Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Оптические, фотоэлектрические и фотохимические свойства сенсибилизированных композиций поливиниловый спирт — оксид цинка

Диссертация: Оптические, фотоэлектрические и фотохимические свойства сенсибилизированных композиций поливиниловый спирт — оксид цинка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Реакции фотовосстановления ионов благородных металлов и водорода на оксидах цинка и титана известны давно (см. гл.1). Данные о фотовосстановлении ионов свинца и олова на поверхности полупроводниковых катализаторов нами не обнаружены. Возможность протекания реакций фотовосстановления этих конов обусловлена их электронной структурой, которая также определяет их положение рядом 0 водородом… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Общая характеристика оксида цинка
      • 1. 1. 1. Методы получения
      • 1. 1. 2. Кристаллическая структура
      • 1. 1. 3. Дефекты структуры
      • 1. 1. 4. Основные физические характеристики
      • 1. 1. 5. Фотопроводимость
      • 1. 1. 6. Оптические свойства
      • 1. 1. 7. Фотохимические свойства
    • 1. 2. Общая характеристика ПВС
      • 1. 2. 1. Получение
      • 1. 2. 2. Структура
      • 1. 2. 3. Физические свойства
      • 1. 2. 4. Химические свойства
    • 1. 3. Фотографические системы на основе композиций ПВС-2пО
    • 1. 4. Выводы по первой главе
  • ГЛАВА 2. ОСНОВНЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ
    • 2. 1. Приготовление образцов
    • 2. 2. Измерение фотографических характеристик композиций ПВС-гпО
    • 2. 3. Измерение количества избыточного цинка в
    • 2. 4. Измерение спектров люминесценции и поглощения
    • 2. 5. Измерение проводимости и фотопроводимости
    • 2. 6. Техника рентгенофазового анализа
  • ГЛАВА 3. ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЕНСИБИЛИЗИРОВАННЫХ КОМПОЗИЦИЙ ПВС-гпО В ПРОЦЕССЕ С ПРЯМЫМ ПОЧЕРНЕНИЕМ
    • 3. 1. Характеристические кривые и фотографические параметры композиций ПВС-ЕпО, сенсибилизированных ацетатом свинца и сульфатом олова
    • 3. 2. Отклонение от закона взаимозаместимости освещённости и времени экспонирования
    • 3. 3. Спектральная зависимость фоточувствительности композиции НВС-гпО-РЬ (СН3СОО)
    • 3. 4. Действие воды и физических проявителей на экспонированные композиции
    • 3. 5. Зависимость фоточувствительности композиций ПВС-гпО-РЬ (СН3СОО)2 от температуры во время экспонирования
    • 3. 6. Старение композиций ПВС-ЕпО- РЬ (СН3СОО)г и регрессия полученного на них изображения
    • 3. 7. Рентгенофазовый анализ композиций ПВС-ЕпО/ТЮ2-РЬ (СН5СОО)
  • ГЛАВА 4. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЕНСИБИЛИЗИРОВАННЫХ КОМПОЗИЦИЙ тс-гпо, И ИХ КОМПОНЕНТОВ
    • 4. 1. Люминесценция оксида цинка
      • 4. 1. 1. Влияние различных видов обработки на люминесцентные свойства оксида цинка
      • 4. 1. 2. Определение природы центра зелёной люминесценции оксида цинка
      • 4. 1. 3. Разложение спектра люминесценции оксида цинка на элементарные составляющие по методу Аленцева-Фока
      • 4. 1. 4. Температурная зависимость люминесценции оксида цинка
      • 4. 1. 5. Зависимость интенсивности люминесценции оксида цинка от интенсивности возбуждения,
    • 4. 2. Оптические свойства плёнок ПВС с добавками ацетата свинца и сульфата олова,
    • 3. Спектры люминесценции композиций ПВС-ZnO и спектры поглощения слоев ZnO-ПВС
      • 4. 4. Исследование влияния условий обработки оксида цинка на электропроводность, люминесцентные и фотографические характеристики композиций nBC-ZnO-Pb (CH3COO)
      • 4. 5. Выводы по четвёртой главе,
  • ГЛАВА 5. ПРОВОДИМОСТЬ И ФОТОПРОВОДИМОСТЬ КОМПОЗИЦИИ ПВС-ZnO И ЕЁ КОМПОНЕНТОВ
    • 5. 1. Проводимость 1IBC и композиций ПВС-ZnO
      • 5. 1. 1. Температурная зависимость тока в плёнках ПВС и ПВС-ZnO
      • 5. 1. 2. Вольтамперные характеристики композиций ПВС-ZnO
    • 5. 2. Фотопроводимость оксида цинка и композиций ПВС-ZnO
    • 5. 3. Рассмотрение взаимосвязи между оптическими, фотоэлектрическими и фотохимическими свойствами композиций ПВС-ZnO
    • 5. 4. Выводы по пятой главе

Оптические, фотоэлектрические и фотохимические свойства сенсибилизированных композиций поливиниловый спирт — оксид цинка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

данной работы обусловлена возрастающей потребностью в средствах записи оптической информации. В ряде приложений главным требованием к используемым материалам являются малая стоимость и простота обработки. Классические галогенсеребря-ные материалы не обладают этими качествами. К настоящему времени они хорошо изучены и возможности их дальнейшего совершенствования, по-видимому, ограничены. В связи с этим возникает задача поиска новых фоточувствительных систем и изучения их свойств. Возможно, что для таких материалов могут быть разработаны принципиально иные методы усиления изображения, более удобные для практических целей, чем химическое проявление.

Интерес к фотопроцессам в композициях ПВС-гпО, сенсибилизированных ацетатом свинца и сульфатом олова, обусловлен, в первую очередь, ценными в практическом плане свойствами этих материалов. Они относятся к фотографическим системам с прямым почернением. Согласно теоретическим оценкам, предельная фоточувствительность материалов этого класса порядка 102 см2/дж [1]. По данным [2], значения фоточувствительности близкие к максимально возможному наблюдались на системах А§-РЫ2 и А§(С (1)Ыа1-СиНа1. В результате проведённых нами исследований установлено, что на композициях ПВС-гпО-РЬ (СН3СОО)2 может быть достигнута фоточувствительность, сопоставимая с предельно возможной для данного класса материалов величиной. Рассматриваемые составы имеют простую технологию приготовления и невысокую стоимость. Материалы, способныедавать прямое почернение, необходимы в тех областях репрографии, где требуется быстрая запись информации простым способом к нет жёстких требований по фоточувствительности, например, в запоминающих устройствах ЭВМ. Ценным свойством рассматриваемых составов является возможность проведения на них циклон запись — стирание информации. Указанные моменты определяют практическую значимость работы.

Известные фотографические системы с физическим проявлением на основе оксидов цинка и титана обладают наибольшей фоточувствительностью (до Ю7 см2/дж) среди несеребряных материалов [3]. Изучение первичных фотохимических процессов в них затруднено, так как эти процессы в значительной мере маскируются на стадии проявления. Рассматриваемые композиции с прямым почернением в определённой степени могут служить модельными объектами при исследовании первичных фотохимических реакций в указанных системах.

Выбор объекта и методов исследования. Основное внимание в работе уделяется изучению фотохимических свойств композиций ПВС-гпО-РЬ (СН3СОО)2 и ПВС-7л0−8п804. Кроме этого рассмотрены оптические свойства этих композиций и их компонент, а также фотопроводимость слоев гпО-ПВС. Фотохимические превращения, люминесценция и фотопроводимость являются взаимосвязанными явлениями, возникающими в результате взаимодействия света с твёрдым телом. В их основе лежит ряд общих микропроцессов, которые определяют особенности всех трёх указанных макроскопических эффектов. Поэтому представляет интерес их совместное рассмотрение.

Композиции ПВС-гпО-РЪ (СН3СОО)2 и ПВС-Еп0-Зй804 являются представителями целого класса фоточувствительных материалов. К этому классу можно отнести составы., основу которых составляет дисперсия полупроводника в органическом связующем. Первыми в этом семействе были изучены композиции ПВС-ЕпО в процессе с физическим проявлением [4]. Затем было установлено, что характеристики этих материалов можно значительно улучшить, если перед экспонированием обработать их раствором соединений серебра или меди, т. е. произвести так называемую химическую сенсибилизацию [3,5]. Такие материалы в отличие от несенсибилизированных при достаточно большой экспозиции могут давать прямое почернение. Однако их фотографические характеристики в процессе с прямым почернением неудовлетворительны. Композиции, обработанные компонентами медного физического проявителя, в процессе с прямым почернением дают изображение с малой контрастностью и невысокой максимальной оптической плотностью почернения.? композиции ПВС-гпО, сенсибилизированной нитратом серебра, наблюдается быстрое вуалеобразование, как и у композиции сенсибилизированной соединениями золота [б]. Нами было обнаружено, что композиции сенсибилизированные раствором сульфата индия шш олова или раствором ацетата свинца имеют удовлетворительные фотографические характеристики в процессе с прямым почернением. Из трёх указанных соединений ацетат свинца наиболее удобен в работе.

Согласно полученным нами предварительным результатам, в качестве саязующего кроме ЛВС могут быть использованы поливинил-ацетат и желатина. При использовании же таких материалов как латекс или полистирол фотографический эффект не наблюдался, также как и в системе 2пО-РЬ (СН3СОО)2 без связующего. ИБС имеет простую структуру и удобен в применении. Для работы могут быть выбраны различные его сорта, физические и химические свойства которых хорошо известны. Эти качества определили применение ИБС как связующего.

При использовании вместо оксида цинка таких соединений как В1203, ТЮ2(рутил), Сс18 и У205 нами наблюдался более слабый фотографический эффект чем с 2иО. Фотографические характеристики композиций на основе ТЮ2(анатаз) лучше чем у композиций с оксидом цинка. Однако в качестве модельного объекта для исследований нами был выбран состав с 2п0. Это сделано потому, что оксид цинка, в отличие от оксида титана, обладает хорошими люминесцентными характеристиками и лучше изучен.

Исследованию свойств оксида цинка посвящено большое количество работ, наиболее полные обзоры которых содержатся в [7−10]. Давно известна фотохимическая активность оксида цинка. В [11] дан один из первых обзоров фотохимических свойств 2пО. Материалы на его основе широко используются в ксерокопировании. Полученные другими авторами обширные данные помогают глубже понять свойства этого соединения, увидеть взаимосвязь между различными наблюдаемыми явлениями, осознать имеющиеся трудности и чётко сформулировать задачи исследования. Оксид цинка обладает во многом уникальными физическими и химическими свойствами. Этими свойствами можно управлять в широких пределах, подвергая оксид цинка различным видам обработки. Во многом благодаря этому ценному качеству оксид цинка привлекает к себе пристальное внимание исследователей и является модельным объектом различных научных теорий.

Твердофазную фотохимическую реакцию можно условно разделить на четыре составляющие: 1) генерация электронных возбуждений, 2) перенос электронных возбуждений, 3) локализацию электронов и дырок и 4) перестройку ядерной подсистемы твёрдого тела. Аналогично можно выделить три стадии в явлении люминесценции: 1) генерация электронных возбуждений, 2) перенос электронных возбуждений и 3) излучательная рекомбинация. В составе этих явлений имеются одинаковые стадии. Изучая одно явление, можно сделать заключение о механизмах протекания другого. Поэтому совместное изучение люминесцентных и фотохимических свойств является полезным при рассмотрении процессов, протекающих в системе под действием света. Особенности переноса зарядов наиболее полно проявляются в явлениях проводимости и фотопроводимости. Указанные моменты определили содержание работы.

Новизна: Полученные в работе результаты позволяют выделить новый класс фоточувствительных материалов, имеющих следующие отличительные признаки. 1) Наличие полупроводника поглощающего излучение и преобразующего световую энергию в энергию электронных возбуждений. 2) Наличие органической матрицы передающей эту энергию от полупроводника к реагентам. Кроме этого матрица, по-видимому, оказывает существенное влияние на протекание твердофазной химической реакции, 3) В самой системе должно находиться достаточное количество компонента, способного образовывать изображение. Известные ранее системы не обладали в полном объёме всеми этими признаками.' В научной литературе обычно рассматриваются фотохимические процессы, происходящие на границе полупроводника и жидкой или газовой фазы. В тех же случаях когда используются дисперсии полупроводника в твёрдой матрице, содержание химически активного компонента настолько мало, что для получения видимого изображения требуется стадия химического проявления.

Автором настоящей работы обнаружены и изучены фотографические свойства композиций поливиниловый спирт (ПВС)-2пО-РЬ (СН3СОО)2 и 11ВС" 2М>-чМЮ4, в процессе с прямым почернением. Исследовано влияние поливинилового спирта на фотопроводимость оксида цинка. Рассмотрена взаимосвязь между фотопроводимостью и фотографическими свойствами композиций ПВС-2пО, влияние термической обработки 2"0 и температуры, при которой производилось экспонирование, на фотографические свойства этих материалов. Установлено что почернение происходит в результате фотовосстановления ионов металла, Изучены процессы регрессии изображения и старения композиции ПВС-гпО-РЬ (СН3СОО)2. На основании теории точечных дефектов было дано объяснение имеющемуся в литературных данных противоречию относительно взаимосвязи между концентрацией избыточного цинка в гиО и интенсивностью его зелёной люшшесцойцяи.

Основные защищаемые положения:

1. При облучении ультрафиолетовым светом композиции ПВС-2пО-РЬ (СН3СОО)2 в ней происходит образование микрокристаллов свинца, в результате чего наблюдается почернение материала. Под действием влаги в экспонированной композиции ПВС-2йО-РЬ (СН3СОО)3 происходит окисление фотолитического металла и почернение исчезает.

2. Фоточувс т вительность 803 композиции ПВС-2пО-РЬ (СН3СОО)2 возрастает с увеличением температуры, при которой производилось экспонирование в диапазоне 270+350 К.

3. При взаимодействии ПВС с оксидом цинка, на поверхности последнего образуются глубокие ловушки для фотодырок.

4. В композиции ПВС-гпО, сенсибилизированной ацетатом свинца, в определённом интервале экспозиций наблюдается невзаимозамести-мосгь освещённости Е и времени экспонирования I, что обусловлено.

9 л* ТТ нелинейностью фотоэлектрических свойств оксида цинка. Прямолинейный участок характеристической кривой этого материала описывается формулой: где Б — оптическая плотность почернения, у — коэффициент контрастности, j — фактор инерции. Люк с-амперная зависимость слоев оксид цинка — поливиниловый спирт в том же интервале экспозиций имеет вид: 1~Еа где I — фототок. Коэффициент, а в обеих формулах одинаков и имеет значение 0.3+0.5.

Основные выводы, но р&Ьоте.

1. При облучении ультрафиолетовым светом композиций ПВС-йО-РЬ (СН3СОО>2, происходит выделение металлического свинца, что приводит к почернению образца.

2. Значения фотографических параметров композиций ПВС-ЕпО-РЬ (СН3СОО)2 и ПВС-гп0"8п804 в процессе с прямым почернением: 1)'смх=0.6+1.2, Зо. з^О.]. см'/Дж, 7=0.3+0.5. Вуаль отсутствует.

3. В композиции ПВС-2пО, сенсибилизированной ацетатом свинца или сульфатом олова, в определённом интервале экспозиций наблюдается отклонение от закона взаимозаместимостн освещённости Е и времени экспонирования I, что обусловлено нелинейностью фотоэлектрических свойств оксида цинка. Прямолинейный участок характеристической кривой этих материалов описывается формулой:

0= ухЩЕах1)+] где I) — оптическая плотность почернения, у — коэффициент контрастное га, ] - фактор инерции. Коэффициент а, определяющий характер отклонения от закона взаимозаместимости, имеет значение 0.4+0.5.

4. Фоточувствительность 302 композиции ПВС-2пО-РЬ (СН3СОО)2 возрастает с увеличением температуры, при которой производилось экспонирование, в диапазоне 270+350 К.

5. Наибольшая фоточувствительность наблюдается при возбуждении в собственной полосе поглощения оксида цинка (?,<400 нм). Заметная фоточувствительность наблюдается так же в области поглощения дефектов.

6. Прямое почернение, полученное на композициях ПВС-гпО, сенсибилизированных ацетатом свинца и сульфатом олова, исчезает под действием влаги. При 78% влажности и комнатной температуре для первой из них наблюдается экспоненциальный спад оптической плотности 1) с течением времени I- 1)=1)0хехр (-1/т) с характерным временем т=60 часов. После уничтожения почернения на композициях ПВС-гпО-РЬ (СН3СОО)2 и ПВС-гп0−8п804 под действием влаги можно провести повторную запись.

7. Увеличению интенсивности зелёной люминесценции оксида цинка способствует обработка в восстановительных условиях, в результате чего происходит отклонение от стехиометрического состава образца в сторону избытка цинка.

Согласие между теоретическими представлениями и экспериментальными данными о взаимосвязи между интенсивностью зелёной люминесценции, количеством избыточного цинка и температурой прогрева образца имеет место в том случае, если принять что основным типом собственных точечных дефектов, возникающих при термической обработке оксида цинка, является межузельный цинк, а центром зелёной люминесценции — кислородная вакансия.

8. На композициях ПВС-ЕиО, при напряжённости электрического поля 102<Е<103 В/см, наблюдаются вольт — амперные характеристики вида: 1~и1+а (а>0). У композиций, приготовленных из исходного оксида цинка, а=0.7. У композиций, приготовленных из 2пО, подвергнутого восстановительной обработке, а=0. Образцы, обладающие не.

Ы М V* U «линеинои вольт — амперной характеристикой, имеют лучшие фотографические свойства, чем образцы с линейной вольт — амперной характеристикой.

9. Фотографические характеристики у композиций с преобладающей люминесценцией в жёлтой области хуже, чем у образцов, люминес-цирующих преимущественно в ультрафиолетовой и зелёной областях спектра. Не обнаружена чёткая корреляция между интенсивностью люминесценции в синей и зелёной областях спектра сенсибилизированных композиций HBC-ZnO и их фотографическими характеристиками в процессе с прямым почернением.

10. Зависимость фототока I в оксиде цинка от освещённости Е в диапазоне освещённостей 10 2−1,0 Вт/см" описывается формулой: 1~Еа, где а=0.5 у образцов с составом близким к стехи о метрическому, и а=0.3 у образцов содержащих избыток цинка.

11.Нанесение ПВС на поверхность плёнки оксида цинка приводит к увеличению характерных времён нарастания и спада фототока, а так же величины стационарного фототока в ZnO. Это обусловлено тем, что при взаимодействии IIBC с оксидом цинка на поверхности последнего образуются глубокие центры захвата фотодырок с малым сечением последующего захвата электронов, что приводит к увеличению времени жизни свободных электронов и усилению восстановительной активности поверхности оксида цинка. Темновая проводимость плёнки ZnO при этом не изменяется.

12.Спад фототока в плёнке оксида цинка с нанесённым на неё слоем ПВС описывается кинетической зависимостью вида. I=exp (-kxt^), где (3=0.7. Смачивание водой этой системы после экспонирования приводит к ускорению протекающей в ней рекомбинации электронно-дырочных пар, в результате чего происходит уменьшение характерного времени спада фототокз.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

О механизме фоточувствительности композиций ПВС-2пО, сенсибилизированных ацетатом свинца и сульфатом олова.

В п. 5.3 пятой главы, был рассмотрен возможный механизм фотохимических превращений в сенсибилизированных композициях ПВС-2п0, заключающийся в восстановлении ионов металла — сенсибилизатора свободными электронами, возникшими при облучении оксида цинка. Однако открытым остаётся вопрос о том, почему вообще происходят эти превращения. В данном разделе приводятся некоторые соображения на этот счет.

Реакции фотовосстановления ионов благородных металлов и водорода на оксидах цинка и титана известны давно (см. гл.1). Данные о фотовосстановлении ионов свинца и олова на поверхности полупроводниковых катализаторов нами не обнаружены. Возможность протекания реакций фотовосстановления этих конов обусловлена их электронной структурой, которая также определяет их положение рядом 0 водородом и благородными металлами в электрохимическом ряду напряжений. Этот ряд соответствует возрастанию стандартного электрохимического потенциала при переходе от неблагородных металлов к благородным в водных растворах. В рассматриваемой системе ионы металлов находятся в твёрдой органической матрице. Их электронные состояния принято описывать локализованными волновыми функциями и дискретными уровнями энергии. Можно предполагать, что работа выхода электрона, захваченного в такое состояние, будет больше для элементов, стоящих правее в электрохимическом ряду напряжений. Точного соответствия при этом ожидать нельзя, так как энергия ионизации должна зависеть от особенностей взаимодействия конкретного иона с его окружением, однако общая закономерность должна сохраняться.

Согласно общим представлениям [130], можно ожидать протекания реакции фотовосстановления адсорбированных на поверхности полупроводника ионов металла, если они образуют уровни электронноакцепторного типа в его запрещенной зон". Если эти приыееные уровни, расположены ниже уровня химического потенциала полупроводника, то восстановление панов мсгалла будет набшда^ьса и в темноте. Примером такой системы может служить композиция TXBC-ZnO, яенси-бг&зшфэвгяиая нитратом серебра, в котэр-ой ос-вещ синя наблюдается быстрый роет вуали В композиций, соншбшшзировшиой компонентами медного физического проявителя, этот процесс тоже наблюдаете", но пронсходят медленнее. Можно предполо-тпть., птс г. .

Подходящее расположение примусных уровней не является единственным условием эффективного нретекаиич fотоэшмкческогс процесса. такжз чтобы прокежодило гтрозтршств<�шг?оо разделение электроннс-дырочныж ш. р, и чтобы веесгяиовктеяыпа реакция депо. инаиась окиолительньш процессом |Ш]. Аналогичные условия выполняются и в галогеисеребряных фотографическая материалах [146]. Каи" бы фотоБосстян^влеш-п металла т поверхности не сопровождалась захватом фотодырок, то происходила бы возникновение двойного слоя, электрическое попе которого препятетво’зяло бы протеканию реакции. Роль акцептора фотсдырок обычно выполняет связующе? юта адсорбированные на поверхности частицы. Данные по кинетике фотопроводимости плёнок оксид? цинка на воздухе и в ПВС показывают, что ПВС может акцептировать фотодырки (п. 5.2. гл.5). При замене НВС на иоливинилацетат (ПВА) фоточувствитальиость несенсиби-лизированной композиций, а также композиций, сенсибилизированных сульфатом олова и компонентами медного физического проявителя, значительно ухудшается. Фоточуаствительность композиций ЙВС-ЗйЮ и. ПВА-2110, сенсибилизированных ацетатом свинца практически одинакова. Это можно объяснить тем, что ацетатная группа СН3СОО" сама может эффективно захватывать фотодыркн. В литературе имеются указания на ю., что это действительно так 1.1.301.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Перспективы и возможности несеребряной фотографии. Под ред. А. Л. Картужанского. Л.: Химия, 1988. 240с.
  2. Несеребряные фотографические процессы. Под ред. А.Л. Картужан-ского. Л.: Химия, 1984. 376с.
  3. С.П., Кунцевич Н. И. О фотографических свойствах слоев на основе окиси цинка. II Журн. науч. и прикл. фото- и кинематографии. 1977. Т.22. • № 4. — С.140−141.
  4. Berman Е. Reduction reactions with irradiated photoconductors. // Photogr. Sci. Eng. 1969. V.13. — P.50−53.
  5. Н.Ф., Шипина B.H. // А.с. СССР, № 536 460. 07.04.75. — БИ № 43. — 1976.
  6. Broun Е.Н. Zinc oxide: Properties and applications. N.Y.: Pergamon press, 1976. 112p.
  7. Hirschwald W., Bonasewicz P., Ernst L. et ai. Zinc oxide: Properties and behavior of the bulk, the solid/vacuum and solid/gas interface. // Current topics in materials science, 1981. V.7. — P.142−482.
  8. Hailand G., Moll wo E., Stockhraann E. Electronic processes in zinc oxide. Solid State Phys., 1959. V.8. — P 191−323.
  9. И.П., Никитенко В. А. Окись цинка. Получение и оптические свойства. М.: Наука, 1984. 16бс.
  10. Battacharya А.К., Dhar N.R. Quart. J. Indian Chem. Soc., 1927. № 4. -P.299−306.
  11. Haase M., Weller H., Henglein A. Photochemistry and radiation chemistiy of colloidal semiconductors: Electron storage on ZnO particles and size quantization. II J. Phys. Chera. 1988. V.92. — N2. — P.484−487.
  12. Bahnemann D.W., Kormann C., Hoffmann M.R. Preparation and characterization of quantum size zinc oxide: a detailed spectroscopic study. // J. Phys. Chem. 1987. V.91. — № 14. — P, 3789−3798,
  13. Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир, 1969. 654с.
  14. Электроотрицательность элементов и химическая связь. Новосибирск.: Издательство СО АН СССР. 1962. 28с.
  15. Scharowsky A. Optische und Electrische Eingenschaften von ZnO-Einkri stall en mit Zn-Ubeschup. II Ztschr. Phys. 1963. Bd.135. — S.318−339.
  16. Mohanty G., Azaroff L. Electron Density Distributions in ZnO Crystals. II J. Chem. Phys. 1961. V.35. — № 4. — P.1268−1270.
  17. Hatson A.R. Hall effect of doped zinc oxide single crystals. II Phys. Rev. 1957. V.108. — P.222−230.
  18. Hagemark K. L, Chacka L.C. Electrical transport properties of Zn doped ZnO. II J. Solid State Chera. 1975. V.15. — P.261−270.
  19. В.А., Стенли С. А., Морозова H.K. Диаграмма равновесия собственных точечных дефектов и отклонение от стехиометрии оксида цинка. И Неорг. матер. 1988. Т.24. — № 11, — С.1830−1835.
  20. Н.К. Собственно-дефектные структуры соединений ZnBVI. II Неорг. матер. 1991. -Т.27. № 7. С.1375−1380.
  21. Hagemark К.J., Toren Р.Е. Determination of excess Zn in ZnO. // J. Elec-trochem. Soc. 1975. V.122. — P.992−994.
  22. И.Л., Никитенко В. А., Терещенко А. И. и др. Влияние условий выращивания и легирования на некоторые оптические свойства монокристаллов окиси цинка. В кн. Гидротермальный синтез и выращивание монокристаллов. М.: Наука, 1982. С.40−68.
  23. В.А. Оптические свойства монокристаллов окиси цинка, полученных разными методами газотранспортных реакций. II Автореф. дисс.. канд. физ.-мат. наук. М.: МИСиС. 1975.
  24. Thomas D.G. The diffusion and precipitation of indium in zinc oxide, if J. Phys. and Chem. Solids. 1958. V.9. — P.31−42.
  25. Hada Т., Wasa K., Hayakawa S. Structures and electrical properties of zinc oxide films prepared by low pressure sputtering system. // Thin Solids Films. 1971. V.7. — P.135−45.
  26. Thomas D.G., Lander Y.Y. Hidrogen as a donor in zinc oxide, if J. Chem. Phys. 1956. V.25. — P.1136−1142.
  27. Lander Y.Y. Reactions of lithium as a donor and acceptor in ZnO. // J. Phys. and Chem. Solids. 1960. V.15. — P.324−334.
  28. Shulz M. ESR experiments on Ga donors in ZnO crystals. II Phys. Status Solidi. A. 1975. V.27.- № 1. -K5-K8.
  29. Kasai P.H. Electron spin resonance studies of donors and acceptors in ZnO. //Phys. Rev. 1953. V.130. — P.989−995.
  30. Misokawa YNakamura S. Electron spin resonance study of the g=1.96 signal of zinc oxide. //Jap. Appl. Phys. 1977. V.16. — № 6. — Р.1073−1074.
  31. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа. 1982. 375с.
  32. А.Н. Видимая люминесценция ZnO. // Краткие сообщения по физике. 1984. № 8. — С.3−6.
  33. Muller G. Hellig R. Uber Den Einbau von Kupfer in ZnO Einkristallen. // J. Phys. and Chem. Solids. 1971. V.32. — P.1971−1977.
  34. Muller G. Optical and electrical spectroscopy of zinc oxide crystals simultaneously doped with copper and donors. // Phys. Status Solidi. B. 1976. -V.76. P.525−532.
  35. Simita M. Photoconductive Effect of ZnO-Cu Crystalls. II Japan J. Appl. Phys. 1967. V.6. — № 3. — P.418−419.
  36. Hausmann A., Shreiber P. Electron spin resonance of divalent copper in zinc oxide. II Solid State Commun. 1969. V.7. — № 8. — P.631−633.
  37. В.Д. Оптические свойства и электронный парамагнитный резонанс локализованных дефектов в окиси цинка. Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук. М.: МИЭТ. 1977.
  38. Hausmann A., Huppertz H. Paramagnetic resonance of ZnO Mn44 single crystals. // J. Phys. and Chem. Solids. 1968. V.29. — P. 1369−1375.
  39. Walsch W.M., Rupp L.W. Paramagnetic resonance of trivalent FeJ+ in zinc oxide. // Phys. Rev. 1962. V.126. — P.952−955.
  40. Г., Хаусман А., Зандер В. Электронная структура точечных дефектов. М.: Атомиздат. 1977. 205с.
  41. Bhushan S., Diwan Deepti. Photoconductivity of rare earth doped ZnO. // J. Mater. Sei. Lett. 1986. V.5. — № 7. — P.723−724.
  42. Физические величины: Справочник. Под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е. З. М.: Энергоатомиздат, 1991. С. 479.
  43. Norman V.J. The nonstechiometry and electrical conductivity of pink zink oxide. // Australian J. Chem. 1976. V.29. — № 5. — P.1099−1100.
  44. Mollwo Е. Electrical and Optical Properties of ZnO. // Photoconductivity conference. Held at Atlantic City. Nov. 4−6. 1954. N.-Y. John Wily & Sons inc. London Chapman & Hall ltd. 1956. P.529−52,8.
  45. Heiland G. Leitfahigkeitsunderungen dunner ZinkOxyde-Schichten durch Elektronenbeschtrahlung. // Zeitschrift fur physik. 1952. Bd.132. — H.3. -S.354−366.
  46. Heiland G. Zum Energiumsatz bei Light oder Elektronenbeschtrahlung dunner ZinkOxyde-Schichten. // Zeitschrift fur physik. 1952. Bd.132. — H.3. -S.367−383.
  47. Weiss H. Zur Lihtelektrichen Leitfahigkeit von Zinkoxid. // Zeitschrift fur physik. 1952. Bd.132. — H.3. — S.335−353.
  48. M.A. О механизме отрицательной фотопроводимости оксида цинка. // Укр. Физ. журн. 1978. Т.23. — № 12. — С.2000−2002.
  49. М.П., Трухан Э. М. Длинноволновая фотопроводимость окиси цинка. /У Тр. МФТИ. Сер. Общая и молекулярная физика. № 9. М.: 1977. С.213−219.
  50. Ristov M., Sinadinovski Gj., Mitre ski M. Slow response photoconductivity of chemically deposited ZnO thin film. И Год. зб. Прир.-мат. фак. Ун-т
  51. Скоп.е. Физ. 1989. Т.39. — С.67−73.
  52. .А., Семилетов С. А., Шаихов Д. А., Рабаданов Р. А. Исследование кинетики фотопроводимости поликристаллических плёнок окиси цинка. IIВ сб. Физика твёрдого тела. Махачкала. 1976. С.40−44.
  53. Nitzan М., Burshtein Z. Photoconductivuty lifetimes in ZnO single crystals. II Phys. Status Solidi A. 1980. V.58. — № 2. — K141-K144.
  54. Vodenicharova M., Jensen G. Photosensitization of ZnO single crystals by means of dyes. Ill, Phys. and Chem. Solids. 1975. V.36. — № 11. — P.1241−1247.
  55. В.А., Черкасов К).А., Черкашин М. И. Сенсибилизированный фотоэффект. М.:Наука, 1980. 384с.
  56. Л.Н., Акимов И. А. Исследование СВЧ-методом фотопроводимости окиси цинка, сенсибилизированной красителем через плёнку диэлектрика. // Журн. науч. и прикл. фото- и кинематографии. 1975. -Т.20. № 4. — С.289−290.
  57. М.Т. // J. Phys. Chem. 1986. V.90. — № 10. — Р.2156−2159.
  58. Э.М. Измерение фотопроводимости влажных образцов на С’ВЧ. II Тр. МФТИ. 1979. -№ 11. С.123−125.
  59. М.Ю., Смолинский E.C., Кунецкий М. Г. Оптические свойства мелкодисперсной окиси цинка в широком интервале температур. II ЖПС. 1971. Т.14. — С.906−910.
  60. В.К., Коваленко Н. А. Поглощение окиси цинка в инфракрасной области спектра. II Опт. и спектр. 1958. Т.5. — В.5. — С.614−617.
  61. В.Н. Электронные полосы поглощения ZnO и Ti02 в инфракрасной области спектра. // Опт. и спектр. 1958. Т.5. — С.614−617.
  62. Bocuzzi F., Ghiotti G., Chiorino A. Metal-semiconductor interaction: effect of H2 chemisorption on the IR transparency of the Cu/ZnO system. // Surface Sei. 1987. V.183. — № 1−2. L285-L289.
  63. Collins R.J., Kleinmann D.A. Infrared reflectivity of zinc oxide. H J. Phys. and Chem. Solids. 1959. V.ll. — P.190−194.
  64. Finkenrath BL, Krrug K., Uhle N. Optical absorption by free polarons in ZnO. //Phys. Status Solidi. B. 1976. V.78. — P. IC27-K30.
  65. В.А., Малов M.M. Очувствлённая ультрафиолетовая люминесценция монокристаллов окиси цинка. // Изв. Вузов. Физика. 1975.- № 2. С.50−55.
  66. В.А., Малов М. М., Пасько П. Г., Чёрный В. Д. Фиолетовая люминесценция монокристаллов окиси цинка. /7 ЖПС. 1974. Т/21.- С.835−839.
  67. Kroger F.a., Fink iii The origin of the fluorescence in self-activated ZnS, CdS and ZnO. // J. Chem. Phys. 1954. V.22. — P.250−252.
  68. Mollwo E. Uber den Zuzammenhang Zwischen der Electrischen Dunkel-leitfahigkeit und der Grunen Lumineszenz von ZnO-Krystallen. // Ztschr. Phys. 1961. Bd.162. — S.567−569.
  69. M.M. Свечение терморегулирующих покрытий на основе ZnO космических аппаратов под действием электронов. II Неорг. матер. 1993. Т.29 — № 3. — С, 369.
  70. Liu М., Kitai А.Н.Г Mascher P. Point defects and luminescence centers in zinc oxide and zinc oxide doped with manganese. II J. Luminescence. 1992. -V.54. P.35−42.
  71. г. А. Люминесценция и электрические свойства окиси цинка. // Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук. Томский гос. университет 1952.
  72. Eraser LJ., Germer R.K.F., Shulz H.J. E., et al. Fine structure and zeeman effect of the exited state of the green emitting copper center in zinc oxide. // Solid State Electronics. 1978. ?.21. — № 11/12. — P.1597−1602.
  73. Dean PJ, Robbins D.J., Bishop S, G. et al The optical properties of copper in zinc oxide, // J. Phys. C.: Solid State Phys. 1981. ?.14. № 20. P.2847−2858.
  74. Robbins D.J., Herbert B.C., Dean P.J. The origin of the a, p, y, blue no-phonon transitions in ZnO: Cu a deep level proublem. // J. Phys. C.: Solid State Phys. 1981. ?.14. — № 20. — P.2859.
  75. Жуковский M.B.S Оконечников Л. П., Гаврилов Ф. Ф. Природа и параметры центра зелёной люминесценции керамики оксида цинка. // ЖПС. 1988. Т.49, — № 6. — С.1007−1010.
  76. Dingle R. Luminescent transitions associated with divalent copper impurities and the green emission from semiconducting zinc oxide. // Phys. Rev. Lett. 1969. -?.63. P.579−581.
  77. Я.М., Жуковский A.II. О жёлтой люминесценции окиси цинка. // Опт. и спектр. 1961. Т.Н. -В.З. — С.212−215.
  78. Ю.М., Зеликин Я. М. О природе центров жёлто-оранжевой люминесценции окиси цинка. II Опт. и.спектр. 1969. Т. 27. -В.З. — С.515−516.
  79. Ю. М. Зеликин Я.М. О красной полосе люминесценции окиси цинка. // Опт. и спектр 1970. Т.28. — В.5. — С.961−963.
  80. С. Д." Зеликин Я. М., Соловьёва А. А. О влиянии железа на формирование центров красной люминесценции окиси цинка // ЖФХ. 1976. Т.50. — С.1332−1333.
  81. Gobreht H. f Hann D., Da mm aim Н. Die Abklingung von Kalzium-wolframat und Zinkoxyd Phosphoren bei Elektronenstrahlanregung. II Zeitschrift fur physik. 1952. B.132 — H.3. — S.239−247.
  82. Skettrup T. Decay times of the ultraviolet and green emission lines in ZnO. II Solid State Comm. 1968. ?.6. — P. 589−592.
  83. Maeda К. Some characteristics of zinc oxide phosphors. // Bull. Chem. Soc, Japan. I960. V.33. — № 4. — P. 456−460.
  84. Nicoll F.H. Temperature Dependence of the Emission Bands of Zinc Oxide Phosphors. //JOSA. 1948. ?.38. — № 9. — P.817.
  85. Зеликин Я. М, Парачева Г. Т. Об особенностях термолюминесценции окиси цинка. II Опт. и спектр. 1962. Т.13. — В.4. — С.554.
  86. А.А., Жуков Г. В. Влияние препаративных условий на формирование электронных ловушек в люминесцирующей окиси цинка. // Опт. и спектр. 1967. Т.22. — B. L — С. 103.
  87. Шалимова К В., Никитенко В. А., Пасько П. Г. Параметры ловушек и видимая люминесценция монокристаллов окиси цинка. /7 Опт. и спектр.1975. -Т.39. С.597−598.
  88. В.А., Горбань А. Н. Люминесценция и адсорбция. М.: Наука, 1969. 188с.
  89. Idriss Н., Barteau М.А. Photoluminescence from zinc oxide powder to probe adsorption and reaction of 02, CO, H2, HCOOH and CH3OH. II J. Phys. Chem. 1992. VM, — № 8. — P.3382−3388.
  90. Gmelins Handbuch. Der anorganischen chemie. 8 A ullage. Zink, arganzungsband. № 32. — B, 815−816.
  91. Winter G., Wittem R.N. Fluorescence and photochemical activity of zinc oxide.// Australia Dept. Supply and Deveiopm., Paint Notes (1949) ?.4. -P.252−261,
  92. А.Ю., Мясников Й. А., Саввин II.H. Фоторазложение паров воды на окиси цинка.// ЖФХ. 1986. Т.60. — № 4. — С.978−981.
  93. А.Ю., Мясников H.A., Саввин H.H. Фотокаталитическое разложение поров воды на ZnO, активированном добавками металла.// ЖФХ. 1985. Т.59. — Ш. — С.2067−2068.
  94. В.И., Шуб Д.М. Механизм фотосенсибилизированного окисью цинка образования перекиси водорода и флуоресцентные свойства окиси цинка. Проблемы кинетики и катализа УШ Электронные явления в катализе и адсорбции. М.: 1955. С.43−52.
  95. Beraas A.A. Few Cases of Electron Emission and Transfer in Heterogenous Media.//J. ofPhys. Chem. 1964. V.68. — № 8. — P.2047−2052.
  96. Calvert J.G., Theurer K" Rankin G.T. MacNevin W. A Study of the Mechanism of the Photochemical Synthesis of H202 at ZnO Surfaces.// JACS. 1954. V.76. — № 9. — P. 2575−2578.
  97. Marcham M.C., Laidler K.J. A kinetic study of photo-oxidations on thesurface of zinc oxide in aqueous suspensions.// The Journal of Physical Chemistry. 1953. ?.57. — № 3. — P.363−369.
  98. Rubin T.R., Calvert J.G., Rankin G.T. MacNevin W, Photochemical Synthesis of Hydrogen Peroxide at Zinc Oxide.// Journal of American Chemical Society. 1953. V.75. — № 12. — P.2850−2853.
  99. Marcham M.C., et al. Factors Influencing the Oxidation of Phenols, Catalazed by ZnO and Light.// JACS. 1954. V.76. — № 3. — P.820−823.
  100. Cobb R.J., Malati M.A. Phoiocatalysed decomposition of potassium permanganate solution. // Reactions Kinetics and Katalisis Letter. 1982, -V.21. № 3. -P.397−401.
  101. Darwent J., Lepre A. Photo-oxidation of metil orange sensitized by zinc oxide. Part 1 Mechanism. // J. Chem. Soc. Faraday Trans. Pt.2,1986. V.82. — N.9. -P.1457−1468.
  102. J.H. /7 Caial. Rev. 1973. V.8. — P.135.
  103. Cunningham J., Samman N. Flash-Initiated Surface Reaction on Zinc Oxids and Titanium Dioxide Studied by Dynamic Mass Spectrometry.// Dynamic Mass Spectrometry 1976. V.4. — Ch.17.
  104. B.C., Лисачонко, А А. Механизм фотоактивации изотопного обмена 02 адсорбированного на ZnO, II Хим. физ. 1987. Т.6. — № 5. -С.661−671.
  105. B.C., Лисаченко А. А., Климовский А. О. Образование высокоактивных форм кислорода при фотоадсорбции на ZnO. // Хим. физ. 1982. T.I. — № 11. — С.1525−1528.
  106. Domenech J, Prieto A. Photoelectrochemical reduction of Cu (B) ions in illuminated aqueous suspensions of ZnO. // Electrochem. Acta. 1986, V.31. -№ 10. — P.1317−1320.
  107. B.M., Саркисян А. Г., Акопян P.С. Исследование фотоанодов, изготовленных из частично восстановленного оксида цинка. // Ред. журн. Электрохимия. М., 1988. 11с. Деп. в ВИНИТИ 21.04.88. № 3073 В88.
  108. Фатеев В Н., Кондратьев В. А., Пахомов В.II. Закономерности фотовосстановления ионов металлов на поверхности окиси цинка. //Журн. науч. и прикл. фото и кинематографии, 1982. Т 27. — № 4. — С.284.
  109. Dupont-Pavlovsky N., Caraip F. Dissociation of nitrous oxide over zinc oxide samples with different excess zinc contents. /7 J. Catal. 1977. V.46. -№ 3. «P.426−430
  110. Н.Й., Свиридов В. В. Влияние примесей на сенсибилизацию ZnO реакции фотолиза азотнокислого серебра в растворе.// Изв. ВУЗов. Химия и химическая технология. 1967. Т.10. — № 1. — С.8−12.
  111. Bolts V., Fiibini В., Giamello Е., et з1. Effect of form on the surface reactivity of differently prepared zinc oxides. // J. Chem. Soc. Faraday Trans. Pt.l. 1989. V.85. — № 4. — P.855−867.
  112. Domenech Andress M., Munoz J. Photoinduced oxygen uptake in aqueous suspension of ZnO. // Electrochem. Acta. 1987. V.32. — № 5.1. P.773−775.
  113. Г. А., Лебедев КЗ.С. Влияние некоторых физико-химических факторов на фотохимическое образование Нэ02 на ZnO. И ЖФХ. 1961. Т.35. — № 5. — С.1078−1075.
  114. М.З. Полимеры на основе винилацетата. Л.: Химия, 1983. 176с.
  115. С.И. Поливиниловый спирт и его производные. Т.1. М.-Л.: Изд. АН СССР, I960. -532с.
  116. Pritchard J.G. Polyvinyl Alcohol. Basic Properties and Uses. London-New York-Paris., 1970. 139p,
  117. Finch C.A. Polyvinyl Alcohol. Properties and Application. J. Wiley: London-New York-Sydney-Toronto. 1973. 622p.
  118. А.Я., Бидкая Д. С., Буравлёва М. Т., Лузан Р. Г. Межмолекулярная структура и некоторые электрические свойства поливинилового спирта. // Доклады АН СССР. 1963. Т.150. — № 4. — С.883−836.
  119. В.Ф., Бажин Н. М. Фотографический материал. // A.c. СССР. № 481 015. 1975. Б.И. № 30/1975-
  120. В.Ф., Бажин Н. М. Еессеребряный фотографический процесс на системе поливиниловый спирт галогенид переходного металла. // Журн. науч. и прикл. фото- и кинематографии. 1980. — Т.25. — № 2. -С.90−95.
  121. В. Ф. Усов О.М., Бажин Н.М.Механизм образования скрытого изображения в термически проявляемом фотографическом слое на основе ПВС. // Журн. науч. и прикл. фото- и кинематографии. 1982. Т.27. — № 4. — С.267−270.
  122. И.В., Гелерман Н. Г., Шагисултанова Г. А. Светочувствительность поливинилового спирта в процессе с физическим проявлением. // Журн. науч. и прикл. фото- и кинематографии. 1988. Т.33. — № 6.- С.451−452.
  123. Грибковская С .-П., Кунцевич Н. И. О фотографических свойствах слоев на основе окиси цинка, // Журн, науч. и прикл. фото- и кинематографии. 197?.- Т.22.- № 4. С. 140 441.
  124. К. Полупроводниковые дисперсные системы для фотокатализа и фотосинтеза: обзор.' В сб. Энергетические ресурсы сквозь призму фотохимии к катализа. М.: Мир., 1986. 632с.
  125. А.Б. Исследование оптических и-фотохимических свойств систем ПВС-ZrO и ПВС-?пО-С'иНа12. II Дис. Канд. физ.-мат. наук. Хабаровск.: Дальневосточная государственная академия путей сообщения. 1997.
  126. Н.Й., Уточкина С. П., Зотов Н. И., и др. Влияние условий приготовления оксида цинка на его фотографическую чувствительность. //Весщ АН БССР. Сер. Xim. н. 1982. № 3. — С.30−36.
  127. Отчёт по хоздоговорной теме: исследование механизмов формирования видимого изображения в фотослоях на основе бессеребряных светочувствительных соединений. Хабаровский Гос. Пед. Институт. 1988. № roe. регистрации 01.86.0 38 010. 96с.
  128. М.И. Термо- и фотостимул ир ов айные процессы в системах полупроводник металл, полупроводник — органическая среда. Дисс.. доктор, физ.-мат. наук. Амурский Гос. Университет. Благовещенск. 1.997. — 276с.
  129. Пагубко А: Б., Плеханов В. Г., Бабин П. А. Фоточувствительность системы: поливиниловый спирт оксид цинка. /7 Журн. научн. и прикл. фото- и кинематографии. 1993.- Т.ЗЗ. — № 6. — С.52−55.
  130. В.Н., Кондратьев В.А, Красный-Адмони Л.В. и др. Фотоэлектрохимическое изучение цинк оксидных фотоматериалов с бессеребряньш физическим проявлением. // Деп. ВИНИТИ 2? .11.78. Ш597 -78.
  131. Отчёт по хоздоговорной теме «Разработка лабораторной технологии изготовления печатных плат и/или микросборок фото аддитивным способом.» Хабаровский гос. пед. институт, 1985. № гос. per. 33 694. -85с.
  132. Ю.Н., Левенберг Т. М. Общая сенситометрия. М.: «Искусство». 1963. 302с.
  133. В.А. Фотографическая сенситометрия. М.: «Искусство». 1980.-351с.
  134. Norman N.J. The Photometric Determination of. Excess of Zinc io Zinc Oxide. // Analyst. 1964. V.89. — № 1057. — P.26!
  135. Backs D. Kontaktfreie Mikrowellen-Photoleitungsuntersuchungen on Halbleiterproben mit konventionellen EPR-Spektrometem. il Exp. Techn. Phys. 1984. V.32. — № 4. — P.347−350.
  136. Д.А. СВЧ методы измерения параметров полупроводников. Саратов. 1985. 55с.
  137. Д.А., Вениг С, Б., Феклистов В. Б., Скрипаль A.B. Лабораторные работы по курсу «Измерение параметров полупроводников на СВЧ». Саратов, 1997. 140с.
  138. Т. Теория фотографического процесса. Л.: Химия, 1980.672с.
  139. X. Фотографическая регистрация информации. М.: Мир, 1978. 670с.
  140. Ал.Я.Розовский. Кинетика топонимических реакций. М.: Химия, 1974. 224с.
  141. H.A. Фотохимическое разложение нитевидных кристаллов азидов тяжелы?: металлов. / дисс. канд. физ.-мат. наук Новокузнецк 1989
  142. В.й. Введение, а экспериментальную спектроскопию.1. М.: Наука Л -480 с.
  143. Г. Б.Бокий. Кристаллохимия. М.: «Наука», 1971. 400с.
  144. АЛ., Борин A.B., Иванов В. О. Процессы старения и созфаняемость фотографических материалов. Л.: Химия, 1978. 192с.
  145. В.В. Топохимические реакции как средство записи информации. it Журн. научн. и прикл. фото- и кинематографии. 1974. -Т.19. Ш. — С91−98.
  146. А.Л. Изменение свойств бессеребряных фотоматериалов ао времени. // Успехи науч. фотогр. 1980. Т. 20. — С. 123.
  147. В.А., Дашков Г. И., Цехомский В. А. Фотохромизм и его применение. М.: Химия, 1977. 280с.
  148. В.й. Рентгенометрический определитель минералов. М., 1957.
  149. Maenhout ?an der Vorst W. Van Graeynest F. The Grin Luminescence ofZnO // Phys. Status Solidi. 1965. V.9. — P.749−752.
  150. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1982. 528с.
  151. В.А., Пасько В. Г. Термодинамический анализ собственных дефектов в монокристаллах окиси цинка с отклонением от стехиометрии // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1977. Т.13. — № 11. -С.2026.
  152. Фок M.B. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщённого метода Аленцева. II Тр. ФЕАН, 1973.1. Т.59. С.3−24.
  153. Ваш G., Freydorf E.V., Koschel W.H. Luminescent transitions and conductivity iiiZnO. Phys. status solidi. A. 1974. V.25. — P.247−251.
  154. U.C. О гашении фотолюминесценции в сульфиде цинка. // ЖЭТФ. 1952. Т.23. — В 1(7). — С.101−104.
  155. И. Процессы переноса ш-зргии. В кн. Физика и химия соединений А2В* М.: Мир. 1970. С.372−417.
  156. Ф.Й., Гаврилов Ф. Ф. Зависимость интенсивности люминесценции ZnO и ZnS:Zn от интенсивности возбуждения. // ЖЭТФ. 1948. Т.18. — В. 10. — С.873−877.
  157. M .И., Бабин H.A., Осипов Д.II. // Электронные возбуждения и структурные дефекты кристаллов. Хабаровск: ХГПИ, 1986. •• С.7−13.
  158. M .И., Ивахненко П. С., Бабин П. А., Осипов Д. П., Плаче-нов Б .T. II Тез. докладов IV Всесоюзного совещания: Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы. Кемерово, 1986. • Т.1. С.116−117.
  159. Gupta Т.К. Application of Zinc Oxide Varistors, // J. Am. Ceram. Soc. 1990. V, 73(7). — РД 817−1840.
  160. Л.Й., Ванников A.B. Органические полупроводникии биополимеры. М.: Наука. 1968. 180с.
  161. Sbelbnbsrg I.J., Kao Ж.С. On the relationship between photoconductivity з.?к! fight intensity in solids // J.Phys. D, 1988. V.21. № 12. — P. 17 641 768.
  162. Г. Н. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения. //Тр. ФИАН, 1981. С. 344.
  163. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз. 3963. 496с.
  164. В.Ф., Крылов O.E. Электронные явления в адсорбции икатализе ка полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука 1979. 236с.
  165. И.К., Драпак И. Т. Электролюминесценция монокристаллов окиси цинка. Оптика и спектроскопия. Сб. статей. Т.1. 1963. — С.327 -335,
  166. Ф.И., Загрубский A.A., Зеликин ULM. Возбуждение флуоресценции окиси цинка «горячими» фотоэлектронами, генерируемыми вакуумным ультрафиолетом. /У ФТТ. 1965. Т.7. — С.2232−2234.
  167. Мэни А. ff В сб. Новое в исследовании поверхности твёрдого тела, М.: Мир, 1977. В.2. — С. 36.
  168. Введение в фотохимию органических соединений. Под ред. Г. О. Беккера. Л.: Химия, 1976. 384с.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?