Помощь в учёбе, очень быстро...
Работаем вместе до победы

Низкотемпературная спектроскопия примесных центров Pr3+ в кристаллах оксиортосиликатов

Диссертация: Низкотемпературная спектроскопия примесных центров Pr3+ в кристаллах оксиортосиликатов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Несмотря на разные аспекты прикладного использования активированных кристаллов, центральным объектом внимания является примесный ион и его ближайшее кристаллическое окружение. Электронная структура примесного иона и его взаимодействие с кристаллическим окружением полностью определяет основные оптические и люминесцентные свойства примесного кристалла. Важнейшей характеристикой является… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Сравнительная характеристика методов оптической и нелинейной лазерной спектроскопии примесных центров
    • 1. 2. Основные представления спектроскопии примесных ионов в широкозонных диэлектрических кристаллах
    • 1. 3. Кристаллические среды для оптической памяти и фурье процессоров (основные требования и характеристики)
    • 1. 4. Современное состояние в области спектроскопии редкоземельных ионов в кристаллах оксиортосиликатов
  • Глава 2. Техника эксперимента
    • 2. 1. Приборы и техника спектроскопии оптического поглощения
    • 2. 2. Техника лазерной селективной спектроскопии и спектроскопии с разрешением во времени
    • 2. 3. Лазерный комплекс для наблюдения фотонного эха
    • 2. 4. Низкотемпературная техника эксперимента
    • 2. 5. Образцы для исследования
  • Глава 3. Спектроскопия оптического поглощения примесных ионов
  • Рг3+ в кристаллах Y2Si05, Lu2Si05, Gd2S
    • 3. 1. Система термов и оптические переходы внутри f-оболочки ионаРг3+
    • 3. 2. Спектры оптического поглощения кристаллов Y2Si05: Pr3+,
  • Lu2Si05:Pr3+, Gd2Si05: Pr3+
    • 3. 3. Температурная и концентрационная зависимость спектров поглощения кристаллов Y2Si05: Pr3+, Lu2Si05: Pr3+, Gd2Si05: Pr3+
    • 3. 4. Селективная спектроскопия примесных центров в кристаллах Y2Si05: Pr3+, Lu2Si05: Pr3+, Gd2Si05: Pr3+
    • 3. 5. Симметрийный анализ спектров поглощения оптических центров Рг3+ в кристаллах оксиортосиликатов
  • Глава 4. Лазерная селективная спектроскопия с временным разре
    • 2. I e в шением примесных ионов Рг в кристаллах Y2S1O5, LU2S1O5, Gd2S
      • 4. 1. Затухание люминесценции кристаллов Y2Si05: Pr, Lu2Si05: Pr3+, Gd2Si05: Pr3+npH малой концентрации примесных ионов
      • 4. 2. Особенности затухания люминесценции кристалла
  • Y2SiOs:Pr при вариации концентрации примесных ионов
    • 4. 3. Взаимодействие однотипных и неэквивалентных оптических центров Рг3+ в кристалле Y2SiC>5:Pr3+
    • 4. 4. Анализ экспериментальных кривых затухания люминесценции в модели переноса и захвата на ловушки энергии возбуждения примесных ионов
  • Глава 5. Нелинейная лазерная спектроскопия кристаллов Y2Si05: Pr
  • Lu2Si05:Pr3+, Gd2Si05: Pr3+
    • 5. 1. Фотонное эхо на резонансных оптических переходах примесных ионов Рг в кристалле Y2S
    • 5. 2. Температурная зависимость амплитуды двухимпульсного фотонного эха в кристалле Y2SiOs: Pr
    • 5. 3. Механизмы разрушения эхо-сигнала в кристалле
  • Y2Si05:Pr3+
    • 5. 4. Фотостимулированная ап-конверсия квантовых уровней примесных ионов в кристаллах Y2Si05: Pr3+, Lu2SiC>5:Pr3+,
  • Gd2Si05:Pr3+

Низкотемпературная спектроскопия примесных центров Pr3+ в кристаллах оксиортосиликатов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Широкое, разностороннее, постоянно растущее практическое применение люминесцирующих материалов на основе специально активированных ионами переходных металлов и редкоземельными ионами широкозонных диэлектрических кристаллов делает их объектами интенсивных исследований [1−8]. Активированные кристаллы находят широкое применение не только в таких традиционных областях, как квантовая электроника и сцинтиляционная техника. В настоящее время наблюдается значительный интерес к активированным кристаллам, как резонансным оптическим средам для наблюдения когерентных переходных процессов, на основе которых возможно создание принципиально новых оптических запоминающих устройств и процессоров для параллельной обработки больших информационных потоков [9,10].

Несмотря на разные аспекты прикладного использования активированных кристаллов, центральным объектом внимания является примесный ион и его ближайшее кристаллическое окружение. Электронная структура примесного иона и его взаимодействие с кристаллическим окружением полностью определяет основные оптические и люминесцентные свойства примесного кристалла. Важнейшей характеристикой является энергетический спектр примесных ионов, непосредственно зависящий от особенностей структуры поля лигандов в катионных узлах. Для получения исчерпывающей информации о структуре энергетического спектра примесных ионов, наличии метастабильных энергетических уровней недостаточно использовать обычные методы спектроскопии оптического поглощения [11−15]. Неоднородное уширение оптических полос в спектре поглощения может скрывать многоцентровость, связанную с неэквивалентностью катионных узлов, и маскировать взаимодействие между неэквивалентными оптическими центрами [11,12]. Для преодоления ограничений спектроскопии поглощения необходимо использовать современные методы лазерной селективной спектроскопии и спектроскопии с временным разрешением [11−14]. Для эффективного прикладного использования когерентных переходных процессов необходима информация о динамике оптических переходов между метастабильными энергетическими уровнями примесного иона [12,15]. Это, прежде всего, подразумевает знание времен энергетической и фазовой релаксации возбуждений на резонансных оптических переходах и величины дипольных моментов [12,14,15]. Поэтому, использование методов нелинейной оптической спектроскопии является практически необходимым на современном этапе исследования активированных кристаллов [11,12,14].

Кристаллы Y2Si05 (YSO), Lu2Si05 (LSO) и Gd2Si05 (GSO), относящиеся к семейству оксиортосиликатов с общей формулой RE2(Si04)0 (RE — элементы Y, La-Lu) [16], обладают рядом уникальных свойств. Кристаллы оксиортосиликатов редких земель являются относительно новыми объектами исследования и уже сейчас в этом классе кристаллов найдены эффективные сцинтиляторы [17−19]. Кристаллы оксиортосиликатов обладают высоким оптическим качеством, широким диапазоном прозрачности, химической и фотохимической стабильностью. До начала исследований по диссертационной работе, данные по спектроскопии редкоземельных ионов, специально введенных в эти кристаллы были противоречивы и немногочисленны [20−22]. В зависимости от типа редкоземельного иона, кристаллы оксиортосиликатов принадлежат двум кристаллографическим типам [16,23]. В обоих случаях, кристаллическая решетка характеризуется двумя неэквивалентными катионными узлами с разной координацией по кислороду [23]. Однако реальная структура поля лигандов в неэквивалентных катионных узлах остаётся неизвестной. Неизвестна, также, изоморфная ёмкость этих узлов по отношению к введению примесных редкоземельных ионов.

Ион празеодима чрезвычайно интересен по ряду причин. В его энергетическом спектре имеется несколько метастабильных энергетических уровней, что позволяет рассматривать схемы эффективной ап-конверсии его энергетических уровней под действием низкоэнергетических квантов накачки, а так же выбрать несколько пар резонансных оптических переходов для наблюдения когерентных оптических откликов [5,6,7,11,14,15]. Квантовые переходы внутри f-оболочки ионов празеодима обеспечивают многочастотную лазерную генерацию [22,24]. Ион Рг3+ имеет хорошо сепарированный по энергии от других термов, терм JD2 [1,6,7], который может быть использован в качестве зонда для исследования микроструктуры поля лигандов катионных узлов.

Цели и задачи работы. 1. Исследование закономерностей формирования оптических спектров.

5 L поглощения примесных ионов Рг в кристаллах YSO, LSO, GSO.

2.На основе симметрийного анализа особенностей расщепления терма! D2 примесных ионов Рг3+ получить количественную информацию о микроструктуре поля лигандов в катионных узлах кристаллов YSO, LSO, GSO.

3.Изучить изоморфную ёмкость неэквивалентных катионных узлов кристаллической решетки YSO при вариации концентрации примесных ионов Рг3+. Выяснить наличие взаимодействия между оптическими центрами Рг3+.

4.Исследовать механизмы разрушения амплитуды двухимпульсного фотонного эха на резонансных оптических переходах примесных ионов о |.

Рг в кристалле YSO.

5.Исследовать явление фотостимулированной ап-конверсии энергетических уровней примесных ионов Рг3+ в кристаллах YSO, LSO и GSO под действием нерезонансной когерентной накачки.

Научная новизна.

Впервые установлено наличие двух оптических центров Рг3+, обусловленных замещением примесными ионами неэквивалентных катионных узлов в кристаллических решетках YSO, LSO и GSO. Обнаружена квазисимметрия поля лигандов в катионных узлах кристаллов YSO, LSO и GSO. В одном типе катионных узлов кристаллов YSO и LSO для кристаллического поля лигандов наблюдается симметрия искаженного октаэдра, а для другого типа искаженного тетраэдра. Поле лигандов в кристалле GSO для обоих катионных узлов имеет симметрию искаженного октаэдра. Установлено неравномерное заселение примесными ионами Рг3+ неэквивалентных катионных узлов кристалла YSO. Обнаружено взаимодействие только между однотипными оптическими центрами Рг3+ в кристалле YSO в интервале температур 1.5−80 К и вариации общей концентрации примесных ионов в интервале 0.3−1.8 ат. %. Показано, что в пределах катионного узла первого типа в кристалле YSO имеют место термостимулированные туннельные переходы примесного иона Рг3+ между минимумами адиабатического потенциала, определены параметры туннелирования. Обнаружено и исследовано явление фотостимулированной ап-конверсии энергетических уровней примесного о «иона Рг в кристаллах YSO, LSO и GSO при нерезонансной оптической накачке.

Практическая ценность. Полученные результаты могут быть использованы в разработках новых оптических материалов, активных лазерных сред под диодную накачку и эффективных, быстродействующих сцинтилляторов для позитронных томографов и экспериментов по физике высоких энергий. Полученные экспериментальные результаты позволяют вести целенаправленную разработку и создание новых оптических материалов на базе кристаллов оксиортосиликатов.

Достоверность и обоснованность результатов, полученных в процессе выполнения диссертационной работы, обусловлена неограниченной стабильностью объектов исследования и однозначной воспроизводимостью результатов измерений, использованием современных методов оптической спектроскопии и полной автоматизацией эксперимента, достаточностью экспериментального материала и прозрачностью его интерпретации, интегрированием полученных результатов в современные исследования других научных коллективов.

Автор выносит на защиту.

1.Результаты исследования оптических спектров поглощения примесных ионов Рг3+ в кристаллах YSO, LSO и GSO при вариации концентрации в интервале температур 1,5−80К.

2.Симметрийных анализ особенностей расщепления терма примесных ионов Рг3+ в неэквивалентных катионных узлах кристаллов YSO, LSO и GSO.

3.Результаты исследования особенностей затухания люминесценции примесных ионов Рг3+ при вариации их концентрации 0,3−1,8 ат.% в кристалле YSO.

4.Результаты исследования механизмов дефазировки резонансного оптического перехода 3Н4<�н>3Ро примесных ионов Рг3+ в кристалле YSO.

5.Результаты исследования фотостимулированной ап-конверсии энергетических уровней примесных ионов Рг3+ в кристаллах YSO, LSO и GSO при нерезонансной когерентной накачке.

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы изложены в 7 статьях научных специализированных журналов и вынесены для обсуждения на следующие международные конференции: XVII Международная конференция по когерентной и нелинейной оптике (ICONO 2001) 2001, Минск, БеларусьIX Международные чтения по квантовой оптике, 2003, С.-Петербург, РоссияXIII ежегодная международная конференция по лазерной физике (LPHYS'04) 2004, Триест, Италия.

Структура и объём диссертации. Диссертационная работа состоит из Введения, пяти глав, Заключения и Списка цитированной литературы. Диссертация изложена на 117 страницах печатного текста, иллюстрирована 28 рисунками и 2 таблицами. Список цитированной литературы состоит из 101 источника.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе исследованы оптические спектры, затухание люминесценции и динамика электронных переходов ионов активатора Рг3+ в кристаллах Y2Si05, LU2S1O5 и Gd2Si05, на основе анализа и обобщения экспериментальных результатов построена микроскопическая модель центров активации Рг3+.

— 5 I.

1. Показано наличие двух типов оптических центров Рг в кристаллах Y2Si05, Lu2Si05 и Gd2Si05, возникающих в результате замещения двух неэквивалентных катионных узлов примесными ионами. Примесные ионы Рг3+ неравномерно заселяют неэквивалентные катионные узлы;

2. На основе анализа особенностей расщепления терма 'Ог примесных.

1 I ионов Рг обнаружено сохранение квазисимметрии катионных узлов в кристаллах Y2Si05, Lu2SiOs и Gd2SiC>5. В кристаллах Y2Si05 и Lu2Si05, принадлежащих к одному кристаллографическому типу, в одном сорте катионных узлов наблюдается кристаллическое поле искаженного октаэдра, в другом — искаженного тетраэдра. В кристалле Gd2Si05, относящемся к другому кристаллографическому типу, оба сорта катионных узлов имеют кристаллическое поле искаженного октаэдрао I.

3. При возрастании общей концентрации примесных ионов Рг свыше 0,6 ат.% наблюдается отклонение закона затухания люминесценции.

1 I примесных ионов в кристалле Y2Si05: Pr от экспоненциального, что вызвано переносом и миграцией энергии электронного возбуждения. Наблюдаемая особенность проявляется для двух оптических центров при разной концентрации, что обусловлено неравномерным заселением неэквивалентных катионных узлов примесными ионами;

4. Миграция энергии электронного возбуждения примесных центров в л I кристалле Y2SiC>5:Pr носит характер термостимулированной диффузии. В качестве ловушек энергии электронного возбуждения примесных ионов в кристалле Y2Si05: Pr3+ выступают димеры примесных ионов;

Установлено, что при гелиевых температурах примесные ионы в кристалле Y2SiC>5:Pr3+ испытывают термостимулированные туннельные переходы между неэквивалентными положениями в пределах одного катионного узла локализации;

Установлено, что высокая изоморфная ёмкость кристаллов Y2Si05, Lu2SiC>5 и Gd2Si05 по отношению к активации РЗ ионами обусловлена относительной «рыхлостью» катионных узлов;

При нерезонансной когерентной лазерной накачке в кристаллах Y2Si05, Lu2Si05, Gd2Si05 с примесью ионов празеодима имеет место фотостимулированная ап-конверсия квантовых уровней Рг .

Показать весь текст

Список литературы

  1. C.W.Thiel, H. Cruguel, Y. Sun, G.J.Lapeyre, R.M.Macfarlane, R.W.Equall, and R.L.Cone, Systematics of 4f electron energies relative to host bands by resonant photoemission of rare earth doped optical materials//J.Luminescence.-2001.-v.94&95.-p.l-6.
  2. R.P.Rao, and D.J.Devine, RE-activated lanthanide phosphate phosphors for PDP applications// J.Luminescence.-2000.-v.87&89.-p.l260−1263.
  3. A.J.Wojtowicz, Rare-earth-activated wide bandgap materials for scintillators//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.-2002.-v.A486.-p.201−207.
  4. G.Blasse, The luminescence efficiency of scintillators for several applications: State-of-the-art// J.Luminescence.-1994.-v.60&61.-p.930−935.
  5. W.Lenth, and RM. Macfarlane, Exitation mechanisms for upconvertion laser// J.Luminescence.-1990.-v.60.-p.346−350.
  6. А.А.Каминский, Физика и спектроскопия кристаллов. М.: Наука, 1986. -271 с.
  7. Spectroscopy of Solids Containing Rare Earth ions / Ed. by A.A.Kaplyanskii and RM.Macfarlane. Amsterdam: North-Holland, 1987. — 365 p.
  8. М.Е.Глобус, Б. В. Гринев, Неорганические сцинтилляторы. — Харьков: АКТА, 2000. 402 с.
  9. E.A.Manykin, N.V.Znamensky, D.V.Marchenko, E.A.Petrenko, and M.A.Selivanov, Elaboration of rapid Mathods in an Optical Storage Device Based on the Photon Echo Effect//Optical Memory and Neural Networks.-1992.-v.l.-p.239−255.
  10. M.K.Kim, and RKachru, Many-bit optical data storage using stimulated achoes//Appl. Opt.-1989.-v.28.-p.2185−2189.
  11. Сверхчувствительная лазерная спектроскопия / под редакцией Д.Клайджера. М.: Мир, 1986. — 519 с.
  12. Ю.В. Когерентная спектроскопия молекулярных кристаллов.- К.: Наукова думка, 1986. 248 с.
  13. Э.А., Самарцев В. В. Оптическая эхо-спектроскопия. М.: Наука, 1984.-272 с.
  14. И. А., Виноградов Н. В., Демьянец JI.H. Соединения редкоземельных элементов. Силикаты, германаты, фосфаты, арсенаты, ванадаты. JL: Наука, 1983. — 268 с.
  15. Chochralski growth of rare earth oxyorthosilicate single cryatals / C.L.Melcher, R.A.Manete, C.A.Peterson, and J.S.Schweizer // J. Crystal Growth.- 1993. Vol.128. — P.1001 — 1007.
  16. Melcher C.L. and Schweizer J.S. Cerium-doped lutethium oxyorthosilicate: a fast efficient new scintillator // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. — Vol.39. — P. 502 -513.
  17. Спектрально-люминесцентные и абсорбционные характеристики иона1. О I
  18. Ju J.J., Ro J.H., and Cha M. Up-conversion mechanisms in Pr -doped Bi4Ge3Oi2 crystal // J. Luminescence. 2000. -Vol.87−89. — P. 1045−1048.
  19. К. Введение в теорию поля лигандов. М.: Мир, 1964. — 360 с.
  20. И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. Ленинград: Химия, 1986. — 286 с.
  21. Н.А., Свиридов Д. Т. Введение в физику активированных кристаллов. — Харьков: Выща школа, 1990. 319 с.
  22. A.M. Теория дефектов в твердых телах. Т.1. М.: Мир, 1978. — 569 с.
  23. В. Лазерная спектроскопия. Основные принципы и техника эксперимента. М.: Наука, 1985.- 608с.
  24. J.L.Skiner, В.В.Laird, and L. Root, Inhomogeneous broadening in solids: progress towards a microscopic understanding//J.Luminescence.-1990.-v.45.-p.6−8.
  25. Л.Аллен, Дж. Эберли, Оптический резонанс и двухуровневые атомы.-М.: Мир, 1978.-222 с.
  26. Дж.Макомбер, Динамика спектроскопических переходов.- М.: Мир, 1978.-287 с.
  27. Спектроскопия и динамика возбуждений в конденсированных молекулярных системах // под ред. В. М. Аграновича и Р. М. Хохштрассера.-М.: Наука, 1987.
  28. У.Х.Копвилем, В. Р. Нагибаров, Световое эхо на парамагнитных кристаллах// ФММ.-1963 .-т. 15 .-с.313−315.
  29. Dorembos P. Predictability of 5d level positions of the triply ionized lanthanides in halogenides and chalcogenides // J.Luminescence. 2000. -Vol.87−89. — P. 970−972.
  30. F.Auzel, Up-coversion processes in coupled ion systems//J.Luminescence.-1990.-v.45.-p.341−345.
  31. Н.Л.Погребняк, П. Н. Жмурин, Б. И. Минков, Ю. В. Малюкин, Низкотемпературная спектрскопия кристаллов Y2SiOs: Pr и Gd2Si05: Рг3+//У ФЖ,-1995 .-т.40.-с. 178−181.
  32. Низкотемпературная спектроскопия неэквивалентных оптическихл Iцентров Рг в кристалле Y2Si05 / Ю. В. Малюкин, Б. И. Минков, Р. С. Борисов, В. П. Семиноженко и д.р. // ФНТ. 1998. — Т. 24, № 6. — С. 571−576.→ I
  33. Spectral hole-burning and holography in a
  34. Y2Si05:Pr crystal / K. Holliday, M. Croci, E. Vauthey, and U.P.Wild // Phys.Rev. 1993. — Vol.47, P.14 741−14 752.
  35. А.Н.Зайдель, Г. В. Островская, Ю. И. Островский, Техника и практика спектрскопии.-М.: Наука, 1976.- с. 392.
  36. Дж.Лакович, Основы флуоресцентной спектроскопии.-М.: Мир, 1986.-с.496.
  37. D.V.O'Connor, and D. Phillipe, Time-correlated single Photon Counting.-New York: Academi Press, 1984.-p.102.
  38. В.Н.Задков, Ю. В. Пономарев, Компьютер в эксперименте.-М.: Наука, 1988.-c.376.45.NIM460.3велто, Физика лазеров.-М.: Мир, 1979.-c.373.
  39. N.Kurnit, and S.R.Hartmann, Stimulated photon echoes//Bull.Am.Phys.Soc., 1966.-v.ll.-p.112.
  40. Y.C.Chen, K.P.Chaig, and S.R.Hartmann, Spectroscopic and relaxation character of the H4- P0 transition in LaF3: Pr mesured by photon echoes.-Phys.Rev.B., 1980.-v.21 .-p.40−47.
  41. Y.C.Chen, and S.R.Hartmann, Photon echo modulation in LaF3: Pr3+.-Phys.Lett., 1976.-v.A58.-p.201−202.
  42. Р.Лодиз, Р. Паркер, Рост монокристаллов.-М.: Мир, 1974.-c.357.
  43. Yen W.M., Scott W.C., and Schawlow A.L. Photon-induced relaxation in excited optical states in trivalent praseodymium in LaF3 // Phys.Rev. 1964. -Vol.136.-P.271−283.→ I
  44. Wensky D.A., and Moulton W.G. Energy levels of Pr in various crystal hosts // J.Chem.Phys. 1970. — Vol.53. — P. 3957−3968.
  45. Hargreaves W.A. Energy levels of tetragonally site
  46. Pr3+ ions in calcium fluoride crystals // Phys.Rev.B. 1972.- Vol.6. — P.3417−3422.
  47. Caspers H.H., and Rast H.E. // Electronic and vibronic spectra of Pr3+ in LiYF4// J.Luminescence. 1975. — Vol.10. — P. 347−369.
  48. Взаимодействие оптических центров Рг3+ в кристалле Y2Si05 / Малюкин Ю. В., Жмурин П. Н., Лебеденко А. Н., Шолкина М. А., Гринев Б. В., Знаменский Н. В., Маныкин Э. А., Орлов Ю. В., Петренко Е. А., Юкина Т. Г. // ФНТ. 2002.- Т.28, № 1.- С. 73−78.
  49. Природа центров активации в кристаллах Y2Si05, Gd2Si05 и Lu2Si05 / Знаменский Н. В., Маныкин Э. А., Орлов Ю. В., Петренко Е. А., Юкина Т. Г.,
  50. Ю.В., Борисов Р. С., Жмурин П. Н., Лебеденко А. Н., Гринев Б. В. // ЖЭТФ.- 2001.- Т.120, вып. 2 (8).- С. 420−429.-у .
  51. Spectroscopy of Ti: А1203 / A. Lupei, V. Lupei, C. Ionescu, H.G.Tang, and M.L.Chen // Optics Communication. 1986. — Vol.59. — P. 36−38.
  52. Byvik C.E., and Buoncristiani A.M. Analasis of Vibronic transition in titanum doped sapphire using the temperature of fluorescence spectra // IEEE Quantum Electronic. 1985. -Vol.21. — P. 1619−1624.
  53. Lacovara P., Esterovich L., and Kokta M. Growth, spectroscopy, and lasing of titanium-doped sapphire // IEEE J. Quantum Electronic. 1985. — Vol.21.-P.1614−1618
  54. Р.Хохштрассер, Молекулярные аспекты симметрии.-М.: Мир, 1980. -315 с.
  55. Yu.V.Malyukin, R.S.Borisov, A.N.Lebedenko, N.I. Leonyuk, and M. Roth, о I
  56. Feutures of luminescence decay kinetics for Pr ions in a Y2Si05 crystal.- Low Temperature Physics.-2000.- v.26.- p.363−366
  57. Р.Нокс, А. Голд, Симметрия в твердом теле.-М.: Наука, 1970.-c.424
  58. А.П., Савукинас А. Ю. Математические методы теории атома. — Вильнюс: Миншис, 1973. 479 с.
  59. В.Л.Ермолаев, Е. Н. Бодунов, Е.Б.свешникова, Т. А. Шахвердов, Безызлучательный перенос энергии электронного возбуждения.-Л.: Наука, 1977.-c.310.
  60. A.Oppenlander, C. Rambaud, H.P.Trommsdorff, and J.C.Vial, Translational Tunneling of Protons in Benzoic-acid crystals, Phys.Rev.Lett., 1989.-v.63.-p.1432−1435.
  61. R.Illigworth, Luminescence decay of KI (T1), KBr (Tl), and KCl (Tl)// Phys.Rev.-1964.-v.l3.-p.508−517/
  62. Soules T.F., and Duke C.B. Resonant energy transfer between localized electronic states in a crystal // Phy.Rev.B. -1971. Vol.3.- P. 262−273.
  63. B.M., Галанин М. Д. Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах.-М.: Наука, 1978.-c.384.
  64. Ю.В., Лебеденко А. Н. Люминесцентная динамика примесного центра с двухямным адиабатическим потенциалом // Письма ЖЭТФ. -1993.-Т.58. С.20−22.
  65. Ю.В., Погребняк Н. Л., Семиноженко В. П. Особенности низкотемпературной спектроскопии примесных центров с многоямным адиабатическим потенциалом // ФНТ. 1995. — Т.21. — С. 1236−1240.
  66. А.А., Еременко В. В., Карачевцев В. А., Особенности миграции триплетных экситонов в квазиодномерных кристаллах.// ЖЭТФ.-1988.-т.94.-с.281−290.
  67. Burshtein A.I., Energy quenching kinetics beyong the rate concept, J.Luminescence.-2001 .-v.93 .-p.229−241.
  68. KenkreV.M., and ParrisP.E., Exiton trapping and sensitized luminescence: a generalized theory for all trap concetrations., Phys.rev.B., 1983.-v.27.-p.3221−3234.
  69. Danielmer H.G., and Weber H.P., Fluorescence in Neodymium Ultraphosphate, J. Quantum Electronics.-1972.-v.QE-8.-p.805−808., 81. Kallendonk F., and Blasse G., Luminescence and energy transfer in EuAl3B40i2, J.Chem.Phys., 1981.-v.75.-p.561−571.
  70. Flaherty J.M., and Powell R.C., Concentration quenching in NdxY^PsO^ crystals, Phys.Rev.B., 1979.-v.l9.-p.32−42.
  71. Chua M., Tanner P.A., and Reid M.F. Phonon-assisted energy transfer // J.Luminescence. 1994. — Vol.60−61. — P.83 8−841.
  72. Kirkpatrick S.M., Denis W.M., and Yen W.M. Phonon-assisted stimulated energy transfer in LaF3: Pr3+ //J.Luminescence. 1994. — Vol.60−61. — P.857−859.
  73. Equall R.W., Cone R.L., and Macfarlane R.M. Homogeneous broadening-j iand hyperfine structure of optical transition in Pr: Y2Si05 // Phys.Rev.B. -1995. -Vol.52. P. 3963−3969.
  74. Kurnit N.A., Abella I.D., and Hartmann S.R., Observation of photon echoes.-Phys.Rev.Lett., 1964.-v.6.-p.567−570.
  75. Abella I.D., Kurnit N.A., and Hartmann S.R., Photon echoes, Phys.Rev., 1966.-v.l41.-p.391−411.
  76. Kohmoto Т., Nakatsuka H., and Matsuoka M., Phonon-Induced Relaxation in7 ш
  77. F3:Pr Measured by Photon Echoes.-Japanese Journal of Applied Physics, 1983.-v.22.-p.571−573.
  78. Morsink J.B.W., Wiersma D.A., Photon Echoes in the 3P0−3H4 Transition of LaF3: Pr3+, Chem.Phys.Lett., 1979.-v.65.-p.l05−108.
  79. Compaan A., Concentration-dependent photon-echo decay in raby, Phys.Rev., 1972.-v.5.-p.4450−4465.
  80. Glasser S., and Wackerle G., High-resolution spectroscopy of YA103: Pr3+by stimulated photon-echo envelope modulation, Chem.Phys.Lett., 1984 v. 121.-p.267−271.
  81. Macfarlane R.M., and Meixner A.J., Electric-field-modulation photon echoes in YA103: Pr3+, Chem.Phys., 1994 v. l9.-p.987−989.
  82. Takeuchi N., Mesurmant of the relaxation time in LaF3: Pr3+ by photon echo, J. Luminescence, 1976,-v. 12/13 .-p.743−747.
  83. Chen Y.C., Chaing K.P., and Hartmann S.R., photon-echo relaxation in LaF3: Pr3+, Opt.Commun., 1979.-v.29.-p.l81−185.
  84. Takeuchi N., Photon-echo behavior in the presence of extreme inhomogeneous broading, IEEE J. Quant. Electronics, 1975.-v.ll.-p.230−235.
  85. Meijers H.C., and Wiersma D.A., Low temperature dynamics in amorphous solids: A photon echo study, J. Chem. Phys., 1994.-v.l01.-p.6927−6943.
  86. Jankoviak R., and Smoll G.J., spectral diffusion of molecular electronic transition in amorphous solids: weak and strong tow-level-system phonon caupling, Phys. Rev.B., 1993.-v.47.-p.l4805−14 812.
  87. Ю.В., Погребняк h.ji. и др., Особенности дефазировки резонансных оптических переходов иона Рг в кристалле Y2Si05, ЖЭТФ, 1995.-Т.108.-С.485−492.
  88. Huber G., Bar S., Heumann E., Kuck S., and Scheife H. In: 2nd International Symposium on Laser, Scintillator and Nonlinear Optical Materials (Lyon, France, 2000, Session 3, talk 2).
  89. Formaliero V., Mix E., Peters V., Petermann K, and Huber G., Crystal Research and Technology, 1990.-v.31.-p.255−247.
  90. Lenth W., and Macfarlane R.M., Exitation mechanisms for upconvertion lasers, J. Luminescence, 1990.-v.45.-p. 346−348.
Заполнить форму текущей работой

Пора сдавать?