Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе
В заключение автор выражает глубокую благодарность научному руководителю И. С. Тарасову за повседневное руководство, и полезное обсуждение результатов работыЗ.Н.Соколовой за внимание и помощь в проведении теоретических расчетовН.А.Пихтину за плодотворные дискуссиисотрудникам А. В. Лютецкому, Н. В. Фетисовой, М. А. Хомылеву, В. А. Капитонову, при непосредственном участии и помощи которых были… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Обзор литературы. Мощные полупроводниковые лазеры на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения А1−1п
- Ga-As-P/GaAs
- 1. 1. Мощные лазеры с InGaAs активной областью
- 1. 2. Внутренние потери в симметричных гетероструктурах с расширенным волноводом
- 1. 3. Асимметричные лазерные гетероструктуры
- 1. 4. Эффекты, ограничивающие максимальную мощность излучения лазерного диода
- 1. 5. Фундаментальный предел мощности излучения полупроводниковых лазеров
- 1. 6. Выводы по обзору литературы
- Глава 2. Теория асимметричных лазерных гетероструктур со сверхнизкими внутренними оптическими потерями
- 2. 1. Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантоворазмерных лазерах с активными областями на основе твердых растворов In-Ga-As
- 2. 2. Модель пятислойного плоского диэлектрического волновода
- 2. 2. 1. Уравнения Максвелла и волновое уравнение
- 2. 2. 2. Решения волнового уравнения для ТЕ-мод в пятислойной структуре
- 2. 2. 3. Дисперсионное уравнение и его решение
- 2. 3. Внутренние оптические потери в лазерной гетероструктуре со сверхтолстым волноводом
- 2. 3. 1. Основные определения
- 2. 3. 2. Оптические потери в активной области
- 2. 3. 3. Внутренние оптические потери на рассеяние в волноводе и эмиттерах
- 2. 3. 4. Расчет внутренних оптических потерь
- 2. 4. Асимметричные лазерные гетероструктуры. Селекция мод высших порядков в многомодовых сверхтолстых волноводах
- Глава 3. Разработка и исследование излучательных и электрических характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом
- 3. 1. Эпитаксиальные и постростовые технологии лазерных гетероструктур
- 3. 2. Анализ ватт-амперных характеристик лазерных диодов, изготовленных на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом
§ 3.3 Внутренние оптические потери и внутренняя дифференциальная квантовая эффективность стимулированного излучения лазерных диодов на основе асимметричных лазерных гетероструктур со сверхтолстым волноводом.
§ 3.4 Анализ порогового тока лазерных диодов, изготовленных на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом.
§ 3.5 Коэффициент полезного действия лазерных диодов, изготовленных на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом
§ 3.6 Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока лазерных диодов, изготовленных на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом.
§ 3.7 Исследование диаграммы направленности излучения в дальней зоне от тока накачки лазерных диодов, изготовленных на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом.
3.7.1 Диаграмма направленности излучения в дальней зоне лазерных диодов, изготовленных на основе асимметричных гетероструктур с толщиной щ волновода 1.7 мкм.
3.7.2 Моделирование асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом, обладающих повышенной способностью селекции мод высших порядков.
3.7.3 Излучательные характеристики лазерных диодов, изготовленных на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом, обладающих повышенной способностью селекции мод высших порядков.
§ 3.8 Исследование спектральных характеристик лазерных диодов, изготовленных на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом.
§ 3.9 Исследование срока службы лазерных диодов, изготовленных на основе асимметричных гетероструктур со сверхтолстым волноводом.
Список литературы
- Н.Г. Басов, Б. М. Вул, Ю. М. Попов, «Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний», ЖЭТФ, т.37, с. 587 (1959).
- Н.Г. Басов, О. Н. Крохин, Ю. М. Попов, «Получение состояний с отрицательной температурой в р-n переходах вырожденных полупроводников», ЖТЭФ, т. 40, с. 1879 -1880(1961).
- M.G.A. Bernard, G. Duraffourg, «Laser condition in semiconductors», Phys. Stat. Solidi., vol. l, p. 699−703 (1961).
- Д.Р. Наследов, A.A. Рогачев, C.M. Рывкин, Б. В. Царенков, «Рекомбинационное излучение арсенида галлия», Ф7Т, т. 4, с. 1062 1065 (1962).
- R. N. Hall, G. Е. Fenner, J. D. Kingsley, Т. J. Soltys, and R. O. Carlson, «Coherent Light Emission From GaAs Junctions», Phys. Rev. Lett., vol. 9, p. 366−368 (1962).
- N.Jr. Holonyak, S.F. Bevaqua, «Coherent (visible) light emission from GaAsP junction», Appl. Phys. Lett, vol. 1, p. 82 83 (1962).
- W.L. Bond, B.G. Cohen, R.C.C. Leite, and A. Yariv «Observation of the dielectric-waveguide mode of light propagation in p-n junction», Appl. Phys. Lett., vol. 2, p. 57 59 (1963).
- Ж.И. Алферов, Р. Ф. Казаринов, Авт. Свид. СССР № 28 448,1963
- Н. Kroemer, «А proposed class of heterojunction injection lasers», Proc. IEEE, vol. 51, p. 1782 (1963).
- Ж.И. Алферов, B.M. Андреев, B.M. Корольков, Д. Н Третьяков, B.M. Тучкевич, «Высоковольтные р-п-переходы в кристаллах GaAlAs», ФТП, т. 1, с. 1579 1581 (1967).
- Н. Rupprecht, J.M. Woodall, G.D. Pettit, «Efficient visible electroluminescence at 300 К from GaAlAs p-n junctions grown by liquid-phase epitaxy», Appl. Phys. Lett., vol. 11, p. 81 -83 (1967).
- Ж.И. Алферов, B.M. Андреев, В. И. Корольков, E.JI. Портной, Д. Н. Третьяков, «Инжекционные свойства гетеропереходов n AlGaAs-p GaAs», ФТП, т. 2, с. 1016−1017 (1968).
- Ж.И. Алферов, В. М. Андреев, E.JI. Портной, М. К. Трукан, «Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре», ФТП, т. 3, с. 1328 1332 (1969).
- Ж.И. Алферов, В. М. Андреев, Д. З. Гарбузов, Ю. В. Жиляев, E.JI. Портной, Е. П. Морозов, В. Г. Трофим, «Исследование влияния параметров гетероструктуры в системе
- AlAs-GaAs на пороговый ток лазеров в получениннепрерывного режима генерации при комнатной температуре», ФТП, т. 4, с. 1826 1829 (1970).
- Thompson G.H.B., Kirkby P.A., «(GaAl)As lasers with a heterostructure for optical confinement and additional heterojunctions for extreme carrier confinement», IEEE J. Quant. Electron., vol. 9, p. 311 318 (1973).
- Panish M.B., Casey H.C., Jr., Sumski S., Foy P.W., «Reduction of threshold current density in GaAs-AlxGai-xAs heterostructure lasers by separate optical and carrier confinement», Appl. Phys. Lett., vol. 22, p. 590 591 (1973).
- Thompson G.H.B., Kirkby P.A., «Low threshold-current density in 5-layer-heterostructure (GaAl)As/GaAs localised-gain-region injection lasers», Electron. Lett., vol. 9, p. 295−296(1973).
- Casey H.C., Jr., Panish M.B., Schlosser W.O., Paoli T.L., «GaAs-AlxGa,.xAs heterostructure laser with separate optical and carrier confinement», J. Appl. Phys., vol. 45, pp. 322−333 (1974).
- Д.З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, С. Ю. Карпов, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, «Расчет пороговых токов для InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением», ФТП, т. 19, с. 449−455 (1985).
- В.П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, «Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (А.=1.3 мкм) с супертонкими активными областями», ФТП, т. 19, с. 1420 1423 (1985).
- И.С. Тарасов, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, А. В. Чудинов, «Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазеров с тонкой активной областью», ФТП, т. 19, с. 1496 1498 (1985).
- Adams A.R., «Band structure engineering for low threshold high efficiency semiconductor lasers», Electron. Lett., vol. 22, p. 249−250 (1986).
- Yablonovitch E., Kane E.O., «Reduction of the lasing threshold current density by lowering the valence band ejjective mass», J. Lightwave Technol., V. LT-4, № 5, pp.504^-506- (1986) — также «Correction», J. Lightwave Technol., vol. 4, p. 961 (1986).
- Yablonovitch E., Kane E.O., «Band structure engineering of semiconductor lasers for aptical communication», J. Lightwave Technol., vol. 6, p. 1292 1299 (1988).
- Mattehws J.W., Blakeslee A.E., «Defects in epitaxial multilayers», J. Crystal Growth, vol. 27, p. 118−125(1974).
- D.Z. Garbuzov, N.Y. Antonishkis, A.D. Bondarev, A.B. Gulakov, S.N. Zhigulin, N.I. Katsavets, A.V. Kochergin and E.U. Rafailov, «High-power 0.8 цт InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers», IEEE J. Quantum Electron., vol. 27, p. 1531−1536 (1991).
- D.Z. Garbuzov, N.Y. Antonishkis, A.D. Bondarev, A.B. Gulakov, S.N. Zhigulin, N.I. Katsavets, A.V. Kochergin and E.U. Rafailov, «High-power 0.8 цт InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers», IEEEJ. Quantum Electron., vol. 27, p. 1531−1536 (1991).
- D.Z. Garbuzov, N.Ju. Antonishkis, S.N. Zhigulin, N.D. Il’inskaya, A.V. Kochergin, D.A. Lifshitz, E.U. Rafailov, and M.V. Fuksman «High-power buried InGaAsP/GaAs (X = 0.8 цт) laser diodes», Appl. Phys. Lett., vol. 62, p. 1062−1064 (1993).
- S.L. Yellen, A.H. Shepard, C.M. Harding, J.A. Baumann, R.G. Waters, D.Z. Garbuzov, V. Pyataev, V. Kochergin and P. S. Zory, «Dark-line-resistant, aluminum-free diode laser at 0.8 jim», IEEE Photon. Technol. Lett., vol.4, p.1328−1330 (1992).
- L.J. Mawst, A. Bhattacharya, M. Nesdial, J. Lopez, D. Botez, J.A. Morris and P. Zory, «High CW output power and 'wallplug' efficiency Al-free InGaAs/InGaAsP/InGaP double quantum well diode lasers», Electron. Lett., vol. 31, p. 153−1154 (1995).
- D.Z. Garbuzov, L. Xu, S.R. Forrest, R. Martinelli and J.C. Conolli «1.5 цт wavelength, SCH-MQW broadened-waveguide laser diodes with low internal loss and high output power», Electron. Lett., vol. 32, p. 1717−1718 (1996).
- N.I.Katsavets, D.A.Livshits, I.S.Tarasov «Study of optical mirror facet strength of CW operated separate confinement heterostructure laser diodes» Proceeding of SPIE’s on International Symp. 96, San Jose 1996.
- A. Al-Muhanna, L. Mawst, D. Botez, D. Garbuzov, R. Martinelli, J. Connolly, «High power (>10W) continuous-wave operation from 100-(om-apeiture 0.97-цш-emitting Al-free diode lasers», Appl. Phys. Lett. vol. 73, p. 1182−1184, (1998).
- D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov and Zh.I. Alferov, «High Catastrophic Optical Mirror Damage Level in InGaAs/AlGaAs Laser Diodes», Electron. Lett., vol. 36, p. 1848−1849, (2000).
- F. Bugge, G. Erbert, J. Fricke, S. Gramlich, R. Staske, H. Wenzel, U. Zeimer, and M. Weyers, «12 W continuous-wave diode lasers at 1120 nm with InGaAs quantum wells», Appl. Phys. Lett., vol. 79, p. 1965−1967 (1998).
- V. Rossin, E. Zucker, M. Peters, M. Everett, B. Acklin, «High-Power High-Efficiency 910−980nm Broad Area Laser Diodes», Proc. SP1E Int. Soc. Opt. Eng., vol. 5336, p. 196−202 (2004).
- Н.А.Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, «Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах», ФТП, т. 38, с. 374−381 (2004).
- А.Ю.Лешко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Г. В. Скрынников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Н. В. Фетисова, «О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP / 1пР», ФТП, т. 34, с. 1457−1461 (2000).
- Д.З.Гарбузов, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, «Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP лазеров (Х=1.3мкм)», ФТП, т. 25, с. 928−933 (1991).
- Н.А.Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, «Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантово-размерных лазерах на основе твердых растворов InGaAsP», ФТП, т. 36, с. 364−374 (2002).
- J.J. Lee, L.J. Mawst, D. Botez, «Asymmetric broad waveguide diode lasers (A,=980nm) of large equivalent transverse spot size and low temperature sensitivity», IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 14, p. 1046 1048 (2002).
- D. Botez, «Design considerations and analytical approximations for high continuous-wave power, broad-waveguide diode lasers», Appl. Phys. Lett., vol. 74, p. 3102−3104 (1999).
- С. H. Henry, P. M. Petroff, R. A. Logan, and F. R. Merritt, «Catastrophic damage of Al*Gai*As double-heterostructure laser material», J. Appl. Phys. vol. 50, p. 3721−3732 (1979).
- P. W. Epperlein, P. Buchmann, and A. Jakubowicz, «Lattice disorder, facet heating and catastrophic optical mirror damage of AlGaAs quantum well lasers», Appl. Phys. Lett. vol. 62, p. 455−457 (1993).
- A. Moser, and E.E. Latta, «Arrhenius parameters for the rate process leading to catastrophic damage of AlGaAs-GaAs laser facets», J. Appl. Phys., vol. 71, p. 4848−4853 (1992).
- A. Moser, A. Oosenbrug, Е. Е. Latta, Th. Forster, and M. Gasser, «High-power operation of strained InGaAs/AiGaAs single quantum well lasers», Appl. Phys. Lett, vol. 59, p. 2642−2644(1991).
- S.L. Yellen, A.H. Shepard, C.M. Harding, J.A. Baumann, R.G. Waters, D.Z. Garbuzov, V. Pjataev, V. Kochergin, P. S. Zory, «Dark-line-resistant, aluminum-free diode laser at 0.8 цш», IEEE Photon. Technol. Lett, vol. 4, p. 1328 1330 (1992).
- R.E. Mallard and R. Clayton, «ЕВ1С and ТЕМ analysis of catastrophic optical damage in high-power GaAlAs/GalnAs lasers», Proc. SPIE, vol. 3004, p. 145−151 (1997).
- H.H. Lee, L. Figucrua, «А relationship between segregated arsenic in GaAs and photoluminescence and kinetics of arsenic segregation at room temperature», J. Electrochem. Soc. Vol. 135, p.496 (1988).
- C.D. Thurmond, G.P. Schwartz, G.W. Kammlott, and B. Schwarz, «GaAs Oxidation and the Ga-As-0 equilibrium phase diagram», J. Electrochem. Soc. Vol. 127, p. 1366 (1980).
- H. Kawanishi, H. Ohno, T. Morimoto, S. Kaneiva, N. Miyauchi, H. Huyashi, T. Akagi, Y. Nakajima, and T. Hijikata, «Effekt of (NH^S treatment on characteristics of AiGaAs laser diodes», Proc. 21st Conf. Solid State Devices Materials, p. 337 (1989).
- J.S. Yoo, H.H. Lee, P. Zory, «Enhancement of output intensity limit of semiconductor lasers by chemical passivation of mirror facets», IEEE Photon. Technol. Lett, vol. 3, p. 202 -203 (1991).
- J.S. Yoo, H.H. Lee, P. S. Zory, «On surface recombination velocity and output intensity limit of pulsed semiconductor lasers», IEEE Photon. Technol. Lett, vol. 3, p. 594 596 (1991).
- J. Hashimoto, I. Yoshida, M. Murata, T. Katsuyama, «Aging time dependence of catastrophic optical damage (COD) failure of, а 0.98-цш GalnAs-GalnP strained quantum-well laser», IEEE J. Quantum Electron, vol. 33, p. 66 70 (1997).
- D.Z. Garbuzov, M.R. Gokhale, J.C. Dries, P. Studenkov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly, S.R. Forrest, «13.3 W quasi-continuous operation of 0.99 |лт wavelength SCH-QW
- GaAs/GaAs/lnGaP broadened waveguide lasers», Electron. Lett., vol. 33, p. 1462−1464, (1997).
- L. J. Mawst, A. Bhattacharya, M. Nesnidal, J. Lopez, D. Botez, J. A. Morris, P. Zory, «High continuous wave output power InGaAs/InGaAsP/InGaP diode lasers: Effect of substrate misorientation», Appl. Phys. Lett. vol. 67, p. 2901−2903 (1995).
- A.H. Пихтин «Оптическая и квантовая электроника», Москва, Высшая школа, 2001
- Р.Ф.Казаринов, О. В. Константинов, В. И. Перель, А. Л. Эфрос, «К электромагнитной теории инжекционного лазера» ФТТ, т. 7, с. 1506 1526 (1965).
- F.Stern, «Gain-current relation for GaAs lasers with n-type and undoped active layers», IEEE J. Quant. Electron., vol. 9, p. 290−294 (1973).
- Д.З.Гарбузов, А. В. Тикунов, С. Н. Жигулин, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, «Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики квантоворазмерных InGaAsP/GaAs гетеролазеров», ФТП, т. 22, с. 1035 1039 (1988).
- P.W.A. Mcllroy, A. Kurobe, Y. Uematsu, «Analysis and application of theoretical gain curves to the design of multi-quantum-well lasers», IEEE J. Quant. Electron., vol. 21, pp. 19 581 963 (1985).
- J.Z. Wilcox, G.L. Peterson, S. Ou, J.J. Yang, M. Jansen, «Gain- and threshold-current dependence for multiple-quantum-well lasers», J. Appl. Phys., vol. 64, pp. 6564−6567 (1988).
- S.Y. Hu, S.W. Corzine, K.K. Law, D.B. Young, A.C. Gossard, L.A. Coldren, J.L. Merz, «Lateral carrier diffusion and surface recombination in InGaAs/AlGaAs quantum-well ridge-waveguide lasers», J. Appl. Phys., vol. 76, pp. 4479−4478 (1994)
- T. Makino, «Analytical formulas for the optical gain of quantum wells», IEEE J. Quant. Electron., vol. 32, pp. 493−501 (1996).
- Д.З.Гарбузов, В. В. Агаев, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, «Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС с Х=1 1.5 мкм», ФТП, т. 18, с. 1069 — 1076 (1984)
- З.Н.Соколова, В. Б. Халфин, «Расчеты вероятностей излучательных переходов и времен жизни в квантово-размерных структурах», ФТП, т. 23, с. 1806 1812 (1989).
- L.V. Asryan, N.A. Gunko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.K. Lau, T. Makino, «Threshold characteristics of InGaAsP/InP multiple quantum well lasers», Semicortd. Sci. Technol, vol. 15, p. 1131−1140(2000).
- Ковш А.Р., Жуков А. Е., Егоров А. Ю., Устинов В. М., Леденцов Н. Н., Максимов М. В., Цацульников А. Ф., Копьев П. С., «Особенности усиления в инжекционных лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек», ФТП, т. 33, с. 215−2 231 999).
- Г. Г. Зегря, Г. В. Н. А. Пихтин, Г. В. Скрынников, С. О. Слипченко, И. С. Тарасов, «Исследование пороговых характеристик InGaAsPAnP-reTepo лазеров (Х=1.55 мкм)», ФТП, т. 35, с. 1001−1008 (2001)
- Х.Кейси, М. Паниш, «Лазеры на гетеропереходах», т.1, «Мир», М. (1981).
- К.Зеегер, «Физика полупроводников», «Мир», М. (1977).
- В.И.Фистуль, «Введение в физику полупроводников», «Мир», М. (1975).
- Е. Pinkas, B.I. Miller, I. Kayashi, P.W. Foy, «Additional data on the effect of doping on the lasing characteristics of GaAs AlxGal-xAs double-heterostructure lasers», IEEE J. Quantum Electron., vol. 9, p. 281−282 (1973).
- И.А. Костко, В. П. Евтихиев, ЕЮ. Котельников, Г. Г. Зегря, «Повышение мощности лазеров с широким волноводом посредством дополнительной селекции поперечных мод», ФТП, т. 33, с. 752−758 (1999).
- Т. Ikegami, «Reflectivity of mode at facet and oscillation mode in double-heterostructure injection lasers», IEEE J. Quantum Electron., vol. 8, p. 470−476 (1972)
- C.M. Herzinger, C.C. Lu, T.A. DeTemple, W.C. Chew, «The semiconductor waveguide facet reflectivity problem», IEEE J. Quantum Electron., vol. 29, p. 2273−2281 (1993).
- Д.З.Гарбузов, А. В. Овчинников, A.H. Пихтин, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, В.Б.
- Халфин, «Экспериментальное и теоритическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP-лазеров (Х,=1.3 мкм)», ФТП, т. 25, с. 928−933 (1991).
- Е.Г. Голикова, В. А. Курешов, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Ю. А. Рябоштан, Г. А. Скрынников, И.С. Тарасов^Ж.И. Алферов, «Свойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом», ФТП, т. 34, с. 886 8 902 000).
- Y. Nishimura, «Spectral hole-burning and nonlinear-gain decrease in a band-to-level transition semiconductor laser», IEEE J. Quantum Electron., vol. 9, p. 1011- 1019 (1973).
- B. Zee, «Broadening mechanism in semiconductor (GaAs) lasers: Limitations to single mode power emission», IEEEJ. Quantum Electron., vol. 14, p. 727- 736 (1978).
- M. Asada, Y. Suematsu, «Density-matrix theory of semiconductor lasers with relaxation broadening model-gain and gain-suppression in semiconductor lasers», IEEE J. Quantum Electron., Vol. 21, p. 434- 442 (1985).
- J. Manning, R. Olshansky, D.M. Fye, W. Powazinik, Proc. 9th Int. Semicond. Laser Conf., p. 150 (1984).
- T. Hone, J. Zavadil, «On the hot-carrier effects in 1.3 цт InGaAsP diodes», J. Appl. Phys., vol. 73, p. 7978−7980 (1993)
- Morris P. Kesler, Christoph S. Harder, and Eberhard E. Latta, «Carrier heating in AlGaAs single quantum well laser diodes», Appl. Phys. Lett., vol 59, p. 2775−2777 (1991).
- Н.А. Пихтин, И. С. Тарасов, M.A. Иванов, «Особенности спектральных характеристик мощных инжекционных гетеролазеров на основе четверных твердых растворов InGaAsP», ФТП, т. 28, с. 1983 1990 (1994).