Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Конструирование и технология производства полупроводниковых приборов миллиметрового диапазона и устройств на их основе

Диссертация: Конструирование и технология производства полупроводниковых приборов миллиметрового диапазона и устройств на их основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Целью диссертационной работы является исследование и разработка научно обоснованных конструкторских и технологических решений, направленных на создание полупроводниковых приборов и устройств на их основе миллиметрового диапазона длин волн. Основное внимание в диссертации было обращено на разработку диодов Ганна и высокостабильных малошумящих генераторов на их основе, а также монолитных p-i-n… Читать ещё >

Содержание

  • Введение
  • Радиоэлектронные системы миллиметрового диапазона длин
    • 1. 1. Системы миллиметрового диапазона длин волн и области применения
    • 1. 2. Генераторы электромагнитных колебаний миллиметрового диапазона длин волн
    • 1. 3. Устройства защиты радиоэлектронных систем

Конструирование и технология производства полупроводниковых приборов миллиметрового диапазона и устройств на их основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность исследования.

Современное развитие систем связи, радиотехнических средств управления воздушным движением, систем предупреждения столкновения во время захода летательного аппарата на посадку, обзор летного поля в неблагоприятных метеоусловиях, систем точного оружия и др. идет по пути освоения миллиметрового диапазона длин волн.

Системы миллиметрового диапазона имеют высокую помехоустойчивость, обеспечивают скрытность передачи информации при небольших размерах приемопередающей аппаратуры, имеют высокий уровень вероятности правильного обнаружения наземных объектов. Миллиметровые PJIC обладают большой полосой пропускания приемопередающих трактов, что позволяет за счет использования широкополосных и частотно-модулированных сигналов с различными видами кодирования увеличить скорость съема радиолокационных характеристик цели и существенно повысить разрешающую способность по дальности.

Актуальным направлением в развитии систем миллиметрового диапазона является их применение для безопасности дорожного движения, систем морской и речной навигации, службы метеообеспечения.

В настоящее время проводятся широкие исследования возможности применения миллиметрового диапазона длин волн в интересах медицины.

Развитие систем миллиметрового диапазона длин волн стало возможным с появлением твердотельных приборов СВЧ, которые позволили решить проблемы генерации, усиления, преобразования электромагнитных колебаний гигагерцового диапазона длин волн.

Большой вклад в развитие методов анализа систем миллиметрового диапазона, создание новых конструкций, разработку технологии производства приборов СВЧ внесли: Барыбин A.A., Вайсблат A.B., Вендик.

И.Б., Вендик О. Г., Голант М. Б., Григорьев А. Д., Девятков Н. Д., Лебедев И. В., Мироненко И. Г., Ребров С. И., Сестрорецкий Б. В., Уман С. Д., Хижа Г. С. и др.

По мере освоения миллиметрового диапазона, расширения областей его применения к активным элементам таких систем предъявляются все более жесткие требования с точки зрения стабильности параметров, долговечности, увеличения мощности, расширения частотного диапазона. Поэтому проблема разработки прогрессивных конструкций и технологий производства приборов СВЧ, таких как диоды Ганна (ДГ) и p-i-n диоды, а также устройств с их использованием является актуальной.

Актуальность данной проблемы подтверждается и на государственном уровне. В частности, разработана и принята Федеральная целевая программа «Национальная технологическая база», в которой в разделе 2 обращается большое внимание на разработку полупроводниковых приборов миллиметрового диапазона — диодов Ганна и p-i-n диодов. Цель работы.

Целью диссертационной работы является исследование и разработка научно обоснованных конструкторских и технологических решений, направленных на создание полупроводниковых приборов и устройств на их основе миллиметрового диапазона длин волн. Основное внимание в диссертации было обращено на разработку диодов Ганна и высокостабильных малошумящих генераторов на их основе, а также монолитных p-i-n диодных матриц для устройств защиты и дискретных p-i-n диодов для широкополосных систем.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить комплекс следующих задач:

1. Разработка алгоритма и программы расчета максимальной частоты генерации и отрицательного сопротивления домена диода Ганна на основе совместного решения уравнений, определяющих амплитудные и фазовые условия самовозбуждения диодов Ганна.

2. Разработка конструкций и технологии изготовления диодов Ганна миллиметрового диапазона длин волн с повышенной выходной мощностью и КПД. Выявление факторов, определяющих стабильность частоты генераторов на диодах Ганна (ГДГ), и разработка конструктивных решений, обеспечивающих создание высокостабильных малошумящих ГДГ миллиметрового диапазона длин волн с минимальными массо-габаритными параметрами.

3. Исследование способов механической перестройки частоты ГДГ, не ухудшающих их частотную стабильность, уровень выходной мощности и КПД. Организация производства разработанных малошумящих, высокостабильных, малогабаритных генераторов на диодах Ганна миллиметрового диапазона.

4. Разработка инженерной методики расчета р-г-п диодных матриц в интегральном исполнении на основе кремниевых мембран, а также технологии их производства. Исследование характеристик управляемых (активных) и неуправляемых (пассивных) многодиодных матриц в режиме приема и защиты.

5. Организация производства управляемых защитных устройств (ЗУ) на импульсную мощность до 1кВт с быстродействием 100 не на основе р-г-п диодных матриц в интегральном исполнении и пассивных ЗУ на импульсную мощность до 500 Вт с быстродействием 300 не.

6. Разработка бескорпусных р-1-п диодов с малой емкостью на интегральном теплоотводе и создание на их основе широкополосных защитных устройств.

Методы исследования и использованная аппаратура.

При решении поставленных задач применялись следующие основные методы исследований:

• анализ и обобщение литературных данных по проблемам расчета, конструирования и технологии производства полупроводниковых приборов миллиметрового диапазона, а также устройств на их основе;

• методы математического анализа и компьютерного моделирования;

• экспериментальные исследования с использованием осциллографической техники, микроволновых устройств, методов электронной микроскопии и др.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Разработанный диод Ганна с несколькими меза-структурами, созданный по специальной технологии с учетом конструктивных особенностей генераторов, обеспечивает эффективную генерацию СВЧ колебаний с выходной мощностью не менее 150 мВт и КПД 6% в непрерывном режиме работы в миллиметровом диапазоне.

2. Использование цилиндрического резонатора с колебаниями вида £02о и специальной технологии его изготовления, а также оригинального способа монтажа диода Ганна позволяют реализовать в 8-миллиметровом диапазоне длин волн миниатюрные однорезонаторные конструкции ГДГ с долговременной стабильностью частоты не хуже 2−10″ 4 и уровнем частотных шумов на расстоянии 10 кГц от несущей не более — 105 дБ/Гц.

3. Интегральные p-i-n диодные матрицы в составе защитных устройств миллиметрового диапазона обеспечивают, по сравнению с защитными устройствами на основе дискретных p-i-n диодов, увеличение в 10 раз (до 1 кВт в импульсе) рабочей мощности при высоком быстродействии (100−300 не).

4. Защитное устройство на основе волноводно-щелевой линии с использованием разработанных бескорпусных p-i-n диодов на интегральном теплоотводе позволяет расширить полосу частот до 42% в 8-ми миллиметровом диапазоне.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Осуществлен анализ эквивалентной схемы генератора на диоде Ганна с учетом сопротивления и емкости областей слабого поля, а таюке домена сильного поля.

2. Показано, что для обеспечения стабильной генерации ДГ в миллиметровом диапазоне длин волн значения индуктивности и емкости диода должны лежать в определенных пределах, выход за которые как в сторону увеличения, так и уменьшения приводит к появлению возможности перескоков частоты генерации.

3. Установлено, что использование в колебательной системе ГДГ резонаторов на отрезке волновода с большим отношением резонансной длины волны к критической повышает добротность резонатора и увеличивает стабильность частоты генерации.

4. Показано, что использование цилиндрического резонатора, работающего на высшем виде колебаний Еого? позволяет отказаться от внешнего стабилизирующего резонатора, сохранив высокую стабильность частоты и существенно снизив габариты и массу резонатора.

5. Выполнен комплекс теоретических и экспериментальных исследований, направленных на создание методики расчета интегральных р-г-п диодных матриц и бескорпусных р-1-п диодов с малой емкостью структуры (0,02.0,03) пФ.

6. Разработаны конструкция и технология изготовления монолитных многодиодных матриц на базе высокоомных кремниевых монокристаллических подложек.

Практическая значимость диссертационной работы.

1. Разработана и внедрена в производство технология изготовления диодов Ганна для высокостабильных генераторов миллиметрового диапазона.

2. Созданы конструкции высоко стабильных малошумящих генераторов Ганна с параметрической стабилизацией частоты.

3. Разработанные ГДГ типа «Окно» и М31 101-С используются в PJIC специального назначения в промышленной аппаратуре для точного измерения скорости транспортных средств, а также в приемопередающих модулях для систем связи и беспроводных соединений в компьютерных сетях.

4. Предложена и внедрена в производство технология изготовления p-i-n диодных матриц в микроэлектронном исполнении и защитных устройств на их основе.

5. С использованием разработанных p-i-n диодных матриц созданы и освоены в производстве приемно-усилительные модули типа М45 163 и М55 145.

6. Созданы бескорпусные p-i-n диоды на интегральном теплоотводе, на основе которых разработаны широкополосные защитные устройства М54 403 и М54 205.

Практическая новизна предложенных конструкторско-технологических решений отмечена на государственном уровне выдачей патента на полезную модель.

Апробация работы Результаты исследований, изложенные в диссертации, докладывались на:

• 18-ой Международной Крымской конференции «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии», Севастополь, 2008;

• 64-ой НТК, посвященной дню радио и 150-летию А. С. Попова, Санкт-Петербург, 2009.

• Международном симпозиуме «Progress in Electromagnetics Research», Москва, МИРЭА, 2009.

• Юбилейной НТК «Электроника и вакуумная техника: приборы и устройства, технология, материалы». Саратов, 2009;

• НТК СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, 2009.

Реализация и внедрение результатов исследования.

Внедрение результатов исследований диссертационной работы в части твердотельных СВЧ-генераторов осуществлялось по нескольким направлениям: на основе разработанных приборов были созданы специализированные устройства (гетеродины, задающие генераторы) для передающих узлов радиолокационного назначения «Тополь-М», «Зоопарк" — осуществлена разработка доплеровских датчиков скорости для сортировочных горок Российских железных дорог, а также приемно-передающих модулей типа «Ожог» и «Ром» для аппаратуры связи.

Разработанный приемно-усилительный модуль М45 163 входит в состав зенитного ракетно-пушечного комплекса «Панцирь С-1». Он обеспечивает защиту высокочувствительного приемника от синхронных и несинхронных помех. Модуль М55 145 используется для комплектации аэродромного метеорадара «Механизм».

Экономический эффект от внедрения выполненной работы составил 25,5 млн руб.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 11 научных работ, из них 7 статей в научно-технических журналах, в том числе две публикации в ведущих рецензируемых изданиях, рекомендованных ВАК, тезисы 4-х докладов на Международных и Российских научно-технических конференциях и семинарах и получен патент на полезную модель. Личное участие автора в указанных работах и докладах выразилось в определении цели, разработке методов исследования, проведении экспериментов, анализе и обобщении результатов, формулировании выводов.

Структура и объем диссертации

.

Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения и приложения. Она содержит 170 страниц машинописного текста, включает 65 рисунков и 20 таблиц.

Список литературы

насчитывает 92 наименования.

Результаты работы более детально могут быть сформулированы следующим образом:

1. Методом эквивалентных схем проведен анализ работы диодов Ганна и генераторов на их основе. Получены выражения для резонансной частоты диода, частоты генерации и рассмотрены факторы, определяющие максимальную частоту ГДГ.

2. Анализ колебательной системы генератора на диодах Ганна на основе энергетического подхода позволил выявить пути повышения стабильности частоты генераторов. Показано, что стабильность повышается при увеличении эквивалентной добротности колебательной системы, что достигается, в частности, за счет уменьшения числа колебательных контуров КС генератора.

3. На основе проведенного анализа предложено создавать стабилизированные ГДГ миллиметрового диапазона длин волн по одноконтурной схеме с использованием резонаторов на прямоугольных волноводах с резонансной частотой, близкой к критической или цилиндрических резонаторов на виде колебаний Е0го.

4. Разработана конструкция и технология изготовления диодов Ганна миллиметрового диапазона и генераторов на этих диодах. Освоено промышленное производство генераторов типа «Окно (МЗ1114−1)» и М31 101С.

5. Анализ технических характеристик генераторов «Окно» и М31 101С и проведенные опытно-конструкторские работы показали перспективность их использования в различной радиоаппаратуре. Они используются в аппаратуре для точного измерения скорости транспортных средств, в PJIC автодинного типа, в III IM для радиоканалов связи и беспроводных соединений в компьютерных сетях. Разработанные высокостабильные малошумящие генераторы используются в качестве гетеродинов и задающих генераторов приемопередающих узлов зенитно-ракетных комплексов «Тополь-М» и «Зоопарк».

6. Разработаны конструкция и технология изготовления многодиодных матриц в интегральном исполнении. Технология позволяет в кремниевой пластине получать расположенные на определенном расстоянии канавки сложной конфигурации с вертикальными стенками, на поверхности которых создаются р+ и п+ области.

7. Изготовлены многодиодные матрицы с числом p-i-n диодов до 196 штук и всесторонне исследованы их характеристики. Проведенный комплекс динамических испытаний позволил установить, что в полосе частот 37±2 ГГц потери пропускания не превышают 0,5 дБ при КСВН не более 1,5.

8. На базе разработанных много диодных матриц созданы два типа защитных устройств: с управляемой входной матрицей и неуправляемой. Управляемое защитное устройство, состоящее из 196-диодной входной матрицы и выходной на 4-х дискретных диодах, обеспечивает при максимальной входной импульсной мощности 1 кВт затухание на уровне 40 дБ при быстродействии менее 100 не.

9. Рассмотрены пути создания широкополосных защитных устройств. Разработанное широкополосное защитное устройство на базе волноводно-щелевой линии и созданного бескорпусного p-i-n диода с малой емкостью на интегральном теплоотводе позволило расширить полосу частот в диапазоне 26. .40 ГГц.

10. Разработанные управляемое и неуправляемое защитные устройства используются в освоенных в производстве ЗАО «Светлана-Электронприбор» двух модулях М45 163 и М55 145, которые входят в состав PJIC зенитного ракетно-пушечного комплекса «Панцирь-С» и аэродромного метеорадара «Механизм».

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основным итогом диссертационной работы явилось решение актуальной научной задачи — исследование, разработка и внедрение новых конструкций и технологий в производство полупроводниковых диодов Ганна и р-г-п диодов миллиметрового диапазона. В ней изложены научно-обоснованные технические и технологические решения, послужившие основой для создания малошумящих, широкополосных, малогабаритных с высокой стабильностью частоты генераторов Ганна, а также активных и пассивных защитных устройств с многодиодными матрицами в микроэлектронном исполнении и широкополосных защитных устройств на мощных дискретных р-1-п диодах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Р.П., Потапов A.A., Соколов A.B. Миллиметровая радиолокация с фрактальной обработкой Текст. / Под ред. Р. П. Быстрова и A.B. Соколова — М.: «Радиотехника», 2005. 368 е.: ил. (Серия «Радиотехника»).
  2. A.A., Топчиев С. А. Радиолокация в миллиметровом диапазоне волн Текст. Динамика радиоэлектроники-2, Техносфера, 2008, с. 133 144.
  3. А. Распространение и рассеяние волн в случайно-неоднородных средах Текст. / Пер. с англ. М.: Мир, 1981, Т. 1- Т2.
  4. Г. А., Потапов A.A. Миллиметровые волны в радиолокации Текст. Зарубежная радиоэлектроника, 1984, № 11, С. 28−62.
  5. Г. М. Распространение миллиметровых и субмиллиметровых волн в облака Текст. JL: Гидрометеоиздат, 1991.
  6. А.Б., Быстров Р. П., Дмитриев В. Г. и др. Радиолокационные системы: научно-технические достижения и проблемы развития техники миллиметрового диапазона радиоволн Текст. Зарубежная радиоэлектроника, 2001, № 5, С. 3−49.
  7. Р.П., Потапов A.A., Соколов A.B. и др. Проблемы распространения и применения миллиметровых волн в радиолокации Текст. Зарубежная радиоэлектроника, 1997, № 1, С. 4−20.
  8. Liebe H.J. ENF properties of air Текст. NTZ, 1977, vol. 30, pp. 76−84.
  9. Р.П. Радиолокационные системы обнаружения наземных объектов в короткой части миллиметрового диапазона радиоволн Текст. В 2-х томах. Т.1 М.: Изд-во «Технология», 2002.
  10. А.Б., Быстров Р. П., Дмитриев В. Г. и др. Радиолокационные системы: научно-технические достижения и проблемы развития техники миллиметрового диапазона радиоволн Текст. — Зарубежная радиоэлектроника, 2001, № 5, С. 3−49.
  11. Johns J.C. Enhanced capability of GPS and its augmentation systems meets of the 2 1ST century Текст. ICAO jonmal [ICAO bull], 1997, vol.52, no.9, pp.710.
  12. Zarrada, Nestor Mai, Wolfgang and Jungstand Arne. Das russische satelitengestite Navigationsystems GLONASS, ein Uberblik, Текст. Z. Veremessug S.W., 1997, vol.122, no.9, pp.425−432.
  13. Aribus gives nod to EGPWS, Aviat. Текст. Week and Space Technol. 1998, vol.148, no. 17, p.50.
  14. Russel, Mark Е., Crain, Arthur, Curran, Antony, et. cl. Millimeter-wave radar seneor for automotive intelligent cruise control (ICC), Текст. IEE Trans. Microwave Theory and Techn., 1997, vol.45, no. 12, pp.2444−2453.
  15. И.И., Рожков B.M., Рябов Б. А. Использование ИСЗ связи в диапазоне ММВ Текст. Зарубежная электроника, 1999, № 3, С. 60−71.
  16. А.Н., Лаврентьев Ю. В., Сильвинский С. В. и др. Распространение ультракоротких волн в городе Текст. / Под ред. Пономорева Г. А. и Соколова А. В. -Радиотехника, 1991, Т. 42, С. 166−180.
  17. В.А., Гуляев Ю. В., Соколов А. В. Применение миллиметровых волн на сотовых линиях связи небольшой протяженности в городе. — Радиотехника, 1995, № 11, С. 3−5.
  18. Н. Н. Засовин Э.А., Мировицкий Д. И., Прозоровский Ю. С. Бортовое радиоэлектронное и оптоэлектронное оборудование современных и перспективных летательных аппаратов Текст. — М.: МИРЭА, 1994.
  19. И .Я. Сверхширокополосная радиолокация: основные особенности и отличия от традиционной радиолокации Текст. -Электромагнитные волны и электронные системы, 1997, Т.2, № 1, С.81−88.
  20. Nordwall and Bruce D., Ultra-Widebard Radardetects Buried Mines, Aviat Текст. Week and Space Technol. 1997, vol.146, no. 13, pp.63−64.
  21. Технические средства разведывательных служб капиталистических государств Текст. ВИНИТИ, 1998, № 9, С. 25−32.
  22. Free electron lasers and other advanced sourses of light Текст. Washindton: National Academy Press, 1994.
  23. Gyrotron Oscillators. Their Principles and Practice Текст. Ed. by C.J. Edgecombo // London: Taylor & Francis Ltd. — 1993.
  24. M. В., Казанцкв В. И., Шелухин С. А. Передающие устройства СВЧ Текст. М: Высшая Школа 1984.
  25. The RF and microwave handbook Текст. /Editor-in-chief M. Golio. N.-Y. CRC Press LLC, 2001.
  26. Hajime Okumura, Present Status and Futur. e Prospect of Widegap Semiconductor High-Power Devices Текст. Jpn.J. Appl. Phys. Vol. 45 (2006) 7565−7586.
  27. Д. П. /Генераторы на диодах Ганна Текст. М.: Радио и связь, 1982.
  28. Ю. Л., Тамарчак Д. Я. Синхронизированные генераторы и авто дины на полупроводниковых приборах Текст. М.: Радио и связь, 1982.
  29. Антенные переключатели Текст. /Пер. с англ.: Под ред. Р. И. Переца. -М.: Сов. радио, 1950. 486 с.
  30. Дзехцер, Орлов О. С. PIN диоды в широкополосных устройствах СВЧ Текст. М.: «Советское радио», 1970, 200 с.
  31. А.И. и др. Сверхвысокочастотные защитные устройства Текст. / А. И. Ропий, А. М. Старик, К. К. Шутов. М.: Радио и связь, 1993. — 128 с.:ил.
  32. A.B. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах Текст. -М.: Радио и связь, 1987. 120 с.:ил.
  33. Г. С., Вендик И. Б., Серебрякова Е. А. СВЧ фазовращатели и переключатели: Особенности создания на p-i-n-диодах в интегральном исполнении Текст. -М.: Радио и связь, 1984.- 184 с.:ил.
  34. Л.С. О системе параметров переключательных p-i-n-диодов. Полупроводниковые приборы и их применение Текст. Под ред. A.A. Федотова. -М.: Сов. радио, 1969, вып. 23, С. 171−182.
  35. White Y.F. Semiconductor Control Текст. Artech, 1976.
  36. И.В., Шнитников A.C., Купцов Е. И. Твердотельные СВЧ-ограничители проблемы и решения Текст. Изв. Вузов. Сер. Радиоэлектроника. — 1985. — Т.28, № 10. — С. 32−41.
  37. И.В., Алыбин В. Г., Купцов Е. И. Интеграция твердотельных и управляющих и защитных устройств СВЧ Текст. Изв. Вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1982. — Т.25, № 10. — С. 32−41.
  38. Armstrong A., Goodrich G., Wheeler D. Monolithic control components for high power min-waves Текст. Microwave J. 1985. N9, P. 197−201.
  39. C.B., Кищенко Я. И., Самойловский М. И. Быстродействующие широкополосные модуляторы на p-i-n-структурах Текст. Изв. Вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1989. — Т.32, № 10. — С. 14−23.
  40. И.В., Алыбин В. Г. Резонансная решетка и ее применение для создания твердотельных СВЧ устройств Текст. Изв. Вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1978.-Т.21, № 10. -С. 24−31.
  41. В.Г. Предельные параметры твердотельных выключателей на волноводной резонансной решетке Текст. Изв. Вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1982. — Т.25, № 10. — С. 77−82.
  42. Bakeman Р.Е., Armstrong A.L. Fast high power octave band width X-band waveguide switch Текст. IEEE MTT-S Internat. Microwave symp., Cherry Hill. Dig. of Tech Papers. 1976. — P. 154−156.
  43. Adelsek В., Callsen H., Hoffman H. Neue Millimeterwellenkomponenten in guasiplananer Leitungstechnik Текст. Freguenz. 1981. — Bd. 35, N2. P. 118 123.
  44. Gunn G. B. Microwave oscillations of current in III-V semiconductors Текст. Solid state Commun., V. 1, pp. 88−91, 1963. A
  45. Gunn G. B. Instabilities of current in III-V semiconductors Текст. IBM J. Res. Dev., V. 8, pp. 141−159, 1964.
  46. Ridley В. K., Watkins Т. B. The possibility of negative resistance in semiconductors Текст. Proc. Phys. Soc., London, V. 78, pp. 293−304, 1961.
  47. Hilsum C. Transferred electron amplifiers and oscillators Текст. Proc. IRE, V. 50, pp. 185−189, 1962.
  48. B.B. Стабилизация частоты генераторов на диодах Ганна миллиметрового диапазона длин волн Текст. Известия вузов России. Сер. Радиоэлектроника. 2009, вып. 1, с.67−71.
  49. В.В., Уман С. Д. Высокостабильный малошумящий малогабаритный генератор Ганна 8-мм диапазона с параметрической стабилизацией частоты Текст. Электронная промышленность. 2002., вып. 4, с. 50−61.
  50. В.В. Перспективы разработки и организация производства СВЧ транзисторов на основе А3В5 в ОАО «Светлана» Текст. Электронная промышленность. 2002, № 4, с. 29−32.
  51. В.В. Генераторы на диодах Ганна миллиметрового диапазона длин волн с повышенной стабильностью частоты Текст. НТК «Электроника и вакуумная техника: приборы и устройства, технология, материалы», Саратов, 2009, с. 134−137.
  52. Jettava С. P., Robert L., Yunshor L. An analytical equivalent circuit representation for waveguide-mounted Gunn oscillators Текст. IEEE Trans. Microwave Theory Techn., V. 20, No 9, 1972.
  53. Deau M., Howes M., Daud J. Transferred-electron oscillators Текст. IEEE Trans. Microwave Theory Techn., V. 21, No 3, 1973.
  54. Теория линий передачи сверхвысоких частот Текст. / Пер. с англ. под ред. А. И. Шпунтова. М.: Сов. радио, 1951.59.3айончковский А. В. Исследование способов электрического управления частотой генераторов Ганна Текст. Диссертация. Л. ЛЭТИ, 1974.
  55. В. В., Савельев В. Я. Некоторые вопросы теории и расчета генераторов на диодах Ганна Текст. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, Вып. 12, с. 97−113, 1972.
  56. А. Экспериментальные наблюдения формы релаксационных колебаний диодов Ганна на частотах, меньших и в несколько раз больших, чем пролетная частот Текст. ТНИЭР, № 8, с. 132−134, 1971.
  57. Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах Текст. М.: Мир, 1972.
  58. Howes J. Circuit consideration in the design of wide-band tunable transferred-electron oscillators Текст. IEEE Trans. Electron Dev. V. 17, No 12, 1970.
  59. Ф. М., Устенко В. Т. Некоторые свойства генераторов Ганна в доменном режиме работы Текст. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, Вып. 11, с. 105−11, 1973.
  60. С. И., Гуменный С. Н., Цвирко Ю. А. Применение одноконтурных схем стабилизации генераторов на активных двухполюсниках Текст. Электронная техника, сер. Электроника СВЧ. Вып. 3, с.47−58, 1976.
  61. Д. П. Генераторы на диодах Ганна Текст. М. Радио и связь, 1982.
  62. Kerzas В., Weisglass P. Performance limits of practical low-noise? high stability Gann oscillators Текст. Ргос/ 6-th Eur. Microwave conf., Rome, 1976, pp. 321−326.
  63. Генератор на диоде Ганна Текст.: авт. свидетельство 1 258 268 СССР / Гаврилов B.C., Добров В. А., Уман С. Д., заявитель ЛОЭП «Светлана», заявл. 14.02.1986.
  64. Ф. М., Устенко В. Т. Генератор на диоде Ганна с повышенной стабильностью частоты Текст. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, Вып. 9, с. 42−46, 1974.
  65. Н. А. Синхронизация диодных генераторов СВЧ Текст. М.: Связь, 1974.
  66. В.В. Активные элементы для систем защиты миллиметрового диапазона длин волн Текст. Известия вузов России. Сер. Радиоэлектроника. 2008, вып. 6, с. 66−69.
  67. В.В., Уткин Б. Л., Чалый В. П., Савшинский В. А., Волков В. В., Шифман Р. Г. СВЧ полупроводниковые приборы и устройства Текст. Электронная техника. 2003, с. 12−16.
  68. В.В., Силантьев Н. М., Сивограков Е. Л. Технологическое оборудование Текст. Электронная техника. 2003, с. 29−30.
  69. В.В., Кузнецов В. И., Лупуляк В. В. Оптимизация параметров дискретного микрополоскового полупроводникового фазовращателя Текст. Петербургский журнал электроники. 2004, № 1, с. 26−34.
  70. Popov V.Y. Computer Simulation of p-i-n Diodes of Integrated Millimeter Wavelength Limiters (Компьютерное моделирование p-i-n диодных ограничителей миллиметрового диапазона волн) Текст. PITRS Ргос., 2009. pp.54.
  71. В.В. Широкополосные защитные устройства миллиметрового диапазона Текст. Труды 64-ой НТК, посвященной дню радио и 150-летию A.C. Попова, Санкт-Петербург, 2009, с. 174−175.
  72. А.Л., Явич Л. Р., Смирнов В. П. Справочник по элементам волноводной технике Текст. М.: Сов. радио, 1967.
  73. А. Л., Явич Л. Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников СВЧ Текст. -М.: Связь, 1971.
  74. А.Д. Электродинамика и микроволновая техника Текст. Учебник, 2-е изд., доп. СПб.: Издательство «Лань», 2007.
  75. В.П., Осипова В. А., Сукомел A.C. Теплопередача. Текст. Учебник для вузов М.: Энергоиздат, 1981. — 416 с, ил.
  76. A.B. Теория теплопроводности Текст. — Издательство «Высшая школа», Москва, 1967.
  77. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств Текст. Справочник. М.: Радио и связь, 1991.
  78. Волноводный полупроводниковый пассивный ограничитель мощности для защиты малошумящих усилителей Текст. пат. Рос. Федерация: МПК
  79. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств Текст. Под ред. В. И. Вольмана. М.: Радио и связь, 1982.
  80. A.M., Силин P.A. Расчет характеристик линий передачи СВЧ Текст. Электронная техника. Сер. Техника СВЧ. Вып. 1, 3, 9−10. 1992.
  81. Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды (справочник) Текст. Под ред. Наливайко Б. А., Томск, 1992.
  82. В.В., Кириллов A.B., Смирнов В. В. Волноводный полупроводниковый пассивный ограничитель мощности для защиты малошумящих усилителей Текст. Патент РФ на полезную модель № 86 354 от 13.04.2009.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?