V. 57, № 8. P. 2830−2839.
  335. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High field current induced-positive charge transients in Si02 // J. Appl. Phys. 1983. V. 54, № 10. P. 5793−5800.
  336. DiMaria D.J., Theis T.N., Kirtley J.R., Pesavento F.L., Dong D.W. Electron heating in silicon dioxide and off-stoichiometric silicon dioxide films // J. Appl. Phys. 1985. V. 57, № 4. P. 1214−1237.
  337. А.П., Булавинов B.B., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на крем нии. Л.: Ленингр. ун-т, 1988. 304 с.
  338. Ning Т.Н., Yu H.N. Optically injection of hot electrons into Si02 // J. Appl. Phys. 1974. V. 45, № 12.
  339. .И., Громовой Л. И., Закс М. Б. Оптическое стимулирование накопления заряда в МНОП-структурах // Микроэлектроника. 1973. Т. 2. Вып. 5. С. 421−425.
  340. Fazan P., Dutoit М., Martin С., Ilegems М. Charge generation in thin Si02 polysilicon-gate MOS capacitors // Solid State Electronics. 1987. V. 30, № 8. P. 928−834.
  341. A.M. Ловушки для электронов в термических пленках Si02 на кремнии// Микроэлектроника. 1986. Т. 15. Вып. 5. С. 434−441.
  342. В.Я., Лисовский И. П., Литвинов P.O., Литовченко В. Г. Влияние ионизирующего излучения на быстрые состояния системы Si-Si02 // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1976. Т. 23. С. 84−91.
  343. Hook Т.В., Ma Т.Р. Electron trapping during high-field tunneling injection in metal-oxide-silicon capacitors: the effect of gate-induced strain // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. № 3. P. 931−938.
  344. Ricksand A., Engstrom O. Thermally activated capture of charge carriers into irradiation induced Si/Si02 interface states // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. P. 69 276 933.
  345. DiMaria D.J., Stasiak J.W. Trap creation in silicon dioxide produced by hot electrons // J. Appl. Phys. 1983. V. 55, № 6. P. 2342−2355.
  346. Young D.R., Irene E.A., Di Maria D.J., Dekeersmaecker R.F. Electron trapping in Si02 at 295 and 77 К // J. Appl. Phys. 1979. V. 50, № 10.
  347. Solomon P. High-field electron trapping in Si02 // J. Appl. Phys. 1977. V. 48, № 9.
  348. В.А., Трусова А. Ю., Бережной И. Г. Энергетические барьеры и центры захвата в кремниевых МДП-структурах с диэлектриком из оксида самария и иттербия // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. Вып. 6. С. 24−29.
  349. Ю.А., Бордовский Г. А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1991.248 с.
  350. В.П. Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства на основе стеклообразных полупроводников. М.: Радио и связь, 1986. 136 с.
  351. С.А., Шкут В. А. Электрическое переключение в аморфных полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1978. 203 с.
  352. Г. М. Эффект переключения и фотоэлектрические явления в кремниевых МОП-структурах. Дис. канд. физ.-мат. наук. Баку. 1985. 172 с.
  353. М.Р., Терешин С. А., Елинсон М. И. и др. Исследование свойств элементов энергонезависимой памяти на основе гетеропереходов Si-Si02−8п02-металл (МООП-системы) // Микроэлектроника. 1982. Т. 11. Вып. 3. С. 239−243.
  354. В.А., Петров А. И. Явление переключения и памяти в пленках двуокиси церия // Тез. докл. 3 Всесоюз. конф. «Неорганические стекловидные материалы и пленки на их основе в микроэлектронике.» 1983. М. С. 114.
  355. А.И., Рожков В. А. Элемент памяти // Реш ГПВ НИИГПЭ о выдаче A.C. по заявке № 4 879 458/24 от 30.07.92 г., 3 с.
  356. C.B. Магнетизм. Магнитные свойства диа-, пара-, ферро-, ан-тиферро- и ферримагнетиков. М.: Наука, 1971. 1032 с.
  357. .А., Степанов Г. В., Елинсон М. И. и др. Исследование явления переноса материалов электродов по поверхности кремния, приводящего к переключению с памятью //Микроэлектроника. 1977. Т. 6. Вып. 1. С. 20−26.
  358. А.У., Малицкий Е. Е., Пак Е.И., Харин В. В. К вопросу о механизме переключения в ГС с тонким диэлектриком // Микроэлектроника 1986. Т. 15. Вып. 4. С. 314−317.
  359. В.Г., Елинсон М. И., Мадьяров М. Р. и др. Механизм переключения и энергонезависимой памяти в гетероструктуре с туннельно-тонким диэлектриком p+Si-Si02-Sn02-M // Микроэлектроника. 1985. Т. 14. Вып. 3. С. 230 238.
  360. Boiko В.Т. at all. Transformations in a metal / insulator / semiconductor structure with an amorphous insulator film caused by contacts // Thin Solid Films. 1985. V. 130. № ¾. P.341−355.
  361. В.Б. ионная проводимость в металлах и полупроводниках (электроперенос). М.: Наука, 1969. 296 с.
  362. А., Селло X., Грегор JI.B. Тонкие пленки в интегральных схемах
  363. Технология тонких пленок) / Под ред. JI. Майссела. Т. 2. М. 1977. С. 725−753.
  364. А.Д., Балакирева В. Б., Пальгуев С. Ф. Электропроводность и характер проводимости ОРЗЭ // ДАН СССР. 1973. Т. 209. № 5. С. 1150−1153.
  365. П.А., Ковба JI.M., Багдасаров Х. С. и др. Соединения редкоземельных элементов. Система с оксидами элементов 1−111 групп. М.: Наука. 1983. 280 с.
  366. В.А. Солнечные космические электростанции. Л.: Наука, 1986. 182 с.
  367. Т.Н. Интерференционные покрытия. Л.: Машиностроение, 1973.184 с.
  368. Ш. А. Тонкопленочные оптические покрытия. Л.: Машиностроение, 1977. 193 с.
  369. В.А., Милюткин Е. А., Петров А. И. Влияние толщины слоя смешанного оксида индия-олова на спектральные характеристики фотоэлектрических преобразователей со структурой In203/Sn02-p+Si-nSi // Гелиотехника. 1988. № 5. с. 21−23.
  370. М.М. Селективные оптические поверхности преобразователей солнечной энергии // М.: Наука, 1979. 215 с.
  371. В.А., Петров А. И. Прозрачные электропроводящие пленки на основе окислов металлов // В сб. Влияние внешних воздействий на структуру и свойства твердых тел. Куйбышев: Куйбгосун-т, 1987. С. 136−141.
  372. В.А., Милюткин Е. А., Петров А. И. Высокоэффективные кремниевые фотодиодные структуры на основе окисных пленок индия олова //Электрон, техн. Сер. 2. П/п приборы. 1983. Вып.7(166). С. 22−24.
  373. В.А., Петров А. И. Просветляющие покрытия из оксидов церия и самария для кремниевых фотоэлектрических приборов // Известия ВУЗов. Физика. 1994. № 9. С. 20−24.
  374. Ю.А., Петров А. И., Рожков В. А. и др. Просветление и пассивация кремниевых фотоэлектрических преобразователей пленками оксидов редкоземельных элементов //Гелиотехника. 1992. № 5. С. 13−16.
  375. Ю.А., Петров А. И., Рожков В. А., Шалимова М. Б. Просветляющие и пассивирующие свойства пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов//Журн. техн. физики. 1994. Т. 64, № 10. С. 118−123.
  376. А.И., Рожков В. А. Рекомбинационные свойства кремния, пассивированного пленками оксидов редкоземельных элементов // Письма в ЖТФ.1998. Т. 24. Вып. 7. С. 16−21.
  377. В.П., Шелых А. И. Оптические свойства и электронная структура полуторных сульфидов и оксидов РЗМ // ФТП. 1989. Т. 23. Вып.З. С. 293 415.
  378. Г. В., Гильман Н. Я., Андреева А. Ф. Получение и исследование физических свойств тонких пленок ОРЗМ // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1974. Т. 10, № 9. С. 1645−1648.
  379. Н.Ф., Концевой Ю. А. Измерение параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1970. 427 с.
  380. A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971.480 с.
  381. A.B., Новоминский Б. А., Калшабеков A.C. // Тез. докл. XI1 Все-союз. научн. конф. по микроэлектронике. Часть 3. Тбилиси. 1987. С. 143.
  382. Ю.А., Мазуренко В. В., Петров В. В. и др. О взаимодействии атомов РЗЭ с кислородом в кремнии // Физика и техника полупроводников. 1984. Т. 18, № 2. С. 368 369.
  383. В.А., Латухина Н. В., Романенко H.H. Исследование свойств кремниевых МДП структур с оксидами РЗЭ и легирования кремния РЗЭ // Тез. докл. Всесоюз. школы по актуальным вопросам физики и химии соединений на основе РЗЭ. 1989. Красноярск. С. 43 -44.
  384. Н.В., Рожков В. А., Романенко H.H. Кремниевые МДП структуры с оксидом диспрозия и лютеция и диффузия редкоземельных элементов в кремний//Микроэлектроника. 1994. Т. 23. Вып. 1. С. 59 — 64.
  385. Fuller C.S., Struthers J.D. Copper as an excerption element in germanium // Phys. Rev. 1952. V. 87, № 3. P. 526 527.
  386. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принцип работы и технология изготовления / под ред. Д. В. Ди Лоренцо и Д. Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988. 495 с.
  387. Дж.Е., Робсон П. Н. Работа полевых транзисторов из GaAs в качестве СВЧ смесителей // ТИИЭР. 1973. Т. 61, № 3. С. 171 172.
  388. С.И., Уэлч Б. М., Цукка Р. и др. Сверхскоростные интегральные схемы на GaAs // ТИЭЭР. 1972, Т. 70. № 1. С. 44 58.
  389. Т.И. и др. Физико химические и электрофизические свойства системы германий — пиролитическая двуокись германия // Микроэлектроника. 1974. Т. 3, № 5. С. 404−413.
  390. В.А. и.др. Некоторые свойства пленок нитрида кремния на Ge //Микроэлектроника. 1975. Т. 4, № 1. С. 56 60.
  391. Hayashi H., Kikuchi К., Yamaguchi Т. Capacitance voltage characteristics of Al/AbCVp-GaAs metal — oxide — semiconductor diodes // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 37, № 4. P. 404−406.
  392. А.Л., Томилин В. И. Свойства границы раздела системы пиролитическая окись алюминия арсенид галлия // Изв. Ленингр. электротехн. ин-та. 1975. В. 171. С. 65 — 68.
  393. В.А., Саксаганский О. В., Пашинцев Ю. И. Влияние термообработки на свойства структур Ga As — Ge3N4 // Микроэлектроника. 1975. T. 4, № 4. С. 321 — 324.
  394. Новотоцкий Власов Ю. Ф. Исследование природы доминирующих центров рекомбинации на реальной поверхности германия // Труды ФИАН. 1969. Т. 48.
  395. П.П., Берлага Р. Я., Большаков Л. П., Руденок М. И. Исследование структуры и рекомбинации термически окисленной поверхности германия//ФТТ. 1963, Т. 5. № 10.
  396. Свойства структуры металл диэлектрик — полупроводник / Под ред. А. В. Ржанова. М.: Наука, 1976. 279 с.
  397. Л.Л., Покровская C.B., Ржанов A.B. Исследования сульфиди-рован-ной поверхности германия //В сб. «Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников» / Под ред. А. В. Ржанова. Новосибирск: Наука, 1967.
  398. И.Г., Покровская С. В., Ржанов А. В. Особенности процесса поверхностной рекомбинации на германии при некоторых воздействиях // ФТП. 1972. Т. 6, № 2.
  399. С.А., Горохов Е. Б., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н. Исследование гистерезисных явлений в структурах А1 Si02 — Ge // Микроэлектроника. 1975. Т. 4, № 3. С. 248−253.
  400. Е.Б., Демьянов Э. А., Неизвестный И. Г., Покровская С. В. Получение однородных пленок двуокиси кремния пиролизом тетраэтоксисилана // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, матер. 1975. Т. 3, № 12.
  401. Yashiro Т. Frequency and temperature dependence of С V characteristics at Ge — Si02 interface and ВТ treatments // Jap. J. Allp. Phys. 1970. V. 9, № 7.
  402. JI.M., Ковалевская Т. И., Девятова С. Ф. Синтез и свойства аморфных пленок нитрида германия // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, матер. 1969. Т. 5, № 9.
  403. С.В., Овсюк В. Н. Электрические и масс спектрометрические исследования поверхности германия с пленкой нитрида германия // Изв. АН СССР. Сер. Неорганич. матер. 1970. Т. 6, № 5.
  404. В.И., Ногин В. М., Анохин В. Г. Диэлектрические пленки Si3N4 //Изв. АН СССР. Сер. Неорганич. матер. 1973. Т. 9, № 5.
  405. Yashiro Т. Some properties of vapor deposited Ge3N4 films and the Ge3N4 -Ge interface // J. Electrochem. Soc. 1972. V. 119, № 6.
  406. Yashiro T. Determination of trap levels in Ge3N4 and barrier energies at the Ge3N4 Ge interface by С — V characteristics // Jap. J. Appl. Phys. 1971. V. 10, № 12.
  407. В.И., Ногин В. М., Анохин Б. Г. и др. Осаждение слоев нитрида кремния из парогазовой фазы в системе SiN4 Si2N4 — N2 // Электрон, техн. Сер. 2. Полупров. приборы. 1970. Вып. 4 (54).
  408. Е.Б., Каменкович E.JL, Неизвестный И. Г., Покровская С. В. Электрофизические свойства МДП структур на основе Ge — Si02 — SisN4 — A1 // Микроэлектроника. 1976. Т. 5, № 4. С. 354 — 358.
  409. О.В., Марончук Ю. Е. Электрофизические свойства МДП -структур арсенид галлия нитрид кремния — алюминий // Микроэлектрони-ка.1973.Т. 2, № 5. С. 426 — 430.
  410. О.В., Марончук Ю. Е. Об энергетическом спектре состояний на границе раздела арсенид галлия нитрид кремния // Изв. ВУЗов. Физика. 1973. № 5. С. 59−64.
  411. Ahmand S., Singh R., Bawa S.P. GaAs MOS structure with native oxide grown by wet anodization //J. Inst. Electron, and Telecommun. Eng. 1979. V. 25, № 12. P. 487 — 490.
  412. Bayraktaroglu В., Schuermeyer F.I., Grant J.T. Study of properties of GaAs -anodic AI2O3 interfaces // J. Vac. Sci. and Technol. 1979. V. 16, № 5. P. 1483 1486.
  413. Hasegawa Hideki, Sawada Takayuki. Dynamic properties of interface state bands in GaAs anodic MOS system // J. Vac. Sci. and Technol. 1979. V. 16, № 5. P. 1478 — 1482.
  414. Gourrier S., Mircea A., Bacal M. Oxidation of GaAs in an oxigen multipole plasma//Thin Solid Films. 1980. V. 65, № 3. P. 315 330.
  415. О. и др. Исследование пассивирующих свойств фосфорносили-катного стекла и нитрида кремния на GaAs // Электрон, техн. Сер. 2. Полупров. приборы. 1970. Вып. 4 (54). С. 125 129.
  416. Н.Л., Ляшенко В. И., Маева О. Н. Электрофизические свойства МДП структур А1 — А120з — GaAs // В сб. Всес. конф. «Физика диэлектриков и перспективы её развития». 1973. Л.: 1973. Т. 3. С. 184 — 185.
  417. Nishi H., Revesz A.G. GaAs/Ta205 and GaAs/Al203 interface structures // J. Vac. Sci. and Technol. 1979. V. 16, № 5. P. 1487- 1491.
  418. В.H. и др. свойства границы раздела GaAs Si02 при пироли-тическом нанесении Si02 //Микроэлектроника. 1972. Т. 1, № 1. С. 87 — 88.
  419. Г. Д., Джанелидзе Р. Б., Курдиани Н. И., Саксаганский О. В. Способ получения нитрида германия и свойства структур GaAs Ge3N4 — Al //Микроэлектроника. 1973. T. 2, № 2. С. 173 — 177.
  420. В.А. и др. Исследование свойств диэлектрических пленок алюмината неодима // Электрон, техн. Сер. Материалы. 1981. Вып. 4(153). С. 61−62.
  421. В.А., Вдовин О .С., Свердлова А. М. и др. Электрофизические свойства МДП структуры Al — Y203 — Ge // Микроэлектроника. 1976. Т. 5, № 1. С. 28−31.
  422. В.В., Свердлова А. М., Новичкова Н. П., Рожков В. А. Электрофизические свойства МОП структур n- GaAs — Ег203 — Al и n — GaAs -Dy203 — Al//Микроэлектроника. 1976. T. 5, № 1. C. 24 — 27.
  423. В.А., Романенко Н. Н., Шалимова М. Б. Кремниевые МДП-структуры на основе диэлектрических пленок фторида диспрозия // Тезисыдокл. Всесоюзн. научн. конф. «Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники». 4.II. 1985. Минск. С. 246.
  424. В.А., Романенко Н. Н., Шалимова М. Б. Электрофизические свойства пленок фторида диспрозия и МДП-структур на их основе // Тезисы докл. IV Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников. 1987. Новосибирск. С. 201.
  425. В.А., Шалимова М. Б., Романенко Н. Н. Элемент памяти. АС. № 1 585 834 15.04.90 г. Приоритет от 1.11.88 г. по заявке № 4 601 805.
  426. В.А., Шалимова М. Б. Эффект электрического переключения проводимости с памятью в структуре AI DyF3 — Si // Письма в ЖТФ. 1992. Т.18, Вып. 5. С. 74 77.
  427. В.А., Шалимова М. Б. Электрическое переключение проводимости с памятью в кремниевых МДП-структурах с диэлектриком из фторида эрбия// ФТП. 1993. Т. 27, № 3. С. 438 445.
  428. В.А., Романенко H.H., Шалимова М. Б. Переключение проводимости с памятью в кремниевых МДП структурах с фторидами РЗЭ // Тезисы докл. конф. «Проблемы и прикладные вопросы физики». Саранск. 1993. С. 66.
  429. В.А., Романенко H.H. Переключение проводимости с памятью в кремниевых МДП-структурах с пленкой фторида самария // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 15. С. 60−63.
  430. В.А., Романенко H.H. Эффект переключение проводимости с памятью в МДП-структурах с фторидом лантана // Письма в ЖТФ. 1993. Т.19. Вып. 22. С. 6−9.
  431. В.А., Петров А. И., Шалимова М. Б. Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 19. С. 10−14.
  432. В.А., Петров А. И., Шалимова М. Б. Просветляющие покрытия из фторидов иттрия, церия и тербия для кремниевых фотоэлектрических приборов.//Письма в ЖТФ. 1994. Т.20. Вып. 12. С. 43−47.
  433. В.А., Петров А. И., Шалимова М. Б. Просветляющие покрытия из фторидов лантана, самария и диспрозия для кремниевых фотоэлектрических приборов//Известия ВУЗов. Физика. 1994. № 4. С. 7−10.
  434. Sathyamoorthy R., Narayandass Sa.K., Balasubramanian C., Mangalaraj D. Structure, dielectric, and AC conduction studies on yttrium fluoride thin films // Phys. status solidi.(A). 1990. V. 117, № 2. P. 495−500.
  435. Sathyamoorthy R. Some investigations on vacuum evaporated yttrium fluoride and cadmium telluride thin films // Proc. Solid State Phys. Symp., Varansi, Dec. 21−24, 1991.34 р. Delhy., 1991. P. 34.
  436. Vassilliki Bredimas. High frquency capacitance behavior of metal-oxid-semiconductor tunnel structures // J. Appl. Phys. 1994. V. 75, № 12. P. 79 227 930.
  437. Hsun-Hua Tseng, Ching-Yuan Wu. A simple technique for measuring the interface- state dencity of the Shottky barrier diodes using the current-voltage characteristics // J. Appl. Phys. 1987. V. 61, № 1. P. 299−304.
  438. Horvath Ls. J. Evaluation of the interface state energy distribution from Shottky I-V characteristics //J. Appl. Phys. 1988. V. 63, № 3. P. 976−978.
  439. Kolnik J., Ozvold M. The influence of inversion surface layers on the evaluation of the interface state-energy distribution from Schottky diod I-U characteristics//Phys. Stat. Sol. (A). 1990. V. 122, № 2. P. 583−588.
  440. Maeda K., Umezo I. Nonideal J-V characteristics and interface states of an a-Si:H Shottky barrier // J. Appl. Phys. 1990. V. 68, № 6. P. 2858−2867.
  441. Л.С.Берман, И. В. Грехов, И. Н. Каримов. Поверхностные состояния на кремнии в МДП (металл-диэлектрик-полупровдник) структурах с туннельно тонким слоем окисла // ФТП. 1993. Т. 27, № 6. С. 917 922.
  442. В.И., Литовченко В. Г. Электронные явления на поверхности полупроводников. Киев: Наук, думка, 1984. 232 с.
  443. К.Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах. М.: Мир, 1984. 350 с.
  444. Ching-Yuan Wu. Interfacial layer-thermoionic-diffusion theory for the Shottky barrier diode // J. Appl. Phys. 1982. V. 53, № 8. P. 5947−5950.
  445. C.K., Вуль А. Я., Дидейкин A.T., Зинчик Ю. С. и др. Процессы то-копрохождения сквозь туннельно прозрачный диэлектрик ПТДП — структуры//Физика тверд, тела. 1991. Т. 33, № 6. С. 1784−1791.
  446. А.Я., Дидейкин А. Т. Вольт амперные и вольт — фарадные характеристики ПДП-структур с толщиной диэлектрика менее 50 ангстем // ФТП. 1992. Т. 26, № 1. С. 146−149.
  447. С.К., Осипов В. Ю., Макарова Т. Л. К вопросу о туннелированииосквозь промежуточный (17−30 А) окисный слой кремниевой ПТДП структуры//Микроэлектроника. 1993. Т. 22, № 5. С. 74−82.
  448. Туннельные явления в твердых телах (под ред. В.И.Переля). М.: Мир, 1973.
  449. Д. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 379 с.
  450. Chattopadhyay P., Kumar К. Experimental investigation of the dependence of barrier height on metal work function for metal Si02 — pSi (MIS) Shottky -barrier diodes in the presence of inversion // Solid-State Electronics. 1988. V. 31, № 2. P. 143−146.
  451. А.Я., Дидейкин A.T., Саченко A.B., Шкребтий А. И. Вольт-амперная характеристика МТДП структур в режиме стационарного лавинного пробоя//Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14, № 19. С. 1729−1732.
  452. В.И., Нинидзе Т. Н., Петрусенко В. И. Ударная ионизация в МТДП структурах с внутренним усилением тока // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18, № 12. С.73−77.
  453. В.И. и др. Ударная ионизация электронов и дырок и лавинный пробой в МТДП структурах // ФТП. 1993. Т. 26, №> 6. С. 944 950.
  454. В.А., Саченко A.B., Толпыго К. Б. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: «Сов. радио». 1977. 256 с.
  455. А .Я., Саченко A.B. Фотоэлектрические свойства структур металл -диэлектрик полупроводник с туннельно прозрачным слоем диэлектрика (Обзор) // ФТП. 1983. Т. 17, № 8. С. 1361−1376.
  456. A.B., Крупнова И. В. Вольтамперные характеристики туннельных МДП структур при наличии освещения // ФТП. 1981. Т. 15, № 1. С. 7381.
  457. A.B., Снитко О. В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. Киев: Наук, думка, 1984. 400 с.
  458. А.Я., Козырев C.B., Федоров В. И. Особенности фотоэлектрических свойств туннельных МДП структур. I. Основные соотношения теории // ФТП. 1981. Т. 15, № 1. С. 142−148.
  459. А.Я., Федоров В. И., Бирюлин Ю. Ф. и др. Особенности фотоэлектрических свойств туннельных МДП структур. II. Результаты эксперимента //ФТП. 1981. Т. 15, № 3. С. 525−531.
  460. Chattopadhyay P., Krishna Das. Control of barrier height of MIS tunnel diodes using deep level impurities // Solid-State Electronics. 1991. V. 34, № 4. P. 376 371.
  461. А.Я., Дидейкин A.T., Бойцов C.K. и др. Эффект усиления фототока в структурах полупроводник туннельно прозрачный диэлектрик — полупроводник // ФТП. — 1992. — Т. 26, № 2. — С. 295−304.
  462. А.Я., Дидейкин А. Т., и др. Усиление фототока в кремниевых структурах полупроводник диэлектрик — полупроводник // Письма в ЖТФ. Т. 12, № 9. С. 520−524.
  463. А.А., Седов В. Е. О механизме прохождения фототока в выпрямляющих контактах металл полупроводник с промежуточным изолирующим слоем//ФТП. 1976. Т. 10, № 8. С. 1589- 1591.
  464. Green М.А., TempleV.A.K., Shewchun J. Frequency responce of the current multiplication process in MIS tunnel diodes // Solid-State Electronics. 1975. V. 18, № 9. P. 745−752.
  465. Yamamoto Т., Kawamura K, Shimizu H. Silicon p-n insulator-metal (p-n-I-M) devices // Solid-State Electronics. 1976. V. 19. P. 701 706.
  466. Adan A. A proposed model of MISS composed of two active devices//Solid-State Electronics. 1980. V. 23. P. 449 456.
  467. A.B., Паничевская T.B. О влиянии поверхностных состояний на кинетику фототока в поверхностно барьерных структурах с туннельным диэлектриком // Украинский физич. журнал. 1993. Т. 38, № 8. С. 1269−1274.
  468. А .Я., Дидейкин А. Т., Козырев С. В. Фотоприемники и фотопреобразователи. Л., 1986. С. 105−130.
  469. А.Я., Дидейкин А. Т., Зинчик Ю. С., и др. Кинетика фотоответа туннельных МДП структур//ФТП. 1983. Т. 17, № 8. С. 1471−1477.
  470. А.Я., Дидейкин А. Т. и др. Кинетика фотоответа и механизмы протекания тока в кремниевых структурах полупроводник тонкий диэлектрик -полупроводник//ФТП. 1986. Т. 20, № 8. С. 1444−1450.
  471. S.Sinharoy, R.A.Hoffman, A. Rohatu, R.F.C.Farrow and J.H.Rieger // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. P. 273.
  472. А., Селло X., Грегор Л. В. Тонкие пленки в интегральных схемах // Технология тонких пленок / Под ред. Л. Майссела, Т. 2. М.: 1977. С. 725 753.
  473. Ш. А. Тонкослойные оптические покрытия. Л.: Машиностроение, 1977. 193 с.
  474. Lingg LJ., Targove J.D., Lehan J.P., Maklead H.H. Ion-assisted deposition of lanthanide trifluorides for VUV applications // Proc. Soc. Photo-Opt. Instrum. Eng. 1987. V. 818. P. 86−92.
  475. Э. Пленочные диэлектрические материалы для оптических применений. В кн. Физика тонких пленок. Т. 8./ Под ред. Г. Хасса, М. Фран-комба, Р. Гофмана. М.: Мир. 1987. С. 7−60.
  476. А.И., Рожков В. А., Трусова А. Ю. Электрический пробой пленок оксидов РЗЭ в кремниевых МДП-структурах // Матер. Докл. междунар. научно-техн. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М. 1998.С. 425−429.
  477. В.А., Шалимова М. Б. Эффект переключения проводимости с памятью в слоистых структурах с фторидами РЗЭ // Тезисы докл. У Российской научно-техн. конференции профессорско-преподавательского и инженерно-технического состава. 1998. Самара. С. 20.
  478. В.Б., Волков Ю. П., Рожков В. А. Микроканалы проводимости в диэлектрической пленке оксида иттербия // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 12. С. 21−24.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?