Стабилизация характеристик и модель механизма чувствительности МДП-сенсоров к газам
Диссертация
Предложена модель механизма чувствительности МДП-сенсоров к различным газам. Согласно этой модели, чувствительность сенсора определяется диффузией молекул газа через межкристаллитные поры металлического электрода к границе раздела металл-диэлектрик с последующим взаимодействием дипольных моментов молекул с центрами захвата (ловушками) на границе раздела. Чувствительность возникает за счет… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- ГЛАВА 2. МЕТОДИКА И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ТЕХНИКА ИССЛЕДОВАНИЙ СВОЙСТВ МДП-СЕНСОРОВ
- 2. 1. МДП-структура и ее свойства
- 2. 2. Устройство и принцип действия МДП-сенсора
- 2. 3. Установка для лазерного напыления пленок
- 2. 4. Установка для измерений вольт-фарадных характеристик сенсоров
- 2. 5. Установка для измерений характеристик сенсоров
- 2. 6. Блок-схема газоанализатора
- ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЯ ЯВЛЕНИЙ НЕПОСТОЯНСТВА ХАРАКТЕРИСТИК МДП-СЕНСОРОВ
- 3. 1. Непостоянство характеристик МДП-сенсоров в результате их выдержки в некоторых газах
- 3. 2. Влияние термообработки на характеристики МДП-сенсоров
- 3. 3. Влияние рабочей температуры сенсора на форму динамической характеристики
- 3. 4. Исследование явления «интерференции» чувствительностей МДП-сенсоров
- 3. 5. Выводы
- ГЛАВА 4. МОДЕЛЬ МЕХАНИЗМА ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МДП-СЕНСОРОВ
- 4. 1. Обзор представлений о механизме чувствительности МДП-сенсоров
- 4. 2. Формулировка модели механизма чувствительности МДП-сенсоров к концентрациям газов (качественно)
- 4. 3. Количественная формулировка модели
- 4. 4. Сопоставление экспериментальных фактов с моделью
- 4. 5. Методы стабилизации характеристик МДП-сенсоров
- §-4.6.Выводы
- ГЛАВА 5. МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ СЕЛЕКТИВНОСТИ МДП-СЕНСОРОВ
- 5. 1. Способ измерений концентраций этилмеркаптана и сероводорода в их смеси
- 5. 2. Двухканальный метод отбора газовых проб
- 5. 3. Повышение селективности МДП-сенсоров с помощью вариации технологии их изготовления
- 5. 4. Выводы. 82 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И
- ВЫВОДЫ
Список литературы
- В. П. Котов, В. Е. Курочкин. Полупроводниковые адсорбционно-чувствительные датчики концентрации газов: учебное пособие, СПб, 1998 г.
- А.В.Евдокимов, М. Н. Муршудди, Б. И. Подлепецкий и др. Микроэлектронные датчики химического состава газов. -Зарубежная электронная техника: Москва, 1988 г., № 2, с.З.
- М.Ю.Никифорова, Б. И. Подлепецкий. Интегральные сенсоры концентраций газов. -Датчики и Системы, 2002 г., № 4, с. З 8.
- Дж.Фрайден. Современные датчики. Справочник. -Техносфера, Москва, 2006.
- Р.Г.Джексон. Новейшие датчики. -Техносфера, Москва, 2007.
- I.Lundstrom, M.S.Shivaraman, C. Svensson and L.Lundkvist. Hydrogen sensitive MOS field-effect transistor. -Applied Physics Letters, 1975, v.26, p.55.
- M.S.Shivaraman. Detection of H2S with Pd-gate MOS field-effect transistors. -Journal of Applied Physics, 1976, v.28, № 8, p.3592.
- F.Winquist, A. Spetz, M. Armgarth, C. Nylander and I.Lundstrom. Modified palladium metal oxide semiconductor structures with increased ammonia gas sensitivity. -Applied Physics Letters, 1983, v.43, p.839.
- K.Dobos, D. Krey and G.Zimmer. CO-sensitiv MOSFET with Sn02-Pd- and Pt-gate. -Proc. Int. Meet. Chemical Sensors, Fukuoka, Japan, 1983, 464.
- T.L.Poteat and B.Lalevie. Pd-MOS hydrogen and hydrocarbon sensor device. -IEEE Electron Devices Lett., EDL-2, 82, 1981.
- U.Ackelid, F. Winquist and I.Lundstrom. Metal oxide semiconductor structures with thermally activated sensitivity to ethanol vapour and unsaturated hydrocarbons. -Proc.2nd Int. Meet. Chemical Sensors, Bordeaux, France, 1986, 395.
- U.Ackelid, M. Armgarth, A. Spetz and I.Lundstrom. Ethanol sensitivity of palladium-gate metal oxide semiconductor structures. -IEEE Electron Devices Lett., EDL-7, 353, 1986.
- H.Dannetun and L.-G.Petersson. NO dissociation on polycrystalline palladium studied with a Pd-metal-oxide-semiconductor structure. -J.Appl.Phys., Vol.66, № 3, 1989.
- M.Armgarth, C.Nylander. Blister formation in Pd gate MIS hydrogen sensors. -IEEE Electron Devices Lett., EDL-3, 384, 1982.
- M.Armgarth, C. Nylander, C. Svensson, I.Lundstrom. Hydrogen induced oxide surface charging in palladium gate metal-oxide semiconductor devices. -J.Appl. Phys., 56, 2956, 1984.
- C.Nylander, M. Armgarth, C.Svensson. Hydrogen induced drift in palladium gate metal-oxide semiconductor structures. -J.Appl. Phys., Vol.56, № 4, 1984.
- A.B. Литвинов, И. Н. Николаев. Деградация характеристик МДП-сенсоров под действием H2S, N02 и Н2. -Метрология, 2005 г., № 8, стр. 41.
- Ю.А.Быковский, В. П. Козленков, И. Н. Николаев, Ю. А. Уточкин. Высокостабильный водородный сенсор на основе МДП-структуры. -Метрология, 1991 г., В.6, с. 30.
- Y.A.Bykovsky, V.P.Kozlenkov, I.N.Nikolayev, Y.A.Utochkin. A stabl, MIS-sensor for high hydrogen concentration detection. -Eurosensors V, 1991, Rome, Italy, p.343.
- Е.В.Жованик, И. Н. Николаев, Д. Г. Ставкин, Ю. А. Уточкин. Адгезия при лазерном напылении пленок. -Физика и химия обработки материалов, 1996, № 6, с. 72.
- Е.В.Жованик, И. Н. Николаев. Механизм адгезии при лазерном напылении пленок. -Физика и химия обработки материалов, 1998, № 6, с. 42.
- Е.В. Емелин, И. Н. Николаев, А. В. Соколов. Чувствительность МДП-сенсоров к содержанию различных газов в воздухе. -Измерительная техника, Датчики и системы, 2005, № 10, с. 37.
- С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. -Москва «Мир», 1984.
- И.Н. Николаев, Е. В. Емелин, А. В. Литвинов. Чувствительность МДП-сенсоров к концентрациям H2S и N02 в воздухе. -Сенсор, 2004, № 3, с. 37.
- Ю.А.Быковский, В. Г. Дегтярев, Н. Н. Дегтяренко, В. Ф. Елесин, И. Д. Лаптев, В. Н. Неволин. Кинетические энергии ионов лазерной плазмы, Журнал технической физики. -1972г., том XLII, в. З, с. 658.
- Е.В.Жованик, Р. М. Имамов, А. А. Ломов, И. Н. Николаев, Д. Г. Ставкин, В. М. Шевлюга. Исследование переходной области Pd-Si (lll) при лазерном напылении палладия. -Физика и химия обработки материалов, 1998, № 5, с. 48.
- Е.В.Жованик, В. С. Куликаускас, И. Н. Николаев. Структура переходной области Pd-Si (l 11) при лазерном напылении палладия. -Физика и химия обработки материалов, 1998, № 6, с. 42.
- И.Н.Николаев, П. О. Униченко. Чувствительность МДП-сенсоров к парам органических веществ. -Датчики и системы, 2006, № 3, с. 34.
- I.Lundstrom, M. Armgarth, L.-G.Petersson. Physics with catalytic metal gate chemical sensors. -Critical Reviews in Solid State fnd Materials Sciences, volume 15, issue 3, 1989.
- I.Lundstrom, H. Sundgren, F. Winquist, M. Eriksson, C. Krantz-Rulcker, A. Lloyd-Spetz. Twenty-five years of field effect gas sensor research in Linkoping. -Sensors and Actuators, B-121, 2007, p.247−262.
- V.I.Filippov, A.A.Terentjev, S.S.Yakimov. Electrod structure effect on the selectivity of gas sensors. -Sensors and Actuators, B-28, 1995, p.55.
- И.Н.Николаев, А. В. Литвинов, Е. В. Емелин. Механизм чувствительности МДП-сенсоров к концентрациям газов. -Датчики и системы, 2006 г., № 7, с. 66.
- D.Filippini, L. Fraigi, R. Aragon" U.Weimar. Thick film Au-gate field-effect devices sensitive to N02. -Sensors and Actuators В 81, 2002, pp.296.
- Е.В.Емелин, И. Н. Николаев, Д. А. Ноздря, А. В. Соколов. Особенности чувствительности МДП-сенсоров к аммиаку. -Сенсор, 2005 г., № 4, с. 7.
- И.Н.Николаев, А. В. Литвинов, П.Униченко. Способ измерений концентраций сероводорода и этилмеркаптана в их смеси в воздухе. -Измерительная техника, 2007 г., № 5, с. 41.
- А.В.Литвинов, И. Н. Николаев. О механизме чувствительности МДП-сенсоров к сероводороду. -Датчики и системы, 2005 г., № 8, с. 42.
- И.Н.Николаев, Р. Р. Галиев, А. В. Литвинов, Ю. А. Уточкин. Сенсорный селективный газоанализатор малых концентраций сероводорода. -Измерительная техника, 2004 г., № 6, с. 67.
- И.Н.Николаев, А. В. Литвинов, Т. М. Халфин. Автоматизированные газоанализаторы водорода в диапазоне 10~6 — 1.0 об.%. -Измерительная техника, 2004 г., № 8, с. 54.